KR102380066B1

KR102380066B1 - 박리 기점의 형성 장치, 적층체의 제작 장치, 및 박리 기점의 형성 방법

Info

Publication number: KR102380066B1
Application number: KR1020140114539A
Authority: KR
Inventors: 류 고마츠; 고헤이 요코야마; 마사카츠 오노; 사토루 이도지리; 히사오 이케다; 야스히로 진보; 히로키 아다치; 요시하루 히라카타; 신고 에구치; 다이키 나카무라
Original assignee: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
Priority date: 2013-08-30
Filing date: 2014-08-29
Publication date: 2022-03-28
Also published as: JP6661811B2; TWI618131B; TW201528353A; KR20150026981A; CN104425320A; JP2019135079A; JP6495600B2; CN104425320B; US9764488B2; JP2015180517A; JP2020114602A; US20150059986A1

Abstract

본 발명은, 가공 부재의 표층을 박리하여 잔량부를 분리할 수 있는 박리 기점의 형성 장치를 제공한다. 또는, 표층이 박리된 가공 부재의 잔량부 및 지지체를 구비하는 적층체의 제작 장치를 제공한다.
가공 부재를 지지하는 스테이지와, 스테이지에 대향하는 절삭구와, 그것을 지지하는 헤드부와, 헤드부를 지지하는 아암부 및 절삭구를 스테이지에 대하여 상대적으로 이동시키는 이동 기구를 포함하여 구성한다.

Description

박리 기점의 형성 장치, 적층체의 제작 장치, 및 박리 기점의 형성 방법{DEVICE FOR FORMING SEPARATION STARTING POINT, STACK MANUFACTURING APPARATUS, AND METHOD FOR FORMING SEPARATION STARTING POINT}

본 발명은, 물건, 방법, 또는 제조 방법에 관한 것이다. 또는, 본 발명은, 프로세스, 머신, 매뉴팩처, 또는 조성물(composition of matter)에 관한 것이다. 특히, 본 발명은, 예를 들어 반도체 장치, 표시 장치, 발광 장치, 축전 장치, 그들의 구동 방법, 또는 그들의 제조 방법에 관한 것이다. 특히, 본 발명의 일 형태는, 박리 기점의 형성 방법, 박리 기점의 형성 장치 또는 적층체의 제작 장치에 관한 것이다.

정보 전달 수단에 관한 사회 기반이 충실해지게 되었다. 이에 의해, 다양하고 윤택한 정보를 직장이나 자택뿐만 아니라 출장지에서도 정보 처리 장치를 사용하여 취득, 가공 또는 발신할 수 있게 되었다.

이와 같은 배경에 있어서, 휴대 가능한 정보 처리 장치가 한창 개발되고 있다.

예를 들어, 휴대 가능한 정보 처리 장치는 옥외에서 사용되는 경우가 많고, 낙하에 의해 생각하지 못한 힘이 정보 처리 장치 및 그것에 사용되는 표시 장치에 가해지는 경우가 있다. 파괴되기 어려운 표시 장치의 일례로서, 발광층을 분리하는 구조체와 제2 전극층의 밀착성이 높여진 구성이 알려져 있다(특허문헌 1).

일본 특허 공개 제2012-190794호 공보

본 발명의 일 형태는, 가공 부재의 표층을 박리하여 잔부(殘部)를 분리할 수 있는 박리 기점의 형성 장치를 제공하는 것을 과제의 하나로 한다. 또는, 박리 기점의 신규의 형성 방법을 제공하는 것을 과제의 하나로 한다. 또는, 표층이 박리된 가공 부재의 잔부 및 지지체를 구비하는 적층체의 제작 장치를 제공하는 것을 과제의 하나로 한다. 또는, 신규의 제작 장치를 제공하는 것을 과제의 하나로 한다. 또는, 신규의 제작 장치를 사용하여 제작된 장치를 제공하는 것을 과제의 하나로 한다.

또한, 이들 과제의 기재는, 다른 과제의 존재를 저해하는 것은 아니다. 또한, 본 발명의 일 형태는, 이들 과제 모두를 해결할 필요는 없는 것으로 한다. 또한, 이들 이외의 과제는, 명세서, 도면, 청구항 등의 기재로부터, 저절로 명백해지는 것이며, 명세서, 도면, 청구항 등의 기재로부터, 이들 이외의 과제를 추출하는 것이 가능하다.

본 발명의 일 형태는, 표층을 박리하여 잔부를 분리할 수 있는 박리 기점이 형성되는 가공 부재를 지지할 수 있는 스테이지와, 스테이지에 대향하는 절삭구와, 절삭구를 지지하는 헤드부와, 헤드부를 지지하는 아암부와, 스테이지에 대한 절삭구의 상대적인 위치를 결정하는 이동 기구를 갖는 박리 기점의 형성 장치이다. 그리고, 절삭구는, 가공 부재의 일부를 남기고 절삭할 수 있고, 이동 기구는 절삭구를 스테이지를 따라서 상대적으로 이동시킨다.

또한, 본 발명의 일 형태는, 표층을 박리하여 잔부를 분리할 수 있는 박리 기점이 형성되는 가공 부재를 지지할 수 있는 스테이지와, 스테이지에 대향하는 절삭구와, 절삭구를 지지하는 헤드부와, 헤드부를 지지하는 아암부와, 스테이지에 대한 절삭구의 상대적인 위치를 결정하는 이동 기구를 갖는 박리 기점의 형성 장치이다. 그리고, 이동 기구는, 일부를 남기고 소정의 깊이까지 가공 부재가 절삭되도록, 절삭구를 배치하고, 또한 스테이지를 따라서 상대적으로 이동시킨다.

상기 본 발명의 일 형태의 박리 기점의 형성 장치는, 가공 부재를 지지하는 스테이지와, 스테이지에 대향하는 절삭구와, 그것을 지지하는 헤드부와, 헤드부를 지지하는 아암부와, 절삭구를 스테이지에 대하여 상대적으로 이동시키는 이동 기구를 포함하여 구성된다. 이에 의해, 가공 부재의 일부가 남도록 절입하여, 가공 부재에 박리 기점을 형성할 수 있다. 그 결과, 가공 부재의 표층을 박리하여 잔부를 분리할 수 있는 박리 기점의 형성 장치를 제공할 수 있다.

또한, 본 발명의 일 형태는, 절삭구가 일부를 남기고 절삭한 부분을 촬영하는 카메라와, 카메라에 의해 촬영된 화상을 처리하는 화상 처리부를 갖고, 화상 처리부가, 절삭된 부분을 따라서 박리 기점이 형성되었는지 여부를 판별하는 상기 박리 기점의 형성 장치이다.

또한, 본 발명의 일 형태는, 절삭구가 일부를 남기고 절삭한 부분을 촬영하는 카메라와, 카메라에 의해 촬영된 화상을 처리하는 화상 처리부를 갖고, 스테이지가, 절삭되는 부분의 주변에 마커가 형성된 가공 부재를 지지할 수 있고, 화상 처리부가, 마커의 화상의 변화를 검지하여, 절삭된 부분을 따라서 박리 기점이 형성되었는지 여부를 판별하는 상기 박리 기점의 형성 장치이다.

상기 본 발명의 일 형태의 박리 기점의 형성 장치는, 일부가 남도록 절삭구가 가공 부재를 절입한 부분을 촬영하는 카메라와, 촬영된 화상을 처리하는 화상 처리부를 포함하여 구성된다. 이에 의해, 가공 부재의 표층을 박리할 수 있는 박리 기점이 형성되었는지 여부를 확인할 수 있다. 그 결과, 가공 부재의 표층을 박리하여 잔부를 분리할 수 있는 박리 기점의 형성 장치를 제공할 수 있다.

또한, 본 발명의 일 형태는, 표층을 박리하여 잔부를 분리할 수 있는 박리 기점이 형성되는 가공 부재를 공급하는 공급 유닛과, 가공 부재의 일부를 남기고 절삭하여, 박리 기점을 형성하는 기점 형성 유닛과, 가공 부재의 한쪽 표층을 박리하여, 잔부를 분리하는 분리 유닛과, 지지체가 공급되고, 지지체를 잔부에 접착층을 사용하여 접합하는 접합 유닛과, 지지체를 공급하는 지지체 공급 유닛과, 잔부, 접착층 및 접착층으로 접합된 지지체를 구비하는 적층체를 운송하는 언로드 유닛을 갖는 적층체의 제작 장치이다.

그리고, 기점 형성 유닛은, 가공 부재를 지지할 수 있는 스테이지와, 스테이지에 대향하는 절삭구와, 절삭구를 지지하는 헤드부와, 헤드부를 지지하는 아암부와, 스테이지에 대한 절삭구의 상대적인 위치를 결정하는 이동 기구를 구비하고, 절삭구는, 가공 부재의 일부를 남기고 절삭할 수 있고, 이동 기구는, 절삭구를 스테이지를 따라서 상대적으로 이동시키는 박리 기점의 형성 장치를 구비하는 적층체의 제작 장치이다.

상기 본 발명의 일 형태의 적층체의 제작 장치는, 가공 부재의 공급 유닛과, 가공 부재의 한쪽 표면으로부터 가공 부재의 일부가 남도록 절입하여 박리 기점을 형성하는 기점 형성 유닛과, 잔부를 분리하는 분리 유닛과, 지지체를 잔부에 접합하는 접합 유닛과, 지지체를 공급하는 지지체 공급 유닛과, 잔부, 접착층 및 접착층으로 접합된 지지체를 구비하는 적층체를 운송하는 언로드 유닛을 포함하여 구성된다. 이에 의해, 표층을 박리하여 분리된 가공 부재의 잔부에 지지체를 접합할 수 있다. 그 결과, 표층이 박리된 가공 부재의 잔부 및 지지체를 구비하는 적층체의 제작 장치를 제공할 수 있다.

또한, 본 발명의 일 형태는, 한쪽 표층을 박리하여 제1 잔부를 분리할 수 있고, 또한 일부를 남기고 절삭된 다른 쪽 표층을 박리하여 제2 잔부를 분리할 수 있는 박리 기점이 형성되는 가공 부재를 공급하는 제1 공급 유닛과, 가공 부재의 한쪽 표층을 박리하여, 제1 잔부를 분리하는 제1 분리 유닛과, 제1 지지체가 공급되고, 제1 지지체를 제1 잔부에 제1 접착층을 사용하여 접합하는 제1 접합 유닛과, 제1 지지체 및 제2 지지체를 공급하는 지지체 공급 유닛과, 제1 잔부, 제1 접착층 및 제1 접착층으로 접합된 제1 지지체를 구비하는 제1 적층체를 운송하는 제1 언로드 유닛과, 제1 적층체를 공급하는 제2 공급 유닛과, 제1 적층체의 일부를 남기고 절삭하여, 박리 기점을 형성하는 기점 형성 유닛과, 제1 적층체의 한쪽 표층을 박리하여, 제2 잔부를 분리하는 제2 분리 유닛과, 제2 지지체가 공급되고, 제2 지지체를 제2 잔부에 제2 접착층을 사용하여 접합하는 제2 접합 유닛과, 제2 잔부, 제2 접착층 및 제2 접착층으로 접합된 제2 지지체를 구비하는 제2 적층체를 운송하는 제2 언로드 유닛을 갖는 적층체의 제작 장치이다.

상기 본 발명의 일 형태의 적층체의 제작 장치는, 가공 부재를 공급하는 제1 공급 유닛과, 제1 잔부를 분리하는 제1 분리 유닛과, 제1 지지체를 제1 잔부에 접합하는 제1 접합 유닛과, 제1 지지체 및 제2 지지체를 공급하는 지지체 공급 유닛과, 제1 잔부, 제1 접착층 및 제1 접착층으로 접합된 제1 지지체를 구비하는 제1 적층체를 운송하는 제1 언로드 유닛과, 제1 적층체를 공급하는 제2 공급 유닛과, 제1 적층체의 한쪽 표면으로부터 가공 부재의 일부가 남도록 절입하여 박리 기점을 형성하는 기점 형성 유닛과, 제2 잔부를 분리하는 제2 분리 유닛과, 제2 지지체를 제2 잔부에 접합하는 제2 접합 유닛과, 제2 잔부, 제2 접착층 및 제2 접착층으로 접합된 제2 지지체를 구비하는 제2 적층체를 운송하는 제2 언로드 유닛을 포함하여 구성된다. 이에 의해, 가공 부재의 양쪽 표층을 박리하여 분리된 제2 잔부에 제1 지지체 및 제2 지지체를 접합할 수 있다. 그 결과, 표층이 박리된 가공 부재의 잔부 및 지지체를 구비하는 적층체의 제작 장치를 제공할 수 있다.

본 발명의 일 형태는, 제1 적층체를 지지할 수 있는 스테이지와, 스테이지에 대향하는 절삭구와 절삭구를 유지하는 제1 헤드부와, 제1 헤드부를 유지하는 제1 아암부와, 스테이지에 대향하는 가압구와, 가압구를 유지하는 제2 헤드부와, 제2 헤드부를 유지하는 제2 아암부와, 스테이지에 대한 절삭구 및 가압구의 위치를 상대적으로 결정할 수 있는 이동 기구를 갖는 박리 기점의 형성 장치이다.

그리고, 이동 기구는, 일부를 남기고 제1 적층체를 절삭하고 또한 남겨진 일부로부터 절삭된 부분을 박리하도록, 절삭구의 상대적인 위치를 결정할 수 있고, 또한, 이동 기구는, 제1 적층체의 절삭된 부분의 근방을 스테이지에 가압하도록, 가압구의 상대적인 위치를 결정할 수 있다.

또한, 본 발명의 일 형태는, 기판, 박리층, 피박리층, 제1 지지체 및 보호막이, 이 순서로 기판으로부터 배치되어 있는 제1 적층체를, 스테이지가 지지할 수 있는, 상기 박리 기점의 형성 장치이다.

상기 본 발명의 일 형태의 박리 기점의 형성 장치는, 일부를 남기고 제1 적층체를 절삭하고 또한 남겨진 일부로부터 절삭된 부분을 박리하는 절삭구와, 제1 적층체의 남겨진 일부의 근방을 스테이지에 가압하도록 이동시킬 수 있는 가압구를 포함하여 구성된다.

이에 의해, 일부를 남기고 제1 적층체를 절삭함으로써 형성된 박리 기점으로부터 절삭된 부분을 박리하여, 박리를 진행하는 스텝에 있어서, 제1 지지체로부터 의도하지 않게 분리되어 버리는 보호막을, 제1 지지체에 밀착시킬 수 있다. 그 결과, 박리 기점의 신규의 제작 장치를 제공할 수 있다.

또한, 본 발명의 일 형태는, 기판, 박리층, 피박리층, 제1 지지체 및 보호막이 이 순서로 기판으로부터 배치되는 제1 적층체를, 기판을 남기고 절삭하여, 피박리층에 단부를 형성하는 제1 스텝과, 단부를 기판으로부터 박리하는 제2 스텝과, 단부의 근방을 기판에 가압하는 제3 스텝을 갖는 박리 기점의 형성 방법이다.

상기 본 발명의 일 형태의 박리 기점의 형성 방법은, 기판을 남기고 제1 적층체를 절삭하여, 피박리층에 단부를 형성하는 제1 스텝과, 단부를 기판으로부터 박리하는 제2 스텝과, 단부의 근방을 기판에 가압하는 제3 스텝을 포함하여 구성된다.

피박리층을 절삭함으로써 형성된 단부를 기판으로부터 박리하는 스텝에 있어서, 제1 지지체로부터 의도하지 않게 분리되어 버리는 보호막을, 제1 지지체에 밀착시킬 수 있다. 그 결과, 박리 기점의 신규의 형성 방법을 제공할 수 있다.

또한, 본 발명의 일 형태는, 제3 스텝에 있어서, 가압하는 위치를, 기판으로부터 단부가 박리되어 박리가 진행되는 방향과는 반대 방향으로 이동하면서, 단부의 근방을 기판에 가압하는 상기 박리 기점의 형성 방법이다.

이에 의해, 예를 들어 제1 적층체의 제1 지지체와 보호막 사이에 인입한 기체나 액체를 압출하여, 보호막을 제1 지지체에 밀착시킬 수 있어, 의도하지 않게 제1 지지체로부터 보호막이 분리되어 버리는 문제를 방지할 수 있다. 그 결과, 박리 기점의 신규의 형성 방법을 제공할 수 있다.

또한, 본 발명의 일 형태는, 제1 스텝 또는/및 제2 스텝에 있어서, 단부에 액체를 공급하는 상기 박리 기점의 형성 방법이다.

이에 의해, 박리에 필요로 하는 힘 또는/및 박리에 수반되어 발생하는 정전기를 저감할 수 있다. 그 결과, 박리 기점의 신규의 형성 방법을 제공할 수 있다.

또한, 본 발명의 일 형태는, 가공 부재를 공급하는 제1 공급 유닛과, 가공 부재의 한쪽 표층을 박리하여, 제1 잔부를 분리하는 제1 분리 유닛과, 제1 지지체가 공급되고, 제1 지지체를 제1 잔부에 제1 접착층을 사용하여 접합하는 제1 접합 유닛과, 제1 지지체 및 제2 지지체를 공급하는 지지체 공급 유닛과, 제1 잔부, 제1 접착층 및 제1 접착층으로 접합된 제1 지지체를 구비하는 제1 적층체를 운송하는 제1 언로드 유닛과, 제1 적층체를 공급받아 공급하는 제2 공급 유닛과, 제1 적층체의 일부를 남기고 절삭하여, 박리 기점을 형성하는 기점 형성 유닛과, 제1 적층체의 한쪽 표층을 박리하여, 제2 잔부를 분리하는 제2 분리 유닛과, 제2 지지체가 공급되고, 제2 지지체를 제2 잔부에 제2 접착층을 사용하여 접합하는 제2 접합 유닛과, 제2 잔부, 제2 접착층 및 제2 접착층으로 접합된 제2 지지체를 구비하는 제2 적층체를 운송하는 제2 언로드 유닛을 갖는 적층체의 제작 장치이다.

그리고 기점 형성 유닛은, 상기 박리 기점의 형성 장치를 구비한다.

상기 본 발명의 일 형태의 적층체의 제작 장치는, 일부를 남기고 제1 적층체를 절삭하고 또한 남겨진 일부로부터 절삭된 부분을 박리하여 이동시킬 수 있는 절삭구와, 제1 적층체의 남겨진 일부의 근방을 스테이지에 가압하도록 이동시킬 수 있는 가압구를 포함하여 구성되는 박리 기점의 제작 장치를 구비하는 기점 형성 유닛을 갖는다.

이에 의해, 일부를 남기고 제1 적층체를 절삭함으로써 형성된 박리 기점으로부터 절삭된 부분을 박리하여, 박리를 진행하는 스텝에 있어서, 제1 지지체로부터 의도하지 않게 분리되어 버리는 보호막을, 제1 지지체에 밀착시킬 수 있다. 그 결과, 적층체의 신규의 제작 장치를 제공할 수 있다.

본 발명의 일 형태에 의하면, 가공 부재의 표층을 박리하여 잔부를 분리할 수 있는 박리 기점의 형성 장치를 제공할 수 있다. 또는, 박리 기점의 형성 방법을 제공할 수 있다. 또는, 표층이 박리된 가공 부재의 잔부 및 지지체를 구비하는 적층체의 제작 장치를 제공할 수 있다. 또한, 이들 효과의 기재는, 다른 효과의 존재를 저해하는 것은 아니다. 또한, 본 발명의 일 형태는, 반드시, 이들 효과 모두를 가질 필요는 없다. 또한, 이들 이외의 효과는, 명세서, 도면, 청구항 등의 기재로부터, 저절로 명백해지는 것이며, 명세서, 도면, 청구항 등의 기재로부터, 이들 이외의 효과를 추출하는 것이 가능하다.

도 1은 실시 형태에 따른 박리 기점의 형성 장치의 구성을 설명하는 모식도.
도 2는 실시 형태에 따른 박리 기점의 형성 공정을 설명하는 모식도.
도 3은 실시 형태에 따른 박리 기점의 형성 장치의 구성을 설명하는 모식도.
도 4는 실시 형태에 따른 적층체의 제작 장치의 구성을 설명하는 모식도.
도 5는 실시 형태에 따른 적층체의 제작 공정을 설명하는 모식도.
도 6은 실시 형태에 따른 적층체의 제작 공정을 설명하는 모식도.
도 7은 실시 형태에 따른 적층체의 제작 장치의 구성을 설명하는 모식도.
도 8은 실시 형태에 따른 적층체의 제작 공정을 설명하는 모식도.
도 9는 실시 형태에 따른 적층체의 제작 공정을 설명하는 모식도.
도 10은 실시 형태에 따른 적층체의 제작 장치의 구성을 설명하는 모식도.
도 11은 실시 형태에 따른 가공 부재의 구성을 설명하는 모식도.
도 12는 실시 형태에 따른 발광 패널을 설명하는 도면.
도 13은 실시 형태에 따른 발광 패널을 설명하는 도면.
도 14는 실시 형태에 따른 발광 패널의 제작 방법을 설명하는 도면.
도 15는 실시 형태에 따른 발광 패널의 제작 방법을 설명하는 도면.
도 16은 실시 형태에 따른 발광 패널을 설명하는 도면.
도 17은 실시 형태에 따른 발광 패널을 설명하는 도면.
도 18은 전자 기기 및 조명 장치의 일례를 설명하는 도면.
도 19는 전자 기기의 일례를 설명하는 도면.
도 20은 실시 형태에 따른 개구부를 갖는 적층체의 제작 방법을 설명하는 도면.
도 21은 실시 형태에 따른 박리 기점의 형성 장치를 설명하는 모식도.
도 22는 실시 형태에 따른 박리 기점의 형성 방법을 설명하는 모식도.
도 23은 실시 형태에 따른 정보 처리 장치에 사용할 수 있는 터치 패널의 구성을 설명하는 도면.
도 24는 실시 형태에 따른 정보 처리 장치에 사용할 수 있는 터치 패널의 구성을 설명하는 도면.
도 25는 실시 형태에 따른 정보 처리 장치에 사용할 수 있는 터치 패널의 구성을 설명하는 도면.
도 26은 실시 형태에 따른 정보 처리 장치에 사용할 수 있는 터치 패널의 구성을 설명하는 도면.

본 발명의 일 형태의 박리 기점의 형성 장치는, 가공 부재를 지지하는 스테이지와, 스테이지에 대향하는 절삭구와, 절삭구를 지지하는 헤드부와, 헤드부를 지지하는 아암부 및 절삭구를 스테이지에 대하여 상대적으로 이동시키는 이동 기구를 포함하여 구성된다.

이에 의해, 가공 부재의 일부가 남도록 절입하여, 그 표층을 박리할 수 있는 박리 기점을 형성할 수 있다. 그 결과, 가공 부재의 표층을 박리하여 잔부를 분리할 수 있는 박리 기점의 형성 장치를 제공할 수 있다.

또한, 본 발명의 일 형태의 적층체의 제작 장치는, 가공 부재의 공급 유닛과, 가공 부재의 한쪽 표면으로부터 가공 부재의 일부가 남도록 절입하여 박리 기점을 형성하는 기점 형성 유닛과, 잔부를 분리하는 분리 유닛과, 지지체를 잔부에 접합하는 접합 유닛과, 지지체를 공급하는 지지체 공급 유닛과, 잔부, 접착층 및 접착층으로 접합된 지지체를 구비하는 적층체를 운송하는 언로드 유닛을 포함하여 구성된다.

이에 의해, 표층을 박리하여 분리된 가공 부재의 잔부에 지지체를 접합할 수 있다. 그 결과, 표층이 박리된 가공 부재의 잔부 및 지지체를 구비하는 적층체의 제작 장치를 제공할 수 있다. 또한, 본 명세서에 있어서 표층이란, 가공 부재 또는 적층체의 표면에 있는 층을 말한다. 표층은, 하나의 층으로 구성되는 것에 한정되지 않고, 복수의 층으로 구성되는 것도 포함한다. 또한, 잔부란, 가공 부재 또는 적층체의 한쪽 표층을 제외한 부분을 말한다.

실시 형태에 대하여, 도면을 사용하여 상세하게 설명한다. 단, 본 발명은 이하의 설명에 한정되지 않고, 본 발명의 취지 및 그 범위로부터 일탈하지 않고 그 형태 및 상세를 다양하게 변경할 수 있는 것은 당업자이면 용이하게 이해된다. 따라서, 본 발명은 이하에 나타내는 실시 형태의 기재 내용에 한정하여 해석되는 것은 아니다. 또한, 이하에 설명하는 발명의 구성에 있어서, 동일 부분 또는 마찬가지의 기능을 갖는 부분에는 동일한 부호를 상이한 도면간에서 공통으로 사용하고, 그 반복 설명은 생략한다.

(실시 형태 1)

본 실시 형태에서는, 본 발명의 일 형태의 박리 기점의 형성 장치의 구성에 대하여, 도 1 내지 도 3을 참조하면서 설명한다.

도 1은 본 발명의 일 형태의 박리 기점의 형성 장치(700)의 구성을 설명하는 모식도이다.

도 2는 본 발명의 일 형태의 박리 기점의 형성 장치(700)를 사용하여, 가공 부재(83)에 박리 기점을 형성하는 공정을 설명하는 모식도이다.

도 3은 본 발명의 일 형태의 박리 기점의 형성 장치(700B)를 설명하는 모식도이다.

본 실시 형태에서 설명하는 박리 기점의 형성 장치(700)는, 표층을 박리하여 잔부를 분리할 수 있는 박리 기점이 형성되는 가공 부재(83)를 지지할 수 있는 스테이지(710T)와, 스테이지(710T)에 대향하는 절삭구(720)와, 절삭구(720)를 지지하는 헤드부(730)와, 헤드부(730)를 지지하는 아암부(740X) 및 아암부(740Y)와, 스테이지(710T)에 대한 절삭구(720)의 상대적인 위치를 결정하는 이동 기구(780)를 갖는다(도 1의 (A) 참조).

그리고, 절삭구(720)는 가공 부재(83)의 일부를 남기고 절삭할 수 있다.

또한, 이동 기구(780)는, 절삭구(720)를 스테이지(710T)를 따라서 상대적으로 이동시킨다.

본 실시 형태에서 설명하는 박리 기점의 형성 장치(700)는, 가공 부재를 지지하는 스테이지(710T)와, 스테이지(710T)에 대향하는 절삭구(720)와, 그것을 지지하는 헤드부(730)와, 헤드부(730)를 지지하는 아암부(740X) 및 아암부(740Y)와 절삭구(720)를 스테이지(710T)에 대하여 상대적으로 이동시키는 이동 기구를 포함하여 구성된다. 이에 의해, 가공 부재(83)의 일부가 남도록 절입하여, 그 표층을 박리할 수 있는 박리 기점을 형성할 수 있다. 그 결과, 가공 부재의 표층을 박리하여 잔부를 분리할 수 있는 박리 기점의 형성 장치를 제공할 수 있다.

이하에, 본 실시 형태에서 예시하는 박리 기점의 형성 장치(700)를 구성하는 개개의 요소에 대하여 설명한다.

《스테이지》

스테이지(710T)는 평탄부를 구비한다. 평탄부는 가공 부재(83)를 지지 또는 고정할 수 있다. 예를 들어, 시트 형상의 가공 부재(83)를 고정하는 기구로서는, 흡착 척(chuck) 또는 정전 척 등을 들 수 있다.

스테이지(710T)의 평탄부는, 평탄부를 포함하는 평면을 따라서 회전(θ회전)할 수 있다. 스테이지(710T)의 평탄부를 회전시키는 기구로서는, 예를 들어 서보 모터나 스텝핑 모터 등의 전동기 등을 사용할 수 있다.

스테이지(710T)의 평탄부를 회전시킬 수 있는 구성으로 함으로써, 스테이지(710T)에 대한 절삭구(720)의 상대적인 이동 방향을 용이하게 회전시킬 수 있다. 예를 들어, 절삭구(720)를 일방향으로 이동시켜 가공 부재(83)를 절삭한 후에 스테이지(710T)를 90° 회전시키고, 다시 절삭구(720)를 일방향으로 이동시켜 가공 부재(83)를 절삭한다. 그 결과, 가공 부재(83)를 직교하는 2개의 방향으로 절삭할 수 있다.

또한, 본 실시 형태에서 박리 기점(83s)이 형성되는 가공 부재(83)는, 제1 기판(11), 제1 기판(11) 위의 제1 박리층(12), 제1 박리층(12)과 한쪽 면이 접하는 제1 피박리층(13), 제1 피박리층(13)의 다른 쪽 면과 한쪽 면이 접하는 접합층(30) 및 접합층(30)의 다른 쪽 면이 접하는 기재(25)를 구비한다(도 1의 (C) 참조). 가공 부재(83)의 구성의 상세는 실시 형태 4에서 설명한다.

《절삭구》

절삭구(720)는, 스테이지(710T)측의 일부를 남기고, 가공 부재(83)의 절삭구(720)가 배치된 측의 일부를 절삭한다(그 절제를 하프컷이라고도 한다).

절삭구(720)에 적용할 수 있는 절삭구는, 가공 부재(83)의 일부를 절삭할 수 있고, 나머지 부분을 절삭하는 것이 곤란한 것이면 된다. 예를 들어 선단이 예리한 칼날이나 레이저 빔 등을 들 수 있다.

본 실시 형태에서 예시하는 가공 부재(83)는, 기재(25) 및 접합층(30)이 가요성을 갖는 수지를 포함하고, 제1 기판(11)이 유리를 포함한다.

이 경우, 예를 들어 절삭구(720)에 회전 가능한 강제(鋼製)의 둥근 날을 적용할 수 있다. 또한, 고정된 선단을 구비하는 칼날을 적용해도 된다.

헤드부(730)가 절삭구(720)를 가공 부재(83)에 압입한다. 절삭구(720)는 수지제의 기재(25) 및 접합층(30)을 절삭할 수 있지만, 유리제의 제1 기판(11)을 절삭할 수 없다. 계속해서, 이동 기구가 절삭구(720)를 스테이지(710T)의 평탄부를 따라서 이동시킨다. 이에 의해 절삭구(720)는, 제1 기판(11)을 남기고 기재(25) 및 접합층(30)을 절삭한다.

또한, 절삭구(720)는 제1 피박리층(13) 및 제1 박리층(12)에 손상을 입혀, 제1 피박리층(13)의 일부가 제1 박리층(12)으로부터 박리된다(도 1의 (C) 참조). 그 결과, 절삭된 부분을 따라서 박리 기점(83s)이 형성된다.

박리 기점(83s)은, 제1 피박리층(13)의 일부가 제1 박리층(12)으로부터 박리된 부분 혹은 박리하기 쉬운 부분이며, 또한 주위로 진행하는 박리 기점으로 되는 부분이다.

제1 피박리층(13)을 제1 박리층(12)으로부터 분리하기 위해서 가하는 힘이, 제1 피박리층(13)에 집중되면, 제1 피박리층(13)이 파괴되어 버리는 경우가 있다. 제1 피박리층(13)을 파괴하지 않고, 제1 피박리층(13)을 제1 박리층(12)으로부터 분리하기 위해서는, 분리하기 위해서 가하는 힘을 제1 박리층(12)과 제1 피박리층(13) 사이의 부분에 집중할 필요가 있다.

박리 기점(83s)은, 제1 피박리층(13)을 제1 박리층(12)으로부터 분리하기 위해서 가하는 힘을 제1 박리층(12)과 제1 피박리층(13) 사이의 부분에 집중시킬 수 있는 구조라고 할 수 있다.

또한, 기재(25)에 유리, 세라믹스, 단결정 기판 등의 경질의 재료를 사용하는 경우는, 절삭구(720)를 사용하여 기재(25)의 표면에 흠집을 형성한 후에 흠집에 응력을 가하여, 제1 기판(11)을 남기고 기재(25)를 파단해도 된다. 이에 의해, 박리 기점(83s)을 형성할 수 있다.

《헤드부》

헤드부(730)는 절삭구(720)를 지지한다(도 1의 (B-1) 내지 도 1의 (B-3) 참조).

헤드부(730)는, 절삭구(720)를 가공 부재에(바꾸어 말하면 Z축 방향으로) 압입하는 힘 또는 압입하는 깊이를 제어하는 기구를 구비하고 있어도 된다.

또한, 헤드부(730)는, 절삭구(720)를 가공 부재에 압입하는 각도를 제어하는 기구를 구비하고 있어도 된다. 구체적으로는, 헤드부(730)는, 절삭구(720)를 가공 부재에 대하여 약 90°의 각도로 진입시킬 수 있다(도 1의 (B-2) 참조). 또한, 가공 부재에 대하여 90°보다 각도 ω만큼 기운 각도로 진입시킬 수 있다(도 1의 (B-3) 참조). 절삭구(720)의 날카로움이 사용에 수반하여 변화되어, 박리 기점이 형성되기 어려워지는 경우가 있다. 절삭구(720)의 가공 부재에 대한 각도를, 절삭구(720)가 사용된 실적에 따라서 변화시켜도 된다. 이에 의해, 박리 기점이 형성되지 않는 문제의 발생을 방지할 수 있다. 예를 들어, 절삭구(720)의 각도를 고정하기 위한 노치를 복수 형성하고, 하나의 각도를 다단계의 각도로부터 선택하여 사용할 수 있도록 해도 된다. 예를 들어, 20° 이상 45° 이하의 각도로 불연속으로 변화할 수 있도록 해도 된다.

《아암부》

아암부(740X)는 헤드부(730)를 X축 방향으로 이동할 수 있도록 지지하고, 아암부(740Y)는 아암부(740X)를 Y축 방향으로 이동할 수 있도록 지지한다(도 1의 (A) 참조).

예를 들어, X축 방향으로 이동할 수 있는 슬라이더를 구비하는 아암부(740X)의 슬라이더에 헤드부(730)를 설치하고, Y축 방향으로 이동할 수 있는 슬라이더를 구비하는 아암부(740Y)의 슬라이더에 아암부(740X)를 설치하여, 헤드부(730)를 스테이지(710T)의 평탄부를 따라서 이동할 수 있도록 해도 된다.

《이동 기구》

이동 기구(780)는, 스테이지(710T)에 대한 절삭구(720)의 상대적인 위치를 결정한다. 이동 기구(780)는, 예를 들어 절삭구(720)를 이동시키는 기구와, 절삭구(720)의 위치를 제어하는 제어 장치를 포함한다.

절삭구(720)를 이동시키는 기구로서는, 아암부(740X) 및 아암부(740Y)가 구비하는 슬라이더를 이동시키는 기구를 들 수 있다. 예를 들어, 슬라이더를 이동시키는 기구에 서보 모터 또는 스텝핑 모터 등의 전동기 또는 에어 실린더 등을 사용할 수 있다. 또한, 제어 장치는, 절삭구(720)의 위치 또는 이동량을 검지하거나 또는 지시한다.

<박리 기점의 형성 방법>

박리 기점의 형성 장치(700)를 사용하여, 가공 부재(83)의 일부를 둘러싸도록, 박리 기점(83s)을 형성하는 방법에 대하여, 도 2를 참조하면서 설명한다.

도 2는 본 발명의 일 형태의 박리 기점의 형성 장치(700)를 사용하여, 박리 기점(83s)을 형성하는 공정을 설명하는 모식도이다. 도 2의 좌측에, 가공 부재의 구성을 설명하는 단면도를 도시하고, 대응하는 상면도를 우측에 도시한다.

또한, 도 2의 (A-1) 및 도 2의 (A-2)에 도시한 가공 부재(83)의 구성은 도 1의 (C)에 도시한 구성과 마찬가지이다. 또한, 그 구성의 상세는 실시 형태 4에서 설명한다.

《제1 스텝》

제1 스텝에 있어서, 제1 기판(11)이 남도록, 기재(25)가 설치되어 있는 측으로부터 기재(25) 및 접합층(30)을 절삭하고, 가공 부재(83)의 일부가 남도록 절입한다. 이에 의해, 새롭게 형성된 접합층(30)의 단부 근방에 있는, 제1 피박리층(13)의 일부를 제1 박리층(12)으로부터 박리하여, 박리 기점(83s)을 형성한다. 또한, 절삭된 부분을 통과하는 절단선 S3-S4에 있어서의 단면에 있어서, 제1 박리층(12)으로부터 박리되어 들뜬 상태의 제1 피박리층(13)을 도 2의 (B-1)에 도시한다. 또한, 상면도를 도 2의 (B-2)에 도시한다.

기재(25) 및 접합층(30)을 반복하여 절삭해도 된다. 반복하여 절삭하면, 박리 기점이 형성되지 않는 문제의 발생을 억제할 수 있다. 또한, 동일선 위를 반복하여 절삭해도 되고, 첫번째의 절삭과 두번째를 어긋나게 하여 절삭하여, 병행하도록 절삭부를 형성해도 된다.

또한, 절삭 위치를 0.5㎜ 이상 5㎜ 이하, 바람직하게 1㎜ 이상 3㎜ 이하 어긋나게 하여 절삭하여, 기재(25) 및 접합층(30)이 띠 형상으로 되도록 절삭한다. 띠 형상으로 된 기재(25) 및 접합층(30)을 시험편으로 하여, 박리 기점이 형성되었는지 여부를 확인할 수 있다.

또한, 기재(25) 및 접합층(30)을 절삭할 때 또는 절삭한 후에, 박리를 촉진하는 액체를 절단부에 공급하면 바람직하다. 띠 형상으로 기재(25) 및 접합층(30)이 절삭된 부분은, 박리를 촉진하는 액체를 축적하는 공간으로서 기능하여, 박리를 촉진하는 액체를 박리 기점에 공급할 수 있다. 또한, 박리를 촉진하는 액체에 예를 들어 물을 사용할 수 있다.

《제2 스텝》

제2 스텝에 있어서, 스테이지(710T)를 90° 회전시키고, 제1 스텝에서 절삭된 부분과 직교하도록 가공 부재(83)의 일부를 절삭한다. 절삭된 부분과 교차하는 절단선 S1-S2에 있어서의 단면을 도 2의 (C-1)에 도시하고, 상면도를 도 2의 (C-2)에 도시한다.

《제3 스텝》

제3 스텝에 있어서, 제2 스텝을 반복하여, 가공 부재(83)의 일부를 둘러싸도록 박리 기점(83s)을 형성한다. 절삭된 부분과 교차하는 절단선 S1-S2에 있어서의 단면을 도 2의 (D-1)에 도시하고, 상면도를 도 2의 (D-2)에 도시한다.

또한, 절삭된 부분으로 둘러싸인 제1 피박리층(13)을 둘러싸도록 박리 기점(83s)이 형성된다.

제1 기판(11)과 제1 박리층(12)을 포함하는 표층(83b)을 박리하여, 기재(25b), 접합층(30) 및 제1 피박리층(13)을 구비하는 잔부를 분리할 수 있다.

<변형예 1>

본 실시 형태의 변형예 1에서 설명하는 박리 기점의 형성 장치는, 절삭구(720)를, 일부를 남기고 소정의 깊이까지 가공 부재가 절삭되도록 배치하는 이동 기구(780)를 구비하는 점, 및 가공 부재(83)의 일부를 남기지 않고 절단해 버릴 수 있는 절삭구이어도 절삭구(720)에 적용할 수 있는 점이, 상기 박리 기점의 형성 장치(700)와는 상이하다.

본 실시 형태의 변형예에서 설명하는 박리 기점의 형성 장치는, 표층을 박리하여 잔부를 분리할 수 있는 박리 기점이 형성되는 가공 부재(83)를 지지할 수 있는 스테이지(710T)와, 스테이지(710T)에 대향하는 절삭구(720)와, 절삭구(720)를 지지하는 헤드부(730)와, 헤드부(730)를 지지하는 아암부(740X) 및 아암부(740Y)와, 스테이지(710T)에 대한 절삭구(720)의 상대적인 위치를 결정하는 이동 기구(780)를 갖는다(도 1의 (A) 참조).

그리고, 이동 기구(780)는, 일부를 남기고 소정의 깊이까지 가공 부재(83)가 절삭되도록, 절삭구(720)를 배치하고, 또한 스테이지(710T)를 따라서 상대적으로 이동시킨다.

본 실시 형태의 변형예에서 설명하는 박리 기점의 형성 장치에 적용 가능한 이동 기구(780) 및 절삭구(720)의 구성에 대하여 설명한다. 또한, 다른 구성은 이미 설명된 박리 기점의 형성 장치(700)와 마찬가지의 구성을 적용할 수 있다.

《이동 기구》

이동 기구(780)는, 일부를 남기고 소정의 깊이까지 가공 부재(83)를 절삭하도록, 절삭구(720)를 배치한다. 예를 들어, 절삭구(720)의 스테이지(710T)로부터의 높이를, 가공 부재(83)의 일부가 절삭되고, 나머지가 절삭되어 절단되지 않도록 조정한다.

구체적으로는, 절삭구(720)의 접촉을 검지하는 검지기를 헤드부(730)에 설치하고, 검지기가 접촉을 검지하고 나서, 이동 기구가 절삭구(720)를 Z축 방향으로 소정의 깊이만큼 압입한 상태에서, 이동시키는 구성으로 해도 된다.

이에 의해, 가공 부재(83)의 일부를 남기고 절삭할 수 있다.

《절삭구》

절삭구(720)에 사용하는 절삭구는, 가공 부재(83)의 일부 또는 모두를 절삭할 수 있다. 이동 기구(780)가, 스테이지의 평탄부로부터 소정의 거리만큼 이격하여 또한 스테이지의 평탄부를 따라서 절삭구(720)를 이동시키기 때문에, 절삭구(720)는 가공 부재(83)의 일부를 남기고 가공 부재(83)를 절삭할 수 있다.

이에 의해, 가공 부재(83)가 절단되기 쉬운 구성이어도 가공 부재(83)의 일부가 남도록 절입하여, 가공 부재(83)에 박리 기점을 형성할 수 있다. 그 결과, 가공 부재의 표층을 박리하여 잔부를 분리할 수 있는 박리 기점의 형성 장치를 제공할 수 있다.

<변형예 2>

본 실시 형태의 변형예 2에 대하여, 도 3을 참조하면서 설명한다.

도 3은 본 발명의 일 형태의 박리 기점의 형성 장치(700B)를 설명하는 모식도이다. 도 3의 (A)는 박리 기점의 형성 장치(700B)의 절삭구(720)가 가공 부재(83)를 절삭하는 단면을 설명하는 도면이고, 도 3의 (B-1)은 도 3의 (A)의 Z1-Z2에 대응하는 부분의 상측으로부터, 절삭구(720)에 의해 절삭된 가공 부재(83)를 촬영한 화상의 모식도이다.

또한, 박리 기점의 형성 장치(700B)는, 절삭된 부분을 촬영하는 카메라(730CAM) 및 촬영된 화상을 처리하는 화상 처리부(785)를 구비하고, 화상 처리부(785)가 박리 기점이 형성되었는지 여부를 판별하는 점이, 상기 박리 기점의 형성 장치(700)와는 상이하다.

본 실시 형태의 변형예에서 설명하는 박리 기점의 형성 장치는, 절삭구(720)가 일부를 남기고 절삭한 부분을 촬영하는 카메라(730CAM)와, 카메라(730CAM)에 의해 촬영된 화상을 처리하는 화상 처리부(785)를 갖는다. 그리고, 화상 처리부(785)가, 절삭된 부분을 따라서 박리 기점(83s)이 형성되었는지 여부를 판별하는 상기 박리 기점의 형성 장치이다(도 3의 (A) 및 도 3의 (B-1) 참조).

<변형예 3>

본 실시 형태의 변형예 3에 대하여, 도 3을 참조하면서 설명한다.

도 3의 (B-2)는, 도 3의 (A)의 Z1-Z2에 대응하는 부분의 상측으로부터, 절삭구(720)에 의해 절삭된 가공 부재(83)에 배치된 마커를 촬영한 화상의 모식도이다.

또한, 본 실시 형태의 변형예 3에서 설명하는 박리 기점의 형성 장치는, 절삭된 부분을 촬영하는 카메라(730CAM) 및 촬영된 화상을 처리하는 화상 처리부(785)를 구비하고, 화상 처리부(785)가 박리 기점이 형성되었는지 여부를, 가공 부재에 형성된 마커의 위치 또는 외관의 변화를 검지함으로써 판별하는 점이, 상기 박리 기점의 형성 장치(700)와는 상이하다.

본 실시 형태의 변형예에서 설명하는 박리 기점의 형성 장치는, 절삭구(720)가 일부를 남기고 절삭한 부분을 촬영하는 카메라(730CAM)와, 카메라(730CAM)에 의해 촬영된 화상을 처리하는 화상 처리부(785)를 갖는다.

그리고, 스테이지(710T)가, 절삭되는 부분의 주변에 마커가 형성된 가공 부재(83)를 지지할 수 있다. 또한, 화상 처리부(785)가, 마커의 화상의 변화를 검지하여, 절삭된 부분을 따라서 박리 기점이 형성되었는지 여부를 판별한다(도 3의 (A) 및 도 3의 (B-2) 참조).

본 실시 형태의 변형예 2 및 변형예 3에서 설명하는 박리 기점의 형성 장치는, 절삭구(720)가 일부가 남도록 절입한 부분을 촬영하는 카메라(730CAM)와, 촬영된 화상을 처리하는 화상 처리부(785)를 포함하여 구성된다. 이에 의해, 가공 부재의 표층을 박리할 수 있는 박리 기점이 형성되었는지 여부를 확인할 수 있다. 그 결과, 가공 부재의 표층을 박리하여 잔부를 분리할 수 있는 박리 기점의 형성 장치를 제공할 수 있다.

이하에, 본 실시 형태의 변형예의 박리 기점의 형성 장치(700B)를 구성하는 개개의 요소에 대하여 설명한다.

《카메라》

카메라(730CAM)는, 절삭구(720)가 절삭한 부분을 촬영하고, 촬영한 화상 데이터를 공급한다. 예를 들어, CCD 카메라나 CMOS 카메라 등을 사용할 수 있다. 또한, 카메라(730CAM)는, 절삭구(720)가 절삭한 부분을 촬영할 수 있는 위치에 배치된다.

예를 들어, 헤드부(730)가 절삭구(720)와 함께 카메라(730CAM)를 지지하는 구성으로 해도 된다. 이 구성에 의하면, 절삭구(720)에 의해 절삭된 직후의 가공 부재(83)의 화상을 촬영할 수 있다. 구체적으로는, 절삭구에 의해 절삭된 부분을 촬영할 수 있도록, 절삭구(720)가 가공 부재(83)에 대하여 상대적으로 진행하는 방향과는 반대측에 카메라(730CAM)를 배치한다(도 3의 (A) 참조).

카메라(730CAM)가 촬영하는 절삭구(720)에 의해 절삭된 가공 부재(83)의 화상의 모식도를 도 3의 (B-1)에 도시한다. 기재(25), 기재(25)를 절삭하는 둥근 날의 절삭구(720), 절삭된 부분으로부터 확대되는 박리 기점(83s) 및 절삭된 부분에 나타나는 제1 박리층(12)이 도시되어 있다.

절삭된 부분의 제1 박리층(12)과 제1 피박리층(13) 사이에 박리 기점(83s)이 형성되면, 분위기나 물 등이 박리 기점(83s)에 침입한다. 그 결과, 절삭된 부분을 따라서 색조가 상이한 영역이 형성된다(도 3의 (B-1)의 파선으로 나타내어진 영역).

또한, 조명을 카메라(730CAM)와 함께 사용해도 된다. 조명을, 가공 부재(83)에 대하여 카메라(730CAM)가 배치되는 측에 배치해도 되고, 가공 부재(83)에 대하여 스테이지(710T)측에 배치해도 된다.

《마커》

마커(13m)를, 절삭구(720)에 의해 절삭되는 부분의 주변에 배치한다. 예를 들어 절삭되는 부분 또는 절삭되는 부분으로부터 이격된, 1㎝ 이내의 범위에 배치한다. 구체적으로는, 가공 부재(83)의 제1 피박리층(13)에 형성한다. 마커(13m)의 형상은 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 원형, 사각형 또는 십자형 등으로 할 수 있다. 또한, 관찰광을 투과시키지 않는 막(예를 들어 금속 등의 막)을 사용하여 마커(13m)를 형성하면, 마커의 관찰이 용이해지기 때문에 바람직하다.

절삭구(720)가 가공 부재(83)의 일부를 절삭하여, 박리 기점이 형성되면, 박리 기점(83s)에, 분위기나 물 등이 침입한다. 이에 의해, 마커가 형성된 제1 피박리층(13)이 제1 박리층(12)으로부터 부상한다. 그 결과, 절삭된 부분을 따라서 배치된 마커(13m)의 외관이 변화하는 영역이 형성된다(도 3의 (B-2)의 파선으로 나타내어진 영역). 마커(13m)의 외관의 변화로서는, 예를 들어 마커(13m)의 화상의 농도나 윤곽의 형상 등의 변화를 들 수 있다.

《화상 처리부》

화상 처리부(785)는, 화상 데이터가 공급되고, 공급된 화상 데이터를 처리한 결과가 소정의 임계값을 초과하는 경우에, 박리 기점이 형성되었다고 판단하고, 판단 결과를 공급한다.

예를 들어, 박리 기점이 형성된 결과, 절삭된 부분을 따라서 색조가 상이한 영역이 형성되는 경우, 화상 처리부(785)는, 카메라(730CAM)가 촬영한 절삭구(720)가 진행한 후의 영역의 화상을 처리하고, 화상에 임계값을 초과하는 농도의 변화가 보이는지 여부를 판단하고, 판단 결과를 출력한다. 구체적으로는, 화상 데이터를 2치화하여, 소정 영역의 농도가 임계값을 초과하였는지 여부를 판단하면 된다.

예를 들어, 절삭된 부분을 따라서 박리 기점이 형성된 결과, 마커(13m)의 외관이 변화하는 영역이 형성되는 경우, 화상 처리부(785)는, 카메라(730CAM)가 촬영한 절삭구(720)가 진행한 후의 영역의 마커(13m)의 화상을 처리하고, 화상에 임계값을 초과하는 농도의 변화가 보이는지 여부를 판단하고, 판단 결과를 출력한다. 구체적으로는, 화상 데이터를 2치화하여, 소정 영역의 농도가 임계값을 초과하였는지 여부를 판단하면 된다.

또한, 본 실시 형태는, 본 명세서에서 나타내는 다른 실시 형태와 적절히 조합할 수 있다.

(실시 형태 2)

본 실시 형태에서는, 본 발명의 일 형태의 적층체의 제작 장치의 구성에 대하여, 도 4 내지 도 6을 참조하면서 설명한다.

도 4는 본 발명의 일 형태의 적층체의 제작 장치(1000B)의 구성과, 가공 부재 및 공정 중의 적층체가 운송되는 경로를 설명하는 모식도이다.

도 5 및 도 6은 본 발명의 일 형태의 적층체의 제작 장치(1000B)를 사용하여 적층체를 제작하는 공정을 설명하는 모식도이다.

도 5의 좌측에, 가공 부재 및 적층체의 구성을 설명하는 단면도를 도시하고, 대응하는 상면도를, 도 5의 (C)를 제외하고 우측에 도시한다.

본 실시 형태에서 설명하는 적층체의 제작 장치(1000B)는, 공급 유닛(600)과, 기점 형성 유닛(700U)과, 분리 유닛(800)과, 접합 유닛(900)과, 지지체 공급 유닛(500)과, 언로드 유닛을 갖는다(도 4 참조).

공급 유닛(600)은, 표층을 박리하여 잔부를 분리할 수 있는 박리 기점이 형성되는 가공 부재(83)를 공급한다. 또한, 공급 유닛(600)은 언로드 유닛을 겸할 수 있다.

기점 형성 유닛(700U)은, 가공 부재(83)의 일부를 남기고 절삭하여, 박리 기점을 형성한다. 바꾸어 말하면, 한쪽 표면으로부터 가공 부재(83)의 일부가 남도록 절입하여, 박리 기점을 형성한다.

분리 유닛(800)은, 가공 부재(83)의 한쪽 표층을 박리하여, 잔부(83a)를 분리한다.

접합 유닛(900)은, 지지체(42)가 공급되고, 지지체(42)를 잔부(83a)에 접착층(32)을 사용하여 접합한다.

지지체 공급 유닛(500)은 지지체(42)를 공급한다.

언로드 유닛을 겸하는 공급 유닛(600)은, 잔부(83a), 접착층(32) 및 접착층(32)으로 접합된 지지체(42)를 구비하는 적층체(84)를 운송한다.

그리고, 기점 형성 유닛(700U)은 박리 기점의 형성 장치(700)를 구비한다.

박리 기점의 형성 장치(700)는, 가공 부재(83)를 지지할 수 있는 스테이지와, 스테이지에 대향하는 절삭구와, 절삭구를 지지하는 헤드부와, 헤드부를 지지하는 아암부와, 스테이지에 대한 절삭구의 상대적인 위치를 결정하는 이동 기구를 구비한다.

또한, 절삭구는 가공 부재의 일부를 남기고 절삭할 수 있다.

이동 기구는 절삭구를 스테이지를 따라서 상대적으로 이동시킨다.

본 실시 형태에서 설명하는 적층체의 제작 장치(1000B)는, 가공 부재의 공급 유닛(600)과, 가공 부재의 한쪽 표면으로부터 가공 부재의 일부가 남도록 절입하여 박리 기점을 형성하는 기점 형성 유닛(700U)과, 잔부를 분리하는 분리 유닛(800)과, 지지체를 잔부에 접합하는 접합 유닛(900)과, 지지체를 공급하는 지지체 공급 유닛(500)과, 잔부, 접착층 및 접착층으로 접합된 지지체를 구비하는 적층체를 운송하는 언로드 유닛을 포함하여 구성된다. 이에 의해, 표층을 박리하여 분리된 가공 부재의 잔부에 지지체를 접합할 수 있다. 그 결과, 표층이 박리된 가공 부재의 잔부 및 지지체를 구비하는 적층체의 제작 장치를 제공할 수 있다.

또한, 본 실시 형태에서 설명하는 적층체의 제작 장치(1000B)는, 수납부(800b), 세정 장치(850) 및 반송 기구(112) 등을 갖는다.

수납부(800b)는, 가공 부재(83)로부터 박리된 한쪽 표층(83b)을 수납한다.

세정 장치(850)는, 가공 부재(83)로부터 분리된 잔부(83a)를 세정한다.

반송 기구(112)는, 가공 부재(83), 가공 부재(83)로부터 분리된 잔부(83a) 및 적층체(84)를 반송한다.

이하에, 본 발명의 일 형태의 적층체의 제작 장치를 구성하는 개개의 요소에 대하여 설명한다.

《공급 유닛》

공급 유닛(600)은, 가공 부재(83)를 공급한다. 예를 들어, 반송 기구(112)가 가공 부재(83)를 연속하여 반송할 수 있도록, 복수의 가공 부재(83)를 수납할 수 있는 다단식의 수납고를 구비하는 구성으로 할 수 있다.

또한, 본 실시 형태에서 설명하는 공급 유닛(600)은 언로드 유닛을 겸한다. 공급 유닛(600)은 잔부(83a), 접착층(32) 및 접착층(32)으로 접합된 지지체(42)를 구비하는 적층체(84)를 운송한다. 예를 들어, 반송 기구(112)가 적층체(84)를 연속하여 반송할 수 있도록, 복수의 적층체(84)를 수납할 수 있는 다단식의 수납고를 구비하는 구성으로 할 수 있다.

《기점 형성 유닛》

기점 형성 유닛(700U)은, 실시 형태 1에서 설명하는 박리 기점의 형성 장치를 구비하고, 가공 부재(83)의 일부를 남기고 절삭하여, 그 표층을 박리할 수 있는 박리 기점을 형성한다.

《분리 유닛》

분리 유닛(800)은, 가공 부재(83)의 한쪽 표층을 유지하는 기구와, 대향하는 다른 쪽 표층을 유지하는 기구를 구비한다. 각각의 유지 기구를 분리함으로써, 가공 부재(83)의 한쪽 표층을 박리하여, 잔부(83a)를 분리한다.

《접합 유닛》

접합 유닛(900)은, 접착층(32)을 형성하는 기구와 접착층(32)을 사용하여 잔부(83a)와 지지체(42)를 접합하는 압착 기구를 구비한다.

접착층(32)을 형성하는 기구로서, 예를 들어 액체 상태의 접착제를 도포하는 디스펜서 외에, 미리 시트 형상으로 성형된 접착 시트를 공급하는 장치 등을 들 수 있다.

또한, 접착층(32)은, 잔부(83a) 또는/및 지지체(42)에 형성해도 된다. 구체적으로는, 접착층(32)이 미리 형성된 지지체(42)를 사용하는 방법이어도 된다.

잔부(83a)와 지지체를 접합하는 압착 기구로서, 예를 들어 압력 또는 간극이 일정해지도록 제어된 한 쌍의 롤러, 평판과 롤러 또는 한 쌍의 대향하는 평판 등의 가압 기구를 들 수 있다.

《지지체 공급 유닛》

지지체 공급 유닛(500)은, 지지체(42)를 공급한다. 예를 들어, 롤 형상으로 공급되는 필름을 권출하여, 소정의 길이로 재단하고, 표면을 활성화하여, 그 필름을 지지체(42)로서 공급한다.

이하에, 적층체의 제작 장치(1000B)를 사용하여, 가공 부재(83)로부터 적층체(84)를 제작하는 방법에 대하여, 도 4 및 도 5를 참조하면서 설명한다.

가공 부재(83)는, 제1 기판(11), 제1 기판(11) 위의 제1 박리층(12), 제1 박리층(12)과 한쪽 면이 접하는 제1 피박리층(13), 제1 피박리층(13)의 다른 쪽 면과 한쪽 면이 접하는 접합층(30) 및 접합층(30)의 다른 쪽 면이 접하는 기재(25)를 구비한다(도 5의 (A-1) 및 도 5의 (A-2)). 또한, 가공 부재(83)의 구성의 상세는 실시 형태 4에서 설명한다.

《제1 스텝》

가공 부재(83)가 공급 유닛(600)에 반입된다. 공급 유닛(600)은 가공 부재(83)를 공급하고, 반송 기구(112)는 가공 부재(83)를 반송한다.

《제2 스텝》

기점 형성 유닛(700U)은, 가공 부재(83)를 공급받는다. 기점 형성 유닛(700U)의 박리 기점의 형성 장치는, 제1 기판(11)이 남도록 기재(25)가 설치되어 있는 측으로부터 기재(25)를 절삭하고, 가공 부재(83)의 일부가 남도록 절입한다. 이에 의해, 접합층(30)의 단부 근방에 있는, 제1 피박리층(13)의 일부를 제1 박리층(12)으로부터 박리하여, 박리 기점(83s)이 형성된다(도 5의 (B-1) 및 도 5의 (B-2) 참조).

기점 형성 유닛(700U)은 박리 기점(83s)이 형성된 가공 부재(83)를 공급하고, 반송 기구(112)는 가공 부재(83)를 반송한다.

《제3 스텝》

분리 유닛(800)은, 박리 기점(83s)이 형성된 가공 부재(83)를 공급받는다.

분리 유닛(800)이, 가공 부재(83)의 한쪽 표층(83b)을 박리한다. 구체적으로는, 기재(25) 및 접합층(30)이 절삭된 부분의 근방에 형성된 박리 기점(83s)으로부터, 기재(25)를 제1 피박리층(13)과 함께 제1 박리층(12)으로부터 분리한다(도 5의 (C) 참조).

이 스텝에 의해, 가공 부재(83)로부터 잔부(83a)를 얻는다. 구체적으로는, 잔부(83a)는, 제1 피박리층(13), 제1 피박리층(13)과 한쪽 면이 접하는 접합층(30) 및 접합층(30)의 다른 쪽 면이 접하는 기재(25b)를 구비한다.

분리 유닛(800)은 잔부(83a)를 공급하고, 반송 기구(112)가 잔부(83a)를 반송한다. 세정 장치(850)는 잔부(83a)를 공급받고, 공급받은 잔부(83a)를 세정한다.

《제4 스텝》

반송 기구(112)가 잔부(83a)를 반송하고, 지지체 공급 유닛(500)이 지지체(42)를 공급하고, 접합 유닛(900)은 잔부(83a) 및 지지체(42)를 공급받는다.

접합 유닛(900)은, 공급받은 잔부(83a)에 접착층(32)을 형성하고(도 5의 (D-1) 및 도 5의 (D-2) 참조), 접착층(32)을 사용하여 지지체(42)와 접합한다.

이 스텝에 의해, 잔부(83a)로부터, 적층체(84)를 얻는다. 구체적으로는, 적층체(84)는 지지체(42), 접착층(32), 제1 피박리층(13), 제1 피박리층(13)과 한쪽 면이 접하는 접합층(30) 및 접합층(30)의 다른 쪽 면이 접하는 기재(25b)를 구비한다(도 5의 (E-1) 및 도 5의 (E-2) 참조).

접합 유닛(900)은 적층체(84)를 공급하고, 반송 기구(112)는 적층체(84)를 반송한다.

《제5 스텝》

반송 기구(112)가 적층체(84)를 반송하고, 언로드 유닛을 겸하는 공급 유닛(600)은 적층체(84)를 공급받는다.

이 스텝에 의해, 적층체(84)를 운송하는 것이 가능해진다.

《다른 스텝》

또한, 접착층(32)의 경화에 시간을 필요로 하는 경우에는, 접착층(32)이 경화되지 않은 상태의 적층체(84)를 운송하여, 접착층(32)을 적층체의 제작 장치(1000B)의 외부에서 경화시키면, 장치의 점유 시간을 단축할 수 있기 때문에 바람직하다.

<변형예 1>

본 실시 형태의 변형예로서, 적층체의 제작 장치(1000B)를 사용하여, 가공 부재(83)로부터 적층체(84)를 제작하는 방법에 대하여, 도 4 및 도 6을 참조하면서 설명한다.

또한, 본 실시 형태의 변형예에서 설명하는 적층체(84)의 제작 방법은, 상기 적층체(84)의 제작 방법과는, 접합층(30)의 단부 근방에 박리 기점(83s)을 형성하기 위해서 가공 부재(83)의 일부가 남도록 절입하는 방법이, 기재(25)가 남도록 제1 기판(11)이 설치되어 있는 측으로부터 제1 기판(11)을 절삭하는 점이 상이하다.

도 6의 좌측에, 가공 부재 및 적층체의 구성을 설명하는 단면도를 도시하고, 대응하는 상면도를, 도 6의 (C)을 제외하고 우측에 도시한다.

가공 부재(83)는, 제1 기판(11), 제1 기판(11) 위의 제1 박리층(12), 제1 박리층(12)과 한쪽 면이 접하는 제1 피박리층(13), 제1 피박리층(13)의 다른 쪽 면과 한쪽 면이 접하는 접합층(30) 및 접합층(30)의 다른 쪽 면이 접하는 기재(25)를 구비한다(도 6의 (A-1) 및 도 6의 (A-2)). 또한, 가공 부재(83)의 구성의 상세는 실시 형태 4에서 설명한다.

《제1 스텝》

《제2 스텝》

기점 형성 유닛(700U)은, 가공 부재(83)를 공급받는다. 기점 형성 유닛(700U)의 박리 기점의 형성 장치는, 기재(25)가 남도록 제1 기판(11)이 설치되어 있는 측으로부터 제1 기판(11)을 절삭하고, 가공 부재(83)의 일부가 남도록 절입한다. 이에 의해, 접합층(30)의 단부 근방에 있는 제1 피박리층(13)의 일부를 제1 박리층(12)으로부터 박리하여, 박리 기점(83s)이 형성된다(도 6의 (B-1) 및 도 6의 (B-2) 참조).

《제3 스텝》

분리 유닛(800)은 박리 기점(83s)이 형성된 가공 부재(83)를 공급받는다.

분리 유닛(800)이, 가공 부재(83)의 한쪽 표층(83b)을 박리한다. 구체적으로는, 제1 기판(11)이 절삭된 부분의 접합층(30)의 단부 근방에 형성된 박리 기점(83s)으로부터, 기재(25)를 제1 박리층(12)과 함께 제1 피박리층(13)으로부터 분리한다(도 6의 (C) 참조).

이 스텝에 의해, 가공 부재(83)로부터 잔부(83a)를 얻는다. 구체적으로는, 잔부(83a)는, 제1 피박리층(13), 제1 피박리층(13)과 한쪽 면이 접하는 접합층(30) 및 접합층(30)의 다른 쪽 면이 접하는 기재(25)를 구비한다.

분리 유닛(800)은 잔부(83a)를 공급하고, 반송 기구(112)는 잔부(83a)를 반송한다.

《제4 스텝》

지지체 공급 유닛(500)이 지지체(42)를 공급하고, 접합 유닛(900)은 잔부(83a) 및 지지체(42)를 공급받는다.

접합 유닛(900)은, 공급받은 잔부(83a)에 접착층(32)을 형성하고(도 6의 (D-1) 및 도 6의 (D-2) 참조), 접착층(32)을 사용하여 지지체(42)와 접합한다.

이 스텝에 의해, 잔부(83a)로부터, 적층체(84)를 얻는다. 구체적으로는, 적층체(84)는, 지지체(42), 접착층(32), 제1 피박리층(13), 제1 피박리층(13)과 한쪽 면이 접하는 접합층(30) 및 접합층(30)의 다른 쪽 면이 접하는 기재(25)를 구비한다(도 6의 (E-1) 및 도 6의 (E-2) 참조).

《제5 스텝》

이 스텝에 의해, 적층체(84)를 운송하는 것이 가능해진다.

《다른 스텝》

(실시 형태 3)

본 실시 형태에서는, 본 발명의 일 형태의 적층체의 제작 장치의 구성에 대하여, 도 7 내지 도 9를 참조하면서 설명한다.

도 7은 본 발명의 일 형태의 적층체의 제작 장치(1000)의 구성과, 가공 부재 및 공정 중의 적층체가 반송되는 경로를 설명하는 모식도이다.

도 8 및 도 9는 본 발명의 일 형태의 적층체의 제작 장치(1000)를 사용하여 적층체를 제작하는 공정을 설명하는 모식도이다. 도 8 및 도 9의 좌측에 가공 부재 및 적층체의 구성을 설명하는 단면도를 도시하고, 대응하는 상면도를 도 8의 (C), 도 9의 (B) 및 도 9의 (C)를 제외하고 우측에 도시한다.

본 실시 형태에서 설명하는 적층체의 제작 장치(1000)는, 제1 공급 유닛(100), 제1 분리 유닛(300), 제1 접합 유닛(400), 지지체 공급 유닛(500), 제2 공급 유닛(600), 기점 형성 유닛(700U), 제2 분리 유닛(800) 및 제2 접합 유닛(900)을 갖는다.

제1 공급 유닛(100)은, 가공 부재(90)를 공급받아 공급할 수 있다. 또한, 제1 공급 유닛(100)은 제1 언로드 유닛을 겸할 수 있다.

제1 분리 유닛(300)은, 가공 부재(90)의 한쪽 표층(90b)을 박리하여, 제1 잔부(90a)를 분리한다(도 7 및 도 8의 (A-1) 내지 도 8의 (C) 참조).

제1 접합 유닛(400)은, 제1 잔부(90a) 및 제1 지지체(41)를 공급받고, 제1 접착층(31)을 사용하여 제1 지지체(41)를 제1 잔부(90a)에 접합한다(도 7 및 도 8의 (D-1) 내지 도 8의 (E-2) 참조).

지지체 공급 유닛(500)은, 제1 지지체(41) 및 제2 지지체(42)를 공급한다(도 7 참조).

제1 언로드 유닛을 겸하는 제1 공급 유닛(100)은, 제1 접착층(31) 및 제1 접착층(31)으로 접합된 제1 잔부(90a) 및 제1 지지체(41)를 구비하는 적층체(91)를 공급받아 운송한다(도 7, 도 8의 (E-1) 및 도 8의 (E-2) 참조).

제2 공급 유닛(600)은, 적층체(91)를 공급받아 공급할 수 있다. 또한, 제2 공급 유닛(600)은 제2 언로드 유닛을 겸할 수 있다.

기점 형성 유닛(700U)은, 적층체(91)의 제1 잔부(90a) 및 제1 지지체(41b)의 단부 근방에, 박리 기점(91s)을 형성한다(도 9의 (A-1) 및 도 9의 (A-2) 참조).

제2 분리 유닛(800)은, 적층체(91)의 한쪽 표층(91b)을 박리하여, 제2 잔부(91a)를 분리한다(도 9의 (A-1) 및 도 9의 (B) 참조).

제2 접합 유닛(900)은, 제2 지지체(42)가 공급되고, 제2 접착층(32)을 사용하여 제2 지지체(42)를 제2 잔부(91a)에 제2 접착층(32)을 사용하여 접합한다(도 9의 (D-1) 내지 도 9의 (E-2) 참조).

제2 언로드 유닛을 겸하는 제2 공급 유닛(600)은, 제2 잔부(91a) 및 제2 접착층(32)으로 접합된 제2 지지체(42)를 구비하는 적층체(92)를 운송한다(도 7, 도 9의 (E-1) 및 도 9의 (E-2) 참조).

본 실시 형태에서 설명하는 적층체의 제작 장치는, 가공 부재(90)를 공급하고, 또한 제1 잔부(90a) 및 제1 접착층(31)으로 접합된 제1 지지체(41)를 구비하는 적층체(91)를 운송하는, 언로드 유닛을 겸하는 제1 공급 유닛(100)과, 제1 잔부(90a)를 분리하는 제1 분리 유닛(300)과, 제1 지지체(41)를 제1 잔부(90a)에 접합하는 제1 접합 유닛(400)과, 제1 지지체(41) 및 제2 지지체(42)를 공급하는 지지체 공급 유닛(500)과, 적층체(91)를 공급하고, 또한 제2 잔부(91a), 제2 접착층(32) 및 제2 접착층(32)으로 접합된 제2 지지체(42)를 구비하는 적층체(92)를 운송하는 공급 유닛(600)과, 박리 기점을 형성하는 기점 형성 유닛(700U)과, 제2 잔부(91a)를 분리하는 제2 분리 유닛(800)과, 제2 지지체(42)를 제2 잔부(91a)에 접합하는 제2 접합 유닛(900)을 포함하여 구성된다. 이에 의해, 가공 부재(90)의 양쪽 표층을 박리하여, 제2 잔부(91a)를 분리하고, 그것에 제1 지지체(41) 및 제2 지지체(42)를 접합할 수 있다. 그 결과, 가공 부재의 제2 잔부(91a), 제1 지지체(41) 및 제2 지지체(42)를 구비하는 적층체(92)의 제작 장치를 제공할 수 있다.

또한, 본 실시 형태에서 설명하는 적층체의 제작 장치(1000)는, 제1 수납부(300b), 제2 수납부(800b), 제1 세정 장치(350), 제2 세정 장치(850), 반송 기구(111) 및 반송 기구(112) 등을 갖는다.

제1 수납부(300b)는, 가공 부재(90)로부터 박리된 한쪽 표층(90b)을 수납한다.

제2 수납부(800b)는, 적층체(91)로부터 박리된 한쪽 표층(91b)을 수납한다.

제1 세정 장치(350)는, 가공 부재(90)로부터 분리된 제1 잔부(90a)를 세정한다.

제2 세정 장치(850)는, 적층체(91)로부터 분리된 제2 잔부(91a)를 세정한다.

반송 기구(111)는, 가공 부재(90), 가공 부재(90)로부터 분리된 제1 잔부(90a) 및 적층체(91)를 반송한다.

반송 기구(112)는, 적층체(91), 적층체(91)로부터 분리된 제2 잔부(91a) 및 적층체(92)를 반송한다.

《제1 공급 유닛》

제1 공급 유닛(100)은, 가공 부재(90)를 공급받아 공급한다. 예를 들어, 반송 기구(111)가 가공 부재(90)를 연속하여 반송할 수 있도록, 복수의 가공 부재(90)를 수납할 수 있는 다단식의 수납고를 구비하는 구성으로 할 수 있다.

또한, 본 실시 형태에서 설명하는 제1 공급 유닛(100)은 제1 언로드 유닛을 겸한다. 제1 공급 유닛(100)은 제1 잔부(90a), 제1 접착층(31) 및 제1 접착층(31)으로 접합된 제1 지지체(41)를 구비하는 적층체(91)를 운송한다. 예를 들어, 반송 기구(111)가 적층체(91)를 연속하여 반송할 수 있도록, 복수의 적층체(91)를 수납할 수 있는 다단식의 수납고를 구비하는 구성으로 할 수 있다.

《제1 분리 유닛》

제1 분리 유닛(300)은, 가공 부재(90)의 한쪽 표층을 유지하는 기구와, 대향하는 다른 쪽 표층을 유지하는 기구를 구비한다. 한쪽 유지 기구를 다른 쪽 유지 기구로부터 분리함으로써, 가공 부재(90)의 한쪽 표층을 박리하여, 제1 잔부(90a)를 분리한다.

《제1 접합 유닛》

제1 접합 유닛(400)은, 제1 접착층(31)을 형성하는 기구와, 제1 잔부(90a)와 제1 지지체(41) 사이에 제1 접착층(31)을 끼워 접합하는 압착 기구를 구비한다.

제1 접착층(31)을 형성하는 기구로서, 예를 들어 액체 상태의 접착제를 도포하는 디스펜서나 스크린 인쇄 외에, 미리 시트 형상으로 성형된 접착 시트를 공급하는 장치 등을 들 수 있다.

또한, 제1 접착층(31)은, 제1 잔부(90a) 또는/및 제1 지지체(41)에 형성해도 된다. 구체적으로는, 미리 제1 접착층(31)이 시트 형상으로 형성된 제1 지지체(41)를 사용하는 방법이어도 된다.

예를 들어, 압력 또는 간극이 일정해지도록 제어된 한 쌍의 롤러, 평판과 롤러 또는 한 쌍의 대향하는 평판 등의 가압 기구를, 제1 잔부(90a)와 제1 지지체를 접합하는 압착 기구에 사용할 수 있다.

《지지체 공급 유닛》

지지체 공급 유닛(500)은, 제1 지지체(41)를 공급한다. 예를 들어, 롤 형상으로 공급되는 필름과 보호 필름의 적층체를 권출하여, 소정의 길이로 재단하는 시트 공급부와, 소정의 위치에 배치하는 위치 정렬부와, 보호 필름으로부터 박리하는 박리부와, 보호 필름이 제거된 필름의 표면을 세정 또는/및 활성화하는 전처리부와, 세정 또는/활성화된 필름을, 제1 지지체(41)로서 공급하는 전달실을 갖는다.

《제2 공급 유닛》

제2 공급 유닛(600)은, 제1 공급 유닛과 마찬가지의 구성을 적용할 수 있다.

또한, 본 실시 형태에서 설명하는 제2 공급 유닛(600)은 제2 언로드 유닛을 겸한다.

《기점 형성 유닛》

기점 형성 유닛(700U)은, 실시 형태 1에서 설명하는 박리 기점의 형성 장치(700)를 구비한다.

예를 들어, 제1 지지체(41) 및 제1 접착층(31)을 절단하고 또한 제2 피박리층(23)의 일부를 제2 박리층(22)으로부터 박리하는 절단 기구를 구비한다.

구체적으로는, 절단 기구는, 예리한 선단을 구비하는 하나 또는 복수의 칼날과, 당해 칼날을 적층체(91)에 대하여 상대적으로 이동시키는 이동 기구를 구비한다.

《제2 분리 유닛》

제2 분리 유닛(800)은, 적층체(91)의 한쪽 표층을 유지하는 기구와, 대향하는 다른 쪽 표층을 유지하는 기구를 구비한다. 한쪽 유지 기구를 다른 쪽 유지 기구로부터 분리함으로써, 적층체(91)의 한쪽 표층을 박리하여, 제2 잔부(91a)를 분리한다.

《제2 접합 유닛》

제2 접합 유닛(900)은, 제2 접착층(32)을 형성하는 기구와, 제2 잔부(91a)와 제2 지지체(42)를 제2 접착층(32)을 사용하여 접합하는 압착 기구를 구비한다.

제2 접착층(32)을 형성하는 기구로서, 예를 들어 제1 접합 유닛(400)과 마찬가지의 구성을 적용할 수 있다.

또한, 제2 접착층(32)은, 제2 잔부(91a) 또는/및 제2 지지체(42)에 형성해도 된다. 구체적으로는, 제2 접착층(32)이 미리 형성된 제2 지지체(42)를 사용해도 된다.

제2 잔부(91a)와 제2 지지체(42)를 접합하는 압착 기구로서, 예를 들어 제1 접합 유닛(400)과 마찬가지의 구성을 적용할 수 있다.

<적층체의 제작 방법>

이하에, 적층체의 제작 장치(1000)를 사용하여, 가공 부재(90)로부터 적층체(92)를 제작하는 방법에 대해서, 도 7 내지 도 9를 참조하면서 설명한다.

가공 부재(90)는 제1 기판(11)과, 제1 박리층(12)과, 제1 박리층(12)에 한쪽 면이 접하는 제1 피박리층(13)과, 제1 피박리층(13)의 다른 쪽 면에 한쪽 면이 접하는 접합층(30)과, 접합층(30)의 다른 쪽 면에 한쪽 면이 접하는 제2 피박리층(23)과, 제2 피박리층(23)의 다른 쪽 면에 한쪽 면이 접하는 제2 박리층(22)과, 제2 기판(21)이 이 순서로 배치된다(도 8의 (A-1) 및 도 8의 (A-2) 참조). 또한, 본 실시 형태에서는, 미리 박리 기점(13s)이 접합층(30)의 단부 근방에 형성된 가공 부재(90)를 사용하는 경우에 대해서 설명한다(도 8의 (B-1) 및 도 8의 (B-2) 참조). 또한, 가공 부재(90)의 구성 상세는, 실시 형태 4에서 설명한다.

《제1 스텝》

박리 기점(13s)이 접합층(30)의 단부 근방에 형성된 가공 부재(90)를 준비한다.

박리 기점(13s)은 제1 피박리층(13)의 일부가 제1 기판(11)으로부터 분리된 구조를 갖는다.

예를 들어, 제1 기판(11)측으로부터 예리한 선단으로 제1 피박리층(13)을 찌르는 방법 또는 레이저 등을 사용하는 방법(예를 들어 레이저 어블레이션법) 등을 사용하여, 제1 피박리층(13)의 일부를 제1 박리층(12)으로부터 부분적으로 박리할 수 있다. 이에 의해, 박리 기점(13s)을 형성할 수 있다.

예를 들어, 박리 기점(13s)이 형성된 가공 부재(90)를 준비한다. 제1 공급 유닛(100)은 가공 부재(90)를 공급하고, 가공 부재(90)를 공급받은 반송 기구(111)는 가공 부재(90)를 반송하고, 제1 분리 유닛(300)은 가공 부재(90)를 공급받는다.

《제2 스텝》

제1 분리 유닛(300)이 가공 부재(90)의 한쪽 표층(90b)을 박리한다. 이에 의해, 가공 부재(90)로부터 제1 잔부(90a)를 얻는다.

구체적으로는, 접합층(30)의 단부 근방에 형성된 박리 기점(13s)으로부터, 제1 기판(11)을 제1 박리층(12)과 함께 제1 피박리층(13)으로부터 분리한다(도 8의 (C) 참조). 이에 의해, 제1 피박리층(13)과, 제1 피박리층(13)에 한쪽 면이 접하는 접합층(30)과, 접합층(30)의 다른 쪽 면에 한쪽 면이 접하는 제2 피박리층(23)과, 제2 피박리층(23)의 다른 쪽 면에 한쪽 면이 접하는 제2 박리층(22)과, 제2 기판(21)이 이 순서로 배치되는 제1 잔부(90a)를 얻는다.

또한, 제1 박리층(12)과 제1 피박리층(13)의 계면 근방에 이온을 조사하여, 정전기를 제거하면서 박리해도 된다. 구체적으로는, 이오나이저를 사용해서 생성된 이온을 조사해도 된다.

또한, 제1 박리층(12)으로부터 제1 피박리층(13)을 박리할 때, 제1 박리층(12)과 제1 피박리층(13)의 계면에 액체를 침투시킨다. 또는 액체를 노즐(99)로부터 분출시켜서 분사해도 된다. 예를 들어, 침투시키는 액체 또는 분사하는 액체에 물, 극성 용매 등을 사용할 수 있다.

액체를 침투시킴으로써, 박리에 수반하여 발생하는 정전기 등의 영향을 억제할 수 있다. 또한, 박리층을 녹이는 액체를 침투시키면서 박리해도 된다.

특히, 제1 박리층(12)에 산화텅스텐을 포함하는 막을 사용하는 경우, 물을 포함하는 액체를 침투시키면서 또는 분사하면서 제1 피박리층(13)을 박리하면, 제1 피박리층(13)에 가해지는 박리에 수반하는 응력을 저감할 수 있어 바람직하다.

반송 기구(112)가 제1 잔부(90a)를 반송하고, 공급할 수 있다. 제1 잔부(90a)를 공급받은 제1 세정 장치(350)는 제1 잔부(90a)를 세정하고, 공급할 수 있다.

《제3 스텝》

제1 잔부(90a)에 제1 접착층(31)을 형성하고(도 8의 (D-1) 및 도 8의 (D-2) 참조), 제1 접착층(31)을 사용해서 제1 잔부(90a)와 제1 지지체(41)를 접합한다. 이에 의해, 제1 잔부(90a)로부터, 제1 적층체(91)를 얻는다.

구체적으로는, 제1 지지체(41)와, 제1 접착층(31)과, 제1 피박리층(13)과, 제1 피박리층(13)에 한쪽 면이 접하는 접합층(30)과, 접합층(30)의 다른 쪽 면에 한쪽 면이 접하는 제2 피박리층(23)과, 제2 피박리층(23)의 다른 쪽 면에 한쪽 면이 접하는 제2 박리층(22)과, 제2 기판(21)이 이 순서로 배치되는 제1 적층체(91)를 얻는다(도 8의 (E-1) 및 도 8의 (E-2) 참조).

예를 들어, 반송 기구(111)가 제1 잔부(90a)를 반송하고, 지지체 공급 유닛(500)이 제1 지지체(41)를 공급한다. 그리고, 제1 접합 유닛(400)은 제1 잔부(90a) 및 제1 지지체(41)를 공급받고, 제1 접합 유닛(400)은 제1 접착층(31)을 사용해서 제1 잔부(90a)와 제1 지지체(41)를 접합한다.

《제4 스텝》

반송 기구(111)는 제1 적층체(91)를 반송하고, 제1 적층체(91)를 공급받은 제1 언로드 유닛을 겸하는 제1 공급 유닛(100)은 제1 적층체(91)를 운송한다.

또한, 제1 접착층(31)의 경화에 시간을 필요로 하는 경우에는, 제1 접착층이 경화되지 않은 상태의 제1 적층체(91)를 운송하여, 제1 접착층(31)을 적층체의 제작 장치(1000)의 외부에서 경화시킬 수 있다. 이에 의해, 장치의 점유 시간을 단축할 수 있다.

《제5 스텝》

적층체(91)를 준비한다. 제2 공급 유닛(600)은 제1 적층체(91)를 공급받아 공급하고, 제1 적층체(91)를 공급받은 반송 기구(112)는 제1 적층체(91)를 반송하고, 기점 형성 유닛(700U)은 제1 적층체(91)를 공급받는다(도 7 참조).

《제6 스텝》

제1 적층체(91)의 제1 접착층(31)의 단부 근방에 있는 제2 피박리층(23)의 일부를, 제2 기판(21)으로부터 분리하여, 박리 기점(91s)을 형성한다. 기점 형성 유닛(700U)의 박리 기점의 형성 장치는, 제2 기판(21)이 남도록 제1 지지체(41)가 설치되어 있는 측으로부터 지지체(41) 및 제1 접착층(31)을 절삭하여, 적층체(91)의 일부가 남도록 절입한다.

구체적으로는, 제2 박리층(22) 위의 제2 피박리층(23)이 설치된 영역에 있는, 제1 접착층(31) 및 제1 지지체(41)를 예리한 선단을 구비하는 칼날 등을 사용해서 절삭하고, 또한 새롭게 형성된 제1 접착층(31)의 단부를 따라, 제2 피박리층(23)의 일부를 제2 기판(21)으로부터 분리한다(도 9의 (A-1) 및 도 9의 (A-2) 참조).

이 스텝에 의해, 새롭게 형성된 제1 지지체(41b) 및 제1 접착층(31)의 단부 근방에 박리 기점(91s)이 형성된다.

예를 들어, 제1 적층체(91)의 접착층(31)의 단부 근방에 있는 제2 피박리층(23)의 일부를, 제2 기판(21)으로부터 분리하여, 박리 기점(91s)을 형성한다.

《제7 스텝》

제1 적층체(91)로부터 제2 잔부(91a)를 분리한다. 이에 의해, 제1 적층체(91)로부터 제2 잔부(91a)를 얻는다(도 9의 (C) 참조). 구체적으로는, 제1 접착층(31)의 단부 근방에 형성된 박리 기점(91s)으로부터, 제2 기판(21)을 제2 박리층(22)과 함께 제2 피박리층(23)으로부터 분리한다. 이에 의해, 제1 지지체(41b)와, 제1 접착층(31)과, 제1 피박리층(13)과, 제1 피박리층(13)에 한쪽 면이 접하는 접합층(30)과, 접합층(30)의 다른 쪽 면에 한쪽 면이 접하는 제2 피박리층(23)이 이 순서로 배치되는 제2 잔부(91a)를 얻는다.

또한, 제2 박리층(22)과 제2 피박리층(23)의 계면 근방에 이온을 조사하여, 정전기를 제거하면서 박리해도 된다. 구체적으로는, 이오나이저를 사용해서 생성된 이온을 조사해도 된다.

또한, 제2 박리층(22)으로부터 제2 피박리층(23)을 박리할 때, 제2 박리층(22)과 제2 피박리층(23)의 계면에 액체를 침투시킨다. 또는 액체를 노즐(99)로부터 분출시켜서 분사해도 된다. 예를 들어, 침투시키는 액체 또는 분사하는 액체에 물, 극성 용매 등을 사용할 수 있다.

특히, 제2 박리층(22)에 산화텅스텐을 포함하는 막을 사용하는 경우, 물을 포함하는 액체를 침투시키면서 또는 분사하면서 제2 피박리층(23)을 박리하면, 제2 피박리층(23)에 가해지는 박리에 수반하는 응력을 저감할 수 있어 바람직하다.

《제8 스텝》

반송 기구(112)가 제2 잔부(91a)를 반송하고, 제2 피박리층(23)이 상면을 향하도록 제2 잔부(91a)를 반전한다. 제2 세정 장치(850)는 공급받은 제2 잔부(91a)를 세정한다.

반송 기구(112)가 세정된 제2 잔부(91a)를 반송하고, 지지체 공급 유닛(500)이 제2 지지체(42)를 공급한다.

또한, 제2 잔부(91a)를 제2 세정 장치(850)에 공급하지 않고, 제2 접합 유닛(900)이 제2 잔부를 직접 공급받아도 된다.

《제9 스텝》

제2 접합 유닛(900)을 사용하여, 공급받은 제2 잔부(91a)에 제2 접착층(32)을 형성한다(도 8의 (D-1) 및 도 8의 (D-2) 참조).

제2 접착층(32)을 사용해서 제2 잔부(91a)와 제2 지지체(42)를 접합한다. 이 스텝에 의해, 제2 잔부(91a)로부터, 제2 적층체(92)를 얻는다(도 8의 (E-1) 및 도 8의 (E-2) 참조).

구체적으로는, 제1 지지체(41b)와, 제1 접착층(31)과, 제1 피박리층(13)과, 제1 피박리층(13)의 한쪽 면이 접하는 접합층(30)과, 접합층(30)의 다른 쪽 면에 한쪽 면이 접하는 제2 피박리층(23)과, 제2 접착층(32)과, 제2 지지체(42)가 이 순서로 배치되는 제2 적층체를 얻는다.

《제10 스텝》

반송 기구(112)가 제2 적층체(92)를 반송하고, 제2 적층체를 공급받은 제2 언로드 유닛을 겸하는 제2 공급 유닛(600)은 제2 적층체(92)를 운송한다.

<변형예>

본 실시 형태의 변형예에서는, 적층체의 제작 장치(1000)를 사용해서 가공 부재(90)로부터 적층체(92)를 제작하는, 상기 방법과는 다른 방법에 대해서, 도 8 내지 도 10을 참조하면서 설명한다.

도 10은 본 발명의 일 형태의 적층체의 제작 장치(1000)의 구성과, 가공 부재 및 공정 중 적층체가 반송되는 경로를 설명하는 모식도이다.

구체적으로는, 제4 스텝에 있어서, 반송 기구(111)가 제1 적층체(91)를 반송하고, 제2 세정 장치(850)가 제1 적층체(91)를 공급받는 점, 제5 스텝에 있어서, 반송 기구(112)가 제1 적층체(91)를 반송하고, 기점 형성 유닛(700U)이 제1 적층체(91)를 공급받는 점 및, 제8 스텝에 있어서, 제2 접합 유닛(900)이 제2 잔부(91a)를 공급받는 점이 다르다. 따라서, 여기에서는 다른 스텝에 대해서 상세하게 설명하고, 마찬가지 스텝을 사용할 수 있는 부분은, 상기 설명을 원용한다.

《제4 스텝의 변형예》

반송 기구(111)를 사용해서 적층체(91)를 반송하고, 제2 세정 장치(850)가 적층체(91)를 공급받는다.

본 실시 형태의 변형예에서는, 제2 세정 장치(850)를 반송 기구(111)가 적층체(91)를 반송 기구(112)에 전달하는 전달실로서 사용된다(도 10 참조).

제2 세정 장치(850)를 전달실로 사용함으로써, 제1 적층체(91)를 적층체의 제작 장치(1000)로부터 운송하지 않고, 연속해서 가공하는 것이 가능해진다.

《제5 스텝의 변형예》

반송 기구(112)가 적층체(91)를 반송하고, 기점 형성 유닛(700U)이 적층체(91)를 공급받는다.

《제8 스텝의 변형예》

반송 기구(112)가 제2 잔부(91a)를 반송하고, 제2 피박리층(23)이 상면을 향하도록 제2 잔부(91a)를 반전한다. 제2 접합 유닛(900)은 제2 잔부(91a)를 공급받는다.

<지지체에 개구부를 갖는 적층체의 제작 방법>

개구부를 지지체에 갖는 적층체의 제작 방법에 대해서, 도 20을 참조하면서 설명한다.

도 20은 피박리층의 일부가 노출되는 개구부를 지지체에 갖는 적층체의 제작 방법을 설명하는 도면이다. 도 20의 좌측에, 적층체의 구성을 설명하는 단면도를 도시하고, 대응하는 상면도를 우측에 도시한다.

도 20의 (A-1) 내지 도 20의 (B-2)는 제1 지지체(41b)보다 작은 제2 지지체(42b)를 사용해서 개구부를 갖는 제2 적층체(92c)를 제작하는 방법에 대해서 설명하는 도면이다.

도 20의 (C-1) 내지 도 20의 (D-2)는 제2 지지체(42)에 형성된 개구부를 갖는 제2 적층체(92d)를 제작하는 방법에 대해서 설명하는 도면이다.

《지지체에 개구부를 갖는 적층체의 제작 방법의 예 1》

상기 제9 스텝에 있어서, 제2 지지체(42) 대신에, 제1 지지체(41b)보다 작은 제2 지지체(42b)를 사용하는 점이 다른 것 외에는, 마찬가지의 스텝을 갖는 적층체의 제작 방법이다. 이에 의해, 제2 피박리층(23)의 일부가 노출된 상태의 적층체를 제작할 수 있다(도 20의 (A-1) 및 도 20의 (A-2) 참조).

액상의 접착제를 제2 접착층(32)에 사용할 수 있다. 또는, 유동성이 억제되고 또한 미리 낱장 형상으로 성형된 접착제(시트 형상의 접착제라고도 함)를 사용할 수 있다. 시트 형상의 접착제를 사용하면, 제2 지지체(42b)보다 외측으로 비어져 나오는 접착층(32)의 양을 적게 할 수 있다. 또한, 접착층(32)의 두께를 용이하게 균일하게 할 수 있다.

또한, 제2 피박리층(23)이 노출된 부분을 절제하여, 제1 피박리층(13)이 노출되는 상태로 해도 된다(도 20의 (B-1) 및 도 20의 (B-2) 참조).

구체적으로는, 예리한 선단을 갖는 칼날 등을 사용하여, 노출된 제2 피박리층(23)에 흠집을 형성한다. 계속해서, 예를 들어 흠집의 근방에 응력이 집중하도록 점착성을 갖는 테이프 등을 노출된 제2 피박리층(23)의 일부에 부착하고, 부착된 테이프 등과 함께 제2 피박리층(23)의 일부를 박리하고, 그 일부를 선택적으로 절제할 수 있다.

또한, 접합층(30)의 제1 피박리층(13)에 접착하는 힘을 억제할 수 있는 층을, 제1 피박리층(13)의 일부에 선택적으로 형성해도 된다. 예를 들어, 접합층(30)과 접착하기 어려운 재료를 선택적으로 형성해도 된다. 구체적으로는, 유기 재료를 섬 형상으로 증착해도 된다. 이에 의해, 접합층(30)의 일부를 선택적으로 제2 피박리층(23)과 함께 용이하게 제거할 수 있다. 그 결과, 제1 피박리층(13)을 노출된 상태로 할 수 있다.

또한, 예를 들어 제1 피박리층(13)이 기능층과, 기능층에 전기적으로 접속된 도전층(13b)을 포함하는 경우, 도전층(13b)을 제2 적층체(92c)의 개구부에 노출시킬 수 있다. 이에 의해, 예를 들어 개구부에 노출된 도전층(13b)을 신호가 공급되고 공급하는 단자에 사용할 수 있다.

그 결과, 개구부에 일부가 노출된 도전층(13b)은 기능층이 공급하는 신호를 추출할 수 있는 단자에 사용할 수 있다. 또는, 도전층(13b)은, 기능층이 공급하는 신호를 외부 장치가 공급할 수 있는 단자에 사용할 수 있다.

《지지체에 개구부를 갖는 적층체의 제작 방법의 예 2》

제2 지지체(42)에 설치하는 개구부와 중첩하도록 형성된 개구부를 갖는 마스크(48)를 제2 적층체(92)에 형성한다. 계속해서, 마스크(48)의 개구부에 용제(49)를 적하한다. 이에 의해, 용제(49)를 사용해서 마스크(48)의 개구부에 노출된 제2 지지체(42)를 팽윤 또는 용해할 수 있다(도 20의 (C-1) 및 도 20의 (C-2) 참조).

잉여의 용제(49)를 제거한 후에, 마스크(48)의 개구부에 노출된 제2 지지체(42)를 문지르는 등으로 해서, 응력을 가한다. 이에 의해, 마스크(48)의 개구부에 중첩되는 부분의 제2 지지체(42) 등을 제거할 수 있다.

또한, 접합층(30)을 팽윤 또는 용해하는 용제를 사용하면, 제1 피박리층(13)을 노출된 상태로 할 수 있다(도 20의 (D-1) 및 도 20의 (D-2) 참조).

(실시 형태 4)

본 실시 형태에서는, 본 발명의 일 형태의 적층체의 제작 장치에 적용 가능한 가공 부재의 구성에 대해서, 도 11을 참조하면서 설명한다.

도 11은 본 발명의 일 형태의 적층체의 제작 장치를 사용해서 적층체로 할 수 있는 가공 부재의 구성을 설명하는 모식도이다.

도 11의 (A-1)은 가공 부재(83)의 구성을 설명하는 단면도이며, 도 11의 (A-2)는 대응하는 상면도이다.

도 11의 (B-1)은 가공 부재(83)의 다른 구성을 설명하는 단면도이며, 도 11의 (B-2)는 대응하는 상면도이다.

도 11의 (C-1)은 가공 부재(90)의 구성을 설명하는 단면도이며, 도 11의 (C-2)는 대응하는 상면도이다.

<가공 부재의 예 1>

가공 부재(83)는 제1 기판(11), 제1 기판(11) 위의 제1 박리층(12), 제1 박리층(12)과 한쪽 면이 접하는 제1 피박리층(13), 제1 피박리층(13)의 다른 쪽 면과 한쪽 면이 접하는 접합층(30) 및 접합층(30)의 다른 쪽 면이 접하는 기재(25)를 구비한다(도 11의 (A-1) 및 도 11의 (A-2) 및 도 11의 (B-1) 및 도 11의 (B-2)).

<가공 부재의 예 2>

가공 부재(90)는 제1 기판(11), 제1 기판(11) 위의 제1 박리층(12), 제1 박리층(12)과 한쪽 면이 접하는 제1 피박리층(13), 제1 피박리층(13)의 다른 쪽 면과 한쪽 면이 접하는 접합층(30) 및 접합층(30)의 다른 쪽 면과 한쪽 면이 접하는 제2 피박리층(23), 제2 피박리층(23)의 다른 쪽 면과 한쪽 면이 접하는 제2 박리층(22) 및 제2 박리층(22) 위의 제2 기판(21)을 구비한다(도 11의 (C-1) 및 도 11의 (C-2)).

또한, 박리 기점(13s)이 접합층(30)의 단부 근방에 설치되어 있어도 된다.

이하에, 본 실시 형태에서 설명하는 적층체를 구성하는 개개의 요소에 대해서 설명한다.

《제1 기판》

제1 기판(11)은 제조 공정에 견딜 수 있을 정도의 내열성 및 제조 장치에 적용 가능한 두께 및 크기를 갖는 것이면, 특별히 한정되지 않는다.

제1 기판(11)에 사용할 수 있는 재료는, 예를 들어 유리, 세라믹스, 금속, 무기 재료 또는 수지 등을 들 수 있다.

구체적으로는, 유리로서는, 무알칼리 유리, 소다석회 유리, 칼륨 유리 또는 크리스탈 유리 등을 들 수 있다. 금속으로서는, SUS 및 알루미늄 등을 들 수 있다.

제1 기판(11)은 단층 구조 또는 적층 구조 등을 갖고 있어도 된다. 예를 들어, 기재와 기재에 포함되는 불순물의 확산을 방지하는 절연층이 적층된 구조를 갖고 있어도 된다. 구체적으로는, 유리와 유리에 포함되는 불순물의 확산을 방지하는 산화실리콘층, 질화실리콘층 또는 산화질화실리콘층 등의 여러가지 하지층이 적층된 구조를 적용할 수 있다.

《제1 박리층》

제1 박리층(12)은 제1 박리층(12) 위에 형성된 제1 피박리층(13)을 박리할 수 있고, 제조 공정에 견딜 수 있을 정도의 내열성을 갖는 것이라면, 특별히 한정되지 않는다.

제1 박리층(12)에 사용할 수 있는 재료는, 예를 들어 무기 재료 또는 유기 재료 등을 들 수 있다.

구체적으로는, 무기 재료로서는, 텅스텐, 몰리브덴, 티타늄, 탄탈륨, 니오븀, 니켈, 코발트, 지르코늄, 아연, 루테늄, 로듐, 팔라듐, 오스뮴, 이리듐, 실리콘으로부터 선택된 원소를 포함하는 금속, 그 원소를 포함하는 합금 또는 그 원소를 포함하는 화합물 등을 들 수 있다.

구체적으로는, 유기 재료로서는, 폴리이미드, 폴리에스테르, 폴리올레핀, 폴리아미드, 폴리카르보네이트 또는 아크릴 수지 등을 들 수 있다.

제1 박리층(12)은 단층 구조 또는 적층 구조 등을 갖고 있어도 된다. 예를 들어, 텅스텐을 포함하는 층과 텅스텐의 산화물을 포함하는 층의 적층 구조를 적용할 수 있다.

또한, 텅스텐의 산화물을 포함하는 층은, 텅스텐을 포함하는 층에 다른 층을 적층하는 방법으로 형성된 층이어도 좋고, 예를 들어 텅스텐을 포함하는 층에 산화실리콘 또는 산화질화실리콘 등의 산소를 포함하는 막을 적층하여, 텅스텐의 산화물을 포함하는 층을 형성해도 좋다.

또한, 텅스텐의 산화물을 포함하는 층은, 텅스텐을 포함하는 층의 표면을, 열산화 처리, 산소 플라즈마 처리, 아산화질소(N₂O) 플라즈마 처리, 오존수 등의 산화력이 강한 용액을 사용하는 처리 등에 의해 형성된 층이어도 좋다.

《제1 피박리층》

제1 피박리층(13)은 제1 박리층(12) 위로부터 박리할 수 있고, 제조 공정에 견딜 수 있을 정도의 내열성을 갖는 것이라면, 특별히 한정되지 않는다.

제1 피박리층(13)에 사용할 수 있는 재료는, 예를 들어 무기 재료 또는 유기 수지 등을 들 수 있다.

제1 피박리층(13)은 단층 구조 또는 적층 구조 등을 갖고 있어도 된다. 예를 들어, 제1 박리층(12)과 중첩하는 기능층과, 제1 박리층(12)과 기능층 사이에 그 기능층의 특성을 손상시키는 불순물의 확산을 방지하는 절연층이 적층된 구조를 갖고 있어도 된다. 구체적으로는, 제1 박리층(12)측으로부터 순서대로 산화질화실리콘층, 질화실리콘층 및 기능층이 순서대로 적층된 구성을 적용할 수 있다.

제1 피박리층(13)에 사용할 수 있는 기능층으로서는, 예를 들어 기능 회로, 기능 소자, 광학 소자 또는 기능막 등 또는 이들로부터 선택된 복수를 포함하는 층을 들 수 있다. 구체적으로는, 표시 장치의 화소 회로, 표시 장치의 구동 회로, 표시 소자, 컬러 필터 또는 방습막 등 또는 이들로부터 선택된 복수를 포함하는 층을 들 수 있다.

《접합층》

접합층(30)은 제1 피박리층(13)과 기재(25)를 접합하는 것이라면, 특별히 한정되지 않는다.

접합층(30)에 사용할 수 있는 재료는, 예를 들어 무기 재료 또는 유기 수지 등을 들 수 있다.

구체적으로는, 융점이 400℃ 이하 바람직하게는 300℃ 이하인 유리층 또는 접착제 등을 사용할 수 있다.

접합층(30)에 사용할 수 있는 접착제로서는, 자외선 경화형 등의 광경화형 접착제, 반응 경화형 접착제, 열경화형 접착제, 혐기형 접착제 등을 들 수 있다.

예를 들어, 에폭시 수지, 아크릴 수지, 실리콘 수지, 페놀 수지, 폴리이미드 수지, 이미드 수지, PVC(폴리비닐 클로라이드) 수지, PVB(폴리비닐 부티랄) 수지, EVA(에틸렌비닐아세테이트) 수지 등을 들 수 있다.

《기재》

기재(25)는 제조 공정에 견딜 수 있을 정도의 내열성 및 제조 장치에 적용 가능한 두께 및 크기를 갖는 것이라면, 특별히 한정되지 않는다.

기재(25)에 사용할 수 있는 재료는, 예를 들어 제1 기판(11)과 마찬가지의 것을 사용할 수 있다.

《박리 기점》

가공 부재(90)가 박리 기점(13s)을 접합층(30)의 단부 근방에 구비하는 구성으로 해도 된다.

박리 기점(13s)은 제1 피박리층(13)의 일부가 제1 박리층(12)으로부터 박리된 구조이다.

박리 기점(13s)은 제1 피박리층(13)을 예리한 선단으로 제1 기판(11)측으로부터 찔러서 형성할 수 있는 것 외에, 레이저 등을 사용한 비접촉인 방법(예를 들어 레이저 어블레이션법)으로, 제1 피박리층(13)의 일부를 제1 박리층(12)으로부터 박리할 수 있다.

《제2 기판》

제2 기판(21)은 제1 기판(11)과 마찬가지의 것을 사용할 수 있다. 또한, 제2 기판(21)을 제1 기판(11)과 동일한 구성으로 할 필요는 없다.

《제2 박리층》

제2 박리층(22)은 제1 박리층(12)과 마찬가지의 것을 사용할 수 있다. 또한, 제2 박리층(22)을 제1 박리층(12)과 동일한 구성으로 할 필요는 없다.

《제2 피박리층》

제2 피박리층(23)은 제1 피박리층(13)과 마찬가지의 구성을 사용할 수 있다. 또한, 제2 피박리층(23)은 제1 피박리층(13)과 다른 구성으로 할 수도 있다.

예를 들어, 제1 피박리층(13)이 기능 회로를 구비하고, 제2 피박리층(23)이 그 기능 회로로의 불순물의 확산을 방지하는 기능층을 구비하는 구성으로 해도 된다.

구체적으로는, 제1 피박리층(13)이 표시 장치의 화소 회로, 표시 장치의 구동 회로 및 화소 회로와 접속되고 또한 제2 피박리층을 향해서 광을 방출하는 발광 소자를 구비하고, 제2 피박리층(23)이 컬러 필터 및 방습막을 구비하는 구성으로 해도 된다.

(실시 형태 5)

본 실시 형태에서는, 실시 형태 2 및 실시 형태 3에서 설명한 적층체의 제작 장치를 사용해서 제작할 수 있는 가요성을 갖는 발광 장치(발광 패널)의 예에 대해서 설명한다.

<구체예 1>

도 12의 (A)에 가요성을 갖는 발광 패널의 평면도를 나타내고, 도 12의 (A)에 있어서의 일점쇄선 G1-G2 사이의 단면도의 일례를 도 12의 (B)에 나타낸다. 또한, 다른 단면도의 일례를 도 16의 (A), (B)에 나타낸다.

도 12의 (B)에 나타내는 발광 패널은, 소자층(1301), 접착층(1305), 기판(1303)을 갖는다. 소자층(1301)은 기판(1401), 접착층(1403), 절연층(1405), 트랜지스터(1440), 도전층(1357), 절연층(1407), 절연층(1409), 발광 소자(1430), 절연층(1411), 밀봉층(1413), 절연층(1461), 착색층(1459), 차광층(1457) 및 절연층(1455)을 갖는다.

도전층(1357)은 접속체(1415)를 개재해서 FPC(1308)와 전기적으로 접속한다.

발광 소자(1430)는 하부 전극(1431), EL층(1433) 및 상부 전극(1435)을 갖는다. 하부 전극(1431)은 트랜지스터(1440)의 소스 전극 또는 드레인 전극과 전기적으로 접속한다. 하부 전극(1431)의 단부는, 절연층(1411)으로 덮여 있다. 발광 소자(1430)는 톱 에미션 구조이다. 상부 전극(1435)은 투광성을 갖고, EL층(1433)이 방출하는 광을 투과시킨다.

또한, EL층은, 도 16의 (B)에 도시한 바와 같이, EL층(1433A), EL층(1433B)을 사용함으로써, 화소마다 달라도 된다. 그 경우에는, 발광하는 색이 다르게 된다. 따라서, 그 경우에는, 착색층(1459) 등은, 반드시 설치하지 않아도 된다.

발광 소자(1430)와 중첩하는 위치에, 착색층(1459)이 설치되고, 절연층(1411)과 중첩하는 위치에 차광층(1457)이 설치되어 있다. 착색층(1459) 및 차광층(1457)은 절연층(1461)으로 덮여 있다. 발광 소자(1430)와 절연층(1461) 사이는 밀봉층(1413)으로 충전되어 있다.

발광 패널은, 광 추출부(1304) 및 구동 회로부(1306)에, 복수의 트랜지스터를 갖는다. 트랜지스터(1440)는 절연층(1405) 위에 설치되어 있다. 절연층(1405)과 기판(1401)은 접착층(1403)에 의해 접합되어 있다. 또한, 절연층(1455)과 기판(1303)은 접착층(1305)에 의해 접합되어 있다. 절연층(1405)이나 절연층(1455)에 투수성이 낮은 막을 사용하면, 발광 소자(1430)나 트랜지스터(1440)에 물 등의 불순물이 침입하는 것을 억제할 수 있어, 발광 패널의 신뢰성이 높아지기 때문에 바람직하다. 접착층(1403)은 접착층(1305)과 마찬가지 재료를 사용할 수 있다.

구체예 1에서는, 내열성이 높은 제작 기판 위에서 절연층(1405)이나 트랜지스터(1440), 발광 소자(1430)를 제작하고, 그 제작 기판을 박리하고, 접착층(1403)을 사용해서 기판(1401) 위에 절연층(1405)이나 트랜지스터(1440), 발광 소자(1430)를 전치함으로써 제작할 수 있는 발광 패널을 나타내고 있다. 또한, 구체예 1에서는, 내열성이 높은 제작 기판 위에서 절연층(1455), 착색층(1459) 및 차광층(1457)을 제작하고, 그 제작 기판을 박리하여, 접착층(1305)을 사용해서 기판(1303) 위에 절연층(1455), 착색층(1459) 및 차광층(1457)을 전치함으로써 제작할 수 있는 발광 패널을 나타내고 있다.

기판에, 투수성이 높고 내열성이 낮은 재료(수지 등)를 사용하는 경우, 제작 공정에서 기판에 고온을 가할 수 없기 때문에, 그 기판 위에 트랜지스터나 절연막을 제작하는 조건에 제한이 있다. 본 실시 형태의 제작 방법에서는, 내열성이 높은 제작 기판 위에서 트랜지스터 등의 제작을 행할 수 있기 때문에, 신뢰성이 높은 트랜지스터나 충분히 투수성이 낮은 절연막을 형성할 수 있다. 그리고, 그들을 기판(1303)이나 기판(1401)으로 전치함으로써, 신뢰성이 높은 발광 패널을 제작할 수 있다. 이에 의해, 본 발명의 일 형태에서는, 경량 또는 박형이며, 또한 신뢰성이 높은 발광 장치를 실현할 수 있다. 제작 방법의 상세는 후술한다.

기판(1303) 및 기판(1401)에는, 각각 인성이 높은 재료를 사용하는 것이 바람직하다. 이에 의해, 내충격성이 우수하며, 파손하기 어려운 표시 장치를 실현할 수 있다. 예를 들어, 기판(1303)을 유기 수지 기판으로 하고, 기판(1401)을 두께가 얇은 금속 재료나 합금 재료를 사용한 기판으로 함으로써 기판으로 유리 기판을 사용하는 경우에 비해, 경량이며, 파손되기 어려운 발광 패널을 실현할 수 있다.

금속 재료나 합금 재료는 열전도성이 높아, 기판 전체에 열을 용이하게 전도할 수 있기 때문에, 발광 패널의 국소적인 온도 상승을 억제할 수 있어, 바람직하다. 금속 재료나 합금 재료를 사용한 기판의 두께는, 10㎛ 이상 200㎛ 이하가 바람직하고, 20㎛ 이상 50㎛ 이하인 것이 보다 바람직하다.

또한, 기판(1401)에, 열방사율이 높은 재료를 사용하면 발광 패널의 표면 온도가 높아지는 것을 억제할 수 있고, 발광 패널의 파괴나 신뢰성의 저하를 억제할 수 있다. 예를 들어, 기판(1401)을 금속 기판과 열방사율이 높은 층(예를 들어, 금속 산화물이나 세라믹 재료를 사용할 수 있음)의 적층 구조로 해도 된다.

<구체예 2>

도 13의 (A)에 발광 패널에 있어서의 광 추출부(1304)의 다른 예를 나타낸다.

도 13의 (A)에 나타내는 광 추출부(1304)는 기판(1303), 접착층(1305), 기판(1402), 절연층(1405), 트랜지스터(1440), 절연층(1407), 도전층(1408), 절연층(1409a), 절연층(1409b), 발광 소자(1430), 절연층(1411), 밀봉층(1413) 및 착색층(1459)을 갖는다.

발광 소자(1430)는 하부 전극(1431), EL층(1433) 및 상부 전극(1435)을 갖는다. 하부 전극(1431)은 도전층(1408)을 개재해서 트랜지스터(1440)의 소스 전극 또는 드레인 전극과 전기적으로 접속한다. 하부 전극(1431)의 단부는, 절연층(1411)으로 덮여 있다. 발광 소자(1430)는 보텀 에미션 구조이다. 하부 전극(1431)은 투광성을 갖고, EL층(1433)이 방출하는 광을 투과시킨다.

발광 소자(1430)와 중첩하는 위치에, 착색층(1459)이 설치되고, 발광 소자(1430)가 방출하는 광은, 착색층(1459)을 개재해서 기판(1303)측으로 추출된다. 발광 소자(1430)와 기판(1402) 사이는 밀봉층(1413)으로 충전되어 있다. 기판(1402)은 전술한 기판(1401)과 마찬가지 재료를 사용해서 제작할 수 있다.

<구체예 3>

도 13의 (B)에 발광 패널의 다른 예를 나타낸다.

도 13의 (B)에 나타내는 발광 패널은, 소자층(1301), 접착층(1305), 기판(1303)을 갖는다. 소자층(1301)은 기판(1402), 절연층(1405), 도전층(1510a), 도전층(1510b), 복수의 발광 소자, 절연층(1411), 도전층(1412) 및 밀봉층(1413)을 갖는다.

도전층(1510a) 및 도전층(1510b)은 발광 패널의 외부 접속 전극이며, FPC 등과 전기적으로 접속시킬 수 있다.

발광 소자(1430)는 하부 전극(1431), EL층(1433) 및 상부 전극(1435)을 갖는다. 하부 전극(1431)의 단부는, 절연층(1411)으로 덮여 있다. 발광 소자(1430)는 보텀 에미션 구조이다. 하부 전극(1431)은 투광성을 갖고, EL층(1433)이 방출하는 광을 투과시킨다. 도전층(1412)은 하부 전극(1431)과 전기적으로 접속한다.

기판(1303)은 광 추출 구조로서, 반구 렌즈, 마이크로렌즈 어레이, 요철 구조가 실시된 필름, 광 확산 필름 등을 갖고 있어도 된다. 예를 들어, 수지 기판 위에 상기 렌즈나 필름을, 그 기판 또는 그 렌즈 또는 필름과 동일 정도의 굴절률을 갖는 접착제 등을 사용해서 접착함으로써, 광 추출 구조를 형성할 수 있다.

도전층(1412)은 반드시 설치할 필요는 없지만, 하부 전극(1431)의 저항에 기인하는 전압 강하를 억제할 수 있기 때문에, 설치하는 것이 바람직하다. 또한, 마찬가지 목적으로, 상부 전극(1435)과 전기적으로 접속하는 도전층을 절연층(1411) 위에 설치해도 된다.

도전층(1412)은 구리, 티타늄, 탄탈륨, 텅스텐, 몰리브덴, 크롬, 네오디뮴, 스칸듐, 니켈, 알루미늄으로부터 선택된 재료 또는 이들을 주성분으로 하는 합금 재료를 사용하여, 단층으로 또는 적층해서 형성할 수 있다. 도전층(1412)의 막 두께는, 0.1㎛ 이상 3㎛ 이하로 할 수 있고, 바람직하게는 0.1㎛ 이상 0.5㎛ 이하이다.

상부 전극(1435)과 전기적으로 접속하는 도전층의 재료에 페이스트(은 페이스트 등)를 사용하면, 그 도전층을 구성하는 금속이 입상이 되어 응집한다. 그로 인해, 상기 도전층의 표면이 거칠어 간극이 많은 구성으로 되고, EL층(1433)이 그 도전층을 완전히 덮는 것이 어렵고, 상부 전극과 그 도전층의 전기적인 접속을 취하는 것이 용이해져서 바람직하다.

<재료의 일례>

이어서, 발광 패널에 사용할 수 있는 재료 등을 설명한다. 또한, 본 실시 형태 중에서 먼저 설명한 구성에 대해서는 설명을 생략한다.

소자층(1301)은 적어도 발광 소자를 갖는다. 발광 소자로서는, 자발광이 가능한 소자를 사용할 수 있고, 전류 또는 전압에 의해 휘도가 제어되는 소자를 그 범주에 포함하고 있다. 예를 들어, 발광 다이오드(LED), 유기 EL 소자, 무기 EL 소자 등을 사용할 수 있다.

소자층(1301)은 발광 소자를 구동하기 위한 트랜지스터나, 터치 센서 등을 더 갖고 있어도 된다.

발광 패널이 갖는 트랜지스터의 구조는 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 스태거형 트랜지스터로 해도 되고, 역스태거형 트랜지스터로 해도 된다. 또한, 톱 게이트형 또는 보텀 게이트형 중 어느 하나의 트랜지스터 구조로 해도 된다. 트랜지스터에 사용하는 반도체 재료는 특별히 한정되지 않고 예를 들어, 실리콘, 게르마늄 등을 들 수 있다. 또는, In-Ga-Zn계 금속 산화물 등의, 인듐, 갈륨, 아연 중 적어도 하나를 포함하는 산화물 반도체를 사용해도 된다.

트랜지스터에 사용하는 반도체 재료의 상태에 대해서도 특별히 한정되지 않고, 비정질 반도체, 결정성을 갖는 반도체(미결정 반도체, 다결정 반도체, 단결정 반도체 또는 일부에 결정 영역을 갖는 반도체)중 어느 하나를 사용해도 된다. 특히 결정성을 갖는 반도체를 사용하면, 트랜지스터 특성의 열화를 억제할 수 있기 때문에 바람직하다.

발광 패널이 갖는 발광 소자는, 한 쌍의 전극(하부 전극(1431) 및 상부 전극(1435))과, 그 한 쌍의 전극간에 설치된 EL층(1433)을 갖는다. 상기 한 쌍의 전극 한쪽은 양극으로서 기능하고, 다른 쪽은 음극으로서 기능한다.

발광 소자는, 톱 에미션 구조, 보텀 에미션 구조, 듀얼 에미션 구조 중 어느 하나여도 상관없다. 광을 추출하는 측의 전극에는, 가시광을 투과하는 도전막을 사용한다. 또한, 광을 추출하지 않는 측의 전극에는, 가시광을 반사하는 도전막을 사용하는 것이 바람직하다.

가시광을 투과하는 도전막은, 예를 들어 산화인듐, 인듐주석산화물(ITO: Indium Tin Oxide), 인듐아연산화물, 산화아연, 갈륨을 첨가한 산화아연 등을 사용해서 형성할 수 있다. 또한, 금, 은, 백금, 마그네슘, 니켈, 텅스텐, 크롬, 몰리브덴, 철, 코발트, 구리, 팔라듐, 또는 티타늄 등의 금속 재료, 이들 금속 재료를 포함하는 합금, 또는 이들 금속 재료의 질화물(예를 들어, 질화티타늄) 등도, 투광성을 가질 정도로 얇게 형성함으로써 사용할 수 있다. 또한, 상기 재료의 적층막을 도전막으로서 사용할 수 있다. 예를 들어, 은과 마그네슘의 합금과 ITO의 적층막 등을 사용하면, 도전성을 높일 수 있기 때문에 바람직하다. 또한, 그래핀 등을 사용해도 된다.

가시광을 반사하는 도전막은, 예를 들어 알루미늄, 금, 백색금, 은, 니켈, 텅스텐, 크롬, 몰리브덴, 철, 코발트, 구리 또는 팔라듐 등의 금속 재료, 또는 이들 금속 재료를 포함하는 합금을 사용할 수 있다. 또한, 상기 금속 재료나 합금에, 란탄, 네오디뮴 또는 게르마늄 등이 첨가되어 있어도 된다. 또한, 알루미늄과 티타늄의 합금, 알루미늄과 니켈의 합금, 알루미늄과 네오디뮴의 합금 등의 알루미늄을 포함하는 합금(알루미늄 합금)이나, 은과 구리의 합금, 은과 팔라듐과 구리의 합금, 은과 마그네슘의 합금 등 은을 포함하는 합금을 사용해서 형성할 수 있다. 은과 구리를 포함하는 합금은, 내열성이 높기 때문에 바람직하다. 또한, 알루미늄 합금막에 접하는 금속막 또는 금속 산화물막을 적층함으로써, 알루미늄 합금막의 산화를 억제할 수 있다. 상기 금속막, 금속 산화물막의 재료로서는, 티타늄, 산화티타늄 등을 들 수 있다. 또한, 상기 가시광을 투과하는 도전막과 금속 재료를 포함하는 막을 적층해도 된다. 예를 들어, 은과 ITO의 적층막, 은과 마그네슘의 합금과 ITO의 적층막 등을 사용할 수 있다.

전극은, 각각, 증착법이나 스퍼터링법을 사용해서 형성하면 된다. 그 외에, 잉크젯법 등의 토출법, 스크린 인쇄법 등의 인쇄법 또는 도금법을 사용해서 형성할 수 있다.

하부 전극(1431) 및 상부 전극(1435) 사이에, 발광 소자의 임계값 전압보다 높은 전압을 인가하면, EL층(1433)에 양극측으로부터 정공이 주입되고, 음극측으로부터 전자가 주입된다. 주입된 전자와 정공은 EL층(1433)에 있어서 재결합하여, EL층(1433)에 포함되는 발광 물질이 발광한다.

EL층(1433)은 적어도 발광층을 갖는다. EL층(1433)은 발광층 이외의 층으로서, 정공 주입성이 높은 물질, 정공 수송성이 높은 물질, 정공 블록 재료, 전자 수송성이 높은 물질, 전자 주입성이 높은 물질 또는 바이폴라성 물질(전자 수송성 및 정공 수송성이 높은 물질) 등을 포함하는 층을 더 갖고 있어도 된다.

EL층(1433)에는 저분자계 화합물 및 고분자계 화합물중 어느 하나를 사용할 수도 있으며, 무기 화합물을 포함하고 있어도 된다. EL층(1433)을 구성하는 층은, 각각 증착법(진공 증착법을 포함함), 전사법, 인쇄법, 잉크젯법, 도포법 등의 방법으로 형성할 수 있다.

소자층(1301)에 있어서, 발광 소자는, 한 쌍의 투수성 낮은 절연막 사이에 설치되어 있는 것이 바람직하다. 이에 의해, 발광 소자에 물 등의 불순물이 침입하는 것을 억제할 수 있고, 발광 장치의 신뢰성 저하를 억제할 수 있다.

투수성이 낮은 절연막으로서는, 질화실리콘막, 질화산화실리콘막 등의 질소와 규소를 포함하는 막이나, 질화알루미늄막 등의 질소와 알루미늄을 포함하는 막 등을 들 수 있다. 또한, 산화실리콘막, 산화질화실리콘막, 산화 알루미늄막 등을 사용해도 된다.

예를 들어, 투수성이 낮은 절연막의 수증기 투과량은, 1×10^-5[g/㎡·day] 이하, 바람직하게는 1×10^-6[g/㎡·day] 이하, 보다 바람직하게는 1×10^-7[g/㎡·day] 이하, 더욱 바람직하게는 1×10^-8[g/㎡·day] 이하로 한다.

기판(1303)은 투광성을 갖고, 적어도 소자층(1301)이 갖는 발광 소자가 방출하는 광을 투과시킨다. 기판(1303)은 가요성을 갖는다. 또한, 기판(1303)의 굴절률은, 대기의 굴절률보다도 높다.

유리에 비해 유기 수지는 비중이 작기 때문에, 기판(1303)으로서 유기 수지를 사용하면, 유리를 사용하는 경우에 비해 발광 장치를 경량화할 수 있어, 바람직하다.

가요성 및 가시광에 대한 투과성을 갖는 재료로서는, 예를 들어 가요성을 가질 정도의 두께의 유리나, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN) 등의 폴리에스테르 수지, 폴리아크릴로니트릴 수지, 폴리이미드 수지, 폴리메틸메타크릴레이트 수지, 폴리카르보네이트(PC) 수지, 폴리에테르술폰(PES) 수지, 폴리아미드 수지, 시클로올레핀 수지, 폴리스티렌 수지, 폴리아미드이미드 수지, 폴리염화비닐 수지 등을 들 수 있다. 특히, 열팽창 계수가 낮은 재료를 사용하는 것이 바람직하고, 예를 들어 폴리아미드이미드 수지, 폴리이미드 수지, PET 등을 적절하게 사용할 수 있다. 또한, 유리 섬유에 유기 수지를 함침한 기판이나, 무기 필러를 유기 수지에 섞어서 열팽창 계수를 낮춘 기판을 사용할 수도 있다.

기판(1303)으로서는, 상기 재료를 사용한 층이, 발광 장치의 표면을 흠집 등으로부터 보호하는 하드코트층(예를 들어, 질화실리콘층 등)이나, 가압을 분산 가능한 재질의 층(예를 들어, 아라미드 수지층 등) 등과 적층되어 구성되어 있어도 된다. 또한, 수분 등에 의한 발광 소자의 수명의 저하 등을 억제하기 위해서, 전술한 투수성이 낮은 절연막을 갖고 있어도 된다.

접착층(1305)은 투광성을 갖고, 적어도 소자층(1301)이 갖는 발광 소자가 방출하는 광을 투과시킨다. 또한, 접착층(1305)의 굴절률은, 대기의 굴절률보다도 높다.

접착층(1305)에는, 2액 혼합형 수지 등 상온에서 경화하는 경화 수지, 광경화성 수지, 열경화성 수지 등의 수지를 사용할 수 있다. 예를 들어, 에폭시 수지, 아크릴 수지, 실리콘 수지, 페놀 수지 등을 들 수 있다. 특히, 에폭시 수지 등의 투습성이 낮은 재료가 바람직하다.

또한, 상기 수지에 건조제를 포함하고 있어도 된다. 예를 들어, 알칼리 토금속의 산화물(산화칼슘이나 산화바륨 등)과 같이, 화학 흡착에 의해 수분을 흡착하는 물질을 사용할 수 있다. 또는, 제올라이트나 실리카겔 등과 같이, 물리 흡착에 의해 수분을 흡착하는 물질을 사용해도 된다. 건조제가 포함되어 있으면, 수분 등 불순물이 발광 소자에 침입하는 것을 억제할 수 있어, 발광 장치의 신뢰성이 향상되기 때문에 바람직하다.

또한, 상기 수지에 굴절률이 높은 필러(산화티타늄 등)를 혼합함으로써, 발광 소자로부터의 광 추출 효율을 향상시킬 수 있어, 바람직하다.

또한, 접착층(1305)에는, 광을 산란시키는 산란 부재를 갖고 있어도 된다. 예를 들어, 접착층(1305)에는, 상기 수지와 상기 수지와 굴절률이 다른 입자의 혼합물을 사용할 수도 있다. 상기 입자는 광의 산란 부재로서 기능한다.

수지와, 그 수지와 굴절률이 다른 입자는, 굴절률의 차가 0.1 이상 있는 것이 바람직하고, 0.3 이상 있는 것이 보다 바람직하다. 구체적으로는 수지로서는, 에폭시 수지, 아크릴 수지, 이미드 수지, 실리콘 수지 등을 사용할 수 있다. 또한 입자로서는, 산화티타늄, 산화바륨, 제올라이트 등을 사용할 수 있다.

산화티타늄 및 산화바륨의 입자는, 광을 산란시키는 성질이 강하여 바람직하다. 또한 제올라이트를 사용하면, 수지 등이 갖는 물을 흡착할 수 있어, 발광 소자의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.

절연층(1405), 절연층(1455)에는, 무기 절연 재료를 사용할 수 있다. 특히, 전술한 투수성이 낮은 절연막을 사용하면, 신뢰성이 높은 발광 패널을 실현할 수 있기 때문에 바람직하다.

절연층(1407)은 트랜지스터를 구성하는 반도체에의 불순물의 확산을 억제하는 효과를 발휘한다. 절연층(1407)으로서는, 산화실리콘막, 산화질화실리콘막, 산화 알루미늄막 등의 무기 절연막을 사용할 수 있다.

절연층(1409), 절연층(1409a) 및 절연층(1409b)으로서는, 각각, 트랜지스터 등에 기인한 표면 요철을 저감하기 위해서 평탄화 기능을 갖는 절연막을 선택하는 것이 적합하다. 예를 들어, 폴리이미드, 아크릴, 벤조시클로부텐계 수지 등의 유기 재료를 사용할 수 있다. 또한, 상기 유기 재료 외에, 저유전율 재료(low-k 재료) 등을 사용할 수 있다. 또한, 이들 재료로 형성되는 절연막이나 무기 절연막을 복수 적층시켜도 좋다.

절연층(1411)은 하부 전극(1431)의 단부를 덮어서 설치되어 있다. 절연층(1411)의 상층에 형성되는 EL층(1433)이나 상부 전극(1435)의 피복성을 양호한 것으로 하기 때문에, 절연층(1411)의 측벽이 연속한 곡률을 갖고 형성되는 경사면으로 되는 것이 바람직하다.

절연층(1411)의 재료로서는, 수지 또는 무기 절연 재료를 사용할 수 있다. 수지로서는, 예를 들어 폴리이미드 수지, 폴리아미드 수지, 아크릴 수지, 실록산 수지, 에폭시 수지 또는 페놀 수지 등을 사용할 수 있다. 특히, 절연층(1411)의 제작이 용이해지기 때문에, 네가티브형 감광성 수지, 또는 포지티브형 감광성 수지를 사용하는 것이 바람직하다.

절연층(1411)의 형성 방법은, 특별히 한정되지 않지만, 포토리소그래피법, 스퍼터법, 증착법, 액적 토출법(잉크젯법 등), 인쇄법(스크린 인쇄, 오프셋 인쇄 등) 등을 사용하면 된다.

밀봉층(1413)에는, 2액 혼합형 수지 등 상온에서 경화하는 경화 수지, 광경화성 수지, 열경화성 수지 등의 수지를 사용할 수 있다. 예를 들어, PVC(폴리비닐 클로라이드) 수지, 아크릴 수지, 폴리이미드 수지, 에폭시 수지, 실리콘 수지, PVB(폴리비닐 부티랄) 수지, EVA(에틸렌비닐아세테이트) 수지 등을 사용할 수 있다. 밀봉층(1413)에 건조제가 포함되어 있어도 된다. 또한, 밀봉층(1413)을 통과해서 발광 소자(1430)의 광이 발광 패널 밖으로 추출되는 경우에는, 밀봉층(1413)에 굴절률이 높은 필러나 산란 부재를 포함하는 것이 바람직하다. 건조제, 굴절률이 높은 필러, 산란 부재에 대해서는, 접착층(1305)에 사용할 수 있는 재료와 마찬가지 재료를 들 수 있다.

도전층(1357)은 트랜지스터 또는 발광 소자를 구성하는 도전층과 동일한 재료, 동일한 공정으로 형성할 수 있다. 예를 들어, 상기 도전층은, 각각, 몰리브덴, 티타늄, 크롬, 탄탈륨, 텅스텐, 알루미늄, 구리, 네오디뮴, 스칸듐 등의 금속 재료 또는 이들 원소를 포함하는 합금 재료를 사용하여, 단층으로 또는 적층해서 형성할 수 있다. 또한, 상기 도전층은, 각각, 도전성의 금속 산화물을 사용해서 형성해도 된다. 도전성의 금속 산화물로서는 산화인듐(In₂O₃ 등), 산화주석(SnO₂ 등), 산화아연(ZnO), 인듐주석산화물(ITO), 인듐아연산화물(In₂O₃-ZnO 등) 또는 이들 금속 산화물 재료에 산화실리콘을 포함시킨 것을 사용할 수 있다.

또한, 도전층(1408), 도전층(1412), 도전층(1510a) 및 도전층(1510b)도, 각각, 상기 금속 재료, 합금 재료 또는 도전성의 금속 산화물 등을 사용해서 형성할 수 있다.

접속체(1415)로서는, 열경화성 수지에 금속 입자를 혼합한 페이스트 상태 또는 시트 형상의 재료를 사용하여, 열 압착에 의해 이방성의 도전성을 나타내는 재료를 사용할 수 있다. 금속 입자로서는, 예를 들어 니켈 입자를 금으로 피복한 것 등, 2종류 이상의 금속이 층상으로 된 입자를 사용하는 것이 바람직하다.

착색층(1459)은 특정한 파장 대역의 광을 투과하는 유색층이다. 예를 들어, 적색의 파장 대역의 광을 투과하는 적색(R)의 컬러 필터, 녹색의 파장 대역의 광을 투과하는 녹색(G)의 컬러 필터, 청색의 파장 대역의 광을 투과하는 청색(B)의 컬러 필터 등을 사용할 수 있다. 각 착색층은, 여러가지 재료를 사용하여, 인쇄법, 잉크젯법, 포토리소그래피법을 사용한 에칭 방법 등으로 각각 원하는 위치에 형성한다.

또한, 인접하는 착색층(1459) 사이에, 차광층(1457)이 설치되어 있다. 차광층(1457)은 인접하는 발광 소자로부터 돌아 들어가는 광을 차광하고, 인접 화소간에 있어서의 혼색을 억제한다. 여기서, 착색층(1459)의 단부를, 차광층(1457)과 중첩하도록 설치함으로써, 광 누설을 억제할 수 있다. 차광층(1457)은 발광 소자의 발광을 차광하는 재료를 사용할 수 있고, 금속 재료나 안료나 염료를 포함하는 수지 재료 등을 사용해서 형성할 수 있다. 또한, 도 12의 (B)에 도시한 바와 같이, 차광층(1457)을 구동 회로부(1306) 등의 광 추출부(1304) 이외의 영역에 설치하면, 도파광 등에 의한 의도하지 않은 광 누설을 억제할 수 있기 때문에 바람직하다.

또한, 착색층(1459)과 차광층(1457)을 덮는 절연층(1461)을 설치하면, 착색층(1459)이나 차광층(1457)에 포함되는 안료 등 불순물이 발광 소자 등에 확산되는 것을 억제할 수 있기 때문에 바람직하다. 절연층(1461)은 투광성 재료를 사용하여, 무기 절연 재료나 유기 절연 재료를 사용할 수 있다. 절연층(1461)에 전술한 투수성이 낮은 절연막을 사용해도 된다.

<제작 방법예>

이어서, 발광 패널의 제작 방법을 도 14 및 도 15를 사용해서 예시한다. 여기에서는, 구체예 1(도 12의 (B))의 구성의 발광 패널을 예로 들어 설명한다.

먼저, 제작 기판(1501) 위에 박리층(1503)을 형성하고, 박리층(1503) 위에 절연층(1405)을 형성한다. 이어서, 절연층(1405) 위에 트랜지스터(1440), 도전층(1357), 절연층(1407), 절연층(1409), 발광 소자(1430) 및 절연층(1411)을 형성한다. 또한, 도전층(1357)이 노출되도록, 절연층(1411), 절연층(1409) 및 절연층(1407)은 개구한다(도 14의 (A) 참조).

또한, 제작 기판(1505) 위에 박리층(1507)을 형성하고, 박리층(1507) 위에 절연층(1455)을 형성한다. 이어서, 절연층(1455) 위에 차광층(1457), 착색층(1459) 및 절연층(1461)을 형성한다(도 14의 (B) 참조).

제작 기판(1501) 및 제작 기판(1505)으로서는, 각각, 유리 기판, 석영 기판, 사파이어 기판, 세라믹 기판, 금속 기판 등의 경질 기판을 사용할 수 있다.

또한, 유리 기판으로서는, 예를 들어 알루미노실리케이트 유리, 알루미노 붕규산 유리, 바륨 붕규산 유리 등 유리 재료를 사용할 수 있다. 후의 가열 처리의 온도가 높은 경우에는, 왜곡점이 730℃ 이상인 것을 사용하면 좋다. 그 외에도, 결정화 유리 등을 사용할 수 있다.

상기 제작 기판에 유리 기판을 사용하는 경우, 제작 기판과 박리층 사이에, 산화실리콘막, 산화질화실리콘막, 질화실리콘막, 질화산화실리콘막 등의 절연막을 형성하면, 유리 기판으로부터의 오염을 방지할 수 있어, 바람직하다.

박리층(1503) 및 박리층(1507)으로서는, 각각, 텅스텐, 몰리브덴, 티타늄, 탄탈륨, 니오븀, 니켈, 코발트, 지르코늄, 아연, 루테늄, 로듐, 팔라듐, 오스뮴, 이리듐, 실리콘으로부터 선택된 원소, 그 원소를 포함하는 합금 재료 또는 그 원소를 포함하는 화합물 재료를 포함하고, 단층 또는 적층된 층이다. 실리콘을 포함하는 층의 결정 구조는, 비정질, 미결정, 다결정 중 어느 것이든 상관없다.

박리층은, 스퍼터링법, 플라즈마 CVD법, 도포법, 인쇄법 등에 의해 형성할 수 있다. 또한, 도포법은, 스핀코팅법, 액적 토출법, 디스펜스법을 포함한다.

박리층이 단층 구조인 경우, 텅스텐층, 몰리브덴층 또는 텅스텐과 몰리브덴의 혼합물을 포함하는 층을 형성하는 것이 바람직하다. 또한, 텅스텐의 산화물 또는 산화질화물을 포함하는 층, 몰리브덴의 산화물 또는 산화질화물을 포함하는 층 또는 텅스텐과 몰리브덴의 혼합물 산화물 또는 산화질화물을 포함하는 층을 형성해도 된다. 또한, 텅스텐과 몰리브덴의 혼합물은, 예를 들어 텅스텐과 몰리브덴의 합금에 상당한다.

또한, 박리층으로서, 텅스텐을 포함하는 층과 텅스텐의 산화물을 포함하는 층의 적층 구조를 형성하는 경우, 텅스텐을 포함하는 층을 형성하고, 그 상층에 산화물로 형성되는 절연막을 형성함으로써, 텅스텐층과 절연막의 계면에, 텅스텐의 산화물을 포함하는 층이 형성되는 것을 활용해도 된다. 또한, 텅스텐을 포함하는 층의 표면을, 열산화 처리, 산소 플라즈마 처리, 아산화질소(N₂O) 플라즈마 처리, 오존수 등 산화력이 강한 용액에서의 처리 등을 행하여 텅스텐의 산화물을 포함하는 층을 형성해도 된다. 또한 플라즈마 처리나 가열 처리는, 산소, 질소, 아산화질소 단독, 또는 이들 가스와 그 외의 가스의 혼합 기체 분위기 하에서 행해도 된다. 상기 플라즈마 처리나 가열 처리에 의해, 박리층의 표면 상태를 바꿈으로써, 박리층과 나중에 형성되는 절연층의 밀착성을 제어하는 것이 가능하다.

또한, 상기 절연층으로서는, 질화실리콘막, 산화질화실리콘막 또는 질화산화실리콘막 등을, 단층 또는 다층으로 형성하는 것이 바람직하다.

각 절연층은, 스퍼터링법, 플라즈마 CVD법, 도포법, 인쇄법 등을 사용해서 형성하는 것이 가능하며, 예를 들어 플라즈마 CVD법에 의해 성막 온도를 250℃ 이상 400℃ 이하로 해서 형성함으로써, 치밀하고 매우 투수성이 낮은 막으로 할 수 있다.

그 후, 제작 기판(1505)의 착색층(1459) 등이 설치된 면 또는 제작 기판(1501)의 발광 소자(1430) 등이 설치된 면에 밀봉층(1413)으로 되는 재료를 도포하고, 밀봉층(1413)을 개재해서 상기 면끼리를 접합한다(도 14의 (C) 참조).

그리고, 제작 기판(1501)을 박리하여, 노출된 절연층(1405)과 기판(1401)을 접착층(1403)을 사용해서 접합한다. 또한, 제작 기판(1505)을 박리하여, 노출된 절연층(1455)과 기판(1303)을 접착층(1305)을 사용해서 접합한다. 도 15의 (A)에서는, 기판(1303)이 도전층(1357)과 중첩하지 않는 구성으로 했지만, 도전층(1357)과 기판(1303)이 중첩하여 있어도 된다.

여기서, 기판(1401)은 실시 형태 2 또는 실시 형태 3에서 설명한 제1 지지체(41)에 상당하며, 기판(1303)은 제2 지지체(42)에 상당한다.

또한, 제작 기판(1501)의 박리, 기판(1401)의 접합, 제작 기판(1505)의 박리 및 기판(1303)의 접합까지의 공정은, 실시 형태 2 또는 실시 형태 3에서 설명한 적층체의 제작 장치를 사용해서 행할 수 있다.

또한, 본 발명의 일 형태의 적층체의 제작 장치를 사용한 박리 공정에는, 여러가지 박리 방법을 제작 기판에 실시할 수 있다. 예를 들어, 박리층으로서, 피박리층과 접하는 측에 금속 산화막을 포함하는 층을 형성한 경우에는, 그 금속 산화막을 결정화에 의해 취약화하여, 피박리층을 제작 기판으로부터 박리할 수 있다. 또한, 내열성이 높은 제작 기판과 피박리층 사이에, 박리층으로서 수소를 포함하는 비정질 규소막을 형성한 경우에는 레이저광의 조사 또는 에칭에 의해 그 비정질 규소막을 제거함으로써, 피박리층을 제작 기판으로부터 박리할 수 있다. 또한, 박리층으로서, 피박리층과 접하는 측에 금속 산화막을 포함하는 층을 형성하고, 그 금속 산화막을 결정화에 의해 취약화하고, 또한 박리층의 일부를 용액이나 NF₃, BrF₃, ClF₃ 등의 불화 가스를 사용한 에칭으로 제거한 후, 취약화된 금속 산화막에 있어서 박리할 수 있다. 나아가, 박리층으로서 질소, 산소나 수소 등을 포함하는 막(예를 들어, 수소를 포함하는 비정질 규소막, 수소 함유 합금막, 산소 함유 합금막 등)을 사용하여, 박리층에 레이저광을 조사해서 박리층 내에 함유하는 질소, 산소나 수소를 가스로서 방출시켜서 피박리층과 기판의 박리를 촉진하는 방법을 사용해도 된다. 또한, 피박리층이 형성된 제작 기판을 기계적으로 삭제 또는 용액이나 NF₃, BrF₃, ClF₃ 등의 불화 가스에 의한 에칭으로 제거하는 방법 등을 사용할 수 있다. 이 경우, 박리층을 형성하지 않아도 된다.

또한, 상기 박리 방법을 복수 조합함으로써 보다 용이하게 박리 공정을 행할 수 있다. 즉, 레이저광의 조사, 가스나 용액 등에 의한 박리층에의 에칭, 날카로운 나이프나 메스 등에 의한 기계적인 삭제를 행하여, 박리층과 피박리층을 박리하기 쉬운 상태로 한 다음, 물리적인 힘(기계 등에 의함)에 의해 박리를 행할 수도 있다. 상기 공정은 본 명세서에 있어서의 박리 기점 형성에 상당한다. 본 발명의 일 형태의 적층체의 제작 장치에서 가공하는 가공 부재 및 적층체는, 상기 박리 기점이 형성되어 있는 것이 바람직하다.

또한, 박리층과 피박리층의 계면에 액체를 침투시켜서 제작 기판으로부터 피박리층을 박리해도 된다. 또한, 박리를 행할 때 물 등의 액체를 끼얹으면서 박리해도 된다.

그 외의 박리 방법으로서, 박리층을 텅스텐으로 형성한 경우에는, 암모니아수와 과산화수소수의 혼합 용액에 의해 박리층을 에칭하면서 박리를 행하면 된다.

또한, 제작 기판과 피박리층의 계면에서 박리가 가능한 경우에는, 박리층을 형성하지 않아도 된다. 예를 들어, 제작 기판으로서 유리를 사용하여, 유리에 접해서 폴리이미드 등의 유기 수지를 형성하고, 유기 수지 위에 절연막이나 트랜지스터 등을 형성한다. 이 경우, 유기 수지를 가열함으로써, 제작 기판과 유기 수지의 계면에서 박리할 수 있다. 또는, 제작 기판과 유기 수지 사이에 금속층을 설치하고, 그 금속층에 전류를 흘림으로써 그 금속층을 가열하여, 금속층과 유기 수지의 계면에서 박리를 행해도 된다.

마지막으로, 절연층(1455) 및 밀봉층(1413)을 개구함으로써, 도전층(1357)을 노출시킨다(도 15의 (B) 참조). 또한, 기판(1303)이 도전층(1357)과 중첩하는 구성인 경우에는, 기판(1303) 및 접착층(1305)도 개구한다(도 15의 (C)). 개구의 기구는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 레이저 어블레이션법, 에칭법, 이온빔 스퍼터링법 등을 사용하면 된다. 또한, 도전층(1357) 위의 막에 예리한 칼날 등을 사용해서 절입을 형성하여, 물리적인 힘으로 막의 일부를 떼어내도 된다.

이상에 의해, 발광 패널을 제작할 수 있다.

또한, 터치 센서나 터치 패널이 설치되어 있어도 된다. 예를 들어, 도 13에 있어서, 터치 패널(9999)이 발광 패널에 설치되어 있는 경우의 예를, 도 17에 나타낸다. 또한, 터치 센서는, 기판(1303)에 직접 형성되어 있어도 되고, 별도의 기판에 형성된 터치 패널(9999)을 배치해도 된다.

또한, 여기에서는, 표시 소자로서, 발광 소자를 사용한 경우의 예를 나타냈지만, 본 발명의 실시 형태의 일 형태는, 이에 한정되지 않는다. 여러가지 표시 소자를 사용하는 것이 가능하다. 예를 들어, 본 명세서 등에 있어서, 표시 소자, 표시 소자를 갖는 장치인 표시 장치, 발광 소자 및 발광 소자를 갖는 장치인 발광 장치는, 다양한 형태를 사용하는 것, 또는 여러가지 소자를 가질 수 있다. 표시 소자, 표시 장치, 발광 소자 또는 발광 장치의 일례로서는, EL(일렉트로루미네선스) 소자(유기물 및 무기물을 포함하는 EL 소자, 유기 EL 소자, 무기 EL 소자), LED(백색 LED, 적색 LED, 녹색 LED, 청색 LED 등), 트랜지스터(전류에 따라서 발광하는 트랜지스터), 전자 방출 소자, 액정 소자, 전자 잉크, 전기 영동 소자, 회절 광 밸브(GLV), 플라즈마 디스플레이(PDP), MEMS(마이크로 일렉트로 메커니컬 시스템), 디지털 마이크로미러 디바이스(DMD), DMS(디지털 마이크로 셔터), MIRASOL( 등록 상표), IMOD(인터피어런스 모듈레이션) 소자, 일렉트로웨팅 소자, 압전 세라믹 디스플레이, 카본 나노 튜브, 등 전기 자기적 작용에 따라, 콘트라스트, 휘도, 반사율, 투과율 등이 변화하는 표시 매체를 갖는 것이 있다. EL 소자를 사용한 표시 장치의 일례로서는, EL 디스플레이 등이 있다. 전자 방출 소자를 사용한 표시 장치의 일례로서는, 필드에미션 디스플레이(FED) 또는 SED 방식 평면형 디스플레이(SED:Surface-conduction Electron-emitter Display) 등이 있다. 액정 소자를 사용한 표시 장치의 일례로서는, 액정 디스플레이(투과형 액정 디스플레이, 반투과형 액정 디스플레이, 반사형 액정 디스플레이, 직시형 액정 디스플레이, 투사형 액정 디스플레이) 등이 있다. 전자 잉크 또는 전기 영동 소자를 사용한 표시 장치의 일례로서는, 전자 페이퍼 등이 있다.

또한, 본 명세서 등에 있어서, 화소에 능동 소자를 갖는 액티브 매트릭스 방식 또는 화소에 능동 소자를 갖지 않는 패시브 매트릭스 방식을 사용할 수 있다.

액티브 매트릭스 방식에서는, 능동 소자(액티브 소자, 비선형 소자)로서, 트랜지스터뿐만 아니라, 다양한 능동 소자(액티브 소자, 비선형 소자)를 사용할 수 있다. 예를 들어, MIM(Metal Insulator Metal), 또는 TFD(Thin Film Diode) 등을 사용하는 것도 가능하다. 이들 소자는, 제조 공정이 적기 때문에, 제조 비용의 저감, 또는 수율의 향상을 도모할 수 있다. 또는, 이들 소자는, 소자의 사이즈가 작기 때문에, 개구율을 향상시킬 수 있으며, 저소비 전력화나 고휘도화를 도모할 수 있다.

액티브 매트릭스 방식 이외의 것으로서, 능동 소자(액티브 소자, 비선형 소자)를 사용하지 않는 패시브 매트릭스형을 사용하는 것도 가능하다. 능동 소자(액티브 소자, 비선형 소자)를 사용하지 않기 때문에, 제조 공정이 적어, 제조 비용의 저감, 또는 수율의 향상을 도모할 수 있다. 또는, 능동 소자(액티브 소자, 비선형 소자)를 사용하지 않기 때문에, 개구율을 향상시킬 수 있어, 저소비 전력화, 또는 고휘도화 등을 도모할 수 있다.

이상으로 나타낸 바와 같이, 본 실시 형태의 발광 패널은, 기판(1303)과, 기판(1401)의 2매의 기판으로 구성된다. 또한 터치 센서를 포함하는 구성에서도, 2매의 기판으로 구성할 수 있다. 기판의 수를 최저한으로 함으로써, 광의 추출 효율이나 표시의 선명함이 용이하게 된다.

또한, 본 발명의 일 형태의 적층체의 제작 장치를 사용해서 제작할 수 있는 가요성을 갖는 발광 장치를 적용한 전자 기기로서는, 예를 들어 텔레비전 장치(텔레비전 또는 텔레비전 수신기라고도 함), 컴퓨터용 등의 모니터, 디지털 카메라, 디지털 비디오 카메라, 디지털 포토 프레임, 휴대 전화기(휴대 전화, 휴대 전화 장치라고도 함), 휴대형 게임기, 휴대 정보 단말기, 음향 재생 장치, 파칭코기 등의 대형 게임기 등을 들 수 있다.

플렉시블한 형상을 구비하는 표시 장치를 적용한 전자 기기로서, 예를 들어 텔레비전 장치(텔레비전, 또는 텔레비전 수신기라고도 함), 컴퓨터용 등의 모니터, 디지털 카메라, 디지털 비디오 카메라, 디지털 포토 프레임, 휴대 전화기(휴대 전화, 휴대 전화 장치라고도 함), 휴대형 게임기, 휴대 정보 단말기, 음향 재생 장치, 파칭코기 등의 대형 게임기 등을 들 수 있다.

또한, 조명 장치나 표시 장치를, 가옥이나 빌딩의 내벽 또는 외벽이나, 자동차의 내장 또는 외장의 곡면을 따라 내장하는 것도 가능하다.

도 18의 (A)는 휴대 전화기의 일례를 나타내고 있다. 휴대 전화기(7400)는 하우징(7401)에 내장된 표시부(7402) 외에, 조작 버튼(7403), 외부 접속 포트(7404), 스피커(7405), 마이크(7406) 등을 구비하고 있다. 또한, 휴대 전화기(7400)는 표시 장치를 표시부(7402)에 사용함으로써 제작된다.

도 18의 (A)에 나타내는 휴대 전화기(7400)는 표시부(7402)를 손가락 등으로 접촉함으로써, 정보를 입력할 수 있다. 또한, 전화를 걸거나, 또는 문자를 입력하는 등의 모든 조작은, 표시부(7402)를 손가락 등으로 접촉함으로써 행할 수 있다.

또한 조작 버튼(7403)의 조작에 의해, 전원의 ON, OFF나, 표시부(7402)에 표시되는 화상의 종류를 전환할 수 있다. 예를 들어, 메일 작성 화면으로부터, 메인 메뉴 화면으로 전환할 수 있다.

여기서, 표시부(7402)에는, 본 발명의 일 형태 표시 장치가 내장되어 있다. 따라서, 만곡된 표시부를 구비하고, 또한 신뢰성이 높은 휴대 전화기로 할 수 있다.

도 18의 (B)는 리스트밴드형 표시 장치의 일례를 나타내고 있다. 휴대 표시 장치(7100)는 하우징(7101), 표시부(7102), 조작 버튼(7103) 및 송수신 장치(7104)를 구비한다.

휴대 표시 장치(7100)는 송수신 장치(7104)에 의해 영상 신호를 수신 가능하며, 수신한 영상을 표시부(7102)에 표시할 수 있다. 또한, 음성 신호를 다른 수신기기로 송신할 수도 있다.

또한, 조작 버튼(7103)에 의해, 전원의 ON, OFF 동작이나 표시하는 영상의 전환 또는 음성의 볼륨 조정 등을 행할 수 있다.

여기서, 표시부(7102)에는, 본 발명의 일 형태 표시 장치가 내장되어 있다. 따라서, 만곡된 표시부를 구비하고, 또한 신뢰성이 높은 휴대 표시 장치로 할 수 있다.

도 18의 (C) 내지 도 18의 (D)는 조명 장치의 일례를 나타내고 있다. 조명 장치(7210), 조명 장치(7220)는 각각, 조작 스위치(7203)를 구비하는 다이부(7201)와, 다이부(7201)에 지지되는 발광부를 갖는다.

도 18의 (C)에 나타내는 조명 장치(7210)가 구비하는 발광부(7212)는 볼록 형상으로 만곡된 2개의 발광부가 대칭적으로 배치된 구성으로 되어 있다. 따라서 조명 장치(7210)를 중심으로 전방위를 비출 수 있다.

도 18의 (D)에 나타내는 조명 장치(7220)는 오목 형상으로 만곡된 발광부(7222)를 구비한다. 따라서, 발광부(7222)로부터의 발광을, 조명 장치(7220)의 전방면에 집광하기 때문에, 특정한 범위를 밝게 비추는 경우에 적합하다.

또한, 조명 장치(7210) 및 조명 장치(7220)가 구비하는 각각의 발광부는 가요성을 갖고 있기 때문에, 그 발광부를 가소성의 부재나 가동이나 프레임 등의 부재로 고정하여, 용도에 맞춰서 발광부의 발광면을 자유롭게 만곡 가능한 구성으로 해도 된다.

여기서, 조명 장치(7210) 및 조명 장치(7220)가 구비하는 각각의 발광부에는, 본 발명의 일 형태 표시 장치가 내장되어 있다. 따라서, 만곡된 표시부를 구비하고, 또한 신뢰성이 높은 조명 장치로 할 수 있다.

도 19의 (A)에, 휴대형 표시 장치 일례를 나타낸다. 표시 장치(7300)는 하우징(7301), 표시부(7302), 조작 버튼(7303), 인출 부재(7304), 제어부(7305)를 구비한다.

표시 장치(7300)는 통 형상의 하우징(7301) 내에 롤 형상으로 감겨진 플렉시블한 표시부(7302)를 구비한다. 표시부(7302)는 차광층 등이 형성된 제1 기판과, 트랜지스터 등이 형성된 제2 기판을 갖는다. 표시부(7302)는 하우징(7301) 내에서 항상 제2 기판이 외측이 되도록 감겨져 있다.

또한, 표시 장치(7300)는 제어부(7305)에 의해 영상 신호를 수신 가능하며, 수신한 영상을 표시부(7302)에 표시할 수 있다. 또한, 제어부(7305)에는 배터리를 구비한다. 또한, 제어부(7305)에 커넥터를 구비하고, 영상 신호나 전력을 직접 공급하는 구성으로 해도 된다.

또한, 조작 버튼(7303)에 의해, 전원의 ON, OFF 동작이나 표시하는 영상의 전환 등을 행할 수 있다.

도 19의 (B)에, 표시부(7302)를 인출 부재(7304)에 의해 인출한 상태를 나타낸다. 이 상태에서 표시부(7302)에 영상을 표시할 수 있다. 또한, 하우징(7301)의 표면에 배치된 조작 버튼(7303)에 의해, 한손으로 용이하게 조작할 수 있다.

또한, 표시부(7302)를 인출했을 때 표시부(7302)가 만곡하지 않도록, 표시부(7302)의 단부에 보강을 위한 프레임을 설치하고 있어도 된다.

또한 이 구성 이외에, 하우징에 스피커를 설치하고, 영상 신호와 함께 수신한 음성 신호에 의해 음성을 출력하는 구성으로 해도 된다.

표시부(7302)에는, 본 발명의 일 형태 표시 장치가 내장되어 있다. 따라서, 표시부(7302)는 유연하고 또한 신뢰성이 높은 표시 장치이기 때문에, 표시 장치(7300)는 경량이고 또한 신뢰성이 높은 표시 장치로 할 수 있다.

또한, 본 발명의 일 형태 표시 장치를 구비하고 있으면, 상기에서 나타낸 전자 기기나 조명 장치에 특별히 한정되지 않는 것은 물론이다.

본 실시 형태는, 다른 실시 형태에 기재한 구성과 적절히 조합하여 실시하는 것이 가능하다.

(실시 형태 6)

본 실시 형태에서는, 본 발명의 일 형태의 박리 기점의 형성 장치의 구성에 대해서, 도 21 및 도 22을 참조하면서 설명한다.

도 21은 본 발명의 일 형태의 박리 기점의 형성 장치(700)의 구성을 설명하는 도면이다. 도 21의 (A)는 본 발명의 일 형태의 박리 기점의 형성 장치의 투영도이며, 도 21의 (B)는 정면도, 도 21의 (C)는 도 21의 (B)의 우측의 측면도, 및 도 21의 (D)는 도 21의 (B)의 좌측의 측면도이다.

도 22는 본 발명의 일 형태의 박리 기점의 형성 장치(700)를 사용하여, 박리의 기점을 형성할 수 있는 제1 적층체(91)의 구성을 설명하는 단면도이다.

<박리 기점의 형성 장치의 구성예>

본 실시 형태에서 설명하는 박리 기점의 형성 장치(700)는, 제1 적층체(91)를 지지할 수 있는 스테이지(710)와, 스테이지(710)에 대향하는 절삭구(720a)와, 절삭구(720a)를 유지하는 제1 헤드부(730a)와, 제1 헤드부(730a)를 유지하는 제1 아암부(740a)와, 스테이지(710)에 대향하는 가압구(720b)와, 가압구(720b)를 유지하는 제2 헤드부(730b)와, 제2 헤드부(730b)를 유지하는 제2 아암부(740b)와, 스테이지(710)에 대한 절삭구(720a) 및 가압구(720b)의 위치를 상대적으로 결정할 수 있는 이동 기구(780)를 갖는다(도 21의 (A) 참조).

이동 기구(780)는 일부를 남기고 제1 적층체(91)를 절삭하고, 또한 남겨진 일부로부터 절삭된 부분을 떼어내도록, 절삭구(720a)의 위치를 스테이지(710)에 대하여 결정할 수 있다.

또한, 이동 기구(780)는 제1 적층체(91)의 절삭된 부분의 근방을 스테이지(710)에 가압하도록, 가압구(720b)의 위치를 스테이지(710)에 대하여 결정할 수 있다.

또한 제2 기판(21), 제2 박리층(22), 제2 피박리층(23), 제1 지지체(41) 및 보호막(41p)이 이 순서대로 제2 기판(21)으로부터 배치되어 있는 제1 적층체(91)를 스테이지(710)가 지지해도 된다(도 22의 (A) 참조).

본 발명의 일 형태의 박리 기점의 형성 장치(700)는 일부를 남기고 제1 적층체(91)를 절삭하고, 또한 남겨진 일부로부터 절삭된 부분을 떼어내도록 이동할 수 있는 절삭구(720a)와, 제1 적층체(91)의 남겨진 일부를 스테이지(710)에 가압하도록 이동할 수 있는 가압구(720b)를 포함하여 구성된다.

이에 의해, 일부를 남기고 제1 적층체(91)를 절삭함으로써 형성된 박리의 기점(91s)로부터 절삭된 부분을 떼어내고 박리를 진행하는 스텝에 있어서, 제1 지지체(41)로부터 의도치 않게 분리되어 버리는 보호막(41p)을 제1 지지체(41)에 밀착시킬 수 있다. 그 결과, 박리 기점의 신규의 제작 장치를 제공할 수 있다.

또한, 절삭구(720a) 및 가압구(720b)를 스테이지(710)에 대하여 상대적으로 이동할 수 있도록, 스테이지(710)가 회전 스테이지(710S), Y축 스테이지(710Y) 및 X축 스테이지(710X)를 구비하고 있어도 된다(도 21의 (A) 참조).

회전 스테이지(710S)는, 제1 적층체(91)를 지지하는 평면과 동일한 평면 내에서 제1 적층체(91)를 회전시킬 수 있다.

Y축 스테이지(710Y)는 제1 적층체(91)를 지지하는 평면의 Y축 방향으로, X축 스테이지(710X)는 제1 적층체(91)를 지지하는 평면의 X축 방향으로, 각각 제1 적층체(91)를 이동시킬 수 있다.

이하에, 박리 기점의 형성 장치(700)를 구성하는 개개의 요소에 대하여 설명한다. 또한, 이 구성은 명확하게 분리할 수 없으며, 하나의 구성이 다른 구성을 겸하는 경우나 다른 구성의 일부를 포함하는 경우가 있다.

예를 들어, 회전 스테이지(710S), Y축 스테이지(710Y) 및 X축 스테이지(710X)는, 제1 적층체(91)를 지지하는 스테이지의 일부임과 아울러, 스테이지(710)에 대하여 절삭구(720a) 및 가압구(720b)를 상대적으로 이동시킬 수 있는 이동 기구(780)의 일부이기도 하다.

《구성》

박리 기점의 형성 장치(700)는 스테이지(710)와, 스테이지(710)에 대향하는 절삭구(720a)와, 절삭구(720a)를 유지하는 제1 헤드부(730a)와, 제1 헤드부(730a)를 유지하는 제1 아암부(740a)와, 스테이지(710)에 대향하는 가압구(720b)와, 가압구(720b)를 유지하는 제2 헤드부(730b)와, 제2 헤드부(730b)를 유지하는 제2 아암부(740b)와, 스테이지(710)에 대한 절삭구(720a) 및 가압구(720b)의 위치를 상대적으로 결정할 수 있는 이동 기구(780)를 갖는다(도 21의 (A) 참조).

《스테이지(710)》

스테이지(710)는 박리의 기점이 형성되는 제1 적층체(91)를 지지할 수 있다.

스테이지(710)는 제1 적층체(91)를 지지하는 지지 기구를 구비한다.

예를 들어, 진공 척이나 정전 척 등을 지지 기구에 적용할 수 있다.

또한, 절삭구(720a) 및 가압구(720b)를 스테이지(710)에 대하여 상대적으로 이동할 수 있도록, 스테이지(710)가 절삭구(720a) 및 가압구(720b)에 대하여 이동할 수 있는 구성으로 해도 된다.

《절삭구(720a)》

절삭구(720a)는, 일부를 남기고 제1 적층체(91)를 절삭할 수 있다.

예를 들어, 선단이 예리한 칼날 또는 레이저 빔을 절삭구(720a)에 적용할 수 있다.

구체적으로는, 회전 가능한 강제의 둥근 날 또는 고정된 선단을 구비하는 칼날을 절삭구(720a)에 적용할 수 있다.

《제1 헤드부(730a) 및 제1 아암부(740a)》

제1 헤드부(730a)는 절삭구(720a)를 유지하는 기능을 갖는다.

또한, 제1 헤드부(730a)는 절삭구(720a)를 압입하는 깊이 또는 압입하는 힘을 제어하는 기구를 구비하고 있어도 된다.

또한, 절삭구(720a)를 압입하는 각도를 조정하는 기구를 구비하고 있어도 된다. 구체적으로는, 스테이지(710)의 제1 적층체(91)를 유지하는 면과 직교하는 선으로부터 각도 ω만큼 경사진 각도로 절삭구(720a)를 제1 적층체(91)에 압입할 수 있는 기구를 구비하고 있어도 된다(도 21의 (D) 참조). 또한, ω는 0° 이상 80° 이하, 바람직하게는 30° 이상 50° 이하로 한다.

제1 아암부(740a)는 제1 헤드부(730a)를 소정의 위치에 유지하는 기능을 갖는다.

또한, 절삭구(720a)를 스테이지(710)에 대하여 상대적으로 이동할 수 있도록, 제1 아암부(740a)가 제1 헤드부(730a)를 스테이지(710)에 대하여 이동할 수 있는 구성으로 해도 된다.

또한, 제1 아암부(740a)는 제2 헤드부(730b)를 소정의 위치에 유지하는 기능을 가져도 된다. 이 경우, 제1 아암부(740a)는 제2 아암부(740b)를 겸한다.

《가압구(720b)》

가압구(720b)는, 스테이지(710)에 대향하도록 배치되고, 제1 적층체(91)를 제1 적층체(91)에 접하는 선단을 사용하여 스테이지(710)에 가압할 수 있다.

유기 재료, 무기 재료 또는 유기 재료 및 무기 재료 등의 복합 재료 등을 가압구(720b)의 선단에 사용할 수 있다.

예를 들어, 유리, 세라믹스, 금속 등의 무기 재료를 가압구(720b)의 선단에 사용할 수 있다. 구체적으로는, SUS 등의 금속판을 사용할 수 있다.

예를 들어, 수지 또는 플라스틱 등의 유기 재료를 가압구(720b)의 선단에 사용할 수 있다.

구체적으로는, 폴리에스테르, 폴리올레핀, 폴리아미드, 폴리이미드, 폴리카르보네이트 또는 아크릴 수지 등의 수지를 가압구(720b)의 선단에 사용할 수 있다.

또한, 제1 적층체(91)의 표면에 흠집을 내지 않을 정도로 부드러운 소재를 가압구(720b)에 사용할 수 있다. 구체적으로는, 제1 지지체(41)에 흠집을 내지 않을 정도로 부드러운 수지, 고무 또는 실리콘 고무 등을 사용할 수 있다.

또한, 압축된 공기 등을 제1 적층체(91)에 분사하여, 제1 적층체(91)를 스테이지(710)에 가압할 수 있다.

《제2 헤드부(730b) 및 제2 아암부(740b)》

제2 헤드부(730b)는 가압구(720b)를 유지하는 기능을 갖는다.

또한, 제2 헤드부(730b)는 가압구(720b)를 억압하는 깊이 또는 억압하는 힘을 제어하는 기구를 구비하고 있어도 된다.

또한, 가압구(720b)를 억압하는 각도를 조정하는 기구를 구비하고 있어도 된다.

제2 아암부(740b)는 제2 헤드부(730b)를 소정의 위치에 유지하는 기능을 갖는다.

또한, 가압구(720b)를 스테이지(710)에 대하여 상대적으로 이동할 수 있도록, 제2 아암부(740b)가 제2 헤드부(730b)를 스테이지(710)에 대하여 이동할 수 있는 구성으로 해도 된다.

또한, 제2 아암부(740b)는 제1 헤드부(730a)를 소정의 위치에 유지하는 기능을 가져도 된다. 이 경우, 제2 아암부(740b)는 제1 아암부(740a)를 겸한다.

《이동 기구(780)》

이동 기구(780)는 스테이지(710)에 대한 절삭구(720a) 및 가압구(720b)의 위치를 상대적으로 결정할 수 있다.

예를 들어, 서보 모터 또는 스테핑 모터 등의 전동기, 또는 에어 실린더 등을 기구에 사용할 수 있다.

예를 들어, 제1 적층체(91)를 유지하는 스테이지를, 고정된 절삭구(720a) 및 가압구(720b)에 대하여 이동시키는 구성을 사용할 수 있다.

또한, 예를 들어 고정된 제1 적층체(91)를 유지하는 스테이지에 대하여 절삭구(720a) 및 가압구(720b)를 이동시키는 구성을 사용할 수 있다.

또한 본 실시 형태는, 본 명세서에서 나타내는 다른 실시 형태와 적절히 조합할 수 있다.

(실시 형태 7)

본 실시 형태에서는, 본 발명의 일 형태의 박리 기점의 형성 방법에 대해서 도 22을 참조하면서 설명한다.

도 22는 본 발명의 일 형태의 박리 기점의 형성 장치(700)를 사용하여, 박리의 기점을 형성할 수 있는 제1 적층체(91)의 구성 및 박리의 기점(91s)의 형성 방법을 설명하는 단면도이다.

<박리 기점의 형성 방법 예 1>

본 실시 형태에서 설명하는 박리 기점의 형성 방법은, 이하의 스텝을 구비한다.

《제1 적층체(91)》

박리의 기점(91s)를 형성할 수 있는 제1 적층체(91)는, 예를 들어 제2 기판(21), 제2 박리층(22), 제2 피박리층(23), 제1 지지체(41) 및 보호막(41p)이 이 순서대로 제2 기판(21)으로부터 배치된다. 또한, 접합층(30) 및 제1 피박리층(13)이 제2 피박리층(23)으로부터 순서대로, 제2 피박리층(23)과 제1 지지체(41) 사이에 배치된다.

예를 들어, 제1 적층체(91)는 보호막(41p)과 제1 지지체(41) 사이에 감압형 점착층을 구비하고 있어도 된다. 이에 의해, 제2 스텝에 있어서 의도치 않게 분리된 보호막(41p)을 다시 제1 지지체(41)와 접합하는 것이 용이해진다. 예를 들어 수지를 감압형 점착층으로서 사용할 수 있으며, 구체적으로는 아크릴 수지나 유연한 실리콘 수지 등을 적용할 수 있다.

예를 들어, 제2 박리층(22)으로부터 한번 분리되면 다시 접착하는 것이 곤란한 재료를 제2 피박리층(23)에 사용할 수 있다. 구체적으로는, 텅스텐을 포함하는 층과 텅스텐의 산화물을 포함하는 층이 적층된 재료를 제2 박리층(22)에 사용하고, 제2 피박리층(23)에 금속 산화물을 포함하는 막을 사용할 수 있다.

《제1 스텝》

제1 스텝에 있어서, 제1 적층체(91)를 제2 기판(21)을 남기고 절삭하고, 제2 피박리층(23)에 단부를 형성한다(도 22의 (A) 참조).

예를 들어 절삭구(720a)가, 예리한 선단을, 제어된 거리에서 제1 적층체(91)에 압입하면서 소인함으로써, 제2 기판(21)을 남기고 제1 적층체(91)를 절삭할 수 있다.

구체적으로는, 절삭구(720a)를 Z축 방향으로 압입하는 거리를, 박리 기점의 형성 장치(700)가 구비하는 제1 헤드부(730a)를 사용하여 제어할 수 있다(도 21의 (A) 및 도 22의 (A) 참조). 또한, 절삭구(720a)를 스테이지(710)에 대하여 X축 방향으로 상대적으로 소인한다. 이에 의해, 제2 피박리층(23)을 절삭하여, 제2 피박리층(23)에 새로운 단부를 형성할 수 있다.

또는, 절삭구(720a)를 사용하여 절삭하는 것이 곤란한 재료를 제2 기판(21)에 적용하여, 제2 기판(21)을 남기고 제1 적층체(91)를 절삭해도 된다.

또한, 제2 피박리층(23)이 절삭될 때 제2 피박리층(23)의 일부가 제2 기판(21)으로부터 부상하여, 박리의 기점(91s)이 형성된다.

《제2 스텝》

제2 스텝에 있어서, 단부를 제2 기판(21)으로부터 떼어낸다(도 22의 (B) 참조).

예를 들어 절삭구(720a)가, 예리한 선단을, 제어된 각도로 기울이면서 소인함으로써, 단부를 제2 기판(21)으로부터 떼어낼 수 있다.

구체적으로는, 박리 기점의 형성 장치(700)가 구비하는 제1 헤드부(730a)를 사용하여 절삭구(720a)의 스테이지(710)에 대한 기울기를 제어하여, 제1 적층체를 지지하는 스테이지와 직교하는 선으로부터 ω만큼 경사진 상태에서 X축 방향으로 소인한다(도 21의 (A) 및 도 22의 (B) 참조). 또한, ω는 0° 이상 80° 이하, 바람직하게는 30° 이상 50° 이하로 한다.

이에 의해, 절삭구(720a)의 선단을 제2 피박리층(23)과 제2 기판(21)의 사이에 압입할 수 있다. 그 결과, 제2 기판(21)으로부터 제2 피박리층(23)을 떼어내는 방향으로 응력을 가할 수 있다. 또한, 절삭구(720a)를 경사진 상태에서 방향 DIR1로 압입해도 된다.

또한, 제2 기판(21)으로부터 제2 피박리층(23)을 떼어낼 때, 제2 피박리층(23)의 제2 기판(21)이 배치되는 측과는 반대측에 배치되는 구성에도 응력이 가해진다. 이에 의해, 예를 들어 보호막(41p)이 제1 지지체(41)로부터 벗겨져 버리는 경우가 있다(도 22의 (B) 참조).

《제3 스텝》

제3 스텝에 있어서, 단부의 근방을 제2 기판(21)에 가압한다(도 22의 (C) 참조).

예를 들어, 가압구(720b)의 선단을 단부의 근방에 배치하고 가압하여, 단부의 근방을 제2 기판(21)에 가압할 수 있다.

구체적으로는, 스프링 등의 탄성체를 사용하여 가압구(720b)를 스테이지(710)을 향하여 가압하는 방법, 전동기 등을 사용하여 가압구(720b)를 스테이지(710)을 향하여 가압하는 방법, 가압할 때 발생하는 응력을 검지하고, 그 응력을 제어하면서 가압하는 방법 또는 스테이지(710)에 대한 가압구(720b)의 높이를 제어하는 방법 등에 의해, 단부의 근방을 제2 기판(21)에 가압한다.

상기 본 발명의 일 형태의 박리 기점의 형성 방법은, 제2 기판(21)을 남기고 제1 적층체(91)를 절삭하여 제2 피박리층(23)에 단부를 형성하는 제1 스텝과, 단부를 기판으로부터 떼어내는 제2 스텝과, 단부의 근방을 제2 기판(21)에 가압하는 제3 스텝을 포함하여 구성된다.

제2 피박리층(23)을 절삭함으로써 형성된 단부를 제2 기판(21)으로부터 떼어내는 스텝에 있어서, 제1 지지체(41)로부터 의도치 않게 분리되어 버리는 보호막(41p)을 제1 지지체(41)에 밀착시킬 수 있다. 그 결과, 박리 기점의 신규의 제작 방법을 제공할 수 있다.

또한, 이 스텝은 명확하게 분리할 수 없으며, 하나의 스텝이 다른 스텝을 겸하는 경우나 다른 스텝의 일부를 포함하는 경우가 있다. 예를 들어, 경사진 상태의 절삭구(720a)를 사용하여 제2 피박리층(23)에 단부를 형성하는 스텝은, 제1 스텝인 것과 아울러 제2 스텝이다.

<박리 기점의 형성 방법 예 2>

본 발명의 일 형태의 박리 기점의 형성 방법에 대해서, 도 22의 (C)를 참조하면서 설명한다.

본 실시 형태에서 설명하는 박리 기점의 형성 방법은, 상술한 제3 스텝에 있어서, 제2 기판(21)으로부터 단부가 떼어내져 박리가 진행되는 방향과는 반대 방향으로 가압하는 위치를 이동시키면서, 단부의 근방을 제2 기판(21)에 가압하는, 상술한 박리 기점의 형성 방법이다.

구체적으로는, 박리가 진행되는 방향과는 반대 방향 DIR2를 향하여 가압구(720b)를 이동시킴으로써, 단부의 근방을 기판에 가압하는 위치를 이동시킨다.

이에 의해, 예를 들어 제1 스텝 또는 제2 스텝에 있어서, 제1 적층체(91)의 제1 지지체(41)과 보호막(41p) 사이에 들어간 기체나 액체를 압출하여, 보호막(41p)을 제1 지지체(41)에 밀착시킬 수 있어, 의도치 않게 제1 지지체(41)로부터 보호막(41p)이 분리되어 버리는 문제를 방지할 수 있다. 그 결과, 박리 기점의 신규의 형성 방법을 제공할 수 있다.

<박리 기점의 형성 방법 예 3>

본 발명의 일 형태의 박리 기점의 형성 방법에 대해서, 도 22의 (A) 내지 도 22의 (C)를 참조하면서 설명한다.

본 실시 형태에서 설명하는 박리 기점의 형성 방법은, 상기 제1 스텝 또는/및 제2 스텝에 있어서, 단부에 액체 SOL을 공급하는 상술한 박리 기점의 형성 방법이다.

이에 의해, 박리에 필요로 하는 힘 또는/및 박리에 수반하여 발생하는 정전기를 저감시킬 수 있다. 그 결과, 박리 기점의 신규의 형성 방법을 제공할 수 있다.

(실시 형태 8)

본 실시 형태에서는, 본 발명의 일 형태의 박리 기점의 형성 장치를 사용하여 제작할 수 있는 정보 처리 장치의 표시부 및 위치 정보 입력부에 적용할 수 있는 절곡 가능한 터치 패널의 구성에 대해서, 도 23을 참조하면서 설명한다.

도 23은 본 발명의 일 형태 정보 처리 장치에 적용 가능한 터치 패널의 구조를 설명하는 도면이다.

도 23의 (A)는 상면도이며, 도 23의 (B)는 도 23의 (A)의 절단선 A-B 및 절단선 C-D에 있어서의 단면도이다.

도 23의 (C)는 도 23의 (A)의 절단선 E-F에 있어서의 단면도이다.

<상면도의 설명>

본 실시 형태에서 예시하는 터치 패널(300TP)은 표시부(301)를 갖는다(도 23의 (A) 참조).

표시부(301)는 복수의 화소(302)와 복수의 촬상 화소(308)를 구비한다. 촬상 화소(308)는 표시부(301)에 접촉하는 손가락 등을 검지할 수 있다. 이에 의해, 촬상 화소(308)를 사용하여 터치 센서를 구성할 수 있다.

화소(302)는 복수의 부화소(예를 들어 부화소(302R))을 구비하고, 부화소는 발광 소자 및 발광 소자를 구동하는 전력을 공급할 수 있는 화소 회로를 구비한다.

화소 회로는, 선택 신호를 공급할 수 있는 배선 및 화상 신호를 공급할 수 있는 배선과 전기적으로 접속된다.

또한 터치 패널(300TP)은, 선택 신호를 화소(302)에 공급할 수 있는 주사선 구동 회로(303g(1))와, 화상 신호를 화소(302)에 공급할 수 있는 화상 신호선 구동 회로(303s(1))를 구비한다.

촬상 화소(308)는 광전 변환 소자 및 광전 변환 소자를 구동하는 촬상 화소 회로를 구비한다.

촬상 화소 회로는, 제어 신호를 공급할 수 있는 배선 및 전원 전위를 공급할 수 있는 배선과 전기적으로 접속된다.

제어 신호로서는, 예를 들어 기록된 촬상 신호를 판독하는 촬상 화소 회로를 선택할 수 있는 신호, 촬상 화소 회로를 초기화할 수 있는 신호 및 촬상 화소 회로가 광을 검지하는 시간을 결정할 수 있는 신호 등을 들 수 있다.

터치 패널(300TP)은, 제어 신호를 촬상 화소(308)에 공급할 수 있는 촬상 화소 구동 회로(303g(2))와, 촬상 신호를 판독하는 촬상 신호선 구동 회로(303s(2))를 구비한다.

<단면도의 설명>

터치 패널(300TP)은, 기판(310) 및 기판(310)에 대향하는 대향 기판(370)을 갖는다(도 23의 (B) 참조).

기판(310) 및 대향 기판(370)에 가요성을 갖는 재료를 적용함으로써, 가요성을 터치 패널(300TP)에 부여할 수 있다.

또한, 가요성을 갖는 터치 패널(300TP)를 변형시키면, 터치 패널(300TP)에 설치된 기능 소자는 응력을 받는다. 기능 소자를 기판(310)과 대향 기판(370)의 대략 중앙에 배치하면 기능 소자의 변형을 억제할 수 있어 바람직하다.

또한, 선팽창률이 대략 같은 재료를 기판(310) 및 대향 기판(370)에 사용하면 바람직하다. 예를 들어, 재료의 선팽창률이 1×10^-3/K 이하, 바람직하게는 5×10^-5/K 이하, 보다 바람직하게는 1×10^-5/K 이하이면 된다.

예를 들어, 폴리에스테르, 폴리올레핀, 폴리아미드(나일론, 아라미드 등), 폴리이미드, 폴리카르보네이트 또는 아크릴, 우레탄, 에폭시 또는 실록산 결합을 갖는 수지를 포함하는 재료를 기판(310) 및 대향 기판(370)에 사용할 수 있다.

기판(310)은 가요성을 갖는 기판(310b), 의도치 않은 불순물의 발광 소자에의 확산을 방지하는 배리어막(310a) 및 기판(310b)와 배리어막(310a)를 접합하는 수지층(310c)이 적층된 적층체이다.

대향 기판(370)은 가요성을 갖는 기재(370b), 의도치 않은 불순물의 발광 소자에의 확산을 방지하는 배리어막(370a) 및 기재(370b)와 배리어막(370a)을 접합하는 수지층(370c)의 적층체이다(도 23의 (B) 참조).

밀봉재(360)는 대향 기판(370)과 기판(310)을 접합하고 있다. 또한, 밀봉재(360)는 공기보다 큰 굴절률을 구비하고, 광학 접합층을 겸한다. 화소 회로 및 발광 소자(예를 들어 제1 발광 소자(350R))는 기판(310)과 대향 기판(370) 사이에 있다.

《화소의 구성》

화소(302)는 부화소(302R), 부화소(302G) 및 부화소(302B)를 갖는다(도 23의 (C) 참조). 또한, 부화소(302R)는 발광 모듈(380R)을 구비하고, 부화소(302G)는 발광 모듈(380G)를 구비하며, 부화소(302B)는 발광 모듈(380B)를 구비한다.

예를 들어 부화소(302R)는, 제1 발광 소자(350R) 및 제1 발광 소자(350R)에 전력을 공급할 수 있는 트랜지스터(302t)를 포함하는 화소 회로를 구비한다(도 23의 (B) 참조). 또한, 발광 모듈(380R)은 제1 발광 소자(350R) 및 광학 소자(예를 들어 제1 착색층(367R))을 구비한다.

제1 발광 소자(350R)는, 제1 하부 전극(351R), 상부 전극(352), 제1 하부 전극(351R)과 상부 전극(352) 사이에 발광성의 유기 화합물을 포함하는 층(353)을 갖는다(도 23의 (C) 참조).

발광성의 유기 화합물을 포함하는 층(353)은 발광 유닛(353a), 발광 유닛(353b) 및 발광 유닛(353a)과 발광 유닛(353b) 사이에 중간층(354)을 구비한다.

발광 모듈(380R)은, 제1 착색층(367R)을 대향 기판(370)에 갖는다. 착색층은 특정한 파장을 갖는 광을 투과시키는 것이면 되며, 예를 들어 적색, 녹색 또는 청색 등을 나타내는 광을 선택적으로 투과시키는 것을 사용할 수 있다. 또는, 발광 소자가 방출하는 광을 그대로 투과시키는 영역을 형성해도 된다.

예를 들어 발광 모듈(380R)은, 제1 발광 소자(350R)와 제1 착색층(367R)에 접하는 밀봉재(360)를 갖는다.

제1 착색층(367R)은 제1 발광 소자(350R)와 중첩하는 위치에 있다. 이에 의해, 제1 발광 소자(350R)가 방출하는 광의 일부는, 광학 접합층을 겸하는 밀봉재(360) 및 제1 착색층(367R)을 투과하여, 도면 중의 화살표로 나타낸 바와 같이 발광 모듈(380R)의 외부로 사출된다.

《표시 패널의 구성》

터치 패널(300TP)은 차광층(367BM)을 대향 기판(370)에 갖는다. 차광층(367BM)은 착색층(예를 들어 제1 착색층(367R))을 둘러싸도록 형성되어 있다.

터치 패널(300TP)은, 반사 방지층(367p)을 표시부(301)에 중첩되는 위치에 구비한다. 반사 방지층(367p)으로서, 예를 들어 원 편광판을 사용할 수 있다.

터치 패널(300TP)은 절연막(321)을 구비한다. 절연막(321)은 트랜지스터(302t)를 덮고 있다. 또한, 절연막(321)은 화소 회로에 기인하는 요철을 평탄화하기 위한 층으로서 사용할 수 있다. 또한, 불순물의 트랜지스터(302t) 등에의 확산을 억제할 수 있는 층이 적층된 절연막을, 절연막(321)에 적용할 수 있다.

터치 패널(300TP)은 발광 소자(예를 들어 제1 발광 소자(350R))를 절연막(321) 위에 갖는다.

터치 패널(300TP)은, 제1 하부 전극(351R)의 단부에 중첩되는 격벽(328)을 절연막(321) 위에 갖는다(도 23의 (C) 참조). 또한, 기판(310)과 대향 기판(370)의 간격을 제어하는 스페이서(329)를 격벽(328) 위에 갖는다.

《화상 신호선 구동 회로의 구성》

화상 신호선 구동 회로(303s(1))는 트랜지스터(303t) 및 용량 소자(303c)를 포함한다. 또한, 구동 회로는 화소 회로와 동일한 공정에서 동일한 기판 위에 형성할 수 있다.

《촬상 화소의 구성》

촬상 화소(308)는 광전 변환 소자(308p) 및 광전 변환 소자(308p)에 조사된 광을 검지하기 위한 촬상 화소 회로를 구비한다. 또한, 촬상 화소 회로는 트랜지스터(308t)를 포함한다.

예를 들어 pin형 포토 다이오드를 광전 변환 소자(308p)에 사용할 수 있다.

《다른 구성》

터치 패널(300TP)은 신호를 공급할 수 있는 배선(311)을 구비하며, 단자(319)가 배선(311)에 설치되어 있다. 또한, 화상 신호 및 동기 신호 등의 신호를 공급할 수 있는 FPC(309(1))가 단자(319)에 전기적으로 접속되어 있다.

또한, FPC(309(1))에는 프린트 배선 기판(PWB)이 설치되어 있어도 된다.

동일한 공정에서 형성된 트랜지스터를 트랜지스터(302t), 트랜지스터(303t), 트랜지스터(308t) 등의 트랜지스터에 적용할 수 있다.

보텀 게이트형, 톱 게이트형 등의 구조를 갖는 트랜지스터를 적용할 수 있다.

다양한 반도체를 트랜지스터에 적용할 수 있다. 예를 들어 산화물 반도체, 단결정 실리콘, 폴리실리콘 또는 아몰퍼스 실리콘 등을 적용할 수 있다.

(실시 형태 9)

본 실시 형태에서는, 본 발명의 일 형태의 박리 기점의 형성 장치를 사용하여 제작할 수 있는 절곡 가능한 터치 패널의 구성에 대해서, 도 24 및 도 25를 참조하면서 설명한다.

도 24는 본 발명의 일 형태 터치 패널의 대표적인 구성 요소를 설명하는 사시도이다. 도 24의 (A)는 터치 패널(500TP)의 사시도이며, 도 24의 (B)는 터치 패널(500TP)의 분리된 상태의 각 구성의 사시도이다.

도 25는 도 24의 (A)에 도시하는 터치 패널(500TP)의 X1-X2에 있어서의 단면도이다.

터치 패널(500TP)은 표시부(501)과 터치 센서(595)를 구비한다(도 24의 (B) 참조). 또한, 터치 패널(500TP)은 기판(510), 기판(570) 및 기판(590)을 갖는다. 또한 기판(510), 기판(570) 및 기판(590)은 모두 가요성을 갖는다.

표시부(501)는 기판(510), 기판(510) 위에 복수의 화소 및 상기 화소에 신호를 공급할 수 있는 복수의 배선(511)을 구비한다. 복수의 배선(511)은 기판(510)의 외주부에까지 배선되며, 그 일부가 단자(519)를 구성하고 있다. 단자(519)는 FPC(509(1))와 전기적으로 접속한다.

<터치 센서>

기판(590)에는, 터치 센서(595)와, 터치 센서(595)와 전기적으로 접속하는 복수의 배선(598)을 구비한다. 복수의 배선(598)은 기판(590)의 외주부로 배선되며, 그 일부는 단자를 구성한다. 그리고, 상기 단자는 FPC(509(2))와 전기적으로 접속된다. 또한, 도 24의 (B)에서는 명료화를 위하여, 기판(590)의 이면측(지면 안측)에 설치되는 터치 센서(595)의 전극이나 배선 등을 실선으로 나타내고 있다.

터치 센서(595)로서, 예를 들어 정전 용량 방식의 터치 센서를 적용할 수 있다. 정전 용량 방식으로서는 표면형 정전 용량 방식, 투영형 정전 용량 방식 등이 있다.

투영형 정전 용량 방식으로서는, 주로 구동 방식의 차이로부터 자기 용량 방식, 상호 용량 방식 등이 있다. 상호 용량 방식을 사용하면 동시 다점 검출이 가능해지기 때문에 바람직하다.

이하에서는, 투영형 정전 용량 방식의 터치 센서를 적용하는 경우에 대해서, 도 24의 (B)를 사용하여 설명한다.

또한, 손가락 등의 검지 대상의 근접 또는 접촉을 검지할 수 있는 다양한 센서를 적용할 수 있다.

투영형 정전 용량 방식의 터치 센서(595)는, 전극(591)과 전극(592)을 갖는다. 전극(591)은 복수의 배선(598) 중 어느 하나와 전기적으로 접속하고, 전극(592)은 복수의 배선(598)의 중 어느 다른 하나와 전기적으로 접속한다.

전극(592)은 도 24의 (A), (B)에 도시한 바와 같이, 일방향으로 반복하여 배치된 복수의 사변형이 코너부에서 접속된 형상을 갖는다.

전극(591)은 사변형이며, 전극(592)이 연장되는 방향과 교차하는 방향으로 반복하여 배치되어 있다.

배선(594)은 전극(592)을 무는 2개의 전극(591)을 전기적으로 접속한다. 이때, 전극(592)과 배선(594)의 교차부의 면적이 가능한 한 작아지는 형상이 바람직하다. 이에 의해, 전극이 설치되어 있지 않은 영역의 면적을 저감시킬 수 있어, 투과율의 불균일을 저감시킬 수 있다. 그 결과, 터치 센서(595)를 투과하는 광의 휘도 불균일을 저감시킬 수 있다.

또한, 전극(591), 전극(592)의 형상은 이에 한정되지 않으며, 다양한 형상을 취할 수 있다. 예를 들어, 복수의 전극(591)을 가능한 한 간극이 발생하지 않도록 배치하고, 절연층을 개재하여 전극(592)을 전극(591)과 중첩하지 않는 영역이 생길 수 있도록 이격하여 복수 설치하는 구성으로 해도 된다.

이때, 인접하는 2개의 전극(592) 사이에, 이들과는 전기적으로 절연된 더미 전극을 설치하면, 투과율의 상이한 영역의 면적을 저감시킬 수 있기 때문에 바람직하다.

터치 센서(595)의 구성을 도 25를 사용하여 설명한다.

터치 센서(595)는 기판(590), 기판(590) 위에 지그재그형으로 배치된 전극(591) 및 전극(592), 전극(591) 및 전극(592)을 덮는 절연층(593) 배열에 인접하는 전극(591)을 전기적으로 접속하는 배선(594)을 구비한다.

수지층(597)은 터치 센서(595)가 표시부(501)에 중첩되도록 기판(590)을 기판(570)에 접합하고 있다.

전극(591) 및 전극(592)은, 투광성을 갖는 도전 재료를 사용하여 형성한다. 투광성을 갖는 도전성 재료로서는, 산화인듐, 인듐주석 산화물, 인듐아연 산화물, 산화아연, 갈륨을 첨가한 산화아연 등의 도전성 산화물을 사용할 수 있다. 또한, 그래핀을 포함하는 막을 사용할 수도 있다. 그래핀을 포함하는 막은, 예를 들어 막형으로 형성된 산화 그래핀을 포함하는 막을 환원하여 형성할 수 있다. 환원하는 방법으로서는, 열을 가하는 방법 등을 들 수 있다.

투광성을 갖는 도전성 재료를 기판(590) 위에 스퍼터링법에 의해 성막한 후, 포토리소그래피법 등의 다양한 패터닝 기술에 의해 불필요한 부분을 제거하여, 전극(591) 및 전극(592)을 형성할 수 있다.

또한, 절연층(593)에 사용하는 재료로서는, 예를 들어 아크릴, 에폭시 등의 수지, 실록산 결합을 갖는 수지 외에 산화실리콘, 산화질화실리콘, 산화알루미늄 등의 무기 절연 재료를 사용할 수도 있다.

또한, 전극(591)에 도달하는 개구가 절연층(593)에 형성되고, 배선(594)이 인접하는 전극(591)을 전기적으로 접속한다. 투광성의 도전성 재료는, 터치 패널의 개구율을 높일 수 있기 때문에 배선(594)에 적절하게 사용할 수 있다. 또한, 전극(591) 및 전극(592)보다 도전성이 높은 재료는, 전기 저항을 저감시킬 수 있기 때문에 배선(594)에 적절하게 사용할 수 있다.

1개의 전극(592)은 일방향으로 연장되고, 복수의 전극(592)이 스트라이프형으로 설치되어 있다.

배선(594)은 전극(592)과 교차하여 설치되어 있다.

한 쌍의 전극(591)이 1개의 전극(592)을 물고 설치되며, 배선(594)은 한 쌍의 전극(591)을 전기적으로 접속하고 있다.

또한, 복수의 전극(591)은 1개의 전극(592)과 반드시 직교하는 방향으로 배치될 필요는 없으며, 90° 미만의 각도를 이루도록 배치되어도 된다.

1개의 배선(598)은 전극(591) 또는 전극(592)과 전기적으로 접속된다. 배선(598)의 일부는 단자로서 기능한다. 배선(598)으로서는 예를 들어 알루미늄, 금, 백금, 은, 니켈, 티타늄, 텅스텐, 크롬, 몰리브덴, 철, 코발트, 구리, 또는 팔라듐 등의 금속 재료나, 상기 금속 재료를 포함하는 합금 재료를 사용할 수 있다.

또한, 절연층(593) 및 배선(594)을 덮는 절연층을 형성하여 터치 센서(595)를 보호할 수 있다.

또한, 접속층(599)은 배선(598)과 FPC(509(2))을 전기적으로 접속한다.

접속층(599)으로서는, 다양한 이방성 도전 필름(ACF: Anisotropic Conductive Film)이나, 이방성 도전 페이스트(ACP: Anisotropic Conductive Paste) 등을 사용할 수 있다.

수지층(597)은 투광성을 갖는다. 예를 들어, 열 경화성 수지나 자외선 경화 수지를 사용할 수 있으며, 구체적으로는 아크릴, 우레탄, 에폭시 또는 실록산 결합을 갖는 수지 등의 수지를 사용할 수 있다.

<표시부>

표시부(501)는 매트릭스형으로 배치된 복수의 화소를 구비한다. 화소는 표시 소자와 표시 소자를 구동하는 화소 회로를 구비한다.

본 실시 형태에서는, 백색의 광을 사출하는 유기 일렉트로 루미네선스 소자를 표시 소자에 적용하는 경우에 대하여 설명하지만, 표시 소자는 이에 한정되지 않는다.

예를 들어, 부화소별로 사출하는 광의 색이 상이하도록, 발광색이 상이한 유기 일렉트로 루미네선스 소자를 부화소별로 적용해도 된다.

또한, 유기 일렉트로 루미네선스 소자 외에, 전기 영동 방식이나 전자 분류체 방식이나 일렉트로웨팅 방식 등에 의해 표시를 행하는 표시 소자(전자 잉크라고도 함), 셔터 방식의 MEMS 표시 소자, 광 간섭 방식의 MEMS 표시 소자, 액정 소자 등, 다양한 표시 소자를 표시 소자에 사용할 수 있다. 또한, 투과형 액정 디스플레이, 반투과형 액정 모니터, 반사형 액정 디스플레이, 직시형 액정 디스플레이 등에도 적용할 수 있다. 또한, 반투과형 액정 모니터나 반사형 액정 디스플레이를 실현하는 경우에는, 화소 전극의 일부 또는 전부가, 반사 전극으로서의 기능을 갖도록 하면 된다. 예를 들어, 화소 전극의 일부 또는 전부가, 알루미늄, 은, 등을 갖도록 하면 된다. 또한 그 경우, 반사 전극 밑에 SRAM 등의 메모리 회로를 설치하는 것도 가능하다. 이에 의해, 소비 전력을 더 저감시킬 수 있다. 또한, 적용하는 표시 소자에 적합한 구성을 다양한 화소 회로로부터 선택하여 사용할 수 있다.

또한 표시부에 있어서, 화소에 능동 소자를 갖는 액티브 매트릭스 방식, 또는 화소에 능동 소자를 갖지 않는 패시브 매트릭스 방식을 사용할 수 있다.

액티브 매트릭스 방식에서는, 능동 소자(능동 소자, 비선형 소자)로서 트랜지스터뿐만 아니라, 다양한 능동 소자(능동 소자, 비선형 소자)를 사용할 수 있다. 예를 들어, MIM(Metal Insulator Metal), 또는 TFD(Thin Film Diode) 등을 사용하는 것도 가능하다. 이 소자는, 제조 공정이 적기 때문에 제조 비용의 저감, 또는 수율의 향상을 도모할 수 있다. 또는, 이 소자는 소자의 크기가 작기 때문에, 개구율을 향상시킬 수 있어, 저소비 전력화나 고휘도화를 도모할 수 있다.

액티브 매트릭스 방식 이외의 것으로서, 능동 소자(능동 소자, 비선형 소자)를 사용하지 않는 패시브 매트릭스형을 사용하는 것도 가능하다. 능동 소자(능동 소자, 비선형 소자)를 사용하지 않기 때문에 제조 공정이 적기 때문에, 제조 비용의 저감, 또는 수율의 향상을 도모할 수 있다. 또는, 능동 소자(능동 소자, 비선형 소자)를 사용하지 않기 때문에 개구율을 향상시킬 수 있어, 저소비 전력화, 또는 고휘도화 등을 도모할 수 있다.

가요성을 갖는 재료를 기판(510) 및 기판(570)에 적절하게 사용할 수 있다.

의도치 않은 불순물의 투과가 억제된 재료를 기판(510) 및 기판(570)에 적절하게 사용할 수 있다. 예를 들어, 수증기의 투과율이 10^-5g/㎡·day 이하, 바람직하게는 10^-6g/㎡·day 이하인 재료를 적절하게 사용할 수 있다.

선팽창률이 대략 같은 재료를 기판(510) 및 기판(570)에 적절하게 사용할 수 있다. 예를 들어, 선팽창률이 1×10^-3/K 이하, 바람직하게는 5×10^-5/K 이하, 보다 바람직하게는 1×10^-5/K 이하인 재료를 적절하게 사용할 수 있다.

기판(510)은, 가요성을 갖는 기판(510b), 의도치 않은 불순물의 발광 소자에의 확산을 방지하는 배리어막(510a) 및 기판(510b)과 배리어막(510a)을 접합하는 수지층(510c)이 적층된 적층체이다.

예를 들어 폴리에스테르, 폴리올레핀, 폴리아미드(나일론, 아라미드 등), 폴리이미드, 폴리카르보네이트 또는 아크릴, 우레탄, 에폭시 또는 실록산 결합을 갖는 수지를 포함하는 재료를 수지층(510c)에 사용할 수 있다.

기판(570)은, 가요성을 갖는 기판(570b), 의도치 않은 불순물의 발광 소자에의 확산을 방지하는 배리어막(570a) 및 기판(570b)와 배리어막(570a)를 접합하는 수지층(570c)의 적층체이다.

밀봉재(560)는 기판(570)과 기판(510)을 접합하고 있다. 밀봉재(560)는 공기보다 큰 굴절률을 구비한다. 또한, 밀봉재(560)측으로 광을 추출하는 경우에는, 밀봉재(560)는 광학 접합층을 겸한다. 화소 회로 및 발광 소자(예를 들어 제1 발광 소자(550R))는 기판(510)과 기판(570) 사이에 있다.

《화소의 구성》

화소는 부화소(502R)을 포함하고, 부화소(502R)는 발광 모듈(580R)을 구비한다.

부화소(502R)는, 제1 발광 소자(550R) 및 제1 발광 소자(550R)에 전력을 공급할 수 있는 트랜지스터(502t)를 포함하는 화소 회로를 구비한다. 또한, 발광 모듈(580R)은 제1 발광 소자(550R) 및 광학 소자(예를 들어 제1 착색층(567R))를 구비한다.

제1 발광 소자(550R)는 하부 전극, 상부 전극, 하부 전극과 상부 전극 사이에 발광성 유기 화합물을 포함하는 층을 갖는다.

발광 모듈(580R)은 광을 추출하는 방향으로 제1 착색층(567R)을 갖는다. 착색층은 특정한 파장을 갖는 광을 투과시키는 것이면 되며, 예를 들어 적색, 녹색 또는 청색 등을 나타내는 광을 선택적으로 투과시키는 것을 사용할 수 있다. 또한 다른 부화소에 있어서, 발광 소자가 방출하는 광을 그대로 투과시키는 영역을 형성해도 된다.

또한, 밀봉재(560)가 광을 추출하는 측에 설치되어 있는 경우, 밀봉재(560)는 제1 발광 소자(550R)와 제1 착색층(567R)에 접한다.

제1 착색층(567R)은 제1 발광 소자(550R)와 중첩하는 위치에 있다. 이에 의해, 제1 발광 소자(550R)가 방출하는 광의 일부는 제1 착색층(567R)을 투과하여, 도면 중에 나타내는 화살표 방향의 발광 모듈(580R)의 외부로 사출된다.

《표시부의 구성》

표시부(501)는 광을 사출하는 방향으로 차광층(567BM)을 갖는다. 차광층(567BM)은 착색층(예를 들어 제1 착색층(567R))을 둘러싸도록 형성되어 있다.

표시부(501)는, 반사 방지층(567p)을 화소에 중첩되는 위치에 구비한다. 반사 방지층(567p)으로서, 예를 들어 원 편광판을 사용할 수 있다.

표시부(501)는 절연막(521)을 구비한다. 절연막(521)은 트랜지스터(502t)를 덮고 있다. 또한, 절연막(521)은 화소 회로에 기인하는 요철을 평탄화하기 위한 층으로서 사용할 수 있다. 또한, 불순물의 확산을 억제할 수 있는 층을 포함하는 적층막을, 절연막(521)에 적용할 수 있다. 이에 의해, 예기치 않은 불순물의 확산에 의한 트랜지스터(502t) 등의 신뢰성의 저하를 억제할 수 있다.

표시부(501)는 발광 소자(예를 들어 제1 발광 소자(550R))를 절연막(521) 위에 갖는다.

표시부(501)는, 제1 하부 전극(351R)의 단부에 중첩되는 격벽(528)을 절연막(521) 위에 갖는다. 또한, 기판(510)과 기판(570)의 간격을 제어하는 스페이서를 격벽(528) 위에 갖는다.

《주사선 구동 회로의 구성》

주사선 구동 회로(503g(1))는 트랜지스터(503t) 및 용량 소자(503c)를 포함한다. 또한, 구동 회로를 화소 회로와 동일한 공정에서 동일한 기판 위에 형성할 수 있다.

《다른 구성》

표시부(501)는 신호를 공급할 수 있는 배선(511)을 구비하며, 단자(519)가 배선(511)에 설치되어 있다. 또한, 화상 신호 및 동기 신호 등의 신호를 공급할 수 있는 FPC(509(1))가 단자(519)에 전기적으로 접속되어 있다.

또한, FPC(509(1))에는 프린트 배선 기판(PWB)이 설치되어 있어도 된다.

표시부(501)는 주사선, 신호선 및 전원선 등의 배선을 갖는다. 다양한 도전막을 배선에 사용할 수 있다.

구체적으로는 알루미늄, 크롬, 구리, 탄탈륨, 티타늄, 몰리브덴, 텅스텐, 니켈, 이트륨, 지르코늄, 은 또는 망간으로부터 선택된 금속 원소, 상술한 금속 원소를 성분으로 하는 합금 또는 상술한 금속 원소를 조합한 합금 등을 사용할 수 있다. 특히 알루미늄, 크롬, 구리, 탄탈륨, 티타늄, 몰리브덴, 텅스텐 중에서 선택되는 하나 이상의 원소를 포함하면 바람직하다. 특히, 구리와 망간의 합금이 습식에칭법을 사용한 미세 가공에 적합하다.

구체적으로는 알루미늄막 위에 티타늄막을 적층하는 2층 구조, 질화티타늄 막 위에 티타늄막을 적층하는 2층 구조, 질화티타늄막 위에 텅스텐막을 적층하는 2층 구조, 질화탄탈막 또는 질화텅스텐막 위에 텅스텐막을 적층하는 2층 구조, 티타늄막과, 그 티타늄막 위에 알루미늄막을 적층하고, 또한 그 위에 티타늄막을 형성하는 3층 구조 등을 사용할 수 있다.

구체적으로는 알루미늄막 위에 티타늄, 탄탈륨, 텅스텐, 몰리브덴, 크롬, 네오디뮴, 스칸듐으로부터 선택된 하나 또는 복수를 조합한 합금막, 또는 질화막을 적층하는 적층 구조를 사용할 수 있다.

또한 산화인듐, 산화주석 또는 산화아연을 포함하는 투광성을 갖는 도전 재료를 사용해도 된다.

<표시부의 변형예 1>

다양한 트랜지스터를 표시부(501)에 적용할 수 있다.

보텀 게이트형 트랜지스터를 표시부(501)에 적용하는 경우의 구성을, 도 25의 (A) 및 도 25의 (B)에 도시한다.

예를 들어, 산화물 반도체, 아몰퍼스 실리콘 등을 포함하는 반도체층을, 도 25의 (A)에 도시하는 트랜지스터(502t) 및 트랜지스터(503t)에 적용할 수 있다.

예를 들어, 적어도 인듐(In), 아연(Zn) 및 M(Al, Ga, Ge, Y, Zr, Sn, La, Ce 또는 Hf 등의 금속)을 포함하는 In-M-Zn 산화물로 표기되는 막을 포함하는 것이 바람직하다. 또는, In과 Zn의 양쪽을 포함하는 것이 바람직하다.

스태빌라이저로서는 갈륨(Ga), 주석(Sn), 하프늄(Hf), 알루미늄(Al) 또는 지르코늄(Zr) 등이 있다. 또한, 다른 스태빌라이저로서는 란탄족 원소인 란탄(La), 세륨(Ce), 프라세오디뮴(Pr), 네오디뮴(Nd), 사마륨(Sm), 유로퓸(Eu), 가돌리늄(Gd), 테르븀(Tb), 디스프로슘(Dy), 홀뮴(Ho), 에르븀(Er), 툴륨(Tm), 이테르븀(Yb), 루테튬(Lu) 등이 있다.

산화물 반도체 막을 구성하는 산화물 반도체로서, 예를 들어 In-Ga-Zn계 산화물, In-Al-Zn계 산화물, In-Sn-Zn계 산화물, In-Hf-Zn계 산화물, In-La-Zn계 산화물, In-Ce-Zn계 산화물, In-Pr-Zn계 산화물, In-Nd-Zn계 산화물, In-Sm-Zn계 산화물, In-Eu-Zn계 산화물, In-Gd-Zn계 산화물, In-Tb-Zn계 산화물, In-Dy-Zn계 산화물, In-Ho-Zn계 산화물, In-Er-Zn계 산화물, In-Tm-Zn계 산화물, In-Yb-Zn계 산화물, In-Lu-Zn계 산화물, In-Sn-Ga-Zn계 산화물, In-Hf-Ga-Zn계 산화물, In-Al-Ga-Zn계 산화물, In-Sn-Al-Zn계 산화물, In-Sn-Hf-Zn계 산화물, In-Hf-Al-Zn계 산화물, In-Ga계 산화물을 사용할 수 있다.

또한, 여기서 In-Ga-Zn계 산화물이란, In과 Ga와 Zn을 주성분으로서 갖는 산화물이라는 의미이며, In과 Ga와 Zn의 비율은 불문한다. 또한, In과 Ga와 Zn 이외의 금속 원소가 들어 있어도 된다.

예를 들어, 레이저 어닐링 등의 처리에 의해 결정화시킨 다결정 실리콘을 포함하는 반도체층을, 도 25의 (B)에 도시하는 트랜지스터(502t) 및 트랜지스터(503t)에 적용할 수 있다.

톱 게이트형 트랜지스터를 표시부(501)에 적용하는 경우의 구성을, 도 25의 (C)에 도시한다.

예를 들어, 다결정 실리콘 또는 단결정 실리콘 기판 등으로부터 전치된 단결정 실리콘막 등을 포함하는 반도체층을, 도 25의 (C)에 도시하는 트랜지스터(502t) 및 트랜지스터(503t)에 적용할 수 있다.

(실시 형태 10)

본 실시 형태에서는, 본 발명의 일 형태의 박리 기점의 형성 장치를 사용하여 제작할 수 있는 절곡 가능한 터치 패널의 구성에 대해서, 도 26을 참조하면서 설명한다.

도 26은 터치 패널(500B)의 구성을 설명하는 단면도이다.

본 실시 형태에서 설명하는 터치 패널(500B)은, 공급된 화상 정보를 트랜지스터가 설치되어 있는 측에 표시하는 표시부(501)을 구비하는 점 및 터치 센서가 표시부의 기판(510)측에 설치되어 있는 점이, 실시 형태 9에서 설명하는 터치 패널(500TP)과는 상이하다. 여기서는 상이한 구성에 대하여 상세하게 설명하고, 마찬가지 구성을 사용할 수 있는 부분은, 상술한 설명을 원용한다.

<표시부>

《화소의 구성》

부화소(502R)는, 제1 발광 소자(550R) 및 제1 발광 소자(550R)에 전력을 공급할 수 있는 트랜지스터(502t)를 포함하는 화소 회로를 구비한다.

발광 모듈(580R)은 제1 발광 소자(550R) 및 광학 소자(예를 들어 제1 착색층(567R))를 구비한다.

제1 착색층(567R)은 제1 발광 소자(550R)와 중첩하는 위치에 있다. 또한, 도 26의 (A)에 도시하는 제1 발광 소자(550R)는, 트랜지스터(502t)가 설치되어 있는 측으로 광을 사출한다. 이에 의해, 제1 발광 소자(550R)가 방출하는 광의 일부는 제1 착색층(567R)을 투과하여, 도면 중에 나타내는 화살표 방향의 발광 모듈(580R)의 외부로 사출된다.

《표시부의 구성》

표시부(501)는 광을 사출하는 방향으로 차광층(567BM)을 갖는다. 차광층(567BM)은 착색층(예를 들어 제1 착색층(567R))을 둘러싸도록 설치되어 있다.

표시부(501)는 절연막(521)을 구비한다. 절연막(521)은 트랜지스터(502t)를 덮고 있다. 또한, 절연막(521)은 화소 회로에 기인하는 요철을 평탄화하기 위한 층으로서 사용할 수 있다. 또한, 불순물의 확산을 억제할 수 있는 층을 포함하는 적층막을 절연막(521)에 적용할 수 있다. 이에 의해, 예를 들어 제1 착색층(567R)으로부터 확산되는 예기치 않은 불순물에 의한 트랜지스터(502t) 등의 신뢰성의 저하를 억제할 수 있다.

<터치 센서>

터치 센서(595)는 표시부(501)의 기판(510)측에 설치되어 있다(도 26의 (A) 참조).

수지층(597)은 기판(510)과 기판(590) 사이에 있으며, 표시부(501)과 터치 센서(595)를 접합한다.

<표시부의 변형예 1>

다양한 트랜지스터를 표시부(501)에 적용할 수 있다.

보텀 게이트형 트랜지스터를 표시부(501)에 적용하는 경우의 구성을, 도 26의 (A) 및 도 26의 (B)에 도시한다.

예를 들어, 산화물 반도체, 아몰퍼스 실리콘 등을 포함하는 반도체층을, 도 26의 (A)에 도시하는 트랜지스터(502t) 및 트랜지스터(503t)에 적용할 수 있다. 또한 한 쌍의 게이트 전극을, 트랜지스터의 채널이 형성되는 영역을 상하로 물도록 설치해도 된다. 이에 의해, 트랜지스터의 특성 변동을 억제하여 신뢰성을 높일 수 있다.

예를 들어, 다결정 실리콘 등을 포함하는 반도체층을, 도 26의 (B)에 도시하는 트랜지스터(502t) 및 트랜지스터(503t)에 적용할 수 있다.

톱 게이트형 트랜지스터를 표시부(501)에 적용하는 경우의 구성을, 도 26의 (C)에 도시한다.

예를 들어, 다결정 실리콘 또는 전사된 단결정 실리콘막 등을 포함하는 반도체층을, 도 26의 (C)에 도시하는 트랜지스터(502t) 및 트랜지스터(503t)에 적용할 수 있다.

11: 제1 기판
12: 제1 박리층
13: 제1 피박리층
13b: 도전층
13m: 마커
13s: 박리의 기점
21: 제2 기판
22: 제2 박리층
23: 제2 피박리층
25: 기재
25b: 기재
30: 접합층
31: 접착층
32: 접착층
41: 지지체
41b: 지지체
41p: 보호막
42: 지지체
42b: 지지체
83: 가공 부재
83a: 잔량부
83b: 표층
83s: 박리의 기점
84: 적층체
90: 가공 부재
90a: 제1 잔량부
90b: 표층
91: 적층체
91a: 잔량부
91b: 표층
91s: 박리의 기점
92: 적층체
92c: 적층체
92d: 적층체
100: 공급 유닛
111: 반송 기구
112: 반송 기구
300: 분리 유닛
300b: 수납부
300TP: 터치 패널
301: 표시부
302: 화소
302B: 부화소
302G: 부화소
302R: 부화소
302t: 트랜지스터
303c: 용량 소자
303g(1): 주사선 구동 회로
303g(2): 촬상 화소 구동 회로
303s(1): 화상 신호선 구동 회로
303s(2): 촬상 신호선 구동 회로
303t: 트랜지스터
308: 촬상 화소
308p: 광전 변환 소자
308t: 트랜지스터
309: FPC
310: 기판
310a: 배리어막
310b: 기판
310c: 수지층
311: 배선
319: 단자
321: 절연막
328: 격벽
329: 스페이서
350: 세정 장치
350R: 발광 소자
351R: 하부 전극
352: 상부 전극
353: 층
353a: 발광 유닛
353b: 발광 유닛
354: 중간층
360: 밀봉재
367BM: 차광층
367p: 반사 방지층
367R: 착색층
370: 대향 기판
370a: 배리어막
370b: 기재
370c: 수지층
380B: 발광 모듈
380G: 발광 모듈
380R: 발광 모듈
400: 유닛
500: 지지체 공급 유닛
500TP: 터치 패널
500B: 터치 패널
501: 표시부
502R: 부화소
502t: 트랜지스터
503c: 용량 소자
503g: 주사선 구동 회로
503t: 트랜지스터
509: FPC
510: 기판
510a: 배리어막
510b: 기판
510c: 수지층
511: 배선
519: 단자
521: 절연막
528: 격벽
550R: 발광 소자
560: 밀봉재
567BM: 차광층
567p: 반사 방지층
567R: 착색층
570: 기판
570a: 배리어막
570b: 기판
570c: 수지층
580R: 발광 모듈
590: 기판
591: 전극
592: 전극
593: 절연층
594: 배선
595: 터치 센서
597: 수지층
598: 배선
599: 접속층
600: 공급 유닛
700: 형성 장치
700B: 형성 장치
700U: 기점 형성 유닛
710: 스테이지
710T: 스테이지
710S: 회전 스테이지
710X: X축 스테이지
710Y: Y축 스테이지
720: 절삭구
720a: 절삭구
720b: 가압구
730: 헤드부
730a: 헤드부
730b: 헤드부
730CAM: 카메라
740a: 아암부
740b: 아암부
740X: 아암부
740Y: 아암부
780: 이동 기구
785: 화상 처리부
800: 분리 유닛
800b: 수납부
850: 세정 장치
900: 유닛
1000: 제작 장치
1000B: 제작 장치
1301: 소자층
1303: 기판
1304: 광 추출부
1305: 접착층
1306: 구동 회로부
1308: FPC
1357: 도전층
1401: 기판
1402: 기판
1403: 접착층
1405: 절연층
1407: 절연층
1408: 도전층
1409: 절연층
1409a: 절연층
1409b: 절연층
1411: 절연층
1412: 도전층
1413: 밀봉층
1415: 접속체
1430: 발광 소자
1431: 하부 전극
1433: EL층
1433A: EL층
1433B: EL층
1435: 상부 전극
1440: 트랜지스터
1455: 절연층
1457: 차광층
1459: 착색층
1461: 절연층
1501: 제작 기판
1503: 박리층
1505: 제작 기판
1507: 박리층
1510a: 도전층
1510b: 도전층
7102: 표시부
7402: 표시부
7201: 다이부
7212: 발광부
7222: 발광부
7302: 표시부
7305: 제어부
9999: 터치 패널

Claims

박리 기점의 형성 장치로서,
표층을 박리하여 잔부를 형성할 수 있는 상기 박리 기점이 형성되는 가공 부재를 지지하는 스테이지;
상기 스테이지에 대향하는 절삭구(cutter);
상기 절삭구를 지지하는 헤드부;
상기 헤드부를 지지하는 아암부;
상기 가공 부재의 절삭된 부분을 촬영하는 카메라;
상기 카메라에 의해 촬영된 화상을 처리하는 화상 처리부; 및
상기 스테이지에 대한 상기 절삭구의 상대적인 위치를 결정하는 이동 기구
를 포함하고,
상기 절삭구는, 상기 가공 부재의 일부를 남기면서 상기 가공 부재를 절삭하고,
상기 이동 기구는, 상기 절삭구를 상기 스테이지를 따라서 상대적으로 이동시키고,
상기 스테이지는, 상기 절삭된 부분의 주변에 마커가 형성된 상기 가공 부재를 지지하고,
상기 화상 처리부는, 상기 마커의 화상의 변화를 검지하여, 상기 절삭된 부분을 따라서 상기 박리 기점이 형성되었는지 여부를 판별하는, 박리 기점의 형성 장치.
제1항에 있어서,
상기 이동 기구는, 상기 가공 부재의 상기 일부를 남기면서, 소정의 깊이까지 상기 가공 부재가 절삭되도록 상기 절삭구를 배치하는, 박리 기점의 형성 장치.
삭제
적층체의 제작 장치로서,
박리 기점의 형성 장치로서:
표층을 박리하여 잔부를 형성할 수 있는 상기 박리 기점이 형성되는 가공 부재를 지지하는 스테이지;
상기 스테이지에 대향하는 절삭구;
상기 절삭구를 지지하는 헤드부;
상기 헤드부를 지지하는 아암부; 및
상기 스테이지에 대한 상기 절삭구의 상대적인 위치를 결정하는 이동 기구
를 포함하는, 상기 박리 기점의 형성 장치;
상기 가공 부재를 공급하는 제1 공급 유닛;
상기 가공 부재의 한쪽 표층을 박리하여 제1 잔부를 형성하는 제1 분리 유닛;
제1 지지체가 공급되고, 상기 제1 지지체를 상기 제1 잔부에 제1 접착층을 사용하여 접합하는 제1 접합 유닛;
상기 제1 지지체 및 제2 지지체를 공급하는 지지체 공급 유닛;
상기 제1 접착층을 사용하여 서로 접합된 상기 제1 잔부 및 상기 제1 지지체를 포함하는 제1 적층체를 운송하는 제1 언로드 유닛;
상기 제1 적층체를 공급하는 제2 공급 유닛;
상기 제1 적층체의 일부를 남기면서 상기 제1 적층체를 절삭하여, 상기 박리 기점을 형성하는 기점 형성 유닛;
상기 제1 적층체의 한쪽 표층을 박리하여 제2 잔부를 형성하는 제2 분리 유닛;
상기 제2 지지체가 공급되고, 상기 제2 지지체를 상기 제2 잔부에 제2 접착층을 사용하여 접합하는 제2 접합 유닛; 및
상기 제2 접착층을 사용하여 서로 접합된 상기 제2 잔부 및 상기 제2 지지체를 포함하는 제2 적층체를 운송하는 제2 언로드 유닛
을 포함하고,
상기 기점 형성 유닛은 상기 박리 기점의 형성 장치를 포함하고,
상기 절삭구는, 상기 가공 부재의 일부를 남기면서 상기 가공 부재를 절삭하고,
상기 이동 기구는, 상기 절삭구를 상기 스테이지를 따라서 상대적으로 이동시키는, 적층체의 제작 장치.
적층체의 제작 장치로서,
박리 기점의 형성 장치로서:
제1 적층체를 지지하는 스테이지;
상기 스테이지에 대향하는 절삭구;
상기 절삭구를 유지하는 제1 헤드부;
상기 제1 헤드부를 유지하는 제1 아암부;
상기 스테이지에 대향하는 가압구;
상기 가압구를 유지하는 제2 헤드부;
상기 제2 헤드부를 유지하는 제2 아암부; 및
상기 스테이지에 대한 상기 절삭구의 상대적인 위치 및 상기 가압구의 상대적인 위치를 결정하는 이동 기구
를 포함하는, 상기 박리 기점의 형성 장치;
가공 부재를 공급하는 제1 공급 유닛;
상기 가공 부재의 한쪽 표층을 박리하여 제1 잔부를 형성하는 제1 분리 유닛;
제1 지지체가 공급되고, 상기 제1 지지체를 상기 제1 잔부에 제1 접착층을 사용하여 접합하는 제1 접합 유닛;
상기 제1 지지체 및 제2 지지체를 공급하는 지지체 공급 유닛;
상기 제1 접착층을 사용하여 서로 접합된 상기 제1 잔부 및 상기 제1 지지체를 포함하는 상기 제1 적층체를 운송하는 제1 언로드 유닛;
상기 제1 적층체를 공급받고, 상기 제1 적층체를 공급하는 제2 공급 유닛;
상기 제1 적층체의 일부를 남기면서 상기 제1 적층체를 절삭하여, 상기 박리 기점을 형성하는 기점 형성 유닛;
상기 제1 적층체의 한쪽 표층을 박리하여 제2 잔부를 형성하는 제2 분리 유닛;
상기 제2 지지체가 공급되고, 상기 제2 지지체를 상기 제2 잔부에 제2 접착층을 사용하여 접합하는 제2 접합 유닛; 및
상기 제2 접착층을 사용하여 서로 접합된 상기 제2 잔부 및 상기 제2 지지체를 포함하는 제2 적층체를 운송하는 제2 언로드 유닛
을 포함하고,
상기 기점 형성 유닛은, 상기 박리 기점의 형성 장치를 포함하고,
상기 이동 기구는, 일부를 남기면서 상기 제1 적층체를 절삭하여 남겨진 일부로부터 절삭된 부분이 박리되도록, 상기 절삭구의 상기 상대적인 위치를 결정하고,
상기 이동 기구는, 상기 제1 적층체의 상기 절삭된 부분의 근방이 상기 스테이지에 가압되도록, 상기 가압구의 상기 상대적인 위치를 결정하는, 적층체의 제작 장치.
제5항에 있어서,
상기 스테이지는, 기판, 박리층, 피박리층, 상기 제1 지지체, 및 보호막이 이 순서로 배치되어 있는 상기 제1 적층체를 지지하는, 적층체의 제작 장치.
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