KR102407710B1

KR102407710B1 - 사출 성형 시스템 및 사출 성형 방법

Info

Publication number: KR102407710B1
Application number: KR1020200124149A
Authority: KR
Inventors: 량-후이 예; 칭-하오 첸
Original assignee: 킹 스틸 머쉬너리 씨오., 엘티디.
Priority date: 2019-10-15
Filing date: 2020-09-24
Publication date: 2022-06-10
Also published as: CN112659447A; KR20210045309A; TWI808348B; TWM607982U; TW202118614A; CN215320143U; EP3808527A1; JP2021062610A; JP7036390B2; US20220097270A1; US11267175B2; EP3808527B1; US20210107192A1; US11628606B2; CN112659447B

Abstract

사출 성형 시스템 및 사출 성형 방법의 제공한다. 본 발명의 사출 성형 시스템은, 혼합물을 생성하도록 구성된 압출 시스템과, 상기 압출 시스템과 연통 가능하며, 토출구를 포함하는 복수의 토출 채널과, 상기 토출구로부터 상기 혼합물을 수취하도록 구성되며, 공간과, 상기 토출구에 대응하여 걸어맞춤 가능한 복수의 공급 포트를 포함하는 성형 장치를 포함하고, 본 발명의 사출 성형 방법은, 혼합물을 생성하도록 구성된 압출 시스템과, 제1 토출구를 포함하는 제1 토출 채널과, 제2 토출구를 포함하는 제2 토출 채널과, 성형 장치를 제공하고, 상기 성형 장치가 공간과, 상기 공간과 연통 가능하며 상기 제1 토출구 및 제2 토출구와 각각 걸어맞춤 가능한 제1 공급 포트와 제2 공급 포트를 포함하는 공정과, 상기 제1 토출구와 상기 제1 공급 포트를 걸어맞춤시키는 공정과, 상기 제2 토출구와 상기 제2 공급 포트를 걸어맞춤시키는 공정과, 상기 제1 토출구와 상기 제1 공급 포트를 개재하여 상기 혼합물을 사출하는 공정과, 상기 제2 토출구와 상기 제2 공급 포트를 개재하여 상기 혼합물을 사출하는 공정을 포함한다.

Description

사출 성형 시스템 및 사출 성형 방법{INJECTION MOLDING SYSTEM AND INJECTION MOLDING METHOD}

(관련 출원의 상호 참조)

본 출원은, 2019년 10월 15일 출원된 미국 가특허출원 제62/915,287호와, 2019년 12월 19일 출원된 미국 가특허출원 제62/950,454호와, 2020년 4월 23일 출원된 미국 특허출원 제16/857,092호에 대한 우선권을 주장하는 것이며, 상기 (가)특허출원의 개시를 참조에 의해 본 명세서에 원용한다.

본 발명은 사출 성형 시스템 및 사출 성형 방법에 관한 것으로, 특히, 발포 성형품을 제조하기 위한 사출 성형 시스템 및 사출 성형 방법에 관한 것이다.

발포 고분자 재료에는, 높은 강도, 가벼움, 내충격성, 단열성 등, 많은 이점이 있다. 발포 성형품은 사출 성형 또는 압출 성형으로 제조할 수 있다. 예를 들어, 고분자 재료를 용해하고, 발포제와 혼합하여 혼합물을 형성한 후, 이 혼합물에 힘 또는 압력이 가해지고, 혼합물이 금형의 캐비티에 사출 또는 압출되며, 혼합물이 캐비티 내에서 발포 및 냉각되어 발포 성형품이 형성된다.

그렇지만, 발포 성형품의 서로 다른 부분이 서로 다른 성질을 갖는 등, 사출 성형 시스템에 의해 만들어지는 발포 성형품의 성질을 개선할 필요가 있다. 이 때문에, 사출 성형 시스템의 구조와 발포 성형품의 제조 방법을 개선할 필요가 있다.

본 발명의 주된 목적은, 사출 성형 시스템 및 사출 성형 방법을 제공하는 것에 있다.

본 발명의 일 실시태양에 의하면, 사출 성형 시스템이 개시된다. 본 발명의 사출 성형 시스템은, 압출 시스템과, 복수의 토출 채널과, 성형 장치를 포함한다. 상기 압출 시스템은 고분자 재료와 발포제의 혼합물을 생성하도록 구성된다. 상기 각 토출 채널은 상기 압출 시스템과 연통 가능하며, 각 토출 채널이 상기 압출 시스템으로부터 이격하여 배치된 토출구를 포함하고, 상기 혼합물을 토출하도록 구성된다. 상기 성형 장치는 상기 토출구로부터 상기 혼합물을 수취하도록 구성된다. 상기 성형 장치가, 중공(中空) 공간과, 상기 중공 공간과 연통 가능하며, 상기 토출구에 대응하여 걸어맞춤 가능한 복수의 공급 포트를 포함한다.

본 발명의 일 실시태양에 의하면, 사출 성형 방법이 개시된다. 상기 사출 성형 방법은, 고분자 재료와 발포제의 혼합물을 생성하도록 구성된 압출 시스템과, 제1 토출 채널과, 제2 토출 채널과, 중공 공간, 제1 공급 포트, 제2 공급 포트를 포함하는 성형 장치를 제공하는 공정을 포함하며, 그 중, 상기 제1 토출 채널이 상기 압출 시스템과 연통 가능하며, 상기 압출 시스템으로부터 이격하여 배치된 제1 토출구를 포함하고, 상기 제2 토출 채널이 상기 압출 시스템과 연통 가능하며, 상기 압출 시스템으로부터 이격하여 배치된 제2 토출구를 포함하고, 상기 제1 공급 포트와 상기 제2 공급 포트가 상기 중공 공간과 연통 가능하며, 또 상기 제1 토출구 및 상기 제2 토출구와 각각 걸어맞춤 가능하다. 상기 사출 성형 방법은 또한, 상기 제1 토출구와 상기 제1 공급 포트를 걸어맞춤하는 공정과, 상기 제2 토출구와 상기 제2 공급 포트를 걸어맞춤하는 공정과, 상기 제1 토출구와 상기 제1 공급 포트를 개재하여 제1 분량의 상기 혼합물을 상기 중공 공간 내에 사출하는 공정과, 상기 제2 토출구와 상기 제2 공급 포트를 개재하여 제2 분량의 상기 혼합물을 상기 중공 공간 내에 사출하는 공정을 포함한다.

본 발명의 태양은 첨부 도면과 이하의 상세한 설명으로부터 더 잘 이해될 것이다. 업계에서의 표준적 관행에 따르며, 다양한 특징이 정확한 축척률(縮尺率)이 아닌 것에 주의해야 한다. 실제, 다양한 특징의 치수는, 설명을 명확하게 하기 위해, 임의로 증감되어 있는 일이 있다.

도 1은 본 발명의 일 실시태양에 의한 사출 성형 시스템의 개략도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시태양에 의한 사출 성형 시스템의 성형 장치의 평면 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시태양에 의한 사출 성형 시스템에 의해 성형된 발포 성형품의 평면 단면도이다.
도 4는 도 3의 발포 성형품의 a－a'선에 따른 단면도이다.
도 5는 다양한 구성에서의 사출 성형 시스템의 개략도이다
도 6은 다양한 구성에서의 사출 성형 시스템의 개략도이다
도 7은 다양한 구성에서의 사출 성형 시스템의 개략도이다
도 8은 다양한 구성에서의 사출 성형 시스템의 개략도이다
도 9는 다양한 구성에서의 사출 성형 시스템의 개략도이다
도 10은 다양한 구성에서의 사출 성형 시스템의 개략도이다
도 11a는 다양한 구성에서의 토출 채널의 개략도이다.
도 11b는 다양한 구성에서의 토출 채널의 개략도이다.
도 11c는 다양한 구성에서의 토출 채널의 개략도이다.
도 12는 본 발명의 일 실시태양에 의한 사출 성형 시스템의 개략도이다.
도 13은 본 발명의 일 실시태양에 의한 사출 성형 시스템의 개략도이다.
도 14는 본 발명의 일 실시태양에 의한 도 13의 사출 성형 시스템의 부분 개략도이다.
도 15는 본 발명의 일 실시태양에 의한 도 13의 사출 성형 시스템의 부분 개략도이다.
도 16은 본 발명의 일 실시태양에 의한 사출 성형 시스템의 개략도이다.
도 17은 본 발명의 일 실시태양에 의한 사출 성형 시스템의 부분 평면 단면도이다.
도 18은 본 발명의 일 실시태양에 의한 사출 성형 시스템의 부분 개략 단면도이다.
도 19는 본 발명의 일 실시태양에 의한 사출 성형 시스템의 커버의 개략도이다.
도 20은 본 발명의 일 실시태양에 의한 사출 성형 시스템의 커버의 개략도이다.
도 21은 본 발명의 일 실시태양에 의한 사출 성형 시스템의 개략도이다.
도 22는 본 발명의 일 실시태양에 의한 사출 성형 방법을 나타내는 흐름도이다.
도 23은 본 발명의 일 실시태양에 의한 사출 성형 방법의 예시적인 운용을 나타내는 개략도이다.
도 24는 본 발명의 일 실시태양에 의한 사출 성형 방법의 예시적인 운용을 나타내는 개략도이다.
도 25는 본 발명의 일 실시태양에 의한 사출 성형 방법의 예시적인 운용을 나타내는 개략도이다.
도 26은 본 발명의 일 실시태양에 의한 사출 성형 방법의 예시적인 운용을 나타내는 개략도이다.
도 27은 본 발명의 일 실시태양에 의한 사출 성형 방법의 예시적인 운용을 나타내는 개략도이다.

이하에서, 본 발명의 서로 다른 특징을 나타내기 위해 서로 다른 실시형태 또는 실시예를 개시한다. 본 발명을 간단하고 용이하게 나타내기 위해, 부재와 배치의 구체예를 이하에서 나타낸다. 당연, 그들은 예시적이며, 한정할 의도는 없다. 예를 들어, 이하의 설명에서, 제2 요소 상에서의 제1 요소의 형성에는, 제1 요소와 제2 요소가 직접 접촉한 실시형태를 포함하거나, 제1 요소와 제2 요소 사이에 다른 요소가 포함되어, 제1 요소와 제2 요소가 반드시 직접 접촉하지 않은 실시형태를 포함하거나 하는 일이 있을 수 있다. 또한, 본 발명은 서로 다른 실시예에서 참조 부호(숫자 및(또는) 문자)를 반복 사용하는 일이 있다. 이 반복은 간이성(簡易性)과 명확성을 목적으로 하고 있어, 그 자체가 언급되어 있는 서로 다른 실시예 및(또는) 구성간의 관계를 결정짓는 일은 없다.

또한, 「의 바로 아래(beneath)」, 「의 아래(below)」, 「의 하방(下方)(lower)」, 「의 위(above)」, 「의 상방(上方)(upper)」 공간적 상대어(spatially relative term)는, 도면에 도시되는 하나의 요소 또는 특징과 다른 요소 또는 특징 사이의 관계를 설명하기 위한 기술을 용이하게 하기 위해, 본 명세서에서 사용되는 일이 있다. 공간적 상대어는, 도면에 묘사된 용도 외에 사용 또는 조작에서의 장치의 다양한 용도를 포함하는 것을 의도한다. 장치는 서로 다른 방향을 향하여도(90도 회전되어 있거나, 또는 다른 방향으로 되어 있어도) 되며, 본 명세서에서 사용되는 공간적 상대기술어는 그에 따라 해석되어야 한다.

본 발명의 광범위에서 나타내는 수치적 범위 및 파라미터는 근사치이지만, 구체예에 기재된 수치는 가능한 한 정확하게 보고한다. 단, 어떠한 수치도 그러한 각 시험 측정치에서 보여지는 표준 편차로부터 필연적으로 생기는 특정 오차를 본질적으로 포함한다. 본 명세서에서 사용되는 「약」이라는 용어는, 통상 주어진 값 또는 범위의 10%, 5%, 1% 또는 0.5% 이내를 가리킨다. 또는, 「약」이라는 용어는, 당업자에 의해 검토되었을 때 허용가능한 표본 평균의 표준 오차내를 가리킨다. 운용예/실시예를 제외하고, 또는 그 밖에 명시적으로 기재가 없는 한, 여기에 개시되어 있는 재료의 수량, 시간의 길이, 온도, 동작 조건, 양의 비율 등에 대한 모든 수치적 범위, 수량, 값, 비율은, 모든 경우에서 「약」이라는 용어에 의해 수정된다고 이해되어야 한다. 따라서, 특별히 그렇지 않은 것이 도시되지 않는 한, 본 발명 및 첨부한 특허청구의 범위에 기술되어 있는 수치 파라미터는, 원하는 바에 따라 변동할 수 있다. 마지막으로, 각 수치적 파라미터는, 보고된 유효한 숫자의 수를 고려하여, 또 통상의 개산(槪算) 방법을 적용함으로써 해석되어야 한다. 본 명세서에서 범위는 하나의 종점(終點)으로부터 다른 하나의 종점까지, 또는 2개의 종점의 사이로서 표시된다. 본 명세서에 개시되는 모든 범위는, 별도로 그렇지 않은 취지의 기재가 없는 한, 종점을 포함한다.

도 1에 본 발명의 일 실시태양에 의한 사출 성형 시스템(100)의 개략도를 나타낸다. 상기 사출 성형 시스템(100)은, 압출 시스템(10)과, 복수의 토출 채널(20a, 20b)과, 성형 장치(30)를 포함한다. 상기 압출 시스템(10)은 고분자 재료와 발포제의 혼합물을 생성하도록 구성되며, 상기 혼합물을 상기 토출 채널(20a, 20b) 내에 사출하도록 구성된다. 상기 압출 시스템(10)은 상기 토출 채널(20a, 20b)에 연결되거나, 또는 연접 가능하다. 상기 압출 시스템(10)은, 혼합 배럴(11)과, 사출구(12)를 포함한다. 상기 혼합 배럴(11)은, 상기 고분자 재료를 상기 발포제와 혼합하여 상기 혼합물을 형성하도록 구성되고, 상기 사출구(12)는 상기 혼합물을 압출하도록 구성된다.

일부의 실시태양에서, 상기 혼합물은 고분자 중합체(重合體)와 발포제를 포함한다. 일부의 실시태양에서, 상기 발포제는, 가열 공정중인 동안에 기체를 방출하고, 그에 의해 이 공정 후에 얻어지는 발포 성형품에 기공을 형성하는, 물리 첨가제 또는 화학 첨가제이다. 일부의 실시태양에서, 상기 발포제는 물리 발포제이다. 일부의 실시태양에서, 상기 발포제는 초임계유체(超臨界流體)이다.

일부의 실시태양에서, 상기 혼합 배럴(11)에 모여진 상기 혼합물을 상기 사출구(12)로부터 상기 토출 채널(20a, 20b)로 사출할 수 있다. 일부의 실시태양에서, 하나의 토출 채널(20a)이 하나의 사출구(12)에 대응한다. 상기 혼합물이 하나의 압출 시스템(10) 또는 하나의 사출구(12)로부터 하나의 토출 채널(20a)로 유입된다. 일부의 실시태양에서, 하나의 사출구(12)가 복수의 토출 채널(20a, 20b)에 대응한다. 일부의 실시태양에서, 상기 압출 시스템(10)은 상기 혼합물의 복수의 분량을 생성하도록 구성되며, 그 중, 상기 혼합물의 각 분량이 다른 분량과 서로 다른 물리적 상태 또는 성질을 갖고, 각 토출 채널(20a, 20b)이 서로 다른 분량의 상기 혼합물을 토출하도록 구성된다.

일부의 실시태양에서, 상기 토출 채널(20a, 20b)이 상기 사출구(12)에 연결되거나, 또는 연접 가능하다. 일부의 실시태양에서, 각 토출 채널(20a, 20b)이 상기 사출구(12)에 장착된다. 상기 토출 채널(20a, 20b)의 수량은 상기 혼합물의 성질에 기초하여 조정할 수 있다. 상기 토출 채널(20a, 20b)은 서로 평행하며, 또 서로 인접하여 배치된다. 일부의 실시태양에서, 각 토출 채널(20a, 20b)이 상기 사출구(12)로부터 사출되는 서로 다른 분량의 상기 혼합물을 수용할 수 있다. 상기 토출 채널(20a, 20b)은, 상기 성형 장치(30)에 같은 분량 또는 서로 다른 분량의 상기 혼합물을 토출할 수 있다. 일부의 실시태양에서, 각 토출 채널(20a, 20b)을 서로 다른 온도하에서 운용할 수 있다.

각 토출 채널(20a, 20b)은 상기 사출구(12)로부터 이격(離隔)된 토출구(21)를 구비하고 있다. 일부의 실시태양에서, 상기 토출구(21)는 다른 토출구(21)의 폭 또는 직경과 서로 다른 폭 또는 직경을 가질 수 있고, 그 때문에 상기 토출구(21)가 상기 혼합물의 서로 다른 유량을 가질 수 있다. 일부의 실시태양에서, 상기 토출구(21)가 서로 다른 분량의 상기 혼합물을 토출할 수 있다. 도 1은 명확성과 간이성을 목적으로 하여, 하나의 성형 장치(30)에 대응한 2개의 토출 채널(20a, 20b)을 나타내고 있는데, 이 예는 예시를 목적으로 했을 뿐이며, 실시태양을 한정하는 것을 의도하지 않았다. 당업자라면 임의의 적절한 수량의 토출 채널(20a, 20b)을 이용할 수 있음을 용이하게 이해할 수 있을 것이다. 또한, 상기 토출 채널(20a, 20b)은 적어도 하나의 서로 다른 특징을 갖는 것으로 도시되어 있는데, 이것은 예시를 목적으로 하고 있으며, 실시태양을 한정하는 것을 의도하지 않았다. 상기 토출 채널(20a, 20b)은 원하는 기능을 충족하기 위해 유사한 구조 또는 서로 다른 구조를 가질 수 있다.

상기 토출 채널(20a, 20b)은 동기(同期)하거나, 또는 개별로, 이동, 연신(延伸), 또는 인입될 수 있다. 일부의 실시태양에서, 상기 토출 채널(20a, 20b)의 상기 토출구(21)는 상기 성형 장치(30)에 대해 출입 가능하다.

상기 성형 장치(30)의 수량은 필요에 따라 조정할 수 있다. 일부의 실시태양에서, 하나의 성형 장치(30)가 상기 토출 채널(20a, 20b)에 대응한다. 상기 혼합물을 상기 압출 시스템(10)으로부터 상기 토출 채널(20a, 20b)을 통해 하나의 성형 장치(30)로 유입시킬 수 있다. 또한, 도 1은 명확성과 간이성을 목적으로 하여, 하나의 성형 장치(30)만 나타내고 있지만, 이 예는 예시를 목적으로 한 것일 뿐이며, 실시태양을 한정하는 것을 의도하지 않았다. 당업자라면 임의의 적절한 수량의 성형 장치(30)를 이용할 수 있으며, 그 모든 조합이 실시태양의 범위 내에 포함되는 것이 의도되어 있음을 용이하게 이해할 수 있을 것이다.

일부의 실시태양에서, 상기 토출 채널(20a, 20b)은 이동 가능하다. 일부의 실시태양에서, 상기 토출 채널(20a, 20b)은 수평으로 이동한 후, 상기 성형 장치(30) 중 하나의 상방에서 정지하여, 대응하는 상기 공급 포트(35a, 35b)와 위치를 맞출 수 있다. 위치를 맞춘 후, 상기 토출 채널(20a, 20b)이 상기 성형 장치(30)를 향해 이동하여, 상기 토출 채널(20a, 20b)이 상기 성형 장치(30)에 걸어맞춤된다. 일부의 실시태양에서, 상기 토출 채널(20a, 20b)이 상부 몰드 베이스(34)의 개구(341)와 각각 걸어맞춤된다. 걸어맞춤 후, 상기 혼합물이 상기 토출 채널(20a, 20b)로부터 상기 성형 장치(30) 내로 사출된다. 사출 후, 상기 토출 채널(20a, 20b)이 상기 성형 장치(30)로부터 이탈하고, 그 후 상기 압출 시스템(10)과 상기 토출 채널(20a, 20b)이 다음의 상기 성형 장치(30)를 향해 이동할 수 있다.

상기 성형 장치(30)는, 상부 몰드 베이스(34)와, 상기 상부 몰드 베이스(34)의 하방(下方)에 설치된 금형을 포함한다. 일부의 실시태양에서, 상기 금형이, 상기 상부 몰드 베이스(34)의 하방에 있는 상형(上型)(32)과, 상기 상형(32)에 상대하는 하형(下型)(33)과, 상기 상형(32)과 상기 하형(33)에 의해 정의되는 중공(中空) 공간(31)을 포함한다.

일부의 실시태양에서, 상기 중공 공간(31)이 상기 상형(32)과 상기 하형(33)에 의해 정의된다. 일부의 실시태양에서, 상기 상형(32)과 상기 하형(33)이 상호 보완하고, 또 상호 분리 가능하다. 상기 하형(33)은 하형 캐비티를 포함하고, 상기 상형(32)은 상기 하형 캐비티에 상대하는 상형 캐비티를 포함한다. 일부의 실시태양에서, 상기 중공 공간(31)이 상기 상형 캐비티와 상기 하형 캐비티에 의해 형성된다. 도 1은 명확성과 간이성을 목적으로 하여, 하나의 상기 중공 공간(31)을 포함하는 하나의 금형을 나타내고 있는데, 이 예는 예시를 목적으로 했을 뿐이며, 실시태양을 한정하는 것을 의도하지 않았다. 당업자라면 하나의 금형이 복수의 중공 공간(31)을 포함할 수 있음을 용이하게 이해할 수 있을 것이다. 예를 들어, 하나의 금형이, 하나의 상형(32)과 하나의 하형(33)에 의해 정의되는 2개의 중공 공간(31)을 포함할 수 있다.

일부의 실시태양에서, 상기 성형 장치(30) 내에 상기 토출 채널(20a, 20b)에 대응하는 복수의 공급 포트(35a, 35b)가 배치된다. 일부의 실시태양에서, 상기 공급 포트(35a, 35b)가 상기 상형(32) 또는 상기 하형(33)의 상방에 배치되고, 상기 중공 공간(31), 상기 상형 캐비티 또는 상기 하형 캐비티에 연통 가능하다. 도 1은 명확성과 간이성을 목적으로 하여, 2개의 상기 공급 포트(35a, 35b)가 하나의 금형에 포함되는 것을 나타내고 있는데, 이 예는 예시를 목적으로 했을 뿐이며, 실시태양을 한정하는 것을 의도하지 않았다. 당업자라면 하나의 금형이 하나 이상의 중공 공간(31)에 연통 가능한 하나 이상의 공급 포트(35)를 포함할 수 있음을 용이하게 이해할 수 있을 것이다.

상기 공급 포트(35)는 상기 토출구(21)에 결합하도록 구성된다. 일부의 실시태양에서, 복수의 상기 공급 포트(35a, 35b)가 상기 성형 장치(30) 내에 배치되고, 대응하는 상기 토출구(21)에 결합하도록 구성된다. 일부의 실시태양에서, 상기 토출 채널(20a, 20b)이 상기 상부 몰드 베이스(34)에 수취된다. 각 토출 채널(20a, 20b)이 상기 상부 몰드 베이스(34)에 의해 적어도 일부 둘러싸이고, 상기 토출구(21)가 상기 공급 포트(35a, 35b)에 결합된다. 상기 토출 채널(20a, 20b)로부터 상기 토출구(21)와 상기 공급 포트(35a, 35b)를 통해 상기 중공 공간(31)에 상기 혼합물을 수송할 수 있다. 일부의 실시태양에서, 상기 공급 포트(35a, 35b)가 서로 다른 폭 또는 직경을 가질 수 있다. 일부의 실시태양에서, 상기 혼합물이 상기 중공 공간(31)에 사출되고, 그 후 상기 중공 공간(31) 내에서 일정 시간 후 발포 성형품이 형성된다.

일부의 실시태양에서, 상기 상부 몰드 베이스(34)가 대응하는 상기 토출 채널(20a, 20b)을 수취하도록 구성된 개구(341)를 포함한다. 각 개구(341)가 상기 상부 몰드 베이스(34)를 관통하여 연신된다. 상기 상부 몰드 베이스(34)는, 나사, 체결구(fastener) 등의 고정 수단에 의해, 상기 상형(32) 상에 탑재할 수 있다. 일부의 실시태양에서, 상기 상부 몰드 베이스(34)의 재료가 상기 상형(32)의 재료와 같다. 일부의 실시태양에서, 상기 상부 몰드 베이스(34)의 폭이 상기 상형(32) 또는 상기 하형(33)의 폭보다 크다. 일부의 실시태양에서, 상기 개구(341)의 수량은 상기 토출 채널(20a, 20b)의 수량에 대응한다.

일부의 실시태양에서, 각 상기 토출 채널(20a, 20b)의 길이(L)가, 상기 상부 몰드 베이스(34)의 두께(H), 상기 성형 장치(30)를 보유지지하는 형체력(型締力; mold clamping force), 상기 성형 장치(30)를 제조하기 위한 재료의 성질, 상기 혼합물의 분량의 유동성, 상기 혼합물의 분량의 온도 등의 요인에 관련한다. 일부의 실시태양에서, 상기 상부 몰드 베이스(34)의 두께(H)는, 상기 토출 채널(20a, 20b)의 길이(L)보다 작다.

상기 혼합물의 유동성과 온도를 소정 범위 내에 유지하기 위해, 일부의 실시태양에서, 상기 토출 채널(20a, 20b)의 길이(L)는 상기 상부 몰드 베이스(34)의 두께(H)보다 크기는 하지만, 가능한 한 단축된다.

일부의 실시태양에서, 상기 사출 성형 시스템(100)은 또한 제어 시스템(60)을 포함한다. 상기 제어 시스템(60)은 상기 압출 시스템(10), 상기 토출 채널(20a, 20b), 상기 성형 장치(30)를 제어하도록 구성된다. 일부의 실시태양에서, 상기 제어 시스템(60)은 상기 압출 시스템(10), 상기 토출 채널(20), 상기 성형 장치(30)를 실시간으로 자동적으로 제어한다.

일부의 실시태양에서, 상기 제어 시스템(60)이 중앙 처리 장치(61)와, 상기 중앙 처리 장치(61)와 전기적으로 접속되거나, 또는 통신 가능한 복수의 센서(62)를 포함한다. 일부의 실시태양에서, 상기 센서(62)가 상기 사출 성형 시스템(100)의 도처에 배치되어, 적어도 하나의 처리 조건(예: 상기 토출 채널(20a, 20b)을 통과하는 상기 혼합물의 유량(流量) 또는 점성, 상기 토출 채널(20a, 20b)로부터 토출되는 상기 혼합물의 분량, 상기 중공 공간(31) 내의 압력 등)을 상기 사출 성형 시스템(100)의 소정의 위치에서 검출하도록 구성된다. 예를 들어, 적어도 하나의 센서(62)가 각 상기 토출구(21)에 설치되어, 각 상기 토출구(21)에서 상기 처리 조건을 검출한다. 일부의 실시태양에서, 상기 센서(62)가 상기 처리 조건을 검출하고, 또한 분석을 위해 검출된 상기 처리 조건에 기초하여 신호 또는 데이터를 상기 중앙 처리 장치(61)에 송신하도록 구성된다.

일부의 실시태양에서, 상기 제어 시스템(60)이, 상기 압출 시스템(10)의 혼합 조건과 상기 토출 채널(20a, 20b)의 압출의 분량과 타이밍을 조정하도록 구성된다. 상기 토출구(21)에서의 상기 혼합물의 유량은 조정 가능하다. 일부의 실시태양에서, 상기 토출구(21)에서의 상기 혼합물의 유량은 자동적으로 조정된다. 일부의 실시태양에서, 상기 토출구(21)에서의 상기 혼합물의 유량은, 상기 중공 공간(31) 내의 압력, 상기 성형 장치(30) 내에서의 상기 혼합물의 밀도 등의 파라미터에 기초하여 조정할 수 있다.

일부의 실시태양에서, 하나 이상의 돌출부(36)가 상기 중공 공간(31)에 결합되고, 또 상기 중공 공간(31)의 내벽에 배치되며, 상기 중공 공간(31) 내에서 형성되는 상기 발포 성형품이 상기 돌출부(36)에 대응하는 홈을 가질 수 있다. 상기 돌출부(36)의 수량은 필요에 따라 조정할 수 있다. 일부의 실시태양에서, 하나 이상의 홈이 상기 중공 공간(31)의 내벽에 배치되고, 상기 중공 공간(31) 내에서 형성되는 상기 발포 성형품이 상기 홈에 대응하는 돌출부를 가질 수 있다. 상기 홈 또는 돌출부(36)의 수량은 필요에 따라 조정할 수 있다. 상기 돌출부(36) 및(또는) 홈의 수량과 위치는 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 상기 돌출부(36) 또는 홈은 상기 중공 공간(31)의 내부 측벽에 배치되며, 또 서로 분리된다. 그렇지만, 본 발명은 그들에 한정되지 않는다.

일부의 실시태양에서, 상기 돌출부(36) 또는 홈이 상기 상형(32)의 내부 상벽 또는 상기 내부 측벽에 배치된다. 일부의 실시태양에서, 상기 공급 포트(35a, 35b)와 상기 돌출부(36) 또는 홈이 상기 중공 공간(31)의 반대의 위치에 배치된다. 한정이 아니라 일 예로서, 상기 공급 포트(35a, 35b)가 상기 상형(32)의 상기 내부 상벽에 배치되고, 상기 돌출부(36) 또는 홈이 상기 하형(33)의 상기 내부 저벽(底壁)에 배치된다. 일부의 실시태양에서, 상기 공급 포트(35a, 35b)가 상기 상형(32)의 상기 내부 상벽에 배치되고, 상기 돌출부(36) 또는 홈이 상기 하형(33)의 상기 내부 측벽에 배치된다. 일부의 실시태양에서, 상기 공급 포트(35a, 35b)가 상기 상형(32)의 상기 내부 측벽에 배치되고, 상기 돌출부(36) 또는 홈이 상기 하형(33)의 상기 내부 측벽의 상기 공급 포트(35a, 35b)와는 반대의 위치에 배치된다. 일부의 실시태양에서, 상기 공급 포트(35a, 35b)는 상기 돌출부(36) 또는 홈으로부터 이격된다.

도 2는 상기 성형 장치(30)의 평면 단면도이다. 일부의 실시태양에서, 도 2에 나타낸 바와 같이, 상기 돌출부(36) 또는 홈은 상면으로부터 볼 때 상기 중공 공간(31)에 걸쳐서 연신된다. 각 상기 공급 포트(35a, 35b)의 위치와 폭은, 상기 중공 공간(31) 내에서의 그 위치나, 상기 돌출부(36)의 두께, 크기, 형상 등, 상기 돌출부(36)의 구성에 기초하여 조정할 수 있다. 각 상기 공급 포트(35a, 35b)의 위치와 폭은, 금형의 캐비티의 구조 설계, 홈의 위치, 상기 발포 성형품의 물리적 성질 등에 기초하여, 조정할 수 있다.

도 3은 본 발명의 일 실시태양에 의한 사출 성형 시스템에 의해 성형된 발포 성형품의 평면도이다. 일부의 실시태양에서, 도 3에 나타낸 바와 같이, 상기 발포 성형품(80)의 서로 다른 부분이, 밀도, 두께, 유연성, 강도 등, 동일 또는 서로 다른 성질 혹은 구성을 가질 수 있다. 차이는 작은 경우가 있다. 일부의 실시태양에서, 상기 발포 성형품(80)은 웨어러블 디바이스(wearable device)로 할 수 있다. 일부의 실시태양에서, 상기 발포 성형품(80)은 사용자의 조건 또는 요구에 기초하여 커스터마이즈(customize)된다.

일부의 실시태양에서, 그에 의해 얻어지는 상기 발포 성형품(80)은, 서로 다른 성질의 부분을 가질 수 있다. 일부의 실시태양에서, 상기 혼합물은 2개의 상기 토출 채널(20a, 20b)을 통해 상기 성형 장치(30) 내에 사출되고, 그에 의해 형성되는 상기 발포 성형품(80)은, 제1 부분(81)과 제2 부분(82)을 포함한다. 상기 제1 부분(81)은, 하나의 토출 채널(20a)로부터 사출되는 상기 혼합물에 의해 형성되고, 상기 제2 부분(82)은 다른 쪽의 상기 토출 채널(20b)로부터 사출되는 상기 혼합물에 의해 형성된다. 일부의 실시태양에서, 상기 홈(83)이 상기 제1 부분(81)과 상기 제2 부분(82) 사이에 배치된다. 일부의 실시태양에서, 상면으로부터 볼 때 상기 발포 성형품(80)은 상기 홈(83)에 의해 상기 제1 부분(81)과 상기 제2 부분(82)으로 나뉘어진다.

상기 발포 성형품(80)의 상기 제1 부분(81)과 상기 제2 부분(82)은, 밀도, 두께, 유연성, 강도 등, 동일 또는 서로 다른 성질 또는 구성을 가질 수 있다. 각 부분의 성질 및 구성은, 상기 혼합물의 공급 속도, 상기 중공 공간(31)의 형상, 상기 성형 장치(30)의 상기 돌출부(36)의 구조 구성에 의존한다. 일부의 실시태양에서, 상기 홈(83)이 상기 돌출부(36)에 대응하여 상기 발포 성형품(80) 상에 형성된다.

일부의 실시태양에서, 상기 발포 성형품(80)은, 상기 공급 포트(35a, 35b)의 위치에 대응하는 마크(84a, 84b)를 가질 수 있다. 일부의 실시태양에서, 상기 발포 성형품(80)의 외측 표면에, 상기 공급 포트(35a, 35b)에 대응하는 상기 마크(84a, 84b)가 포함된다. 상기 마크(84a, 84b)는, 상기 중공 공간(31)과 상기 대응하는 공급 포트(35a, 35b) 사이의 압력차에 의해 형성할 수 있다.

각 상기 마크(84a, 84b)의 형상은 원형 또는 직사각형으로 할 수 있는데, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 일부의 실시태양에서, 상기 제1 마크(84a)와 상기 제2 마크(84b)의 형상은 원형이다. 일부의 실시태양에서, 각 상기 마크(84a, 84b)의 크기와 형상은 대응하는 상기 공급 포트(35)와 같다. 상기 마크(84a, 84b)는 오목부 또는 돌기로 할 수 있다. 일부의 실시태양에서, 상기 마크(84a, 84b)는 약간 돌출되어 있다. 일부의 실시태양에서, 상기 마크(84a, 84b)는 상기 발포 성형품(80)의 외측 표면에 전단력(剪斷力) 또는 절단력을 가한 후에 형성된다. 상기 마크(84a, 84b)의 밀도는 상기 발포 성형품(80)의 다른 부분의 밀도와 다를 수 있다. 상기 마크(84a, 84b)는 같거나, 또는 다를 수 있다. 상기 마크(84a, 84b)의 외관은 대응하는 상기 공급 포트(35)의 폭, 재료의 성질 등에 의존한다.

일부의 실시태양에서, 제1 마크(84a)가 상기 제1 부분(81)에 배치되고, 제2 마크(84b)가 상기 제2 부분(82)에 배치된다. 상기 제1 마크(84a)는 상기 제2 마크(84b)로부터 이격된다. 일부의 실시태양에서, 상기 제1 마크(84a)와 상기 제2 마크(84b)는 상기 발포 성형품(80)의 주중심축(b－b')을 따라 배치된다. 일부의 실시태양에서, 상기 주중심축(b－b')은 상기 발포 성형품(80)의 최장 치수를 따라 연신된다. 일부의 실시태양에서, 상기 제1 마크(84a)와 상기 제2 마크(84b)는 상기 발포 성형품(80)의 상기 최장 치수에 따라 일렬로 배치된다. 일부의 실시태양에서, 상기 제1 마크(84a)와 상기 제2 마크(84b)는 같거나 또는 서로 다른 치수와 형상을 갖는다. 일부의 실시태양에서, 상기 제1 마크(84a)는 상기 제2 마크(84b)보다 크다.

도 4는 도 3의 a－a＇선에 따른 단면도이다. 일부의 실시태양에서, 도 3과 도 4에 나타낸 바와 같이, 상기 발포 성형품(80)은 상기 중공 공간(31) 내에 포함되는 상기 돌출부(36)에 대응하는 홈(83)을 갖는다. 일부의 실시태양에서, 상기 제1 부분(81)에 사출된 상기 혼합물이 상기 제2 부분(82)으로 흐르기 어렵고, 또 상기 제2 부분(82)에 사출된 상기 혼합물이 상기 제1 부분(81)으로 흐르기 어렵기 때문에, 상기 제1 부분(81)과 상기 제2 부분(82)은 상기 홈(83)에 의해 분리된다. 일부의 실시태양에서, 상기 발포 성형품(80)의 표면은 모양을 구비하고 있다. 상기 모양은 매끄러운 모양으로 할 수 있다. 일부의 실시태양에서, 상기 모양은 광택이 있는 모양으로 할 수 있다.

도 5 내지 도 10은 다양한 구성에서의 사출 성형 시스템의 개략도이다. 일부의 실시태양에서, 도 5에 나타낸 바와 같이, 각 상기 토출 채널(20a, 20b)은 성형 장치(30)에 대응한다. 상기 사출구(12)를 통해 각 상기 토출 채널(20a, 20b)에 상기 혼합물을 압출할 수 있다. 일부의 실시태양에서, 각 상기 토출 채널(20a, 20b)은 같거나 또는 서로 다른 분량의 상기 혼합물을 토출할 수 있다. 일부의 실시태양에서, 상기 토출 채널(20a, 20b)은 다른 토출 채널(20a, 20b)과 같거나 또는 서로 다른 폭 또는 직경을 갖는다. 일부의 실시태양에서, 상기 토출 채널(20a, 20b)은 다른 토출 채널(20a, 20b)과 같거나 또는 서로 다른 유량을 갖는다. 일부의 실시태양에서, 하나의 압출 시스템(10)이 복수의 상기 토출 채널(20a, 20b)에 상기 혼합물을 공급할 필요가 있기 때문에, 각 상기 성형 장치(30)에 대해 충분한 양의 상기 혼합물을 소정의 시간 내에 제공하기 위해서는, 비교적 높은 압출력 또는 수송 속도를 구비한 상기 압출 시스템(10)이 필요하다. 일부의 실시태양에서, 상기 토출 채널(20a, 20b)의 수량은 상기 성형 장치(30)의 수량과 같다. 예를 들어, 도 5에 나타낸 바와 같이, 2개의 성형 장치(30)에 대응한 2개의 토출 채널(20a, 20b)이 있다. 도 5는 명확성과 간이성을 목적으로 하여, 2개의 토출 채널(20a, 20b)과 2개의 성형 장치(30)를 나타내고 있는데, 이 예는 예시를 목적으로 했을 뿐이며, 한정하는 것을 의도하지 않았다. 당업자라면 임의의 적절한 수량의 상기 토출 채널(20a, 20b)과 상기 성형 장치(30)를 이용할 수 있고, 그 모든 조합이 실시태양의 범위 내에 포함되는 것이 의도되어 있음을 용이하게 이해할 수 있을 것이다.

일부의 실시태양에서, 상기 성형 장치(30)의 상기 각 중공 공간(31)이 같은 분량 또는 서로 다른 분량의 상기 혼합물을 수취한다. 일부의 실시태양에서, 상기 성형 장치(30)의 상기 각 중공 공간(31)이 동시에, 또는 서로 다른 시점에서, 상기 혼합물을 수취한다. 예를 들어, 상기 토출 채널(20a)(도 5의 좌측)이 밸브 또는 유사한 것에 의해 막힘으로써, 상기 혼합물이 다른 토출 채널(20b)(도 5의 우측)로부터 상기 중공 공간(31)(도 5의 우측)으로 유입하는 동안, 상기 중공 공간(31)(도 5의 좌측)에는 혼합물이 유입하지 않는다.

일부의 실시태양에서, 각 상기 성형 장치(30)는 하나 이상의 상기 공급 포트(35a, 35b, 35c)를 포함한다. 일부의 실시태양에서, 성형 장치(30)는 동수(同數) 또는 서로 다른 수량의 상기 공급 포트(35a, 35b, 35c)를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 성형 장치(30)(도 5의 좌측)가 대응하는 상기 토출 채널(20a)에 연접 가능한 2개의 공급 포트(35a, 35b)를 갖고, 다른 성형 장치(30)(도 5의 우측)가 대응하는 상기 토출 채널(20b)에 연접 가능한 하나의 공급 포트(35c)를 갖는다. 즉, 하나의 토출 채널(20a, 20b)이 복수의 공급 포트(35a, 35b)에 대응할 수 있다.

일부의 실시태양에서, 상기 제어 시스템(60)이 상기 성형 장치(30)와 상기 토출 채널(20a, 20b)을 제어한다. 일부의 실시태양에서, 상기 제어 시스템(60)과 상기 압출 시스템(10), 상기 토출 채널(20a, 20b), 상기 성형 장치(30) 사이에 케이블(63)이 전기적으로 접속된다. 상기 케이블(63)은 상기 성형 장치(30)로부터 상기 압출 시스템(10)과 상기 토출 채널(20a, 20b)에 상기 신호를 전송하도록 구성된다.

일부의 실시태양에서, 도 6에 나타낸 바와 같이, 복수의 혼합 배럴(11)이 하나의 사출구(12)에 대응하고, 하나의 사출구(12)가 복수의 토출 채널(20a, 20b)에 대응한다. 즉, 복수의 혼합 배럴(11)이 하나의 사출구(12)에 연결되거나, 또는 연접 가능하고, 하나의 사출구(12)가 복수의 토출 채널(20a, 20b)에 연결되거나, 또는 연접 가능하다. 일부의 실시태양에서, 상기 압출 시스템(10)은 상기 혼합물의 복수의 분량을 생성하도록 구성되며, 그 중, 상기 혼합물의 각 분량이 다른 것과 서로 다른 물리적 상태 또는 특성을 갖고, 각 토출 채널(20a, 20b)이 서로 다른 분량의 상기 혼합물을 토출하도록 구성된다. 도 6은 명확성과 간이성을 목적으로 하여, 2개의 혼합 배럴(11)을 나타내고 있는데, 이 예는 예시를 목적으로 했을 뿐이며, 한정하는 것을 의도하지 않았다. 당업자라면 임의의 적절한 수량의 상기 압출 시스템(10)을 이용할 수 있으며, 그 모든 조합이 실시태양의 범위 내에 포함되는 것이 의도되어 있음을 용이하게 이해할 수 있을 것이다.

도 5의 실시형태와 비교하면, 도 6의 실시형태는, 도 6의 실시형태에서의 각 상기 혼합 배럴(11)이 상기 토출 채널(20a, 20b)의 하나에 대해 상기 혼합물을 공급하는 것만 요구되기 때문에, 필요한 압출력 또는 수송 속도는 비교적 낮다.

일부의 실시태양에서, 도 7에 나타낸 바와 같이, 하나의 압출 시스템(10)이 복수의 사출구(12)에 대응하고, 복수의 사출구(12)가 복수의 토출 채널(20a, 20b)에 대응한다. 즉, 하나의 압출 시스템(10)이 복수의 사출구(12)에 연결되거나, 또는 연접 가능하고, 복수의 사출구(12)가 복수의 토출 채널(20a, 20b)에 연결되거나, 또는 연접 가능하다. 도 7은 명확성과 간이성을 목적으로 하여, 2개의 사출구(12)를 나타내고 있는데, 이 예는 예시를 목적으로 했을 뿐이며, 한정하는 것을 의도하지 않았다. 당업자라면 임의의 적절한 수량의 상기 사출구(12)를 이용할 수 있으며, 그 모든 조합이 실시형태의 범위 내에 포함되는 것이 의도되어 있음을 용이하게 이해할 수 있을 것이다.

일부의 실시태양에서, 도 8에 나타낸 바와 같이, 각 상기 토출 채널(20a, 20b, 20c)은 복수의 성형 장치(30)의 하나에 대응한다. 일부의 실시태양에서, 상기 토출 채널(20a, 20b, 20c)은 선, 횡렬, 종렬, 원호, 곡선 또는 기타 임의의 적절한 배치로 배치된다. 복수의 상기 성형 장치(30)는 서로 유사하거나, 또는 서로 다를 수 있다. 도 8은 명확성과 간이성을 목적으로 하여, 2개의 성형 장치(30)를 나타내고 있는데, 이 예는 예시를 목적으로 했을 뿐이며, 한정하는 것을 의도하지 않았다. 당업자라면 임의의 적절한 수량의 성형 장치(30)를 이용할 수 있으며, 그 모든 조합이 실시형태의 범위 내에 포함되는 것이 의도되어 있음을 용이하게 이해할 수 있을 것이다.

일부의 실시태양에서, 복수의 상기 성형 장치(30)는 동시에, 또는 서로 다른 시점에서, 상기 혼합물을 수취한다. 예를 들어, 상기 토출 채널(20a, 20b)(도 8의 좌측과 중앙)이 유량 제어 장치 또는 유사한 것에 의해 막힘으로써, 상기 혼합물이 다른 토출 채널(20c)(도 8의 우측)로부터 다른 금형의 상기 중공 공간(31)(도 8의 우측)으로 흐르는 동안, 상기 혼합물이 상기 성형 장치(30)의 상기 중공 공간(도 8의 좌측) 내에 유입하지 않는다.

일부의 실시태양에서, 도 9에 나타낸 바와 같이, 상기 성형 장치(30)는 복수의 중공 공간(31)을 포함할 수 있다. 일부의 실시태양에서, 상기 성형 장치(30)의 상기 중공 공간(31)은 서로 분리되어 있어, 상호 연접 불가능하다. 도 9는 명확성과 간이성을 목적으로 하여, 2개의 중공 공간(31)을 포함하는 상기 성형 장치(30)를 나타내고 있는데, 이 예는 예시를 목적으로 했을 뿐이며, 한정하는 것을 의도하지 않았다. 각 상기 성형 장치(30)는 하나 이상의 토출 채널(20a, 20b)에 대응할 수 있다. 당업자라면 임의의 적절한 수량의 상기 중공 공간(31)을 이용할 수 있으며, 그 모든 조합이 실시형태의 범위 내에 포함되는 것이 의도되어 있음을 용이하게 이해할 수 있을 것이다.

일부의 실시태양에서, 복수의 상기 성형 장치(30)의 복수의 상기 중공 공간(31)은 서로 동일 또는 서로 다른 부피를 갖는다. 예를 들어, 상기 중공 공간(31)의 부피(도 9의 좌측)는, 다른 중공 공간(31)의 부피(도 9의 중앙)보다 크다. 일부의 실시태양에서, 각 중공 공간(31)이 동량, 또는 서로 다른 양으로, 상기 혼합물을 수취할 수 있다. 예를 들어, 상기 중공 공간(31)(도 9의 좌측)이 다른 중공 공간(31)(도 9의 중앙)보다 큰 분량의 상기 혼합물을 수취한다. 일부의 실시태양에서, 각 중공 공간(31)이 동시에, 또는 서로 다른 시점에서, 상기 혼합물을 수취할 수 있다. 예를 들어, 상기 토출 채널(20a, 20c)(도 9의 좌측과 우측)이 유량 제어 장치 또는 유사한 것에 의해 막힘으로써, 상기 혼합물이 다른 토출 채널(20b)(중앙)로부터 다른 중공 공간(31)(도 9의 중앙)으로 흐르는 동안, 상기 혼합물이 상기 중공 공간(31)(도 9의 좌측과 우측) 내에 유입하지 않는다.

일부의 실시태양에서, 상기 토출 채널(20a, 20b)은 상기 성형 장치(30)의 서로 다른 중공 공간(31)(도 9의 좌측)과 연접 가능하다. 일부의 실시태양에서, 각 상기 토출 채널(20a, 20b)은 동량 또는 서로 다른 분량의 상기 혼합물을 토출할 수 있다. 일부의 실시태양에서, 상기 토출 채널(20a, 20b)이 서로 동일 또는 서로 다른 폭 또는 직경을 갖는다. 일부의 실시태양에서, 상기 토출 채널(20a, 20b)이 다른 토출 채널(20a, 20b)과 동일 또는 서로 다른 유량을 갖는다. 도 9는 명확성과 간이성을 목적으로 하여, 상기 혼합물이 대응하는 토출 채널(20a, 20b, 20c)을 통해 상기 성형 장치(30)의 각 중공 공간(31) 내에 토출되는 것을 나타내고 있는데, 이 예는 예시를 목적으로 했을 뿐이며, 한정하는 것을 의도하지 않았다. 당업자라면 임의의 적절한 수량의 상기 토출 채널(20a, 20b, 20c)을 이용할 수 있으며, 그 모든 조합이 실시형태의 범위 내에 포함되는 것이 의도되어 있음을 용이하게 이해할 수 있을 것이다.

일부의 실시태양에서, 도 10에 나타낸 바와 같이, 상기 압출 시스템(10)은 하나의 토출 채널(20)에 연결되거나, 또는 연접 가능하고, 상기 토출 채널(20)이 복수의 토출구(21)를 갖는다. 일부의 실시태양에서, 상기 토출 채널(20)은 복수의 분기로(分岐路; branchline)(201)로 나뉘어 있고, 각 상기 분기로(201)가 상기 사출구(12)로부터 이격된 토출구(21)를 갖는다. 상기 분기로(201)의 수량은 상기 혼합물의 성질에 기초하여 조정할 수 있다. 일부의 실시태양에서, 각 분기로(201)가 상기 혼합 배럴(11)로부터 사출되는 서로 다른 분량의 상기 혼합물을 수용할 수 있다. 각 분기로(201)는, 상기 성형 장치(30)에 같은 분량 또는 서로 다른 분량의 상기 혼합물을 토출할 수 있다. 일부의 실시태양에서, 각 분기로(201)는 서로 다른 온도하에서 운용할 수 있다.

일부의 실시태양에서, 상기 분기로(201)의 상기 토출구(21)는 다른 토출구(21)와 서로 다른 폭 또는 직경을 가질 수 있고, 이 때문에 상기 토출구(21)는 서로 다른 유량을 가질 수 있다. 일부의 실시태양에서, 상기 토출구(21)는 서로 다른 분량의 상기 혼합물을 사출할 수 있다. 도 10은 명확성과 간이성을 목적으로 하여, 하나의 성형 장치(30)에 대응한 2개의 분기로(201)를 나타내고 있는데, 이 예는 예시를 목적으로 했을 뿐이며, 한정하는 것을 의도하지 않았다. 당업자라면 임의의 적절한 수량의 분기로(201)를 이용할 수 있음을 용이하게 이해할 수 있을 것이다. 또한, 상기 분기로(201)는 적어도 하나의 서로 다른 특징을 갖는 것으로 도시되어 있는데, 이것은 예시를 목적으로 하고 있으며, 실시태양을 한정하는 것을 의도하지 않았다. 상기 분기로(201)는 원하는 기능을 충족하기 위해 유사한 구조 또는 서로 다른 구조를 가질 수 있다.

도 11a 내지 도 11c는 다양한 구성 또는 상태에서의 상기 토출 채널(20)의 개략도이다. 일부의 실시태양에서, 도 11a 내지 도 11c에 나타낸 바와 같이, 상기 토출 채널(20)은 테이퍼 형상의 구성이다. 일부의 실시태양에서, 상기 토출 채널(20)은 상기 토출구(21)를 향해 끝이 가늘어져서, 상기 토출구(21)에 가까운 상기 토출 채널(20)이 상기 토출구(21)에 먼 상기 토출 채널(20)보다도 실질적으로 좁은 폭을 갖는다. 예를 들어, 상기 토출구(21)에 가까운 상기 토출 채널(20)의 직경이 상기 토출구(21)에 먼 상기 토출 채널(20)의 직경보다 실질적으로 좁다.

일부의 실시태양에서, 상기 복수의 토출 채널(20) 중 적어도 하나가 또한 유량 제어 장치(23)를 포함한다. 일부의 실시태양에서, 각 상기 토출 채널(20)이 상기 유량 제어 장치(23)를 포함하고, 대응하는 상기 토출구(21)에서의 상기 혼합물의 유량은 같거나, 또는 약간 다르거나, 혹은 크게 다를 수 있다. 일부의 실시태양에서, 상기 유량 제어 장치(23)는 상기 제어 시스템(60)에 의해 제어된다. 상기 유량 제어 장치(23)는 상기 토출 채널(20) 내에 배치된 조절 가능한 밸브체(24)로 할 수 있다. 상기 밸브체(24)는 상기 토출구(21)에서 상기 혼합물의 유량을 조정하도록 구성된다. 일부의 실시태양에서, 상기 밸브체(24)는 상기 토출 채널(20)에 대해 이동 가능하다. 일부의 실시태양에서, 상기 밸브체(24)는 상기 토출구(21)를 향해, 또는 상기 토출구(21)로부터 멀어지게 이동 가능하다.

일부의 실시태양에서, 상기 토출구(21)에서의 상기 혼합물의 유량은, 상기 토출구(21)의 폭 또는 직경, 상기 사출구(12)로부터 압출되는 상기 혼합물의 양, 또는 상기 밸브체(24)의 위치를 변경함으로써 조정 가능하다. 일부의 실시태양에서, 상기 토출구(21)에서의 상기 혼합물의 유량은, 우선 상기 토출구(21)의 폭 또는 직경 및(또는) 상기 사출구(12)로부터 압출되는 상기 혼합물의 양을 변경함으로써 조정되고, 그 후 다시 상기 밸브체(24)의 위치를 변경함으로써 조정되어도 된다.

일부의 실시태양에서, 도 11a에 나타낸 바와 같이, 상기 밸브체(24)는 상기 토출구(21)로부터 떨어져 있다. 일부의 실시태양에서, 도 11b에 나타낸 바와 같이, 도 11a와 비교하여, 도 11b에 나타내는 상기 밸브체(24)는 상기 토출구(21)에 더 가깝지만, 상기 토출구(21)에 접촉하고 있지 않다. 도 11a에 나타내는 상기 토출구(21)로부터 토출되는 상기 혼합물의 양은, 도 11b에 나타내는 상기 토출구(21)로부터 토출되는 상기 혼합물의 양보다 훨씬 많다. 일부의 실시태양에서, 상기 밸브체(24)는 상기 토출구(21)에 상당히 접근해 있어서, 아주 적은 양의 상기 혼합물만 상기 토출구(21)로부터 토출 가능하다.

일부의 실시태양에서, 도 11c에 나타낸 바와 같이, 상기 밸브체(24)의 일부가 상기 토출구(21)를 막으면, 상기 혼합물은 상기 토출구(21)로부터 유출할 수 없다. 즉, 상기 밸브체(24)가 밸브로서 작용하여, 상기 혼합물을 상기 토출구(21)로부터 유출 가능하게 할 수 있거나(예를 들어, 도 11a 내지 도 11c에 나타낸 바와 같이), 또는 상기 혼합물을 상기 토출구(21)로부터 유출시키지 않도록 할 수도 있다.

도 12는 본 발명의 일 실시태양에 의한 사출 성형 시스템의 개략도이다. 일부의 실시태양에서, 도 12에 나타낸 바와 같이, 상기 토출 채널(20a, 20b)과 상기 성형 장치(30) 사이의 온도차를 유지하기 위해, 상기 사출 성형 시스템은 또한 상기 토출 채널(20a, 20b)과 상기 성형 장치(30) 사이에 배치된 단열재(70)를 포함한다. 일부의 실시태양에서, 상기 단열재(70)는 상기 토출 채널(20a, 20b)과 상기 상부 몰드 베이스(34) 사이에 배치된다. 일부의 실시태양에서, 상기 단열재(70)는 상기 상부 몰드 베이스(34) 상에 배치된다. 일부의 실시태양에서, 상기 단열재(70)는 상기 토출구(21)와 상기 공급 포트(35a, 35b) 사이에 배치된다.

각 상기 토출 채널(20a, 20b)은 상기 단열재(70) 내로 연신할 수 있고, 그에 의해 일부가 상기 단열재(70)에 둘러싸인다. 일부의 실시태양에서, 상기 단열재(70)는 대응하는 상기 토출 채널(20a, 20b)을 수취할 수 있도록 구성된 개구(71)를 포함한다. 상기 단열재(70)의 상기 개구(71)는 상기 상부 몰드 베이스(34)의 상기 개구(341)와 맞춰진다. 각 상기 개구(71)가 상기 단열재(70)를 관통하여 연신된다.상기 단열재(70)는 나사 등에 의해 상기 상부 몰드 베이스(34) 상에 설치할 수 있다. 상기 단열재(70)는 유리 섬유 등의 비열전도성 재료를 포함할 수 있다. 상기 단열재(70)는 전체를 비금속 재료로 구성할 수 있다. 일부의 실시태양에서, 상기 단열재(70)의 융점은 상기 토출 채널(20a, 20b)을 통과하여 흐르는 상기 혼합물의 온도보다도 실질적으로 높다. 일부의 실시태양에서, 상기 단열재(70)의 상기 융점은 180℃보다 실질적으로 높다.

일부의 실시태양에서, 상기 단열재(70)의 폭은 상기 상부 몰드 베이스(34)의 폭보다 작다. 상기 단열재(70)의 두께는, 상기 성형 장치(30)와 상기 토출 채널(20a, 20b)을 구성하는 재료의 성질, 상기 토출 채널(20a, 20b)과 상기 상부 몰드 베이스(34)의 온도 등, 복수의 요인에 관련할 수 있다. 일부의 실시태양에서, 상기 단열재(70)의 상기 두께는 상기 상부 몰드 베이스(34)의 상기 두께(H)보다 작다.

일부의 실시태양에서, 각 상기 토출 채널(20a, 20b)의 온도가 상기 성형 장치(30)의 온도와 다르다. 각 상기 토출 채널(20a, 20b)의 상기 온도는, 상기 성형 장치(30)의 상기 온도보다 높다. 일부의 실시태양에서, 각 상기 토출 채널(20a, 20b)의 온도는 150℃와 200℃의 범위이며, 상기 성형 장치(30)의 온도는 20℃와 60℃의 범위로 할 수 있다.

일부의 실시태양에서, 상기 토출 채널(20a, 20b)과 상기 성형 장치(30)의 온도차를 유지하기 위해, 및 상기 혼합물의 유동성을 유지하기 위해, 상기 복수의 토출 채널(20a, 20b) 중 적어도 하나가 그 위에 배치된 상기 가열 장치(72)를 더 포함한다. 상기 가열 장치(72)는, 상기 토출 채널(20a, 20b)의 온도를 소정 범위 내에 유지하거나, 또는 조정하도록 구성된다. 상기 가열 장치(72)는 상기 토출 채널(20a, 20b)을 동일 또는 서로 다른 소정 범위 내에 유지할 수 있다. 일부의 실시태양에서, 각 상기 토출 채널(20a, 20b)이 각각의 위에 배치된 상기 가열 장치(72)를 포함한다. 일부의 실시태양에서, 각 상기 토출 채널(20a, 20b)이 상기 토출구(21) 주위에 배치된 상기 가열 장치(72)를 포함한다. 일부의 실시태양에서, 상기 가열 장치(72)는 상기 토출 채널(20a, 20b)이 상기 성형 장치(30)와 걸어맞춤될 때, 대응하는 상기 토출 채널(20a, 20b)과 함께 상기 개구(71)와 상기 개구(341)에 진입할 수 있다. 상기 가열 장치(72)의 위치와 수량은 요건에 따라 조정할 수 있으며, 특별히 한정되지 않는다. 각 상기 토출 채널(20a, 20b)은 서로 다른 수량의 가열 장치(72)를 포함하거나, 또는 가열 장치(72)를 포함하지 않을 수 있다.

일부의 실시태양에서, 상기 혼합물의 유동성을 유지하기 위해, 상기 성형 장치(30)는 또한 상기 공급 포트(35a, 35b)의 온도를 소정 범위 내에 유지하도록 구성된 가열 장치(73)를 포함한다. 일부의 실시태양에서, 상기 가열 장치(73)는 상기 상부 몰드 베이스(34) 또는 상기 상형(32) 내에 배치된다. 일부의 실시태양에서, 상기 가열 장치(73)는 상기 공급 포트(35a, 35b)에 인접하여 배치된다. 상기 가열 장치(73)의 위치와 수량은 요건에 따라 조정할 수 있으며, 특별히 한정되지 않는다. 일부의 실시태양에서, 상기 토출 채널(20a, 20b)로부터 상기 성형 장치(30)로 상기 혼합물이 흐르는 동안에, 상기 공급 포트(35a, 35b)는 상기 가열 장치(73)에 의해 소정 온도(예: 200℃ 이상)까지 가열할 수 있고, 그 후 상기 혼합물의 유동이 완료되면, 상기 공급 포트(35a, 35b)는 소정 온도(예: 50℃ 이하)까지 즉시 냉각할 수 있다. 일부의 실시태양에서, 상기 공급 포트(35a, 35b)는 상기 토출 채널(20a, 20b)이 상기 성형 장치(30)로부터 이탈하면 냉각된다. 일부의 실시태양에서, 상술한 즉시 냉각은, 상기 가열 장치(73)를 오프(off)로 하거나, 상기 공급 포트(35)에 인접하여 배치된 냉각 부재를 온(on)으로 함으로써 실장할 수 있다. 각 상기 성형 장치(30)는 서로 다른 수량의 가열 장치(73)를 포함하거나, 또는 가열 장치를 포함하지 않을 수 있다. 일부의 실시태양에서, 상기 사출 성형 시스템은 상기 압출 시스템(10)과, 상기 토출 채널(20a, 20b)과, 하나의 성형 장치(30)를 포함하고, 그 중, 상기 성형 장치(30)가, 상기 공급 포트(35)의 온도를 조정하도록 구성된 상기 가열 장치(73)를 포함한다. 일부의 실시태양에서, 각 상기 공급 포트(35a, 35b)는 각각의 위에 배치된 상기 가열 장치(73)를 포함한다.

일부의 실시태양에서, 상기 제어 시스템(60)은 또한, 상기 단열재(70)와, 상기 토출 채널(20a, 20b)과, 상기 가열 장치(72)와, 상기 성형 장치(30)의 상기 가열 장치(73)를 실시간으로 전기적으로 제어한다. 일부의 실시태양에서, 상기 제어 시스템(60)은, 상기 토출 채널(20a, 20b)을 제어하여 상기 성형 장치(30)에 접속하고, 또 상기 토출 채널(20a, 20b)의 상기 가열 장치(72) 또는 상기 성형 장치(30)의 상기 가열 장치(73)을 제어하여, 상기 토출 채널(20a, 20b), 상기 토출구(21) 또는 상기 공급 포트(35a, 35b)를 각각의 소정의 온도까지 가열하거나, 또는 상기 토출 채널(20a, 20b), 상기 토출구(21) 또는 상기 공급 포트(35a, 35b)를 각각의 소정의 온도로 유지한다.

도 13은 본 발명의 일 실시태양에 의한 사출 성형 시스템의 개략도이다. 일부의 실시태양에서, 도 13에 나타낸 바와 같이, 상기 사출 성형 시스템은 또한, 상기 토출 채널(20a, 20b)과 상기 각 복수의 성형 장치(30)의 걸어맞춤을 촉진하도록 구성된 지지 유닛(40)을 포함한다. 상기 지지 유닛(40)은 상기 사출 성형 시스템(200)의 임의의 적절한 위치에 배치할 수 있다. 일부의 실시태양에서, 상기 지지 유닛(40)은 상기 토출 채널(20a, 20b)을 지지하도록 구성된다. 일부의 실시태양에서, 상기 지지 유닛(40)은 상기 혼합물의 사출 중, 상기 토출 채널(20a, 20b)과 상기 성형 장치(30)의 분리를 방지하기 위해 이용된다. 일부의 실시태양에서, 상기 제어 시스템(60)이 실시간으로 상기 지지 유닛(40)을 제어한다.

도 14는 본 발명의 일 실시태양에 의한 사출 성형 시스템의 부분 개략도이다. 일부의 실시태양에서, 도 14에 나타낸 바와 같이, 상기 지지 유닛(40)은, 서로 걸어맞춤하도록 구성된 제1 요소(41)와 제2 요소(42)를 포함하며, 그 중, 상기 제1 요소(41)가 상기 압출 시스템(10) 또는 상기 토출 채널(20)로부터 돌출되고, 상기 제2 요소(42)가 각 상기 복수의 성형 장치(30)에 배치되는데, 그에 한정되지 않는다. 일부의 실시태양에서, 상기 제1 요소(41)와 상기 제2 요소(42)는 서로 끼워맞춤될 수 있으며, 예를 들어, 상기 제2 요소(42)가 상기 제1 요소(41)를 수취할 수 있도록 구성할 수 있다. 일부의 실시태양에서, 상기 제1 요소(41)가 상기 토출 채널(20) 상에 배치되고, 상기 제2 요소(42)가 각 성형 장치(30) 상에 배치된다. 일부의 실시태양에서, 상기 제2 요소(42)가 상기 성형 장치(30)의 상기 상부 몰드 베이스(34) 상에 배치된다. 일부의 실시태양에서, 상기 제1 요소(41)가 상기 압출 시스템(10) 또는 상기 토출 채널(20)의 일부이며, 상기 제2 요소(42)가 상기 성형 장치(30)의 일부이다. 일부의 실시태양에서, 상기 제1 요소(41)가 상기 압출 시스템(10)의 일부이며, 또 상기 토출 채널(20a, 20b)에 인접하여 배치되고, 상기 제2 요소(42)가 상기 성형 장치(30)의 상기 상부 몰드 베이스(34)의 상방에, 또는 상기 상부 몰드 베이스(34)에 대면하여 배치된다. 일부의 실시태양에서, 상기 제1 요소(41)와 상기 제2 요소(42)가 서로 걸어맞춤되고, 그에 의해 상기 토출 채널(20a, 20b)을 상기 성형 장치(30)의 상기 상부 몰드 베이스(34)와 긴밀하게 걸어맞춤할 수 있다.

일부의 실시태양에서, 상기 혼합물의 사출 중에서의 상기 압출 시스템(10)과 상기 성형 장치(30)의 분리를 방지하기 위해, 걸어맞춤된 상기 제1 요소(41)가 상기 제2 요소(42)에 대한 힘을 받는다. 상기 힘은 문턱값(threshold)과 같거나, 또는 상기 문턱값보다 크다. 상기 문턱값은, 상기 중공 공간(31) 내의 압력과 상기 토출구(21)의 직경에 기초하여, 또는 기타 요건에 기초하여 조정할 수 있다.

상기 제1 요소(41)의 위치와 수량은 요건에 따라 조정할 수 있으며, 특별히 한정되지 않는다. 상기 제2 요소(42)의 위치와 수량은 요건에 따라 조정할 수 있으며, 특별히 한정되지 않는다. 일부의 실시태양에서, 상기 제2 요소(42)의 위치와 수량은 상기 제1 요소(41)의 위치와 수량에 대응한다. 일 실시태양에서, 상기 제1 요소(41)는 상기 토출 채널(20) 상의 임의의 적절한 위치에 배치할 수 있고, 상기 제2 요소(42)는 상기 성형 장치(30) 상의 임의의 적절한 위치에 배치할 수 있다. 일부의 실시태양에서, 상기 제2 요소(42)가 상기 상형(32) 상방에 배치된다.

도 15는 본 발명의 일 실시태양에 의한 사출 성형 시스템의 부분 개략도이다. 일부의 실시태양에서, 도 15에 나타낸 바와 같이, 상기 지지 유닛(40)은 록킹(locking) 상태와 록킹 해제 상태의 2가지 상태 중 어느 하나에 있을 수 있다. 상기 록킹 해제 상태에서, 상기 제1 요소(41)는 대응하는 상기 제2 요소(42)에 진입하지만, 상기 제2 요소(42)와 아직 록킹되지 않았다. 즉, 상기 지지 유닛(40)이 상기 록킹 해제 상태에 있을 때, 상기 제1 요소(41)는 아직 상기 제2 요소(42)로부터 이탈 가능하다. 상기 록킹 상태에서, 상기 제1 요소(41)는 대응하는 상기 제2 요소(42)에 진입하여 록킹되어, 상기 제1 요소(41)는 상기 제2 요소(42)로부터 이탈할 수 없다. 도 11에 상기 록킹 상태에 있는 상기 지지 유닛(40)을 나타낸다. 상기 지지 유닛(40)은 수동에 의해, 또는 자동적으로 조작 및 제어할 수 있다. 상기 지지 유닛(40)을 상기 2가지 상태 사이에서 수동에 의해, 또는 자동적으로 절환할 수 있다.

일부의 실시태양에서, 상기 제1 요소(41)가 상기 압출 시스템(10)에 회전 가능하게 고정된다. 일부의 실시태양에서, 상기 제1 요소(41)가 연신부(411)와 아암(arm)부(412)를 포함한다. 상기 연신부(411)와 상기 아암부(412)는 화살표(A)로 나타내는 방향으로 회전 가능하다. 상기 연신부(411)는 상기 압출 시스템(10)에 고정되어, 상기 상형(32)을 향해 제1 방향(Z)으로 연신된다. 상기 아암부(412)는 상기 연신부(411)에 결합되어, 상기 제1 방향(Z)에 실질적으로 직각인 제2 방향(X), 또는 상기 제1 방향(Z)에 실질적으로 직각인 제3 방향(Y)으로 연신된다. 일부의 실시태양에서, 상기 제1 요소(41)는 "ㅗ"자 형이다. 상기 제1 요소(41)가 상기 제2 요소(42)에 진입한 후, 상기 지지 유닛(40)이 상기 제1 요소(41)의 상기 아암부(412)의 회전에 의해, 상기 록킹 해제 상태로부터 상기 록킹 상태로 이행된다. 일부의 실시태양에서, 상기 제1 요소(41)는, 상기 제1 요소(41)의 상기 아암부(412)를 약 90도 회전시킴으로써, 상기 제2 요소(42)와 록킹된다. 도 14에 상기 아암부(412)가 약 90도 회전된 후, 상기 아암부(412)가 상기 제2 요소(42)와 록킹된 상태를 나타낸다. 그 결과, 상기 지지 유닛(40)이 상기 록킹 상태에 있고, 상기 토출 채널(20)이 상기 성형 장치(30)와 긴밀히 걸어맞춤되며, 그에 의해 상기 압출 시스템(10)과 상기 토출 채널(20)로부터 상기 성형 장치(30)에의 상기 혼합물의 사출을 개시할 수 있다.

도 16은 본 발명의 일 실시태양에 의한 사출 성형 시스템의 개략도이다. 도 16을 참조한다. 일부의 실시태양에서, 사출 성형 시스템의 상기 성형 장치(30)가 또한, 상기 상형(32)을 상기 하형(33)에 긴밀하게 결합하도록 구성된 밀봉 요소(39)를 포함한다. 일부의 실시태양에서, 상기 밀봉 요소(39)가 상기 하형(33) 하방에 배치되고, 상기 토출 채널(20a, 20b)을 향하는 힘을 제공한다. 일부의 실시태양에서, 상기 혼합물의 사출 중에 상기 성형 장치(30)을 향하는 제1의 힘이 생성되고, 상기 밀봉 요소(39)가 상기 제1의 힘에 거스르는 제2의 힘을 제공한다. 일부의 실시태양에서, 상기 밀봉 요소(39)가 상기 상형(32)과 상기 하형(33) 사이에 배치된다. 일부의 실시태양에서, 상기 제어 시스템(60)이 실시간으로 상기 밀봉 요소(39)를 제어한다. 일부의 실시태양에서, 상기 상형(32)과 상기 하형(33) 사이, 또는 상기 상부 몰드 베이스(34)와 상기 상형(32) 사이에 밀봉 링이 배치된다. 일부의 실시태양에서, 상기 밀봉 링은 상기 성형 장치(30)의 모든 측면에 배치된다.

도 17은 본 발명의 일 실시태양에 의한 사출 성형 시스템의 부분 평면 단면도이다. 도 18은 본 발명의 일 실시태양에 의한 사출 성형 시스템의 부분 개략도이다. 상기 혼합물을 상기 성형 장치(30) 내에 사출한 후, 상기 토출 채널(20a, 20b)이 상기 공급 포트(35a, 35b)로부터 빠지는데, 이 시점에서 상기 성형 장치(30) 내의 상기 혼합물이 상기 성형 장치(30)로부터 상기 공급 포트(35a, 35b)와 상기 개구(341)를 개재하여 흘러넘칠 우려가 있다. 일부의 실시태양에서, 도 17과 도 18에 나타낸 바와 같이, 상기 사출 성형 시스템은 또한 상기 혼합물이 흘러넘치는 것을 방지하도록 구성된 커버(50)를 포함한다. 일부의 실시태양에서, 상기 커버(50)는 상기 상형(32)의 상기 공급 포트(35a, 35b)로부터 상기 혼합물이 흘러넘치는 것을 저지하도록 구성된다. 일부의 실시태양에서, 상기 커버(50)는 상기 상형(32)의 상기 공급 포트(35a, 35b)를 덮도록 구성된다. 일부의 실시태양에서, 상기 커버(50)는 상기 상형(32)의 상기 공급 포트(35a, 35b)와 상기 상부 몰드 베이스(34)의 상기 개구(341)로부터 상기 혼합물이 흘러넘치는 것을 저지하도록 구성된다. 일부의 실시태양에서, 상기 커버(50)는 상기 상형(32)의 상기 공급 포트(35a, 35b)와 상기 상부 몰드 베이스(34)의 상기 개구(341)를 덮도록 구성된다. 일부의 실시태양에서, 상기 커버(50)는 상기 토출 채널(20)이 상기 상부 몰드 베이스(34)로부터 이탈되면 바로 상기 공급 포트(35a, 35b)를 덮도록 이동된다.

일부의 실시태양에서, 상기 커버(50)는 상기 성형 장치(30)에 장착된다. 상기 커버(50)는, 상기 성형 장치(30)와 상기 토출 채널(20a, 20b) 사이에 배치된 개별의 요소 또는 모듈로 할 수 있다. 일부의 실시태양에서, 상기 커버(50)는 상기 상부 몰드 베이스(34)에 장착된다. 상기 커버(50)의 수량은 특별히 한정되지 않는다. 일부의 실시태양에서, 상기 수량은, 상기 상부 몰드 베이스(34)의 상기 개구(341)의 수량, 또는 상기 공급 포트(35a, 35b)의 수량에 대응한다.

도 19와 도 20은 다양한 구성 또는 상태에서의 상기 커버(50)의 개략도이다. 일부의 실시태양에서, 도 19와 도 20에 나타낸 바와 같이, 상기 커버(50)는 제1 위치(51)와 제2 위치(52) 사이에서 이동하도록 구성된다. 도 17, 도 18 및 도 19에 나타낸 바와 같이, 상기 제1 위치(51)에서, 상기 커버(50)는 상기 개구(341)와 대응하는 상기 공급 포트(35a, 35b)로부터 떨어져 있고, 대응하는 상기 토출 채널(20a, 20b)을 대응하는 상기 공급 포트(35a, 35b)와 걸어맞춤시킬 수 있다. 도 17, 도 18및 도 20에 나타낸 바와 같이, 상기 제2 위치(52)에서, 상기 커버(50)는 대응하는 상기 개구(341)와 대응하는 상기 공급 포트(35a, 35b)를 덮고, 대응하는 상기 토출 채널(20a, 20b)을 대응하는 상기 공급 포트(35a, 35b)와 걸어맞춤시킬 수 없다. 일부의 실시태양에서, 상기 커버(50)는 수동 또는 자동으로 조작할 수 있다. 일부의 실시태양에서, 상기 커버(50)의 이동은 수동 또는 자동으로 상기 제어 시스템(60)에 의해 실시간으로 제어할 수 있다. 일부의 실시태양에서, 상기 커버(50)는 상기 토출 채널(20a, 20b)이 상기 상부 몰드 베이스(34)로부터 이탈되면 바로, 상기 제1 위치(51)로부터 상기 제2 위치(52)로 이동되어, 상기 공급 포트(35a, 35b)를 덮는다.

도 21은 본 발명의 일 실시태양에 의한 사출 성형 시스템의 개략도이다. 일부의 실시태양에서, 도 21에 나타낸 바와 같이, 상기 사출 성형 시스템은 압출 시스템(10)과, 복수의 토출 채널(20a, 20b)과, 성형 장치(30)를 포함한다. 상기 사출 성형 시스템은 또한, 지지 유닛(40)과, 커버(50)와, 제어 시스템(60)과, 단열재(70)와, 가열 장치(72, 73)를 포함한다. 각 상기 성형 장치(30)는, 중공 공간(31)과, 상형(32)과, 하형(33)과, 상부 몰드 베이스(34)와, 공급 포트(35)를 포함한다. 상기 성형 장치(30)는 또한, 예를 들어, 상술한, 또는 도 1 내지 도 16에 나타낸 바와 같이, 밀봉 요소(39) 및(또는) 돌출부(36)를 포함할 수 있다.

본 발명에서는, 사출 성형 방법이 개시된다. 상기 방법은, 복수의 조작을 포함하고, 설명과 도면은 상기 조작의 순서를 한정한다고 간주되지 않는다. 도 22는 본 발명의 일 실시태양에 의한 사출 성형 방법을 나타내는 흐름도이다. 일부의 실시태양에서, 도 22에 나타낸 바와 같이, 상기 사출 성형 방법(900)은 다음의 공정을 포함한다.

공정(901)은, 고분자 재료와 발포제의 혼합물을 생성하도록 구성된 압출 시스템과, 제1 토출 채널과, 제2 토출 채널과, 중공 공간, 제1 공급 포트, 제2 공급 포트를 포함하는 성형 장치를 제공하는 공정을 포함한다. 상기 제1 토출 채널이 상기 압출 시스템과 연통 가능하며, 상기 압출 시스템으로부터 이격하여 배치된 제1 토출구를 포함하고, 상기 제2 토출 채널이 상기 압출 시스템과 연통 가능하며, 상기 압출 시스템으로부터 이격하여 배치된 제2 토출구를 포함하고, 상기 제1 공급 포트와 상기 제2 공급 포트가 상기 중공 공간과 연통 가능하며, 또 상기 제1 토출구 및 상기 제2 토출구와 각각 걸어맞춤 가능하다.

공정(902)은, 상기 제1 토출구와 상기 제1 공급 포트를 걸어맞춤시키는 공정을 포함한다.

공정(903)은, 상기 제2 토출구와 상기 제2 공급 포트를 걸어맞춤시키는 공정을 포함한다.

공정(904)은, 상기 제1 토출구와 상기 제1 공급 포트를 통해 제1 분량의 상기 혼합물을 상기 중공 공간 내에 사출하는 공정을 포함한다.

공정(905)은, 상기 제2 토출구와 상기 제2 공급 포트를 통해 제2 분량의 상기 혼합물을 상기 중공 공간 내에 사출하는 공정을 포함한다.

상기 방법(900)은 상술한 실시태양에 한정되지 않는다. 일부의 실시태양에서, 상기 사출 성형 방법(900)은, 도 1 내지 도 21에 나타내는 상술한 사출 성형 시스템 중 어느 하나를 사용한다.

도 23 내지 도 27은 본 발명의 일 실시태양에 의한 사출 성형 방법의 예시적인 운용을 나타내는 개략도이다. 일부의 실시태양에서, 도 23에 나타낸 바와 같이, 상기 사출 성형 방법(900)은, 폴리머와 발포제의 혼합물을 생성하도록 구성된 압출 시스템(10)과, 제1 토출 채널(20a)과, 제2 토출 채널(20b)과, 중공 공간(31), 제1 공급 포트(35a), 제2 공급 포트(35b)를 포함하는 성형 장치(30)를 제공하는 공정(901)을 포함한다. 상기 제1 토출 채널(20a)이 상기 압출 시스템(10)과 연통 가능하며, 상기 압출 시스템(10)으로부터 이격하여 배치된 제1 토출구(21)를 포함하고, 상기 제2 토출 채널(20b)이 상기 압출 시스템(10)과 연통 가능하며, 상기 압출 시스템(10)으로부터 이격하여 배치된 제2 토출구(21)를 포함하고, 상기 제1 공급 포트(35a)와 상기 제2 공급 포트(35b)가 상기 중공 공간(31)과 연통 가능하며, 또 상기 제1 토출구(21) 및 상기 제2 토출구(22)와 각각 걸어맞춤 가능하다.

일부의 실시태양에서, 상기 상형(32)은 상기 밀봉 요소(39)에 의해, 대응하는 상기 하형(33)에 밀봉된다.

일부의 실시태양에서, 상기 지지 유닛(40)은 록킹 해제 상태이다. 일부의 실시태양에서, 상기 혼합물이 상기 중공 공간(31) 내에 사출되기 전에, 상기 커버(50)가 상기 제2 위치(52)에 배치되고, 상기 제1 공급 포트(35a)와 상기 제2 공급 포트(35b)를 피복(被覆)한다.

일부의 실시태양에서, 상기 제1 토출 채널(20a)과 상기 제2 토출 채널(20b) 사이에는 온도차가 제공된다. 일부의 실시태양에서, 상기 성형 장치(30)와 상기 제1 토출 채널(20a) 및 상기 제2 토출 채널(20b) 사이에는 온도차가 제공된다. 일부의 실시태양에서, 도 23에 나타낸 바와 같이, 상기 가열 장치(72)는 상기 제1 토출 채널(20a) 및 상기 제2 토출 채널(20b) 상에 배치되어, 상기 제1 토출 채널(20a) 및 상기 제2 토출 채널(20b)을 소정의 온도까지 가열한다. 일부의 실시태양에서, 상기 상형(32) 내에 배치된 상기 가열 장치(73)는, 상기 제1 공급 포트(35a)와 상기 제2 공급 포트(35b)를 소정 온도까지 가열한다.

일부의 실시태양에서, 공정(901)의 개시 시에, 상기 압출 시스템(10)과 상기 토출 채널(20a, 20b)은 상기 성형 장치(30)로부터 이격되어 있다.

일부의 실시태양에서, 상기 방법(900)은, 상기 제1 토출 채널(20a)의 상기 제1 토출구(21)와 상기 제1 공급 포트(35a)를 걸어맞춤시키는 공정(902)을 포함한다.

도 24에 나타낸 바와 같이, 상기 제1 토출구(21)와 상기 성형 장치(30)의 상기 제1 공급 포트(35)를 걸어맞춤시키기 전에, 상기 방법(900)은 상기 제1 토출 채널(20a)과 상기 제2 토출 채널(20b)을 상기 성형 장치(30)를 향해 이동시키는 공정을 포함한다. 일부의 실시태양에서, 상기 제1 토출 채널(20a)과 상기 제2 토출 채널(20b)은 상기 성형 장치(30) 상방의 상기 제1 위치로 수평으로 이동된다. 상기 제1 위치에서, 상기 토출 채널(20a, 20b)은 대응하는 상기 성형 장치(30)의 상기 상부 몰드 베이스(34)의 상기 개구(341)와 위치가 맞춰진다. 일부의 실시태양에서, 상기 제1 토출구(21)와 상기 상부 몰드 베이스(34)의 상표면(上表面)간의 거리는 0보다 크다.

일부의 실시태양에서, 상기 방법(900)은, 상기 제2 토출 채널(20b)의 상기 제2 토출구(21)와 상기 제2 공급 포트(35b)를 걸어맞춤시키는 공정(903)을 포함한다. 일부의 실시태양에서, 상기 제1 토출구(21)와 상기 제1 공급 포트(35a)의 걸어맞춤, 및 상기 제2 토출구(21)와 상기 제2 공급 포트(35b)의 걸어맞춤은 동시에 실시된다.

도 25에 나타낸 바와 같이, 상기 제1 토출 채널(20a) 및 상기 제2 토출 채널(20b)과 대응하는 상기 개구(341)의 연직 방향의 위치맞춤 후, 상기 제1 토출 채널(20a)과 제2 토출 채널(20b)이 상기 성형 장치(30)를 향해 이동되어, 대응하는 상기 상부 몰드 베이스(34)의 상기 개구(341)에 수취되며, 그 후, 상기 제1 토출구(21)와 제2 토출구(21)가 대응하는 상기 제1 공급 포트(35a, 35b)에 결합된다. 일부의 실시태양에서, 상기 제1 토출 채널(20a)과 제2 토출 채널(20b)은 상기 성형 장치(30)를 향해 수직으로 이동되어, 대응하는 상기 상부 몰드 베이스(34)의 상기 개구(341)에 수취된다.

상기 제1 토출구(21)가 상기 제1 공급 포트(35a)에 결합된 후, 상기 제1 토출구(21)와 대응하는 상기 제1 공급 포트(35a)가 상기 혼합물의 유동 경로를 구성하고, 상기 토출 채널(20a)이 상기 제1 공급 포트(35a)를 개재하여 상기 중공 공간(31)과 연통 가능하게 된다. 마찬가지로, 상기 제2 토출구(21)가 상기 제2 공급 포트(35b)에 결합된 후, 상기 제2 토출구(21)와 대응하는 상기 제2 공급 포트(35b)가 상기 혼합물의 다른 하나의 유동 경로를 구성하고, 상기 토출 채널(20b)이 상기 제2 공급 포트(35b)를 개재하여 상기 중공 공간(31)과 연통 가능하게 된다. 상기 성형 장치(30)로부터 상기 혼합물이 흘러넘치는 일이 없도록, 상기 토출구(21)는 대응하는 상기 제1 공급 포트(35a) 및 상기 제2 공급 포트(35b)와 긴밀하게 걸어맞춤될 필요가 있다.

일부의 실시태양에서, 상기 혼합물을 상기 압출 시스템(10)에 의해 사출할 준비가 갖추어지면, 상기 제1 토출 채널(20a)과 상기 제2 토출 채널(20b)이 상기 성형 장치(30)와 위치맞춤되고, 상기 성형 장치(30)의 상기 커버(50)가 상기 제2 위치(52)로부터 상기 제1 위치(51)로 슬라이딩된다. 상기 제2 위치(52)로부터 상기 제1 위치(51)로 상기 커버(50)가 이동된 후, 상기 제1 토출구(21)와 상기 제2 토출구(21)는 대응하는 상기 제1 공급 포트(35a) 및 상기 제2 공급 포트(35b)와 걸어맞춤할 수 있다. 상기 제1 토출구(21)와 상기 제1 공급 포트(35a)의 걸어맞춤, 및 상기 제2 토출구(21)와 상기 제2 공급 포트(35b)의 걸어맞춤 후, 사출이 개시된다. 상기 혼합물을 사출하는 동안에, 상기 커버(50)는 상기 제1 위치(51)에 머문다.

일부의 실시태양에서, 상기 방법(900)은 또한, 상기 토출구(21)를 상기 제1 공급 포트(35a)에 걸어맞춤시키면서, 상기 지지 유닛(40)의 제1 요소(41)를 상기 지지 유닛(40)의 제2 요소(42) 내에서 상대적으로 회전시켜, 상기 지지 유닛(40)을 록킹 상태로 함으로써, 상기 토출 채널(20a, 20b)을 상기 성형 장치(30)에 고정하는 공정을 포함한다. 일부의 실시태양에서, 상기 제1 토출구(21)와 상기 제2 토출구(21)가 상기 제1 공급 포트(35a) 및 상기 제2 공급 포트(35b)에 결합되어 있을 때, 상기 제1 요소(41)는 상기 제2 요소(42) 내로 들어가고, 그 후 상기 제2 요소(42)에서 록킹된다.

일부의 실시태양에서, 상기 가열 장치(72)는 상기 제1 토출 채널(20a)과 상기 제2 토출 채널(20b)을 가열하여 상기 토출 채널(20a, 20b)의 온도를 소정 범위 내로 유지한다. 일부의 실시태양에서, 상기 가열 장치(73)는 상기 제1 공급 포트(35a)와 상기 제2 공급 포트(35b)를 가열하여, 상기 제1 공급 포트(35a)와 상기 제2 공급 포트(35b)의 온도를 소정 범위 내로 유지한다.

일부의 실시태양에서, 도 26에 나타낸 바와 같이, 상기 방법(900)은, 상기 제1 토출구(21)와 상기 제1 공급 포트(35a)를 통해 제1 분량의 상기 혼합물(M1)을 상기 중공 공간(31)에 사출하는 공정(904)을 포함한다. 일부의 실시태양에서, 상기 제1 토출 채널(20a)은 상기 제1 분량의 상기 혼합물(M1)의 사출 시, 적어도 일부가 상기 성형 장치(30)에 둘러싸인다. 일부의 실시태양에서, 상기 제1 분량의 상기 혼합물(M1)을 상기 중공 공간(31)에 사출하는 프로세스는, 0.5~1초 동안만 지속한다.

일부의 실시태양에서, 상기 방법(900)은, 상기 제2 토출구(21)와 상기 제2 공급 포트(35b)를 통해 제2 분량의 상기 혼합물(M2)을 상기 중공 공간(31)에 사출하는 공정(905)을 포함한다. 일부의 실시태양에서, 상기 제2 토출 채널(20b)은 상기 제2 분량의 상기 혼합물(M2)의 사출 시, 적어도 일부가 상기 성형 장치(30)에 포위된다. 일부의 실시태양에서, 상기 제2 분량의 상기 혼합물(M2)을 상기 중공 공간(31)에 사출하는 프로세스는, 0.5~1초 동안만 지속한다.

일부의 실시태양에서, 상기 제1 분량의 상기 혼합물(M1)의 사출과, 상기 제2 분량의 상기 혼합물(M2)의 사출은 동시에 실시된다. 일부의 실시태양에서, 상기 제1 분량의 상기 혼합물(M1)의 사출 기간은, 상기 제2 분량의 상기 혼합물(M2)의 사출 기간과 같다.

일부의 실시태양에서, 상기 압출 시스템(10)이 상기 성형 장치(30)로부터 이탈하는 것을 방지하기 위해, 상기 지지 유닛(40)으로부터 힘이 가해진다. 일부의 실시태양에서, 공정(904)과 공정(905)에서, 상기 혼합물이 상기 제1 토출구와 상기 제2 토출구(21)로부터 상기 성형 장치(30)에 사출될 때, 상기 성형 장치(30)가 사출 방향과 반대인 반력(反力)을 생성할 수 있고, 상기 반력이 상기 제1 토출 채널(20a) 및 상기 제2 토출 채널(20b)과 상기 압출 시스템(10)에 전달되어, 상기 제1 토출 채널(20a) 및 상기 제2 토출 채널(20b)이 상기 성형 장치(30)로부터 이탈하기 쉬워질 우려가 있다. 일부의 실시태양에서, 상기 지지 유닛(40)은 상기 사출 방향과 반대의 상기 반력에 대한 지지를 제공한다.

일부의 실시태양에서, 사출 프로세스 동안, 상기 제1 토출 채널(20a) 및 상기 제2 토출 채널(20b)의 온도는 상기 성형 장치(30)의 온도보다 높다. 일부의 실시태양에서, 상기 온도차가 상기 단열재(70)와 상기 가열 장치(72, 73)를 이용하여 유지된다.

일부의 실시태양에서, 상기 방법(900)은 또한, 공정(904)과 공정(905) 후, 상기 중공 공간(31) 내에서 발포 성형품(80)을 형성하는 공정을 포함한다. 상기 발포 성형품(80)은, 상기 제1 분량의 상기 혼합물(M1)에 의해 형성되는 제1 부분(81)과, 상기 제2 분량의 상기 혼합물(M2)에 의해 형성되는 제2 부분(82)을 포함한다. 일부의 실시태양에서, 상기 제1 부분(81)과 상기 제2 부분(82)은, 상기 돌출부(36)에 대응하는 홈의 2개가 상대하고 있는 측에 배치된다.

일부의 실시태양에서, 상기 발포 성형품(80)은 또한, 상기 제1 공급 포트(35a)와 상기 제2 공급 포트(35b)에 대응하는 제1 마크(84a)와 제2 마크(84b)를 각각 포함한다. 일부의 실시태양에서, 상기 제1 마크(84a)가 상기 제1 부분(81)에 배치되고, 상기 제2 마크(84b)가 상기 제2 부분(82)에 배치된다.

일부의 실시태양에서, 상기 방법(900)은 또한 상기 제1 공급 포트(35a)로부터 상기 제1 토출구(21)를 이탈시키는 공정을 포함한다. 일부의 실시태양에서, 상기 방법은 또한 상기 제2 공급 포트(35b)로부터 상기 제2 토출구(21)를 이탈시키는 공정을 포함한다. 일부의 실시태양에서, 상기 제1 공급 포트(35a)로부터의 상기 제1 토출구(21)의 이탈, 및 상기 제2 공급 포트(35b)로부터의 상기 제2 토출구(21)의 이탈은 동시에 실시된다. 일부의 실시태양에서, 상기 중공 공간(31) 내로의 상기 제1 분량 및 상기 제2 분량의 상기 혼합물(M1, M2)의 사출 후, 상기 제1 토출 채널(20a)과 제2 토출 채널(20b)이 상기 성형 장치(30)로부터 이탈되어, 멀어지도록 이동된다.

일부의 실시태양에서, 상기 제1 공급 포트(35a)로부터의 상기 제1 토출구(21)의 이탈, 및 상기 제2 공급 포트(35b)로부터의 상기 제2 토출구(21)의 이탈전에, 상기 지지 유닛(40)이 록킹 해제 상태로 된다. 일부의 실시태양에서, 상기 지지 유닛(40)은, 상기 지지 유닛(40)의 제1 요소(41)를 상기 지지 유닛(40)의 제2 요소(42) 내에서 상대적으로 회전시킴으로써 록킹 상태에서 록킹 해제 상태로 되고, 상기 성형 장치(30)로부터 상기 토출 채널(20)이 록킹 해제된다. 일부의 실시태양에서, 상기 제1 토출구(21) 및 제2 토출구(21)를 상기 제1 공급 포트(35a) 및 제2 공급 포트(35b)로부터 이탈시키는 동안, 상기 제1 요소(41)는 상기 제2 요소(42)로부터 록킹 해제된 후, 상기 제2 요소(42)로부터 이탈된다.

일부의 실시태양에서, 상기 방법(900)은 또한, 상기 제1 토출구(21) 및 상기 제2 토출구(21)를 상기 제1 공급 포트(35a) 및 상기 제2 공급 포트(35b)로부터 각각 이탈시키는 동안, 또는 그 후, 상기 제1 공급 포트(35a)와 상기 제2 공급 포트(35b)를 피복하는 공정을 포함한다. 상기 제1 토출구(21) 및 상기 제2 토출구(21)가 상기 제1 공급 포트(35a) 및 상기 제2 공급 포트(35b)로부터 분리되면, 각 상기 커버(50)가 곧바로 상기 제1 위치(51)로부터 상기 제2 위치(52)로 슬라이딩하여, 상기 성형 장치(30) 내의 상기 혼합물이 상기 제1 공급 포트(35a) 및 상기 제2 공급 포트(35b)로부터 흘러넘치지 않도록 한다.

일부의 실시태양에서, 제1 분량 및 제2 분량의 혼합물(M1, M2)이 상기 중공 공간(31) 내에 사출된 후, 상기 성형 장치(30)의 상기 가열 장치(73)가 상기 제1 공급 포트(35a) 및 상기 제2 공급 포트(35b)의 가열을 정지한다. 일부의 실시태양에서, 상기 가열 장치(72)는 상기 제1 토출 채널(20a)과 상기 제2 토출 채널(20b)의 가열을 계속한다.

상술한 공정(901) 내지 공정(905)에서, 상기 제어 시스템(60)은, 상기 압출 시스템(10), 상기 제1 토출 채널(20a)과 상기 제2 토출 채널(20b), 상기 성형 장치(30), 상기 지지 유닛(40), 상기 커버(50), 상기 단열재(70), 상기 가열 장치(72, 73)를 실시간으로 자동적으로 제어한다. 일부의 실시태양에서, 상기 제어 시스템(60)은 상기 압출 시스템(10)의 이동을 제어한다. 일부의 실시태양에서, 상기 제어 시스템(60)은 상기 제1 토출 채널(20a)과 상기 제2 토출 채널(20b)의 이동을 제어한다.

상기 방법(900)은 상술한 실시태양에 한정되지 않는다. 일부의 실시태양에서, 상기 사출 성형 방법(900)은, 도 1 내지 도 21에 나타내는 상술한 성형 장치 중 어느 하나를 사용한다.

상술한 설명은 당업자가 본 발명의 태양을 더 잘 이해할 수 있도록 몇 가지 실시태양의 특징을 개설한 것이다. 당업자는 본 발명을 기초로 하여 사용하며, 여기서 설명한 실시태양과 동일한 목적을 실행하거나, 및(또는) 동일한 이점을 달성하기 위해, 다른 프로세스 및 구조의 설계 또는 변경을 실시할 수 있을 것이다. 또, 당업자는 그러한 동등한 구조가 본 발명의 요지와 범위를 일탈하지 않았고, 또 본 발명의 요지와 범위로부터 일탈하는 일 없이, 본 발명의 다양한 변경, 치환, 및 개변이 가능함을 이해해야 할 것이다.

또한, 본 발명의 범위는, 프로세스, 기계, 제조, 물질의 조성, 수단, 방법, 및 본 명세서에 기재된 단계의 특정한 실시형태에 한정되는 것은 아니다. 당업자라면 본 발명의 개시로부터 용이하게 이해하도록, 프로세스, 기계, 제조, 물질의 조성, 수단, 방법, 또는 단계는, 현재 기존의 또는 후에 개발되는, 실질적으로 동일한 기능을 하거나, 본 발명에 따라 이용할 수 있는 본 명세서에 기재된 대응하는 실시형태와 같이, 실질적으로 동일한 결과를 달성한다. 따라서, 첨부된 특허청구의 범위는, 그 범위 내에 그러한 프로세스, 기계, 제조, 물질의 조성, 수단, 방법, 및 단계를 포함하는 것을 의도하고 있다.

100 사출 성형 시스템
10 압출 시스템
11 혼합 배럴
12 사출구
20, 20a, 20b 토출 채널
201 분기로
21, 22 토출구
30 성형 장치
31 중공 공간
32 상형
33 하형
34 상부 몰드 베이스
341 개구
35, 35a, 35b 공급 포트
36 돌출부
39 밀봉 요소
40 지지 유닛
41 제1 요소
42 제2 요소
50 커버
51 제1 위치
52 제2 위치
50 유량(流量) 제어 장치
51 밸브체
60 제어 시스템
61 중앙 처리 장치
62 센서
63 케이블
70 단열재
71 개구
72, 73 가열 장치
80 발포 성형품
81 제1 부분
82 제2 부분
83 홈
84a 제1 마크
84b 제2 마크
900 방법
901~905 공정
H 두께
L 길이
M1 제1 분량의 혼합물
M2 제2 분량의 혼합물

Claims

사출 성형 시스템으로서,
고분자 재료와 발포제의 혼합물을 생성하도록 구성된 압출 시스템;
상기 압출 시스템과 연통 가능하며, 그 중, 각 토출 채널이 상기 압출 시스템으로부터 이격하여 배치된 토출구를 포함하고, 상기 혼합물을 토출하도록 구성된 복수의 토출 채널;
상기 토출구로부터 상기 혼합물을 수취하도록 구성되고, 또한
중공 공간과,
상기 중공 공간과 연통 가능하며, 상기 토출구에 대응하여 걸어맞춤 가능한 복수의 공급 포트를 포함하는 성형 장치; 및
상기 복수의 토출 채널과 상기 성형 장치의 걸어맞춤을 촉진하도록 구성되며, 상기 압출 시스템으로부터 돌출된 제1 요소와, 상기 성형 장치에 배치되며 상기 제1 요소와 걸어맞춤하도록 구성된 제2 요소를 구비하는 지지 유닛;을 포함하는 것을 특징으로 하는 사출 성형 시스템.
청구항 1에 있어서,
각 상기 토출 채널이 서로 다른 분량의 상기 혼합물을 수용하도록 구성된 것을 특징으로 하는 사출 성형 시스템.
청구항 1에 있어서,
각 상기 토출구가 서로 다른 직경을 갖는 것을 특징으로 하는 사출 성형 시스템.
청구항 1에 있어서,
상기 복수의 토출 채널 중 적어도 하나가 또한 유량(流量) 제어 장치를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 사출 성형 시스템.
청구항 4에 있어서,
상기 유량 제어 장치가, 상기 토출 채널 내에 배치된 조정 가능한 밸브체인 것을 특징으로 하는 사출 성형 시스템.
청구항 1에 있어서,
상기 중공 공간에 결합되고 또한 상기 성형 장치의 내벽에 배치된 돌출부 또는 홈을 더 갖는 것을 특징으로 하는 사출 성형 시스템.
청구항 1에 있어서,
상기 압출 시스템이, 상기 혼합물의 복수의 분량을 생성하도록 구성되고, 상기 혼합물의 각 분량이 다른 분량과 서로 다른 물리적 상태 또는 특성을 가지며, 각 토출 채널이 서로 다른 분량의 상기 혼합물을 토출하도록 구성된 것을 특징으로 하는 사출 성형 시스템.
사출 성형 방법으로서,
고분자 재료와 발포제의 혼합물을 생성하도록 구성된 압출 시스템과, 제1 토출 채널과, 제2 토출 채널과, 중공 공간, 제1 공급 포트, 제2 공급 포트를 포함하는 성형 장치를 제공하고, 그 중, 상기 제1 토출 채널이 상기 압출 시스템과 연통 가능하며 또한 상기 압출 시스템으로부터 이격하여 배치된 제1 토출구를 포함하고, 상기 제2 토출 채널이 상기 압출 시스템과 연통 가능하며 또한 상기 압출 시스템으로부터 이격하여 배치된 제2 토출구를 포함하고, 상기 제1 공급 포트와 상기 제2 공급 포트가 상기 중공 공간과 연통 가능하며 또한 상기 제1 토출구 및 상기 제2 토출구와 각각 걸어맞춤 가능한 공정과,
상기 압출 시스템으로부터 돌출된 제1 요소와, 상기 성형 장치에 배치되며 상기 제1 요소와 걸어맞춤하도록 구성된 제2 요소를 구비하는 지지 유닛을 제공하는 공정과,
상기 제1 토출구와 상기 제1 공급 포트를 걸어맞춤시키는 공정과,
상기 제2 토출구와 상기 제2 공급 포트를 걸어맞춤시키는 공정과,
상기 지지 유닛을 록킹 해제 상태로부터 록킹 상태로 이행시킴으로써 상기 제1 토출 채널과 상기 제2 토출 채널을 상기 성형 장치에 고정하는 공정과,
상기 제1 토출구와 상기 제1 공급 포트를 통해 제1 분량의 상기 혼합물을 상기 중공 공간 내에 사출하는 공정과,
상기 제2 토출구와 상기 제2 공급 포트를 통해 제2 분량의 상기 혼합물을 상기 중공 공간 내에 사출하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 사출 성형 방법.
청구항 8에 있어서,
상기 제1 분량의 상기 혼합물의 사출 기간이, 상기 제2 분량의 상기 혼합물의 사출 기간과 동일한 것을 특징으로 하는 사출 성형 방법.
청구항 8에 있어서,
상기 중공 공간 내에서 발포 성형품을 형성하는 공정을 더 구비하며, 그 중, 상기 발포 성형품이, 상기 제1 공급 포트와 상기 제2 공급 포트에 대응하는 제1 마크와 제2 마크를 각각 포함하는 것을 특징으로 하는 사출 성형 방법.