KR20210146500A - 유기금속 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자 - Google Patents

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KR20210146500A
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신수진
이재성
한정훈
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Abstract

유기금속 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자가 개시된다.

Description

유기금속 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자{Organometallic compound and organic light emitting device comprising the same}
유기금속 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자에 관한 것이다.
유기 발광 소자(organic light emitting device)는 자발광형 소자로서, 종래의 소자에 비하여, 시야각이 넓고 콘트라스트가 우수할 뿐만 아니라, 응답시간이 빠르며, 휘도, 구동전압 및 응답속도 특성이 우수하고 다색화가 가능하다.
상기 유기 발광 소자는 기판 상부에 제1전극이 배치되어 있고, 상기 제1전극 상부에 정공 수송 영역(hole transport region), 발광층, 전자 수송 영역(electron transport region) 및 제2전극이 순차적으로 형성되어 있는 구조를 가질 수 있다. 상기 제1전극으로부터 주입된 정공은 정공 수송 영역을 경유하여 발광층으로 이동하고, 제2전극으로부터 주입된 전자는 전자 수송 영역을 경유하여 발광층으로 이동한다. 상기 정공 및 전자와 같은 캐리어들은 발광층 영역에서 재결합하여 엑시톤(exciton)을 생성한다. 이 엑시톤이 여기 상태에서 기저상태로 변하면서 광이 생성된다.
신규 유기금속 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자를 제공하는 것이다.
일 측면에 따르면, 하기 화학식 1로 표시되는 유기금속 화합물이 제공된다:
<화학식 1>
Figure pat00001
상기 화학식 1 중,
M1은 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 구리(Cu), 은(Ag), 금(Au), 로듐(Rh), 이리듐(Ir), 루테늄(Ru), 오스뮴(Os), 티탄(Ti), 지르코늄(Zr), 하프늄(Hf), 유로퓸(Eu), 테르븀(Tb) 및 툴륨(Tm) 중에서 선택되고;
Y1 내지 Y3는 서로 독립적으로, N 또는 C이고;
T1 내지 T4는 서로 독립적으로, 화학 결합, O, S, B(R'), N(R'), P(R'), C(R')(R"), Si(R')(R"), Ge(R')(R"), C(=O), B(R')(R"), N(R')(R") 또는 P(R')(R")이고, T1이 화학 결합일 경우, Y1과 M1은 직접(directly) 결합하고, T2가 화학 결합일 경우, Y2와 M1은 직접 결합하고, T3이 화학 결합일 경우, Y3과 M1은 직접 결합하고, T4가 화학 결합일 경우, 고리 A4와 M1은 직접 결합하고,
Y1 또는 T1과 M1 사이의 결합, Y2 또는 T2와 M1 사이의 결합, Y3 또는 T3과 M1 사이의 결합 및 C 또는 T4와 M1 사이의 결합 중 2개의 결합은 배위 결합이고, 나머지 2개의 결합은 공유 결합이고,
A1 내지 A3는 서로 독립적으로, C5-C60카보시클릭 그룹 및 C1-C60헤테로시클릭 그룹 중에서 선택되고,
L1 내지 L4는 서로 독립적으로, 단일 결합, 이중 결합, *-N(R5)-*', *-B(R5)-*', *-P(R5)-*', *-C(R5)(R6)-*', *-Si(R5)(R6)-*', *-Ge(R5)(R6)-*', *-S-*', *-Se-*', *-O-*', *-C(=O)-*', *-S(=O)-*', *-S(=O)2-*', *-C(R5)=*', *=C(R5)-*', *-C(R5)=C(R6)-*', *-C(=S)-*' 및 *-C≡C-*' 중에서 선택되고,
a1 내지 a4는 서로 독립적으로, 0 내지 3의 정수 중에서 선택되고, a1이 0일 경우, A1과 A2는 서로 연결되어 있지 않고, a2가 0일 경우, A2와 A3는 서로 연결되어 있지 않고, a3이 0일 경우, A3과 A4는 서로 연결되어 있지 않고, a4가 0일 경우, A4와 A1은 서로 연결되어 있지 않고,
L11 및 L12는 서로 독립적으로, *-C(R11)(R12)-*', *-C(R11)=*', *=C(R11)-*' 및 *-C(R11)=C(R12)-*' 중에서 선택되고,
a11 및 a12는 서로 독립적으로, 1 내지 3의 정수 중에서 선택되고,
R', R", R1 내지 R6 및 R11 내지 R12는 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, 치환 또는 비치환된 C1-C60알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C60알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C60알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1-C60알콕시기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴티오기, 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로아릴티오기, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, -Si(Q1)(Q2)(Q3), -B(Q1)(Q2), -N(Q1)(Q2), -P(Q1)(Q2), -C(=O)(Q1), -S(=O)(Q1), -S(=O)2(Q1), -P(=O)(Q1)(Q2) -P(=S)(Q1)(Q2), =O, =S, =N(Q1), 및 =C(Q1)(Q2) 중에서 선택되고,
b1 내지 b3는 서로 독립적으로, 0 내지 20의 정수 중에서 선택되고,
b4는 0 내지 6의 정수 중에서 선택되고,
R', R", b1개의 R1, b2개의 R2, b3개의 R3, b4개의 R4, R5, R6, R11 및 R12 중 이웃한 그룹은 각각 선택적으로(optionally) 서로 결합하여, 치환 또는 비치환된 C5-C60카보시클릭 그룹 또는 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로시클릭 그룹을 형성할 수 있고,
* 및 *'은 이웃한 원자와의 결합 사이트이고,
상기 치환된 C5-C60카보시클릭 그룹, 치환된 C1-C60헤테로시클릭 그룹, 치환된 C1-C60알킬기, 치환된 C2-C60알케닐기, 치환된 C2-C60알키닐기, 치환된 C1-C60알콕시기, 치환된 C3-C10시클로알킬기, 치환된 C1-C10헤테로시클로알킬기, 치환된 C3-C10시클로알케닐기, 치환된 C1-C10헤테로시클로알케닐기, 치환된 C6-C60아릴기, 치환된 C6-C60아릴옥시기, 치환된 C6-C60아릴티오기, 치환된 C1-C60헤테로아릴기, 치환된 C1-C60헤테로아릴옥시기, 치환된 C1-C60헤테로아릴티오기, 치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹의 치환기 중에서 선택된 적어도 하나의 치환기는,
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기 및 C1-C60알콕시기;
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C3-C10시클로알킬기, C1-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C1-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C1-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, -Si(Q11)(Q12)(Q13), -N(Q11)(Q12), -B(Q11)(Q12), -C(=O)(Q11), -S(=O)2(Q11) 및 -P(=O)(Q11)(Q12) 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기 및 C1-C60알콕시기;
C3-C10시클로알킬기, C1-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C1-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C1-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹;
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기, C1-C60알콕시기, C3-C10시클로알킬기, C1-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C1-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C1-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, -Si(Q21)(Q22)(Q23), -N(Q21)(Q22), -B(Q21)(Q22), -C(=O)(Q21), -S(=O)2(Q21) 및 -P(=O)(Q21)(Q22) 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, C3-C10시클로알킬기, C1-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C1-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C1-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹; 및
-Si(Q31)(Q32)(Q33), -N(Q31)(Q32), -B(Q31)(Q32), -C(=O)(Q31), -S(=O)2(Q31) 및 -P(=O)(Q31)(Q32);
중에서 선택되고,
상기 Q1 내지 Q3, Q11 내지 Q13, Q21 내지 Q23 및 Q31 내지 Q33은 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기, C1-C60알콕시기, C3-C10시클로알킬기, C1-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C1-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C1-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, 중수소, -F 및 시아노기 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된 C1-C60알킬기, 중수소, -F 및 시아노기 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된 C6-C60아릴기, 비페닐기 및 터페닐기 중에서 선택된다.
다른 측면에 따르면, 제1전극; 제2전극; 상기 제1전극 및 상기 제2전극 사이에 개재된 발광층을 포함한 유기층을 포함하고;
하기 화학식 1로 표시된 유기금속 화합물을 1종 이상 포함한, 유기 발광 소자가 제공된다.
상기 유기금속 화합물을 포함한 유기 발광 소자는 고휘도, 고효율 및 장수명을 가질 수 있다.
도 1 내지 4는 일 구현예를 따르는 유기 발광 소자의 구조를 개략적으로 각각 나타낸 도면이다.
상기 유기금속 화합물은 하기 화학식 1로 표시된다:
<화학식 1>
Figure pat00002
.
상기 유기금속 화합물의 3MC 상태(triplet metal centered state)의 에너지 준위(E3MC)가 상기 유기금속 화합물의 3MLCT 상태(triplet metal-to-ligand charge transfer state)의 에너지 준위(E3MLCT)보다 높을 수 있다.
예를 들어, 상기 유기금속 화합물의 3MC 상태(triplet metal centered state)의 에너지 준위(E3MC)가 0.41 kcal/mol 이상일 수 있다. 예를 들어, E3MC는 0.81 kcal/mol 이하일 수 있고, 예를 들어, 0.41 내지 0.81 kcal/mol일 수 있다.
상기 유기금속 화합물이 상기 E3MC의 범위를 만족할 때, 상기 유기금속 화합물의 3MLCT 상태에서 비발광 상태인 3MC 상태로의 전이 확률이 감소하여 들뜸 상태에서의 안정성이 우수하고, 상기 유기금속 화합물을 포함한 유기 발광 소자의 효율 및 수명이 증가될 수 있다.
예를 들어, 상기 유기금속 화합물의 3MLCT(%) (3MLCT 상태로의 존재 비율)이 10% 이상일 수 있다. 예를 들어, 상기 유기금속 화합물의 3MLCT(%)은 30% 이하일 수 있다.
상기 화학식 1 중, M1은 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 구리(Cu), 은(Ag), 금(Au), 로듐(Rh), 이리듐(Ir), 루테늄(Ru), 오스뮴(Os), 티탄(Ti), 지르코늄(Zr), 하프늄(Hf), 유로퓸(Eu), 테르븀(Tb) 및 툴륨(Tm) 중에서 선택된다.
일 구현예를 따르면, 상기 M1은 Pt, Pd, Cu, Ag, Au, Rh, Ir, Ru 및 Os 중에서 선택될 수 있다.
예를 들어, 상기 M1은 Pt일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 화학식 1 중, Y1 내지 Y3는 서로 독립적으로, N 또는 C이고;
T1 내지 T4는 서로 독립적으로, 화학 결합, O, S, B(R'), N(R'), P(R'), C(R')(R"), Si(R')(R"), Ge(R')(R"), C(=O), B(R')(R"), N(R')(R") 또는 P(R')(R")이고, T1이 화학 결합일 경우, Y1과 M1은 직접(directly) 결합하고, T2가 화학 결합일 경우, Y2와 M1은 직접 결합하고, T3이 화학 결합일 경우, Y3과 M1은 직접 결합하고, T4가 화학 결합일 경우, 고리 A4와 M1은 직접 결합하고,
Y1 또는 T1과 M1 사이의 결합, Y2 또는 T2와 M1 사이의 결합, Y3 또는 T3과 M1 사이의 결합 및 고리 A4 또는 T4와 M1 사이의 결합 중 2개의 결합은 배위 결합이고, 나머지 2개의 결합은 공유 결합이다.
일 구현예를 따르면, 상기 T1 내지 T4는 화학 결합이고, Y1과 M1 사이의 결합, Y2와 M1 사이의 결합 중 적어도 하나는 배위 결합이고, Y1은 N이고, Y2는 C일 수 있다.
예를 들어, 상기 Y1은 N이고, Y2 및 Y3는 C일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 화학식 1 중, A1 내지 A3는 서로 독립적으로, C5-C60카보시클릭 그룹 및 C1-C60헤테로시클릭 그룹 중에서 선택된다.
일 구현예를 따르면, 상기 A1 내지 A3는 서로 독립적으로,
벤젠 그룹, 나프탈렌 그룹, 안트라센 그룹, 페난트렌 그룹, 트리페닐렌 그룹, 파이렌 그룹, 크라이센 그룹, 시클로펜탄 그룹, 시클로펜타디엔 그룹, 시클로헥산 그룹, 시클로헥센 그룹, 1,2,3,4-테트라히드로나프탈렌(1,2,3,4-tetrahydronaphthalene) 그룹, 퓨란 그룹, 티오펜 그룹, 실롤 그룹, 인덴 그룹, 플루오렌 그룹, 인돌 그룹, 카바졸 그룹, 벤조퓨란 그룹, 디벤조퓨란 그룹, 벤조티오펜 그룹, 디벤조티오펜 그룹, 벤조실롤 그룹, 디벤조실롤 그룹, 인데노피리딘 그룹, 인돌로피리딘 그룹, 벤조퓨로피리딘 그룹, 벤조티에노피리딘 그룹, 벤조실롤로피리딘 그룹, 인데노피리미딘 그룹, 인돌로피리미딘 그룹, 벤조퓨로피리미딘 그룹, 벤조티에노피리미딘 그룹, 벤조실롤로피리미딘 그룹, 디히드로피리딘 그룹, 피리딘 그룹, 피리미딘 그룹, 피라진 그룹, 피리다진 그룹, 트리아진 그룹, 퀴놀린 그룹, 이소퀴놀린 그룹, 퀴녹살린 그룹, 퀴나졸린 그룹, 페난트롤린 그룹, 피롤 그룹, 피라졸 그룹, 이미다졸 그룹, 2,3-디하이드로이미다졸(2,3-dihydroimidazole) 그룹, 트리아졸 그룹, 1,2,4-트리아졸 그룹, 테트라졸 그룹, 2,3-디하이드로트리아졸(2,3-dihydrotriazole) 그룹, 아자실롤 그룹, 다이아자실롤 그룹, 트리아자실롤 그룹, 옥사졸 그룹, 이소옥사졸 그룹, 티아졸 그룹, 이소티아졸 그룹, 옥사디아졸 그룹, 티아디아졸 그룹, 벤조피라졸 그룹, 벤즈이미다졸 그룹, 2,3-디하이드로벤즈이미다졸(2,3-dihydrobenzimidazole) 그룹, 이미다조피리딘 그룹, 2,3-디하이드로이미다조피리딘(2,3-dihydroimidazopyridine) 그룹, 이미다조피리미딘 그룹, 2,3-디하이드로이미다조피리미딘(2,3-dihydroimidazopyrimidine) 그룹, 이미다조피라진 그룹, 2,3-디하이드로이미다조피라진(2,3-dihydroimidazopyrazine) 그룹, 벤조옥사졸 그룹, 벤조티아졸 그룹, 벤조옥사디아졸 그룹, 벤조티아디아졸 그룹, 5,6,7,8-테트라히드로이소퀴놀린(5,6,7,8-tetrahydroisoquinoline) 그룹 및 5,6,7,8-테트라히드로퀴놀린(5,6,7,8-tetrahydroquinoline) 그룹; 중에서 선택될 수 있다.
일 구현예를 따르면, i) 상기 A1은 피리딘 그룹, 피리미딘 그룹, 피라진 그룹, 피리다진 그룹 및 트리아진 그룹 중에서 선택되거나,
ii) A2는 인돌 그룹, 카바졸 그룹, 인돌로피리딘 그룹 및 인돌로피리미딘 그룹 중에서 선택되거나,
iii) A3는 벤젠 그룹, 나프탈렌 그룹, 안트라센 그룹, 및 페난트렌 그룹 중에서 선택되거나, 또는
상기 i), ii) ,iii)의 임의의 조합일 수 있다.
예를 들어, 상기 A1은 피리딘 그룹, 피리미딘 그룹, 피라진 그룹, 피리다진 그룹 및 트리아진 그룹 중에서 선택되고, A2는 인돌 그룹, 카바졸 그룹, 인돌로피리딘 그룹 및 인돌로피리미딘 그룹 중에서 선택될 수 있다. 예를 들어, 상기 A1은 피리딘 그룹, 피리미딘 그룹, 피라진 그룹, 피리다진 그룹 및 트리아진 그룹 중에서 선택되고, A3는 벤젠 그룹, 나프탈렌 그룹, 안트라센 그룹, 및 페난트렌 그룹 중에서 선택될 수 있다. 예를 들어, 상기 A2는 인돌 그룹, 카바졸 그룹, 인돌로피리딘 그룹 및 인돌로피리미딘 그룹 중에서 선택되고, A3는 벤젠 그룹, 나프탈렌 그룹, 안트라센 그룹, 및 페난트렌 그룹 중에서 선택될 수 있다. 예를 들어, 상기 A1은 피리딘 그룹, 피리미딘 그룹, 피라진 그룹, 피리다진 그룹 및 트리아진 그룹 중에서 선택되고, A2는 인돌 그룹, 카바졸 그룹, 인돌로피리딘 그룹 및 인돌로피리미딘 그룹 중에서 선택되고, A3는 벤젠 그룹, 나프탈렌 그룹, 안트라센 그룹, 및 페난트렌 그룹 중에서 선택될 수 있다.
다른 구현예를 따르면, ia) 상기 A1은 하기 화학식 2A-1 내지 2A-5 중 어느 하나로 표시된 그룹이거나,
iia) 상기 A2는 하기 화학식 2B-1 내지 2B-3 중 어느 하나로 표시된 그룹이거나,
iiia) 상기 A3는 하기 화학식 2C-1로 표시된 그룹이거나, 또는
상기 ia), iia) ,iiia)의 임의의 조합일 수 있다:
Figure pat00003
Figure pat00004
Figure pat00005
상기 화학식 2A-1 내지 2A-5, 화학식 2B-1 내지 2B-3 및 화학식 2C-1 중,
Y21은 N 또는 C(R11a)이고, Y22는 N 또는 C(R12a)이고, Y23은 N 또는 C(R13a)이고, Y24는 N 또는 C(R14a)이고, Y25는 N 또는 C(R15a)이고, Y26은 N 또는 C(R16a)이고, Y27은 N 또는 C(R17a)이고, Y28은 N 또는 C(R18a)이고,
Z21은 *'-C, C(R21a) 또는 N이고, Z22는 *'-C, C(R22a) 또는 N이고,
Z31은 *'-N 또는 N(R31a)이고,
상기 R11a 내지 R18a, R21a 내지 R22a, 및 R31a에 대한 설명은, 전술한 R', R", 및 R1 내지 R6에 대한 설명을 참조하고,
*은 각각 이웃한 T1, T2, 또는 T3와의 결합 사이트이고, *'은 상기 각각 이웃한 L1, L2, L3, 또는 L4와의 결합 사이트이다.
예를 들어, 상기 화학식 2A-1 내지 2A-5 및 2C 중, Y22는 C(R12a)일 수 있다.
예를 들어, 상기 R12a는 수소, C1-C20 알킬기, 또는 적어도 하나의 C1-C20 알킬기로 치환된 C1-C20 알킬기일 수 있다.
예를 들어, 상기 화학식 2A-1 내지 2A-5 중, Y21은 C(R11a)이고, Y23는 C(R13a)일 수 있다. 예를 들어, 상기 R11a 및 R13a는 수소일 수 있다.
예를 들어, 상기 화학식 2A-1 내지 2A-5 중, Z21은 C(R21a)이고, Z22는 *'-C일 수 있다. 예를 들어, 상기 R21a는 수소일 수 있다.
예를 들어, 상기 화학식 2B-1 내지 2B-3 중, Y21은 C(R11a)이고, Y22는 C(R12a)이고, Y23은 C(R13a)이고, Y24는 C(R14a)이고, Y25는 C(R15a)이고, Y26은 C(R16a)이고, Y27은 C(R17a)이고, Y28은 C(R18a)일 수 있다. 예를 들어, 상기 R11a 내지 R18a는 수소일 수 있다.
예를 들어, 상기 화학식 2A-1 내지 2A-5 중, Z21은 *-C이고, Z31은 *'-N일 수 있다.
예를 들어, 상기 화학식 2C-1 중, Y21은 C(R11a)이고, Y23는 C(R13a)일 수 있다. 예를 들어, 상기 R11a는 수소, 적어도 하나의 중수소로 치환된 C6-C20아릴기일 수 있다. 예를 들어, R13a는 수소일 수 있다.
예를 들어, 상기 화학식 2A-1 및 2A-4 중, Y21은 C(R11a)이고, Y22는 C(R12a)일 때, 상기 R12a가 C1-C20 알킬기일 때, R11a는 적어도 하나의 중수소로 치환된 C6-C20아릴기일 수 있다.
예를 들어, 상기 화학식 2C-1 중, Z21은 *-C이고, Z22는 *'-C일 수 있다.
예를 들어, 상기 A1은 하기 화학식 2A-1 내지 2A-5 중 어느 하나로 표시된 그룹이고, 상기 A2는 하기 화학식 2B-1 내지 2B-3 중 어느 하나로 표시된 그룹일 수 있다. 예를 들어, 상기 A1은 하기 화학식 2A-1 내지 2A-5 중 어느 하나로 표시된 그룹이고, 상기 A3는 하기 화학식 2C-1로 표시된 그룹일 수 있다. 예를 들어, 상기 A2는 하기 화학식 2B-1 내지 2B-3 중 어느 하나로 표시된 그룹이고, 상기 A3는 하기 화학식 2C-1로 표시된 그룹일 수 있다. 예를 들어, 상기 A1은 하기 화학식 2A-1 내지 2A-5 중 어느 하나로 표시된 그룹이고, 상기 A2는 하기 화학식 2B-1 내지 2B-3 중 어느 하나로 표시된 그룹이고, 상기 A3는 하기 화학식 2C-1로 표시된 그룹일 수 있다.
상기 화학식 1 중, L1 내지 L4는 서로 독립적으로, 단일 결합, 이중 결합, *-N(R5)-*', *-B(R5)-*', *-P(R5)-*', *-C(R5)(R6)-*', *-Si(R5)(R6)-*', *-Ge(R5)(R6)-*', *-S-*', *-Se-*', *-O-*', *-C(=O)-*', *-S(=O)-*', *-S(=O)2-*', *-C(R5)=*', *=C(R5)-*', *-C(R5)=C(R6)-*', *-C(=S)-*' 및 *-C≡C-*' 중에서 선택되고, * 및 *'은 이웃한 원자와의 결합 사이트이다.
일 구현예를 따르면, 상기 L1 내지 L4는 서로 독립적으로, 단일 결합 또는 *-O-*'일 수 있다.
상기 화학식 1 중, a1 내지 a4는 서로 독립적으로, 0 내지 3의 정수 중에서 선택되고, a1이 0일 경우, A1과 A2는 서로 연결되어 있지 않고, a2가 0일 경우, A2와 A3는 서로 연결되어 있지 않고, a3이 0일 경우, A3과 A4는 서로 연결되어 있지 않고, a4가 0일 경우, A4와 A1은 서로 연결되어 있지 않다.
일 구현예를 따르면, 상기 a1 내지 a3는 1이고, a4는 0이고, L1 및 L3는 단일 결합이고, L2는 *-O-*'일 수 있다.
상기 화학식 1 중, L11 및 L12는 서로 독립적으로, *-C(R11)(R12)-*', *-C(R11)=*', *=C(R11)-*' 및 *-C(R11)=C(R12)-*' 중에서 선택된다.
상기 화학식 1 중, a11 및 a12는 서로 독립적으로, 1 내지 3의 정수 중에서 선택된다. 상기 a11은 L11로 표시되는 그룹의 개수이고, 상기 a12는 L12로 표시되는 그룹의 개수이고, 상기 a11이 2 이상일 때, a11개의 L11은 서로 동일하거나 상이할 수 있고, 상기 a12가 2 이상일 때, a12개의 L12는 서로 동일하거나 상이할 수 있다.
일 구현예를 따르면, 상기 a11 및 a12는 서로 독립적으로, 1 또는 2일 수 있다.
일 구현예를 따르면, i) L11 및 L12는 *-C(R11)(R12)-*'이고, a11은 2이고, a12는 1이거나,
ii) L11은 *-C(R11)=C(R12)-*'이고, L12는 *-C(R11)(R12)-*'이고, a11 및 a12는 1이거나, 또는
iii) L11은 *-C(R11)(R12)-*'이고, L12는 *-C(R11)=C(R12)-*' 이고, a11 및 a12는 1일 수 있다.
상기 화학식 1 중, R', R", R1 내지 R6 및 R11 내지 R12는 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, 치환 또는 비치환된 C1-C60알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C60알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C60알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1-C60알콕시기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴티오기, 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로아릴티오기, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, -Si(Q1)(Q2)(Q3), -B(Q1)(Q2), -N(Q1)(Q2), -P(Q1)(Q2), -C(=O)(Q1), -S(=O)(Q1), -S(=O)2(Q1), -P(=O)(Q1)(Q2) 및 -P(=S)(Q1)(Q2) 중에서 선택되고,
b1 내지 b3 및 b11 내지 b12는 서로 독립적으로, 0 내지 20의 정수 중에서 선택되고,
b4는 0 내지 6의 정수 중에서 선택되고,
R', R", b1개의 R1, b2개의 R2, b3개의 R3, b4개의 R4, R5, R6, R11 및 R12 중 이웃한 그룹은 각각 선택적으로(optionally) 서로 결합하여, 치환 또는 비치환된 C5-C60카보시클릭 그룹 또는 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로시클릭 그룹을 형성할 수 있다.
일 구현예를 따르면, 상기 R', R", R1 내지 R6 및 R11 내지 R12는 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기;
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C1-C20알킬기, 및 C1-C20알콕시기 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된 C1-C20알킬기 및 C1-C20알콕시기;
시클로펜틸기, 시클로헥실기, 페닐기, 나프틸기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 피롤일기, 인돌일기, 이소인돌일기, 인다졸일기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 시놀리닐기, 및 트리아지닐기; 및
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 페닐기, 나프틸기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 인돌일기, 이소인돌일기, 인다졸일기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 시놀리닐기, 트리아지닐기, -Si(Q31)(Q32)(Q33), -N(Q31)(Q32), -B(Q31)(Q32), -C(=O)(Q31), -S(=O)2(Q31) 및 -P(=O)(Q31)(Q32) 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 페닐기, 나프틸기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 인돌일기, 이소인돌일기, 인다졸일기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 시놀리닐기, 및 트리아지닐기;
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 페닐기, 나프틸기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 인돌일기, 이소인돌일기, 인다졸일기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 시놀리닐기, 트리아지닐기, -Si(Q31)(Q32)(Q33), -N(Q31)(Q32), -B(Q31)(Q32), -C(=O)(Q31), -S(=O)2(Q31) 및 -P(=O)(Q31)(Q32) 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 페닐기, 나프틸기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 인돌일기, 이소인돌일기, 인다졸일기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 시놀리닐기, 및 트리아지닐기 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 페닐기, 나프틸기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 인돌일기, 이소인돌일기, 인다졸일기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 시놀리닐기, 및 트리아지닐기; 및
-Si(Q1)(Q2)(Q3), -N(Q1)(Q2), -B(Q1)(Q2), -C(=O)(Q1), -S(=O)2(Q1), -P(=O)(Q1)(Q2), -P(=S)(Q1)(Q2), =O, =S, =N(Q1), 및 =C(Q1)(Q2);
중에서 선택되고,
Q1 내지 Q3 및 Q31 내지 Q33은 서로 독립적으로,
수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 시아노기, C1-C20알킬기, C2-C20알케닐기, C2-C20알키닐기, C1-C20알콕시기, C3-C10시클로알킬기, C1-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C1-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C20아릴기, C1-C20헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹;
중에서 선택될 수 있다.
일 구현예를 따르면, 상기 L12는 *-C(R11)=C(R12)-*'이고, a12는 1일 때, 상기 R11 및 R12는 서로 결합하여, 치환 또는 비치환된 C5-C60카보시클릭 그룹 또는 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로시클릭 그룹을 형성할 수 있다.
일 구현예를 따르면, 상기 화학식 1로 표시된 유기금속 화합물은 하기 화학식 1-1 내지 1-6 중 선택된 하나로 표시된 그룹일 수 있다:
<화학식 1-1> <화학식 1-2>
Figure pat00006
Figure pat00007
<화학식 1-3> <화학식 1-4>
Figure pat00008
Figure pat00009
<화학식 1-5> <화학식 1-6>
Figure pat00010
Figure pat00011
상기 화학식 1-1 내지 1-6 중,
M1, A1 내지 A3, Y1 내지 Y3, L1 내지 L3, a1 내지 a3, R1 내지 R3 및 b1 내지 b3에 대한 설명은 각각 전술한 설명을 참조하고,
상기 A21에 대한 설명은 전술한 A1 내지 A3에 대한 설명을 참조하고,
상기 Ra 내지 Rk 및 R21에 대한 설명은 전술한 R', R", R1 내지 R6 및 R11 내지 R12에 대한 설명을 참조하고,
상기 b21에 대한 설명은 전술한 b1 내지 b3에 대한 설명을 참조한다.
예를 들어, 상기 A21은 벤젠 그룹일 수 있다.
예를 들어, 상기 Ra는 적어도 하나의 중수소로 치환된 C1-C20알킬기, 적어도 하나의 중수소로 치환된 C6-C20아릴기, 또는 적어도 하나의 중수소로 치환된 C6-C20아릴기로 하나 이상 치환된 C6-C20아릴기일 수 있다.
다른 구현예를 따르면, 상기 화학식 1로 표시된 유기금속 화합물은 하기 화학식 1A로 표시된 그룹일 수 있다:
<화학식 1A>
Figure pat00012
상기 화학식 1A 중,
M1, A1, A3, Y1, Y3, L2 내지 L3, L11 및 L12, a11 및 a12, R1, R3, b1, 및 b3에 대한 설명은 각각 전술한 설명을 참조하고,
X31 내지 X32는 서로 독립적으로, N 또는 C(R32)이고,
상기 A31에 대한 설명은 전술한 A1 내지 A3에 대한 설명을 참조하고,
상기 R4a 내지 R4e, R31 및 R32에 대한 설명은 전술한 R', R", R1 내지 R6 및 R11 내지 R12에 대한 설명을 참조하고,
상기 b31에 대한 설명은 전술한 b1 내지 b3에 대한 설명을 참조한다.
일 구현예를 따르면, 상기 화학식 1로 표시되는 유기금속 화합물은 하나 이상의 중수소를 포함할 수 있다.
일 구현예를 따르면, 상기 화학식 1로 표시되는 유기금속 화합물은 적어도 하나의 중수소로 치환된 C1-C20알킬기 또는 적어도 하나의 중수소로 치환된 C6-C20아릴기를 하나 이상 포함할 수 있다.
일 구현예를 따르면, 상기 화학식 1로 표시되는 유기금속 화합물은 하기 화합물 1 내지 44 중에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다:
Figure pat00013
Figure pat00014
Figure pat00015
Figure pat00016
Figure pat00017
Figure pat00018
Figure pat00019
.
상기 화학식 1로 표시된 유기금속 화합물은 중심 금속(화학식 1 중 M)과 결합되는 카르벤 리간드에 브릿지 구조를 포함함으로써, 중심 금속과 상기 카르벤 리간드 간의 결합력을 강화하여, 강직도(rigidity)를 향상시킬 수 있다. 이를 통해 이를 적용한 유기 발광 소자의 수명 특성을 향상시킬 수 있다.
또한, 상기 화학식 1로 표시된 유기금속 화합물은 하나 이상의 중수소를 포함함으로써, 분자 간 진동 모드 감소로 인한 강직도 (rigidity) 증가 메커니즘에 의해, 안정성 증가로 인한 장수명 효과를 발휘할 수 있다.
구체적으로, 상기 화학식 1로 표시된 유기금속 화합물은 상기 카르벤 리간드가 축합환 구조를 가짐으로써, 시그마 전자 도너 효과(donor effect) 증가에 따른 3MC 에너지 증가 원리에 의해 안정성이 향상되는 효과를 발휘할 수 있다.
또한, 상기 화학식 1로 표시된 유기금속 화합물은 중심 금속과 연결되는 상기 카르벤 리간드의 원소가 탄소로, 카르벤 리간드가 중심 금속과 배위 결합이 아닌 공유 결합을 함으로써, 결합력이 증가하여 정공 수송 특성 및 전자 수송 특성이 동시에 개선되는 효과를 발휘할 수 있다.
결과적으로, 상기 유기금속 화합물을 유기 발광 소자에 적용할 경우에, 리간드 분해(ligand rupture)에 의해 삼중항 여기자(triplet exciton)가 비발광 상태인 3MC 상태로 전이되는 현상이 방지될 수 있어 들뜸 상태에서의 안정성이 우수하며 유기 발광 소자의 수명 및 효율이 우수하다.
또한, 일 구현예를 따르면, 상기 화학식 1로 표시된 유기금속 화합물이 전술한 E3MC의 범위를 만족할 수 있고, 이때 상기 화학식 1로 표시된 유기금속 화합물의 3MLCT 상태에서 비발광 상태인 3MC 상태로의 전이 확률이 감소하여 들뜸 상태에서의 안정성이 우수하며, 상기 유기금속 화합물을 포함한 유기 발광 소자의 효율 및 수명이 증가될 수 있다.
상기 유기금속 화합물은 청색광을 방출할 수 있다. 예를 들어, 상기 유기금속 화합물은, 440 nm 이상 및 490 nm 이하의 최대 발광 파장을 갖는 청색광(배면 발광 CIEx,y 색좌표 X=0.13, Y=0.05 ~ 0.18)을 방출할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 이로써, 상기 화학식 1로 표시되는 유기금속 화합물은, 청색광을 방출하는 유기 발광 소자 제작에 유용하게 사용될 수 있다.
상기 화학식 1로 표시되는 유기금속 화합물의 합성 방법은 후술하는 실시예를 참조하여 당업자가 인식할 수 있다.
상기 화학식 1로 표시되는 유기금속 화합물 중 적어도 하나는 유기 발광 소자의 한 쌍의 전극 사이에 사용될 수 있다. 예를 들어, 상기 유기금속 화합물은 발광층에 포함될 수 있다. 상기 발광층에 포함된 유기금속 화합물은 도펀트로서의 역할을 수 있다. 또는, 상기 화학식 1로 표시되는 유기금속 화합물은 유기 발광 소자의 한 쌍의 전극의 외측에 위치한 캡핑층 재료로 사용될 수 있다.
따라서, 제1전극; 상기 제1전극에 대향된 제2전극; 및 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 개재되고 발광층을 포함한 유기층;을 포함하고, 상기 화학식 1로 표시되는 유기금속 화합물을 1종 이상 포함한, 유기 발광 소자가 제공된다.
본 명세서 중 "(유기층이) 유기금속 화합물을 1종 이상 포함한다"란, "(유기층이) 상기 화학식 1의 범주에 속하는 1종의 유기금속 화합물 또는 상기 화학식 1의 범주에 속하는 서로 다른 2종 이상의 유기금속 화합물을 포함할 수 있다"로 해석될 수 있다.
예를 들어, 상기 유기층은, 상기 유기금속 화합물로서, 상기 화합물 1만을 포함할 수 있다. 이 때, 상기 화합물 1은 상기 유기 발광 소자의 발광층에 존재할 수 있다. 또는, 상기 유기층은 상기 유기금속 화합물로서, 상기 화합물 1과 화합물 2를 포함할 수 있다. 이 때, 상기 화합물 1과 화합물 2는 동일한 층에 존재(예를 들면, 상기 화합물 1과 화합물 2는 모두 발광층에 존재할 수 있음)하거나, 서로 다른 층에 존재(예를 들면, 상기 화합물 1은 발광층에 존재하고 상기 화합물 2는 전자 수송 영역에 존재할 수 있음)할 수 있다.
일 구현예에 따르면,
상기 유기 발광 소자의 제1전극은 애노드이고,
상기 유기 발광 소자의 제2전극은 캐소드이고,
상기 유기층은 상기 제1전극과 상기 발광층 사이에 개재된 정공 수송 영역 및 상기 발광층과 상기 제2전극 사이에 개재된 전자 수송 영역을 더 포함하고,
상기 정공 수송 영역은, 정공 주입층, 정공 수송층, 발광 보조층, 전자 저지층 또는 이의 임의의 조합을 포함하고,
상기 전자 수송 영역은, 정공 저지층, 전자 수송층, 전자 주입층 또는 이의 임의의 조합을 포함할 수 있다.
본 명세서 중 "유기층"은 상기 유기 발광 소자 중 제1전극과 제2전극 사이에 개재된 단일 및/또는 복수의 모든 층을 가리키는 용어이다. 상기 "유기층"의 층에 포함된 물질이 유기물로 한정되는 것은 아니다.
다른 구현예에 따르면, 상기 발광층에 상기 화학식 1로 표시되는 유기금속 화합물이 포함되어 있고, 상기 발광층은 호스트를 더 포함하고, 상기 발광층 중 호스트의 함량이 상기 발광층 중 상기 유기금속 화합물의 함량보다 클 수 있다.
예를 들어, 상기 발광층이 호스트를 더 포함하고, 상기 발광층 100중량부 당 상기 유기금속 화합물의 함량이 0.1중량부 내지 50중량부일 수 있다.
일 구현예에 따르면, 상기 정공 수송 영역이 LUMO 에너지 준위가 -3.5eV 보다 낮은 p-도펀트를 포함할 수 있다.
[도 1에 대한 설명]
도 1은 본 발명의 일 구현예를 따르는 유기 발광 소자(10)의 단면도를 개략적으로 도시한 것이다. 상기 유기 발광 소자(10)는 제1전극(110), 유기층(150) 및 제2전극(190)을 포함한다.
이하, 도 1을 참조하여 본 발명의 일 구현예를 따르는 유기 발광 소자(10)의 구조 및 제조 방법을 설명하면 다음과 같다.
[제1전극(110)]
도 1의 제1전극(110)의 하부 또는 제2전극(190)의 상부에는 기판이 추가로 배치될 수 있다. 상기 기판으로는, 기계적 강도, 열안정성, 투명성, 표면 평활성, 취급 용이성 및 방수성이 우수한 유리 기판 또는 플라스틱 기판을 사용할 수 있다.
상기 제1전극(110)은, 예를 들면, 기판 상부에, 제1전극용 물질을 증착법 또는 스퍼터링법 등을 이용하여 제공함으로써 형성될 수 있다. 상기 제1전극(110)이 애노드일 경우, 정공 주입이 용이하도록, 제1전극용 물질은, 높은 일함수를 갖는 물질 중에서 선택될 수 있다.
상기 제1전극(110)은 반사형 전극, 반투과형 전극 또는 투과형 전극일 수 있다. 투과형 전극인 제1전극(110)을 형성하기 위하여, 제1전극용 물질은, 산화인듐주석(ITO), 산화인듐아연(IZO), 산화주석(SnO2), 산화아연(ZnO) 및 이의 임의의 조합 중에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 또는, 반투과형 전극 또는 반사형 전극인 제1전극(110)을 형성하기 위하여, 제1전극용 물질은, 마그네슘(Mg), 은(Ag), 알루미늄(Al), 알루미늄-리튬(Al-Li), 칼슘(Ca), 마그네슘-인듐(Mg-In), 마그네슘-은(Mg-Ag) 및 이의 임의의 조합 중에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 제1전극(110)은 단일층인 단층 구조 또는 복수의 층을 갖는 다층 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제1전극(110)은 ITO/Ag/ITO의 3층 구조를 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
[유기층(150)]
상기 제1전극(110) 상부에는 유기층(150)이 배치되어 있다. 상기 유기층(150)은 발광층을 포함한다.
상기 유기층(150)은, 상기 제1전극(110)과 상기 발광층 사이에 개재된 정공 수송 영역(hole transport region) 및 상기 발광층과 상기 제2전극(190) 사이에 개재된 전자 수송 영역(electron transport region)을 더 포함할 수 있다.
[유기층(150) 중 정공 수송 영역]
상기 정공 수송 영역은, i) 단일 물질로 이루어진 단일층으로 이루어진 단층 구조, ii) 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 단일층으로 이루어진 단층 구조 또는 iii) 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 복수의 층을 갖는 다층 구조를 가질 수 있다.
상기 정공 수송 영역은, 정공 주입층(HIL), 정공 수송층(HTL), 발광 보조층 및 전자 저지층(EBL) 중에서 선택된 적어도 하나의 층을 포함할 수 있다.
예를 들어, 상기 정공 수송 영역은, 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 단일층으로 이루어진 단층 구조를 갖거나, 제1전극(110)으로부터 차례로 적층된 정공 주입층/정공 수송층, 정공 주입층/정공 수송층/발광 보조층, 정공 주입층/발광 보조층, 정공 수송층/발광 보조층 또는 정공 주입층/정공 수송층/전자 저지층의 다층 구조를 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 정공 수송 영역은, m-MTDATA, TDATA, 2-TNATA, NPB(NPD), β-NPB, TPD, Spiro-TPD, Spiro-NPB, 메틸화된-NPB, TAPC, HMTPD, TCTA(4,4',4"-tris(N-carbazolyl)triphenylamine (4,4',4"-트리스(N-카바졸일)트리페닐아민)), Pani/DBSA (Polyaniline/Dodecylbenzenesulfonic acid (폴리아닐린/도데실벤젠술폰산)), PEDOT/PSS(Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/Poly(4-styrenesulfonate) (폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)/폴리(4-스티렌술포네이트))), Pani/CSA (Polyaniline/Camphor sulfonic acid (폴리아닐린/캠퍼술폰산)), PANI/PSS (Polyaniline/Poly(4-styrenesulfonate) (폴리아닐린/폴리(4-스티렌술포네이트)), 하기 화학식 201로 표시되는 화합물 및 하기 화학식 202로 표시되는 화합물 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다:
Figure pat00020
Figure pat00021
<화학식 201>
Figure pat00022
<화학식 202>
Figure pat00023
상기 화학식 201 및 202 중,
L201 내지 L204는 서로 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로아릴렌기, 치환 또는 비치환된 2가 비-방향족 축합다환 그룹 및 치환 또는 비치환된 2가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 중에서 선택되고,
L205은, *-O-*', *-S-*', *-N(Q201)-*', 치환 또는 비치환된 C1-C20알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C2-C20알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로아릴렌기, 치환 또는 비치환된 2가 비-방향족 축합다환 그룹 및 치환 또는 비치환된 2가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 중에서 선택되고,
xa1 내지 xa4는 서로 독립적으로, 0 내지 3의 정수 중에서 선택되고,
xa5는 1 내지 10의 정수 중에서 선택되고,
R201 내지 R204 및 Q201은 서로 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴티오기, 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 중에서 선택될 수 있다.
예를 들어, 상기 화학식 202 중 R201과 R202는, 선택적으로(optionally), 단일 결합, 디메틸-메틸렌기 또는 디페닐-메틸렌기를 통하여 서로 연결될 수 있고, R203과 R204는, 선택적으로, 단일 결합, 디메틸-메틸렌기 또는 디페닐-메틸렌기를 통하여 서로 연결될 수 있다.
일 구현예에 따르면, 상기 화학식 201 및 202 중,
L201 내지 L205는 서로 독립적으로,
페닐렌기, 펜탈레닐렌기, 인데닐렌기, 나프틸렌기, 아줄레닐렌기, 헵탈레닐렌기, 인다세닐렌기, 아세나프틸렌기, 플루오레닐렌기, 스파이로-비플루오레닐렌기, 벤조플루오레닐렌기, 디벤조플루오레닐렌기, 페날레닐렌기, 페난트레닐렌기, 안트라세닐렌기, 플루오란테닐렌기, 트리페닐레닐렌기, 파이레닐렌기, 크라이세닐렌기, 나프타세닐렌기, 피세닐렌기, 페릴레닐렌기, 펜타페닐렌기, 헥사세닐렌기, 펜타세닐렌기, 루비세닐렌기, 코로네닐렌기, 오발레닐렌기, 티오페닐렌기, 퓨라닐렌기, 카바졸일렌기, 인돌일렌기, 이소인돌일렌기, 벤조퓨라닐렌기, 벤조티오페닐렌기, 디벤조퓨라닐렌기, 디벤조티오페닐렌기, 벤조카바졸일렌기, 디벤조카바졸일렌기, 디벤조실롤일렌기 및 피리디닐렌기; 및
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 시클로펜테닐기, 시클로헥세닐기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, C1-C10알킬기로 치환된 페닐기, -F로 치환된 페닐기, 펜탈레닐기, 인데닐기, 나프틸기, 아줄레닐기, 헵탈레닐기, 인다세닐기, 아세나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-비플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페날레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 나프타세닐기, 피세닐기, 페릴레닐기, 펜타페닐기, 헥사세닐기, 펜타세닐기, 루비세닐기, 코로네닐기, 오발레닐기, 티오페닐기, 퓨라닐기, 카바졸일기, 인돌일기, 이소인돌일기, 벤조퓨라닐기, 벤조티오페닐기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 디벤조실롤일기, 피리디닐기, -Si(Q31)(Q32)(Q33) 및 -N(Q31)(Q32) 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, 페닐렌기, 펜탈레닐렌기, 인데닐렌기, 나프틸렌기, 아줄레닐렌기, 헵탈레닐렌기, 인다세닐렌기, 아세나프틸렌기, 플루오레닐렌기, 스파이로-비플루오레닐렌기, 벤조플루오레닐렌기, 디벤조플루오레닐렌기, 페날레닐렌기, 페난트레닐렌기, 안트라세닐렌기, 플루오란테닐렌기, 트리페닐레닐렌기, 파이레닐렌기, 크라이세닐렌기, 나프타세닐렌기, 피세닐렌기, 페릴레닐렌기, 펜타페닐렌기, 헥사세닐렌기, 펜타세닐렌기, 루비세닐렌기, 코로네닐렌기, 오발레닐렌기, 티오페닐렌기, 퓨라닐렌기, 카바졸일렌기, 인돌일렌기, 이소인돌일렌기, 벤조퓨라닐렌기, 벤조티오페닐렌기, 디벤조퓨라닐렌기, 디벤조티오페닐렌기, 벤조카바졸일렌기, 디벤조카바졸일렌기, 디벤조실롤일렌기 및 피리디닐렌기;
중에서 선택되고,
상기 Q31 내지 Q33은 서로 독립적으로, C1-C10알킬기, C1-C10알콕시기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기 및 나프틸기 중에서 선택될 수 있다.
다른 구현예에 따르면, xa1 내지 xa4는 서로 독립적으로, 0, 1 또는 2일 수 있다.
또 다른 구현예에 따르면, xa5는 1, 2, 3 또는 4일 수 있다.
또 다른 구현예에 따르면, R201 내지 R204 및 Q201은 서로 독립적으로, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 펜탈레닐기, 인데닐기, 나프틸기, 아줄레닐기, 헵탈레닐기, 인다세닐기, 아세나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-비플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페날레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 나프타세닐기, 피세닐기, 페릴레닐기, 펜타페닐기, 헥사세닐기, 펜타세닐기, 루비세닐기, 코로네닐기, 오발레닐기, 티오페닐기, 퓨라닐기, 카바졸일기, 인돌일기, 이소인돌일기, 벤조퓨라닐기, 벤조티오페닐기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 디벤조실롤일기 및 피리디닐기; 및
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 시클로펜테닐기, 시클로헥세닐기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, C1-C10알킬기로 치환된 페닐기, -F로 치환된 페닐기, 펜탈레닐기, 인데닐기, 나프틸기, 아줄레닐기, 헵탈레닐기, 인다세닐기, 아세나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-비플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페날레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 나프타세닐기, 피세닐기, 페릴레닐기, 펜타페닐기, 헥사세닐기, 펜타세닐기, 루비세닐기, 코로네닐기, 오발레닐기, 티오페닐기, 퓨라닐기, 카바졸일기, 인돌일기, 이소인돌일기, 벤조퓨라닐기, 벤조티오페닐기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 디벤조실롤일기, 피리디닐기, -Si(Q31)(Q32)(Q33) 및 -N(Q31)(Q32) 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 펜탈레닐기, 인데닐기, 나프틸기, 아줄레닐기, 헵탈레닐기, 인다세닐기, 아세나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-비플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페날레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 나프타세닐기, 피세닐기, 페릴레닐기, 펜타페닐기, 헥사세닐기, 펜타세닐기, 루비세닐기, 코로네닐기, 오발레닐기, 티오페닐기, 퓨라닐기, 카바졸일기, 인돌일기, 이소인돌일기, 벤조퓨라닐기, 벤조티오페닐기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 디벤조실롤일기 및 피리디닐기;
중에서 선택될 수 있고,
상기 Q31 내지 Q33에 대한 설명은 본 명세서에 기재된 바를 참조한다.
또 다른 구현예에 따르면, 상기 화학식 201 중 R201 내지 R203 중 적어도 하나는, 서로 독립적으로,
플루오레닐기, 스파이로-비플루오레닐기, 카바졸일기, 디벤조퓨라닐기 및 디벤조티오페닐기; 및
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 시클로펜테닐기, 시클로헥세닐기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, C1-C10알킬기로 치환된 페닐기, -F로 치환된 페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-비플루오레닐기, 카바졸일기, 디벤조퓨라닐기 및 디벤조티오페닐기 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, 플루오레닐기, 스파이로-비플루오레닐기, 카바졸일기, 디벤조퓨라닐기 및 디벤조티오페닐기;
중에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
또 다른 구현예에 따르면, 상기 화학식 202 중 i) R201과 R202은 단일 결합을 통하여 서로 연결될 수 있거나, 및/또는 ii) R203과 R204은 단일 결합을 통하여 서로 연결될 수 있다.
또 다른 구현예에 따르면, 상기 화학식 202 중 R201 내지 R204 중 적어도 하나는,
카바졸일기; 및
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 시클로펜테닐기, 시클로헥세닐기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, C1-C10알킬기로 치환된 페닐기, -F로 치환된 페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-비플루오레닐기, 카바졸일기, 디벤조퓨라닐기 및 디벤조티오페닐기 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된 카바졸일기;
중에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 화학식 201로 표시되는 화합물은 하기 화학식 201A로 표시될 수 있다:
<화학식 201A>
Figure pat00024
예를 들어, 상기 화학식 201로 표시되는 화합물은 하기 화학식 201A(1)로 표시될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다:
<화학식 201A(1)>
Figure pat00025
또 다른 예로서, 상기 화학식 201로 표시되는 화합물은 하기 화학식 201A-1로 표시될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다:
<화학식 201A-1>
Figure pat00026
한편, 상기 화학식 202로 표시되는 화합물은 하기 화학식 202A로 표시될 수 있다:
<화학식 202A>
Figure pat00027
또 다른 구현예에 따르면, 상기 화학식 202로 표시되는 화합물은 하기 화학식 202A-1로 표시될 수 있다:
<화학식 202A-1>
Figure pat00028
상기 화학식 201A, 201A(1), 201A-1, 202A 및 202A-1 중,
L201 내지 L203, xa1 내지 xa3, xa5 및 R202 내지 R204에 대한 설명은 본 명세서에 기재된 바를 참조하고,
R211 및 R212에 대한 설명은 본 명세서 중 R203에 대한 설명을 참조하고,
R213 내지 R217은 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 시클로펜테닐기, 시클로헥세닐기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, C1-C10알킬기로 치환된 페닐기, -F로 치환된 페닐기, 펜탈레닐기, 인데닐기, 나프틸기, 아줄레닐기, 헵탈레닐기, 인다세닐기, 아세나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-비플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페날레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 나프타세닐기, 피세닐기, 페릴레닐기, 펜타페닐기, 헥사세닐기, 펜타세닐기, 루비세닐기, 코로네닐기, 오발레닐기, 티오페닐기, 퓨라닐기, 카바졸일기, 인돌일기, 이소인돌일기, 벤조퓨라닐기, 벤조티오페닐기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 디벤조실롤일기 및 피리디닐기 중에서 선택될 수 있다.
상기 정공 수송 영역은 하기 화합물 HT1 내지 HT39 중에서 선택된 적어도 하나의 화합물을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다:
Figure pat00029
Figure pat00030
Figure pat00031
Figure pat00032
Figure pat00033
Figure pat00034
Figure pat00035
상기 정공 수송 영역의 두께는 약 100Å 내지 약 10000Å, 예를 들면, 약 100Å 내지 약 1000Å일 수 있다. 상기 정공 수송 영역이 정공 주입층 및 정공 수송층 중 적어도 하나를 포함한다면, 상기 정공 주입층의 두께는 약 100Å 내지 약 9000Å, 예를 들면, 약 100Å 내지 약 1000Å이고, 상기 정공 수송층의 두께는 약 50Å 내지 약 2000Å, 예를 들면 약 100Å 내지 약 1500Å일 수 있다. 상기 정공 수송 영역, 정공 주입층 및 정공 수송층의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 상승없이 만족스러운 정도의 정공 수송 특성을 얻을 수 있다.
상기 발광 보조층은 발광층에서 방출되는 광의 파장에 따른 광학적 공진 거리를 보상하여 광 방출 효율을 증가시키는 역할을 하는 층이고, 상기 전자 저지층은 전자 수송 영역으로부터의 전자 주입을 방지하는 역할을 하는 층이다. 상기 발광 보조층 및 전자 저지층에는 상술한 바와 같은 물질이 포함될 수 있다.
[p-도펀트]
상기 정공 수송 영역은 상술한 바와 같은 물질 외에, 도전성 향상을 위하여 전하-생성 물질을 더 포함할 수 있다. 상기 전하-생성 물질은 상기 정공 수송 영역 내에 균일하게 또는 불균일하게 분산되어 있을 수 있다.
상기 전하-생성 물질은 예를 들면, p-도펀트일 수 있다.
일 구현예에 따르면, 상기 p-도펀트의 LUMO는 -3.5eV 보다 낮을 수 있다.
상기 p-도펀트는, 퀴논 유도체, 금속 산화물 및 시아노기-함유 화합물 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
예를 들어, 상기 p-도펀트는,
TCNQ (Tetracyanoquinodimethane) 및 F4-TCNQ (2,3,5,6-Tetrafluoro-7,7,8,8-tetracyanoquinodimethane) 등과 같은 퀴논 유도체;
텅스텐 산화물 및 몰리브덴 산화물 등과 같은 금속 산화물;
HAT-CN (1,4,5,8,9,12-hexaazatriphenylene-hexacarbonitrile); 및
하기 화학식 221로 표시되는 화합물;
중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다:
<HAT-CN> <F4-TCNQ>
Figure pat00036
Figure pat00037
<화학식 221>
Figure pat00038
상기 화학식 221 중,
R221 내지 R223은 서로 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴기, 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 중에서 선택되되, 상기 R221 내지 R223 중 적어도 하나는 시아노기, -F, -Cl, -Br, -I, -F로 치환된 C1-C20알킬기, -Cl로 치환된 C1-C20알킬기, -Br로 치환된 C1-C20알킬기 및 -I로 치환된 C1-C20알킬기 중에서 선택된 적어도 하나의 치환기를 갖는다.
[유기층(150) 중 발광층]
상기 유기 발광 소자(10)가 풀 컬러 유기 발광 소자일 경우, 발광층은, 개별 부화소별로, 적색 발광층, 녹색 발광층 및 청색 발광층으로 패터닝될 수 있다. 또는, 상기 발광층은, 적색 발광층, 녹색 발광층 및 청색 발광층 중에서 선택된 2 이상의 층이 접촉 또는 이격되어 적층된 구조를 갖거나, 적색광 방출 물질, 녹색광 방출 물질 및 청색광 방출 물질 중에서 선택된 2 이상의 물질이 층구분없이 혼합된 구조를 가져, 백색광을 방출할 수 있다.
상기 발광층은 호스트 및 도펀트를 포함할 수 있다. 상기 도펀트는 인광 도펀트 및 형광 도펀트 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한, 상기 인광 도펀트는 본 명세서 중 화학식 1로 표시되는 유기금속 화합물을 포함할 수 있다.
상기 발광층 중 도펀트의 함량은 통상적으로 호스트 약 100 중량부에 대하여, 약 0.01 내지 약 15 중량부의 범위에서 선택될 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 발광층의 두께는 약 100Å 내지 약 1000Å, 예를 들면 약 200Å 내지 약 600Å일 수 있다. 상기 발광층의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 상승없이 우수한 발광 특성을 나타낼 수 있다.
[발광층 중 호스트]
상기 호스트는 하기 화학식 301로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.
<화학식 301>
[Ar301]xb11-[(L301)xb1-R301]xb21
상기 화학식 301 중,
Ar301은 치환 또는 비치환된 C5-C60카보시클릭 그룹 또는 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로시클릭 그룹이고,
xb11은 1, 2 또는 3이고,
L301은, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로아릴렌기, 치환 또는 비치환된 2가 비-방향족 축합다환 그룹 및 치환 또는 비치환된 2가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 중에서 선택되고,
xb1는 0 내지 5의 정수 중에서 선택되고,
R301은, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, 치환 또는 비치환된 C1-C60알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C60알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C60알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1-C60알콕시기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴티오기, 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, -Si(Q301)(Q302)(Q303), -N(Q301)(Q302), -B(Q301)(Q302), -C(=O)(Q301), -S(=O)2(Q301) 및 -P(=O)(Q301)(Q302) 중에서 선택되고,
xb21는 1 내지 5의 정수 중에서 선택되고,
Q301 내지 Q303는 서로 독립적으로, C1-C10알킬기, C1-C10알콕시기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기 및 나프틸기 중에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
일 구현예에 따르면, 상기 화학식 301 중 Ar301은,
나프탈렌 그룹, 플루오렌 그룹, 스파이로-비플루오렌 그룹, 벤조플루오렌 그룹, 디벤조플루오렌 그룹, 페날렌 그룹, 페난트렌 그룹, 안트라센 그룹, 플루오란텐 그룹, 트리페닐렌 그룹, 파이렌 그룹, 크라이센 그룹, 나프타센 그룹, 피센 그룹, 페릴렌 그룹, 펜타펜 그룹, 인데노안트라센 그룹, 디벤조퓨란 그룹 및 디벤조티오펜 그룹; 및
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프틸기, -Si(Q31)(Q32)(Q33), -N(Q31)(Q32), -B(Q31)(Q32), -C(=O)(Q31), -S(=O)2(Q31) 및 -P(=O)(Q31)(Q32) 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, 나프탈렌 그룹, 플루오렌 그룹, 스파이로-비플루오렌 그룹, 벤조플루오렌 그룹, 디벤조플루오렌 그룹, 페날렌 그룹, 페난트렌 그룹, 안트라센 그룹, 플루오란텐 그룹, 트리페닐렌 그룹, 파이렌 그룹, 크라이센 그룹, 나프타센 그룹, 피센 그룹, 페릴렌 그룹, 펜타펜 그룹, 인데노안트라센 그룹, 디벤조퓨란 그룹 및 디벤조티오펜 그룹;
중에서 선택되고,
Q31 내지 Q33은 서로 독립적으로, C1-C10알킬기, C1-C10알콕시기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기 및 나프틸기 중에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 화학식 301 중 xb11이 2 이상일 경우 2 이상의 Ar301은 단일 결합을 통하여 서로 연결될 수 있다.
다른 구현예에 따르면, 상기 화학식 301로 표시되는 화합물은 하기 화학식 301-1 또는 301-2로 표시될 수 있다:
<화학식 301-1>
Figure pat00039
<화학식 301-2>
Figure pat00040
상기 화학식 301-1 내지 301-2 중
A301 내지 A304는 서로 독립적으로, 벤젠, 나프탈렌, 페난트렌, 플루오란텐, 트리페닐렌, 파이렌, 크라이센, 피리딘, 피리미딘, 인덴, 플루오렌, 스파이로-비플루오렌, 벤조플루오렌, 디벤조플루오렌, 인돌, 카바졸, 벤조카바졸, 디벤조카바졸, 퓨란, 벤조퓨란, 디벤조퓨란, 나프토퓨란, 벤조나프토퓨란, 디나프토퓨란, 티오펜, 벤조티오펜, 디벤조티오펜, 나프토티오펜, 벤조나프토티오펜 및 디나프토티오펜 중에서 선택되고,
X301은 O, S 또는 N-[(L304)xb4-R304]이고,
R311 내지 R314는 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프틸기 -Si(Q31)(Q32)(Q33), -N(Q31)(Q32), -B(Q31)(Q32), -C(=O)(Q31), -S(=O)2(Q31) 및 -P(=O)(Q31)(Q32) 중에서 선택되고,
xb22 및 xb23은 서로 독립적으로, 0, 1 또는 2이고,
L301, xb1, R301 및 Q31 내지 Q33에 대한 설명은 본 명세서에 기재된 바를 참조하고,
L302 내지 L304에 대한 설명은 서로 독립적으로, 상기 L301에 대한 설명을 참조하고,
xb2 내지 xb4에 대한 설명은 서로 독립적으로, 상기 xb1에 대한 설명을 참조하고,
R302 내지 R304에 대한 설명은 서로 독립적으로, 상기 R301에 대한 설명을 참조한다.
예를 들어, 상기 화학식 301, 301-1 및 301-2 중 L301 내지 L304는 서로 독립적으로,
페닐렌기, 나프틸렌기, 플루오레닐렌기, 스파이로-비플루오레닐렌기, 벤조플루오레닐렌기, 디벤조플루오레닐렌기, 페난트레닐렌기, 안트라세닐렌기, 플루오란테닐렌기, 트리페닐레닐렌기, 파이레닐렌기, 크라이세닐렌기, 페릴레닐렌기, 펜타페닐렌기, 헥사세닐렌기, 펜타세닐렌기, 티오페닐렌기, 퓨라닐렌기, 카바졸일렌기, 인돌일렌기, 이소인돌일렌기, 벤조퓨라닐렌기, 벤조티오페닐렌기, 디벤조퓨라닐렌기, 디벤조티오페닐렌기, 벤조카바졸일렌기, 디벤조카바졸일렌기, 디벤조실롤일렌기, 피리디닐렌기, 이미다졸일렌기, 피라졸일렌기, 티아졸일렌기, 이소티아졸일렌기, 옥사졸일렌기, 이속사졸일렌기, 티아디아졸일렌기, 옥사디아졸일렌기, 피라지닐렌기, 피리미디닐렌기, 피리다지닐렌기, 트리아지닐렌기, 퀴놀리닐렌기, 이소퀴놀리닐렌기, 벤조퀴놀리닐렌기, 프탈라지닐렌기, 나프티리디닐렌기, 퀴녹살리닐렌기, 퀴나졸리닐렌기, 시놀리닐렌기, 페난트리디닐렌기, 아크리디닐렌기, 페난트롤리닐렌기, 페나지닐렌기, 벤조이미다졸일렌기, 이소벤조티아졸일렌기, 벤조옥사졸일렌기, 이소벤조옥사졸일렌기, 트리아졸일렌기, 테트라졸일렌기, 이미다조피리디닐렌기, 이미다조피리미디닐렌기 및 아자카바졸일렌기; 및
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-비플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 페릴레닐기, 펜타페닐기, 헥사세닐기, 펜타세닐기, 티오페닐기, 퓨라닐기, 카바졸일기, 인돌일기, 이소인돌일기, 벤조퓨라닐기, 벤조티오페닐기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 디벤조실롤일기, 피리디닐기, 이미다졸일기, 피라졸일기, 티아졸일기, 이소티아졸일기, 옥사졸일기, 이속사졸일기, 티아디아졸일기, 옥사디아졸일기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 벤조퀴놀리닐기, 프탈라지닐기, 나프티리디닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 시놀리닐기, 페난트리디닐기, 아크리디닐기, 페난트롤리닐기, 페나지닐기, 벤조이미다졸일기, 이소벤조티아졸일기, 벤조옥사졸일기, 이소벤조옥사졸일기, 트리아졸일기, 테트라졸일기, 이미다조피리디닐기, 이미다조피리미디닐기, 아자카바졸일기, -Si(Q31)(Q32)(Q33), -N(Q31)(Q32), -B(Q31)(Q32), -C(=O)(Q31), -S(=O)2(Q31) 및 -P(=O)(Q31)(Q32) 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, 페닐렌기, 나프틸렌기, 플루오레닐렌기, 스파이로-비플루오레닐렌기, 벤조플루오레닐렌기, 디벤조플루오레닐렌기, 페난트레닐렌기, 안트라세닐렌기, 플루오란테닐렌기, 트리페닐레닐렌기, 파이레닐렌기, 크라이세닐렌기, 페릴레닐렌기, 펜타페닐렌기, 헥사세닐렌기, 펜타세닐렌기, 티오페닐렌기, 퓨라닐렌기, 카바졸일렌기, 인돌일렌기, 이소인돌일렌기, 벤조퓨라닐렌기, 벤조티오페닐렌기, 디벤조퓨라닐렌기, 디벤조티오페닐렌기, 벤조카바졸일렌기, 디벤조카바졸일렌기, 디벤조실롤일렌기, 피리디닐렌기, 이미다졸일렌기, 피라졸일렌기, 티아졸일렌기, 이소티아졸일렌기, 옥사졸일렌기, 이속사졸일렌기, 티아디아졸일렌기, 옥사디아졸일렌기, 피라지닐렌기, 피리미디닐렌기, 피리다지닐렌기, 트리아지닐렌기, 퀴놀리닐렌기, 이소퀴놀리닐렌기, 벤조퀴놀리닐렌기, 프탈라지닐렌기, 나프티리디닐렌기, 퀴녹살리닐렌기, 퀴나졸리닐렌기, 시놀리닐렌기, 페난트리디닐렌기, 아크리디닐렌기, 페난트롤리닐렌기, 페나지닐렌기, 벤조이미다졸일렌기, 이소벤조티아졸일렌기, 벤조옥사졸일렌기, 이소벤조옥사졸일렌기, 트리아졸일렌기, 테트라졸일렌기, 이미다조피리디닐렌기, 이미다조피리미디닐렌기 및 아자카바졸일렌기;
중에서 선택되고,
상기 Q31 내지 Q33에 대한 설명은 본 명세서에 기재된 바를 참조할 수 있다.
다른 예로서, 상기 화학식 301, 301-1 및 301-2 중 R301 내지 R304는 서로 독립적으로,
페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-비플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 페릴레닐기, 펜타페닐기, 헥사세닐기, 펜타세닐기, 티오페닐기, 퓨라닐기, 카바졸일기, 인돌일기, 이소인돌일기, 벤조퓨라닐기, 벤조티오페닐기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 디벤조실롤일기, 피리디닐기, 이미다졸일기, 피라졸일기, 티아졸일기, 이소티아졸일기, 옥사졸일기, 이속사졸일기, 티아디아졸일기, 옥사디아졸일기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 벤조퀴놀리닐기, 프탈라지닐기, 나프티리디닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 시놀리닐기, 페난트리디닐기, 아크리디닐기, 페난트롤리닐기, 페나지닐기, 벤조이미다졸일기, 이소벤조티아졸일기, 벤조옥사졸일기, 이소벤조옥사졸일기, 트리아졸일기, 테트라졸일기, 이미다조피리디닐기, 이미다조피리미디닐기 및 아자카바졸일기; 및
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-비플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 페릴레닐기, 펜타페닐기, 헥사세닐기, 펜타세닐기, 티오페닐기, 퓨라닐기, 카바졸일기, 인돌일기, 이소인돌일기, 벤조퓨라닐기, 벤조티오페닐기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 디벤조실롤일기, 피리디닐기, 이미다졸일기, 피라졸일기, 티아졸일기, 이소티아졸일기, 옥사졸일기, 이속사졸일기, 티아디아졸일기, 옥사디아졸일기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 벤조퀴놀리닐기, 프탈라지닐기, 나프티리디닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 시놀리닐기, 페난트리디닐기, 아크리디닐기, 페난트롤리닐기, 페나지닐기, 벤조이미다졸일기, 이소벤조티아졸일기, 벤조옥사졸일기, 이소벤조옥사졸일기, 트리아졸일기, 테트라졸일기, 이미다조피리디닐기, 이미다조피리미디닐기, 아자카바졸일기, -Si(Q31)(Q32)(Q33), -N(Q31)(Q32), -B(Q31)(Q32), -C(=O)(Q31), -S(=O)2(Q31) 및 -P(=O)(Q31)(Q32) 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-비플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 페릴레닐기, 펜타페닐기, 헥사세닐기, 펜타세닐기, 티오페닐기, 퓨라닐기, 카바졸일기, 인돌일기, 이소인돌일기, 벤조퓨라닐기, 벤조티오페닐기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 디벤조실롤일기, 피리디닐기, 이미다졸일기, 피라졸일기, 티아졸일기, 이소티아졸일기, 옥사졸일기, 이속사졸일기, 티아디아졸일기, 옥사디아졸일기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 벤조퀴놀리닐기, 프탈라지닐기, 나프티리디닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 시놀리닐기, 페난트리디닐기, 아크리디닐기, 페난트롤리닐기, 페나지닐기, 벤조이미다졸일기, 이소벤조티아졸일기, 벤조옥사졸일기, 이소벤조옥사졸일기, 트리아졸일기, 테트라졸일기, 이미다조피리디닐기, 이미다조피리미디닐기 및 아자카바졸일기;
중에서 선택되고,
상기 Q31 내지 Q33에 대한 설명은 본 명세서에 기재된 바를 참조할 수 있다.
또 다른 예로서, 상기 호스트는 알칼리토 금속 착체를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 호스트는 Be 착체 (예를 들면, 하기 화합물 H55), Mg 착체 및 Zn 착체 중에서 선택될 수 있다.
상기 호스트는 ADN (9,10-Di(2-naphthyl)anthracene), MADN (2-Methyl-9,10-bis(naphthalen-2-yl)anthracene), TBADN (9,10-di-(2-naphthyl)-2-t-butyl-anthracene), CBP (4,4′-bis(N-carbazolyl)-1,1′-biphenyl), mCP (1,3-di-9-carbazolylbenzene), TCP (1,3,5-tri(carbazol-9-yl)benzene) 및 하기 화합물 H1 내지 H55 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다:
Figure pat00041
Figure pat00042
Figure pat00043
Figure pat00044
Figure pat00045
Figure pat00046
Figure pat00047
또는, 상기 호스트는 실리콘-함유 화합물(예를 들면, 하기 실시예에서 사용된 BCPDS 등) 및 포스핀 옥사이드-함유 화합물(예를 들면, 하기 실시예에서 사용된 POPCPA 등) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 호스트는 1종의 화합물만을 포함하거나, 서로 상이한 2종 이상의 화합물을 포함할 수 있는 등(예를 들면, 하기 실시예의 호스트는 BCPDS 및 POPCPA로 이루어짐), 다양한 변형이 가능하다.
[유기층(150) 중 발광층에 포함된 인광 도펀트]
상기 인광 도펀트는 본 명세서 중 화학식 1로 표시되는 유기금속 화합물을 포함할 수 있다.
또한, 상기 인광 도펀트는 하기 화학식 401로 표시되는 유기금속 착체를 포함할 수 있다:
<화학식 401>
M(L401)xc1(L402)xc2
<화학식 402>
Figure pat00048
상기 화학식 401 및 402 중,
M은 이리듐(Ir), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 오스뮴(Os), 티탄(Ti), 지르코늄(Zr), 하프늄(Hf), 유로퓸(Eu), 테르븀(Tb), 로듐(Rh) 및 툴륨(Tm) 중에서 선택되고,
L401은 상기 화학식 402로 표시되는 리간드 중에서 선택되고, xc1은 1, 2 또는 3이고, xc1이 2 이상일 경우 2 이상의 L401은 서로 동일하거나 상이하고,
L402는 유기 리간드이고, xc2는 0 내지 4의 정수 중에서 선택되고, xc2가 2 이상일 경우 2 이상의 L402는 서로 동일하거나 상이하고,
X401 내지 X404는 서로 독립적으로, 질소 또는 탄소이고,
X401과 X403은 단일 결합 또는 이중 결합을 통하여 연결되고, X402와 X404는 단일 결합 또는 이중 결합을 통하여 연결되고,
A401 및 A402는 서로 독립적으로, C5-C60카보시클릭 그룹 또는 C1-C60헤테로시클릭 그룹이고,
X405는 단일 결합, *-O-*', *-S-*', *-C(=O)-*', *-N(Q411)-*', *-C(Q411)(Q412)-*', *-C(Q411)=C(Q412)-*', *-C(Q411)=*' 또는 *=C=*'이고, 상기 Q411 및 Q412는, 수소, 중수소, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기 또는 나프틸기이고,
X406은 단일 결합, O 또는 S이고,
R401 및 R402는 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, 치환 또는 비치환된 C1-C20알킬기, 치환 또는 비치환된 C1-C20알콕시기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴티오기, 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, -Si(Q401)(Q402)(Q403), -N(Q401)(Q402), -B(Q401)(Q402), -C(=O)(Q401), -S(=O)2(Q401) 및 -P(=O)(Q401)(Q402) 중에서 선택되고, 상기 Q401 내지 Q403은 서로 독립적으로, C1-C10알킬기, C1-C10알콕시기, C6-C20아릴기 및 C1-C20헤테로아릴기 중에서 선택되고,
xc11 및 xc12는 서로 독립적으로, 0 내지 10의 정수 중에서 선택되고,
상기 화학식 402 중 * 및 *'은 상기 화학식 401 중 M과의 결합 사이트이다.
일 구현예에 따르면, 상기 화학식 402 중 A401 및 A402는 서로 독립적으로, 벤젠 그룹, 나프탈렌 그룹, 플루오렌 그룹, 스파이로-바이플루오렌 그룹, 인덴 그룹, 피롤 그룹, 티오펜 그룹, 퓨란(furan) 그룹, 이미다졸 그룹, 피라졸 그룹, 티아졸 그룹, 이소티아졸 그룹, 옥사졸 그룹, 이속사졸(isoxazole) 그룹, 피리딘 그룹, 피라진 그룹, 피리미딘 그룹, 피리다진 그룹, 퀴놀린 그룹, 이소퀴놀린 그룹, 벤조퀴놀린 그룹, 퀴녹살린 그룹, 퀴나졸린 그룹, 카바졸 그룹, 벤조이미다졸 그룹, 벤조퓨란(benzofuran) 그룹, 벤조티오펜 그룹, 이소벤조티오펜 그룹, 벤조옥사졸 그룹, 이소벤조옥사졸 그룹, 트리아졸 그룹, 테트라졸 그룹, 옥사디아졸 그룹, 트리아진 그룹, 디벤조퓨란(dibenzofuran) 그룹 및 디벤조티오펜 그룹 중에서 선택될 수 있다.
다른 구현예에 따르면, 상기 화학식 402 중 i) X401은 질소이고, X402는 탄소이거나, 또는 ii) X401과 X402가 모두 질소일 수 있다.
또 다른 구현예에 따르면, 상기 화학식 402 중 R401 및 R402는 서로 독립적으로,
수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C1-C20알킬기 및 C1-C20알콕시기;
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, 페닐기, 나프틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 아다만타닐기, 노르보나닐기 및 노르보네닐기 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, C1-C20알킬기 및 C1-C20알콕시기;
시클로펜틸기, 시클로헥실기, 아다만타닐기, 노르보나닐기, 노르보네닐기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 카바졸일기, 디벤조퓨라닐기 및 디벤조티오페닐기;
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 아다만타닐기, 노르보나닐기, 노르보네닐기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 카바졸일기, 디벤조퓨라닐기 및 디벤조티오페닐기 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 아다만타닐기, 노르보나닐기, 노르보네닐기 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 카바졸일기, 디벤조퓨라닐기 및 디벤조티오페닐기; 및
-Si(Q401)(Q402)(Q403), -N(Q401)(Q402), -B(Q401)(Q402), -C(=O)(Q401), -S(=O)2(Q401) 및 -P(=O)(Q401)(Q402);
중에서 선택되고,
상기 Q401 내지 Q403은 서로 독립적으로, C1-C10알킬기, C1-C10알콕시기, 페닐기, 비페닐기 및 나프틸기 중에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
또 다른 구현예에 따르면, 상기 화학식 401 중 xc1이 2 이상일 경우, 2 이상의 L401 중 2개의 A401은 선택적으로(optionally), 연결기인 X407을 통하여 서로 연결되거나, 2개의 A402는 선택적으로, 연결기인 X408을 통하여 서로 연결될 수 있다 (하기 화합물 PD1 내지 PD4 및 PD7 참조). 상기 X407 및 X408은 서로 독립적으로, 단일 결합, *-O-*', *-S-*', *-C(=O)-*', *-N(Q413)-*', *-C(Q413)(Q414)-*' 또는 *-C(Q413)=C(Q414)-*' (여기서, Q413 및 Q414는 서로 독립적으로, 수소, 중수소, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기 또는 나프틸기임)일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 화학식 401 중 L402는 임의의 1가, 2가 또는 3가의 유기 리간드일 수 있다. 예를 들어, 상기 L402는 할로겐, 디케톤 (예를 들면, 아세틸아세토네이트), 카르복실산(예를 들면, 피콜리네이트), -C(=O), 이소니트릴, -CN 및 포스포러스 함유 물질(예를 들면, 포스핀(phosphine), 포스파이트(phosphite)) 중에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
또는, 상기 인광 도펀트는 예를 들어, 하기 화합물 PD1 내지 PD25 중에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다:
Figure pat00049
Figure pat00050
Figure pat00051
[발광층 중 형광 도펀트]
상기 형광 도펀트는 아릴아민 화합물 또는 스티릴아민 화합물을 포함할 수 있다.
상기 형광 도펀트는 하기 화학식 501로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다:
<화학식 501>
Figure pat00052
상기 화학식 501 중,
Ar501은 치환 또는 비치환된 C5-C60카보시클릭 그룹 또는 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로시클릭 그룹이고,
L501 내지 L503은 서로 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로아릴렌기, 치환 또는 비치환된 2가 비-방향족 축합다환 그룹 및 치환 또는 비치환된 2가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 중에서 선택되고,
xd1 내지 xd3는 서로 독립적으로, 0 내지 3의 정수 중에서 선택되고,
R501 및 R502는 서로 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴티오기, 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 중에서 선택되고,
xd4는 1 내지 6의 정수 중에서 선택될 수 있다.
일 구현예에 따르면, 상기 화학식 501 중 Ar501은,
나프탈렌 그룹, 헵탈렌 그룹, 플루오렌 그룹, 스파이로-비플루오렌 그룹, 벤조플루오렌 그룹, 디벤조플루오렌 그룹, 페날렌 그룹, 페난트렌 그룹, 안트라센 그룹, 플루오란텐 그룹, 트리페닐렌 그룹, 파이렌 그룹, 크라이센 그룹, 나프타센 그룹, 피센 그룹, 페릴렌 그룹, 펜타펜 그룹, 인데노안트라센 그룹 및 인데노페난트렌 그룹; 및
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기 및 나프틸기 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, 나프탈렌 그룹, 헵탈렌 그룹, 플루오렌 그룹, 스파이로-비플루오렌 그룹, 벤조플루오렌 그룹, 디벤조플루오렌 그룹, 페날렌 그룹, 페난트렌 그룹, 안트라센 그룹, 플루오란텐 그룹, 트리페닐렌 그룹, 파이렌 그룹, 크라이센 그룹, 나프타센 그룹, 피센 그룹, 페릴렌 그룹, 펜타펜 그룹, 인데노안트라센 그룹 및 인데노페난트렌 그룹;
중에서 선택될 수 있다.
다른 구현예에 따르면, 상기 화학식 501 중 L501 내지 L503은 서로 독립적으로,
페닐렌기, 나프틸렌기, 플루오레닐렌기, 스파이로-비플루오레닐렌기, 벤조플루오레닐렌기, 디벤조플루오레닐렌기, 페난트레닐렌기, 안트라세닐렌기, 플루오란테닐렌기, 트리페닐레닐렌기, 파이레닐렌기, 크라이세닐렌기, 페릴레닐렌기, 펜타페닐렌기, 헥사세닐렌기, 펜타세닐렌기, 티오페닐렌기, 퓨라닐렌기, 카바졸일렌기, 인돌일렌기, 이소인돌일렌기, 벤조퓨라닐렌기, 벤조티오페닐렌기, 디벤조퓨라닐렌기, 디벤조티오페닐렌기, 벤조카바졸일렌기, 디벤조카바졸일렌기, 디벤조실롤일렌기, 피리디닐렌기; 및
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-비플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 페릴레닐기, 펜타페닐기, 헥사세닐기, 펜타세닐기, 티오페닐기, 퓨라닐기, 카바졸일기, 인돌일기, 이소인돌일기, 벤조퓨라닐기, 벤조티오페닐기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 디벤조실롤일기 및 피리디닐기 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, 페닐렌기, 나프틸렌기, 플루오레닐렌기, 스파이로-비플루오레닐렌기, 벤조플루오레닐렌기, 디벤조플루오레닐렌기, 페난트레닐렌기, 안트라세닐렌기, 플루오란테닐렌기, 트리페닐레닐렌기, 파이레닐렌기, 크라이세닐렌기, 페릴레닐렌기, 펜타페닐렌기, 헥사세닐렌기, 펜타세닐렌기, 티오페닐렌기, 퓨라닐렌기, 카바졸일렌기, 인돌일렌기, 이소인돌일렌기, 벤조퓨라닐렌기, 벤조티오페닐렌기, 디벤조퓨라닐렌기, 디벤조티오페닐렌기, 벤조카바졸일렌기, 디벤조카바졸일렌기, 디벤조실롤일렌기, 피리디닐렌기;
중에서 선택될 수 있다.
또 다른 구현예에 따르면, 상기 화학식 501 중 R501 및 R502는 서로 독립적으로,
페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-비플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 페릴레닐기, 펜타페닐기, 헥사세닐기, 펜타세닐기, 티오페닐기, 퓨라닐기, 카바졸일기, 인돌일기, 이소인돌일기, 벤조퓨라닐기, 벤조티오페닐기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 디벤조실롤일기 및 피리디닐기; 및
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-비플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 페릴레닐기, 펜타페닐기, 헥사세닐기, 펜타세닐기, 티오페닐기, 퓨라닐기, 카바졸일기, 인돌일기, 이소인돌일기, 벤조퓨라닐기, 벤조티오페닐기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 디벤조실롤일기, 피리디닐기 및 -Si(Q31)(Q32)(Q33) 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-비플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 페릴레닐기, 펜타페닐기, 헥사세닐기, 펜타세닐기, 티오페닐기, 퓨라닐기, 카바졸일기, 인돌일기, 이소인돌일기, 벤조퓨라닐기, 벤조티오페닐기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 디벤조실롤일기 및 피리디닐기;
중에서 선택되고,
상기 Q31 내지 Q33은 C1-C10알킬기, C1-C10알콕시기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기 및 나프틸기 중에서 선택될 수 있다.
또 다른 구현예에 따르면, 상기 화학식 501 중 xd4는 2일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
예를 들어, 상기 형광 도펀트는 하기 화합물 FD1 내지 FD22 중에서 선택될 수 있다:
Figure pat00053
Figure pat00054
Figure pat00055
Figure pat00056
Figure pat00057
Figure pat00058
Figure pat00059
Figure pat00060
Figure pat00061
또는, 상기 형광 도펀트는 하기 화합물들 중에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
Figure pat00062
Figure pat00063
.
[유기층(150) 중 전자 수송 영역]
상기 전자 수송 영역은 i) 단일 물질로 이루어진 단일층으로 이루어진 단층 구조, ii) 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 단일층으로 이루어진 단층 구조 또는 iii) 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 복수의 층을 갖는 다층 구조를 가질 수 있다.
상기 전자 수송 영역은, 버퍼층, 정공 저지층, 전자 조절층, 전자 수송층(ETL) 및 전자 주입층 중에서 선택된 적어도 하나의 층을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
예를 들어, 상기 전자 수송 영역은, 발광층으로부터 차례로 적층된 전자 수송층/전자 주입층, 정공 저지층/전자 수송층/전자 주입층, 전자 조절층/전자 수송층/전자 주입층, 또는 버퍼층/전자 수송층/전자 주입층 등의 구조를 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 전자 수송 영역(예를 들면, 상기 전자 수송 영역 중 버퍼층, 정공 저지층, 전자 조절층 또는 전자 수송층)은, π 전자 결핍성 함질소 고리를 적어도 하나 포함한 금속-비함유 화합물을 포함할 수 있다.
상기 "π 전자 결핍성 함질소 고리"는, 고리-형성 모이어티로서, 적어도 하나의 *-N=*' 모이어티를 갖는 C1-C60헤테로시클릭 그룹을 의미한다.
예를 들어, 상기 "π 전자 결핍성 함질소 고리"는, i) 적어도 하나의 *-N=*' 모이어티를 갖는 5원 내지 7원 헤테로모노시클릭 그룹이거나, ii) 적어도 하나의 *-N=*' 모이어티를 갖는 5원 내지 7원 헤테로모노시클릭 그룹 중 2 이상이 서로 축합되어 있는 헤테로폴리시클릭 그룹이거나, 또는 iii) 적어도 하나의 *-N=*' 모이어티를 갖는 5원 내지 7원 헤테로모노시클릭 그룹 중 적어도 하나와, 적어도 하나의 C5-C60카보시클릭 그룹이 서로 축합되어 있는 헤테로폴리시클릭 그룹일 수 있다.
상기 π 전자 결핍성 함질소 고리의 구체예로는, 이미다졸, 피라졸, 티아졸, 이소티아졸, 옥사졸, 이속사졸, 피리딘, 피라진, 피리미딘, 피리다진, 인다졸, 푸린(purine), 퀴놀린, 이소퀴놀린, 벤조퀴놀린, 프탈라진, 나프티리딘, 퀴녹살린, 퀴나졸린, 시놀린, 페난트리딘, 아크리딘, 페난트롤린, 페나진, 벤조이미다졸, 이소벤조티아졸, 벤조옥사졸, 이소벤조옥사졸, 트리아졸, 테트라졸, 옥사디아졸, 트리아진, 티아디아졸, 이미다조피리딘, 이미다조피리미딘, 아자카바졸 등을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
예를 들어, 상기 전자 수송 영역은 하기 화학식 601로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.
<화학식 601>
[Ar601]xe11-[(L601)xe1-R601]xe21
상기 화학식 601 중,
Ar601은 치환 또는 비치환된 C5-C60카보시클릭 그룹 또는 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로시클릭 그룹이고,
xe11은 1, 2 또는 3이고,
L601은, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로아릴렌기, 치환 또는 비치환된 2가 비-방향족 축합다환 그룹 및 치환 또는 비치환된 2가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 중에서 선택되고,
xe1는 0 내지 5의 정수 중에서 선택되고,
R601은, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴티오기, 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, -Si(Q601)(Q602)(Q603), -C(=O)(Q601), -S(=O)2(Q601) 및 -P(=O)(Q601)(Q602) 중에서 선택되고,
상기 Q601 내지 Q603은 서로 독립적으로, C1-C10알킬기, C1-C10알콕시기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기 또는 나프틸기이고,
xe21는 1 내지 5의 정수 중에서 선택된다.
일 구현예에 따르면, 상기 xe11개의 Ar601 및 xe21개의 R601 중 적어도 하나는, 상술한 바와 같은 π 전자 결핍성 함질소 고리를 포함할 수 있다.
일 구현예에 따르면, 상기 화학식 601 중 고리 Ar601은,
벤젠 그룹, 나프탈렌 그룹, 플루오렌 그룹, 스파이로-비플루오렌 그룹, 벤조플루오렌 그룹, 디벤조플루오렌 그룹, 페날렌 그룹, 페난트렌 그룹, 안트라센 그룹, 플루오란텐 그룹, 트리페닐렌 그룹, 파이렌 그룹, 크라이센 그룹, 나프타센 그룹, 피센 그룹, 페릴렌 그룹, 펜타펜 그룹, 인데노안트라센 그룹, 디벤조퓨란 그룹, 디벤조티오펜 그룹, 카바졸 그룹, 이미다졸 그룹, 피라졸 그룹, 티아졸 그룹, 이소티아졸 그룹, 옥사졸 그룹, 이속사졸 그룹, 피리딘 그룹, 피라진 그룹, 피리미딘 그룹, 피리다진 그룹, 인다졸 그룹, 푸린 그룹, 퀴놀린 그룹, 이소퀴놀린 그룹, 벤조퀴놀린 그룹, 프탈라진 그룹, 나프티리딘 그룹, 퀴녹살린 그룹, 퀴나졸린 그룹, 시놀린 그룹, 페난트리딘 그룹, 아크리딘 그룹, 페난트롤린 그룹, 페나진 그룹, 벤조이미다졸 그룹, 이소벤조티아졸 그룹, 벤조옥사졸 그룹, 이소벤조옥사졸 그룹, 트리아졸 그룹, 테트라졸 그룹, 옥사디아졸 그룹, 트리아진 그룹, 티아디아졸 그룹, 이미다조피리딘 그룹, 이미다조피리미딘 그룹 및 아자카바졸 그룹; 및
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프틸기, -Si(Q31)(Q32)(Q33), -S(=O)2(Q31) 및 -P(=O)(Q31)(Q32) 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, 벤젠 그룹, 나프탈렌 그룹, 플루오렌 그룹, 스파이로-비플루오렌 그룹, 벤조플루오렌 그룹, 디벤조플루오렌 그룹, 페날렌 그룹, 페난트렌 그룹, 안트라센 그룹, 플루오란텐 그룹, 트리페닐렌 그룹, 파이렌 그룹, 크라이센 그룹, 나프타센 그룹, 피센 그룹, 페릴렌 그룹, 펜타펜 그룹, 인데노안트라센 그룹, 디벤조퓨란 그룹, 디벤조티오펜 그룹, 카바졸 그룹, 이미다졸 그룹, 피라졸 그룹, 티아졸 그룹, 이소티아졸 그룹, 옥사졸 그룹, 이속사졸 그룹, 피리딘 그룹, 피라진 그룹, 피리미딘 그룹, 피리다진 그룹, 인다졸 그룹, 푸린 그룹, 퀴놀린 그룹, 이소퀴놀린 그룹, 벤조퀴놀린 그룹, 프탈라진 그룹, 나프티리딘 그룹, 퀴녹살린 그룹, 퀴나졸린 그룹, 시놀린 그룹, 페난트리딘 그룹, 아크리딘 그룹, 페난트롤린 그룹, 페나진 그룹, 벤조이미다졸 그룹, 이소벤조티아졸 그룹, 벤조옥사졸 그룹, 이소벤조옥사졸 그룹, 트리아졸 그룹, 테트라졸 그룹, 옥사디아졸 그룹, 트리아진 그룹, 티아디아졸 그룹, 이미다조피리딘 그룹, 이미다조피리미딘 그룹 및 아자카바졸 그룹;
중에서 선택될 수 있고,
상기 Q31 내지 Q33은 서로 독립적으로, C1-C10알킬기, C1-C10알콕시기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기 및 나프틸기 중에서 선택될 수 있다.
상기 화학식 601 중 xe11이 2 이상일 경우 2 이상의 Ar601은 단일 결합을 통하여 서로 연결될 수 있다.
다른 구현예에 따르면, 상기 화학식 601 중 Ar601은 안트라센 그룹일 수 있다.
또 다른 구현예에 따르면, 상기 601로 표시되는 화합물은 하기 화학식 601-1로 표시될 수 있다:
<화학식 601-1>
Figure pat00064
상기 화학식 601-1 중,
X614는 N 또는 C(R614)이고, X615는 N 또는 C(R615)이고, X616은 N 또는 C(R616)이고, X614 내지 X616 중 적어도 하나는 N이고,
L611 내지 L613은 서로 독립적으로, 상기 L601에 대한 설명을 참조하고,
xe611 내지 xe613은 서로 독립적으로, 상기 xe1에 대한 설명을 참조하고,
R611 내지 R613은 서로 독립적으로, 상기 R601에 대한 설명을 참조하고,
R614 내지 R616은 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기 및 나프틸기 중에서 선택될 수 있다.
일 구현예에 따르면, 상기 화학식 601 및 601-1 중 L601 및 L611 내지 L613은 서로 독립적으로,
페닐렌기, 나프틸렌기, 플루오레닐렌기, 스파이로-비플루오레닐렌기, 벤조플루오레닐렌기, 디벤조플루오레닐렌기, 페난트레닐렌기, 안트라세닐렌기, 플루오란테닐렌기, 트리페닐레닐렌기, 파이레닐렌기, 크라이세닐렌기, 페릴레닐렌기, 펜타페닐렌기, 헥사세닐렌기, 펜타세닐렌기, 티오페닐렌기, 퓨라닐렌기, 카바졸일렌기, 인돌일렌기, 이소인돌일렌기, 벤조퓨라닐렌기, 벤조티오페닐렌기, 디벤조퓨라닐렌기, 디벤조티오페닐렌기, 벤조카바졸일렌기, 디벤조카바졸일렌기, 디벤조실롤일렌기, 피리디닐렌기, 이미다졸일렌기, 피라졸일렌기, 티아졸일렌기, 이소티아졸일렌기, 옥사졸일렌기, 이속사졸일렌기, 티아디아졸일렌기, 옥사디아졸일렌기, 피라지닐렌기, 피리미디닐렌기, 피리다지닐렌기, 트리아지닐렌기, 퀴놀리닐렌기, 이소퀴놀리닐렌기, 벤조퀴놀리닐렌기, 프탈라지닐렌기, 나프티리디닐렌기, 퀴녹살리닐렌기, 퀴나졸리닐렌기, 시놀리닐렌기, 페난트리디닐렌기, 아크리디닐렌기, 페난트롤리닐렌기, 페나지닐렌기, 벤조이미다졸일렌기, 이소벤조티아졸일렌기, 벤조옥사졸일렌기, 이소벤조옥사졸일렌기, 트리아졸일렌기, 테트라졸일렌기, 이미다조피리디닐렌기, 이미다조피리미디닐렌기 및 아자카바졸일렌기; 및
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-비플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 페릴레닐기, 펜타페닐기, 헥사세닐기, 펜타세닐기, 티오페닐기, 퓨라닐기, 카바졸일기, 인돌일기, 이소인돌일기, 벤조퓨라닐기, 벤조티오페닐기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 디벤조실롤일기, 피리디닐기, 이미다졸일기, 피라졸일기, 티아졸일기, 이소티아졸일기, 옥사졸일기, 이속사졸일기, 티아디아졸일기, 옥사디아졸일기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 벤조퀴놀리닐기, 프탈라지닐기, 나프티리디닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 시놀리닐기, 페난트리디닐기, 아크리디닐기, 페난트롤리닐기, 페나지닐기, 벤조이미다졸일기, 이소벤조티아졸일기, 벤조옥사졸일기, 이소벤조옥사졸일기, 트리아졸일기, 테트라졸일기, 이미다조피리디닐기, 이미다조피리미디닐기 및 아자카바졸일기 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, 페닐렌기, 나프틸렌기, 플루오레닐렌기, 스파이로-비플루오레닐렌기, 벤조플루오레닐렌기, 디벤조플루오레닐렌기, 페난트레닐렌기, 안트라세닐렌기, 플루오란테닐렌기, 트리페닐레닐렌기, 파이레닐렌기, 크라이세닐렌기, 페릴레닐렌기, 펜타페닐렌기, 헥사세닐렌기, 펜타세닐렌기, 티오페닐렌기, 퓨라닐렌기, 카바졸일렌기, 인돌일렌기, 이소인돌일렌기, 벤조퓨라닐렌기, 벤조티오페닐렌기, 디벤조퓨라닐렌기, 디벤조티오페닐렌기, 벤조카바졸일렌기, 디벤조카바졸일렌기, 디벤조실롤일렌기, 피리디닐렌기, 이미다졸일렌기, 피라졸일렌기, 티아졸일렌기, 이소티아졸일렌기, 옥사졸일렌기, 이속사졸일렌기, 티아디아졸일렌기, 옥사디아졸일렌기, 피라지닐렌기, 피리미디닐렌기, 피리다지닐렌기, 트리아지닐렌기, 퀴놀리닐렌기, 이소퀴놀리닐렌기, 벤조퀴놀리닐렌기, 프탈라지닐렌기, 나프티리디닐렌기, 퀴녹살리닐렌기, 퀴나졸리닐렌기, 시놀리닐렌기, 페난트리디닐렌기, 아크리디닐렌기, 페난트롤리닐렌기, 페나지닐렌기, 벤조이미다졸일렌기, 이소벤조티아졸일렌기, 벤조옥사졸일렌기, 이소벤조옥사졸일렌기, 트리아졸일렌기, 테트라졸일렌기, 이미다조피리디닐렌기, 이미다조피리미디닐렌기 및 아자카바졸일렌기;
중에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
다른 구현예에 따르면, 상기 화학식 601 및 601-1 중 xe1 및 xe611 내지 xe613은 서로 독립적으로, 0, 1 또는 2일 수 있다.
또 다른 구현예에 따르면, 상기 화학식 601 및 601-1 중 R601 및 R611 내지 R613은 서로 독립적으로,
페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-비플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 페릴레닐기, 펜타페닐기, 헥사세닐기, 펜타세닐기, 티오페닐기, 퓨라닐기, 카바졸일기, 인돌일기, 이소인돌일기, 벤조퓨라닐기, 벤조티오페닐기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 디벤조실롤일기, 피리디닐기, 이미다졸일기, 피라졸일기, 티아졸일기, 이소티아졸일기, 옥사졸일기, 이속사졸일기, 티아디아졸일기, 옥사디아졸일기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 벤조퀴놀리닐기, 프탈라지닐기, 나프티리디닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 시놀리닐기, 페난트리디닐기, 아크리디닐기, 페난트롤리닐기, 페나지닐기, 벤조이미다졸일기, 이소벤조티아졸일기, 벤조옥사졸일기, 이소벤조옥사졸일기, 트리아졸일기, 테트라졸일기, 이미다조피리디닐기, 이미다조피리미디닐기 및 아자카바졸일기;
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-비플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 페릴레닐기, 펜타페닐기, 헥사세닐기, 펜타세닐기, 티오페닐기, 퓨라닐기, 카바졸일기, 인돌일기, 이소인돌일기, 벤조퓨라닐기, 벤조티오페닐기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 디벤조실롤일기, 피리디닐기, 이미다졸일기, 피라졸일기, 티아졸일기, 이소티아졸일기, 옥사졸일기, 이속사졸일기, 티아디아졸일기, 옥사디아졸일기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 벤조퀴놀리닐기, 프탈라지닐기, 나프티리디닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 시놀리닐기, 페난트리디닐기, 아크리디닐기, 페난트롤리닐기, 페나지닐기, 벤조이미다졸일기, 이소벤조티아졸일기, 벤조옥사졸일기, 이소벤조옥사졸일기, 트리아졸일기, 테트라졸일기, 이미다조피리디닐기, 이미다조피리미디닐기 및 아자카바졸일기 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-비플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 페릴레닐기, 펜타페닐기, 헥사세닐기, 펜타세닐기, 티오페닐기, 퓨라닐기, 카바졸일기, 인돌일기, 이소인돌일기, 벤조퓨라닐기, 벤조티오페닐기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 디벤조실롤일기, 피리디닐기, 이미다졸일기, 피라졸일기, 티아졸일기, 이소티아졸일기, 옥사졸일기, 이속사졸일기, 티아디아졸일기, 옥사디아졸일기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 벤조퀴놀리닐기, 프탈라지닐기, 나프티리디닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 시놀리닐기, 페난트리디닐기, 아크리디닐기, 페난트롤리닐기, 페나지닐기, 벤조이미다졸일기, 이소벤조티아졸일기, 벤조옥사졸일기, 이소벤조옥사졸일기, 트리아졸일기, 테트라졸일기, 이미다조피리디닐기, 이미다조피리미디닐기 및 아자카바졸일기; 및
-S(=O)2(Q601) 및 -P(=O)(Q601)(Q602);
중에서 선택되고,
상기 Q601 및 Q602에 대한 설명은 본 명세서에 기재된 바를 참조한다.
상기 전자 수송 영역은 하기 화합물 ET1 내지 ET36 중에서 선택된 적어도 하나의 화합물을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다:
Figure pat00065
Figure pat00066
Figure pat00067
Figure pat00068
Figure pat00069
Figure pat00070
Figure pat00071
Figure pat00072
Figure pat00073
Figure pat00074
Figure pat00075
Figure pat00076
또는, 상기 전자 수송 영역은 BCP(2,9-Dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline), Bphen(4,7-Diphenyl-1,10-phenanthroline), Alq3, BAlq, TAZ(3-(Biphenyl-4-yl)-5-(4-tert-butylphenyl)-4-phenyl-4H-1,2,4-triazole) 및 NTAZ 중에서 선택된 적어도 하나의 화합물을 포함할 수 있다.
Figure pat00077
또 다른 예로서, 상기 전자 수송 영역은 포스핀 옥사이드-함유 화합물 등을 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 일 구현예에 따르면, 상기 포스핀 옥사이드-함유 화합물은 전자 수송 영역 중 정공 저지층에 사용될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 버퍼층, 정공 저지층 또는 전자 조절층의 두께는 서로 독립적으로, 약 20Å 내지 약 1000Å, 예를 들면 약 30Å 내지 약 300Å일 수 있다. 상기 버퍼층, 정공 저지층 또는 전자 조절층의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 상승없이 우수한 정공 저지 특성 또는 전자 조절 특성을 얻을 수 있다.
상기 전자 수송층의 두께는 약 100Å 내지 약 1000Å, 예를 들면 약 150Å 내지 약 500Å일 수 있다. 상기 전자 수송층의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 상승없이 만족스러운 정도의 전자 수송 특성을 얻을 수 있다.
상기 전자 수송 영역(예를 들면, 상기 전자 수송 영역 중 전자 수송층)은 상술한 바와 같은 물질 외에, 금속-함유 물질을 더 포함할 수 있다.
상기 금속-함유 물질은 알칼리 금속 착체 및 알칼리 토금속 착체 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 알칼리 금속 착체의 금속 이온은, Li 이온, Na 이온, K 이온, Rb 이온 및 Cs 이온 중에서 선택될 수 있고, 상기 알칼리 토금속 착체의 금속 이온은 Be 이온, Mg 이온, Ca 이온, Sr 이온 및 Ba 이온 중에서 선택될 수 있다. 상기 알칼리 금속 착체 및 알칼리 토금속 착체의 금속 이온에 배위된 리간드는, 서로 독립적으로, 히드록시퀴놀린, 히드록시이소퀴놀린, 히드록시벤조퀴놀린, 히드록시아크리딘, 히드록시페난트리딘, 히드록시페닐옥사졸, 히드록시페닐티아졸, 히드록시디페닐옥사디아졸, 히드록시디페닐티아디아졸, 히드록시페닐피리딘, 히드록시페닐벤조이미다졸, 히드록시페닐벤조티아졸, 비피리딘, 페난트롤린 및 시클로펜타다이엔 중에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
예를 들면, 상기 금속-함유 물질은 Li 착체를 포함할 수 있다. 상기 Li 착체는, 예를 들면, 하기 화합물 ET-D1(리튬 퀴놀레이트, LiQ) 또는 ET-D2을 포함할 수 있다.
Figure pat00078
상기 전자 수송 영역은, 제2전극(190)으로부터의 전자 주입을 용이하게 하는 전자 주입층을 포함할 수 있다. 상기 전자 주입층은 상기 제2전극(190)과 직접(directly) 접촉할 수 있다.
상기 전자 주입층은 i) 단일 물질로 이루어진 단일층으로 이루어진 단층 구조, ii) 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 단일층으로 이루어진 단층 구조 또는 iii) 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 복수의 층을 갖는 다층 구조를 가질 수 있다.
상기 전자 주입층은 알칼리 금속, 알칼리 토금속, 희토류 금속, 알칼리 금속 화합물, 알칼리 토금속 화합물, 희토류 금속 화합물, 알칼리 금속 착체, 알칼리 토금속 착체, 희토류 금속 착체 또는 이들 중 임의의 조합을 포함할 수 있다.
상기 알칼리 금속은, Li, Na, K, Rb 및 Cs 중에서 선택될 수 있다. 일 구현예에 따르면, 상기 알칼리 금속은 Li, Na 또는 Cs일 수 있다. 다른 구현예에 따르면, 상기 알칼리 금속은 Li 또는 Cs일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 알칼리 토금속은, Mg, Ca, Sr, 및 Ba 중에서 선택될 수 있다.
상기 희토류 금속은 Sc, Y, Ce, Tb, Yb 및 Gd 중에서 선택될 수 있다.
상기 알칼리 금속 화합물, 알칼리 토금속 화합물 및 상기 희토류 금속 화합물은, 상기 알칼리 금속, 상기 알칼리 토금속 및 희토류 금속의 산화물 및 할로겐화물(예를 들면, 불화물, 염화물, 브롬화물, 요오드화물 등) 중에서 선택될 수 있다.
상기 알칼리 금속 화합물은, Li2O, Cs2O, K2O 등과 같은 알칼리 금속 산화물 및 LiF, NaF, CsF, KF, LiI, NaI, CsI, KI 등과 같은 알칼리 금속 할로겐화물 중에서 선택될 수 있다. 일 구현예에 따르면, 상기 알칼리 금속 화합물은, LiF, Li2O, NaF, LiI, NaI, CsI, KI 중에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 알칼리 토금속 화합물은, BaO, SrO, CaO, BaxSr1-xO(0<x<1), BaxCa1-xO(0<x<1) 등과 같은 알칼리 토금속 화합물 중에서 선택될 수 있다. 일 구현예에 따르면, 상기 알칼리 토금속 화합물은, BaO, SrO 및 CaO 중에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 희토류 금속 화합물은, YbF3, ScF3, Sc2O3, Y2O3, Ce2O3, GdF3, 및 TbF3 중에서 선택될 수 있다. 일 구현예에 따르면, 상기 희토류 금속 화합물은 YbF3, ScF3, TbF3, YbI3, ScI3, TbI3 중에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 알칼리 금속 착체, 알칼리 토금속 착체 및 희토류 금속 착체는, 상술한 바와 같은 알칼리 금속, 알칼리 토금속 및 희토류 금속의 이온을 포함하고, 상기 알칼리 금속 착체, 알칼리 토금속 착체 및 희토류 금속 착체의 금속 이온에 배위된 리간드는, 서로 독립적으로, 히드록시퀴놀린, 히드록시이소퀴놀린, 히드록시벤조퀴놀린, 히드록시아크리딘, 히드록시페난트리딘, 히드록시페닐옥사졸, 히드록시페닐티아졸, 히드록시디페닐옥사디아졸, 히드록시디페닐티아디아졸, 히드록시페닐피리딘, 히드록시페닐벤조이미다졸, 히드록시페닐벤조티아졸, 비피리딘, 페난트롤린 및 시클로펜타다이엔 중에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 전자 주입층은 상술한 바와 같은 알칼리 금속, 알칼리 토금속, 희토류 금속, 알칼리 금속 화합물, 알칼리 토금속 화합물, 희토류 금속 화합물, 알칼리 금속 착체, 알칼리 토금속 착체, 희토류 금속 착체 또는 이들 중 임의의 조합만으로 이루어져 있거나, 상기 유기물을 더 포함할 수 있다. 상기 전자 주입층이 유기물을 더 포함할 경우, 상기 알칼리 금속, 알칼리 토금속, 희토류 금속, 알칼리 금속 화합물, 알칼리 토금속 화합물, 희토류 금속 화합물, 알칼리 금속 착체, 알칼리 토금속 착체, 희토류 금속 착체 또는 이들 중 임의의 조합은 상기 유기물로 이루어진 매트릭스에 균일 또는 불균일하게 분산되어 있을 수 있다.
상기 전자 주입층의 두께는 약 1Å 내지 약 100Å, 약 3Å 내지 약 90Å일 수 있다. 상기 전자 주입층의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 상승없이 만족스러운 정도의 전자 주입 특성을 얻을 수 있다.
[제2전극(190)]
상술한 바와 같은 유기층(150) 상부에는 제2전극(190)이 배치되어 있다. 상기 제2전극(190)은 전자 주입 전극인 캐소드(cathode)일 수 있는데, 이 때, 상기 제2전극(190)용 물질로는 낮은 일함수를 가지는 금속, 합금, 전기전도성 화합물 및 이들의 조합(combination)을 사용할 수 있다.
상기 제2전극(190)은, 리튬(Li), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 알루미늄-리튬(Al-Li), 칼슘(Ca), 마그네슘-인듐(Mg-In), 마그네슘-은(Mg-Ag), 이터븀(Yb), 은-이터븀(Ag-Yb), ITO 및 IZO 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 제2전극(190)은 투과형 전극, 반투과형 전극 또는 반사형 전극일 수 있다.
상기 제2전극(190)은 단일층인 단층 구조 또는 복수의 층을 갖는 다층 구조를 가질 수 있다.
[도 2 내지 4에 대한 설명]
한편, 도 2의 유기 발광 소자(20)는 제1캡핑층(210), 제1전극(110), 유기층(150) 및 제2전극(190)이 차례로 적층된 구조를 갖고, 도 3의 유기 발광 소자(30)는 제1전극(110), 유기층(150), 제2전극(190) 및 제2캡핑층(220)이 차례로 적층된 구조를 갖고, 도 4의 유기 발광 소자(40)는 제1캡핑층(210), 제1전극(110), 유기층(150), 제2전극(190) 및 제2캡핑층(220)이 차례로 적층된 구조를 갖는다.
도 2 내지 4 중 제1전극(110), 유기층(150) 및 제2전극(190)에 대한 설명은 도 1에 대한 설명을 참조한다.
유기 발광 소자(20, 40)의 유기층(150) 중 발광층에서 생성된 광은 반투과형 전극 또는 투과형 전극인 제1전극(110) 및 제1캡핑층(210)을 지나 외부로 취출될 수 있고, 유기 발광 소자(30, 40)의 유기층(150) 중 발광층에서 생성된 광은 반투과형 전극 또는 투과형 전극인 제2전극(190) 및 제2캡핑층(220)을 지나 외부로 취출될 수 있다.
상기 제1캡핑층 및 제2캡핑층은 보강 간섭의 원리에 의하여 외부 발광 효율을 향상시키는 역할을 할 수 있다. 이로써, 상기 발광 소자(10)의 광추출 효율이 증가되어, 상기 발광 소자(10)의 발광 효율이 향상될 수 있다.
상기 제1캡핑층 및 제2캡핑층 각각은, 1.6 이상의 굴절율(at 589nm)을 갖는 물질을 포함할 수 있다.
상기 제1캡핑층(210) 및 제2캡핑층(220)은 보강 간섭의 원리에 의하여 외부 발광 효율을 향상시키는 역할을 할 수 있다.
상기 제1캡핑층(210) 및 제2캡핑층(220)은 서로 독립적으로, 유기물로 이루어진 유기 캡핑층, 무기물로 이루어진 무기 캡핑층, 또는 유기물 및 무기물을 포함한 복합 캡핑층일 수 있다.
상기 제1캡핑층(210) 및 제2캡핑층(220) 중 적어도 하나는, 서로 독립적으로, 카보시클릭 화합물, 헤테로시클릭 화합물, 아민계 화합물, 포르핀 유도체 (porphine derivatives), 프탈로시아닌 유도체 (phthalocyanine derivatives), 나프탈로시아닌 유도체 (naphthalocyanine derivatives), 알칼리 금속 착체 및 알칼리 토금속 착체 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다. 상기 카보시클릭 화합물, 헤테로시클릭 화합물 및 아민계 화합물은, 선택적으로, O, N, S, Se, Si, F, Cl, Br 및 I 중에서 선택된 적어도 하나의 원소를 포함한 치환기로 치환될 수 있다.
일 구현예에 따르면, 상기 제1캡핑층(210) 및 제2캡핑층(220) 중 적어도 하나는, 서로 독립적으로, 아민계 화합물을 포함할 수 있다.
다른 구현예에 따르면, 상기 제1캡핑층(210) 및 제2캡핑층(220) 중 적어도 하나는, 서로 독립적으로, 상기 화학식 201로 표시되는 화합물 또는 상기 화학식 202로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.
또 다른 구현예에 따르면, 상기 제1캡핑층(210) 및 제2캡핑층(220) 중 적어도 하나는, 서로 독립적으로, 상기 화합물 HT28 내지 HT33 및 하기 화합물 CP1 내지 CP6, β-NPB 중에서 선택된 화합물을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
Figure pat00079
Figure pat00080
이상, 상기 유기 발광 소자를 도 1 내지 4를 참조하여 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 정공 수송 영역에 포함된 각 층, 발광층 및 전자 수송 영역에 포함된 각 층은 각각, 진공 증착법, 스핀 코팅법, 캐스트법, LB법(Langmuir-Blodgett), 잉크젯 프린팅법, 레이저 프린팅법, 레이저 열전사법(Laser Induced Thermal Imaging, LITI) 등과 같은 다양한 방법을 이용하여, 소정 영역에 형성될 수 있다.
진공 증착법에 의하여 상기 정공 수송 영역에 포함된 각 층, 발광층 및 전자 수송 영역에 포함된 각 층을 각각 형성할 경우, 증착 조건은, 예를 들면, 약 100 내지 약 500℃의 증착 온도, 약 10-8 내지 약 10-3 torr의 진공도 및 약 0.01 내지 약 100Å/sec의 증착 속도 범위 내에서, 형성하고자 하는 층에 포함될 재료 및 형성하고자 하는 층의 구조를 고려하여 선택될 수 있다.
스핀 코팅법에 의하여 상기 정공 수송 영역에 포함된 각 층, 발광층 및 전자 수송 영역에 포함된 각 층을 각각 형성할 경우, 코팅 조건은, 예를 들면, 약 2000rpm 내지 약 5000rpm의 코팅 속도 및 약 80℃ 내지 200℃의 열처리 온도 범위 내에서, 형성하고자 하는 층에 포함될 재료 및 형성하고자 하는 층의 구조를 고려하여 선택될 수 있다.
[치환기의 일반적인 정의]
본 명세서 중 C1-C60알킬기는, 탄소수 1 내지 60의 선형 또는 분지형 지방족 탄화수소 1가(monovalent) 그룹을 의미하며, 구체적인 예에는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소부틸기, sec-부틸기, ter-부틸기, 펜틸기, iso-아밀기, 헥실기 등이 포함된다. 본 명세서 중 C1-C60알킬렌기는 상기 C1-C60알킬기와 동일한 구조를 갖는 2가(divalent) 그룹을 의미한다.
본 명세서 중 C2-C60알케닐기는, 상기 C2-C60알킬기의 중간 또는 말단에 하나 이상의 탄소 이중 결합을 포함한 탄화수소 그룹을 의미하며, 이의 구체적인 예에는, 에테닐기, 프로페닐기, 부테닐기 등이 포함된다. 본 명세서 중 C2-C60알케닐렌기는 상기 C2-C60알케닐기와 동일한 구조를 갖는 2가 그룹을 의미한다.
본 명세서 중 C2-C60알키닐기는, 상기 C2-C60알킬기의 중간 또는 말단에 하나 이상의 탄소 삼중 결합을 포함한 탄화수소 그룹을 의미하며, 이의 구체적인 예에는, 에티닐기, 프로피닐기, 등이 포함된다. 본 명세서 중 C2-C60알키닐렌기는 상기 C2-C60알키닐기와 동일한 구조를 갖는 2가 그룹을 의미한다.
본 명세서 중 C1-C60알콕시기는, -OA101(여기서, A101은 상기 C1-C60알킬기임)의 화학식을 갖는 1가 그룹을 의미하며, 이의 구체적인 예에는, 메톡시기, 에톡시기, 이소프로필옥시기 등이 포함된다.
본 명세서 중 C3-C10시클로알킬기는, 탄소수 3 내지 10의 1가 포화 탄화수소 모노시클릭 그룹을 의미하며, 이의 구체예에는는 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기 등이 포함된다. 본 명세서 중 C3-C10시클로알킬렌기는 상기 C3-C10시클로알킬기와 동일한 구조를 갖는 2가 그룹을 의미한다.
본 명세서 중 C1-C10헤테로시클로알킬기는, N, O, Si, P 및 S 중에서 선택된 적어도 하나의 헤테로 원자를 고리-형성 원자로서 포함한 탄소수 1 내지 10의 1가 모노시클릭 그룹을 의미하며, 이의 구체예에는 1,2,3,4-옥사트리아졸리디닐기(1,2,3,4-oxatriazolidinyl), 테트라히드로퓨라닐기(tetrahydrofuranyl), 테트라히드로티오페닐기 등이 포함된다. 본 명세서 중 C1-C10헤테로시클로알킬렌기는 상기 C1-C10헤테로시클로알킬기와 동일한 구조를 갖는 2가 그룹을 의미한다.
본 명세서 중 C3-C10시클로알케닐기는 탄소수 3 내지 10의 1가 모노시클릭 그룹으로서, 고리 내에 적어도 하나의 이중 결합을 가지나, 방향족성(aromaticity)을 갖지 않는 그룹을 의미하며, 이의 구체예에는 시클로펜테닐기, 시클로헥세닐기, 시클로헵테닐기 등이 포함된다. 본 명세서 중 C3-C10시클로알케닐렌기는 상기 C3-C10시클로알케닐기와 동일한 구조를 갖는 2가 그룹을 의미한다.
본 명세서 중 C1-C10헤테로시클로알케닐기는 N, O, Si, P 및 S 중에서 선택된 적어도 하나의 헤테로 원자를 고리-형성 원자로서 포함한 탄소수 1 내지 10의 1가 모노시클릭 그룹으로서, 고리 내에 적어도 하나의 이중 결합을 갖는다. 상기 C1-C10헤테로시클로알케닐기의 구체예에는, 4,5-디히드로-1,2,3,4-옥사트리아졸일기, 2,3-디히드로퓨라닐기, 2,3-디히드로티오페닐기 등이 포함된다. 본 명세서 중 C1-C10헤테로시클로알케닐렌기는 상기 C1-C10헤테로시클로알케닐기와 동일한 구조를 갖는 2가 그룹을 의미한다.
본 명세서 중 C6-C60아릴기는 탄소수 6 내지 60개의 카보시클릭 방향족 시스템을 갖는 1가(monovalent) 그룹을 의미하며, C6-C60아릴렌기는 탄소수 6 내지 60개의 카보시클릭 방향족 시스템을 갖는 2가(divalent) 그룹을 의미한다. 상기 C6-C60아릴기의 구체예에는, 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 페난트레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기 등을 포함된다. 상기 C6-C60아릴기 및 C6-C60아릴렌기가 2 이상의 고리를 포함할 경우, 상기 2 이상의 고리들은 서로 축합될 수 있다.
본 명세서 중 C1-C60헤테로아릴기는 N, O, Si, P 및 S 중에서 선택된 적어도 하나의 헤테로 원자를 고리-형성 원자로서 포함하고 탄소수 1 내지 60개의 헤테로시클릭 방향족 시스템을 갖는 1가 그룹을 의미하고, C1-C60헤테로아릴렌기는 N, O, Si, P 및 S 중에서 선택된 적어도 하나의 헤테로 원자를 고리-형성 원자로서 포함하고 탄소수 1 내지 60개의 헤테로시클릭 방향족 시스템을 갖는 2가 그룹을 의미한다. 상기 C1-C60헤테로아릴기의 구체예에는, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기 등이 포함되다. 상기 C1-C60헤테로아릴기 및 C1-C60헤테로아릴렌기가 2 이상의 고리를 포함할 경우, 2 이상의 고리들은 서로 축합될 수 있다.
본 명세서 중 C6-C60아릴옥시기는 -OA102(여기서, A102는 상기 C6-C60아릴기임)를 가리키고, 상기 C6-C60아릴티오기(arylthio)는 -SA103(여기서, A103은 상기 C6-C60아릴기기임)를 가리킨다.
본 명세서 중 1가 비-방향족 축합다환 그룹(non-aromatic condensed polycyclic group)은 2 이상의 고리가 서로 축합되어 있고, 고리 형성 원자로서 탄소만을 포함하고, 분자 전체가 비-방향족성(non-aromaticity)을 갖는 1가 그룹(예를 들면, 탄소수 8 내지 60을 가짐)을 의미한다. 상기 1가 비-방향족 축합다환 그룹의 구체예에는, 플루오레닐기 등이 포함되다. 본 명세서 중 2가 비-방향족 축합다환 그룹은 상기 1가 비-방향족 축합다환 그룹과 동일한 구조를 갖는 2가 그룹을 의미한다.
본 명세서 중 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹(non-aromatic condensed heteropolycyclic group)은 2 이상의 고리가 서로 축합되어 있고, 고리 형성 원자로서 탄소 외에 N, O, Si, P 및 S 중에서 선택된 적어도 하나의 헤테로 원자를 포함하고, 분자 전체가 비-방향족성을 갖는 1가 그룹(예를 들면, 탄소수 1 내지 60을 가짐)을 의미한다. 상기 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹의 구체예에는, 카바졸일기 등이 포함된다. 본 명세서 중 2가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹은 상기 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹과 동일한 구조를 갖는 2가 그룹을 의미한다.
본 명세서 중 C4-C60카보시클릭 그룹이란, 고리-형성 원자로서 탄소만을 포함한 탄소수 4 내지 60의 모노시클릭 또는 폴리시클릭 그룹을 의미한다. 상기 C4-C60카보시클릭 그룹은 방향족 카보시클릭 그룹 또는 비-방향족 카보시클릭 그룹일 수 있다. 상기 C4-C60카보시클릭 그룹은 벤젠과 같은 고리, 페닐기와 같은 1가 그룹 또는 페닐렌기와 같은 2가 그룹일 수 있다. 또는, 상기 C4-C60카보시클릭 그룹에 연결된 치환기에 개수에 따라, 상기 C4-C60카보시클릭 그룹은 3가 그룹 또는 4가 그룹일 수 있는 등 다양한 변형이 가능하다.
본 명세서 중 C2-C60헤테로시클릭 그룹이란, 상기 C4-C60카보시클릭 그룹과 동일한 구조를 갖되, 고리-형성 원자로서, 탄소(탄소수는 2 내지 60일 수 있음) 외에, N, O, Si, P 및 S 중에서 선택된 적어도 하나의 헤테로 원자를 포함한 그룹을 의미한다.
본 명세서 중, 상기 치환된 C4-C60카보시클릭 그룹, 치환된 C2-C60헤테로시클릭 그룹, 치환된 C3-C10시클로알킬렌기, 치환된 C1-C10헤테로시클로알킬렌기, 치환된 C3-C10시클로알케닐렌기, 치환된 C1-C10헤테로시클로알케닐렌기, 치환된 C6-C60아릴렌기, 치환된 C1-C60헤테로아릴렌기, 치환된 2가 비-방향족 축합다환 그룹, 치환된 2가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, 치환된 C1-C60알킬기, 치환된 C2-C60알케닐기, 치환된 C2-C60알키닐기, 치환된 C1-C60알콕시기, 치환된 C3-C10시클로알킬기, 치환된 C1-C10헤테로시클로알킬기, 치환된 C3-C10시클로알케닐기, 치환된 C1-C10헤테로시클로알케닐기, 치환된 C6-C60아릴기, 치환된 C6-C60아릴옥시기, 치환된 C6-C60아릴티오기, 치환된 C1-C60헤테로아릴기, 치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹의 치환기 중 적어도 하나는,
중수소(-D), -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기 및 C1-C60알콕시기;
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C3-C10시클로알킬기, C1-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C1-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C1-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, -Si(Q11)(Q12)(Q13), -N(Q11)(Q12), -B(Q11)(Q12), -C(=O)(Q11), -S(=O)2(Q11) 및 -P(=O)(Q11)(Q12) 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기 및 C1-C60알콕시기;
C3-C10시클로알킬기, C1-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C1-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C1-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹;
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기, C1-C60알콕시기, C3-C10시클로알킬기, C1-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C1-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C1-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, -Si(Q21)(Q22)(Q23), -N(Q21)(Q22), -B(Q21)(Q22), -C(=O)(Q21), -S(=O)2(Q21) 및 -P(=O)(Q21)(Q22) 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, C3-C10시클로알킬기, C1-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C1-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C1-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹; 및
-Si(Q31)(Q32)(Q33), -N(Q31)(Q32), -B(Q31)(Q32), -C(=O)(Q31), -S(=O)2(Q31) 및 -P(=O)(Q31)(Q32);
중에서 선택되고,
상기 Q11 내지 Q13, Q21 내지 Q23 및 Q31 내지 Q33은 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기, C1-C60알콕시기, C3-C10시클로알킬기, C1-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C1-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C1-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, 중수소, -F 및 시아노기 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된 C1-C60알킬기, 중수소, -F 및 시아노기 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된 C6-C60아릴기, 비페닐기 및 터페닐기 중에서 선택될 수 있다.
본 명세서 중 "Ph"은 페닐기를 의미하고, "Me"은 메틸기를 의미하고, "Et"은 에틸기를 의미하고, "ter-Bu" 또는 "But"은 tert-부틸기를 의미하고, "OMe"는 메톡시기를 의미한다.
본 명세서 중 "비페닐기"는 "페닐기로 치환된 페닐기"를 의미한다. 상기 "비페닐기"는, 치환기가 "C6-C60아릴기"인 "치환된 페닐기"에 속한다.
본 명세서 중 "터페닐기"는 "비페닐기로 치환된 페닐기"를 의미한다. 상기 "터페닐기"는, 치환기가 "C6-C60아릴기로 치환된 C6-C60아릴기"인 "치환된 페닐기"에 속한다.
본 명세서 중 *, *' 및 *"은, 다른 정의가 없는 한, 해당 화학식 중 이웃한 원자와의 결합 사이트를 의미한다.
이하에서, 합성예 및 실시예를 들어, 본 발명의 일 구현예를 따르는 화합물 및 유기 발광 소자에 대하여 보다 구체적으로 설명한다. 하기 합성예 중 "A 대신 B를 사용하였다"란 표현 중 A의 몰당량과 B의 몰당량은 서로 동일하다.
[합성예]
합성예 1: 화합물 1의 합성
Figure pat00081
중간체 화합물 1-A의 합성
1,3-diacetylimidazolin-2-one (1.0 equiv.)와 cyclopentadiene (1.0 mol, 10 equiv.)을 m-Xylene에 용해시켜 150 ℃에서 72 시간 교반하였다. 반응 혼합물은 감압한 후 n-Hexane을 넣어 침전물을 여과하였다. 여과한 침전물은 MeOH (250 ml)과 2M HCl (250 ml)에 용해시켜 상온에서 30분 교반한 후 감압하였다. 반응 혼합물을 물과 Dichloromethane으로 추출하여 유기층을 수득하였다. 상기 수득한 유기층을 magnesium sulfate로 건조시킨 후, 농축하여 중간체 화합물 1-A (수율 54%)를 합성하였다.
중간체 화합물 1-B의 합성
중간체 화합물 1-A (30 mmol)을 Ar 조건 하에서 EtOAC (20 ml)에 용해시킨 용액에 10% Pd/C (70 mg)의 20 ml EtOAc 용액을 첨가하였다. Hydrogen 기체를 채워준 후 상온에서 1시간 교반하였다. 반응 혼합물은 EtOAc로 세척하며 Celite를 이용하여 여과하였다. 여과액은 농축하여 중간체 화합물 1-B (수율 99%)를 합성하였다.
중간체 화합물 1-C의 합성
중간체 화합물 1-B (2.0 equiv.)를 MeOH와 Dicholoromethane에 용해시킨 후 상온에서 교반하였다. 0 ℃에서 NaH (60% in mineral oil, 1.0 equiv.)를 첨가한 후 상온에서 4시간 교반하였다. 0 ℃에서 NH4Cl 용액으로 quenching 한 후 물과 Dichloromethane으로 추출하였다. 상기 수득한 유기층을 magnesium sulfate로 건조시킨 후, 농축하여 n-hexane으로 재결정하여 중간체 화합물 1-C (수율 93%)를 합성하였다.
중간체 화합물 1-D의 합성
중간체 화합물 1-C (1.0 eq), Iodomethane-d3 (3.0 eq), Pd2(dba)3 (5 mol%), Sphos (7 mol%) 및 Sodium tert-butoxide (2.0 eq)을 Toluene (0.1 M)에 용해시킨 후, 110℃에서 12시간 교반하였다. 반응 혼합물을 상온으로 식힌 후, dichloromethane과 물을 이용하여 3회 추출하여 유기층을 수득하였다. 상기 수득한 유기층을 magnesium sulfate로 건조시킨 후, 농축하여 컬럼 크로마토그래피를 이용해 중간체 화합물 1-D (수율 75 %)를 합성하였다.
중간체 화합물 1-E의 합성
중간체 화합물 1-D (1.2 eq), 2-(3-bromo-5-(tert-butyl)phenoxy)-9-(4-(tert-butyl)pyridin-2-yl)-9H-carbazole (1.0 eq), Pd2(dba)3 (5 mol%), Sphos (7 mol%) 및 Sodium tert-butoxide (2.0 eq)을 Toluene (0.1M)에 용해시킨 후, 110℃에서 3시간 교반하였다. 반응 혼합물을 상온으로 식힌 후, dichloromethane과 물을 이용하여 3회 추출하여 유기층을 수득하였다. 상기 수득한 유기층을 magnesium sulfate로 건조시킨 후, 농축하여 컬럼 크로마토그래피를 이용해 (Ethyl acetate:Hexane = 1:9) 중간체 화합물 1-E (수율 78 %)를 합성하였다.
중간체 화합물 1-F의 합성
중간체 화합물 1-E (3.5 mmol)를 THF에 용해한 후 상온에서 교반하였다. 0 ℃에서 LiAlH4 (7.0 mmo)을 첨가한 후 50 ℃에서 2시간 교반하였다. 0 ℃에서 반응 혼합물에 THF, NaOH 용액 및 H2O를 첨가한 후 상온에서 30분 교반하였다. 반응 혼합물은 THF와 EtOAc를 이용하여 Celite/Silica gel 여과하여 감압하였다. 반응 혼합물 (1.0 eq)를 Triehtyl orthoformate (30 eq)에 80 ℃에 용해시킨 후 37% HCl (1.5 eq)를 첨가하여 80 ℃에서 12 시간 교반하였다. 상온에서 식힌 후 Triethyl orhoformate를 농축하고 dichloromethane과 물을 이용하여 3회 추출하여 유기층을 수득하였다. 상기 수득한 유기층을 magnesium sulfate로 건조시킨 후, 농축하여 컬럼 크로마토그래피를 이용해 (MC, MC:5 vol%Methanol) 중간체 화합물 1-F (수율 87%)를 합성하였다.
중간체 화합물 1-G의 합성
중간체 화합물 1-F (1.0 eq)와 Ammonium hexafluorophosphate (3.0 eq)을 Methanol (0.5 M)에 용해시킨 후 증류수를 넣고 실온에서 3~12시간 교반하였다. 증류수로 세척하며 필터하여 고체를 수득한 후 dichloromethane과 물을 이용하여 3회 추출하여 유기층을 수득하였다. 상기 수득한 유기층을 magnesium sulfate로 건조시킨 후 농축하여 중간체 화합물 1-G (수율 96 %)를 합성하였다.
화합물 1의 합성
중간체 화합물 1-G (1.0 eq), Dichloro(1,5-cyclooctadiene)platinum(II) (1.1 eq) 및 Sodium acetate (3.0 eq)를 Anhydrous 1,4-dioxane에 용해시킨 후 질소 조건하 120 ℃에서 4일간 교반하였다. 상온에서 식힌 후 dichloromethane과 물을 이용하여 3회 추출하여 유기층을 수득하였다. 상기 수득한 유기층을 magnesium sulfate로 건조시킨 후 농축하여 컬럼 크로마토그래피를 이용해 (MC:50 vol% Hexane) 화합물 1 (수율 21%)를 합성하였다.
합성예 2: 화합물 2의 합성
Figure pat00082
중간체 화합물 2-A의 합성
1,3-diacetylimidazolin-2-one (1.0 equiv.)와 cyclopentadiene (1.0 mol, 10 equiv.)을 m-Xylene에 용해시켜 150 ℃에서 72 시간 교반하였다. 반응 혼합물은 감압한 후 n-Hexane을 넣어 침전물을 여과하였다. 여과한 침전물은 MeOH (250 ml)과 2M HCl (250 ml)에 용해시켜 상온에서 30분 교반한 후 감압하였다. 반응 혼합물을 물과 Dichloromethane으로 추출하여 유기층을 수득하였다. 상기 수득한 유기층을 magnesium sulfate로 건조시킨 후, 농축하여 중간체 화합물 2-A (수율 53%)를 합성하였다.
중간체 화합물 2-B의 합성
중간체 화합물 2-A (30 mmol)을 Ar 조건 하에서 EtOAC (20 ml)에 용해시킨 용액에 10% Pd/C (70 mg)의 20 ml EtOAc 용액을 첨가하였다. Hydrogen 기체를 채워준 후 상온에서 1시간 교반하였다. 반응 혼합물은 EtOAc로 세척하며 Celite를 이용하여 여과하였다. 여과액은 농축하여 중간체 화합물 2-B (수율 99%)를 합성하였다.
중간체 화합물 2-C의 합성
중간체 화합물 2-B (2.0 equiv.)를 MeOH와 Dicholoromethane에 용해시킨 후 상온에서 교반하였다. 0 ℃에서 NaH (60% in mineral oil, 1.0 equiv.)를 첨가한 후 상온에서 4시간 교반하였다. 0 ℃에서 NH4Cl 용액으로 quenching 한 후 물과 Dichloromethane으로 추출하였다. 상기 수득한 유기층을 magnesium sulfate로 건조시킨 후, 농축하여 n-hexane으로 재결정하여 중간체 화합물 2-C (수율 91%)를 합성하였다.
중간체 화합물 2-D의 합성
중간체 화합물 2-C (1.0 eq), Iodomethane-d3 (3.0 eq), Pd2(dba)3 (5 mol%), Sphos (7 mol%) 및 Sodium tert-butoxide (2.0 eq)을 Toluene (0.1 M)에 용해시킨 후, 110℃에서 12시간 교반하였다. 반응 혼합물을 상온으로 식힌 후, dichloromethane과 물을 이용하여 3회 추출하여 유기층을 수득하였다. 상기 수득한 유기층을 magnesium sulfate로 건조시킨 후, 농축하여 컬럼 크로마토그래피를 이용해 중간체 화합물 2-D (수율 75 %)를 합성하였다.
중간체 화합물 2-E의 합성
중간체 화합물 2-D (1.2 eq), 2-(3-bromophenoxy)-9-(4-(tert-butyl)pyridin-2-yl)-9H-carbazole (1.0 eq), Pd2(dba)3 (5 mol%), Sphos (7 mol%) 및 Sodium tert-butoxide (2.0 eq)을 Toluene (0.1M)에 용해시킨 후, 110℃에서 3시간 교반하였다. 반응 혼합물을 상온으로 식힌 후, dichloromethane과 물을 이용하여 3회 추출하여 유기층을 수득하였다. 상기 수득한 유기층을 magnesium sulfate로 건조시킨 후, 농축하여 컬럼 크로마토그래피를 이용해 (Ethyl acetate:Hexane = 1:9) 중간체 화합물 2-E (수율 78 %)를 합성하였다.
중간체 화합물 2-F의 합성
중간체 화합물 2-E (3.5 mmol)를 THF에 용해한 후 상온에서 교반하였다. 0 ℃에서 LiAlH4 (7.0 mmo)을 첨가한 후 50 ℃에서 2시간 교반하였다. 0 ℃에서 반응 혼합물에 THF, NaOH 용액 및 H2O를 첨가한 후 상온에서 30분 교반하였다. 반응 혼합물은 THF와 EtOAc를 이용하여 Celite/Silica gel 여과하여 감압하였다. 반응 혼합물 (1.0 eq)를 Triehtyl orthoformate (30 eq)에 80 ℃에 용해시킨 후 37% HCl (1.5 eq)를 첨가하여 80 ℃에서 12 시간 교반하였다. 상온에서 식힌 후 Triethyl orhoformate를 농축하고 dichloromethane과 물을 이용하여 3회 추출하여 유기층을 수득하였다. 상기 수득한 유기층을 magnesium sulfate로 건조시킨 후, 농축하여 컬럼 크로마토그래피를 이용해 (MC, MC:5 vol%Methanol) 중간체 화합물 2-F (수율 87%)를 합성하였다.
중간체 화합물 2-G의 합성
중간체 화합물 2-F (1.0 eq)와 Ammonium hexafluorophosphate (3.0 eq)을 Methanol (0.5 M)에 용해시킨 후 증류수를 넣고 실온에서 3~12시간 교반하였다. 증류수로 세척하며 필터하여 고체를 수득한 후 dichloromethane과 물을 이용하여 3회 추출하여 유기층을 수득하였다. 상기 수득한 유기층을 magnesium sulfate로 건조시킨 후 농축하여 중간체 화합물 2-G (수율 93%)를 합성하였다.
화합물 2의 합성
중간체 화합물 2-G (1.0 eq), Dichloro(1,5-cyclooctadiene)platinum(II) (1.1 eq) 및 Sodium acetate (3.0 eq)를 Anhydrous 1,4-dioxane에 용해시킨 후 질소 조건하 120 ℃에서 4일간 교반하였다. 상온에서 식힌 후 dichloromethane과 물을 이용하여 3회 추출하여 유기층을 수득하였다. 상기 수득한 유기층을 magnesium sulfate로 건조시킨 후 농축하여 컬럼 크로마토그래피를 이용해 (MC:50 vol% Hexane) 화합물 2 (수율 18%)를 합성하였다.
합성예 3: 화합물 4의 합성
Figure pat00083
중간체 화합물 4-D의 합성
중간체 화합물 1-C (1.0 eq), Bromobenzene-d5 (2.0 eq), Pd2(dba)3 (5 mol%), Sphos (7 mol%) 및 Sodium tert-butoxide (2.0 eq)을 Toluene (0.1 M)에 용해시킨 후, 110℃에서 12시간 교반하였다. 반응 혼합물을 상온으로 식힌 후, dichloromethane과 물을 이용하여 3회 추출하여 유기층을 수득하였다. 상기 수득한 유기층을 magnesium sulfate로 건조시킨 후, 농축하여 컬럼 크로마토그래피를 이용해 중간체 화합물 4-D (수율 77 %)를 합성하였다.
중간체 화합물 4-E의 합성
중간체 화합물 4-D (1.2 eq), 2-(3-bromo-5-(tert-butyl)phenoxy)-9-(4-(tert-butyl)pyridin-2-yl)-9H-carbazole (1.0 eq), Pd2(dba)3 (5 mol%), Sphos (7 mol%) 및 Sodium tert-butoxide (2.0 eq)을 Toluene (0.1M)에 용해시킨 후, 110℃에서 3시간 교반하였다. 반응 혼합물을 상온으로 식힌 후, dichloromethane과 물을 이용하여 3회 추출하여 유기층을 수득하였다. 상기 수득한 유기층을 magnesium sulfate로 건조시킨 후, 농축하여 컬럼 크로마토그래피를 이용해 (Ethyl acetate:Hexane = 1:9) 중간체 화합물 4-E (수율 70 %)를 합성하였다.
중간체 화합물 4-F의 합성
중간체 화합물 4-E (1.0 eq)와 Ammonium hexafluorophosphate (3.0 eq)을 Methanol (0.5 M)에 용해시킨 후 증류수를 넣고 실온에서 3~12시간 교반하였다. 증류수로 세척하며 필터하여 고체를 수득한 후 dichloromethane과 물을 이용하여 3회 추출하여 유기층을 수득하였다. 상기 수득한 유기층을 magnesium sulfate로 건조시킨 후 농축하여 중간체 화합물 4-F (수율 93%)를 합성하였다.
화합물 4의 합성
중간체 화합물 4-F (1.0 eq), Dichloro(1,5-cyclooctadiene)platinum(II) (1.1 eq) 및 Sodium acetate (3.0 eq)를 Anhydrous 1,4-dioxane에 용해시킨 후 질소 조건하 120 ℃에서 4일간 교반하였다. 상온에서 식힌 후 dichloromethane과 물을 이용하여 3회 추출하여 유기층을 수득하였다. 상기 수득한 유기층을 magnesium sulfate로 건조시킨 후 농축하여 컬럼 크로마토그래피를 이용해 (MC:50 vol% Hexane) 화합물 1 (수율 19%)를 합성하였다.
합성예 4: 화합물 5의 합성
Figure pat00084
중간체 화합물 5-E의 합성
중간체 화합물 4-D (1.2 eq), 2-(3-bromophenoxy)-9-(4-(tert-butyl)pyridin-2-yl)-9H-carbazole (1.0 eq), Pd2(dba)3 (5 mol%), Sphos (7 mol%) 및 Sodium tert-butoxide (2.0 eq)을 Toluene (0.1M)에 용해시킨 후, 110℃에서 3시간 교반하였다. 반응 혼합물을 상온으로 식힌 후, dichloromethane과 물을 이용하여 3회 추출하여 유기층을 수득하였다. 상기 수득한 유기층을 magnesium sulfate로 건조시킨 후, 농축하여 컬럼 크로마토그래피를 이용해 (Ethyl acetate:Hexane = 1:9) 중간체 화합물 5-E (수율 68%)를 합성하였다.
중간체 화합물 5-F의 합성
중간체 화합물 5-E (1.0 eq)와 Ammonium hexafluorophosphate (3.0 eq)을 Methanol (0.5 M)에 용해시킨 후 증류수를 넣고 실온에서 3~12시간 교반하였다. 증류수로 세척하며 필터하여 고체를 수득한 후 dichloromethane과 물을 이용하여 3회 추출하여 유기층을 수득하였다. 상기 수득한 유기층을 magnesium sulfate로 건조시킨 후 농축하여 중간체 화합물 5-F (수율 93%)를 합성하였다.
화합물 5의 합성
중간체 화합물 5-F (1.0 eq), Dichloro(1,5-cyclooctadiene)platinum(II) (1.1 eq) 및 Sodium acetate (3.0 eq)를 Anhydrous 1,4-dioxane에 용해시킨 후 질소 조건하 120 ℃에서 4일간 교반하였다. 상온에서 식힌 후 dichloromethane과 물을 이용하여 3회 추출하여 유기층을 수득하였다. 상기 수득한 유기층을 magnesium sulfate로 건조시킨 후 농축하여 컬럼 크로마토그래피를 이용해 (MC:50 vol% Hexane) 화합물 5 (수율 17%)를 합성하였다.
합성예 5: 화합물 7의 합성
Figure pat00085
중간체 화합물 7-A의 합성
1-C (1.0 eq), 2,6-diphenyl-d10-amine (2.0 eq), Pd2(dba)3 (5 mol%), Sphos (7 mol%) 및 Sodium tert-butoxide (2.0 eq)을 Toluene (0.1 M)에 용해시킨 후, 110℃에서 12시간 교반하였다. 반응 혼합물을 상온으로 식힌 후, dichloromethane과 물을 이용하여 3회 추출하여 유기층을 수득하였다. 상기 수득한 유기층을 magnesium sulfate로 건조시킨 후, 농축하여 컬럼 크로마토그래피를 이용해 중간체 화합물 7-A (수율 74 %)를 합성하였다.
중간체 화합물 7-B의 합성
중간체 화합물 7-A (1.2 eq), 2-(3-bromophenoxy)-9-(4-(tert-butyl)pyridin-2-yl)-9H-carbazole (1.0 eq), Pd2(dba)3 (5 mol%), Sphos (7 mol%) 및 Sodium tert-butoxide (2.0 eq)을 Toluene (0.1M)에 용해시킨 후, 110℃에서 3시간 교반하였다. 반응 혼합물을 상온으로 식힌 후, dichloromethane과 물을 이용하여 3회 추출하여 유기층을 수득하였다. 상기 수득한 유기층을 magnesium sulfate로 건조시킨 후, 농축하여 컬럼 크로마토그래피를 이용해 (Ethyl acetate:Hexane = 1:9) 중간체 화합물 7-B (수율 72%)를 합성하였다.
중간체 화합물 7-C의 합성
중간체 화합물 7-C (1.0 eq)와 Ammonium hexafluorophosphate (3.0 eq)을 Methanol (0.5 M)에 용해시킨 후 증류수를 넣고 실온에서 3~12시간 교반하였다. 증류수로 세척하며 필터하여 고체를 수득한 후 dichloromethane과 물을 이용하여 3회 추출하여 유기층을 수득하였다. 상기 수득한 유기층을 magnesium sulfate로 건조시킨 후 농축하여 중간체 화합물 7-C (수율 93%)를 합성하였다.
화합물 7의 합성
중간체 화합물 7-C (1.0 eq), Dichloro(1,5-cyclooctadiene)platinum(II) (1.1 eq) 및 Sodium acetate (3.0 eq)를 Anhydrous 1,4-dioxane에 용해시킨 후 질소 조건하 120 ℃에서 4일간 교반하였다. 상온에서 식힌 후 dichloromethane과 물을 이용하여 3회 추출하여 유기층을 수득하였다. 상기 수득한 유기층을 magnesium sulfate로 건조시킨 후 농축하여 컬럼 크로마토그래피를 이용해 (MC:50 vol% Hexane) 화합물 7 (수율 17%)를 합성하였다.
합성예 6: 화합물 8의 합성
Figure pat00086
중간체 화합물 8-A의 합성
중간체 화합물 7-A (1.2 eq), 2-(3-bromo-5-(tert-butyl)phenoxy)-9-(4-(tert-butyl)pyridin-2-yl)-9H-carbazole (1.0 eq), Pd2(dba)3 (5 mol%), Sphos (7 mol%) 및 Sodium tert-butoxide (2.0 eq)을 Toluene (0.1M)에 용해시킨 후, 110℃에서 3시간 교반하였다. 반응 혼합물을 상온으로 식힌 후, dichloromethane과 물을 이용하여 3회 추출하여 유기층을 수득하였다. 상기 수득한 유기층을 magnesium sulfate로 건조시킨 후, 농축하여 컬럼 크로마토그래피를 이용해 (Ethyl acetate:Hexane = 1:9) 중간체 화합물 8-A (수율 70%)를 합성하였다.
중간체 화합물 8-B의 합성
중간체 화합물 7-B (1.0 eq)와 Ammonium hexafluorophosphate (3.0 eq)을 Methanol (0.5 M)에 용해시킨 후 증류수를 넣고 실온에서 3~12시간 교반하였다. 증류수로 세척하며 필터하여 고체를 수득한 후 dichloromethane과 물을 이용하여 3회 추출하여 유기층을 수득하였다. 상기 수득한 유기층을 magnesium sulfate로 건조시킨 후 농축하여 중간체 화합물 8-B (수율 93%)를 합성하였다.
화합물 8의 합성
중간체 화합물 8-B (1.0 eq), Dichloro(1,5-cyclooctadiene)platinum(II) (1.1 eq) 및 Sodium acetate (3.0 eq)를 Anhydrous 1,4-dioxane에 용해시킨 후 질소 조건하 120 ℃에서 4일간 교반하였다. 상온에서 식힌 후 dichloromethane과 물을 이용하여 3회 추출하여 유기층을 수득하였다. 상기 수득한 유기층을 magnesium sulfate로 건조시킨 후 농축하여 컬럼 크로마토그래피를 이용해 (MC 30 vol%:Hexane) 화합물 8 (수율 18%)를 합성하였다.
합성예 7: 화합물 12의 합성
Figure pat00087
중간체 화합물 12-A의 합성
1,3-diacetylimidazolin-2-one (1.0 equiv.)와 cyclopentadiene (1.0 mol, 10 equiv.)을 m-Xylene에 용해시켜 150 ℃에서 72 시간 교반하였다. 반응 혼합물은 감압한 후 n-Hexane을 넣어 침전물을 여과하였다. 여과한 침전물은 MeOH (250 ml)과 2M HCl (250 ml)에 용해시켜 상온에서 30분 교반한 후 감압하였다. 반응 혼합물을 물과 Dichloromethane으로 추출하여 유기층을 수득하였다. 상기 수득한 유기층을 magnesium sulfate로 건조시킨 후, 농축하여 중간체 화합물을 합성하였다. 상기 화합물을 MeOH와 Dicholoromethane에 용해시킨 후 상온에서 교반하였다. 0 ℃에서 NaH (60% in mineral oil, 1.0 equiv.)를 첨가한 후 상온에서 4시간 교반하였다. 0 ℃에서 NH4Cl 용액으로 quenching 한 후 물과 Dichloromethane으로 추출하였다. 상기 수득한 유기층을 magnesium sulfate로 건조시킨 후, 농축하여 n-hexane으로 재결정하여 중간체 화합물 12-A (수율 91%)를 합성하였다.
중간체 화합물 12-B의 합성
12-A (1.0 eq), Iodomethane-d3 (3.0 eq), Pd2(dba)3 (5 mol%), Sphos (7 mol%) 및 Sodium tert-butoxide (2.0 eq)을 Toluene (0.1 M)에 용해시킨 후, 110℃에서 12시간 교반하였다. 반응 혼합물을 상온으로 식힌 후, dichloromethane과 물을 이용하여 3회 추출하여 유기층을 수득하였다. 상기 수득한 유기층을 magnesium sulfate로 건조시킨 후, 농축하여 컬럼 크로마토그래피를 이용해 중간체 화합물 12-B (수율 80 %)를 합성하였다.
중간체 화합물 12-C의 합성
중간체 화합물 12-B (1.2 eq), 2-(3-bromo-5-(tert-butyl)phenoxy)-9-(4-(tert-butyl)pyridin-2-yl)-9H-carbazole (1.0 eq), Pd2(dba)3 (5 mol%), Sphos (7 mol%) 및 Sodium tert-butoxide (2.0 eq)을 Toluene (0.1M)에 용해시킨 후, 110℃에서 3시간 교반하였다. 반응 혼합물을 상온으로 식힌 후, dichloromethane과 물을 이용하여 3회 추출하여 유기층을 수득하였다. 상기 수득한 유기층을 magnesium sulfate로 건조시킨 후, 농축하여 컬럼 크로마토그래피를 이용해 (Ethyl acetate:Hexane = 1:9) 중간체 화합물 12-C (수율 78 %)를 합성하였다.
중간체 화합물 12-D의 합성
중간체 화합물 12-C (3.5 mmol)를 THF에 용해한 후 상온에서 교반하였다. 0 ℃에서 LiAlH4 (7.0 mmo)을 첨가한 후 50 ℃에서 2시간 교반하였다. 0 ℃에서 반응 혼합물에 THF, NaOH 용액 및 H2O를 첨가한 후 상온에서 30분 교반하였다. 반응 혼합물은 THF와 EtOAc를 이용하여 Celite/Silica gel 여과하여 감압하였다. 반응 혼합물 (1.0 eq)를 Triehtyl orthoformate (30 eq)에 80 ℃에 용해시킨 후 37% HCl (1.5 eq)를 첨가하여 80 ℃에서 12 시간 교반하였다. 상온에서 식힌 후 Triethyl orhoformate를 농축하고 dichloromethane과 물을 이용하여 3회 추출하여 유기층을 수득하였다. 상기 수득한 유기층을 magnesium sulfate로 건조시킨 후, 농축하여 컬럼 크로마토그래피를 이용해 (MC, MC:5 vol%Methanol) 중간체 화합물 12-D (수율 87%)를 합성하였다.
중간체 화합물 12-E의 합성
중간체 화합물 12-D (1.0 eq)와 Ammonium hexafluorophosphate (3.0 eq)을 Methanol (0.5 M)에 용해시킨 후 증류수를 넣고 실온에서 3~12시간 교반하였다. 증류수로 세척하며 필터하여 고체를 수득한 후 dichloromethane과 물을 이용하여 3회 추출하여 유기층을 수득하였다. 상기 수득한 유기층을 magnesium sulfate로 건조시킨 후 농축하여 중간체 화합물 12-E (수율 96 %)를 합성하였다.
화합물 12의 합성
중간체 화합물 12-E (1.0 eq), Dichloro(1,5-cyclooctadiene)platinum(II) (1.1 eq) 및 Sodium acetate (3.0 eq)를 Anhydrous 1,4-dioxane에 용해시킨 후 질소 조건하 120 ℃에서 4일간 교반하였다. 상온에서 식힌 후 dichloromethane과 물을 이용하여 3회 추출하여 유기층을 수득하였다. 상기 수득한 유기층을 magnesium sulfate로 건조시킨 후 농축하여 컬럼 크로마토그래피를 이용해 (MC:50 vol% Hexane) 화합물 12 (수율 21%)를 합성하였다.
합성예 8: 화합물 23의 합성
Figure pat00088
중간체 화합물 23-A의 합성
1,3-diacetylimidazolin-2-one (1.0 equiv.)와 5,5-dimethylcyclopenta-1,3-diene (1.0 mol, 10 equiv.)을 m-Xylene에 용해시켜 150 ℃에서 72 시간 교반하였다. 반응 혼합물은 감압한 후 n-Hexane을 넣어 침전물을 여과하였다. 여과한 침전물은 MeOH (250 ml)과 2M HCl (250 ml)에 용해시켜 상온에서 30분 교반한 후 감압하였다. 반응 혼합물을 물과 Dichloromethane으로 추출하여 유기층을 수득하였다. 상기 수득한 유기층을 magnesium sulfate로 건조시킨 후, 농축하여 중간체 화합물 23-A (수율 56%)를 합성하였다.
중간체 화합물 23-B의 합성
중간체 화합물 23-A (15 mmol)을 Ar 조건 하에서 EtOAC (10 ml)에 용해시킨 용액에 10% Pd/C (70 mg)의 20 ml EtOAc 용액을 첨가하였다. Hydrogen 기체를 채워준 후 상온에서 1시간 교반하였다. 반응 혼합물은 EtOAc로 세척하며 Celite를 이용하여 여과하였다. 여과액은 농축하여 중간체 화합물 23-B (수율 99%)를 합성하였다.
중간체 화합물 23-C의 합성
중간체 화합물 23-B (2.0 equiv.)를 MeOH와 Dicholoromethane에 용해시킨 후 상온에서 교반하였다. 0 ℃에서 NaH (60% in mineral oil, 1.0 equiv.)를 첨가한 후 상온에서 4시간 교반하였다. 0 ℃에서 NH4Cl 용액으로 quenching 한 후 물과 Dichloromethane으로 추출하였다. 상기 수득한 유기층을 magnesium sulfate로 건조시킨 후, 농축하여 n-hexane으로 재결정하여 중간체 화합물 23-C (수율 94%)를 합성하였다.
중간체 화합물 23-D의 합성
23-C (1.0 eq), Iodomethane-d3 (3.0 eq), Pd2(dba)3 (2 mol%), Sphos (1 mol%) 및 Sodium tert-butoxide (2.0 eq)을 Toluene (0.1 M)에 용해시킨 후, 110℃에서 12시간 교반하였다. 반응 혼합물을 상온으로 식힌 후, dichloromethane과 물을 이용하여 3회 추출하여 유기층을 수득하였다. 상기 수득한 유기층을 magnesium sulfate로 건조시킨 후, 농축하여 컬럼 크로마토그래피를 이용해 중간체 화합물 23-D (수율 78%)를 합성하였다.
중간체 화합물 23-E의 합성
중간체 화합물 23-D (1.2 eq), 2-(3-bromo-5-(tert-butyl)phenoxy)-9-(4-(tert-butyl)pyridin-2-yl)-9H-carbazole (1.0 eq), Pd2(dba)3 (5 mol%), Sphos (7 mol%) 및 Sodium tert-butoxide (2.0 eq)을 Toluene (0.1M)에 용해시킨 후, 110℃에서 3시간 교반하였다. 반응 혼합물을 상온으로 식힌 후, dichloromethane과 물을 이용하여 3회 추출하여 유기층을 수득하였다. 상기 수득한 유기층을 magnesium sulfate로 건조시킨 후, 농축하여 컬럼 크로마토그래피를 이용해 (Ethyl acetate:Hexane = 1:9) 중간체 화합물 23-E (수율 68%)를 합성하였다.
중간체 화합물 23-F의 합성
중간체 화합물 23-E (7.0 mmol)를 THF에 용해한 후 상온에서 교반하였다. 0 ℃에서 LiAlH4 (14 mmo)을 첨가한 후 50 ℃에서 2시간 교반하였다. 0 ℃에서 반응 혼합물에 THF, NaOH 용액 및 H2O를 첨가한 후 상온에서 30분 교반하였다. 반응 혼합물은 THF와 EtOAc를 이용하여 Celite/Silica gel 여과하여 감압하였다. 반응 혼합물 (1.0 eq)를 Triehtyl orthoformate (30 eq)에 80 ℃에 용해시킨 후 37% HCl (1.5 eq)를 첨가하여 80 ℃에서 12 시간 교반하였다. 상온에서 식힌 후 Triethyl orhoformate를 농축하고 dichloromethane과 물을 이용하여 3회 추출하여 유기층을 수득하였다. 상기 수득한 유기층을 magnesium sulfate로 건조시킨 후, 농축하여 컬럼 크로마토그래피를 이용해 (MC, MC:5 vol%Methanol) 중간체 화합물 23-F (수율 85%)를 합성하였다.
중간체 화합물 23-G의 합성
중간체 화합물 23-F (1.0 eq)와 Ammonium hexafluorophosphate (3.0 eq)을 Methanol (0.5 M)에 용해시킨 후 증류수를 넣고 실온에서 3~12시간 교반하였다. 증류수로 세척하며 필터하여 고체를 수득한 후 dichloromethane과 물을 이용하여 3회 추출하여 유기층을 수득하였다. 상기 수득한 유기층을 magnesium sulfate로 건조시킨 후 농축하여 중간체 화합물 23-G (수율 97%)를 합성하였다.
화합물 23의 합성
중간체 화합물 23-G (1.0 eq), Dichloro(1,5-cyclooctadiene)platinum(II) (1.1 eq) 및 Sodium acetate (3.0 eq)를 Anhydrous 1,4-dioxane에 용해시킨 후 질소 조건하 120 ℃에서 4일간 교반하였다. 상온에서 식힌 후 dichloromethane과 물을 이용하여 3회 추출하여 유기층을 수득하였다. 상기 수득한 유기층을 magnesium sulfate로 건조시킨 후 농축하여 컬럼 크로마토그래피를 이용해 (MC:50 vol% Hexane) 화합물 23(수율 22%)를 합성하였다.
합성예 9: 화합물 35의 합성
Figure pat00089
중간체 화합물 35-A의 합성
1,4-dihydro-1,4-methanonapthalene (1.00 g)을 tert-Butanol (7.8 ml) 및 H2O (2.3 ml)에 용해시켰다. N-methylmorpholine N-oxide 용액(4.8 M in H2O, 6.4 mL, 30.7 mmol)를 첨가하고 약 5분 후 OsO4 용액 (0.02 mL, 2 wt% in water)를 첨가한 후, 60 ℃에서 20시간 교반하였다. 반응 혼합물을 식힌 후 감압하여 용매를 제거하고 물과 Ethyl acetate로 추출하여 유기층을 수득하였다. Acetone으로 washing한 후 여과하여 중간체 화합물 35-A (수율 86%)를 합성하였다.
중간체 화합물 35-B의 합성
Trifluoroacetic anhydride (0.62 mL, 4.50 mmol)를 DMSO에 천천히 첨가한 후 용액을 -78 ℃에서 10분 간 교반하였다. 35-A (264 mg, 1.50 mmol)를 THF (5 ml)에 용해시킨 용액을 첨가한 후 -78 ℃에서 2시간 교반하였다. Et3N (1.11 mL)을 첨가한 후 -78 ℃에서 3시간 교반하고 Ice bath로 옮겨 0 ℃에서 교반하였다. NH4Cl 용액 (10 ml)로 quenching 한 후 물과 Et2O로 추출하여 유기층을 수득하였다. 상기 수득한 유기층을 magnesium sulfate로 건조시킨 후, 농축하여 컬럼 크로마토그래피를 이용해 (30% EtOAc) 중간체 화합물 35-B (수율 96%)를 합성하였다.
중간체 화합물 35-C의 합성
중간체 화합물 35-B (400 mg, 1.98 mmol)를 10 ml MeOH에 용해시킨 후 NaOAc (389 mg, 4.75 mmol)와 NH2OH·HCl (550 mg, 7.92 mmol)를 첨가한 후 상온에서 4시간 교반하였다. 반응 혼합물을 물과 EtOAc로 추출하여 유기층을 수득하였다. 상기 수득한 유기층을 magnesium sulfate로 건조시킨 후, 농축하여 Hexane:EtOAc = 1:1 로 재결정하여 중간체 화합물 35-C (수율 89%)를 합성하였다.
중간체 화합물 35-D의 합성
중간체 화합물 35-C (1.75 mmol)를 MeOH에 용해시킨 후 NiCl2 (3.50 mmol)을 첨가하고 상온에서 10분 간 교반하였다. 0 ℃에서 NaBH4 (17.5 mmol)을 첨가한 후 상온에서 4시간 교반하였다. 반응혼합물을 감압증류 한 후 Dichloromethane에 용해시켜 Celite pad를 이용하여 여과하였다. 2 M HCl과 Dichloromethane으로 추출한 후 감압하여 35-D (82%)를 합성하였다.
중간체 화합물 35-E의 합성
중간체 화합물 35-D (1.0 eq), Iodomethane-d3 (3.0 eq), Pd2(dba)3 (5 mol%), Sphos (7 mol%) 및 Sodium tert-butoxide (2.0 eq)을 Toluene (0.1 M)에 용해시킨 후, 110℃에서 12시간 교반하였다. 반응 혼합물을 상온으로 식힌 후, dichloromethane과 물을 이용하여 3회 추출하여 유기층을 수득하였다. 상기 수득한 유기층을 magnesium sulfate로 건조시킨 후, 농축하여 컬럼 크로마토그래피를 이용해 중간체 화합물 35-E (수율 75 %)를 합성하였다.
중간체 화합물 35-F의 합성
중간체 화합물 35-E (1.2 eq), 2-(3-bromo-5-(tert-butyl)phenoxy)-9-(4-(tert-butyl)pyridin-2-yl)-9H-carbazole (1.0 eq), Pd2(dba)3 (5 mol%), Sphos (7 mol%) 및 Sodium tert-butoxide (2.0 eq)을 Toluene (0.1M)에 용해시킨 후, 110℃에서 3시간 교반하였다. 반응 혼합물을 상온으로 식힌 후, dichloromethane과 물을 이용하여 3회 추출하여 유기층을 수득하였다. 상기 수득한 유기층을 magnesium sulfate로 건조시킨 후, 농축하여 컬럼 크로마토그래피를 이용해 (Ethyl acetate:Hexane = 1:9) 중간체 화합물 35-F (수율 77 %)를 합성하였다.
중간체 화합물 35-G의 합성
중간체 화합물 35-G (1.0 eq)를 Triehtyl orthoformate (30 eq)에 80 ℃에 용해시킨 후 37% HCl (1.5 eq)를 첨가하여 80 ℃에서 12 시간 교반하였다. 상온에서 식힌 후 Triethyl orhoformate를 농축하고 dichloromethane과 물을 이용하여 3회 추출하여 유기층을 수득하였다. 상기 수득한 유기층을 magnesium sulfate로 건조시킨 후, 농축하여 컬럼 크로마토그래피를 이용해 (MC, MC:5 vol%Methanol) 중간체 화합물 35-G (수율 37%)를 합성하였다.
중간체 화합물 35-H의 합성
중간체 화합물 35-G (1.0 eq)와 Ammonium hexafluorophosphate (3.0 eq)을 Methanol (0.5 M)에 용해시킨 후 증류수를 넣고 실온에서 3~12시간 교반하였다. 증류수로 세척하며 필터하여 고체를 수득한 후 dichloromethane과 물을 이용하여 3회 추출하여 유기층을 수득하였다. 상기 수득한 유기층을 magnesium sulfate로 건조시킨 후 농축하여 중간체 화합물 35-H (수율 94 %)를 합성하였다.
화합물 35의 합성
중간체 화합물 35-H (1.0 eq), Dichloro(1,5-cyclooctadiene)platinum(II) (1.1 eq) 및 Sodium acetate (3.0 eq)를 Anhydrous 1,4-dioxane에 용해시킨 후 질소 조건하 120 ℃에서 4일간 교반하였다. 상온에서 식힌 후 dichloromethane과 물을 이용하여 3회 추출하여 유기층을 수득하였다. 상기 수득한 유기층을 magnesium sulfate로 건조시킨 후 농축하여 컬럼 크로마토그래피를 이용해 (MC:50 vol% Hexane) 화합물 35 (수율 23 %)를 합성하였다.
평가예 1
상기 합성예 1 내지 9 및 하기 비교예 1에 사용된 화합물들의 3MLCT(%), 시뮬레이션 최대 발광 파장(λmax sim), 실제 최대 발광 파장(λmax exp), 3MC 에너지를 양자 시뮬레이션을 이용하여 측정하여, 그 결과를 표 1에 나타내었다.
구체적으로, 상기 화합물 5, 7 및 비교 화합물로서 하기 화합물 A의 특성들을 평가하였으며, 3MC state의 에너지 레벨 값을 B3LYP functional을 사용하여 평가하였다. 3MLCT(%) 값은 Gaussian 프로그램의 DFT(density functional theory) 계산 방법으로 B3LYP, 6-31G(d,p) 수준에서 구조 최적화로 측정하였다.
화합물 3MLCT(%) λmax sim (nm) λmax exp (nm) 3MC (kcal/mol)
실시예 1 1 11.7 461.25 454 0.81
실시예 2 2 11.3 464.38 455 0.81
실시예 3 4 8.6 483.66 466 0.61
실시예 4 5 8.6 480.30 461 0.75
실시예 5 7 9.39 469.09 463 0.41
실시예 6 8 9.63 461.60 460 0.41
실시예 7 12 10.03 469.45 462 0.82
실시예 8 23 9.63 461.60 459 0.65
실시예 9 35 9.82 473.65 470 0.81
비교예 1 A 8.8 469.53 460 0.21
Figure pat00090
상기 표 1로부터, 상기 화합물 1, 2, 4, 5, 7, 8, 12, 23, 35의 3MC 값은 화합물 A의 3MC 값에 비해 현저히 높게 나타났다. 따라서, 상기 화합물 1, 2, 4, 5, 7, 8, 12, 23, 35는 3MLCT 상태에서 비발광 상태인 3MC 상태로의 전이 확률이 감소하여 들뜸 상태에서의 안정성이 우수하고, 상기 유기금속 화합물을 포함한 유기 발광 소자의 효율 및 수명이 증가될 수 있다.
[실시예]
실시예 1
기판 및 애노드로서 코닝(corning)사의 15Ω/cm2 (1200Å) ITO가 형성된 유리 기판을 50mm x 50mm x 0.7mm 크기로 잘라서 이소프로필 알코올과 순수를 이용하여 각 5분 동안 초음파 세정한 후, 30분 동안 자외선을 조사하고 오존에 노출시켜 세정하고 진공증착장치에 상기 유리 기판을 설치하였다.
상기 유기 기판에 형성된 ITO 애노드 상부에 2-TNATA를 진공 증착하여 600Å 두께의 정공 주입층을 형성하고, 상기 정공 주입층 상부에 NPB를 진공 증착하여 300Å 두께의 정공 수송층을 형성하였다.
상기 정공 수송층 상부에 코-호스트인 BCPDS(bis(4-(9H-carbazol-9-yl)phenyl)diphenylsilane) 및 POPCPA((4-(1-(4-(diphenylamino)phenyl)cyclohexyl)phenyl)diphenyl-phosphine oxide) (BCPDS와 POPCPA의 중량비는 1:1)와 도펀트인 화합물 1을 코-호스트와 도펀트의 중량비가 90 : 10이 되도록 공증착하여 300Å 두께의 발광층을 형성하였다.
상기 발광층 상부에 TSPO1(diphenyl(4-(triphenylsilyl)phenyl)-phosphine oxide)을 증착하여 50Å 두께의 정공 저지층을 형성하고, 상기 정공 저지층 상부에 Alq3를 증착하여 300Å 두께의 전자 수송층을 형성한 다음, 상기 전자 수송층 상부에 LiF를 증착하여 10Å 두께의 전자 주입층을 형성한 후, 상기 전자 주입층 상부에 Al를 진공 증착하여 3000Å 두께의 캐소드를 형성하여, 유기 발광 소자를 제작하였다.
Figure pat00091
실시예 2 내지 12 및 비교예 1
발광층 형성시 도펀트로서 화합물 1 대신 표 1에 기재된 화합물을 각각 사용하였다는 점을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일한 방법을 이용하여 유기 발광 소자를 제작하였다.
평가예 2
상기 실시예 1 내지 12 및 비교예 1에서 제작된 유기 발광 소자의 구동전압, 전류밀도, 휘도, 발광 효율, 발광색 및 최대 발광 파장을 Keithley SMU 236 및 휘도계 PR650을 이용하여 측정하여, 그 결과를 표 2에 나타내었다.
발광층
중 도펀트		 구동전압
(V)		 전류밀도
(㎃/㎠)		 휘도
(cd/㎡)		 효율
(cd/A)		 발광색 발광 파장 (nm)
실시예 1 1 5.31 50 4260 8.40 청색 454
실시예 2 2 5.31 49 3950 7.92 청색 455
실시예 3 4 5.20 50 3990 7.93 청색 466
실시예 4 5 5.35 50 4110 8.22 청색 461
실시예 5 7 5.30 52 4137 8.28 청색 463
실시예 6 8 5.28 48 4220 8.40 청색 460
실시예 7 12 5.35 50 4160 8.29 청색 462
실시예 8 23 5.37 49 3950 7.92 청색 459
실시예 9 35 5.31 50 4100 8.21 청색 470
비교예 1 A 5.32 50 3810 7.51 청색 460
Figure pat00092
상기 표 1을 참조하여, 실시예 1 내지 9의 유기 발광 소자는 비교예 1의 유기 발광 소자에 비하여 휘도 및 발광 효율이 높은 것을 확인하였다.
10: 유기 발광 소자
110: 제1전극
150: 유기층
190: 제2전극
210: 제1캡핑층
220: 제2캡핑층

Claims (20)

  1. 제1전극; 제2전극; 상기 제1전극 및 상기 제2전극 사이에 개재된 발광층을 포함한 유기층을 포함하고;
    하기 화학식 1로 표시된 유기금속 화합물을 1종 이상 포함한, 유기 발광 소자:
    <화학식 1>
    Figure pat00093

    상기 화학식 1 중,
    M1은 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 구리(Cu), 은(Ag), 금(Au), 로듐(Rh), 이리듐(Ir), 루테늄(Ru), 오스뮴(Os), 티탄(Ti), 지르코늄(Zr), 하프늄(Hf), 유로퓸(Eu), 테르븀(Tb) 및 툴륨(Tm) 중에서 선택되고;
    Y1 내지 Y3는 서로 독립적으로, N 또는 C이고;
    T1 내지 T4는 서로 독립적으로, 화학 결합, O, S, B(R'), N(R'), P(R'), C(R')(R"), Si(R')(R"), Ge(R')(R"), C(=O), B(R')(R"), N(R')(R") 또는 P(R')(R")이고, T1이 화학 결합일 경우, Y1과 M1은 직접(directly) 결합하고, T2가 화학 결합일 경우, Y2와 M1은 직접 결합하고, T3이 화학 결합일 경우, Y3과 M1은 직접 결합하고, T4가 화학 결합일 경우, 고리 A4와 M1은 직접 결합하고,
    Y1 또는 T1과 M1 사이의 결합, Y2 또는 T2와 M1 사이의 결합, Y3 또는 T3과 M1 사이의 결합 및 C 또는 T4와 M1 사이의 결합 중 2개의 결합은 배위 결합이고, 나머지 2개의 결합은 공유 결합이고,
    A1 내지 A3는 서로 독립적으로, C5-C60카보시클릭 그룹 및 C1-C60헤테로시클릭 그룹 중에서 선택되고,
    L1 내지 L4는 서로 독립적으로, 단일 결합, 이중 결합, *-N(R5)-*', *-B(R5)-*', *-P(R5)-*', *-C(R5)(R6)-*', *-Si(R5)(R6)-*', *-Ge(R5)(R6)-*', *-S-*', *-Se-*', *-O-*', *-C(=O)-*', *-S(=O)-*', *-S(=O)2-*', *-C(R5)=*', *=C(R5)-*', *-C(R5)=C(R6)-*', *-C(=S)-*' 및 *-C≡C-*' 중에서 선택되고,
    a1 내지 a4는 서로 독립적으로, 0 내지 3의 정수 중에서 선택되고, a1이 0일 경우, A1과 A2는 서로 연결되어 있지 않고, a2가 0일 경우, A2와 A3는 서로 연결되어 있지 않고, a3이 0일 경우, A3과 A4는 서로 연결되어 있지 않고, a4가 0일 경우, A4와 A1은 서로 연결되어 있지 않고,
    L11 및 L12는 서로 독립적으로, *-C(R11)(R12)-*', *-C(R11)=*', *=C(R11)-*' 및 *-C(R11)=C(R12)-*' 중에서 선택되고,
    a11 및 a12는 서로 독립적으로, 1 내지 3의 정수 중에서 선택되고,
    R', R", R1 내지 R6 및 R11 내지 R12는 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, 치환 또는 비치환된 C1-C60알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C60알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C60알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1-C60알콕시기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴티오기, 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로아릴티오기, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, -Si(Q1)(Q2)(Q3), -B(Q1)(Q2), -N(Q1)(Q2), -P(Q1)(Q2), -C(=O)(Q1), -S(=O)(Q1), -S(=O)2(Q1), -P(=O)(Q1)(Q2) -P(=S)(Q1)(Q2), =O, =S, =N(Q1), 및 =C(Q1)(Q2) 중에서 선택되고,
    b1 내지 b3는 서로 독립적으로, 0 내지 20의 정수 중에서 선택되고,
    b4는 0 내지 6의 정수 중에서 선택되고,
    R', R", b1개의 R1, b2개의 R2, b3개의 R3, b4개의 R4, R5, R6, R11 및 R12 중 이웃한 그룹은 각각 선택적으로(optionally) 서로 결합하여, 치환 또는 비치환된 C5-C60카보시클릭 그룹 또는 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로시클릭 그룹을 형성할 수 있고,
    * 및 *'은 이웃한 원자와의 결합 사이트이고,
    상기 치환된 C5-C60카보시클릭 그룹, 치환된 C1-C60헤테로시클릭 그룹, 치환된 C1-C60알킬기, 치환된 C2-C60알케닐기, 치환된 C2-C60알키닐기, 치환된 C1-C60알콕시기, 치환된 C3-C10시클로알킬기, 치환된 C1-C10헤테로시클로알킬기, 치환된 C3-C10시클로알케닐기, 치환된 C1-C10헤테로시클로알케닐기, 치환된 C6-C60아릴기, 치환된 C6-C60아릴옥시기, 치환된 C6-C60아릴티오기, 치환된 C1-C60헤테로아릴기, 치환된 C1-C60헤테로아릴옥시기, 치환된 C1-C60헤테로아릴티오기, 치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹의 치환기 중에서 선택된 적어도 하나의 치환기는,
    중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기 및 C1-C60알콕시기;
    중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C3-C10시클로알킬기, C1-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C1-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C1-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, -Si(Q11)(Q12)(Q13), -N(Q11)(Q12), -B(Q11)(Q12), -C(=O)(Q11), -S(=O)2(Q11) 및 -P(=O)(Q11)(Q12) 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기 및 C1-C60알콕시기;
    C3-C10시클로알킬기, C1-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C1-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C1-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹;
    중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기, C1-C60알콕시기, C3-C10시클로알킬기, C1-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C1-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C1-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, -Si(Q21)(Q22)(Q23), -N(Q21)(Q22), -B(Q21)(Q22), -C(=O)(Q21), -S(=O)2(Q21) 및 -P(=O)(Q21)(Q22) 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, C3-C10시클로알킬기, C1-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C1-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C1-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹; 및
    -Si(Q31)(Q32)(Q33), -N(Q31)(Q32), -B(Q31)(Q32), -C(=O)(Q31), -S(=O)2(Q31) 및 -P(=O)(Q31)(Q32);
    중에서 선택되고,
    상기 Q1 내지 Q3, Q11 내지 Q13, Q21 내지 Q23 및 Q31 내지 Q33은 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기, C1-C60알콕시기, C3-C10시클로알킬기, C1-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C1-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C1-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, 중수소, -F 및 시아노기 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된 C1-C60알킬기, 중수소, -F 및 시아노기 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된 C6-C60아릴기, 비페닐기 및 터페닐기 중에서 선택된다.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 유기금속 화합물의 3MC 상태(triplet metal centered state)의 에너지 준위(E3MC)가 0.41 kcal/mol 이상인, 유기 발광 소자.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 발광층이 상기 유기금속 화합물을 포함한, 유기 발광 소자.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 발광층이 호스트를 더 포함하고, 상기 발광층 100중량부 당 상기 유기금속 화합물의 함량이 0.1중량부 내지 50중량부인, 유기 발광 소자.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 발광층이 최대 발광 파장이 440 nm 내지 490 nm인 청색광을 방출하는, 유기 발광 소자.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제1전극이 애노드이고,
    상기 제2전극이 캐소드이고,
    상기 유기층이 상기 유기금속 화합물을 포함하고,
    상기 유기층은 상기 제1전극과 상기 발광층 사이에 개재된 정공 수송 영역 및 상기 발광층과 상기 제2전극 사이에 개재된 전자 수송 영역을 더 포함하고,
    상기 정공 수송 영역은 정공 주입층, 정공 수송층, 발광 보조층 및 전자 저지층 중에서 선택된 적어도 하나를 포함하고,
    상기 전자 수송 영역은, 버퍼층, 정공 저지층, 전자 수송층 및 전자 주입층 중에서 선택된 적어도 하나를 포함한, 유기 발광 소자.
  7. 하기 화학식 1로 표시되는 유기금속 화합물:
    <화학식 1>
    Figure pat00094

    상기 화학식 1 중,
    M1은 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 구리(Cu), 은(Ag), 금(Au), 로듐(Rh), 이리듐(Ir), 루테늄(Ru), 오스뮴(Os), 티탄(Ti), 지르코늄(Zr), 하프늄(Hf), 유로퓸(Eu), 테르븀(Tb) 및 툴륨(Tm) 중에서 선택되고;
    Y1 내지 Y3는 서로 독립적으로, N 또는 C이고;
    T1 내지 T4는 서로 독립적으로, 화학 결합, O, S, B(R'), N(R'), P(R'), C(R')(R"), Si(R')(R"), Ge(R')(R"), C(=O), B(R')(R"), N(R')(R") 또는 P(R')(R")이고, T1이 화학 결합일 경우, Y1과 M1은 직접(directly) 결합하고, T2가 화학 결합일 경우, Y2와 M1은 직접 결합하고, T3이 화학 결합일 경우, Y3과 M1은 직접 결합하고, T4가 화학 결합일 경우, 고리 A4와 M1은 직접 결합하고,
    Y1 또는 T1과 M1 사이의 결합, Y2 또는 T2와 M1 사이의 결합, Y3 또는 T3과 M1 사이의 결합 및 C 또는 T4와 M1 사이의 결합 중 2개의 결합은 배위 결합이고, 나머지 2개의 결합은 공유 결합이고,
    A1 내지 A3는 서로 독립적으로, C5-C60카보시클릭 그룹 및 C1-C60헤테로시클릭 그룹 중에서 선택되고,
    L1 내지 L4는 서로 독립적으로, 단일 결합, 이중 결합, *-N(R5)-*', *-B(R5)-*', *-P(R5)-*', *-C(R5)(R6)-*', *-Si(R5)(R6)-*', *-Ge(R5)(R6)-*', *-S-*', *-Se-*', *-O-*', *-C(=O)-*', *-S(=O)-*', *-S(=O)2-*', *-C(R5)=*', *=C(R5)-*', *-C(R5)=C(R6)-*', *-C(=S)-*' 및 *-C≡C-*' 중에서 선택되고,
    a1 내지 a4는 서로 독립적으로, 0 내지 3의 정수 중에서 선택되고, a1이 0일 경우, A1과 A2는 서로 연결되어 있지 않고, a2가 0일 경우, A2와 A3는 서로 연결되어 있지 않고, a3이 0일 경우, A3과 A4는 서로 연결되어 있지 않고, a4가 0일 경우, A4와 A1은 서로 연결되어 있지 않고,
    L11 및 L12는 서로 독립적으로, *-C(R11)(R12)-*', *-C(R11)=*', *=C(R11)-*' 및 *-C(R11)=C(R12)-*' 중에서 선택되고,
    a11 및 a12는 서로 독립적으로, 1 내지 3의 정수 중에서 선택되고,
    R', R", R1 내지 R6 및 R11 내지 R12는 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, 치환 또는 비치환된 C1-C60알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C60알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C60알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1-C60알콕시기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴티오기, 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로아릴티오기, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, -Si(Q1)(Q2)(Q3), -B(Q1)(Q2), -N(Q1)(Q2), -P(Q1)(Q2), -C(=O)(Q1), -S(=O)(Q1), -S(=O)2(Q1), -P(=O)(Q1)(Q2) -P(=S)(Q1)(Q2), =O, =S, =N(Q1), 및 =C(Q1)(Q2) 중에서 선택되고,
    b1 내지 b3는 서로 독립적으로, 0 내지 20의 정수 중에서 선택되고,
    b4는 0 내지 6의 정수 중에서 선택되고,
    R', R", b1개의 R1, b2개의 R2, b3개의 R3, b4개의 R4, R5, R6, R11 및 R12 중 이웃한 그룹은 각각 선택적으로(optionally) 서로 결합하여, 치환 또는 비치환된 C5-C60카보시클릭 그룹 또는 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로시클릭 그룹을 형성할 수 있고,
    * 및 *'은 이웃한 원자와의 결합 사이트이고,
    상기 치환된 C5-C60카보시클릭 그룹, 치환된 C1-C60헤테로시클릭 그룹, 치환된 C1-C60알킬기, 치환된 C2-C60알케닐기, 치환된 C2-C60알키닐기, 치환된 C1-C60알콕시기, 치환된 C3-C10시클로알킬기, 치환된 C1-C10헤테로시클로알킬기, 치환된 C3-C10시클로알케닐기, 치환된 C1-C10헤테로시클로알케닐기, 치환된 C6-C60아릴기, 치환된 C6-C60아릴옥시기, 치환된 C6-C60아릴티오기, 치환된 C1-C60헤테로아릴기, 치환된 C1-C60헤테로아릴옥시기, 치환된 C1-C60헤테로아릴티오기, 치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹의 치환기 중에서 선택된 적어도 하나의 치환기는,
    중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기 및 C1-C60알콕시기;
    중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C3-C10시클로알킬기, C1-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C1-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C1-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, -Si(Q11)(Q12)(Q13), -N(Q11)(Q12), -B(Q11)(Q12), -C(=O)(Q11), -S(=O)2(Q11) 및 -P(=O)(Q11)(Q12) 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기 및 C1-C60알콕시기;
    C3-C10시클로알킬기, C1-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C1-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C1-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹;
    중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기, C1-C60알콕시기, C3-C10시클로알킬기, C1-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C1-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C1-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, -Si(Q21)(Q22)(Q23), -N(Q21)(Q22), -B(Q21)(Q22), -C(=O)(Q21), -S(=O)2(Q21) 및 -P(=O)(Q21)(Q22) 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, C3-C10시클로알킬기, C1-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C1-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C1-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹; 및
    -Si(Q31)(Q32)(Q33), -N(Q31)(Q32), -B(Q31)(Q32), -C(=O)(Q31), -S(=O)2(Q31) 및 -P(=O)(Q31)(Q32);
    중에서 선택되고,
    상기 Q1 내지 Q3, Q11 내지 Q13, Q21 내지 Q23 및 Q31 내지 Q33은 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기, C1-C60알콕시기, C3-C10시클로알킬기, C1-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C1-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C1-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, 중수소, -F 및 시아노기 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된 C1-C60알킬기, 중수소, -F 및 시아노기 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된 C6-C60아릴기, 비페닐기 및 터페닐기 중에서 선택된다.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 M1은 Pt, Pd, Cu, Ag, Au, Rh, Ir, Ru 및 Os 중에서 선택된, 유기금속 화합물.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 T1 내지 T4는 화학 결합이고, Y1과 M1 사이의 결합, Y2와 M1 사이의 결합 중 적어도 하나는 배위 결합이고, Y1은 N이고, Y2는 C인, 유기금속 화합물.
  10. 제7항에 있어서,
    상기 A1 내지 A3는 서로 독립적으로,
    벤젠 그룹, 나프탈렌 그룹, 안트라센 그룹, 페난트렌 그룹, 트리페닐렌 그룹, 파이렌 그룹, 크라이센 그룹, 시클로펜탄 그룹, 시클로펜타디엔 그룹, 시클로헥산 그룹, 시클로헥센 그룹, 1,2,3,4-테트라히드로나프탈렌(1,2,3,4-tetrahydronaphthalene) 그룹, 퓨란 그룹, 티오펜 그룹, 실롤 그룹, 인덴 그룹, 플루오렌 그룹, 인돌 그룹, 카바졸 그룹, 벤조퓨란 그룹, 디벤조퓨란 그룹, 벤조티오펜 그룹, 디벤조티오펜 그룹, 벤조실롤 그룹, 디벤조실롤 그룹, 인데노피리딘 그룹, 인돌로피리딘 그룹, 벤조퓨로피리딘 그룹, 벤조티에노피리딘 그룹, 벤조실롤로피리딘 그룹, 인데노피리미딘 그룹, 인돌로피리미딘 그룹, 벤조퓨로피리미딘 그룹, 벤조티에노피리미딘 그룹, 벤조실롤로피리미딘 그룹, 디히드로피리딘 그룹, 피리딘 그룹, 피리미딘 그룹, 피라진 그룹, 피리다진 그룹, 트리아진 그룹, 퀴놀린 그룹, 이소퀴놀린 그룹, 퀴녹살린 그룹, 퀴나졸린 그룹, 페난트롤린 그룹, 피롤 그룹, 피라졸 그룹, 이미다졸 그룹, 2,3-디하이드로이미다졸(2,3-dihydroimidazole) 그룹, 트리아졸 그룹, 1,2,4-트리아졸 그룹, 테트라졸 그룹, 2,3-디하이드로트리아졸(2,3-dihydrotriazole) 그룹, 아자실롤 그룹, 다이아자실롤 그룹, 트리아자실롤 그룹, 옥사졸 그룹, 이소옥사졸 그룹, 티아졸 그룹, 이소티아졸 그룹, 옥사디아졸 그룹, 티아디아졸 그룹, 벤조피라졸 그룹, 벤즈이미다졸 그룹, 2,3-디하이드로벤즈이미다졸(2,3-dihydrobenzimidazole) 그룹, 이미다조피리딘 그룹, 2,3-디하이드로이미다조피리딘(2,3-dihydroimidazopyridine) 그룹, 이미다조피리미딘 그룹, 2,3-디하이드로이미다조피리미딘(2,3-dihydroimidazopyrimidine) 그룹, 이미다조피라진 그룹, 2,3-디하이드로이미다조피라진(2,3-dihydroimidazopyrazine) 그룹, 벤조옥사졸 그룹, 벤조티아졸 그룹, 벤조옥사디아졸 그룹, 벤조티아디아졸 그룹, 5,6,7,8-테트라히드로이소퀴놀린(5,6,7,8-tetrahydroisoquinoline) 그룹 및 5,6,7,8-테트라히드로퀴놀린(5,6,7,8-tetrahydroquinoline) 그룹; 중에서 선택된, 유기금속 화합물.
  11. 제7항에 있어서,
    i) 상기 A1은 피리딘 그룹, 피리미딘 그룹, 피라진 그룹, 피리다진 그룹 및 트리아진 그룹 중에서 선택되거나,
    ii) A2는 인돌 그룹, 카바졸 그룹, 인돌로피리딘 그룹 및 인돌로피리미딘 그룹 중에서 선택되거나,
    iii) A3는 벤젠 그룹, 나프탈렌 그룹, 안트라센 그룹, 및 페난트렌 그룹 중에서 선택되거나, 또는
    상기 i), ii) ,iii)의 임의의 조합인, 유기금속 화합물.
  12. 제7항에 있어서,
    ia) 상기 A1은 하기 화학식 2A-1 내지 2A-5 중 어느 하나로 표시된 그룹이거나,
    iia) 상기 A2는 하기 화학식 2B-1 내지 2B-3 중 어느 하나로 표시된 그룹이거나,
    iiia) 상기 A3는 하기 화학식 2C-1로 표시된 그룹이거나, 또는
    상기 ia), iia) ,iiia)의 임의의 조합인, 유기금속 화합물:
    Figure pat00095

    Figure pat00096

    Figure pat00097

    상기 화학식 2A-1 내지 2A-5, 화학식 2B-1 내지 2B-3 및 화학식 2C-1 중,
    Y21은 N 또는 C(R11a)이고, Y22는 N 또는 C(R12a)이고, Y23은 N 또는 C(R13a)이고, Y24는 N 또는 C(R14a)이고, Y25는 N 또는 C(R15a)이고, Y26은 N 또는 C(R16a)이고, Y27은 N 또는 C(R17a)이고, Y28은 N 또는 C(R18a)이고,
    Z21은 *'-C, C(R21a) 또는 N이고, Z22는 *'-C, C(R22a) 또는 N이고,
    Z31은 *'-N 또는 N(R31a)이고,
    상기 R11a 내지 R18a, R21a 내지 R22a, 및 R31a에 대한 설명은, 제8항 중 R', R", 및 R1 내지 R6에 대한 설명을 참조하고,
    *은 각각 이웃한 T1, T2, 또는 T3와의 결합 사이트이고, *'은 상기 각각 이웃한 L1, L2, L3, 또는 L4와의 결합 사이트이다.
  13. 제7항에 있어서,
    상기 a1 내지 a3는 1이고, a4는 0이고, L1 및 L3는 단일 결합이고, L2는 *-O-*'인, 유기금속 화합물.
  14. 제7항에 있어서,
    i) L11 및 L12는 *-C(R11)(R12)-*'이고, a11은 2이고, a12는 1이거나,
    ii) L11은 *-C(R11)=C(R12)-*'이고, L12는 *-C(R11)(R12)-*'이고, a11 및 a12는 1이거나, 또는
    iii) L11은 *-C(R11)(R12)-*'이고, L12는 *-C(R11)=C(R12)-*' 이고, a11 및 a12는 1인, 유기금속 화합물.
  15. 제7항에 있어서,
    상기 R', R", R1 내지 R6 및 R11 내지 R12는 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기;
    중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C1-C20알킬기, 및 C1-C20알콕시기 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된 C1-C20알킬기 및 C1-C20알콕시기;
    시클로펜틸기, 시클로헥실기, 페닐기, 나프틸기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 피롤일기, 인돌일기, 이소인돌일기, 인다졸일기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 시놀리닐기, 및 트리아지닐기; 및
    중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 페닐기, 나프틸기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 인돌일기, 이소인돌일기, 인다졸일기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 시놀리닐기, 트리아지닐기, -Si(Q31)(Q32)(Q33), -N(Q31)(Q32), -B(Q31)(Q32), -C(=O)(Q31), -S(=O)2(Q31) 및 -P(=O)(Q31)(Q32) 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 페닐기, 나프틸기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 인돌일기, 이소인돌일기, 인다졸일기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 시놀리닐기, 및 트리아지닐기;
    중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 페닐기, 나프틸기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 인돌일기, 이소인돌일기, 인다졸일기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 시놀리닐기, 트리아지닐기, -Si(Q31)(Q32)(Q33), -N(Q31)(Q32), -B(Q31)(Q32), -C(=O)(Q31), -S(=O)2(Q31) 및 -P(=O)(Q31)(Q32) 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 페닐기, 나프틸기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 인돌일기, 이소인돌일기, 인다졸일기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 시놀리닐기, 및 트리아지닐기 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 페닐기, 나프틸기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 인돌일기, 이소인돌일기, 인다졸일기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 시놀리닐기, 및 트리아지닐기; 및
    -Si(Q1)(Q2)(Q3), -N(Q1)(Q2), -B(Q1)(Q2), -C(=O)(Q1), -S(=O)2(Q1), -P(=O)(Q1)(Q2), -P(=S)(Q1)(Q2), =O, =S, =N(Q1), 및 =C(Q1)(Q2);
    중에서 선택되고,
    Q1 내지 Q3 및 Q31 내지 Q33은 서로 독립적으로,
    수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 시아노기, C1-C20알킬기, C2-C20알케닐기, C2-C20알키닐기, C1-C20알콕시기, C3-C10시클로알킬기, C1-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C1-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C20아릴기, C1-C20헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹;
    중에서 선택되는, 유기금속 화합물.
  16. 제7항에 있어서,
    상기 화학식 1은 하기 화학식 1-1 내지 1-6 중 선택된 하나로 표시된, 유기금속 화합물:
    <화학식 1-1> <화학식 1-2>
    Figure pat00098
    Figure pat00099

    <화학식 1-3> <화학식 1-4>
    Figure pat00100
    Figure pat00101

    <화학식 1-5> <화학식 1-6>
    Figure pat00102
    Figure pat00103

    상기 화학식 1-1 내지 1-6 중,
    M1, A1 내지 A3, Y1 내지 Y3, L1 내지 L3, a1 내지 a3, R1 내지 R3 및 b1 내지 b3에 대한 설명은 각각 제7항 중의 설명을 참조하고,
    상기 A21에 대한 설명은 제7항 중 A1 내지 A3에 대한 설명을 참조하고,
    상기 Ra 내지 Rk 및 R21에 대한 설명은 제7항 중 R', R", R1 내지 R6 및 R11 내지 R12에 대한 설명을 참조하고,
    상기 b21에 대한 설명은 제7항 중 b1 내지 b3에 대한 설명을 참조한다.
  17. 제7항에 있어서,
    상기 화학식 1은 하기 화학식 1A로 표시된, 유기금속 화합물:
    <화학식 1A>
    Figure pat00104

    상기 화학식 1A 중,
    M1, A1, A3, Y1, Y3, L2 내지 L3, L11 및 L12, a11 및 a12, R1, R3, b1, 및 b3에 대한 설명은 각각 제7항 중의 설명을 참조하고,
    X31 내지 X32는 서로 독립적으로, N 또는 C(R32)이고,
    상기 A31에 대한 설명은 제7항 중 A1 내지 A3에 대한 설명을 참조하고,
    상기 R4a 내지 R4e, R31 및 R32에 대한 설명은 제7항 중 R', R", R1 내지 R6 및 R11 내지 R12에 대한 설명을 참조하고,
    상기 b31에 대한 설명은 제7항 중 b1 내지 b3에 대한 설명을 참조한다.
  18. 제7항에 있어서,
    상기 화학식 1로 표시되는 유기금속 화합물은 하나 이상의 중수소를 포함하는, 유기금속 화합물.
  19. 제7항에 있어서,
    상기 화학식 1로 표시되는 유기금속 화합물은 적어도 하나의 중수소로 치환된 C1-C20알킬기 또는 적어도 하나의 중수소로 치환된 C6-C20아릴기를 하나 이상 포함하는, 유기금속 화합물.
  20. 제7항에 있어서,
    상기 화학식 1로 표시되는 유기금속 화합물은 하기 화합물 1 내지 44 중에서 선택된, 유기금속 화합물:
    Figure pat00105

    Figure pat00106

    Figure pat00107

    Figure pat00108

    Figure pat00109

    Figure pat00110

    Figure pat00111
    .
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6303238B1 (en) * 1997-12-01 2001-10-16 The Trustees Of Princeton University OLEDs doped with phosphorescent compounds
JP2009267244A (ja) 2008-04-28 2009-11-12 Fujifilm Corp 有機電界発光素子
US9493698B2 (en) 2011-08-31 2016-11-15 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9461254B2 (en) 2012-01-03 2016-10-04 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
WO2013130483A1 (en) 2012-02-27 2013-09-06 Jian Li Microcavity oled device with narrow band phosphorescent emitters
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US11552261B2 (en) 2017-06-23 2023-01-10 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11814403B2 (en) 2017-06-23 2023-11-14 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11228004B2 (en) * 2018-06-22 2022-01-18 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
CN111087414A (zh) * 2018-12-17 2020-05-01 广州华睿光电材料有限公司 过渡金属配合物、聚合物、混合物、组合物及有机电子器件
KR20200110577A (ko) * 2019-03-15 2020-09-24 삼성디스플레이 주식회사 유기금속 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자
KR20200128308A (ko) * 2019-05-03 2020-11-12 삼성디스플레이 주식회사 유기금속 화합물, 이를 포함하는 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 장치
KR20220049076A (ko) * 2020-10-13 2022-04-21 삼성디스플레이 주식회사 유기금속 화합물, 이를 포함한 발광 소자 및 이를 포함한 전자 장치

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