JP7131965B2 - ボルテージディテクタ - Google Patents
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Description
監視端子41に入力された電圧は、分圧回路42によって分圧され、コンパレータ43の反転入力端子に入力される。コンパレータ43は、反転入力端子の電圧と非反転入力端子に入力される基準電圧回路44の出力する基準電圧とを比較した結果の信号を、NMOSトランジスタ45を介して出力端子47に出力する。また、コンパレータ43の信号は、分圧回路42の分圧比を切り替えるNMOSトランジスタ46のゲートにも入力される。
本実施形態のボルテージディテクタ100は、分圧回路10と、コンパレータ11と、出力トランジスタ12と、基準電圧回路13と、NMOSトランジスタ14と、定電圧回路15と、を備えている。分圧回路10は、監視端子2と接地端子3の間に直列に接続された抵抗101、NMOSトランジスタ104、抵抗102、抵抗103を備える。
分圧回路10が出力する分圧電圧が基準電圧回路13の基準電圧より高い解除状態において、コンパレータ11はLoを出力しているので、NMOSトランジスタ14はオフしている。分圧回路10は、直列に接続された抵抗101と抵抗102、103で分圧した分圧電圧を出力する。分圧電圧は、監視端子2に入力される電圧の上昇とともに増加する。
ボルテージディテクタ200は、図1のボルテージディテクタ100に対して、分圧回路10のNMOSトランジスタ104を、ゲートに基準電圧が入力されるデプレッション型のNMOSトランジスタ204に替えた構成となっている。その他の構成については、ボルテージディテクタ100と同一の回路には同一の符号を付して、詳細な説明は省力する。
ボルテージディテクタ300は、図1のボルテージディテクタ100に対して、定電圧回路15を、電流源301とPMOSトランジスタ302で構成される電圧調整回路30に替えた構成となっている。その他の構成については、ボルテージディテクタ100と同一の回路には同一の符号を付して、詳細な説明は省力する。
13 基準電圧回路
11 コンパレータ
15 定電圧回路
30 電圧調整回路
301 電流源
Claims (3)
- 入力電圧が入力される第1の端子に一端が接続された第1の抵抗と、前記第1の抵抗の他端にドレインが接続され出力端子にソースが接続されたNMOSトランジスタと、前記出力端子と基準電位となる第2の端子の間に接続された第2の抵抗とを有し、前記入力電圧に基づく分圧電圧を出力する分圧回路と、
前記分圧電圧と基準電圧を比較して検出信号を出力する比較回路と、を備え
前記NMOSトランジスタは、ゲートに定電圧が入力され、前記分圧電圧を所定の電圧に制限する電圧制限回路として機能する
ことを特徴とするボルテージディテクタ。 - 前記NMOSトランジスタは、デプレッション型であって、
前記定電圧が前記基準電圧である
ことを特徴とする請求項1に記載のボルテージディテクタ。 - 前記定電圧は、前記基準電圧が入力される電圧調整回路が出力する電圧である
ことを特徴とする請求項1に記載のボルテージディテクタ。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018100737A JP7131965B2 (ja) | 2018-05-25 | 2018-05-25 | ボルテージディテクタ |
TW108116127A TWI808173B (zh) | 2018-05-25 | 2019-05-10 | 電壓偵測器 |
CN201910418116.XA CN110531143B (zh) | 2018-05-25 | 2019-05-20 | 电压检测器 |
US16/421,797 US10914761B2 (en) | 2018-05-25 | 2019-05-24 | Voltage detector |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018100737A JP7131965B2 (ja) | 2018-05-25 | 2018-05-25 | ボルテージディテクタ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019203851A JP2019203851A (ja) | 2019-11-28 |
JP7131965B2 true JP7131965B2 (ja) | 2022-09-06 |
Family
ID=68614458
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018100737A Active JP7131965B2 (ja) | 2018-05-25 | 2018-05-25 | ボルテージディテクタ |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10914761B2 (ja) |
JP (1) | JP7131965B2 (ja) |
CN (1) | CN110531143B (ja) |
TW (1) | TWI808173B (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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2018
- 2018-05-25 JP JP2018100737A patent/JP7131965B2/ja active Active
-
2019
- 2019-05-10 TW TW108116127A patent/TWI808173B/zh active
- 2019-05-20 CN CN201910418116.XA patent/CN110531143B/zh active Active
- 2019-05-24 US US16/421,797 patent/US10914761B2/en active Active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
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US10914761B2 (en) | 2021-02-09 |
TWI808173B (zh) | 2023-07-11 |
JP2019203851A (ja) | 2019-11-28 |
CN110531143A (zh) | 2019-12-03 |
TW202012941A (zh) | 2020-04-01 |
US20190361052A1 (en) | 2019-11-28 |
CN110531143B (zh) | 2023-07-18 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210413 |
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A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20220310 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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