KR102367188B1 - 수지적층체 및 이것을 구비한 터치 입력 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은, 수지적층체의 일부의 수지층이 나머지의 수지층으로부터 박리되는 것을 억제함과 동시에, 제조 시에 이물 혼입의 가능성을 저감하는 것을 목적으로 한다. 이러한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 수지적층체(L1)는, Z-Z'방향에 적층된 복수 또는 복수 종류의 수지층(100)과, 수지층(100) 중 Z-Z'방향에서 서로 인접한 수지층(100)을 접착시키는 접착층(200)을 구비하고 있다. 이 수지적층체(L1)는, 수지층(100)의 전체가 압출성형된 구성이며, 압출성형된 수지층 이외의 수지층을 구비하고 있지 않다.

Description

수지적층체 및 이것을 구비한 터치 입력 장치{RESIN LAMINATE AND TOUCH INPUT DEVICE HAVING THE SAME}
본 발명은, 압출성형된 수지층을 구비한 수지적층체 및 이것을 구비한 터치 입력 장치에 관한 것이다.
종래의 수지적층체는, 하기 특허문헌에 기재되어 있다. 이 수지적층체는, 적층된 복수 종류의 시트와, 시트 위에 사출성형된 성형수지를 구비한 것이 있다. 이 수지적층체는, 다음과 같이 제조된다. 시트를 금형 안에 넣고, 금형 안의 시트 위에 수지를 사출한다. 시트 위에서 냉각되어, 고형화된 수지가 성형 수지로 된다.
[특허 문헌 1] 일본국 공개특허공보 특개 2004-42510호 공보
성형수지는 냉각되어, 고형화될 때, 시트 위에서 성형수축한다. 이 성형수축에 의해서, 성형수지와 시트가 서로 박리하고자 하는 응력이 양자에게 발생한다. 이 응력이 성형수지와 시트에 계속 작용함으로써, 시트(수지적층체의 일부의 층)가 성형수지로부터 박리되어 버릴 가능성이 있다. 이 박리의 가능성은, 시트가 적층된 복수의 층에서 구성될 경우, 수지적층체가 만곡되어 있는 경우, 및/또는 수지적층체가 고온다습한 환경 하에서 사용될 경우에, 악화한다.
수지적층체의 제조 시에 있어서, 금형과 시트와의 사이에 이물이 끼어서 들어갈 가능성이 있다. 금형과 시트와의 사이에 이물이 끼어서 들어갈 경우, 당해 이물에 의해서 시트에 이물 흔적이 형성된다.
본 발명은, 상기 사정에 비추어 창안된 것으로서, 그 목적으로 하는 바는, 일부의 수지층이 다른 수지층으로부터 박리될 가능성이 저감됨과 동시에, 제조 시에 이물 혼입의 가능성을 저감할 수 있는 수지적층체 및 이것을 구비한 터치 입력 장치를 제공하는 것에 있다.
상기 과제를 해결하기 위하여, 본 발명의 한 형태의 수지적층체는, 복수 또는 복수 종류의 수지층과, 접착층을 구비하고 있다. 이 수지적층체는, 수지층의 전체가 압출성형된 구성이며, 당해 수지층 이외의 수지층을 구비하고 있지 않다. 수지층은, 제1방향으로 적층되어 있다. 접착층은, 수지층 중 제1방향에서 서로 인접한 수지층을 접착시키고 있다.
이와 같은 형태의 수지적층체에 의한 경우, 서로 인접한 수지층의 한쪽이 다른 한쪽으로부터 박리될 가능성이 억제된다. 그 이유는 이하와 같다. 모든 수지층이 압출성형에 의해서 제작되어 있다. 이 수지층이 제1방향에서 적층될 때에, 서로 인접한 수지층이 접착층에 의해서 접착되고 있다. 이 때문에, 적층 후, 수지층이 성형수축되지 않으므로, 성형수축으로 인한 응력이 접착된 수지층에 발생되지 않는다. 나아가, 수지적층체의 수지층은, 사출성형되지 않으므로, 사출성형용의 금형과 수지층과의 사이에 이물이 혼입되지 않는다.
수지층은, 비결정성 수지로 구성되어 있어도 된다. 이와 같은 형태의 수지적층체에 의한 경우, 수지층의 열수축률이 작아지므로, 서로 인접한 수지층의 한쪽이 다른 한쪽으로부터 박리될 가능성을 더욱 억제할 수 있다.
수지층의 흐름방향이 일치하고, 또한, 수지층의 직각방향이 일치된 구성으로 하는 것이 가능하다. 직각방향은, 흐름방향에 대해서 직각이면 된다. 이와 같은 형태의 수지적층체에 의한 경우, 서로 인접한 수지층의 한쪽이 다른 한쪽으로부터 박리될 가능성을 더욱 억제할 수 있다. 그 이유는 이하와 같다. 일반적으로, 압출성형된 수지층의 열수축은, 흐름방향에 있어서 상위하고, 직각방향에 있어서 대략 상위하지 않은(즉, 실질적으로 제로(0) 부근임) 것이 많다. 따라서, 수지층의 흐름방향을 일치시키고, 또한, 수지층의 직각방향을 일치시켜둠으로써, 수지층의 열수축의 상위에 의해서, 서로 인접한 수지층이 박리될 가능성을 저감할 수 있다.
수지층의 주재료는, 동종의 고분자재료인 구성으로 하는 것이 가능하다. 이와 같은 형태의 수지적층체에 의한 경우, 수지층의 팽창량 및 수축량이 근접하게 되므로, 서로 인접한 수지층의 한쪽이 다른 한쪽으로부터 박리될 가능성을 더욱 억제할 수 있다.
수지층의 선팽창계수는, 4~15×10-5/℃인 구성으로 하는 것이 가능하다. 이와 같은 형태의 수지적층체에 의한 경우, 수지층의 팽창량 및 수축량이 근접하게 되므로, 서로 인접한 수지층의 한쪽이 다른 한쪽으로부터 박리될 가능성을 더욱 억제할 수 있다.
―40℃~85℃에 있어서, 수지층이 열팽창에 의해 신장할 때, 또는, 열수축에 의해 수축할 때에, 서로 인접한 수지층에 상대적으로 발생되는 전체 길이의 차이가, 서로 인접한 수지층 간의 접착층의 두께 치수의 20% 이하로 하는 것이 가능하다. 이와 같은 형태의 수지적층체가 ―40℃~85℃ 하에서 사용되고, 수지층이 열팽창 및/또는 열수축하였다고 하여도, 접착층이, 열팽창 및/또는 열수축된 수지층에 추종할 수 있다.
접착층의 유리전이온도는, 60℃ 이상으로 하는 것이 가능하다. 이와 같은 형태의 수지적층체에 의한 경우, 접착층이, 60℃ 미만에서 고형화상태로 되므로, 서로 인접한 수지층의 한쪽이 다른 한쪽으로부터 박리될 가능성을 더욱 억제할 수 있다.
본 발명의 한 형태의 터치 입력 장치는, 상기한 어느 한 형태의 수지적층체와, 전극층을 구비한 구성으로 하는 것이 가능하다. 전극층은, 수지층 중의 적어도 1개의 수지층 위에 형성되어 있으며, 또한, 서로 인접한 수지층 사이에 배치된 구성으로 하는 것이 가능하다. 이와 같은 형태의 터치 입력 장치에 의한 경우, 상기 어느 한 형태의 수지적층체와 동일한 기술적 특징을 가진다.
수지층은, 제1수지층 및 제2수지층을 포함하고 있어도 된다. 전극층은, 제1전극층 및 제2전극층을 포함하고 있어도 된다.
제1전극층은 제1수지층 위에 형성된 구성으로 하는 것이 가능하다. 제2전극층은 제2수지층 위에 형성된 구성으로 하는 것이 가능하다. 또는, 제1수지층은, 제1방향의 한쪽의 제1면과, 제1방향의 다른 한쪽의 제2면을 가지고 있는 경우, 제1전극층은 제1수지층의 제1면 위에 형성되며, 또한, 제2전극층은 제2수지층이 아닌, 제1수지층의 제2면 위에 형성된 구성으로 하는 것이 가능하다. 이 경우, 제2수지층은 생략 가능하다. 또는, 상기한 터치 입력 장치가, 절연층을 부가하여 구비하고 있는 경우, 절연층은, 제1전극층을 덮도록 제1전극층 위에 형성되며, 또한, 제2전극층은 절연층 위에 형성된 구성으로 하는 것이 가능하다. 이 경우도, 제2수지층은 생략 가능하다.
상기한 어느 한 형태의 터치 입력 장치는, 수지적층체에 고정 장착된 리브를 부가하여 구비하고 있는 구성으로 하는 것이 가능하다.
상기한 어느 한 형태의 수지층은, 가장 제1방향의 한쪽에 위치하는 가장 표면층과, 가장 제1방향의 다른 한쪽에 위치하는 가장 깊은 층을 포함하고 있어도 된다. 리브는, 가장 깊은 층과 동종의 수지, 동일한 수지, 동종의 수지를 포함하는 폴리머 알로이, 또는, 동일한 수지를 포함하는 폴리머 알로이로 구성되어 있어도 된다.
리브는, 가장 깊은 층에 아웃서트 성형된 구성으로 하는 것이 가능하다. 이와 같은 형태의 터치 입력 장치에 의한 경우, 리브와 가장 깊은 층과의 밀착성 및 상용성(相溶性)이 높아지므로, 양자를 강고하게 고정 장착되도록 할 수 있다.
상기한 어느 한 형태의 수지층은, 적어도 1개의 리타데이션 값이, 3000~30000nm으로 하는 것이 가능하다.
본 발명의 한 형태의 터치 입력 장치의 제조방법은, 압출성형된 복수 또는 복수 종류의 수지층을 준비하고, 수지층의 적어도 1개의 수지층 위에 전극층을 형성하고, 또한, 수지층을 제1방향으로 적층시킬 수 있는 것을 구비하고 있다. 수지층의 적층은, 수지층 중 제1방향에서 서로 인접한 수지층을 접착층으로 접착시키는 것을 포함한다.
이와 같은 형태의 터치 입력 장치의 제조방법에 의한 경우, 서로 인접한 수지층의 한쪽이 다른 한쪽으로부터 박리될 가능성이 억제된다. 그 이유는 이하와 같다. 압출성형된 수지층이 제1방향에 있어서 적층될 때에, 서로 인접한 수지층이 접착층에 의해서 접착되어 있다. 이 때문에, 적층 후, 수지층이 성형 수축되지 않는다. 즉, 사출성형 후에 발생되는 성형 수축에 의한 응력이 접착된 수지층에 발생되지 않는다. 나아가, 수지성형체는, 사출성형을 필요로 하지 않으므로, 사출성형용의 금형과 수지층과의 사이에 이물이 혼입되는 일도 없다.
압출성형된 복수 또는 복수 종류의 수지층은, 상기한 어느 한 형태로 하는 것이 가능하다. 수지층은, 제1수지층 및 제2수지층을 포함하고 있어도 된다. 전극층은, 제1전극층 및 제2전극층을 포함하고 있어도 된다.
수지층 위에 전극층을 형성하는 공정은, 제1수지층 위에 제1전극층을 형성하고, 또한, 제2수지층 위에 제2전극층을 형성하는 것을 포함하고 있어도 된다. 또는, 제1수지층이 제1방향의 한쪽의 제1면과, 제1방향의 다른 한쪽의 제2면을 가지고 있는 경우, 수지층 위에 전극층을 형성하는 공정은, 제1수지층의 제1면 위에 제1전극층을 형성하고, 또한, 제1수지층의 제2면 위에 제2전극층을 형성하는 것을 포함하고 있어도 된다. 또는, 터치 입력 장치가 절연층을 부가하여 구비하고 있는 경우, 수지층 위에 전극층을 형성하는 공정은, 제1수지층 위에 제1전극층을 형성하고, 또한, 절연층이 제1전극층을 덮도록 제1전극층 위에 절연층을 형성하며, 또한, 절연층 위에 제2전극층을 형성하는 것을 포함하고 있어도 된다.
상기한 어느 한 형태의 제조방법은, 수지층의 적층 후에, 수지적층체에 리브를 고정 장착시키는 것을 부가하여 구비하고 있어도 된다. 리브의 고정 장착은, 리브를 수지적층체의 가장 깊은 층에 아웃서트 성형하는 것을 포함하고 있어도 된다.
상기한 어느 한 형태의 제조방법은, 수지층의 적층 후에, 수지적층체를 진공성형, 압공성형 또는 프레스성형함으로써, 당해 수지적층체에 형상 부여하는 것을 부가하여 구비하고 있어도 된다.
도 1a는 본 발명의 실시예 1에 관한 한 형태의 터치 입력 장치의 개략적 단면도이다.
도 1b는 상기 터치 입력 장치의 개략적 평면도이다.
도 2a는 본 발명의 실시예 2에 관한 한 형태의 터치 입력 장치의 개략적 단면도이다.
도 2b는 상기 터치 입력 장치의 개략적 평면도이다.
도 3은 본 발명의 실시예 3에 관한 한 형태의 터치 입력 장치의 개략적 단면도이다.
도 4는 본 발명의 실시예 4에 관한 한 형태의 터치 입력 장치의 개략적 단면도이다.
이하, 본 발명의 실시예 1~4에 대하여 설명한다.
이하, 본 발명의 실시예 1에 관한 터치 입력 장치(T1)에 대하여, 도 1a 및 도 1b를 참조하면서 설명한다. 또한, 도 1a에 나타내는 Z-Z'방향은, 터치 입력 장치(T1)의 수지적층체(L1)의 두께방향에 상당하고, 또한, 특허청구범위의 제1방향에 상당한다. 도 1a 및 도 1b에 나타내는 Y-Y'방향은, 터치 입력 장치(T1)의 수지적층체(L1)의 길이방향에 상당한다. Y-Y'방향은 Z-Z'방향과 직교하고 있다. 도 1b에 나타내는 X-X'방향은, 터치 입력 장치(T1)의 수지적층체(L1)의 짧은 길이방향에 상당한다. X-X'방향은, Z-Z'방향 및 Y-Y'방향과 직교하고 있다.
터치 입력 장치(T1)는, 수지적층체(L1)를 구비하고 있다. 수지적층체(L1)는, 그 전체가 도 1a 및 도 1b에 나타낸 바와 같이, Y-Y'방향 및 X-X'방향으로 뻗는 평평한 형상으로 하는 것이 가능하며, 그 전체가 평평한 형상 이외의 형상으로 하는 것이 가능하다. 후자의 경우, 예를 들면, 이하의 1)~3) 중의 어느 한 형상으로 하는 것이 가능하다. 1) 수지적층체(L1)는 만곡되어 있다. 예를 들면, 수지적층체(L1)가 Y-Y'방향 및/또는 X-X'방향에 곡면형상으로 만곡되어 있다. 2) 수지적층체(L1)는 평평한 부분과 곡면형상의 부분을 가진다(예를 들면, 수지적층체(L1)의 중앙부가 평평하며, 수지적층체(L1)의 단부가 Y-Y'방향 및/또는 X-X'방향에 원호형상으로 만곡되어 있다). 3) 수지적층체(L1)는 적어도 일부에 요철형상을 가진다.
수지적층체(L1)는, 복수 또는 복수 종류의 수지층(100)과, 적어도 1개의 접착층(200)을 가지고 있다. 터치 입력 장치(T1)의 모든 수지층(100)은, 압출성형된 시트 또는 필름이다. 터치 입력 장치(T1)는, 압출성형된 수지층(100) 이외의 수지층을 구비하고 있지 않다. 다시 말하면, 터치 입력 장치(T1)의 수지층으로서는, 압출성형된 수지층(100)만을 가지고 있다. 이와 같이 수지층(100)의 각각은 압출성형에 의해서 성형되어 있으므로, 수지 배향이 일률적이며, 수지의 밀도분포가 대략 균일하고, 또한, 수지적층체(L1)의 형상 기인 이외의 변형분포가 거의 없다.
수지층(100)의 각각은, 하드코트층, 안티글레어층, 반사방지층, 저반사층, 전극기재층, 보호층, 안티뉴턴층, 강도유지층, 오염 방지층, 위상차층(초고위상차층(SRF층)을 포함함), 및/또는 내지문처리층 등으로서의 기능을 부여하기 위한 처리(예를 들면, 코팅처리 등)가 된 구성으로 하는 것이 가능하다. 예를 들면, 도 1a에서는, 도면에 나타낸 바와 같이, 아래쪽의 수지층(100)은 강도유지층 및 전극기재층의 기능 부여 처리가 되고, 도면에 나타낸 바와 같이, 위쪽의 수지층(100)은, 하드코트층, 저반사층, 내지문처리층 및 보호층의 기능 부여 처리가 된 구성으로 하는 것이 가능하다. 초고위상차층의 기능 부여 처리가 된 수지층(100)의 리타데이션 값은, 3000~30000nm이면 된다. 모든 수지층(100) 중의 적어도 1개의 수지층(100)에 강도유지층의 기능 부여 처리가 되어 있는 경우, 강도유지층의 기능 부여 처리가 된 수지층(100)은, 강도유지층의 기능 부여 처리가 되지 않은 수지층(100) 보다도 Z-Z'방향의 치수가 큰 구성으로 할 수 있다. 예를 들면, 강도유지층의 기능 부여 처리가 된 수지층(100)의 Z-Z'방향의 치수가 1.5~2.5mm 정도인 것에 대해서, 전극기재층의 기능 부여 처리가 된(강도유지층의 기능 부여 처리가 되지 않은) 수지층(100)의 Z-Z'방향의 치수는, 30~300μm 정도로 하는 것이 가능하다. 모든 수지층(100)에 강도유지층의 기능 부여 처리가 되어 있지 않을 경우, 수지적층체(L1) 전체에서 소정의 강도가 유지되는 구성으로 하면 된다. 예를 들면, 수지적층체(L1) 전체의 강도는, 수지적층체(L1)에 대해서 강구 낙하 시험을 행하였을 때에, 수지적층체(L1)에 큰 갈라짐이 발생되지 않을 정도의 강도로 하면 된다. 이 시험의 충격흡수성은, 10~50J이다.
수지층(100)은, 투광성을 가지고 있어도 되고, 불투명하여도 된다. 전자인 경우, 수지층(100)은 투명하여도 된다. 수지층(100)은, 가소성을 가지고 있어도 되고, 가지고 있지 않아도 된다. 수지층(100)의 적어도 1개에는, 데커레이션　프린팅이 실시되어 있어도 된다.
수지층(100)은, Z-Z'방향에 적층되어 있다. 수지층(100) 중 Z-Z'방향에서 서로 인접한 수지층(100)이, 접착층(200)에 의해서 접착되어 있다. 이하, 수지층(100) 중의 가장 Z방향에 위치하는 수지층(100)을 가장 표면층이라고도 칭하고, 수지층(100) 중의 가장 Z'방향에 위치하는 수지층(100)을 가장 깊은 층이라고도 칭한다. 또한, 도 1a 및 도 1b에서는, 수지층(100)은, 2개이지만, 3개 이상이어도 된다.
수지층(100)은, 이하의 1)~5) 중의 적어도 1개의 구성을 가지고 있어도 된다. 수지층(100)이 비결정성 수지 또는 결정성 수지로 구성되어 있다. 비결정성 수지로서는, 예를 들면, 폴리카보네이트(PC), 폴리스티렌(PS), 사이클로올레핀코폴리머(COC), 사이클로올레핀폴리머(COP), 또는, 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA) 등이다. 비결정성 수지는, 분자 배열에 규칙성이 없는 상태로 고형화하기 때문에, 강한 배향을 가지지 않는다. 비결정성 수지는, 가압성형의 성형성이 양호하며, 성형 시의 열수축이 작다. 비결정성 수지는, 투명성이 높다. 결정성 수지로서는, 예를 들면, 폴리에틸렌텔레프탈레이트(PET)나 폴리프로필렌(PP) 등이다. 2) 수지층(100)은, Y-Y'방향 및 X-X'방향으로 2축 연신된 구성으로 하는 것이 가능하다. 이 경우, 모든 수지층(100)의 흐름방향(MD방향)이 일치하며, 또한, 모든 수지층(100)의 직각방향(TD방향)이 일치하고 있다. 직각방향은, 흐름방향에 대해서 직각이다. 도 1a 및 도 1b에서는, 흐름방향은 Y-Y'방향에 상당하고, 직각방향은 X-X'방향에 상당하고 있다.
3) 수지층(100)의 주재료는, 동종의 고분자재료이다. 4) 각 수지층(100)의 선팽창계수가, 4~15×10-5/℃이다. 예를 들면, 수지층(100)이 폴리카보네이트(PC)나 사이클로올레핀폴리머인 경우, 그 선팽창계수는 약 6.5×10-5/℃가 된다. 5) 터치 입력 장치(T1)가 사용되는 환경온도에 있어서, 수지층(100)이 열팽창에 의해 신장할 때, 또는, 열수축에 의해 수축할 때에, 서로 인접한 수지층(100)에 상대적으로 발생되는 전체 길이의 차이가, 서로 인접한 수지층(100) 사이의 접착층(200)의 Z-Z'방향의 치수(두께 치수)의 20% 이하로 되어 있다. 또한, 터치 입력 장치(T1)가 차량 탑재용일 경우, 환경온도는 ―40℃~85℃이며, 터치 입력 장치(T1)가 일반 가정용일 경우, 환경온도는 ―10℃~60℃이다. 또한, 환경온도는 적절하게 설정할 수 있으며, 앞에서 설명한 예에 한정되지 않는다. 5)의 경우, 이하의 5-1)~5-4) 중의 적어도 하나에 의해서 실현된다. 5-1) 수지층(100)의 재료에 대해서는, 선팽창계수 및 열수축이 근접한 것을 선정한다. 5-2) 접착층(200)의 Z-Z'방향의 치수(두께 치수)를 크게 한다. 5-3) 수지층(100)이 무연신필름으로 구성되어 있다. 이 경우 수지층(100)은 2축 연신된 구성으로 할 수 없으나, 다음의 구성으로 하는 것이 가능하다. 모든 수지층(100)의 흐름방향(MD방향)이 일치하며, 또한, 모든 수지층(100)의 직각방향(TD방향)이 일치하고 있다. 5-4) 수지층(100)의 압출성형 시의 조건을 콘트롤한다.
적어도 1개의 접착층(200)은, 상기한 바와 같이, 서로 인접한 수지층(100)을 접착하고 있다. 접착층(200)은, 예를 들면, 웨트 라미네이터 접착제, 드라이 라미네이터 접착제, 또는, 핫멜트 접착제 등으로 하는 것이 가능하다. 드라이 라미네이터 접착제로서는, 예를 들면, OCA(Optical Clear Adhesive: 등록상표)를 이용할 수 있다. 접착층(200)의 유리전이온도(Tg)는, 상기 환경온도 이상으로 하는 것이 가능하다. 또한, 터치 입력 장치(T1)가 차량 탑재용일 경우, 접착층(200)의 유리전이온도(Tg)는, 85℃ 이상이며, 터치 입력 장치(T1)가 일반 가정용일 경우, 접착층(200)의 유리전이온도(Tg)는 60℃ 이상이다. 또는, 접착층(200)이, 상기 환경온도의 범위 내에서, 점탄성을 가지는 구성으로 하는 것이 가능하다.
터치 입력 장치(T1)는, 표면형 정전용량(Surface Capacitive) 방식 및 투영형 정전용량(Projected Capacitive) 방식 중 어느 하나의 터치 패널로 하는 것이 가능하다.
터치 입력 장치(T1)는, 적어도 1개의 전극층(300)을 부가하여 구비하고 있다. 적어도 1개의 전극층(300)은 상기한 어느 하나의 정전용량 방식에 의해 검출대상(예를 들면, 손가락 또는 터치펜의 도체)의 가장 표면층에 대한 접근을 검출 가능한 전극층으로서, 수지층(100) 중의 적어도 1개의 수지층(100) 위에 형성되어 있으며, 또한, 접착층(200)에 의해서 접착된 서로 인접한 2개의 수지층(100) 사이에 배치되어 있다.
터치 입력 장치(T1)가 표면형 정전용량 방식의 터치 패널인 경우, 전극층(300)은 1개로 하는 것이 가능하다. 전극층(300)은 1개의 전극(310)을 가지고 있다. 이 경우, 전극(310)은, 투명도전막이다. 상기 투명도전막은, 예를 들면, ITO(산화인듐+산화주석), 또는, ATO(안티몬 주석 산화물) 등으로 구성되어 있으며, 또한, 검출대상의 가장 표면층에 대한 접근에 대응하여, 당해 전극(310)의 4개의 모서리부의 전계치가 변화하는 구성으로 되어 있다.
터치 입력 장치(T1)가 투영형 정전용량 방식의 터치 패널일 경우, 전극층(300)은 1개로 하는 것이 가능하다. 전극층(300)은 복수의 전극(310)을 가지고 있다. 이 경우, 전극(310)은 투명도전막 또는 도체이다. 상기 투명도전막은, 예를 들면, ITO(산화인듐+산화주석), CNT(카본나노튜브), IZO(산화인듐+산화아연), AZO(알루미늄이 도핑된 산화아연), 또는, 도전성 고분자(PEDOT 또는 PSS) 등으로 구성되어 있다. 상기 도체는, 예를 들면, 감광성 은, 은나노잉크, 은나노와이어, 증착 구리, 압연 구리, 또는, 구리나노잉크 등이다. 전극(310)이 수지층(100) 중의 적어도 1개의 수지층(100) 위에 서로 간격을 두고 형성되어 있다. 또한, 터치 입력 장치(T1)가 투영형 정전용량 방식일 경우, 자기 정전용량 방식 및 상호 정전용량 방식 중 어느 하나의 터치 패널로 하는 것이 가능하다.
터치 입력 장치(T1)가 자기 정전용량 방식의 터치 패널일 경우, 전극(310)은, 검출대상의 가장 표면층에 대한 접근에 대응하여, 당해 전극(310)과 검출대상과의 사이에 발생하는 정전용량이 변화하고, 정전용량의 변화에 대응하여, 전극(310)의 전기신호(전압 또는 전류)가 변화하는 구성으로 되어 있다. 또한, 터치 입력 장치(T1)는, 자기 정전용량 방식의 터치 스위치로 하는 것이 가능하다. 이 경우, 전극층(300)은 적어도 1개의 전극(310)을 가지고 있으면 된다.
터치 입력 장치(T1)가 상호 정전용량 방식의 터치 패널일 경우, 전극(310) 중, 서로 인접한 전극(310) 중의 한쪽이 구동전극(드라이브 전극)이고, 다른 한쪽이 검출전극(센서 전극)이 된다. 예를 들면, 도 1b에서는, 전극층(300)은, 도면에 나타낸 바와 같이, 왼쪽에서 오른쪽으로 제1열의 전극(310), 제2열의 전극(310), 제3열의 전극(310) 및 제4열의 전극(310)을 가지고 있으며, 제1열의 전극(310) 및 제3열의 전극(310)을 구동전극, 제2열의 전극(310) 및 제4열의 전극(310)을 검출전극으로 하는 것이 가능하다. 또는, 제1열의 전극(310) 및 제3열의 전극(310)을 검출전극, 제2열의 전극(310) 및 제4열의 전극(310)을 구동전극으로 하는 것도 가능하다. 서로 인접한 구동전극과 검출전극이 각각 정전결합되어 있다. 검출대상의 겁근에 대응하여, 서로 인접한 구동전극과 검출전극과의 사이에 발생하는 정전용량이 변화하고, 정전용량의 변화에 대응하여, 검출전극의 전기신호(전압 또는 전류)가 변화하는 구성으로 되어 있다. 또한, 터치 입력 장치(T1)가 상호 정전용량 방식의 터치 스위치로 하는 것이 가능하다. 이 경우, 전극층(300)은, 적어도 서로 인접한 2개의 전극(310)을 가지고 있으면 된다.
터치 입력 장치(T1)는, 도시하지 않은 검출부를 부가하여 가지고 있어도 된다. 터치 입력 장치(T1)가 표면형 정전용량 방식의 터치 패널일 경우, 검출부는, 전극(310)의 4개 모서리의 전계치의 변화를 검출하고, 가장 표면층에 대한 검출대상의 터치 위치를 검출 가능한 검출회로로 되어 있다. 터치 입력 장치(T1)가, 자기 정전용량 방식의 터치 패널, 또는, 자기 정전용량 방식의 터치 스위치일 경우, 검출부는, 전극(310)의 전기신호(전압 또는 전류)의 변화를 검출하고, 가장 표면층에 대한 검출대상의 터치 위치를 검출 가능한 검출회로로 되어 있다. 터치 입력 장치(T1)가, 상호 정전용량 방식의 터치 패널, 또는, 상호 정전용량 방식의 터치 스위치일 경우, 검출부는, 검출전극의 전기신호(전압 또는 전류)의 변화를 검출하고, 가장 표면층에 대한 검출대상의 터치 위치를 검출 가능한 검출회로로 되어 있다. 또한, 터치 입력 장치(T1)가 탑재되는 전자기기의 제어부가 검출부를 구비하고 있는 경우에는, 터치 입력 장치(T1)의 검출부는 생략 가능하다.
터치 입력 장치(T1)는, 복수의 리브(400)를 부가하여 구비하고 있어도 된다. 리브(400)는, 수지적층체(L1)의 가장 깊은 층 위에 고정 장착되어 있다. 리브(400)는, 예를 들면, 가장 깊은 층과 동일한 종류 또는 동일한 수지로 구성되어 있어도 되고, 동일한 종류 또는 동일한 수지를 포함하는 폴리머 알로이로 구성되어 있어도 된다. 이와 같은 소재로 리브(400)가 구성되어 있는 경우, 리브(400)와 가장 깊은 층과의 밀착성 및 상용성(相溶性)이 높아지므로, 양자가 강고하게 고정 장착된다. 리브(400)는 이 이외의 소재로 구성되어 있어도 된다. 리브(400)는, 상기 전자기기의 프레임이나 상기 전자기기 내의 표시장치 등에 장착 가능하다. 또한, 리브(400)는 생략 가능하다.
이하, 상기한 터치 입력 장치(T1)의 제조방법에 대하여 상세히 설명한다. 먼저, 복수 또는 복수 종류의 수지층(100)을 준비한다. 구체적으로는, 압출성형기를 이용하여 복수 또는 복수 종류의 용융수지를 시트형상 또는 필름형상으로 압출성형한다. 압출성형된 용융수지가 복수 또는 복수 종류의 수지층(100)이 된다. 용융수지는, 결정성 수지 및 비결정성 수지 중 어느 하나이어도 된다. 압출성형 시에, 용융수지가 Y-Y'방향 및 X-X'방향으로 2축 연신되어 있어도 된다. 용융수지의 주재료는, 동일한 종류의 고분자재료이어도 된다. 용융수지의 상기 선팽창계수로 하여도 된다. 상기 환경온도에 있어서, 수지층(100)이 열팽창에 의해 신장할 때, 또는, 열수축에 의해 수축할 때에, 서로 인접한 수지층(100)에 상대적으로 발생되는 전체 길이의 차이가, 서로 인접한 수지층(100) 사이의 접착층(200)의 Z-Z'방향의 치수(두께 치수)의 20% 이하가 되도록, 수지층(100)의 재료, 수지층(100)의 점도, 및/또는 수지층(100)의 압출성형 시의 조건 등이 설정되어 있어도 된다. 그 후, 압출성형된 수지층(100)에 대해서, 하드코트층, 안티글레어층, 반사방지층, 저반사층, 전극기재층, 보호층, 안티뉴턴층, 강도유지층, 오염 방지층, 위상차층(초고위상차층(SRF층)을 포함함), 및/또는 내지문처리층 등으로서의 기능을 부여하기 위한 각종 처리(예를 들면, 코팅처리 등)가 실시되어 있어도 된다. 이와 같이 하여 수지층(100)이 준비된다.
그 후, 수지층(100)의 적어도 1개의 수지층(100) 위에 전극층(300)의 전극(310)을 형성한다. 그러한 후, 수지층(100)을 접착층(200)에 의해 접합하여, 수지층(100)이 Z-Z'방향에서 적층된다. 이때, 전극층(300)이 Z-Z'방향에서 서로 인접한 수지층(100) 사이에 적층된다. 이 수지층(100)의 적층은, 각 수지층(100)의 흐름방향이 일치하고, 또한, 각 수지층(100)의 직각방향이 일치하도록, 수지층(100)을 적층하여도 된다. 이와 같이 하여, 전체가 평평한 수지적층체(L1)를 얻을 수 있다.
수지적층체(L1)의 전체가 상기한 평평한 것 이외의 형상일 경우, 수지적층체(L1)를 가열 연화시킨 후, 도시하지 않은 주형을 이용하여 수지적층체(L1)를 진공성형, 압공성형 또는 또는 프레스성형한다. 이로써, 수지적층체(L1)가 주형의 형상에 따라 변화한다(예를 들면, 수지적층체(L1)의 적어도 일부가 Y-Y'방향 및/또는 X-X'방향에 곡면형상으로 만곡되거나, 요철이 발생된다), 이와 같이 하여, 수지적층체(L1)에 형상 부여가 행해진다.
터치 입력 장치(T1)가 리브(400)를 구비하고 있는 경우, 리브(400)를 접착체나 양면테이프 등으로 평평한 수지적층체(L1), 또는, 형상 부여된 수지적층체(L1)의 가장 깊은 층에 고정 장착하여도 된다. 또는, 평평한 수지적층체(L1), 또는, 형상 부여된 수지적층체(L1)를 도시하지 않은 금형 안에 넣어서, 수지적층체(L1)의 가장 깊은 층 위에 리브(400)가 성형되도록 아웃서트 성형을 행하여도 된다. 이상과 같이, 터치 입력 장치(T1)가 제조된다.
이상과 같은 터치 입력 장치(T1)는 이하의 기술적 특징을 가지고 있다. 첫째, 서로 인접한 수지층(100)의 한쪽이 다른 한쪽으로부터 박리될 가능성이 억제된다. 그 이유는 이하와 같다. 터치 입력 장치(T1)의 모든 수지층(100)이 압출성형에 의해서 제작되어 있다. 이 수지층(100)이 Z-Z'방향에서 적층될 때에. 서로 인접한 수지층(100)이 접착층(200)에 의해서 접착되어 있다. 이 때문에, 적층 후, 수지층(100)이 성형수축되지 않으므로, 이 성형수축에 의해 수지층(100)에 응력이 발생되지 않는다. 또, 수지층(100)이 비결정성 수지로 구성되어 있는 경우, 수지층(100)의 팽창 및/또는 수축이 억제된다. 또한, 일반적으로, 압출성형된 수지층(100)의 열수축은, 흐름방향에 있어서 상위하고, 직각방향에 있어서 대략 상위하지 않은(즉, 실질적으로 제로(0) 부근임) 것이 많다. 따라서, 수지층(100)의 흐름방향이 일치하고, 또한, 수지층(100)의 직각방향이 일치되고 있음으로써, 수지층(100)의 열수축의 상위에 의해서, 서로 인접한 수지층(100)이 박리될 가능성을 저감할 수 있다. 또, 수지층(100)의 주재료는, 동종의 고분자재료인 경우, 수지층(100)의 팽창량 및 수축량이 근접하게 된다. 또한, 수지층의 선팽창계수가 상기와 같을 경우, 수지층(100)의 팽창량 및 수축량이 근접하게 된다. 상기 환경온도 하에서, 수지층(100)이 열팽창에 의해 신장할 때, 또는, 열수축에 의해 수축할 때에, 서로 인접한 수지층(100)에 상대적으로 발생되는 전체 길이의 차이가, 서로 인접한 수지층(100) 사이의 접착층(200)의 Z-Z'방향의 치수(두께 치수)의 20% 이하인 경우, 터치 입력 장치(T1)가 환경온도 하에서 사용되며, 서로 인접한 수지층(100)이 열팽창 및/또는 열수축하였다고 하여도, 접착층(200)이, 열팽창 및/또는 열수축된 수지층(100)에 추종할 수 있다. 또, 접착층(200)의 유리전이온도(Tg)가 상기 환경온도 이상일 경우, 접착층(200)이 환경온도 하에서 고형화 상태로 되므로, 접착층(200)에 의해서 서로 인접한 수지층(100)이 강고하게 접착된다. 또는, 수지층(100)이 환경온도의 범위 내에서, 점탄성을 가지는 경우, 접착층(200)이 환경온도 하에서 연화 상태로 되므로, 접착층(200)에 의해서 서로 인접한 수지층(100)이 수지층(100)에 발생하는 박리 응력에 대응하여 추종한다.
둘째, 터치 입력 장치(T1)의 수지적층체(L1)의 수지층(100)은, 사출성형되지 않으므로, 사출성형용의 금형과 수지층(100)과의 사이에 이물이 혼입되지 않는다. 셋째, 터치 입력 장치(T1)의 수지적층체(L1)의 변형이 적어지고, 또한, 수지적층체(L1)의 리타데이션 값이 작아진다. 다시 말하면, 각 수지층(100)에 있어서, 복굴절의 편재나 얼룩이 적어진다. 따라서, 터치 입력 장치(T1)가 편광판(편광 선글라스 등)을 개재하여 육안 인식될 경우에도, 수지적층체(L1)에 무지개빛 얼룩이 발생되기 어렵게 된다.
특히, 터치 입력 장치(T1)가 자동차의 인스트루먼트 패널(instrument panel) 등의 습열 환경 하(상기 환경온도 하)에서 사용될 경우, 수지적층체(L1) 전체가 평평한 것 이외의 형상일 경우, 수지적층체(L1)가 대면적(200~20000cm2)인 경우, 상기한 기술적 특징이 현저하게 된다.
이하, 본 발명의 실시예 2에 관한 터치 입력 장치(T2)에 대하여, 도 2a 및 도 2b를 참조하면서 설명한다. 터치 입력 장치(T2)는, 상호 정전용량 방식의 터치 패널로서, 다음의 상이점 이외는, 터치 입력 장치(T1)와 동일한 구성으로 되어 있다. 상위점 1) 터치 입력 장치(T2)는, 전극층(300)을 대신하여, 제1전극층(300a) 및 제2전극층(300b)을 구비하고 있다. 상위점 2) 수지적층체(L2)의 복수 또는 복수 종류의 수지층(100')이, 제1수지층 및 제2수지층을 포함하고 있다. 상위점 3) 수지적층체(L2)의 접착층(200)이 복수이다. 이하, 이들 상위점에 대해서만 상세히 설명하고, 터치 입력 장치(T2)의 설명 중, 터치 입력 장치(T1)와 중복되는 것에 대하여는 생략한다. 또한, 도 2a에 나타내는 Z-Z'방향은, 터치 입력 장치(T2)의 수지적층체(L2)의 두께방향에 상당하고, 또한, 특허청구범위의 제1방향에 상당한다. 도 2a 및 도 2b에 나타내는 Y-Y'방향은, 터치 입력 장치(T2)의 수지적층체(L2)의 길이방향에 상당한다. Y-Y'방향은 Z-Z'방향과 직교하고 있다. 도 2b에 나타내는 X-X'방향은, 터치 입력 장치(T2)의 수지적층체(L2)의 짧은 길이방향에 상당한다. X-X'방향은, Z-Z'방향 및 Y-Y'방향과 직교하고 있다.
수지층(100')은, 실시예 1의 수지층(100)과 동일한 구성으로 하는 것이 가능하다. 수지층(100')은, 수지층(100a), 수지층(100b)(제1수지층), 수지층(100c)(제2수지층) 및 수지층(100d)을 포함하고 있다. 수지층(100')은, 수지층(100a~100d) 이외의 수지층을 부가하여 포함하고 있어도 된다. 수지층(100')은, Z-Z'방향에 적층되어 있다. 서로 인접한 수지층(100')은, 접착층(200)에 의해서 접착되어 있다. 수지층(100a), 수지층(100b), 수지층(100c) 및 수지층(100d)은, 이 순서로 Z-Z'방향에 적층되어 있다. 서로 인접한 수지층(100a)과 수지층(100b)이 접착층(200)에 의해서 접착되어 있다. 서로 인접한 수지층(100b)과 수지층(100c)이 다른 접착층(200)에 의해서 접착되어 있다. 서로 인접한 수지층(100c)과 수지층(100d)이 또 다른 접착층(200)에 의해서 접착되어 있다. 도 2a 및 도 2b에서는, 수지층(100a)이 가장 표면층이고, 수지층(100d)이 가장 깊은 층이다.
수지층(100a)은, 보호층의 기능 부여 처리가 된 구성으로 하는 것이 가능하다. 이 수지층(100a)은, 하드코트층, 안티글레어층, 반사방지층, 저반사층, 안티뉴턴층, 강도유지층, 오염 방지층, 위상차층(초고위상차층(SRF층)을 포함함), 및/또는 내지문처리층 등의 기능 부여 처리가 부가하여 이루어진 구성으로 하는 것이 가능하다. 수지층(100a)에는, 데커레이션　프린팅이 행하여져 있어도 된다.
수지층(100b) 및 수지층(100c)은, 전극기재층의 기능 부여 처리가 된 구성으로 하는 것이 가능하다. 수지층(100b) 및 수지층(100c)은, 하드코트층, 안티글레어층, 반사방지층, 저반사층, 안티뉴턴층, 오염 방지층, 위상차층(초고위상차층(SRF층)을 포함함), 및/또는 내지문처리층 등의 기능 부여 처리가 부가되어 이루어진 구성으로 하는 것이 가능하다.
수지층(100d)은, 강도유지층의 기능 부여 처리가 된 구성으로 하는 것이 가능하다. 수지층(100d)은, 하드코트층, 안티글레어층, 반사방지층, 저반사층, 보호층, 안티뉴턴층, 오염 방지층, 위상차층(초고위상차층(SRF층)을 포함함), 및/또는 내지문처리층 등의 기능 부여 처리가 부가되어 이루어진 구성으로 하는 것이 가능하다.
제1전극층(300a)은, 복수의 제1전극(310a)를 가지고 있다. 제1전극(310a)은, Y-Y'방향으로 뻗은 투명도전막 또는 도체로서, 수지층(100b) 위에 X-X'방향으로 간격을 두고 형성되어 있다. 이 제1전극(310a)이 서로 인접한 수지층(100a)과 수지층(100b) 사이에 배치되어 있다. 제2전극층(300b)은, 복수의 제2전극(310b)을 가지고 있다. 제2전극(310b)은, X-X'방향으로 뻗은 투명도전막 또는 도체로서, 수지층(100c) 위에 Y-Y'방향으로 간격을 두고 형성되어 있다. 제2전극(310b)이 서로 인접한 수지층(100b)과 수지층(100c) 사이에 배치되어 있다. 제1전극(310a) 및 제2전극(310b)은 Z-Z'방향의 다른 높이 위치에서 서로 교차하고 있다. 제1전극(310a) 및 제2전극(310b) 중의 어느 한쪽이 구동전극(드라이브 전극)이며, 다른 한쪽이 검출전극(센서 전극)이다. 상기 투명도전막은, ITO(산화인듐+산화주석), CNT(카본나노튜브), IZO(산화인듐+산화아연), AZO(알루미늄이 도핑된 산화아연), 또는, 도전성 고분자(PEDOT 또는 PSS) 등으로 구성되어 있다. 상기 도체는, 감광성 은이나 그래피 오프셋 등으로 제작된 선폭 15μm 이하의 금속(예를 들면, Ag, Cu), 은나노잉크, 은나노와이어, 메탈와이어, 증착 구리, 압연 구리, 또는, 구리나노잉크 등으로 구성된 도체이다.
상기한 한 터치 입력 장치(T2)의 제조방법은, 다음과 같이 제조된다. 터치 입력 장치(T1)의 제조방법의 수지층(100)과 마찬가지로, 복수 또는 복수 종류의 수지층(100')(수지층(100a~100d))을 준비한다.
그 후, 수지층(100b) 위에 제1전극층(300a)의 제1전극(310a)을 X-X'방향에 간격을 두고 형성한다. 수지층(100c) 위에 제2전극층(300b)의 제2전극(310b)을 Y-Y'방향에 간격을 두고 형성한다.
그러한 후, 제1전극층(300a)이 수지층(100a)과 수지층(100b) 사이에 배치되도록 수지층(100a)과 수지층(100b)을 접착층(200)에 의해 접합하여, 제2전극(310b)이 수지층(100b)과 수지층(100c) 사이에 배치되도록 수지층(100b)과 수지층(100c)을 접착층(200)에 의해 접합하고, 또한, 수지층(100c)과 수지층(100d)을 접착층(200)에 의해 접합한다. 이로써, 수지층(100a~100d)이 Z-Z'방향에서 적층된다. 이 수지층(100a~100d)의 적층에서는, 수지층(100a~100d)의 흐름방향이 일치하고, 또한, 수지층(100a~100d)의 직각방향이 일치하도록, 수지층(100a~100d)을 적층하여도 된다. 이와 같이 하여, 전체가 평평한 수지적층체(L2)를 얻을 수 있다.
수지적층체(L2)에 대해서도, 터치 입력 장치(T1)의 제조방법과 마찬가지로 형상 부여를 실시하는 것이 가능하다. 터치 입력 장치(T2)가 리브(400)를 구비하고 있는 경우, 리브(400)를 터치 입력 장치(T1)의 제조방법과 마찬가지로, 수지적층체(L2)에 고정 장착(아웃서트 성형을 포함함)하면 된다. 이상과 같이, 터치 입력 장치(T2)가 제조된다.
이상과 같은 터치 입력 장치(T2)는, 터치 입력 장치(T1)와 동일한 기술적 특징을 가지고 있다.
이하, 본 발명의 실시예 3에 관한 터치 입력 장치(T3)에 대하여, 도 3을 참조하면서 설명한다. 터치 입력 장치(T3)는, 상호 정전용량 방식의 터치 패널로서, 다음의 상이점 이외는, 터치 입력 장치(T2)와 동일한 구성으로 되어 있다. 상위점 1) 제1전극층(300a)이 제1수지층의 제1면(101b') 위에 형성되고, 또한, 제2전극층(300b)이 제1수지층의 제2면(102b') 위에 형성되어 있다. 상위점 2) 수지적층체(L2)의 복수 또는 복수 종류의 수지층(100'')이 제1수지층을 포함하며, 제2수지층을 포함하고 있지 않다. 이하, 이들의 상위점에 대해서만 상세히 설명하고, 터치 입력 장치(T3)의 설명 중, 터치 입력 장치(T2)와 중복되는 것에 대하여는 생략한다. 또한, 도 3에는, Z-Z'방향 및 Y-Y'방향이, 터치 입력 장치(T2)와 동일하게 표시되어 있다. X-X'방향에 대해서는, 도 2b를 차용하여 참조한다.
수지층(100'')은, 실시예 1의 수지층(100)과 동일한 구성으로 하는 것이 가능하다. 수지층(100'')은, 수지층(100a'), 수지층(100b')(제1수지층) 및 수지층(100c')을 포함하고 있다. 수지층(100'')은, 수지층(100a'~100c') 이외의 수지층을 부가하여 포함하고 있어도 된다. 수지층(100'')은, Z-Z'방향에 적층되어 있다. 서로 인접한 수지층(100'')은, 접착층(200)에 의해서 접착되어 있다. 수지층(100a'), 수지층(100b') 및 수지층(100c')은, 이 순서로 Z-Z'방향에 적층되어 있다. 서로 인접한 수지층(100a')과 수지층(100b')이 접착층(200)에 의해서 접착되어 있다. 서로 인접한 수지층(100b')과 수지층(100c')이 다른 접착층(200)에 의해서 접착되어 있다. 도 3에서는, 수지층(100a')이 가장 표면층이고, 수지층(100c')가 가장 깊은 층이다.
수지층(100a')은, 터치 입력 장치(T2)의 수지층(100a)과 동일한 구성으로 하는 것이 가능하다. 수지층(100c')은, 터치 입력 장치(T2)의 수지층(100d)과 동일한 구성으로 하는 것이 가능하다.
수지층(100b')은, 다음의 점을 제외하고, 터치 입력 장치(T2)의 수지층(100b)과 동일한 구성으로 하는 것이 가능하다. 수지층(100b')은, Z'방향의 제1면(101b')과, Z방향의 제2면(102b')을 가지고 있다.
터치 입력 장치(T3)의 제1전극층(300a)은, 제1전극(310a)이 수지층(100b')의 제1면(101b') 위에 형성되어 있는 이외는, 터치 입력 장치(T2)의 제1전극층(300a)과 동일한 구성이다. 터치 입력 장치(T3)의 제2전극층(300b)은, 제2전극(310b)이 수지층(100b')의 제2면(102b') 위에 형성되어 있는 이외는, 터치 입력 장치(T2)의 제2전극층(300b)과 동일한 구성이다.
상기한 한 터치 입력 장치(T3)의 제조방법은, 다음과 같이 제조된다. 터치 입력 장치(T1)의 제조방법의 수지층(100)과 마찬가지로, 복수 또는 복수 종류의 수지층(100'')(수지층(100a'~100c')을 준비한다.
그 후, 수지층(100b')의 제1면(101b') 위에 제1전극층(300a)의 제1전극(310a)을 X-X'방향에 간격을 두고 형성한다. 수지층(100b')의 제2면(102b') 위에 제2전극층(300b)의 제2전극(310b)을 Y-Y'방향에 간격을 두고 형성한다.
그러한 후, 제1전극층(300a)이 수지층(100a')과 수지층(100b') 사이에 배치되도록 수지층(100a')과 수지층(100b')을 접착층(200)에 의해 접합하고, 또한, 제2전극층(300b)이 수지층(100b')과 수지층(100c') 사이에 배치되도록 수지층(100b')과 수지층(100c')을 접착층(200)에 의해 접합한다. 이로써, 수지층(100a'~100c')가 Z-Z'방향에서 적층된다. 이 수지층(100a'~100c')의 적층에서는, 수지층(100a'~100c')의 흐름방향이 일치하고, 또한, 수지층(100a'~100c')의 직각방향이 일치하도록, 수지층(100a'~100c')을 적층하여도 된다. 이와 같이 하여, 전체가 평평한 수지적층체(L3)를 얻을 수 있다.
수지적층체(L3)에 대해서도, 터치 입력 장치(T1)의 제조방법과 마찬가지로 형상 부여를 실시하는 것이 가능하다. 터치 입력 장치(T3)가 리브(400)를 구비하고 있는 경우, 리브(400)를 터치 입력 장치(T1)의 제조방법과 마찬가지로, 수지적층체(L3)에 고정 장착(아웃서트 성형을 포함함)하면 된다. 이상과 같이, 터치 입력 장치(T3)가 제조된다.
이상과 같은 터치 입력 장치(T3)는, 터치 입력 장치(T1)와 동일한 기술적 특징을 가지고 있다.
이하, 본 발명의 실시예 4에 관한 터치 입력 장치(T4)에 대하여, 도 4를 참조하면서 설명한다. 터치 입력 장치(T4)는, 상호 정전용량 방식의 터치 패널로서, 다음의 상이점 이외는, 터치 입력 장치(T2)와 동일한 구성으로 되어 있다. 상위점 1) 터치 입력 장치(T4)가 절연층(500)을 부가하여 구비하고 있다. 상위점 2) 제1전극층(300a), 절연층(500) 및 제2전극층(300b)이 제1수지층 위에 Z-Z'방향에서 적층되어 있다. 상위점 3) 수지적층체(L3)의 복수 또는 복수 종류의 수지층(100''')이 제1수지층을 포함하고 있으며, 제2수지층을 포함하고 있지 않다. 이하, 이들의 상위점에 대해서만 상세히 설명하고, 터치 입력 장치(T4)의 설명 중, 터치 입력 장치(T2)와 중복되는 것에 대하여는 생략한다. 또한, 도 4에는, Z-Z'방향 및 Y-Y'방향이, 터치 입력 장치(T2)와 동일하게 표시되어 있다. X-X'방향에 대해서는, 도 2b를 차용하여 참조한다.
수지층(100''')은, 실시예 1의 수지층(100)과 동일한 구성으로 하는 것이 가능하다. 수지층(100''')은, 수지층(100a'') 및 수지층(100b')(제1수지층)을 포함하고 있다. 수지층(100''')은, 수지층(100a'') 및 수지층(100b') 이외의 수지층을 부가하여 포함하고 있어도 된다. 수지층(100''')은, Z-Z'방향에 적층되어 있다. 서로 인접한 수지층(100''')은, 접착층(200)에 의해서 접착되어 있다. 수지층(100a'') 및 수지층(100b'')은, 이 순서로 Z-Z'방향에 적층되어 있다. 서로 인접한 수지층(100a'')과 수지층(100b'')이 접착층(200)에 의해서 접착되어 있다. 도 4에서는, 수지층(100a'')이 가장 표면층이고, 수지층(100b'')이 가장 깊은 층이다.
수지층(100a'')은, 터치 입력 장치(T2)의 수지층(100a)과 동일한 구성으로 하는 것이 가능하다. 수지층(100b'')은, 전극기재층 및 강도유지층의 기능 부여 처리가 된 구성으로 하는 것이 가능하다. 수지층(100b'')는, 하드코트층, 안티글레어층, 반사방지층, 저반사층, 보호층, 안티뉴턴층, 오염 방지층, 위상차층(초고위상차층(SRF층)을 포함함), 및/또는 내지문처리층 등의 기능 부여 처리가 부가되어 이루어진 구성으로 하는 것이 가능하다.
터치 입력 장치(T4)의 제1전극층(300a)은, 제1전극(310a)이 수지층(100b'') 위에 형성되어 있는 이외는, 터치 입력 장치(T2)의 제1전극층(300a)과 동일한 구성이다. 절연층(500)은, 제1전극층(300a)을 덮도록 제1전극층(300a) 위에 형성되어 있다. 제2전극층(300b)은, 제2전극(310b)이 절연층(500) 위에 형성되어 있는 이외는, 실시예 2의 제2전극층(300b)과 동일한 구성이다. 제1전극층(300a), 절연층(500) 및 제2전극층(300b)이 서로 인접한 수지층(100a'')과 수지층(100b'')과의 사이에 배치되어 있다.
절연층(500)은, 투광성을 가지고 있어도 되고, 불투명하여도 된다. 전자의 경우, 절연층(500)은, 투명하여도 된다. 수지층(100)은, 가소성을 가지고 있어도 되고, 가지고 있지 않아도 된다.
상기한 터치 입력 장치(T4)의 제조방법은, 다음과 같이 제조된다. 터치 입력 장치(T1)의 제조방법의 수지층(100)과 마찬가지로, 복수 또는 복수 종류의 수지층(100''')(수지층(100a'' 및 100b''))을 준비한다.
그 후, 수지층(100b'') 위에 제1전극층(300a)의 제1전극(310a)을 X-X'방향에 간격을 두고 형성한다. 제1전극층(300a)을 덮도록 제1전극층(300a) 위에 절연층(500)을 형성한다. 절연층(500) 위에, 제2전극층(300b)의 제2전극(310b)을 Y-Y'방향에 간격을 두고 형성한다.
그러한 후, 제1전극층(300a), 절연층(500) 및 제2전극층(300b)이 수지층(100a'')과 수지층(100b'') 사이에 배치되도록, 수지층(100a'')과 수지층(100b'')을 접착층(200)에 의해 접합한다. 이로써, 수지층(100a'') 및 수지층(100b'')이 Z-Z'방향에서 적층된다. 이 수지층(100a'') 및 수지층(100b'')의 적층에서는, 수지층(100a'') 및 수지층(100b'')의 흐름방향이 일치하고, 또한, 수지층(100a'') 및 수지층(100b'')의 직각방향이 각각 일치하도록, 수지층(100a'') 및 수지층(100b'')을 적층하여도 된다. 이와 같이 하여, 전체가 평평한 수지적층체(L4)를 얻을 수 있다.
수지적층체(L4)에 대해서도, 터치 입력 장치(T1)의 제조방법과 마찬가지로 형상 부여를 실시하는 것이 가능하다. 터치 입력 장치(T4)가 리브(400)를 구비하고 있는 경우, 리브(400)를 터치 입력 장치(T1)의 제조방법과 마찬가지로, 수지적층체(L4)에 고정 장착(아웃서트 성형을 포함함)하면 된다. 이상과 같이, 터치 입력 장치(T4)가 제조된다.
이상과 같은 터치 입력 장치(T4)는, 터치 입력 장치(T1)와 동일한 기술적 특징을 가지고 있다.
또한, 상기한 터치 입력 장치는, 상기 실시예에 한정되는 것이 아니며, 특허청구범위의 기재 범위에 있어서 임으로 설계 변경하는 것이 가능하다. 이하, 상세히 설명한다.
본 발명의 전극층은 생략 가능하다. 이 경우, 본 발명의 수지적층체는, 터치 입력 장치의 수지적층체에 한정되지 않고, 다른 용도로 사용 가능하다. 예를 들면, 본 발명의 수지적층체의 수지층 사이에 아무것도 형성되어 있지 않은 구성으로 하는 것이 가능하며, 수지적층체의 수지층 사이에, 전극층 이외의 시트형상의 센서, 표시장치(예를 들면, 유기EL디스플레이 등), 조명장치, 데커레이션, 투영스크린, 히터, 전자실드, 미러, 압전소자, 완충재, 통신장치(예를 들면, 안테나 등), 발전장치(예를 들면, 태양전지 등), 살균장치(예를 들면, UV발광장치, 열원 등), 또는, 전자회로 등이 배치되는 구성으로 하는 것이 가능하다. 이와 같이 본 발명은, 자동차의 인스트루먼트 패널 이외에도 적응 가능하다.
또한, 상기 실시예 및 설계 변형예에 있어서의 본 발명의 각 구성요소를 구성하는 소재, 형상, 치수, 숫자 및 배치 등은 그 일례를 설명한 것으로서, 이와 같은 기능을 실현할 수 있는 한, 임의로 설계 변경하는 것이 가능하다. 상기한 실시예 및 설계 변경예는, 서로 모순되지 않는 한, 상호 조합시키는 것이 가능하다.
T1: 터치 입력 장치
L1: 수지적층체
100: 수지층
200: 접착층
300: 전극층
310: 전극
400: 리브
T2: 터치 입력 장치
L2: 수지적층체
100': 수지층
100a~100d: 수지층
200: 접착층
300a: 제1전극층
310a: 제1전극
300b: 제2전극층
310b: 제2전극
400: 리브
T3: 터치 입력 장치
L3: 수지적층체
100'': 수지층
100a'~100c': 수지층
101b': 제1면
102b': 제2면
200: 접착층
300a: 제1전극층
310a: 제1전극
300b: 제2전극층
310b: 제2전극
400: 리브
T4: 터치 입력 장치
L4: 수지적층체
100''': 수지층
100a''~100b'': 수지층
200: 접착층
300a: 제1전극층
310a: 제1전극
300b: 제2전극층
310b: 제2전극
400: 리브
500: 절연층

Claims (14)

  1. 제1방향으로 적층된 복수 또는 복수 종류의 수지층과,
    상기 수지층 중 상기 제1방향에서 서로 인접한 수지층을 접착시키는 접착층을 구비한 수지적층체로서,
    상기 수지적층체는, 상기 수지층의 전체가 압출성형된 구성이며, 압출성형된 상기 수지층 이외의 수지층을 구비하고 있지 않으며,
    상기 수지층의 선팽창계수가 4~15×10-5/℃이고,
    ―40℃~85℃에 있어서, 상기 수지층이 열팽창에 의해 신장할 때, 또는, 열수축에 의해 수축할 때에, 상기 서로 인접한 수지층의 사이에 상대적으로 발생되는, 상기 수지층의 길이 방향(Y-Y'방향)의 전체 길이의 차이가, 상기 서로 인접한 수지층의 상기 접착층의 두께 치수의 20% 이하인 수지적층체.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 복수 또는 복수 종류의 수지층의 모두는, 비결정성 수지로 구성되어 있는 수지적층체.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 복수 또는 복수 종류의 수지층 모두의 흐름방향이 일치하고, 또한, 상기 복수 또는 복수 종류의 수지층 모두의 직각방향이 일치되어 있으며,
    상기 직각방향은, 상기 흐름방향에 대해서 직각인 수지적층체.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 수지층의 재료는, 동종의 고분자재료인 수지적층체.
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 접착층의 유리전이온도는, 60℃이상인 수지적층체.
  8. 제1항 또는 제2항에 기재된 수지적층체와,
    상기 수지층 중의 적어도 1개의 수지층 위에 형성되어 있으며, 또한, 상기 서로 인접한 수지층 사이에 배치된 전극층을 구비한 터치 입력 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 수지층은, 제1수지층 및 제2수지층을 포함하고 있고,
    상기 전극층은, 제1전극층 및 제2전극층을 포함하고 있으며,
    상기 제1전극층은 상기 제1수지층 위에 형성되고,
    상기 제2전극층은 상기 제2수지층 위에 형성되어 있는 터치 입력 장치.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 수지층은, 제1수지층을 포함하고 있고, 상기 제1수지층은, 상기 제1방향의 한쪽의 제1면과, 상기 제1방향의 다른 한쪽의 제2면을 가지고 있으며,
    상기 전극층은, 제1전극층 및 제2전극층을 포함하고 있고,
    상기 제1전극층은 상기 제1수지층의 상기 제1면 위에 형성되어 있으며,
    상기 제2전극층은 상기 제1수지층의 상기 제2면 위에 형성되어 있는 터치 입력 장치.
  11. 제8항에 있어서,
    절연층을 부가하여 구비하고 있고,
    상기 수지층은, 제1수지층을 포함하고 있으며,
    상기 전극층은, 제1전극층 및 제2전극층을 포함하고 있고,
    상기 제1전극층은, 상기 제1수지층 위에 형성되어 있으며,
    상기 절연층은, 상기 제1전극층을 덮도록 상기 제1전극층 위에 형성되어 있고,
    상기 제2전극층은, 상기 절연층 위에 형성되어 있는 터치 입력 장치.
  12. 제8항에 있어서,
    상기 수지적층체에 고정 장착된 리브를 부가하여 구비한 터치 입력 장치.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 수지층은, 가장 상기 제1방향의 한쪽에 위치하는 가장 표면층과, 가장 상기 제1방향의 다른 한쪽에 위치하는 가장 깊은 층을 포함하고,
    상기 리브는, 상기 가장 깊은 층과 동종의 수지, 동일한 수지, 동종의 수지를 포함하는 폴리머 알로이, 또는, 동일한 수지를 포함하는 폴리머 알로이로 구성되어 있으며, 또한, 상기 가장 깊은 층에 아웃서트 성형된 구성인 터치 입력 장치.
  14. 제8항에 있어서,
    상기 수지층의 적어도 1개의 리타데이션 값이, 3000~30000nm인 터치 입력 장치.
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