KR102508597B1 - 패브리 페로 간섭 필터 - Google Patents

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Abstract

패브리 페로 간섭 필터(1)는 제1 표면(11a)을 가지는 기판(11)과, 제1 표면(11a)에 배치된 제1 미러부(31)를 가지는 제1 적층체(22)와, 제1 미러부(31)에 대해서 기판(11)과는 반대측에 있어서 공극 S를 통해서 제1 미러부(31)와 대향하는 제2 미러부(32)를 가지는 제2 적층체(24)와, 제1 적층체(22)와 제2 적층체(24)의 사이에 있어서 공극 S를 획정하는 중간층(23)을 구비한다. 중간층(23)의 외측면(23b)은 중간층(23)의 기판(11)측의 가장자리부가, 중간층(23)의 기판(11)과는 반대측의 가장자리부보다도, 제1 표면(11a)에 평행한 방향에 있어서 외측에 위치하도록, 만곡되어 있다. 제2 적층체(24)는 중간층(23)의 외측면(23b)을 피복하고 있다.

Description

패브리 페로 간섭 필터
본 발명의 일 형태는 패브리 페로 간섭 필터에 관한 것이다.
특허 문헌 1에 기재된 패브리·페로 간섭계는, 기판과, 기판상에 배치된 하측 고정 미러를 가지는 제1 미러 구조와, 공간을 통해서 하측 고정 미러와 대향하는 상측 가동(可動) 미러를 가지는 제2 미러 구조와, 제1 미러 구조와 제2 미러 구조의 사이에 있어서 공간을 획정(劃定)하는 희생층을 구비하고 있다. 이 패브리·페로 간섭계에서는, 희생층의 외측면이 노출되어 있다. 또, 희생층의 외측면이, 평면 모양을 나타내고, 희생층에 있어서의 제1 미러 구조와는 반대측의 표면과 직교하고 있음과 아울러, 제2 미러 구조의 외측면과 같은 면으로 되어 있다.
특허 문헌 1: 일본 특표 2012－528345호 공보
상술한 것 같은 패브리·페로 간섭계에서는, 희생층의 외측면이 노출되어 있기 때문에, 희생층의 외측면으로부터 광이 입사된다. 이러한 광은 하측 고정 미러와 상측 가동 미러 사이의 거리에 따른 파장과는 상이한 파장을 가지고 있더라도, 하측 고정 미러를 투과하여 패브리·페로 간섭계로부터의 출력광에 포함될 우려가 있다. 이 경우, 출력광에 있어서 노이즈가 증대되어, 패브리·페로 간섭계의 특성이 열화된다.
또, 상술한 것 같은 패브리·페로 간섭계에서는, 제2 미러 구조가 희생층에 지지된 상태에서, 정전기력에 의해서 상측 가동 미러가 하측 고정 미러측으로 이동한다. 이 때문에, 상측 가동 미러가 하측 고정 미러측으로 이동할 때, 제2 미러 구조에 있어서 희생층에 지지된 영역에 대해서, 상측 가동 미러측을 향하도록 힘이 작용한다. 그리고 그 힘의 반작용에 의해서, 희생층에 있어서 상측 가동 미러를 지지하는 영역에 응력이 작용한다. 특히, 이 패브리·페로 간섭계에서는, 희생층의 외측면이, 평면 모양을 나타내고, 희생층에 있어서의 제1 미러 구조와는 반대측의 표면과 직교하고 있음과 아울러, 제2 미러 구조의 외측면과 같은 면으로 되어 있다. 이 때문에, 희생층의 외측면에 있어서의 제2 미러 구조측의 모서리부(角部)에 응력이 집중되기 쉽다. 그 결과, 당해 모서리부에 있어서 크랙 등의 손상이 발생할 우려가 있다.
이에, 본 발명의 일 형태는 높은 신뢰성을 얻을 수 있는 패브리 페로 간섭 필터를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 일 형태의 패브리 페로 간섭 필터는, 제1 표면을 가지는 기판과, 제1 표면에 배치된 제1 미러부를 가지는 제1층과, 제1 미러부에 대해서 기판과는 반대측에 있어서 공극을 통해서 제1 미러부와 대향하는 제2 미러부를 가지는 제2층과, 제1층과 제2층의 사이에 있어서 공극을 획정하는 중간층을 구비하고, 중간층의 외측면은 중간층의 기판측의 가장자리부가, 중간층의 기판과는 반대측의 가장자리부보다도, 제1 표면에 평행한 방향에 있어서 외측에 위치하도록, 만곡(灣曲)되어 있고, 제2층은 중간층의 외측면을 피복하고 있다.
이 패브리 페로 간섭 필터에서는, 제2층이 중간층의 외측면을 피복하고 있다. 이 때문에, 중간층의 외측면으로부터 광이 입사되는 것에 기인하여 패브리 페로 간섭 필터로부터의 출력광에 있어서 노이즈가 증대하는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 패브리 페로 간섭 필터의 특성이 열화되는 것을 억제할 수 있다. 그런데, 이 패브리 페로 간섭 필터에서는, 제2층이 중간층의 외측면을 피복하고 있는 것으로부터, 제2 미러부가 제1 미러부측으로 이동할 때, 제2층에 있어서 중간층의 외측면을 피복하는 영역에 대해서도, 제2 미러부측을 향하도록 힘이 작용한다. 따라서, 중간층의 외측면에 있어서의 제2층측의 모서리부에 응력이 집중되기 쉽다. 여기서, 이 패브리 페로 간섭 필터에서는, 중간층의 외측면은, 중간층의 기판측의 가장자리부가, 중간층의 기판과는 반대측의 가장자리부보다도, 제1 표면에 평행한 방향에 있어서 외측에 위치하도록, 만곡되어 있다. 이 때문에, 중간층의 외측면에 있어서의 제2층측의 모서리부에 있어서 응력을 분산시킬 수 있다. 따라서, 당해 모서리부에 있어서 크랙 등의 손상이 발생하는 것을 억제할 수 있다. 이상에 의해, 이 패브리 페로 간섭 필터에 의하면, 높은 신뢰성을 얻을 수 있다.
본 발명의 일 형태의 패브리 페로 간섭 필터에서는, 중간층의 외측면은, 중간층의 기판측의 가장자리부가, 중간층의 기판과는 반대측의 가장자리부보다도, 제1 표면에 평행한 방향에 있어서 외측에 위치하도록, 공극측으로 오목한 모양으로 만곡되어 있어도 된다. 이 경우, 제1 표면에 대한 중간층의 외측면의 각도가, 중간층의 외측면 중 기판에 가까운 부분에 있어서, 제1 표면에 수직인 방향에 있어서 기판에 가까워질수록, 작아진다. 이것에 의해, 중간층의 외측면 중 기판에 가까운 부분으로부터 제2층이 벗겨지는 것을 억제할 수 있다.
본 발명의 일 형태의 패브리 페로 간섭 필터에서는, 중간층의 외측면은, 제1 표면에 수직인 방향에 있어서 기판에 가까워질수록, 제1 표면에 평행한 방향에 있어서 공극으로부터 멀어지도록, 만곡되어 있어도 된다. 이 경우, 중간층의 외측면은, 그 전체에 있어서, 제1 표면에 수직인 방향에 있어서 기판에 가까워질수록, 제1 표면에 평행한 방향에 있어서 공극으로부터 멀어진다. 이것에 의해, 중간층의 외측면에 있어서의 제2층측의 모서리부에 있어서 응력을 보다 한층 분산시킬 수 있다.
본 발명의 일 형태의 패브리 페로 간섭 필터에서는, 제1층의 외측면은 중간층의 외측면보다도, 제1 표면에 평행한 방향에 있어서 외측에 위치하고 있고, 제2층은 제1층의 외측면을 피복하고 있어도 된다. 이 경우, 제2층이 중간층의 외측면을 넘어 제1층의 외측면까지 피복하고, 제1층의 외측면에 대해서 고정된다. 따라서, 중간층의 외측면 중 기판에 가까운 부분으로부터 제2층이 벗겨지는 것을 억제할 수 있다.
본 발명의 일 형태의 패브리 페로 간섭 필터에서는, 기판은 제1 표면에 수직인 방향에서 보았을 경우에 제1층의 외연(外緣)보다도 외측에 위치하는 외연부를 가지고, 제2층은 외연부를 피복하고 있어도 된다. 이 경우, 제2층이 제1층의 외연을 넘어 기판의 외연부까지 피복함으로써, 제1층을 기판측에 대해서 고정시킨다. 따라서, 제1층이 기판측으로부터 벗겨지는 것을 억제할 수 있다.
본 발명의 일 형태의 패브리 페로 간섭 필터에서는, 제1층의 외측면은 제1 표면에 수직인 방향에 있어서 기판에 가까워질수록, 제1 표면에 평행한 방향에 있어서 공극으로부터 멀어지도록, 만곡되어 있어도 된다. 이 경우, 제2층이 제1층의 외측면에 대해서 보다 강고하게 고정된다. 따라서, 중간층의 외측면 중 기판에 가까운 부분으로부터 제2층이 벗겨지는 것을 보다 확실히 억제할 수 있다.
본 발명의 일 형태의 패브리 페로 간섭 필터는, 기판에 있어서 제1 표면과 대향하는 제2 표면에 배치된 제3층을 추가로 구비하고 있어도 된다. 이 경우, 기판의 제1 표면측과 제2 표면측 사이의 층 구성의 불일치에 기인한 응력을 저감시킬 수 있으므로, 중간층에 있어서의 응력의 집중을 보다 한층 억제할 수 있다.
본 발명의 일 형태에 의하면, 높은 신뢰성을 얻을 수 있는 패브리 페로 간섭 필터를 제공하는 것이 가능해진다.
도 1은 본 발명의 일 실시 형태의 패브리 페로 간섭 필터의 평면도이다.
도 2는 도 1의 패브리 페로 간섭 필터의 저면도이다.
도 3은 도 1의 III-III선을 따른 패브리 페로 간섭 필터의 단면도이다.
도 4는 도 1의 패브리 페로 간섭 필터의 제1 단자 부분의 확대 단면도이다.
도 5는 도 1의 패브리 페로 간섭 필터의 제2 단자 부분의 확대 단면도이다.
도 6은 도 1의 패브리 페로 간섭 필터의 외연 부분의 확대 단면도이다.
도 7은 도 1의 패브리 페로 간섭 필터의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 8은 도 1의 패브리 페로 간섭 필터의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 9는 도 1의 패브리 페로 간섭 필터의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 10은 도 1의 패브리 페로 간섭 필터의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 11은 도 1의 패브리 페로 간섭 필터의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 12는 도 1의 패브리 페로 간섭 필터의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 13은 변형예의 패브리 페로 간섭 필터의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 14는 변형예의 패브리 페로 간섭 필터의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 15는 변형예의 패브리 페로 간섭 필터의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 16은 변형예의 패브리 페로 간섭 필터의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 17은 변형예의 패브리 페로 간섭 필터의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 18은 변형예의 패브리 페로 간섭 필터의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 19는 변형예의 패브리 페로 간섭 필터의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 20은 변형예의 패브리 페로 간섭 필터의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 21은 변형예의 패브리 페로 간섭 필터의 외연 부분의 확대 단면도이다.
도 22는 변형예의 패브리 페로 간섭 필터의 외연 부분의 확대 단면도이다.
도 23은 변형예의 패브리 페로 간섭 필터의 외연 부분의 확대 단면도이다.
도 24는 변형예의 패브리 페로 간섭 필터의 외연 부분의 확대 단면도이다.
이하, 본 발명의 일 실시 형태에 대해서, 도면을 참조하면서 상세하게 설명한다. 덧붙여 이하의 설명에 있어서, 동일 또는 상당 요소에는 동일 부호를 이용하고, 중복되는 설명을 생략한다.
도 1, 도 2 및 도 3에 도시되는 것처럼, 패브리 페로 간섭 필터(1)는 기판(11)을 구비하고 있다. 기판(11)은 제1 표면(11a)과, 제1 표면(11a)과 대향하는 제2 표면(11b)을 가지고 있다. 제1 표면(11a)에는 반사 방지층(21), 제1 적층체(제1층)(22), 중간층(23) 및 제2 적층체(제2층)(24)가, 이 순서로 적층되어 있다. 제1 적층체(22)와 제2 적층체(24)의 사이에는, 프레임 모양의 중간층(23)에 의해서 공극(에어 갭)(S)이 획정되어 있다. 또, 패브리 페로 간섭 필터(1)의 제1 표면(11a)측에는, 제1 단자(15) 및 제2 단자(16)가 마련되어 있다. 덧붙여 이하의 설명에 있어서는, 프레임 모양의 중간층(23)에 대해서 공극 S와는 반대측으로부터, 공극 S측을 향하는 방향을, 「내측」이라고 한다. 또, 공극 S측으로부터, 프레임 모양의 중간층(23)에 대해서 공극 S와는 반대측을 향하는 방향을, 「외측」이라고 한다.
제1 표면(11a)에 수직인 방향에서 보았을 경우(평면시(平面視))에 있어서의 각부의 형상 및 위치 관계는, 다음과 같다. 기판(11)의 외연은, 예를 들면 사각형 모양이다. 기판(11)의 외연과 제2 적층체(24)의 외연은, 서로 일치하고 있다. 반사 방지층(21)의 외연과 제1 적층체(22)의 외연은, 서로 일치하고 있다. 반사 방지층(21)의 외연 및 제1 적층체(22)의 외연은, 중간층(23)의 외연보다도, 공극 S의 중앙부에 대해서 외측에 위치하고 있다. 기판(11)은, 제1 적층체(22)의 외연보다도 외측에 위치하는 외연부(11c)를 가지고 있다. 외연부(11c)는, 예를 들면, 프레임 모양이며, 제1 표면(11a)에 수직인 방향에서 보았을 경우에 제1 적층체(22)를 포위하고 있다.
패브리 페로 간섭 필터(1)는 그 중앙부에 획정된 광 투과 영역(1a)에 있어서, 소정의 파장을 가지는 광을 투과시킨다. 광 투과 영역(1a)은, 예를 들면 원주 모양의 영역이다. 기판(11)은, 예를 들면, 실리콘, 석영 또는 유리 등으로 이루어진다. 기판(11)이 실리콘으로 이루어지는 경우에는, 반사 방지층(21) 및 중간층(23)은, 예를 들면, 산화 실리콘으로 이루어진다. 중간층(23)의 두께는, 예를 들면, 수십nm~수십μm이다.
제1 적층체(22) 중 광 투과 영역(1a)에 대응하는 부분은, 제1 미러부(31)로서 기능한다. 제1 미러부(31)는, 반사 방지층(21)을 통해서 제1 표면(11a)에 배치되어 있다. 제1 적층체(22)는 복수의 폴리 실리콘층(25)과 복수의 질화 실리콘층(26)이 한층씩 교호(交互)로 적층됨으로써 구성되어 있다. 본 실시 형태에서는, 폴리 실리콘층(25a), 질화 실리콘층(26a), 폴리 실리콘층(25b), 질화 실리콘층(26b) 및 폴리 실리콘층(25c)이, 이 순으로 반사 방지층(21)상에 적층되어 있다. 제1 미러부(31)를 구성하는 폴리 실리콘층(25) 및 질화 실리콘층(26)의 각각의 광학 두께는, 중심 투과 파장의 1/4의 정수배인 것이 바람직하다. 덧붙여 제1 미러부(31)는 반사 방지층(21)을 통하는 일 없이 제1 표면(11a)상에 직접 배치되어도 된다.
제2 적층체(24) 중 광 투과 영역(1a)에 대응하는 부분은, 제2 미러부(32)로서 기능한다. 제2 미러부(32)는 제1 미러부(31)에 대해서 기판(11)과는 반대측에 있어서 공극 S를 통해서 제1 미러부(31)와 대향하고 있다. 제2 미러부(32)는 반사 방지층(21), 제1 적층체(22) 및 중간층(23)을 통해서 제1 표면(11a)에 배치되어 있다. 제2 적층체(24)는 복수의 폴리 실리콘층(27)과 복수의 질화 실리콘층(28)이 한층씩 교호로 적층됨으로써 구성되어 있다. 본 실시 형태에서는, 폴리 실리콘층(27a), 질화 실리콘층(28a), 폴리 실리콘층(27b), 질화 실리콘층(28b) 및 폴리 실리콘층(27c)이, 이 순으로 중간층(23)상에 적층되어 있다. 제2 미러부(32)를 구성하는 폴리 실리콘층(27) 및 질화 실리콘층(28)의 각각의 광학 두께는, 중심 투과 파장의 1/4의 정수배인 것이 바람직하다.
덧붙여 제1 적층체(22) 및 제2 적층체(24)에서는, 질화 실리콘층 대신에 산화 실리콘층이 이용되어도 된다. 또, 제1 적층체(22) 및 제2 적층체(24)를 구성하는 각층의 재료로서는, 산화 티탄, 산화 탄탈, 산화 지르코늄, 플루오르화 마그네슘, 산화 알루미늄, 플루오르화 칼슘, 실리콘, 게르마늄, 황화 아연 등이 이용되어도 된다.
제2 적층체(24)에 있어서 공극 S에 대응하는 부분에는, 제2 적층체(24)의 중간층(23)과는 반대측의 표면(24a)으로부터 공극 S에 이르는 복수의 관통공(24b)이 형성되어 있다. 복수의 관통공(24b)은 제2 미러부(32)의 기능에 실질적으로 영향을 주지 않는 정도로 형성되어 있다. 복수의 관통공(24b)은 에칭에 의해서 중간층(23)의 일부를 제거하여 공극 S를 형성하기 위해서 이용된다.
제1 적층체(22)에는 제1 전극(12)이 마련되어 있다. 보다 구체적으로는, 제1 미러부(31)에, 광 투과 영역(1a)을 둘러싸도록 제1 전극(12)이 형성되어 있다. 제1 전극(12)은 폴리 실리콘층(25c)에 불순물을 도프하여 저(低)저항화함으로써 형성되어 있다. 제1 미러부(31)에는 광 투과 영역(1a)을 포함하도록 제2 전극(13)이 형성되어 있다. 제2 전극(13)은 폴리 실리콘층(25c)에 불순물을 도프하여 저저항화함으로써 형성되어 있다. 제2 전극(13)의 크기는 광 투과 영역(1a)의 전체를 포함하는 크기인 것이 바람직하지만, 광 투과 영역(1a)의 크기와 대략 동일해도 된다.
제2 적층체(24)에는 제3 전극(14)이 마련되어 있다. 보다 구체적으로는, 제2 미러부(32)에, 제3 전극(14)이 형성되어 있다. 제3 전극(14)은 공극 S를 통해서 제1 전극(12) 및 제2 전극(13)과 대향하고 있다. 제3 전극(14)은 폴리 실리콘층(27a)에 불순물을 도프하여 저저항화함으로써 형성되어 있다.
도 1 및 도 4에 도시되는 것처럼, 제1 단자(15)는 광 투과 영역(1a)을 사이에 두고 대향하도록 한 쌍 마련되어 있다. 각 제1 단자(15)는 제2 적층체(24)의 표면(24a)으로부터 제1 적층체(22)에 도달하는 관통공 내에 배치되어 있다. 각 제1 단자(15)는 배선(12a)을 통해서 제1 전극(12)과 전기적으로 접속되어 있다. 제1 단자(15)는, 예를 들면, 알루미늄 또는 그 합금 등의 금속막에 의해서 형성되어 있다.
도 1 및 도 5에 도시되는 것처럼, 제2 단자(16)는 광 투과 영역(1a)을 사이에 두고 대향하도록 한 쌍 마련되어 있다. 각 제2 단자(16)는 제2 적층체(24)의 표면(24a)으로부터 제1 적층체(22)에 도달하는 관통공 내에 배치되어 있다. 각 제2 단자(16)는 배선(13a)을 통해서 제2 전극(13)과 전기적으로 접속되어 있음과 아울러, 배선(14a)을 통해서 제3 전극(14)과 전기적으로 접속되어 있다. 제2 단자(16)는 예를 들면, 알루미늄 또는 그 합금 등의 금속막에 의해서 형성되어 있다. 한 쌍의 제1 단자(15)가 대향하는 방향과, 한 쌍의 제2 단자(16)가 대향하는 방향은, 직교하고 있다.
도 3, 도 4 및 도 5에 도시되는 것처럼, 제1 적층체(22)의 표면(22b)에는, 트렌치(18)가 마련되어 있다. 트렌치(18)는 제1 전극(12)의 내연에 따라서 고리 모양으로 연장되어 있다. 트렌치(18)는 제1 전극(12)과 제1 전극(12)의 내측 영역(제2 전극(13))을 전기적으로 절연시키고 있다. 트렌치(18) 내의 영역은 절연 재료여도, 공극이어도 된다.
제2 적층체(24)에는 트렌치(19)가 마련되어 있다. 트렌치(19)는 제1 단자(15)를 둘러싸도록 고리 모양으로 연장되어 있다. 트렌치(19)는 제1 단자(15)와 제3 전극(14)을 전기적으로 절연시키고 있다. 트렌치(19) 내의 영역은, 본 실시 형태에서는 공극이지만, 절연 재료여도 된다.
또, 제1 적층체(22)의 표면(22b)에는, 트렌치(20)가 마련되어 있다. 트렌치(20)는 제2 단자(16)를 둘러싸도록 고리 모양으로 연장되어 있다. 트렌치(20)는 제2 단자(16)와 제1 전극(12)을 전기적으로 절연시키고 있다. 트렌치(20)는 제1 적층체(22)를 구성하는 폴리 실리콘층(25c)의 일부가 제거됨으로써 기판(11)측을 향해 형성된 홈부(25d)에, 중간층(23)이 들어감으로써, 구성되어 있다. 덧붙여 중간층(23)이 홈부(25d)에 들어감으로써, 중간층(23)의 표면(23a)은, 홈부(25d)에 대응하는 영역에 있어서 기판(11)측을 향해 홈부(23c)를 형성하고 있다. 또, 제2 적층체(24)가 홈부(23c)에 들어감으로써, 제2 적층체(24)의 표면(24a)은 홈부(23c)에 대응하는 영역에 있어서 기판(11)측을 향해 홈부(24c)를 형성하고 있다. 이와 같이 제2 적층체(24)가 홈부(23c)에 들어감으로써, 제2 적층체(24)가 중간층(23)의 표면(23a)에 대해서 고정된다. 이것에 의해, 중간층(23)으로부터의 제2 적층체(24)의 벗겨짐이 억제된다. 덧붙여 트렌치(20)는 제1 적층체(22)를 구성하는 폴리 실리콘층(25c)의 일부에 더하여, 질화 실리콘층(26b)의 일부가 제거됨으로써 기판(11)측을 향해 형성된 홈부에, 중간층(23)이 들어감으로써, 구성되어 있어도 된다.
도 4~도 6에 도시되는 것처럼, 중간층(23)은 제1 단자(15)를 둘러싸도록 형성된 제1 내측면(23d)과, 제2 단자(16)를 둘러싸도록 형성된 제2 내측면(23e)과, 당해 중간층(23)의 외연을 구성하는 외측면(23b)을 가지고 있다.
도 4에 도시되는 것처럼, 제1 내측면(23d)은 중간층(23)의 기판(11)측의 가장자리부(23g)가, 중간층(23)의 기판(11)과는 반대측의 가장자리부(23f)보다도, 제1 표면(11a)에 평행한 방향에 있어서 제1 단자(15)측에 위치하도록, 만곡되어 있다(즉, 연속한 곡면을 형성하고 있다). 즉, 제1 표면(11a)에 수직인 방향에서 보았을 경우에, 가장자리부(23f)가 가장자리부(23g)를 포위하고 있다. 보다 구체적으로는, 제1 내측면(23d)은 제1 표면(11a)에 수직인 단면에 있어서, 제1 단자(15)와는 반대측으로 오목한 모양으로 만곡되어 있다. 제1 내측면(23d)에 있어서의 제1 적층체(22)측의 단부는, 제1 적층체(22)의 표면(22b)에 스무스하게 접속되어 있다. 덧붙여 도 4에 도시되는 제1 내측면(23d)은, 제1 표면(11a)에 수직인 방향에 있어서 기판(11)에 가까워질수록, 제1 표면(11a)에 평행한 방향에 있어서 제1 단자(15)에 가까워지도록, 제1 단자(15)와는 반대측으로 오목한 모양으로 만곡되어 있다. 환언하면, 도 4에 도시되는 제1 내측면(23d)에서는, 제1 표면(11a)에 대한 제1 내측면(23d)의 각도가, 제1 표면(11a)에 수직인 방향에 있어서 기판(11)에 가까워질수록, 작게 되어 있다.
도 5에 도시되는 것처럼, 제2 내측면(23e)은 중간층(23)의 기판(11)측의 가장자리부(23i)가 중간층(23)의 기판(11)과는 반대측의 가장자리부(23h)보다도, 제1 표면(11a)에 평행한 방향에 있어서 제2 단자(16)측에 위치하도록, 만곡되어 있다(즉, 연속한 곡면을 형성하고 있다). 즉, 제1 표면(11a)에 수직인 방향에서 보았을 경우에, 가장자리부(23h)가 가장자리부(23i)를 포위하고 있다. 보다 구체적으로는, 제2 내측면(23e)은 제1 표면(11a)에 수직인 단면에 있어서, 제2 단자(16)와는 반대측으로 오목한 모양으로 만곡되어 있다. 제2 내측면(23e)에 있어서의 제1 적층체(22)측의 단부는, 제1 적층체(22)의 표면(22b)에 스무스하게 접속되어 있다. 덧붙여 도 5에 도시되는 제2 내측면(23e)은, 제1 표면(11a)에 수직인 방향에 있어서 기판(11)에 가까워질수록, 제1 표면(11a)에 평행한 방향에 있어서 제2 단자(16)에 가까워지도록, 제2 단자(16)와는 반대측으로 오목한 모양으로 만곡되어 있다. 환언하면, 도 5에 도시되는 제2 내측면(23e)에서는, 제1 표면(11a)에 대한 제2 내측면(23e)의 각도가, 제1 표면(11a)에 수직인 방향에 있어서 기판(11)에 가까워질수록, 작게 되어 있다.
도 6에 도시되는 것처럼, 외측면(23b)은 중간층(23)의 기판(11)측의 가장자리부(23k)가, 중간층(23)의 기판(11)과는 반대측의 가장자리부(23j)보다도, 제1 표면(11a)에 평행한 방향에 있어서 외측에 위치하도록, 만곡되어 있다(즉, 연속한 곡면을 형성하고 있다). 즉, 제1 표면(11a)에 수직인 방향에서 보았을 경우에, 가장자리부(23k)가 가장자리부(23j)를 포위하고 있다. 보다 구체적으로는, 외측면(23b)은 제1 표면(11a)에 수직인 단면에 있어서, 공극 S측으로 오목한 모양으로 만곡되어 있다. 외측면(23b)에 있어서의 제1 적층체(22)측의 단부는, 제1 적층체(22)의 표면(22b) 또는 외측면(22a)에 스무스하게 접속되어 있다. 덧붙여 도 6에 도시되는 외측면(23b)은, 제1 표면(11a)에 수직인 방향에 있어서 기판(11)에 가까워질수록, 제1 표면(11a)에 평행한 방향에 있어서 공극 S로부터 멀어지도록, 공극 S측으로 오목한 모양으로 만곡되어 있다. 환언하면, 도 6에 도시되는 외측면(23b)에서는, 제1 표면(11a)에 대한 외측면(23b)의 각도가, 제1 표면(11a)에 수직인 방향에 있어서 기판(11)에 가까워질수록, 작게 되어 있다.
제1 적층체(22)는 당해 제1 적층체(22)의 외연을 구성하는 외측면(22a)을 가지고 있다. 제1 적층체(22)의 외측면(22a)은 중간층(23)의 외측면(23b)보다도, 공극 S의 중앙부에 대해서, 제1 표면(11a)에 평행한 방향에 있어서 외측에 위치하고 있다. 제1 적층체(22)의 외측면(22a)은 제1 표면(11a)에 수직인 방향에 있어서 기판(11)에 가까워질수록, 제1 표면(11a)에 평행한 방향에 있어서 공극 S로부터 멀어지도록, 만곡되어 있다(즉, 연속한 곡면을 형성하고 있다). 보다 구체적으로는, 제1 적층체(22)의 외측면(22a)은, 제1 표면(11a)에 평행한 방향에 있어서, 공극 S와는 반대측으로 볼록한 모양으로 만곡되어 있다. 환언하면, 제1 적층체(22)의 외측면(22a)에서는, 제1 표면(11a)에 대한 제1 적층체(22)의 외측면(22a)의 각도가, 제1 표면(11a)에 수직인 방향에 있어서 기판(11)에 가까워질수록, 크게 되어 있다.
도 4에 도시되는 것처럼, 제2 적층체(24)는 제1 피복부(33a) 및 제1 내저(內底)부(35a)를 추가로 가지고 있다. 제1 피복부(33a) 및 제1 내저부(35a)는, 제2 미러부(32)(도 3 참조)와 같은 적층 구조를 가지고 또한 서로 연속하도록, 일체적으로 형성되어 있다. 제1 피복부(33a)는 중간층(23)의 기판(11)과는 반대측의 표면(23a), 및 제1 내측면(23d)을 피복하고 있고, 제1 적층체(22)에 도달해 있다. 제1 내저부(35a)는 제1 표면(11a)에 수직인 방향에서 보았을 경우에 제1 내측면(23d)에 의해서 둘러싸인 영역에 있어서, 제1 적층체(22)상에 형성되어 있다.
도 5에 도시되는 것처럼, 제2 적층체(24)는 제2 피복부(33b) 및 제2 내저부(35b)를 추가로 가지고 있다. 제2 피복부(33b) 및 제2 내저부(35b)는, 제2 미러부(32)(도 3 참조)의 적층 구조의 일부와 같은 층 구조를 가지고 또한 서로 연속하도록, 일체적으로 형성되어 있다. 제2 피복부(33b)는 중간층(23)의 기판(11)과는 반대측의 표면(23a), 및 제2 내측면(23e)을 피복하고 있고, 제1 적층체(22)에 도달해 있다. 제2 내저부(35b)는 제1 표면(11a)에 수직인 방향에서 보았을 경우에 제2 내측면(23e)에 의해서 둘러싸인 영역에 있어서, 제1 적층체(22)상에 형성되어 있다.
도 6에 도시되는 것처럼, 제2 적층체(24)는 제3 피복부(33c) 및 주연부(34)를 추가로 가지고 있다. 제3 피복부(33c) 및 주연부(34)는, 제2 미러부(32)(도 3 참조)와 서로 같은 적층 구조를 가지고 또한 서로 연속하도록, 일체적으로 형성되어 있다. 제3 피복부(33c)는 제1 표면(11a)에 수직인 방향에서 보았을 경우에 제2 미러부(32)를 포위하고 있다. 제3 피복부(33c)는 중간층(23)의 기판(11)과는 반대측의 표면(23a), 및 중간층(23)의 외측면(23b), 제1 적층체(22)의 외측면(22a) 및 반사 방지층(21)의 측면(21a)을 피복하고 있고, 제1 표면(11a)에 도달해 있다. 즉, 제3 피복부(33c)는 중간층(23)의 외연, 제1 적층체(22)의 외연 및 반사 방지층(21)의 외연을 피복하고 있다.
주연부(34)는 제1 표면(11a)에 수직인 방향에서 보았을 경우에 제3 피복부(33c)를 포위하고 있다. 주연부(34)는 외연부(11c)에 있어서의 제1 표면(11a)상에 위치하고 있다. 즉, 주연부(34)는 외연부(11c)를 피복하고 있다. 주연부(34)의 외연은 제1 표면(11a)에 수직인 방향에서 보았을 경우에 기판(11)의 외연과 일치하고 있다.
주연부(34)는 외연부(11c)의 외연을 따라서 박화되어 있다. 즉, 주연부(34) 중 외연부(11c)의 외연을 따르는 부분은, 주연부(34) 중 외연을 따르는 부분을 제외한 다른 부분과 비교해서 얇아져 있다. 본 실시 형태에서는, 주연부(34)는 제2 적층체(24)를 구성하는 폴리 실리콘층(27) 및 질화 실리콘층(28)의 일부가 제거되어 있음으로써 박화되어 있다. 주연부(34)는 제3 피복부(33c)에 연속하는 비박화부(34a)와, 비박화부(34a)를 포위하는 박화부(34b)를 가지고 있다. 박화부(34b)에 있어서는, 제1 표면(11a)상에 직접 마련된 폴리 실리콘층(27a) 이외의 폴리 실리콘층(27) 및 질화 실리콘층(28)이 제거되어 있다.
비박화부(34a)의 기판(11)과는 반대측의 표면(34c)의 제1 표면(11a)으로부터의 높이는, 중간층(23)의 표면(23a)의 제1 표면(11a)으로부터의 높이보다도 낮다. 비박화부(34a)의 표면(34c)의 제1 표면(11a)으로부터의 높이는, 예를 들면 100nm~5000nm이다. 중간층(23)의 표면(23a)의 제1 표면(11a)으로부터의 높이는, 예를 들면 500nm~20000nm이고, 또한 비박화부(34a)의 표면(34c)의 제1 표면(11a)으로부터의 높이보다도 높다. 박화부(34b)의 폭(비박화부(34a)의 외연과 외연부(11c)의 외연 사이의 거리)은, 기판(11)의 두께의 0.01배 이상이다. 박화부(34b)의 폭은, 예를 들면 5μm~400μm이다. 기판(11)의 두께는, 예를 들면 500μm~800μm이다.
기판(11)의 제2 표면(11b)에는 반사 방지층(41), 제3 적층체(제3층)(42), 중간층(제3층)(43) 및 제4 적층체(제3층)(44)가, 이 순서로 적층되어 있다. 반사 방지층(41) 및 중간층(43)은, 각각, 반사 방지층(21) 및 중간층(23)과 같은 구성을 가지고 있다. 제3 적층체(42) 및 제4 적층체(44)는, 각각, 기판(11)을 기준으로 하여 제1 적층체(22) 및 제2 적층체(24)와 대칭인 적층 구조를 가지고 있다. 반사 방지층(41), 제3 적층체(42), 중간층(43) 및 제4 적층체(44)는, 기판(11)의 휨을 억제하는 기능을 가지고 있다.
제3 적층체(42), 중간층(43) 및 제4 적층체(44)는, 외연부(11c)의 외연을 따라서 박화되어 있다. 즉, 제3 적층체(42), 중간층(43) 및 제4 적층체(44) 중 외연부(11c)의 외연을 따르는 부분은, 제3 적층체(42), 중간층(43) 및 제4 적층체(44) 중 외연을 따르는 부분을 제외한 다른 부분과 비교해서 얇아져 있다. 본 실시 형태에서는, 제3 적층체(42), 중간층(43) 및 제4 적층체(44)는, 제1 표면(11a)에 수직인 방향에서 보았을 경우에 박화부(34b)와 겹치는 부분에 있어서 제3 적층체(42), 중간층(43) 및 제4 적층체(44)의 전부(全部)가 제거되어 있음으로써 박화되어 있다.
제3 적층체(42), 중간층(43) 및 제4 적층체(44)에는, 광 투과 영역(1a)을 포함하도록 개구(40a)가 마련되어 있다. 개구(40a)는 광 투과 영역(1a)의 크기와 대략 동일한 지름을 가지고 있다. 개구(40a)는 광 출사측으로 개구되어 있고, 개구(40a)의 저면은, 반사 방지층(41)에 도달해 있다.
제4 적층체(44)의 광 출사측의 표면에는, 차광층(45)이 형성되어 있다. 차광층(45)은, 예를 들면 알루미늄 등으로 이루어진다. 차광층(45)의 표면 및 개구(40a)의 내면에는, 보호층(46)이 형성되어 있다. 보호층(46)은 제3 적층체(42), 중간층(43), 제4 적층체(44) 및 차광층(45)의 외연을 피복함과 아울러, 외연부(11c)상의 반사 방지층(41)을 피복하고 있다. 보호층(46)은, 예를 들면 산화 알루미늄으로 이루어진다. 덧붙여 보호층(46)의 두께를 1~100nm(바람직하게는, 30nm정도)로 함으로써, 보호층(46)에 의한 광학적인 영향을 무시할 수 있다.
이상과 같이 구성된 패브리 페로 간섭 필터(1)에 있어서는, 제1 단자(15) 및 제2 단자(16)를 통해서 제1 전극(12)과 제3 전극(14)의 사이에 전압이 인가되면, 당해 전압에 따른 정전기력이 제1 전극(12)과 제3 전극(14)의 사이에 발생한다. 당해 정전기력에 의해서, 제2 미러부(32)가 기판(11)에 고정된 제1 미러부(31)측으로 끌어 당겨져, 제1 미러부(31)와 제2 미러부(32)의 거리가 조정된다. 이와 같이, 패브리 페로 간섭 필터(1)에서는, 제1 미러부(31)와 제2 미러부(32)의 거리가 가변으로 되어 있다.
패브리 페로 간섭 필터(1)를 투과하는 광의 파장은, 광 투과 영역(1a)에 있어서의 제1 미러부(31)와 제2 미러부(32)의 거리에 의존한다. 따라서, 제1 전극(12)과 제3 전극(14)의 사이에 인가하는 전압을 조정함으로써, 투과하는 광의 파장을 적당히 선택할 수 있다. 이때, 제2 전극(13)은 제3 전극(14)과 동전위이다. 따라서, 제2 전극(13)은 광 투과 영역(1a)에 있어서 제1 미러부(31) 및 제2 미러부(32)를 평탄하게 유지하기 위한 보상 전극으로서 기능한다.
패브리 페로 간섭 필터(1)에서는, 예를 들면, 패브리 페로 간섭 필터(1)에 인가하는 전압을 변화시키면서(즉, 패브리 페로 간섭 필터(1)에 있어서 제1 미러부(31)와 제2 미러부(32)의 거리를 변화시키면서), 패브리 페로 간섭 필터(1)를 투과한 광(출력광)을 광 검출기에 의해서 검출함으로써, 분광 스텍트럼을 얻을 수 있다.
이상 설명한 것처럼, 패브리 페로 간섭 필터(1)에서는, 제2 적층체(24)의 제3 피복부(33c)가 중간층(23)의 외측면(23b)을 피복하고 있다. 이 때문에, 중간층(23)의 외측면(23b)으로부터 광이 입사되는 것에 기인하여 패브리 페로 간섭 필터(1)로부터의 출력광에 있어서 노이즈가 증대하는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 패브리 페로 간섭 필터(1)의 특성이 열화되는 것을 억제할 수 있다. 그런데, 이 패브리 페로 간섭 필터(1)에서는, 제2 적층체(24)가 중간층(23)의 외측면(23b)을 피복하고 있는 것으로부터, 제2 미러부(32)가 제1 미러부(31)측으로 이동할 때, 제2 적층체(24)에 있어서 중간층(23)의 외측면(23b)을 피복하는 영역에 대해서도, 제2 미러부(32)측을 향하도록 힘이 작용한다. 따라서, 중간층(23)의 외측면(23b)에 있어서의 제2 적층체(24)측의 모서리부에 응력이 집중되기 쉽다. 여기서, 패브리 페로 간섭 필터(1)에서는, 중간층(23)의 외측면(23b)은 중간층(23)의 기판(11)측의 가장자리부(23k)가, 중간층(23)의 기판(11)과는 반대측의 가장자리부(23j)보다도, 제1 표면(11a)에 평행한 방향에 있어서 외측에 위치하도록, 만곡되어 있다. 이 때문에, 중간층(23)의 외측면(23b)에 있어서의 제2 적층체(24)측의 모서리부에 있어서 응력을 분산시킬 수 있다. 따라서, 당해 모서리부에 있어서 크랙 등의 손상이 발생하는 것을 억제할 수 있다. 이상에 의해, 패브리 페로 간섭 필터(1)에 의하면, 높은 신뢰성을 얻을 수 있다.
또, 패브리 페로 간섭 필터(1)에서는, 중간층(23)의 외측면(23b)이 만곡되어 있지 않은 경우와 비교하여, 중간층(23)의 외측면(23b)과 제2 적층체(24)의 접촉 면적이 확대된다. 이 때문에, 중간층(23)의 외측면(23b)에 대해서 제2 적층체(24)를 강고하게 고정시킬 수 있다. 또, 중간층(23)의 외측면(23b)이, 제1 표면(11a)에 수직인 방향에 있어서 기판(11)에 가까워질수록, 제1 표면(11a)에 평행한 방향에 있어서 공극 S로부터 멀어지도록, 만곡되어 있다. 이 때문에, 제조 공정에 있어서, 제2 적층체(24)의 제3 피복부(33c)가 중간층(23)의 외측면(23b)을 피복하는 두께(커버리지(coverage))를 양호하게 유지할 수 있다.
또, 패브리 페로 간섭 필터(1)에서는, 중간층(23)의 외측면(23b)은 중간층(23)의 기판(11)측의 가장자리부(23k)가, 중간층(23)의 기판(11)과는 반대측의 가장자리부(23j)보다도, 제1 표면(11a)에 평행한 방향에 있어서 외측에 위치하도록, 공극 S측으로 오목한 모양으로 만곡되어 있다. 이 때문에, 제1 표면(11a)에 대한 중간층(23)의 외측면(23b)의 각도가, 중간층(23)의 외측면(23b) 중 기판(11)에 가까운 부분에 있어서, 제1 표면(11a)에 수직인 방향에 있어서 기판(11)에 가까워질수록, 작아진다. 이것에 의해, 중간층(23)의 외측면(23b) 중 기판(11)에 가까운 부분으로부터 제2 적층체(24)가 벗겨지는 것을 억제할 수 있다.
또, 패브리 페로 간섭 필터(1)에서는, 중간층(23)의 외측면(23b)은, 제1 표면(11a)에 수직인 방향에 있어서 기판(11)에 가까워질수록, 제1 표면(11a)에 평행한 방향에 있어서 공극 S로부터 멀어지도록, 만곡되어 있다. 이 때문에, 중간층(23)의 외측면(23b)은, 그 전체에 있어서, 제1 표면(11a)에 수직인 방향에 있어서 기판(11)에 가까워질수록, 제1 표면(11a)에 평행한 방향에 있어서 공극 S로부터 멀어진다. 이것에 의해, 중간층(23)의 외측면(23b)에 있어서의 제2 적층체(24)측의 모서리부에 있어서 응력을 보다 한층 분산시킬 수 있다.
또, 패브리 페로 간섭 필터(1)에서는, 제1 적층체(22)의 외측면(22a)은, 중간층(23)의 외측면(23b)보다도, 공극 S의 중앙부에 대해서, 제1 표면(11a)에 평행한 방향에 있어서 외측에 위치하고 있고, 제2 적층체(24)의 제3 피복부(33c)는, 제1 적층체(22)의 외측면(22a)을 피복하고 있다. 이 때문에, 제2 적층체(24)의 제3 피복부(33c)가, 중간층(23)의 외측면(23b)을 넘어 제1 적층체(22)의 외측면(22a)까지 피복하고, 제1 적층체(22)의 외측면(22a)에 대해서 고정시킨다. 따라서, 중간층(23)의 외측면(23b) 중 기판(11)에 가까운 부분으로부터 제2 적층체(24)가 벗겨지는 것을 억제할 수 있다.
또, 패브리 페로 간섭 필터(1)에서는, 기판(11)은 제1 표면(11a)에 수직인 방향에서 보았을 경우에 제1 적층체(22)의 외연보다도 외측에 위치하는 외연부(11c)를 가지고, 제2 적층체(24)는 외연부(11c)를 피복하고 있다. 이 때문에, 제2 적층체(24)가 제1 적층체(22)의 외연을 넘어 기판(11)의 외연부(11c)까지 피복함으로써, 제1 적층체(22)를 기판(11)측에 대해 고정한다. 따라서, 제1 적층체(22)가 기판(11)측으로부터 벗겨지는 것을 억제할 수 있다.
또, 패브리 페로 간섭 필터(1)에서는, 제1 적층체(22)의 외측면(22a)은, 제1 표면(11a)에 수직인 방향에 있어서 기판(11)에 가까워질수록, 제1 표면(11a)에 평행한 방향에 있어서 공극 S로부터 멀어지도록, 만곡되어 있다. 이 때문에, 제2 적층체(24)의 제3 피복부(33c)가, 제1 적층체(22)의 외측면(22a)에 대해서 보다 강고하게 고정된다. 따라서, 중간층(23)의 외측면(23b) 중 기판(11)에 가까운 부분으로부터 제2 적층체(24)가 벗겨지는 것을 억제할 수 있다.
또, 패브리 페로 간섭 필터(1)는 기판(11)에 있어서 제1 표면(11a)과 대향하는 제2 표면(11b)에 배치된 제3 적층체(42)를 추가로 구비하고 있다. 이 때문에, 기판(11)의 제1 표면(11a)측과 제2 표면(11b)측 사이의 층 구성의 불일치에 기인한 응력을 저감시킬 수 있으므로, 중간층(23)에 있어서의 응력의 집중을 보다 한층 억제할 수 있다.
다음에, 도 7~도 12를 참조하면서, 패브리 페로 간섭 필터(1)의 제조 방법의 일례를 설명한다. 다만, 도 7, 도 10~도 12에 있어서는, 제1 적층체(22)의 외측면(22a), 중간층(23)의 외측면(23b), 및 제2 적층체(24)의 제3 피복부(33c)의 도시를 간략화하고 있다. 먼저, 도 7의 (a)에 도시되는 것처럼, 기판(11)에 대응하는 부분 R을 복수 포함하는 웨이퍼(10)를 준비하고, 제1 미러부(31)를 가지는 제1 적층체(22)를, 웨이퍼(10)의 기판(11)에 대응하는 부분 R마다 형성한다(제1 스텝). 웨이퍼(10)는, 예를 들면 실리콘 웨이퍼이다. 웨이퍼(10)에 있어서, 부분 R은, 예를 들면, 서로 인접하도록 격자 모양으로 배치되어 있다. 부분 R끼리의 경계상에는, 다이싱라인 L이 설정되어 있다.
제1 스텝에서는, 먼저, 부분 R의 제1 표면(11a)상에 반사 방지층(21)을 형성하고, 이것과 동시에, 부분 R의 제2 표면(11b)상에 반사 방지층(41)을 형성한다. 이어서, 반사 방지층(21)상에, 제1 적층체(22)를 구성하는 폴리 실리콘층(25a), 질화 실리콘층(26a), 폴리 실리콘층(25b), 질화 실리콘층(26b) 및 폴리 실리콘층(25c)을 이 순서로 적층한다. 이 제1 적층체(22)의 적층과 동시에, 반사 방지층(41)상에, 제3 적층체(42)를 구성하는 폴리 실리콘층 및 질화 실리콘층을 적층한다. 제1 적층체(22)의 적층 시에는, 폴리 실리콘층(25) 및 질화 실리콘층(26)을 제1 표면(11a)상에 걸쳐서 적층한 후에, 폴리 실리콘층(25) 및 질화 실리콘층(26) 중 제1 표면(11a)에 수직인 방향에서 보았을 경우에 외연부(11c)상에 위치하는 부분을 에칭에 의해서 제거한다. 또, 제1 적층체(22)의 적층과 병행하여, 폴리 실리콘층(25b, 25c)을 불순물 도프에 의해서 부분적으로 저저항화하여, 제1 전극(12) 및 제2 전극(13)을 형성한다. 이어서, 에칭에 의해서 트렌치(18)를 형성한다.
이어서, 도 7의 (b)에 도시되는 것처럼, 공극 S에 대응하는 제거 예정부(50)를 가지는 중간층(23)을, 부분 R마다 형성한다(제2 스텝). 제2 스텝에서는, 먼저, 중간층(23)에 의해서 제1 적층체(22)가 덮이도록, 부분 R의 제1 표면(11a)상에 걸쳐서 중간층(23)을 형성한다. 이 중간층(23)의 형성과 동시에, 제3 적층체(42)상에 중간층(43)을 형성한다. 이어서, 중간층(23) 중 제1 표면(11a)에 수직인 방향에서 보았을 경우에 외연부(11c)상에 위치하는 부분을 에칭에 의해서 제거한다. 이 에칭시에, 반사 방지층(21) 중 제1 표면(11a)에 수직인 방향에서 보았을 경우에 외연부(11c)상에 위치하는 부분이 제거된다. 또, 이 에칭시에, 도 4의 제1 단자(15), 제1 피복부(33a) 및 제1 내저부(35a), 및 도 5의 제2 단자(16), 제2 피복부(33b) 및 제2 내저부(35b)에 대응하는 부분에 공극이 형성된다.
또한, 이 에칭시에, 제1 내측면(23d), 제2 내측면(23e) 및 외측면(23b)이 만곡된 형상으로 된다. 보다 구체적으로는, 제1 내측면(23d)은 제1 표면(11a)에 수직인 방향에 있어서 기판(11)에 가까워질수록, 제1 표면(11a)에 평행한 방향에 있어서 제1 단자(15)에 가까워지도록, 제1 단자(15)와는 반대측으로 오목한 모양으로 만곡된 형상으로 된다. 또, 제2 내측면(23e)은 제1 표면(11a)에 수직인 방향에 있어서 기판(11)에 가까워질수록, 제1 표면(11a)에 평행한 방향에 있어서 제2 단자(16)에 가까워지도록, 제2 단자(16)와는 반대측으로 오목한 모양으로 만곡된 형상으로 된다. 또, 외측면(23b)은 제1 표면(11a)에 수직인 방향에 있어서 기판(11)에 가까워질수록, 제1 표면(11a)에 평행한 방향에 있어서 공극 S로부터 멀어지도록, 공극 S측으로 오목한 모양으로 만곡된 형상으로 된다.
제1 내측면(23d), 제2 내측면(23e) 및 외측면(23b)을, 상술한 것처럼 오목한 모양으로 만곡된 형상으로 하기 위한 제조 방법의 일례를 설명한다. 먼저, 도 8의 (a)에 도시되는 것처럼, 중간층(23)상에 걸쳐서 레지스트(M)를 도포한다. 다음에, 도 8의 (b)에 도시되는 것처럼, 레지스트 패터닝에 의해서, 제거되어야 할 중간층(23)의 영역에 대응하는 영역의 레지스트(M)를 제거한다. 다음에, 도 9의 (a)에 도시되는 것처럼, 중간층(23)을 에칭(웨트 에칭)에 의해 제거한다. 이때, 중간층(23)은 레지스트(M)에 덮인 부분까지 제거되어, 오목한 모양으로 만곡된 형상이 된다. 덧붙여 성막 및 에칭을 반복하면서 반사 방지층(21) 및 제1 적층체(22)를 단계적으로 형성하여, 중간층(23)의 외측면(23b)이 제1 적층체(22)의 외측면(22a)에 연속적으로(스무스하게) 접속하도록 중간층(23)의 에칭을 실시한다. 이것에 의해, 도 6에 도시되는 것처럼, 중간층(23)의 외측면(23b), 제1 적층체(22)의 외측면(22a) 및 반사 방지층(21)의 측면(21a)이 연속적으로 만곡된 형상이 된다. 다음에, 도 9의 (b)에 도시되는 것처럼, 중간층(23)상에 남아 있는 레지스트(M)를 박리함으로써, 상술한 형상의 제1 내측면(23d), 제2 내측면(23e) 및 외측면(23b)을 얻을 수 있다.
이어서, 도 10의 (a), 도 10의 (b) 및 도 11의 (a)에 도시되는 것처럼, 복수의 관통공(24b)이 형성된 제2 미러부(32)와, 중간층(23)을 피복하는 제1 피복부(33a), 제2 피복부(33b) 및 제3 피복부(33c)와, 외연부(11c)의 외연을 따라서 박화된 주연부(34)와, 제1 내저부(35a) 및 제2 내저부(35b)를 가지는 제2 적층체(24)를, 부분 R마다 형성한다(제3 스텝).
제3 스텝에서는, 먼저, 중간층(23)상에, 제2 적층체(24)를 구성하는 폴리 실리콘층(27a), 질화 실리콘층(28a), 폴리 실리콘층(27b), 질화 실리콘층(28b) 및 폴리 실리콘층(27c)을 이 순서로 적층한다. 보다 구체적으로는, 도 10의 (a)에 도시되는 것처럼, 제2 적층체(24)에 의해서 중간층(23)의 표면(23a), 외측면(23b), 제1 내측면(23d) 및 제2 내측면(23e), 제1 적층체(22)의 외측면(22a) 및 반사 방지층(21)의 측면(21a)이 덮이도록, 부분 R의 제1 표면(11a)상에 걸쳐서 제2 적층체(24)를 적층한다. 한편, 제2 적층체(24)의 적층과 동시에, 중간층(43)상에, 제4 적층체(44)를 구성하는 폴리 실리콘층 및 질화 실리콘층을 적층한다. 이어서, 도 10의 (b)에 도시되는 것처럼, 폴리 실리콘층(27a) 이외의 폴리 실리콘층(27) 및 질화 실리콘층(28) 중 박화부(34b)에 대응하는 부분을 에칭에 의해서 제거함으로써, 외연부(11c)의 외연을 따라서 박화된 주연부(34)를 형성한다. 또, 제2 적층체(24)의 적층과 병행하여, 폴리 실리콘층(27c)을 불순물 도프에 의해서 부분적으로 저저항화하여, 제3 전극(14)을 형성한다. 이어서, 제1 단자(15) 및 제2 단자(16)를 형성한다.
이어서, 도 11의 (a)에 도시되는 것처럼, 제2 적층체(24)를 부분적으로 에칭함으로써, 제2 미러부(32)의 표면(24a)으로부터 제거 예정부(50)에 도달하는 관통공(24b)을 형성한다. 이어서, 제4 적층체(44)상에 차광층(45)을 형성한다. 이어서, 제3 적층체(42), 중간층(43), 제4 적층체(44) 및 차광층(45) 중 수직인 방향에서 보았을 경우에 박화부(34b)와 겹치는 부분을 에칭에 의해서 제거함으로써, 제3 적층체(42), 중간층(43) 및 제4 적층체(44)를 외연부(11c)의 외연을 따라서 박화한다. 또, 이 에칭시에, 제3 적층체(42), 중간층(43), 제4 적층체(44) 및 차광층(45)에 개구(40a)를 형성한다. 이어서, 차광층(45)의 표면 및 개구(40a)의 내면에, 보호층(46)을 형성한다.
이어서, 도 11의 (b)에 도시되는 것처럼, 관통공(24b)을 통한 에칭에 의해서 제거 예정부(50)를 제거함으로써, 제1 미러부(31)와 제2 미러부(32)의 사이에 위치하는 공극 S를, 부분 R마다 형성한다(제4 스텝). 제4 스텝에서는, 관통공(24b)을 통한 기상(氣相) 에칭에 의해서 제거 예정부(50)를 제거한다. 이 기상 에칭에는, 예를 들면 불산 가스가 이용된다.
이어서, 도 12에 도시되는 것처럼, 다이싱라인 L에 있어서 외연부(11c)의 외연을 따라서 웨이퍼(10)를 절단하여, 패브리 페로 간섭 필터(1)를 얻는다(제5 스텝). 제5 스텝에 있어서는, 예를 들면, 제1 표면(11a)측으로부터의 레이저광의 조사에 의해서, 외연부(11c)의 외연을 따라서 웨이퍼(10)의 내부에 개질 영역을 형성하고, 개질 영역으로부터 웨이퍼(10)의 두께 방향으로 균열을 신장시킴으로써, 외연부(11c)의 외연을 따라서 웨이퍼(10)를 절단한다.
이상, 본 발명의 일 실시 형태에 대해 설명했지만, 본 발명은 상기 실시 형태로 한정되지 않는다. 예를 들면, 각 구성의 재료 및 형상에는, 상술한 재료 및 형상으로 한정하지 않고, 여러가지 재료 및 형상을 채용할 수 있다.
또, 반사 방지층(21)은 제1 적층체(22)의 외연보다도 외측의 영역에 형성되어 있어도 된다. 예를 들면, 반사 방지층(21)은 제2 적층체(24)의 주연부(34)에 대응하는 부분(즉, 외연부(11c)상에 위치하는 부분)에 있어서도 제거되지 않고 형성되어 있어도 된다. 그 경우, 반사 방지층(21)의 외연과 기판(11)의 외연이, 서로 일치하고 있어도 된다.
또, 기판(11)은 외연부(11c)를 가지고 있지 않아도 된다. 예를 들면, 제1 표면(11a)에 수직인 방향에서 보았을 경우에, 제1 적층체(22)의 외측면(22a)이 기판(11)의 외연과 일치하고 있어도 된다. 또, 제1 표면(11a)에 수직인 방향에서 보았을 경우에, 반사 방지층(21)의 측면(21a)이 기판(11)의 외연과 일치하고 있어도 된다.
또, 주연부(34)는 박화부(34b)를 가지고 있지 않아도 된다. 즉, 주연부(34)는 당해 주연부(34)의 전체에 걸쳐서 일정한 두께가 되도록 형성되어 있어도 된다.
또, 제2 적층체(24)는 주연부(34)를 가지고 있지 않아도 된다. 즉, 제2 적층체(24)는 제1 표면(11a)상에 위치하고 있지 않아도 된다.
또, 제1 전극(12)은 제1 미러부(31)의 일부로서 형성되어 있지 않아도 된다. 제1 전극(12)은 폴리 실리콘층(25c)에 불순물을 도프하여 저저항화함으로써 형성되어 있지 않아도 된다. 예를 들면, 제1 전극(12)은, 제1 적층체(22)에 있어서의 제1 미러부(31) 이외의 영역에 형성되어 있어도 되며, 이 경우, 제1 전극(12)은 알루미늄 등의 금속에 의해서 구성되어 있어도 된다.
또, 제2 전극(13)은 제1 미러부(31)의 일부로서 형성되어 있지 않아도 된다. 제2 전극(13)은 폴리 실리콘층(25c)에 불순물을 도프하여 저저항화함으로써 형성되어 있지 않아도 된다. 예를 들면, 제2 전극(13)은 제1 적층체(22)에 있어서의 제1 미러부(31) 이외의 영역에 형성되어 있어도 되며, 이 경우, 제2 전극(13)은 알루미늄 등의 금속에 의해서 구성되어 있어도 된다.
또, 제3 전극(14)은 제2 미러부(32)의 일부로서 형성되어 있지 않아도 된다. 제3 전극(14)은 폴리 실리콘층(27a)에 불순물을 도프하여 저저항화함으로써 형성되어 있지 않아도 된다. 예를 들면, 제3 전극(14)은 제2 적층체(24)에 있어서의 제2 미러부(32) 이외의 영역에 형성되어 있어도 되며, 이 경우, 제3 전극(14)은 알루미늄 등의 금속에 의해서 구성되어 있어도 된다.
또, 제2 내측면(23e)은 중간층(23)의 기판(11)측의 가장자리부(23i)가, 중간층(23)의 기판(11)과는 반대측의 가장자리부(23h)보다도, 제1 표면(11a)에 평행한 방향에 있어서 제2 단자(16)측에 위치하도록, 만곡되어 있지 않아도 된다.
또, 제1 내측면(23d), 제2 내측면(23e) 또는 외측면(23b)은, 오목한 모양으로 만곡되어 있지 않아도 된다. 또, 제2 적층체(24)는 제1 내저부(35a) 또는 제2 부저부(35b)를 가지고 있지 않아도 되고, 제1 내측면(23d) 또는 제2 내측면(23e)을 피복하고 있지 않아도 된다.
또, 제2 스텝에 있어서, 제1 내측면(23d), 제2 내측면(23e) 및 외측면(23b)을 오목한 모양으로 만곡된 형상으로 하기 위한 제조 방법으로서는, 상술한 것으로 한정되지 않고, 이하의 제조 방법을 채용해도 된다. 먼저, 도 13의 (a)에 도시되는 것처럼, 중간층(23)상에 걸쳐서 레지스트(M)를 도포한다. 다음에, 도 13의 (b)에 도시되는 것처럼, 레지스트(M)에 대해서 3D 마스크를 이용하여 노광하여, 현상한다. 이것에 의해, 제거되어야 할 중간층(23)의 영역에 대응하는 영역의 레지스트(M)를 제거함과 아울러, 레지스트(M)의 측면이 오목한 모양으로 만곡된 형상이 된다. 다음에, 도 14의 (a)에 도시되는 것처럼, 중간층(23)을 드라이 에칭에 의해 제거한다. 이것에 의해, 레지스트(M)의 측면의 오목한 모양으로 만곡된 형상이 제1 내측면(23d), 제2 내측면(23e) 및 외측면(23b)에 전사(轉寫)되어, 오목한 모양으로 만곡된 형상이 된다. 다음에, 도 14의 (b)에 도시되는 것처럼, 중간층(23)상에 남아 있는 레지스트(M)를 박리함으로써, 상술한 형상의 제1 내측면(23d), 제2 내측면(23e) 및 외측면(23b)을 얻을 수 있다.
혹은, 제2 스텝에 있어서, 제1 내측면(23d), 제2 내측면(23e) 및 외측면(23b)을 오목한 모양으로 만곡된 형상으로 하기 위한 제조 방법으로서는, 이하의 제조 방법을 채용해도 된다. 먼저, 도 15의 (a)에 도시되는 것처럼, 중간층(23)상에 걸쳐서 레지스트(M)를 도포한다. 다음에, 도 15의 (b)에 도시되는 것처럼, 레지스트(M)에 대해서 포토리소그래피를 행하여, 제거되어야 할 중간층(23)의 영역에 대응하는 영역의 레지스트(M)를 제거함과 아울러, 레지스트(M)의 측면을 오목한 모양으로 만곡된 형상으로 한다. 덧붙여 이 포토리소그래피를 행하는 공정에 있어서는, 레지스트(M)의 조건(예를 들면, 재료 등), 및 포토리소그래피의 조건(예를 들면, 노광 조건, 현상 조건, 베이크 조건 등)을 조정함으로써, 레지스트(M)의 측면을 오목한 모양으로 만곡된 형상으로 하는 것이 가능하다. 다음에, 도 16의 (a)에 도시되는 것처럼, 중간층(23)을 드라이 에칭에 의해 제거한다. 이것에 의해, 레지스트(M)의 측면의 오목한 모양으로 만곡된 형상이 제1 내측면(23d), 제2 내측면(23e) 및 외측면(23b)에 전사되어, 오목한 모양으로 만곡된 형상이 된다. 다음에, 도 16의 (b)에 도시되는 것처럼, 중간층(23)상에 남아 있는 레지스트(M)를 박리함으로써, 상술한 형상의 제1 내측면(23d), 제2 내측면(23e) 및 외측면(23b)을 얻을 수 있다.
또, 제1 내측면(23d)은 제1 단자(15)측으로 볼록한 모양으로 만곡되어 있어도 된다. 환언하면, 제1 내측면(23d)에서는, 제1 표면(11a)에 대한 제1 내측면(23d)의 각도가, 제1 표면(11a)에 수직인 방향에 있어서 기판(11)에 가까워질수록, 크게 되어 있어도 된다. 이 경우, 제1 내측면(23d)에 있어서의 제1 적층체(22)와는 반대측의 모서리부에 있어서, 그 단면의 외형이 둔각 모양으로 된다. 따라서, 제1 내측면(23d)에 있어서의 제1 적층체(22)와는 반대측의 모서리부에 작용하는 응력이 한층 분산됨으로써, 당해 모서리부에 있어서 크랙 등의 손상이 발생하는 것을 한층 억제할 수 있다.
또, 제2 내측면(23e)은 제2 단자(16)측으로 볼록한 모양으로 만곡되어 있어도 된다. 환언하면, 제2 내측면(23e)에서는, 제1 표면(11a)에 대한 제2 내측면(23e)의 각도가, 제1 표면(11a)에 수직인 방향에 있어서 기판(11)에 가까워질수록, 크게 되어 있어도 된다. 이 경우, 제2 내측면(23e)에 있어서의 제1 적층체(22)와는 반대측의 모서리부에 있어서, 그 단면의 외형이 둔각 모양으로 된다. 따라서, 제2 내측면(23e)에 있어서의 제1 적층체(22)와는 반대측의 모서리부에 작용하는 응력이 한층 분산됨으로써, 당해 모서리부에 있어서 크랙 등의 손상이 발생하는 것을 한층 억제할 수 있다.
또, 외측면(23b)은 공극 S와는 반대측으로 볼록한 모양으로 만곡되어 있어도 된다. 환언하면, 외측면(23b)에서는, 제1 표면(11a)에 대한 외측면(23b)의 각도가, 제1 표면(11a)에 수직인 방향에 있어서 기판(11)에 가까워질수록, 크게 되어 있어도 된다. 이 경우, 외측면(23b)에 있어서의 제1 적층체(22)와는 반대측의 모서리부에 있어서, 그 단면의 외형이 둔각 모양으로 된다. 따라서, 외측면(23b)에 있어서의 제1 적층체(22)와는 반대측의 모서리부에 작용하는 응력이 한층 분산됨으로써, 당해 모서리부에 있어서 크랙 등의 손상이 발생하는 것을 한층 억제할 수 있다.
이 경우의 제2 스텝에 있어서, 제1 내측면(23d), 제2 내측면(23e) 및 외측면(23b)을, 상술한 것처럼 볼록한 모양으로 만곡된 형상으로 하기 위한 제조 방법의 일례를 설명한다. 먼저, 도 17의 (a)에 도시되는 것처럼, 중간층(23)상에 걸쳐서 레지스트(M)를 도포한다. 다음에, 도 17의 (b)에 도시되는 것처럼, 레지스트 패터닝에 의해서, 제거되어야 할 중간층(23)의 영역에 대응하는 영역의 레지스트(M)를 제거한다. 다음에, 도 18의 (a)에 도시되는 것처럼, 레지스트(M)를 큐어(cure)한다. 이것에 의해, 레지스트(M)의 측면을 볼록한 모양으로 만곡된 형상으로 한다. 다음에, 도 18의 (b)에 도시되는 것처럼, 중간층(23)을 드라이 에칭에 의해 제거한다. 이것에 의해, 중간층(23)이 레지스트(M)에 덮인 부분 부근까지 제거됨과 아울러, 레지스트(M)의 측면의 볼록한 모양으로 만곡된 형상이 제1 내측면(23d), 제2 내측면(23e) 및 외측면(23b)에 전사되어, 볼록한 모양으로 만곡된 형상이 된다. 다음에, 도 18의 (c)에 도시되는 것처럼, 중간층(23)상에 남아 있는 레지스트(M)를 박리함으로써, 상술한 형상의 제1 내측면(23d), 제2 내측면(23e) 및 외측면(23b)을 얻을 수 있다.
혹은, 제2 스텝에 있어서, 제1 내측면(23d), 제2 내측면(23e) 및 외측면(23b)을 볼록한 모양으로 만곡된 형상으로 하기 위한 제조 방법으로서는, 이하의 제조 방법을 채용해도 된다. 먼저, 도 19의 (a)에 도시되는 것처럼, 중간층(23)상에 걸쳐서 레지스트(M)를 도포한다. 다음에, 도 19의 (b)에 도시되는 것처럼, 레지스트(M)에 대해서 3D 마스크를 이용하여 노광하여, 현상한다. 이것에 의해, 제거되어야 할 중간층(23)의 영역에 대응하는 영역의 레지스트(M)를 제거함과 아울러, 레지스트(M)의 측면이 볼록한 모양으로 만곡된 형상이 된다. 다음에, 도 20의 (a)에 도시되는 것처럼, 중간층(23)을 드라이 에칭에 의해 제거한다. 이것에 의해, 중간층(23)이 레지스트(M)에 덮인 부분까지 제거됨과 아울러, 레지스트(M)의 측면의 볼록한 모양으로 만곡된 형상이 제1 내측면(23d), 제2 내측면(23e) 및 외측면(23b)에 전사되어, 볼록한 모양으로 만곡된 형상이 된다. 다음에, 도 20의 (b)에 도시되는 것처럼, 중간층(23)상에 남아 있는 레지스트(M)를 박리함으로써, 상술한 형상의 제1 내측면(23d), 제2 내측면(23e) 및 외측면(23b)을 얻을 수 있다.
또, 도 21~도 24에 도시되는 것처럼, 반사 방지층(21)의 외연과 제1 적층체(22)의 외연은, 서로 일치하고 있지 않아도 된다. 또, 제1 적층체(22)의 외측면(22a)은 연속한 면이 아니라, 단속적인 면에 의해서 구성되어 있어도 된다. 예를 들면, 반사 방지층(21)의 측면(21a)은, 제1 적층체(22)의 외측면(22a)보다도, 내측(광 투과 영역(1a)측)에 위치하고 있어도 된다. 이 경우, 반사 방지층(21)의 측면(21a), 제1 적층체(22)에 있어서의 기판(11)측의 표면(22c), 및 기판(11)의 제1 표면(11a)에 의해서 형성된 홈 내에, 제2 적층체(24)의 폴리 실리콘층(27a)의 일부가 들어가 있다. 이것에 의해, 제2 적층체(24)가 벗겨지는 것을 억제할 수 있다.
또, 도 21 및 도 22에 도시되는 것처럼, 제1 적층체(22)의 폴리 실리콘층(25c)의 외연은, 제1 적층체(22)를 구성하는 각층 중 폴리 실리콘층(25c) 이외의 층의 외측면의 적어도 일부를 덮고 있어도 된다.
또, 도 21 및 도 22에 도시되는 것처럼, 제1 적층체(22)를 구성하는 각층 중 폴리 실리콘층(25c) 이외의 층의 외연은, 단속적인 형상(예를 들면, 계단 모양)을 나타내고 있어도 된다. 예를 들면, 폴리 실리콘층(25b)의 외연과 질화 실리콘층(26b)의 외연은, 서로 일치하고 있지 않아도 된다. 보다 구체적으로는, 폴리 실리콘층(25b)의 외측면은, 질화 실리콘층(26b)의 외측면보다도, 외측(광 투과 영역(1a)과는 반대측)에 위치하고 있어도 된다. 이것에 의해, 제2 적층체(24)의 제3 피복부(33c)와 제1 적층체(22)의 외측면(22a)의 접착 면적이 증대하기 때문에, 제2 적층체(24)가 벗겨지는 것을 억제할 수 있다.
덧붙여 도 21에 도시되는 것처럼, 제1 적층체(22)를 구성하는 각층 중 폴리 실리콘층(25c) 이외의 층의 외측면, 및 반사 방지층(21)의 측면(21a)은, 평면 모양을 나타내고, 제1 표면(11a)에 수직인 방향에 있어서 기판(11)에 가까워질수록, 제1 표면(11a)에 평행한 방향에 있어서 광 투과 영역(1a)으로부터 멀어지도록, 경사져 있어도 된다.
혹은, 도 22에 도시되는 것처럼, 제1 적층체(22)를 구성하는 각층 중 폴리 실리콘층(25c) 이외의 층의 외측면, 및 반사 방지층(21)의 측면(21a)은, 평면 모양을 나타내고, 제1 표면(11a)과 대략 직교하고 있어도 된다.
또, 도 23 및 도 24에 도시되는 것처럼, 제1 적층체(22)에 있어서, 폴리 실리콘층(25c)의 외연은, 질화 실리콘층(26b)의 외연보다도, 내측에 위치하고 있어도 된다. 이 경우에도, 제2 적층체(24)의 제3 피복부(33c)와 제1 적층체(22)의 외측면(22a)의 접착 면적이 증대하기 때문에, 제2 적층체(24)가 벗겨지는 것을 억제할 수 있다.
또, 제1 적층체(22)의 외측면(22a)은, 공극 S측으로 오목한 모양으로 만곡되어 있어도 된다. 환언하면, 외측면(22a)에서는, 제1 표면(11a)에 대한 외측면(22a)의 각도가, 제1 표면(11a)에 수직인 방향에 있어서 기판(11)에 가까워질수록, 작게 되어 있어도 된다. 혹은, 외측면(22a)은 만곡되지 않고 평면 모양을 나타내고 있어도 된다.
1…페브리 페로 간섭 필터 11…기판
11a…제1 표면 22…제1 적층체(제1층)
22a…외측면 23…중간층
23b…외측면 23j, 23k…가장자리부
24…제2 적층체(제2층) 31…제1 미러부
32…제2 미러부 42…제3 적층체(제3층)
43…중간층(제3층) 44…제4 적층체(제3층)
S…공극

Claims (10)

  1. 제1 표면을 가지는 기판과,
    상기 제1 표면에 배치된 제1 미러부를 가지는 제1층과,
    상기 제1 미러부에 대해서 상기 기판과는 반대측에 있어서 공극을 통해서 상기 제1 미러부와 대향하는 제2 미러부를 가지는 제2층과,
    상기 제1층과 상기 제2층의 사이에 있어서 상기 공극을 획정하는 중간층을 구비하고,
    상기 중간층의 외측면은, 상기 중간층의 상기 기판측의 가장자리부가, 상기 중간층의 상기 기판과는 반대측의 가장자리부보다도, 상기 제1 표면에 평행한 방향에 있어서 외측에 위치하도록, 만곡되어 있고,
    상기 제2층은 상기 중간층의 상기 외측면을 피복하고 있는 패브리 페로 간섭 필터.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 중간층의 상기 외측면은, 상기 중간층의 상기 기판측의 가장자리부가, 상기 중간층의 상기 기판과는 반대측의 가장자리부보다도, 상기 제1 표면에 평행한 방향에 있어서 외측에 위치하도록, 상기 공극측으로 오목한 모양으로 만곡되어 있는 패브리 페로 간섭 필터.
  3. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 중간층의 외측면은 상기 제1 표면에 수직인 방향에 있어서 상기 기판에 가까워질수록, 상기 제1 표면에 평행한 방향에 있어서 상기 공극으로부터 멀어지도록, 만곡되어 있는 패브리 페로 간섭 필터.
  4. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 제1층의 외측면은, 상기 중간층의 상기 외측면보다도, 상기 제1 표면에 평행한 방향에 있어서 외측에 위치하고 있고,
    상기 제2층은 상기 제1층의 상기 외측면을 피복하고 있는 패브리 페로 간섭 필터.
  5. 청구항 3에 있어서,
    상기 제1층의 외측면은, 상기 중간층의 상기 외측면보다도, 상기 제1 표면에 평행한 방향에 있어서 외측에 위치하고 있고,
    상기 제2층은 상기 제1층의 상기 외측면을 피복하고 있는 패브리 페로 간섭 필터.
  6. 청구항 4에 있어서,
    상기 기판은 상기 제1 표면에 수직인 방향에서 보았을 경우에 상기 제1층의 외연보다도 외측에 위치하는 외연부를 가지고,
    상기 제2층은 상기 외연부를 피복하고 있는 패브리 페로 간섭 필터.
  7. 청구항 5에 있어서,
    상기 기판은 상기 제1 표면에 수직인 방향에서 보았을 경우에 상기 제1층의 외연보다도 외측에 위치하는 외연부를 가지고,
    상기 제2층은 상기 외연부를 피복하고 있는 패브리 페로 간섭 필터.
  8. 청구항 4에 있어서,
    상기 제1층의 상기 외측면은, 상기 제1 표면에 수직인 방향에 있어서 상기 기판에 가까워질수록, 상기 제1 표면에 평행한 방향에 있어서 상기 공극으로부터 멀어지도록, 만곡되어 있는 패브리 페로 간섭 필터.
  9. 청구항 5에 있어서,
    상기 제1층의 상기 외측면은, 상기 제1 표면에 수직인 방향에 있어서 상기 기판에 가까워질수록, 상기 제1 표면에 평행한 방향에 있어서 상기 공극으로부터 멀어지도록, 만곡되어 있는 패브리 페로 간섭 필터.
  10. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 기판에 있어서 상기 제1 표면과 대향하는 제2 표면에 배치된 제3층을 추가로 구비하는 패브리 페로 간섭 필터.
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7018873B2 (ja) 2016-05-27 2022-02-14 浜松ホトニクス株式会社 ファブリペロー干渉フィルタの製造方法
JP6341959B2 (ja) 2016-05-27 2018-06-13 浜松ホトニクス株式会社 ファブリペロー干渉フィルタの製造方法
FI3505987T3 (fi) 2016-08-24 2023-12-19 Hamamatsu Photonics Kk Fabry-perot-häiriösuodatin
CN113207244A (zh) * 2020-02-03 2021-08-03 奥特斯奥地利科技与系统技术有限公司 制造部件承载件的方法及部件承载件

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030116711A1 (en) * 2000-02-18 2003-06-26 Yokogawa Electric Corporation, A Japan Corporation Fabry-perot filter, wavelength-selective infrared detector and infrared gas analyzer using the filter and detector
JP2015011311A (ja) * 2013-07-02 2015-01-19 浜松ホトニクス株式会社 ファブリペロー干渉フィルタ

Family Cites Families (46)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1059968A (zh) * 1990-09-20 1992-04-01 托木斯克国立库伊比谢瓦大学 有选择性的干涉光学滤光系统
US5559358A (en) * 1993-05-25 1996-09-24 Honeywell Inc. Opto-electro-mechanical device or filter, process for making, and sensors made therefrom
AU764799B2 (en) * 1997-12-29 2003-08-28 Coretek, Inc. Microelectromechanically tunable, confocal, vertical cavity surface emitting laser and fabry-perot filter
WO2003007049A1 (en) * 1999-10-05 2003-01-23 Iridigm Display Corporation Photonic mems and structures
JP2002174721A (ja) * 2000-12-06 2002-06-21 Yokogawa Electric Corp ファブリペローフィルタ
US6436794B1 (en) 2001-05-21 2002-08-20 Hewlett-Packard Company Process flow for ARS mover using selenidation wafer bonding before processing a media side of a rotor wafer
US7429334B2 (en) * 2004-09-27 2008-09-30 Idc, Llc Methods of fabricating interferometric modulators by selectively removing a material
US7405108B2 (en) 2004-11-20 2008-07-29 International Business Machines Corporation Methods for forming co-planar wafer-scale chip packages
JP4587320B2 (ja) * 2005-06-30 2010-11-24 株式会社半導体エネルギー研究所 微小構造体、マイクロマシン、およびこれらの作製方法
US7502401B2 (en) 2005-07-22 2009-03-10 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. VCSEL system with transverse P/N junction
EP2495212A3 (en) * 2005-07-22 2012-10-31 QUALCOMM MEMS Technologies, Inc. Mems devices having support structures and methods of fabricating the same
JP2007077864A (ja) * 2005-09-14 2007-03-29 Ricoh Co Ltd 静電型アクチュエータ、液滴吐出ヘッド、液体カートリッジ、画像形成装置、マイクロポンプ及び光学デバイス
DE102006008584A1 (de) * 2006-02-24 2007-09-06 Atmel Germany Gmbh Fertigungsprozess für integrierte Piezo-Bauelemente
WO2007107176A1 (en) 2006-03-17 2007-09-27 Freescale Semiconductor, Inc. Method of reducing risk of delamination of a layer of a semiconductor device
US7643202B2 (en) * 2007-05-09 2010-01-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Microelectromechanical system having a dielectric movable membrane and a mirror
US20150138642A1 (en) 2007-08-12 2015-05-21 Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. Durable hybrid omnidirectional structural color pigments for exterior applications
US8198639B2 (en) 2007-09-03 2012-06-12 Rohm Co., Ltd. Method of manufacturing light emitting device with a pair of ridge protection electrodes
US7626707B2 (en) 2007-10-29 2009-12-01 Symphony Acoustics, Inc. Dual cavity displacement sensor
JP5151444B2 (ja) 2007-12-14 2013-02-27 株式会社デンソー 半導体チップ及びその製造方法
JP2008103776A (ja) 2008-01-18 2008-05-01 Seiko Epson Corp ダイシング方法およびマイクロマシンデバイス
US20100015782A1 (en) 2008-07-18 2010-01-21 Chen-Hua Yu Wafer Dicing Methods
US9391423B2 (en) 2008-12-16 2016-07-12 Massachusetts Institute Of Technology Method and applications of thin-film membrane transfer
FI125817B (fi) 2009-01-27 2016-02-29 Teknologian Tutkimuskeskus Vtt Oy Parannettu sähköisesti säädettävä Fabry-Perot-interferometri, välituote, elektrodijärjestely ja menetelmä sähköisesti säädettävän Fabry-Perot-interferometrin tuottamiseksi
JP5276035B2 (ja) 2009-04-13 2013-08-28 日本電波工業株式会社 圧電デバイスの製造方法及び圧電デバイス
FI124072B (fi) 2009-05-29 2014-03-14 Valtion Teknillinen Mikromekaaninen säädettävä Fabry-Perot -interferometri, välituote ja menetelmä niiden valmistamiseksi
JP5096425B2 (ja) 2009-07-23 2012-12-12 日本電波工業株式会社 光学フィルタの製造方法
FI20095976A0 (fi) 2009-09-24 2009-09-24 Valtion Teknillinen Mikromekaanisesti säädettävä Fabry-Perot -interferometri ja menetelmä sen tuottamiseksi
JP2011181909A (ja) 2010-02-02 2011-09-15 Mitsubishi Chemicals Corp 半導体チップ製造方法
JP5640549B2 (ja) * 2010-08-19 2014-12-17 セイコーエプソン株式会社 光フィルター、光フィルターの製造方法および光機器
FI125897B (fi) 2011-06-06 2016-03-31 Teknologian Tutkimuskeskus Vtt Oy Mikromekaanisesti säädettävä Fabry-Perot-interferometri ja menetelmä sen valmistamiseksi
JP5939752B2 (ja) 2011-09-01 2016-06-22 株式会社ディスコ ウェーハの分割方法
JP5966405B2 (ja) * 2012-02-14 2016-08-10 セイコーエプソン株式会社 光学フィルターデバイス、及び光学フィルターデバイスの製造方法
US8884725B2 (en) 2012-04-19 2014-11-11 Qualcomm Mems Technologies, Inc. In-plane resonator structures for evanescent-mode electromagnetic-wave cavity resonators
FI125368B (en) 2012-06-08 2015-09-15 Teknologian Tutkimuskeskus Vtt Oy Micromechanically tunable Fabry-Perot interferometer system and method for producing this
JP2014182170A (ja) * 2013-03-18 2014-09-29 Seiko Epson Corp 封止構造、干渉フィルター、光学モジュール、及び電子機器
JP6211315B2 (ja) 2013-07-02 2017-10-11 浜松ホトニクス株式会社 ファブリペロー干渉フィルタ
JP6264810B2 (ja) * 2013-09-27 2018-01-24 セイコーエプソン株式会社 干渉フィルター、光学フィルターデバイス、光学モジュール、及び電子機器
JP6196867B2 (ja) * 2013-10-01 2017-09-13 浜松ホトニクス株式会社 光学モジュール
WO2015064749A1 (ja) * 2013-10-31 2015-05-07 浜松ホトニクス株式会社 光検出装置
JP6356427B2 (ja) 2014-02-13 2018-07-11 浜松ホトニクス株式会社 ファブリペロー干渉フィルタ
JP6353683B2 (ja) 2014-04-04 2018-07-04 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置及びレーザ加工方法
JP6509258B2 (ja) 2014-06-18 2019-05-08 ヴァイアヴィ・ソリューションズ・インコーポレイテッドＶｉａｖｉ Ｓｏｌｕｔｉｏｎｓ Ｉｎｃ． 金属誘電体光学フィルター、センサーデバイス、および製造方法
JP2016099583A (ja) 2014-11-26 2016-05-30 セイコーエプソン株式会社 干渉フィルター、光学モジュール、電子機器および構造体の製造方法
JP7018873B2 (ja) 2016-05-27 2022-02-14 浜松ホトニクス株式会社 ファブリペロー干渉フィルタの製造方法
KR102299845B1 (ko) 2016-08-24 2021-09-09 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 패브리 페로 간섭 필터
FI3505987T3 (fi) 2016-08-24 2023-12-19 Hamamatsu Photonics Kk Fabry-perot-häiriösuodatin

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030116711A1 (en) * 2000-02-18 2003-06-26 Yokogawa Electric Corporation, A Japan Corporation Fabry-perot filter, wavelength-selective infrared detector and infrared gas analyzer using the filter and detector
JP2015011311A (ja) * 2013-07-02 2015-01-19 浜松ホトニクス株式会社 ファブリペロー干渉フィルタ

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