KR101922282B1 - 감광성 수지 조성물 및 그것을 이용한 감광성 페이스트 - Google Patents
감광성 수지 조성물 및 그것을 이용한 감광성 페이스트 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101922282B1 KR101922282B1 KR1020147015200A KR20147015200A KR101922282B1 KR 101922282 B1 KR101922282 B1 KR 101922282B1 KR 1020147015200 A KR1020147015200 A KR 1020147015200A KR 20147015200 A KR20147015200 A KR 20147015200A KR 101922282 B1 KR101922282 B1 KR 101922282B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- photosensitive
- paste
- powder
- polyalkylene carbonate
- carbonate
- Prior art date
Links
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 title claims abstract description 26
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 64
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims abstract description 52
- 229920001281 polyalkylene Polymers 0.000 claims abstract description 44
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 22
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims abstract description 22
- -1 Polypropylene carbonate Polymers 0.000 claims abstract description 21
- 239000003999 initiator Substances 0.000 claims abstract description 16
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 9
- 229920000379 polypropylene carbonate Polymers 0.000 claims abstract description 9
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 abstract description 10
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 9
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 abstract description 9
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 8
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 abstract description 8
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 abstract description 8
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 abstract description 6
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 abstract description 5
- 239000002904 solvent Substances 0.000 abstract description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 58
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 39
- 239000006089 photosensitive glass Substances 0.000 description 19
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 15
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 description 12
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 9
- 239000000047 product Substances 0.000 description 9
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 8
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 8
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 7
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 6
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 5
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 5
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 5
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 5
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 5
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZJCCRDAZUWHFQH-UHFFFAOYSA-N Trimethylolpropane Chemical compound CCC(CO)(CO)CO ZJCCRDAZUWHFQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 4
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 4
- QPJVMBTYPHYUOC-UHFFFAOYSA-N methyl benzoate Chemical compound COC(=O)C1=CC=CC=C1 QPJVMBTYPHYUOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 4
- 125000000954 2-hydroxyethyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])O[H] 0.000 description 3
- 229920006243 acrylic copolymer Polymers 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- 235000011187 glycerol Nutrition 0.000 description 3
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 3
- AOBIOSPNXBMOAT-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(oxiran-2-ylmethoxy)ethoxymethyl]oxirane Chemical compound C1OC1COCCOCC1CO1 AOBIOSPNXBMOAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TXBCBTDQIULDIA-UHFFFAOYSA-N 2-[[3-hydroxy-2,2-bis(hydroxymethyl)propoxy]methyl]-2-(hydroxymethyl)propane-1,3-diol Chemical compound OCC(CO)(CO)COCC(CO)(CO)CO TXBCBTDQIULDIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WERYXYBDKMZEQL-UHFFFAOYSA-N butane-1,4-diol Chemical compound OCCCCO WERYXYBDKMZEQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 description 2
- 229940095102 methyl benzoate Drugs 0.000 description 2
- YLHXLHGIAMFFBU-UHFFFAOYSA-N methyl phenylglyoxalate Chemical compound COC(=O)C(=O)C1=CC=CC=C1 YLHXLHGIAMFFBU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DAFHKNAQFPVRKR-UHFFFAOYSA-N (3-hydroxy-2,2,4-trimethylpentyl) 2-methylpropanoate Chemical compound CC(C)C(O)C(C)(C)COC(=O)C(C)C DAFHKNAQFPVRKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MUTGBJKUEZFXGO-OLQVQODUSA-N (3as,7ar)-3a,4,5,6,7,7a-hexahydro-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1CCC[C@@H]2C(=O)OC(=O)[C@@H]21 MUTGBJKUEZFXGO-OLQVQODUSA-N 0.000 description 1
- KMOUUZVZFBCRAM-OLQVQODUSA-N (3as,7ar)-3a,4,7,7a-tetrahydro-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1C=CC[C@@H]2C(=O)OC(=O)[C@@H]21 KMOUUZVZFBCRAM-OLQVQODUSA-N 0.000 description 1
- MSAHTMIQULFMRG-UHFFFAOYSA-N 1,2-diphenyl-2-propan-2-yloxyethanone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(OC(C)C)C(=O)C1=CC=CC=C1 MSAHTMIQULFMRG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKEGCUDAFWNSSO-UHFFFAOYSA-N 1,8-dibromooctane Chemical compound BrCCCCCCCCBr DKEGCUDAFWNSSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YIKSHDNOAYSSPX-UHFFFAOYSA-N 1-propan-2-ylthioxanthen-9-one Chemical compound S1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=CC=C2C(C)C YIKSHDNOAYSSPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BRKORVYTKKLNKX-UHFFFAOYSA-N 2,4-di(propan-2-yl)thioxanthen-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC(C(C)C)=CC(C(C)C)=C3SC2=C1 BRKORVYTKKLNKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BTJPUDCSZVCXFQ-UHFFFAOYSA-N 2,4-diethylthioxanthen-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC(CC)=CC(CC)=C3SC2=C1 BTJPUDCSZVCXFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LCHAFMWSFCONOO-UHFFFAOYSA-N 2,4-dimethylthioxanthen-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC(C)=CC(C)=C3SC2=C1 LCHAFMWSFCONOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YSUQLAYJZDEMOT-UHFFFAOYSA-N 2-(butoxymethyl)oxirane Chemical compound CCCCOCC1CO1 YSUQLAYJZDEMOT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FALRKNHUBBKYCC-UHFFFAOYSA-N 2-(chloromethyl)pyridine-3-carbonitrile Chemical compound ClCC1=NC=CC=C1C#N FALRKNHUBBKYCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AGQATNSQAKVELG-UHFFFAOYSA-N 2-(dimethylamino)-1-(4-morpholin-4-ylphenyl)-2-[(1-phenylcyclohexa-2,4-dien-1-yl)methyl]butan-1-one Chemical compound C1(=CC=CC=C1)C1(CC(C(=O)C2=CC=C(C=C2)N2CCOCC2)(CC)N(C)C)CC=CC=C1 AGQATNSQAKVELG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KJSGODDTWRXQRH-UHFFFAOYSA-N 2-(dimethylamino)ethyl benzoate Chemical compound CN(C)CCOC(=O)C1=CC=CC=C1 KJSGODDTWRXQRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LCZVSXRMYJUNFX-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-hydroxypropoxy)propoxy]propan-1-ol Chemical compound CC(O)COC(C)COC(C)CO LCZVSXRMYJUNFX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WTYYGFLRBWMFRY-UHFFFAOYSA-N 2-[6-(oxiran-2-ylmethoxy)hexoxymethyl]oxirane Chemical compound C1OC1COCCCCCCOCC1CO1 WTYYGFLRBWMFRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FGTYTUFKXYPTML-UHFFFAOYSA-N 2-benzoylbenzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)C1=CC=CC=C1 FGTYTUFKXYPTML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RZVUYFUEXYKLMM-UHFFFAOYSA-N 2-butoxy-4-(dimethylamino)benzoic acid Chemical compound CCCCOC1=CC(N(C)C)=CC=C1C(O)=O RZVUYFUEXYKLMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCDADJXRUCOCJE-UHFFFAOYSA-N 2-chlorothioxanthen-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC(Cl)=CC=C3SC2=C1 ZCDADJXRUCOCJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KMNCBSZOIQAUFX-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxy-1,2-diphenylethanone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(OCC)C(=O)C1=CC=CC=C1 KMNCBSZOIQAUFX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GTELLNMUWNJXMQ-UHFFFAOYSA-N 2-ethyl-2-(hydroxymethyl)propane-1,3-diol;prop-2-enoic acid Chemical class OC(=O)C=C.OC(=O)C=C.OC(=O)C=C.CCC(CO)(CO)CO GTELLNMUWNJXMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QPXVRLXJHPTCPW-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxy-2-methyl-1-(4-propan-2-ylphenyl)propan-1-one Chemical compound CC(C)C1=CC=C(C(=O)C(C)(C)O)C=C1 QPXVRLXJHPTCPW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LWRBVKNFOYUCNP-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1-(4-methylsulfanylphenyl)-2-morpholin-4-ylpropan-1-one Chemical compound C1=CC(SC)=CC=C1C(=O)C(C)(C)N1CCOCC1 LWRBVKNFOYUCNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCAHUFWKIQLBNB-UHFFFAOYSA-N 3-(3-methoxypropoxy)propan-1-ol Chemical compound COCCCOCCCO QCAHUFWKIQLBNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LWLOKSXSAUHTJO-UHFFFAOYSA-N 4,5-dimethyl-1,3-dioxolan-2-one Chemical compound CC1OC(=O)OC1C LWLOKSXSAUHTJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PTKHNBWCIHXVFS-UHFFFAOYSA-N 4-[2-methyl-1-(4-methylsulfanylphenyl)propan-2-yl]morpholine Chemical compound C1=CC(SC)=CC=C1CC(C)(C)N1CCOCC1 PTKHNBWCIHXVFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GVUWURSTZJYPIT-UHFFFAOYSA-N CC1=C(C(=O)C(C(CC(C)(C)C)C)(P(C(C2=C(C=CC=C2Cl)Cl)=O)=O)C(C2=C(C=C(C=C2C)C)C)=O)C(=CC(=C1)C)C Chemical compound CC1=C(C(=O)C(C(CC(C)(C)C)C)(P(C(C2=C(C=CC=C2Cl)Cl)=O)=O)C(C2=C(C=C(C=C2C)C)C)=O)C(=CC(=C1)C)C GVUWURSTZJYPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M Methacrylate Chemical compound CC(=C)C([O-])=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N Methyl methacrylate Chemical compound COC(=O)C(C)=C VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FQYUMYWMJTYZTK-UHFFFAOYSA-N Phenyl glycidyl ether Chemical compound C1OC1COC1=CC=CC=C1 FQYUMYWMJTYZTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LGRFSURHDFAFJT-UHFFFAOYSA-N Phthalic anhydride Natural products C1=CC=C2C(=O)OC(=O)C2=C1 LGRFSURHDFAFJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 1
- 229920002367 Polyisobutene Polymers 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFOXEOLGJPJZAA-UHFFFAOYSA-N [(2,6-dimethoxybenzoyl)-(2,4,4-trimethylpentyl)phosphoryl]-(2,6-dimethoxyphenyl)methanone Chemical compound COC1=CC=CC(OC)=C1C(=O)P(=O)(CC(C)CC(C)(C)C)C(=O)C1=C(OC)C=CC=C1OC LFOXEOLGJPJZAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ORLQHILJRHBSAY-UHFFFAOYSA-N [1-(hydroxymethyl)cyclohexyl]methanol Chemical compound OCC1(CO)CCCCC1 ORLQHILJRHBSAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HTMMMSIQFWMMIJ-UHFFFAOYSA-N [3-[2,2-dimethyl-3-(6-prop-2-enoyloxyhexanoyloxy)propanoyl]oxy-2,2-dimethylpropyl] 6-prop-2-enoyloxyhexanoate Chemical compound C=CC(=O)OCCCCCC(=O)OCC(C)(C)COC(=O)C(C)(C)COC(=O)CCCCCOC(=O)C=C HTMMMSIQFWMMIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DBHQYYNDKZDVTN-UHFFFAOYSA-N [4-(4-methylphenyl)sulfanylphenyl]-phenylmethanone Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1SC1=CC=C(C(=O)C=2C=CC=CC=2)C=C1 DBHQYYNDKZDVTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GUCYFKSBFREPBC-UHFFFAOYSA-N [phenyl-(2,4,6-trimethylbenzoyl)phosphoryl]-(2,4,6-trimethylphenyl)methanone Chemical compound CC1=CC(C)=CC(C)=C1C(=O)P(=O)(C=1C=CC=CC=1)C(=O)C1=C(C)C=C(C)C=C1C GUCYFKSBFREPBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 150000008065 acid anhydrides Chemical class 0.000 description 1
- 238000007259 addition reaction Methods 0.000 description 1
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XTKDAFGWCDAMPY-UHFFFAOYSA-N azaperone Chemical compound C1=CC(F)=CC=C1C(=O)CCCN1CCN(C=2N=CC=CC=2)CC1 XTKDAFGWCDAMPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WURBFLDFSFBTLW-UHFFFAOYSA-N benzil Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C(=O)C1=CC=CC=C1 WURBFLDFSFBTLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N benzophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C1=CC=CC=C1 RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012965 benzophenone Substances 0.000 description 1
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- XFUOBHWPTSIEOV-UHFFFAOYSA-N bis(oxiran-2-ylmethyl) cyclohexane-1,2-dicarboxylate Chemical compound C1CCCC(C(=O)OCC2OC2)C1C(=O)OCC1CO1 XFUOBHWPTSIEOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JHIWVOJDXOSYLW-UHFFFAOYSA-N butyl 2,2-difluorocyclopropane-1-carboxylate Chemical compound CCCCOC(=O)C1CC1(F)F JHIWVOJDXOSYLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000005587 carbonate group Chemical group 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- LJZJMIZQMNDARW-UHFFFAOYSA-N decan-3-yl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CCCCCCCC(CC)OC(=O)C(C)=C LJZJMIZQMNDARW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- GYZLOYUZLJXAJU-UHFFFAOYSA-N diglycidyl ether Chemical compound C1OC1COCC1CO1 GYZLOYUZLJXAJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- BXWNKGSJHAJOGX-UHFFFAOYSA-N hexadecan-1-ol Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCO BXWNKGSJHAJOGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N maleic anhydride Chemical compound O=C1OC(=O)C=C1 FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- OTLDLKLSNZMTTA-UHFFFAOYSA-N octahydro-1h-4,7-methanoindene-1,5-diyldimethanol Chemical compound C1C2C3C(CO)CCC3C1C(CO)C2 OTLDLKLSNZMTTA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- FZUGPQWGEGAKET-UHFFFAOYSA-N parbenate Chemical compound CCOC(=O)C1=CC=C(N(C)C)C=C1 FZUGPQWGEGAKET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WXZMFSXDPGVJKK-UHFFFAOYSA-N pentaerythritol Chemical compound OCC(CO)(CO)CO WXZMFSXDPGVJKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001083 polybutene Polymers 0.000 description 1
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 229920000193 polymethacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920001451 polypropylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229940014800 succinic anhydride Drugs 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- PAPBSGBWRJIAAV-UHFFFAOYSA-N ε-Caprolactone Chemical compound O=C1CCCCCO1 PAPBSGBWRJIAAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0047—Photosensitive materials characterised by additives for obtaining a metallic or ceramic pattern, e.g. by firing
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F2/00—Processes of polymerisation
- C08F2/46—Polymerisation initiated by wave energy or particle radiation
- C08F2/48—Polymerisation initiated by wave energy or particle radiation by ultraviolet or visible light
- C08F2/50—Polymerisation initiated by wave energy or particle radiation by ultraviolet or visible light with sensitising agents
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
- G03F7/028—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with photosensitivity-increasing substances, e.g. photoinitiators
- G03F7/029—Inorganic compounds; Onium compounds; Organic compounds having hetero atoms other than oxygen, nitrogen or sulfur
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
- G03F7/028—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with photosensitivity-increasing substances, e.g. photoinitiators
- G03F7/031—Organic compounds not covered by group G03F7/029
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
- G03F7/032—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with binders
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/38—Treatment before imagewise removal, e.g. prebaking
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
- Y10S430/1053—Imaging affecting physical property or radiation sensitive material, or producing nonplanar or printing surface - process, composition, or product: radiation sensitive composition or product or process of making binder containing
- Y10S430/1055—Radiation sensitive composition or product or process of making
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Graft Or Block Polymers (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Polymerisation Methods In General (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
본 발명은 비산소 분위기에서 열 처리한 경우에도 광 경화물의 열 분해성이 높고, 탄소의 잔류가 발생하지 않는 감광성 수지 조성물, 그것을 이용하여 이루어지는 감광성 페이스트를 제공한다. (a) 광 중합 개시제와, (b) 아크릴 모노머와, (c) 폴리알킬렌카르보네이트를 함유하고, 아크릴 모노머와 폴리알킬렌카르보네이트의 합계량에 대한 폴리알킬렌카르보네이트의 비율이 50중량％ 이상 90중량％ 이하인 조성으로 한다. 폴리알킬렌카르보네이트로서 폴리프로필렌카르보네이트를 이용한다. 상기 감광성 조성물과, 용제와, 무기 분말을 배합하여 감광성 페이스트로 한다. 또한, 무기 분말로서 절연성 무기 재료 분말 또는 도전성 금속 분말을 이용한다.
Description
본 발명은 감광성 수지 조성물 및 그것을 이용한 감광성 페이스트에 관한 것이고, 상세하게는 소성시에 탄소의 잔류를 발생시키기 어려운 감광성 수지 조성물 및 그것을 이용한 감광성 페이스트에 관한 것이다.
최근 감광성 페이스트를 이용하여, 포토리소그래피법에 의해 기판 위에 미세 패턴을 형성하는 것이 널리 행해지고 있다.
이러한 포토리소그래피법에 이용되는 감광성 페이스트 중 하나로서, (a) 광 중합 개시제, (b) 아크릴 모노머, (c) 메인 폴리머(아크릴 폴리머 등)를 함유하는 네가티브형 포토레지스트가 제안되어 있다(특허문헌 1, 단락 0029 등 참조).
그런데 기판 위에 미세 패턴을 형성하기 위해서는, 상기 특허문헌 1과 같이 네가티브형 포토레지스트를 이용하여 포토리소그래피법을 적용하는 것이 유효하다. 또한, 네가티브형 포토레지스트에 무기 분말을 분산시킨 것을 이용하는 것도 가능하다.
그리고, 이러한 무기 분말을 포함하는 감광성 페이스트를 이용하여, 포토리소그래피법을 적용하여 소성 처리를 행함으로써, 기판 위에 미세한 무기 패턴(도체 패턴이나 절연체 패턴 등)을 효율적으로 형성할 수 있다.
그러나 상술한 바와 같이, (a) 광 중합 개시제, (b) 아크릴 모노머, (c) 메인 폴리머(아크릴 폴리머 등)를 함유하는 특허문헌 1의 네가티브형 포토레지스트의 광 경화물은, 비산소 분위기 중에서 열 처리한 경우, 열 분해하기 어렵다는 문제가 있다.
이 때문에, 예를 들면 마이그레이션 방지 등의 목적으로 전극을 비금속화하고, 상기 감광성 페이스트를 이용하여 형성한 페이스트 패턴을 비산소 분위기에서 소성 처리하도록 한 경우, 광 경화물에서 유래되는 탄소의 잔류(잔탄)가 발생하는 경우가 있다.
그리고, 예를 들면 무기 분말로서 유리 분말을 분산시킨 감광성 페이스트를 이용하여 절연층을 형성하고자 한 경우, 탄소의 잔류에 의한 소결 저해에 의해 절연 신뢰성 불량이 발생한다는 문제점이 있다.
또한, 무기 분말로서 구리 분말을 분산시킨 감광성 페이스트를 이용하여 도체 패턴(전극)을 형성하고자 하는 경우, 탄소의 잔류에 의한 소결 저해에 의해 도통 불량이 발생한다는 문제점이 있다.
본 발명은 상기 과제를 해결하는 것으로, 비산소 분위기에서 열 처리한 경우에도 광 경화물의 열 분해성이 높고, 탄소의 잔류가 발생하기 어려운 감광성 수지 조성물, 그것을 이용하여 이루어지는 감광성 도체 페이스트나 감광성 절연체 페이스트 등의 감광성 페이스트를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명의 감광성 수지 조성물은
(a) 광 중합 개시제와,
(b) 아크릴 모노머와,
(c) 폴리알킬렌카르보네이트
를 함유하고,
상기 아크릴 모노머와 상기 폴리알킬렌카르보네이트의 합계량에 대한 상기 폴리알킬렌카르보네이트의 비율이 50중량％ 이상 90중량％ 이하인 것
을 특징으로 한다.
본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서는, 상기 폴리알킬렌카르보네이트가 폴리프로필렌카르보네이트인 것이 바람직하다.
폴리알킬렌카르보네이트로서 폴리프로필렌카르보네이트를 이용하는 것이 바람직한 것은, 유기 용제에 대한 용해성이 높고, 현상시에 잔사가 남기 어렵기 때문이다.
또한, 본 발명의 감광성 페이스트는, 상기 본 발명의 감광성 수지 조성물과, 용제와, 무기 분말을 함유하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 감광성 페이스트의 바람직한 양태 중 하나로서, 상기 무기 분말로서 절연성 무기 재료 분말을 함유시킨 양태를 들 수 있다.
또한, 상기 무기 분말은 유리 분말, 쿼츠 분말, 알루미나 분말, 지르코니아 분말로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종인 것이 바람직하다.
유리 분말, 쿼츠 분말, 알루미나 분말, 지르코니아 분말로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 이용함으로써, 기재에 대한 접합 신뢰성이 높은 후막 절연층을 보다 확실하게 형성하는 것이 가능해진다.
또한, 본 발명의 감광성 페이스트의 바람직한 양태의 다른 예로서, 상기 무기 분말로서 도전성 금속 분말을 함유시킨 양태를 들 수 있다.
무기 분말로서 도전성 금속 분말을 함유시킴으로써, 감광성 도전 페이스트로서 이용하는 것이 가능해지고, 포토리소그래피법에 의해 고정밀도이고 신뢰성이 높은 도전 패턴(전극 등)을 형성하는 것이 가능해진다.
본 발명의 감광성 수지 조성물은 (a) 광 중합 개시제와, (b) 아크릴 모노머와, (c) 폴리알킬렌카르보네이트를 함유하고 있을 뿐 아니라, 아크릴 모노머와 폴리알킬렌카르보네이트의 합계량에 대한 폴리알킬렌카르보네이트의 비율이 50중량％ 이상 90중량％ 이하이기 때문에, 포토리소그래피법으로 광 경화시킨 후의 광 경화물을 비산소 분위기(예를 들면 질소 분위기)로 소성한 경우에도, 탄소의 잔류가 발생하는 것을 억제, 방지하는 것이 가능해진다.
따라서, 본 발명의 감광성 수지 조성물에 용제와, 무기 분말(절연성 무기 재료 분말이나, 금속 분말 등의 도전 금속 분말 재료)을 함유시킨 감광성 페이스트를 이용함으로써, 절연 신뢰성이 높은 후막 절연층이나, 도통 신뢰성이 높은 후막 도체층 등을 형성할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 관한 감광성 페이스트를 이용하여 제조한 칩코일의 내부를 도시하는 분해 사시도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 관한 감광성 페이스트를 이용하여 제조한 칩코일의 외관 구성을 도시하는 사시도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 관한 감광성 페이스트를 이용하여 제조한 칩코일의 외관 구성을 도시하는 사시도이다.
이하에 본 발명의 실시 형태를 나타내고, 본 발명의 특징으로 하는 것을 더 자세히 설명한다.
본 발명의 감광성 수지 조성물은 (a) 광 중합 개시제와, (b) 아크릴 모노머와, (c) 폴리알킬렌카르보네이트를 함유하고, 아크릴 모노머와 폴리알킬렌카르보네이트의 합계량에 대한 상기 폴리알킬렌카르보네이트의 비율이 50중량％ 이상 90중량％ 이하인 감광성 수지 조성물이다.
본 발명의 감광성 수지 조성물에서 이용하는 것이 가능한 광 중합 개시제의 종류에 특별한 제약은 없지만, 예를 들면 벤질, 벤조인에틸에테르, 벤조인이소부틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 벤조페논, 벤조일벤조산, 벤조일벤조산메틸, 4-벤조일-4'-메틸디페닐술피드, 벤질디메틸케탈, 2-n-부톡시-4-디메틸아미노벤조에이트, 2-클로로티오크산톤, 2,4-디에틸티오크산톤, 2,4-디이소프로필티오크산톤, 이소프로필티오크산톤, 2-디메틸아미노에틸벤조에이트, p-디메틸아미노벤조산에틸, p-디메틸아미노벤조산이소아밀, 3,3'-디메틸-4-메톡시벤조페논, 2,4-디메틸티오크산톤, 1-(4-도데실페닐)-2-히드록시-2-메틸프로판-1-온, 2,2-디메톡시-1,2-디페닐에탄-1-온, 히드록시시클로헥실페닐케톤, 2-히드록시-2-메틸-1-페닐프로판-1-온, 1-[4-(2-히드록시에톡시)-페닐]-2-히드록시-2-메틸-1-프로판-1-온, 2-메틸-1-[4-(메틸티오)페닐]-2-모르폴리노프로판-1-온, 메틸벤조일포르메이트, 1-페닐-1,2-프로판디온-2-(o-에톡시카르보닐)옥심, 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-1-부타논, 비스(2,6-디메톡시벤조일)-2,4,4-트리메틸펜틸포스핀옥시드, 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)페닐포스핀옥시드, 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)-2,4,4-트리메틸펜틸포스핀옥시드, 비스(2,6-디클로르벤조일)-2,4,4-트리메틸펜틸포스핀옥시드, 1-(4-이소프로필페닐)-2-히드록시-2-메틸프로판-1-온, 1,2-디페닐에탄디온, 메틸페닐글리옥실레이트 등을 들 수 있다.
또한, 본 발명의 감광성 수지 조성물에서 이용하는 것이 가능한 아크릴 모노머에 대해서도, 그 종류에 특별한 제약은 없지만, 예를 들면 2-히드록시에틸(메트)아크릴레이트, 2-히드록시프로필(메트)아크릴레이트, 1,4-부탄디올모노(메트)아크릴레이트, 카르비톨(메트)아크릴레이트, 아크릴로일모르폴린, 수산기 함유(메트)아크릴레이트(예를 들면, 2-히드록시에틸(메트)아크릴레이트, 2-히드록시프로필(메트)아크릴레이트, 트리시클로[5,2,1,02,6]데카-8-일-메타크릴레이트, 1,4-부탄디올모노(메트)아크릴레이트 등)와 다가 카르복실산 화합물의 산 무수물(예를 들면, 무수 숙신산, 무수 말레산, 무수 프탈산, 테트라히드로 무수 프탈산, 헥사히드로 무수 프탈산 등)의 반응물인 하프에스테르, 폴리에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 트리프로필렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판폴리에톡시트리(메트)아크릴레이트, 글리세린폴리프로폭시트리(메트)아크릴레이트, 히드록시피발산네오펜글리콜의 ε-카프로락톤 부가물의 디(메트)아크릴레이트(예를 들면, 닛본 가야꾸(주)제조, KAYARAD HX-220, HX-620 등), 펜타에리트리톨테트라(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨과 ε-카프로락톤의 반응물의 폴리(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨폴리(메트)아크릴레이트, 모노 또는 폴리글리시딜 화합물(예를 들면, 부틸글리시딜에테르, 페닐글리시딜에테르, 폴리에틸렌글리콜디글리시딜에테르, 폴리프로필렌글리콜디글리시딜에테르, 1,6-헥산디올디글리시딜에테르, 헥사히드로프탈산디글리시딜에스테르, 글리세린폴리글리시딜에테르, 글리세린폴리에톡시글리시딜에테르, 트리메틸올프로판폴리글리시딜에테르, 트리메틸올프로판폴리에톡시폴리글리시딜에테르 등과 (메트)아크릴산의 반응물인 에폭시(메트)아크릴레이트, 3,9-비스(2-히드록시-1,1-디메틸에틸)-2,4,8,10-테트라옥사스피로[5.5]운데칸, 2-(2-히드록시-1,1-디메틸에틸)-5-에틸-5-히드록시메틸-1,3-디옥산, 트리시클로데칸디메탄올, 시클로헥산디메탄올 등과 (메트)아크릴산과의 반응물을 들 수 있다.
또한, 폴리알킬렌카르보네이트는 알킬렌기 및 카르보네이트기를 포함하는 알킬렌카르보네이트 구조를 갖는 중합체이고, 본 발명의 감광성 수지 조성물에서 이용하는 것이 가능한 폴리알킬렌카르보네이트로는, 예를 들면 폴리에틸렌카르보네이트, 폴리프로필렌카르보네이트, 폴리(1,2-디메틸에틸렌카르보네이트), 폴리부텐카르보네이트, 폴리이소부텐카르보네이트, 폴리펜텐카르보네이트, 폴리헥센카르보네이트, 폴리시클로펜텐카르보네이트, 폴리시클로헥센카르보네이트, 폴리시클로헵텐카르보네이트, 폴리시클로옥텐카르보네이트, 폴리리모넨카르보네이트 등의 알킬렌카르보네이트 등을 들 수 있다.
이들 중에서도, 보다 바람직한 것은 폴리프로필렌카르보네이트이다.
또한, 본 발명의 감광성 페이스트는 상술한 본 발명의 감광성 수지 조성물과, 용제와, 무기 분말을 함유하는 것이다.
상기 무기 분말로서 절연성 무기 재료 분말, 또는 도전성 금속 분말을 사용할 수 있다.
절연성 무기 재료 분말로는, 무기 분말이 유리 분말, 쿼츠 분말, 알루미나 분말, 지르코니아 분말 등으로부터 선택되는 적어도 1종을 사용할 수 있다.
또한, 도전성 금속 분말로는 구리, 알루미늄, 니켈, 철, 몰리브덴, 텅스텐 등의 비금속 도전성 분말을 바람직하게 사용할 수 있다.
다만, 은, 금, 백금, 팔라듐 등의 귀금속 도전성 분말을 이용하는 것도 가능하다.
본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서는, 메인 폴리머로서 폴리알킬렌카르보네이트를 이용하도록 하고 있기 때문에, 비산소 분위기에서도 네가티브형 포토레지스트의 광 경화물의 열 분해성이 높아진다. 이는 폴리알킬렌카르보네이트가 자기 분해성 폴리머이고, N2 분위기 중에서도 300℃ 이상이 되면 이산화탄소와 글리콜로 분해되는데 의한 것이다. 이 때문에, 메인 폴리머로서 폴리알킬렌카르보네이트를 이용한 감광성 페이스트는, 비산소 분위기에서 소성 처리하여도, 광 경화물에서 유래되는 탄소의 잔류가 발생하는 것을 억제, 방지하는 것이 가능해진다.
단, 본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서는, 아크릴 모노머와 폴리알킬렌카르보네이트의 합계량에 대한 폴리알킬렌카르보네이트의 비율이 50중량％ 이상 90중량％ 이하인 것이 필요하다. 이는 폴리알킬렌카르보네이트의 비율이 50중량％ 미만이 되면, 분해성이 나쁜 아크릴 모노머 경화물의 비율이 높아져, 광 경화물이 완전히 분해되지 않으며, 90중량％를 초과하면, 폴리알킬렌카르보네이트는 광 경화하지 않기 때문에, 광 경화물의 내현상액성이 악화되어, 최적의 해상성이 얻어지지 않기 때문이다.
또한, 아크릴 모노머와 폴리알킬렌카르보네이트의 합계량에 대한 폴리알킬렌카르보네이트의 비율의 보다 바람직한 범위는 60중량％ 내지 80중량％의 범위이다.
실시예 1
[1] 감광성 페이스트의 제작
본 발명의 요건을 만족시키는 감광성 페이스트 및 본 발명의 요건을 만족시키지 않는 비교용 감광성 페이스트를 제조하기 위해서, 이하의 재료를 준비하였다.
<A. 광 중합 개시제>
광 중합 개시제로는, 이하의 광 중합 개시제 a와 광 중합 개시제 b의 2종의 광 중합 개시제를 준비하였다.
1) 개시제 a: 2-메틸-1-[4-(메틸티오)페닐]-2-모르폴리노프로판-1-온
2) 개시제 b: 2,4-디에틸티오크산톤
<B. 아크릴 모노머>
아크릴 모노머로는 에톡시 변성 트리메틸올프로판트리아크릴레이트를 준비하였다.
<C. 메인 폴리머>
이 실시예에서는, 메인 폴리머로서 이하의 아크릴 폴리머와, 폴리알킬렌카르보네이트를 준비하였다.
1) 아크릴 폴리머: 메타크릴산/메타크릴산메틸을 공중합시킨 후, 메타크릴산에 대하여 0.2배 몰량의 에폭시시클로헥실메틸메타크릴레이트를 부가 반응시켜 이루어지는, 에틸렌성 불포화 2중 결합 함유 아크릴계 공중합체. MW=20000, 산가=118.
2) 폴리알킬렌카르보네이트: 폴리프로필렌카르보네이트
MW=302000, 순도=97％.
<D. 유기 용제>
유기 용제로는, 이하의 유기 용제 a와 유기 용제 b를 준비하였다.
1) 유기 용제 a: 디프로필렌글리콜모노메틸에테르
2) 유기 용제 b: N-메틸-2-피롤리돈
<E. 유리 분말 및 쿼츠 분말>
유리 분말 및 쿼츠 분말로는, 이하의 것을 준비하였다.
1) 유리 분말: SiO2(79중량％)-B2O3(19중량％)-K2O(2중량％), D50: 3.0㎛
2) 쿼츠 분말: D50: 3.0㎛
3) 석영 유리 분말: 크리스토발라이트상의 융점 이상의 온도로 결정 석영 분말을 전기 용융로에서 용융하고, 냉각하여 유리화한 후, 포트형 분쇄기로 분쇄한 석영 유리 분말. D50 입경=2.8㎛.
<F. Cu 분말>
도전성 금속 분말로서, 비금속인 구리의 분말(Cu 분말)을 준비하였다. 이 실시예에서는, 산소 함유량 1.2중량％, D50 입경 3㎛, 구상의 Cu 분말을 이용하였다.
(a) 감광성 수지 조성물(바니시)의 제작
상술한 재료를 하기 표 1에 나타낸 바와 같은 비율로 조합하여, 감광성 수지 조성물(바니시) 1 내지 6을 제작하였다.
또한, 표 1의 감광성 수지 조성물 4는 폴리알킬렌카르보네이트를 배합하지 않은 시료(아크릴 폴리머로서 에틸렌성 불포화 2중 결합 함유 아크릴계 공중합체를 사용), 표 1의 감광성 수지 조성물 5는 아크릴 모노머와 폴리알킬렌카르보네이트의 합계량에 대한 폴리알킬렌카르보네이트(폴리프로필렌카르보네이트)의 비율이 40중량％인 시료, 표 1의 감광성 수지 조성물 6은 폴리알킬렌카르보네이트(폴리프로필렌카르보네이트)의 비율이 95중량％인 시료이고, 모두 본 발명의 요건을 만족시키지 않는 것이다.
<표 1>
(b) 감광성 유리 페이스트의 제작
표 1의 감광성 수지 조성물(바니시) 1 내지 6과, 유리 분말과, 쿼츠 분말과, 석영 유리 분말을 하기 표 2A에 나타낸 바와 같은 비율(단위: 중량부)로 조합하고, 3축 롤밀로 혼련함으로써 감광성 유리 페이스트 1 내지 6을 제작하였다.
<표 2A>
(c) 감광성 Cu 페이스트의 제작
표 1의 감광성 수지 조성물(바니시) 1 내지 6과, Cu 분말을 하기 표 2B에 나타낸 바와 같은 비율(단위: 중량부)로 조합하고, 3축 롤밀로 혼련함으로써 감광성 Cu 페이스트 1 내지 6을 제작하였다.
<표 2B>
[2] 유리층에 상기 감광성 유리 페이스트를 이용한 칩코일의 제작
이하에 설명하는 방법으로, 4층의 Cu 배선층과, 4층의 유리층을 구비한 칩코일을 제작하였다. 이하, 도 1을 참조하면서 설명을 행한다.
(1) Cu 배선층(Cu1)의 형성
Cu 분말을 도전 성분으로 하는 Cu 페이스트를 별도로 준비하고, 이 Cu 페이스트를 스크린 인쇄함으로써, 3인치 스퀘어(□)의 알루미나 기판 A의 표면에 70㎛ 폭의 Cu 배선 패턴을 형성하였다.
또한, 여기서는, Cu 페이스트로는 에틸셀룰로오스를 유기 용제(2,2,4-트리메틸-1,3-펜탄디올모노이소부티레이트)에 용해시켜 비히클로 하고, 상기 비히클과 구리 분말을 혼합하여 페이스트화한 후, 메쉬를 이용하여 고운 체로 처리(press-through treatment)를 한 종래의 Cu 페이스트를 이용하였다.
그로부터, N2 분위기하에서 950℃로 승온하여 10분간 유지함으로써, Cu 페이스트를 소부하여 60㎛ 폭의 Cu 배선층(Cu1)을 형성하였다.
(2) 유리층(G1)의 형성
Cu 배선층(Cu1)이 형성된 상기 알루미나 기판 A의 표면 전체에, 표 2A의 감광성 유리 페이스트 1을 스크린 인쇄에 의해서 도포하고, 이를 100℃에서 10분간 건조하여 30㎛ 두께의 도막을 형성하고, 노광 처리를 행하였다.
여기서는 30㎛ 직경의 비어 패턴이 묘화된 마스크를 통해, 고압 수은등으로부터의 활성 광선을 100mJ/㎠의 노광량으로 조사하였다.
그 후, 아세톤에 의한 현상 처리를 행함으로써, 상기 알루미나 기판 A 위의 감광성 유리 페이스트층에 30㎛ 직경의 비어 패턴을 형성하였다. 그로부터, N2 분위기하에서 950℃, 1시간의 소성을 행하여, 60㎛ 직경의 비어 패턴이 형성된 20㎛ 두께의 유리층(G1)을 형성하였다.
(3) Cu 배선층(Cu2) 내지 Cu4, 유리층(G2) 내지 G4 및 외부 전극의 형성
우선, 유리층(G1) 위에 상기 (1)과 마찬가지의 방법 및 조건으로 Cu 배선층(Cu2)을 형성하였다.
그로부터, 상기 (2)와 마찬가지의 방법 및 조건으로, Cu 배선층(Cu2)이 형성된 유리층(G1)의 표면 전체에 유리층(G2)을 형성하였다.
그 후, 상기 (1) 및 (2)와 마찬가지의 방법 및 조건으로, 순차 Cu 배선층(Cu3), 유리층(G3), Cu 배선층(Cu4)을 형성하였다.
마지막으로, 표 2A의 감광성 유리 페이스트 1을 스크린 인쇄에 의해서 알루미나 기판 A와 동일한 크기로 도포(전면 도포)하고, 상기 (2)와 마찬가지의 방법 및 조건으로 건조, 전면 노광한 후, 소성함으로써 유리층(G4)을 형성하고, 적층체를 얻었다.
다음으로, 얻어진 적층체를 다이서로 컷팅함으로써, 1소자분의 칩코일 소체(素體)를 얻었다.
또한, 칩코일 소체의 양끝에, Cu 배선층(Cu1)의 한쪽 단부와 Cu 배선층(Cu4)의 한쪽 단부가 접속하도록 외부 전극 형성용 Cu 페이스트를 도포하고, 이를 N2 분위기하에 750℃에서 소부함으로써, 외부 전극(3, 4)(도 2)을 형성하였다.
이에 따라, 도 2에 도시한 바와 같이, 칩코일 소체(2)의 양끝측에, 내부의 코일의 한쪽 단부 및 다른쪽 단부와 도통하는 외부 전극(3 및 4)을 구비한 칩코일(1)(표 3의 시료번호 1의 시료)을 얻었다.
칩코일의 크기는 L=0.6mm, W=0.3mm, T=0.3mm였다.
동일한 방법으로, 표 2A의 감광성 유리 페이스트 2 내지 6을 이용하여, 도 1 및 2에 도시하는 칩코일(1)(표 3의 시료번호 2 내지 6의 시료)의 제작을 행하였다.
또한, 표 2A의 감광성 유리 페이스트 6을 이용한 시료(표 3의 시료번호 6의 시료)에 있어서는, 유리층을 형성할 때의 현상 처리의 공정에서 감광성 유리 페이스트의 도막이 박리되어, 유리층을 형성할 수 없었다.
[3] Cu 배선층에 상기 감광성 Cu 페이스트를 이용한 칩코일의 제작
이하에 설명하는 방법으로, 4층의 Cu 배선층과, 4층의 유리층을 구비한 칩코일을 제작하였다. 이하, 도 1을 참조하면서 설명을 행한다.
(1) Cu 배선층(Cu1)의 형성
표 2B의 감광성 Cu 페이스트 1을 스크린 인쇄에 의해, 3인치 스퀘어(□)의 알루미나 기판 A의 표면 전체에 도포하고, 100℃에서 10분간 건조하여 12㎛ 두께의 도막을 형성하고, 노광 처리를 행하였다.
여기서는, 배선 폭/배선 간격=12㎛/18㎛의 코일 패턴이 묘화된 마스크를 통과시켜 고압 수은등으로부터의 활성 광선을 2000mJ/㎠의 노광량으로 조사하였다.
그 후, 아세톤에 의한 현상 처리를 행하여, 알루미나 기판 A 위에 배선 폭/배선 간격=15㎛/15㎛의 코일 패턴을 형성하였다. 이를 N2 분위기하에 950℃에서 1시간 소성함으로써, 배선 폭/배선 간격=12/18㎛로, 8㎛ 두께의 코일 패턴(Cu 배선층(Cu1))을 얻었다.
(2) 유리층(G1)의 형성
Cu 배선층(Cu1)이 형성된 상기 알루미나 기판 A의 표면 전체에, 표 2A의 감광성 유리 페이스트 1을 스크린 인쇄에 의해서 도포하고, 이를 100℃에서 10분간 건조하여 30㎛ 두께의 도막을 형성하고, 노광 처리를 행하였다.
여기서는 30㎛ 직경의 비어 패턴이 묘화된 마스크를 통과시켜, 고압 수은등으로부터의 활성 광선을 100mJ/㎠의 노광량으로 조사하였다.
그 후, 아세톤에 의한 현상 처리를 행함으로써, 상기 알루미나 기판 A 위의 감광성 유리 페이스트층에 30㎛ 직경의 비어 패턴을 형성하였다. 이를 N2 분위기하에서 950℃, 1시간의 소성을 행하여, 60㎛ 직경의 비어 패턴이 형성된 20㎛ 두께의 유리층(G1)을 형성하였다.
(3) Cu 배선층(Cu2 내지 Cu4), 유리층(G2 내지 G4) 및 외부 전극의 형성
우선, 유리층(G1) 위에 표 2B의 감광성 Cu 페이스트 1을 이용하여, 상기 (1)과 마찬가지의 방법 및 조건으로 Cu 배선층(Cu2)을 형성하였다.
그로부터, 상기 (2)와 마찬가지의 방법 및 조건으로, Cu 배선층(Cu2)이 형성된 유리층(G1)의 표면 전체에 유리층(G2)을 형성하였다.
그 후, 상기 (1) 및 (2)와 마찬가지의 방법 및 조건으로, 순차 Cu 배선층(Cu3), 유리층(G3), Cu 배선층(Cu4)을 형성하였다.
마지막으로, 표 2A의 감광성 유리 페이스트 1을 스크린 인쇄에 의해서 알루미나 기판 A와 동일한 크기로 도포(전면 도포)하고, 상기 (2)와 마찬가지의 방법 및 조건으로 건조, 전면 노광한 후, 소성함으로써 유리층(G4)을 형성하고, 적층체를 얻었다.
다음으로, 얻어진 적층체를 다이서로 컷팅함으로써, 1소자분의 칩코일 소체를 얻었다.
또한, 칩코일 소체의 양끝에 Cu 배선층(Cu1)의 한쪽 단부와 Cu 배선층(Cu4)의 한쪽 단부가 접속하도록 외부 전극 형성용 Cu 페이스트를 도포하고, 이를 N2 분위기하에 750℃에서 소부함으로써, 외부 전극(3, 4)(도 2)을 형성하였다.
이에 따라, 도 2에 도시한 바와 같이, 칩코일 소체(2)의 양끝측에, 내부의 코일의 한쪽 단부 및 다른쪽 단부와 도통하는 외부 전극(3 및 4)을 구비한 칩코일(1)(표 3의 시료번호 7의 시료)을 얻었다.
칩코일의 크기는 L=0.6mm, W=0.3mm, T=0.3mm였다.
동일한 방법으로, 표 2A의 감광성 유리 페이스트 1과, 표 2B의 감광성 Cu 페이스트 2 내지 6을 이용하여, 도 1 및 2에 도시한 칩코일(1)(표 3의 시료번호 8 내지 12의 시료)의 제작을 행하였다.
또한, 표 2B의 감광성 Cu 페이스트 6을 이용한 시료(표 3의 시료번호 12의 시료)에 있어서는, Cu 배선층을 형성할 때의 현상 처리의 공정에서, 감광성 Cu 페이스트의 도막이 박리되어, Cu 배선층을 형성할 수 없었다.
[4] 칩코일 특성의 평가
상술한 바와 같이 하여 제작한 시료번호 1 내지 5, 및 시료번호 7 내지 11의 시료(칩코일)에 대해서 특성을 평가하였다. 단, 시료번호 6 및 12의 칩코일의 경우, 유리층 또는 Cu 배선층을 형성할 수 없었기 때문에 특성을 평가할 수 없었다.
상술한 바와 같이 하여 제작한 시료번호 1 내지 5, 및 시료번호 7 내지 11의 칩코일(n=100)에 대해서, 500MHz에서의 인덕턴스 L을 임피던스 애널라이저(애질런트 테크놀로지 가부시끼가이샤 제조, E4991A)를 이용하여 측정하였다.
또한, 외부 전극간의 직류 저항 Rdc를 4단자법에 따라 측정하였다.
그리고, 인덕턴스의 설계값(27nH)의 70％ 이하의 값이 된 것을 절연 불량으로 하고, 그의 개수로부터 불량률(유리층 절연 불량률)을 구하였다. 또한, 이 인덕턴스의 저하는, 유리층의 절연 상태가 열화함으로써 발생하는 것이다.
또한, 직류 저항이, 그의 목표치(1.5Ω)의 130％ 이상이 된 것을 도통 불량으로 하고, 그의 개수로부터 불량률(Cu 배선층 도통 불량률)을 구하였다. 또한, 직류 저항값의 증대는, 탄소의 잔류에 기인하는 소결 불량 등에 의해 Cu 배선층의 도통 상태가 열화함으로써 발생한 것이다.
유리층 절연 불량률과, Cu 배선층 도통 불량률의 측정 결과를 하기 표 3에 통합하여 나타낸다.
<표 3>
표 2A의 감광성 유리 페이스트 4, 5(본 발명의 요건을 만족시키지 않는 감광성 유리 페이스트)를 유리층의 형성에 이용한 표 3의 시료번호 4, 5의 칩코일에서는, 유리층 절연 불량률이 높아졌다.
한편, 본 발명의 요건을 구비한 표 2A의 감광성 유리 페이스트 1 내지 3을 유리층의 형성에 이용한 표 3의 시료번호 1 내지 3의 칩코일에서는, 유리층의 소결 상태가 양호하고, 충분한 절연성이 확보되어 있으며, 유리층은 양호한 절연성을 구비하고 있는 것이 확인되었다.
또한, 표 2B의 감광성 Cu 페이스트 4, 5(본 발명의 요건을 만족시키지 않는 감광성 페이스트)를 코일 패턴의 형성에 이용한 표 3의 시료번호 10, 11의 칩코일에서는, Cu 배선층의 소결 부족에 의한 도통 불량이 발생하여, 직류 저항이 커지고, Cu 배선층 도통 불량률이 높아지는 것이 확인되었다.
한편, 본 발명의 요건을 구비한 감광성 Cu 페이스트를 코일 패턴의 형성에 이용한 시료번호 7 내지 9의 칩코일에서는, Cu 배선층의 도통 불량이 발생하지 않은 것이 확인되었다.
또한, 시료번호 7 내지 11의 칩코일은, 모두 본 발명의 요건을 구비한 표 2A의 감광성 유리 페이스트 1을 유리층의 형성에 이용하고 있기 때문에, 유리층은 양호한 절연성을 구비하고 있는 것이 확인되었다.
상술한 바와 같이, 메인 폴리머로서 폴리알킬렌카르보네이트(폴리프로필렌카르보네이트)를 이용하여, 아크릴 모노머와 폴리알킬렌카르보네이트의 합계량에 대한 폴리알킬렌카르보네이트의 비율이 50중량％ 이상 90중량％ 이하가 되도록 한 감광성 페이스트, 즉 표 2A의 감광성 유리 페이스트 1 내지 3, 및 표 2B의 감광성 Cu 페이스트 1 내지 3을 이용한 경우에는, N2 분위기하에서 소성한 경우에도, 절연 신뢰성을 유지한 유리층을 구비한 칩코일(표 3의 시료번호 1 내지 3의 칩코일)이나, 소결성이 양호하고 도통 신뢰성이 높은 Cu 배선층을 구비한 칩코일(표 3의 시료번호 7 내지 9의 칩코일)을 얻을 수 있는 것이 확인되었다.
이는 (1) 자기 분해성이 높은 폴리알킬렌카르보네이트를, 아크릴 모노머와 폴리알킬렌카르보네이트의 합계량에 대한 비율로 50중량％ 이상 함유하고 있기 때문에, 비산소 분위기에서도 광 경화물의 열 분해성이 높아지고, 결과적으로 비산소 분위기에서 소성 처리하여도, 광 경화물에 의한 탄소의 잔류를 억제·방지하는 것이 가능해지는 것, (2) 또한, 자기 분해성이 높은 폴리알킬렌카르보네이트의 아크릴 모노머와 폴리알킬렌카르보네이트의 합계량에 대한 비율이 90중량％ 이하이기 때문에, 광 경화물의 내현상액성이 유지되는 것에 의한 것이다.
또한, 상기 실시예에서는, 본 발명의 감광성 페이스트(감광성 유리 페이스트 및 감광성 Cu 페이스트를, 칩코일을 제조하는 경우에 이용한 경우)에 대해서 설명했지만, 본 발명의 감광성 페이스트는, 본 발명은 상술한 바와 같은 칩코일에 한정되지 않으며, 다층 기판, 다층 LC 복합 부품 등의 다양한 적층형 전자 부품에 적용하는 것이 가능하다.
본 발명은 추가로 그 밖의 측면에서도 상기 실시예로 한정되는 것이 아니며, 광 중합 개시제와, 아크릴 모노머, 폴리알킬렌카르보네이트의 종류, 이들의 배합 비율, 함유시키는 무기 분말(절연성 무기 재료 분말이나 도전성 금속 분말)의 종류나 배합 비율 등에 관한 것으로, 발명의 범위 내에서 다양한 응용, 변형을 가하는 것이 가능하다.
1: 칩코일
2: 칩코일 소체
3, 4: 외부 전극
A: 알루미나 기판
Cu1, Cu2, Cu3, Cu4: Cu 배선층
G1, G2, G3, G4: 유리층
2: 칩코일 소체
3, 4: 외부 전극
A: 알루미나 기판
Cu1, Cu2, Cu3, Cu4: Cu 배선층
G1, G2, G3, G4: 유리층
Claims (6)
- (a) 광 중합 개시제와,
(b) 아크릴 모노머와,
(c) 폴리알킬렌카르보네이트
를 함유하고,
상기 아크릴 모노머와 상기 폴리알킬렌카르보네이트의 합계량에 대한 상기 폴리알킬렌카르보네이트의 비율이 50중량％ 이상 90중량％ 이하인 감광성 수지 조성물과,
도전성 금속 분말
을 함유하는 것을 특징으로 하는 감광성 페이스트. - 제1항에 있어서, 상기 감광성 수지 조성물을 구성하는 상기 폴리알킬렌카르보네이트가 폴리프로필렌카르보네이트인 것을 특징으로 하는 감광성 페이스트.
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JPJP-P-2012-040348 | 2012-02-27 | ||
| JP2012040348 | 2012-02-27 | ||
| PCT/JP2012/081267 WO2013128741A1 (ja) | 2012-02-27 | 2012-12-03 | 感光性樹脂組成物およびそれを用いた感光性ペースト |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020167031456A Division KR101834691B1 (ko) | 2012-02-27 | 2012-12-03 | 전자 부품의 제조 방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20140097304A KR20140097304A (ko) | 2014-08-06 |
| KR101922282B1 true KR101922282B1 (ko) | 2018-11-26 |
Family
ID=49081961
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020147015200A KR101922282B1 (ko) | 2012-02-27 | 2012-12-03 | 감광성 수지 조성물 및 그것을 이용한 감광성 페이스트 |
| KR1020167031456A KR101834691B1 (ko) | 2012-02-27 | 2012-12-03 | 전자 부품의 제조 방법 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020167031456A KR101834691B1 (ko) | 2012-02-27 | 2012-12-03 | 전자 부품의 제조 방법 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9063418B2 (ko) |
| JP (2) | JP5858136B2 (ko) |
| KR (2) | KR101922282B1 (ko) |
| CN (2) | CN103917917B (ko) |
| WO (1) | WO2013128741A1 (ko) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2021170084A (ja) * | 2020-04-16 | 2021-10-28 | Tdk株式会社 | 感光性導体ペースト、積層電子部品およびその製造方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000103643A (ja) | 1998-09-29 | 2000-04-11 | Taiyo Ink Mfg Ltd | パターン状無機質焼成被膜の製造方法及びそれに用いる成形型 |
| JP2000284472A (ja) | 1999-01-27 | 2000-10-13 | Murata Mfg Co Ltd | 感光性絶縁体ペースト及び厚膜多層回路基板 |
| JP2001278906A (ja) * | 2000-03-31 | 2001-10-10 | Taiyo Ink Mfg Ltd | 光硬化性ペースト組成物 |
| JP2011245752A (ja) * | 2010-05-27 | 2011-12-08 | Fujifilm Corp | レーザー彫刻用樹脂組成物、レーザー彫刻用レリーフ印刷版原版及びその製造方法、並びに、レリーフ印刷版及びその製版方法 |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5032478A (en) * | 1989-08-21 | 1991-07-16 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Photosensitive aqueous developable gold conductor composition |
| JP3651298B2 (ja) * | 1999-02-17 | 2005-05-25 | 株式会社村田製作所 | 感光性絶縁体ペースト及び厚膜多層回路基板 |
| US6194124B1 (en) * | 1999-08-12 | 2001-02-27 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Photosensitive ceramic compositions containing polycarbonate polymers |
| JP4633858B2 (ja) | 2000-12-05 | 2011-02-16 | 大日本印刷株式会社 | 凹凸パターン層の製造方法、およびこの方法を用いて製造される液晶ディスプレイおよびカラーフィルタ |
| JP2002311583A (ja) | 2001-04-18 | 2002-10-23 | Daicel Chem Ind Ltd | 感光性ペースト及びそれを用いたディスプレイ用部材の製造方法 |
| JP3614152B2 (ja) * | 2001-08-07 | 2005-01-26 | 株式会社村田製作所 | 感光性導電ペースト、それを用いた回路基板及びセラミック多層基板の製造方法 |
| JP4071171B2 (ja) * | 2003-08-21 | 2008-04-02 | 太陽インキ製造株式会社 | 感光性導電組成物およびプラズマディスプレイパネル |
| JP2005267859A (ja) * | 2004-03-16 | 2005-09-29 | Toyobo Co Ltd | 導電性ペースト |
| JP2005288933A (ja) * | 2004-04-01 | 2005-10-20 | Three M Innovative Properties Co | 可とう性成形型及びその製造方法 |
| JP4642593B2 (ja) * | 2005-08-11 | 2011-03-02 | 東京応化工業株式会社 | 機能性パターン形成用感光性樹脂組成物および機能性パターン形成方法 |
| KR20070039204A (ko) * | 2005-10-07 | 2007-04-11 | 삼성에스디아이 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법 |
| US8187793B2 (en) * | 2007-04-23 | 2012-05-29 | Eastman Kodak Company | Ablatable elements for making flexographic printing plates |
| JP2010018478A (ja) * | 2008-07-10 | 2010-01-28 | Toray Ind Inc | 感光性セラミックス組成物及び感光性セラミックスシート並びに感光性セラミックスシートの製造方法 |
| JP2010276703A (ja) | 2009-05-26 | 2010-12-09 | Jsr Corp | 感光性ペースト組成物およびパターン形成方法 |
| WO2011122218A1 (ja) * | 2010-03-29 | 2011-10-06 | 日本電気硝子株式会社 | 封着材料及びこれを用いたペースト材料 |
| KR101820074B1 (ko) * | 2010-05-20 | 2018-01-18 | 히타치가세이가부시끼가이샤 | 감광성 수지 조성물, 감광성 필름, 리브 패턴의 형성 방법, 중공 구조와 그 형성 방법 및 전자 부품 |
-
2012
- 2012-12-03 CN CN201280054319.1A patent/CN103917917B/zh active Active
- 2012-12-03 JP JP2014501967A patent/JP5858136B2/ja active Active
- 2012-12-03 KR KR1020147015200A patent/KR101922282B1/ko active IP Right Grant
- 2012-12-03 CN CN201611191357.8A patent/CN106940514B/zh active Active
- 2012-12-03 KR KR1020167031456A patent/KR101834691B1/ko active IP Right Grant
- 2012-12-03 WO PCT/JP2012/081267 patent/WO2013128741A1/ja active Application Filing
-
2014
- 2014-06-10 US US14/300,996 patent/US9063418B2/en active Active
-
2015
- 2015-06-26 JP JP2015129002A patent/JP5983829B2/ja active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000103643A (ja) | 1998-09-29 | 2000-04-11 | Taiyo Ink Mfg Ltd | パターン状無機質焼成被膜の製造方法及びそれに用いる成形型 |
| JP2000284472A (ja) | 1999-01-27 | 2000-10-13 | Murata Mfg Co Ltd | 感光性絶縁体ペースト及び厚膜多層回路基板 |
| JP2001278906A (ja) * | 2000-03-31 | 2001-10-10 | Taiyo Ink Mfg Ltd | 光硬化性ペースト組成物 |
| JP2011245752A (ja) * | 2010-05-27 | 2011-12-08 | Fujifilm Corp | レーザー彫刻用樹脂組成物、レーザー彫刻用レリーフ印刷版原版及びその製造方法、並びに、レリーフ印刷版及びその製版方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN106940514A (zh) | 2017-07-11 |
| JP5983829B2 (ja) | 2016-09-06 |
| JP5858136B2 (ja) | 2016-02-10 |
| CN103917917B (zh) | 2017-02-15 |
| CN106940514B (zh) | 2021-10-08 |
| KR20140097304A (ko) | 2014-08-06 |
| KR101834691B1 (ko) | 2018-03-05 |
| KR20160134861A (ko) | 2016-11-23 |
| CN103917917A (zh) | 2014-07-09 |
| US9063418B2 (en) | 2015-06-23 |
| US20140295351A1 (en) | 2014-10-02 |
| WO2013128741A1 (ja) | 2013-09-06 |
| JPWO2013128741A1 (ja) | 2015-07-30 |
| JP2015232714A (ja) | 2015-12-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5163687B2 (ja) | 感光性導電ペースト、それを用いた積層型電子部品の製造方法、および積層型電子部品 | |
| US8003018B2 (en) | Composition for fabrication of electrode, electrode fabricated using the same, plasma display panel, and associated methods | |
| JP6614355B2 (ja) | 感光性導電ペースト、積層型電子部品の製造方法、及び、積層型電子部品 | |
| TWI812688B (zh) | 感光性組成物、複合體、電子零件及電子零件的製造方法 | |
| KR101922282B1 (ko) | 감광성 수지 조성물 및 그것을 이용한 감광성 페이스트 | |
| KR100874281B1 (ko) | 유전체 및 유전체를 구비한 디스플레이 장치 및 유전체의제조 방법 | |
| KR102658648B1 (ko) | 감광성 조성물과 그의 이용 | |
| JP2002097215A (ja) | ペースト状導電性樹脂組成物及びその焼結体の形成方法 | |
| CN111465899B (zh) | 感光性组合物和其利用 | |
| JP2021015155A (ja) | 感光性組成物の製造方法、ペースト状の感光性組成物、電子部品の製造方法および電子部品、ならびに感光性組成物中の有機成分の配合比決定装置、コンピュータプログラム | |
| JPWO2005052691A1 (ja) | 厚膜パターンの形成方法、電子部品の製造方法、およびフォトリソグラフィー用感光性ペースト | |
| WO2022191054A1 (ja) | 感光性組成物とその利用 | |
| JP2006308805A (ja) | 感光性ペースト、厚膜パターンの形成方法、および電子部品の製造方法 | |
| JP7113779B2 (ja) | 感光性組成物とその利用 | |
| JP6163876B2 (ja) | 感光性ペースト | |
| JP2012028405A (ja) | セラミック電子部品 | |
| JP2009227825A (ja) | インクジェット印刷用インク、およびこれを用いたフラットパネルディスプレイ用電極の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E601 | Decision to refuse application | ||
| A107 | Divisional application of patent | ||
| J201 | Request for trial against refusal decision | ||
| J301 | Trial decision |
Free format text: TRIAL NUMBER: 2016101006418; TRIAL DECISION FOR APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL REQUESTED 20161110 Effective date: 20181024 |
|
| S901 | Examination by remand of revocation | ||
| GRNO | Decision to grant (after opposition) | ||
| GRNT | Written decision to grant |