KR102365806B1 - 전압 검출 회로 - Google Patents

전압 검출 회로 Download PDF

Info

Publication number
KR102365806B1
KR102365806B1 KR1020150170074A KR20150170074A KR102365806B1 KR 102365806 B1 KR102365806 B1 KR 102365806B1 KR 1020150170074 A KR1020150170074 A KR 1020150170074A KR 20150170074 A KR20150170074 A KR 20150170074A KR 102365806 B1 KR102365806 B1 KR 102365806B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
voltage
detection circuit
voltage detection
output
current
Prior art date
Application number
KR1020150170074A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20160070004A (ko
Inventor
마사카즈 스기우라
Original Assignee
에이블릭 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 에이블릭 가부시키가이샤 filed Critical 에이블릭 가부시키가이샤
Publication of KR20160070004A publication Critical patent/KR20160070004A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102365806B1 publication Critical patent/KR102365806B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K5/00Manipulating of pulses not covered by one of the other main groups of this subclass
    • H03K5/22Circuits having more than one input and one output for comparing pulses or pulse trains with each other according to input signal characteristics, e.g. slope, integral
    • H03K5/24Circuits having more than one input and one output for comparing pulses or pulse trains with each other according to input signal characteristics, e.g. slope, integral the characteristic being amplitude
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R19/00Arrangements for measuring currents or voltages or for indicating presence or sign thereof
    • G01R19/0084Arrangements for measuring currents or voltages or for indicating presence or sign thereof measuring voltage only
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K5/00Manipulating of pulses not covered by one of the other main groups of this subclass
    • H03K5/22Circuits having more than one input and one output for comparing pulses or pulse trains with each other according to input signal characteristics, e.g. slope, integral
    • H03K5/24Circuits having more than one input and one output for comparing pulses or pulse trains with each other according to input signal characteristics, e.g. slope, integral the characteristic being amplitude
    • H03K5/2472Circuits having more than one input and one output for comparing pulses or pulse trains with each other according to input signal characteristics, e.g. slope, integral the characteristic being amplitude using field effect transistors
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R19/00Arrangements for measuring currents or voltages or for indicating presence or sign thereof
    • G01R19/165Indicating that current or voltage is either above or below a predetermined value or within or outside a predetermined range of values
    • G01R19/16566Circuits and arrangements for comparing voltage or current with one or several thresholds and for indicating the result not covered by subgroups G01R19/16504, G01R19/16528, G01R19/16533
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R19/00Arrangements for measuring currents or voltages or for indicating presence or sign thereof
    • G01R19/18Arrangements for measuring currents or voltages or for indicating presence or sign thereof using conversion of DC into AC, e.g. with choppers
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R27/00Arrangements for measuring resistance, reactance, impedance, or electric characteristics derived therefrom
    • G01R27/02Measuring real or complex resistance, reactance, impedance, or other two-pole characteristics derived therefrom, e.g. time constant
    • G01R27/08Measuring resistance by measuring both voltage and current

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Measurement Of Current Or Voltage (AREA)
  • Control Of Voltage And Current In General (AREA)

Abstract

(과제) 전원 기동 직후에 있어서의 출력 트랜지스터의 의도하지 않은 온 오프 제어를 회피한 전압 검출 회로를 제공한다.
(해결수단) 피검출 전압과 기준 전압을 비교하는 비교기와, 비교기의 출력에 기초하여 출력 트랜지스터를 구동시키는 인버터를 구비하고, 인버터의 동작 전류를 전류원에 의해 부여하는 구성으로 하였다.

Description

전압 검출 회로{VOLTAGE DETECTION CIRCUIT}
본 발명은, 소정의 전압을 검출하는 전압 검출 회로에 관한 것이다.
도 4 에, 종래의 전압 검출 회로를 나타낸다. 종래의 전압 검출 회로는, 피검출 전압 (VSIG) 이 입력되는 전압 입력 단자 (401) 와, 전압 출력 단자 (407) 와, 피검출 전압 (VSIG) 을 분압하여 출력하는 저항 (402 및 403) 과, 기준 전압 (VREF) 을 출력하는 기준 전압 회로 (404) 와, 피검출 전압 (VSIG) 에 기초하는 전압과 기준 전압 (VREF) 을 비교하는 비교기 (405) 를 구비한 비교 기능부 (410) 와, 비교 기능부 (410) 에 의해 온 오프 제어되는 출력 트랜지스터 (406) 를 구비하고 있다.
출력 트랜지스터 (406) 의 드레인 단자는, 전압 출력 단자 (407) 에 접속되고, 전압 출력 단자 (407) 는, 도시되지 않은 풀업 저항에 의해, 외부 전압으로 풀업된다.
피검출 전압 (VSIG) 과 기준 전압 (VREF) 의 대소 관계에 기초하여, 출력 트랜지스터 (406) 는 온 오프 제어되고, 부 (負) 의 전원 전압 (VSS) 또는 외부 전압에 기초하는 전압을 출력한다.
일본 공개특허공보 평11-135732호
그러나, 도 4 에 나타내는 종래의 전압 검출 회로에서는, 전원 투입시에 있어서, 의도치 않게 출력 트랜지스터 (406) 를 온 오프 제어하여, 전압 출력 단자 (407) 로부터의 출력 전압이 일정하지 않게 되는 것 등의 문제가 있었다.
비교기 (405) 는, 도시되지 않은 정 (正) 의 전원 전압 (VDD) 에 의해 동작한다. 전원 투입시에 있어서, 전원 전압 (VDD) 이 비교기 (405) 의 동작 전압에 도달해 있지 않을 때, 비교기 (405) 의 출력은 일정하지 않게 된다. 그 때문에, 의도치 않게 출력 트랜지스터 (406) 를 온 오프 제어하여, 전압 출력 단자 (407) 로부터의 출력 전압이 일정하지 않게 된다는 경우가 있었다.
전원 투입시에 있어서는, 전압 출력 단자 (407) 의 전압을 받아 동작하는 각종 디바이스의 오동작을 방지하기 위하여, 전압 출력 단자 (407) 에 검출 전압이 출력되지 않는 것이 바람직하다.
본 발명은, 이상과 같은 문제를 해소하기 위하여 이루어진 것이며, 전원 투입시에 있어서도 출력 전압이 안정적인 전압 검출 회로를 제공하는 것이다.
종래의 과제를 해결하기 위하여, 본 발명의 전압 검출 회로는 이하와 같은 구성으로 하였다.
피검출 전압과 기준 전압을 비교하는 비교기와, 비교기의 출력에 기초하여 출력 트랜지스터를 구동시키는 인버터를 구비하고, 인버터의 동작 전류를 전류원에 의해 부여하는 구성으로 하였다.
상기 구성에 의해, 전원 투입시의 소정 기간, 비교기의 출력에 상관없이 인버터의 출력은 정의 전원 전압 (VDD) 혹은 부의 전원 전압 (VSS) 에 고정되고, 전압 출력 단자의 전압이 일정해진다.
본 발명의 전압 검출 회로에 의하면, 전원 투입시에 있어서의 출력 트랜지스터의 의도하지 않은 온 오프 제어를 회피한 전압 검출 회로를 제공하는 것이 가능해진다.
도 1 은 본 실시형태의 전압 검출 회로를 나타내는 회로도이다.
도 2 는 본 실시형태의 전압 검출 회로를 나타내는 회로도이다.
도 3 은 본 실시형태의 전압 검출 회로를 나타내는 회로도이다.
도 4 는 종래의 전압 검출 회로를 나타내는 회로도이다.
이하, 본 실시형태의 전압 검출 회로에 대하여, 도면을 참조하여 설명한다.
도 1 은, 본 실시형태의 전압 검출 회로를 나타내는 회로도이다. 본 실시형태의 전압 검출 회로는, 피검출 전압 (VSIG) 이 입력되는 전압 입력 단자 (101) 와, 전압 출력 단자 (107) 와, 피검출 전압 (VSIG) 을 분압하여 출력하는 저항 (102 및 103) 과, 기준 전압 (VREF) 을 출력하는 기준 전압 회로 (104) 와, 피검출 전압 (VSIG) 에 기초하는 전압과 기준 전압 (VREF) 을 비교하는 비교 기능부 (110) 와, 비교 기능부 (110) 에 의해 온 오프 제어되는 출력 트랜지스터 (106) 를 구비하고 있다. 비교 기능부 (110) 는, 비교기 (115) 와, 비교기 (115) 의 출력에 의해 제어되는 인버터를 이루는 트랜지스터 (117) 및 트랜지스터 (118) 와, 인버터의 동작 전류를 부여하는 전류원 (116) 을 구비하고 있다. 전압 출력 단자 (107) 는, 출력 트랜지스터 (106) 의 드레인 단자에 접속되며, 도시되지 않은 예를 들어 풀업 저항에 의해 외부 전압으로 풀업된다.
다음으로, 본 실시형태의 전압 검출 회로의 동작에 대하여 설명한다. 기본적인 동작은 종래의 전압 검출 회로와 동일한데, 종래의 전압 검출 회로와의 차이는, 비교 기능부 (110) 의 동작에 있다. 비교 기능부 (110) 는, 예를 들어, 피검출 전압 (VSIG) 이 소정의 전압보다 높아진 것을 검출했을 때에, 비교기 (115) 가 L 레벨을 출력한다. 즉, 전압 검출 회로는 전압 출력 단자 (107) 에 L 레벨의 검출 신호를 출력한다.
본 실시형태의 전압 검출 회로의 비교 기능부 (110) 는, 피검출 전압 (VSIG) 과 기준 전압 (VREF) 의 대소 관계에 기초하여, 트랜지스터 (117 및 118) 로 구성되는 인버터를, 비교기 (115) 가 온 오프 제어한다. 인버터는, 출력 트랜지스터 (106) 를 온 제어한 경우에는, 전류원 (116) 의 전류에 기초하여 출력 트랜지스터 (106) 의 게이트 용량이 충전된다.
전원 투입시에 있어서, 일시적으로 전원 전압 (VDD) 이 비교기 (115) 의 동작 전압 미만일 때, 비교기 (115) 의 출력이 일정하지 않게 되고, 비교기 (115) 가 L 레벨을 출력했을 때, 인버터는 전류원 (116) 에 의해 동작을 하기 때문에, 출력 트랜지스터 (106) 의 게이트 전압은 즉시 H 레벨을 나타내지 않는다. 출력 트랜지스터 (106) 는, 전류원 (116) 의 전류에 의해 게이트 용량이 충전되기 때문이다. 즉, 비교기 (115) 의 출력이 일정하지 않게 되어도, 전압 검출 회로는 전압 출력 단자 (107) 에 L 레벨의 검출 신호를 출력하지 않는다.
이상 설명한 전압 검출 회로에 의해, 전원 투입시에 있어서의 출력 트랜지스터의 의도하지 않은 온 오프 제어를 회피한 전압 검출 회로를 제공하는 것이 가능하다.
전류원 (116) 은 자립형의 전류원으로서, 예를 들어 게이트 단자와 소스 단자를 단락시킨 디프레션 트랜지스터를 사용하여 실현하는 것이 가능하다. 또, 전류원 (116) 은, 커런트 미러 회로를 사용하여 실현하는 것이 가능하다.
도 2 는, 전류원 (116) 을, 커런트 미러 회로를 사용하여 실현한 전압 검출 회로의 일례이다. 전류원 (116) 은, 전류원 (202) 과, 용량 (203) 과, 트랜지스터 (201) 및 트랜지스터 (206) 를 구비하고 있다. 트랜지스터 (206) 는, 트랜지스터 (201) 와 커런트 미러를 구성하여, 전류원 (202) 의 전류에 기초한 전류를 흘리고 있다.
전원 투입시에는, 전류원 (202) 이, 트랜지스터 (201) 와 트랜지스터 (206) 로 구성되는 커런트 미러 회로의 용량 (203) 을 포함한 입력 용량을 충전하면서, 커런트 미러 회로를 완만하게 기동한다. 트랜지스터 (206) 의 급전 가능한 전류값, 즉 구동 능력은, 완만하게 높아지게 된다.
전원 투입시에는, 출력 트랜지스터 (106) 의 게이트 용량을 충전하는 전류값은 보다 작은 것이, 출력 트랜지스터 (106) 는 보다 온되기 어렵기 때문에, 출력 트랜지스터 (106) 가 의도치 않게 온되는 경우가 없다.
이상 설명한 바와 같이, 도 2 의 전압 검출 회로에 의해, 전원 투입시에 있어서의 출력 트랜지스터의 의도하지 않은 온 오프 제어를 회피한 전압 검출 회로를 제공하는 것이 가능하다.
커런트 미러 회로의 입력 용량이 충분히 큰 경우, 용량 (203) 을 굳이 구비할 필요는 없다.
도 3 에, 전류원 (116) 을 대신한 트랜지스터 (206) 의 급전 가능한 전류값, 즉 구동납 능력의 완만한 향상 방법으로서 다른 실시예에 의한 전압 검출 회로를 나타낸다. 도 2 와의 차이는, 용량 (203) 이 생략되어 있고, 스위치 (301 및 302) 를 새롭게 구비한 점에 있다. 스위치 (301 및 302) 는, 전원 투입시의 전원 전압 (VDD) 이 아직 낮거나 또는 전원 투입하고 얼마 지나지 않은 동안에는, 저전원 전압 검출 회로나, 전원 기동시에 원샷 펄스를 출력하는 기동 전압 검출 회로 (303) 로부터의 출력에 기초하여 오프 제어된다.
기동 전압 검출 회로 (303) 는, 전원 전압 (VDD) 이 비교기 (115) 의 동작 전압을 초과하면, 스위치 (301 및 302) 온시킨다. 스위치 (301 및 302) 의 양방 또는 어느 일방만이라도 오프되어 있는 한, 인버터에 전류를 급전할 수 없는 것은 분명하다. 인버터의 동작 전류가 적으면, 출력 트랜지스터 (106) 의 게이트 용량을 충전하기 위해서는 시간을 필요로 하기 때문에, 출력 트랜지스터 (106) 는 온 제어되기 어렵다.
이상 설명한 바와 같이, 도 3 의 전압 검출 회로에 의해, 전원 기동 직후에 있어서의 출력 트랜지스터의 의도하지 않은 온 제어를 회피한 전압 검출 회로를 제공하는 것이 가능하다.
스위치 (301 및 302) 대신에, 트랜지스터 (201) 의 게이트·소스 간을 단락하는 스위치를 구비하고, 전원 기동시에는 이것을 온 제어하는 구성으로 해도 된다.
또한, 본 발명의 전압 검출 회로는, 인버터의 동작 전류가 억제되는 수단에 관한 것인 한, 도 1, 도 2, 도 3 의 실시형태에 한정되지는 않는다.
101 : 전압 입력 단자
104 : 기준 전압 회로
106 : 출력 트랜지스터
115 : 비교기
116, 202 : 전류원
117 : 전압 출력 단자
110 : 비교 기능부
303 : 기동 전압 검출 회로

Claims (4)

  1. 입력 전압의 전압을 검출하는 전압 검출 회로로서,
    상기 입력 전압을 분압한 분압 전압을 출력하는 분할 저항과,
    기준 전압을 발생시키는 기준 전압 회로와,
    상기 분압 전압과 상기 기준 전압의 대소를 비교하는 비교 기능부와,
    출력 트랜지스터를 구비하고,
    상기 비교 기능부는, 상기 분압 전압과 상기 기준 전압의 대소를 비교하는 비교기와, 상기 비교기의 출력을 받아 상기 출력 트랜지스터를 구동시키는 인버터와, 상기 인버터의 동작 전류를 부여하는 전류원을 갖는 것을 특징으로 하는 전압 검출 회로.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 전류원은 커런트 미러 회로로 구성된 것을 특징으로 하는 전압 검출 회로.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 커런트 미러 회로를 구성하는 트랜지스터에 용량이 병렬 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 전압 검출 회로.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 전류원은 스위치를 갖고, 상기 비교 기능부에 공급되는 전원 전압이 소정 전압 이하에서는 상기 스위치가 오프되고, 상기 전류원은 전류를 공급하지 않는 것을 특징으로 하는 전압 검출 회로.
KR1020150170074A 2014-12-09 2015-12-01 전압 검출 회로 KR102365806B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2014-249103 2014-12-09
JP2014249103A JP6442262B2 (ja) 2014-12-09 2014-12-09 電圧検出回路

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20160070004A KR20160070004A (ko) 2016-06-17
KR102365806B1 true KR102365806B1 (ko) 2022-02-21

Family

ID=56094109

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020150170074A KR102365806B1 (ko) 2014-12-09 2015-12-01 전압 검출 회로

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9917573B2 (ko)
JP (1) JP6442262B2 (ko)
KR (1) KR102365806B1 (ko)
CN (1) CN105699735B (ko)
TW (1) TWI663408B (ko)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108664073B (zh) * 2017-03-31 2020-10-09 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种探测电路
TWI629492B (zh) * 2017-08-03 2018-07-11 新唐科技股份有限公司 參考電壓電路之測試系統及方法
JP2019148478A (ja) 2018-02-27 2019-09-05 セイコーエプソン株式会社 電源電圧検出回路、半導体装置、及び、電子機器
JP7131965B2 (ja) * 2018-05-25 2022-09-06 エイブリック株式会社 ボルテージディテクタ
JP7209559B2 (ja) * 2019-03-11 2023-01-20 エイブリック株式会社 ボルテージディテクタ

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103076483A (zh) * 2011-10-25 2013-05-01 三美电机株式会社 低电压检测电路

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06152374A (ja) * 1992-11-11 1994-05-31 Toshiba Corp 出力回路
US5408174A (en) * 1993-06-25 1995-04-18 At&T Corp. Switched capacitor current reference
JP3650214B2 (ja) * 1996-05-22 2005-05-18 セイコーインスツル株式会社 電圧検出回路
TW363305B (en) * 1996-09-06 1999-07-01 Koninkl Philips Electronics Nv A receiver, a frequency synthesis circuit and a charge pump
JP4084872B2 (ja) 1997-08-28 2008-04-30 株式会社リコー ボルテージレギュレータ
JPH1188127A (ja) * 1997-09-04 1999-03-30 Texas Instr Japan Ltd 発振回路
JP3152204B2 (ja) * 1998-06-02 2001-04-03 日本電気株式会社 スルーレート出力回路
US6157579A (en) * 1998-07-31 2000-12-05 Stmicroelectronics S.R.L. Circuit for providing a reading phase after power-on-reset
JP3420113B2 (ja) * 1999-06-01 2003-06-23 Necエレクトロニクス株式会社 Mosトランジスタ回路
GB2362276A (en) * 2000-05-12 2001-11-14 Motorola Inc A low power clock oscillator with regulated amplitude
US6683481B1 (en) * 2002-06-03 2004-01-27 Xilinx, Inc. Power on reset generator circuit providing hysteresis in a noisy power environment
JP2005164357A (ja) * 2003-12-02 2005-06-23 Seiko Instruments Inc 電圧検出回路
US7724092B2 (en) * 2007-10-03 2010-05-25 Qualcomm, Incorporated Dual-path current amplifier
CN101281216B (zh) * 2008-05-28 2011-10-12 北京中星微电子有限公司 一种采用扫描模式的电压检测电路
CN101655517B (zh) * 2008-08-21 2011-09-14 联咏科技股份有限公司 电压检测电路与电压检测方法
JP5193806B2 (ja) * 2008-10-31 2013-05-08 富士通テン株式会社 コンパレータ回路および電子機器
JP5439800B2 (ja) * 2008-12-04 2014-03-12 ミツミ電機株式会社 二次電池保護用集積回路装置及びこれを用いた二次電池保護モジュール並びに電池パック
KR20100102460A (ko) * 2009-03-11 2010-09-24 삼성전자주식회사 역 온도반응 딜레이 셀
TWI381634B (zh) * 2009-03-26 2013-01-01 Green Solution Tech Co Ltd 控制器及電壓偵測啟動器
JP5935535B2 (ja) * 2012-06-20 2016-06-15 富士電機株式会社 異常電圧検出装置
JP6071521B2 (ja) * 2012-12-18 2017-02-01 富士通株式会社 量子化器,比較回路および半導体集積回路
CN103091548B (zh) * 2013-01-09 2014-12-24 电子科技大学 一种电源电压检测电路

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103076483A (zh) * 2011-10-25 2013-05-01 三美电机株式会社 低电压检测电路

Also Published As

Publication number Publication date
US20160161532A1 (en) 2016-06-09
JP6442262B2 (ja) 2018-12-19
US9917573B2 (en) 2018-03-13
JP2016109616A (ja) 2016-06-20
KR20160070004A (ko) 2016-06-17
TWI663408B (zh) 2019-06-21
TW201621328A (zh) 2016-06-16
CN105699735B (zh) 2020-02-14
CN105699735A (zh) 2016-06-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102365806B1 (ko) 전압 검출 회로
US9350161B2 (en) Undervoltage lockout circuit, switch control circuit and power supply device comprising the undervoltage lockout circuit
KR102145165B1 (ko) 스위칭 레귤레이터 및 전자 기기
KR101714099B1 (ko) 볼티지 레귤레이터
JP6376961B2 (ja) Dc/dcコンバータ
JP2007159288A (ja) ソフトスタート回路および電源装置
JP5637096B2 (ja) バンドギャップ基準電圧回路及びこれを用いたパワーオンリセット回路
JP6585827B2 (ja) センサ装置
JP2018088249A (ja) 電源制御回路および環境発電装置
US20180183324A1 (en) Control circuits of switching power supply
JP6543133B2 (ja) 電力供給装置及びその制御方法
JP5676340B2 (ja) ボルテージレギュレータ
CN110574273B (zh) 控制电路以及理想二极管电路
US20160026200A1 (en) Power supply circuit
KR102108777B1 (ko) 지연 회로, 발진 회로 및 반도체 장치
US9268349B2 (en) Circuit and method for optimizing input voltage range of IC chip
JP2017041139A (ja) Ldo回路
JP2016136681A (ja) スイッチ回路
US9293911B2 (en) Protection circuit and electronic device using the same
JP5762358B2 (ja) 直流電源装置
WO2015081628A1 (zh) 一种ic芯片输入电压范围优化电路及优化方法
US20100295835A1 (en) Voltage Boosting Circuit and Display Device Including the Same
JP6123689B2 (ja) 集積回路装置
JP2010218360A (ja) 電源装置
KR101589349B1 (ko) 스위칭 소자를 이용하는 부트스트랩 회로 및 이의 동작방법

Legal Events

Date Code Title Description
N231 Notification of change of applicant
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant