JP6619687B2 - 水素ガス製造方法及び水素ガス製造装置 - Google Patents
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Description
図1の当該水素製造装置は、触媒存在下の加熱により有機ハイドライドAの脱水素反応を行う反応器1と、反応器1から排出される芳香族化合物及び水素の混合ガスから冷却により芳香族化合物を気液分離する分離器2と、分離器2で分離した混合ガスを精製する主吸着塔3と、主吸着塔3より排出されるオフガスから水素ガス以外の不純物ガスを除去するオフガス用吸着塔4と、オフガス用吸着塔4で不純物ガスを除去した不純物除去オフガスを主吸着塔3から排出される高純度水素ガスと混合する水素ガス混合ライン5と、主吸着塔3より排出されるオフガスを貯蔵するオフガスバッファタンク6とを主に備える。
反応器1は、触媒存在下の加熱により有機ハイドライドAの脱水素反応を行う脱水素反応器である。具体的には、反応器1は、有機ハイドライドAの脱水素反応を促進する脱水素反応触媒を有し、有機ハイドライドAを加熱すると共に脱水素反応触媒と接触させることによって、有機ハイドライドAから水素を分離する酸化反応を生じさせる。これにより、芳香族化合物及び水素の混合ガスが発生する。なお、有機ハイドライドAとしてMCHを用いた場合には、混合ガス中に未反応のMCHや副生物であるメタン、ベンゼン等も含まれる可能性がある。
分離器2は、反応器1から排出される芳香族化合物及び水素の混合ガスを冷却により芳香族化合物及び水素の混合ガスに気液分離し、水素リッチガスBを得る。分離器2は、内部に流通するガスを冷却する冷却機構を有する。分離器2の内部でガスが冷却されることで、沸点が比較的高いMCH、芳香族化合物等が混合ガスから分離し易くなり、分離後のガス中のトルエンを含む芳香族化合物濃度が低減される。液体として分離された芳香族化合物Cは、分離器2からドレンDとして排出される。
主吸着塔3は、分離器2で分離された混合ガス(水素リッチガス)を精製し、高純度の水素ガスを製品ガスEとして得る。具体的には、主吸着塔3にはTSA法又はPSA法で再生可能な吸着剤が充填されており、有機ハイドライドからの脱水素反応において生成する副反応物の炭化水素ガスなど、水素リッチガス中に含まれる不純物を吸着除去する。また、装置を小型化する観点から主吸着塔3はPSA型とすることが好ましい。
(1)4つの主吸着塔3の内の1つ(主吸着塔3a)に水素リッチガスBを供給することにより、不純物を吸着除去して高純度水素ガスを製造する吸着ステップ
(2)吸着ステップを終了した主吸着塔3a内に残存するガスの一部を後述する第2均圧ステップの終了した主吸着塔3cに移送し、主吸着塔3aと主吸着塔3cとの内圧を均圧にする第1均圧ステップ
(3)第1均圧ステップでの均圧状態を保持する保持ステップ
(4)保持ステップが終了した主吸着塔3a内に残存するガスの一部を、主吸着塔3dに移送し、主吸着塔3aと主吸着塔3dとの内圧を均圧にする第2均圧ステップ
(5)第2均圧ステップを終了した主吸着塔3a内に残存するガスをオフガスバッファタンク6に移送し、内圧を大気圧まで減圧する第1減圧ステップ
(6)第1減圧ステップで大気圧まで減圧した主吸着塔3aをさらに真空ポンプP1を用いて大気圧未満まで減圧する第2減圧ステップ
(7)第2減圧ステップで主吸着塔3aを大気圧未満に減圧した状態で、製品ガスバッファタンク7又は他の主吸着塔3から高純度ガスEを供給して、主吸着塔3aの吸着剤に吸着された不純物を脱着させる吸着剤再生ステップ
(8)吸着剤再生ステップで吸着剤の再生が終了した主吸着塔3aに保持ステップの終了した主吸着塔3b内に残存するガスの一部を移送し、主吸着塔3aと主吸着塔3bとの内圧を均圧にする第2均圧ステップ
(9)吸着ステップの終了した主吸着塔3c内に残存するガスの一部を移送し、主吸着塔3aと主吸着塔3cとの内圧を均圧にする第1均圧ステップ
(10)主吸着塔3a内に高純度水素ガスEを導入し、主吸着塔3a内の圧力を吸着ステップを行う圧力まで昇圧する昇圧ステップ
(1)3つの主吸着塔3の内の1つ(主吸着塔3a)に水素リッチガスBを供給することにより、不純物を吸着除去して高純度水素ガスを製造する吸着ステップ
(2)吸着ステップを終了した主吸着塔3a内に残存するガスの一部を後述する再生ステップの終了した主吸着塔3cに移送し、主吸着塔3aと主吸着塔3cとの内圧を均圧にする均圧ステップ
(3)均圧ステップを終了した主吸着塔3a内に残存するガスをオフガスバッファタンク6に移送し、内圧を大気圧まで減圧する第1減圧ステップ
(4)第1減圧ステップで大気圧まで減圧した主吸着塔3aをさらに真空ポンプP1を用いて大気圧未満まで減圧する第2減圧ステップ
(5)第2減圧ステップで主吸着塔3aを大気圧未満に減圧した状態で、製品ガスバッファタンク7又は他の主吸着塔3から高純度ガスEを供給して、主吸着塔3aの吸着剤に吸着された不純物を脱着させる吸着剤再生ステップ
(6)吸着剤再生ステップで吸着剤の再生が終了した主吸着塔3aに吸着ステップの終了した主吸着塔3b内に残存するガスの一部を移送し、主吸着塔3aと主吸着塔3bとの内圧を均圧にする均圧ステップ
(7)主吸着塔3a内に高純度水素ガスEを導入し、主吸着塔3a内の圧力を吸着ステップを行う圧力まで昇圧する昇圧ステップ
オフガス用吸着塔4は、主吸着塔3から排出されたオフガスC1を精製し、高純度の水素ガスを得る。具体的には、オフガス用吸着塔4にはTSA法又はPSA法で再生可能な吸着剤が充填されており、オフガス中に含まれる水素ガス以外の不純物を吸着除去する。また、装置を小型化する観点からオフガス用吸着塔4はPSA型とすることが好ましい。なお、オフガス用吸着塔4の数は任意である。
オフガスバッファタンク6は、減圧工程及び洗浄工程で主吸着塔3より排出されるオフガスC1を一時貯蔵し、オフガス供給ライン201からオフガス用吸着塔4へ供給する。
次に、図1の水素製造装置を用いて、当該水素ガス製造方法について説明する。
脱水素反応工程では、反応器1を用いて、触媒存在下の加熱により有機ハイドライドAの脱水素反応を行う。
気液分離工程では、分離器2を用いて、上記反応器1から排出される芳香族化合物及び水素の混合ガスを芳香族化合物及び水素を含む混合ガスに気液分離し、水素リッチガスBを得る。この気液分離は、分離器2内部に流通するガスを冷媒により冷却しながら行う。このように気液分離工程で分離器2の内部に流通するガスを冷却することで、芳香族化合物と水素とが分離し易くなり、分離後のガス中の芳香族化合物濃度が低減される。
水素リッチガス精製工程では、主吸着塔3を用いて、水素リッチガスBを精製し、高純度の水素ガスを得る。水素リッチガス精製工程では、主吸着塔3に流通するガスを冷媒により冷却しながら水素ガスの精製を行うとよい。このように吸着時に主吸着塔3内部に流通するガスを冷却することで、吸着剤による不純物の有効吸着量が増加し、吸着剤の必要量が低減され装置を小型化することができる。
主吸着塔再生工程では、主吸着塔3を上述した均圧ライン104、洗浄ライン105及びオフガス排出ライン103と、パージガスとしての高純度の水素ガスとを用いて再生し、オフガスC1を排出する。パージガスとして使用する水素ガスは、当該水素ガス製造方法で得たものでもよいし、予め用意した水素ガスであってもよい。
不純物ガス除去工程では、オフガス用吸着塔4を用いて、オフガスC1を精製し、水素純度の高い不純物除去オフガスを得る。
混合工程では、上記不純物ガス除去工程で不純物ガスを除去した不純物除去オフガスを、上記水素リッチガス精製工程で主吸着塔3から排出される高純度水素ガスと混合し、製品ガスEとする。不純物除去オフガスと高純度水素ガスとの混合は、ライン中で行ってもよいし、図1に示すように製品ガスバッファタンク7内で行ってもよい。
オフガス用吸着塔再生工程では、主吸着塔3と同様の手順で、オフガス用吸着塔4を再生し、二次オフガスC2を排出する。二次オフガスC2は、真空ポンプP2の吸引により二次オフガスバッファタンク8に貯留され、適宜処理される。
当該水素ガス製造方法及び水素ガス製造装置によれば、オフガス用吸着塔を用いオフガスを精製することで、オフガスの一部を高純度水素ガスとして回収することができる。その結果、当該水素ガス製造方法及び水素ガス製造装置は、水素ガスを高い回収率で得ることができる。また、当該水素ガス製造方法及び水素ガス製造装置では、従来の吸着塔を用いた水素リッチガスの精製装置にオフガス専用の吸着塔を追加すればよいので、設計変更が容易である。
本発明の水素ガス製造方法及び水素製造装置は、上記実施形態に限定されるものではない。
2 分離器
3、3a、3b、3c、3d 主吸着塔
4、4a、4b、4c、4d オフガス用吸着塔
5 水素ガス混合ライン
6 オフガスバッファタンク
7 製品ガスバッファタンク
8 二次オフガスバッファタンク
9 コンプレッサ
10 不純物除去オフガスバッファタンク
101 水素リッチガス供給ライン
102 製品ガス排出ライン
103 オフガス排出ライン
104 均圧ライン
105 洗浄ライン
201 オフガス供給ライン
202 二次オフガス排出ライン
A 有機ハイドライド
B 水素リッチガス
C1 オフガス
C2 二次オフガス
D ドレン
E 製品ガス
V1a、V1b、V1c、V1d 水素リッチガス供給弁
V2a、V2b、V2c、V2d 製品ガス排出弁
V3a、V3b、V3c、V3d オフガス排出弁
V4a、V4b、V4c、V4d 均圧弁
V5a、V5b、V5c、V5d 洗浄弁
P1、P2 真空ポンプ
Claims (7)
- 水素ガス及び水素以外の不純物ガスを含む水素リッチガスから、複数の吸着塔による精製で高純度水素ガスを製造する水素ガス製造方法であって、
上記吸着塔より排出されるオフガスから、水素ガス以外の不純物ガスを、複数のオフガス用吸着塔を用い除去する工程と、
上記不純物ガス除去工程で不純物ガスを除去した不純物除去オフガスを上記吸着塔から排出される高純度水素ガスと混合する工程と、
上記複数の吸着塔及びオフガス用吸着塔を再生する工程と
を備え、
上記再生工程が、
一の吸着塔及びオフガス用吸着塔で上記水素リッチガス又は不純物ガスから不純物を吸着除去する工程と、
上記一の吸着塔及びオフガス用吸着塔の内圧と、他の吸着塔又はオフガス用吸着塔の内圧とを均一にする工程と、
上記一の吸着塔及びオフガス用吸着塔の内圧を減圧する工程と、
上記一の吸着塔及びオフガス用吸着塔に、上記不純物除去オフガスを高純度水素ガスに混合した製品ガスを供給する工程と
を有することを特徴とする水素ガス製造方法。 - 上記減圧工程の後に、上記一の吸着塔及びオフガス用吸着塔の内圧をさらに減圧する工程を有する請求項1に記載の水素ガス製造方法。
- 上記オフガスをオフガスバッファタンクに貯蔵し、上記オフガス用吸着塔に供給する工程と、
上記オフガス用吸着塔から排出される二次オフガスを二次オフガスバッファタンクに貯蔵し、処理する工程をさらに備える請求項1又は請求項2に記載の水素ガス製造方法。 - 触媒存在下の加熱により有機ハイドライドの脱水素反応を行う工程をさらに備え、
上記水素リッチガスが上記脱水素反応工程で排出されるガスである請求項1、請求項2又は請求項3に記載の水素ガス製造方法。 - 上記不純物ガス除去工程が、上記オフガスをバッファタンクに貯蔵する工程と、バッファタンクに貯蔵されたオフガスをオフガス用吸着塔に供給する工程とを有する請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の水素ガス製造方法。
- 上記吸着塔及びオフガス用吸着塔がPSA型である請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の水素ガス製造方法。
- 水素ガス及び水素以外の不純物ガスを含む水素リッチガスから複数の吸着塔による精製で高純度水素ガスを製造する水素ガス製造装置であって、
上記吸着塔より排出されるオフガスから水素ガス以外の不純物ガスを除去する複数のオフガス用吸着塔と、
上記オフガス用吸着塔で不純物ガスを除去した不純物除去オフガスを上記吸着塔から排出される高純度水素ガスと混合するラインと、
上記複数の吸着塔の上記高純度ガスを排出する側、及び上記複数のオフガス用吸着塔の上記不純物除去オフガスを排出する側のそれぞれに、上記複数の吸着塔及び上記複数のオフガス用吸着塔を均圧にするラインと
を備えることを特徴とする水素ガス製造装置。
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