JPH10279385A - 単結晶引上げ装置及び単結晶引上げ方法 - Google Patents

単結晶引上げ装置及び単結晶引上げ方法

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JPH10279385A
JPH10279385A JP9522897A JP9522897A JPH10279385A JP H10279385 A JPH10279385 A JP H10279385A JP 9522897 A JP9522897 A JP 9522897A JP 9522897 A JP9522897 A JP 9522897A JP H10279385 A JPH10279385 A JP H10279385A
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seed
cable
gripping
single crystal
seed chuck
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JP9522897A
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English (en)
Inventor
Tsunehisa Machida
倫久 町田
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Super Silicon Crystal Research Institute Corp
Original Assignee
Super Silicon Crystal Research Institute Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 大径、大重量の単結晶を確実にかつ安全に引
き上げる。 【解決手段】 石英るつぼ内のSi融液の表面に対して
把持アーム12が接触しないように第2ケーブル13を
引き上げて上方に待機させるとともに、把持アーム12
の先端12bが開くように第3ケーブル15及び重石1
4を引き上げた状態で、第1ケーブル1を引き下げてシ
ード3が浸漬するように下降させる。第1ケーブル1を
引き上げてシード3の下にネック部4、支持用径拡大部
5、くびれ部6、結晶本体部分7を形成させ、次いで把
持アーム12の先端12bがくびれ部6の位置に下降す
るまで第2ケーブル13を下げ、次いで把持アーム12
の先端12bが単結晶の晶癖線を避けて、くびれ部6を
把持するように第3ケーブル15及び重石14を引き下
げる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、引上げCZ(Czoc
hralski)法によりSi(シリコン)の無転位の単結晶
を製造するための単結晶引上げ装置及び単結晶引上げ方
法に関する。
【0002】
【従来の技術】一般に、引上げCZ法による単結晶引上
げ装置(単結晶成長装置)では、高耐圧気密チャンバ内
を10torr程度に減圧して新鮮なAr(アルゴン)ガス
を流すとともに、チャンバ内の下方に設けられた石英る
つぼ内の多結晶を加熱して溶融し、この融液の表面に種
結晶を上から浸漬し、種結晶と石英るつぼを回転、上下
移動させながら種結晶を引き上げることにより、種結晶
の下に上端が突出した円錐形の上部コーン部と、円筒形
のボディー部と下端が突出した円錐形の下部コーン部よ
り成る単結晶(いわゆるインゴット)を成長させるよう
に構成されている。
【0003】また、この成長方法として、種結晶を融液
の表面に浸漬した時の熱衝撃により種結晶に発生する転
位を除去(無転位化)するために、種結晶を融液の表面
に浸漬した後、引上げ速度を比較的速くすることにより
種結晶より小径の例えば直径が3〜4mmのネック部を
形成した後に上記の上部コーン部の引上げを開始するダ
ッシュ(Dash)法が知られている。
【0004】さらに、この小径のネック部を介しては、
大径、大重量(150〜200kg以上)の単結晶を引
き上げることができないので、例えば特公平5−654
77号公報に示されるようにDash法により小径のネック
部を形成した後、引上げ速度を比較的遅くして大径を形
成し、次いで引上げ速度を比較的速くして小径を形成す
ることにより「くびれ」を形成し、この大径部の下のく
びれを把持具で把持することにより大径、高重量の単結
晶を引き上げる方法が提案されている。また、くびれを
把持する従来の装置としては、上記公報の他に、例えば
特公平7−103000号公報、特公平7−515号公
報に示されているものがある。
【0005】また、他の従来例としては、例えば特開平
5−270974号公報、特開平7−172981号公
報に示されるように上記「くびれ」を形成しないでボデ
ィー部をそのまま把持する方法や、特開昭63−252
991号公報、特開平5−270975号公報に示され
るように上記「くびれ」の代わりに、上部コーン部とボ
ディー部の間にボディー部より径が大きい「環状部」を
形成し、この「環状部」の下を把持する方法が提案され
ている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、成長後
の単結晶には、晶癖線と呼ばれる突起が形成されるの
で、この突起により把持具による係止が困難となるとい
う問題点がある。また、上記のような従来の把持装置で
はいずれも、真空ポンプにより10torr程度に減圧さ
れ、また、高温(1000°C以上)のチャンバ内にお
いて、大径、大重量(例えばボディー部の直径が400
mm、重量が400kg)の単結晶を吊り上げる把持具
と駆動源の伝達機構が現実的ではなく、実際的でないと
いう問題点がある。なお、もし単結晶と把持具の係止が
外れて単結晶が落下すると、転位が発生して単結晶が商
品とならないばかりか、石英るつぼが破損して最悪の場
合には石英るつぼを回転、上下移動させるためのるつぼ
軸の内部の冷却水と、高温の融液が反応して水蒸気爆発
が発生する。
【0007】本発明は上記従来の問題点に鑑み、大径、
大重量の単結晶を確実にかつ安全に引き上げることがで
きる単結晶引上げ装置及び単結晶引上げ方法を提供する
ことを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するために、単結晶を把持する把持アームを、シード
(種結晶)を保持するシードチャック(種結晶ホルダ)
と一体で回転可能に構成するとともに、シードの下に単
結晶の把持位置が形成されるまでは上方向に待機させ、
把持位置が形成された後に把持位置まで下降させ、把持
後にシードチャックと同期して回転させながら引き上げ
るようにしたものである。
【0009】すなわち本発明によれば、シードを支持す
るシードチャックと、前記シードチャックを回転させな
がら昇降させるための第1のケーブルを有する第1昇降
手段と、前記シードチャックと共に昇降・回転可能で、
かつ前記シードチャックに対して上下に移動可能な複数
の把持アームと、前記複数の把持アームを昇降させるた
めの第2のケーブルを有する第2昇降手段と、前記複数
の把持アームの所定位置を前記シードチャックの軸を中
心に内方向に移動させ、かつ前記第1、第2のケーブル
と同期して前記複数の把持アームを引き上げるための第
3のケーブルを有する第3昇降手段とを、有する単結晶
引上げ装置が提供される。
【0010】また本発明によれば、シードを支持するシ
ードチャックと、前記シードチャックを回転させながら
昇降させるための第1のケーブルを有する第1昇降手段
と、前記シードチャックに取り付けられ、前記シードチ
ャックの軸を中心に外方向に伸長し、前記シードチャッ
クと共に回転可能な複数のベースアームと、前記複数の
ベースアームのそれぞれに対して上下方向に移動可能
に、かつ先端が前記シードチャックの軸を中心に外方向
に移動可能に支持された複数の把持アームと、前記複数
の把持アームを昇降させるための第2のケーブルを有す
る第2昇降手段と、前記複数の把持アームの前記先端を
前記シードチャックの軸を中心に内方向に移動させ、か
つ前記第1、第2のケーブルと同期して前記複数の把持
アームを引き上げるための第3のケーブルを有する第3
昇降手段とを、有する単結晶引上げ装置が提供される。
【0011】また本発明によれば、シードを支持するシ
ードチャックと、前記シードチャックを回転させながら
引き上げることにより前記シードの下に単結晶を成長さ
せるための第1のケーブルを有する第1昇降手段と、前
記シードチャックに取り付けられ、前記シードチャック
の軸を中心に外方向に伸長し、前記シードチャックと共
に回転する複数のベースアームと、前記複数のアームの
それぞれに対して上下方向に移動可能に、かつ先端が前
記シードチャックの軸を中心に外方向に移動可能に支持
された複数の把持アームと、前記複数の把持アームを、
前記シードの下に単結晶の把持部が形成されるまでは上
方向に待機させ、把持部が形成された後に前記先端を前
記把持部まで下降させ、把持後に前記第1のケーブルと
同期して前記複数の把持アーム引き上げるための第2の
ケーブルを有する第2昇降手段と、前記複数の把持アー
ムが単結晶を把持した後、前記複数の把持アームの上端
を前記シードチャックの軸を中心に外方向に引くことに
より前記先端を前記シードチャックの軸を中心に内方向
に移動させ、把持後に前記第1、第2のケーブルと同期
して引き上げるための第3のケーブルを有する第3昇降
手段とを、有する単結晶引上げ装置が提供される。
【0012】また本発明によれば、原料融液上でシード
を支持するシードチャックと、前記シードチャックを回
転させながら昇降させるための第1のケーブルを有する
第1昇降手段と、前記シードチャックと共に昇降・回転
可能で、かつ前記シードチャックに対して上下に移動可
能な複数の把持アームと、前記複数の把持アームを昇降
させるための第2のケーブルを有する第2昇降手段と、
前記複数の把持アームの所定位置を前記シードチャック
の軸を中心に内方向に移動させ、かつ前記第1、第2の
ケーブルと同期して前記複数の把持アームを引き上げる
ための第3のケーブルを有する第3昇降手段とを有する
単結晶引上げ装置を用いた単結晶引上げ方法であって、
前記第2昇降手段を制御して前記複数の把持アームを、
前記シードの下に単結晶の把持部が形成されるまでは上
方向に待機させるステップと、前記第1昇降手段を制御
して前記シードを前記原料融液に浸漬して、なじませる
ステップと、前記第1昇降手段を制御して前記シードを
引き上げ、よって単結晶を成長させてネック部と把持部
を形成するステップと、前記把持部が形成された後に前
記第2昇降手段を制御して前記複数の把持アームを前記
把持部まで下降させるステップと、前記第3昇降手段を
制御して前記複数の把持アームの先端を半径方向内方向
に閉じさせるステップと、前記複数の把持アームの先端
が前記把持部を把持した後に、前記第1、第2、第3昇
降手段を制御して前記第1、第2、第3ケーブルを同期
させて引き上げるステップとを、有する単結晶引上げ方
法が提供される。
【0013】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を説明する。図1は本発明に係る単結晶引上げ
装置の一実施形態の要部を示す構成図、図2は図1の把
持力発生装置を示す構成図である。
【0014】図1において、第1ケーブル1の先端には
シードチャック(種結晶ホルダ)2が取り付けられ、シ
ードチャック2にはシード(種結晶)3が取り付けられ
る。第1ケーブル1は後述する図4に示す第1ケーブル
巻取りドラム32及び第1ケーブル巻取りモータ26に
より上方に巻き取られるように構成され、また、第1ケ
ーブル巻取りドラム32及び第1ケーブル巻取りモータ
26は図示省略のドラム回転モータにより回転可能に構
成されている。そして、シード3を図示省略の石英るつ
ぼ内のSi融液に浸漬させてなじませた後、引き上げる
ことによりシード3の下にネック部4、支持用径拡大部
5、くびれ部6、結晶本体部分7を形成する。
【0015】シードチャック2には複数(3本以上)の
略水平方向かつ半径方向外方向へ伸長するベースアーム
11が、シードチャック2と共に回転するように取り付
けられている。ベースアーム11の各々には把持アーム
12が支点P1の周りを矢印M2、M3で示すように回
転可能に、かつ支点P1に沿って矢印M1で示すように
上下方向に移動可能に取り付けられている。把持アーム
12の下端(先端)12aはくびれ部6を把持可能なよ
うに内側に突出して形成され、把持アーム12の上方は
第2ケーブル13の先端により支持されている。第2ケ
ーブル13の他端は第2ケーブル巻取りドラム34及び
第2ケーブル巻取りモータ28により上方に巻き取られ
たり、巻き出されるように構成され、また、第2ケーブ
ル巻取りドラム34及び第2ケーブル巻取りモータ28
は、第1ケーブル巻取りドラム32及び第1ケーブル巻
取りモータ26と共に回転可能に構成されている。
【0016】また、図2に示すように、把持アーム12
の上方には支点P2を軸として回動可能な回動部12b
が取り付けられている。さらに第1ケーブル1にはリン
グ状の重量物としてのリング状の重石14が上下方向に
移動可能に支持され、重石14は第3ケーブル15の先
端により支持されている。第3ケーブル15の他端は図
示省略の第3ケーブル巻取りドラム36及び第3ケーブ
ル巻取りモータ30により上方に巻き取られるように構
成され、また、第3ケーブル巻取りドラム36及び第3
ケーブル巻取りモータ30は、第1、第2ケーブル巻取
りドラム32、34及び第1、第2ケーブル巻取りモー
タ26、28と共にシードチャック2の軸を中心に回転
可能に構成されている。
【0017】また、把持アーム12の上部に回動可能に
取り付けられた回動部12bと重石14の相対向する面
は、45度の傾斜部で形成されるとともに係合溝が形成
され、重石14が矢印M4で示すように下方に移動する
と、回動部12bが図中、矢印M5で示すように図中、
時計回り方向、すなわちシードチャック2の軸から見る
と半径方向外方向に回動するとともに把持アーム12の
上部と共に半径方向外方向に移動し、下端12aが矢印
M6で示すように半径方向内方向に移動して、くびれ部
6を把持するように構成されている。ここで、把持アー
ム12は、図1に示すように支点P1より上の長さをL
1とし、支点P1より下の長さをL2として2L1≧L
2になるように構成され、これにより把持アーム12の
長さは、支点P1からシード3の先端までの長さをLs
とし、シード3の先端から結晶把持位置までの長さをL
hとすると、3×(Ls+Lh)となる。
【0018】上記構成において、単結晶7を製造する場
合、図示省略のチャンバ内を10torr程度に減圧して新
鮮なAr(アルゴン)ガスを流すととともに、チャンバ
内の下方に設けられた石英るつぼ内の多結晶を加熱して
溶融し、また、石英るつぼ内のSi融液の表面に対して
把持アーム12が接触しないように第2ケーブル13を
引き上げて上方に待機させるとともに、把持アーム12
の先端12bが開くように第3ケーブル15及び重石1
4を引き上げた状態で、第1ケーブル1を引き下げてシ
ード3が浸漬するように下降させる。
【0019】次いで所定時間の経過後にシード3を比較
的速い速度で引き上げることにより、シード3の下に直
径が3〜4mmの小径のネック部4を形成させ、次いで
引上げ速度を比較的遅くしてネック部4の下に支持用径
拡大部5を形成した後、引上げ速度を比較的速くして支
持用径拡大部5の下にくびれ部6を形成し、次いで結晶
本体部分7の形成を開始させる。
【0020】次いで把持アーム12の先端12bがくび
れ部6の位置に下降するまで第2ケーブル13を下げ、
次いで把持アーム12の先端12bが単結晶の晶癖線を
避けてくびれ部6の上部(把持部)を把持するように第
3ケーブル15及び重石14を引き下げる。そして、結
晶本体部分7の成長中には把持アーム12の先端12b
が単結晶の晶癖線を避けてくびれ部6を把持した状態で
第1〜第3ケーブル1、13、15を同期して回転させ
ながら引き上げる。
【0021】図3は他の把持力発生装置を示している。
図2に示す構成では重石14を引き下げて把持アーム1
2の先端12bを閉じるように構成されているが、図3
に示す構成では重石14は用いられず、代わりに次の構
成が用いられている。すなわち、把持アーム12の上端
近傍に先端15aが取り付けられている第3ケーブル1
5は、ベースアーム11の先端近傍の支点P2にスライ
ド可能に係合してから上部にある第3ケーブル巻取りド
ラム36につながっている。このような構成によれば、
くびれ部6、結晶本体部分7を形成した後、把持アーム
12の先端12bがくびれ部6の位置に下降するまで第
2ケーブル13を下げ、次いで第3ケーブル15を矢印
M7で示すように引き上げると、矢印M8で示す力が把
持アーム12の上端に加えられるので、把持アーム12
が半径方向外方向に引っ張られ、把持アーム12の先端
12bが矢印M9で示すように半径方向内方向に閉じて
くびれ部6の上部の把持部を把持する。
【0022】上記各ケーブル1、13、15は図4に示
すケーブル巻取りドラム32、34、36をケーブル巻
取りモータ26、28、30にてそれぞれ回転させて昇
降させることにより、上昇又は下降される。これらのケ
ーブル巻取りモータ26、28、30は次のように制御
される。CCDカメラ20は単結晶成長装置の図示省略
のチャンバの上部に取り付けられ、石英るつぼ内の融液
近傍の単結晶を撮像するものであり、画像処理を施すこ
とにより、引上げにより生成される単結晶の直径が測定
される。温度センサ22は、図示省略のヒータ近傍の温
度を測定するよう、チャンバに配され、温度測定信号を
出力する。制御装置24はCPU(中央演算処理装
置)、メモリ、インターフェース(I/F)などを有
し、CCDカメラ20の出力信号と温度センサ22から
の温度測定信号を受けて、所定の演算を行う。
【0023】その結果、従来の制御装置同様に単結晶引
上げ用のケーブル巻取りモータ26へ与える引上げ速度
制御信号、原料融液加熱用の図示省略のヒータに与える
温度制御信号、図示省略のるつぼ制御装置へ与えるるつ
ぼ制御信号を生成・出力する。さらに、本発明における
制御装置24は、第2ケーブル13と第3ケーブル15
をそれぞれ昇降させるケーブル巻取りモータ28、30
に制御信号を与える。これらの制御は所望のタイミング
と速度で各ケーブル1、13、15が昇降するよう、あ
らかじめ定められたアリゴリズムを含むプログラムに従
って行われる。
【0024】上記図1又は図3のいずれの構成の単結晶
引上げ装置を用いた場合であっも、本発明による単結晶
引上げ方法は本質的には変わらない。以下に本発明によ
る単結晶引上げ方法について説明する。まず、第2昇降
手段の一部を構成するケーブル巻取りモータ28を制御
して複数の把持アーム12を、前記シード3の下に単結
晶7のくびれ部6の上部の把持部が形成されるまでは上
方向に待機させる。第1昇降手段の一部を構成するケー
ブル巻取りモータ26を制御してシード3を原料融液に
浸漬して、なじませる。次いでケーブル巻取りモータ2
6を制御してシード3を引き上げ、単結晶7を成長させ
てネック部4と支持用径拡大部5、くびれ部6を形成す
る。くびれ部6が形成された後にケーブル巻取りモータ
26を制御して複数の把持アーム12の先端12aをく
びれ部6の上部の把持部まで下降させる。第3昇降手段
の一部を構成するケーブル巻取りモータ30を制御して
複数の把持アーム12の先端12aを半径方向内方向に
閉じさせる。複数の把持アーム12の先端12aが把持
部を把持した後に、ケーブル巻取りモータ26、28、
30を制御して第1、第2、第3ケーブル1、13、1
5を同期させて引き上げる。こうして単結晶7を成長さ
せつつ引き上げるのである。
【0025】上記実施形態は大径、大重量の単結晶を引
き上げるための単結晶引上げ装置を例にとって説明した
が、本発明は小径、小重量の単結晶用の引上げ装置に利
用することもできる。
【0026】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、単
結晶を把持する把持アームを、シードを保持するシード
チャックと一体で回転可能に構成するとともに、シード
の下に単結晶の把持位置が形成される前までは上方向に
待機させ、把持位置が形成された後に把持位置まで下降
させ、把持後にシードチャックと同期して回転させなが
ら引き上げるようにしたので、把持アームが単結晶の晶
癖線を避けて把持することができ、したがって、大径、
大重量の単結晶を確実にかつ安全に引き上げることがで
きる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る単結晶引上げ装置の一実施形態の
要部を示す構成図である。
【図2】図1の把持力発生装置を示す構成図である。
【図3】図2の把持力発生装置の変形例を示す構成図で
ある。
【図4】第1〜3ケーブルの昇降を制御する制御機構の
例を示すブロック図である。
【符号の説明】
1 第1ケーブル 2 シードチャック 3 シード 4 ネック部 5 支持用径拡大部 6 くびれ部(くびれ部の上部が把持部を構成する) 7 結晶本体 11 ベースアーム 12 把持アーム 13 第2ケーブル 14 重石(重量物) 15 第3ケーブル 20 CCDカメラ 22 温度センサ 24 制御装置(制御手段) 26、28、30 ケーブル巻取りモータ(対応するケ
ーブル、ケーブル巻取りドラムと共に第1〜3昇降手段
を構成する) 32、34、36 ケーブル巻取りドラム P1、P2 支点

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 シードを支持するシードチャックと、 前記シードチャックを回転させながら昇降させるための
    第1のケーブルを有する第1昇降手段と、 前記シードチャックと共に昇降・回転可能で、かつ前記
    シードチャックに対して上下に移動可能な複数の把持ア
    ームと、 前記複数の把持アームを昇降させるための第2のケーブ
    ルを有する第2昇降手段と、 前記複数の把持アームの所定位置を前記シードチャック
    の軸を中心に内方向に移動させ、かつ前記第1、第2の
    ケーブルと同期して前記複数の把持アームを引き上げる
    ための第3のケーブルを有する第3昇降手段とを、 有する単結晶引上げ装置。
  2. 【請求項2】 シードを支持するシードチャックと、 前記シードチャックを回転させながら昇降させるための
    第1のケーブルを有する第1昇降手段と、 前記シードチャックに取り付けられ、前記シードチャッ
    クの軸を中心に外方向に伸長し、前記シードチャックと
    共に回転可能な複数のベースアームと、 前記複数のベースアームのそれぞれに対して上下方向に
    移動可能に、かつ先端が前記シードチャックの軸を中心
    に外方向に移動可能に支持された複数の把持アームと、 前記複数の把持アームを昇降させるための第2のケーブ
    ルを有する第2昇降手段と、 前記複数の把持アームの前記先端を前記シードチャック
    の軸を中心に内方向に移動させ、かつ前記第1、第2の
    ケーブルと同期して前記複数の把持アームを引き上げる
    ための第3のケーブルを有する第3昇降手段とを、 有する単結晶引上げ装置。
  3. 【請求項3】 シードを支持するシードチャックと、 前記シードチャックを回転させながら引き上げることに
    より前記シードの下に単結晶を成長させるための第1の
    ケーブルを有する第1昇降手段と、 前記シードチャックに取り付けられ、前記シードチャッ
    クの軸を中心に外方向に伸長し、前記シードチャックと
    共に回転する複数のベースアームと、 前記複数のアームのそれぞれに対して上下方向に移動可
    能に、かつ先端が前記シードチャックの軸を中心に外方
    向に移動可能に支持された複数の把持アームと、 前記複数の把持アームを、前記シードの下に単結晶の把
    持部が形成されるまでは上方向に待機させ、把持部が形
    成された後に前記先端を前記把持部まで下降させ、把持
    後に前記第1のケーブルと同期して前記複数の把持アー
    ム引き上げるための第2のケーブルを有する第2昇降手
    段と、 前記複数の把持アームが単結晶を把持した後、前記複数
    の把持アームの上端を前記シードチャックの軸を中心に
    外方向に引くことにより前記先端を前記シードチャック
    の軸を中心に内方向に移動させ、把持後に前記第1、第
    2のケーブルと同期して引き上げるための第3のケーブ
    ルを有する第3昇降手段とを、 有する単結晶引上げ装置。
  4. 【請求項4】 前記第3昇降手段が前記複数の把持アー
    ムのそれぞれの上端近傍に設けられた傾斜面を有する部
    材と、前記傾斜面に沿ってスライド可能な傾斜面を有
    し、かつ前記第3ケーブルに係合する重量物とを有する
    請求項1ないし3のいずれか1つに記載の単結晶引上げ
    装置。
  5. 【請求項5】 前記第3ケーブルが前記複数の把持アー
    ムのそれぞれの上端近傍に係合し、前記第3昇降手段が
    前記複数のベースアームに設けられた支点を有し、前記
    第3ケーブルが前記支点にスライド可能に係合している
    請求項2又は3記載の単結晶引上げ装置。
  6. 【請求項6】 前記複数の第2のケーブルが前記複数の
    把持アームのそれぞれに取り付けられ、前記複数の第3
    のケーブルが前記複数の把持アームのそれぞれに作用す
    るよう構成された請求項1ないし5のいずれか1つに記
    載の単結晶引上げ装置。
  7. 【請求項7】 前記複数の把持アームのそれぞれが、そ
    の回動支点から前記先端までの距離をLとしたとき前記
    先端から上端までの長さが3L以上である請求項1ない
    し6のいずれか1つに記載の単結晶引上げ装置。
  8. 【請求項8】 原料融液上でシードを支持するシードチ
    ャックと、前記シードチャックを回転させながら昇降さ
    せるための第1のケーブルを有する第1昇降手段と、前
    記シードチャックと共に昇降・回転可能で、かつ前記シ
    ードチャックに対して上下に移動可能な複数の把持アー
    ムと、前記複数の把持アームを昇降させるための第2の
    ケーブルを有する第2昇降手段と、前記複数の把持アー
    ムの所定位置を前記シードチャックの軸を中心に内方向
    に移動させ、かつ前記第1、第2のケーブルと同期して
    前記複数の把持アームを引き上げるための第3のケーブ
    ルを有する第3昇降手段とを有する単結晶引上げ装置を
    用いた単結晶引上げ方法であって、 前記第2昇降手段を制御して前記複数の把持アームを、
    前記シードの下に単結晶の把持部が形成されるまでは上
    方向に待機させるステップと、 前記第1昇降手段を制御して前記シードを前記原料融液
    に浸漬して、なじませるステップと、 前記第1昇降手段を制御して前記シードを引き上げ、よ
    って単結晶を成長させてネック部と把持部を形成するス
    テップと、 前記把持部が形成された後に前記第2昇降手段を制御し
    て前記複数の把持アームを前記把持部まで下降させるス
    テップと、 前記第3昇降手段を制御して前記複数の把持アームの先
    端を半径方向内方向に閉じさせるステップと、 前記複数の把持アームの先端が前記把持部を把持した後
    に、前記第1、第2、第3昇降手段を制御して前記第
    1、第2、第3ケーブルを同期させて引き上げるステッ
    プとを、 有する単結晶引上げ方法。
  9. 【請求項9】 前記第1、第2、第3昇降手段を前記単
    結晶の直径と前記原料融液の温度とをモニタしながら所
    定のアルゴリズムに従い自動制御するステップを更に有
    する請求項8記載の単結晶引上げ方法。
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