TW201807439A - 法布立-培若干涉濾光器 - Google Patents
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Abstract
本發明之法布立-培若干涉濾光器1包括：基板11，其具有第1表面11a；第1積層體22，其具有配置於第1表面11a之第1反射鏡部31；第2積層體24，其具有於相對於第1反射鏡部31而與基板11為相反側介隔空隙S而與第1反射鏡部31對向之第2反射鏡部32；及中間層23，其於第1積層體22與第2積層體24之間劃定空隙S。中間層23之外側面23b以中間層23之基板11側之緣部較中間層23之與基板11為相反側之緣部於與第1表面11a平行的方向上位於更靠外側之方式彎曲。第2積層體24被覆中間層23之外側面23b。
Description
本發明之一形態係關於一種法布立-培若干涉濾光器。
專利文獻1所記載之法布立-培若干涉儀包括：基板；第1反射鏡構造，其具有配置於基板上之下側固定反射鏡；第2反射鏡構造，其具有介隔空間而與下側固定反射鏡對向之上側可動反射鏡；及犧牲層，其於第1反射鏡構造與第2反射鏡構造之間劃定空間。於該法布立-培若干涉儀中，犧牲層之外側面露出。又，犧牲層之外側面呈平面狀，且與犧牲層中之與第1反射鏡構造為相反側之表面正交，並且與第2反射鏡構造之外側面成為同一平面。 [先前技術文獻] [專利文獻] 專利文獻1：日本專利特表2012-528345號公報
[發明所欲解決之問題] 於如上所述之法布立-培若干涉儀中，由於犧牲層之外側面露出，故而光自犧牲層之外側面入射。此種光即便具有與對應於下側固定反射鏡與上側可動反射鏡之間之距離之波長不同之波長，亦有透過下側固定反射鏡而包含於來自法布立-培若干涉儀之輸出光之虞。於此情形時，於輸出光中雜訊增大，法布立-培若干涉儀之特性劣化。 又，於如上所述之法布立-培若干涉儀中，於第2反射鏡構造支持於犧牲層之狀態下，藉由靜電力而使上側可動反射鏡向下側固定反射鏡側移動。因此，於上側可動反射鏡向下側固定反射鏡側移動時，相對於第2反射鏡構造中支持於犧牲層之區域，以朝向上側可動反射鏡側之方式作用力。然後，藉由該力之反作用，應力作用於犧牲層中支持上側可動反射鏡之區域。尤其是，於該法布立-培若干涉儀中，犧牲層之外側面呈平面狀，且與犧牲層中之與第1反射鏡構造為相反側之表面正交，並且與第2反射鏡構造之外側面成為同一平面。因此，應力容易集中於犧牲層之外側面中之第2反射鏡構造側之角部。其結果，有於該角部產生裂痕等損傷之虞。 因此，本發明之一形態之目的在於提供一種可獲得較高之可靠性之法布立-培若干涉濾光器。 [解決問題之技術手段] 本發明之一形態之法布立-培若干涉濾光器包括：基板，其具有第1表面；第1層，其具有配置於第1表面之第1反射鏡部；第2層，其具有於相對於第1反射鏡部而與基板為相反側介隔空隙而與第1反射鏡部對向之第2反射鏡部；及中間層，其於第1層與第2層之間劃定空隙；且中間層之外側面以中間層之基板側之緣部較中間層之與基板為相反側之緣部於與第1表面平行的方向上位於更靠外側之方式彎曲，且第2層被覆中間層之外側面。 於該法布立-培若干涉濾光器中，第2層被覆中間層之外側面。因此，可抑制因光自中間層之外側面入射導致於來自法布立-培若干涉濾光器之輸出光中雜訊增大。因此，可抑制法布立-培若干涉濾光器之特性劣化。然而，於該法布立-培若干涉濾光器中，由於第2層被覆中間層之外側面，故而於第2反射鏡部向第1反射鏡部側移動時，相對於第2層中被覆中間層之外側面之區域亦以朝向第2反射鏡部側之方式作用力。因此，應力容易集中於中間層之外側面中之第2層側之角部。此處，於該法布立-培若干涉濾光器中，中間層之外側面以中間層之基板側之緣部較中間層之與基板為相反側之緣部於與第1表面平行的方向上位於更靠外側之方式彎曲。因此，可於中間層之外側面中之第2層側之角部使應力分散。因此，可抑制於該角部產生裂痕等損傷。如上所述，根據該法布立-培若干涉濾光器，可獲得較高之可靠性。 於本發明之一形態之法布立-培若干涉濾光器中，亦可為中間層之外側面以中間層之基板側之緣部較中間層之與基板為相反側之緣部於與第1表面平行的方向上位於更靠外側之方式於空隙側呈凹狀彎曲。於此情形時，中間層之外側面相對於第1表面之角度於中間層之外側面中之靠近基板之部分於與第1表面垂直的方向上越靠近基板則越小。藉此，可抑制第2層自中間層之外側面中靠近基板之部分剝落。 於本發明之一形態之法布立-培若干涉濾光器中，亦可為中間層之外側面以於與第1表面垂直之方向上越靠近基板則於與第1表面平行之方向上越遠離空隙之方式彎曲。於此情形時，中間層之外側面於其全體於與第1表面垂直之方向上越靠近基板則於與第1表面平行之方向上越遠離空隙。藉此，可於中間層之外側面中之第2層側之角部使應力進一步分散。 於本發明之一形態之法布立-培若干涉濾光器中，亦可為第1層之外側面較中間層之外側面於與第1表面平行的方向上位於更靠外側，且第2層被覆第1層之外側面。於此情形時，第2層超過中間層之外側面而被覆至第1層之外側面，且相對於第1層之外側面固定。由此，可抑制第2層自中間層之外側面中靠近基板之部分剝落。 於本發明之一形態之法布立-培若干涉濾光器中，亦可為基板具有於自與第1表面垂直之方向觀察之情形時較第1層之外緣位於更靠外側之外緣部，且第2層被覆外緣部。於此情形時，藉由第2層超過第1層之外緣而被覆至基板之外緣部，而將第1層相對於基板側固定。由此，可抑制第1層自基板側剝落。 於本發明之一形態之法布立-培若干涉濾光器中，亦可為第1層之外側面以於與第1表面垂直之方向上越靠近基板則於與第1表面平行之方向上越遠離空隙之方式彎曲。於此情形時，第2層相對於第1層之外側面更牢固地固定。由此，可更確實地抑制第2層自中間層之外側面中靠近基板之部分剝落。 本發明之一形態之法布立-培若干涉濾光器亦可進而具備配置於基板中與第1表面對向之第2表面之第3層。於此情形時，可減少因基板之第1表面側與第2表面側之間之層構成之不一致導致之應力，因此，可進一步抑制中間層中之應力之集中。 [發明之效果] 根據本發明之一形態能夠提供一種可獲得較高之可靠性之法布立-培若干涉濾光器。
以下，一面參照圖式一面對本發明之一實施形態詳細地進行說明。再者，於以下之說明中，於相同或相當要素中使用相同符號並省略重複之說明。 如圖1、圖2及圖3所示，法布立-培若干涉濾光器1具備基板11。基板11具有第1表面11a、及與第1表面11a對向之第2表面11b。於第1表面11a依序積層有抗反射層21、第1積層體(第1層)22、中間層23及第2積層體(第2層)24。於第1積層體22與第2積層體24之間藉由框狀之中間層23而劃定有空隙(氣隙)S。又，於法布立-培若干涉濾光器1之第1表面11a側設置有第1端子15及第2端子16。再者，於以下之說明中，將自相對於框狀之中間層23而與空隙S為相反側朝向空隙S側之方向稱為「內側」。又，將自空隙S側朝向相對於框狀之中間層23而與空隙S為相反側之方向稱為「外側」。 自與第1表面11a垂直之方向觀察之情形(俯視)下之各部之形狀及位置關係如下。基板11之外緣例如為矩形狀。基板11之外緣與第2積層體24之外緣相互一致。抗反射層21之外緣與第1積層體22之外緣相互一致。抗反射層21之外緣及第1積層體22之外緣較中間層23之外緣相對於空隙S之中央部位於更靠外側。基板11具有位於較第1積層體22之外緣更靠外側之外緣部11c。外緣部11c例如為框狀，且於自與第1表面11a垂直之方向觀察之情形時包圍第1積層體22。 法布立-培若干涉濾光器1於在其中央部劃定之光透過區域1a使具有特定之波長之光透過。光透過區域1a例如為圓柱狀之區域。基板11例如包含矽、石英或玻璃等。於基板11包含矽之情形時，抗反射層21及中間層23例如包含氧化矽。中間層23之厚度例如為數十nm～數十μm。 第1積層體22中之與光透過區域1a對應之部分作為第1反射鏡部31發揮功能。第1反射鏡部31介隔抗反射層21而配置於第1表面11a。第1積層體22係藉由複數個多晶矽層25與複數個氮化矽層26逐層交替地積層而構成。於本實施形態中，多晶矽層25a、氮化矽層26a、多晶矽層25b、氮化矽層26b及多晶矽層25c依序積層於抗反射層21上。構成第1反射鏡部31之多晶矽層25及氮化矽層26之各者之光學厚度較佳為中心透過波長之1/4之整數倍。再者，第1反射鏡部31亦可不介隔抗反射層21而直接配置於第1表面11a上。 第2積層體24中之與光透過區域1a對應之部分作為第2反射鏡部32發揮功能。第2反射鏡部32於相對於第1反射鏡部31而與基板11為相反側介隔空隙S而與第1反射鏡部31對向。第2反射鏡部32介隔抗反射層21、第1積層體22及中間層23而配置於第1表面11a。第2積層體24藉由複數個多晶矽層27與複數個氮化矽層28逐層交替地積層而構成。於本實施形態中，多晶矽層27a、氮化矽層28a、多晶矽層27b、氮化矽層28b及多晶矽層27c依序積層於中間層23上。構成第2反射鏡部32之多晶矽層27及氮化矽層28之各者之光學厚度較佳為中心透過波長之1/4之整數倍。 再者，於第1積層體22及第2積層體24中，亦可代替氮化矽層而使用氧化矽層。又，作為構成第1積層體22及第2積層體24之各層之材料，亦可使用氧化鈦、氧化鉭、氧化鋯、氟化鎂、氧化鋁、氟化鈣、矽、鍺、硫化鋅等。 於第2積層體24中與空隙S對應之部分形成有自第2積層體24之與中間層23為相反側之表面24a至空隙S之複數個貫通孔24b。複數個貫通孔24b以實質上不會對第2反射鏡部32之功能造成影響之程度形成。複數個貫通孔24b用於藉由蝕刻將中間層23之一部分去除而形成空隙S。 於第1積層體22設置有第1電極12。更具體而言，於第1反射鏡部31以包圍光透過區域1a之方式形成有第1電極12。第1電極12藉由於多晶矽層25c摻雜雜質使之低電阻化而形成。於第1反射鏡部31以包含光透過區域1a之方式形成有第2電極13。第2電極13藉由於多晶矽層25c摻雜雜質使之低電阻化而形成。第2電極13之大小較佳為包含光透過區域1a之整體之大小，但亦可與光透過區域1a之大小大致相同。 於第2積層體24設置有第3電極14。更具體而言，於第2反射鏡部32形成有第3電極14。第3電極14介隔空隙S而與第1電極12及第2電極13對向。第3電極14藉由於多晶矽層27a摻雜雜質使之低電阻化而形成。 如圖1及圖4所示，第1端子15以隔著光透過區域1a對向之方式設置有一對。各第1端子15配置於自第2積層體24之表面24a至第1積層體22之貫通孔內。各第1端子15經由配線12a而與第1電極12電性連接。第1端子15例如由鋁或其合金等之金屬膜形成。 如圖1及圖5所示，第2端子16以隔著光透過區域1a對向之方式設置有一對。各第2端子16配置於自第2積層體24之表面24a至第1積層體22之貫通孔內。各第2端子16經由配線13a而與第2電極13電性連接，並且經由配線14a而與第3電極14電性連接。第2端子16例如由鋁或其合金等之金屬膜形成。一對第1端子15對向之方向與一對第2端子16對向之方向正交。 如圖3、圖4及圖5所示，於第1積層體22之表面22b設置有溝槽18。溝槽18沿著第1電極12之內緣呈環狀延伸。溝槽18使第1電極12與第1電極12之內側之區域(第2電極13)電性絕緣。溝槽18內之區域可為絕緣材料，亦可為空隙。 於第2積層體24設置有溝槽19。溝槽19以包圍第1端子15之方式呈環狀延伸。溝槽19使第1端子15與第3電極14電性絕緣。溝槽19內之區域於本實施形態中為空隙，但亦可為絕緣材料。 又，於第1積層體22之表面22b設置有溝槽20。溝槽20以包圍第2端子16之方式呈環狀延伸。溝槽20使第2端子16與第1電極12電性絕緣。溝槽20藉由使中間層23進入至藉由將構成第1積層體22之多晶矽層25c之一部分去除而朝向基板11側形成之槽部25d而構成。再者，藉由中間層23進入至槽部25d，中間層23之表面23a於與槽部25d對應之區域朝向基板11側形成有槽部23c。又，藉由第2積層體24進入至槽部23c，第2積層體24之表面24a於與槽部23c對應之區域朝向基板11側形成有槽部24c。藉由如此使第2積層體24進入至槽部23c，第2積層體24相對於中間層23之表面23a固定。藉此，抑制第2積層體24自中間層23之剝落。再者，溝槽20亦可藉由中間層23進入至藉由除將構成第1積層體22之多晶矽層25c之一部分去除以外，亦將氮化矽層26b之一部分去除而朝向基板11側形成之槽部而構成。 如圖4～圖6所示，中間層23具有：第1內側面23d，其以包圍第1端子15之方式形成；第2內側面23e，其以包圍第2端子16之方式形成；及外側面23b，其構成該中間層23之外緣。 如圖4所示，第1內側面23d以中間層23之基板11側之緣部23g較中間層23之與基板11為相反側之緣部23f於與第1表面11a平行的方向上位於更靠第1端子15側之方式彎曲(即，形成有連續之曲面)。亦即，於自與第1表面11a垂直之方向觀察之情形時，緣部23f包圍緣部23g。更具體而言，第1內側面23d於與第1表面11a垂直之剖面中，向與第1端子15為相反側呈凹狀彎曲。第1內側面23d中之第1積層體22側之端部平滑地連接於第1積層體22之表面22b。再者，圖4所示之第1內側面23d以於與第1表面11a垂直之方向上越靠近基板11，則於與第1表面11a平行之方向越靠近第1端子15之方式向與第1端子15為相反側呈凹狀彎曲。換言之，於圖4所示之第1內側面23d中，第1內側面23d相對於第1表面11a之角度於與第1表面11a垂直之方向上越靠近基板11則越小。 如圖5所示，第2內側面23e以中間層23之基板11側之緣部23i較中間層23之與基板11為相反側之緣部23h於與第1表面11a平行的方向上位於更靠第2端子16側之方式彎曲(即，形成有連續之曲面)。亦即，於自與第1表面11a垂直之方向觀察之情形時，緣部23h包圍緣部23i。更具體而言，第2內側面23e於與第1表面11a垂直之剖面中，向與第2端子16為相反側呈凹狀彎曲。第2內側面23e中之第1積層體22側之端部平滑地連接於第1積層體22之表面22b。再者，圖5所示之第2內側面23e以於與第1表面11a垂直之方向上越靠近基板11，則於與第1表面11a平行之方向上越靠近第2端子16之方式向與第2端子16為相反側呈凹狀彎曲。換言之，於圖5所示之第2內側面23e中，第2內側面23e相對於第1表面11a之角度於與第1表面11a垂直之方向上越靠近基板11則越小。 如圖6所示，外側面23b以中間層23之基板11側之緣部23k較中間層23之與基板11為相反側之緣部23j於與第1表面11a平行的方向上位於更靠外側之方式彎曲(即，形成有連續之曲面)。亦即，於自與第1表面11a垂直之方向觀察之情形時，緣部23k包圍緣部23j。更具體而言，外側面23b於與第1表面11a垂直之剖面中向空隙S側呈凹狀彎曲。外側面23b中之第1積層體22側之端部平滑地連接於第1積層體22之表面22b或外側面22a。再者，圖6所示之外側面23b以於與第1表面11a垂直之方向上越靠近基板11，則於與第1表面11a平行之方向上越遠離空隙S之方式向空隙S側呈凹狀彎曲。換言之，於圖6所示之外側面23b中，外側面23b相對於第1表面11a之角度於與第1表面11a垂直之方向上越靠近基板11則越小。 第1積層體22具有構成該第1積層體22之外緣之外側面22a。第1積層體22之外側面22a較中間層23之外側面23b相對於空隙S之中央部於與第1表面11a平行的方向上位於更靠外側。第1積層體22之外側面22a以於與第1表面11a垂直之方向上越靠近基板11，則於與第1表面11a平行之方向上越遠離空隙S之方式彎曲(即，形成有連續之曲面)。更具體而言，第1積層體22之外側面22a於與第1表面11a平行之方向上向與空隙S為相反側呈凸狀彎曲。換言之，於第1積層體22之外側面22a中，第1積層體22之外側面22a相對於第1表面11a之角度於與第1表面11a垂直之方向上越靠近基板11則越大。 如圖4所示，第2積層體24進而具有第1被覆部33a及第1內底部35a。第1被覆部33a及第1內底部35a以具有與第2反射鏡部32(參照圖3)相同之積層構造且相互連續之方式一體地形成。第1被覆部33a被覆中間層23之與基板11為相反側之表面23a、及第1內側面23d，且到達至第1積層體22。第1內底部35a於自與第1表面11a垂直之方向觀察之情形時由第1內側面23d包圍之區域形成於第1積層體22上。 如圖5所示，第2積層體24進而具有第2被覆部33b及第2內底部35b。第2被覆部33b及第2內底部35b以具有與第2反射鏡部32(參照圖3)之積層構造之一部分相同之層構造且相互連續之方式一體地形成。第2被覆部33b被覆中間層23之與基板11為相反側之表面23a、及第2內側面23e，且到達至第1積層體22。第2內底部35b於自與第1表面11a垂直之方向觀察之情形時由第2內側面23e包圍之區域形成於第1積層體22上。 如圖6所示，第2積層體24進而具有第3被覆部33c及周緣部34。第3被覆部33c及周緣部34以具有與第2反射鏡部32(參照圖3)彼此相同之積層構造且相互連續之方式一體地形成。第3被覆部33c於自與第1表面11a垂直之方向觀察之情形時包圍第2反射鏡部32。第3被覆部33c被覆中間層23之與基板11為相反側之表面23a、以及中間層23之外側面23b、第1積層體22之外側面22a及抗反射層21之側面21a，且到達至第1表面11a。即，第3被覆部33c被覆中間層23之外緣、第1積層體22之外緣及抗反射層21之外緣。 周緣部34於自與第1表面11a垂直之方向觀察之情形時包圍第3被覆部33c。周緣部34位於外緣部11c中之第1表面11a上。即，周緣部34被覆外緣部11c。周緣部34之外緣於自與第1表面11a垂直之方向觀察之情形時與基板11之外緣一致。 周緣部34沿著外緣部11c之外緣被薄化。即，周緣部34中之沿著外緣部11c之外緣之部分相較於周緣部34中之除沿著外緣之部分以外之其他部分變薄。於本實施形態中，周緣部34藉由將構成第2積層體24之多晶矽層27及氮化矽層28之一部分去除而薄化。周緣部34具有與第3被覆部33c連續之非薄化部34a、及包圍非薄化部34a之薄化部34b。於薄化部34b中，將直接設置於第1表面11a上之除多晶矽層27a以外之多晶矽層27及氮化矽層28去除。 非薄化部34a之與基板11為相反側之表面34c距第1表面11a之高度，較中間層23之表面23a距第1表面11a之高度更低。非薄化部34a之表面34c距第1表面11a之高度例如為100 nm～5000 nm。中間層23之表面23a距第1表面11a之高度例如為500 nm～20000 nm，且較非薄化部34a之表面34c距第1表面11a之高度更高。薄化部34b之寬度(非薄化部34a之外緣與外緣部11c之外緣之間之距離)為基板11之厚度之0.01倍以上。薄化部34b之寬度例如為5 μm～400 μm。基板11之厚度例如為500 μm～800 μm。 於基板11之第2表面11b依序積層有抗反射層41、第3積層體(第3層)42、中間層(第3層)43及第4積層體(第3層)44。抗反射層41及中間層43分別具有與抗反射層21及中間層23同樣之構成。第3積層體42及第4積層體44分別具有以基板11為基準而與第1積層體22及第2積層體24對稱之積層構造。抗反射層41、第3積層體42、中間層43及第4積層體44具有抑制基板11之翹曲之功能。 第3積層體42、中間層43及第4積層體44沿著外緣部11c之外緣被薄化。即，第3積層體42、中間層43及第4積層體44中沿著外緣部11c之外緣之部分，相較於第3積層體42、中間層43及第4積層體44中除沿著外緣之部分以外之其他部分變薄。於本實施形態中，第3積層體42、中間層43及第4積層體44藉由於自與第1表面11a垂直之方向觀察之情形時與薄化部34b重疊之部分將第3積層體42、中間層43及第4積層體44之全部去除而被薄化。 於第3積層體42、中間層43及第4積層體44以包含光透過區域1a之方式設置有開口40a。開口40a具有與光透過區域1a之大小大致相同之直徑。開口40a於光出射側開口，且開口40a之底面到達至抗反射層41。 於第4積層體44之光出射側之表面形成有遮光層45。遮光層45例如包含鋁等。於遮光層45之表面及開口40a之內表面形成有保護層46。保護層46被覆第3積層體42、中間層43、第4積層體44及遮光層45之外緣，並且被覆外緣部11c上之抗反射層41。保護層46例如包含氧化鋁。再者，藉由使保護層46之厚度為1～100 nm(較佳為30 nm左右)，可忽略保護層46之光學影響。 於以如上方式構成之法布立-培若干涉濾光器1中，若經由第1端子15及第2端子16而對第1電極12與第3電極14之間施加電壓，則於第1電極12與第3電極14之間產生與該電壓對應之靜電力。藉由該靜電力，第2反射鏡部32被向固定於基板11之第1反射鏡部31側吸引，而調整第1反射鏡部31與第2反射鏡部32之距離。如此，於法布立-培若干涉濾光器1中，第1反射鏡部31與第2反射鏡部32之距離為可變。 透過法布立-培若干涉濾光器1之光之波長依存於光透過區域1a中之第1反射鏡部31與第2反射鏡部32之距離。因此，可藉由調整施加於第1電極12與第3電極14之間之電壓，而適當地選擇透過之光之波長。此時，第2電極13係與第3電極14相同之電位。因此，第2電極13於光透過區域1a作為用以平坦地保持第1反射鏡部31及第2反射鏡部32之補償電極發揮功能。 於法布立-培若干涉濾光器1中，例如，可藉由一面使施加於法布立-培若干涉濾光器1之電壓變化(即，一面於法布立-培若干涉濾光器1中使第1反射鏡部31與第2反射鏡部32之距離變化)，一面藉由光檢測器檢測透過法布立-培若干涉濾光器1之光(輸出光)而獲得分光光譜。 如以上所說明般，於法布立-培若干涉濾光器1中，第2積層體24之第3被覆部33c被覆中間層23之外側面23b。因此，可抑制因光自中間層23之外側面23b入射導致於來自法布立-培若干涉濾光器1之輸出光中雜訊增大。因此，可抑制法布立-培若干涉濾光器1之特性劣化。然而，於該法布立-培若干涉濾光器1中，由於第2積層體24被覆中間層23之外側面23b，故而於第2反射鏡部32向第1反射鏡部31側移動時，相對於第2積層體24中被覆中間層23之外側面23b之區域，亦以朝向第2反射鏡部32側之方式作用力。因此，應力容易集中於中間層23之外側面23b中之第2積層體24側之角部。此處，於法布立-培若干涉濾光器1中，中間層23之外側面23b以中間層23之基板11側之緣部23k較中間層23之與基板11為相反側之緣部23j於與第1表面11a平行的方向上位於更靠外側之方式彎曲。因此，可於中間層23之外側面23b中之第2積層體24側之角部使應力分散。因此，可抑制於該角部產生裂痕等損傷。如上所述，根據法布立-培若干涉濾光器1，可獲得較高之可靠性。 又，於法布立-培若干涉濾光器1中，相較於中間層23之外側面23b未彎曲之情形，中間層23之外側面23b與第2積層體24之接觸面積擴大。因此，可相對於中間層23之外側面23b將第2積層體24牢固地固定。又，中間層23之外側面23b以於與第1表面11a垂直之方向上越靠近基板11，則於與第1表面11a平行之方向上越遠離空隙S之方式彎曲。因此，於製造步驟中，可良好地維持第2積層體24之第3被覆部33c被覆中間層23之外側面23b之厚度(覆蓋)。 又，於法布立-培若干涉濾光器1中，中間層23之外側面23b以中間層23之基板11側之緣部23k較中間層23之與基板11為相反側之緣部23j於與第1表面11a平行的方向上位於更靠外側之方式向空隙S側呈凹狀彎曲。因此，中間層23之外側面23b相對於第1表面11a之角度於中間層23之外側面23b中靠近基板11之部分，於與第1表面11a垂直之方向上越靠近基板11則越小。藉此，可抑制第2積層體24自中間層23之外側面23b中靠近基板11之部分剝落。 又，於法布立-培若干涉濾光器1中，中間層23之外側面23b以於與第1表面11a垂直之方向上越靠近基板11，則於與第1表面11a平行之方向上越遠離空隙S之方式彎曲。因此，中間層23之外側面23b於其全體於與第1表面11a垂直之方向上越靠近基板11，則於與第1表面11a平行之方向上越遠離空隙S。藉此，可於中間層23之外側面23b中之第2積層體24側之角部使應力進一步分散。 又，於法布立-培若干涉濾光器1中，第1積層體22之外側面22a較中間層23之外側面23b相對於空隙S之中央部於與第1表面11a平行的方向上位於更靠外側，且第2積層體24之第3被覆部33c被覆第1積層體22之外側面22a。因此，第2積層體24之第3被覆部33c超過中間層23之外側面23b被覆至第1積層體22之外側面22a，且對於第1積層體22之外側面22a固定。由此，可抑制第2積層體24自中間層23之外側面23b中靠近基板11之部分剝落。 又，於法布立-培若干涉濾光器1中，基板11具有於自與第1表面11a垂直之方向觀察之情形時位於較第1積層體22之外緣更靠外側之外緣部11c，且第2積層體24被覆外緣部11c。因此，藉由使第2積層體24超過第1積層體22之外緣被覆至基板11之外緣部11c，而將第1積層體22對於基板11側固定。由此，可抑制第1積層體22自基板11側剝落。 又，於法布立-培若干涉濾光器1中，第1積層體22之外側面22a以於與第1表面11a垂直之方向上越靠近基板11，則於與第1表面11a平行之方向上越遠離空隙S之方式彎曲。因此，第2積層體24之第3被覆部33c相對於第1積層體22之外側面22a更牢固地固定。由此，可抑制第2積層體24自中間層23之外側面23b中靠近基板11之部分剝落。 又，法布立-培若干涉濾光器1進而具備配置於基板11中與第1表面11a對向之第2表面11b之第3積層體42。因此，可減少因基板11之第1表面11a側與第2表面11b側之間之層構成之不一致導致之應力，因此，可進一步抑制中間層23中之應力之集中。 其次，一面參照圖7～圖12，一面對法布立-培若干涉濾光器1之製造方法之一例進行說明。但是，於圖7、圖10～圖12中，簡化第1積層體22之外側面22a、中間層23之外側面23b、及第2積層體24之第3被覆部33c之圖示。首先，如圖7(a)所示，準備包含複數個與基板11對應之部分R之晶圓10，於晶圓10之與基板11對應之每一部分R形成具有第1反射鏡部31之第1積層體22(第1步驟)。晶圓10例如為矽晶圓。於晶圓10中，部分R例如以相互鄰接之方式呈格子狀配置。於部分R彼此之交界上設定有切割線L。 於第1步驟中，首先，於部分R之第1表面11a上形成抗反射層21，與此同時，於部分R之第2表面11b上形成抗反射層41。繼而，於抗反射層21上依序積層構成第1積層體22之多晶矽層25a、氮化矽層26a、多晶矽層25b、氮化矽層26b及多晶矽層25c。與該第1積層體22之積層同時，於抗反射層41上積層構成第3積層體42之多晶矽層及氮化矽層。於第1積層體22之積層時，遍及第1表面11a上積層多晶矽層25及氮化矽層26之後，藉由蝕刻而將多晶矽層25及氮化矽層26中之自與第1表面11a垂直之方向觀察之情形時位於外緣部11c上的部分去除。又，與第1積層體22之積層同時藉由雜質摻雜而使多晶矽層25b、25c局部地低電阻化，而形成第1電極12及第2電極13。繼而，藉由蝕刻而形成溝槽18。 繼而，如圖7(b)所示，於每一部分R形成具有與空隙S對應之去除預定部50之中間層23(第2步驟)。於第2步驟中，首先，以藉由中間層23而覆蓋第1積層體22之方式遍及部分R之第1表面11a上而形成中間層23。與該中間層23之形成同時，於第3積層體42上形成中間層43。繼而，藉由蝕刻而將中間層23中之自與第1表面11a垂直之方向觀察之情形時位於外緣部11c上的部分去除。於該蝕刻時，將抗反射層21中之自與第1表面11a垂直之方向觀察之情形時位於外緣部11c上的部分去除。又，於該蝕刻時，於與圖4之第1端子15、第1被覆部33a及第1內底部35a、以及圖5之第2端子16、第2被覆部33b及第2內底部35b對應之部分形成空隙。 進而，於該蝕刻時，第1內側面23d、第2內側面23e及外側面23b設為彎曲之形狀。更具體而言，第1內側面23d設為以於與第1表面11a垂直之方向上越靠近基板11，則於與第1表面11a平行之方向上越靠近第1端子15之方式向與第1端子15為相反側呈凹狀彎曲之形狀。又，第2內側面23e設為以於與第1表面11a垂直之方向上越靠近基板11，則於與第1表面11a平行之方向上越靠近第2端子16之方式向與第2端子16為相反側呈凹狀彎曲之形狀。又，外側面23b設為以於與第1表面11a垂直之方向上越靠近基板11，則於與第1表面11a平行之方向上越遠離空隙S之方式向空隙S側呈凹狀彎曲之形狀。 對用以將第1內側面23d、第2內側面23e及外側面23b設為如上所述之呈凹狀彎曲之形狀之製造方法之一例進行說明。首先，如圖8(a)所示，遍及中間層23上塗佈抗蝕劑M。其次，如圖8(b)所示，藉由抗蝕劑圖案化而將與應去除之中間層23之區域對應之區域之抗蝕劑M去除。其次，如圖9(a)所示，藉由蝕刻(濕式蝕刻)而將中間層23去除。此時，將中間層23去除至被抗蝕劑M覆蓋之部分，而成為呈凹狀彎曲之形狀。再者，一面重複成膜及蝕刻一面階段性地形成抗反射層21及第1積層體22，並以中間層23之外側面23b連續地(平滑地)連接於第1積層體22之外側面22a之方式實施中間層23之蝕刻。藉此，如圖6所示，中間層23之外側面23b、第1積層體22之外側面22a及抗反射層21之側面21a成為連續地彎曲之形狀。其次，如圖9(b)所示，藉由將殘留於中間層23上之抗蝕劑M剝離，可獲得上述之形狀之第1內側面23d、第2內側面23e及外側面23b。 繼而，如圖10(a)、圖10(b)及圖11(a)所示，於每一部分R形成第2積層體24(第3步驟)，該第2積層體24具有：第2反射鏡部32，其形成有複數個貫通孔24b；第1被覆部33a、第2被覆部33b及第3被覆部33c，其等被覆中間層23；周緣部34，其沿著外緣部11c之外緣被薄化；及第1內底部35a及第2內底部35b。 於第3步驟中，首先，於中間層23上依序積層構成第2積層體24之多晶矽層27a、氮化矽層28a、多晶矽層27b、氮化矽層28b及多晶矽層27c。更具體而言，如圖10(a)所示，以藉由第2積層體24而覆蓋中間層23之表面23a、外側面23b、第1內側面23d及第2內側面23e、第1積層體22之外側面22a以及抗反射層21之側面21a之方式遍及部分R之第1表面11a上而積層第2積層體24。另一方面，與第2積層體24之積層同時於中間層43上積層構成第4積層體44之多晶矽層及氮化矽層。繼而，如圖10(b)所示，藉由蝕刻而將除多晶矽層27a以外之多晶矽層27及氮化矽層28中之與薄化部34b對應之部分去除，藉此形成沿著外緣部11c之外緣被薄化之周緣部34。又，與第2積層體24之積層同時藉由雜質摻雜而使多晶矽層27a局部地低電阻化，而形成第3電極14。繼而，形成第1端子15及第2端子16。 繼而，如圖11(a)所示，藉由對第2積層體24局部地進行蝕刻而形成自第2反射鏡部32之表面24a至去除預定部50之貫通孔24b。繼而，於第4積層體44上形成遮光層45。繼而，藉由蝕刻而將第3積層體42、中間層43、第4積層體44及遮光層45中之於自垂直之方向觀察之情形時與薄化部34b重疊之部分去除，藉此使第3積層體42、中間層43及第4積層體44沿著外緣部11c之外緣薄化。又，於該蝕刻時，於第3積層體42、中間層43、第4積層體44及遮光層45形成開口40a。繼而，於遮光層45之表面及開口40a之內表面形成保護層46。 繼而，如圖11(b)所示，經由貫通孔24b藉由蝕刻而將去除預定部50去除，藉此於每一部分R形成位於第1反射鏡部31與第2反射鏡部32之間之空隙S(第4步驟)。於第4步驟中，藉由經由貫通孔24b之氣相蝕刻而將去除預定部50去除。於該氣相蝕刻中例如使用氫氟酸氣體。 繼而，如圖12所示，於切割線L沿著外緣部11c之外緣將晶圓10切斷而獲得法布立-培若干涉濾光器1(第5步驟)。於第5步驟中，例如藉由來自第1表面11a側之雷射光之照射而沿著外緣部11c之外緣於晶圓10之內部形成改質區域，並藉由使龜裂自改質區域於晶圓10之厚度方向伸展而沿著外緣部11c之外緣將晶圓10切斷。 以上，對本發明之一實施形態進行了說明，但本發明並不限定於上述實施形態。例如，於各構成之材料及形狀中，並不限定於上述材料及形狀，可採用各種材料及形狀。 又，抗反射層21亦可形成於較第1積層體22之外緣更靠外側之區域。例如，抗反射層21亦可於與第2積層體24之周緣部34對應之部分(即，位於外緣部11c上之部分)亦未被去除而形成。於此情形時，抗反射層21之外緣與基板11之外緣亦可相互一致。 又，基板11亦可不具有外緣部11c。例如，於自與第1表面11a垂直之方向觀察之情形時，第1積層體22之外側面22a亦可與基板11之外緣一致。又，於自與第1表面11a垂直之方向觀察之情形時，抗反射層21之側面21a亦可與基板11之外緣一致。 又，周緣部34亦可不具有薄化部34b。亦即，周緣部34亦能以遍及該周緣部34之整體而成為固定之厚度之方式形成。 又，第2積層體24亦可不具有周緣部34。亦即，第2積層體24亦可不位於第1表面11a上。 又，第1電極12亦可不作為第1反射鏡部31之一部分形成。第1電極12亦可未藉由於多晶矽層25c摻雜雜質使之低電阻化而形成。例如，第1電極12可形成於第1積層體22中之除第1反射鏡部31以外之區域，於此情形時，第1電極12亦可藉由鋁等金屬而構成。 又，第2電極13亦可不作為第1反射鏡部31之一部分而形成。第2電極13亦可未藉由於多晶矽層25c摻雜雜質使之低電阻化而形成。例如，第2電極13可形成於第1積層體22中之除第1反射鏡部31以外之區域，於此情形時，第2電極13亦可由鋁等金屬構成。 又，第3電極14亦可不作為第2反射鏡部32之一部分形成。第3電極14亦可未藉由於多晶矽層27a摻雜雜質使之低電阻化而形成。例如，第3電極14可形成於第2積層體24中之除第2反射鏡部32以外之區域，於此情形時，第3電極14亦可由鋁等金屬構成。 又，第2內側面23e亦可未以中間層23之基板11側之緣部23i較中間層23之與基板11為相反側之緣部23h於與第1表面11a平行的方向上位於更靠第2端子16側之方式彎曲。 又，第1內側面23d、第2內側面23e或外側面23b亦可未呈凹狀彎曲。又，第2積層體24亦可未具有第1內底部35a或第2內底部35b，且亦可未被覆第1內側面23d或第2內側面23e。 又，於第2步驟中，作為用以使第1內側面23d、第2內側面23e及外側面23b為呈凹狀彎曲之形狀之製造方法並不限定於上述者，亦可採用以下製造方法。首先，如圖13(a)所示，遍及中間層23上而塗佈抗蝕劑M。其次，如圖13(b)所示，相對於抗蝕劑M使用3D遮罩進行曝光、顯影。藉此，將與應去除之中間層23之區域對應之區域之抗蝕劑M去除，並且抗蝕劑M之側面成為呈凹狀彎曲之形狀。其次，如圖14(a)所示，藉由乾式蝕刻而將中間層23去除。藉此，抗蝕劑M之側面之呈凹狀彎曲之形狀被轉印至第1內側面23d、第2內側面23e及外側面23b，而成為呈凹狀彎曲之形狀。其次，如圖14(b)所示，藉由將殘留於中間層23上之抗蝕劑M剝離而可獲得上述之形狀之第1內側面23d、第2內側面23e及外側面23b。 或者，於第2步驟中，作為用以使第1內側面23d、第2內側面23e及外側面23b為呈凹狀彎曲之形狀之製造方法，亦可採用以下製造方法。首先，如圖15(a)所示，遍及中間層23上塗佈抗蝕劑M。其次，如圖15(b)所示，對抗蝕劑M進行光微影術，將與應去除之中間層23之區域對應之區域之抗蝕劑M去除，並且使抗蝕劑M之側面為呈凹狀彎曲之形狀。再者，於進行該光微影術之步驟中，能夠藉由調整抗蝕劑M之條件(例如材料等)、及光微影術之條件(例如，曝光條件、顯影條件、烘烤條件等)而使抗蝕劑M之側面為呈凹狀彎曲之形狀。其次，如圖16(a)所示，藉由乾式蝕刻而將中間層23去除。藉此，抗蝕劑M之側面之呈凹狀彎曲之形狀被轉印至第1內側面23d、第2內側面23e及外側面23b，而成為呈凹狀彎曲之形狀。其次，如圖16(b)所示，藉由將殘留於中間層23上之抗蝕劑M剝離而可獲得上述之形狀之第1內側面23d、第2內側面23e及外側面23b。 又，第1內側面23d亦可向第1端子15側呈凸狀彎曲。換言之，於第1內側面23d中，第1內側面23d相對於第1表面11a之角度亦可於與第1表面11a垂直之方向上越靠近基板11則越大。於此情形時，於第1內側面23d中之與第1積層體22為相反側之角部，其剖面之外形成為鈍角狀。由此，作用於第1內側面23d中之與第1積層體22為相反側之角部之應力進一步分散，藉此，可進一步抑制於該角部產生裂痕等損傷。 又，第2內側面23e亦可向第2端子16側呈凸狀彎曲。換言之，於第2內側面23e中，第2內側面23e相對於第1表面11a之角度亦可於與第1表面11a垂直之方向上越靠近基板11則越大。於此情形時，於第2內側面23e中之與第1積層體22為相反側之角部，其剖面之外形成為鈍角狀。由此，作用於第2內側面23e中之與第1積層體22為相反側之角部之應力進一步分散，藉此可進一步抑制於該角部產生裂痕等損傷。 又，外側面23b亦可向與空隙S為相反側呈凸狀彎曲。換言之，於外側面23b中，外側面23b相對於第1表面11a之角度亦可於與第1表面11a垂直之方向上越靠近基板11則越大。於此情形，於外側面23b中之與第1積層體22為相反側之角部，其剖面之外形成為鈍角狀。由此，作用於外側面23b中之與第1積層體22為相反側之角部之應力進一步分散，藉此可進一步抑制於該角部產生裂痕等損傷。 於此情形之第2步驟中，對用以使第1內側面23d、第2內側面23e及外側面23b為如上述般呈凸狀彎曲之形狀之製造方法之一例進行了說明。首先，如圖17(a)所示，遍及中間層23上而塗佈抗蝕劑M。其次，如圖17(b)所示，藉由抗蝕劑圖案化而將與應去除之中間層23之區域對應之區域之抗蝕劑M去除。其次，如圖18(a)所示，將抗蝕劑M固化。藉此，使抗蝕劑M之側面為呈凸狀彎曲之形狀。其次，如圖18(b)所示，藉由乾式蝕刻而將中間層23去除。藉此，中間層23被去除至被抗蝕劑M覆蓋之部分附近，並且抗蝕劑M之側面之呈凸狀彎曲之形狀被轉印至第1內側面23d、第2內側面23e及外側面23b，而成為呈凸狀彎曲之形狀。其次，如圖18(c)所示，藉由將殘留於中間層23上之抗蝕劑M剝離，可獲得上述之形狀之第1內側面23d、第2內側面23e及外側面23b。 或者，於第2步驟中，作為用以使第1內側面23d、第2內側面23e及外側面23b為呈凸狀彎曲之形狀之製造方法，亦可採用以下製造方法。首先，如圖19(a)所示，遍及中間層23上塗佈抗蝕劑M。其次，如圖19(b)所示，相對於抗蝕劑M使用3D遮罩進行曝光、顯影。藉此，將與應去除之中間層23之區域對應之區域之抗蝕劑M去除，並且抗蝕劑M之側面成為呈凸狀彎曲之形狀。其次，如圖20(a)所示，藉由乾式蝕刻而將中間層23去除。藉此，中間層23被去除至被抗蝕劑M覆蓋之部分，並且抗蝕劑M之側面之呈凸狀彎曲之形狀被轉印至第1內側面23d、第2內側面23e及外側面23b，而成為呈凸狀彎曲之形狀。其次，如圖20(b)所示，藉由將殘留於中間層23上之抗蝕劑M剝離而可獲得上述之形狀之第1內側面23d、第2內側面23e及外側面23b。 又，如圖21～圖24所示，抗反射層21之外緣與第1積層體22之外緣亦可不相互一致。又，第1積層體22之外側面22a亦可並非由連續之面而由斷續之面構成。例如，抗反射層21之側面21a亦可較第1積層體22之外側面22a位於更靠內側(光透過區域1a側)。於此情形時，第2積層體24之多晶矽層27a之一部分進入至由抗反射層21之側面21a、第1積層體22中之基板11側之表面22c、及基板11之第1表面11a形成之槽內。藉此，可抑制第2積層體24被剝落。 又，如圖21及圖22所示，第1積層體22之多晶矽層25c之外緣亦可覆蓋構成第1積層體22之各層中之除多晶矽層25c以外之層的外側面之至少一部分。 又，如圖21及圖22所示，構成第1積層體22之各層中之除多晶矽層25c以外之層之外緣亦可呈斷續之形狀(例如，階梯狀)。例如，多晶矽層25b之外緣與氮化矽層26b之外緣亦可不相互一致。更具體而言，多晶矽層25b之外側面亦可較氮化矽層26b之外側面位於更靠外側(與光透過區域1a為相反側)。藉此，第2積層體24之第3被覆部33c與第1積層體22之外側面22a之接著面積增大，因此，可抑制第2積層體24被剝落。 再者，如圖21所示，構成第1積層體22之各層中之除多晶矽層25c以外之層之外側面、及抗反射層21之側面21a亦可呈平面狀，且以於與第1表面11a垂直之方向上越靠近基板11，則於與第1表面11a平行之方向上越遠離光透過區域1a之方式傾斜。 或者，如圖22所示，構成第1積層體22之各層中之除多晶矽層25c以外之層之外側面、及抗反射層21之側面21a亦可呈平面狀且與第1表面11a大致正交。 又，如圖23及圖24所示，於第1積層體22中，多晶矽層25c之外緣亦可較氮化矽層26b之外緣位於更靠內側。於此情形時，第2積層體24之第3被覆部33c與第1積層體22之外側面22a之接著面積亦增大，因此，亦可抑制第2積層體24被剝落。 又，第1積層體22之外側面22a亦可向空隙S側呈凹狀彎曲。換言之，於外側面22a中，外側面22a相對於第1表面11a之角度亦可於與第1表面11a垂直之方向上越靠近基板11則越小。或者，外側面22a亦可未彎曲而呈平面狀。
1‧‧‧法布立-培若干涉濾光器
1a‧‧‧光透過區域
10‧‧‧晶圓
11‧‧‧基板
11a‧‧‧第1表面
11b‧‧‧第2表面
11c‧‧‧外緣部
12‧‧‧第1電極
12a‧‧‧配線
13‧‧‧第2電極
13a‧‧‧配線
14‧‧‧第3電極
14a‧‧‧配線
15‧‧‧第1端子
16‧‧‧第2端子
18‧‧‧溝槽
19‧‧‧溝槽
20‧‧‧溝槽
21‧‧‧抗反射層
21a‧‧‧抗反射層之側面
22‧‧‧第1積層體(第1層)
22a‧‧‧外側面
22b‧‧‧第1積層體之表面
22c‧‧‧表面
23‧‧‧中間層
23a‧‧‧中間層之表面
23b‧‧‧外側面
23c‧‧‧槽部
23d‧‧‧第1內側面
23e‧‧‧第2內側面
23f‧‧‧緣部
23g‧‧‧緣部
23h‧‧‧緣部
23i‧‧‧緣部
23j、23k‧‧‧緣部
24‧‧‧第2積層體(第2層)
24a‧‧‧表面
24b‧‧‧貫通孔
24c‧‧‧槽部
25‧‧‧多晶矽層
25a‧‧‧多晶矽層
25b‧‧‧多晶矽層
25c‧‧‧多晶矽層
25d‧‧‧槽部
26‧‧‧氮化矽層
26a‧‧‧氮化矽層
26b‧‧‧氮化矽層
27‧‧‧多晶矽層
27a‧‧‧多晶矽層
27b‧‧‧多晶矽層
27c‧‧‧多晶矽層
28‧‧‧氮化矽層
28a‧‧‧氮化矽層
28b‧‧‧氮化矽層
31‧‧‧第1反射鏡部
32‧‧‧第2反射鏡部
33a‧‧‧第1被覆部
33b‧‧‧第2被覆部
33c‧‧‧第3被覆部
34‧‧‧周緣部
34a‧‧‧非薄化部
34b‧‧‧薄化部
34c‧‧‧表面
35a‧‧‧第1內底部
35b‧‧‧第2內底部
40a‧‧‧開口
41‧‧‧抗反射層
42‧‧‧第3積層體(第3層)
43‧‧‧中間層(第3層)
44‧‧‧第4積層體(第3層)
45‧‧‧遮光層
46‧‧‧保護層
50‧‧‧去除預定部
M‧‧‧抗蝕劑
R‧‧‧部分
S‧‧‧空隙
1a‧‧‧光透過區域
10‧‧‧晶圓
11‧‧‧基板
11a‧‧‧第1表面
11b‧‧‧第2表面
11c‧‧‧外緣部
12‧‧‧第1電極
12a‧‧‧配線
13‧‧‧第2電極
13a‧‧‧配線
14‧‧‧第3電極
14a‧‧‧配線
15‧‧‧第1端子
16‧‧‧第2端子
18‧‧‧溝槽
19‧‧‧溝槽
20‧‧‧溝槽
21‧‧‧抗反射層
21a‧‧‧抗反射層之側面
22‧‧‧第1積層體(第1層)
22a‧‧‧外側面
22b‧‧‧第1積層體之表面
22c‧‧‧表面
23‧‧‧中間層
23a‧‧‧中間層之表面
23b‧‧‧外側面
23c‧‧‧槽部
23d‧‧‧第1內側面
23e‧‧‧第2內側面
23f‧‧‧緣部
23g‧‧‧緣部
23h‧‧‧緣部
23i‧‧‧緣部
23j、23k‧‧‧緣部
24‧‧‧第2積層體(第2層)
24a‧‧‧表面
24b‧‧‧貫通孔
24c‧‧‧槽部
25‧‧‧多晶矽層
25a‧‧‧多晶矽層
25b‧‧‧多晶矽層
25c‧‧‧多晶矽層
25d‧‧‧槽部
26‧‧‧氮化矽層
26a‧‧‧氮化矽層
26b‧‧‧氮化矽層
27‧‧‧多晶矽層
27a‧‧‧多晶矽層
27b‧‧‧多晶矽層
27c‧‧‧多晶矽層
28‧‧‧氮化矽層
28a‧‧‧氮化矽層
28b‧‧‧氮化矽層
31‧‧‧第1反射鏡部
32‧‧‧第2反射鏡部
33a‧‧‧第1被覆部
33b‧‧‧第2被覆部
33c‧‧‧第3被覆部
34‧‧‧周緣部
34a‧‧‧非薄化部
34b‧‧‧薄化部
34c‧‧‧表面
35a‧‧‧第1內底部
35b‧‧‧第2內底部
40a‧‧‧開口
41‧‧‧抗反射層
42‧‧‧第3積層體(第3層)
43‧‧‧中間層(第3層)
44‧‧‧第4積層體(第3層)
45‧‧‧遮光層
46‧‧‧保護層
50‧‧‧去除預定部
M‧‧‧抗蝕劑
R‧‧‧部分
S‧‧‧空隙
圖1係本發明之一實施形態之法布立-培若干涉濾光器之俯視圖。 圖2係圖1之法布立-培若干涉濾光器之仰視圖。 圖3係沿著圖1之III-III線之法布立-培若干涉濾光器之剖視圖。 圖4係圖1之法布立-培若干涉濾光器之第1端子部分之放大剖視圖。 圖5係圖1之法布立-培若干涉濾光器之第2端子部分之放大剖視圖。 圖6係圖1之法布立-培若干涉濾光器之外緣部分之放大剖視圖。 圖7(a)、(b)係用以說明圖1之法布立-培若干涉濾光器之製造方法之圖。 圖8(a)、(b)係用以說明圖1之法布立-培若干涉濾光器之製造方法之圖。 圖9(a)、(b)係用以說明圖1之法布立-培若干涉濾光器之製造方法之圖。 圖10(a)、(b)係用以說明圖1之法布立-培若干涉濾光器之製造方法之圖。 圖11(a)、(b)係用以說明圖1之法布立-培若干涉濾光器之製造方法之圖。 圖12係用以說明圖1之法布立-培若干涉濾光器之製造方法之圖。 圖13(a)、(b)係用以說明變化例之法布立-培若干涉濾光器之製造方法之圖。 圖14(a)、(b)係用以說明變化例之法布立-培若干涉濾光器之製造方法之圖。 圖15(a)、(b)係用以說明變化例之法布立-培若干涉濾光器之製造方法之圖。 圖16(a)、(b)係用以說明變化例之法布立-培若干涉濾光器之製造方法之圖。 圖17(a)、(b)係用以說明變化例之法布立-培若干涉濾光器之製造方法之圖。 圖18(a)～(c)係用以說明變化例之法布立-培若干涉濾光器之製造方法之圖。 圖19(a)、(b)係用以說明變化例之法布立-培若干涉濾光器之製造方法之圖。 圖20(a)、(b)係用以說明變化例之法布立-培若干涉濾光器之製造方法之圖。 圖21係變化例之法布立-培若干涉濾光器之外緣部分之放大剖視圖。 圖22係變化例之法布立-培若干涉濾光器之外緣部分之放大剖視圖。 圖23係變化例之法布立-培若干涉濾光器之外緣部分之放大剖視圖。 圖24係變化例之法布立-培若干涉濾光器之外緣部分之放大剖視圖。
1‧‧‧法布立-培若干涉濾光器
1a‧‧‧光透過區域
11‧‧‧基板
11a‧‧‧第1表面
11b‧‧‧第2表面
11c‧‧‧外緣部
12‧‧‧第1電極
13‧‧‧第2電極
14‧‧‧第3電極
18‧‧‧溝槽
21‧‧‧抗反射層
21a‧‧‧抗反射層之側面
22‧‧‧第1積層體(第1層)
22a‧‧‧外側面
22b‧‧‧第1積層體之表面
23‧‧‧中間層
23a‧‧‧中間層之表面
23b‧‧‧外側面
23j‧‧‧緣部
23k‧‧‧緣部
24‧‧‧第2積層體(第2層)
24a‧‧‧表面
24b‧‧‧貫通孔
25‧‧‧多晶矽層
25a‧‧‧多晶矽層
25b‧‧‧多晶矽層
25c‧‧‧多晶矽層
26‧‧‧氮化矽層
26a‧‧‧氮化矽層
26b‧‧‧氮化矽層
27‧‧‧多晶矽層
27a‧‧‧多晶矽層
27b‧‧‧多晶矽層
27c‧‧‧多晶矽層
28‧‧‧氮化矽層
28a‧‧‧氮化矽層
28b‧‧‧氮化矽層
31‧‧‧第1反射鏡部
32‧‧‧第2反射鏡部
33c‧‧‧第3被覆部
34‧‧‧周緣部
34a‧‧‧非薄化部
34b‧‧‧薄化部
34c‧‧‧表面
40a‧‧‧開口
41‧‧‧抗反射層
42‧‧‧第3積層體(第3層)
43‧‧‧中間層(第3層)
44‧‧‧第4積層體(第3層)
45‧‧‧遮光層
46‧‧‧保護層
S‧‧‧空隙
Claims (7)
- 一種法布立-培若干涉濾光器，其包括： 基板，其具有第1表面； 第1層，其具有配置於上述第1表面之第1反射鏡部； 第2層，其具有於相對於上述第1反射鏡部而與上述基板為相反側介隔空隙而與上述第1反射鏡部對向之第2反射鏡部；及 中間層，其於上述第1層與上述第2層之間劃定上述空隙；且 上述中間層之外側面以上述中間層之上述基板側之緣部較上述中間層之與上述基板為相反側之緣部於與上述第1表面平行的方向上位於更靠外側之方式彎曲，且 上述第2層被覆上述中間層之上述外側面。
- 如請求項1之法布立-培若干涉濾光器，其中上述中間層之上述外側面以上述中間層之上述基板側之緣部較上述中間層之與上述基板為相反側之緣部於與上述第1表面平行的方向上位於更靠外側之方式，向上述空隙側呈凹狀彎曲。
- 如請求項1或2之法布立-培若干涉濾光器，其中上述中間層之外側面以於與上述第1表面垂直之方向上越靠近上述基板則於與上述第1表面平行的方向上越遠離上述空隙之方式彎曲。
- 如請求項1至3中任一項之法布立-培若干涉濾光器，其中 上述第1層之外側面較上述中間層之上述外側面於與上述第1表面平行的方向上位於更靠外側，且 上述第2層被覆上述第1層之上述外側面。
- 如請求項4之法布立-培若干涉濾光器，其中 上述基板具有於自與上述第1表面垂直之方向觀察之情形時位於較上述第1層之外緣更靠外側之外緣部，且 上述第2層被覆上述外緣部。
- 如請求項4或5之法布立-培若干涉濾光器，其中上述第1層之上述外側面以於與上述第1表面垂直之方向上越靠近上述基板則於與上述第1表面平行的方向上越遠離上述空隙之方式彎曲。
- 如請求項1至6中任一項之法布立-培若干涉濾光器，其進而具備配置於上述基板中與上述第1表面對向之第2表面之第3層。
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