KR102076934B1 - 시클로금속화 4좌 배위자 Ｐｔ(ＩＩ) 착물 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 신규한 인광 4좌 배위자 백금(II) 화합물에 관한 것이다. 이러한 화합물은 트위스트 아릴로 임의로 추가로 치환된 이소이미다졸 부분을 함유한다. 이러한 화합물은 OLED에 사용되는 것이 이로울 수 있다.
Description
본원은 2011년 8월 31일자로 출원된 미국 가출원 제61/529,634호를 우선권 주장하며, 그의 개시내용은 전적으로 본원에서 원용한다.
당해 발명은 합동 산학 연구 협정에 따라 리전츠 오브 더 유니버시티 오브 미시간, 프린스턴 유니버시티, 더 유니버시티 오브 서던 캘리포니아 및 더 유니버셜 디스플레이 코포레이션 당사자 중 하나 이상에 의하여, 이를 대신하여 및/또는 이와 관련하여 완성되었다. 협정은 당해 발명이 완성된 일자에 그리고 일자 이전에 발효되었으며, 당해 발명은 협정서의 범주내에서 수행된 활동의 결과로서 완성되었다.
본 발명은 OLED 디바이스에 투입하기 적절한 화합물에 관한 것이며, 구체적으로 화합물은 4좌 배위자(tetradentate) 백금 착물을 포함한다.
유기 물질을 사용하는 광전자 디바이스는 여러 이유로 인하여 점차로 중요해지고 있다. 이와 같은 디바이스를 제조하는데 사용되는 다수의 물질은 비교적 저렴하여 유기 광전자 디바이스는 무기 디바이스에 비하여 경제적 잇점면에서 잠재성을 갖는다. 또한, 유기 물질의 고유한 성질, 예컨대 이의 가요성은 가요성 기판상에서의 제조와 같은 특정 적용예에 매우 적합하게 될 수 있다. 유기 광전자 디바이스의 예로는 유기 발광 디바이스(OLED), 유기 광트랜지스터, 유기 광전지 및 유기 광검출기를 들 수 있다. OLED의 경우, 유기 물질은 통상의 물질에 비하여 성능면에서의 잇점을 가질 수 있다. 예를 들면, 유기 발광층이 광을 방출하는 파장은 일반적으로 적절한 도펀트로 용이하게 조절될 수 있다.
OLED는 디바이스를 가로질러 전압을 인가시 광을 방출하는 유기 박막을 사용하게 한다. OLED는 평판 패널 디스플레이, 조명 및 역광과 같은 적용예에 사용하기 위한 점차로 중요해지는 기술이다. 여러가지의 OLED 물질 및 형상은 미국 특허 제5,844,363호, 제6,303,238호 및 제5,707,745호에 기재되어 있으며, 이들 특허 문헌은 그 전문이 본원에 참고로 포함된다.
인광 발광 분자에 대한 하나의 적용예는 총 천연색 디스플레이이다. 이러한 디스플레이에 대한 산업적 기준은 "포화" 색상으로서 지칭하는 특정 색상을 방출하도록 조정된 픽셀을 필요로 한다. 특히, 이러한 기준은 포화 적색, 녹색 및 청색 픽셀을 필요로 한다. 색상은 당업계에 공지된 CIE 좌표를 사용하여 측정될 수 있다.
녹색 발광 분자의 일례로는 하기 화학식을 갖는 Ir(ppy)3으로 나타낸 트리스(2-페닐피리딘) 이리듐이다:
본원에서의 이와 같은 화학식 및 하기의 화학식에서, 본 출원인은 질소로부터 금속(여기에서는 Ir)으로의 배위 결합을 직선으로 도시한다.
본원에서, 용어 "유기"라는 것은 유기 광전자 디바이스를 제조하는데 사용될 수 있는 중합체 물질뿐 아니라, 소분자 유기 물질을 포함한다. "소분자"는 중합체가 아닌 임의의 유기 물질을 지칭하며, "소분자"는 실제로 꽤 클 수도 있다. 소분자는 일부의 상황에서는 반복 단위를 포함할 수 있다. 예를 들면, 치환기로서 장쇄 알킬 기를 사용하는 것은 "소분자" 유형으로부터 분자를 제거하지 않는다. 소분자는 또한 예를 들면 중합체 주쇄상에서의 측쇄기로서 또는 주쇄의 일부로서 중합체에 투입될 수 있다. 소분자는 또한 코어 부분상에 생성된 일련의 화학적 셸로 이루어진 덴드리머의 코어 부분으로서 작용할 수 있다. 덴드리머의 코어 부분은 형광 또는 인광 소분자 방출체일 수 있다. 덴드리머는 "소분자"일 수 있으며, OLED 분야에서 통상적으로 사용되는 모든 덴드리머는 소분자인 것으로 밝혀졌다.
본원에서 사용한 바와 같이, "상부"는 기판으로부터 가장 멀리 떨어졌다는 것을 의미하며, "하부"는 기판에 가장 근접하다는 것을 의미한다. 제1층이 제2층"의 상부에 위치하는" 것으로 기재될 경우, 제1층은 기판으로부터 멀리 떨어져 배치된다. 제1층이 제2층과 "접촉되어 있는" 것으로 명시되지 않는다면 제1층과 제2층 사이에는 다른 층이 존재할 수 있다. 예를 들면, 캐쏘드와 애노드의 사이에 다양한 유기층이 존재할 수 있을지라도, 캐쏘드는 애노드"의 상부에 위치하는" 것으로 기재될 수 있다.
본원에서 사용한 바와 같이, "용액 가공성"은 용액 또는 현탁액 형태로 액체 매체에 용해, 분산 또는 수송될 수 있거나 및/또는 액체 매체로부터 증착될 수 있다는 것을 의미한다.
리간드가 발광 물질의 광활성 성질에 직접적으로 기여하는 것으로 밝혀질 경우, 리간드는 "광활성"으로서 지칭될 수 있다. 보조적 리간드가 광활성 리간드의 성질을 변경시킬 수 있을지라도, 리간드가 발광 물질의 광활성 성질에 기여하지 않는 것으로 밝혀질 경우, 리간드는 "보조적"인 것으로 지칭될 수 있다.
본원에서 사용한 바와 같이 그리고 일반적으로 당업자가 이해하고 있는 바와 같이, 제1의 "최고 점유 분자 궤도"(HOMO) 또는 "최저 점유 분자 궤도"(LUMO) 에너지 레벨이 진공 에너지 레벨에 근접할 경우, 제1의 에너지 레벨은 제2의 HOMO 또는 LUMO보다 "더 크거나" 또는 "더 높다". 이온화 전위(IP)가 진공 레벨에 대하여 음의 에너지로서 측정되므로, 더 높은 HOMO 에너지 레벨은 더 작은 절대값을 갖는 IP에 해당한다(IP는 음의 값이 더 작다). 유사하게, 더 높은 LUMO 에너지 레벨은 절대값이 더 작은 전자 친화도(EA)에 해당한다(EA의 음의 값이 더 작다). 상부에서의 진공 레벨을 갖는 통상의 에너지 레벨 다이아그램에서, 물질의 LUMO 에너지 레벨은 동일한 물질의 HOMO 에너지 레벨보다 더 높다. "더 높은" HOMO 또는 LUMO 에너지 레벨은 "더 낮은" HOMO 또는 LUMO 에너지 레벨보다 상기 다이아그램의 상부에 더 근접한다는 것을 나타낸다.
본원에서 사용한 바와 같이 그리고 일반적으로 당업자가 이해하는 바와 같이, 제1의 일 함수의 절대값이 더 클 경우, 제1의 일 함수는 제2의 일 함수보다 "더 크거나" 또는 "더 높다". 일 함수는 일반적으로 진공 레벨에 대하여 음의 수로서 측정되므로, 이는 "더 높은" 일 함수의 음의 값이 더 크다는 것을 의미한다. 상부에서 진공 레벨을 갖는 통상의 에너지 레벨 다이아그램에서, "더 높은" 일 함수는 진공 레벨로부터 아래 방향으로 더 먼 것으로서 도시된다. 그래서, HOMO 및 LUMO 에너지 레벨의 정의는 일 함수와는 상이한 조약을 따른다.
OLED에 대한 세부사항 및 전술한 정의는 미국 특허 제7,279,704호에서 찾아볼 수 있으며, 이 특허 문헌은 그 전문이 본원에 참고로 포함된다.
이소이미다졸 리간드를 포함하는 4좌 배위자 백금(II) 착물이 제공된다. 화합물은 하기 화학식 I을 갖는다:
<화학식 I>
상기 화학식에서, A, B 및 C는 각각 독립적으로 5- 또는 6-원 카르보시클릭 또는 헤테로시클릭 고리이다. L1 및 L3은 독립적으로 단일 결합, BR, NR, PR, O, S, Se, C=O, S=O, SO2, CRR', SiRR' 및 GeRR'로 이루어진 군으로부터 선택된다. L2는 BR, NR, PR, O, S, Se, C=O, S=O, SO2, CRR', SiRR' 및 GeRR'로 이루어진 군으로부터 선택된다. n1은 0 또는 1이다. n2는 0 또는 1이다. n1+n2는 1 이상이다. Z1 및 Z2는 독립적으로 질소 원자 또는 탄소 원자이다. R1, R2, R3 및 R4는 모노-, 디-, 트리- 또는 테트라-치환을 나타낼 수 있다. R, R', R1, R2, R3, R4 및 R5는 독립적으로 수소, 중수소, 할라이드, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 아릴알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 아실, 카르보닐, 카르복실산, 에스테르, 니트릴, 이소니트릴, 술파닐, 술피닐, 술포닐, 포스피노 및 그의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된다. R1은 A에 임의로 융합된다. R3은 B에 임의로 융합된다. R4는 C에 임의로 융합된다. R3 및 R4는 임의로 결합되어 고리로 형성된다. R3 및 L2는 임의로 결합되어 고리로 형성된다. R4 및 L2는 임의로 결합되어 고리로 형성된다.
하나의 구체예에서, R5는 치환된 아릴이다. 바람직하게는, R5는 2,6-이치환된 아릴이다.
더욱 바람직하게는, R5는 
이다.
R'1 및 R'2는 독립적으로 수소, 중수소, 할라이드, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 아릴알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 아실, 카르보닐, 카르복실산, 에스테르, 니트릴, 이소니트릴, 술파닐, 술피닐, 술포닐, 포스피노 및 그의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된다. R'1 및 R'2 중 하나 이상은 수소 또는 중수소가 아니다. D는 수소, 중수소, 할라이드, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 아릴알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 아실, 카르보닐, 카르복실산, 에스테르, 니트릴, 이소니트릴, 술파닐, 술피닐, 술포닐, 포스피노 및 그의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 R'3으로 임의로 추가로 치환되는 5-원 또는 6-원 카르보시클릭 또는 헤테로시클릭 고리이다.
하나의 구체예에서, 각각의 R'1 및 R'2는 수소 또는 중수소가 아니다. 또다른 구체예에서, R'1 및 R'2 중 하나 이상은 알킬이다. 또다른 구체예에서, 각각의 R'1 및 R'2는 알킬이다. 추가의 구체예에서, R'1 및 R'2 중 하나 이상은 2개 이상의 탄소를 포함하는 알킬이다. 또다른 구체예에서, R'1 및 R'2 중 하나 이상은 아릴이다. 또다른 구체예에서, 각각의 R'1 및 R'2는 아릴이다.
하나의 구체예에서, 화합물은 중성 하전을 갖는다. 또다른 구체예에서, A, B 및 C 중 2개 이상은 페닐이고, A, B 및 C 중 하나는 피리딘이다.
하나의 구체예에서, 화합물은 하기 화학식 II을 갖는다:
<화학식 II>
또다른 구체예에서, 화합물은 하기 화학식 III을 갖는다:
<화학식 III>
또다른 구체예에서, 화합물은 하기 화학식 IV를 갖는다:
<화학식 IV>
추가의 구체예에서, 화합물은 하기 화학식 V를 갖는다:
<화학식 V>
또다른 구체예에서, 화합물은 하기 화학식 VI을 갖는다:
<화학식 VI>
또다른 구체예에서, 화합물은 하기 화학식 VII을 갖는다:
<화학식 VII>
하나의 구체예에서, L1 또는 L3은 O, S, CH2, CR'2, NR', SiR'2 또는 BR'로 이루어진 군으로부터 선택된다. R'는 알킬 또는 아릴이다. 또다른 구체예에서, L2는 O, S, CH2, CR'2, NR' 및 SiR'2으로 이루어진 군으로부터 선택된다. R'는 알킬 또는 아릴이고, R'는 B 또는 C에 임의로 결합된다.
하나의 구체예에서, R1, R2, R3 및 R4는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 알킬, 아릴, 고리형 알킬, 분지형 알킬, 헤테로아릴 및 융합된 아릴로 이루어진 군으로부터 선택된다.
4좌 배위자 백금(II) 착물의 특정한 비제한적인 예가 제공된다. 하나의 구체예에서, 화합물은 하기로 이루어진 군으로부터 선택된다:
추가로, 제1의 디바이스가 제공된다. 제1의 디바이스는 제1의 유기 발광 디바이스를 포함한다. 유기 발광 디바이스는 애노드, 캐쏘드 및, 애노드와 캐쏘드 사이에 배치된 유기층을 더 포함한다. 유기층은 하기 화학식 I를 갖는 화합물을 포함한다:
<화학식 I>
상기 화학식에서, A, B 및 C는 각각 독립적으로 5- 또는 6-원 카르보시클릭 또는 헤테로시클릭 고리이다. L1 및 L3은 독립적으로 단일 결합, BR, NR, PR, O, S, Se, C=O, S=O, SO2, CRR', SiRR' 및 GeRR'로 이루어진 군으로부터 선택된다. L2는 BR, NR, PR, O, S, Se, C=O, S=O, SO2, CRR', SiRR' 및 GeRR'로 이루어진 군으로부터 선택된다. n1은 0 또는 1이다. n2는 0 또는 1이다. n1+n2는 1 이상이다. Z1 및 Z2는 독립적으로 질소 원자 또는 탄소 원자이다. R1, R2, R3 및 R4는 모노-, 디-, 트리- 또는 테트라-치환을 나타낼 수 있다. R, R', R1, R2, R3, R4 및 R5는 독립적으로 수소, 중수소, 할라이드, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 아릴알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 아실, 카르보닐, 카르복실산, 에스테르, 니트릴, 이소니트릴, 술파닐, 술피닐, 술포닐, 포스피노 및 그의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된다. R1은 A에 임의로 융합된다. R3은 B에 임의로 융합된다. R4는 C에 임의로 융합된다. R3 및 R4는 임의로 결합되어 고리로 형성된다. R3 및 L2는 임의로 결합되어 고리로 형성된다. R4 및 L2는 임의로 결합되어 고리로 형성된다.
화학식 I을 갖는 화합물에 대하여 상기 논의된 다양한 특정 구체예는 또한 제1의 디바이스에 사용되는 화학식 I의 화합물에도 적용 가능하다. 특히, R1, R2, R3, R4, R5, R', R'1, R'2, A, B, C, D, L1, L2, L3, 화학식 II, 화학식 III, 화학식 IV, 화학식 V, 화학식 VI, 화학식 VII 및, 화학식 I을 갖는 화합물의 화합물 1-76의 특정한 구체예도 또한 제1의 디바이스에 사용되는 화학식 I를 갖는 화합물에도 또한 적용 가능하다.
하나의 구체예에서, R5는 치환된 아릴이다. 바람직하게는, R5는 
이다.
R'1 및 R'2는 독립적으로 수소, 중수소, 할라이드, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 아릴알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 아실, 카르보닐, 카르복실산, 에스테르, 니트릴, 이소니트릴, 술파닐, 술피닐, 술포닐, 포스피노 및 그의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된다. R'1 및 R'2 중 하나 이상은 수소 또는 중수소가 아니다. D는 수소, 중수소, 할라이드, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 아릴알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 아실, 카르보닐, 카르복실산, 에스테르, 니트릴, 이소니트릴, 술파닐, 술피닐, 술포닐, 포스피노 및 그의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 R'3로 임의로 추가로 치환된 5-원 또는 6-원 카르보시클릭 또는 헤테로시클릭 고리이다.
하나의 구체예에서, 유기층이 발광층이고, 화합물은 발광 도펀트이다. 또다른 구체예에서, 유기층이 호스트를 더 포함한다.
하나의 구체예에서, 호스트는 벤조-융합된 티오펜 또는 벤조-융합된 푸란을 포함하는 트리페닐렌을 포함하며, 여기서 호스트에서의 임의의 치환기는 독립적으로 CnH2n+1, OCnH2n+1, OAr1, N(CnH2n+1)2, N(Ar1)(Ar2), CH=CH-CnH2n+1, C≡CHCnH2n+1, Ar1, Ar1-Ar2, CnH2n-Ar1로 이루어진 군으로부터 선택된 비융합 치환기이거나 또는 치환이 존재하지 않는다. n은 1 내지 10이다. Ar1 및 Ar2는 독립적으로 벤젠, 비페닐, 나프탈렌, 트리페닐렌, 카르바졸 및 그의 헤테로방향족 유사체로 이루어진 군으로부터 선택된다. 바람직하게는, 호스트는 화학식 
을 갖는다.
또다른 구체예에서, 호스트는
및 그의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된다.
또다른 구체예에서, 호스트는 금속 착물이다.
하나의 구체예에서, 유기층이 발광층이고, 화합물은 비-발광 도펀트이다.
하나의 구체예에서, 제1의 디바이스는 소비재이다. 또다른 구체예에서, 제1의 디바이스는 유기 발광 디바이스이다. 또다른 구체예에서, 제1의 디바이스는 조명 패널을 포함한다.
도 1은 유기 발광 디바이스를 도시한다.
도 2는 별도의 전자 수송층을 갖지 않는 역전된 유기 발광 디바이스를 도시한다.
도 3은 4좌 배위자 Pt(II) 착물의 일반적인 구조를 도시한다.
도 4는 4좌 배위자 Pt(II) 착물의 예시의 구조를 도시한다.
도 2는 별도의 전자 수송층을 갖지 않는 역전된 유기 발광 디바이스를 도시한다.
도 3은 4좌 배위자 Pt(II) 착물의 일반적인 구조를 도시한다.
도 4는 4좌 배위자 Pt(II) 착물의 예시의 구조를 도시한다.
일반적으로, OLED는 애노드 및 캐쏘드 사이에 배치되어 이에 전기 접속되는 1종 이상의 유기층을 포함한다. 전류가 인가되면, 애노드는 정공을 유기층(들)에 주입하고, 캐쏘드는 전자를 주입한다. 주입된 정공 및 전자는 각각 반대로 하전된 전극을 향하여 이동한다. 전자 및 정공이 동일한 분자상에 편재화될 경우, 여기된 에너지 상태를 갖는 편재화된 전자-정공쌍인 "엑시톤"이 형성된다. 엑시톤이 광발광 메카니즘에 의하여 이완될 경우 광이 방출된다. 일부의 경우에서, 엑시톤은 엑시머 또는 엑시플렉스상에 편재화될 수 있다. 비-방사 메카니즘, 예컨대 열 이완도 또한 발생할 수 있으나, 일반적으로 바람직하지 않은 것으로 간주된다.
초기 OLED는 예를 들면 미국 특허 제 4,769,292호에 개시된 바와 같은 단일항 상태로부터 광("형광")을 방출하는 발광 분자를 사용하였으며, 상기 특허 문헌은 그 전문이 본원에 참고로 포함된다. 형광 방출은 일반적으로 10 나노초 미만의 시간 기간으로 발생한다.
보다 최근에는, 삼중항 상태로부터의 광("인광")을 방출하는 발광 물질을 갖는 OLED가 예시되어 있다. 문헌[Baldo et al., "Highly Efficient Phosphorescent Emission from Organic Electroluminescent Devices," Nature, vol. 395, 151-154, 1998 ("Baldo-I")] 및 [Baldo et al., "Very high-efficiency green organic light-emitting devices based on electrophosphorescence," Appl. Phys. Lett., vol. 75, No. 3, 4-6 (1999) ("Baldo-II")]을 참조하며, 이들 문헌은 그 전문이 본원에 참고로 포함된다. 인광은 참고로 포함되는 미국 특허 제7,279,704호의 컬럼 5-6에 보다 구체적으로 기재되어 있다.
도 1은 유기 발광 디바이스(100)를 도시한다. 도 1은 반드시 축척에 의하여 도시하지는 않았다. 디바이스(100)는 기판(110), 애노드(115), 정공 주입층(120), 정공 수송층(125), 전자 차단층(130), 발광층(135), 정공 차단층(140), 전자 수송층(145), 전자 주입층(150), 보호층(155) 및 캐쏘드(160)를 포함할 수 있다. 캐쏘드(160)는 제1의 전도층(162) 및 제2의 전도층(164)을 갖는 화합물 캐쏘드이다. 디바이스(100)는 기재된 순서로 층을 증착시켜 제조될 수 있다. 이들 다양한 층뿐 아니라, 예시의 물질의 성질 및 기능은 참고로 포함되는 미국 특허 제7,279,704호의 컬럼 6-10에 보다 구체적으로 기재되어 있다.
이들 각각의 층에 대한 더 많은 예도 이용 가능하다. 예를 들면 가요성 및 투명한 기판-애노드 조합은 미국 특허 제 5,844,363호에 개시되어 있으며, 이 특허 문헌은 그 전문이 본원에 참고로 포함된다. p-도핑된 정공 수송층의 예는 미국 특허 출원 공개 공보 제2003/0230980호에 개시된 바와 같이, 50:1의 몰비로 F4-TCNQ로 도핑된 m-MTDATA이며, 이 특허 문헌은 그 전문이 본원에 참고로 포함된다. 발광 및 호스트 물질의 예는 미국 특허 제6,303,238호(Thompson et al.)에 개시되어 있으며, 이 특허 문헌은 그 전문이 본원에 참고로 포함된다. n-도핑된 전자 수송층의 예는 미국 특허 출원 공개 공보 제2003/0230980에 개시된 바와 같이, 1:1의 몰비로 Li로 도핑된 BPhen이고, 이 특허 문헌은 그 전문이 본원에 참고로 포함된다. 그 전문이 본원에 참고로 포함되는 미국 특허 제5,703,436호 및 제5,707,745호에는 적층된 투명, 전기전도성 스퍼터-증착된 ITO 층을 갖는 Mg:Ag와 같은 금속의 박층을 갖는 화합물 캐쏘드를 비롯한 캐쏘드의 예가 개시되어 있다. 차단층의 이론 및 용도는 미국 특허 제6,097,147호 및 미국 특허 출원 공개 공보 제2003/0230980호에 보다 구체적으로 기재되어 있으며, 이들 특허 문헌은 그 전문이 본원에 참고로 포함된다. 주입층의 예는 미국 특허 출원 공개 공보 제2004/0174116호에 제공되어 있으며, 이 특허 문헌은 그 전문이 본원에 참고로 포함된다. 보호층의 설명은 미국 특허 출원 공개 공보 제2004/0174116호에서 찾아볼 수 있으며, 이들 특허 문헌은 그 전문이 본원에 참고로 포함된다.
도 2는 역전된 OLED(200)를 도시한다. 디바이스는 기판(210), 캐쏘드(215), 발광층(220), 정공 수송층(225) 및 애노드(230)를 포함한다. 디바이스(200)는 기재된 순서로 층을 적층시켜 제조될 수 있다. 가장 흔한 OLED 구조는 애노드의 위에 캐쏘드가 배치되어 있고 그리고 디바이스(200)가 애노드(230)의 아래에 캐쏘드(215)가 배치되어 있으므로, 디바이스(200)는 "역전된" OLED로 지칭될 수 있다. 디바이스(100)에 관하여 기재된 것과 유사한 물질이 디바이스(200)의 해당 층에 사용될 수 있다. 도 2는 디바이스(100)의 구조로부터 일부 층이 얼마나 생략될 수 있는지의 일례를 제공한다.
도 1 및 도 2에 도시된 단순 적층된 구조는 비제한적인 예로서 제공하며, 본 발명의 실시양태는 다양한 기타의 구조와 관련하여 사용될 수 있는 것으로 이해하여야 한다. 기재된 특정한 물질 및 구조는 사실상 예시를 위한 것이며, 기타의 물질 및 구조도 사용될 수 있다. 작용성 OLED는 기재된 다양한 층을 상이한 방식으로 조합하여 달성될 수 있거나 또는 층은 디자인, 성능 및 비용 요인에 기초하여 전적으로 생략할 수 있다. 구체적으로 기재되지 않은 기타의 층도 또한 포함될 수 있다. 이들 구체적으로 기재된 층을 제외한 물질을 사용할 수 있다. 본원에 제공된 다수의 예가 단일 물질을 포함하는 것으로서 다양한 층을 기재하기는 하나, 물질, 예컨대 호스트 및 도펀트의 혼합물 또는 보다 일반적으로 혼합물을 사용할 수 있다. 또한, 층은 다수의 하부층을 가질 수 있다. 본원에서 다양한 층에 제시된 명칭은 엄격하게 제한하고자 하는 것은 아니다. 예를 들면, 디바이스(200)에서 정공 수송층(225)은 정공을 수송하며, 정공을 발광층(220)에 주입하며, 정공 수송층 또는 정공 주입층으로서 기재될 수 있다. 하나의 실시양태에서, OLED는 캐쏘드와 애노드 사이에 배치된 "유기층"을 갖는 것으로 기재될 수 있다. 이러한 유기층은 단일층을 포함할 수 있거나 또는 예를 들면 도 1 및 도 2와 관련하여 기재된 바와 같은 상이한 유기 물질의 복수의 층을 더 포함할 수 있다.
구체적으로 기재하지 않은 구조 및 물질, 예컨대 미국 특허 제5,247,190호(Friend et al.)에 기재된 바와 같은 중합체 물질(PLED)을 포함하는 OLED를 사용할 수 있으며, 이 특허 문헌은 그 전문이 본원에 참고로 포함된다. 추가의 예로서, 단일 유기층을 갖는 OLED를 사용할 수 있다. OLED는 예를 들면 미국 특허 제5,707,745호(Forrest et al.)에 기재된 바와 같이 적층될 수 있으며, 이 특허 문헌은 그 전문이 본원에 참고로 포함된다. OLED 구조는 도 1 및 도 2에 도시된 단순 적층된 구조로부터 벗어날 수 있다. 예를 들면, 기판은 미국 특허 제6,091,195호(Forrest et al.)에 기재된 바와 같은 메사형(mesa) 구조 및/또는 미국 특허 제5,834,893호(Bulovic et al.)에 기재된 피트형(pit) 구조와 같은 아웃-커플링(out-coupling)을 개선시키기 위한 각진 반사면을 포함할 수 있으며, 이들 특허 문헌은 그 전문이 본원에 참고로 포함된다.
반대의 의미로 명시하지 않는 한, 다양한 실시양태의 임의의 층은 임의의 적절한 방법에 의하여 적층될 수 있다. 유기층의 경우, 바람직한 방법으로는 미국 특허 제6,013,982호 및 제6,087,196호(이 특허 문헌은 그 전문이 본원에 참고로 포함됨)에 기재된 바와 같은 열 증발, 잉크-제트, 미국 특허 제6,337,102호(Forrest et al.)(이 특허 문헌은 그 전문이 본원에 참고로 포함됨)에 기재된 바와 같은 유기 증기상 증착(OVPD), 미국 특허 출원 번호 제10/233,470호(이 특허 문헌은 그 전문이 본원에 참고로 포함됨)에 기재된 바와 같은 유기 증기 제트 프린팅(OVJP)에 의한 증착을 들 수 있다. 기타의 적절한 증착 방법은 스핀 코팅 및 기타의 용액계 공정을 포함한다. 용액계 공정은 질소 또는 불활성 대기 중에서 실시되는 것이 바람직하다. 기타의 층의 경우, 바람직한 방법은 열 증발을 포함한다. 바람직한 패턴 형성 방법은 마스크를 통한 증착, 미국 특허 제6,294,398호 및 제6,468,819호(이 특허 문헌은 그 전문이 본원에 참고로 포함됨)에 기재된 바와 같은 냉간 용접 및, 잉크-제트 및 OVJD와 같은 일부 증착 방법과 관련된 패턴 형성을 포함한다. 증착시키고자 하는 물질은 특정한 증착 방법과 상용성을 갖도록 변형될 수 있다. 예를 들면, 분지형 또는 비분지형, 바람직하게는 3개 이상의 탄소를 포함하는 알킬 및 아릴 기와 같은 치환기는 그의 용액 가공의 처리 능력을 향상시키기 위하여 소분자에 사용될 수 있다. 20개 이상의 탄소를 갖는 치환기를 사용할 수 있으며, 3 내지 20개의 탄소가 바람직한 범위이다. 비대칭 구조를 갖는 물질은 대칭 구조를 갖는 것보다 더 우수한 용액 가공성을 가질 수 있는데, 비대칭 물질은 재결정화되는 경향이 낮을 수 있기 때문이다. 덴드리머 치환기는 용액 가공을 처리하는 소분자의 능력을 향상시키기 위하여 사용될 수 있다.
본 발명의 실시양태에 의하여 제조되는 디바이스는 평판 패널 디스플레이, 컴퓨터 모니터, 텔레비젼, 광고판, 실내 또는 옥외 조명 및/또는 시그날링을 위한 라이트, 헤드업 디스플레이, 완전 투명 디스플레이, 플렉시블 디스플레이, 레이저 프린터, 전화기, 휴대폰, 개인용 정보 단말기(PDA), 랩탑 컴퓨터, 디지탈 카메라, 캠코더, 뷰파인더, 마이크로디스플레이, 자동차, 거대 월, 극장 또는 스타디움 스크린 또는 간판을 비롯한 다양한 소비재에 투입될 수 있다. 패시브 매트릭스 및 액티브 매트릭스를 비롯한 다양한 조절 메카니즘을 사용하여 본 발명에 의한 디바이스를 조절할 수 있다. 다수의 디바이스는 사람에게 안락감을 주는 온도 범위, 예컨대 18℃ 내지 30℃, 더욱 바람직하게는 실온(20℃ 내지 25℃)에서 사용하고자 한다.
본원에 기재된 물질 및 구조는 OLED를 제외한 디바이스에서의 적용예를 가질 수 있다. 예를 들면, 기타의 광전자 디바이스, 예컨대 유기 태양 전지 및 유기 광검출기는 물질 및 구조를 사용할 수 있다. 보다 일반적으로, 유기 디바이스, 예컨대 유기 트랜지스터는 물질 및 구조를 사용할 수 있다.
용어 할로, 할로겐, 알킬, 시클로알킬, 알케닐, 알키닐, 아릴알킬, 헤테로시클릭 기, 아릴, 방향족 기 및 헤테로아릴은 당업계에 공지되어 있으며, 미국 특허 제7,279,704호의 컬럼 31-32에서 정의되어 있으며, 이 특허 문헌은 그 전문이 본원에 참고로 포함된다.
4좌 배위자 백금(II) 착물의 신규한 유형이 제공된다(도 3에 도시한 바와 같음). 이러한 화합물은 카르보시클릭 및/또는 헤테로시클릭 고리 사이, 즉 B 및 C 사이의 단일 결합을 제외한 결합을 갖는 리간드 및 이미다졸 부분을 포함한다. 이러한 화합물은 OLED에 사용되는 것이 이로울 수 있다.
예시된 제1의 PHOLED가 백금 착물, 이른바 2,3,7,8,12,13,17,18-옥타에틸-21H,23H-포르핀 백금(II)(PtOEP)을 함유하는 것으로 예시되기는 하였으나, 백금 착물은 최첨단의 PHOLED에서의 임의의 실제의 용도를 갖는다. 문헌[Nature, 1998, 395, 151]. 이리듐 착물에 비하여, 백금(II) 착물은 일반적으로 비교적 긴 여기 상태 수명 및 더 낮은 양자 수율을 갖는다. 게다가, 백금(II) 착물은 정사각형 평면 기하를 채택하는데, 이는 종종 엑시머 형성을 야기한다. 그러므로, 이들 착물은 OLED에서의 더 높은 도핑 농도에서 확장된 발광 스펙트럼을 가질 수 있다.
2좌 배위자 및 3좌 배위자 Pt(II) 착물이 보고되어 있으나, 일반적으로 OLED에서의 제한된 용도를 갖는다. 이러한 착물은 종종 불량한 열 안정성 및 디바이스 안정성을 지니므로, OLED에서의 그의 적용이 제한된다.
4좌 배위자 Pt(II) 착물은 또한 문헌에 개시되어 있지만, 2좌 배위자 및 3좌 배위자 Pt(II) 착물과 유사하게, 이들 4좌 배위자 Pt(II) 착물은 OLED에서 제한된 용도를 가질 수 있다. 본원에 제공된 신규한 유형의 4좌 배위자 백금(II) 착물은 B 및 C 사이에서 단일 결합을 제외한 결합을 함유한다. 이러한 결합은 콘쥬게이션을 분해하며, 더 높은 삼중항 에너지를 제공할 수 있다. 그러므로, 본원에 제공된 화합물은 OLED에 사용되는 것이 이로울 수 있다.
이소이미다졸 리간드를 포함하는 4좌 배위자 백금(II) 착물이 제공된다. 이러한 화합물은 하기 화학식 I을 갖는다:
<화학식 I>
상기 화학식에서, A, B 및 C는 각각 독립적으로 5- 또는 6-원 카르보시클릭 또는 헤테로시클릭이다. L1 및 L3은 독립적으로 단일 결합, BR, NR, PR, O, S, Se, C=O, S=O, SO2, CRR', SiRR' 및 GeRR'로 이루어진 군으로부터 선택된다. L2는 BR, NR, PR, O, S, Se, C=O, S=O, SO2, CRR', SiRR' 및 GeRR'로 이루어진 군으로부터 선택된다. n1은 0 또는 1이다. n2는 0 또는 1이다. n1+n2는 1 이상이다. Z1 및 Z2는 독립적으로 질소 원자 또는 탄소 원자이다. R1, R2, R3 및 R4는 모노-, 디-, 트리- 또는 테트라-치환을 나타낼 수 있다. R, R', R1, R2, R3, R4 및 R5는 독립적으로 수소, 중수소, 할라이드, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 아릴알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 아실, 카르보닐, 카르복실산, 에스테르, 니트릴, 이소니트릴, 술파닐, 술피닐, 술포닐, 포스피노 및 그의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된다. R1은 A에 임의로 융합된다. R3은 B에 임의로 융합된다. R4는 C에 임의로 융합된다. R3 및 R4는 임의로 결합되어 고리로 형성된다. R3 및 L2는 임의로 결합되어 고리로 형성된다. R4 및 L2는 임의로 결합되어 고리로 형성된다.
하나의 구체예에서, R5는 치환된 아릴이다. 바람직하게는, R5는 2,6-이치환된 아릴이다.
더욱 바람직하게는, R5는 
이다.
R'1 및 R'2는 독립적으로 수소, 중수소, 할라이드, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 아릴알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 아실, 카르보닐, 카르복실산, 에스테르, 니트릴, 이소니트릴, 술파닐, 술피닐, 술포닐, 포스피노 및 그의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된다. R'1 및 R'2 중 하나 이상은 수소 또는 중수소가 아니다. D는 수소, 중수소, 할라이드, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 아릴알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 아실, 카르보닐, 카르복실산, 에스테르, 니트릴, 이소니트릴, 술파닐, 술피닐, 술포닐, 포스피노 및 그의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 R'3으로 임의로 추가로 치환되는 5-원 또는 6-원 카르보시클릭 또는 헤테로시클릭 고리이다.
이소이미다졸의 N-1상에서 트위스트 아릴을 포함하는 Pt(II) 4좌 배위자 화합물은 화학식 I를 갖는 화합물의 하부예이다. N-1이 화합물의 2,6-이치환된 아릴 고리 하부예에 결합된 이소이미다졸을 포함하는 Pt(II) 4좌 배위자 화합물은 디바이스에서 보다 효과적으로 승화 및 발광되는 신규한 청색 발광체를 제공할 수 있다. 트위스트 아릴 부분을 4좌 배위자 구조에 투입함으로써, Pt(II) 착물은 더 높은 효율 및 더 긴 디바이스 수명을 나타낼 수 있다. 특정한 이론으로 한정하지는 않지만, 이소이미다졸 고리의 평면으로부터 아릴 기를 트위스트함으로써 콘쥬게이션이 분해되는 것은 여러가지 잇점을 생성할 수 있는 것으로 여겨진다. 화합물은 청색 색상을 제공할 수 있다. 게다가, 화합물은 개선된 승화 및 개선된 효율을 가질 수 있는데, 이는 트위스트 아릴을 갖는 화합물이 트위스트 아릴이 없는 화합물보다 훨씬 덜 평면적이기 때문이다. 구체적으로, 화합물은 더 큰 3차원적인 성질을 갖기 때문에 삼중항-삼중항 소멸 및 자동-소광(self-quenching)에 대한 경향이 더 적을 수 있다. 화합물 1-64, 69, 70 및 72-76을 비롯한 이소이미다졸의 N-1상에서의 트위스트 아릴을 갖는 여러가지의 4좌 배위자 백금 착물이 본원에 개시되어 있다.
하나의 구체예에서, 각각의 R'1 및 R'2는 수소 또는 중수소가 아니다. 또다른 구체예에서, R'1 및 R'2 중 하나 이상은 알킬이다. 또다른 구체예에서, 각각의 R'1 및 R'2는 알킬이다. 추가의 구체예에서, R'1 및 R'2 중 하나 이상은 2개 이상의 탄소를 포함하는 알킬이다. 또다른 구체예에서, R'1 및 R'2 중 하나 이상은 아릴이다. 또다른 구체예에서, 각각의 R'1 및 R'2는 아릴이다.
하나의 구체예에서, 화합물은 중성 하전을 갖는다. 또다른 구체예에서, A, B 및 C 중 2개는 페닐이고, A, B 및 C 중 하나는 피리딘이다.
하나의 구체예에서, 화합물은 하기 화학식 II를 갖는다:
<화학식 II>
또다른 구체예에서, 화합물은 하기 화학식 III를 갖는다:
<화학식 III>
또다른 구체예에서, 화합물은 하기 화학식 IV를 갖는다:
<화학식 IV>
추가의 구체예에서, 화합물은 하기 화학식 V를 갖는다:
<화학식 V>
또다른 구체예에서, 화합물은 하기 화학식 VI를 갖는다:
<화학식 VI>
또다른 구체예에서, 화합물은 하기 화학식 VII를 갖는다:
<화학식 VII>
화학식 II 내지 화학식 VII은 화학식 I을 갖는 화합물에 대한 구조의 바람직한 하부예를 나타낸다. 이들 구조에서 A, 즉 A 고리는 페닐이고, 이는 리간드를 시클로금속화시키는 C^이소이미다졸에 기초한 바람직한 광물리적 성질을 갖는 강한 탄소 금속 결합을 형성하는 것으로 알려져 있다. 착물의 성질은 B 및 C, 즉 B 및 C 고리를 페닐 또는 질소 헤테로사이클로 치환시켜 추가로 조절할 수 있다. 바람직한 질소 헤테로사이클은 질소를 통하여 결합된 이미다졸 또는 중성 배위결합된 카르벤 및 피리딘을 포함한다. 특정한 이론으로 한정하지는 않지만, L2 가교기는 B 및 C 고리 사이의 콘쥬게이션을 분해하여 광물리가 리간드를 시클로금속화하는 페닐-이소이미다졸에 의하여 주로 지배되도록 하는 것으로 여겨진다.
하나의 구체예에서, L1 또는 L3은 O, S, CH2, CR'2, NR', SiR'2 또는 BR'로 이루어진 군으로부터 선택된다. R'는 알킬 또는 아릴이다. 또다른 구체예에서, L2는 O, S, CH2, CR'2, NR' 및 SiR'2으로 이루어진 군으로부터 선택된다. R'는 알킬 또는 아릴이고, R'는 B 또는 C에 임의로 결합된다.
하나의 구체예에서, R1, R2, R3 및 R4는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 알킬, 아릴, 고리형 알킬, 분지형 알킬, 헤테로아릴 및 융합된 아릴로 이루어진 군으로부터 선택된다.
4좌 배위자 백금(II) 착물의 특정한 비제한적인 예가 제공된다. 하나의 구체예에서, 화합물은 하기로 이루어진 군으로부터 선택된다:
추가로, 제1의 디바이스가 제공된다. 제1의 디바이스는 유기 발광 디바이스를 포함한다. 유기 발광 디바이스는 애노드, 캐쏘드 및, 애노드와 캐쏘드 사이에 배치된 유기층을 더 포함한다. 유기층은 하기 화학식 I의 화합물을 포함한다:
<화학식 I>
상기 화학식에서, A, B 및 C는 각각 독립적으로 5- 또는 6-원 카르보시클릭 또는 헤테로시클릭 고리이다. L1 및 L3은 독립적으로 단일 결합, BR, NR, PR, O, S, Se, C=O, S=O, SO2, CRR', SiRR' 및 GeRR'로 이루어진 군으로부터 선택된다. L2는 BR, NR, PR, O, S, Se, C=O, S=O, SO2, CRR', SiRR' 및 GeRR'로 이루어진 군으로부터 선택된다. n1은 0 또는 1이다. n2는 0 또는 1이다. n1+n2는 1 이상이다. Z1 및 Z2는 독립적으로 질소 원자 또는 탄소 원자이다. R1, R2, R3 및 R4는 모노-, 디-, 트리- 또는 테트라-치환을 나타낼 수 있다. R, R', R1, R2, R3, R4 및 R5는 독립적으로 수소, 중수소, 할라이드, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 아릴알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 아실, 카르보닐, 카르복실산, 에스테르, 니트릴, 이소니트릴, 술파닐, 술피닐, 술포닐, 포스피노 및 그의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된다. R1은 A에 임의로 융합된다. R3은 B에 임의로 융합된다. R4는 C에 임의로 융합된다. R3 및 R4는 임의로 결합되어 고리로 형성된다. R3 및 L2는 임의로 결합되어 고리로 형성된다. R4 및 L2는 임의로 결합되어 고리로 형성된다.
화학식 I를 갖는 화합물에 대하여 상기 논의된 다양한 특정한 구체예도 또한 제1의 디바이스에 사용된 화학식 I를 갖는 화합물에 적용 가능하다. 특히, R1, R2, R3, R4, R5, R', R'1, R'2, A, B, C, D, L1, L2, L3, 화학식 II, 화학식 III, 화학식 IV, 화학식 V, 화학식 VI, 화학식 VII 및, 화학식 I을 갖는 화합물의 화합물 1-76의 특정한 구체예도 또한 제1의 디바이스에 사용되는 화학식 I를 갖는 화합물에도 또한 적용 가능하다.
하나의 구체예에서, R5는 치환된 아릴이다. 바람직하게는, R5는 
이다.
R'1 및 R'2는 독립적으로 수소, 중수소, 할라이드, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 아릴알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 아실, 카르보닐, 카르복실산, 에스테르, 니트릴, 이소니트릴, 술파닐, 술피닐, 술포닐, 포스피노 및 그의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된다. R'1 및 R'2 중 하나 이상은 수소 또는 중수소가 아니다. D는 수소, 중수소, 할라이드, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 아릴알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 아실, 카르보닐, 카르복실산, 에스테르, 니트릴, 이소니트릴, 술파닐, 술피닐, 술포닐, 포스피노 및 그의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 R'3로 임의로 추가로 치환된 5-원 또는 6-원 카르보시클릭 또는 헤테로시클릭 고리이다.
하나의 구체예에서, 유기층이 발광층이고, 화합물은 발광 도펀트이다. 또다른 구체예에서, 유기층이 호스트를 더 포함한다.
하나의 구체예에서, 호스트는 벤조-융합된 티오펜 또는 벤조-융합된 푸란을 포함하는 트리페닐렌을 포함하며, 여기서 호스트에서의 임의의 치환기는 독립적으로 CnH2n+1, OCnH2n+1, OAr1, N(CnH2n+1)2, N(Ar1)(Ar2), CH=CH-CnH2n+1, C≡CHCnH2n+1, Ar1, Ar1-Ar2, CnH2n-Ar1로 이루어진 군으로부터 선택된 비융합 치환기이거나 또는 치환이 존재하지 않는다. n은 1 내지 10이다. Ar1 및 Ar2는 독립적으로 벤젠, 비페닐, 나프탈렌, 트리페닐렌, 카르바졸 및 그의 헤테로방향족 유사체로 이루어진 군으로부터 선택된다. 바람직하게는, 호스트는 화학식 
을 갖는다.
또다른 구체예에서, 호스트는
또다른 구체예에서, 호스트는 금속 착물이다.
하나의 구체예에서, 유기층이 발광층이고, 화합물은 비-발광 도펀트이다.
하나의 구체예에서, 제1의 디바이스는 소비재이다. 또다른 구체예에서, 제1의 디바이스는 유기 발광 디바이스이다. 또다른 구체예에서, 제1의 디바이스는 조명 패널을 포함한다.
기타의 물질과의 조합
유기 발광 디바이스에서 특정 층에 대하여 유용한 것으로 본원에 기재된 물질은 디바이스에 존재하는 다양한 기타의 물질과의 조합에 사용될 수 있다. 예를 들면, 본원에 개시된 발광 도펀트는 호스트, 수송층, 차단층, 주입층, 전극 및 존재할 수 있는 기타의 층과 결합되어 사용될 수 있다. 하기에 기재되거나 또는 지칭된 물질은 본원에 개시된 화합물과 조합하여 유용할 수 있는 비제한적인 물질이며, 당업자중 하나는 조합에 유용할 수 있는 기타의 물질을 확인하는 문헌을 용이하게 참조할 수 있다.
HIL/HTL:
본 발명에서 사용하고자 하는 정공 주입/수송 물질은 특정하게 한정되지 않으며, 화합물이 정공 주입/수송 물질로서 사용되는 한 임의의 화합물을 사용할 수 있다. 물질의 비제한적인 예로는 프탈로시아닌 또는 포르피린 유도체; 방향족 아민 유도체; 인돌로카르바졸 유도체; 플루오로탄화수소를 포함하는 중합체; 전도성 도펀트를 갖는 중합체; 전도성 중합체, 예컨대 PEDOT/PSS; 포스폰산 및 실란 유도체와 같은 화합물로부터 유도된 자체조립 단량체; 금속 산화물 유도체, 예컨대 MoOx; p-형 반도체 유기 화합물, 예컨대 1,4,5,8,9,12-헥사아자트리페닐렌헥사카르보니트릴; 금속 착물 및 가교성 화합물을 들 수 있다.
HIL 또는 HTL에 사용된 방향족 아민 유도체의 비제한적인 예로는 하기 화학식을 들 수 있다:
각각의 Ar1 내지 Ar9는 벤젠, 비페닐, 트리페닐, 트리페닐렌, 나프탈렌, 안트라센, 페날렌, 페난트렌, 플루오렌, 피렌, 크리센, 페릴렌, 아줄렌과 같은 방향족 탄화수소 고리형 화합물로 이루어진 군; 디벤조티오펜, 디벤조푸란, 디벤조셀레노펜, 푸란, 티오펜, 벤조푸란, 벤조티오펜, 벤조셀레노펜, 카르바졸, 인돌로카르바졸, 피리딜인돌, 피롤로디피리딘, 피라졸, 이미다졸, 트리아졸, 옥사졸, 티아졸, 옥사디아졸, 옥사트리아졸, 디옥사졸, 티아디아졸, 피리딘, 피리다진, 피리미딘, 피라진, 트리아진, 옥사진, 옥사티아진, 옥사디아진, 인돌, 벤즈이미다졸, 인다졸, 인독사진, 벤족사졸, 벤즈이속사졸, 벤조티아졸, 퀴놀린, 이소퀴놀린, 시놀린, 퀴나졸린, 퀴녹살린, 나프티리딘, 프탈라진, 프테리딘, 크산텐, 아크리딘, 페나진, 페노티아진, 펜옥사진, 벤조푸로피리딘, 푸로디피리딘, 벤조티에노피리딘, 티에노디피리딘, 벤조셀레노페노피리딘 및 셀레노페노디피리딘과 같은 방향족 헤테로시클릭 화합물로 이루어진 군; 및 방향족 탄화수소 고리형 기 및 방향족 헤테로시클릭 기로부터 선택된 동일한 유형 또는 상이한 유형의 군이며 그리고 산소 원자, 질소 원자, 황 원자, 규소 원자, 인 원자, 붕소 원자, 쇄 구조 단위 및 지방족 고리형 기에 서로 직접 또는 이들 중 1종 이상을 통하여 결합되는 2 내지 10개의 고리형 구조 단위로 이루어진 군으로부터 선택된다. 여기서 각각의 Ar은 수소, 중수소, 할라이드, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 아릴알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 아실, 카르보닐, 카르복실산, 에스테르, 니트릴, 이소니트릴, 술파닐, 술피닐, 술포닐, 포스피노 및 그의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 치환기로 추가로 치환된다.
하나의 구체예에서, Ar1 내지 Ar9는 독립적으로
k는 1 내지 20의 정수이며; X1 내지 X8은 C(CH 포함) 또는 N이고; Ar1은 상기 정의된 바와 동일한 기를 갖는다.
HIL 또는 HTL에 사용된 금속 착물의 비제한적인 예는 하기를 들 수 있다:
M은 원자량이 40보다 큰 금속이며; (Y1-Y2)는 2좌 배위자 리간드이고, Y1 및 Y2는 독립적으로 C, N, O, P 및 S로부터 선택되며; L은 보조 리간드이며; m은 1 내지 금속에 결합될 수 있는 리간드의 최대수인 정수이고; m+n은 금속에 결합될 수 있는 리간드의 최대수이다.
하나의 구체예에서, (Y1-Y2)는 2-페닐피리딘 유도체이다.
또다른 구체예에서, (Y1-Y2)는 카르벤 리간드이다.
또다른 구체예에서, M은 Ir, Pt, Os 및 Zn으로부터 선택된다.
추가의 구체예에서, 금속 착물은 약 0.6 V 미만의 용액중의 최소 산화 전위 대 Fc+/Fc 커플을 갖는다.
호스트:
본 발명의 유기 EL 디바이스의 발광층은 바람직하게는 발광 물질로서 적어도 금속 착물을 포함하며, 도펀트 물질로서 금속 착물을 사용하는 호스트 물질을 포함할 수 있다. 호스트 물질의 예로는 특정하여 한정되지는 않았으나, 임의의 금속 착물 또는 유기 화합물은 호스트의 삼중항 에너지가 도펀트의 것보다 더 크기만 하다면 사용할 수 있다.
호스트로서 사용된 금속 착물의 예는 하기 화학식을 갖는 것이 바람직하다:
M은 금속이고; (Y3-Y4)는 2좌 배위자 리간드이고, Y3 및 Y4는 독립적으로 C, N, O, P 및 S로부터 선택되며; L은 보조 리간드이며; m은 1 내지 금속이 결합될 수 있는 리간드의 최대수인 정수값이고; m+n은 금속에 결합될 수 있는 리간드의 최대수이다.
하나의 구체예에서, 금속 착물은 
이다.
(O-N)은 원자 O 및 N에 배위 결합된 금속을 갖는 2좌 배위자 리간드이다.
또다른 구체예에서, M은 Ir 및 Pt로부터 선택된다.
추가의 구체예에서, (Y3-Y4)는 카르벤 리간드이다.
호스트로서 사용된 유기 화합물의 예는 방향족 탄화수소 고리형 화합물, 예컨대 벤젠, 비페닐, 트리페닐, 트리페닐렌, 나프탈렌, 안트라센, 페날렌, 페난트렌, 플루오렌, 피렌, 크리센, 페릴렌, 아줄렌으로 이루어진 군; 방향족 헤테로시클릭 화합물, 예컨대 디벤조티오펜, 디벤조푸란, 디벤조셀레노펜, 푸란, 티오펜, 벤조푸란, 벤조티오펜, 벤조셀레노펜, 카르바졸, 인돌로카르바졸, 피리딜인돌, 피롤로디피리딘, 피라졸, 이미다졸, 트리아졸, 옥사졸, 티아졸, 옥사디아졸, 옥사트리아졸, 디옥사졸, 티아디아졸, 피리딘, 피리다진, 피리미딘, 피라진, 트리아진, 옥사진, 옥사티아진, 옥사디아진, 인돌, 벤즈이미다졸, 인다졸, 인독사진, 벤족사졸, 벤즈이속사졸, 벤조티아졸, 퀴놀린, 이소퀴놀린, 신놀린, 퀴나졸린, 퀴녹살린, 나프티리딘, 프탈라진, 프테리딘, 크산텐, 아크리딘, 페나진, 페노티아진, 펜옥사진, 벤조푸로피리딘, 푸로디피리딘, 벤조티에노피리딘, 티에노디피리딘, 벤조셀레노페노피리딘 및 셀레노페노디피리딘으로 이루어진 군; 및 방향족 탄화수소 고리형 기 및 방향족 헤테로시클릭 기로부터 선택된 동일한 유형 또는 상이한 유형의 기이며 그리고 서로 직접 결합되거나 또는 산소 원자, 질소 원자, 황 원자, 규소 원자, 인 원자, 붕소 원자, 쇄 구조 단위 및 지방족 고리형 기 중 1종 이상에 의하여 결합되는 2 내지 10개의 고리형 구조 단위로 이루어진 군으로부터 선택된다. 여기서 각각의 기는 수소, 중수소, 할라이드, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 아릴알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 아실, 카르보닐, 카르복실산, 에스테르, 니트릴, 이소니트릴, 술파닐, 술피닐, 술포닐, 포스피노 및 그의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 치환체로 추가로 치환된다.
하나의 구체예에서, 호스트 화합물은 분자에서 하기 기 중 1종 이상을 포함한다:
R1 내지 R7은 독립적으로 수소, 중수소, 할라이드, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 아릴알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 아실, 카르보닐, 카르복실산, 에스테르, 니트릴, 이소니트릴, 술파닐, 술피닐, 술포닐, 포스피노 및 그의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되며, 아릴 또는 헤테로아릴인 경우, 전술한 Ar'와 유사한 정의를 갖는다.
k는 0 내지 20의 정수이다.
X1 내지 X8은 C(CH 포함) 또는 N으로부터 선택된다.
HBL:
정공 차단층(HBL)은 발광층에서 배출되는 정공 및/또는 엑시톤의 수를 감소시키는데 사용될 수 있다. 디바이스에서의 이러한 차단층의 존재는 실질적으로 차단층이 결여된 유사한 디바이스에 비하여 더 높은 효율을 초래할 수 있다. 또한, 차단층은 OLED의 소정의 부위로 방출을 한정시키는데 사용될 수 있다.
하나의 구체예에서, HBL에 사용된 화합물은 전술한 호스트로서 사용된 동일한 분자를 포함한다.
또다른 구체예에서, HBL에 사용된 화합물은 분자에서 하기의 기 중 1종 이상을 포함한다:
k는 0 내지 20의 정수이고; L은 보조 리간드이고, m은 1 내지 3의 정수이다.
ETL:
전자 수송층(ETL)은 전자를 수송할 수 있는 물질을 포함할 수 있다. 전자 수송층은 고유하거나(도핑되지 않음) 또는 도핑될 수 있다. 도핑은 전도율을 향상시키는데 사용될 수 있다. ETL 물질의 예는 특정하게 한정되지는 않았으며, 임의의 금속 착물 또는 유기 화합물은 통상적으로 전자를 수송하는데 사용되는 한 사용될 수 있다.
하나의 구체예에서, ETL에 사용되는 화합물은 분자에서 하기 기 중 1종 이상을 포함한다:
R1은 수소, 중수소, 할라이드, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 아릴알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 아실, 카르보닐, 카르복실산, 에스테르, 니트릴, 이소니트릴, 술파닐, 술피닐, 술포닐, 포스피노 및 그의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되며, 아릴 또는 헤테로아릴인 경우, 전술한 Ar'와 유사한 정의를 갖는다.
Ar1 내지 Ar3은 전술한 Ar'와 유사한 정의를 갖는다.
k는 0 내지 20의 정수이다.
X1 내지 X8은 C(CH 포함) 또는 N으로부터 선택된다.
또다른 구체예에서, ETL에 사용된 금속 착물은 하기의 화학식을 포함하지만, 이에 한정되는 것은 아니다:
(O-N) 또는 (N-N)은 원자 O, N 또는 N,N에 배위 결합된 금속을 갖는 2좌 배위자 리간드이며; L은 보조 리간드이며; m은 1 내지 금속에 결합될 수 있는 리간드의 최대수인 정수값이다.
OLED 디바이스의 각각의 층에 사용된 임의의 전술한 화합물에서, 수소 원자는 부분적으로 또는 완전 중수소화될 수 있다.
본원에 개시된 물질 이외에 및/또는 이와 조합하여, 다수의 정공 주입 물질, 정공 수송 물질, 호스트 물질, 도펀트 물질, 엑시톤/정공 차단층 물질, 전자 수송 및 전자 주입 물질이 OLED에 사용될 수 있다. 본원에 개시된 물질과 조합하여 OLED에 사용될 수 있는 물질의 비제한적인 예는 하기 표 1에 제시되어 있다. 표 1은 물질의 비제한적인 유형, 각각의 유형에 대한 화합물의 비제한적인 예 및 물질을 개시하는 참고 문헌을 제시한다.
표 4
실험
합성예
2-(3-요오도펜옥시)피리딘의 합성. 250 ㎖ 반응 플라스크에 DMF(120 ㎖) 중의 탄산세슘(29.34 g, 90 mmol)으로 채워서 백색 현탁액을 생성한다. 2-요오도피리딘(6.4 ㎖, 60.2 mmol), 3-요오도페놀(13.2 g, 60.0 mmol) 및 구리 분말(0.369 g, 5.81 mmol)을 첨가한다. 이를 115℃(오일 배쓰)에서 18 시간 동안 교반한다. 그후, 혼합물을 셀라이트를 통하여 여과하고, 디클로로메탄으로 세척하였다. 여과액을 포화 NaOH에 이어서 10% 수성 LiCl로 세척한 후, 물로 2회 세척하였다. 유기층을 황산나트륨상에서 건조시키고, 실리카 겔상에서 헥산 중의 50-100% DCM으로 크로마토그래피하여 13.54 g(76%)의 2-(3-요오도펜옥시)피리딘을 백색 고체로서 얻었다.
5-(3-메톡시페닐)-1H-이미다졸의 합성. 2-브로모-1-(3-메톡시페닐)에타논(25.0 g, 109 mmol)을 250 ㎖ 둥근 바닥 플라스크에 첨가하였다. 반응 혼합물을 100 ㎖의 포름아미드로 희석하였다. 이를 165℃에서 2.5 시간 동안 교반하였다. 그후, 물 및 에틸 아세테이트(200 ㎖ 각각)를 첨가하고, 층이 분리되었다. 수성층을 pH 12로 염기성으로 만들고, 에틸 아세테이트(200 ㎖)로 추출하였다. 합한 유기층을 황산나트륨상에서 건조시키고, 실리카 겔상에서 에틸 아세테이트에 이어서 DCM 중의 5% 메탄올로 크로마토그래피하여 14.8 g(78%)의 5-(3-메톡시페닐)-1H-이미다졸을 얻었다.
1-(2,6-디메틸페닐)-4-(3-메톡시페닐)-1H-이미다졸의 합성. 5-(3-메톡시페닐)-1H-이미다졸(9.91 g, 56.9 mmol) 및 2-요오도-1,3-디메틸벤젠(11.0 g, 47.4 mmol)을 150 ㎖ 유리 가압 플라스크에 첨가하였다. 요오드화구리(I)(0.90 g, 4.74 mmol)를 첨가하고, 반응 혼합물을 DMF(47 ㎖)로 희석하였다. N,N'-디메틸에탄-1,2-디아민(2.0 ㎖, 18.96 mmol) 및 탄산세슘(30.9 g, 95 mmol)을 첨가하고, 플라스크를 질소로 플러쉬 처리하고, 밀봉시키고, 170℃로 가열된 오일 배쓰에서 44 시간 동안 두었다. 에틸 아세테이트를 첨가하고, 미정제 혼합물을 실리카 겔의 플러그를 통하여 여과하였다. 여과액을 물로 세척하고, 유기층을 농축시키고, 에틸 아세테이트로 용출시키는 실리카 겔상에서 크로마토그래피하여 5.2 g의 생성물을 얻었다. 이를 DCM 중의 0-7% 에틸 아세테이트로 용출시키는 실리카 겔상에서 다시 크로마토그래피하여 4.1 g의 1-(2,6-디메틸페닐)-4-(3-메톡시페닐)-1H-이미다졸을 황갈색 고체로서 얻었다.
3-(1-(2,6-디메틸페닐)-1H-이미다졸-4-일)페놀의 합성. 1-(2,6-디메틸페닐)-4-(3-메톡시페닐)-1H-이미다졸(4.0 g,14.4 mmol)을 250 ㎖ 둥근 바닥 플라스크에 첨가하였다. 피리딘 염산염(14.3 g)을 첨가하고, 반응 혼합물을 오일 배쓰에서 200℃에서 5 시간 동안 교반하였다. 그후, 혼합물을 130℃로 냉각시키고, 포화 중탄산나트륨 용액과 함께 물을 첨가하였다. 미정제 고체를 여과하고, DCM 중의 0-5% 메탄올로 용출시키는 실리카 겔로 크로마토그래피하여 2.7 g의 생성물을 얻었다. 이 물질을 에테르 및 헥산으로 침출시키고, 여과하여 2.5 g의 3-(1-(2,6-디메틸페닐)-1H-이미다졸-4-일)페놀을 백색 분말로서 얻었다.
2-(3-(3-(1-(2,6-디메틸페닐)-1H-이미다졸-4-일)펜옥시)펜옥시)피리딘의 합성. 3-(1-(2,6-디메틸페닐)-1H-이미다졸-4-일)페놀(2.46 g, 9.31 mmol), 2-(3-요오도펜옥시)피리딘(3.04 g, 10.24 mmol) 및 요오드화구리(I)(0.532 g, 2.79 mmol)를 250 ㎖ 둥근 바닥 플라스크에 첨가하였다. 반응 혼합물을 DMSO(100 ㎖)로 희석하고, 피콜린산(1.7 g, 13.96 mmol) 및 인산칼륨(6.9 g, 32.6 mmol)을 첨가하였다. 플라스크를 비우고, 질소로 2회 다시 충전시키고, 반응을 105℃의 내부 온도로 24 시간 동안 교반하였다. 열을 제거하고, 혼합물을 에틸 아세테이트로 희석하고, 셀라이트를 통하여 여과하였다. 여과액을 물로 3회 세척하였다. 유기층을 황산나트륨상에서 건조시키고, 헥산 중의 25-40% 에틸 아세테이트로 용출시키는 실리카 겔상에서 크로마토그래피하여 3.9 g의 2-(3-(3-(1-(2,6-디메틸페닐)-1H-이미다졸-4-일)펜옥시)펜옥시)피리딘을 백색 발포체로서 얻었다.
화합물 1의 합성. 2-(3-(3-(1-(2,6-디메틸페닐)-1H-이미다졸-4-일)펜옥시)펜옥시피리딘(3.38 g, 7.80 mmol) 및 테트라클로로백금산칼륨(3.24 g, 7.80 mmol)을 500 ㎖ 둥근 바닥 플라스크에 첨가하였다. 반응 혼합물을 아세트산(150 ㎖)으로 희석하고, 68 시간 동안 환류 가열하였다. 반응 혼합물을 상온으로 냉각시키고, 50 ㎖의 물을 첨가하였다. 생성된 고체를 여과하고, 물로 세척하였다. 미정제 고체를 DCM에 용해시키고, 분리 깔때기에 넣고, 물로 세척하였다. 유기층을 건조시키고, DCM으로 용출시키는 실리카 겔상에서 크로마토그래피하여 황색 고체 3.5 g을 얻었다. 고체를 DCM/MeOH로부터 재결정화시켜 2.5 g(51%)의 화합물 1을 황색 고체를 얻었다.
디바이스 실시예:
모든 디바이스 실시예는 고 진공(<10-7 torr) 열 증발에 의하여 제조하였다. 애노드 전극은 800Å의 산화인듐주석(ITO)이다. 캐쏘드는 10 Å의 LiF에 이어서 1,000Å의 Al로 이루어졌다. 모든 디바이스는 제조 직후 질소 글로브 박스(<1 ppm의 H2O 및 O2)에서 에폭시 수지로 밀봉된 유리 뚜껑으로 캡슐화하고, 수분 흡습제를 패키지의 내부에 투입하였다.
디바이스의 유기 적층체는 ITO 표면의 표면으로부터 순차적으로 정공 주입층(HIL)으로서 100 Å의 LG101[엘지 화학(LG Chem) 시판], 정공 수송층(HTL)으로서 300 Å의 NPD 또는 TAPC, 발광층(EML)으로서 10% 또는 15%의 Pt(II) 착물로 도핑된 300 Å의 UGH2, 차단층(BL)으로서 50 Å의 화합물 B 및 전자 수송층(ETL)으로서 400 Å의 Alq 또는 3TPYMB로 이루어진다.
본원에서 사용한 바와 같이, 하기의 화합물은 하기의 구조를 갖는다:
디바이스 실시예는 하기 표 2에 상세히 기재되어 있으며, 해당 디바이스 데이타는 하기 표 3에 요약한다. Ex.는 실시예의 약어이다.
표 2
표 3
디바이스 데이타는 화학식 1의 화합물이 OLED에 사용되어 청색 발광을 제공하는 높은 삼중항 발광체를 생성할 수 있다는 것을 나타낸다. 대표적인 디바이스에서, 발광의 λmax는 464 내지 466 ㎚ 범위내이며, CIE X는 0.179 내지 0.194 사이에서의 좌표를 가지며, CIE Y는 0.22 내지 0.253 사이에서 좌표를 갖는다. 디바이스 1(78 ㎚) 및 디바이스 2(76 ㎚)에 대한 반치폭(FWHM)은 좁은 발광이 화학식 I의 화합물을 사용하여 달성될 수 있다는 것을 나타낸다.
본 발명의 화합물 및 비교예의 화합물의 성질을 예측하는 TD-DFT 계산은 하기 표 4에 제공한다. 각각의 구조에 대한 HOMO, LUMO, HOMO-LUMO 에너지 갭 및 삼중항 에너지는 B3LYP/cep-31g 기능성 및 기본 세트에서의 가우스 소프트웨어 패키지를 사용한 TD-DFT 계산을 사용하여 계산하였다.
표 4
표 4는 가교기로서 일련의 L2를 갖는 이소이미다졸 Pt 화합물에 대한 HOMO 에너지 레벨, LUMO 에너지 레벨, HOMO-LUMO 에너지 갭 및 예측된 삼중항 에너지를 나타낸다. 표 4는 또한 L2에서 단일 결합을 갖는, 즉 가교제로서 L2가 없는 해당 이소이미다졸 Pt 화합물에 대한 데이타를 포함한다. 일련의 착물의 경우, L2는 산소 가교이다. HOMO, LUMO 및 에너지 갭 값이 화합물 1 및 비교예 1에 대하여 유사한 반면, 비교예 1에 대한 삼중항 에너지는 L2=0인 경우 더 낮다. 비교 화합물 1, 2, 3 및 4의 경우, 삼중항 에너지는 더 낮은 에너지의 시클로금속화 리간드에 의하여 좌우된다. 반대로, 화합물 1, 2, 3 및 4의 경우, 산소 가교는 콘쥬게이션을 붕괴시키며, 삼중항 에너지는 더 높은 에너지의 이소이미다졸 리간드에 의하여 조절된다. 그러므로, 데이타는 L2가 높은 삼중항 에너지를 제공한다는 것을 나타낸다.
또한, 표 4로부터는 L1에서의 치환이 화합물의 성질을 조절할 수 있다는 것을 알 수 있다. 특히, L1은 각각 화합물 1 및 2에서 산소 가교 또는 아릴 치환된 질소이며, 이는 HOMO 및 삼중항 에너지에 대하여 커다란 효과를 지니지만, LUMO 에너지에 대하여서는 비교적 적은 효과를 갖는다. 동일한 효과가 일련의 화합물을 통하여 측정된다. 그러므로, L1 가교는 화합물의 HOMO 에너지를 조절하는 유용한 도구로서 작용할 수 있으며, 더 유용한 색상으로의 발광을 적색-이동시킨다. 또한, 아릴아민 가교된 구조, 즉 화합물 2 및 4에 대하여 나타나는 더 얕은 HOMO 에너지는 분자가 OLED에서의 더 우수한 정공 트랩이 되도록 할 수 있다는 것에 유의한다. 특정한 이론으로 한정하지는 않지만, 분자가 우수한 정공 트랩인 경우, 더 높은 전계발광 효율을 초래할 수 있는 것으로 여겨진다.
본원에 기재된 다양한 실시양태는 단지 예시를 위한 것이며, 본 발명의 범주를 한정하고자 하는 것이 아닌 것으로 이해하여야 한다. 예를 들면, 본원에 기재된 다수의 물질 및 구조는 본 발명의 정신으로부터 벗어남이 없이 기타의 물질 및 구조로 치환될 수 있다. 청구된 바와 같은 본 발명은 당업자에게 자명한 바와 같이 본원에 기재된 특정한 예 및 바람직한 실시양태로부터의 변형을 포함한다. 본 발명이 작동되는 이유와 관련한 다양한 이론은 제한을 의도하는 것이 아닌 것으로 이해하여야 한다.
Claims (20)
- 하기 화학식 IIIA, IVA, VA, VIA 및 VIIA 중 어느 하나의 구조를 갖는 화합물:
<화학식 IIIA>
;
<화학식 IVA>
;
<화학식 VA>
;
<화학식 VIA>
; 및
<화학식 VIIA>
,
상기 화학식에서,
L1 및 L3은 독립적으로 단일 결합, BR, NR, PR, O, S, Se, C=O, S=O, SO2, CRR', SiRR' 및 GeRR'로 이루어진 군으로부터 선택되며;
L2는 BR, NR, PR, O, S, Se, C=O, S=O, SO2, CRR', SiRR' 및 GeRR'로 이루어진 군으로부터 선택되며;
n1은 0 또는 1이고;
n2는 0 또는 1이고;
n1+n2는 1 이상이고;
R1, R2, R3 및 R4는 모노-, 디-, 트리- 또는 테트라-치환을 나타낼 수 있으며;
R, R', R1, R2, R3, R4 및 R5는 독립적으로 수소, 중수소, 할라이드, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 아릴알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 카르복실산, 니트릴, 이소니트릴, 술파닐, 포스피노 및 이의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되며;
R6는 수소이며;
R3 및 R4는 임의로 결합되어 고리로 형성되며;
R3 및 L2는 임의로 결합되어 고리로 형성되며;
R4 및 L2는 임의로 결합되어 고리로 형성된다. - 제1항에 있어서, R5가 치환된 아릴인 화합물로서, 여기서 치환된 아릴의 치환기는 중수소, 할라이드, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 아릴알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 카르복실산, 니트릴, 이소니트릴, 술파닐, 포스피노 및 이의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 화합물.
- 제1항에 있어서, n1은 0이고, n2는 1인 화합물.
- 제1항에 있어서, R5가이고, 여기서 R'1 및 R'2는 독립적으로 할라이드, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 아릴알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 카르복실산, 니트릴, 이소니트릴, 술파닐, 포스피노 및 이의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되며;
D는 R'3로 임의로 추가로 치환되는 5-원 또는 6-원 카르보시클릭 또는 헤테로시클릭 고리이고;
R'3은 수소, 중수소, 할라이드, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 아릴알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 카르복실산, 니트릴, 이소니트릴, 술파닐, 포스피노 및 이의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 화합물. - 제4항에 있어서, R'1 및 R'2 중 하나 이상은 알킬인 화합물.
- 제4항에 있어서, R'1 및 R'2 중 하나 이상은 2개 이상의 탄소를 포함하는 알킬인 화합물.
- 제4항에 있어서, R'1 및 R'2 중 하나 이상은 아릴인 화합물.
- 제4항에 있어서, 화합물이 하기 화학식 III, IV, V, VI 및 VII 중 어느 하나의 구조를 갖는 화합물:
<화학식 III>
;
<화학식 IV>
;
<화학식 V>
;
<화학식 VI>
; 및
<화학식 VII>
.
- 제1항에 있어서, L1 또는 L3은 O, S, CH2, CR'2, NR', SiR'2 또는 BR'로 이루어진 군으로부터 선택되며;
R'는 알킬 또는 아릴인 화합물. - 제1항에 있어서, L2는 O, S, CH2, CR'2, NR' 및 SiR'2로 이루어진 군으로부터 선택되며;
R'는 알킬 또는 아릴인 화합물. - 제1항에 있어서, R1, R2, R3 및 R4는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 알킬, 아릴, 고리형 알킬, 분지형 알킬, 헤테로아릴 및 융합된 아릴로 이루어진 군으로부터 선택되는 화합물.
- 제1항에 있어서, 화합물이 하기로 이루어진 군으로부터 선택되는 화합물.
- 제1의 유기 발광 디바이스를 포함하는 제1의 디바이스로서, 상기 제1의 유기발광 디바이스는
애노드;
캐쏘드; 및
애노드와 캐쏘드의 사이에 배치되며, 하기 화학식 IIIA, IVA, VA, VIA 및 VIIA 중 어느 하나의 구조를 갖는 화합물을 포함하는 유기층을 포함하는 제1의 유기 발광 디바이스:
<화학식 IIIA>
;
<화학식 IVA>
;
<화학식 VA>
;
<화학식 VIA>
; 및
<화학식 VIIA>
,
상기 화학식에서,
L1 및 L3은 독립적으로 단일 결합, BR, NR, PR, O, S, Se, C=O, S=O, SO2, CRR', SiRR' 및 GeRR'로 이루어진 군으로부터 선택되며;
L2는 BR, NR, PR, O, S, Se, C=O, S=O, SO2, CRR', SiRR' 및 GeRR'로 이루어진 군으로부터 선택되며;
n1은 0 또는 1이고;
n2는 0 또는 1이고;
n1+n2는 1 이상이고;
R1, R2, R3 및 R4는 모노-, 디-, 트리- 또는 테트라-치환을 나타낼 수 있으며;
R, R', R1, R2, R3, R4 및 R5는 독립적으로 수소, 중수소, 할라이드, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 아릴알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 카르복실산, 니트릴, 이소니트릴, 술파닐, 포스피노 및 이의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되며;
R6는 수소이며;
R3 및 R4는 임의로 결합되어 고리로 형성되며;
R3 및 L2는 임의로 결합되어 고리로 형성되며;
R4 및 L2는 임의로 결합되어 고리로 형성된다. - 제13항에 있어서, n1은 0이고, n2는 1인 디바이스.
- 제13항에 있어서, R5가이고, 여기서 R'1 및 R'2는 독립적으로 할라이드, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 아릴알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 카르복실산, 니트릴, 이소니트릴, 술파닐, 포스피노 및 이의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되며;
D는 R'3로 임의로 추가로 치환되는 5-원 또는 6-원 카르보시클릭 또는 헤테로시클릭 고리이고;
R'3은 수소, 중수소, 할라이드, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 아릴알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 카르복실산, 니트릴, 이소니트릴, 술파닐, 포스피노 및 이의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 디바이스. - 삭제
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