JP2000111589A - 半導体集積回路 - Google Patents

半導体集積回路

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JP2000111589A
JP2000111589A JP10284602A JP28460298A JP2000111589A JP 2000111589 A JP2000111589 A JP 2000111589A JP 10284602 A JP10284602 A JP 10284602A JP 28460298 A JP28460298 A JP 28460298A JP 2000111589 A JP2000111589 A JP 2000111589A
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voltage
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switch
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Kanji Aoki
貫司 青木
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Abstract

(57)【要約】 【課題】従来ヒステリシス特性を有する電圧検出回路で
は非比較動作状態から比較動作状態に遷移した時に比較
器の1つの入力へは基準となる電位あるいは、入力信号
の電位が入力されており、ヒステリシスの幅に対応する
入力信号を与えても固定されたしきい値電圧で判定され
ていた。 【解決手段】比較動作時から非比較動作時に遷移する直
前の電圧比較器の出力を保持する回路、電圧比較器の入
力に接続する抵抗網の両端にスイッチを設け、非比較動
作時から比較動作時に遷移するとき前記抵抗網の両端の
スイッチの短絡する順番を前記保持する回路の信号によ
り制御する。 【効果】電圧比較器の出力を反転する入力信号のしきい
値を時分割動作においても連続性を持たせたため、ヒス
テリシスの間の電位に入力信号がなったときにも連続動
作を行ったときと同一の出力結果を得る事ができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、入力信号の電位を
あらかじめ定められた電圧より上か下かを検出する入力
電圧検出回路に関する。
【0002】
【従来の技術】図4に従来の入力電圧検出回路図を示
す。電圧比較器101の第1の入力に第1の基準電位を
基準とした基準電圧源102の出力電位(Vref)を
入力する。電圧比較動作時に第1の基準電位と入力信号
INの電位(Vin)との間を抵抗分割した抵抗分割電
位(V2)を電圧比較器101の第2の入力に接続して
いる。抵抗103(抵抗値R3)の1端は第1の基準電
位に接続しており、他端は抵抗分割の出力に接続してい
ると共に電圧比較器101の出力信号110により制御
されるスイッチS0で短絡される抵抗104(抵抗値R
4)の1端に接続している。抵抗104の他端は抵抗1
05(抵抗値R5)の1端に接続し、抵抗105の他端
は時分割動作を制御する信号ENで制御されるスイッチ
S2を介し入力信号INの電位(Vin)に接続してい
る。前記スイッチS0は抵抗分割電位(V2)が基準電
圧源102の出力電位(Vref)より高かったとき
(電圧比較器101の出力がHレベル)に導通状態とな
りこの時の抵抗分割電位をV2Hとする。又スイッチS
0は抵抗分割電位(V2)が基準電圧源102の出力電
位(Vref)より低かったとき(電圧比較器101の
出力がLレベル)に非導通状態となり、この時の抵抗分
割電位をV2Lとする。各状態における抵抗分割電位V
2L及びV2Hは次式で示される。
【0003】 V2H=Vin*R3/(R3+R4+R5) V2L=Vin*R3/(R3+R5) 入力信号の電位が高く、抵抗分割電位(V2)が基準電
圧源102の出力電位(Vref)より高い場合、電圧
比較器の出力を反転させるための入力電圧しきい値は前
記抵抗分割電位であるV2Lが基準電圧源102の出力
電位(Vref)に等しいときである。一方、入力電圧
が低く抵抗分割電位が基準電圧源102の出力電位(V
ref)より低い場合、電圧比較器出力110を反転さ
せるための入力しきい値は前記抵抗分割電位であるV2
Hが基準電圧源102の出力電位(Vref)と等しい
ときである。入力信号の電位(Vin)が基準となる第
1の基準電位から高くなるときの電圧比較器出力をLレ
ベルからHレベルへ反転させる為のしきい値をVinH
とし、入力信号の電位(Vin)が電圧比較器出力がH
レベルとなる十分高い電圧から低下し、電圧比較器出力
110をHレベルからLレベルに反転するしきい値をV
inLとすると、VinL、VinHは次式で示され
る。
【0004】 VinL=Vref*(R3+R5)/R3 VinH=Vref*(R3+R4+R5)/R3 入力信号の電位(Vin)が第1の基準電位に等しいと
き電圧比較器の出力はLレベルを出力し、抵抗104の
両端はスイッチS0により短絡され、電圧比較器の第2
の入力である抵抗分割電位はV2Lとなる。この状態か
ら入力信号の電位を高くしていくと電圧比較器出力11
0の電位は電圧比較回路の第2の入力の電位である抵抗
分割電位V2Lが第1の入力である基準電圧源102の
出力電位(Vref)より大きくなったときにLレベル
からHレベルへ変化する。一旦、電圧比較器の出力が反
転すると抵抗104の両端を短絡するスイッチが非導通
状態となるため、電圧比較器の第2の入力の電位である
抵抗分割電位はV2Hになる。一旦、電圧比較器出力1
10が反転すると電圧比較器の第2の入力の電位V2H
が第1の入力の電位(Vref)より小さくなるまで入
力信号電位(Vin)が小さくならないと電圧比較器出
力110は反転しLレベルにならない。図5に信号入力
INの入力電位(Vin)に対する電圧比較器出力11
0の出力レベル(Vout)の関係を示す電圧検出回路
特性図を示す。横軸が入力信号の入力電位(Vin)で
縦軸が電圧比較器出力110の出力電位(Vout)で
ある。VoutはLレベルを0V、Hレベルを第2の電
源の電位VDDとしている。図5より明らかなように、
電圧検出回路の入出力特性はヒステリシス特性を有す
る。図6は入力信号として電源を用い、電源電圧低下検
出回路として用いたときの電源電圧電位と電圧比較器の
出力電位の関係を示す電源電圧低下検出回路特性図であ
る。
【0005】入力信号電位(Vin)と抵抗105の間
のスイッチS2は比較動作時は導通状態であるが、非比
較動作時は非導通状態である。これは、消費電流削減を
目的とする他に、入力電圧が複数系列あったときの選択
用のスイッチ等に用いる事を目的としている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の電圧検出回路を時分割で用いようとすると、
非比較動作時から比較動作時に変わる時、スイッチS2
が非導通状態から、導通状態に遷移する。非比較動作時
に、スイッチS2は非導通状態である為電圧比較器10
1の第2の入力の電位は常に第1の基準電位となってい
る。非比較動作時からスイッチS2を導通状態にし、比
較動作時に遷移したとき、電圧比較器101の第2の入
力の電位(V2)は第1の基準電位から抵抗103・1
04・105及びスイッチS2で決定する抵抗分割電位
に上昇する。よって非比較動作時から比較動作時へ遷移
したときの電圧比較器の第2の入力電位はV2Lにな
り、前回の比較動作時の出力結果が反映されないという
問題があった。
【0007】特に発振回路を内蔵する半導体集積回路で
は、発振開始電圧が発振停止電圧より高い為、電源電圧
低下検出回路の特性としては大きいヒステリシス幅を要
求する。時分割動作において前述の問題が生じると、ま
だ、発振を維持するに十分な電源電圧を供給しているに
もかかわらず、しきい値のVinLとVinHの間の電
位に低下した時に電源電圧低下検出回路の出力はLレベ
ルとなり誤判定してしまうという課題を有する。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体集積回路
は外部信号により時分割動作が可能なヒステリシス特性
を有する電圧比較回路の入力に入力信号と第1の電位と
の間の分圧した電圧を供給する電圧検出回路において、
分圧を行う手段の両端がそれぞれ第1のスイッチ・第2
のスイッチを介し第1の電位・入力信号の電位とに接続
し、前記2つのスイッチの導通・非導通の制御は時分割
動作を制御する前記外部信号により行い、非動作状態か
ら動作状態に変化する時に第1のスイッチと第2のスイ
ッチの導通する順番を、時分割動作における1つ前の電
圧比較回路の出力で制御する事を特徴とする。
【0009】
【作用】本発明の半導体集積回路によれば、外部より電
圧検出回路の動作・非動作を制御し、非動作時から動作
時に遷移するとき、前回の電圧検出回路の出力結果によ
り、第1の基準電位と入力信号の電位の間を分圧する手
段の両端のスイッチ1及びスイッチ2の導通順番を制御
する為、入力電圧が電圧比較回路出力の反転するヒステ
リシス幅の中にあっても正確に検出する事を可能とす
る。
【0010】
【発明の実施の形態】本発明の実施例である入力電圧検
出回路図を図1に示す。電圧比較器101の第1の入力
に第1の基準電位を基準とした基準電圧源102の出力
電位(Vref)を入力する。電圧比較動作時に第1の
基準電位と入力信号INの電位(Vin)との間を抵抗
分割した抵抗分割電位(V2)を電圧比較器101の第
2の入力に接続している。抵抗103(抵抗値R3)の
1端はスイッチS1を介し第1の基準電位に接続してお
り、他端は電圧比較器101の第2の入力に接続すると
共に電圧比較器101の出力信号110により制御され
るスイッチS0で短絡される抵抗104(抵抗値R4)
の1端に接続している。抵抗104の他端は抵抗105
(抵抗値R5)の1端に接続し、抵抗105の他端はス
イッチS2を介し入力信号INの電位(Vin)に接続
している。又電圧検出器102の出力110はスイッチ
制御部111に入力する。スイッチ制御部111は時分
割で電圧比較動作及び非動作を制御する外部入力信号E
Nを入力とし、比較動作時から非比較動作時に遷移する
直前の電圧比較器101の出力信号110を保持する機
能を有し、次に非比較動作時から比較動作時に遷移する
場合に保持していた信号に従い、スイッチS1及びスイ
ッチS2を順番に短絡させる短絡制御信号111a及び
111bを出力する。前記スイッチS0は抵抗分割電位
(V2)が基準電圧源102の出力電位(Vref)よ
り高かったとき(電圧比較器101の出力がHレベル)
に導通状態となりこの時の抵抗分割電位をV2Hとす
る。又スイッチS0は抵抗分割電位(V2)が基準電圧
源102の出力電位(Vref)より低かったとき(電
圧比較器101の出力がLレベル)に非導通状態とな
り、この時の抵抗分割電位をV2Lとする。各状態にお
ける抵抗分割電位V2L及びV2Hは次式で示される。
【0011】 V2H=Vin*R3/(R3+R4+R5) V2L=Vin*R3/(R3+R5) 入力電圧が高く、抵抗分割電位が基準電圧源出力電位
(Vref)より高い場合、電圧比較器の出力を反転さ
せるための入力電圧しきい値は前記抵抗分割電位である
V2Lが基準電圧源出力電位(Vref)に等しいとき
である。一方、入力電圧が低く抵抗分割電位が基準電圧
源出力電位(Vref)より低い場合、電圧比較器出力
110を反転させるための入力しきい値は前記抵抗分割
電位であるV2Hが基準電圧源出力電位(Vref)と
等しいときである。入力信号の電位(Vin)が基準と
なる第1の基準電位から高くなるときの電圧比較器出力
をLレベルからHレベルへ反転させる為のしきい値をV
inHとし、入力信号の電位(Vin)が電圧比較器出
力がHレベルとなる十分高い電圧から低下し、電圧比較
器出力110をHレベルからLレベルに反転するしきい
値をVinLとすると、VinL、VinHは次式で示
される。
【0012】 VinL=Vref*(R3+R5)/R3 VinH=Vref*(R3+R4+R5)/R3 入力信号の電位(Vin)が第1の基準電位に等しいと
き電圧比較器の出力はLレベルを出力し、抵抗104の
両端はスイッチS0により短絡され、電圧比較器の第2
の入力である抵抗分割電位はV2Lとなる。この状態か
ら入力信号の電位を高くしていくと電圧比較器出力11
0の電位は電圧比較回路の第2の入力の電位である抵抗
分割電位V2Lが第1の入力である基準電圧源102の
出力電位Vrefより大きくなったときにLレベルから
Hレベルへ変化する。一旦、電圧比較器の出力が反転す
ると抵抗104の両端を短絡するスイッチが非導通状態
となるため、電圧比較器の第2の入力の電位である抵抗
分割電位はV2Hになる。一旦、電圧比較器出力110
が反転すると電圧比較器の第2の入力の電位V2Hが第
1の入力の電位(Vref)より小さくなるまで入力信
号電位(Vin)が小さくならないと電圧比較器出力1
10は反転しLレベルにならない。
【0013】図2に本発明におけるスイッチ制御部11
1の1実施例である回路図を示す。前述のようにスイッ
チ制御部は電圧比較器の出力信号110及び、電圧比較
動作を時分割制御する外部信号ENを入力とし、スイッ
チ1の短絡制御信号111a及びスイッチ2の短絡制御
信号111bを出力とする。電圧比較動作を行う時は外
部信号ENはHレベルとし、保持回路120はクロック
入力がHレベルのときにデータ保持を行う為外部信号E
Nの反転信号を保持回路のクロック信号として入力して
いる。比較動作を制御する外部信号EN及び外部信号E
Nを遅延回路122で遅延させた信号の2本から1本を
選択する選択回路の選択信号は、スイッチS2を制御す
る短絡制御信号111bを出力する選択回路において前
記保持回路の正転出力を用い、正転出力がHレベルのと
き外部信号ENの信号を選択し、Lレベルのときは外部
入力信号ENの遅延信号を選択する。スイッチS1を制
御する信号111aを出力する選択回路の選択信号には
保持回路の反転出力を用い、反転出力がHレベルのとき
外部信号ENの遅延信号を選択し、Lレベルのときは外
部信号ENの信号を選択する。
【0014】ここで、比較動作を制御する外部信号EN
が比較動作状態であるHレベルのとき入力信号INの電
位が高く、電圧比較器の出力110がHレベルを出力し
ていたとする。外部信号ENがHレベルからLレベルに
遷移するとき(電圧比較動作状態から非動作状態へ遷
移)保持回路120の保持信号はHレベルとなり入力信
号側のINに接続するスイッチS2は外部信号ENの信
号を選択し出力する。一方、第1の基準電位側に接続す
るS1は外部信号ENの遅延信号を選択する事となる。
これは次に外部信号がLレベルからHレベルとなった
時、まずスイッチS2が短絡状態となり電圧比較器の第
2の入力に入力信号の電位を与え、通常動作時に得られ
る抵抗分割電位よりも高い電位を供給する事になる。ス
イッチS2が短絡になったあと、次にスイッチS1が短
絡状態となり電圧比較器の第2の入力電位は通常動作時
に与えられる抵抗分割電位が供給される。逆に比較動作
を制御する外部信号ENが比較動作状態であるHレベル
のとき入力信号INの電位が低く電圧比較器の出力11
0がLレベルを出力していたときに外部信号ENがHレ
ベルからLレベルに遷移し、再びLレベルからHレベル
に遷移した場合、まずスイッチS1が短絡し、電圧比較
器の第2の入力には第1の基準電位が供給され、電圧比
較器の出力はLレベルとなる。その後、スイッチS2が
短絡し電圧比較器の第2の入力電位は通常動作時に与え
られる抵抗分割電位が供給される。
【0015】上記の動作において、非動作時から動作時
に遷移するときには必ず、以前の電圧比較器の出力結果
と同一の出力が得られるようになり、入力信号の電圧比
較器出力を反転させるしきい値を連続動作しているとき
と同等の電位に維持する事が可能である。
【0016】図2に本発明におけるスイッチ制御部11
1の第2の実施例である回路図を示す。入力信号と出力
信号の端子は図2と同一である。図2に対し異なるの
は、保持回路120の正転出力及び反転出力と外部信号
ENで各々論理和をとり、スイッチS2の制御信号11
1b及びスイッチS1の制御信号111aを出力してい
る点である。外部信号ENがHレベルのときはスイッチ
S2及びスイッチS1を短絡とし、外部信号ENがLレ
ベルのときは保持回路の正転・反転出力のうち、Hレベ
ルを出力するどちらか一方に対応するスイッチの制御信
号のみ短絡信号を出力する。外部信号ENがLレベルか
らHレベルに遷移するときのスイッチ制御の順番は基本
的に図2と同一となる。本回路は図2に比べ小さい回路
規模で実現可能である。
【0017】上記本発明の実施形態についての入出力の
極性は1例であり特に規定するものではない。また、ヒ
ステリシス特性を実現する為の手段についても規定すべ
きものではない。本発明はヒステリシス特性を有する電
圧検出回路を時分割動作する場合、比較器への入力に接
続する抵抗分割網の両端にスイッチを有し、スイッチの
短絡制御を1つ前の比較動作時得られた出力により、各
スイッチの短絡順番を制御し、電圧比較器の出力を反転
させる入力信号のしきい値に連続性を持たせるものであ
る。
【0018】
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、入力
信号の分圧を行う分圧手段の両端がそれぞれ第1のスイ
ッチ・第2のスイッチを介し第1の基準電位・入力信号
の電位とに接続し、前記2つのスイッチの導通・非導通
の制御は時分割動作を制御する外部信号により行い非導
通状態から導通状態に変化する時に第1のスイッチと第
2のスイッチの制御信号により導通状態へ変化させる順
番を、時分割動作における1つ前の電圧比較回路の出力
で制御する為、電圧比較器の出力を反転するための入力
信号のしきい値電圧を時分割動作の1つ前の動作時の最
終的なしきい値電圧と等しくする事が可能となり、ヒス
テリシス幅の間に相当する入力電圧が入力されても正常
に動作する事ができる。
【0019】本発明を発振回路を含む電池駆動の半導体
集積回路に電源電圧低下検出回路として用いたときは、
あらかじめ設定した動作下限電圧(発振停止電圧よりは
大きい)まで正常に時分割動作を行い電圧が低下してい
ない事を検出する事が可能となり、電池寿命を正確に判
断する事を可能とする効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の実施例を示す電圧検出回路図。
【図2】 本発明の実施例におけるスイッチ制御部の第
1例である回路図。
【図3】 本発明の実施例におけるスイッチ制御部の第
2例である回路図。
【図4】 従来例を示す電圧検出回路図。
【図5】 電圧検出回路の特性図。
【図6】 電源電圧低下検出回路の特性図。
【符号の説明】
101 ・・ 電圧比較器 102 ・・ 基準電圧源 103〜105 ・・ 抵抗 S0〜S2 ・・ スイッチ 110 ・・ 電圧比較器の出力信号 111 ・・ スイッチ制御部 111a ・・ スイッチS1の短絡制御信号 111b ・・ スイッチS2の短絡制御信号 120 ・・ 保持回路 122 ・・ 遅延回路

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】外部信号により時分割動作が可能なヒステ
    リシス特性を有する電圧比較回路の入力に入力信号と第
    1の電位との間の分圧した電圧を供給する電圧検出回路
    において、分圧を行う手段の両端がそれぞれ第1のスイ
    ッチ・第2のスイッチを介し第1の電位・入力信号の電
    位とに接続し、前記2つのスイッチの導通・非導通の制
    御は時分割動作を制御する前記外部信号により行い、非
    動作状態から動作状態に変化する時に第1のスイッチと
    第2のスイッチの導通する順番を、時分割動作における
    1つ前の電圧比較回路の出力で制御する事を特徴とする
    半導体集積回路。
  2. 【請求項2】第1の電位を基準とする2つの電位の比較
    を行う電圧比較器の第1の入力に前記第1の電位を基準
    とする電圧比較の基準となる第2の電位を供給し、前記
    第1の電位を基準とする電圧比較すべき入力信号の電位
    を抵抗分割し抵抗分割電位を前記電圧比較器の第2の入
    力に供給し、前記抵抗分割の分割比を前記電圧比較回路
    の出力の状態により制御し前記電圧比較器の出力の変化
    点に対応する入力信号の電位はヒステリシス特性を有
    し、入力信号の電圧比較動作を外部信号により時分割で
    制御する手段を有する入力電圧検出回路において、前記
    抵抗分割を行う抵抗網の両端がそれぞれ第1のスイッチ
    ・第2のスイッチを介し第1の電位・入力信号の電位と
    に接続し、前記2つのスイッチの導通・非導通の制御は
    時分割動作を制御する前記外部信号により行い非導通状
    態から導通状態に変化する時に第1のスイッチと第2の
    スイッチの制御信号により導通状態へ変化させる順番
    を、時分割動作における1つ前の電圧比較回路の出力で
    制御する事を特徴とする半導体集積回路。
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