KR102011643B1 - 도전성 입자, 도전성 분체, 도전성 고분자 조성물 및 이방성 도전 시트 - Google Patents

도전성 입자, 도전성 분체, 도전성 고분자 조성물 및 이방성 도전 시트 Download PDF

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Abstract

종래보다 체적 저항률이 특별히 작아 도전성이 양호하며, 바람직하게는 저렴한 도전성 입자, 도전성 분체, 도전성 고분자 조성물 및 이방성 도전 시트를 제공한다. 도전성 입자(10)는 5~15질량% 이하의 P를 포함하는 구상의 Ni 코어(11)의 표면을 덮는 제 1 도금층(12)(순Ni 도금층 또는 4.0질량% 이하의 P를 포함하는 Ni 도금층)을 갖는다. 또한, 도전성 입자는 제 1 도금층(12)의 표면을 덮는 두께가 5~200㎚인 Au 도금층을 가질 수도 있다. 도전성 분체는 도전성 입자를 포함하는 분체이며, 메디안 지름(d50)이 3~100㎛이고, 또한 (d90-d10)/d50≤0.8이다. 도전성 고분자 조성물은 상기 도전성 분체와 고분자를 포함한다. 이방성 도전 시트는 상기 도전성 고분자 조성물로 형성되고, 상기 도전성 입자가 두께방향으로 배열되어 있다.

Description

도전성 입자, 도전성 분체, 도전성 고분자 조성물 및 이방성 도전 시트{CONDUCTIVE PARTICLES, CONDUCTIVE POWDER, CONDUCTIVE POLYMER COMPOSITION AND ANISOTROPIC CONDUCTIVE SHEET}
본 발명은 도전성 입자, 도전성 분체, 도전성 고분자 조성물 및 이방성 도전 시트에 관한 것이다.
최근 P 등의 반금속을 포함하는 구상의 Ni 합금 입자를 코어로 하는 도전성 입자, 그 도전성 입자의 집합체인 도전성 분체, 그 도전성 분체를 사용한 도전성 고분자 조성물, 및 그 도전성 고분자 조성물을 사용한 도전 시트(도전 필름)는 전자부품 간의 전기적인 접속을 행하는 용도 등으로 널리 사용되고 있다. 특히, 소형 전기기기(예를 들면 휴대전화 등)에서는 두께방향으로 특별한 도전성을 갖는 이방성 도전 시트나 이방성 도전 필름이 널리 이용되고 있다.
상술한 Ni 합금 입자는 자체로도 도전성 입자이지만 도전성이 우수함과 아울러 금속 특성적으로 안정된 Au 도금층을 표면에 형성하는 것이 일반적으로 행해지고 있다. 예를 들면, 특허문헌 1에는 반금속(C, B, P, Si, As, Te, Ge, Sb 등)을 포함하는 결정질의 Ni 합금 입자(코어)와, 그 코어의 표면에 1㎛ 이하의 두께의 Au 도금층을 갖는 구성의 도전성 입자가 기재되어 있다. 특허문헌 2에는 Ni를 주체로 P를 포함하고, NiP 금속간 화합물이 분산된 표층부를 갖는 구상 NiP 미소 입자(코어)와, 그 코어의 표면에 Au 도금층을 갖는 구성의 도전성 입자가 기재되어 있다. 특허문헌 3에는 Ni, P, 및 Cu를 포함하고, 또한 Sn을 포함할 수 있는 환원 석출형 구상 NiP 미소 입자(코어)와, 그 제조 방법, 및 그 코어의 표면에 Au를 갖는 구성의 도전성 입자가 기재되어 있다.
또한, 특허문헌 4, 5에는 도전성 미립자의 최표면에 Pd층을 갖는 구성의 도전성 입자가 기재되어 있다. 특허문헌 4에는 예를 들면 수지 미립자(코어)의 표면에 Ni 및 7질량% 이상의 P를 포함하는 두께가 예를 들면 40㎚~150㎚인 도금층을 갖고, 또한 최표면에 두께가 예를 들면 10㎚~50㎚인 Pd층을 갖는 구성의 도전성 입자가 기재되어 있다. 특허문헌 5에는 재질이 한정되지 않는 심재 입자(코어)의 표면에 Ni 및 1질량% 이상 10질량% 미만의 P를 포함하는 결정 구조의 하지 피막을 갖고, 그 하지 피막의 표면에 Ni, P, 및 M(W, Pd, Pt, 및 Mo 중 1종 이상)을 포함하는 결정 구조의 상층 피막을 갖고, 또한 Au 또는 Pd로 이루어지는 최외층 피막을 갖는 구성의 도전성 입자가 기재되어 있다.
일본특허공개 2002-363603호 공보 일본특허공개 2006-131978호 공보 일본특허공개 2009-197317호 공보 일본특허공개 2011-175951호 공보 일본특허공개 2014-13660호 공보
특허문헌 1~3에 기재된 도전성 입자는 Ni 및 P 등을 포함하는 Ni 입자(이하, 「NiP 입자」라고 한다)가 코어로서 사용되고 있다. NiP 입자는 자체로도 도전성 입자이며, 예를 들면 환원제에 하이포아인산을 사용하는 습식 무전해 환원반응에 의해 제조되고 있다. 그러나, P 등을 포함하는 NiP 입자는 P 등을 포함하지 않는 고순도의 Ni 입자(이하, 「순Ni 입자」라고 한다)보다 체적 저항값이 커서 도전성이 낮다. 순Ni 입자는 예를 들면 환원제에 히드라진을 사용하는 습식 무전해 환원반응에 의해 제조할 수 있지만 제조가능한 최대 입자경은 예를 들면 5㎛이다. 이 때문에, 예를 들면 20㎛~50㎛의 입자경이 요구되는 경우, NiP 입자가 사용되고 있었다. 또한, 특허문헌 4, 5에 기재된 도전성 입자는 코어로서 비금속 입자도 사용할 수 있다. 그러나, 비금속 입자의 체적 저항률은 NiP 입자보다 현격히 커서 도전성이 낮다.
상술한 바와 같이 코어의 체적 저항률이 커서 도전성이 낮은 경우, 그 코어 자체의 체적 저항률에 착안되는 일 없이 특허문헌 1~5 모두에 기재되어 있는 바와 같이 코어가 되는 NiP 입자나 비금속 입자의 표면에 도전성이 좋은 Au 도금층을 형성함으로써 입자 전체의 체적 저항률을 작게 해서 도전성을 높이는 것이 독점적이었다. 그러나, Au 도금층은 도전성의 경년 변화가 거의 없어 다용되고 있지만 고가이다. Au 대신에 예를 들면 Ag, Cu, Al등의 적용도 생각할 수 있다. 그러나, Ag는 Au보다 도전성이 좋지만 마이그레이션, 황화, 산화 등의 문제가 있다. Cu나 Al은 도전성이 좋지만 산화 등의 문제가 있다. 또한 Al은 수용성 도금을 할 수 없기 때문에 Al층의 형성이 고비용이 되는 문제가 있다. 또한, 종래부터 사용되고 있는 Pd 도금층은 같은 두께의 Au 도금층보다 도전성이 낮기 때문에 두께를 충분히 크게 할 필요가 있었다.
본 발명의 목적은 최표면에 Au 도금층을 갖지 않는 NiP 입자로 이루어지는 도전성 입자를 대상으로 했을 때에 종래보다 체적 저항률이 특별히 작은 도전성 입자를 제공하는 것이다.
또한, 최표면에 Au 도금층을 갖는 NiP 입자로 이루어지는 도전성 입자를 대상으로 했을 때에 종래보다 체적 저항률이 작은 도전성 입자를 제공하고, 요구되는 도전 성능에 따라서는 종래보다 Au 도금층의 두께가 작은 저렴한 도전성 입자를 제공하는 것이다.
또한, NiP 입자로 이루어지는 종래보다 체적 저항률이 작은 도전성 입자를 적용하고, 그 도전성 입자의 집합체인 도전성 분체, 그 도전성 분체를 사용한 도전성 고분자 조성물, 및 그 도전성 고분자 조성물을 사용한 이방성 도전 시트를 제공하는 것이다.
본 발명자는 NiP 입자에 포함되는 P량과 NiP 입자의 체적 저항률의 관계를 찾아냄과 아울러 종래의 환원제에 하이포아인산을 사용하는 습식 무전해 환원반응에 의해 제조된 NiP 입자에도 적용할 수 있는 도전성 입자의 신규한 구성을 찾아내어 본 발명에 도달했다.
즉, 본 발명의 실시형태의 도전성 입자는 5질량% 이상 15질량% 이하의 P를 포함하는 구상의 Ni 코어와, 상기 Ni 코어의 표면을 덮는 제 1 도금층을 갖고, 상기 제 1 도금층은 순Ni 도금층 또는 4.0질량% 이하의 P를 포함하는 Ni 도금층이다. 상기 제 1 도금층의 두께는 0.1㎛ 이상 10㎛ 이하이다.
소정 실시형태에 있어서, 상기 Ni 코어의 직경은 1㎛ 이상 100㎛ 이하이다.
소정 실시형태에 있어서, 상기 제 1 도금층의 표면을 덮는 제 2 도금층을 갖고, 상기 제 2 도금층은 두께가 5㎚ 이상 200㎚ 이하인 Au 도금층이다.
본 발명의 실시형태에 의한 도전성 분체는 상기 어느 하나의 도전성 입자를 포함하는 분체이며, 적산 체적 분포 곡선에 있어서의 메디안 지름(d50)이 3㎛ 이상 100㎛ 이하이며, 또한 (d90-d10)/d50≤0.8이다.
본 발명의 실시형태에 의한 도전성 고분자 조성물은 상기 도전성 분체와 고분자를 포함하고, 상기 고분자는 예를 들면 고무, 열 가소성 수지, 열 경화성 수지, 또는 광 경화성 수지이다.
본 발명의 실시형태에 의한 이방성 도전 시트는 상기 도전성 고분자 조성물로 형성되고, 상기 도전성 입자가 두께방향으로 배열되어 있다.
(발명의 효과)
본 발명에 의하면, 최표면에 Au 도금층을 갖지 않는 NiP 입자로 이루어지는 도전성 입자의 체적 저항률을 종래보다 특별히 작게 할 수 있다. 또한, 최표면에 Au 도금층을 갖는 NiP 입자로 이루어지는 도전성 입자의 체적 저항률을 종래보다 작게 할 수 있다. 또한, 이 구성에 있어서, 요구되는 도전 성능에 따라서는 종래보다 Au 도금층의 두께가 작은 저렴한 도전성 입자를 제공할 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시형태인 도전성 입자의 적용에 의해 종래보다 체적 저항률이 작은 도전성 입자, 즉 도전성이 좋은 도전성 입자의 집합체인 도전성 분체가 얻어지고, 그 도전성 분체를 사용한 도전성이 좋은 도전성 고분자 조성물 및 이방성 도전 시트가 얻어진다.
도 1은 본 발명의 실시형태에 의한 도전성 입자의 단면 이미지를 나타내는 도면이다.
도 2는 본 발명의 다른 실시형태에 의한 도전성 입자의 단면 이미지를 나타내는 도면이다.
도 3은 실시예 2의 도전성 입자(10a)의 단면 SEM상을 나타내는 도면(사진)이다.
도 4는 도전성 입자의 체적 저항률의 측정에 사용한 장치의 구성을 나타내는 도면이다.
본 발명에 있어서의 중요한 특징은 P를 포함하는 구상의 Ni 코어(NiP 입자)의 표면에 순Ni 도금층 또는 소량의 P를 포함하는 Ni 도금층을 갖는 구성에 있다.
본 발명의 실시형태의 도전성 입자는 5질량% 이상 15질량% 이하의 P를 포함하는 구상의 Ni 코어와, 상기 Ni 코어의 표면을 덮는 제 1 도금층을 갖고, 상기 제 1 도금층은 순Ni 도금층 또는 4.0질량% 이하의 P를 포함하는 Ni 도금층이다. 상술한 바와 같이 환원제에 하이포아인산을 사용하는 것이 일반적인 종래의 NiP 입자에는 P가 5질량% 이상 포함된다. 따라서, 본 발명에 의한 상기 제 1 도금층은 상기 Ni 코어에 있어서의 P의 함유 비율보다 확실하게 작아지도록 P의 함유 비율의 불균일을 고려하여 4.0질량% 이하의 P를 포함하는 Ni 도금층으로 한다. 또한, 상기 Ni 도금층에 있어서의 P가 0.1질량% 미만이면 상기 제 1 도금층은 실질적으로 P를 포함하지 않는 순Ni 도금층에 상당한다. 이 구성에 의해 본 발명에 의한 도전성 입자는 종래의 NiP 입자보다 특별히 작은 체적 저항률을 가질 수 있다.
이하, 적당히 도면을 참조하여 본 발명의 실시형태에 의한 도전성 입자, 도전성 분체, 도전성 고분자 조성물 및 이방성 도전 시트에 대하여 설명한다.
도 1에 본 발명의 실시형태에 의한 도전성 입자(10)의 단면 이미지를 나타낸다. 도전성 입자(10)는 Ni 및 P를 포함하는 구상의 Ni 코어(11)(NiP 입자)와, Ni 코어(11)의 표면을 덮는 제 1 도금층(12)을 갖는다. 본 발명에서 말하는 구상은 예를 들면 이방성 도전 시트에 사용하는 경우는 편평한 형상이 아닌 것이 요구되는 점에서 0.80 이상의 진구도를 갖는 진구 또는 그것에 가까운 형상을 상정하고 있지만 이것에 한정되지 않아도 좋다. 또한, 진구도란 진구로부터의 차이를 나타내고, 복수개의 각 입자의 직경을 장경으로 나누었을 때에 산출되는 산술평균값이며, 값이 상한인 1.00에 가까울수록 진구에 가까운 것을 나타낸다.
또한, 도 2에 본 발명의 다른 실시형태에 의한 도전성 입자(10a)의 단면 이미지를 나타낸다. 도전성 입자(10a)는 Ni 및 P를 포함하는 구상의 Ni 코어(11)(NiP 입자)와, Ni 코어(11)의 표면을 덮는 제 1 도금층(12)과, 제 1 도금층(12)의 표면을 덮는 Au 도금층(13)을 갖는다. 또한, 설명을 간편하게 하기 위해서 도 1과 도 2에서 부호를 공용하고 있다.
도전성 입자(10, 10a)에 사용하는 Ni 코어(11)의 직경(입경)은 예를 들면 1㎛ 이상 100㎛ 이하인 것이 바람직하다. Ni 코어(11)의 직경이 1㎛ 미만이면 Ni 코어(11)의 응집이 심해지므로 Ni 코어(11)를 집합체(분체)로서 취급하는 것이 용이하지 않게 된다. Ni 코어(11)의 직경이 100㎛를 초과하면 도전 경로로부터 밀려나와 예를 들면, 인접 배선 간의 쇼트를 야기할 가능성이 높아진다. 또한, Ni 코어(11)의 직경은 3㎛ 이상인 것이 바람직하고, 30㎛ 이하인 것이 바람직하다. Ni 코어(11)의 직경이 3㎛ 이상이면 제 1 도금층을 형성할 때의 도금 처리에 있어서 Ni 코어(11)의 응집이 완화되므로 실용적이다. Ni 코어(11)의 직경이 30㎛ 이하이면 도전 경로로부터의 밀려나옴이 없어지거나, 또는 저감된다.
Ni 코어(11)를 사용한 도전성 입자(10, 10a)의 집합체로서의 도전성 분체 (이하, 「Ni 분체」라고 한다)는 적산 체적 분포 곡선에 있어서의 메디안 지름(d50)이 3㎛ 이상 100㎛ 이하이며, 또한 (d90-d10)/d50≤0.8인 것이 바람직하다. 메디안 지름(d50)은 Ni 분체의 평균 입경의 기준으로 할 수 있다. 또한, (d90-d10)/d50이 0.8을 초과하면 입경의 불균일이 크고, 도전 경로에 있어서 배선 또는 전극에 접촉하지 않는 소입경의 도전성 입자가 존재하게 되므로 접속 신뢰성이 저하할 가능성이 있다. d10 및 d90은 각각 적산 체적분율이 10% 및 90%가 되는 입경을 나타낸다. 또한, 본 명세서에 있어서의 입도 분포는 특별히 설명하지 않는 한, 레이저 회절 산란법에 의해 구해지는 것을 가리킨다.
도전성 입자(10, 10a)의 Ni 코어(11)로서 예를 들면 특허문헌 2 또는 3에 기재된 도전성 입자를 바람직하게 사용할 수 있다. 특허문헌 3에 기재된 제조 방법에 의해 제조된 도전성 분체인 Ni 분체는 단분산이며, 또한 입도 분포가 좁으므로 (d90-d10)/d50≤0.8의 관계를 만족하는 Ni 분체를 용이하게 제조할 수 있다는 이점을 갖고 있다.
Ni 코어(11)는 Ni(니켈)을 주성분으로 하여 P(인)을 포함한다. P는 Ni 코어(11)의 조구(造球) 과정에 있어서, Ni의 환원 석출에 의한 코어의 성장을 촉진할 목적으로 반응 처리액 중의 출발 성분으로서 첨가할 수 있다. P가 Ni 코어(11)에 포함되는 양은 Ni 코어(11) 자체의 체적 저항률을 낮게 한다는 이유로부터 소량일수록 바람직하다. 구체적으로, Ni 코어(11)가 본 발명의 작용 효과를 발휘하기 위해서는 P의 함유량이 15질량% 초과이면 Ni 코어(11)의 체적 저항률의 상승이 현저하므로 전체에 대하여 5~15질량%의 P를 포함하는 것을 사용하고, 바람직하게는 10질량% 이하의 것을 사용한다.
또한, Ni 코어(11)는 상술한 P 외에 전체에 대하여 0.01질량%~18질량%의 Cu(구리)를 포함하는 경우가 있다. Cu는 코어의 성장이나 응집을 억제할 목적으로 반응 처리액 중의 출발 성분으로서 첨가할 수 있다. Cu가 Ni 코어(11)에 포함되는 양은 Ni 코어(11) 자체의 체적 저항률을 낮게 한다는 이유로부터 소량일수록 바람직하다. Cu 함유량이 18질량% 초과가 되면 Ni 코어(11)와 제 1 도금층(12)의 밀착성이 저하할 가능성도 있다.
또한, Ni 코어(11)는 상기한 P 및 Cu 외에 전체에 대하여 0.05질량%~10질량%의 Sn(주석)을 포함하는 경우가 있다. Sn은 Cu와 마찬가지로 코어의 성장이나 응집을 억제할 목적으로 반응 처리액 중의 출발 성분으로서 첨가할 수 있다. Sn이 Ni 코어(11)에 포함되는 양은 Ni 코어(11) 자체의 체적 저항률을 낮게 한다는 이유로부터 소량일수록 바람직하다. Sn의 함유량이 10질량% 초과가 되면 Ni 코어(11)와 제 1 도금층(12)의 밀착성이 저하할 가능성도 있다.
상술한 Cu 및 Sn은 Ni 코어(11)에 사용되는 분체를 제조할 때에 핵 생성 반응의 촉매독으로서 작용하기 때문에 단분산에서 입도 분포가 좁은 분체를 용이하게 제조하는 것이 가능해진다. 또한, Cu 및 Sn은 NiP 도전성 입자의 성장 과정에 있어서 공석한다.
Ni 코어(11)의 표면에 형성하는 제 1 도금층(12)은 순Ni 도금층 또는 4.0질량% 이하의 P를 포함하는 Ni 도금층(이하, 「저P-Ni 도금층」이라고 한다)이라고 한다. 순Ni 도금층은 무전해 도금법이나 전해 도금법에 의해 형성할 수 있다. 저P-Ni 도금층은 일반적으로 무전해 환원 도금법에 의해 형성된다.
제 1 도금층(12)의 두께는 0.1㎛ 이상 10㎛ 이하인 것이 바람직하다. 제 1 도금층(12)의 두께가 0.1㎛ 미만에서는 Ni 코어(11)의 표면에 제 1 도금층(12)을 갖는 입자(도전성 입자(10))의 체적 저항률이 충분히 작아지지 않을 가능성이 있다. 또한, Ni 코어(11)의 표면에 제 1 도금층(12)을 갖는 입자(도전성 입자(10))의 체적 저항률은 제 1 도금층(12)의 두께를 10㎛를 초과하여 크게 해도 그 두께의 증분에 걸맞는 만큼의 특별한 변화가 없으므로 비용적으로 효과가 없으며 실용적이지 않다.
Ni 코어(11)의 표면에 제 1 도금층(12)을 형성하고, 그 제 1 도금층(12)의 표면에 Au 도금층(13)을 더 형성한 입자(도전성 입자(10a))를 형성하는 것은 바람직하다. 최표면에 Au 도금층(13)을 갖는 도전성 입자(10a)는 Ni 코어(11)의 표면에 제 1 도금층(12)을 갖는 입자(도전성 입자(10))보다 체적 저항률을 작게 할 수 있다. Au 도금층(13)은 일반적으로 무전해 도금법에 의해 형성되지만 무전해 환원 도금법에 의한 것보다 무전해 치환 도금법에 의한 것이 바람직하다. 무전해 치환 도금법에 의해 형성된 Au 도금층(13)(무전해 치환 Au 도금층)은 무전해 환원 Au 도금층보다 제 1 도금층(12)(순Ni 도금층 또는 저P-Ni 도금층)과의 밀착성이 좋다.
Au 도금층(13)의 두께는 5㎚ 이상 200㎚ 이하인 것이 바람직하다. Au 도금층(13)의 두께가 5㎚ 미만에서는 도전성 입자(10a)의 체적 저항률이 Ni 코어(11)의 표면에 제 1 도금층(12)을 갖는 입자(도전성 입자(10))보다 충분하 작아지지 않을 가능성이 있다. 또한, 도전성 입자(10a)의 체적 저항률은 Au 도금층(13)의 두께를 200㎚를 초과해서 크게 해도 그 두께의 증분에 걸맞는 만큼의 특별한 변화가 없으므로 비용적으로 효과가 없으며 실용적이지 않다. 이러한 체적 저항률의 저감 효과 및 비용적인 관점으로부터 Au 도금층(13)의 보다 바람직한 두께는 10㎚ 이상 100㎚ 이하이다. 두께가 큰 예를 들면 50㎚ 이상 200㎚ 이하의 Au 도금층을 형성하는 경우, 무전해 치환 Au 도금 및 무전해 환원 Au 도금을 하나의 도금 처리 중에 행하는 무전해 치환·환원 도금법에 의하거나, 또는 무전해 치환 도금법에 의해 두께가 예를 들면 50㎚인 Au 도금층을 형성한 후에 무전해 환원 도금법에 의해 Au 도금층의 두께를 예를 들면 150㎚까지 크게 하는 도금 처리에 의하면 좋다.
본 발명의 실시형태에 의한 도전성 입자(10)는 Ni 코어(11)와, Ni 코어(11)의 표면을 덮는 제 1 도금층(12)(순Ni 도금층 또는 저P-Ni 도금층)을 가지므로 종래의 NiP 입자(도전성 입자)에 비해 체적 저항률을 특별히 작게 할 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시형태인 도전성 입자(10)의 적용에 의해 종래의 NiP 입자를 사용하는 것보다 체적 저항률이 작아 도전성이 좋은 Ni 분체(도전성 분체)를 얻을 수 있다. 또한, 그 Ni 분체를 사용한 도전성이 좋은 도전성 고분자 조성물 및 이방성 도전 시트를 얻을 수 있다.
또한, 본 발명의 다른 실시형태 의한 도전성 입자(10a)는 제 1 도금층(12)(순Ni 도금층 또는 저P-Ni 도금층)보다 도전성이 좋은 Au 도금층(13)이 도전성 입자(10)의 표면을 덮고 있으므로 도전성 입자(10)보다 체적 저항률을 더 작게 할 수 있다. 따라서, 본 발명의 다른 실시형태인 도전성 입자(10a)의 적용에 의해 종래의 NiP 입자의 표면에 Au 도금층을 갖는 도전성 입자를 사용하는 것보다 체적 저항률이 작아 도전성이 좋은 Ni 분체(도전성 분체)를 얻을 수 있다. 또한, 그 Ni 분체를 사용한 도전성이 좋은 도전성 고분자 조성물 및 이방성 도전 시트를 얻을 수 있다.
본 발명에 의한 실시형태의 도전성 입자(10, 10a)는 예를 들면, 이하의 방법으로 제조할 수 있다.
우선, P를 포함하는 구상의 Ni 코어(11)의 집합체인 Ni 분체를 준비한다. 이 경우, 특허문헌 3에 기재된 방법으로 제조된 Ni 분체가 바람직하다.
구체적으로는 황산니켈 6수화물과 황산구리 5수화물과 주석산 나트륨 3수화물을 Ni와 Cu와 Sn의 몰비가 0.29:0.01:0.05가 되도록 조제해서 순수에 용해하고, 금속염 수용액을 15(d㎥) 제작했다. 또한, 황산구리 5수화물이나, 주석산 나트륨 3수화물을 더 배합함으로써 상술한 바와 같이 Cu나, Sn을 더 포함하는 NiP 입자가 제작되지만 NiP 입자경(입경)이 고르기 쉬워 용이하고 또한 안정된 입자의 대경화가 가능해지는 등의 작용 효과를 발휘한다. 이어서, 아세트산 나트륨을 순수에 용해해서 1.0(kmol/㎥)의 농도로 하고, 또한 수산화나트륨을 첨가하여 pH 조제 수용액을 15(d㎥) 제작했다. 그리고, 상기 금속염 수용액과 pH 조제 수용액을 교반 혼합하여 30(d㎥)의 혼합 수용액으로 하고, pH를 측정하면 8.1의 값을 나타냈다. 그리고, 상기 혼합 수용액을 N2 가스로 버블링하면서 외부 히터에 의해 343(K)으로 가열 유지하고, 교반을 계속했다. 이어서, 순수에 1.8(kmol/㎥)의 농도로 포스핀산 나트륨(하이포아인산 나트륨)을 용해한 환원제 수용액을 15(d㎥) 제작하고, 이쪽도 외부 히터에 의해 343(K)로 가열했다. 그리고, 상기 30(d㎥)의 혼합 수용액과 15(d㎥)의 환원제 수용액을 온도가 343±1(K)가 되도록 조제한 후에 혼합했다.
이렇게 해서 준비한 무전해 환원 도금액을 이용하여 무전해 환원 도금법에 의해 Ni 분체를 얻었다. 제조된 Ni 분체를 구성하는 Ni 코어(11)는 P가 7.4질량%, Cu가 3.9질량%, Sn이 0.3질량% 포함되고, 잔부가 Ni인 성분 조성을 갖고 있었다. 또한, 무전해 환원 도금액 중에 Cu원인 황산구리 5수화물이나 Sn원인 주석산 나트륨 3수화물을 배합하지 않아도 상술한 방법과 마찬가지로 해서 NiP 입자를 제작할 수 있다. 이 경우, NiP 입자에는 Cu나 Sn은 포함되지 않는다.
이하, 실시예 1~7 및 비교예 1, 2에서는 Ni 코어에 사용하는 Ni 분체는 메디안 지름(d50)이 20㎛이며, (d90-d10)/d50이 0.7인 것을 사용했다. 또한, 비교예 3에서는 Ni 코어에 사용하는 Ni 분체는 메디안 지름(d50)이 6㎛이며, (d90-d10)/d50이 0.7인 것을 사용했다.
(실시예 1)
상술한 방법으로 제조한 Ni 코어(11)를 사용해서 Ni 코어(11)의 표면에 저P-Ni 도금층(제 1 도금층(12))을 형성했다. 구체적으로는 소정의 성분 조성을 갖는 무전해 환원 Ni 도금액(이하, 「Ni 도금액」이라고 한다)을 준비하고, 외부 히터 을 이용하여 가열해서 Ni 도금액의 온도를 소정으로 조정했다. 계속해서, Ni 도금액을 교반하면서 액 중의 Ni 농도를 소정으로 조정했다. 그 후, 그 Ni 도금액 중에 산 처리를 행하여 표면의 산화막을 제거한 후에 수세한 Ni 코어(11)를 투입했다. 그리고, 무전해 환원 도금법에 의해 Ni 코어(11)의 표면에 두께가 약 1.3㎛인 저P-Ni 도금층(제 1 도금층(12))을 갖는 도전성 입자(10)를 얻었다. 이 저P-Ni 도금층을 에너지 분산형 X선 분광법(EDX: Energy Dispersive X-ray Spectroscopy)에 의해 정성 분석한 결과, P를 1.4질량% 포함하고, 잔부가 Ni이었다.
(실시예 2)
실시예 1에서 얻어진 도전성 입자(10)의 표면에, 즉 저P-Ni 도금층(제 1 도금층(12))의 표면에 Au 도금층(13)(제 2 도금층)을 더 형성했다. 구체적으로는 무전해 치환 Au 도금액(이하, 「치환형 Au 도금액」이라고 한다)을 준비하고, 외부 히터를 이용하여 가열해서 치환형 Au 도금액의 온도를 소정으로 조정했다. 계속해서, 치환형 Au 도금액을 교반하면서 액 중의 시안화 Au 칼륨 농도를 조정함으로써 Au 농도를 소정으로 조정했다. 그 후, 치환형 Au 도금액 중에 산 처리 및 수세를 행한 도전성 입자(10)를 투입했다. 그리고, 무전해 치환 도금법에 의해 저P-Ni 도금층의 표면에 두께가 약 20㎚인 무전해 Au 도금층(제 2 도금층)을 갖는 도전성 입자(10a)를 얻었다.
(실시예 3)
상술한 실시예 1과 마찬가지로 Ni 도금액 중의 Ni 농도를 변경한 무전해 환원 도금법에 의해 Ni 코어(11)의 표면에 두께가 약 2.6㎛인 저P-Ni 도금층(제 1 도금층(12))을 갖는 도전성 입자(10)를 얻었다. 이 저P-Ni 도금층을 EDX에 의해 정성 분석한 결과, P를 1.3질량% 포함하고, 잔부가 Ni이었다.
(실시예 4)
또한, 상술한 실시예 2와 마찬가지로 무전해 치환 도금법에 의해 실시예 3에서 얻어진 도전성 입자(10)의 저P-Ni 도금층(제 1 도금층(12))의 표면에 두께가 약 20㎚인 무전해 Au 도금층(제 2 도금층)을 갖는 도전성 입자(10a)를 얻었다.
도 3에 실시예 4에서 얻어진 Ni 코어(11)와, 저P-Ni 도금층(제 1 도금층(12))과, Au 도금층(13)을 갖는 도전성 입자(10a)에 대해서 그 단면의 주사형 전자 현미경(SEM: Scanning Electron Microscope)에 의한 관찰상(단면 SEM상)을 나타낸다. NiP 코어(11)의 주위를 저P-Ni 도금층(제 1 도금층(12))이 덮고 있는 모양이 확인된다. 또한, 도 3에 나타내는 단면 SEM상에 있어서 약 20㎚의 두께의 Au 도금층(13)의 존재를 확인하는 것은 어렵다.
(실시예 5)
상술한 실시예 3에서 얻어진 Ni 코어(11)의 표면에 두께가 약 2.6㎛인 저P-Ni 도금층(제 1 도금층(12))을 갖는 도전성 입자(10)를 사용하고, 그 표면에 두께가 약 100㎚인 Au 도금층(13)(제 2 도금층)을 갖는 도전성 입자(10a)를 얻었다. 구체적으로는 하나의 도금 처리에 있어서, 무전해 치환 Au 도금 처리와 무전해 환원 Au 도금 처리를 실질적으로 동시에 행할 수 있는 범용의 무전해 Au 도금액을 준비하고, 외부 히터를 이용하여 가열해서 무전해 Au 도금액의 온도를 소정으로 조정했다. 계속해서, 무전해 Au 도금액을 교반하면서 액 중의 시안화 Au 칼륨 농도를 조정함으로써 Au 농도를 소정으로 조정했다. 그 후, 무전해 Au 도금액 중에 산 처리 및 수세를 행한 도전성 입자(10)를 투입했다. 그리고, 무전해 치환 Au 도금법 및 무전해 환원 Au 도금법에 의해 저P-Ni 도금층(제 1 도금층(12))의 표면에 두께가 약 100㎚인 무전해 Au 도금층(제 2 도금층)을 갖는 도전성 입자(10a)를 얻었다.
(실시예 6)
상술한 방법으로 제조한 Ni 코어(11)를 사용하여 Ni 코어(11)의 표면에 P 등의 반금속이 실질적으로 포함되지 않은 고순도의 순Ni 도금층(제 1 도금층(12))을 형성했다. 구체적으로는 도금층 중에 P 등의 Ni 이외의 원소가 포함되기 어려운 소정의 성분 조성을 갖는 무전해 환원 Ni 도금액(이하, 「순Ni 도금액」이라고 한다)을 준비하고, 외부 히터를 이용하여 가열해서 순Ni 도금액의 온도를 소정으로 조정했다. 계속해서, 순Ni 도금액을 교반하면서 액 중의 Ni 농도를 소정으로 조정했다. 그 후, 그 순Ni 도금액 중에 산 처리를 행하여 표면의 산화막을 제거한 후에 수세한 Ni 코어(11)를 투입했다. 그리고, 무전해 환원 도금법에 의해 Ni 코어(11)의 표면에 두께가 약 0.9㎛이며 P가 0.1질량% 미만인 순Ni 도금층(제 1 도금층(12))을 갖는 도전성 입자(10)를 얻었다.
(실시예 7)
또한, 상슬한 실시예 1과 마찬가지로 무전해 치환 도금법에 의해 실시예 6에서 얻어진 도전성 입자(10)의 순Ni 도금층(제 1 도금층(12))의 표면에 두께가 약 20㎚인 무전해 Au 도금층(제 2 도금층)을 갖는 도전성 입자(10a)를 얻었다.
(비교예 1)
상술한 방법으로 제조한 Ni 코어(11)를 비교예 1로 한다. 즉, Ni 코어(11)는 제 1 도금층(12)(순Ni 도금층 또는 저P-Ni 도금층)이나 제 2 도금층(Au 도금층(13))을 갖지 않기 때문에 실질적으로 종래의 NiP 입자와 동등한 도전성 입자라고 생각해도 좋다.
(비교예 2)
상술한 방법으로 제조한 Ni 코어(11)를 사용하여 Ni 코어(11)의 표면에 Au 도금층을 형성했다. 구체적으로는 상술한 실시예 1과 마찬가지로 무전해 치환 도금법에 의해 Ni 코어(11)의 표면에 두께가 약 20㎚인 무전해 Au 도금층을 갖는 도전성 입자(이하, 「Ni 코어 Au 도금 입자」라고 한다)를 얻었다.
(비교예 3)
상술한 Ni 코어(11)와 같은 방법에 의해 P가 7.9질량%, Cu가 3.3질량%, Sn이 0.4질량% 포함되고, 잔부가 Ni인 성분 조성을 갖는 입자의 직경(입경)이 6㎛인 Ni 코어(11)(이하, 실시예 1~4 및 비교예 1, 2에 있어서의 Ni 코어(11)와 구별하기 위해서 「Ni 코어(11a)」라고 한다)를 얻었다. 계속해서, 얻어진 Ni 코어(11a)의 표면이 Pd(팔라듐)으로 이루어지는 Pd 도금층을 형성했다. 구체적으로는 소정의 성분 조성을 갖는 무전해 환원 Pd 도금액(이하, 「Pd 도금액」이라고 한다)을 준비하고, 외부 히터를 이용하여 가열해서 Pd 도금액의 온도를 소정으로 조정했다. 계속해서, Pd 도금액을 교반하면서 액 중의 Pd 농도를 소정으로 조정했다. 그 후, 그 Pd 도금액 중에 산 처리를 행하여 표면의 산화막을 제거한 후에 수세한 Ni 코어(11a)를 투입했다. 그리고, 무전해 환원 도금법에 의해 Ni 코어(11a)의 표면에 두께가 약 30㎚인 무전해 Pd 도금층을 갖는 도전성 입자(이하, 「Ni 코어 Pd 도금 입자」라고 한다)를 얻었다.
상술한 바와 같이 해서 얻어진 실시예 1~7 및 비교예 1~3의 각각의 도전성 입자에 대해서 표 1에 Ni 코어의 직경(입경), 제 1 도금층 및 제 2 도금층의 종류와 두께, 및 체적 저항률을 나타낸다.
Figure 112017048210412-pct00001
도전성 입자의 체적 저항률 Rc는 그 도전성 입자의 집합체인 도전성 분체를 시료 분체로 해서 도 4에 나타내는 구성의 측정 장치를 이용하여 측정했다. 구체적으로는 저부에 동제 지그(22)를 설치한 내경 D의 실린더(21) 내에 1.15g의 시료 분체(20)를 수용하고, 동제 피스톤(23)에 의해 실린더(21)의 개구측으로부터 화살표(24)의 방향으로 약 22MPa의 하중을 가한 상태에서 동제 지그(22)와 동제 피스톤(23)의 간격 L을 일정하게 유지했다. 또한, 동제 지그(22)와 동제 피스톤(23)은 서로의 저항값이 거의 동등해지도록 제작했다. 계속해서, 동제 지그(22)와 동제 피스톤(23) 사이에서 통전하고, 시판의 저항계(HIOKI E.E.Corporation제 저항계 3541)에 의해 저항값 Rm을 측정했다. 이렇게 해서 측정한 전체의 저항값 Rm(Ω)과, 동제 지그(22) 및 동제 피스톤(23)의 저항값 Rj(Ω)와, 상기 내경 D(m) 및 상기 간격 L(m)에 의해 Rc=(Rm-Rj)×π×(D/2)2/L의 식을 이용하여 도전성 입자의 체적 저항률 Rc(Ωm)를 구했다.
순Ni 도금층 및 저P-Ni 도금층의 두께는 도전성 입자의 단면 SEM상에 있어서 관찰된 상기 도금층의 복수의 개소에서 두께를 계측해서 산술적 평균에 의해 구했다. 또한, 제 1 도금층을 갖는 경우의 Au 도금층 및 Pd 도금층의 두께는 도전성 입자의 화학 성분 및 질량과, Ni 코어의 밀도와 입경(메디안 지름) 및 총 표면적과, 도금층을 구성하는 Au, Pd 등의 원소의 이론 밀도를 이용하여 도금층의 두께(㎛)= (도금층의 질량%/100)×(1/도금층을 구성하는 원소의 밀도(g/㎤))×(1/제 1 도금층을 갖는 Ni 코어의 총 표면적(㎠))×10000의 식을 이용하여 구했지만 제 1 도금층을 갖지 않는 경우는 상기 총 표면적을 Ni 코어의 총 표면적(㎠)으로 했다. 도전성 입자의 화학 성분은 일정량의 도전성 입자를 예를 들면 왕수에 용해하고, 순수로 희석한 후, ICP 발광 분석 장치를 이용하여 분석할 수 있다. 또한, Ni의 용해에는 질산계 용액을 사용할 수도 있다. 또한, Au의 밀도는 19.32g/㎤, Pd의 밀도는 11.99g/㎤, Ni 코어의 밀도는 7.8g/㎤이다. 또한, 제 1 도금층을 갖는 Ni 코어의 총 표면적은 1개의 제 1 도금층을 갖는 Ni 코어의 표면적(메디안 지름(d50)의 구의 표면적)과, 시료 분체에 포함되는 제 1 도금층을 갖는 Ni 코어의 총수의 곱으로 했다.
(도전성 입자(10)의 체적 저항률)
표 1에 나타내는 체적 저항률에 있어서, 본 발명에 의한 Ni 코어(11)의 표면에 제 1 도금층(12)(저P-Ni 도금층 또는 순Ni 도금층)을 갖는 도전성 입자(10)(실시예 1, 3, 6)의 경우, 종래의 NiP 입자(비교예 1)의 약 0.03배(실시예 6)에서 약 0.05배(실시예 1)이었다. 따라서, 본 발명에 의한 도전성 입자(10)는 종래의 도전성 입자(NiP 입자)보다 특별히 작은 체적 저항률을 갖고 있는 것이 확인되었다.
(도전성 입자(10a)의 체적 저항률)
표 1에 나타내는 체적 저항률에 있어서, 본 발명에 의한 제 1 도금층(12)의 표면에 Au 도금층(13)을 갖는 도전성 입자(10a)(실시예 2, 4, 5)의 경우, 종래의 Au 도금층 또는 Pd 도금층을 갖는 도전성 입자(비교예 2, 3)의 약 0.29배(실시예 5)에서 약 0.57배(실시예 2)이었다. 따라서, 본 발명에 의한 도전성 입자(10a)는 종래의 도전성 입자(Ni 코어 Au 도금 입자 또는 Ni 코어 Pd 도금 입자)보다 작은 체적 저항률을 갖고 있는 것이 확인되었다.
(제 1 도금층의 두께)
저P-Ni 도금층의 실시예 1과 실시예 3을 비교하면 도금층의 두께가 실시예 1의 2배인 실시예 3은 체적 저항률이 실시예 1의 약 0.76배이었다. 또한, 더 Au 도금층을 두께를 동일하게 해서 형성한 저P-Ni 도금층(실시예 4)과 순Ni 도금층(실시예 7)을 비교하면 양자의 체적 저항률은 동등했다. 따라서, 도 1에 나타내는 도전성 입자(10)의 제 1 도금층(12)에 저P-Ni 도금층을 선정하는 경우, 저P-Ni 도금층의 두께를 크게 하는 것은 바람직하고, 도전성 입자(10)의 체적 저항률을 보다 작게 할 수 있는 것을 알 수 있었다. 이 점은 도 1에 나타내는 도전성 입자(10)의 제 1 도금층(12)에 순Ni 도금층을 선정하는 경우도 동경향인 것으로 생각할 수 있고, 순Ni 도금층의 두께가 커지면 체적 저항률이 작아진다고 생각된다.
(제 1 도금층의 종류)
저P-Ni 도금층(실시예 3)과 순Ni 도금층(실시예 6)을 비교하면 도금층의 두께가 저P-Ni 도금층(실시예 3)의 약 0.35배인 순Ni 도금층(실시예 6)은 체적 저항률이 실시예 3의 약 0.62배이었다. 따라서, 도 1에 나타내는 도전성 입자(10)의 제 1 도금층(12)의 종류를 선정하는 경우, 바람직하게는 순Ni 도금층인 것을 알 수 있었다. 또한, 저P-Ni 도금층은 순Ni 도금층에 비해 도금층의 형성 속도가 크기 때문 도금 처리 시간이 짧아 도금액이 저렴한 등 실용상의 이점이 있다.
(Au 도금층의 두께)
Ni 코어(11) 및 저P-Ni 도금층의 구성이 동일한 도전성 입자(10)의 표면에 두께가 다른 Au 도금층(13)을 형성한 실시예 4와 실시예 5를 비교하면 Au 도금층의 두께가 실시예 4의 5배(80㎚ 크다)인 실시예 5는 체적 저항률이 실시예 4의 약 0.67배(0.1×10-5Ωm 작다)이었다. 따라서, Au 도금층을 보다 두껍게 하는 것도 바람직하지만 저비용화의 관점으로부터 제 1 도금층에 순Ni 도금층을 선정하고, 순Ni 도금층의 두께를 크게 하는 것이 바람직하다고 생각된다.
이상 기술한 바와 같이, 본 발명의 실시형태에 의하면 최표면에 Au 도금층을 갖지 않는 NiP 입자로 이루어지는 도전성 입자의 체적 저항률을 종래보다 특별히 작게 할 수 있는 것을 확인할 수 있었다. 또한, 최표면에 같은 두께의 Au 도금층을 갖는 NiP 입자로 이루어지는 도전성 입자의 경우, 그 체적 저항률을 종래보다 작게 할 수 있는 것을 확인할 수 있었다. 따라서, 본 발명에 의하면 요구되는 도전 성능에 따라서는 종래보다 Au 도금층의 두께를 작게 해서 저비용화할 수 있다고 생각할 수 있다. 구체적으로는 예를 들면 0.7×10- 5Ωm 정도의 체적 저항률의 도전성 입자(비교예 2 상당)가 요구되는 경우, 체적 저항률이 0.4×10- 5Ωm인 도전성 입자(실시예 2)의 Au 도금층의 두께가 20㎚인 것을 참작하면 이 도전성 입자의 Au 도금층의 두께를 10㎚ 정도로 작게 해도 0.7×10- 5Ωm 정도의 체적 저항률을 얻을 수 있다고 생각된다.
본 발명의 실시형태에 의한 도전성 분체는 적산 체적 분포 곡선에 있어서의 메디안 지름(d50)이 3㎛ 이상 100㎛ 이하이며, 또한 (d90-d10)/d50≤0.8이도록 선별 된, 상술한 종래보다 체적 저항률이 작아 도전성이 좋은 본 발명에 의한 도전성 입자의 집합체이다. 이러한 도전성 분체는 본 발명에 의한 도전성 입자의 집합체를 준비하고, 상기 d50이 3㎛ 이상 100㎛ 이하의 범위인 도전성 입자를 예를 들면 체가름법 등에 의해 선별하고, 또한 (d90-d10)/d50≤0.8인 도전성 입자를 마찬가지로 선별함으로써 얻을 수 있다. 실제로는, 예를 들면 상술한 d50이 20㎛이며, (d90-d10)/d50이 0.7인 도전성 분체를 얻을 수 있었다. 따라서, 본 발명에 의한 도전성 분체는 종래보다 체적 저항률이 작고, 입도 분포가 급준하며 불균일이 작은 도전성이 좋은 도전성 분체가 된다.
본 발명의 실시형태에 의한 도전성 고분자 조성물은 상술한 종래보다 체적 저항률이 작아 도전성이 좋은 본 발명에 의한 도전성 입자의 집합체인 도전성 분체와 고분자를 포함한다. 따라서, 본 발명에 의한 도전성 고분자 조성물은 종래보다 체적 저항률이 작아 도전성이 좋은 도전성 고분자 조성물이 된다. 또한, 특별히 설명하지 않는 한, 고분자는 전기 절연성이다. 고분자로서는 용도에 따라 각종 공지의 고분자 재료를 사용할 수 있다. 고분자 재료는 예를 들면 고무, 열 가소성 수지, 열 경화성 수지 또는 광 경화성 수지이다. 본 발명의 실시형태에 의한 도전성 고분자 조성물은 이방성 도전성 시트(ACF), 이방성 도전성 페이스트(ACP) 등에 널리 사용될 수 있다. 도전성 입자의 함유율은 용도에 따라 적당히 설정되지만 체적분율로 대략 3% 이상 50% 이하이며, 바람직하게는 5% 이상 30% 이하이다.
상술한 도전성 분체를 구성하는 도전성 입자(10) 및 도전성 입자(10a)는 종래보다 체적 저항률이 작아 도전성이 좋은 본 발명에 의한 도전성 입자이며, Ni를 주체로 하는 Ni 코어(11)를 가지고 있으므로 강자성을 나타낸다. 따라서, 본 발명에 의한 실시형태의 고분자 조성물의 적용에 따라, 자장에 의해 도전성 입자(10) 또는 도전성 입자(10a)가 두께방향으로 거의 등간격으로 연속적으로 배열된 이방성 도전 시트를 형성할 수 있다. 따라서, 본 발명에 의한 이방성 도전 시트는 두께방향은 종래보다 체적 저항률이 작기 때문에 도전성이 좋고, 두께방향과 직교하는 시트면 방향은 상대적으로 종래보다 도전성이 억제되기 때문에 이방성이 강해진 이방성 도전 시트가 된다. 여기서, 고분자로서 고무(또는 엘라스토머)를 사용하면 감압형 이방성 도전 시트를 얻을 수 있다. 감압형 이방성 도전 시트는 시트의 두께방향으로 가압(압축)했을 때에만 도전성을 나타내고, 가압을 멈추면 절연성으로 되돌아가는 성질을 갖고 있다. 감압형 이방성 도전 시트는 배선 기판이나 반도체 장치 등의 검사 등에 있어서 일시적으로 전기적인 접속을 형성하는 용도에 바람직하게 사용된다. 고무로서는 공지의 각종 고무(엘라스토머를 포함한다)를 사용할 수 있다. 가공성, 내열성 등의 관점으로부터 경화형의 실리콘 고무가 바람직하다.
ACF나 ACP는 액정 표시 장치, 태블릿 PC, 휴대전화 등 전기기기 내에 있어서의 전기적인 접속을 형성하기 위해서도 사용된다. 이들에 용도에 있어서는 고분자는 열 경화성 수지 또는 광 경화성 수지가 사용된다. 열 경화성 수지로서는 예를 들면, 각종 에폭시 수지가 사용되고, 광 경화성 수지로서는 아크릴 수지가 사용된다.
본 발명은 도전성 입자, 도전성 분체, 도전성 고분자 조성물 및 이방성 도전 시트에 적용할 수 있다.
10 도전성 입자 10a 도전성 입자
11 Ni 코어(NiP 입자) 12 제 1 도금층
13 Au 도금층 20 시료 분체
21 실린더 22 동제 지그
23 동제 피스톤 24 화살표

Claims (7)

  1. 5질량% 이상 15질량% 이하의 P를 포함하는 구상의 Ni 코어와, 상기 Ni 코어의 표면을 덮는 제 1 도금층을 갖고, 상기 제 1 도금층은 순Ni 도금층이며, 상기 제 1 도금층의 두께는 0.9㎛ 이상 10㎛ 이하인 도전성 입자.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 Ni 코어의 직경은 1㎛ 이상 100㎛ 이하인 도전성 입자.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 도금층의 표면을 덮는 제 2 도금층을 갖고, 상기 제 2 도금층은 두께가 5㎚ 이상 200㎚ 이하인 Au 도금층인 도전성 입자.
  4. 제 1 항에 기재된 도전성 입자를 포함하는 분체로서, 적산 체적 분포 곡선에 있어서의 메디안 지름(d50)이 3㎛ 이상 100㎛ 이하이며, 또한 [(d90-d10)/d50]≤0.8인 도전성 분체.
  5. 제 4 항에 기재된 도전성 분체와 고분자를 포함하고, 상기 고분자는 고무, 열 가소성 수지, 열 경화성 수지, 또는 광 경화성 수지인 도전성 고분자 조성물.
  6. 제 5 항에 기재된 도전성 고분자 조성물로 형성되고, 상기 도전성 입자가 두께방향으로 배열된 이방성 도전 시트.
  7. 삭제
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