JP5888954B2 - 電圧検出回路 - Google Patents
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Description
図1は電圧検出回路の第1実施形態を示す図である。第1実施形態の電圧検出回路10は、Pチャネル型MOS[metal oxide semiconductor]電界効果トランジスタ11と、Nチャネル型MOS電界効果トランジスタ12と、を有する。
図5及び図6は、それぞれ、トランジスタ11及び12の素子ばらつきによって閾値電圧Vthが変動する様子を示す図である。電源電圧VDDとバイアス電流IDSP及びIDSNとの関係が図5の実線で示されている場合、出力信号OUTは、図6の実線で示すように、電源電圧VDDが閾値電圧Vthよりも低いときにローレベルとなり、電源電圧VDDが閾値電圧Vthよりも高いときにハイレベルとなる。
図7は、電圧検出回路の第2実施形態を示す図である。第2実施形態の電圧検出回路10は、第1実施形態を基礎として、さらに、バイアス電圧生成部13を追加した点に特徴を有する。そこで、第1実施形態と同様の構成要素については、図1と同一の符号を付すことで重複した説明を割愛し、以下では、第2実施形態の特徴部分について、重点的な説明を行う。
図8は、電圧検出回路の第3実施形態を示す図である。第3実施形態の電圧検出回路10は、第2実施形態を基礎として、さらに、イネーブル機能を備えた点に特徴を有する。そこで、第2実施形態と同様の構成要素については、図7と同一の符号を付すことで重複した説明を割愛し、以下では、第3実施形態の特徴部分について、重点的な説明を行う。
図9は、電圧検出回路10の第1応用例を示す図である。第1応用例では、電源電圧VDDが電圧検出回路10と電子回路20の双方に供給されており、電圧検出回路10の出力信号OUTは、電子回路20のパワーオンリセット信号として用いられている。
図11は、電圧検出回路10の第2応用例を示す図である。第2応用例では、電子回路30に電源電圧VDD1が供給されており、電圧検出回路10と電子回路40の双方に電源電圧VDD2が供給されている。電子回路30と電子回路40との間には主従関係があり、電子回路30は、電圧検出回路10の出力信号OUTに基づいて、電子回路40の制御信号CTRLを生成する。また、電子回路30は、イネーブル信号ENを用いて電圧検出回路10を周期的にオン/オフ制御する機能も備えている。
本明細書中に開示されている種々の技術的特徴は、上記実施形態のほか、その技術的創作の主旨を逸脱しない範囲で種々の変更を加えることが可能である。例えば、各種信号の論理レベル反転は任意である。すなわち、上記実施形態は、全ての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきであり、本発明の技術的範囲は、上記実施形態の説明ではなく、特許請求の範囲によって示されるものであり、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内に属する全ての変更が含まれると理解されるべきである。
11 Pチャネル型MOS電界効果トランジスタ
12 Nチャネル型MOS電界効果トランジスタ
13 バイアス電圧生成部
131 Pチャネル型MOS電界効果トランジスタ
132 Nチャネル型MOS電界効果トランジスタ
133 Nチャネル型MOS電界効果トランジスタ
134 Pチャネル型MOS電界効果トランジスタ
14 Pチャネル型MOS電界効果トランジスタ
15 Nチャネル型MOS電界効果トランジスタ
16 インバータ
17 3ステートインバータ
20、30、40 電子回路
Claims (5)
- ソースが監視対象である電源電圧の印加端に接続されており、ドレインが出力信号の印加端に接続されており、ゲートが第1バイアス電圧の印加端に接続されており、第1オンスレッショルド電圧を有する第1Pチャネル型トランジスタと;
ソースが接地電圧の印加端に接続されており、ドレインが前記出力信号の印加端に接続されており、ゲートが第2バイアス電圧の印加端に接続されており、前記第1オンスレッショルド電圧とは異なる第2オンスレッショルド電圧を有する第1Nチャネル型トランジスタと;
前記第1オンスレッショルド電圧に応じて前記第1バイアス電圧を生成する第1バイアス生成部と;
前記第2オンスレッショルド電圧に応じて前記第2バイアス電圧を生成する第2バイアス電圧生成部と;
を有し、
前記第1バイアス電圧生成部は、
ソースが前記電源電圧の印加端に接続されるとともにゲートとドレインがいずれも前記第1Pチャネル型トランジスタのゲートに接続されており前記第1Pチャネル型トランジスタとペア性を有する第2Pチャネル型トランジスタと、ソースが前記接地電圧の印加端に接続されるとともにドレインが前記第1Pチャネル型トランジスタのゲートに接続されておりゲートが前記電源電圧の印加端に接続されていることにより、前記第2Pチャネル型トランジスタに定電流を提供する第3Nチャネル型トランジスタとを含み、
前記第2バイアス電圧生成部は、
ソースが前記接地電圧の印加端に接続されるとともにゲートとドレインがいずれも前記第1Nチャネル型トランジスタのゲートに接続されており前記第1Nチャネル型トランジスタとペア性を有する第2Nチャネル型トランジスタと、ソースが前記電源電圧の印加端に接続されるとともにドレインが前記第1Nチャネル型トランジスタのゲートに接続されておりゲートが前記接地電圧の印加端に接続されていることにより、前記第2Nチャネル型トランジスタに定電流を提供する第3Pチャネル型トランジスタとを含む、
ことを特徴とする電圧検出回路。 - 前記電源電圧が閾値電圧よりも低いときには、前記第1Nチャネル型トランジスタに流れるドレイン電流が前記第1Pチャネル型トランジスタに流れるドレイン電流よりも大きくなり、
前記電源電圧が前記閾値電圧よりも高いときには、前記第1Pチャネル型トランジスタに流れるドレイン電流が前記第1Nチャネル型トランジスタに流れるドレイン電流よりも大きくなる、
ことを特徴とする請求項1に記載の電圧検出回路。 - 前記第1バイアス電圧生成部は、
前記第1オンスレッショルド電圧が高いほど低くなり、前記第1オンスレッショルド電圧が低いほど高くなる前記第1バイアス電圧を生成し、
前記第2バイアス電圧生成部は、
前記第2オンスレッショルド電圧が高いほど高くなり、前記第2オンスレッショルド電圧が低いほど低くなる前記第2バイアス電圧を生成する、
ことを特徴とする請求項1または2に記載の電圧検出回路。 - ソースが前記電源電圧の印加端に接続されており、ドレインが前記第1Pチャネル型トランジスタのゲートに接続されている第4Pチャネル型トランジスタと;
ソースが前記接地電圧の印加端に接続されており、ドレインが前記第1Nチャネル型トランジスタのゲートに接続されている第4Nチャネル型トランジスタと;
をさらに有し、
前記第3Nチャネル型トランジスタと前記第3Pチャネル型トランジスタ、及び、前記第4Pチャネル型トランジスタと前記第4Nチャネル型トランジスタは、いずれもイネーブル信号に応じてオン/オフ制御される、
ことを特徴とする請求項3に記載の電圧検出回路。 - 前記イネーブル信号に応じて前記出力信号の論理レベルを固定する出力論理固定部をさらに有することを特徴とする請求項4に記載の電圧検出回路。
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