KR19980064625A - 도포장치 - Google Patents

도포장치 Download PDF

Info

Publication number
KR19980064625A
KR19980064625A KR1019970073698A KR19970073698A KR19980064625A KR 19980064625 A KR19980064625 A KR 19980064625A KR 1019970073698 A KR1019970073698 A KR 1019970073698A KR 19970073698 A KR19970073698 A KR 19970073698A KR 19980064625 A KR19980064625 A KR 19980064625A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
liquid
valve
solvent
resist
supply source
Prior art date
Application number
KR1019970073698A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100375037B1 (ko
Inventor
기타노다카히로
오쿠무라가쓰야
이토신이치
Original Assignee
히가시데쓰로
동경엘렉트론가부시키가이샤
니시무로다이조
가부시키가이샤도시바
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 히가시데쓰로, 동경엘렉트론가부시키가이샤, 니시무로다이조, 가부시키가이샤도시바 filed Critical 히가시데쓰로
Publication of KR19980064625A publication Critical patent/KR19980064625A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100375037B1 publication Critical patent/KR100375037B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
    • G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T137/00—Fluid handling
    • Y10T137/2496—Self-proportioning or correlating systems
    • Y10T137/2499—Mixture condition maintaining or sensing
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T137/00—Fluid handling
    • Y10T137/8593—Systems
    • Y10T137/87571—Multiple inlet with single outlet
    • Y10T137/87652—With means to promote mixing or combining of plural fluids
    • Y10T137/8766—With selectively operated flow control means
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T137/00—Fluid handling
    • Y10T137/8593—Systems
    • Y10T137/87571—Multiple inlet with single outlet
    • Y10T137/87652—With means to promote mixing or combining of plural fluids
    • Y10T137/8766—With selectively operated flow control means
    • Y10T137/87668—Single actuator operates plural flow control means
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T137/00—Fluid handling
    • Y10T137/8593—Systems
    • Y10T137/87571—Multiple inlet with single outlet
    • Y10T137/87676—With flow control
    • Y10T137/87684—Valve in each inlet

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

1. 청구범위에 기재된 발명이 속하는 기술분야
도포장치
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
레지스트막의 막두께균일성을 유지하면서, 레지스트막을 더욱 박막화할 수가 있는 소형으로 간단한 구조의 도포장치를 제공함.
3. 발명이 해결방법의 요지
기판을 유지하는 스핀척(52)과, 1차 레지스트액이 수용된 레지스트액 탱크(71, 711∼71n)와, 시너가 수용된 시너 탱크(72,721)와, 이 시너 탱크 및 레지스트액 탱크에 각각 연이어 통하는 합류밸브(75,751)와, 이 합류밸브에 향하고 레지스트액 탱크에서 1차 레지스트액을 보내는 제1의 펌프(73,731∼73n)와, 합류밸브에 향하여 시너 탱크에서 시너를 보내는 제2의 펌프(74,741)와, 합류밸브로부터 유입하는 1차 레지스트액과 시너를 교반혼합하는 믹서(76,761)와, 이 믹서로 혼합된 액을 기판에 뿌리는 노즐(86)과, 레지스트액 탱크(71,711∼71n)로부터 합류밸브(75,751)에 보내는 1차 레지스트액과 시너 탱크(72,721)로부터 합류밸브(75,751)에 보내는 시너와의 혼합비율을 조정하기위해서 제1 및 제2의 펌프(73,731∼73n,74,741)를 각각 제어하는 콘트롤러(131,431)를 구비한다.
4. 발명의 중요한 용도
반도체 제조의 포토레지스트도포현상처리 시스템에 사용됨.

Description

도포장치
본 발명은, 반도체웨이퍼나 LCD기판같은 기판에 레지스트액같은 액제를 도포하는 도포장치에 관한 것이다.
반도체디바이스의 제조 과정에는 포토리소그래피기술이 이용되고 있다. 포토리소그래피기술에 있어서는, 반도체웨이퍼의 표면에 레지스트를 도포하고, 이 도포 레지스트를 소정 패턴으로 노광처리하며, 또한 현상처리한다. 이에 따라 웨이퍼상에 소정 패턴의 레지스트막이 형성되며, 또한 성막 및 에칭함으로써 소정 패턴의 회로가 형성된다. 이러한 일련의 레지스트처리는, 예컨대 미국특허번호 5,664,254호공보에 기재한 바와 같은 도포현상처리 시스템을 이용하여 이루어진다.
최근, 반도체 디바이스회로의 선폭이 서브미크론영역으로 들어감에 따라 레지스트막의 막두께 균일성과 박막화가 더욱 엄격히 요구되어 왔다. 현재, 웨이퍼에 레지스트를 도포하기 위한 방법으로서는 스핀 코팅법이 주류를 이루고 있다. 이 스핀코팅법으로서는 웨이퍼회전속도를 조정함으로써 레지스트막두께를 제어한다. 예컨대, 레지스트막의 막두께를 얇게 하고 싶은 경우는 웨이퍼를 고속도로 회전시킨다.
그렇지만 종래의 레지스트도포장치에 있어서는, 스핀척의 기계적성능에 한계가 있어, 웨이퍼회전속도에 상한치가 존재함으로써, 형성할 수 있는 레지스트막의 막두께는 어느 값 이하로는 얇게 할 수 없다. 특히 8인치나 12인치같은 큰 직경의 웨이퍼에 레지스트를 도포하는 경우는, 웨이퍼표면상에서 레지스트액의 분산확장속도가 부족되는 경향에 있고, 또한 얇은 막두께의 레지스트막을 형성하는 것이 곤란하다.
또한, 레지스트막두께 요구치나 레지스트액의 종류등의 과정조건을 변경한 직후에서는, 그 최초의 기판에 도포한 레지스트막의 막두께가 일정치 못하고, 목표치로부터 벗어나는 경향에 있다. 이 때문에, 도포 레지스트를 웨이퍼로부터 제거하여 레지스트를 다시 도포할 필요가 생긴다.
본 발명의 목적은, 레지스트막의 막두께균일성을 유지하면서, 레지스트막을 더욱 박막화할 수가 있는 소형으로 간단한 구조의 도포장치를 제공하는 것에 있다.
또한, 본 발명의 목적은, 레지스트막두께 요구치, 레지스트액의 종류등을 변경한 후라하더라도, 최초의 기판으로부터 원하는 액제도포를 행할 수 있는 도포장치를 제공하는 것에 있다.
레지스트막의 박막화에 대처하기 위해, 웨이퍼표면에서의 반송에 유리한 레지스트액을 쓰는 방법이 채용되고 있다. 레지스트액의 점도는 이에 가해지는 시너등의 용제와의 배합비율등에 의해 결정되며, 이러한 점도를 특정한 레지스트액을 탱크마다 가지고 있어서 실용적으로 제공하고 있다. 이에 따라 레지스트막두께를 보다 넓은 범위로 가변제어하는 것이 가능해진다.
그러나, 레지스트액과 시너와는 상용성이 없고, 자연방치한채로는 탱크내의 상하에 레지스트액과 시너를 분리해버린다. 이로부터서 탱크내의 액제를 교반하기 위한 비교적 대규모인 장치가 필요하게 되며, 장치의 소형화에 역행하는 요인의 하나가 되어있다.
또한, 레지스트막두께의 요구치를 변경할 때마다 레지스트액을 탱크마다 교환해야 할 필요가 있으며, 또한, 레지스트막두께의 변경요구에 도움을 주기위해서 점도가 다른 다종의 레지스트액의 탱크를 미리 준비 해 두지 않으면 안된다. 따라서, 그 탱크군의 보관관리가 대단히 번거로운 것이 되어 있다. 또한, 같은 점도의 레지스트액을 쓰더라도, 날마다 환경조건등의 차이에 의해 반드시 같은 막두께의 레지스트막를 얻지 못하는 경우가 있다. 이러한 경우, 점도가 아주 극소하게 다른 레지스트액으로 교환하여 대처하는 것이 요구되나, 적당한 점도의 레지스트액의 탱크가 반드시 준비되어 있다고는 할 수 없기 때문에, 현실적인 대응책이라고는 말하기 어렵다.
이와 같이, 종래의 레지스트도포장치에 있어서는, 레지스트막두께를 변경할 때마다 점도가 다른 레지스트액을 탱크마다 교환해야만 하는 레지스트막두께의 변경요구에 도움을 주기 위해 점도가 다른 다종의 레지스트액의 탱크를 사전에 준비해두어야 한다. 또한, 날마다 환경조건등의 차이에 의한 미소한 막두께변동에 대하여 양호하게 대처하기가 곤란하다.
도 1은, 레지스트도포현상처리 시스템을 나타내는 평면도.
도 2는, 레지스트도포현상처리 시스템을 나타내는 정면도.
도 3은, 레지스트도포현상처리 시스템을 나타내는 배면도.
도 4는, 본 발명의 실시형태에 관한 도포장치의 전체개요를 나타내는 단면도.
도 5는, 레지스트도포 유니트의 전체구성을 나타내는 평면도.
도 6은, 레지스트도포 유니트에 있어서의 레지스트/시너혼합장치를 도시한 도면.
도 7a 및 도 7b는, 각각 벨로즈 펌프를 상세하게 나타내는 단면도.
도 8a 및 도 8b는, 각각 합류(合流)밸브를 상세하게 나타내는 단면도.
도 9(a)∼(e)는, 레지스트액공급회로내의 벨로즈펌프 및 밸브의 각 동작을 각각 나타내는 타이밍 챠트.
도 10은, 스태틱믹서의 내부를 나타내는 단면도.
도 11a 및 도 11b는, 각각 스태틱믹서내의 방해판을 도시한 도면.
도 12는, 레지스트/시너혼합장치의 제어계통을 나타내는 블록회로도.
도 13은, 본 발명의 다른 실시형태에 관한 도포장치의 레지스트/시너혼합장치를 도시한 도면.
도 14a 및 도 14b는, 각각 다른 실시형태의 합류밸브를 상세하게 나타내는 단면도.
도 15는, 다른 실시형태의 레지스트/시너혼합장치의 제어계통을 나타내는 블록회로도이다.
《도면의 주요부분에 대한 부호의 설명》
10 : 카세트부 12 : 인터페이스부
20 : 재치대 20a : 돌기
21 : 제 1 서브 아암기구 22 : 주 아암기구
23 : 주변노광장치 24 : 제 2 서브 아암기구
46 : 웨이퍼 반송장치 47 : 반송기대
48 : 아암홀더 49 : 통형상 지지체
50 : 유니트 바닥판 50a : 개구
52 : 스핀척 54 : 모터
58 : 플랜지캡 60 : 공기실린더
62 : 승강가이드 70 : 레지스트/시너혼합장치
71 : 레지스트 탱크 72 : 시너탱크
73 : 레지스트용 벨로즈 펌프 74 : 용제용 벨로즈 펌프
75 : 합류밸브 76 : 스태틱믹서
77 : 토출밸브 78a, 78b : 배관
86 : 레지스트 노즐 90 : 노즐대기부
90a : 구멍 92 : 스캔아암
94 : Y 축 가이드 레일 96 : 노즐조작기구
99 : 제 2 의 노즐조작기구 100 : 홀더
101 : 시너노즐 102 : 가요성 파이프
104 : 경질볼 107 : 실린더
107a : 로드 108, 109 : 센서
111, 112, 118 : 공기실린더 117, 117a : 방해판
120 : 수평스캔아암 122 : 린스노즐
131 : 제어기 132 : 메인 에어빌브
133, 134 : 공기유량 제어부 135, 136 : 광센서
137 : 공기실린더 140 : 송액부
141 : 액저류부 142, 143 : 볼밸브
144 : 스토퍼 145 : 플랜지
146 : 막힌판 147 : 플랜지
331 : 제 1 의 밸브본체 341 : 제 2 밸브본체
351 : 시너유입통로 711 내지 71n : 레지스트 탱크
721 : 시너탱크 751 : 합류밸브
761 : 스태틱믹서 771 : 토출밸브
781 내지 78n : 레지스트 공급회로 861 : 노즐
본 발명에 관한 도포장치는, 기판을 유지하는 기판유지 부재와, 용제를 포함하는 일차처리액이 수용된 처리액공급원과, 용제가 수용된 용제공급원과, 이 용제공급원 및 상기 처리액공급원의 각각 연이어 통하는 합류밸브와, 이 합류밸브로 향하여 상기 처리액공급원에서 상기 일차처리액을 보내는 제1의 펌프수단과, 상기 합류밸브로 향하여 상기 용제공급원에서 용제를 보내는 제2의 펌프수단과, 상기 합류밸브의 하류측에 설치되어 상기 합류밸브로부터 유입하는 상기 일차처리액과 상기 용제와를 교반혼합하는 믹서와, 이 믹서로 혼합된 액을 상기 기판유지 부재에 의해서 유지된 기판을 향하여 토출하는 액토출부를 갖는 노즐수단과, 상기 처리액공급원에서 상기 합류밸브에 보내는 일차처리액과 상기 용제공급원에서 상기 합류밸브에 보내는 용제와의 혼합비율을 조정하기위해서, 상기 제1 및 제2의 펌프수단을 각각 제어하는 제어수단을 구비하는 것을 특징으로 한다.
상기 도포장치에 의하면, 기판에 도포하기 직전에 처리액의 점도를 조정하는 것이 가능해지기때문에, 처리액과 용제가 서로 분리하기쉬운 성질을 갖는 경우이더라도, 양자를 충분히 서로 섞은 (점도가 평균을 이룬) 상태로 할 수가 있으며, 균일하고 또한 정밀도가 높은 막두께의 도포막를 얻을 수 있다. 또한, 막두께의 변경요구에 대하여 신속한 대응이 가능해진다. 또한 점도가 다른 처리액을 준비해 놓을 필요가 없어지기때문에, 공간 절약화(장치의 소형화)를 실현할 수 있다. 또한, 나날이 환경조건등의 차이에 의한 미소한 막두께 변동에 용이하게 대처할 수가 있다.
또한, 상기 노즐수단은, 상기 믹서보다 하류측에서, 또한 상기 액토출부에 근접하는 곳에 위치하여, 상기 믹서로 혼합된 액을 통류시키거나 차단하기도 하는 토출 밸브를 가져도 좋다. 또한, 상기 처리액공급원은 성분이 서로 다른 일차처리액을 한종류씩 수용하는 복수의 처리액 탱크을 가지며, 상기 용제공급원은 용제를 수용하는 단독의 용제 탱크를 가지고, 상기 합류밸브는 상기 복수의 처리액 탱크 안에서 1개를 선택하여 상기 믹서에 보내는 일차처리액의 종류를 바꾸는 전환 수단과, 상기 용제탱크에 연이어 통하는 용제유로와, 이 용제유로에 형성된 밸브시이트와, 상기 용제유로를 차단하거나 개통시키기도 하는 제 1 의 밸브 본체와, 이 제 1 의 밸브 본체를 밸브시이트에 밀어붙이거나 떼기도 하는 제 1 실린더를 가지고 있어도 좋다. 이러한 전환 수단을 쓰면, 도포해야 할 처리액의 종류를 용이하게 변경할 수가 있다. 또한, 성분이 다른 각종 처리액을 도포직전에 각각 점도조정할 수가 있다. 또, 상기 전환수단은, 상기 처리액 탱크의 각각 연이어 통하는 복수의 처리액유로와, 이들 처리액유로에 각각 형성된 밸브시이트와, 상기 처리액유로를 차단하거나 개통시키기도 하는 제 2 의 밸브 본체와, 이들 제 2 의 밸브 본체를 각 밸브시이트에 각각 누르거나 떼기도 하는 제 2 실린더를 구비하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 제어수단은, 상기 처리액공급원부터의 단위시간당 일차처리액의 공급량 및 상기 용제공급원부터의 용제의 공급량을 각기 제어하도록 하여도 좋다. 이와 같이 하면, 기판표면에 형성하는 도포막의 막두께의 변경요구에 대하여 신속한 대응이 가능해진다. 또, 점도가 다른 레지스트액을 준비해 둘 필요가 없어지기 때문에 공간 절약화를 실현할 수 있다. 또한, 날마다 환경조건등의 차이에 따른 막두께변동에 용이하게 대처할 수가 있다.
또한, 상기 제 1 및 제 2 의 펌프수단의 각각은, 액저류부에 연이어 통하는 가요성 파이프와, 상기 가요성 파이프를 왕복운동시키는 제 3 실린더를 구비하는 것이 바람직하다. 또한, 상기 가요성 파이프의 변위량을 검출하는 센서를 가지며, 상기 제어수단은, 상기 센서로부터의 검출정보에 근거하여 상기 제 1 및 제 2 의 펌프수단의 각 제 3 실린더의 동작을 각각 제어하도록 하는 것이 바람직하다. 또한, 상기 제어수단은, 상기 제 1 및 제 2 펌프의 제3실린더를 시간(t1)에 동시에 기동시켜, 이들을 시간(t4)에 동시에 정지시키고, 또한 상기 합류밸브의 용제유로 및 처리유로중의 1개를 상기 시간(t1)으로부터 늦은 시간(t3)에 동시에 열어, 이들을 시간(t4)으로부터 늦은 시간(t6)에 동시에 닫히도록 하는 것이 바람직하다. 이와 같이 하면, 믹서로부터 합류밸브 쪽으로 일차처리액 및 용제가 역류하는 것을 효율적으로 방지할 수 있다.
또한, 상기 전환수단에 의해서 상기 탱크의 전환 후, 상기 합류밸브로부터 상기 액토출부까지의 사이에 존재하는 그 전환 전의 잔류액을 폐기하는 잔류액폐기수단을 갖는 것이 바람직하다. 이와 같이 하면, 처리액의 종류를 변경하기 전의 일차처리액이 기판에 그대로 토출되는 것을 방지할 수 있고, 처리액의 종류의 변경직후의 최초 기판으로부터 원하는 종류의 처리액을 도포할 수 있다.
또한, 상기 제어수단에 의해서 일차처리액과 용제와의 혼합비율이 변경된 뒤에, 상기 합류밸브로부터 상기 액토출부까지의 사이에 존재하는 그 변경전의 잔류액을 폐기하는 잔류액폐기수단을 갖는 것이 바람직하다. 이와 같이 하면, 처리액의 점도를 변경하기 전의 혼합처리액이 기판에 토출되는 것을 방지할 수 있고, 처리액의 점도변경직후의 최초의 기판으로부터 원하는 막두께를 얻을 수 있다. 또한, 상기 믹서는, 일차처리액과 용제와를 교반혼합하기위해서 액의 유로에 직렬로 배열된 복수의 방해판을 갖는 스태틱믹서인 것이 바람직하다. 또한, 상기 스태틱믹서의 방해판은 구형판의 한변을 좌우 어느 한 방향에 직각으로 휘어져 형성되어, 액의 유로에 있어서 왼쪽으로 비틀린 방해판과 오른쪽으로 비틀린 방해판이 교대로 배치되어 있는 것이 바람직하다. 이와 같이 하면, 믹서의 안지름을 통상의 배관의 안지름정도의 사이즈로 해결되며, 믹서의 용량을 작은 것으로 할 수가 있다. 이때문에, 도포조건을 변경했을 때에 폐기하는 잔류액량을 감할 수가 있으며, 처리액 및 용제의 사용효율을 높이는 것이 가능해진다.
또한 이 믹서는, 그 하류측단부가 상류측단부보다 높은 위치에 있도록 배치하는 것이 중요하다. 즉, 이 믹서는 그 속에 배치되어 있는 다수의 방해판이 공기의 빠짐을 방해하여 공기고임을 발생시킨다. 이러한 공기고임은 레지스트액과 용제와의 교반능력에 악영향을 미치는 요인이 되기 때문에, 믹서를 하류측을 높게 하여 비스듬히 혹은 수직하게 세워 배치함으로써 믹서내에 침입한 공기가 부력에 의해서 하류측으로 이동하여, 배출되기 쉽게 되어, 공기고임의 발생을 방지하여 일정의 교반능력을 유지하는 것이 가능해진다. 또, 믹서에 있어서의 액의 유로는 수평면에 대하여 각도 20˚이상으로 경사져 있는 것이 바람직하다.
또한, 상기 제 1, 제 2, 제 3의 실린더에 공급되는 공기의 유량 또는 압력을 각각 조정하는 메인에어밸브를 가지며, 이 메인에어밸브는 상기 제어수단에 의해 제어되는 것이 바람직하다.
(실시예)
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 각종 바람직한 실시형태에 관해서 설명한다.
도 1에 도시한바와 같이, 도포현상처리 시스템(1)은, 카세트부(10)와, 과정부(11)와, 인터페이스부(12)를 구비하고 있다. 인터페이스부(12)에는 노광장치(도시하지 않음)가 인접하고 있다.
카세트부(10)의 재치대(20)에는 위치결정용의 돌기(20a)가 4개 설치되어, 재치대(20)위에 재치되어야 하는 카세트(CR)가 각각 위치결정되도록 되어 있다. 4개의 카세트(CR)는 재치대(20) 위에서 X축방향으로 배열된다. 통상, 카세트(CR)내에는 25장의 웨이퍼(W)가 수평으로 또한 소정 피치간격으로 수용되어 있다. 제 1 서브 아암기구(21)가 재치대(20)의 긴쪽을 따라 이동가능하게 설치되어있다. 제 1 서브 아암기구(21)는, 웨이퍼(W)를 유지하기위한 홀더와, 이 홀더를 Z축방향에 이동시키는 승강기구(도시하지 않음)와, 홀더를 X축방향에 이동시키는 수평이동기구(도시하지 않음)와, 홀더를 Z축주위에 회전시키는 θ회전기구(도시하지 않음)를 구비하고 있다. 제 1 서브 아암기구(21)의 후면측에는 프로세스부(11)의 제 3 처리 유니트군(G3)이 배치되어, 제3처리 유니트군(G3)에 속하는 정렬 유니트(ALIM) 및 익스텐션 유니트(EXT)의 각각에 제 1 서브아암기구(21)는 억세스할 수 있게 되어 있다.
프로세스부(11)는 5개의 처리 유니트군(G1, G2, G3, G4, G5) 및 주아암기구(22)를 대비하고 있다. 각 처리 유니트군(G1∼G5)에는 웨이퍼(W)를 레지스트처리하기 위한 유니트가 상하다단에 각각 겹쳐 쌓여져 있다. 이들 처리 유니트군(G1, G2, G3, G4, G5)에 주위를 에워 싸듯이 주아암기구(22)가 설치된다.
도 3에 나타내는 바와 같이, 주아암기구(22)는 Z축방향으로 연장하는 통형상지지체(49)를 대비하고 있다. 통형상지지체(49)의 안쪽에는 웨이퍼반송장치(46)가 설치된다. 통형상지지체(49)의 하부는 모터(도시하지 않음)의 회전축에 연결되어, 이 통형상지지체(49)와 동시에 웨이퍼반송장치(46)는 일체로서 Z축주위에 θ회전할 수 있게 되어 있다.
웨이퍼반송장치(46)는, Z축구동장치(도시하지 않음), 반송기대(47) 및 복수 라인의 아암홀더(48)를 대비하고 있다. 웨이퍼반송장치(46)는 Z축구동장치에 의해 통형상지지체(49) 안을 승강할 수 있다. 또한, 각 아암 홀더(48)는 반송기대(47)에 따라 전진 또는 후퇴할 수 있도록 진퇴구동장치(도시하지 않음)에 의해 지지되어 있다.
도 2에 나타내는 바와 같이, 제 1 및 제 2 의 처리 유니트군(G1, G2)은, 시스템(1)의 정면측과 이웃이 되어 나란히 배치되어 있다. 도 3에 나타내는 바와 같이, 제 3 처리 유니트군(G3)은 카세트부(10)에 인접하여 배치되어, 제 4 처리 유니트군(G4)은 인터페이스부(12)에 인접하여 배치되어 있다. 도 1에 나타내는 바와 같이, 제 5 처리 유니트군(G5)을 시스템(1)의 배면측에 배치하도록 하여도 좋다.
도 2에 도시하도록, 제 1 처리 유니트군(G1)은 레지스트도포 유니트(COT) 및 현상 유니트(DEV)를 구비하고 있다. 레지스트도포 유니트(COT)는 현상 유니트(DEV)의 아래쪽으로 설치된다. 이와 같이 레지스트도포 유니트(COT)는, 배액(排液)처리기구를 간략한 구조로 하기 위함과, 관리유지작업을 간략화하기 위해서, 시스템(1)의 하부에 배치하는 것이 바람직하다. 각 유니트(COT), (DEV)안에는, 컵(CP) 및 스핀척를 구비한 스핀너형 처리장치가 설치되어 있다. 마찬가지로 제 2 처리 유니트군(G2)도 레지스트도포 유니트(COT) 및 현상 유니트(DEV)을 대비하고 있다. 제 1 처리유니트군(G1)에 속하는 레지스트도포 유니트(COT)와 제 2 처리유니트군(G2)에 속하는 레지스트도포 유니트(COT)와는 이웃하여 나란히 하고 있다. 또한, 제 1 처리 유니트군(G1)에 속하는 현상 유니트(DEV)와 제 2 처리 유니트군(G2)에 속하는 현상 유니트(DEV)와는 이웃이 되어 나란히 하고 있다.
도 3에 나타내는 바와 같이, 제3처리 유니트군(G3)은, 재치대(SP) 위의 웨이퍼(W)를 냉각처리하는 쿨링 유니트(COL), 웨이퍼표면에 대한 레지스트의 정착성을 높이기위한 소수화처리를 하는 어드히젼 유니트(AD), 웨이퍼(W)를 위치 맞춤하는 정렬 유니트(ALIM), 웨이퍼(W)를 대기시켜 놓는 익스텐션 유니트(EXT), 노광처리전의 가열처리를 행하는 2개의 프리베이킹 유니트(PREBAKE) 및 노광처리후의 가열처리를 하는 2개의 포스트베이킹 유니트(POBAKE)을 구비하고 있다. 이들 8개의 처리 유니트는 밑에서 차례로 겹쳐 쌓여져 있다. 마찬가지로 제 4 처리 유니트군(G4)은, 쿨링 유니트(COL), 익스텐션·쿨링 유니트(EXTCOL), 익스텐션 유니트(EXT), 쿨링 유니트(COL), 2개의 프리베이킹 유니트(PREBAKE)및 2개의 포스트베이킹 유니트(POBAKE)를 구비하고 있다.
이와 같이 처리온도가 낮은 쿨링 유니트(COL), 익스텐션·쿨링 유니트(EXTCOL)를 하단에 배치하여, 처리온도가 높은 베이킹 유니트(PREBAKE), 포스트베이킹 유니트(POBAKE)및 어드히젼 유니트(AD)를 상단에 배치함으로써, 이들의 열처리계 유니트상호간에 있어서의 열적인 간섭을 적게 할 수 있다.
인터페이스부(12)는, X축방향의 사이즈는 프로세스부의 그것과 거의 동일하지만, Y축방향의 사이즈는 프로세스부의 그것보다 작다. 이 인터페이스부(12)의 정면부에는, 가반성의 픽업카세트(CR)와, 정치형의 버퍼카세트(BR)가 2단으로 배치되어 있다. 또한, 인터페이스부(12)의 배면부에는 주변노광장치(23)가 설치되어 있다. 또한, 인터페이스부(12)의 중앙부에는 제 2 의 서브 아암기구(24)가 설치되어 있다. 제 2 의 서브 아암기구(24)는, 웨이퍼(W)를 유지하는 아암 홀더와, 이 아암 홀더를 X축방향으로 이동시키는 X축구동장치(도시하지 않음)와, 아암 홀더를 Z축방향으로 승강시키는 Z축구동장치(도시하지 않음)와, 아암 홀더를 Z축주위로 요동시키는 θ회전기구(도시하지 않음)와, 아암홀더를 전진 또는 후퇴시키는 진퇴구동장치(도시하지 않음)을 구비하고 있다. 이 제 2 의 서브 아암기구(24)는, 각 카세트(CR,BR), 주변노광장치(23), 제 4 처리 유니트군(G4)에 속하는 익스텐션 유니트(EXT)의 각각 억세스할 수 있도록 되어 있다. 또한 제 2 의 서브 아암기구(24)는 노광장치내의 웨이퍼 주고받음대(도시하지 않음)에도 억세스할 수 있도록 되어 있다.
이 도포현상처리 시스템(1)에 있어서는, 제 5 처리 유니트군(G5)을 주아암기구(22)의 배면측에 증설할 수 있도록 되어 있다. 이 제 5 처리 유니트군(G5)은 Y축 가이드레일(25)에 따라 이동가능하게 설치되어 있다. 제 5 처리 유니트군(G5)을 Y축방향으로 전위시키면, 주아암기구(22)의 배면측에 공간이 확보되기때문에, 주아암기구(22)에 대한 관리유지작업이 용이하게 된다.
다음으로, 도 4 및 도 5를 참조하면서 레지스트도포 유니트(COT)에 관해서 설명한다.
레지스트도포 유니트(COT)의 거의 중앙에는 고리형상의 컵(CP)이 설치되고, 컵(CP)의 안쪽에는 스핀척(52)가 승강가능하게 수용되어 있다. 스핀척(52)의 표면에는 복수의 흡인구멍(도시하지 않음)이 개구하여, 웨이퍼(W)가 스핀척(52)에 진공흡착유지될 수 있게 되고 있다. 스핀척(52)의 하부는 모터(54)의 회전구동축에 연결되어 있다.
모터(54)의 본체는 유니트바닥판(50)의 개구(50a)내에 설치되어 있다. 모터(54)의 상부에는 알루미늄제의 플랜지캡(58)이 씌워지고 있다. 이 플랜지캡(58)을 통해 모터(54)는 공기실린더(60) 및 승강가이드(62)에 각각 연결지지되어 있다. 또, 모터(54)의 전원회로 및 실린더(60)의 전원회로는 각각 도 12에 나타낸 바와 같이 제어기(131)의 출력부에 접속되어 있다.
레지스트 도포시는, 플랜지캡(58)의 하단은 개구(50a)의 바깥둘레부근에서 유니트바닥판(50)에 밀착하며, 이에 따라 유니트(COT)의 내부는 기밀하게 유지된다. 도 5에 나타내는 바와 같이, 레지스트도포 유니트(COT)의 한측면에는 반입출구(DR)가 설치되고, 이 반입출구(DR)를 통해 주아암기구(22)의 아암 홀더(48)가 유니트(COT)안에 웨이퍼(W)를 출납하도록 되어 있다. 웨이퍼반출시는, 실린더(60)로부터 로드를 돌출시켜, 들어올려진 웨이퍼(W) 밑으로 주아암기구(22)의 아암 홀더(48)를 삽입하여, 리프트핀(도시하지 않음)을 하강시켜, 웨이퍼(W)를 아암 홀더(48) 위로 이동재치한다.
컵(CP)은 스핀척(52)상의 웨이퍼(W)를 둘러싸듯이 설치되어 있다. 컵(CP)의 하부는 복수의 드레인통로에 연이어 통하게 하여, 회전중의 웨이퍼(W)에서 원심분리된 폐액은 드레인통로를 통하여 유니트(COT)의 외부에 배출되도록 되어 있다. 또한, 컵(CP)의 상부는 개구하고, 이 상부개구를 통해 웨이퍼(W)가 스핀척(52)상에 재치되도록 되어 있다. 또, 컵(CP)의 상부개구에는 개폐가능한 뚜껑(도시하지 않음)이 덮여지도록 되어 있다.
레지스트 노즐(86)는 홀더(100)에 의해 스캔아암(92)의 자유단부에 착탈가능하게 유지되어 있다. 스캔아암(92)의 기단부는 노즐조작기구(96)에 의해 수평으로 지지되어 있다. 이 노즐조작기구(96)는 Y축구동장치(도시하지 않음), Z축구동장치(도시하지 않음) 및 X축구동장치(도시하지 않음)를 구비하고 있다. 유니트바닥판(50)의 위에는 Y축 가이드 레일(94)이 부설되어, Y축구동장치에 의해 노즐조작기구(96)가 레일(94)을 따라 Y축방향으로 주행된다. 또한, Z축구동장치에 의해 스캔아암(92)과 동시에 노즐(86)이 승강된다. 또한, X축구동장치에 의해 노즐(86)이 X축방향으로 이동된다.
도 5에 나타내는 바와 같이, 유니트(COT)안에는 컵(CP)의 이웃에 노즐대기부(90)가 설치되어 있다. 노즐대기부(90)는, 사용하지 않을 때의 레지스트 노즐(86)이 대기하는 장소이고, 노즐(86)의 액토출구가 용매분위기실의 구멍(90a)에 삽입되도록 되어 있다. 이 노즐대기부(90)에는 복수의 레지스트 노즐(86)을 대기시켜, 레지스트액의 종류와 점도에 대응하여 각 노즐(86)이 구별지어 사용되도록 되어 있다. 각 레지스트 노즐(86)은 다른 종류의 레지스트액공급원(711∼71n)(도 13참조)에 각각 연통하고 있다.
스캔아암(92)의 첨단부에는 홀더(100)가 부착되어, 홀더(100)에 의해 레지스트 노즐(86)이 노즐대기부(90)로부터 꺼내어지도록 되어 있다. 또한 홀더(100)에는 시너노즐(101)이 부착되어지고, 웨이퍼표면으로의 레지스트액의 공급에 앞서 시너노즐(101)로부터 웨이퍼표면에 시너가 공급되도록 되어 있다. 이 시너노즐(101)에 의해서 소위 프리웨트(습식)도포처리가 가능하게 된다.
또한, 가이드 레일(94) 상에는 제 1 의 노즐조작기구(96) 외에 제 2 의 노즐조작기구(99)가 주행가능하도록 설치되어 있다. 이 제 2 의 노즐조작기구(99)는 실질적으로 제 1 의 노즐조작기구(96)와 같은 구성이다. 제 2 의 노즐조작기구(99)는 수평 스캔아암(120)의 기단부를 지지하여, 수평 스캔아암(120)의 자유단부에는 사이드린스용인 린스노즐(122)이 부착되어 있다.
도 4에 나타내는 바와 같이, 레지스트 노즐(86)은, 레지스트액공급관(88)을 통해 레지스트도포 유니트(COT)의 아래쪽 실내에 설치된 레지스트/시너혼합장치(70)에 접속되어 있다.
다음으로, 도 6∼도 10을 참조하면서 레지스트/시너혼합장치(70)에 관해서 상세히 설명한다.
도 6에 도시한 바와 같이, 레지스트/시너혼합장치(70)는, 레지스트액을 저장한 레지스트 탱크(71)와, 용제로서 예컨대 시너를 저장한 시너탱크(72)와, 레지스트 탱크(71)내의 레지스트액을 빨아 올려 합류밸브(75)에 도입하는 레지스트용 벨로즈 펌프(73)와, 시너탱크(72)내의 시너를 빨아 올려 합류밸브(75)에 도입하는 용제용 벨로즈 펌프(74)와, 레지스트액 및 시너의 유로를 동시에 개폐하여 양자를 합류시키는 합류밸브(75)와, 합류밸브(75)를 통과한 레지스트액과 시너를 교반혼합하는 스태틱믹서(76)와, 스태틱믹서(76)와 레지스트 노즐(86)을 접속하는 레지스트공급관(88)에 개재하여 삽입된 밸브(77)를 구비하고 있다. 이상의 각부는 내부식성에 뛰어난 예컨대 테프론 튜브등의 배관을 통하여 서로 접속되어 있다.
레지스트 탱크(71) 및 시너탱크(72)는 본 도포현상처리 시스템(1)의 외부에 설치되어, 시스템내외로 통하는 배관(78a,78b)을 통해 레지스트액용 벨로즈 펌프(73) 및 용제용 벨로즈 펌프(74)에 접속되어 있다.
다음에, 도 7a 및 도 7b를 참조하면서 벨로즈 펌프에 관해서 설명한다. 또, 제 1 및 제 2 의 벨로즈 펌프(73,74)는 실질적으로 같은 구성이기때문에, 대표로 제1 벨로즈 펌프(73)에 관해서 설명한다.
벨로즈 펌프(73)는, 가요성파이프(102)와, 공기 실린더(107)와, 송액부(140)를 구비하고 있다. 가요성파이프(102)는 연질의 수지로 만들어진 신축이 자유로운 호스이다. 가요성파이프(102)의 한쪽 끝단부는 송액부(140)의 플랜지(145)에 체결되어 있다. 가요성파이프(102)의 다른쪽 끝단부는 막힌판(146)의 플랜지(147)에 체결되어 있다.
막힌판(146)의 배면에는 공기 실린더(107)의 로드(107a)가 연결되어 있다. 공기 실린더(107)는, 제어기(131)에 의해서 제어되는 압축 공기공급원(도시하지 않음)에 연통하고 있다. 막힌판(146)의 바깥둘레면에는 차폐판(137)이 부착되어 있다.
2조 센서(108,109), (135,136)가 가요성파이프(102)의 근방에 설치되며, 이들 센서(108,109), (135,136)에 의해서 가요성파이프(102)의 변위가 검출되도록 되어 있다. 로드(107a)를 실린더(107)내에 퇴입시켜, 가요성파이프(102)를 신장시키었을 때는, 제 1 센서의 발광부(108)로부터의 검출광과 제 2 센서의 발광부(135)부터의 검출광과 함께 차폐판(137)에 의해서 가려진다(도 7a 참조). 로드(107a)를 실린더(107)로부터 뚫고나와, 가요성파이프(102)을 단축하였을 때는, 제 1 센서의 발광부(108)로부터의 검출광은 수광부(109)에 닿아, 제 2 센서의 발광부(135)로부터의 검출광은 수광부(136)에 이른다(도 7b 참조). 제어기(131)는 양 센서(108,109),(135,136)로부터의 검출결과에 근거하여 실린더(107)의 동작을 온오프제어하여, 각 벨로즈 펌프(73,74)로부터 적량의 액을 각각 공급하도록 되어 있다.
도 7a에 나타내는 바와 같이, 가요성파이프(102)를 늘리면, 상류측의 볼밸브(142)가 열리고, 액저류부(141)내로 액이 빨아 들여진다. 도 7b에 나타내는 바와 같이, 가요성파이프(102)를 단축하면, 상류측의 볼밸브(142)는 닫혀, 하류측의 볼밸브(143)가 열려, 액저류부(141)으로부터 공급회로(78a)를 향하여 액이 밀어내여진다.
송액부(140)는, 액저류부(141)과 한쌍의 볼밸브(142,143)를 구비하고 있다. 한쪽 볼밸브(142)는 액저류부(141)의 상류측에 설치되어, 다른쪽의 볼밸브(143)는 액저류부(141)의 하류측에 설치된다. 상류측 볼밸브(142)는, 세라믹등으로 이루어지는 경질볼(104)과, 스토퍼(144)를 구비하고 있다. 마찬자기로, 하류측 볼밸브(143)는, 세라믹등으로 이루어지는 경질볼(105)과, 스토퍼(144)를 구비하고 있다.
제 1 벨로즈 펌프(73)의 액저류부(141)는, 가요성파이프(102)의 내부와 연이어 통함과 동시에, 레지스트공급회로(78a)에 연통하고 있다. 한편, 제 2 벨로즈 펌프(74)의 액저류부(141)은, 가요성파이프(102)의 내부와 연이어 통함과 동시에, 시너공급회로(78b)에 연통하고 있다. 이들 레지스트공급회로(78a)와 시너공급회로(78b)와는, 도 6에 나타내는 바와 같이, 합류밸브(75)에서 합류하고 있다.
도 4에 나타내는 바와 같이, 합류밸브(75)로부터 노즐(86)까지의 회로(88)에는 스태틱믹서(76) 및 토출 밸브(77)가 설치된다. 토출 밸브(77)는, 스태틱믹서(76)보다도 하류측에 설치되어, 노즐(86)에 가능한한 가까운 위치에 마련하는 것이 바람직하다. 또, 스태틱믹서(76)의 길이(L1)는, 믹서(76)의 내부용량이 노즐(86)로부터의 1회 분의 액토출량(예컨대 5cc)에 적당하도록 정해지고 있다. 덧붙여서 말하면, 스태틱믹서(76)의 평균내경(d3)은 약3.2 mm 이다.
다음에, 도 8a 및 도 8b를 참조하면서 합류밸브(75)에 관해서 설명한다.
합류밸브(75)는 2개의 유입통로(115,116)와 1개의 유출통로(119)를 구비하고 있다. 제 1 의 유입통로(115)는 시너공급회로(78b)에 연이어 통하고, 제 2 의 유입통로(116)는 레지스트액 공급회로(78a)에 연통하고 있다. 제 1 의 밸브 본체(113)는, 제 1 공기 실린더(111)의 로드에 가동으로 지지되어, 제 1 의 유입통로(115)를 개폐하도록 설치되고 있다. 제 2 의 밸브 본체(114)는, 제 2 공기 실린더(112)의 로드에 가동으로 지지되어, 제 2 의 유입통로(116)를 개폐하도록 설치되고 있다. 또, 최하류측의 밸브(77)의 개폐구동부는, 합류밸브(75)의 그것과 실질적으로 동일하다.
합류밸브(75)는, 폭(W1) 및 높이(W1)가 각각 약 30mm에서, 길이(W2)가 약 50mm이다. 또한, 제 1 및 제 2의 유입통로(115,116)의 내경(d1)은 각각 4.35mm에서, 유출통로(119)의 내경(d2)은 4.35 mm이다. 또, 합류밸브(75)의 각부는 PTFE수지로 만들어져 있다.
도 8b에 나타내는 바와 같이, 제1 및 제2의 밸브 본체(113,114)를 함께 밸브시이트로부터 떼어내면, 레지스트액과 시너가 유출통로(119)에 각각 흘러 들어와, 회로(88)를 통하여 스태틱믹서(76)로 보내여지게 되고 있다. 또, 제어기(131)는, 각 벨로즈 펌프(73,74)의 온(토출)/오프(빨아 올림)동작에 동기하여 각 공기 실린더(111,112)를 동작시키도록 되어 있다.
다음에, 도 9의 타이밍 챠트를 참조하면서 각부의 동작 타이밍에 관해서 설명한다.
도 9(a)는 레지스트액용의 제 1 벨로즈 펌프(73)의 동작을, 도 9(b)는 시너용의 제 2 벨로즈 펌프(74)의 동작을, 도 9(c)는 합류밸브(75)의 (시너용의) 제 2 밸브본체(114)의 동작을, 도 9(d)는 합류밸브(75)의 (레지스트액용의) 제 1 밸브 본체(113)의 동작을, 도 9(e)는 최하류측의 밸브(77)의 동작을 각각 나타낸다.
제 1 및 제 2 의 벨로즈 펌프(73,74)는, 시간(t1)에 동시에 열리고, 시간(t4)에 동시에 닫힌다. 시간(t1)으로부터 (t4)까지의 시간은 약 2∼3초 사이이다. 합류밸브(75)의 제 1 및 제 2 의 밸브 본체(113,114)는, 시간(t1)으로부터 약 20 미크로초(ms)정도 늦은 시간(t3)에 동시에 열리고, 시간(t4)으로부터 약 20 미크로초(ms)정도 늦은 시간(t6)에 동시에 닫힌다. 시간(t3)으로부터 (t6)까지의 시간은 약 2∼3초 사이이다. 최하류측의 밸브(77)는, 시간(t1)과 (t3)과의 중간의 시간(t2)에 열어, 시간(t4)과 (t6)과의 중간의 시간(t5)에 닫힌다.
합류밸브(75)를 여는 타이밍(t3)이 각 벨로즈 펌프(73,74)의 온(토출개시) 타이밍(t1)보다 전에 오면, 전회 싸이클의 잔류액이 펌프(73,74) 쪽으로 역류할 우려가 있다. 이때문에, 합류밸브(75)를 여는 타이밍(t3)은 각 벨로즈 펌프(73,74)의 온(토출개시) 타이밍(t1)보다 뒤에 하는 것이 바람직하다. 또한, 합류밸브(77)의 양밸브 본체(113,114)의 개폐는 동시인 것이 바람직하다. 또한, 최하류측의 밸브(77)를 합류밸브(75)의 양밸브 본체(113,114)보다 약간 일찌기 열어 줌으로써, 레지스트액및 시너가 함께 원활히 회로(88)에 흘러 들어와, 스태틱믹서(76)에 있어서의 양액의 혼합이 양호하게된다.
도 10에 나타내는 바와 같이, 스태틱믹서(76)는, 스테인레스강으로 이루어지는 원통관(76a)내에 예컨대 74장의 방해판(117)을 구비하고 있다. 각각의 방해판(117)은, 도 11a 및 11b에 나타내는 바와 같이, 정방형의 판의 한변을 오른쪽이나 왼쪽의 어느 한 방향으로 90도 휘어져 형성된 것이다. 도 11a는 왼쪽으로 휘어진 방해판(117a)을, 도11b는 오를쪽으로 휘어진 방해판(117b)을 나타낸다. 스태틱믹서(76)의 배관(76a)내에는 이러한 왼쪽으로 휘어진 방해판(117a)과 오른쪽으로 휘어진 방해판(117b)이 교대로 배열되어 있다. 이러한 다수의 방해판(117)에 의해서 레지스트액 및 시너는 왼쪽과 오른쪽으로 유동방향을 바꾸면서 원통관(76a)내를 통과하여 흘러, 고효율로 교반혼합된다.
스태틱믹서(76)의 원통관(76a)의 안지름(d3)은 접속용의 튜브배관과 같은 예컨대 2mm∼8mm의 범위인 것이 바람직하다. 관(76a)의 안지름(d3)이 2mm를 밑돌면, 관(76a)내에 쉽게 막히게 되는 때문이다. 한편, 관(76a)의 안지름(d3)가 8mm를 상회하면, 레지스트액의 점도의 변경이나 레지스트액의 종류를 변경할 때에 폐기해야 할 액량이 증대하여, 레지스트액 및 시너의 이용효율이 저하하기때문이다. 또, 이 스태틱믹서(76)에 있어서, 레지스트/시너혼합액과 접촉하는 관(76a)의 내벽과 방해판(117)의 표면에는, 예컨대 4불화 에틸렌수지 코팅, 님플론 도금, TiC피막, 터프램(Tuframe) 처리나 양극산화피막처리 등에 의한 내식성피막이 형성되어 있다. 또, 스태틱믹서(76)는 스테인레스강 이외에도 알루미늄 또는알루미늄합금, 티탄 또는 티탄합금, 니켈합금, 니켈크롬합금, 니켈크롬코발트합금등을 써서 만들어도 좋다. 또한, 스태틱믹서(76)는, 금속재료에만 한정되지 않고 4불화 에틸렌(PTFE)나 폴리프로필렌수지(PP)등의 수지재료로 만들어도 좋다.
이 스태틱믹서(76)는, 도 4에 나타내는 바와 같이, 상류측보다 하류측 쪽이 높고, 또한 수평면에 대하여 각도α에 경사하여 설치되어 있다. 스태틱믹서(76)의 하류측을 상류측보다 높은 곳에 위치시킴으로써, 공기가 스태틱믹서(76)의 하류측으로 이동하기 쉽게 되어, 노즐(86)를 통해 배출되기 쉽게 된다.
또한, 스태틱믹서(76)의 경사각도α는 20˚이상으로 하는 것이 바람직하다. 각도α를 20˚이상으로 하면, 스태틱믹서(76)의 내부에 공기고임이 생기지 않게 되기때문이다. 스태틱믹서(76)에서는 다수의 방해판(117)이 하류측으로의 공기의 이동을 방해하기 때문에, 공기고임이 생기기 쉽다. 공기고임을 발생시키면, 스태틱믹서(76)내에서의 레지스트액과 시너와의 교반혼합력이 저하한다.
다음에, 도 12를 참조하면서 도포장치의 제어계에 관하여 설명한다.
제어기(131)는, 2개의 센서수광부(109,136)로부터 입력되는 검출신호에 근거하여 메인에어밸브(132) 및 2개의 공기유량제어부(133,134)를 각각 제어하도록 되어 있다. 메인에어밸브(132)는 공기공급원(121)으로 연이어 통하는 전자밸브이다. 제 1 의 공기유량제어부(133)는 레지스트액용 벨로즈 펌프(73)의 실린더(107)를 제어하기위한 것이다. 제 2 의 공기유량제어부(134)는 시너용 벨로즈 펌프(74)의 실린더(107)를 제어하기위한 것이다. 메인에어밸브(132)는 3가지의 공기실린더(111,112,118)에 각각 연통하고 있다. 또, 공기 실린더(118)는 최하류측의 밸브(77)의 밸브 본체(도시하지 않음)을 개폐구동시키기위한 것이다.
제어기(131)는, 각 벨로즈 펌프(73,74)에 각각 대응시켜 설치된 2개의 공기유량제어기구(133,134)에, 조작자에 의한 설정에 따른 제어량신호를 주는 기능을 갖고 있다. 각 벨로즈 펌프(73,74)의 단위시간당 액토출량은, 공기 실린더(107)로의 공기공급유량을 조정함으로써 제어된다.
이와 같이, 각 벨로즈 펌프(73,74)의 단위시간당의 토출량을 제어함으로써, 레지스트액과 시너와의 혼합비율을 자유롭게 설정하는 것이 가능해지기 때문에, 웨이퍼(W)에 도포되는 레지스트액의 점도를 자유자재로 조정할 수가 있다.
또한, 제어기(131)는, 각 벨로즈 펌프(73,74)의 토출공정의 종료점을 검출하는 2개의 광센서(135,136)부터의 출력중 제일 처음에 입력한 검출신호에 근거하여, 메인에어밸브(132)를 닫고, 합류밸브(75), 토출밸브(77) 및 각 벨로즈 펌프(73,74)의 각 공기 실린더(107,111,112,118)를 오프상태로 전환하도록 제어한다.
그런데, 합류밸브(75), 토출 밸브(77) 및 각 벨로즈 펌프(73,74)의 온/오프에는 미소한 타이밍갭을 설치하고 있다. 이들의 타이밍갭은, 메인에어밸브(132)와 개개의 공기실린더(107,111,112,118)를 접속하는 공기공급관의 길이를 바꾸는 것으로써도 조정하는 것이 가능하다. 상술한 바와 같이, 타이밍(t3)이 타이밍(t1)보다도 빨라지면 전 싸이클의 잔류액이 합류밸브(75)내에 역류할 우려가 있기때문에, 각 벨로즈 펌프(73,74)의 압축공정의 개시로부터 20ms 늦게 합류밸브(75)를 연다. 또한, 각 벨로즈펌프(73,74)가 신축공정에 들어 갔을 때는, 최하류측의 밸브(77)를 합류밸브(75)보다도 먼저 닫고, 즉 타이밍(t5)을 타이밍(t6)보다도 빨리 하여, 노즐(86)로부터 웨이퍼(W) 위에 레지스트액이 뚝뚝 떨어지는 것을 방지하는 것이 바람직하다.
다음에, 상기 장치의 동작에 관해서 설명한다.
조작자는, 웨이퍼(W)에 공급하는 레지스트액의 점도를 설정하기위한 데이터를 콘트롤러(131)에 미리 입력해 놓는다. 이 설정점도는, 처리온도에 있어서의 레지스트액의 점도와 각 벨우즈 펌프(73,74)의 스트로크속도(단위시간당의 토출량)와의 대응 테이블에 상당하는 것이다. 각 싸이클마다 레지스트/시너혼합액의 공급량은, 센서(108,109, 137,136)로부터의 위치검출정보를 이용하여 결정한다. 예컨대, 노즐(86)로부터 토출되는 레지스트액중 처음 1cc에 대하여 0.5cc의 시너를 첨가혼합한다. 이와 같이 하면, 1 싸이클당 레지스트액의 사용량을 저감할 수가 있다.
콘트롤러(131)는, 조작자부터의 레지스트액의 점도설정 데이터를 입수하면, 예컨대, 상기 대응 테이블로부터 해당하는 각 벨로즈 펌프(73,74)의 스트로크속도의 데이터를 읽어 내어, 각 벨로즈 펌프(73,74)의 공기 실린더(107)의 구동을 제어하는 2개의 공기유량제어기구(133,134)에 대하여 원하는 스트로크속도에 따른 제어량신호를 준다. 이에 따라, 원하는 레지스트액점도를 얻기위한 각 벨로즈 펌프(73,74)의 스트로크속도 요컨대 단위시간당의 토출량이 설정된다.
이상 설정완료후, 콘트롤러(131)는 메인에어밸브(132)를 연다. 메인에어밸브(132)가 열리면, 공기공급원(121)으로부터 합류밸브(75), 토출 밸브(77) 및 각 벨로즈 펌프(73,74)의 공기 실린더(107,111,112,118)에 각각 공기가 공급되어, 이에 따라 각 벨로즈 펌프(73,74)의 압축(토출)이 시작됨과 동시에 합류밸브(75) 및 토출 밸브(77)가 각각 열린다.
이에 따라, 레지스트 탱크(71) 및 시너탱크(72)로부터 각 벨로즈 펌프(73,74)내에 빨아 올려지고 있는 레지스트액 및 시너는 합류밸브(75)로 합류하여, 스태틱믹서(76)내에 도입되며 교반혼합되어, 또한 회로(88)를 통하여 노즐(86)로부터 토출된다.
그리고 벨로즈 펌프(73,74)중 어느 하나가 토출공정의 종료점에 달하면, 센서(108,109,137,136)로부터 위치검출신호가 콘트롤러(131)에 들어가서 메인에어밸브(132)가 닫혀진다. 메인에어밸브(132)를 닫음으로써, 각 벨로즈 펌프(73,74)의 압축(토출)동작이 종료하고, 가요성파이프(102)의 탄성복원력에 의한 신장(빨아 올림)공정으로 옮겨져, 이와 거의 동시에 합류밸브(75) 및 토출 밸브(77)가 각각 닫힌다. 이에 따라 웨이퍼(W)으로의 레지스트액공급이 완료한다.
상기 실시형태의 장치에 의하면, 레지스트액과 시너를 혼합하여 원하는 점도의 레지스트액을 만들어, 이것을 웨이퍼(W)에 공급할 수 있기때문에, 1개의 레지스트액탱크와 1개의 시너 탱크를 준비해 놓는 것만으로, 모든 점도의 레지스트액을 웨이퍼(W)에 공급할 수가 있다. 이때문에, 웨이퍼표면에 형성해야 할 레지스트막두께의 변경요구에 대하여 유연하고 또한 신속한 대응이 가능해진다. 물론, 날마다 환경조건등의 차이에 의한 레지스트막두께의 변동에 용이하게 대처하는 것도 가능해진다.
그런데, 본 실시형태로서는, 웨이퍼표면에 형성해야 할 레지스트막두께의 변경요구에 따라 레지스트액의 점도를 변경한 경우, 레지스트공급회로의 배관내에 잔류하고 있는 점도변경 전의 레지스트액을 모두 폐기하고 있다. 이 레지스트액의 폐기처리는, 예컨대, 레지스트 노즐(86)를 대기위치까지 이동시키고 나서, 점도변경후의 각 벨로즈 펌프(73,74)의 토출량의 설정조건하에서, 각 벨로즈 펌프(73,74)보다 하류의 배관계통이 가지는 용량이상의 레지스트액 및 시너를 연속적으로 공급하여, 각 벨로즈 펌프(73,74)보다 하류의 배관내의 잔류액을 모두 노즐(86)로부터 밀어냄으로써 행하여진다. 이에 따라, 목표점도와 다른 점도의 레지스트액(잔류액)이 웨이퍼(W)에 공급되는 일이 없어지고, 막두께변경후의 최초의 웨이퍼(W)에서 목표점도의 레지스트액을 공급하고 소망 막두께의 레지스트막을 얻을 수 있다.
다음에, 도 13, 도 14a, 도 14b, 도 15를 참조하면서 제 2 의 실시형태의 도포장치에 관해서 설명한다. 또, 본 실시형태가 상기 제 1 실시형태와 공통하는 부분에 있어서는 설명을 생략한다.
이 제 2 실시형태의 도포장치는, 성분이 서로 다른 레지스트액을 각각 저장한 n개의 레지스트 탱크(711∼71n)를 구비하고 있다. 각 레지스트 탱크(711∼71n)에는 제 1 레지스트액(R1)로부터 제 n 레지스트액(Rn)이 레지스트종류별마다 각각 수용되어 있다. 제 1∼제 n 레지스트액(R1∼Rn)은, 예컨대 페놀계 노볼락수지 레지스트나 화학증폭형 레지스트등 여러가지가 다른 성분의 레지스트액이고, 각각 소정의 농도(점도)로 조정되어 있다. 또한, 각 레지스트 탱크(711∼71n)의 레지스트공급회로마다 벨로즈 펌프(731∼73n)이 설치되어 있다. 또한, 이 도포장치로는 1개의 시너탱크(721)를 공유하고 있다. 즉, 시너탱크(721)의 시너공급회로(78b)는, 합류밸브(751)에 있어서 레지스트 탱크(711∼71n)의 각 레지스트공급회로(781∼78n)와 합류하고 있다. 또, 합류밸브(751)로부터 하류측의 회로(88)에는 스태틱믹서(761)와, 토출 밸브(771)와, 노즐(861)이 설치된다. 스태틱믹서(761) 및 토출 밸브(771)는 상기 실시형태장치의 각 부재와 실질적으로 동일하다.
다음에, 도 14a 및 도 14b를 참조하면서 합류밸브(751)에 관해서 설명한다. 합류밸브(751)는, 제 1 로부터 제 n 번까지의 레지스트유입통로(361∼36n), 1개의 시너유입통로(351)와, 1개의 유출통로(719)를 구비하고 있다. 이들의 유입통로(351,361∼36n)는 합류밸브(751)내에서 유출통로(719)에 각각 합류하여, 또한 회로(88)를 통하여 노즐(861)에 연통하고 있다. 제 1 의 레지스트유입통로(361)는 공급회로(781)를 통해 제 1 레지스트탱크(711)에 연이어 통하여, 제 2 의 유입통로(362)는 공급회로(782)를 통해 제 2 레지스트 탱크(712)에 연이어 통하며, 또한 제 n 번째의 유입통로(36n)은 공급회로(78n)를 통해 제 n 번째의 레지스트 탱크(71n)에 연통하고 있다. 또한, 시너유입통로(351)는 공급회로(78b)를 통해 시너 탱크(721)에 연통하고 있다.
제 1 의 밸브 본체(331)는, 제 1 공기 실린더(311)의 로드에 가동에 지지되어, 시너유입통로(351)를 개폐하도록 설치된다. 제 2 밸브 본체(341)는, 제 2 공기 실린더(321)의 로드에 가동에 지지되어, 제 1의 레지스트유입통로(361)를 개폐하도록 설치되어 있다. 제 3 의 밸브 본체(342)는, 제 3 공기실린더(322)의 로드에 가동에 지지되어, 제 2 의 레지스트유입통로(362)를 개폐하도록 설치되어 있다. 제 n+1번째의 밸브 본체(34n)는, 제 n+1번째의 공기 실린더(32n)의 로드에 가동에 지지되어, 제 n번째의 레지스트유입통로(36n)를 개폐하도록 설치되어 있다. 또, 최하류측의 밸브(771)의 개폐구동부는, 합류밸브(751)의 그것과 실질적으로 동일하여, 도 15에 나타내는 공기 실린더(318)를 구비하고 있다. 또, 각 레지스트액의 유로(361∼36n)를 개폐하는 복수의 밸브 본체(341∼34n)는, 조작자에 의해 선택된 종류의 레지스트액에 해당하는 하나를 제외하고 닫힌 상태에 고정되도록 되어 있다.
합류밸브(751)는, 폭(W3) 및 높이(W3)가 각각 약 30mm이다. 유로의 수가 10개 있는 경우는, 밸브(751)의 길이(W4)가 약 330mm이다. 또한, 시너유입통로(351) 및 제 1∼제 n 번째의 유입통로(361∼36n)의 안지름(d3)은 각각 4.35mm이며, 유출통로(719)의 안지름(d4)은 4.35mm이다. 합류밸브(751)의 각부는 PTFE수지로 만들어져 있다.
다음에, 도 15를 참조하면서 상기 제2실시형태의 장치 제어계에 관해서 설명한다.
제어기(431)는, 2개의 센서수광부(109,136)로부터 입력되는 검출신호에 근거하여 메인에어밸브(232) 및 n개의 공기유량제어부(331∼33n)를 각각 제어하도록 되어 있다. 메인에어밸브(232)는 공기공급원(221)에 연이어 통하는 전자밸브이다. 제 1 의 공기유량제어부(331)는 제 1 레지스트액(R1)용의 벨로즈펌프(731)의 실린더(107)를 제어하기위한 것이다. 제 2 의 공기유량제어부(332)는 제 2 레지스트액(R2)용 벨로즈 펌프(732)의 실린더(107)를 제어하기위한 것이다. 제 n번째의 공기유량제어부(33n)는 제 n 레지스트액(Rn)용 벨로즈 펌프(73n)의 실린더(107)를 제어하기위한 것이다. 제일 나중의 공기유량제어부(341)는 시너용 벨로즈 펌프(741)의 실린더(107)를 제어하기위한 것이다. 또, 공기 실린더(318)는 최하류측의 밸브(771)의 밸브 본체(도시하지 않음)을 개폐구동시키기위한 것이다.
합류밸브(751)의 레지스트액공급용 공기 실린더(321∼32n)는 메인에어밸브(232)에 대하여 각각 전자 밸브(211∼21n)를 통해 접속되어 있다. 제어기(431)는, 각 전자 밸브(211∼21n)의 동작을 각각 제어함으로써, n종류의 레지스트액(R1∼Rn) 중에서 웨이퍼(W)에 도포해야 할 하나의 레지스트액을 선택도록 되어 있다. 제어기(431)는, 선택한 레지스트액공급회로의 전자 밸브만을 열린 상태로 설치하여, 그 밖의 전자 밸브는 닫힌 상태로 설정한다. 또한 마찬가지로, 제어기(431)는, 선택한 레지스트액공급회로 벨로즈 펌프의 공기 실린더(107)에만 공기를 공급하도록 메인에어밸브(232)를 설정하여, 또한, 각 공기유량제어기구(331∼33n)를 제어한다. 또, 레지스트액의 점도조정에 있어서는 상기의 제1실시형태와 같이 행하여진다. 또한, 이와 같이 사용해야 할 레지스트액을 새로운 종류의 레지스트액으로 변경하는 경우는, 합류밸브(751)보다 하류측의 레지스트액공급배관(회로)(88)내에 잔류하는 레지스트액을 모두 폐기한다.
또, 상기 실시형태로서는, 본 발명을 반도체웨이퍼에 레지스트액을 도포하는 장치에 적용한 것에 관하여 설명하였는데, 반도체웨이퍼 이외의 기판, 예컨대 LCD기판에 레지스트액을 도포하는 장치에도 본 발명은 적용할 수 있다.
본 발명에 의하면, 기판에 도포하기 직전에, 레지스트액의 점도를 목표가 되는 점도로 조정할 수가 있기때문에, 레지스트액과 용제가 서로 분리하기쉬운 성질을 갖는 것이어도, 기판상에 균일하며 또한 목표막두께의 레지스트도포막을 얻을 수 있다.
또한, 본 발명에 의하면, 실제로 도포를 실시하는 현장에서 목표점도의 레지스트액으로 조정할 수가 있기때문에, 막두께의 변경등 과정조건의 변경에 대하여 신속히 대응하는 것이 가능해진다. 또한, 동성분으로 점도만이 다른 레지스트액의 공급원을 몇개라도 준비해 둘 필요가 없고, 1성분에 대해서는 1개의 레지스트액공급원만으로 좋기때문에, 장치를 소형화할 수가 있다. 또한 날마다 환경조건등의 차이에 기인하는
레지스트막두께의 변동을 해소할 수가 있다.
또한 본 발명에 의하면, 처리액·용제공급수단에 의한 혼합수단에의 처리액 및 용제의 공급의 온/오프제어와, 그 하류측의 액공급계통의 밸브군의 개폐를 동기시키는 것이 가능해져, 처리액 및 용제등의 역류를 효율적으로 방지할 수가 있다.

Claims (20)

  1. 기판에 처리액을 도포하는 도포장치로서,
    기판을 유지하는 기판유지 부재와,
    용제를 포함하는 일차처리액이 수용된 처리액공급원과,
    용제가 수용된 용제공급원과,
    이 용제공급원 및 상기 처리액공급원의 각각에 연통하는 합류밸브와,
    이 합류밸브를 향하여 상기 처리액공급원으로부터 상기 일차처리액을 보내는 제 1 의 펌프수단과,
    상기 합류밸브를 향하여 상기 용제공급원으로부터 용제를 보내는 제 2 의 펌프수단과,
    상기 합류밸브의 하류측에 설치되어 상기 합류밸브로부터 유입하는 상기 1차처리액과 상기 용제를 교반혼합하는 믹서와,
    이 믹서로 혼합된 액을 상기 기판유지 부재에 의해서 유지된 기판을 향하여 토출하는 액토출부를 갖는 노즐수단과,
    상기 처리액공급원에서 상기 합류밸브에 보내는 1차처리액과 상기 용제공급원에서 상기 합류밸브에 보내는 용제와의 혼합비율을 조정하기 위해서, 상기 제 1 및 제 2 의 펌프수단을 각각 제어하는 제어수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 도포장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 노즐수단은, 상기 믹서보다 하류측에, 또한, 상기 액토출부에 근접하는 곳에 위치하고, 상기 믹서로 혼합된 액을 통하여 흐르게 하거나 차단하는 토출 밸브를 더욱 갖는 도포장치.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 처리액공급원은, 성분이 서로 다른 1차처리액을 1종씩 수용하는 복수의 처리액 탱크을 가지며,
    상기 용제공급원은, 용제를 수용하는 단독의 용제탱크를 가지며,
    상기 합류밸브는, 상기 복수 처리액 탱크중에서 1개를 선택하여 상기 믹서로 보내는 1차처리액의 종류를 바꾸는 전환 수단과, 상기 용제 탱크에 연이어 통하는 용제유로와, 이 용제유로에 형성된 밸브시이트와, 상기 용제유로를 차단하거나 개통시키는 제 1 의 밸브 본체와, 이 제 1 의 밸브 본체를 밸브시이트에 밀어붙이거나 떼는 제1실린더를 가지는 도포장치.
  4. 제 3 항에 있어서, 상기 전환수단은, 상기 처리액 탱크의 각각 연이어 통하는 복수의 처리액유로와, 이들 처리액유로의 각각 형성된 밸브시이트와, 상기 처리액유로를 차단하거나 개통시키는 제 2 의 밸브 본체와, 이것들의 제2 밸브 본체를 각 밸브시이트에 각각 밀어붙이거나 떼기도 하는 제 2 실린더를 구비하는 도포장치.
  5. 제 4 항에 있어서, 상기 제1 및 제2의 펌프수단의 각각은, 액저류부에 연이어 통하는 가요성파이프와, 상기 가요성파이프를 왕복운동시키는 제 3 실린더를 구비하는 도포장치.
  6. 제 5 항에 있어서, 상기 가요성파이프의 변위량을 검출하는
    센서를 더욱 가지며,
    상기 제어수단은, 상기 센서로부터의 검출정보에 근거하여 상기 제1 및 제2의 펌프수단의 각 제3 실린더의 동작을 각각 제어하는 도포장치.
  7. 제 5 항에 있어서,
    상기 제어수단은, 상기 제 1 및 제 2 의 펌프의 제 3 실린더를 시간(t1)에 동시에 기동시켜, 이들을 시간(t4)에 동시에 정지시키며, 또한, 상기 합류밸브의 용제유로 및 처리액유로중의 1개를 상기 시간(t1)으로부터 늦어진 시간(t3)에 동시에 열리고, 이들을 시간(t4)으로부터 늦어진 시간(t6)에 동시에 닫는 도포장치.
  8. 제 6 항에 있어서, 상기 센서가 상기 제 1 및 제 2 의 펌프수단의 제 3 실린더 중 어느 한 동작의 종료점을 검출한 때에, 상기 제어수단은 1차처리액 및 용제의 공급동작을 정지시키는 도포장치.
  9. 제 1 항에 있어서, 상기 제어수단은, 상기 처리액공급원부터의 단위시간당 1차처리액의 공급량 및 상기 용제공급원부터의 용제의 공급량을 각각 제어하는 도포장치.
  10. 제 3 항에 있어서, 상기 전환 수단에 의해서 상기 탱크가 전환을 행한 뒤에, 상기 합류밸브로부터 상기 액토출부까지의 사이에 존재하는 그 전환 전의 잔류액을 폐기하는 잔류액폐기수단을 더욱 갖는 도포장치.
  11. 제 1 항에 있어서, 상기 제어수단에 의해서 1차처리액과 용제와의 혼합비율이 변경된 후에, 상기 합류밸브로부터 상기 액토출부까지의 사이에 존재하는 그 변경 전의 잔류액을 폐기하는 잔류액폐기수단을 더욱 갖는 도포장치.
  12. 제 1 항에 있어서, 상기 믹서는, 1차처리액과 용제를 교반혼합하기 위해서 액의 유로에 직렬로 배열된 복수의 방해판을 갖는 스태틱믹서인 도포장치.
  13. 제 12 항에 있어서, 상기 스태틱믹서의 방해판은 구형의 판의 한변을 좌우 어느 한 방향으로 직각으로 휘어져 형성되며, 액의 유로에서 왼쪽으로 비틀린 방해판과 오른쪽으로 비틀린 방해판이 교대로 배치되어 있는 도포장치.
  14. 제 12 항에 있어서, 상기 스태틱믹서의 하류측단부는, 상류측단부보다 높은 곳에 위치하는 도포장치.
  15. 제 12 항에 있어서, 상기 스태틱믹서의 액의 유로는, 수평면에 대하여 각도 20˚이상으로 경사져 있는 도포장치.
  16. 제 1 항에 있어서, 상기 합류밸브는, 액이 유입하는 복수의 유입통로와, 액이 유출하는 1개의 유출통로를 구비하고 있는 도포장치.
  17. 제 16 항에 있어서,
    복수의 유입통로중 1개는 상기 용제공급원에 연이어 통하며, 그 밖의 유입통로는 1차처리액공급원에 연통하고 있는 도포장치.
  18. 제 5 항에 있어서, 상기 제1, 제2, 제3 실린더에 공급되는 공기의 유량 또는 압력을 각각 조정하는 메인에어밸브를 더욱 가지며, 이 메인에어밸브는 상기 제어수단에 의해 제어되는 도포장치.
  19. 제 1 항에 있어서, 상기 기판은 반도체 웨이퍼이고, 상기 기판유지 부재는 유지한 반도체 웨이퍼를 회전시키는 스핀척인 도포장치.
  20. 제 1 항에 있어서, 상기 처리액공급원에 수용되어 있는 상기 1차처리액은, 일정량의 용제를 포함하는 일정농도의 레지스트용액인 도포장치.
KR1019970073698A 1996-12-25 1997-12-24 도포장치 KR100375037B1 (ko)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP34607796 1996-12-25
JP96-346077 1996-12-25
JP346077 1996-12-25
JP270126 1997-10-02
JP27012697A JP3333121B2 (ja) 1996-12-25 1997-10-02 塗布装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR19980064625A true KR19980064625A (ko) 1998-10-07
KR100375037B1 KR100375037B1 (ko) 2003-05-09

Family

ID=26549074

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019970073698A KR100375037B1 (ko) 1996-12-25 1997-12-24 도포장치

Country Status (7)

Country Link
US (1) US6059880A (ko)
EP (1) EP0851302B1 (ko)
JP (1) JP3333121B2 (ko)
KR (1) KR100375037B1 (ko)
DE (1) DE69702291T2 (ko)
SG (1) SG75820A1 (ko)
TW (1) TW414962B (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100816319B1 (ko) * 2005-11-18 2008-03-24 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 레지스트 희석 시스템
KR20190002380A (ko) * 2010-11-25 2019-01-08 아피쿠 야마다 가부시키가이샤 수지몰드장치

Families Citing this family (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3410342B2 (ja) * 1997-01-31 2003-05-26 東京エレクトロン株式会社 塗布装置
JP2000189880A (ja) * 1998-12-28 2000-07-11 Canon Inc 塗布方法および装置ならびにカラ―フィルタの製造方法
JP3697389B2 (ja) 1999-09-27 2005-09-21 株式会社東芝 液膜形成方法及び塗布膜形成方法
US7125584B2 (en) * 1999-09-27 2006-10-24 Kabushiki Kaisha Toshiba Method for forming a liquid film on a substrate
EP1124252A2 (en) * 2000-02-10 2001-08-16 Applied Materials, Inc. Apparatus and process for processing substrates
TWI228755B (en) * 2000-02-17 2005-03-01 Toshiba Corp Chemical liquid processing apparatus and the method thereof
JP2001230191A (ja) * 2000-02-18 2001-08-24 Tokyo Electron Ltd 処理液供給方法及び処理液供給装置
US7905653B2 (en) * 2001-07-31 2011-03-15 Mega Fluid Systems, Inc. Method and apparatus for blending process materials
JP2002239434A (ja) * 2001-02-14 2002-08-27 Tokyo Electron Ltd 塗布膜形成装置および塗布膜形成方法
JP3704054B2 (ja) * 2001-05-01 2005-10-05 東京エレクトロン株式会社 処理液の濃度を変更する方法及び処理液供給装置
KR100857972B1 (ko) * 2001-06-07 2008-09-10 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 도포막 형성방법 및 도포막 형성장치
JP3869306B2 (ja) 2001-08-28 2007-01-17 東京エレクトロン株式会社 現像処理方法および現像液塗布装置
US7041172B2 (en) * 2003-02-20 2006-05-09 Asml Holding N.V. Methods and apparatus for dispensing semiconductor processing solutions with multi-syringe fluid delivery systems
TW569969U (en) * 2003-05-01 2004-01-01 Shi-Tsai Chen Airtight type pressure storage apparatus
JP3988676B2 (ja) * 2003-05-01 2007-10-10 セイコーエプソン株式会社 塗布装置、薄膜の形成方法、薄膜形成装置及び半導体装置の製造方法
US7152815B2 (en) * 2003-06-04 2006-12-26 Nordson Corporation Dispensing system, nozzle and method for independently dispensing and controlling liquid
US7078355B2 (en) * 2003-12-29 2006-07-18 Asml Holding N.V. Method and system of coating polymer solution on surface of a substrate
JP4554236B2 (ja) * 2004-03-08 2010-09-29 東京エレクトロン株式会社 液供給機構および液供給方法
US7651306B2 (en) 2004-12-22 2010-01-26 Applied Materials, Inc. Cartesian robot cluster tool architecture
US7819079B2 (en) 2004-12-22 2010-10-26 Applied Materials, Inc. Cartesian cluster tool configuration for lithography type processes
US7798764B2 (en) 2005-12-22 2010-09-21 Applied Materials, Inc. Substrate processing sequence in a cartesian robot cluster tool
US7699021B2 (en) 2004-12-22 2010-04-20 Sokudo Co., Ltd. Cluster tool substrate throughput optimization
US20060130767A1 (en) 2004-12-22 2006-06-22 Applied Materials, Inc. Purged vacuum chuck with proximity pins
JP4523517B2 (ja) * 2005-08-09 2010-08-11 東京エレクトロン株式会社 塗布処理装置および塗布処理方法、ならびにコンピュータ読み取可能な記憶媒体
JP4704228B2 (ja) * 2005-09-06 2011-06-15 東京応化工業株式会社 レジスト液供給装置及び当該レジスト液供給装置を得るための改造キット
JP4514224B2 (ja) * 2005-09-28 2010-07-28 東京エレクトロン株式会社 リンス処理方法、現像処理方法及び現像装置
US20070187531A1 (en) * 2006-02-14 2007-08-16 The U.S. Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Apparatus and method to amalgamate substances
JP5069550B2 (ja) * 2007-05-17 2012-11-07 大日本スクリーン製造株式会社 塗布装置
SG176676A1 (en) * 2009-06-10 2012-01-30 Advanced Tech Materials Fluid processing systems and methods
US8567437B2 (en) * 2009-11-05 2013-10-29 J-Lok Co. Multi-speed resin cartridge production system
JP4832576B2 (ja) * 2010-04-12 2011-12-07 東京エレクトロン株式会社 塗布処理装置
CN102294317A (zh) * 2010-06-28 2011-12-28 无锡华润上华半导体有限公司 光刻胶喷涂装置及方法
CN102527574A (zh) * 2010-12-08 2012-07-04 无锡华润上华科技有限公司 光刻胶喷涂装置及其方法
JP6425719B2 (ja) * 2013-10-11 2018-11-21 トランジションズ オプティカル， インコーポレイテッド 光学基材に複数コーティングを塗布するためのスピンコーター
JP2015115486A (ja) * 2013-12-12 2015-06-22 東京エレクトロン株式会社 液供給装置
TWI585539B (zh) 2014-05-15 2017-06-01 東京威力科創股份有限公司 用以在光阻分配系統中增進再循環及過濾的方法及設備
JP7050140B1 (ja) * 2020-12-21 2022-04-07 株式会社デンソーテン 調合装置および調合方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3806037A (en) * 1972-12-01 1974-04-23 Hanson Equipment Co Selective fluid discharge system and control valve means therefor
US5254367A (en) * 1989-07-06 1993-10-19 Tokyo Electron Limited Coating method and apparatus
JPH04209520A (ja) * 1990-12-04 1992-07-30 Mitsubishi Electric Corp 回転塗布装置
US5407267A (en) * 1992-12-30 1995-04-18 Nordson Corporation Method and apparatus for forming and dispensing coating material containing multiple components
SG93216A1 (en) * 1993-03-25 2002-12-17 Tokyo Electron Ltd Method of forming coating film and apparatus therefor
JPH06348023A (ja) * 1993-06-03 1994-12-22 Nippon Kayaku Co Ltd 顔料を含むカラーフィルター用レジストの塗布方法
JP3659668B2 (ja) * 1994-08-25 2005-06-15 オリンパス株式会社 ぶれ補正機能テストモード付カメラ
US5478435A (en) * 1994-12-16 1995-12-26 National Semiconductor Corp. Point of use slurry dispensing system

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100816319B1 (ko) * 2005-11-18 2008-03-24 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 레지스트 희석 시스템
KR20190002380A (ko) * 2010-11-25 2019-01-08 아피쿠 야마다 가부시키가이샤 수지몰드장치
KR20190132336A (ko) * 2010-11-25 2019-11-27 아피쿠 야마다 가부시키가이샤 수지몰드장치

Also Published As

Publication number Publication date
SG75820A1 (en) 2000-10-24
DE69702291T2 (de) 2001-02-08
DE69702291D1 (de) 2000-07-20
JPH10242045A (ja) 1998-09-11
KR100375037B1 (ko) 2003-05-09
JP3333121B2 (ja) 2002-10-07
TW414962B (en) 2000-12-11
EP0851302A1 (en) 1998-07-01
US6059880A (en) 2000-05-09
EP0851302B1 (en) 2000-06-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100375037B1 (ko) 도포장치
KR100560257B1 (ko) 도포장치및도포방법
US5759614A (en) Resist processing method and apparatus
US7431038B2 (en) Wet processing device and wet processing method
EP0863538B1 (en) Coating apparatus and coating method
KR100209564B1 (ko) 액 도포 시스템 및 액 도포방법
KR101443945B1 (ko) 도포 처리 방법
US8393808B2 (en) Developing method
KR100750891B1 (ko) 도포장치 및 혼합장치
US6602382B1 (en) Solution processing apparatus
KR19980018735A (ko) 현상처리방법(developing method)
US6267516B1 (en) Developing apparatus and developing nozzle
JP3605545B2 (ja) 現像処理方法および現像処理装置
US8415092B2 (en) Substrate developing method, substrate processing method and developing solution supply nozzle
JP2003197516A (ja) 塗布処理方法及び塗布処理装置
JP4024639B2 (ja) 薬液ポンプ、配管システム、基板処理ユニット、基板処理装置、薬液吐出方法、配液方法および基板処理方法
JP2002208560A (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
JP3576835B2 (ja) 薬液供給システムおよび基板処理システム、ならびに液処理方法
JP4079420B2 (ja) 液処理装置及び液処理方法
JP2000114154A (ja) 薬液供給システムおよび基板処理システム
US20010047753A1 (en) Treatment solution discharge apparatus
JP2004095707A5 (ko)

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130201

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140204

Year of fee payment: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150130

Year of fee payment: 13

LAPS Lapse due to unpaid annual fee