KR102443360B1 - 연삭 휠 및 피가공물의 연삭 방법 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 20
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 12
- 239000004575 stone Substances 0.000 claims description 5
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/34—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies not provided for in groups H01L21/0405, H01L21/0445, H01L21/06, H01L21/16 and H01L21/18 with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/46—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/428
- H01L21/461—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/428 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
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Abstract
피가공물을 보다 평탄하게 연삭할 수 있는 연삭 휠을 제공한다.
판형의 피가공물(11)을 연삭하기 위한 연삭 휠(1)로서, 연삭 시에 피가공물에 대면하는 제1 면(3a)을 갖는 원반형의 휠 베이스(3)와, 휠 베이스의 제1 면에 환형으로 배열되는 복수의 연삭 지석(5)을 구비하고, 휠 베이스의 둘레 방향에 있어서 인접하는 2개의 연삭 지석은, 휠 베이스의 직경 방향에 있어서 상이한 위치에 배치되어 있다.
판형의 피가공물(11)을 연삭하기 위한 연삭 휠(1)로서, 연삭 시에 피가공물에 대면하는 제1 면(3a)을 갖는 원반형의 휠 베이스(3)와, 휠 베이스의 제1 면에 환형으로 배열되는 복수의 연삭 지석(5)을 구비하고, 휠 베이스의 둘레 방향에 있어서 인접하는 2개의 연삭 지석은, 휠 베이스의 직경 방향에 있어서 상이한 위치에 배치되어 있다.
Description
본 발명은 판형의 피가공물을 연삭할 때에 이용되는 연삭 휠 및 그 연삭 휠을 이용한 피가공물의 연삭 방법에 관한 것이다.
LED(Light Emitting Diode) 등의 광 디바이스를 포함하는 디바이스 칩을 제조할 때에는, 기계적·열적 특성 및 화학적 안정성이 우수한 사파이어 기판을 사용하는 것이 일반적이다. 사파이어 기판은, 예컨대, 표면의 분할 예정 라인(스트리트)으로 구획되는 각 영역에 광 디바이스가 되는 발광층 등이 형성된 후에, 분할 예정 라인을 따라 레이저 광선이 조사되어, 분할의 기점이 되는 개질층이 형성된다.
개질층이 형성된 사파이어 기판은, 예컨대, 이면측이 연삭되어 박화되고, 또한, 연삭 시의 응력 등에 의해, 각 광 디바이스에 대응하는 복수의 디바이스 칩으로 분할된다. 분할 후의 디바이스 칩은, 휴대 전화기를 비롯한 전자 기기나, 각종 조명 기구 등에 삽입된다.
전술한 사파이어 기판의 연삭은, 예컨대, 회전축이 되는 스핀들의 선단부에 연삭 휠이 장착된 연삭 장치를 이용하여 실시된다(예컨대, 특허문헌 1, 2 참조). 연삭 휠은, 원반형의 휠 베이스를 구비하고 있고, 휠 베이스의 하면측에는, 연삭용의 복수의 지석(연삭 지석)이 환형으로 배열되어 있다.
그런데, 전술한 연삭 휠을 이용하면, 사파이어 기판의 둘레 가장자리 영역보다 중앙 영역에서 연삭량이 많아져, 평탄성이 저하하기 쉽다. 본 발명은 이러한 문제점을 감안하여 이루어진 것으로, 그 목적으로 하는 바는, 피가공물을 보다 평탄하게 연삭할 수 있는 연삭 휠 및 이 연삭 휠을 이용한 피가공물의 연삭 방법을 제공하는 것이다.
본 발명에 따르면, 판형의 피가공물을 연삭하기 위한 연삭 휠로서, 연삭 시에 피가공물에 대면하는 제1 면을 갖는 원반형의 휠 베이스와, 상기 휠 베이스의 상기 제1 면에 환형으로 배열되는 복수의 연삭 지석을 구비하고, 상기 휠 베이스의 둘레 방향에 있어서 인접하는 2개의 상기 연삭 지석은, 상기 휠 베이스의 직경 방향에 있어서 상이한 위치에 배치되는 것을 특징으로 하는 연삭 휠이 제공된다.
본 발명에 따른 연삭 휠에 있어서, 상기 복수의 연삭 지석은, 연삭 시에 형성되는 임의의 상기 연삭 지석의 궤적의 일부와, 다른 어느 하나의 상기 연삭 지석의 궤적의 일부가 중첩되도록 배열되는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명에 따르면, 상기 연삭 휠을 장착한 연삭 수단과, 피가공물을 유지하는 척 테이블을 구비하는 연삭 장치를 이용하여 피가공물을 연삭하는 피가공물의 연삭 방법으로서, 상기 휠 베이스의 직경 방향에 있어서 가장 외측에 배치되어 있는 연삭 지석의 궤적이, 상기 피가공물의 중심을 통과하도록 상기 연삭 휠과 피가공물의 위치를 맞추어 연삭을 실시하는 것을 특징으로 하는 피가공물의 연삭 방법이 제공된다.
본 발명에 따른 피가공물의 연삭 방법에 있어서, 피가공물은, 사파이어 기판또는 SiC 기판이어도 좋다.
본 발명에 따른 연삭 휠에서는, 휠 베이스의 둘레 방향에 있어서 인접하는 2개의 연삭 지석이 휠 베이스의 직경 방향에 있어서 상이한 위치에 배치되어 있기 때문에, 둘레 방향에 인접하는 2개의 연삭 지석이 직경 방향의 동일한 위치(즉, 동일한 원주 상)에 배치되어 있는 종래의 연삭 휠과 비교하여, 피가공물과 연삭 지석이 접촉하는 영역을 분산할 수 있다. 따라서, 중앙 영역의 연삭량을 저감하여, 피가공물을 보다 평탄하게 연삭할 수 있다.
도 1은 연삭 장치의 구성예를 모식적으로 나타내는 사시도이다.
도 2는 연삭 휠의 구조를 모식적으로 나타내는 사시도이다.
도 3은 연삭 휠의 구조를 모식적으로 나타내는 평면도이다.
도 4는 피가공물이 연삭되는 모습을 모식적으로 나타내는 측면도이다.
도 5는 연삭 시의 피가공물과 지석의 위치 관계의 예를 모식적으로 나타내는 도면이다.
도 6은 실험의 결과를 나타내는 그래프이다.
도 7은 변형예에 따른 연삭 휠의 구조를 모식적으로 나타내는 평면도이다.
도 2는 연삭 휠의 구조를 모식적으로 나타내는 사시도이다.
도 3은 연삭 휠의 구조를 모식적으로 나타내는 평면도이다.
도 4는 피가공물이 연삭되는 모습을 모식적으로 나타내는 측면도이다.
도 5는 연삭 시의 피가공물과 지석의 위치 관계의 예를 모식적으로 나타내는 도면이다.
도 6은 실험의 결과를 나타내는 그래프이다.
도 7은 변형예에 따른 연삭 휠의 구조를 모식적으로 나타내는 평면도이다.
첨부 도면을 참조하여, 본 발명의 실시형태에 대해서 설명한다. 처음에, 본 실시형태에 따른 연삭 휠이 사용되는 연삭 장치의 구성예에 대해서 설명한다. 도 1은 연삭 장치의 구성예를 모식적으로 나타내는 사시도이다. 도 1에 나타내는 바와 같이, 본 실시형태의 연삭 장치(2)는, 각 구조가 탑재되는 직육면체형의 베이스(4)를 구비하고 있다. 베이스(4)의 후단에는, 지지벽(6)이 세워져 있다.
베이스(4)의 상면에는, X축 방향(전후 방향)으로 긴 직사각형의 개구(4a)가 형성되어 있다. 이 개구(4a) 내에는, X축 이동 테이블(8), X축 이동 테이블(8)을 X축 방향으로 이동시키는 X축 이동 기구(도시하지 않음) 및 X축 이동 기구를 덮는 방진 방적 커버(10)가 배치되어 있다. 또한, 개구(4a)의 전방에는, 연삭 조건 등을 입력하기 위한 조작 패널(12)이 설치되어 있다.
X축 이동 기구는, X축 방향으로 평행한 한쌍의 X축 가이드 레일(도시하지 않음)을 구비하고 있고, X축 가이드 레일에는, X축 이동 테이블(8)이 슬라이드 가능하게 부착되어 있다. X축 이동 테이블(8)의 하면측에는, 너트부(도시하지 않음)가 마련되어 있고, 이 너트부에는, X축 가이드 레일과 평행한 X축 볼 나사(도시하지 않음)가 나사 결합되어 있다.
X축 볼 나사의 일단부에는, X축 펄스 모터(도시하지 않음)가 연결되어 있다. X축 펄스 모터로 X축 볼 나사를 회전시킴으로써, X축 이동 테이블(8)은 X축 가이드 레일을 따라 X축 방향으로 이동한다.
X축 이동 테이블(8) 상에는, 판형의 피가공물(11)(도 4, 도 5 참조)을 흡인, 유지하는 척 테이블(14)이 마련되어 있다. 척 테이블(14)은, 모터 등의 회전 구동원(도시하지 않음)에 연결되어 있고, Z축 방향(수직 방향)으로 대략 평행한 회전축의 둘레로 회전한다. 또한, 척 테이블(14)은, 전술한 X축 이동 기구에 의해, X축 이동 테이블(8)과 함께 X축 방향으로 이동한다.
척 테이블(14)의 상면은, 피가공물(11)을 흡인, 유지하는 유지면(14a)으로 되어 있다. 이 유지면(14a)은, 척 테이블(14)의 내부에 형성된 유로(도시하지 않음) 등을 통하여 흡인원(도시하지 않음)에 접속되어 있다. 척 테이블(14)에 실린 피가공물(11)은, 유지면(14a)에 작용하는 흡인원의 부압으로 척 테이블(14)에 흡인, 유지된다.
지지벽(6)의 전방면에는, Z축 이동 기구(16)가 마련되어 있다. Z축 이동 기구(16)는, Z축 방향으로 평행한 한쌍의 Z축 가이드 레일(18)을 구비하고 있고, 이 Z축 가이드 레일(18)에는, Z축 이동 플레이트(20)가 슬라이드 가능하게 부착되어 있다.
Z축 이동 플레이트(20)의 후방면측(이면측)에는, 너트부(도시하지 않음)가 마련되어 있고, 이 너트부에는, Z축 가이드 레일(18)에 평행한 Z축 볼 나사(22)가 나사 결합되어 있다. Z축 볼 나사(22)의 일단부에는, Z축 펄스 모터(24)가 연결되어 있다. Z축 펄스 모터(24)로 Z축 볼 나사(22)를 회전시킴으로써, Z축 이동 플레이트(20)는 Z축 가이드 레일(18)을 따라 Z축 방향으로 이동한다.
Z축 이동 플레이트(20)의 전방면(표면)에는, 전방으로 돌출한 지지 구조(26)가 마련되어 있고, 이 지지 구조(26)에는, 피가공물(11)을 연삭하는 연삭 유닛(연삭 수단)(28)이 지지되어 있다. 연삭 유닛(28)은, 지지 구조(26)에 고정된 스핀들 하우징(30)을 포함한다. 스핀들 하우징(30)에는, 회전축이 되는 스핀들(32)이 회전 가능하게 수용되어 있다.
스핀들(32)의 하단부(선단부)는, 스핀들 하우징(30)으로부터 노출되어 있다. 이 스핀들(32)의 하단부에는, 원반형의 휠 마운트(34)가 고정되어 있다. 휠 마운트(34)의 하면에는, 휠 마운트(34)와 대략 동직경으로 구성된 원반형의 연삭 휠(1)이 볼트 등으로 장착되어 있다.
스핀들(32)의 상단측(기단측)에는, 모터 등의 회전 구동원(도시하지 않음)이 연결되어 있다. 연삭 휠(1)은, 이 회전 구동원으로부터 전달되는 회전력에 의해, Z축 방향으로 대략 평행한 회전축의 둘레로 회전한다. 척 테이블(14)과 연삭 휠(1)을 상대적으로 회전시키면서, 연삭 휠(1)을 하강시켜, 순수 등의 연삭액을 공급하면서 피가공물(11)에 접촉시킴으로써, 피가공물(11)을 연삭할 수 있다.
도 2는 본 실시형태에 따른 연삭 휠(1)의 구조를 모식적으로 나타내는 사시도이고, 도 3은 연삭 휠(1)의 구조를 모식적으로 나타내는 평면도(저면도)이다. 도 2 및 도 3에 나타내는 바와 같이, 본 실시형태에 따른 연삭 휠(1)은, 스테인레스, 알루미늄 등으로 이루어지는 원반형(원환형)의 휠 베이스(3)를 구비하고 있다.
휠 베이스(3)는, 대략 평탄 또한 서로 평행한 제1 면(3a)과 제2 면(3b)을 가지고, 그 중앙부에는, 휠 베이스(3)를 제1 면(3a)으로부터 제2 면(3b)까지 관통하는 원형의 개구(3c)가 형성되어 있다. 이 휠 베이스(3)의 제2 면(3b)을 연삭 장치(2)의 휠 마운트(34)에 접촉시킴으로써, 연삭 장치(2)에 연삭 휠(1)을 장착할 수 있다. 한편, 피가공물(11)을 연삭할 때에는, 휠 베이스(3)의 제1 면(3a)이 피가공물(11)에 대면한다.
휠 베이스(3)의 제1 면(3a)에는, 복수의 지석(지석 부재)(5)이 환형으로 배열되어 있다. 각 지석(5)은, 예컨대, 금속, 세라믹스, 수지 등의 결합재(본드재)에, 다이아몬드, CBN(Cubic Boron Nitride) 등의 지립을 혼합하여 직육면체형으로 형성되어 있다.
또한, 결합재나 지립에 제한은 없고, 피가공물(11)의 종류 등에 따라 적절하게 선택, 변경할 수 있다. 또한, 휠 베이스(3)에 배열되는 지석(5)의 수량도, 휠 베이스(3)나 피가공물(11)의 크기 등에 맞추어 적절하게 설정할 수 있다.
도 3에 나타내는 바와 같이, 휠 베이스(3)의 둘레 방향(θ 방향)에 있어서 인접하는 임의의 2개의 지석(5)은, 휠 베이스(3)의 직경 방향(r 방향)에 있어서 상이한 위치에 배치되어 있다. 바꾸어 말하면, 인접하는 임의의 2개의 지석(5)은, 휠 베이스(3)의 회전축(3d) 상의 점을 중심으로 하여, 반경이 상이한 동심원 상에 배치되어 있다.
지석(5)을 이와 같이 배치함으로써, 연삭 시에 피가공물(11)과 지석(5)이 접촉하는 영역을 분산시킬 수 있다. 즉, 지석(5)으로부터 피가공물(11)에의 응력은, 피가공물(11)의 특정 영역(예컨대, 중앙 영역)에 집중하기 어려워진다. 이에 의해, 특정 영역(중앙 영역)의 연삭량을 저감하여, 피가공물(11)을 보다 평탄하게 연삭할 수 있다.
또한, 이 복수의 지석(5)은, 연삭 시에 형성되는 임의의 지석(5)의 궤적의 일부와, 다른 어느 하나의 지석(5)의 궤적의 일부가 중첩되도록 배열되어 있다. 즉, 모든 지석(5)의 궤적이 일체가 되기 때문에, 어떤 지석(5)의 궤적과, 나머지 지석(5)의 궤적 사이에 간극이 생기는 일은 없다.
구체적으로는, 도 3에 나타내는 바와 같이, 직경 방향(r 방향)에 있어서 가장 외측에 위치하는 지석(5a)의 궤적의 내측의 일부가, 직경 방향에 있어서 내측에 위치하는 지석(5b)의 궤적의 외측의 일부와 중첩되어 있다. 또한, 지석(5b)의 궤적의 내측의 일부가, 보다 내측에 위치하는 지석(5c)의 궤적의 외측의 일부와 중첩되어 있다. 마찬가지로, 지석(5c)의 궤적의 내측의 일부가, 내측에 위치하는 지석(5d)의 궤적의 외측의 일부와 중첩되어 있다.
또한, 지석(5d)의 궤적의 내측의 일부가, 내측에 위치하는 지석(5e)의 궤적의 외측의 일부와 중첩되어 있다. 또한, 지석(5e)의 궤적의 내측의 일부가, 직경 방향(8b)에서 가장 내측에 위치하는 지석(5f)의 궤적의 외측의 일부와 중첩되어 있다. 그리고, 그 결과, 모든 지석(5a, 5b, 5c, 5d, 5e, 5f)의 궤적이 일체가 되어 있다.
즉, 어떤 지석(5)의 궤적의 내측의 일부와, 이 지석(5)보다 직경 방향에 있어서 내측에 위치하는 지석(5)의 궤적의 외측의 일부가 중첩되어 있다. 또는, 어떤 지석(5)의 궤적의 외측의 일부와, 이 지석(5)보다 직경 방향에 있어서 외측에 위치하는 지석(5)의 궤적의 내측의 일부가 중첩되어 있다. 복수의 지석(5)을 이와 같이 배열함으로써, 어떤 지석(5)의 궤적과 별도의 지석(5)의 궤적의 간극에서 피가공물(11)의 연삭량이 감소하는 일은 없다. 이에 의해, 피가공물(11)의 전체면을 보다 평탄하게 연삭할 수 있다.
다음에, 전술한 연삭 휠(1)을 이용한 피가공물의 연삭 방법에 대해서 설명한다. 도 4는 피가공물(11)이 연삭되는 모습을 모식적으로 나타내는 측면도이며, 도 5는 연삭 시의 피가공물(11)과 지석(5)의 위치 관계의 예를 모식적으로 나타내는 도면이다. 또한, 본 실시형태에서는, 피가공물(11)로서, 사파이어 기판 또는 SiC 기판을 이용하지만, 다른 반도체 웨이퍼나 수지 기판, 세라믹스 기판 등을 피가공물(11)로서 이용할 수도 있다.
피가공물(11)의 제1 면(11a)측을 연삭하는 경우에는, 도 4에 나타내는 바와 같이, 예컨대, 피가공물(11)의 제2 면(11b)을 척 테이블(14)의 유지면(14a)에 접촉시켜, 흡인원의 부압을 작용시킨다. 이에 의해, 피가공물(11)은, 제1 면(11a)측이 상방에 노출된 상태로 척 테이블(14)에 흡인, 유지된다.
다음에, 척 테이블(14)을 연삭 휠(1)의 하방으로 이동시킨다. 그리고, 도 4에 나타내는 바와 같이, 척 테이블(14)과 연삭 휠(1)을 각각 회전시켜, 순수 등의 연삭액을 공급하면서 연삭 유닛(28)을 하강시킨다. 연삭 유닛(28)의 하강량(이송 속도)은, 피가공물(11)의 제1 면(11a)에 지석(5)의 하면이 압박될 정도로 조정된다. 이에 의해, 피가공물(11)의 제1 면(11a)측을 연삭할 수 있다.
이 연삭은, 도 5에 나타내는 바와 같이, 휠 베이스(3)의 직경 방향(r 방향)에 있어서 가장 외측에 위치하는 지석(5a)의 궤적(5g)이, 피가공물(11)의 중심(11c)을 통과하도록, 연삭 휠(1)과 피가공물(11)[척 테이블(14)]의 위치를 조정한 상태로 수행된다. 이에 의해, 피가공물(11)의 제1 면(11a)을 적절하게 연삭할 수 있다.
다음에, 본 실시형태에 따른 연삭 휠(1)의 효과를 확인하기 위해 행한 실험에 대해서 설명한다. 이 실험에서는, 전술한 연삭 휠(1)(실시예)과, 둘레 방향에 인접하는 2개의 지석이 직경 방향의 동일한 위치(즉, 동일한 원주 상)에 배치되어 있는 종래의 연삭 휠(비교예)을 이용하여 동일한 조건에서 사파이어 기판을 연삭하고, 연삭 후의 피연삭면의 높이(높이 프로파일)를 측정하였다.
구체적으로는, 직경이 4인치로 두께가 650 ㎛인 사파이어 기판을, 100 ㎛의 두께가 될 때까지 연삭하였다. 스핀들(32)(연삭 휠)의 회전수는 1000 rpm, 척 테이블(14)의 회전수는 300 rpm, 연삭 유닛(28)(연삭 휠)의 하강량(이송 속도)은 0.2 ㎛/s로 각각 설정하였다.
도 6은 실험의 결과를 나타내는 그래프이다. 도 6에 나타내는 바와 같이, 종래의 연삭 휠(비교예)에서는, 사파이어 기판의 중앙 영역(예컨대, 측정 위치가 40 ㎜∼60 ㎜인 영역)이 오목형으로 연삭되어 있지만, 본 실시형태의 연삭 휠(1)(실시예)에서는, 대략 평탄하게 연삭되어 있다.
이상과 같이, 본 실시형태에 따른 연삭 휠(1)에서는, 휠 베이스(3)의 둘레 방향(θ 방향)에 있어서 인접하는 2개의 지석(연삭 지석)(5)이 휠 베이스(3)의 직경 방향(r 방향)에 있어서 상이한 위치에 배치되어 있기 때문에, 둘레 방향에 인접하는 2개의 지석이 직경 방향의 동일한 위치(즉, 동일한 원주 상)에 배치되어 있는 종래의 연삭 휠과 비교하여, 피가공물(11)과 지석(5)이 접촉하는 영역을 분산시킬 수 있다. 따라서, 중앙 영역의 연삭량을 저감하여, 피가공물(11)을 보다 평탄하게 연삭할 수 있다.
또한, 본 발명은, 상기 실시형태의 기재에 제한되지 않고 여러 가지 변경하여 실시 가능하다. 예컨대, 지석(5)의 배열 등은, 발명의 효과를 얻을 수 있는 양태로 임의로 변경할 수 있다. 도 7은 변형예에 따른 연삭 휠의 구조를 모식적으로 나타내는 평면도(저면도)이다.
변형예에 따른 연삭 휠(21)의 기본적인 구조는, 상기 실시형태에 따른 연삭 휠(1)의 구조와 동일하다. 즉, 연삭 휠(21)은, 도 7에 나타내는 바와 같이, 원반형(원환형)의 휠 베이스(3)를 구비하고 있다. 휠 베이스(3)의 제1 면(3a)에는, 복수의 지석(지석 부재)(5)이 환형으로 배열되어 있다.
이 변형예에 따른 연삭 휠(21)에서도, 휠 베이스(3)의 둘레 방향(θ 방향)에 있어서 인접하는 임의의 2개의 지석(5)은, 휠 베이스(3)의 직경 방향(r 방향)에 있어서 상이한 위치에 배치되어 있다. 또한, 복수의 지석(5)은, 연삭 시에 형성되는 임의의 지석(5)의 궤적의 일부와, 다른 어느 하나의 지석(5)의 궤적의 일부가 중첩되도록 배열되어 있다.
따라서, 이 변형예에 따른 연삭 휠(21)에서도, 상기 실시형태의 연삭 휠(1)과 동일한 효과를 얻을 수 있다. 그 외에, 상기 실시형태에 따른 구조, 방법 등은, 본 발명의 목적의 범위를 일탈하지 않는 한에 있어서 적절하게 변경하여 실시할 수 있다.
1, 21 연삭 휠 3 휠 베이스
3a 제1 면 3b 제2 면
3c 개구 3d 회전축
5, 5a, 5b, 5c, 5d, 5e, 5f 지석(연삭 지석)
5g 궤적 2 연삭 장치
4 베이스 4a 개구
6 지지벽 8 X축 이동 테이블
10 방진 방적 커버 12 조작 패널
14 척 테이블 14a 유지면
16 Z축 이동 기구 18 Z축 가이드 레일
20 Z축 이동 플레이트 22 Z축 볼 나사
24 Z축 펄스 모터 26 지지 구조
28 연삭 유닛(연삭 수단) 30 스핀들 하우징
32 스핀들 34 휠 마운트
11 피가공물 11a 제1 면
11b 제2 면 11c 중심
3a 제1 면 3b 제2 면
3c 개구 3d 회전축
5, 5a, 5b, 5c, 5d, 5e, 5f 지석(연삭 지석)
5g 궤적 2 연삭 장치
4 베이스 4a 개구
6 지지벽 8 X축 이동 테이블
10 방진 방적 커버 12 조작 패널
14 척 테이블 14a 유지면
16 Z축 이동 기구 18 Z축 가이드 레일
20 Z축 이동 플레이트 22 Z축 볼 나사
24 Z축 펄스 모터 26 지지 구조
28 연삭 유닛(연삭 수단) 30 스핀들 하우징
32 스핀들 34 휠 마운트
11 피가공물 11a 제1 면
11b 제2 면 11c 중심
Claims (4)
- 사파이어 기판, SiC 기판, 반도체 웨이퍼, 수지 기판 또는 세라믹스 기판인 판형의 피가공물을 연삭하기 위한 연삭 휠로서,
연삭 시에 피가공물에 대면하는 제1 면을 갖는 원반형의 휠 베이스와,
상기 휠 베이스의 상기 제1 면에 환형으로 배열되는 복수의 연삭 지석을 구비하고,
상기 휠 베이스의 둘레 방향에 있어서 인접하는 2개의 상기 연삭 지석은, 상기 휠 베이스의 직경 방향에 있어서 상이한 위치에 배치되고,
상기 복수의 연삭 지석은, 연삭 시에 형성되는 임의의 상기 연삭 지석의 궤적의 일부와, 다른 어느 하나의 상기 연삭 지석의 궤적의 일부가 중첩되고, 또한 모든 상기 연삭 지석의 궤적이 일체가 되도록 배열되고,
상기 복수의 연삭 지석은, 상기 휠 베이스의 직경 방향의 외측으로부터 내측을 향하여 순서대로 배열된 복수의 제1 연삭 지석과, 상기 휠 베이스의 직경 방향의 외측으로부터 내측을 향하여 순서대로 배열된 복수의 제2 연삭 지석을 포함하며,
상기 휠 베이스의 직경 방향의 가장 내측에 배치되어 있는 상기 제2 연삭 지석은, 상기 휠 베이스의 직경 방향의 가장 외측에 배치되어 있는 상기 제1 연삭 지석 옆에, 상기 제1 연삭 지석보다 상기 휠 베이스의 직경 방향의 내측에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 연삭 휠. - 제1항에 기재된 연삭 휠을 장착한 연삭 수단과, 피가공물을 유지하는 척 테이블을 구비하는 연삭 장치를 이용하여 피가공물을 연삭하는 피가공물의 연삭 방법으로서,
상기 휠 베이스의 직경 방향에 있어서 가장 외측에 배치되어 있는 연삭 지석의 궤적이 상기 피가공물의 중심을 통과하도록 상기 연삭 휠과 피가공물의 위치를 맞추어 연삭을 실시하는 것을 특징으로 하는 피가공물의 연삭 방법. - 제2항에 있어서, 상기 피가공물은, 사파이어 기판 또는 SiC 기판인 것을 특징으로 하는 피가공물의 연삭 방법.
- 삭제
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015174807A JP6707278B2 (ja) | 2015-09-04 | 2015-09-04 | 研削ホイール及び被加工物の研削方法 |
JPJP-P-2015-174807 | 2015-09-04 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20170028833A KR20170028833A (ko) | 2017-03-14 |
KR102443360B1 true KR102443360B1 (ko) | 2022-09-14 |
Family
ID=58278498
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020160103643A KR102443360B1 (ko) | 2015-09-04 | 2016-08-16 | 연삭 휠 및 피가공물의 연삭 방법 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6707278B2 (ko) |
KR (1) | KR102443360B1 (ko) |
CN (1) | CN106505012B (ko) |
TW (1) | TWI710427B (ko) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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- 2016-08-03 TW TW105124645A patent/TWI710427B/zh active
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KR20170028833A (ko) | 2017-03-14 |
CN106505012B (zh) | 2022-03-11 |
CN106505012A (zh) | 2017-03-15 |
JP6707278B2 (ja) | 2020-06-10 |
TW201710028A (zh) | 2017-03-16 |
TWI710427B (zh) | 2020-11-21 |
JP2017047520A (ja) | 2017-03-09 |
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---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
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E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
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