JP2008026123A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】入力電圧Vinを入力する入力端子11と、検出電圧Vdを出力する出力端子12との間に電流制限素子(JFET素子)13が接続され、電流制限素子13は、半導体基板21中に形成されたPN接合を有する拡散層22、23で構成され、かつ、拡散層の入力端子11側の一端に印加される電圧が規定電圧以上になると、PN接合の空乏化により拡散層を流れる電流が制限される特性を有している。検出電圧Vdは、規定電圧以下になるように設定され、入力電圧Vinが上昇し、検出電圧Vdが基準電圧Vrを越えた後は、入力電圧Vinの上昇に伴う電力損失が抑制される。
【選択図】図1
Description
Vd=Vin×Rb/(Ra+Rb)
となり、検出電圧Vdが基準電圧Vr以上になると、比較器105の出力信号Voが”L”から“H”に変化することで、入力電圧Vinの動作状態を検出する。
Vin=Vr×(Ra+Rb)/Rbであり、入力電流Iinは、
Iin=Vr/Rbとなる。
図1は、本発明の第1の実施形態における半導体装置に搭載された電圧検出回路10の等価回路図である。
Vj=Vin×Rb/(Ra+Rb) ・・・式(1)
の式に基づき一義的に設定することができる。ここで、VinとVjは電流制限素子13の特性により一義的な関係にあるため、出力電圧Vdは入力電圧Vinに対して、一義的な関係で決まる。
本発明の第1の実施形態では、電流制限素子13としてJFET素子を用いた場合を説明したが、本実施形態においては、電流制限素子13を半導体基板中に形成された拡散抵抗で構成する例を、図5を参照しながら説明する。
11 入力端子
12 出力端子
13 電流制限素子(JFET素子、拡散抵抗)
14 比較器
21 半導体基板
22 N型拡散層
23 P型ゲート拡散層
24 ソース拡散層
25 ドレイン拡散層
26、27 電極
31 半導体基板
32 N型埋込層
33 P型拡散層
34、35、36 コンタクト領域
37、38、39 電極
Claims (8)
- 入力電圧に対して一義的に設定される検出電圧を検出することによって、前記入力電圧の動作状態を検出する電圧検出回路を備えた半導体装置であって、
前記電圧検出回路は、
前記入力電圧を入力する入力端子と、
前記検出電圧を出力する出力端子と、
前記入力端子と前記出力端子との間に接続された電流制限素子と
を備え、
前記電流制限素子は、
半導体基板中に形成されたPN接合を有する拡散層で構成され、かつ、
前記拡散層の一端に印加される前記入力電圧が、規定電圧以上になると、前記PN接合の空乏化により、前記拡散層を流れる電流が制限される特性を有し、
前記検出電圧は、前記入力電圧が前記規定電圧のときに、該規定電圧に対して一義的に設定される電圧以下になるように設定されていることを特徴とする、半導体装置。 - 前記電流制限素子は、前記半導体基板中に形成されたJFET素子で構成されており、
前記規定電圧は、前記JFET素子のピンチオフ電圧であることを特徴とする、請求項1に記載の半導体装置。 - 前記電流制限素子は、前記半導体基板中に形成された拡散抵抗で構成されており、
前記拡散抵抗は、
一導電型の半導体基板中に設けられた逆導電型の埋込層内に形成された一導電型の拡散層で構成され、
前記拡散層及び前記埋込層の一端に、前記入力端子側の高電位の電圧が印加されることを特徴とする、請求項1に記載の半導体装置。 - 前記検出電圧は、前記入力電圧を、前記入力端子に接続された複数の抵抗により抵抗分割することによって一義的に設定されることを特徴とする、請求項1〜3の何れか一つに記載の半導体装置。
- 前記複数の抵抗のうち少なくとも一つが、前記電流制限素子を構成していることを特徴とする、請求項4に記載の半導体装置。
- 前記検出電圧を基準電圧と比較することによって、前記入力電圧の動作状態を検出することを特徴とする、請求項1〜5の何れか一つに記載の半導体装置。
- 前記入力電圧は、電源電圧であることを特徴とする、請求項1〜5の何れか一つに記載の半導体装置。
- 前記電圧検出回路は、前記検出電圧を出力する出力端子と接地電位との間に、前記電流制限素子をさらに備えていることを特徴とする、請求項1に記載の半導体装置。
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