KR102565134B1 - 비트리파이드 본드 초지립 휠 - Google Patents

비트리파이드 본드 초지립 휠 Download PDF

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Abstract

코어와, 코어에 마련된 초지립층을 구비하고, 초지립층은 복수의 초지립과, 복수의 초지립을 결합시키는 비트리파이드 본드를 포함하고, 비트리파이드 본드는 복수의 초지립 사이에 위치하여 복수의 초지립을 결합시키는 복수의 본드 브릿지를 가지고, 복수의 초지립의 80％ 이상은, 본드 브릿지에 의해, 인접하는 초지립과 결합되어 있고, 초지립층의 단면의 복수의 본드 브릿지에 있어서, 두께가 초지립의 평균 입경 이하이며 두께보다 길이가 큰 것이 90％ 이상 존재한다.

Description

비트리파이드 본드 초지립 휠
본 발명은 비트리파이드 본드 초지립 휠에 관한 것이다. 본 출원은 2017년 10월 11일에 출원한 일본 특허 출원인 특허 출원 제2017-197407호에 기초한 우선권을 주장한다. 상기 일본 특허 출원에 기재된 모든 기재 내용은 참조에 의해 본 명세서에 원용된다.
종래, 비트리파이드 본드 초지립 휠은 예컨대 일본 특허 공개 제2002-224963호 공보(특허문헌 1)에 개시되어 있다.
특허문헌 1: 일본 특허 공개 제2002-224963호 공보
본 발명에 따른 비트리파이드 본드 초지립 휠은, 코어와, 코어에 마련된 초지립층을 구비하고, 초지립층은 복수의 초지립과, 복수의 초지립을 결합시키는 비트리파이드 본드를 포함하고, 비트리파이드 본드는 복수의 초지립 사이에 위치하여 복수의 초지립을 결합시키는 복수의 본드 브릿지를 가지고, 복수의 초지립의 80％ 이상은, 본드 브릿지에 의해, 인접하는 초지립과 결합되어 있고, 초지립층의 단면의 복수의 본드 브릿지에 있어서, 두께가 초지립의 평균 입경 이하이며 두께보다 길이가 큰 것이 90％ 이상 존재한다.
도 1은 실시형태 1에 따른 비트리파이드 본드 초지립 휠의 초지립층의 모식도이다.
도 2는 실시형태 2에 따른 비트리파이드 본드 초지립 휠의 초지립층의 모식도이다.
도 3은 실시형태 2에 따른 비트리파이드 본드 초지립 휠의 초지립층의 모식도이다.
[본 개시가 해결하고자 하는 과제]
종래의 기술에서는, 수명이 짧다고 하는 문제가 있었다. 그래서 본 발명은 상기 문제를 해결하기 위해 이루어진 것이며, 수명이 긴 비트리파이드 본드 초지립 휠을 제공하는 것을 목적으로 하는 것이다.
[본 발명의 실시형태의 설명]
본 발명의 실시형태에 대해서 설명한다. 이 발명의 실시형태에 따른 비트리파이드 본드 초지립 휠은, 코어와, 코어에 마련된 초지립층을 구비하고, 초지립층은 복수의 초지립과, 복수의 초지립을 결합시키는 비트리파이드 본드를 포함하고, 비트리파이드 본드는 복수의 초지립 사이에 위치하여 복수의 초지립을 결합시키는 복수의 본드 브릿지를 가지고, 복수의 초지립의 80％ 이상은, 본드 브릿지에 의해, 인접하는 초지립과 결합되어 있고, 초지립층의 단면의 복수의 본드 브릿지에 있어서, 두께가 초지립의 평균 입경 이하이며 두께보다 길이가 큰 것이 90％ 이상 존재한다.
초지립층은 초지립을 20 체적％ 이상 60 체적％ 이하 포함하고 있어도 좋다. 초지립의 비율을 이 범위로 함으로써, 절삭성을 한층 더 향상시킬 수 있다.
초지립층에 있어서, 비트리파이드 본드, 초지립 및 기공의 합계의 체적 비율이 99％ 이상이어도 좋다. 이 범위이면 불순물이 적어, 초지립층의 수명을 한층 더 향상시킬 수 있다. 바람직하게는 상기 체적 비율은 99.5％ 이상, 보다 바람직하게는 99.9％ 이상이다. 가장 바람직하게는 초지립층은 비트리파이드 본드, 초지립, 기공 및 불가피 불순물만을 포함한다.
비트리파이드 본드는, SiO2를 30 질량％ 이상 60 질량％ 이하, Al2O3을 2 질량％ 이상 20 질량％ 이하, B2O3을 10 질량％ 이상 40 질량％ 이하, RO(RO는 CaO, MgO 및 BaO에서 선택되는 1종류 이상의 산화물)를 1 질량％ 이상 10 질량％ 이하, R2O(R2O는 Li2O, Na2O 및 K2O에서 선택되는 1종류 이상의 산화물)를 2 질량％ 이상 5 질량％ 이하 포함하고 있어도 좋다.
비트리파이드 본드 초지립 휠은, SiC, GaN, 사파이어의 경질/취약 재료 외에 실리콘, LT(리튬탄탈레이트) 등 취약 재료 웨이퍼를 절단 및 가공하기 위한 것이다.
종래, 반도체 웨이퍼 등의 연삭 가공에 있어서 비트리파이드 본드 휠이 이용된다.
비트리파이드 본드 초지립 휠에서는, 2산화규소 등을 주성분으로 하는 유리질의 본드재로 지립을 결합시키기 때문에 지립 유지력이 강하여, 장시간의 연삭이 가능한 반면, 지립 유지력이 높아 셀프 샤프닝 작용이 불충분하기 때문에, 연삭 가공을 계속함에 따라 연삭 저항값이 높아져, 연삭 저항값이 안정되지 않는 경우가 있었다.
특허문헌 1의 비트리파이드 본드 초지립 휠은, 기공 직경을 제어하여, 특정한 조성의 비트리파이드 본드로 함으로써, PCD(다결정 다이아몬드) 등의 난삭재의 연삭 가공에 있어서, 지립을 강고하게 유지하며, 탈락한 지립을 기공 부분에 유지할 수 있도록 하여, 가공면에 금이 가는 것을 방지한 것이다. PCD 등의 난삭재의 가공에 있어서는, 양호한 절삭성을 유지하기 위해, 연삭 가공과 동시에 지립층의 드레싱도 행하면서 가공을 행한다.
그런데, 반도체 웨이퍼 등의 가공에 있어서는, 휠을 부착한 기계 상에서 드레싱을 행한 후에, 드레싱을 행하지 않고 양호한 절삭성이 장시간 계속되는 것과 휠의 수명이 긴 것이 요구된다.
본 발명자는 비트리파이드 본드 초지립 휠에 있어서 장시간의 연삭을 가능하게 하기 위해 예의 검토를 행하였다. 그 결과, 비트리파이드 본드의 분산 상태가, 비트리파이드 본드 초지립 휠의 성능에 영향을 주고 있는 것을 알았다.
종래의 비트리파이드 본드 초지립 휠에서, 초지립은 비트리파이드 본드로 강고하게 유지되어 있지만, 초지립과 비트리파이드 본드의 분산 상태는 불균형이 크다. 이러한 휠로, 반도체 웨이퍼 등의 연삭 가공을 행하면, 셀프 샤프닝 작용이 양호하게 계속되지 않아 절삭성이 악화되거나, 초지립과 비트리파이드 본드의 덩어리가 탈락하여 휠 수명이 짧아질 우려가 있다.
이러한 점을 해소함으로써, 양호한 절삭성이 장시간 계속될 수 있어, 장수명을 실현할 수 있는 비트리파이드 본드 초지립 휠을 제공할 수 있는 것을 발견하였다. 구체적으로는, 초지립 및 비트리파이드 본드의 분포를 될 수 있는 한 균일하게 하며, 초지립을 결합시키는 비트리파이드 본드의 두께를 얇게 하여 과도하게 결합력을 높게 하지 않고, 셀프 샤프닝 작용이 적절하게 행해지도록 하여, 절삭성이 양호하며 수명도 연장되는 초지립층을 제공할 수 있다.
도 1은 실시형태 1에 따른 초지립층의 단면도이다. 도 1에서는, 2개의 초지립(11, 12) 사이에 단독으로 본드 브릿지(21)가 존재한다. 인접하는 2개의 초지립(11, 12) 사이에서 거리가 가장 근접한 부위를 연결하고, 이 거리[화살표(101)의 길이]를 「두께」라고 한다. 두께의 중간점에서 두께에 대한 수선이 본드 브릿지(21) 내에서 연장되는 길이[화살표(102)의 길이]를 「길이」라고 한다. 비트리파이드 본드(20)는 본드 브릿지(21)를 갖는다. 초지립층(1)에는, 도 1에서 나타낸 본드 브릿지(21)만이 아니라, 복수의 본드 브릿지(21)가 존재한다.
도 2는 실시형태 2에 따른 초지립층의 단면도이다. 도 2에서, 복수의 본드 브릿지(21)가 일체로 되어 있는 경우에는, 각 초지립마다 본드 브릿지(21)의 두께와 길이를 정의한다. 초지립(11)과 초지립(12) 사이에서, 점선(31)은 초지립(11, 12)의 한쪽측에 있어서의 최외주를 연결하는 외접 직선이고, 점선(32)은 초지립(11, 12)의 다른 한쪽측에 있어서의 최외주를 연결하는 외접 직선이다. 초지립(11, 12)들 사이에서 거리가 가장 근접하는 부위를 연결하여 이 거리[화살표(101)의 길이]를 본드 브릿지(21)의 「두께」로 하고, 두께의 중간점에서 두께에 대한 수선이 점선(31, 32)들 사이에서 연장되는 길이[화살표(102)의 길이]를 「길이」로 한다. 점선(31, 32)으로 둘러싸인 영역을 본드 브릿지(21)로 간주한다.
도 3은 실시형태 2에 따른 초지립층의 단면도이다. 초지립(13)과 초지립(12) 사이에서, 점선(31)은 초지립(11, 12)의 한쪽측에 있어서의 최외주를 연결하는 외접 직선이고, 점선(32)은 초지립(13, 12)의 다른 한쪽측에 있어서의 최외주를 연결하는 외접 직선이다. 초지립(13, 12)들 사이에서 거리가 가장 근접하는 부위를 연결하여 이 거리[화살표(101)의 길이]를 본드 브릿지(21)의 「두께」로 하고, 두께의 중간점에서 두께에 대한 수선이 점선(31, 32)들 사이에서 연장되는 길이[화살표(102)의 길이]를 「길이」로 한다. 점선(31, 32)으로 둘러싸인 영역을 본드 브릿지(21)로 간주한다.
초지립(11, 12, 13)의 평균 입경은, 바람직하게는 0.1∼100 ㎛로 한다. 초지립(11, 12, 13)은 다이아몬드 또는 CBN이다.
[비트리파이드 본드의 성분]
비트리파이드 본드(20)의 성분은 특별히 한정되는 것이 아니다. 예컨대, 비트리파이드 본드(20)는, SiO2를 30 질량％ 이상 60 질량％ 이하, Al2O3을 2 질량％ 이상 20 질량％ 이하, B2O3을 10 질량％ 이상 40 질량％ 이하, RO(RO는 CaO, MgO, 및 BaO에서 선택되는 1종류 이상의 산화물)를 1 질량％ 이상 10 질량％ 이하, R2O(R2O는 Li2O, Na2O 및 K2O에서 선택되는 1종류 이상의 산화물)를 2 질량％ 이상 5 질량％ 이하 포함한다.
[본드 브릿지의 측정 방법]
본드 브릿지(21)를 측정하는 경우에는, 초지립층(1)의 단면에 있어서, 초지립(11, 12, 13)이 100개 정도 포함되는 크기의 정방형의 범위를 선택한다.
본드 브릿지(21) 치수의 규정은, 상기 실시형태 1 및 2에서 나타내는 바와 같다. 초지립층(1)을 다이아몬드 커터로 절단하고, 절단한 면이 노출되도록 초지립층(1)의 주위를 에폭시 수지로 둘러싸도록 매립하여, 절단면을 이온 밀링법으로 연마한다. 연마면을 SEM(scanning electron microscope)으로 관찰 및 촬상한다. 촬영된 사진에 있어서 초지립(11, 12, 13)은 회색으로 보이고, 비트리파이드 본드(20)는 흰색에 가까운 회색으로, 기공은 검정색에 가까운 회색으로 보인다. 촬영된 사진 위에 투명한 시트를 배치하고, 관찰자가, 투명 시트에 초지립(11, 12, 13) 및 비트리파이드 본드(20)를 트레이스한다. 점선(31, 32)도 관찰자가 기재한다. 또한, 관찰자에 의해, 본드 브릿지(21)의 두께 및 길이를 구한다.
[체적 비율의 측정 방법]
상기 SEM으로 관찰 및 촬상한 사진 위에, 새로운 투명 시트를 배치하여 초지립에 해당하는 부분만을 관찰자가 트레이스하여 검게 칠한다. 화상 해석 소프트웨어를 이용하여 검은 부분과 그 이외의 부분으로 2치화하여 화상 해석 소프트웨어가 검은 부분의 면적 비율을 구한다. 이것을 초지립의 면적 비율로 한다.
상기 SEM으로 관찰 및 촬상한 사진 위에, 새로운 투명 시트를 배치하여 비트리파이드 본드에 해당하는 부분만을 관찰자가 트레이스하여 검게 칠한다. 화상 해석 소프트웨어를 이용하여 검은 부분과 그 이외의 부분으로 2치화하여 화상 해석 소프트웨어가 검은 부분의 면적 비율을 구한다. 이것을 비트리파이드 본드의 면적 비율로 한다.
상기 SEM으로 관찰 및 촬상한 사진 위에, 새로운 투명 시트를 배치하여 기공에 해당하는 부분만을 관찰자가 트레이스하여 검게 칠한다. 화상 해석 소프트웨어를 이용하여 검은 부분과 그 이외의 부분으로 2치화하여 화상 해석 소프트웨어가 검은 부분의 면적 비율을 구한다. 이것을 기공의 면적 비율로 한다.
구한 면적 비율을, 초지립, 비트리파이드 본드 및 기공의 체적 비율로 간주한다.
[초지립의 평균 입경의 측정 방법]
비트리파이드 본드 초지립 휠 중에 포함되는 초지립의 평균 입경을 측정하기위해서는, 초지립층의 결합재 전체를 산 등으로 녹여 초지립을 취출한다. 초지립 휠이 큰 경우, 초지립층을 정해진 체적(예컨대, 0.5 ㎤)만큼 절취하고, 비트리파이드 본드재를 산 등으로 용해하여 초지립을 취출하고, 레이저 회절식 입도 분포 측정 장치(예컨대, 가부시키가이샤 시마즈 세이사쿠쇼 제조, SALD 시리즈)로 측정하여, 평균 입경을 측정한다.
[비트리파이드 본드 초지립 휠의 제조 방법]
비트리파이드 본드 초지립 휠을 제작하기 위해서는, 이하의 순서로 행한다.
(1) 초지립과 비트리파이드 본드를 혼합하여, 소결한다. 소결의 온도는 700∼900℃로 한다.
(2) 초지립과 비트리파이드 본드의 소결체를 볼밀에 넣어 분쇄한다.
(3) 분쇄한 소결체와 비트리파이드 본드의 입자를 혼합하여, 재차 성형·소결한다.
(1)에서 초지립과 비트리파이드 본드의 혼합 비율을 조정하거나, (2)에서 분쇄하는 시간 등을 조절함으로써도, 분쇄하였을 때의 초지립에 부착된 비트리파이드 본드의 양을 제어할 수 있다.
초지립들끼리의 결합력이 극도로 높지 않기 때문에, 장시간 안정된 절삭성이 계속될 수 있고, 더구나 초지립과 비트리파이드 본드가 굳어져 탈락하는 것도 대폭으로 감소하기 때문에, 수명도 향상된다. 이에 의해, 표면 거칠기는 종래 휠과 동등하면서 저부하, 저마모의 연삭이 가능하게 되었다.
초지립층에 필러가 포함되어 있지 않기 때문에, 과도하게 결합력이 높아지는 것을 방지하고, 적절하게 초지립이 탈락하여, 셀프 샤프닝 작용이 행해지기 때문에, 절삭성이 양호한 상태가 장시간 계속된다. 필러가 있으면, 필러와 비트리파이드 본드의 결합력이 높아져, 필러 주변의 초지립이 단독으로 탈락하기 어려워지고, 더구나 필러가 없는 부분의 초지립의 결합력과 비교하면, 필러 주변의 결합력이 높아지기 때문에, 필러, 초지립 및 비트리파이드 본드의 덩어리가 탈락하는 현상이 생겨서, 초지립층의 마모가 커지는 경우가 있어, 휠의 수명이 짧아진다.
초지립층의 단면을 평면적으로 보았을 때에, 초지립의 80％ 이상이라고 하는 대부분의 초지립이 비트리파이드 본드로 결합되어 있기 때문에, 초지립이 개개로 탈락하는 일도 적고, 비트리파이드 본드의 본드 브릿지의 두께가 두껍지 않기 때문에, 적절한 결합력이 되어, 결합력이 지나치게 높은 일도 없고, 초지립과 비트리파이드 본드의 덩어리가 탈락하는 것도 억제할 수 있다. 3차원에서 보았을 때에 모든 초지립이 본드 브릿지에 의해 결합되어 있어도, 2차원에서 보았을 때에는 결합되지 않은 것처럼 보이는 초지립이 존재한다. 단면에 있어서 80％ 이상의 초지립에 본드 브릿지가 형성되어 결합되어 있으면, 개개로 탈락하여 버리는 초지립은 매우 적어져, 초지립층의 마모는 적어진다. 초지립층 전체의 결합력은, 높은 곳과 낮은 곳의 차가 작고, 전체적으로 밸런스가 좋기 때문에, 균일하게 마모된다. 보다 바람직하게는, 초지립층의 단면에 있어서 복수의 초지립의 90％ 이상, 더욱 바람직하게는 95％ 이상은, 본드 브릿지에 의해, 인접하는 초지립과 결합되어 있다.
초지립층의 단면의 복수의 본드 브릿지에 있어서, 두께가 초지립의 평균 입경 이하이며 두께보다 길이가 큰 것이 90％ 이상 존재함으로써, 초지립층을 셀프 샤프닝하기 쉬워진다. 그 결과, 절삭성이 향상하여 공구를 회전시키기 위한 부하 전류값을 낮게 할 수 있다.
특허문헌 1은, 초지립과 유리의 분산 상태가 불균일하며, 유리의 덩어리와 같은 부분도 있기 때문에, 결합도가 높아져, 이 덩어리가 탈락할 우려가 있다.
실시형태의 발명은, 초지립층 전체에 걸쳐, 될 수 있는 한 균일하게 비트리파이드 본드를 얇게 분산시켜, 초지립의 결합력을 극도로 높게 하지 않고, 결합력의 불균형을 작게 하여, 균일하게 마모시킨다.
[본 발명의 실시형태의 상세]
(실시예 1)
SiO2를 43.5 질량％, Al2O3을 15.5 질량％, B2O3을 32.0 질량％, RO(RO는 CaO, MgO 및 BaO에서 선택되는 1종류 이상의 산화물)를 4.0 질량％, R2O(R2O는 Li2O, Na2O 및 K2O에서 선택되는 1종류 이상의 산화물)를 5 질량％ 포함하는 비트리파이드 본드를 준비하였다. 비트리파이드 본드의 평균 입경은 5 ㎛였다.
초지립으로서, 다이아몬드를 준비하였다. 다이아몬드의 평균 입경은 7 ㎛였다.
비트리파이드 본드와 다이아몬드를 믹서로 혼합하여, 800℃의 온도로 소결하였다. 소결체를 볼밀로 2시간 분쇄하였다. 2시간 경과 후, 분쇄물의 평균 입경이 20 ㎛를 넘고 있었기 때문에, 분쇄물의 평균 입경이 20 ㎛ 정도가 될 때까지 분쇄를 계속하였다.
분쇄물과 비트리파이드 본드를 혼합하여 재차 성형 및 소결하여 초지립층을 작성하였다. 초지립층을 녹여 다이아몬드의 평균 입경을 측정하였다. 초지립층을 절단하여 분석하였다. 이들의 결과를 표 1에 나타낸다.
(실시예 2)
실시예 2에서는, 실시예 1과 동일한 원료를 이용하여, 제조 방법에 있어서 소결체를 볼밀로 분쇄하는 시간을 변경함으로써 초지립층을 제조하였다. 초지립층을 녹여 다이아몬드의 평균 입경을 측정하였다. 초지립층을 절단하여 분석하였다. 결과를 표 2에 나타낸다.
(실시예 3)
실시예 3에서는, 실시예 1과 같은 원료를 이용하여, 제조 방법에 있어서 비트리파이드 본드의 비율을 변경함으로써 초지립층을 제조하였다. 초지립층을 녹여 다이아몬드의 평균 입경을 측정하였다. 초지립층을 절단하여 분석하였다. 결과를 표 3에 나타낸다.
(비교예 1)
비교예 1에서는, 실시예 1과 같은 원료를 이용하여, 제조 방법에 있어서 초지립과 비트리파이드 본드의 소결체를 분쇄하는 일 없이, 1회의 소결로 초지립층을 제작하는 방법으로 변경함으로써 초지립층을 제조하였다. 초지립층을 녹여 다이아몬드의 평균 입경을 측정하였다. 초지립층을 절단하여 분석하였다. 결과를 표 4에 나타낸다.
실시예 1 내지 3 및 비교예 1의 초지립층을 포함하는 칩을, 접착제를 이용하여 알루미늄 합금제의 코어에 접착하고, 그 후, 재래 지석을 이용하여 트루잉·드레싱을 행하여, 비트리파이드 본드 초지립 휠을 완성시켰다.
휠의 사이즈는 외직경 200 ㎜, 초지립층의 반경 방향의 폭은 4 ㎜, 초지립층의 두께는 5 ㎜의 세그멘트형 컵 휠(JIS B 4131 6A7S형)이다.
이들 비트리파이드 본드 초지립 휠을 종형 로터리 테이블 방식의 평면 연삭반에 부착하고, 직경 6인치(15.24 ㎝)의 SiC 웨이퍼의 연삭 가공을 행하여, 수명 및 절삭성의 효과를 확인하였다.
그 결과를 표 5에 나타낸다.
수명의 평가에 있어서, 웨이퍼를 100장 가공하여 수명이 된 것을 1.0로 하고 있다. 예컨대, 웨이퍼를 300장 가공할 수 있으면, 수명은 3이다.
평가 A는 수명이 3 이상, 평가 B는 수명이 1.5 이상 3 미만, 평가 C는 수명이 0.5 이상 1.5 미만인 것을 나타낸다.
절삭성의 평가에서는, 비교예 1의 연삭 가공 중의 주축 모터의 평균 부하 전류값을 1로 하고, 그에 대한 실시예에 있어서의 절삭 중의 주축 모터가 상대적인 부하 전류값[상대 전류값이라고 하며, (실시예의 연삭 가공 중의 주축 모터의 부하 전류값)/(비교예 1의 연삭 가공 중의 주축 모터의 평균 부하 전류값)으로 정의됨]과 웨이퍼의 가공 매수를 고려하여 평가를 작성하였다.
평가 a는 시종, 상대 전류값이 0.5 미만이며 웨이퍼를 300장 이상 가공할 수 있는 것을 나타낸다. 평가 b는 처음에는 상대 전류값이 0.5 미만이지만, 웨이퍼 300장 가공 후에는 상승하여 0.5 이상 0.7 미만이 되는 것을 나타낸다. 평가 c는 처음부터 상대 전류값이 0.7 이상인 것을 나타낸다.
실시예 1 내지 3에서는, 비교예 1과 비교하여 수명 및 절삭성이 향상되어 있는 것을 알았다.
그 이유로서, 실시예 1에서는, 초지립의 90％ 이상을 본드 브릿지로 결합함으로써 마모를 저감할 수 있다고 생각된다. 본드 브릿지의 두께가 초지립의 평균 입경 이하이며 두께보다 길이가 큰 것이 90％ 이상 존재하기 때문에, 셀프 샤프닝하기 쉬워 부하 전류값을 낮게 할 수 있다.
실시예 2에서는, 실시예 1보다 더욱 많은(95％ 이상) 초지립을 본드 브릿지로 결합하여, 본드 브릿지 두께도 바람직한 상태가 되고, 더욱 저부하, 장수명화의 경향이 나타나 있다.
실시예 3에서는, 실시예 1 및 2보다는, 인접하는 초지립이 브릿지로 결합된 비율이 80％ 정도로 조금 낮게 되어 있기 때문에 수명이 짧아지고, 절삭성은, 가공이 진행됨에 따라 전류값이 커진다.
비교예 1에서는, 유리가 편석하여, 결합력이 강고한 것과 약한 것이 혼재하고 있기 때문에, 지립층의 덩어리가 탈락하는 경향이 있다.
이번에 개시된 실시형태 및 실시예는 모든 점에서 예시로서, 제한적인 것이 아니라고 생각되어야 한다. 본 발명의 범위는 상기 실시형태가 아니라 청구범위에 의해 나타나며, 청구범위와 균등한 의미 및 범위 내에서의 모든 변경이 포함되는 것이 의도된다.
1 초지립층, 11, 12, 13 초지립, 20 비트리파이드 본드, 21 본드 브릿지.

Claims (4)

  1. 코어와,
    상기 코어에 마련된 초지립층
    을 구비하고,
    상기 초지립층은 복수의 초지립과, 복수의 상기 초지립을 결합시키는 비트리파이드 본드를 포함하고, 상기 비트리파이드 본드는 복수의 상기 초지립 사이에 위치하여 복수의 상기 초지립을 결합시키는 복수의 본드 브릿지를 가지고,
    상기 초지립층의 단면에 있어서 복수의 상기 초지립의 80％ 이상은, 상기 본드 브릿지에 의해, 인접하는 상기 초지립과 결합되어 있고,
    상기 초지립층의 단면의 복수의 상기 본드 브릿지에 있어서, 두께가 상기 초지립의 평균 입경 이하이고 두께보다 길이가 큰 것이 90％ 이상 존재하며,
    상기 본드 브릿지는 2개의 초지립 사이에 존재하고, 인접하는 2개의 초지립 사이에서 거리가 가장 근접한 부위를 연결하여 상기 거리를 상기 본드 브릿지의 두께로 정의하고, 상기 두께의 중간점에서 상기 두께에 대한 수선이 상기 본드 브릿지 내에서 연장되는 거리를 상기 본드 브릿지의 길이로 정의하며,
    상기 초지립층은 상기 초지립을 20 체적％ 이상 60 체적％ 이하 포함하며,
    상기 초지립층에 있어서, 상기 비트리파이드 본드, 상기 초지립 및 기공의 합계의 체적 비율이 99％ 이상인 것인, 비트리파이드 본드 초지립 휠.
  2. 제1항에 있어서, 상기 비트리파이드 본드는, SiO2를 30 질량％ 이상 60 질량％ 이하, Al2O3을 2 질량％ 이상 20 질량％ 이하, B2O3을 10 질량％ 이상 40 질량％ 이하, RO(RO는 CaO, MgO 및 BaO에서 선택되는 1종류 이상의 산화물)를 1 질량％ 이상 10 질량％ 이하, R2O(R2O는 Li2O, Na2O 및 K2O에서 선택되는 1종류 이상의 산화물)를 2 질량％ 이상 5 질량％ 이하 포함하는 것인, 비트리파이드 본드 초지립 휠.
  3. 삭제
  4. 삭제
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