KR102045715B1 - SiC막 단체 구조체 - Google Patents

SiC막 단체 구조체 Download PDF

Info

Publication number
KR102045715B1
KR102045715B1 KR1020197030152A KR20197030152A KR102045715B1 KR 102045715 B1 KR102045715 B1 KR 102045715B1 KR 1020197030152 A KR1020197030152 A KR 1020197030152A KR 20197030152 A KR20197030152 A KR 20197030152A KR 102045715 B1 KR102045715 B1 KR 102045715B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
sic
film
functional surface
base material
sic film
Prior art date
Application number
KR1020197030152A
Other languages
English (en)
Inventor
사토시 카와모토
Original Assignee
가부시키가이샤 아드맵
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시키가이샤 아드맵 filed Critical 가부시키가이샤 아드맵
Application granted granted Critical
Publication of KR102045715B1 publication Critical patent/KR102045715B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/67326—Horizontal carrier comprising wall type elements whereby the substrates are vertically supported, e.g. comprising sidewalls
    • H01L21/6733—Horizontal carrier comprising wall type elements whereby the substrates are vertically supported, e.g. comprising sidewalls characterized by a material, a roughness, a coating or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/67313—Horizontal boat type carrier whereby the substrates are vertically supported, e.g. comprising rod-shaped elements
    • H01L21/67316—Horizontal boat type carrier whereby the substrates are vertically supported, e.g. comprising rod-shaped elements characterized by a material, a roughness, a coating or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
    • H01L21/02529—Silicon carbide
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28B—SHAPING CLAY OR OTHER CERAMIC COMPOSITIONS; SHAPING SLAG; SHAPING MIXTURES CONTAINING CEMENTITIOUS MATERIAL, e.g. PLASTER
    • B28B1/00—Producing shaped prefabricated articles from the material
    • B28B1/30—Producing shaped prefabricated articles from the material by applying the material on to a core or other moulding surface to form a layer thereon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/01—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes on temporary substrates, e.g. substrates subsequently removed by etching
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C16/045—Coating cavities or hollow spaces, e.g. interior of tubes; Infiltration of porous substrates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/32—Carbides
    • C23C16/325—Silicon carbide
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/02167—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material being a silicon carbide not containing oxygen, e.g. SiC, SiC:H or silicon carbonitrides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/76—Making of isolation regions between components
    • H01L21/762—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
    • H01L21/76202—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using a local oxidation of silicon, e.g. LOCOS, SWAMI, SILO
    • H01L21/76205—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using a local oxidation of silicon, e.g. LOCOS, SWAMI, SILO in a region being recessed from the surface, e.g. in a recess, groove, tub or trench region

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

SiC막 단체 구조체의 기능면이 막 두께의 영향을 받지 않으면서, 막 두께의 증가에 따른 강도 향상을 도모하는 것을 가능하게 하는 SiC막 단체 구조체를 제공한다. 기상 성장형 성막법에 의해서 SiC층을 적층하여 구성된 막 단체 구조체로, SiC층은 SiC막 단체 구조체(10)에서 기능면(12)이 되는 제1 SiC층(20)을 기준으로 하여 적층되어 있는 것을 특징으로 한다. 또한, 임의의 특정 부위의 표리에 위치하는 기능면(12)과 비기능면(14)에서, 기능면(12)의 평활도가 비기능면(14)의 평활도보다 높아지도록 구성하고 있다.

Description

SiC막 단체 구조체
본 발명은 SiC 성막 기술과 관련되며, 특히 SiC막 단체(單體)로 구성된 구조물에 관한 것이다.
내환경성이 우수하고 화학적 안정성이 높기 때문에, 특히 반도체 소자 제조 분야에서, 반도체 제조 시에 웨이퍼 보트나 튜브 및 더미 웨이퍼와 같은 초고온 하에서 이용되는 치구로서, SiC로 구성되어 있는 막 단체 구조체가 수요를 늘리고 있다.
종래, 이러한 SiC막 단체 구조체는 특허문헌 1에 개시되어 있는 바와 같은 성막 공정과, 기재 제거 공정에 의해서 형성되었었다. 구체적으로는 다음과 같다. 우선, 성막 공정에서는, 카본(그라파이트) 등으로 구성된 기재의 표면에 CVD(Chemical Vapor Deposition: 화학기상성장)법에 의해서 SiC막을 형성하는 것으로, 성막 시간이나 성막의 적층 횟수 등에 의해 그 두께를 제어한다.
다음으로, 기재 제거 공정은 성막된 소재를 고온 산화 분위기 중에서 가열함으로써, 기재를 산화에 의해 소실시키는 것이다. 이러한 처리를 실시함으로써, 기재의 외형에 따른 형상을 갖는 SiC막 단체 구조체가 완성된다.
일본 공개특허공보 특개 2001-158666호
상기와 같이 하여 형성되는 SiC막 단체 구조체는 기능면이 CVD법에 의한 기상 성장면이 된다. 기상 성장에 의한 막의 두께는 기재의 부위나 기재를 배치하는 위치에 따라서도 다르다. 이 때문에, 기재에 요철이 있는 경우에는 특히, 기상 성장 시에 막의 부착 방법, 즉 완성 후의 SiC막 단체 구조체의 막 상태를 예측하여 기재 형상을 정할 필요가 있어, 원하는 형상과 완성 형상 사이에 차이가 생기게 된다. 또한, 복잡한 표면 형상을 갖는 기재를 사용한 경우에는, 협애(狹隘) 부분에서 심부(深部)의 막 두께가 얇아진다는 경향이 있다. 이러한 제품 정밀도나 막 두께의 분포차는 제품 용도에 따라 그 기능에 크게 영향을 미치는 경우가 있다.
더욱이, 협애부에서는, 막 두께를 두껍게 함으로써 원하는 간극을 얻지 못하게 될 위험성이 있어, 막 두께의 증가에 따른 강도 향상을 얻는 것이 어렵다는 문제도 있다.
따라서, 본 발명에서는, 상기 문제를 해결하고, SiC막 단체 구조체에서 기능면 형상을 기재 형상에 정밀도 좋게 맞춤과 동시에, 막 두께의 증가에 따른 강도 향상을 도모하는 것을 가능하게 하는 SiC막 단체 구조체를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명과 관련되는 SiC막 단체 구조체는 기상 성장형 성막법에 의해서 요철이 있는 기재의 요철면에 SiC층을 적층하여 구성된 막 단체 구조체로, 상기 기재에는 원하는 구조체의 형태와 반대 요철을 갖는 암형(雌型) 기재를 채택하고, 상기 SiC층은 상기 암형 기재의 요철면에 접하여 구성되는 제1 SiC층에서 상기 암형 기재와의 접촉면에 기능면을 구성하고 있는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기와 같은 특징을 갖는 SiC막 단체 구조체에서는, 임의의 특정 부위의 표리에 위치하는 상기 기능면과 비기능면에서, 상기 기능면의 평활도가 상기 비기능면의 평활도보다 높아지도록 구성되어 있다. 이러한 특징을 가짐으로써, SiC막 단체 구조체를 형성 후에, 연마 등의 표면 처리가 불필요해진다. 이 때문에, 복잡한 형상, 미세한 형상의 구조체라도 고품질의 제품을 제공하는 것이 가능해진다.
더욱이, 상기와 같은 특징을 갖는 SiC막 단체 구조체에서는, 형성면에 모서리부를 가질 경우, 상기 비기능면에 비하여 상기 기능면 쪽이 상기 모서리부의 능선이 날카롭게 되어 있다. 이러한 특징을 갖는 것에 따르면, 치구 등으로서 요구되는 정밀도를 확실하게 얻을 수 있게 된다.
상기와 같은 특징을 갖는 SiC막 단체 구조체에 의하면, SiC막 단체 구조체의 기능면이 막 두께의 영향을 받을 일이 없다. 또한, 기능면이 막 두께의 영향을 받을 일이 없기 때문에, 막 두께의 증가에 따른 강도 향상을 도모하는 것이 가능해진다.
도 1은 실시형태와 관련되는 SiC막 단체 구조체의 구성을 나타내는 도면이다.
도 2는 실시형태와 관련되는 SiC막 단체 구조체의 제조 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 3은 SiC막 단체 구조체를 구성함에 있어서의 변형예를 나타내는 도면이다.
이하, 본 발명의 SiC막 단체 구조체와 관련되는 실시형태에 대해서, 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 또한, 이하에 나타내는 실시형태는 본 발명을 실시함에 있어서의 적합한 형태의 일부이며, 발명 특정 사항을 구비하는 범위에서, 구성의 일부를 변경하였다 하더라도, 본 발명의 일부로 간주할 수 있다.
[구성]
본 실시형태에서는, SiC막에 자립 가능한 강도를 갖게 함으로써, SiC막 단체 구조체(10)를 구성하고 있다. 도 1에 나타내는 형태는 반도체 웨이퍼 제조에 사용되는 치구로서의 보트이지만, 이것은 실시형태와 관련되는 SiC막 단체 구조체(10)가 평면 구조 뿐만 아니라, 요철을 갖는 형태에도 적용 가능하다는 것을 나타내는 것이며, 형태나 용도를 한정하는 것은 아니다.
도 1에 나타내는 SiC막 단체 구조체(10)는 보트로서의 기능, 즉 웨이퍼(50)를 지지하기 위한 슬릿(16)을 구비한 한쪽 주면(主面)을 기능면(12)으로 하고 있다. 도 1 중에 동그라미로 둘러싸서 부분 확대한 이미지도를 나타내는 바와 같이, 실시형태와 관련되는 SiC막 단체 구조체(10)의 기능면(12)에는, 기계 가공에서는 얻기 어려운 미소 돌기(12b)가 복수 마련되어 있다. 기능면(12)에 이러한 미소 돌기(12b)를 구비함으로써, 지지 소재(예를 들면, 웨이퍼(50))와 SiC막 단체 구조체(10)와의 접촉 면적을 작게 할 수 있다. 이 때문에, 가열이나 냉각 처리를 할 때, 웨이퍼(50)가 SiC막 단체 구조체(10)에 붙어버리는 등의 사태를 일으킬 수 없다. 또한, 기체 분위기 중에 노출되는 부분과 접촉 부분에서의 온도차 발생을 억제할 수 있다.
또한, 모서리부(12a, 14a)에 관해서는, 기능면(12)에서 모서리부(12a)의 능선은 모가 나서 날카로운데 비하여, 비기능면(14)에서의 대응 개소(모서리부(14a))는, 기능면(12)의 대응 개소에 비하여 능선이 완만한 상태가 되도록 형성되어 있다.
이것은 상세를 후술하는 바와 같이, SiC막 단체 구조체(10)의 기능면(12)이 기재(30)(도 2 참조)에 접하여 구성되며, 그 소면(素面) 형상에 따른 형상을 얻는 것에 의한 것이다. 이 때문에, 기능면(12)의 형상을 기재(30)의 형상에 정밀도 좋게 맞출 수 있다.
[제조 공정]
이러한 구성의 본 실시형태와 관련되는 SiC막 단체 구조체(10)의 제조 공정에 대해서 도 2를 참조하여 설명한다. 우선, 도 2의 (A)에 나타내는 바와 같이, 원하는 구조체의 형태와 반대 요철을 갖는 기재(30), 즉 암형 기재(30)를 제작한다. 기재(30)는 표면에도 미소한 기공이 형성되게 되는 다공질 부재, 예를 들면 그라파이트 등을 구성 재료로서 제작하면 좋다. 또한, 기재(30)의 하단 측에는 마스킹(32)을 실시하여, 기준면에의 설치가 가능한 상태로 한다.
다음으로, 도 2의 (B)에 나타내는 바와 같이, 기상 성장형 성막법에 의해서 기재(30)의 표면에 제1 SiC층(20)을 구성한다. 또한, 기상 성장형 성막법이란, 예들 들면, CVD법에 의한 것으로 하면 좋다. 여기서, 기재(30)를 구성하는 그라파이트의 표면에는 무수한 기공이 존재한다. CVD법에 의해서 형성되는 제1 SiC층(20)은 기재(30)의 표면에 존재하는 기공 내에도 형성된다. 이렇게 하여 기공 내에 형성된 제1 SiC층(20)이 기능면(12) 상에 마련되는 미소 돌기(12b)를 구성하게 된다.
제1 SiC층(20)을 성막 후, 도 2의 (C)에 나타내는 바와 같이, 제1 SiC층(20)을 기준으로 하여 적층하도록 적층형 SiC층(22)의 성막을 실시한다. 여기서, 제1 SiC층(20)과, 이것에 적층되는 적층형 SiC층(22) 사이에 구성상의 차이를 마련할 필요는 없지만, 제1 SiC층(20)은 기재(30)의 표면에 형성된다. 이 때문에, 제1 SiC층(20)은 기재(30) 소면의 성상 및 형상으로 정밀도 높은 형상을 얻게 된다.
적층형 SiC층(22)이 원하는 강도를 얻을 수 있는 두께에 이른 후, 도 2의 (D)에 나타내는 바와 같이, SiC층(제1 SiC층(20)과 적층형 SiC층(22))을 형성한 기재(30)를 기준면으로부터 떼어서, 불필요 부분(도 2의 (D) 중에서 파선부보다 윗 부분)의 절단 제거를 실시한다. 도 2의 (E)에 나타내는 바와 같이 하여, 불필요 부분을 제거한 후, 기재(30)를 제거한다. 기재(30)로서 그라파이트를 채택한 경우, 기재(30) 제거는 SiC층이 성막되어 있는 기재(30)마다 고온 산화 분위기에서 가열을 실시한다는 방법이면 좋다.
고온 산화 분위기 중에서 가열된 그라파이트는 CO2로서 기체로 변화되어 소실된다. 이 때문에, 기계 가공에 의한 제거가 곤란한 복잡한 형상, 미세한 형상이더라도 기재(30) 제거를 실시하는 것이 가능해진다.
상기와 같이 하여 기재(30)를 제거함으로써, 도 2의 (F)에 나타내는 바와 같이, SiC막 단체 구조체(10)가 형성된다.
[효과]
이와 같이, 실시형태와 관련되는 SiC막 단체 구조체(10)는 기능면(12)을 구성하는 제1 SiC층(20)을 기준으로 하여, 순차 적층형 SiC층(22)을 적층함으로써 구성되어 있다. 이 때문에, SiC막 단체 구조체(10)의 기능면(12)은 정밀도 좋게 기재(30)의 형상에 따른 것이 된다. 또한, 형상 정밀도에 막 두께의 영향을 받을 일이 없기 때문에, SiC막 단체 구조체(10)는 막 두께의 증가에 따른 강도 향상을 도모하는 것도 가능해진다.
[변형예]
상술한 바와 같이, 본 실시형태와 관련되는 SiC막 단체 구조체(10)는 기능면(12)이 막 두께의 영향을 받을 일이 없다. 이 때문에, 도 3에 나타내는 바와 같이, SiC로 구성되는 막의 두께를 두껍게 함으로써, 비기능면(14)에 형성된 홈의 폭이 협소해졌다 하더라도, 기능면(12)은 원하는 정밀도를 유지할 수 있다. 따라서, 중량물을 배치하거나 혹은 유지하는 경우라도, 공작 정밀도가 높은 SiC막 단체 구조체(10)를 제공하는 것이 가능해진다.
또한, 기재(30)로서, 소면 성상이 평활한 금속 등을 채택할 경우에는, 표면에 미소한 요철을 붙이는 표면 처리(하나의 예로서 샌드 블라스트를 들 수 있다)를 실시함으로써, 상기 실시형태와 동일한 미소 돌기를 갖는 기능면(12)을 구성할 수 있다. 또한, 기재(30)로서 금속을 채택한 경우에는, 약액으로 기재(30)를 녹임으로써 기재(30)를 제거하면 좋다.
상기 실시형태에서는, 기상 성장형 성막법으로서 CVD법을 들어 설명하였다. CVD법에 의한 기층 성장은 진공 증착형 PVD(Physical Vapor Deposition: 물리 기상 성장)법이나, MBE(Molecular Beam Epitaxy: 분자선 에피택시)법에 비하여, 막 두께의 균등화를 도모할 수 있다. 이 때문에, 기능면을 최종적인 적층면에 의해서 구성하는 종래의 SiC막 단체 구조체의 제조 방법으로서는 유효한 수단이었다. 그러나, 실시형태와 관련되는 SiC막 단체 구조체(10)는 기능면(12)을 구성하는 제1 SiC층(20)을 기준으로 하여 적층형 SiC층(22)을 적층 형성함으로써 구성되어 있다. 이 때문에, 진공 증착형 성막법인 PVD법이나 MBE법에 의한 성막 기술을 적용하였다 하더라도 정밀도 높은 제품을 제조할 수 있다.
또한, 상기 실시형태에서는, SiC막 단체 구조체(10)의 하나의 예로서, 보트를 예로 들어 설명하였다. 그렇지만, SiC막 단체 구조체(10)의 형태로서는, 웨이퍼 홀더나 서셉터 등, 각종 용도를 담당하는 형태인 것에 대응할 수 있다.
10 : SiC막 단체 구조체 12 기능면
12a 모서리부 12b 미소 돌기
14 비기능면 14a 모서리부
16 슬릿 20 제1 SiC층
22 적층형 SiC층 30 기재
32 마스킹 50 웨이퍼

Claims (4)

  1. 기상 성장형 성막법에 의해서 요철이 있는 기재의 요철면에 SiC층을 적층하여 구성된 막 단체 구조체로,
    상기 기재에는 원하는 구조체의 형태와 반대 요철을 갖는 암형 기재를 채택하고,
    상기 SiC층은 상기 암형 기재의 요철면에 접하여 구성되는 제1 SiC층에서 상기 암형 기재와의 접촉면에 기능면을 구성하고 있는 것을 특징으로 하는 SiC막 단체 구조.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 SiC층에서 상기 기능면과 반대 측에 비기능면을 구성하는 SiC층이 적층되어 있는 것을 특징으로 하는 SiC막 단체 구조.
  3. 제2항에 있어서,
    형성면에 모서리부를 가질 경우, 상기 비기능면에 비하여 상기 기능면 쪽이 상기 모서리부의 능선이 날카로운 것을 특징으로 하는 SiC막 단체 구조.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기능면에는 상기 기재의 소재 특성에서 기인하는 돌기가 구비되어 있는 것을 특징으로 하는 SiC막 단체 구조.
KR1020197030152A 2019-02-28 2019-08-28 SiC막 단체 구조체 KR102045715B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2019-036715 2019-02-28
JP2019036715A JP6564151B1 (ja) 2019-02-28 2019-02-28 ＳｉＣ膜単体構造体
PCT/JP2019/033683 WO2020174724A1 (ja) 2019-02-28 2019-08-28 ＳｉＣ膜単体構造体

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR102045715B1 true KR102045715B1 (ko) 2019-11-15

Family

ID=67695610

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020197030152A KR102045715B1 (ko) 2019-02-28 2019-08-28 SiC막 단체 구조체

Country Status (6)

Country Link
US (1) US11049747B2 (ko)
JP (1) JP6564151B1 (ko)
KR (1) KR102045715B1 (ko)
CN (1) CN111868885B (ko)
TW (1) TWI709657B (ko)
WO (1) WO2020174724A1 (ko)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001158666A (ja) 1999-11-26 2001-06-12 Toshiba Ceramics Co Ltd ＣＶＤ−ＳｉＣ自立膜構造体、及びその製造方法
JP2010219535A (ja) * 2003-04-15 2010-09-30 Saint-Gobain Ceramics & Plastics Inc 半導体加工用部品を処理する方法とこの方法によって形成される部品
WO2018159754A1 (ja) * 2017-03-02 2018-09-07 信越化学工業株式会社 炭化珪素基板の製造方法及び炭化珪素基板

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2701615B2 (ja) * 1991-09-27 1998-01-21 三井造船株式会社 半導体拡散炉用ウェハボートの製造方法
JPH05124863A (ja) * 1991-10-31 1993-05-21 Shin Etsu Chem Co Ltd 高純度炭化珪素体の製造方法
CA2099788A1 (en) 1992-07-31 1994-02-01 Michael A. Pickering Ultra pure silicon carbide and high temperature semiconductor processing equipment made therefrom
US5538230A (en) * 1994-08-08 1996-07-23 Sibley; Thomas Silicon carbide carrier for wafer processing
US5514439A (en) * 1994-10-14 1996-05-07 Sibley; Thomas Wafer support fixtures for rapid thermal processing
US6562183B1 (en) * 1999-04-07 2003-05-13 Ngk Insulators, Ltd. Anti-corrosive parts for etching apparatus
US6475456B2 (en) * 2000-02-29 2002-11-05 Hoya Corporation Silicon carbide film and method for manufacturing the same
JP4702712B2 (ja) * 2001-07-27 2011-06-15 東海カーボン株式会社 管状ＳｉＣ成形体およびその製造方法
US8202621B2 (en) * 2001-09-22 2012-06-19 Rohm And Haas Company Opaque low resistivity silicon carbide
US7442756B2 (en) * 2002-06-20 2008-10-28 Infineon Technologies Ag Polymer for sealing porous materials during chip production
US7718469B2 (en) * 2004-03-05 2010-05-18 The University Of North Carolina At Charlotte Alternative methods for fabrication of substrates and heterostructures made of silicon compounds and alloys
DE102005045081B4 (de) * 2004-09-29 2011-07-07 Covalent Materials Corp. Suszeptor
FR2964117B1 (fr) * 2010-08-27 2012-09-28 Commissariat Energie Atomique Creuset pour la solidification de lingot de silicium
JP6123408B2 (ja) * 2013-03-26 2017-05-10 三菱電機株式会社 単結晶４Ｈ−ＳｉＣ基板及びその製造方法
US20160121272A1 (en) * 2014-10-31 2016-05-05 Corning Incorporated Inorganic membrane filter and methods thereof
JP6368282B2 (ja) * 2015-06-29 2018-08-01 クアーズテック株式会社 ウエハボート及びその製造方法
JP6544166B2 (ja) * 2015-09-14 2019-07-17 信越化学工業株式会社 ＳｉＣ複合基板の製造方法
EP3514130A1 (en) * 2018-01-18 2019-07-24 Heraeus GMSI LLC Process for manufacturing a silicon carbide coated body

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001158666A (ja) 1999-11-26 2001-06-12 Toshiba Ceramics Co Ltd ＣＶＤ−ＳｉＣ自立膜構造体、及びその製造方法
JP2010219535A (ja) * 2003-04-15 2010-09-30 Saint-Gobain Ceramics & Plastics Inc 半導体加工用部品を処理する方法とこの方法によって形成される部品
WO2018159754A1 (ja) * 2017-03-02 2018-09-07 信越化学工業株式会社 炭化珪素基板の製造方法及び炭化珪素基板

Also Published As

Publication number Publication date
CN111868885A (zh) 2020-10-30
TW202033809A (zh) 2020-09-16
JP6564151B1 (ja) 2019-08-21
US11049747B2 (en) 2021-06-29
CN111868885B (zh) 2024-10-11
TWI709657B (zh) 2020-11-11
US20210005469A1 (en) 2021-01-07
JP2020141073A (ja) 2020-09-03
WO2020174724A1 (ja) 2020-09-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2022008584A (ja) ウェーハ平坦性を改善する方法およびその方法により作成された接合ウェーハ組立体
KR20070009701A (ko) Ｓｏｄ 장치 및 이의 제조 방법
WO2015198798A1 (ja) サセプタ及びその製造方法
JP2011157268A (ja) ダイヤモンド薄膜及びその製造方法
KR102045715B1 (ko) SiC막 단체 구조체
CN107528215B (zh) 半导体元件的制造方法、半导体元件
KR101547621B1 (ko) 플라즈마 처리장치의 실리콘 카바이드 구조물 및 그 제조방법
KR20240140182A (ko) 비평탄한 표면을 갖는 지지부 상에 막을 제조하는 방법
JP2020139207A (ja) ＳｉＣ膜構造体
CN109830457B (zh) 半导体器件及其形成方法
KR20160120510A (ko) 반도체 소자 및 반도체 소자의 제조방법
JP2005213086A (ja) 熱処理用トレー及びそれを用いたセラミック製品の製造方法
US6972049B2 (en) Method for fabricating a diamond film having low surface roughness
EP3321236A1 (en) Powder bed additive manufacturing of low expansion glass
JP6493982B2 (ja) サセプタ
JP6733802B1 (ja) エピタキシャルウェーハの製造方法及びサセプタ
JP2015198194A (ja) 半導体素子
JP6836022B2 (ja) 半導体基板、半導体基板の製造方法及び半導体素子の製造方法
US11230762B2 (en) Film structure reproduction method and reproduction film structure
JP6590234B1 (ja) ＳｉＣ膜構造体およびＳｉＣ膜構造体の製造方法
JP5861461B2 (ja) ダイヤモンドバイトおよびその製造方法
KR102683031B1 (ko) 층 전달에 의한 반도체-온-절연체 형 구조의 제조방법
JP2007534168A (ja) 基板表面上へのエピタキシー段階後のレベル間の再編成
TWI709528B (zh) SiC構件
JP6128189B2 (ja) ダイヤモンドバイトおよびその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
A302 Request for accelerated examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant