KR102639128B1 - 웨이퍼의 처리장치 및 처리방법 - Google Patents

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신에쯔 한도타이 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은, 챔버 내에 회전가능한 테이블과, 이 테이블 상에 배치된 복수의 지지핀을 구비하고, 이 복수의 지지핀으로 웨이퍼의 주연부를 지지하고, 이 웨이퍼를 회전시키면서 세정 및/또는 건조처리하는 웨이퍼의 처리장치로서, 상기 복수의 지지핀 중 1개 이상은 구동가능하고, 상기 지지한 웨이퍼에 가해지는 합성력이 웨이퍼를 상볼록으로 휘게 하는 방향이 되도록 상기 웨이퍼를 눌러서 지지하는 것인 웨이퍼의 처리장치이다. 이에 따라, 웨이퍼회전중심으로 파티클이 밀집되는 것을 방지하고, 또한, 건조자국 등의 발생을 방지할 수 있는 웨이퍼의 처리장치 및 웨이퍼의 처리방법이 제공된다.

Description

웨이퍼의 처리장치 및 처리방법
본 발명은, 웨이퍼의 처리장치 및 처리방법에 관한 것이다.
웨이퍼를 세정 및/또는 건조처리하는 장치로서, 도 10에 나타낸 바와 같은 웨이퍼의 처리장치(101)가 알려져 있다. 웨이퍼의 처리장치(101)는, 에어를 급기하는 급기부(102) 및 배기를 행하는 배기부(103)를 구비한 챔버(104)와, 약액을 공급하는 노즐헤드(노즐블록)를 갖는 노즐부(105), 복수의 지지핀(106)을 구비하고 웨이퍼(W)의 주연부를 지지하여 회전시키는 테이블(107)과, 비산한 약액을 회수 또는 배액을 행하기 위한 승강가능한 컵부(108) 등으로 구성되어 있다(예를 들어, 특허문헌 1).
이러한 처리장치(101)를 이용하여, 웨이퍼(W)를 지지하고 회전시키면서 세정이나 건조처리를 행하고 있다.
일본 특허공개공보 특개2008-060107호
최근의 웨이퍼의 대직경화에 수반하여 웨이퍼의 자중이 늘고, 지지핀(106)으로 주연부를 지지한 웨이퍼(W)는, 많든 적든 반드시 세정이나 건조처리시에 중심부가 움푹 들어간 오목형상(하볼록형상)이 된다(도 11 참조).
그러나, 이는 부득이한 것으로서 종래의 웨이퍼의 세정 및 건조처리장치에 있어서, 처리 중인 웨이퍼의 오목형상의 변형에 대해서는 고려되지 않았었다.
나아가, 종래의 처리장치에서는 세정 중인 웨이퍼의 이탈을 방지하기 위해 베르누이효과를 높이는 구조인 것이 일반적이며, 베르누이효과를 높이기 위해 웨이퍼와 테이블의 극간을 좁히면, 웨이퍼와 테이블간이 부압이 됨으로써, 더욱 웨이퍼가 오목형상으로 변형되기 쉽게 되어 있다(도 12 참조).
여기서, 웨이퍼의 건조시에는 원심력에 의해 약액을 날려서 건조시키는데, 세정 후 건조를 행할 때에 웨이퍼가 오목형상이면, 중심부근의 원심력은 약하여 웨이퍼 중심을 향하는 경사를 가지므로 웨이퍼 상의 약액은 중심으로 모이게 되고, 건조가 웨이퍼 최외부 또는 외주부근으로부터 시작되어 중심부가 마지막으로 건조된다는 것이 문제가 된다(도 11, 도 12 참조).
웨이퍼 외주로부터 중심을 향하여 건조하면, 액 중에 미소파티클 등이 포함되어 있던 경우, 웨이퍼중심으로 모이거나, 건조자국을 발생시키거나 한다.
본 발명은, 상기 문제를 해결하기 위하여 이루어진 것이며, 웨이퍼회전중심으로 파티클이 밀집되는 것을 방지하고, 또한, 건조자국 등의 발생을 방지할 수 있는 웨이퍼의 처리장치 및 웨이퍼의 처리방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 과제를 달성하기 위해, 본 발명에서는, 챔버 내에 회전가능한 테이블과, 이 테이블 상에 배치된 복수의 지지핀을 구비하고, 이 복수의 지지핀으로 웨이퍼의 주연부를 지지하고, 이 웨이퍼를 회전시키면서 세정 및/또는 건조처리하는 웨이퍼의 처리장치로서, 상기 복수의 지지핀 중 1개 이상은 구동가능하고, 상기 지지한 웨이퍼에 가해지는 합성력이 웨이퍼를 상볼록으로 휘게 하는 방향이 되도록 상기 웨이퍼를 눌러서 지지하는 것인 웨이퍼의 처리장치를 제공한다.
이러한 웨이퍼의 처리장치이면, 세정이나 건조처리 중인 웨이퍼형상을 상볼록형상으로 변형시킬 수 있으므로, 처리 후에 웨이퍼회전중심으로 파티클이 밀집되는 것을 방지하고, 또한, 건조자국 등의 발생을 방지할 수 있는 것이 된다.
상기 회전가능한 테이블의 상면과 상기 지지된 웨이퍼의 하면과의, 정지한 상태에 있어서의 간격이 20mm 이상인 것이 바람직하다.
이러한 것이면, 웨이퍼를 회전시켜도 베르누이효과를 억제할 수 있고, 보다 용이하게 웨이퍼를 상볼록으로 휘게 할 수 있는 것이 된다.
또한, 상기 구동가능한 지지핀이, 상기 웨이퍼의 반경보다도 내측으로 구동가능한 것으로 할 수 있다.
이러한 것이면, 웨이퍼가 볼록형상으로 변형했을 때에도 웨이퍼를 충분히 누를 수 있으므로, 보다 안정적으로 웨이퍼를 지지할 수 있는 것이 된다.
또한, 상기 구동가능한 지지핀이, 회전이동방식 또는 수평이동방식에 의해 구동하는 것으로 할 수 있다.
본 발명에 있어서의 지지핀은, 이러한 이동방식을 적당히 선택할 수 있다.
또한, 상기 복수의 지지핀의 선단형상이, 상기 웨이퍼의 면취부를 누르는 경사부와 상기 웨이퍼의 측면을 수평방향으로 누르는 수직부를 갖는 것이 바람직하다.
이러한 형상이면, 웨이퍼를 눌러도 어긋남이 발생하지 않고, 보다 안정적으로 웨이퍼를 상볼록으로서 지지할 수 있는 것이 된다.
또한, 상기 복수의 지지핀 중 2개 이상은 고정된 것이 바람직하다.
지지핀이 이러한 개수로 고정핀을 갖는 것이면, 보다 안정적으로 웨이퍼를 지지할 수 있고, 회전시의 난류발생을 보다 억제할 수 있는 것이 된다.
또한, 상기 복수의 지지핀이 5.0N 이상 30.0N 이하의 압력으로 상기 웨이퍼를 눌러서 지지하는 것이 바람직하다.
이러한 압력범위이면, 보다 안정적으로 웨이퍼를 상볼록으로 하여 지지할 수 있고, 웨이퍼의 균열을 보다 억제할 수 있는 것이 된다.
또한, 본 발명에서는, 챔버 내에 있어서, 회전가능한 테이블 상에 배치된 복수의 지지핀으로 웨이퍼의 주연부를 지지하고, 이 웨이퍼를 회전시키면서 세정 및/또는 건조처리하는 웨이퍼의 처리방법으로서, 상기 웨이퍼에 가해지는 합성력이 웨이퍼를 상볼록으로 휘게 하는 방향이 되도록, 상기 복수의 지지핀 중 1개 이상을 구동시킴으로써 상기 웨이퍼를 눌러서 지지하고, 상기 지지한 웨이퍼를, 상기 회전가능한 테이블을 회전시킴으로써 회전시키면서, 상볼록형상으로 변형시켜 세정 및/또는 건조처리하는 웨이퍼의 처리방법을 제공한다.
이와 같이, 본 발명의 웨이퍼의 처리방법에서는, 웨이퍼를 상볼록형상으로 변형시켜 세정 및/또는 건조처리하기 때문에, 처리 후의 웨이퍼회전중심으로 파티클이 밀집되는 것을 방지하고, 또한, 건조자국 등의 발생을 방지할 수 있다.
또한, 상기 회전가능한 테이블의 상면과 상기 웨이퍼의 하면과의 정지한 상태에 있어서의 간격이 20mm 이상이 되도록, 상기 웨이퍼를 배치하여 지지하는 것이 바람직하다.
이와 같이 하면, 웨이퍼를 회전시켜도 베르누이효과를 억제하여, 보다 용이하게 웨이퍼를 상볼록으로 휘게 할 수 있다.
또한, 상기 웨이퍼를, 상기 복수의 지지핀 중 1개 이상을 회전이동방식 또는 수평이동방식에 의해 구동시킴으로써 눌러서 지지할 수 있다.
이와 같이, 이동방식을 적당히 선택하여 지지핀을 구동시킬 수 있다.
또한, 상기 웨이퍼를, 5.0N 이상 30.0N 이하의 압력을 가함으로써 눌러서 지지하는 것이 바람직하다.
이러한 압력범위이면, 보다 안정적으로 웨이퍼를 상볼록으로 하여 지지할 수 있고, 웨이퍼의 균열을 보다 억제할 수 있다.
이상과 같이, 본 발명의 웨이퍼의 처리장치 및 웨이퍼의 처리방법이면, 처리 중인 웨이퍼의 형상을 상볼록형상으로 할 수 있으므로, 처리 후에 웨이퍼회전중심으로 파티클이 밀집되는 것을 방지하고, 또한, 건조자국 등의 발생을 방지할 수 있다.
도 1은 본 발명의 웨이퍼의 처리장치의 일례를 나타내는 개략도이다.
도 2는 본 발명의 웨이퍼의 처리장치에 있어서의, 세정 및 건조 중인 웨이퍼의 형상을 나타내는 개략도이다.
도 3은 웨이퍼를 상볼록으로 휘게 할 수 있는 방법을 설명하기 위한 도면이다. (A)~(C)는 웨이퍼를 상볼록으로 휘게 할 수 없는 예, (D)는 웨이퍼를 상볼록으로 휘게 할 수 있는 예.
도 4는 본 발명의 웨이퍼의 처리장치에 있어서 이용할 수 있는 지지핀의 형상의 일례를 나타내는 측면도 및 상면도이다.
도 5는 본 발명의 웨이퍼의 처리장치에 있어서의, 구동가능한 지지핀의 구동방식을 나타내는 개략도이다.
도 6은 본 발명의 웨이퍼의 처리장치에 있어서의, 웨이퍼를 지지할 때의 지지핀의 개수 및 배치의 일례를 나타내는 상면도이다.
도 7은 실시예 및 비교예에 있어서 이용한 지지핀의 형상을 나타내는 개략도이다.
도 8은 실시예에 있어서의, 웨이퍼의 형상 및 웨이퍼의 건조방향을 나타내는 개략도이다.
도 9는 실시예 및 비교예에 있어서의 건조처리 후의 증가결함수를 나타내는 그래프이다.
도 10은 종래의 웨이퍼의 처리장치의 일례를 나타내는 개략도이다.
도 11은 종래의 웨이퍼의 처리장치에 있어서, 지지된 웨이퍼를 확대한 개략도이다.
도 12는 종래의 웨이퍼의 처리장치에 있어서의 베르누이효과에 의한 웨이퍼의 형상 및 웨이퍼의 건조방향을 나타내는 개략도이다.
상술한 바와 같이, 웨이퍼회전중심으로 파티클이 밀집되는 것을 방지하고, 또한, 건조자국 등의 발생을 방지할 수 있는 웨이퍼의 처리장치 및 웨이퍼의 처리방법의 개발이 요구되고 있었다.
본 발명자들은, 상기 과제에 대하여 예의 검토를 거듭한 결과, 처리 중인 웨이퍼의 형상을 상볼록형상으로 변형시킴으로써, 웨이퍼의 건조를 외주로부터 건조시키지 않고 웨이퍼 전면 또는 중심부분으로부터 건조시키기 시작할 수 있는 것을 발견하여, 본 발명을 완성시켰다.
즉, 본 발명은, 챔버 내에 회전가능한 테이블과, 이 테이블 상에 배치된 복수의 지지핀을 구비하고, 이 복수의 지지핀으로 웨이퍼의 주연부를 지지하고, 이 웨이퍼를 회전시키면서 세정 및/또는 건조처리하는 웨이퍼의 처리장치로서, 상기 복수의 지지핀 중 1개 이상은 구동가능하고, 상기 지지한 웨이퍼에 가해지는 합성력이 웨이퍼를 상볼록으로 휘게 하는 방향이 되도록 상기 웨이퍼를 눌러서 지지하는 것인 웨이퍼의 처리장치이다.
또한, 본 발명은, 챔버 내에 있어서, 회전가능한 테이블 상에 배치된 복수의 지지핀으로 웨이퍼의 주연부를 지지하고, 이 웨이퍼를 회전시키면서 세정 및/또는 건조처리하는 웨이퍼의 처리방법으로서, 상기 웨이퍼에 가해지는 합성력이 웨이퍼를 상볼록으로 휘게 하는 방향이 되도록, 상기 복수의 지지핀 중 1개 이상을 구동시킴으로써 상기 웨이퍼를 눌러서 지지하고, 상기 지지한 웨이퍼를, 상기 회전가능한 테이블을 회전시킴으로써 회전시키면서, 상볼록형상으로 변형시켜 세정 및/또는 건조처리하는 웨이퍼의 처리방법이다.
이하, 본 발명에 대하여 상세히 설명하는데, 본 발명은 이것들로 한정되는 것은 아니다.
[웨이퍼의 처리장치]
우선, 본 발명의 웨이퍼의 처리장치에 대하여 설명한다. 도 1은, 본 발명에 있어서의 웨이퍼의 처리장치의 일례를 나타내는 개략도이다.
웨이퍼의 처리장치(1)는, 예를 들어 에어를 급기하는 급기부(2) 및 배기를 행하는 배기부(3)를 구비한 챔버(4), 약액을 공급하는 노즐부(5), 및 비산한 약액을 회수 또는 배액을 행하기 위한 승강가능한 컵부(8) 등을 구비하고 있다. 웨이퍼의 처리장치(1)는, 처리하는 웨이퍼(W)의 주연부를, 회전구동하는 테이블(7) 상에 배치된 복수의 지지핀(6)으로 지지하고, 웨이퍼(W)를 회전시키면서, 세정 및/또는 건조처리를 할 수 있다.
본 발명의 웨이퍼의 처리장치(1)는, 복수의 지지핀(6) 중 1개 이상은 구동가능하고, 지지한 웨이퍼(W)에 가해지는 합성력이 웨이퍼를 상볼록으로 휘게 하는 방향이 되도록 웨이퍼(W)를 눌러서 지지할 수 있는 것이다. 도 2에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 웨이퍼의 처리장치(1)이면, 웨이퍼(W)를 상볼록형상으로 변형시켜 세정이나 건조처리할 수 있고, 웨이퍼 상의 약액을 웨이퍼 외주로 튕길 수 있다.
웨이퍼를 눌러서 지지하는 방법은, 웨이퍼를 상볼록으로 휘게 할 수 있으면 특별히 한정되지 않으나, 예를 들어 이하와 같이 할 수 있다.
도 3은, 웨이퍼를 상볼록으로 휘게 하는 방법의 일례를 설명하기 위한 도면이다. 웨이퍼를 위로 볼록형상으로 변형시키기 위해, 웨이퍼중심 기울기상방향으로 지지하는 힘(웨이퍼(W)를 상볼록으로 휘게 하는 힘)을 웨이퍼 양단으로부터 가한다. 도 3(A)에 나타낸 바와 같은 웨이퍼의 베벨부(면취부)를 지지할 수 있는 지지핀을 이용한 경우, 웨이퍼횡방향으로 지지하는 힘을 가하지 않으면 웨이퍼중심 기울기상방향으로의 힘이 발생하지 않는다. 또한, 도 3(B) 및 (C)에 나타낸 바와 같은 웨이퍼바닥면과 측면을 지지하는 지지핀을 이용한 경우도, 웨이퍼중심 기울기상방향으로의 힘이 발생하지 않는다.
이에, 예를 들어 도 3(D)에 나타낸 바와 같이, 지지핀(6)의 형상을 웨이퍼측면뿐만 아니라 베벨부분도 접촉할 수 있는 것으로 하고, 또한, 웨이퍼중심을 향하여 힘을 가하여 웨이퍼(W)를 지지함으로써 웨이퍼(W)를 상볼록으로 휘게 할 수 있다.
본 발명에 있어서, 지지핀(6)의 선단형상은 웨이퍼(W)를 상볼록으로 휘게 할 수 있으면, 특별히 한정되는 것이 아니나, 도 4에 나타낸 바와 같은, 웨이퍼(W)의 베벨부를 누르는 경사부와, 웨이퍼(W)의 측면을 수평방향으로 누르는 수직부를 갖는 구조를 갖는 것이 바람직하다. 또한, 웨이퍼(W)를 바로 옆에서 누르는 접촉부를 가질 수도 있다. 이러한 지지핀(6)이면, 웨이퍼중심 기울기상방향으로 힘이 가해져도 웨이퍼(W)가 상방향으로 어긋날 우려가 없다. 또한, 지지핀(6)이 경사부를 갖는 경우, 경사부(삿갓의 부분)의 크기는 특별히 한정되지 않으나, 직경 3.0mm 이상이고 20.0mm 이하가 바람직하다. 이 범위이면, 충분히 웨이퍼를 지지할 수 있고, 또한, 웨이퍼의 회전시에 난류가 발생할 우려가 없다.
또한, 구동가능한 지지핀(6)이, 웨이퍼(W)의 반경보다도 내측으로 구동가능한 것으로 할 수 있다. 이러한 것이면, 웨이퍼(W)를 설치할 때, 및 웨이퍼(W)가 상볼록형상이 되어 웨이퍼반경이 축소된 경우에도, 웨이퍼(W)를 충분히 누를 수 있고, 보다 용이하게 웨이퍼(W)를 상볼록으로 휘게 하여 지지할 수 있다.
또한, 구동가능한 지지핀(6)은, 웨이퍼를 설치시에 정확히 웨이퍼와 접촉하는 위치를 제로점으로 하면, 웨이퍼(W) 중심측으로 1~10mm인 가동역으로 할 수도 있다. 또한, 웨이퍼(W) 설치시에 구동가능한 지지핀(6)은 테이블(7) 외방향으로 제로점으로부터 1mm~10mm 정도 움직이도록 하는 것이 바람직하다. 이러한 가동역의 범위이면, 웨이퍼(W)가 지나치게 변형되어 균열될 우려가 없고, 또한, 웨이퍼(W)를 둘 때에 접촉할 우려도 없어, 웨이퍼의 반출입도 용이해진다.
또한, 도 5와 같이, 구동가능한 지지핀(6)의 구동방식은, 회전이동방식과 수평이동방식의 2종류를 적당히 선택할 수 있다.
또한, 도 6에 나타낸 바와 같이, 웨이퍼(W)를 둘 때에 지지핀(6) 중 2개 이상, 5개 이내는 고정된 것이 바람직하다. 지지핀(6)이 이 개수이면, 충분히 웨이퍼(W)를 지지할 수 있고, 또한, 웨이퍼(W) 회전시에 난류발생의 우려가 없다.
또한, 지지핀(6)이 웨이퍼(W)를 누르는 압력은, 5.0N 이상 30.0N 이하인 것이 바람직하다. 이러한 압력범위이면, 보다 안정적으로 웨이퍼(W)를 상볼록으로 하여 지지할 수 있고, 웨이퍼(W)가 균열될 우려도 없다.
지지핀(6)의 웨이퍼(W)와 접촉하는 부분의 재질은, 특별히 한정되지 않으나, 폴리이미드, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 파라자일렌, PTFE(폴리테트라플루오로에틸렌), PFA(테트라플루오로에틸렌·퍼플루오로알킬비닐에테르 공중합체), 다이플론(TTCFE)(테플론(등록상표)), PEEK(폴리에테르에테르케톤 수지), PVC(폴리염화비닐) 등의 수지 등을 예시할 수 있다.
또한, 지지핀(6)의 심재로는, 특별히 한정되지 않으나, SUS(스테인리스강)나 초강 등의 금속부재에 폴리이미드, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 파라자일렌, PTFE, PFA, 다이플론(TTCFE)(테플론(등록상표)), PEEK, PVC 등의 수지 등의 코팅이나 DLC(다이아몬드라이크카본)코팅을 실시한 것을 예시할 수 있다.
또한, 회전가능한 테이블(7)의 상면과 상기 지지된 웨이퍼(W)의 하면과의, 정지한 상태에 있어서의 간격이 20mm 이상인 것이 바람직하다.
웨이퍼(W) 하면과 테이블(7) 상면의 간격이 10mm 이하이면 베르누이효과에 의해 웨이퍼(W)과 테이블(7)간의 압력이 챔버내 압력에 비해 부압이 되어, 웨이퍼(W)가 보다 오목형상이 되기 쉽다. 따라서, 웨이퍼(W)의 하면과 테이블(7) 상면의 간격이 10mm보다 큰 것이 바람직하고, 특히 20mm 이상이고 100mm 이하인 것이 바람직하다. 이러한 범위이면, 보다 용이하게 웨이퍼(W)를 상볼록형상으로 할 수 있고, 또한, 지지핀(6)이 부러질 우려가 없다.
이와 같이, 웨이퍼의 건조시, 원심력에 의해 약액을 튕겨 건조시키는데, 본 발명의 웨이퍼의 처리장치에서는, 웨이퍼형상을 상볼록형상으로 할 수 있으므로, 중심부근의 원심력은 약하여 웨이퍼외주를 향하는 경사를 갖고, 웨이퍼 상의 약액 등은 외주측으로 향한다. 이 때문에 건조시는 중심부터 건조하게 되고, 액 중에 미소파티클 등이 포함되어 있어도 외주로 튕길 수 있고, 또한 건조자국도 발생시키지 않는 것이 된다.
[웨이퍼의 처리방법]
계속해서, 본 발명의 웨이퍼의 처리방법을, 상기 본 발명의 웨이퍼의 처리장치(1)를 이용하는 경우를 예로 설명한다.
본 발명의 웨이퍼의 처리방법에서는, 챔버(4) 내에 있어서, 회전가능한 테이블(7) 상에 배치된 복수의 지지핀(6)으로 웨이퍼(W)의 주연부를 지지한다. 이 때, 웨이퍼(W)에 가해지는 합성력이 웨이퍼를 상볼록으로 휘게 하는 방향이 되도록, 복수의 지지핀(6) 중 1개 이상을 구동시킴으로써 웨이퍼(W)를 눌러서 지지한다. 이 지지한 웨이퍼(W)를, 회전가능한 테이블(7)을 회전시킴으로써 회전시키면서, 상볼록형상으로 변형시켜 세정 및/또는 건조처리한다.
이때, 회전가능한 테이블(7)의 상면과 웨이퍼(W)의 하면과의 정지한 상태에 있어서의 간격이 20mm 이상이 되도록, 웨이퍼(W)를 배치하여 지지하는 것이 바람직하다. 이와 같이 웨이퍼(W)를 배치함으로써, 베르누이효과를 작게 할 수 있고, 웨이퍼(W)를 보다 용이하게 상볼록형상으로 변형시킬 수 있다.
또한, 복수의 지지핀(6) 중 1개 이상을 회전이동방식 또는 수평이동방식에 의해 구동시킴으로써 웨이퍼(W)를 눌러서 지지할 수 있다. 이와 같이, 본 발명의 웨이퍼의 처리방법에 있어서는, 이동방식을 적당히 선택하여 지지핀(6)을 구동시킬 수 있다.
이때, 웨이퍼(W)를, 5.0N 이상 30.0N 이하의 압력을 가함으로써 눌러서 지지하는 것이 바람직하다. 이러한 압력범위이면, 보다 안정적으로 웨이퍼(W)를 상볼록으로 하여 지지할 수 있고, 웨이퍼(W)가 균열될 우려도 없다.
(실시예)
이하, 실시예 및 비교예를 이용하여 본 발명을 구체적으로 설명하나, 본 발명은 이것들로 한정되는 것은 아니다.
(실시예 1~2)
직경 300mm의 웨이퍼 각 4매에 대하여, 도 1에 나타낸 바와 같은 본 발명의 웨이퍼의 처리장치를 이용하여, 표 1 중에 나타낸 조건으로, 웨이퍼를 상볼록형상으로 변형시켜 세정 및 건조처리를 행하였다. 이 때 이용한 지지핀형상은, 도 7에 나타낸 바와 같은 것이다. 한편, 세정방법은 일반적인 불산과 오존수를 교호로 반복하는 세정을 행하고, 사용약액으로는, 순수, 농도가 0.5질량%인 불산, 농도가 20ppm인 오존수를 이용하였다. 이때, 실시예 1~2에 있어서의 웨이퍼의 형상 및 건조방향은, 도 8에 나타낸 것이 되었다.
세정 전과 세정 후의 웨이퍼 상의 결함의 동점(同点) 관찰을 행하고, 증가한 결함수를 평가하였다. KLA-Tencor사제 Surfscan SP5를 이용하여 행하고, 입경 19nm 이상인 웨이퍼 상의 결함수를 측정하였다.
(비교예 1~2)
웨이퍼를 상볼록형상으로 변형시키지 않은 것 이외는, 실시예 1~2와 동일한 수순으로 웨이퍼의 세정 및 건조처리를 행하고, 평가를 행하였다. 이때, 비교예 1~2에 있어서의 웨이퍼의 형상 및 건조방향은, 종래와 마찬가지로, 도 12에 나타낸 것이 되었다.
Figure 112020086770835-pct00001
실시예, 비교예에 있어서의 결과를 도 9에 정리하였다. 도 9에 나타낸 바와 같이, 웨이퍼를 상볼록형상으로 변형시켜 세정 및 건조를 행한 실시예 1 및 실시예 2에서는, 세정 중이나 건조시에 약액이 웨이퍼 외주로 퍼지므로, 파티클잔여에 기인하는 결함수의 증가가 거의 보이지 않고, 또한, 웨이퍼회전중심에서의 건조자국 등은 발생하지 않아 전체적으로 품질이 좋았다. 한편, 종래와 같이 웨이퍼형상이 하볼록형상인 상태로 세정 및 건조를 행한 비교예 1 및 비교예 2에서는, 약액이 웨이퍼의 회전중심으로 모이고, 파티클잔여에 기인하는 결함수의 증가가 현저하며, 건조자국잔여의 중심밀집이 발생하여 품질이 나빴다.
한편, 본 발명은, 상기 실시형태로 한정되는 것은 아니다. 상기 실시형태는 예시이며, 본 발명의 특허청구의 범위에 기재된 기술적 사상과 실질적으로 동일한 구성을 갖고, 동일한 작용효과를 나타내는 것은, 어떠한 것이어도 본 발명의 기술적 범위에 포함된다.
1: 웨이퍼의 처리 장치
2: 급기부
3: 배기부
4: 챔버
5: 노즐부
6: 지지 핀
7: 테이블
8: 컵부
W:웨이퍼

Claims (16)

  1. 챔버 내에 회전가능한 테이블과, 이 테이블 상에 배치된 복수의 지지핀을 구비하고, 이 복수의 지지핀으로 웨이퍼의 주연부를 지지하고, 이 웨이퍼를 회전시키면서 세정 및/또는 건조처리하는 웨이퍼의 처리장치로서,
    상기 복수의 지지핀 중 1개 이상은 구동가능하고, 상기 지지한 웨이퍼에 가해지는 합성력이, 웨이퍼중심 기울기 상방향으로의 힘으로서 웨이퍼를 상볼록으로 휘게 하는 방향이 되도록 상기 웨이퍼를 눌러서 지지하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 처리장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 회전가능한 테이블의 상면과 상기 지지된 웨이퍼의 하면과의, 정지한 상태에 있어서의 간격이 20mm 이상인 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 처리장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 구동가능한 지지핀이, 상기 웨이퍼의 반경보다도 내측으로 구동가능한 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 처리장치.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 구동가능한 지지핀이, 상기 웨이퍼의 반경보다도 내측으로 구동가능한 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 처리장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 구동가능한 지지핀이, 회전이동방식 또는 수평이동방식에 의해 구동하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 처리장치.
  6. 제2항에 있어서,
    상기 구동가능한 지지핀이, 회전이동방식 또는 수평이동방식에 의해 구동하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 처리장치.
  7. 제3항에 있어서,
    상기 구동가능한 지지핀이, 회전이동방식 또는 수평이동방식에 의해 구동하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 처리장치.
  8. 제4항에 있어서,
    상기 구동가능한 지지핀이, 회전이동방식 또는 수평이동방식에 의해 구동하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 처리장치.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 복수의 지지핀의 선단형상이, 상기 웨이퍼의 면취부를 누르는 경사부와 상기 웨이퍼의 측면을 수평방향으로 누르는 수직부를 갖는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 처리장치.
  10. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 복수의 지지핀 중 2개 이상은 고정된 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 처리장치.
  11. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 복수의 지지핀이 5.0N 이상 30.0N 이하의 압력으로 상기 웨이퍼를 눌러서 지지하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 처리장치.
  12. 챔버 내에 있어서, 회전가능한 테이블 상에 배치된 복수의 지지핀으로 웨이퍼의 주연부를 지지하고, 이 웨이퍼를 회전시키면서 세정 및/또는 건조처리하는 웨이퍼의 처리방법으로서,
    상기 웨이퍼에 가해지는 합성력이, 웨이퍼중심 기울기 상방향으로의 힘으로서 웨이퍼를 상볼록으로 휘게 하는 방향이 되도록, 상기 복수의 지지핀 중 1개 이상을 구동시킴으로써 상기 웨이퍼를 눌러서 지지하고,
    상기 지지한 웨이퍼를, 상기 회전가능한 테이블을 회전시킴으로써 회전시키면서, 상볼록형상으로 변형시켜 세정 및/또는 건조처리하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 처리방법.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 회전가능한 테이블의 상면과 상기 웨이퍼의 하면과의 정지한 상태에 있어서의 간격이 20mm 이상이 되도록, 상기 웨이퍼를 배치하여 지지하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 처리방법.
  14. 제12항에 있어서,
    상기 웨이퍼를, 상기 복수의 지지핀 중 1개 이상을 회전이동방식 또는 수평이동방식에 의해 구동시킴으로써 눌러서 지지하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 처리방법.
  15. 제13항에 있어서,
    상기 웨이퍼를, 상기 복수의 지지핀 중 1개 이상을 회전이동방식 또는 수평이동방식에 의해 구동시킴으로써 눌러서 지지하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 처리방법.
  16. 제12항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 웨이퍼를, 5.0N 이상 30.0N 이하의 압력을 가함으로써 눌러서 지지하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 처리방법.
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