KR102339476B1 - 연마 조성물 및 연마 방법, 그리고 연마 조성물의 제조 방법 - Google Patents

연마 조성물 및 연마 방법, 그리고 연마 조성물의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102339476B1
KR102339476B1 KR1020167023643A KR20167023643A KR102339476B1 KR 102339476 B1 KR102339476 B1 KR 102339476B1 KR 1020167023643 A KR1020167023643 A KR 1020167023643A KR 20167023643 A KR20167023643 A KR 20167023643A KR 102339476 B1 KR102339476 B1 KR 102339476B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
polishing
polishing composition
iii
iron
metal oxide
Prior art date
Application number
KR1020167023643A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20160131006A (ko
Inventor
요시히로 노지마
Original Assignee
신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 filed Critical 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
Publication of KR20160131006A publication Critical patent/KR20160131006A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102339476B1 publication Critical patent/KR102339476B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
    • C09G1/00—Polishing compositions
    • C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • B24B37/042—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor
    • B24B37/044—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor characterised by the composition of the lapping agent
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
    • C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
    • C09K3/1409—Abrasive particles per se
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
    • C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
    • C09K3/1436—Composite particles, e.g. coated particles
    • C09K3/1445—Composite particles, e.g. coated particles the coating consisting exclusively of metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
    • C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
    • C09K3/1454—Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
    • C09K3/1463—Aqueous liquid suspensions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/30625—With simultaneous mechanical treatment, e.g. mechanico-chemical polishing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/321—After treatment
    • H01L21/32115—Planarisation
    • H01L21/3212—Planarisation by chemical mechanical polishing [CMP]

Abstract

본 발명은, 연마 입자로서 결정성의 금속 산화물 입자를 포함하는 연마 조성물로서, 상기 금속 산화물 입자가, 분말 X선 회절 패턴에 있어서의 회절 강도가 최대로 되는 피크 부분의 반값폭이 1о 미만인 것인 것을 특징으로 하는 연마 조성물이다. 이에 의해 반도체 기판의 연마 공정, 특히 텅스텐 등의 금속층을 가지는 반도체 기판의 화학기계 연마 공정에 있어서, 높은 연마 속도를 가지고, 또한 반도체 장치의 신뢰성 저하의 원인으로 되는 스크래치 및 디슁 등의 결함의 발생을 억제하는 연마 조성물 및 연마 방법, 그리고 연마 조성물의 제조 방법이 제공된다.

Description

연마 조성물 및 연마 방법, 그리고 연마 조성물의 제조 방법{POLISHING COMPOSITION, POLISHING METHOD, AND METHOD FOR PRODUCING POLISHING COMPOSITION}
본 발명은 연마 조성물 및 연마 방법, 그리고 연마 조성물의 제조 방법에 관한 것이다.
반도체 집적회로의 제조 기술의 향상에 수반하여 반도체 소자의 고집적화, 고속 동작이 요구되게 되면 반도체 소자에 있어서의 미세 회로의 제조 공정에 있어서 요구되는 반도체 기판 표면의 평탄성은 보다 엄격해지고 있어, 화학기계 연마(Chemical Mechanical Polishing： CMP)가 반도체 소자의 제조 공정에 불가결한 기술로 되고 있다.
이 CMP는 반도체 기판의 절연층 상에 형성된 홈에 텅스텐이나 동, 알루미늄 등의 금속 재료를 매립하고, 홈 부분에 퇴적한 금속층을 연마하여 제거하는 배선 공정에 이용되고 있다(특허문헌 1 참조). 또, 근래에는 반도체 메모리 소자 등에서는 가일층의 성능 향상을 위해, 게이트 전극 등의 소자 부분에도 금속 재료를 사용하는 것이 검토되고 있어, 이 반도체 메모리 소자의 제조 공정에 있어서도 CMP가 이용된다(특허문헌 2 참조).
CMP에서는 연마 입자(abrasive grains)나 시약을 포함하는 연마 조성물을 연마 패드 상에 공급하면서, 정반(surface plate) 상에 붙인 연마 패드에 반도체 기판을 꽉 누르면서 연마 패드를 상대적으로 운동시킨다. 이때 시약에 의한 화학적인 반응과 연마 입자에 의한 기계적인 연마 효과에 의해 반도체 기판 표면의 요철을 깎아 표면을 평탄화할 수가 있다. 또한, 연마 조성물 중에 포함되는 연마 입자로서 이산화규소, 산화알루미늄, 탄화규소, 다이아몬드, 산화티탄, 산화지르코늄, 산화세륨, 산화망간 등의 무기 입자가 사용되고 있다(특허문헌 3, 4 참조).
CMP 공정에 있어서 중요한 특성은 연마 속도와, 스크래치(scratch)나 매립 패턴 부분의 우묵한 곳인 디슁(dishing) 등의 연마 공정에 유래하는 결함이다. 연마 속도는 반도체 제조 공정에 있어서의 생산성에 관련되고, 생산성은 반도체 소자의 비용에 반영되기 때문에, 높은 연마 속도를 가지는 것이 요구된다. 또, 결함은 반도체 소자의 수율이나 신뢰성에 영향을 주기 때문에, 어떻게 CMP 공정에 있어서의 결함의 발생을 억제할지가 과제이다. 이와 같이 반도체 소자의 미세화가 진행됨에 따라, 보다 고수준의 연마 공정이 요구되게 되었다.
일본국 특허공고 1995－77218호 공보 일본국 특허공표 2008－515190호 공보 일본국 특허공개 1998－310766호 공보 일본국 특허공개 2000－080352호 공보
그렇지만, 반도체 소자의 미세화가 진행됨에 따라, 종래의 연마 기술에서는 필요하게 되는 연마 속도나 결함의 특성을 충분히 만족시킬 수 없게 되고 있다. 그 때문에 높은 연마 속도를 가지고, 또한 스크래치 및 디슁 등의 결함에 대해 가일층의 특성의 향상이 가능한 연마 기술이 필요하게 되고 있다.
본 발명은 전술과 같은 문제를 감안하여 이루어진 것으로, 반도체 기판의 연마 공정, 특히 텅스텐 등의 금속층을 가지는 반도체 기판의 화학기계 연마 공정에 있어서, 높은 연마 속도를 가지고, 또한 반도체 장치의 신뢰성 저하의 원인으로 되는 스크래치 및 디슁 등의 결함의 발생을 억제하는 연마 조성물 및 연마 방법, 그리고 연마 조성물의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명은, 연마 입자로서 결정성의 금속 산화물 입자를 포함하는 연마 조성물로서, 상기 금속 산화물 입자가, 분말 X선 회절 패턴에 있어서의 회절 강도가 최대로 되는 피크 부분의 반값폭이 1о 미만인 것인 것을 특징으로 하는 연마 조성물을 제공한다.
이와 같이 연마 입자로서 분말 X선 회절로 얻어지는 회절 강도의 피크 부분의 반값폭이 1о 미만인 고결정성의 금속 산화물 입자를 포함하는 연마 조성물이면, 높은 연마 속도를 가지고, 스크래치 및 디슁 등의 결함의 발생을 억제할 수 있는 것으로 된다.
이때 상기 금속 산화물 입자의 평균 입자경이 10nm 이상 100nm 이하인 것이 바람직하다.
금속 산화물 입자의 평균 입자경이 10nm 이상이면 극단적으로 연마 속도가 늦어지지 않고, 또 평균 입자경이 100nm 이하이면, 스크래치의 발생을 방지할 수가 있는 것으로 된다.
또 이때 상기 금속 산화물 입자는 산화티탄, 산화지르코늄, 산화세륨, 산화알루미늄, 산화망간의 어느 것, 혹은 이들 중 적어도 2개 이상의 혼합물, 또는 이들 금속 산화물 중 적어도 하나를 함유하는 복합 산화물을 포함할 수가 있다.
본 발명에서 이용되는 금속 산화물로서는 이들과 같은 것을 포함하는 금속 산화물 입자가 매우 적합하다.
이때 연마 조성물은 산화제를 더 포함하는 것이 바람직하다.
산화제를 포함함으로써, 반도체 기판의 표면을 산화할 수 있어 연마를 효과적으로 촉진할 수가 있는 것으로 된다.
또 상기 산화제로서 과산화물과 철(Ⅲ)염 중 적어도 1종류 이상을 포함하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 과산화물로서 과황산, 과요오드산, 과염소산, 이들의 염, 및 과산화수소로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종류 이상을 포함하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 철(Ⅲ)염으로서 황산철(Ⅲ), 질산철(Ⅲ), 염화철(Ⅲ), 옥살산철(Ⅲ), 트리스(옥살라토)철(Ⅲ)칼륨, 헥사시아노철(Ⅲ)암모늄, 헥사시아노철(Ⅲ)칼륨, 구연산철(Ⅲ), 구연산철(Ⅲ)암모늄, 수용성 페로센 유도체로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종류 이상을 포함하는 것이 바람직하다.
산화제로서 이들과 같은 것을 포함함으로써, 반도체 기판의 표면을 산화할 수 있어 연마를 보다 효과적으로 촉진할 수가 있는 것으로 된다.
또 이때 상기 금속 산화물 입자의 함유량이 0.1질량% 이상 10질량% 이하인 것이 바람직하다.
금속 산화물 입자의 함유량이 0.1질량% 이상이면 충분한 연마 속도를 얻을 수 있고, 금속 산화물 입자의 함유량이 10질량% 이하이면 스크래치의 발생을 억제할 수가 있는 것으로 된다.
본 발명의 연마 조성물은 분산제와 pH 조정제 중 적어도 1종류 이상을 더 포함할 수가 있다.
이러한 연마 조성물이면, 피연마물이나 목적에 따른 특성, pH를 가지는 것으로 된다.
또 본 발명에서는 상기 목적을 달성하기 위해, 상기의 연마 조성물을 이용하여 반도체 기판을 연마하는 것을 특징으로 하는 연마 방법을 제공한다.
상기의 연마 조성물을 이용하면, 높은 연마 속도로 반도체 기판을 연마할 수 있고, 또한 스크래치 및 디슁의 발생을 억제할 수가 있다.
또, 상기 반도체 기판이 금속층을 포함하는 것이 바람직하다.
본 발명은 금속층을 포함하는 반도체 기판의 연마에 매우 적합하다.
또, 상기 금속층은 텅스텐 또는 텅스텐 합금인 것이 바람직하다.
본 발명은 금속층으로서 텅스텐 또는 텅스텐 합금을 포함하는 반도체 기판의 연마에 특히 적합하다.
또, 본 발명에 의하면, 상기의 연마 조성물의 제조 방법으로서, 분말 X선 회절법에 의해, 상기 금속 산화물 입자의 회절 강도가 최대로 되는 피크 부분의 반값폭을 측정하는 공정과, 당해 측정한 반값폭이 1о 미만인 상기 금속 산화물 입자를 연마 입자로서 상기 연마 조성물에 첨가하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 연마 조성물의 제조 방법이 제공된다.
CMP 등의 연마에 사용하는 연마 조성물에 반값폭이 1о 미만인 금속 산화물 입자를 선별하여 연마 입자로서 첨가함으로써, 연마 속도가 크고, 또한 스크래치 및 디슁의 발생을 억제 가능한 연마 조성물을 얻을 수 있다.
본 발명이면, 반도체 기판의 연마 공정, 특히 텅스텐 등의 금속층을 가지는 반도체 기판의 CMP에 있어서, 높은 연마 속도를 유지할 수 있고, 또한 스크래치 및 디슁 등의 결함의 발생을 억제할 수가 있다.
도 1은 본 발명의 연마 방법에 있어서 사용할 수 있는 일면 연마 장치의 일례를 나타낸 개략도이다.
이하, 본 발명에 있어서 실시의 형태를 설명하지만, 본 발명은 이것에 한정되는 것은 아니다.
상술한 바와 같이, 반도체 소자의 미세화가 진행됨에 따라, CMP 등의 연마에 있어서의 스크래치나 디슁 등의 결함의 저감 요구가 높아지고 있다. 그리고, 결함의 저감과 동시에 연마 속도의 저하도 억제해야 한다고 하는 과제가 있었다.
그래서, 본 발명자는 이러한 과제를 달성하기 위해 예의 검토를 거듭하였다. 그 결과 연마 입자로서 고결정성의 금속 산화물, 구체적으로는 분말 X선 회절에 의해 측정되는 회절 강도가 최대로 되는 피크 부분의 반값폭이 1о 미만인 금속 산화물을 연마 조성물에 첨가함으로써 상기 과제를 달성할 수 있다는 것에 생각이 이르러 본 발명을 완성시켰다.
이하, 본 발명에 대해 상세히 설명한다.
먼저, 본 발명의 연마 조성물에 대해 설명한다.
본 발명의 연마 조성물은 분말 X선 회절에 의해 측정되는 회절 강도의 메인피크(main peak)의 반값폭이 1о 미만인 고결정성의 금속 산화물을 함유하고 있다.
이 반값폭은 예를 들면 X선원으로서 파장 1.5418(Å)인 동의 Kα선을 이용한 θ－2θ법에 의해 얻어지는 X선 패턴으로부터 구할 수가 있다. 또, 반값폭이란 강도가 최대로 되는 피크에 대해 백그라운드를 제외한 피크 강도의 반의 강도로 되는 위치에 있어서의 피크폭을 의미한다.
이와 같이 반값폭이 1о 미만인 금속 산화물 입자를 이용하면, 반값폭이 1о 이상인 금속 산화물 분말을 이용한 경우와 비교하여, 연마 속도 및 스크래치, 디슁 등의 결함의 특성이 양호하게 된다. 이것은 상세한 메커니즘은 현재로서는 불명하지만, 금속 산화물 입자의 실효적인 경도, 혹은 금속 산화물 입자 표면과 피연마물 표면의 화학적인 상호작용에 의한 것은 아닐까라고 생각된다.
또, 본 발명에 있어서, 금속 산화물의 결정 구조에 대해서는 특히 제한되지 않고, 반값폭이 1о 미만이면 단일의 결정상이라도 좋고, 복수의 결정상을 가지고 있어도 좋다. 또, 금속 산화물은 복합 산화물이라도 좋고, 피연마물이나 목적에 따라 적당히 선택할 수 있다.
금속 산화물로서는 산화티탄, 산화지르코늄, 산화세륨, 산화알루미늄, 산화망간의 어느 것, 혹은 이들 중 적어도 2개 이상의 혼합물이 매우 적합하다.
또, 복합 산화물은 산화티탄, 산화지르코늄, 산화세륨, 산화알루미늄, 산화망간 중 적어도 하나의 금속 산화물을 함유하는 복합 산화물인 것이 매우 적합하다.
이 복합 산화물로서 예를 들면 지르코니아/세리아 복합 산화물, 알루미나/세리아 복합 산화물, 지르코니아/이트리아 복합 산화물, 철/망간 복합 산화물을 들 수 있지만, 이들에 한정되는 것은 아니다.
또, 연마 조성물 중에 있어서의 금속 산화물의 평균 입자경(1차 입자경)이 10nm 이상 100nm 이하인 것이 바람직하다.
금속 산화물 입자의 평균 입자경이 10nm 이상에서는 연마 속도가 극단적으로 늦어지지 않고, 100nm 이하이면 입자가 너무 크지 않으므로 스크래치가 발생하기 어렵다.
여기서, 금속 산화물의 평균 입자경은 투과형 전자현미경(Transmission Electron Microscope： TEM) 혹은 주사형 전자현미경(Scanning Electron Microscope： SEM)에 의해 얻어지는 입자 화상을 계측하여, 입자 100개 이상의 정(定)방향 최대 직경, 즉 페레(Feret) 직경의 평균치로부터 계산할 수가 있다. 물론, 평균 입자경의 측정 방법은 이것에 한정되지 않고, 다른 방법으로 측정을 행하는 것이 가능하다.
또 본 발명의 연마 조성물은 상기 금속 산화물에 부가하여 산화제를 더 포함하는 것이라도 좋다.
그리고, 이 산화제는 특히 한정되지 않지만, 과산화물로 이루어지는 유기 또는 무기 화합물, 혹은 철(Ⅲ)염인 것이 바람직하다.
과산화물로서는 특히 한정되지 않지만, 과초산, 과요오드산, 과염소산, 과산화수소가, 철(Ⅲ)염으로 이루어지는 화합물로서는 특히 한정되지 않지만, 황산철(Ⅲ), 질산철(Ⅲ), 염화철(Ⅲ), 옥살산철(Ⅲ), 트리스(옥살라토)철(Ⅲ)칼륨, 헥사시아노철(Ⅲ)암모늄, 헥사시아노철(Ⅲ)칼륨, 구연산철(Ⅲ), 구연산철(Ⅲ)암모늄, 수용성 페로센 유도체가 포함되는 것이 바람직하다.
본 발명의 연마 조성물이 이들 산화제를 포함함으로써, 반도체 기판의 표면을 산화할 수 있어 연마를 효과적으로 촉진할 수가 있는 것으로 된다.
또, 연마 조성물의 금속 산화물 입자의 함유량은 0.1질량% 이상 10질량% 이하가 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.3질량% 이상 3질량% 이하인 것이 바람직하다.
금속 산화물의 함유량이 0.1질량% 이상이면 충분한 연마 속도를 얻을 수 있고, 또 10질량% 이하의 함유량이면 스크래치 등의 결함이 발생하기 어렵다.
또한, 본 발명의 연마 조성물은 분산제와 pH 조정제 중 적어도 1종류 이상을 포함하는 것인 것이 바람직하다.
분산제로서 예를 들면 수용성 고분자를 첨가할 수가 있다. 수용성 고분자의 종류, 구조, 분자량은 특히 제한되지 않고 종래 공지의 것을 목적에 따라 적당히 선택할 수 있다. 또, 수용성 고분자의 예로서 폴리카복실산, 폴리술폰산, 폴리아크릴산, 폴리비닐피롤리돈, 폴리아민, 폴리이민 등을 들 수 있지만, 이들에 한정되는 것은 아니다.
pH 조정제로서는 질산, 염산, 황산 등의 무기산, 초산, 옥살산, 호박산 등의 유기산, 수산화칼륨, 암모니아 등의 무기 염기, 수산화테트라메틸암모늄(Tetramethylammonium hydroxide： TMAH) 등의 유기 염기를 이용할 수가 있다.
또, 본 발명에 있어서의 연마 조성물의 pH는 특히 한정되지 않고, 피연마물 및 목적에 따라 적당히 선택할 수 있다. 예를 들면, 텅스텐 또는 텅스텐 합금을 포함하는 반도체 기판의 표면을 연마하는 경우는 연마 조성물의 pH가 1 이상 6 이하인 것이 바람직하다.
다음에, 본 발명의 연마 조성물의 제조 방법에 대해 설명한다.
본 발명에 있어서, 고결정성의 금속 산화물 입자의 제조 방법은 특히 한정되지 않고, 목적에 따라 적당히 선택할 수 있다.
예를 들면, 침전법 등에 의해 생성한 금속 산화물의 전구체를 열분해함으로써 고결정성의 금속 산화물을 얻는 방법(일본국 특허공개 2006－32966호 공보 참조)이나 금속 알콕시드의 가수분해에 의한 졸겔법(일본국 특허공개 2013－18690호 공보 참조), 금속 염화물 가스나 금속염을 분무하고, 열이나 플라즈마 등에 의해 분해시키는 분무 분해법(일본국 특허공개 1994－40726호 공보 참조), 금속염 용액을 초임계 상태의 수중에서 반응시키는 수열 합성법(일본국 특허공개 2008－137884호 공보 참조), 타깃(target) 재료에 레이저를 조사하여 순간적으로 증발, 재응축시키는 레이저 어브레이젼(laser abrasion)법(국제공개 제2012/114923호 참조) 등을 들 수 있다.
또한, 고결정성의 금속 산화물 입자의 제조 방법으로서, 티탄이나 아연의 산화물 등을 10몰농도 이상의 알칼리 금속 수산화물 수용액 중에서 Ba 등과 반응시키는 방법(일본국 특허공개 2007－31176호 공보 참조)이나, 금속 산화물 졸과 금속염 등을 유통식 반응 장치 중에서 승온하여 열처리하는 방법(일본국 특허공개 2012－153588호 공보 참조) 등이 알려져 있다. 이들 제조 방법이나 제조 조건을 목적에 맞추어 적당히 선택함으로써 금속 산화물의 결정성을 제어할 수 있다.
그리고, 본 발명의 연마 조성물의 제조 방법에서는 분말 X선 회절법에 의해, 제조한 금속 산화물 입자의 회절 강도가 최대로 되는 피크 부분의 반값폭을 측정하는 공정을 가진다.
또한, 본 발명의 연마 조성물의 제조 방법에서는 반값폭의 측정 공정 후에, 측정한 반값폭이 1о 미만인 금속 산화물 입자를 연마 입자로서 연마 조성물에 첨가하는 공정을 가진다. 또한, 반드시 금속 산화물 입자의 제조시마다 반값폭의 측정을 행할 필요는 없고, 한 번 반값폭의 측정을 행하여 반값폭이 1о 미만으로 되는 조건을 찾아내어 선택하면, 그 후에는 그 선택된 조건과 동일한 조건으로 금속 산화물 입자를 제조할 수가 있다.
이와 같이 본 발명에서는 반값폭이 1о 미만인 고결정성의 금속 산화물을 연마 입자로서 연마 조성물에 첨가함으로써 고연마 속도 또한 저결함을 실현 가능한 연마 조성물을 확실히 제조할 수가 있다.
또, 상기의 산화제, 분산제, pH 조정제 등을 연마 조성물에 첨가하는 공정을 포함해도 좋다.
다음에, 본 발명의 연마 조성물을 사용한 연마 방법에 대해 설명한다. 이하에서는 반도체 기판을 일면 연마하는 경우를 예로 설명하지만, 물론 이것에 한정되는 것은 아니고, 본 발명의 연마 조성물은 양면 연마나 모따기부의 연마에도 이용할 수가 있다.
일면 연마 장치는 예를 들면, 도 1에 나타내듯이, 연마 패드(4)가 붙여진 정반(3)과, 연마 조성물 공급 기구(5)와, 연마 헤드(2) 등으로 구성된 일면 연마 장치(10)로 할 수가 있다.
이러한 연마 장치(10)에서는 연마 헤드(2)로 반도체 기판(W)을 보지(保持)하고, 연마 조성물 공급 기구(5)로부터 연마 패드(4) 상에 본 발명의 연마 조성물(1)을 공급함과 아울러, 정반(3)과 연마 헤드(2)를 각각 회전시켜 반도체 기판(W)의 표면을 연마 패드(4)에 미끄러져 접하게 함으로써 연마를 행한다.
이때 반도체 기판(W)은 금속층을 포함하는 것으로 할 수가 있고, 또한 금속층이 텅스텐 또는 텅스텐 합금인 것으로 할 수가 있다.
본 발명의 연마 방법은 피연마물로서 금속층을 포함하는 표면의 연마에 매우 적합하고, 특히 텅스텐, 텅스텐 합금으로 이루어지는 금속층의 연마에 대해 매우 적합하게 이용된다.
본 발명의 연마 조성물을 이용한 연마 방법이면, 연마 속도가 큰 것에 부가하여, 연마 후의 반도체 기판의 표면에 스크래치나 디슁 등의 결함의 발생을 억제할 수 있다.
실시예
이하, 본 발명의 실시예 및 비교예를 나타내어 본 발명을 보다 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이들에 한정되는 것은 아니다.
(실시예 1)
먼저, 본 발명의 연마 조성물을 공급하면서, 반도체 기판의 표면을 일면 연마하고, 그 후 연마 속도 및 스크래치의 발생량을 평가하였다.
이 일면 연마에서 사용한 연마 조성물은 이하와 같이 제조하였다.
먼저, 결정 구조가 아나타제(anatase) 구조이고, X선 반값폭이 0.4322о, 평균 입자경이 32nm인 산화티탄을, 함유량이 1.0질량%로 되도록 순수에 분산시키고, 다음에 과산화수소 1.5질량%, 질산철(Ⅲ) 0.1질량%를 첨가하여 혼합하였다. 그 후 질산에 의해 용액의 pH를 2.5로 조정하여 연마 조성물을 제조하였다.
이때 반값폭은 (주)리가쿠제의 RINT2500에 의해, 수광 슬릿폭 0.3mm, 관전압 50kV, 관전류 60mA, 스캔 스피드 3о／min, 샘플링폭 0.024о의 조건으로 측정을 행하였다.
또, 연마 대상 반도체 기판은 직경 12인치(300mm)의 실리콘 기판 상에 두께 약 10nm의 질화티탄층을 개재하여 약 800nm의 텅스텐층을 퇴적한 블랭킷(blanket) 기판으로 하였다.
연마 속도의 평가는 연마 전후의 텅스텐층의 두께(막두께)의 변화량을 시간(min)으로 나눔으로써 연마 속도를 산출하였다. 막두께는 4탐침 시트 저항 측정기(납손(주)제 RH－100PV)에 의해 측정한 시트 저항률로부터 하기 (식 1)에 의해 구하였다.
ρ=ρs×t … (식 1)
(여기서, ρ： 비저항(상수), ρs： 시트 저항률, t： 막두께이다.)
스크래치의 발생량의 평가는 레이저 현미경(레이저텍(주)제 1LM21)에 의해, 연마 후의 블랭킷 기판의 표면에 있어서의 기판 중심 부근의 임의의 10점과 기판 외주 부근의 임의의 10점을 관찰하여 스크래치의 개수를 세고, 스크래치의 개수의 총수를 관찰 영역의 합계 면적으로 나눔으로써 1mm2당 스크래치의 개수를 평가하였다.
또, 상기한 것과는 다른 반도체 기판의 표면을 일면 연마하여 디슁량을 평가하였다.
이때 사용한 연마 조성물은 상기에서 제조한 연마 조성물과 동일한 것이었다.
연마 대상 반도체 기판은 100nm 간격으로 폭 100nm, 깊이 200nm의 선상의 홈에 두께 약 1nm의 질화티탄층을 개재하여 두께 약 600nm의 텅스텐층을 퇴적하여 홈 부분을 메운 패턴부(附) 기판으로 하였다.
디슁의 발생량의 평가는 연마 후의 패턴 부분을 잘라내고, 단면을 전자현미경에 의해 관찰하여, 홈이 없는 비패턴 영역과 텅스텐 매립부의 가장 우묵한 부분의 차를 디슁량으로서 평가하였다.
또한, 실시예 1에 있어서 연마 장치는 Poli－762(G＆P Technology, Inc.제)를, 연마 패드는 IC1000(닛타·하스(주)제)을 사용하였다. 또, 연마 조건은 피연마 기판에 가하는 하중을 193g/cm2, 정반 회전수를 70rpm, 연마 헤드 회전수를 70rpm, 슬러리(연마 조성물) 공급량을 100mL/min로 하여 일면 연마를 행하였다.
(실시예 2)
사용하는 연마 조성물을 바꾼 것 외에 실시예 1과 동일한 조건으로 2종류의 반도체 기판의 일면 연마를 행하여, 실시예 1과 동일한 방법으로 연마 속도, 스크래치의 발생량, 디슁량을 평가하였다.
이때 이하와 같이 제조한 연마 조성물을 사용하였다.
먼저, 결정 구조가 단사정 구조, X선 반값폭이 0.4169о, 평균 입자경이 35nm인 산화지르코늄을 1.0질량%로 되도록 순수에 분산시키고, 다음에, 과산화수소 1.5질량%, 질산철(Ⅲ) 0.1질량%를 첨가, 혼합하였다. 그 후 질산에 의해 용액의 pH를 2.5로 조정하여 연마 조성물을 제조하였다.
(실시예 3)
사용하는 연마 조성물을 바꾼 것 외에 실시예 1과 동일한 조건으로 2종류의 반도체 기판의 일면 연마를 행하여, 실시예 1과 동일한 방법으로 연마 속도, 스크래치의 발생량, 디슁량을 평가하였다.
이때 이하와 같이 제조한 연마 조성물을 사용하였다.
먼저, 결정 구조가 삼방정 구조, X선 반값폭이 0.8469о, 평균 입자경이 58nm인 α－산화알루미늄을 1.0질량%로 되도록 순수에 분산시키고, 다음에, 과산화수소 1.5중량%, 질산철(Ⅲ) 0.1질량%를 첨가, 혼합하였다. 그 후 질산에 의해 용액의 pH를 2.5로 조정하여 연마 조성물을 제조하였다.
(실시예 4)
사용하는 연마 조성물을 바꾼 것 외에 실시예 1과 동일한 조건으로 2종류의 반도체 기판의 일면 연마를 행하여, 실시예 1과 동일한 방법으로 연마 속도, 스크래치의 발생량, 디슁량을 평가하였다.
먼저, 결정 구조가 단사정 구조, X선 반값폭이 0.9108о, 평균 입자경이 33nm인 산화지르코늄을 1.0중량%로 되도록 순수에 분산시키고, 다음에, 과산화수소 1.5중량%, 질산철(Ⅲ) 0.1중량%를 첨가, 혼합하였다. 그 후 질산에 의해 용액의 pH를 2.5로 조정하여 연마 조성물을 제조하였다.
(비교예 1)
사용하는 연마 조성물을 바꾼 것 외에 실시예 1과 동일한 조건으로 2종류의 반도체 기판의 일면 연마를 행하여, 실시예 1과 동일한 방법으로 연마 속도, 스크래치의 발생량, 디슁량을 평가하였다.
이때 이하와 같이 제조한 연마 조성물을 사용하였다.
X선 반값폭이 5о 이상인 브로드한 피크를 가지는 아모퍼스(비정질) 구조로, 평균 입자경이 54nm인 콜로이달 실리카를, 연마 조성물 중의 함유량이 1.0질량%로 되도록 순수에 분산시키고, 다음에, 과산화수소 1.5질량%, 질산철(Ⅲ) 0.1질량%를 첨가, 혼합하였다. 그 후 질산에 의해 용액의 pH를 2.5로 조정하여 연마 조성물을 제조하였다.
이와 같이 비교예 1의 연마 조성물은 연마 입자로서 반값폭이 1о 미만인 금속 산화물을 포함하고 있지 않는 것으로 하였다.
(비교예 2)
사용하는 연마 조성물을 바꾼 것 외에 실시예 1과 동일한 조건으로 2종류의 반도체 기판의 일면 연마를 행하여, 실시예 1과 동일한 방법으로 연마 속도, 스크래치의 발생량, 디슁량을 평가하였다.
이때 이하와 같이 제조한 연마 조성물을 사용하였다.
먼저, 결정 구조가 아나타제 구조, X선 반값폭이 2.1563о, 평균 입자경이 25nm인 산화티탄을 1.0질량%로 되도록 순수에 분산시키고, 다음에, 과산화수소 1.5질량%, 질산철(Ⅲ) 0.1질량%를 첨가하여 혼합하였다. 그 후 질산에 의해 용액의 pH를 2.5로 조정하여 연마 조성물을 제조하였다.
이와 같이 비교예 2의 연마 조성물은 연마 입자로서 반값폭이 1о 미만인 금속 산화물을 포함하고 있지 않는 것으로 하였다.
(비교예 3)
사용하는 연마 조성물을 바꾼 것 외에 실시예 1과 동일한 조건으로 2종류의 반도체 기판의 일면 연마를 행하여, 실시예 1과 동일한 방법으로 연마 속도, 스크래치의 발생량, 디슁량을 평가하였다.
이때 이하와 같이 제조한 연마 조성물을 사용하였다.
먼저, 결정 구조가 단사정 구조, X선 반값폭이 1.9254о, 평균 입자경이 22nm인 산화지르코늄을 1.0질량%로 되도록 순수에 분산시키고, 다음에, 과산화수소 1.5질량%, 질산철(Ⅲ) 0.1질량%를 첨가하여 혼합하였다. 그 후 질산에 의해 용액의 pH를 2.5로 조정하여 연마 조성물을 제조하였다.
이와 같이 비교예 3의 연마 조성물은 연마 입자로서 반값폭이 1о 미만인 금속 산화물을 포함하고 있지 않는 것으로 하였다.
(비교예 4)
사용하는 연마 조성물을 바꾼 것 외에 실시예 1과 동일한 조건으로 2종류의 반도체 기판의 일면 연마를 행하여, 실시예 1과 동일한 방법으로 연마 속도, 스크래치의 발생량, 디슁량을 평가하였다.
이때 이하와 같이 제조한 연마 조성물을 사용하였다.
먼저, 결정 구조가 단사정 구조, X선 반값폭이 1.1796о, 평균 입자경이 29nm인 산화지르코늄을 1.0중량%로 되도록 순수에 분산시키고, 다음에, 과산화수소 1.5중량%, 질산철(Ⅲ) 0.1중량%를 첨가, 혼합하였다. 그 후 질산에 의해 용액의 pH를 2.5로 조정하여 연마 조성물을 제조하였다.
이와 같이 비교예 4의 연마 조성물은 연마 입자로서 반값폭이 1о 미만인 금속 산화물을 포함하고 있지 않는 것으로 하였다.
(비교예 5)
사용하는 연마 조성물을 바꾼 것 외에 실시예 1과 동일한 조건으로 2종류의 반도체 기판의 일면 연마를 행하여, 실시예 1과 동일한 방법으로 연마 속도, 스크래치의 발생량, 디슁량을 평가하였다.
이때 이하와 같이 제조한 연마 조성물을 사용하였다.
먼저, 결정 구조가 삼방정 구조, X선 반값폭이 2.6985о, 평균 입자경이 46nm인 α－산화알루미늄을 1.0질량%로 되도록 순수에 분산시키고, 다음에, 과산화수소 1.5질량%, 질산철(Ⅲ) 0.1질량%를 첨가하여 혼합하였다. 그 후 질산에 의해 용액의 pH를 2.5로 조정하여 연마 조성물을 제조하였다.
이와 같이 비교예 5의 연마 조성물은 연마 입자로서 반값폭이 1о 미만인 금속 산화물을 포함하고 있지 않는 것으로 하였다.
표 1에 실시예, 비교예의 연마 조성물 및 평가 결과를 정리한 것을 나타낸다.
Figure 112016083368313-pct00001
표 1에 나타내듯이, 비교예에 비해 실시예 1－4에서는 연마 속도가 크고, 또한 디슁량 및 스크래치의 개수는 적다고 하는 결과로 되었다.
한편, 비교예 1－4는 실시예에 비해 연마 속도는 작고, 또한 디슁량 및 스크래치의 개수가 큰 폭으로 증가해 버리는 결과로 되었다.
비교예 5에서는 실시예 1과 동일한 정도로 연마 속도는 크지만, 디슁량 및 스크래치의 개수가 큰 폭으로 증가해 버리는 결과로 되었다.
또한, 본 발명은 상기 실시형태에 한정되는 것은 아니다. 상기 실시형태는 예시이고, 본 발명의 청구범위에 기재된 기술적 사상과 실질적으로 동일한 구성을 가지고, 동일한 작용 효과를 가져오는 것은 어떠한 것이라도 본 발명의 기술적 범위에 포함된다.

Claims (13)

  1. 연마 입자로서 결정성의 금속 산화물 입자를 포함하는 연마 조성물로서,
    상기 금속 산화물 입자가, 분말 X선 회절 패턴에 있어서의 회절 강도가 최대로 되는 피크 부분의 반값폭이 1о 미만인 것이고, 상기 금속 산화물 입자는 산화티탄, 산화망간의 어느 것, 혹은 이들의 혼합물, 또는 이들 금속 산화물 중 적어도 하나를 함유하는 복합 산화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 연마 조성물.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 금속 산화물 입자의 평균 입자경이 10nm 이상 100nm 이하인 것을 특징으로 하는 연마 조성물.
  3. 삭제
  4. 제1항에 있어서,
    산화제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 연마 조성물.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 산화제로서 과산화물과 철(Ⅲ)염 중 적어도 1종류 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 연마 조성물.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 과산화물로서 과황산, 과요오드산, 과염소산, 이들의 염, 및 과산화수소로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종류 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 연마 조성물.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 철(Ⅲ)염으로서 황산철(Ⅲ), 질산철(Ⅲ), 염화철(Ⅲ), 옥살산철(Ⅲ), 트리스(옥살라토)철(Ⅲ)칼륨, 헥사시아노철(Ⅲ)암모늄, 헥사시아노철(Ⅲ)칼륨, 구연산철(Ⅲ), 구연산철(Ⅲ)암모늄, 수용성 페로센 유도체로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종류 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 연마 조성물.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 금속 산화물 입자의 함유량이 0.1질량% 이상 10질량% 이하인 것을 특징으로 하는 연마 조성물.
  9. 제1항에 있어서,
    분산제와 pH 조정제 중 적어도 1종류 이상을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 연마 조성물.
  10. 제1항, 제2항, 및 제4항 내지 제9항 중 어느 한 항에 기재된 연마 조성물을 이용하여 반도체 기판을 연마하는 것을 특징으로 하는 연마 방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 반도체 기판이 금속층을 포함하는 것을 특징으로 하는 연마 방법.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 금속층은 텅스텐 또는 텅스텐 합금인 것을 특징으로 하는 연마 방법.
  13. 제1항, 제2항, 및 제4항 내지 제9항 중 어느 한 항에 기재된 연마 조성물의 제조 방법으로서,
    분말 X선 회절법에 의해, 상기 금속 산화물 입자의 회절 강도가 최대로 되는 피크 부분의 반값폭을 측정하는 공정과,
    당해 측정한 반값폭이 1о 미만인 상기 금속 산화물 입자를 연마 입자로서 상기 연마 조성물에 첨가하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 연마 조성물의 제조 방법.
KR1020167023643A 2014-03-11 2015-02-04 연마 조성물 및 연마 방법, 그리고 연마 조성물의 제조 방법 KR102339476B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2014-047399 2014-03-11
JP2014047399A JP6130316B2 (ja) 2014-03-11 2014-03-11 研磨組成物及び研磨方法並びに研磨組成物の製造方法
PCT/JP2015/000490 WO2015136832A1 (ja) 2014-03-11 2015-02-04 研磨組成物及び研磨方法並びに研磨組成物の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20160131006A KR20160131006A (ko) 2016-11-15
KR102339476B1 true KR102339476B1 (ko) 2021-12-15

Family

ID=54071295

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020167023643A KR102339476B1 (ko) 2014-03-11 2015-02-04 연마 조성물 및 연마 방법, 그리고 연마 조성물의 제조 방법

Country Status (6)

Country Link
US (1) US10017669B2 (ko)
JP (1) JP6130316B2 (ko)
KR (1) KR102339476B1 (ko)
CN (1) CN106103637B (ko)
TW (1) TWI640612B (ko)
WO (1) WO2015136832A1 (ko)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6408453B2 (ja) * 2015-11-16 2018-10-17 信越化学工業株式会社 研磨組成物及び研磨方法
WO2019151144A1 (ja) * 2018-02-05 2019-08-08 Jsr株式会社 化学機械研磨用組成物及び研磨方法
JP7183863B2 (ja) * 2018-03-13 2022-12-06 Jsr株式会社 化学機械研磨用組成物及び化学機械研磨方法
US20190382619A1 (en) * 2018-06-18 2019-12-19 Versum Materials Us, Llc Tungsten Chemical Mechanical Polishing Compositions
CN110509114B (zh) * 2019-08-14 2021-01-05 大连理工大学 一种钨合金的研磨抛光方法
KR102261151B1 (ko) * 2020-02-27 2021-06-07 비드오리진(주) 표면 돌기가 형성된 구형 무기 입자 및 그 제조 방법
US11629271B2 (en) * 2020-08-03 2023-04-18 Cmc Materials, Inc. Titanium dioxide containing ruthenium chemical mechanical polishing slurry

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005126253A (ja) * 2003-10-21 2005-05-19 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 酸化セリウム、研摩材用酸化セリウムおよびそれらの製造方法
JP2009163808A (ja) * 2007-12-28 2009-07-23 Kao Corp ハードディスク基板用研磨液組成物
JP2010016064A (ja) * 2008-07-01 2010-01-21 Kao Corp 研磨液組成物

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4944836A (en) 1985-10-28 1990-07-31 International Business Machines Corporation Chem-mech polishing method for producing coplanar metal/insulator films on a substrate
JPH0640726A (ja) 1991-02-25 1994-02-15 Sumitomo Sitix Corp 金属酸化物微粉末の製造方法
JPH10310766A (ja) 1997-05-14 1998-11-24 Fujimi Inkooporeetetsudo:Kk 研磨用組成物
JP2000080352A (ja) 1998-06-11 2000-03-21 Allied Signal Inc 低誘電率材料用研磨用スラリ―としての水系金属酸化物ゾル
JP4951218B2 (ja) 2004-07-15 2012-06-13 三星電子株式会社 酸化セリウム研磨粒子及び該研磨粒子を含む組成物
KR100630691B1 (ko) 2004-07-15 2006-10-02 삼성전자주식회사 산화세륨 연마 입자 및 그 제조 방법과 ｃｍｐ용 슬러리조성물 및 그 제조 방법과 이들을 이용한 기판 연마 방법
US7126199B2 (en) 2004-09-27 2006-10-24 Intel Corporation Multilayer metal gate electrode
JP5216186B2 (ja) 2005-07-22 2013-06-19 株式会社ナード研究所 高結晶性複合金属酸化物微粉末の製法
US7998866B2 (en) * 2006-09-05 2011-08-16 Cabot Microelectronics Corporation Silicon carbide polishing method utilizing water-soluble oxidizers
JP5110570B2 (ja) 2006-11-06 2012-12-26 独立行政法人産業技術総合研究所 アルミナ微粒子及びアルミナゾルの製造方法
KR101388956B1 (ko) 2006-12-28 2014-04-24 가오 가부시키가이샤 연마액 조성물
KR101357328B1 (ko) * 2009-11-12 2014-02-03 히타치가세이가부시끼가이샤 Ｃｍｐ 연마액, 및 이것을 이용한 연마 방법 및 반도체 기판의 제조 방법
JP5787393B2 (ja) 2011-01-28 2015-09-30 出光興産株式会社 高結晶性金属酸化物微粒子の製造方法、及びその方法により得られる高結晶性金属酸化物微粒子
JP5671724B2 (ja) 2011-02-21 2015-02-18 株式会社奈良機械製作所 液相レーザーアブレーション方法及び装置
US8828874B2 (en) * 2011-03-28 2014-09-09 Sinmat, Inc. Chemical mechanical polishing of group III-nitride surfaces
JP5698087B2 (ja) 2011-07-14 2015-04-08 株式会社トクヤマ 無機酸化物粉体
US8920667B2 (en) * 2013-01-30 2014-12-30 Cabot Microelectronics Corporation Chemical-mechanical polishing composition containing zirconia and metal oxidizer

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005126253A (ja) * 2003-10-21 2005-05-19 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 酸化セリウム、研摩材用酸化セリウムおよびそれらの製造方法
JP2009163808A (ja) * 2007-12-28 2009-07-23 Kao Corp ハードディスク基板用研磨液組成物
JP2010016064A (ja) * 2008-07-01 2010-01-21 Kao Corp 研磨液組成物

Also Published As

Publication number Publication date
KR20160131006A (ko) 2016-11-15
TWI640612B (zh) 2018-11-11
US20170096584A1 (en) 2017-04-06
CN106103637B (zh) 2018-01-30
JP2015168818A (ja) 2015-09-28
JP6130316B2 (ja) 2017-05-17
TW201546251A (zh) 2015-12-16
WO2015136832A1 (ja) 2015-09-17
US10017669B2 (en) 2018-07-10
CN106103637A (zh) 2016-11-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102339476B1 (ko) 연마 조성물 및 연마 방법, 그리고 연마 조성물의 제조 방법
JP5475642B2 (ja) 研磨材用酸化セリウム粉末及びこれを含むｃｍｐスラリー
KR102395418B1 (ko) 연마조성물 및 연마방법
JP2000160138A (ja) 研磨用組成物
JP6827318B2 (ja) 酸化セリウム砥粒
TW201529770A (zh) 研磨劑之製造方法、研磨方法及半導體積體電路裝置之製造方法
JP2011171446A (ja) Ｃｍｐ用研磨液及びこれを用いた研磨方法
KR100599327B1 (ko) Ｃｍｐ용 슬러리 및 그의 제조법
TW201533184A (zh) 研磨劑、研磨方法及半導體積體電路裝置之製造方法
JP2018090682A (ja) 研磨組成物、研磨方法、及び研磨組成物の製造方法
JP4159679B2 (ja) 研磨用組成物
JP2007153731A (ja) 球状酸化物微粒子の製造方法、研磨材、これを用いる研磨方法及び半導体装置の製造方法
JP2022137999A (ja) 酸化珪素膜用研磨液組成物
KR100613836B1 (ko) 연마용 슬러리 및 이의 제조 방법 및 기판 연마 방법
KR100584007B1 (ko) 연마용 슬러리 및 이의 제조 방법
JP6551053B2 (ja) Ｃｍｐ用研磨液及びこれを用いた研磨方法
TW202222697A (zh) 二氧化鈰及研磨劑
KR20230077394A (ko) 금속 산화물 입자-결합된 고분자 나노입자, 그의 제조방법 및 그를 포함하는 연마 슬러리 조성물
JP2020181906A (ja) 研磨液組成物
KR100819769B1 (ko) Ｃｍｐ 슬러리 조성물 및 이를 이용한 연마방법
KR100599330B1 (ko) Ｃｍｐ용 고성능 슬러리 및 그를 이용한 기판 연마 방법
JP2007154156A (ja) 金属酸化物微粒子、研磨材、これを用いる研磨方法及び半導体装置の製造方法
JP2007153728A (ja) 金属酸化物微粒子、研磨材、これを用いる基板の研磨方法及び半導体装置の製造方法
JP2019087571A (ja) 複合砥粒
JPWO2013099142A1 (ja) 基板用研磨剤及び基板の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right