KR101911112B1 - 요철 구조를 표면에 갖는 몰드, 광학물품, 그 제조 방법, 면 발광체용 투명 기재 및 면 발광체 - Google Patents
요철 구조를 표면에 갖는 몰드, 광학물품, 그 제조 방법, 면 발광체용 투명 기재 및 면 발광체 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101911112B1 KR101911112B1 KR1020137028191A KR20137028191A KR101911112B1 KR 101911112 B1 KR101911112 B1 KR 101911112B1 KR 1020137028191 A KR1020137028191 A KR 1020137028191A KR 20137028191 A KR20137028191 A KR 20137028191A KR 101911112 B1 KR101911112 B1 KR 101911112B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- concavo
- optical article
- mold
- convex structure
- light
- Prior art date
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 213
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 26
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims description 68
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 150
- 230000001788 irregular Effects 0.000 claims abstract description 41
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 123
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 123
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 claims description 80
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 65
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 13
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 8
- 238000003892 spreading Methods 0.000 claims description 4
- 230000007480 spreading Effects 0.000 claims description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 220
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 42
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 37
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 37
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 34
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 29
- 239000002585 base Substances 0.000 description 27
- 239000010408 film Substances 0.000 description 22
- 230000008859 change Effects 0.000 description 21
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 21
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 20
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 19
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 19
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 19
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 16
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 15
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 13
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 13
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 13
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 12
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 12
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 12
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 12
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 11
- 230000003578 releasing effect Effects 0.000 description 11
- 241000428199 Mustelinae Species 0.000 description 10
- 230000009471 action Effects 0.000 description 10
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 9
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 9
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 8
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 8
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 8
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 7
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 7
- 239000003505 polymerization initiator Substances 0.000 description 7
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 6
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 6
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 6
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 5
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 5
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 5
- HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N Acrylamide Chemical compound NC(=O)C=C HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 4
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 4
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 4
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 4
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920013730 reactive polymer Polymers 0.000 description 4
- QNODIIQQMGDSEF-UHFFFAOYSA-N (1-hydroxycyclohexyl)-phenylmethanone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C1(O)CCCCC1 QNODIIQQMGDSEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N alpha-Phenylpyridine Natural products C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ISAOCJYIOMOJEB-UHFFFAOYSA-N benzoin Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(O)C(=O)C1=CC=CC=C1 ISAOCJYIOMOJEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N benzophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C1=CC=CC=C1 RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012965 benzophenone Substances 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 238000003851 corona treatment Methods 0.000 description 3
- MTZQAGJQAFMTAQ-UHFFFAOYSA-N ethyl benzoate Chemical compound CCOC(=O)C1=CC=CC=C1 MTZQAGJQAFMTAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 3
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000028161 membrane depolarization Effects 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N o-biphenylenemethane Natural products C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3C2=C1 NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012788 optical film Substances 0.000 description 3
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 3
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 3
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 3
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- MSAHTMIQULFMRG-UHFFFAOYSA-N 1,2-diphenyl-2-propan-2-yloxyethanone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(OC(C)C)C(=O)C1=CC=CC=C1 MSAHTMIQULFMRG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DKEGCUDAFWNSSO-UHFFFAOYSA-N 1,8-dibromooctane Chemical compound BrCCCCCCCCBr DKEGCUDAFWNSSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012956 1-hydroxycyclohexylphenyl-ketone Substances 0.000 description 2
- BKCIQPUIDHPJSI-UHFFFAOYSA-N 2,3,4,5-tetramethylpyridine Chemical compound CC1=CN=C(C)C(C)=C1C BKCIQPUIDHPJSI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 2-(2-cyanopropan-2-yldiazenyl)-2-methylpropanenitrile Chemical compound N#CC(C)(C)N=NC(C)(C)C#N OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KMNCBSZOIQAUFX-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxy-1,2-diphenylethanone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(OCC)C(=O)C1=CC=CC=C1 KMNCBSZOIQAUFX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RSROEZYGRKHVMN-UHFFFAOYSA-N 2-ethyl-2-(hydroxymethyl)propane-1,3-diol;oxirane Chemical compound C1CO1.CCC(CO)(CO)CO RSROEZYGRKHVMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQZJOQXSCSZQPS-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-1,2-diphenylethanone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(OC)C(=O)C1=CC=CC=C1 BQZJOQXSCSZQPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VVBLNCFGVYUYGU-UHFFFAOYSA-N 4,4'-Bis(dimethylamino)benzophenone Chemical compound C1=CC(N(C)C)=CC=C1C(=O)C1=CC=C(N(C)C)C=C1 VVBLNCFGVYUYGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005725 8-Hydroxyquinoline Substances 0.000 description 2
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- HZRPIZSSEMKEEW-UHFFFAOYSA-N C1CO1.O=C1NC(=O)NC(=O)N1 Chemical compound C1CO1.O=C1NC(=O)NC(=O)N1 HZRPIZSSEMKEEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- 239000005057 Hexamethylene diisocyanate Substances 0.000 description 2
- 229910000846 In alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- JLTDJTHDQAWBAV-UHFFFAOYSA-N N,N-dimethylaniline Chemical compound CN(C)C1=CC=CC=C1 JLTDJTHDQAWBAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N N-Heptane Chemical compound CCCCCCC IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000000126 Styrax benzoin Nutrition 0.000 description 2
- 244000028419 Styrax benzoin Species 0.000 description 2
- 235000008411 Sumatra benzointree Nutrition 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001252 acrylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229960002130 benzoin Drugs 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- MQDJYUACMFCOFT-UHFFFAOYSA-N bis[2-(1-hydroxycyclohexyl)phenyl]methanone Chemical compound C=1C=CC=C(C(=O)C=2C(=CC=CC=2)C2(O)CCCCC2)C=1C1(O)CCCCC1 MQDJYUACMFCOFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002091 cationic group Chemical group 0.000 description 2
- 239000012461 cellulose resin Substances 0.000 description 2
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 2
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 235000019382 gum benzoic Nutrition 0.000 description 2
- RRAMGCGOFNQTLD-UHFFFAOYSA-N hexamethylene diisocyanate Chemical compound O=C=NCCCCCCN=C=O RRAMGCGOFNQTLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 2
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 2
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 2
- YLHXLHGIAMFFBU-UHFFFAOYSA-N methyl phenylglyoxalate Chemical compound COC(=O)C(=O)C1=CC=CC=C1 YLHXLHGIAMFFBU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006082 mold release agent Substances 0.000 description 2
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 2
- 150000001451 organic peroxides Chemical class 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229960003540 oxyquinoline Drugs 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 2
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920001467 poly(styrenesulfonates) Polymers 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 2
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 2
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol Chemical compound C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 2
- 230000001603 reducing effect Effects 0.000 description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 125000004079 stearyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 2
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N succinic acid Chemical compound OC(=O)CCC(O)=O KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- 238000009489 vacuum treatment Methods 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- DTGKSKDOIYIVQL-WEDXCCLWSA-N (+)-borneol Chemical group C1C[C@@]2(C)[C@@H](O)C[C@@H]1C2(C)C DTGKSKDOIYIVQL-WEDXCCLWSA-N 0.000 description 1
- PWCBSPFFLHCDKT-UHFFFAOYSA-N (2,6-dimethoxyphenyl)-(2,4,4-trimethylpentylphosphonoyl)methanone Chemical compound COC1=CC=CC(OC)=C1C(=O)P(=O)CC(C)CC(C)(C)C PWCBSPFFLHCDKT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QEQBMZQFDDDTPN-UHFFFAOYSA-N (2-methylpropan-2-yl)oxy benzenecarboperoxoate Chemical compound CC(C)(C)OOOC(=O)C1=CC=CC=C1 QEQBMZQFDDDTPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SWFHGTMLYIBPPA-UHFFFAOYSA-N (4-methoxyphenyl)-phenylmethanone Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1C(=O)C1=CC=CC=C1 SWFHGTMLYIBPPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YIKSHDNOAYSSPX-UHFFFAOYSA-N 1-propan-2-ylthioxanthen-9-one Chemical compound S1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=CC=C2C(C)C YIKSHDNOAYSSPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BGJQNPIOBWKQAW-UHFFFAOYSA-N 1-tert-butylanthracene-9,10-dione Chemical compound O=C1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=CC=C2C(C)(C)C BGJQNPIOBWKQAW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IGGDKDTUCAWDAN-UHFFFAOYSA-N 1-vinylnaphthalene Chemical compound C1=CC=C2C(C=C)=CC=CC2=C1 IGGDKDTUCAWDAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PIZHFBODNLEQBL-UHFFFAOYSA-N 2,2-diethoxy-1-phenylethanone Chemical compound CCOC(OCC)C(=O)C1=CC=CC=C1 PIZHFBODNLEQBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CZZVAVMGKRNEAT-UHFFFAOYSA-N 2,2-dimethylpropane-1,3-diol;3-hydroxy-2,2-dimethylpropanoic acid Chemical compound OCC(C)(C)CO.OCC(C)(C)C(O)=O CZZVAVMGKRNEAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UXCIJKOCUAQMKD-UHFFFAOYSA-N 2,4-dichlorothioxanthen-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC(Cl)=CC(Cl)=C3SC2=C1 UXCIJKOCUAQMKD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BTJPUDCSZVCXFQ-UHFFFAOYSA-N 2,4-diethylthioxanthen-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC(CC)=CC(CC)=C3SC2=C1 BTJPUDCSZVCXFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C=12C=CC3=C(C=4C=CC=CC=4)C=C(C)N=C3C2=NC(C)=CC=1C1=CC=CC=C1 STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XMNIXWIUMCBBBL-UHFFFAOYSA-N 2-(2-phenylpropan-2-ylperoxy)propan-2-ylbenzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(C)(C)OOC(C)(C)C1=CC=CC=C1 XMNIXWIUMCBBBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LCZVSXRMYJUNFX-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-hydroxypropoxy)propoxy]propan-1-ol Chemical compound CC(O)COC(C)COC(C)CO LCZVSXRMYJUNFX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TXBCBTDQIULDIA-UHFFFAOYSA-N 2-[[3-hydroxy-2,2-bis(hydroxymethyl)propoxy]methyl]-2-(hydroxymethyl)propane-1,3-diol Chemical compound OCC(CO)(CO)COCC(CO)(CO)CO TXBCBTDQIULDIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SNZYOYGFWBZAQY-UHFFFAOYSA-N 2-ethyl-2-(hydroxymethyl)propane-1,3-diol;2-methyloxirane Chemical compound CC1CO1.CCC(CO)(CO)CO SNZYOYGFWBZAQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SJEBAWHUJDUKQK-UHFFFAOYSA-N 2-ethylanthraquinone Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC(CC)=CC=C3C(=O)C2=C1 SJEBAWHUJDUKQK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFUGQJXVXHBTEM-UHFFFAOYSA-N 2-hydroperoxy-2-(2-hydroperoxybutan-2-ylperoxy)butane Chemical compound CCC(C)(OO)OOC(C)(CC)OO WFUGQJXVXHBTEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000954 2-hydroxyethyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])O[H] 0.000 description 1
- GWZMWHWAWHPNHN-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxypropyl prop-2-enoate Chemical compound CC(O)COC(=O)C=C GWZMWHWAWHPNHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004200 2-methoxyethyl group Chemical group [H]C([H])([H])OC([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- BSMGLVDZZMBWQB-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1-phenylpropan-1-one Chemical compound CC(C)C(=O)C1=CC=CC=C1 BSMGLVDZZMBWQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003903 2-propenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 1
- FRIBMENBGGCKPD-UHFFFAOYSA-N 3-(2,3-dimethoxyphenyl)prop-2-enal Chemical compound COC1=CC=CC(C=CC=O)=C1OC FRIBMENBGGCKPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BUZICZZQJDLXJN-UHFFFAOYSA-N 3-azaniumyl-4-hydroxybutanoate Chemical compound OCC(N)CC(O)=O BUZICZZQJDLXJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FIHBHSQYSYVZQE-UHFFFAOYSA-N 6-prop-2-enoyloxyhexyl prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCCCCCCOC(=O)C=C FIHBHSQYSYVZQE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MTRFEWTWIPAXLG-UHFFFAOYSA-N 9-phenylacridine Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=C(C=CC=C2)C2=NC2=CC=CC=C12 MTRFEWTWIPAXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N Acrylonitrile Chemical compound C=CC#N NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004342 Benzoyl peroxide Substances 0.000 description 1
- OMPJBNCRMGITSC-UHFFFAOYSA-N Benzoylperoxide Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)OOC(=O)C1=CC=CC=C1 OMPJBNCRMGITSC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002284 Cellulose triacetate Polymers 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000742 Cotton Polymers 0.000 description 1
- OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N Ethane Chemical compound CC OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- YIVJZNGAASQVEM-UHFFFAOYSA-N Lauroyl peroxide Chemical compound CCCCCCCCCCCC(=O)OOC(=O)CCCCCCCCCCC YIVJZNGAASQVEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000282345 Meles Species 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M Methacrylate Chemical compound CC(=C)C([O-])=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NQSMEZJWJJVYOI-UHFFFAOYSA-N Methyl 2-benzoylbenzoate Chemical compound COC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)C1=CC=CC=C1 NQSMEZJWJJVYOI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- GMPDOIGGGXSAPL-UHFFFAOYSA-N Phenyl vinyl sulfide Chemical compound C=CSC1=CC=CC=C1 GMPDOIGGGXSAPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000297 Rayon Polymers 0.000 description 1
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DAKWPKUUDNSNPN-UHFFFAOYSA-N Trimethylolpropane triacrylate Chemical compound C=CC(=O)OCC(CC)(COC(=O)C=C)COC(=O)C=C DAKWPKUUDNSNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N [(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-diacetyloxy-3-[(2s,3r,4s,5r,6r)-3,4,5-triacetyloxy-6-(acetyloxymethyl)oxan-2-yl]oxy-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-triacetyloxy-2-(acetyloxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-2-yl]methyl acetate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@@H](COC(C)=O)O1)OC(C)=O)COC(=O)C)[C@@H]1[C@@H](COC(C)=O)O[C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N 0.000 description 1
- XRMBQHTWUBGQDN-UHFFFAOYSA-N [2-[2,2-bis(prop-2-enoyloxymethyl)butoxymethyl]-2-(prop-2-enoyloxymethyl)butyl] prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCC(COC(=O)C=C)(CC)COCC(CC)(COC(=O)C=C)COC(=O)C=C XRMBQHTWUBGQDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ULGYAEQHFNJYML-UHFFFAOYSA-N [AlH3].[Ca] Chemical compound [AlH3].[Ca] ULGYAEQHFNJYML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N [Li].[Al] Chemical compound [Li].[Al] JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JHYLKGDXMUDNEO-UHFFFAOYSA-N [Mg].[In] Chemical compound [Mg].[In] JHYLKGDXMUDNEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UKLDJPRMSDWDSL-UHFFFAOYSA-L [dibutyl(dodecanoyloxy)stannyl] dodecanoate Chemical compound CCCCCCCCCCCC(=O)O[Sn](CCCC)(CCCC)OC(=O)CCCCCCCCCCC UKLDJPRMSDWDSL-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 150000003926 acrylamides Chemical class 0.000 description 1
- 229920000122 acrylonitrile butadiene styrene Polymers 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 150000001339 alkali metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000001341 alkaline earth metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SNAAJJQQZSMGQD-UHFFFAOYSA-N aluminum magnesium Chemical compound [Mg].[Al] SNAAJJQQZSMGQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 230000003373 anti-fouling effect Effects 0.000 description 1
- 239000002216 antistatic agent Substances 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 235000019400 benzoyl peroxide Nutrition 0.000 description 1
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001588 bifunctional effect Effects 0.000 description 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- VYHBFRJRBHMIQZ-UHFFFAOYSA-N bis[4-(diethylamino)phenyl]methanone Chemical compound C1=CC(N(CC)CC)=CC=C1C(=O)C1=CC=C(N(CC)CC)C=C1 VYHBFRJRBHMIQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001273 butane Substances 0.000 description 1
- YTJUXOIAXOQWBV-UHFFFAOYSA-N butoxy(trimethyl)silane Chemical compound CCCCO[Si](C)(C)C YTJUXOIAXOQWBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 125000000609 carbazolyl group Chemical class C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3NC12)* 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010538 cationic polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce] ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 1
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 1
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 150000001991 dicarboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- TZAMQIAPGYOUKF-UHFFFAOYSA-N diethoxyphosphoryl(phenyl)methanone Chemical compound CCOP(=O)(OCC)C(=O)C1=CC=CC=C1 TZAMQIAPGYOUKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- JJQZDUKDJDQPMQ-UHFFFAOYSA-N dimethoxy(dimethyl)silane Chemical compound CO[Si](C)(C)OC JJQZDUKDJDQPMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YYLGKUPAFFKGRQ-UHFFFAOYSA-N dimethyldiethoxysilane Chemical compound CCO[Si](C)(C)OCC YYLGKUPAFFKGRQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VFHVQBAGLAREND-UHFFFAOYSA-N diphenylphosphoryl-(2,4,6-trimethylphenyl)methanone Chemical compound CC1=CC(C)=CC(C)=C1C(=O)P(=O)(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 VFHVQBAGLAREND-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000001227 electron beam curing Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- RSIHJDGMBDPTIM-UHFFFAOYSA-N ethoxy(trimethyl)silane Chemical compound CCO[Si](C)(C)C RSIHJDGMBDPTIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N ethyl carbamate;prop-2-enoic acid Chemical group OC(=O)C=C.CCOC(N)=O UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- QKLCQKPAECHXCQ-UHFFFAOYSA-N ethyl phenylglyoxylate Chemical compound CCOC(=O)C(=O)C1=CC=CC=C1 QKLCQKPAECHXCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- STVZJERGLQHEKB-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol dimethacrylate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCOC(=O)C(C)=C STVZJERGLQHEKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003055 glycidyl group Chemical group C(C1CO1)* 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XXMIOPMDWAUFGU-UHFFFAOYSA-N hexane-1,6-diol Chemical compound OCCCCCCO XXMIOPMDWAUFGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- LHJOPRPDWDXEIY-UHFFFAOYSA-N indium lithium Chemical compound [Li].[In] LHJOPRPDWDXEIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- YZASAXHKAQYPEH-UHFFFAOYSA-N indium silver Chemical compound [Ag].[In] YZASAXHKAQYPEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 239000012948 isocyanate Substances 0.000 description 1
- 150000002513 isocyanates Chemical class 0.000 description 1
- ZFSLODLOARCGLH-UHFFFAOYSA-N isocyanuric acid Chemical compound OC1=NC(O)=NC(O)=N1 ZFSLODLOARCGLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- GCICAPWZNUIIDV-UHFFFAOYSA-N lithium magnesium Chemical compound [Li].[Mg] GCICAPWZNUIIDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N magnesium silver Chemical compound [Mg].[Ag] SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910001512 metal fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- POPACFLNWGUDSR-UHFFFAOYSA-N methoxy(trimethyl)silane Chemical compound CO[Si](C)(C)C POPACFLNWGUDSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- RJMRIDVWCWSWFR-UHFFFAOYSA-N methyl(tripropoxy)silane Chemical compound CCCO[Si](C)(OCCC)OCCC RJMRIDVWCWSWFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011859 microparticle Substances 0.000 description 1
- ZIUHHBKFKCYYJD-UHFFFAOYSA-N n,n'-methylenebisacrylamide Chemical compound C=CC(=O)NCNC(=O)C=C ZIUHHBKFKCYYJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYVGXEWAOAAJEU-UHFFFAOYSA-N n,n,4-trimethylaniline Chemical compound CN(C)C1=CC=C(C)C=C1 GYVGXEWAOAAJEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IJDNQMDRQITEOD-UHFFFAOYSA-N n-butane Chemical compound CCCC IJDNQMDRQITEOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N n-pentane Natural products CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SLCVBVWXLSEKPL-UHFFFAOYSA-N neopentyl glycol Chemical compound OCC(C)(C)CO SLCVBVWXLSEKPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 125000003261 o-tolyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(*)=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 1
- 125000002971 oxazolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003566 oxetanyl group Chemical group 0.000 description 1
- AUONHKJOIZSQGR-UHFFFAOYSA-N oxophosphane Chemical compound P=O AUONHKJOIZSQGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NWVVVBRKAWDGAB-UHFFFAOYSA-N p-methoxyphenol Chemical compound COC1=CC=C(O)C=C1 NWVVVBRKAWDGAB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940059574 pentaerithrityl Drugs 0.000 description 1
- WXZMFSXDPGVJKK-UHFFFAOYSA-N pentaerythritol Chemical compound OCC(CO)(CO)CO WXZMFSXDPGVJKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- HPAFOABSQZMTHE-UHFFFAOYSA-N phenyl-(2,4,6-trimethylphenyl)methanone Chemical compound CC1=CC(C)=CC(C)=C1C(=O)C1=CC=CC=C1 HPAFOABSQZMTHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 229920001748 polybutylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 230000001376 precipitating effect Effects 0.000 description 1
- UFUASNAHBMBJIX-UHFFFAOYSA-N propan-1-one Chemical compound CC[C]=O UFUASNAHBMBJIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 1
- 238000007717 redox polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 description 1
- IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N rubidium atom Chemical compound [Rb] IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SPNAQSNLZHHUIJ-UHFFFAOYSA-N s-[4-[4-(2-methylprop-2-enoylsulfanyl)phenyl]sulfanylphenyl] 2-methylprop-2-enethioate Chemical compound C1=CC(SC(=O)C(=C)C)=CC=C1SC1=CC=C(SC(=O)C(C)=C)C=C1 SPNAQSNLZHHUIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N samarium atom Chemical compound [Sm] KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
- 229910001256 stainless steel alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003440 styrenes Chemical class 0.000 description 1
- 239000001384 succinic acid Substances 0.000 description 1
- 150000005846 sugar alcohols Polymers 0.000 description 1
- 150000003464 sulfur compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- CIHOLLKRGTVIJN-UHFFFAOYSA-N tert‐butyl hydroperoxide Chemical compound CC(C)(C)OO CIHOLLKRGTVIJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UQMOLLPKNHFRAC-UHFFFAOYSA-N tetrabutyl silicate Chemical compound CCCCO[Si](OCCCC)(OCCCC)OCCCC UQMOLLPKNHFRAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N tetramethyl orthosilicate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)OC LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZQZCOBSUOFHDEE-UHFFFAOYSA-N tetrapropyl silicate Chemical compound CCCO[Si](OCCC)(OCCC)OCCC ZQZCOBSUOFHDEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000012719 thermal polymerization Methods 0.000 description 1
- 229920002725 thermoplastic elastomer Polymers 0.000 description 1
- KUAZQDVKQLNFPE-UHFFFAOYSA-N thiram Chemical compound CN(C)C(=S)SSC(=S)N(C)C KUAZQDVKQLNFPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960002447 thiram Drugs 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GYZQBXUDWTVJDF-UHFFFAOYSA-N tributoxy(methyl)silane Chemical compound CCCCO[Si](C)(OCCCC)OCCCC GYZQBXUDWTVJDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CPUDPFPXCZDNGI-UHFFFAOYSA-N triethoxy(methyl)silane Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)OCC CPUDPFPXCZDNGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N triethylene glycol Chemical compound OCCOCCOCCO ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013638 trimer Substances 0.000 description 1
- PHPGKIATZDCVHL-UHFFFAOYSA-N trimethyl(propoxy)silane Chemical compound CCCO[Si](C)(C)C PHPGKIATZDCVHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QXJQHYBHAIHNGG-UHFFFAOYSA-N trimethylolethane Chemical compound OCC(C)(CO)CO QXJQHYBHAIHNGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 1
- 229920006305 unsaturated polyester Polymers 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/02—Diffusing elements; Afocal elements
- G02B5/0268—Diffusing elements; Afocal elements characterized by the fabrication or manufacturing method
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C33/00—Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor
- B29C33/42—Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor characterised by the shape of the moulding surface, e.g. ribs or grooves
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C33/00—Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor
- B29C33/42—Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor characterised by the shape of the moulding surface, e.g. ribs or grooves
- B29C33/424—Moulding surfaces provided with means for marking or patterning
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C37/00—Component parts, details, accessories or auxiliary operations, not covered by group B29C33/00 or B29C35/00
- B29C37/0053—Moulding articles characterised by the shape of the surface, e.g. ribs, high polish
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C37/00—Component parts, details, accessories or auxiliary operations, not covered by group B29C33/00 or B29C35/00
- B29C37/0067—Using separating agents during or after moulding; Applying separating agents on preforms or articles, e.g. to prevent sticking to each other
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/17—Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
- B29C45/26—Moulds
- B29C45/37—Mould cavity walls, i.e. the inner surface forming the mould cavity, e.g. linings
- B29C45/372—Mould cavity walls, i.e. the inner surface forming the mould cavity, e.g. linings provided with means for marking or patterning, e.g. numbering articles
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C59/00—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor
- B29C59/02—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by mechanical means, e.g. pressing
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29D—PRODUCING PARTICULAR ARTICLES FROM PLASTICS OR FROM SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE
- B29D11/00—Producing optical elements, e.g. lenses or prisms
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29D—PRODUCING PARTICULAR ARTICLES FROM PLASTICS OR FROM SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE
- B29D11/00—Producing optical elements, e.g. lenses or prisms
- B29D11/00009—Production of simple or compound lenses
- B29D11/00317—Production of lenses with markings or patterns
- B29D11/00326—Production of lenses with markings or patterns having particular surface properties, e.g. a micropattern
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29D—PRODUCING PARTICULAR ARTICLES FROM PLASTICS OR FROM SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE
- B29D11/00—Producing optical elements, e.g. lenses or prisms
- B29D11/00009—Production of simple or compound lenses
- B29D11/0048—Moulds for lenses
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C35/00—Heating, cooling or curing, e.g. crosslinking or vulcanising; Apparatus therefor
- B29C35/02—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould
- B29C35/08—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould by wave energy or particle radiation
- B29C35/0805—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould by wave energy or particle radiation using electromagnetic radiation
- B29C2035/0827—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould by wave energy or particle radiation using electromagnetic radiation using UV radiation
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C35/00—Heating, cooling or curing, e.g. crosslinking or vulcanising; Apparatus therefor
- B29C35/02—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould
- B29C35/08—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould by wave energy or particle radiation
- B29C35/0805—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould by wave energy or particle radiation using electromagnetic radiation
- B29C2035/0833—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould by wave energy or particle radiation using electromagnetic radiation using actinic light
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C59/00—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor
- B29C59/10—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by electric discharge treatment
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C59/00—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor
- B29C59/14—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by plasma treatment
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C59/00—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor
- B29C59/16—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by wave energy or particle radiation, e.g. infrared heating
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29L—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASS B29C, RELATING TO PARTICULAR ARTICLES
- B29L2011/00—Optical elements, e.g. lenses, prisms
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Ophthalmology & Optometry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
- Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
본 발명은, 평균 경사각이 20 내지 80도인 불규칙한 요철 구조를 표면에 갖는 몰드; 평균 경사각이 20 내지 80도인 불규칙한 요철 구조를 표면에 갖는 광학물품; 몰드의 요철 구조를 전사하여, 불규칙한 요철 구조를 표면에 갖는 광학물품을 제조하는 방법; 불규칙한 요철 구조를 표면에 갖는 광학물품을 사용한 면 발광체용 투명 기재; 및 면 발광체용 투명 기재를 갖는 면 발광체에 관한 것이다.
Description
본 발명은 불규칙한 요철 구조를 표면에 갖는 몰드; 불규칙한 요철 구조를 표면에 갖는 광학물품; 몰드의 요철 구조를 전사하여, 불규칙한 요철 구조를 표면에 갖는 광학물품을 제조하는 방법; 불규칙한 요철 구조를 표면에 갖는 광학물품을 사용한 면 발광체용 투명 기재; 및 면 발광체용 투명 기재를 갖는 면 발광체에 관한 것이다.
본원은, 2011년 6월 17일에, 일본에 출원된 일본 특허 출원 제2011-135214호 및 2012년 3월 21일에, 일본에 출원된 일본 특허 출원 제2012-063709호에 기초해서 우선권을 주장하고, 그 내용을 여기에 원용한다.
일렉트로 루미네센스(이하, EL이라 기재함)를 이용한 실질적으로 2차원의 방사면을 갖는 면 발광체로서는, 유기 EL 소자나 무기 EL 소자가 알려져 있다. 유기 EL 소자를 포함하여 이루어지는 면 발광체로서는, 투명 기재와, 투명 기재의 표면에 설치된 투명 전극과, 투명 전극과 이격하여 설치된 금속 박막을 포함하여 이루어지는 배면 전극과, 투명 전극과 배면 전극의 사이에 설치된, 유기 화합물의 발광 재료를 포함하는 발광층을 갖는 것이 알려져 있다.
면 발광체에서는, 투명 전극으로부터의 정공과 배면 전극으로부터의 전자가 발광층에서 결합함으로써 발광층이 발광한다. 발광층에서 발광한 광은, 투명 전극 및 투명 기재를 투과하여 방사면(투명 기재의 표면)으로부터 취출된다. 또는, 배면 전극의 금속 박막에서 반사된 후, 발광층, 투명 전극 및 투명 기재를 투과하여 방사면으로부터 취출된다.
그러나, 이 면 발광체에서는, 투명 전극, 투명 기재, 외부 공기 등에 입사하는 광의 입사각이, 입사원의 재료의 굴절률과 입사처의 재료의 굴절률에 의해 결정되는 임계각 이상인 광은, 발광층과 투명 전극의 계면, 투명 전극과 투명 기재의 계면, 투명 기재와 외부 공기의 계면(방사면) 등에서 전반사하여, 면 발광체의 내부에 갇혀버린다. 그로 인해, 일부의 광을 외부로 취출할 수 없어, 광의 취출 효율이 낮다는 문제가 있다.
이 문제를 해결하는 면 발광체로서, 하기의 것이 제안되어 있다.
투명 기재의 투명 전극측의 표면에, 주기적인 요철 구조로 이루어지는 회절 격자를 형성한 유기 EL 소자(특허문헌 1).
이 유기 EL 소자에서는, 투명 전극, 투명 기재, 외부 공기에 대한 입사각이 작아지도록, 발광층에서 발광한 광을 회절 격자에 의해 회절함으로써, 상기 각 계면에서의 전반사를 저감하고, 광의 취출 효율을 향상시키고 있다.
또한, 요철 구조를 표면에 갖는 광학물품을 대면적화할 수 있고, 또한 생산성 높게 제조할 수 있는 방법으로서는, 하기의 방법이 제안되어 있다.
구리 또는 니켈 도금의 표면에 미립자를 충돌시켜서 요철 구조를 형성한 몰드의 요철 구조를 투명 수지 필름의 표면에 전사하는 방현 필름의 제조 방법(특허문헌 2, 3).
그러나, 특허문헌 1에 기재된 유기 EL 소자에는, 하기의 문제가 있다.
이 유기 EL 소자를 제조할 때에는, 포토리소그래피법에 의해 투명 기재의 표면에 요철 구조를 형성하고 있기 때문에, 요철 구조를 표면에 갖는 투명 기재의 제조에 시간이 걸리고, 대면적화도 어렵다. 그로 인해, 요철 구조를 표면에 갖는 투명 기재를 생산성 높게 제조할 수 없다.
규칙성이 높은 주기적인 요철 구조를 표면에 갖는 투명 기재에서는, 출사광의 색감이 각도에 따라 크게 변화한다.
또한, 특허문헌 2, 3에 기재된 방법으로 얻어진 방현 필름에는, 하기의 문제가 있다.
방현 필름에서의 요철 구조가 얕기 때문에, 요철 표면의 경사각이 작다. 그로 인해, 이 방현 필름에서는, 입사광을 충분히 확산할 수 없다. 이 방현 필름을 유기 EL 소자의 투명 기재로서 사용해도, 광의 취출 효율의 향상은 기대할 수 없다.
방현 필름에서의 요철 표면의 경사각이 작기 때문에, 출사광의 색감이 각도에 따라 크게 변화한다.
본 발명은 입사광을 효율적으로 회절 또는 확산할 수 있고, 각도에 의한 출사광의 색감의 변화가 작은, 요철 구조를 표면에 갖는 광학물품을 대면적화할 수 있고, 또한 생산성 높게 제조할 수 있는 몰드; 입사광을 효율적으로 회절 또는 확산할 수 있고, 각도에 의한 출사광의 색감의 변화가 작은, 요철 구조를 표면에 갖는 광학물품; 입사광을 효율적으로 회절 또는 확산할 수 있고, 각도에 의한 출사광의 색감의 변화가 작은, 요철 구조를 표면에 갖는 광학물품을 대면적화할 수 있고, 또한 생산성 높게 제조할 수 있는 제조 방법; 광의 취출 효율이 높고, 각도에 의한 출사광의 색감의 변화가 작은 면 발광체를 얻을 수 있는 면 발광체용 투명 기재; 및 광의 취출 효율이 높고, 각도에 의한 출사광의 색감의 변화가 작은 면 발광체를 제공한다.
본 발명은 (1) 내지 (7)의 몰드, (8), (9) 및 (11)의 요철 구조를 표면에 갖는 광학물품, (10)의 요철 구조를 표면에 갖는 광학물품의 제조 방법, (12)의 면 발광체용 투명 기재, 및 (13)의 면 발광체에 관한 것이다.
(1) 불규칙한 요철 구조를 표면에 갖고, 후술하는 방법으로 구한 평균 경사각이 20 내지 80도인, 몰드.
(2) 상기 요철 구조가 금속으로 이루어지는, (1)의 몰드.
(3) 상기 금속이 니켈, 니켈 합금, 구리 또는 구리 합금인, (2)의 몰드.
(4) 금속으로 이루어지는 요철 구조를 표면에 갖고, JIS K 7105에 따라서 C 광원을 사용하여 측정한, 상기 요철 구조를 갖는 측의 표면의 전반사율이 1 내지 30%인, 몰드.
(5) 상기 금속이 니켈, 니켈 합금, 구리 또는 구리 합금인, (4)의 몰드.
(6) 금속으로 이루어지는 복수의 바늘 형상의 돌기로 구성되는 요철 구조를 표면에 갖는 몰드.
(7) 상기 금속이 니켈, 니켈 합금, 구리 또는 구리 합금인, (6)의 몰드.
(8) 상기 (1) 내지 (7) 중 어느 하나의 몰드 또는 상기 몰드의 요철 구조를 레플리카 몰드 기재의 표면에 전사한 레플리카 몰드와, 광학물품용 기재로, 활성 에너지선 경화성 수지 조성물을 끼우는 공정과, 상기 활성 에너지선 경화성 수지 조성물에 활성 에너지선을 조사하여, 상기 활성 에너지선 경화성 수지 조성물을 경화시키고, 상기 몰드 또는 상기 레플리카 몰드의 요철 구조가 전사된 요철 수지층을, 상기 광학물품용 기재의 표면에 형성하는 공정과, 상기 요철 수지층 및 상기 광학물품용 기재를 포함하여 이루어지는 광학물품과, 상기 몰드 또는 상기 레플리카 몰드를 분리하는 공정을 갖는, 요철 구조를 표면에 갖는 광학물품의 제조 방법.
(9) 상기 (8)의 제조 방법에 의해 제조된, 요철 구조를 표면에 갖는 광학물품.
(10) 불규칙한 요철 구조를 표면에 갖고, 후술하는 방법으로 구한 평균 경사각이 20 내지 80도인, 요철 구조를 표면에 갖는 광학물품.
(11) 후술하는 방법으로 구한 확산율이 5 내지 80%인, (10)의 요철 구조를 표면에 갖는 광학물품.
(12) 상기 (9) 내지 (11) 중 어느 하나의 요철 구조를 표면에 갖는 광학물품을 포함하여 이루어지는 것 또는 상기 (9) 내지 (11) 중 어느 하나의 요철 구조를 표면에 갖는 광학물품의 상기 요철 수지층의 표면에 고굴절률층을 형성한 것인, 면 발광체용 투명 기재.
(13) 상기 (12)의 면 발광체용 투명 기재와, 상기 면 발광체용 투명 기재의 표면에 설치된 투명 전극과, 상기 투명 전극과 이격하여 설치된 배면 전극과, 상기 투명 전극과 상기 배면 전극의 사이에 설치된 발광층을 갖는 면 발광체.
본 발명의 몰드에 의하면, 입사광을 효율적으로 회절 또는 확산할 수 있고, 각도에 의한 출사광의 색감의 변화가 작은, 요철 구조를 표면에 갖는 광학물품을 대면적화할 수 있고, 또한 생산성 높게 제조할 수 있다.
본 발명의 요철 구조를 표면에 갖는 광학물품은, 입사광을 효율적으로 회절 또는 확산할 수 있고, 각도에 의한 출사광의 색감의 변화가 작다.
본 발명의 요철 구조를 표면에 갖는 광학물품의 제조 방법에 의하면, 입사광을 효율적으로 회절 또는 확산할 수 있고, 각도에 의한 출사광의 색감의 변화가 작은, 요철 구조를 표면에 갖는 광학물품을 대면적화할 수 있고, 또한 생산성 높게 제조할 수 있다.
본 발명의 면 발광체용 투명 기재에 의하면, 광의 취출 효율이 높고, 각도에 의한 출사광의 색감의 변화가 작은 면 발광체를 얻을 수 있다.
본 발명의 면 발광체는, 광의 취출 효율이 높고, 각도에 의한 출사광의 색감의 변화가 작다.
도 1은 도금막의 일례를 도시하는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 요철 구조를 표면에 갖는 광학물품의 제조 공정의 일례를 도시하는 단면도이다.
도 3은 본 발명의 요철 구조를 표면에 갖는 광학물품의 제조 공정의 다른 예를 도시하는 단면도이다.
도 4는 본 발명의 면 발광체용 투명 기재의 일례를 도시하는 단면도이다.
도 5는 본 발명의 면 발광체용 투명 기재의 다른 예를 도시하는 단면도이다.
도 6은 본 발명의 면 발광체용 투명 기재의 다른 예를 도시하는 단면도이다.
도 7은 본 발명의 면 발광체용 투명 기재의 다른 예를 도시하는 단면도이다.
도 8은 본 발명의 면 발광체의 일례를 도시하는 단면도이다.
도 9는 본 발명의 면 발광체의 다른 예를 도시하는 단면도이다.
도 10은 본 발명의 면 발광체의 다른 예를 도시하는 단면도이다.
도 11은 본 발명의 면 발광체의 다른 예를 도시하는 단면도이다.
도 12는 본 발명의 면 발광체의 다른 예를 도시하는 단면도이다.
도 13은 본 발명의 면 발광체의 다른 예를 도시하는 단면도이다.
도 14는 실시예에서 사용한 몰드(X-1)의 표면의 주사형 전자 현미경 사진이다.
도 15는 실시예에서 사용한 몰드(X-1)의 단면의 주사형 전자 현미경 사진이다.
도 16은 실시예에서 사용한 몰드(X-2)의 표면의 주사형 전자 현미경 사진이다.
도 17은 실시예에서 사용한 몰드(X-2)의 단면의 주사형 전자 현미경 사진이다.
도 18은 실시예에서 사용한 몰드(X-3)의 단면의 주사형 전자 현미경 사진이다.
도 19는 실시예에서 사용한 몰드(X-4)의 단면의 주사형 전자 현미경 사진이다.
도 20은 실시예 4의 요철 수지층의 표면의 주사형 전자 현미경 사진이다.
도 21은 실시예 4의 요철 수지층의 단면의 주사형 전자 현미경 사진이다.
도 22는 실시예 5의 요철 수지층의 표면의 주사형 전자 현미경 사진이다.
도 23은 실시예 5의 요철 수지층의 단면의 주사형 전자 현미경 사진이다.
도 24는 실시예 11의 요철 수지층의 표면의 주사형 전자 현미경 사진이다.
도 25는 실시예 11의 요철 수지층의 단면의 주사형 전자 현미경 사진이다.
도 26은 실시예 12의 요철 수지층의 표면의 주사형 전자 현미경 사진이다.
도 27은 실시예 12의 요철 수지층의 단면의 주사형 전자 현미경 사진이다.
도 28은 실시예 15의 요철 수지층의 표면의 주사형 전자 현미경 사진이다.
도 29는 실시예 16의 요철 수지층의 표면의 주사형 전자 현미경 사진이다.
도 30은 실시예 16의 요철 수지층의 단면의 주사형 전자 현미경 사진이다.
도 31은 비교예 4의 요철 수지층의 단면의 주사형 전자 현미경 사진이다.
도 32는 투과 확산 광의 강도의 분포를 나타내는 그래프이다.
도 2는 본 발명의 요철 구조를 표면에 갖는 광학물품의 제조 공정의 일례를 도시하는 단면도이다.
도 3은 본 발명의 요철 구조를 표면에 갖는 광학물품의 제조 공정의 다른 예를 도시하는 단면도이다.
도 4는 본 발명의 면 발광체용 투명 기재의 일례를 도시하는 단면도이다.
도 5는 본 발명의 면 발광체용 투명 기재의 다른 예를 도시하는 단면도이다.
도 6은 본 발명의 면 발광체용 투명 기재의 다른 예를 도시하는 단면도이다.
도 7은 본 발명의 면 발광체용 투명 기재의 다른 예를 도시하는 단면도이다.
도 8은 본 발명의 면 발광체의 일례를 도시하는 단면도이다.
도 9는 본 발명의 면 발광체의 다른 예를 도시하는 단면도이다.
도 10은 본 발명의 면 발광체의 다른 예를 도시하는 단면도이다.
도 11은 본 발명의 면 발광체의 다른 예를 도시하는 단면도이다.
도 12는 본 발명의 면 발광체의 다른 예를 도시하는 단면도이다.
도 13은 본 발명의 면 발광체의 다른 예를 도시하는 단면도이다.
도 14는 실시예에서 사용한 몰드(X-1)의 표면의 주사형 전자 현미경 사진이다.
도 15는 실시예에서 사용한 몰드(X-1)의 단면의 주사형 전자 현미경 사진이다.
도 16은 실시예에서 사용한 몰드(X-2)의 표면의 주사형 전자 현미경 사진이다.
도 17은 실시예에서 사용한 몰드(X-2)의 단면의 주사형 전자 현미경 사진이다.
도 18은 실시예에서 사용한 몰드(X-3)의 단면의 주사형 전자 현미경 사진이다.
도 19는 실시예에서 사용한 몰드(X-4)의 단면의 주사형 전자 현미경 사진이다.
도 20은 실시예 4의 요철 수지층의 표면의 주사형 전자 현미경 사진이다.
도 21은 실시예 4의 요철 수지층의 단면의 주사형 전자 현미경 사진이다.
도 22는 실시예 5의 요철 수지층의 표면의 주사형 전자 현미경 사진이다.
도 23은 실시예 5의 요철 수지층의 단면의 주사형 전자 현미경 사진이다.
도 24는 실시예 11의 요철 수지층의 표면의 주사형 전자 현미경 사진이다.
도 25는 실시예 11의 요철 수지층의 단면의 주사형 전자 현미경 사진이다.
도 26은 실시예 12의 요철 수지층의 표면의 주사형 전자 현미경 사진이다.
도 27은 실시예 12의 요철 수지층의 단면의 주사형 전자 현미경 사진이다.
도 28은 실시예 15의 요철 수지층의 표면의 주사형 전자 현미경 사진이다.
도 29는 실시예 16의 요철 수지층의 표면의 주사형 전자 현미경 사진이다.
도 30은 실시예 16의 요철 수지층의 단면의 주사형 전자 현미경 사진이다.
도 31은 비교예 4의 요철 수지층의 단면의 주사형 전자 현미경 사진이다.
도 32는 투과 확산 광의 강도의 분포를 나타내는 그래프이다.
본 발명에서의 요철 표면의 평균 경사각은, 하기의 방법에 의해 구한다.
주사형 전자 현미경으로 촬영한 몰드 또는 광학물품의 단면의 화상으로부터, 요철 구조의 높이 방향(y)에 직교하는 방향(x)으로 기준 길이(L)(10㎛)만큼 요철 구조의 화상을 발취한다. 발취한 요철 구조의 화상을 디지털화하여, 요철 구조의 능선을 xy 좌표로 변환한다. 얻어진 능선(y=f(x))의 좌표 데이터로부터, 하기식을 사용하여 평균 경사각(θa)을 구한다. 마찬가지로 하여 총 20군데의 평균 경사각(θa)을 구하여 평균화한다.
<수학식 1>
본 발명에서의 확산율은, 독일 연방 규격 DIN5036에 기재된 확산율이며, 하기의 방법에 의해 구한다.
요철 구조의 높이 방향(0도 방향)으로부터 광학물품에 레이저광을 입사한다. 광학물품을 투과하여 출사되는 투과 확산 광의 강도(Iθ)를 측정한다. 출사각(θ)이 5도, 20도 및 70도일 때의 강도로부터, 하기식을 사용하여 확산율(D)를 구한다.
<수학식 2>
요철의 평균 간격(Sm)은, 하기의 방법에 의해 구한다.
주사형 전자 현미경으로 촬영한 몰드 또는 광학물품의 단면의 화상으로부터, 요철 구조의 높이 방향(y)에 직교하는 방향(x)으로 기준 길이(L)(10㎛)만큼 요철 구조의 화상을 발취한다. 발취한 요철 구조의 화상을 디지털화하여, 요철 구조의 능선을 xy 좌표로 변환한다. 얻어진 능선(y=f(x))의 좌표 데이터로부터, JIS B 0601-1994에 따라, 하기식을 사용해서 1개의 산 및 그것에 인접하는 1개의 골짜기(즉 1개의 요철)에 대응하는 평균선의 길이(Smi)의 합을 요철의 수(n)로 나누어, 요철의 평균 간격(Sm)을 구한다. 마찬가지로 하여 총 20군데의 요철의 평균 간격(Sm)을 구하여 평균화한다.
<수학식 3>
국부 산 정상의 평균 간격(S)은, 하기의 방법에 의해 구한다.
주사형 전자 현미경으로 촬영한 몰드 또는 광학물품의 단면의 화상으로부터, 요철 구조의 높이 방향(y)에 직교하는 방향(x)으로 기준 길이(L)(10㎛)만큼 요철 구조의 화상을 발취한다. 발취한 요철 구조의 화상을 디지털화하여, 요철 구조의 능선을 xy 좌표로 변환한다. 얻어진 능선(y=f(x))의 좌표 데이터로부터, JIS B 0601-1994에 따라, 하기식을 사용하여 인접하는 국부 산 정상간에 대응하는 평균선의 길이(Si)의 합을 국부 산 정상간의 수(n)로 나누어, 국부 산 정상의 평균 간격(S)을 구한다. 마찬가지로 하여 총 20군데의 국부 산 정상의 평균 간격(S)을 구하여, 평균화한다.
<수학식 4>
산술 평균 조도(Ra), 최대 높이(Ry), 10점 평균 높이(Rz) 및 제곱 평균 조도(RMS)는, JIS B0601-1994에 따라, 50㎛×50㎛의 측정 범위를 원자간력 현미경으로 측정한다.
본 발명에서의 불규칙한 요철 구조란, 요철 구조를 구성하는 산 및 골짜기(즉 요철)의 형상, 간격 등이 불규칙한 것을 의미한다. 구체적으로는, 요철 표면의 경사각, 요철의 간격, 국부 산 정상의 간격 등이 편차를 갖는 것을 의미한다.
투명이란, 가시광을 투과할 수 있는 것(광투과성을 갖는 것)을 의미한다.
활성 에너지선이란, 가시광선, 자외선, 전자선, 플라즈마, 열선(적외선 등) 등을 의미한다.
(메트)아크릴레이트란, 아크릴레이트 또는 메타크릴레이트를 의미한다.
<몰드>
(제1 형태)
본 발명의 몰드의 제1 형태는, 불규칙한 요철 구조를 표면에 갖고, 요철 표면의 평균 경사각이 20 내지 80도인 몰드이다.
요철 표면의 평균 경사각이 20도 이상인 몰드는, 요철의 종횡비(높이/간격)가 커지기 때문에, 전반사율이 충분히 낮아진다. 요철 표면의 평균 경사각이 20도 이상인 몰드로서는, 구체적으로는, 복수의 바늘 형상의 돌기로 구성되는 요철 구조를 표면에 갖는 몰드를 들 수 있다.
요철 표면의 평균 경사각은, 20 내지 80도이며, 25 내지 75도가 바람직하고, 30 내지 70도가 보다 바람직하다. 평균 경사각이 20도 이상이면, 몰드의 요철 구조를 전사하여 형성되는 광학물품에서의 요철 구조에 있어서 입사광을 효율적으로 회절 또는 확산할 수 있어, 각도에 의한 출사광의 색감의 변화가 작다. 평균 경사각이 80도 이하이면, 요철의 종횡비(높이/간격)가 너무 크지 않기 때문에, 이형성이 좋아져, 광학물품을 생산성 높게 제조할 수 있다.
몰드로서는, 몰드의 요철 구조를 전사하여 형성되는 광학물품에 있어서 확산율이 5 내지 80%가 되는 몰드가 바람직하다. 확산율이 5% 이상이면, 요철 구조가 불규칙하게 되어, 몰드의 요철 구조를 전사하여 형성되는 광학물품에서의 요철 구조에 있어서 입사광을 더욱 효율적으로 회절 또는 확산할 수 있다. 확산율이 80% 이하이면 광의 변각 작용이 너무 높지 않기 때문에, 후술하는 면 발광체의 광의 취출 효율의 저하를 억제할 수 있다. 확산율은, 7 내지 75%가 보다 바람직하고, 10 내지 70%가 더욱 바람직하다.
요철 구조의 재료는, 불규칙한 요철 구조의 형성이 용이하고, 몰드로서의 내구성이 우수한 점에서, 금속인 것이 바람직하다. 금속으로서는, 바늘 형상의 돌기를 형성하기 쉬운 점에서, 니켈, 니켈 합금, 구리 또는 구리 합금이 바람직하다. 요철 구조로서는, 바늘 형상의 돌기를 형성하기 쉬운 점에서, 금속의 도금막이 바람직하다.
(제2 형태)
본 발명의 몰드의 제2 형태는, 금속으로 이루어지는 요철 구조를 표면에 갖고, JIS K 7105에 따라서 C 광원을 사용하여 측정한, 요철 구조를 갖는 측의 표면의 전반사율이 1 내지 30%인 몰드이다. 요철 구조는 불규칙한 것이 바람직하다.
요철 구조를 갖는 측의 표면의 전반사율이 30% 이하라는 것은, 요철의 종횡비(높이/간격)가 큰, 즉 요철 표면의 평균 경사각이 크고, 금속의 표면에서의 광의 반사가 억제되어 있다는 것이다. 통상의 금속의 표면은, 전반사율이 30% 이하로 되는 경우는 없다. 표면의 전반사율이 30% 이하로 된다는 것은, 즉 금속의 표면이 특수한 형상을 갖고 있는, 구체적으로는, 금속으로 이루어지는 복수의 바늘 형상의 돌기로 구성된다는 것이다.
요철 구조를 갖는 측의 표면의 전반사율은, 1 내지 30%이며, 1.5 내지 25%가 바람직하고, 2 내지 20%가 더욱 바람직하다. 전반사율이 1% 이상이면, 요철의 종횡비(높이/간격)가 너무 크지 않기 때문에, 이형성이 좋아져, 광학물품을 생산성 높게 제조할 수 있다. 전반사율이 30% 이하이면 몰드의 요철 구조를 전사하여 형성되는 광학물품에서의 요철 구조에 있어서 입사광을 효율적으로 회절 또는 확산할 수 있어, 각도에 의한 출사광의 색감의 변화가 작다.
금속으로서는, 바늘 형상의 돌기를 형성하기 쉬운 점에서, 니켈, 니켈 합금, 구리 또는 구리 합금이 바람직하다. 요철 구조로서는, 바늘 형상의 돌기를 형성하기 쉬운 점에서, 금속의 도금막이 바람직하다.
(제3 형태)
본 발명의 몰드의 제3 형태는, 금속으로 이루어지는 복수의 바늘 형상의 돌기로 구성되는 요철 구조를 표면에 갖는 몰드이다. 요철 구조는 불규칙한 것이 바람직하다.
복수의 바늘 형상의 돌기로 구성되는 요철 구조는, 요철의 종횡비(높이/간격)가 커지기 때문에, 요철 표면의 평균 경사각이 크고, 전반사율이 충분히 낮다.
도 1은, 본 발명의 몰드의 제3 형태의 일례를 도시하는 단면도이다. 몰드(10)는, 금속을 바늘 형상(또는 대략 원추 형상 또는 대략 각뿔 형상)으로 석출시켜서 형성된 복수의 바늘 형상의 돌기(12)로 이루어지는 요철 구조를 표면에 갖는 도금막(14)이 몰드 기재(16)의 표면에 형성된 것이다.
돌기(12)는 도 1에 도시한 바와 같은, 금속이 바늘 형상으로 석출된 대략 원추형 또는 대략 각뿔형의 것이어도 되고, 돌기(12)의 표면으로부터 금속이 바늘 형상으로 석출되어 형성된 소 돌기를 갖는 수지 형상의 것(도시 생략)이어도 된다. 일부의 돌기(12)의 중심 축선은, 도 1에 도시한 바와 같이, 몰드 기재(16)의 표면에 직교하는 방향으로부터 경사져 있어도 된다.
도금막(14)의 금속으로서는, 바늘 형상의 돌기(12)를 형성하기 쉬운 점에서, 니켈, 니켈 합금, 구리 또는 구리 합금이 바람직하다.
몰드 기재(16)의 재료로서는, 금속(알루미늄, 니켈, 구리, SUS 등), 수지(폴리에틸렌테레프탈레이트, 아크릴 수지 등), 유리 등을 들 수 있다.
몰드 기재(16)의 형상으로서는, 판상, 판상인 것을 통 형상이나 엔드리스 벨트 형상으로 가공한 형상, 롤 형상 등을 들 수 있다.
몰드(10)는, 에비나 전화 공업 가부시끼가이샤로부터 "바늘 형상 니켈 합금 도금", "바늘 형상 구리 합금 도금"으로서 입수 가능하다.
(제1 내지 3의 형태)
본 발명의 몰드의 제1 내지 3의 형태(이하, 이들을 통합하여 간단히 "몰드"라고 기재함)의 요철 구조에서의 요철의 평균 간격(Sm)은, 200 내지 100,000nm가 바람직하고, 250 내지 50,000nm가 보다 바람직하고, 300 내지 10,000nm가 더욱 바람직하다. 요철의 평균 간격(Sm)이 200nm 이상이면, 몰드의 요철 구조를 전사하여 형성되는 광학물품에 있어서, 무반사 효과가 높아지는 구조로 되지는 않아, 광의 확산 효과의 저하를 억제할 수 있다. 요철의 평균 간격(Sm)이 100,000nm 이하이면 몰드의 요철 구조를 전사하여 형성되는 광학물품에 있어서, 광의 변각 작용이 낮아지지 않아, 입사광을 효율적으로 회절 또는 확산할 수 있다.
몰드의 요철 구조에서의 국부 산 정상의 평균 간격(S)은, 150 내지 80,000nm가 바람직하고, 200 내지 20,000nm가 보다 바람직하고, 250 내지 5,000nm가 더욱 바람직하다. 국부 산 정상의 평균 간격(S)이 150nm 이상이면, 몰드의 요철 구조를 전사하여 형성되는 광학물품에 있어서, 무반사 효과가 높아지는 구조로 되지는 않아, 광의 확산 효과의 저하를 억제할 수 있다. 국부 산 정상의 평균 간격(S)이 80,000nm 이하이면 몰드의 요철 구조를 전사하여 형성되는 광학물품에 있어서, 광의 변각 작용이 낮아지지 않아, 입사광을 효율적으로 회절 또는 확산할 수 있다.
몰드의 요철 구조측의 표면의 산술 평균 조도(Ra)는, 후술하는 면 발광체의 광의 취출 효율을 충분히 높게 할 수 있는 점에서, 5 내지 1000nm가 바람직하고, 10 내지 500nm가 보다 바람직하다.
몰드의 요철 구조측의 표면의 최대 높이(Ry)는, 후술하는 면 발광체의 광의 취출 효율을 충분히 높게 할 수 있는 점에서, 10 내지 10000nm가 바람직하고, 50 내지 5000nm가 보다 바람직하다.
몰드의 요철 구조측의 표면의 10점 평균 높이(Rz)는, 후술하는 면 발광체의 광의 취출 효율을 충분히 높게 할 수 있는 점에서, 5 내지 5000nm가 바람직하고, 25 내지 2500nm가 보다 바람직하다.
몰드의 요철 구조측의 표면의 제곱 평균 조도(RMS)는, 후술하는 면 발광체의 광의 취출 효율을 충분히 높게 할 수 있는 점에서, 5 내지 1000nm가 바람직하고, 10 내지 500nm가 보다 바람직하다.
몰드의 형상으로서는, 판상, 판상인 것을 통 형상이나 엔드리스 벨트 형상으로 가공한 형상, 롤 형상 등을 들 수 있다.
몰드의 표면은, 이형제에 의해 처리되어 있는 것이 바람직하다.
(작용 효과)
본 발명의 몰드의 제1 형태에서는, 불규칙한 요철 구조를 표면에 갖고, 요철 표면의 평균 경사각이 20도 이상이기 때문에, 입사광을 효율적으로 회절 또는 확산할 수 있어, 각도에 의한 출사광의 색감의 변화가 작은, 요철 구조를 표면에 갖는 광학물품을 제조할 수 있다. 몰드의 요철 구조를 광학물품용 기재의 표면에 전사함으로써, 요철 구조를 표면에 갖는 광학물품을 대면적화할 수 있고, 또한 생산성 높게 제조할 수 있다.
본 발명의 몰드의 제2 형태에서는, 요철 구조를 갖는 측의 표면의 전반사율이 30% 이하이기 때문에, 입사광을 효율적으로 회절 또는 확산할 수 있어, 각도에 의한 출사광의 색감의 변화가 작은, 요철 구조를 표면에 갖는 광학물품을 제조할 수 있다. 몰드의 요철 구조를 광학물품용 기재의 표면에 전사함으로써, 요철 구조를 표면에 갖는 광학물품을 대면적화할 수 있고, 또한 생산성 높게 제조할 수 있다.
본 발명의 몰드의 제3 형태에서는, 금속으로 이루어지는 복수의 바늘 형상의 돌기로 구성되는 요철 구조를 표면에 갖기 때문에, 요철 표면의 평균 경사각이 크고, 전반사율이 충분히 낮다. 이 몰드를 사용함으로써, 입사광을 효율적으로 회절 또는 확산할 수 있어, 각도에 의한 출사광의 색감의 변화가 작은, 요철 구조를 표면에 갖는 광학물품을 제조할 수 있다. 몰드의 요철 구조를 광학물품용 기재의 표면에 전사함으로써, 요철 구조를 표면에 갖는 광학물품을 대면적화할 수 있고, 또한 생산성 높게 제조할 수 있다.
<요철 구조를 표면에 갖는 광학물품의 제조 방법>
본 발명의 요철 구조를 표면에 갖는 광학물품의 제조 방법은, 하기의 공정 (I) 내지 (III)을 갖는 방법이다.
(I) 본 발명의 몰드와, 광학물품용 기재로, 활성 에너지선 경화성 수지 조성물을 끼우는 공정.
(II) 활성 에너지선 경화성 수지 조성물에 활성 에너지선을 조사하여, 활성 에너지선 경화성 수지 조성물을 경화시켜, 몰드의 요철 구조가 전사된 요철 수지층을, 광학물품용 기재의 표면에 형성하는 공정.
(III) 요철 수지층 및 광학물품용 기재를 포함하여 이루어지는 광학물품과, 몰드를 분리하는 공정.
(공정 (I))
도 2에 도시한 바와 같이, 몰드(10)의, 요철 구조측의 표면과, 광학물품용 기재(20)의 표면으로, 활성 에너지선 경화성 수지 조성물(32)을 끼운다.
몰드(10)는, 불규칙한 요철 구조를 표면에 갖고, 요철 표면의 평균 경사각이 20 내지 80도인 몰드(제1 형태)이어도 되고, 요철 구조를 갖는 측의 표면의 전반사율이 1 내지 30%인 몰드(제2 형태)이어도 되고, 금속으로 이루어지는 복수의 바늘 형상의 돌기로 구성되는 요철 구조를 표면에 갖는 몰드(제3 형태)이어도 된다. 불규칙한 요철 구조를 표면에 갖고, 평균 경사각이 20 내지 80도인 것, 요철 구조를 갖는 측의 표면의 전반사율이 1 내지 30%인 것 및 금속으로 이루어지는 복수의 바늘 형상의 돌기로 구성되는 요철 구조를 표면에 갖는 것 중 2개 이상을 만족하는 몰드이어도 되고, 본 발명의 효과가 더욱 향상되는 점에서, 이들 중 2개를 만족하는 것이 바람직하고, 3개를 만족하는 것이 보다 바람직하다.
도시한 예의 몰드(10)는, 복수의 바늘 형상의 돌기(12)로 구성되는 요철 구조를 표면에 갖는 도금막(14)이 몰드 기재(16)의 표면에 형성된 몰드의 예이다.
광학물품용 기재(20)로서는, 활성 에너지선을 투과할 수 있는 기재를 사용한다.
광학물품용 기재(20)의 재료로서는, 폴리에스테르(폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트 등), 아크릴계 수지(폴리메틸메타크릴레이트 등), 폴리카르보네이트, 폴리염화비닐, 스티렌계 수지(ABS 수지 등), 셀룰로오스계 수지(트리아세틸셀룰로오스 등), 폴리이미드계 수지(폴리이미드 수지, 폴리이미드 아미드 수지 등), 유리 등을 들 수 있다. 광학물품용 기재(20)의 재료로서 수지를 사용하는 경우에는, 광학물품용 기재(20)의 표면에 각종 배리어막(SiO/SiN의 다중 적층막, 수지계 배리어막)을 설치해도 된다.
광학물품용 기재(20)의 형태로서는, 필름, 시트, 판 등을 들 수 있다.
광학물품용 기재(20)를 미리 표면 처리해도 된다. 표면 처리로서는, 자외선 처리, 코로나 처리, 플라즈마 처리, 엑시머 처리, UV 오존 처리 등을 들 수 있다.
광학물품용 기재(20)는, 활성 에너지선 경화성 수지 조성물(32)과 접하는 측의 표면에 접착층을 가져도 된다.
접착층은, 공지의 접착제를 포함하여 이루어지는 층이다. 접착제로서는, (메트)아크릴로일옥시기를 갖는 실란 커플링제를 포함하는 것이 바람직하다.
몰드(10)와 광학물품용 기재(20)로 활성 에너지선 경화성 수지 조성물(32)을 끼우는 조작은, 광학물품용 기재(20)의 표면에 도포된 활성 에너지선 경화성 수지 조성물(32)에 몰드(10)를 가압하여 행해도 되고, 몰드(10)의 요철 구조측의 표면에 도포된 활성 에너지선 경화성 수지 조성물(32)에 광학물품용 기재(20)를 가압하여 행해도 된다.
활성 에너지선 경화성 수지 조성물(32)의 도포 방법으로서는, 바 코트, 딥 코트, 스프레이 코트, 롤 코트, 그라비아 코트, 플렉소 코트, 스크린 코트, 스핀 코트, 플로우 코트, 잉크젯 등을 들 수 있다.
도포된 활성 에너지선 경화성 수지 조성물(32)을 완전히 경화시키기 전에 프리베이크함으로써, 활성 에너지선 경화성 수지 조성물(32)의 경화를 촉진시켜 두어도 된다. 프리베이크에서의 가열 방법으로서는, 적외선 히터에 의한 조사법, 열풍에 의한 순환 가열법, 핫 플레이트 등에 의한 직접 가열법 등을 들 수 있다. 가열 온도로서는, 활성 에너지선 경화성 수지 조성물(32)의 온도가 50 내지 120℃가 되는 온도가 바람직하다. 가열 시간으로서는, 5초 내지 3600분이 바람직하고, 30초 내지 30분이 보다 바람직하고, 1분 내지 10분이 더욱 바람직하다.
도포된 활성 에너지선 경화성 수지 조성물(32)로부터 진공하에서 용매를 휘발시킴으로써 활성 에너지선 경화성 수지 조성물(32)의 경화를 촉진시켜 두어도 된다. 이때, 적절히 가열을 병용해도 된다. 진공하에서의 가열 온도로서는, 활성 에너지선 경화성 수지 조성물(32)의 온도가 실온 내지 120℃가 되는 온도가 바람직하다. 진공하에서의 용매의 휘발 시간으로서는, 1분 내지 3600분이 바람직하고, 1분 내지 120분이 보다 바람직하다.
활성 에너지선 경화성 수지 조성물(32)로서는, 공정 (I) 내지 (II)와 동일한 조건에서 형성했을 때의 요철 수지층의 마르텐스 경도가 150 이하가 되는 조성물이 바람직하다. 요철 수지층의 마르텐스 경도가 150 이하이면, 몰드(10)의 돌기(12)의 중심 축선이 몰드 기재(16)의 표면에 직교하는 방향으로부터 경사져서, 공정 (II)에서 경사진 돌기(12)와 맞물리도록 요철 수지층이 형성되었어도, 공정 (III)에서 제1 광학물품(30)과 몰드(10)를 분리할 때에, 요철 수지층이 변형될 수 있기 때문에, 제1 광학물품(30)과 몰드(10)를 분리할 때의 이형성이 우수하다. 요철 수지층의 마르텐스 경도는, 145 이하가 보다 바람직하고, 140 이하가 더욱 바람직하고, 60 이하가 특히 바람직하다.
마르텐스 경도의 측정은, Fischerscope HM2000을 사용하여 행한다. 측정에 사용하는 압자에는, 다이아몬드제의 사각추형, 대면각 135도인 것을 사용한다. 온도: 23℃, 상대 습도: 50%의 환경하에, 요철 수지층에 대하여 압자를, dF/dt2(F: 하중, t: 경과 시간)이 일정해지도록 20초간 1mN까지 하중시킨 후, 5초간 크리프시키고, 그 후 하중시와 동일 조건에서 제중시키는 측정 조건에서, 하중을, 접촉 제로 점을 초과하여 침입한 압자의 표면적으로 나눔으로써 마르텐스 경도를 구한다.
활성 에너지선 경화성 수지 조성물(32)로서는, 광학물품용 기재(20)와의 접착성이 우수한 점에서, (메트)아크릴로일옥시기를 갖는 단량체 및 또는 올리고머를 포함하는 것이 바람직하다.
활성 에너지선 경화성 수지 조성물(32)은, 중합성 화합물 및 중합 개시제를 포함한다.
중합성 화합물로서는, 분자 중에 라디칼 중합성 결합 및 또는 양이온 중합성 결합을 갖는 단량체, 올리고머, 반응성 중합체 등을 들 수 있다.
라디칼 중합성 결합을 갖는 단량체로서는, 단관능 단량체, 다관능 단량체를 들 수 있다.
단관능 단량체로서는, 메틸(메트)아크릴레이트, 에틸(메트)아크릴레이트, 프로필(메트)아크릴레이트, n-부틸(메트)아크릴레이트, i-부틸(메트)아크릴레이트, s-부틸(메트)아크릴레이트, t-부틸(메트)아크릴레이트, 2-에틸헥실(메트)아크릴레이트, 라우릴(메트)아크릴레이트, 알킬(메트)아크릴레이트, 트리데실(메트)아크릴레이트, 스테아릴(메트)아크릴레이트, 시클로헥실(메트)아크릴레이트, 벤질(메트)아크릴레이트, 페녹시에틸(메트)아크릴레이트, 이소보르닐(메트)아크릴레이트, 글리시딜(메트)아크릴레이트, 테트라히드로푸르푸릴(메트)아크릴레이트, 알릴(메트)아크릴레이트, 2-히드록시에틸(메트)아크릴레이트, 히드록시프로필(메트)아크릴레이트, 2-메톡시에틸(메트)아크릴레이트, 2-에톡시에틸(메트)아크릴레이트 등의 (메트)아크릴레이트 유도체; (메트)아크릴산, (메트)아크릴로니트릴; 스티렌, α-메틸스티렌 등의 스티렌 유도체; (메트)아크릴아미드, N-디메틸(메트)아크릴아미드, N-디에틸(메트)아크릴아미드, 디메틸아미노프로필(메트)아크릴아미드 등의 (메트)아크릴아미드 유도체 등을 들 수 있다. 이들은, 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종류 이상을 병용해도 된다.
다관능 단량체로서는, 에틸렌글리콜 디(메트)아크릴레이트, 트리프로필렌글리콜 디(메트)아크릴레이트, 이소시아누르산에틸렌옥시드 변성 디(메트)아크릴레이트, 트리에틸렌글리콜 디(메트)아크릴레이트, 디에틸렌글리콜 디(메트)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜 디(메트)아크릴레이트, 1,6-헥산디올 디(메트)아크릴레이트, 1,5-펜탄디올 디(메트)아크릴레이트, 1,3-부틸렌글리콜 디(메트)아크릴레이트, 폴리부틸렌글리콜 디(메트)아크릴레이트, 2,2-비스(4-(메트)아크릴옥시폴리에톡시페닐)프로판, 2,2-비스(4-(메트)아크릴옥시에톡시페닐)프로판, 2,2-비스(4-(3-(메트)아크릴옥시-2-히드록시 프로폭시)페닐)프로판, 1,2-비스(3-(메트)아크릴옥시-2-히드록시 프로폭시)에탄, 1,4-비스(3-(메트)아크릴옥시-2-히드록시 프로폭시)부탄, 디메틸올트리시클로데칸 디(메트)아크릴레이트, 비스페놀 A의 에틸렌옥시드 부가물 디(메트)아크릴레이트, 비스페놀 A의 프로필렌옥시드 부가물 디(메트)아크릴레이트, 히드록시 피발산 네오펜틸글리콜 디(메트)아크릴레이트, 디비닐벤젠, 메틸렌비스아크릴아미드 등의 2 관능성 단량체; 펜타에리트리톨 트리(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판 트리(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판에틸렌옥시드 변성 트리(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판 프로필렌옥시드 변성 트리아크릴레이트, 트리메틸올프로판에틸렌옥시드 변성 트리아크릴레이트, 이소시아누르산에틸렌옥시드 변성 트리(메트)아크릴레이트 등의 3 관능 단량체; 숙신산/트리메틸올에탄/아크릴산의 축합 반응 혼합물, 디펜타에리스톨 헥사(메트)아크릴레이트, 디펜타에리스톨 펜타(메트)아크릴레이트, 디트리메틸올프로판 테트라아크릴레이트, 테트라메틸올메탄 테트라(메트)아크릴레이트 등의 4 관능 이상의 단량체; 2 관능 이상의 우레탄 아크릴레이트, 2 관능 이상의 폴리에스테르아크릴레이트 등을 들 수 있다. 이들은, 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종류 이상을 병용해도 된다.
양이온 중합성 결합을 갖는 단량체로서는, 에폭시기, 옥세타닐기, 옥사졸릴기, 비닐 옥시기 등을 갖는 단량체를 들 수 있고, 에폭시기를 갖는 단량체가 특히 바람직하다.
올리고머 또는 반응성 중합체로서는, 불포화 디카르복실산과 다가 알코올의 축합물 등의 불포화 폴리에스테르류; 폴리에스테르(메트)아크릴레이트, 폴리에테르(메트)아크릴레이트, 폴리올(메트)아크릴레이트, 에폭시(메트)아크릴레이트, 우레탄(메트)아크릴레이트, 양이온 중합형 에폭시 화합물, 측쇄에 라디칼 중합성 결합을 갖는 상술한 단량체의 단독 또는 공중합 중합체 등을 들 수 있다.
광경화 반응을 이용하는 경우, 광중합 개시제로서는, 예를 들어 벤조인, 벤조인 메틸에테르, 벤조인 에틸에테르, 벤조인 이소프로필에테르, 벤조인 이소부틸에테르, 벤질, 벤조페논, p-메톡시벤조페논, 2,2-디에톡시아세토페논, α,α-디메톡시-α-페닐아세토페논, 메틸페닐글리옥실레이트, 에틸페닐글리옥실레이트, 4,4'-비스(디메틸아미노)벤조페논, 2-히드록시-2-메틸-1-페닐프로판-1-온 등의 카르보닐화합물; 테트라메틸티우람 모노술피드, 테트라메틸티우람 디술피드 등의 황 화합물; 2,4,6-트리메틸벤조일 디페닐포스핀옥시드, 벤조일디에톡시 포스핀옥시드 등을 들 수 있다. 이들은, 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다.
전자선 경화 반응을 이용하는 경우, 중합 개시제로서는, 예를 들어 벤조페논, 4,4-비스(디에틸아미노)벤조페논, 2,4,6-트리메틸 벤조페논, 메틸오르소벤조일벤조에이트, 4-페닐벤조페논, t-부틸안트라퀴논, 2-에틸안트라퀴논, 2,4-디에틸티오크산톤, 이소프로필티오크산톤, 2,4-디클로로티오크산톤 등의 티오크산톤; 디에톡시아세토페논, 2-히드록시-2-메틸-1-페닐프로판-1-온, 벤질디메틸케탈, 1-히드록시시클로헥실-페닐 케톤, 2-메틸-2-모르폴리노(4-티오 메틸페닐)프로판-1-온, 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노 페닐)-부타논 등의 아세토페논; 벤조인 메틸에테르, 벤조인 에틸에테르, 벤조인 이소프로필에테르, 벤조인 이소부틸에테르 등의 벤조인 에테르; 2,4,6-트리메틸벤조일 디페닐포스핀옥시드, 비스(2,6-디메톡시벤조일)-2,4,4-트리메틸펜틸포스핀옥시드, 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)-페닐포스핀옥시드 등의 아실포스핀옥시드; 메틸벤조일포르메이트, 1,7-비스아크리디닐헵탄, 9-페닐아크리딘 등을 들 수 있다. 이들은, 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다.
열경화 반응을 이용하는 경우, 열 중합 개시제로서는, 예를 들어 메틸에틸케톤퍼옥시드, 벤조일퍼옥시드, 디쿠밀퍼옥시드, t-부틸히드로퍼옥시드, 쿠멘히드로퍼옥시드, t-부틸퍼옥시옥토에이트, t-부틸퍼옥시벤조에이트, 라우로일퍼옥시드 등의 유기 과산화물; 아조비스이소부티로니트릴 등의 아조계 화합물; 상기 유기 과산화물에 N,N-디메틸 아닐린, N,N-디메틸-p-톨루이딘 등의 아민을 조합한 레독스 중합 개시제 등을 들 수 있다.
중합 개시제의 양은, 중합성 화합물 100질량부에 대하여 0.1 내지 10질량부가 바람직하다. 중합 개시제의 양이 0.1질량부 이상이면 중합이 진행되기 쉽다. 중합 개시제의 양이 10질량부 이하이면, 경화막의 착색이나 기계 강도의 저하를 억제할 수 있다.
활성 에너지선 경화성 수지 조성물(32)은 필요에 따라, 비반응성 중합체, 활성 에너지선 졸겔 반응성 조성물, 대전 방지제, 방오성을 향상시키기 위한 불소 화합물 등의 첨가제, 미립자, 소량의 용매를 포함하고 있어도 된다.
비반응성 중합체로서는, 아크릴계 수지, 스티렌계 수지, 폴리우레탄, 셀룰로오스계 수지, 폴리비닐부티랄, 폴리에스테르, 열가소성 엘라스토머 등을 들 수 있다.
활성 에너지선 졸겔 반응성 조성물로서는, 알콕시실란 화합물, 알킬 실리케이트 화합물 등을 들 수 있다.
알콕시실란 화합물로서는, 테트라메톡시실란, 테트라-i-프로폭시실란, 테트라-n-프로폭시실란, 테트라-n-부톡시실란, 테트라-sec-부톡시실란, 테트라-t-부톡시실란, 메틸트리에톡시실란, 메틸트리프로폭시실란, 메틸트리부톡시실란, 디메틸디메톡시실란, 디메틸디에톡시실란, 트리메틸에톡시실란, 트리메틸메톡시실란, 트리메틸프로폭시실란, 트리메틸부톡시실란 등을 들 수 있다.
(공정 (II))
도 2에 도시한 바와 같이, 활성 에너지선 경화성 수지 조성물(32)에 활성 에너지선을 조사하여, 활성 에너지선 경화성 수지 조성물(32)을 경화시키고, 몰드(10)의 요철 구조가 전사된 요철 수지층(34)을 광학물품용 기재(20)의 표면에 형성한다.
활성 에너지선은, 광학물품용 기재(20)측으로부터 조사한다.
활성 에너지선을 조사할 때에 광원과 광학물품용 기재(20)의 사이에, 광투과부와 차광부를 갖는 마스크(도시 생략)를 배치함으로써, 요철 수지층(34)을 원하는 형상, 크기로 형성할 수 있다.
활성 에너지선으로서는, 진공 자외선, 자외선, 가시광선이 바람직하다. 활성 에너지선은, 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다.
활성 에너지선의 조사 시간 및 조사량은, 자외선의 경우, 적산 광량이 100 내지 5000mJ/cm2의 범위가 되도록 조정하는 것이 바람직하다.
광원으로서는, 저압 수은등, 중압 수은등, 고압 수은등, 초고압 수은등, 백열 전구, 크세논 램프, 할로겐 램프, 카본 아크등, 메탈 할라이드 램프, 형광등, 텅스텐 램프, 갈륨 램프, 엑시머 램프, 태양 등을 들 수 있다. 이들 중, 저압 수은등, 중압 수은등, 고압 수은등, 초고압 수은등, 메탈 할라이드 램프가 바람직하다.
활성 에너지선 경화성 수지 조성물(32)을 경화시킬 때에는, 활성 에너지선의 조사와 함께, 필요에 따라 가열을 병용해도 된다.
가열 시기로서는, 활성 에너지선의 조사 전, 활성 에너지선의 조사와 동시, 활성 에너지선의 조사 후 중 어느 하나의 시기로부터 적어도 한 시기를 선택할 수 있다.
가열 방법으로서는, 적외선 히터에 의한 조사법, 열풍에 의한 순환 가열법, 핫 플레이트 등에 의한 직접 가열법 등을 들 수 있다. 가열 온도로서는, 활성 에너지선 경화성 수지 조성물(32)의 온도가 50 내지 120℃가 되는 온도가 바람직하다. 가열 시간으로서는, 활성 에너지선의 조사 전에 가열하는 경우에는 1 내지 20분간, 활성 에너지선의 조사와 동시에 가열하는 경우에는 0.2 내지 10분간, 활성 에너지선의 조사 후에 가열하는 경우에는 1 내지 60분간이 바람직하다.
(공정 (III))
도 2에 도시한 바와 같이, 요철 수지층(34) 및 광학물품용 기재(20)를 포함하여 이루어지는 제1 광학물품(30)과, 몰드(10)를 분리하여, 복수의 오목부(36)로 이루어지는 요철 구조를 표면에 갖는 본 발명의 제1 광학물품(30)을 얻는다.
(레플리카 몰드)
제1 광학물품(30)을 레플리카 몰드로서 사용하여, 레플리카 몰드의 요철 구조가 전사된 요철 수지층을 광학물품용 기재의 표면에 갖는 제2 광학물품을 얻어도 된다.
레플리카 몰드를 사용한, 본 발명의 요철 구조를 표면에 갖는 광학물품의 제조 방법은, 하기의 공정 (I') 내지 (III')를 갖는 방법이다.
(I') 요철 구조를 표면에 갖는 레플리카 몰드와, 광학물품용 기재로, 활성 에너지선 경화성 수지 조성물을 끼우는 공정.
(II') 활성 에너지선 경화성 수지 조성물에 활성 에너지선을 조사하여, 활성 에너지선 경화성 수지 조성물을 경화시키고, 레플리카 몰드의 요철 구조가 전사된 요철 수지층을, 광학물품용 기재의 표면에 형성하는 공정.
(III') 요철 수지층 및 광학물품용 기재를 포함하여 이루어지는 광학물품과, 레플리카 몰드를 분리하는 공정.
(공정 (I'))
도 3에 도시한 바와 같이, 복수의 오목부(36)로 이루어지는 요철 구조를 표면에 갖는 요철 수지층(34)이 레플리카 몰드 기재(20a)(광학물품용 기재(20))의 표면에 형성된 레플리카 몰드(30a)(제1 광학물품(30))의, 요철 구조측의 표면과, 광학물품용 기재(40)의 표면으로, 활성 에너지선 경화성 수지 조성물(52)을 끼운다.
광학물품용 기재(40), 활성 에너지선 경화성 수지 조성물(52)로서는, 상술한 광학물품용 기재(20), 활성 에너지선 경화성 수지 조성물(32)과 마찬가지의 것을 들 수 있다.
레플리카 몰드(30a)의 형상으로서는, 필름 형상, 판상, 필름 형상 또는 판상인 것을 통 형상이나 엔드리스 벨트 형상으로 가공한 형상, 롤 형상 등을 들 수 있다.
레플리카 몰드(30a)의 표면은, 이형제에 의해 처리되어 있는 것이 바람직하다.
(공정 (II'))
도 3에 도시한 바와 같이, 활성 에너지선 경화성 수지 조성물(52)에 활성 에너지선을 조사하여, 활성 에너지선 경화성 수지 조성물(52)을 경화시키고, 레플리카 몰드(30a)의 요철 구조가 전사된 요철 수지층(54)을 광학물품용 기재(40)의 표면에 형성한다.
활성 에너지선은, 레플리카 몰드(30a)측으로부터 조사해도 되고, 광학물품용 기재(40)측으로부터 조사해도 되고, 양측으로부터 조사해도 된다.
활성 에너지선 경화성 수지 조성물(52)의 경화는, 상술한 공정 (II)와 마찬가지로 행하면 된다.
(공정 (III'))
도 3에 도시한 바와 같이, 요철 수지층(54) 및 광학물품용 기재(40)를 포함하여 이루어지는 제2 광학물품(50)과, 레플리카 몰드(30a)를 분리하여, 복수의 돌기(56)로 이루어지는 요철 구조를 표면에 갖는 본 발명의 제2 광학물품(50)을 얻는다.
(작용 효과)
이상 설명한 본 발명의 요철 구조를 표면에 갖는 광학물품의 제조 방법에서는, 본 발명의 몰드(또는 본 발명의 몰드의 요철 구조를 레플리카 몰드 기재의 표면에 전사한 레플리카 몰드)를 사용하여, 요철 구조가 전사된 요철 수지층을 광학물품용 기재의 표면에 형성하고 있기 때문에, 입사광을 효율적으로 회절 또는 확산할 수 있어, 각도에 의한 출사광의 색감의 변화가 작은, 요철 구조를 표면에 갖는 광학물품을 대면적화할 수 있고, 또한 생산성 높게 제조할 수 있다.
(다른 형태)
또한, 본 발명의 요철 구조를 표면에 갖는 광학물품의 제조 방법은, 도시한 예의 제조 방법에 한정되지는 않는다. 예를 들어, 광학물품용 기재(20)(또는 광학물품용 기재(40))와 요철 수지층(34)(또는 요철 수지층(54))의 사이에 접착층을 형성해도 된다.
<요철 구조를 표면에 갖는 광학물품>
(제1 광학물품)
제1 광학물품(30)은, 본 발명의 제조 방법에 의해 제조된 것이다. 제1 광학물품(30)은, 광학물품용 기재(20)와, 광학물품용 기재(20)의 표면에 형성된 요철 수지층(34)을 갖는 적층체이다.
요철 수지층(34)은, 활성 에너지선 경화성 수지 조성물(32)의 경화물을 포함하여 이루어지는 층이며, 몰드(10)의 돌기(12)를 전사하여 형성된, 복수의 오목부(36)로 이루어지는 요철 구조를 표면에 갖는다.
제1 광학물품(30)의 용도로서는, 광의 회절 또는 확산을 행하는 광학 필름, 면 발광체의 투명 기재, 면 발광체의 광 취출 부재, 태양 전지용 보호판, 박막계 태양 전지의 투명 기재, 레플리카 몰드 등을 들 수 있다.
(제2 광학물품)
제2 광학물품(50)은, 본 발명의 제조 방법에 의해 제조된 것이다. 제2 광학물품(50)은, 광학물품용 기재(40)와, 광학물품용 기재(40)의 표면에 형성된 요철 수지층(54)을 갖는 적층체이다.
요철 수지층(54)은, 활성 에너지선 경화성 수지 조성물(52)의 경화물을 포함하여 이루어지는 층이며, 레플리카 몰드(30a)(제1 광학물품(30))의 오목부(36)를 전사하여 형성된, 복수의 돌기(56)로 이루어지는 요철 구조를 표면에 갖는다.
제2 광학물품(50)의 용도로서는, 광의 회절 또는 확산을 행하는 광학 필름, 면 발광체의 투명 기재, 면 발광체의 광 취출 부재, 투명 기재 태양 전지용 보호판, 박막계 태양 전지의 투명 기재, 레플리카 몰드 등을 들 수 있다.
(제1 내지 2의 광학물품)
제1 광학물품(30) 및 제2 광학물품(50)(이하, 이들을 통합하여 간단히 "광학물품"이라고 기재함)의 요철 구조에서의 요철의 평균 간격(Sm)은, 200 내지 100,000nm가 바람직하고, 250 내지 50,000nm가 보다 바람직하고, 300 내지 10,000nm가 더욱 바람직하다. 요철의 평균 간격(Sm)이 200nm 이상이면, 무반사 효과가 높아지는 구조로 되지는 않아, 광의 확산 효과의 저하를 억제할 수 있다. 요철의 평균 간격(Sm)이 100,000nm 이하이면, 광의 변각 작용이 낮아지지 않아, 입사광을 효율적으로 회절 또는 확산할 수 있다.
광학물품의 요철 구조에서의 국부 산 정상의 평균 간격(S)은, 150 내지 80,000nm가 바람직하고, 200 내지 20,000nm가 보다 바람직하고, 250 내지 5,000이 더욱 바람직하다. 국부 산 정상의 평균 간격(S)이 150nm 이상이면, 무반사 효과가 높아지는 구조로 되지는 않아, 광의 확산 효과의 저하를 억제할 수 있다. 국부 산 정상의 평균 간격(S)이 80,000nm 이하이면, 광의 변각 작용이 낮아지지 않아, 입사광을 효율적으로 회절 또는 확산할 수 있다.
요철 수지층의 요철 구조측의 표면의 산술 평균 조도(Ra)는, 후술하는 면 발광체의 광의 취출 효율을 충분히 높게 할 수 있는 점에서, 5 내지 1000nm가 바람직하고, 10 내지 500nm가 보다 바람직하다.
요철 수지층의 요철 구조측의 표면의 최대 높이(Ry)는, 후술하는 면 발광체의 광의 취출 효율을 충분히 높게 할 수 있는 점에서, 10 내지 10000nm가 바람직하고, 50 내지 5000nm가 보다 바람직하다.
요철 수지층의 요철 구조측의 표면의 10점 평균 높이(Rz)는, 후술하는 면 발광체의 광의 취출 효율을 충분히 높게 할 수 있는 점에서, 5 내지 5000nm가 바람직하고, 25 내지 2500nm가 보다 바람직하다.
요철 수지층의 요철 구조측의 표면의 제곱 평균 조도(RMS)는, 후술하는 면 발광체의 광의 취출 효율을 충분히 높게 할 수 있는 점에서, 5 내지 1000nm가 바람직하고, 10 내지 500nm가 보다 바람직하다.
(작용 효과)
이상 설명한 본 발명의 요철 구조를 표면에 갖는 광학물품에서는, 본 발명의 몰드 또는 레플리카 몰드의 요철 구조를 전사하여 형성된 요철 구조를 표면에 갖기 때문에, 입사광을 효율적으로 회절 또는 확산할 수 있어, 각도에 의한 출사광의 색감의 변화가 작다.
(다른 형태)
또한, 본 발명의 요철 구조를 표면에 갖는 광학물품은, 도시한 예의 것에 한정되지는 않는다. 예를 들어, 광학물품용 기재(20)(또는 광학물품용 기재(40))와 요철 수지층(34)(또는 요철 수지층(54))의 사이에 접착층을 가져도 된다.
또한, 본 발명의 요철 구조를 표면에 갖는 광학물품은, 본 발명의 제조 방법에 의해 얻어진 것에 한정되지는 않는다. 예를 들어, 불규칙한 요철 구조를 표면에 갖고, 요철 표면의 평균 경사각이 20 내지 80도의 광학물품이어도 된다. 평균 경사각이 20도 이상이면, 입사광을 효율적으로 회절 또는 확산할 수 있다. 평균 경사각이 80도 이하이면 몰드의 이형성이 좋아진다. 요철 표면의 평균 경사각은, 25 내지 75도가 바람직하고, 30 내지 70도가 보다 바람직하다.
이 광학물품은, 확산율이 5 내지 80%인 것이 바람직하다. 확산율이 5% 이상이면, 요철 구조가 불규칙해서, 입사광을 더욱 효율적으로 회절 또는 확산할 수 있다. 확산율이 80% 이하이면, 광의 변각 작용이 너무 높지 않기 때문에, 후술하는 면 발광체의 광의 취출 효율의 저하를 억제할 수 있다. 확산율은, 7 내지 75%가 보다 바람직하고, 10 내지 70%가 더욱 바람직하다.
<면 발광체용 투명 기재>
본 발명의 면 발광체용 투명 기재는, 본 발명의 요철 구조를 표면에 갖는 광학물품을 포함하여 이루어지는 것 또는 본 발명의 요철 구조를 표면에 갖는 광학물품의 요철 수지층의 표면에 고굴절률층을 형성한 것으로서, 광학물품용 기재가 투명 기재이며, 요철 수지층을 포함하여 이루어지는 광 취출부 또는 요철 수지층 및 고굴절률층을 포함하여 이루어지는 광 취출부를, 투명 기재의 표면에 갖는다.
도 4 및 도 5는, 제1 광학물품(30)을 사용한 본 발명의 면 발광체용 투명 기재의 일례를 도시하는 단면도이다. 면 발광체용 투명 기재(60)는, 투명 기재(20b)(광학물품용 기재(20))와, 투명 기재(20b)의 표면에 형성된 광 취출부(62)를 갖는다.
도 4의 면 발광체용 투명 기재(60)에서의 광 취출부(62)는, 투명 기재(20b)의 표면에 형성된 요철 수지층(34)과, 요철 수지층(34)의 요철 구조를 평탄화하도록 요철 수지층(34)의 표면에 형성된 고굴절률층(64)으로 이루어진다.
도 5의 면 발광체용 투명 기재(60)에서의 광 취출부(62)는, 투명 기재(20b)의 표면에 형성된 요철 수지층(34)만으로 이루어진다.
도 6 및 도 7은, 제2 광학물품(50)을 사용한 본 발명의 면 발광체용 투명 기재의 일례를 도시하는 단면도이다. 면 발광체용 투명 기재(60)는, 투명 기재(40b)(광학물품용 기재(40))와, 투명 기재(40b)의 표면에 형성된 광 취출부(62)를 갖는다.
도 6의 면 발광체용 투명 기재(60)에서의 광 취출부(62)는, 투명 기재(40b)의 표면에 형성된 요철 수지층(54)과, 요철 수지층(54)의 요철 구조를 평탄화하도록 요철 수지층(54)의 표면에 형성된 고굴절률층(64)으로 이루어진다.
도 7의 면 발광체용 투명 기재(60)에서의 광 취출부(62)는, 투명 기재(40b)의 표면에 형성된 요철 수지층(54)만으로 이루어진다.
(고굴절률층)
고굴절률층(64)은, 요철 수지층(34)(또는 요철 수지층(54))의 굴절률보다 높고, 후술하는 투명 전극(82)의 굴절률보다도 낮은 굴절률을 갖는 재료로 이루어지는 층이다. 요철 수지층(34)(또는 요철 수지층(54))이 (메트)아크릴로일옥시기를 갖는 단량체 및 또는 올리고머를 포함하는 활성 에너지선 경화성 수지 조성물의 경화물로 이루어지는 경우의 굴절률은 1.49 정도이고, 투명 전극(82)이 ITO로 이루어지는 경우의 굴절률은 2.12 정도이므로, 고굴절률층(64) 재료의 굴절률은, 1.5 내지 2.1이 바람직하고, 1.6 내지 2.0이 보다 바람직하다.
고굴절률 재료로서는, 비스(4-메타크릴로일티오페닐)술피드, 비닐나프탈렌, 비닐페닐술피드, 4-메타크릴록시 페닐-4'-메톡시페닐 티오에테르, 플루오렌계에폭시 수지(비스아릴플루오렌을 기본 골격 핵으로 하는 에폭시 수지(나가세 산교사 제조) 등), 플루오렌계 아크릴 수지(오그솔(오사까 가스 케미컬사 제조) 등) 등을 들 수 있다.
(작용 효과)
이상 설명한 본 발명의 면 발광체용 투명 기재에서는, 입사광을 효율적으로 회절 또는 확산할 수 있어, 각도에 의한 출사광의 색감의 변화가 작은 요철 수지층을 갖기 때문에, 광의 취출 효율이 높고, 각도에 의한 출사광의 색감의 변화가 작은 면 발광체를 얻을 수 있다.
또한, 요철 수지층을 구성하는 요철의 형상, 간격 등이 불규칙하기 때문에, 요철 구조에 의해 유효하게 회절 또는 확산되는 광의 각도, 파장에 치우침이 적다. 그로 인해, 특허문헌 1의 면 발광체에 비해, 광의 취출 효율이 높고, 넓은 범위를 균일하게 조사할 수 있는 면 발광체를 얻을 수 있다.
고굴절률층을 갖는 경우에는, 하기의 작용 효과를 발휘한다.
요철 수지층에서의 요철의 평균 간격(Sm)이 200nm 이하인 경우, 고굴절률층과 요철 수지층의 계면 및 고굴절률층과 투명 전극의 계면에서의 굴절률차가 작아져, 각 계면에서의 광의 반사를 억제할 수 있고, 그 결과, 프레넬 반사 저감 효과가 향상되어, 광의 취출 효율이 더욱 향상된다. 요철 수지층에서의 요철의 평균 간격(Sm)이 200nm 내지 1㎛인 경우에는, 투명 전극이나 유기 반도체층에 갇혀 있던 광을, 고굴절률층의 요철 구조에 의한 회절 효과에 의해 외부로 취출할 수 있다. 요철 수지층에서의 요철의 평균 간격(Sm)이 1 내지 50㎛인 경우, 투명 전극이나 유기 반도체층에 갇혀 있던 광을, 고굴절률층의 요철 구조에 의한 확산에 의해 외부로 취출할 수 있다.
또한, 고굴절률층은, 요철 수지층의 오목부를 매립하여, 광 취출부의 표면을 평활화하는 역할도 한다. 광 취출부의 표면이 평활해지면, 후술하는 발광부의 각 층을 균일하게 형성하기 쉽다.
(다른 형태)
또한, 본 발명의 면 발광체용 투명 기재는, 도시한 예의 것에 한정되지는 않는다.
예를 들어, 투명 기재(20b)(또는 투명 기재(40b))와 요철 수지층(34)(또는 요철 수지층(54))의 사이에 접착층을 가져도 된다.
면 발광체용 투명 기재(60)의 투명 기재(20b)(또는 투명 기재(40b))측의 표면에, 점착층 등을 개재하여 다른 투명 기재가 접착된 것이어도 된다(도 12 참조).
2장의 면 발광체용 투명 기재(60)가, 투명 기재(20b)(또는 투명 기재(40b))측의 표면이 마주 향하도록 점착층 등을 개재하여 접착된 것이어도 된다(도 13 참조).
면 발광체용 투명 기재(60)의 투명 기재(20b)(또는 투명 기재(40b))측의 표면에, 점착층 등을 개재하여 다른 광 취출 부재(마이크로렌즈 어레이 시트, 프리즘 시트, 사다리꼴 텐트 시트 등)가 접착된 것이어도 된다(실시예 9, 10 참조).
<면 발광체>
본 발명의 면 발광체는, 본 발명의 면 발광체용 투명 기재와, 면 발광체용 투명 기재의 표면에 설치된 투명 전극과, 상기 투명 전극과 이격하여 설치된 배면 전극과, 투명 전극과 배면 전극의 사이에 설치된 발광층을 갖는다.
도 8 내지 13은, 본 발명의 면 발광체의 일례를 도시하는 단면도이다. 유기 EL 소자(70)(면 발광체)는, 면 발광체용 투명 기재(60)와; 면 발광체용 투명 기재(60)의 위에 설치된, 면 발광체용 투명 기재(60)의 측에서 순서대로 투명 전극(82), 발광층(도시 생략)을 포함하는 유기 반도체층(84) 및 배면 전극(86)을 갖는 발광부(80)와; 발광부(80)를 밀봉하는 밀봉부(도시 생략)를 구비한다.
도 8의 유기 EL 소자(70)는, 제1 광학물품(30)을 사용하고, 또한 고굴절률층(64)을 갖는 면 발광체용 투명 기재(60)의, 고굴절률층(64)측의 표면에 발광부(80)가 설치된 것이다.
도 9의 유기 EL 소자(70)는, 제1 광학물품(30)을 사용하고, 또한 고굴절률층(64)을 갖지 않는 면 발광체용 투명 기재(60)의, 투명 기재(20b)측의 표면에 발광부(80)가 설치된 것이다.
도 10의 유기 EL 소자(70)는, 제2 광학물품(50)을 사용하고, 또한 고굴절률층(64)을 갖는 면 발광체용 투명 기재(60)의, 고굴절률층(64)측의 표면에 발광부(80)가 설치된 것이다.
도 11의 유기 EL 소자(70)는, 제2 광학물품(50)을 사용하고, 또한 고굴절률층(64)을 갖지 않는 면 발광체용 투명 기재(60)의, 투명 기재(40b)측의 표면에 발광부(80)가 설치된 것이다.
도 12의 유기 EL 소자(70)는, 제1 광학물품(30)을 사용하고, 또한 투명 기재(20b)측의 표면에, 점착층(66)을 개재하여 다른 투명 기재(68)가 접착된 면 발광체용 투명 기재(60)의, 다른 투명 기재(68)측의 표면에 발광부(80)가 설치된 것이다.
도 13의 유기 EL 소자(70)는, 제1 광학물품(30)을 사용하고, 또한 고굴절률층(64)을 갖지 않는 면 발광체용 투명 기재와, 제2 광학물품(50)을 사용하고, 또한 고굴절률층(64)을 갖는 면 발광체용 투명 기재가, 투명 기재(20b)측의 표면과 투명 기재(40b)측의 표면이 마주 향하도록 점착층(66)을 개재하여 접착된 면 발광체용 투명 기재(60)의, 고굴절률층(64)측의 표면에 발광부(80)가 설치된 것이다.
(투명 전극)
투명 전극(82)의 재료로서는, 도전성을 갖는 금속 산화물, 광투과성을 갖는 금속 박막을 형성할 수 있는 금속, 도전성을 갖는 유기 고분자 등을 들 수 있다.
도전성을 갖는 금속 산화물로서는, 산화인듐, 산화아연, 산화주석, 인듐·주석·옥시드(ITO), 인듐·아연·옥시드(IZO) 등을 들 수 있다.
광투과성을 갖는 금속 박막을 형성할 수 있는 금속으로서는, 금, 백금, 은, 구리, 알루미늄 등을 들 수 있다.
도전성을 갖는 유기 고분자로서는, 폴리아닐린, 그의 유도체, 폴리티오펜, PEDOT-PSS(폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜): 폴리(스티렌술포네이트)), 그의 유도체 등을 들 수 있다.
투명 전극(82)은 1층이어도 되고, 2층 이상이어도 된다.
투명 전극(82)의 두께는, 광투과성 및 도전성의 양립의 관점에서, 10 내지 1000nm가 바람직하고, 50 내지 500nm가 보다 바람직하다.
투명 전극(82)은 양극이어도 되고, 음극이어도 된다. 투명 전극(82)은, 통상, 양극이 된다.
(유기 반도체층)
유기 반도체층(84)은, 적어도 발광층(도시 생략)을 갖는다. 유기 반도체층(84)은, 발광층과 투명 전극(82) 또는 배면 전극(86)과의 사이에는, 다른 기능층을 가져도 된다. 투명 전극(82)과 발광층의 사이에 설치되는 다른 기능층으로서는, 투명 전극(82)의 측에서 순서대로 정공 주입층, 정공 수송층을 들 수 있다. 발광층과 배면 전극(86)의 사이에 설치되는 다른 기능층으로서는, 발광층의 측에서 순서대로 정공 저지층, 전자 수송층, 전자 주입층을 들 수 있다.
발광층은, 유기 화합물의 발광 재료를 포함하는 층이다.
유기 화합물의 발광 재료로서는, 인광성 화합물의 호스트 화합물인 카르바졸 유도체(4,4'-N,N'-디카르바졸-디페닐(이하, CBP라고 기재함) 등)에 이리듐 착체(트리스(2-페닐 피리딘)이리듐(이하, Ir(ppy)3이라고 기재함)을 도프한 것(CBP: Ir(ppy)3 등); 8-히드록시퀴놀린 또는 그의 유도체의 금속 착체(트리스(8-히드록시퀴놀린)알루미늄(이하, Alq3이라고 기재함) 등); 그 외, 공지된 발광 재료를 들 수 있다.
발광층은, 발광 재료 이외에, 정공 수송성 재료, 전자 수송성 재료 등을 포함하고 있어도 된다.
발광층의 두께는, 1 내지 100nm가 바람직하고, 10 내지 50nm가 보다 바람직하다.
발광층은, 1층이어도 되고, 2층 이상이어도 된다. 예를 들어, 유기 EL 소자(70)를 백색의 유기 EL 조명으로서 사용하는 경우, 발광층을, 청 발광층, 녹 발광층 및 적 발광층을 갖는 적층 구조로 해도 된다.
정공 주입층은, 정공 주입 재료를 포함하는 층이다.
정공 주입 재료로서는, 구리 프탈로시아닌(이하, CuPc라고 기재함); 산화바나듐; 도전성을 갖는 유기 고분자; 그 외, 공지된 정공 주입 재료를 들 수 있다.
정공 주입층의 두께는, 1 내지 100nm가 바람직하고, 10 내지 50nm가 보다 바람직하다.
정공 수송층은, 정공 수송성 재료를 포함하는 층이다.
정공 수송성 재료로서는, 트리페닐 디아민류(4,4'-비스(m-트릴페닐아미노)비페닐(이하, TPD라고 기재함) 등); 그 외, 공지된 정공 수송성 재료를 들 수 있다.
정공 수송층의 두께는, 1 내지 100nm가 바람직하고, 10 내지 50nm가 보다 바람직하다.
정공 저지층은, 정공 저지 재료를 포함하는 층이다.
정공 저지 재료로서는, 2,9-디메틸-4,7-디페닐-1,10-페난트롤린(이하, BCP라고 기재함) 등); 그 외, 공지된 정공 저지 재료를 들 수 있다.
정공 저지층의 두께는, 1 내지 100nm가 바람직하고, 5 내지 50nm가 보다 바람직하다.
전자 수송층은, 전자 수송성 재료를 포함하는 층이다.
전자 수송성 재료로서는, 8-히드록시퀴놀린 또는 그의 유도체의 금속 착체(Alq3 등), 옥사디아졸 유도체; 그 외, 공지된 전자 수송성 재료를 들 수 있다.
전자 수송층의 두께는, 1 내지 100nm가 바람직하고, 10 내지 50nm가 보다 바람직하다.
전자 주입층은, 전자 주입 재료를 포함하는 층이다.
전자 주입 재료로서는, 알칼리 금속 화합물(불화 리튬 등), 알칼리 토금속 화합물(불화 마그네슘 등), 금속(스트론튬 등); 그 외, 공지된 전자 주입 재료를 들 수 있다.
전자 주입층의 두께는, 1 내지 100nm가 바람직하고, 10 내지 50nm가 보다 바람직하다.
(배면 전극)
배면 전극(86)의 재료로서는, 리튬, 나트륨, 칼륨, 루비듐, 세슘, 베릴륨, 마그네슘, 칼슘, 스트론튬, 바륨, 알루미늄, 스칸듐, 바나듐, 아연, 이트륨, 인듐, 세륨, 사마륨, 유로퓸, 테르븀, 이테르븀 등을 들 수 있고, 이들 중 2개 이상을 조합한 합금, 이들 불화물 등의 금속염류, 또는 이들 중 1개 이상과, 금, 은, 백금, 구리, 망간, 티타늄, 코발트, 니켈, 텅스텐, 주석 중 1개 이상의 합금 등을 들 수 있다. 합금의 구체예로서는, 마그네슘-은 합금, 마그네슘-인듐 합금, 마그네슘-알루미늄 합금, 인듐-은 합금, 리튬-알루미늄 합금, 리튬-마그네슘 합금, 리튬-인듐 합금, 칼슘-알루미늄 합금 등을 들 수 있다.
배면 전극(86)은 1층이어도 되고, 2층 이상이어도 된다.
배면 전극(86)의 두께는, 도전성 및 내구성의 관점에서, 5 내지 1000nm가 바람직하고, 10 내지 300nm가 보다 바람직하다.
배면 전극(86)은 음극이어도 되고, 양극이어도 된다. 배면 전극(86)은 통상, 음극이 된다.
(면 발광체의 제조 방법)
유기 EL 소자(70)는, 예를 들어 하기의 공정 (α) 내지 (δ)를 갖는 방법에 의해 제조할 수 있다.
(α) 면 발광체용 투명 기재(60)의 표면에 투명 전극(82)을 형성하는 공정.
(β) 투명 전극(82)의 표면에 발광층(도시 생략)을 포함하는 유기 반도체층(84)을 형성하는 공정.
(γ) 유기 반도체층(84)의 표면에 배면 전극(86)을 형성하는 공정.
(δ) 발광부(80)를 밀봉부(도시 생략)에 의해 밀봉하는 공정.
(공정 (α))
소정 패턴의 구멍이 형성된 마스크 너머로 전극의 재료를 증착하여, 면 발광체용 투명 기재(60)의 표면에 투명 전극(82)을 형성한다.
증착법으로서는, 진공 증착법, 스퍼터링법, 이온 플레이팅법 등의 물리적 증착법을 들 수 있고, 투명 전극(82)을 형성하기 쉬운 점에서, 스퍼터링법이 바람직하다.
증착 속도(데포 레이트)는, 투명 전극(82)을 형성하기 쉬운 점에서, 10nm/sec 이하가 바람직하고, 5nm/sec 이하가 보다 바람직하다. 증착 속도(데포 레이트)는 생산성의 관점에서, 0.001nm/sec 이상이 바람직하고, 0.01nm/sec 이상이 보다 바람직하다.
면 발광체용 투명 기재(60)와 투명 전극(82)의 접착성을 향상시키기 위해서, 증착 전에, 면 발광체용 투명 기재(60)의 표면에, UV 오존 처리, 플라즈마 처리, 코로나 처리, 엑시머 처리 등을 실시해도 된다.
면 발광체용 투명 기재(60)에 포함되는 용존 가스, 미반응 단량체를 제거하기 위해서, 증착 전에, 면 발광체용 투명 기재(60)에 가열 처리, 진공 처리, 가열 진공 처리 등을 실시해도 된다.
(공정 (β))
투명 전극(82)의 표면에, 소정 패턴의 구멍이 형성된 마스크 너머로 유기 반도체층(84)을 구성하는 각 층의 재료를 순차 증착하여, 유기 반도체층(84)을 형성한다.
증착법으로서는, 진공 증착법, 스퍼터링법, 이온 플레이팅법 등의 물리적 증착법을 들 수 있다. 재료가 유기 화합물인 경우, 진공 증착법이 바람직하다.
증착 속도(데포 레이트)는, 각 층을 형성하기 쉬운 점에서, 10nm/sec 이하가 바람직하고, 5nm/sec 이하가 보다 바람직하다. 증착 속도(데포 레이트)는 생산성의 관점에서, 0.1nm/sec 이상이 바람직하고, 0.5nm/sec 이상이 보다 바람직하다.
투명 전극(82)과 유기 반도체층(84)의 접착성을 향상시키기 위해서, 증착 전에, 투명 전극(82)의 표면에 UV 오존 처리, 플라즈마 처리, 코로나 처리, 엑시머 램프 처리 등을 실시해도 된다.
(공정 (γ))
유기 반도체층(84)의 위에 소정 패턴의 구멍이 형성된 마스크 너머로 전극의 재료를 증착하여, 배면 전극(86)을 형성한다.
증착법으로서는, 진공 증착법, 스퍼터링법, 이온 플레이팅법 등의 물리적 증착법을 들 수 있고, 하층의 유기 반도체층(84)에 데미지를 끼치지 않는 점에서, 진공 증착법이 바람직하다.
증착 속도(데포 레이트)는, 유기 반도체층(84)에 데미지를 끼치지 않는 관점에서, 10nm/sec 이하가 바람직하고, 5nm/sec 이하가 보다 바람직하다. 증착 속도(데포 레이트)는, 연속된 금속 박막을 형성하기 쉬운 점, 생산성의 관점에서, 0.5nm/sec 이상이 바람직하고, 1.0nm/sec 이상이 보다 바람직하다.
(공정 (δ))
밀봉부가 홈이 있는 유리로 이루어질 경우, 밀봉부는, 홈이 있는 유리를, 발광부(80)가 홈이 있는 유리의 오목부에 수용되도록 씌운 후, 홈이 있는 유리의 개구 단부면을 접착제에 의해 면 발광체용 투명 기재(60)에 접착함으로써 설치된다.
밀봉부가 배리어층으로 이루어질 경우, 밀봉부는, 배리어층의 재료를 증착하거나 해서 형성된다.
배리어층의 형성 방법으로서는, 진공 증착법, 스퍼터링법, 반응성 스퍼터링법, MBE(분자선 에피택시)법, 클러스터 이온 빔법, 이온 플레이팅법, 플라즈마 중합법(고주파 여기 이온 플레이팅법), 플라즈마 CVD법, 레이저 CVD법, 열 CVD법, 가스 소스 CVD법, 코팅법 등을 들 수 있다.
배리어층의 재료로서는, 금속, 금속 산화물, 금속 질화물, 금속산질화물, 금속 불화물, 수지 등을 들 수 있다.
(작용 효과)
이상 설명한 본 발명의 유기 EL 소자(70)에서는, 요철 수지층(34)(또는 요철 수지층(54))을 갖는 광 취출부(62)를 구비하고 있기 때문에, 광 취출부(62)와 발광부(80)의 계면이나, 광 취출부(62)와 외부 공기의 계면에서의 광의 반사가 억제되어, 광의 취출 효율이 높아진다. 또한, 각도에 의한 출사광의 색감의 변화가 작다.
또한, 요철 수지층(34)(또는 요철 수지층(54))의 오목부(36)(또는 돌기(56))의 피치나 높이가 불규칙하기 때문에, 요철 구조에 의해 유효하게 회절 또는 확산되는 광의 각도, 파장에 치우침이 적다. 그로 인해, 특허문헌 1의 면 발광체에 비해, 광의 취출 효율이 높고, 넓은 범위를 균일하게 조사할 수 있다.
(다른 형태)
또한, 본 발명의 유기 EL 소자는, 도시한 예의 유기 EL 소자(70)에 한정되지는 않는다. 예를 들어, 투명 기재(20b)(또는 투명 기재(40b))와 요철 수지층(34)(또는 요철 수지층(54))의 사이에 접착층을 가져도 된다.
면 발광체용 투명 기재(60)의 투명 기재(20b)(또는 투명 기재(40b))측의 표면에, 점착층 등을 개재하여 다른 광 취출 부재(마이크로렌즈 어레이 시트, 사다리꼴 텐트, 프리즘 시트 등)가 접착된 것이어도 된다(실시예 9, 10 참조).
실시예
이하, 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하는데, 본 발명은 이것들에 한정되는 것은 아니다.
(평균 경사각)
시료(몰드 또는 광학물품)를 열경화형 에폭시 수지에 포매하고, 시료 단부면의 기계 연마를 행하였다.
몰드에 대해서는, 이온밀링 장치(Gatan사 제조, Ilion+693.A)를 사용하여, 가속 전압 6kV, 가공 온도 -175℃에서 단면 가공을 행하였다. 광학물품에 대해서는, 20 내지 30nm의 Os를 코팅한 후, 몰드와 마찬가지로 단면 가공을 행하였다.
주사형 전자 현미경(히타치 하이테크사 제조, S-4300SE/N)으로, 시료의 가공한 단면을 촬영하였다.
주사형 전자 현미경으로 촬영한 시료의 단면의 화상으로부터, 요철 구조의 높이 방향(y)에 직교하는 방향(x)으로 기준 길이(L)(10㎛)만큼 요철 구조의 화상을 발취하였다. 발취한 요철 구조의 화상을 화상 소프트웨어(프리 소프트웨어, "그래프 스캐너")를 사용해서 디지털화하여, 요철 구조의 능선을 xy 좌표로 변환하였다. 얻어진 능선의 좌표 데이터로부터, 상술한 방법에 의해 평균 경사각(θa)을 구하였다.
(요철의 평균 간격)
상기 능선의 좌표 데이터로부터, 상술한 방법에 의해 요철의 평균 간격(Sm)을 구하였다.
(국부 산 정상의 평균 간격)
상기 능선의 좌표 데이터로부터, 상술한 방법에 의해 국부 산 정상의 평균 간격(S)을 구하였다.
(표면 조도)
산술 평균 조도(Ra), 최대 높이(Ry), 10점 평균 높이(Rz) 및 제곱 평균 조도(RMS)에 대해서는, JIS B 0601-1994에 따라, 대상 측정 범위 중의 임의의 3점에서의 50㎛×50㎛의 범위를 원자간력 현미경(기엔스사 제조, VN-8010, 캔틸레버 DFM/SS-Mode)으로 측정하여, 평균값을 구하였다.
(전반사율)
헤이즈·투과율계(무라까미 시끼사이 기술 연구소사 제조, RT-100)를 사용하여, JIS K 7105에 따라서, C 광원에서의 전반사율(Rt)을 측정하였다.
(마르텐스 경도)
마르텐스 경도의 측정에는, Fischerscope HM2000을 사용하였다. 측정에 사용하는 압자에는, 다이아몬드제의 사각추형, 대면각 135도인 것을 사용하였다. 온도: 23℃, 상대 습도: 50%의 환경하에, 요철 수지층에 대하여 압자를, dF/dt2(F: 하중, t: 경과 시간)이 일정해지도록 20초간 1mN까지 하중시킨 후, 5초간 크리프시키고, 그 후 하중시와 동일 조건에서 제중시키는 측정 조건에서, 하중을, 접촉 제로 점을 초과하여 침입한 압자의 표면적으로 나눔으로써 마르텐스 경도를 구하였다.
(확산율)
He-Ne 레이저(멜레스그리오사 제조, 05-LPL-911-065)를 사용하여, 요철 구조의 높이 방향에서 광학물품에 레이저광을 입사하였다. 코노스코프(ELDIM사 제조, EZ-Contrast160R, EZ-Com 소프트웨어)를 사용하여, 광학물품을 투과하여 출사되는 투과 확산 광의 강도(Iθ)의 분포를 측정하였다. 출사각(θ)이 5도, 20도 및 70도일 때의 강도로부터, 상술한 식을 사용하여 확산율(D)을 구하였다.
(전사성)
전사 후의 몰드의 표면을 관찰하고, 하기의 기준으로 평가하였다.
○: 몰드의 표면에 활성 에너지선 경화성 수지 조성물의 경화물이 남지 않음
△: 몰드의 표면에 활성 에너지선 경화성 수지 조성물의 경화물의 일부가 남음
×: 몰드의 표면에 활성 에너지선 경화성 수지 조성물의 경화물의 대부분이 남음
(표면 및 단면 관찰)
몰드 및 요철 수지층의 표면 및 단면에 대해서, 주사형 전자 현미경(히타치 하이테크사 제조, S-4300SE/N)으로 관찰하였다.
(배향 분포 측정)
배향 휘도 분포 측정 장치(오츠카 덴시사 제조, EL 광학 특성 측정 장치)를 사용하여, 유기 EL 소자에 0.5mA/cm2의 전류를 흘렸을 때의 출사광의 색도(x, y)를, 0도(유기 EL 소자의 투명 기재의 표면에 대하여 수직 방향)부터 70도의 범위에서 1도 간격으로 경사지게 하면서, 수동 측정 모드로 측정하였다. 0 내지 70도의 범위에서의 색도의 최대 변화율(Δx, Δy)을 계산하였다.
(몰드(X-1))
몰드(X-1)로서, 바늘 형상 니켈 합금 도금(에비나전화 고교사 제조, 몰드 기재: 알루미늄, 5cm×5cm)을 준비하였다.
몰드(X-1)의 평균 경사각, 요철의 평균 간격, 국부 산 정상의 평균 간격, 표면 조도를 표 1에 나타내었다. 몰드(X-1)의 표면의 주사형 전자 현미경 사진을 도 14에 도시한다. 몰드(X-1)의 단면의 주사형 전자 현미경 사진을 도 15에 도시한다.
몰드(X-1)에, 순수 초음파 세정을 실시하였다.
이형제(다이킨 고교사 제조, 옵툴 DSX)를 희석용 유기 용매(하베스사 제조, 듀라 서프 HD-ZV)로 희석하여, 이형제 농도가 0.1질량%인 희석 용액을 제조하고, 몰드(X-1)을 희석 용액에 실온에서 10분간 침지한 후, 꺼내어 실온하에서 24시간 건조하여, 이형제에 의해 처리된 몰드(X-1)을 얻었다. 몰드(X-1)의 전반사율을 표 1에 나타내었다.
(몰드(X-2))
몰드(X-2)로서, 바늘 형상 구리 합금 도금(에비나전화 고교사 제조, 몰드 기재: 알루미늄, 5cm×5cm)을 준비하였다.
몰드(X-2)의 평균 경사각, 요철의 평균 간격, 국부 산 정상의 평균 간격, 표면 조도를 표 1에 나타내었다. 몰드(X-2)의 표면의 주사형 전자 현미경 사진을 도 16에 나타내었다. 몰드(X-2)의 단면의 주사형 전자 현미경 사진을 도 17에 나타내었다.
몰드(X-2)를 몰드(X-1)과 마찬가지로 이형제에 의해 처리하여, 이형제에 의해 처리된 몰드(X-2)를 얻었다. 몰드(X-2)의 전반사율을 표 1에 나타내었다.
(몰드(X-3))
몰드(X-3)으로서, 바늘 형상 니켈 합금 도금(에비나전화 고교사 제조, 몰드 기재: 무산소 구리(하쿠도사 제조), 5cm×5cm)을 준비하였다.
몰드(X-3)의 평균 경사각, 요철의 평균 간격, 국부 산 정상의 평균 간격, 표면 조도를 표 1에 나타내었다. 단면 가공 완료된 몰드(X-3)의 단면의 주사형 전자 현미경 사진을 도 18에 나타내었다.
몰드(X-3)을 몰드(X-1)과 마찬가지로 이형제에 의해 처리하여, 이형제에 의해 처리된 몰드(X-3)을 얻었다. 몰드(X-3)의 전반사율을 표 1에 나타내었다.
(몰드(X-4))
블라스트 장치(요코하마 니츄사 제조, PAM107)를 사용하여, 경면 SUS 기판(10cm×10cm, 두께 0.5mm)의 표면에 알루미나 비즈(A400S)를, 공급량 30%, 피치 2.5mm, 공급 압력 0.3MPa, 속도 20mm/s, 노즐 높이 320mm로 충돌시켜, 몰드(X-4)를 얻었다. 몰드(X-4)를 유수로 수회 세정한 후, 초음파 세정하였다.
몰드(X-4)의 평균 경사각, 요철의 평균 간격, 국부 산 정상의 평균 간격, 표면 조도를 표 1에 나타내었다. 단면 가공 완료된 몰드(X-4)의 단면의 주사형 전자 현미경 사진을 도 19에 나타내었다.
몰드(X-4)를 몰드(X-1)과 마찬가지로 이형제에 의해 처리하여, 이형제에 의해 처리된 몰드(X-4)를 얻었다. 몰드(X-4)의 전반사율을 표 1에 나타내었다.
<표 1>
(활성 에너지선 경화성 수지 조성물(A-1))
1,6-헥산디올 디아크릴레이트(이하, C6DA라고 기재함) 50질량부,
트리메틸올에탄/아크릴산/숙신산(2/4/1)의 축합물(이하, TAS라고 기재함) 50질량부,
벤조일에틸에테르(이하, BEE라고 기재함) 3질량부
를 혼합하여, BEE가 용해할 때까지 교반해서, 활성 에너지선 경화성 수지 조성물(A-1)을 제조하였다.
(활성 에너지선 경화성 수지 조성물(A-2))
폴리부틸렌글리콜디메타크릴레이트(미쯔비시 레이온사 제조, 아크릴에스테르 PBOM)(이하, PBOM이라고 기재함) 50질량부,
TAS 50질량부,
BEE 3질량부
를 혼합하여, BEE가 용해할 때까지 교반해서, 활성 에너지선 경화성 수지 조성물(A-2)를 제조하였다.
(활성 에너지선 경화성 수지 조성물(A-3))
PBOM 80질량부,
TAS 20질량부,
BEE 3질량부
를 혼합하여, BEE가 용해할 때까지 교반해서, 활성 에너지선 경화성 수지 조성물(A-3)을 제조하였다.
(활성 에너지선 경화성 수지 조성물(A-4))
PBOM 100질량부,
BEE 3질량부
를 혼합하여, BEE가 용해할 때까지 교반해서, 활성 에너지선 경화성 수지 조성물(A-4)를 제조하였다.
(활성 에너지선 경화성 수지 조성물(A-5))
C6DA 50중량부,
PBOM 50질량부,
이르가큐어(184)(시바 스페셜러티 케미컬사 제조) 3질량부
를 혼합하여, 이르가큐어(184)가 용해할 때까지 교반해서, 활성 에너지선 경화성 수지 조성물(A-5)를 제조하였다.
(고굴절률 재료액(B-1))
오그솔 EA-0200(오사까 가스 케미컬사 제조) 100질량부,
벤조일에틸에테르 3질량부,
톨루엔 20질량부
를 혼합하여, 고굴절률 재료액(B-1)을 제조하였다.
(고굴절률 재료액(B-2))
오그솔 EA-0280(오사까 가스 케미컬사 제조, 메틸에틸케톤 50%) 100질량부,
벤조일에틸에테르 1질량부
를 혼합하여, 고굴절률 재료액(B-2)를 제조하였다.
(광학 시트용 활성 에너지선 경화성 수지)
일본 특허 공개 제2012-003074호 공보(일본 특허 출원 제2010-138529호)에 [제조예]로서 기재된 방법으로 제작하였다.
유리제 플라스크에, 헥사메틸렌 디이소시아네이트 117.6g(0.7몰), 이소시아누레이트형의 헥사메틸렌 디이소시아네이트 삼량체 151.2g(0.3몰), 2-히드록시프로필 아크릴레이트 128.7g(0.99몰), 펜타에리트리톨 트리아크릴레이트 693g(1.54몰), 디라우릴산 디-n-부틸 주석 100ppm, 히드로퀴논모노메틸에테르 0.55g을 투입하고, 70 내지 80℃의 조건에서 잔존 이소시아네이트 농도가 0.1% 이하로 될 때까지 반응시켜, 우레탄 아크릴레이트 화합물을 얻었다.
우레탄 아크릴레이트 화합물 35질량부, PBOM 25질량부, 뉴 프론티어 BPEM-10(다이이찌 고교 세야꾸사 제조) 40질량부, 1-히드록시시클로헥실페닐케톤(시바 스페셜티 케미컬즈사 제조, 이르가큐어 184) 1.2질량부를 혼합하여 활성 에너지선 경화성 수지 조성물을 얻었다.
(마이크로렌즈 어레이 시트)
일본 특허 공개 제2012-003074호 공보(일본 특허 출원 제2010-138529호)의 실시예 3에 기재된 방법으로 제작하였다.
국제 공개 제2008/069324호에 기재된 에칭하는 제법으로, 마이크로렌즈 형상의 형 부재를 제작하였다. 얻어진 형 부재는 반구 형상의 오목부가 배열된 형상이었다.
형 부재의 표면에 활성 에너지선 경화성 수지 조성물을 균일하게 도포하고, 그 위에 두께 188㎛의 폴리에틸렌테레프탈레이트(이하, PET라고 기재함) 필름(도요보사 제조, 코스모 샤인 A4300)을 씌우고, 핸드 롤로 활성 에너지선 경화성 수지 조성물을 균일하게 펴 발랐다. PET 필름 너머로 적산 광량: 1000mJ/cm2의 자외선을 조사하여, 형 부재와 PET 필름의 사이에서 펴 발라진 활성 에너지선 경화성 수지 조성물을 경화시켰다. 형 부재로부터 PET 필름 및 경화물을 박리하여, PET 필름 표면에 형 부재의 볼록 형상이 반전된 형상을 갖는 마이크로렌즈 시트를 얻었다. SEM으로 관찰한 결과, 직경이 50㎛인 반구 형상 볼록부가 규칙적으로 배열하고 있었다.
(사다리꼴 텐트 시트)
일본 특허 공개 제2012-003074호 공보(일본 특허 출원 제2010-138529호)의 실시예 1에 기재된 방법으로 제작하였다.
형 부재의 모재로서의 10mm 두께의 스테인리스 합금 위에 무전해 니켈 도금층을 500㎛ 형성하고, 무전해 니켈 도금층을 꼭지각 100°의 이등변 삼각형 형상의 다이아몬드바이트를 사용해서 절삭하여, 형 부재를 제작하였다. 얻어진 형 부재는, 사각추가 텐트 형상으로 변형된 볼록부가 배열된 형상이다. 이 형 부재 위에 제조예 1에서 제작한 활성 에너지선 경화성 수지 조성물을 균일하게 도포하고, 그 위에 두께 188㎛의 PET 필름(도요보사 제조, 코스모 샤인 A4300)을 놓고, 핸드 롤로 균일하게 폈다. 그 후, PET 필름상으로부터 UV 조사를 행하여, 형 부재와 PET 필름의 사이에서 펴진 활성 에너지선 경화성 수지 조성물을 경화시켰다. 형 부재로부터 PET 필름을 박리하여, PET 필름의 표면에 형 부재의 볼록 형상이 반전된 형상을 갖는 사다리꼴 텐트 시트를 얻었다. SEM 관찰의 결과, 긴 변이 66㎛, 짧은 변이 33㎛, 깊이가 약 14㎛, 저각이 40도인 오목형의 텐트 형상(요철 단위 형상)이 간극 없이 규칙적으로 배열하고 있었다.
(실시예 1)
이형제에 의해 처리된 몰드(X-1)의 표면에, 활성 에너지선 경화성 수지 조성물(A-1)을 적하하고, 그 위에 PET 필름(히가시야마 필름사 제조, HK-31)을 씌워, 핸드 롤로 활성 에너지선 경화성 수지 조성물(A-1)을 펴 발랐다. PET 필름 너머로 적산 광량: 1000mJ/cm2의 자외선을 조사하여, 활성 에너지선 경화성 수지 조성물(A-1)을 경화시켰다. 몰드(X-1)로부터 PET 필름 및 요철 수지층을 박리하여, 도 2에 도시한 바와 같은 요철 구조를 표면에 갖는 광학물품(a-1)을 얻었다. 요철 수지층의 일부가 몰드(X-1)에 남아, 전사는 전체 면에 되지 않았다. 요철 구조를 표면에 갖는 광학물품(a-1)의 요철 수지층의 마르텐스 경도를 측정하였다. 결과를 표 2에 나타내었다.
(실시예 2)
활성 에너지선 경화성 수지 조성물(A-1) 대신에 활성 에너지선 경화성 수지 조성물(A-2)를 사용한 것 이외는, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 도 2에 도시한 바와 같은 요철 구조를 표면에 갖는 광학물품(a-2)를 얻었다. 요철 수지층의 일부가 몰드(X-1)에 남아, 전사는 전체 면에 되지 않았다. 요철 구조를 표면에 갖는 광학물품(a-2)의 요철 수지층의 마르텐스 경도를 측정하였다. 결과를 표 2에 나타내었다.
(실시예 3)
활성 에너지선 경화성 수지 조성물(A-1) 대신에 활성 에너지선 경화성 수지 조성물(A-3)을 사용한 것 이외는, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 도 2에 도시한 바와 같은 요철 구조를 표면에 갖는 광학물품(a-3)을 얻었다. 요철 수지층이 몰드(X-1)에 남지 않아, 전사는 전체 면에 되어 있었다. 요철 구조를 표면에 갖는 광학물품(a-3)의 요철 수지층의 마르텐스 경도를 측정하였다. 결과를 표 2에 나타내었다.
(실시예 4)
활성 에너지선 경화성 수지 조성물(A-1) 대신에 활성 에너지선 경화성 수지 조성물(A-4)를 사용한 것 이외는, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 도 2에 도시한 바와 같은 요철 구조를 표면에 갖는 광학물품(a-4)를 얻었다. 요철 수지층이 몰드(X-1)에 남지 않아, 전사는 전체 면에 되어 있었다. 요철 구조를 표면에 갖는 광학물품(a-4)의 요철 수지층의 마르텐스 경도 및 표면 조도를 측정하였다. 결과를 표 2에 나타내었다. 요철 수지층의 표면의 주사형 전자 현미경 사진을 도 20에 나타내었다. 요철 수지층의 단면의 주사형 전자 현미경 사진을 도 21에 나타내었다.
(실시예 5)
실시예 4에서 얻은 요철 구조를 표면에 갖는 광학물품(a-4)를 몰드(X-1)과 마찬가지로 이형제에 의해 처리하여, 이형제에 의해 처리된 레플리카 몰드(Y-1)을 얻었다.
유리판(코닝사 제조, 이글 XG, 5cm×5cm, 두께 0.7mm)의 표면에, 활성 에너지선 경화성 수지 조성물(A-4)를 적하하고, 그 위에 레플리카 몰드(Y-1)을 씌워, 핸드 롤로 활성 에너지선 경화성 수지 조성물(A-4)를 펴 발랐다. 레플리카 몰드(Y-1) 너머로 적산 광량: 1000mJ/cm2의 자외선을 조사하여, 활성 에너지선 경화성 수지 조성물(A-4)를 경화시켰다. 유리판 및 요철 수지층으로부터 레플리카 몰드(Y-1)을 박리하여, 도 3에 도시한 바와 같은 요철 구조를 표면에 갖는 광학물품(y-1)을 얻었다. 요철 수지층이 레플리카 몰드(Y-1)에 남지 않아, 전사는 전체 면에 되어 있었다. 요철 구조를 표면에 갖는 광학물품(y-1)의 요철 수지층의 표면 조도를 측정하였다. 결과를 표 2에 나타내었다. 요철 수지층의 표면의 주사형 전자 현미경 사진을 도 22에 나타내었다. 요철 수지층의 단면의 주사형 전자 현미경 사진을 도 23에 나타내었다.
(실시예 6)
활성 에너지선 경화성 수지 조성물(A-4) 대신에 활성 에너지선 경화성 수지 조성물(A-1)을 사용한 것 이외는, 실시예 5와 마찬가지로 하여, 도 3에 도시한 바와 같은 요철 구조를 표면에 갖는 광학물품(y-2)를 얻었다. 요철 수지층이 레플리카 몰드(Y-1)에 남지 않아, 전사는 전체 면에 되어 있었다. 요철 구조를 표면에 갖는 광학물품(y-2)의 평균 경사각, 요철의 평균 간격, 국부 산 정상의 평균 간격, 확산율을 표 5에 나타내었다. 투과 확산 광의 강도(Iθ)의 분포를 도 32에 나타내었다. 요철 구조를 표면에 갖는 광학물품(y-2)는 평균 경사각, 확산율 모두 비교예 4에 비해 높아, 요철 구조에 의한 광의 확산 효과가 높은 것을 알았다.
<표 2>
(실시예 7)
유기 EL 조명(Philips사, Lumiblade 엔지니어링 키트, 30.5mm×38mm)의 발광면측에, 굴절률: 1.5의 매칭 오일을 도포하고, 실시예 4에서 얻은 요철 구조를 표면에 갖는 광학물품(a-4)를 PET 필름측이 매칭 오일과 접하도록 광학 밀착시켰다. 요철 구조를 표면에 갖는 광학물품(a-4)를 구비한 유기 EL 조명을, 직경 10mm의 핀 홀 너머로 적분구(랩스피어사 제조, 8인치)의 샘플 개구부에 부착하였다. 유기 EL 조명에 23.2mA의 전류를 흘렸을 때의 직경 1mmΦ의 광속을, 분광기(하마마쓰 포토닉스사 제조, PMA-12)를 사용하여 측정하였다. 비교예 1의 광속(100%)에 대하여 실시예 7의 광속은 144%이며, 광 취출 효율이 향상하였다.
(비교예 1)
유기 EL 조명에, 요철 구조를 표면에 갖는 광학물품(a-4)를 부착하지 않는 것 이외는, 실시예 7과 마찬가지로 하여 광속을 측정하였다.
(실시예 8)
실시예 6에서 얻은 요철 구조를 표면에 갖는 광학물품(y-2)를 25mm×25mm로 커트한 후, 그 표면에, 고굴절률 재료액(B-1)을 스핀 코트(500rpm)하여, 질소 분위기하(산소 농도: 1.0% 이하)에서, 적산 광량: 1000mJ/cm2의 자외선을 조사해서, 요철 수지층의 표면에 두께 1㎛ 정도의 고굴절률층을 형성하여, 도 6에 도시한 바와 같은 면 발광체용 투명 기재를 얻었다.
면 발광체용 투명 기재를 스퍼터링 장치의 챔버 내에 세트하고, 고굴절률층의 표면에, 라인 패턴의 구멍을 갖는 마스크 너머로 ITO를 증착하여, 두께: 200nm의 투명 전극을 형성하였다.
UV 오존 처리한 후, 투명 전극이 형성된 면 발광체용 투명 기재를 진공 증착 장치의 챔버 내에 세트하고, 유기 증착 챔버 내의 압력: 10-4Pa, 증착 속도(데포 레이트): 0.5 내지 2.0nm/sec의 조건하에서, 투명 전극의 위에 정공 주입층의 CuPc(20nm), 정공 수송층의 TPD(40nm), 발광층의 CBP: Ir(ppy)3(20nm), 정공 저지층의 BCP(10nm), 전자 수송층의 Alq3(30nm)을 순차 증착하여, 투명 전극 위에 선택적으로 발광층 및 다른 기능층을 형성하였다.
또한, 증착 속도(데포 레이트): 0.059nm/sec의 조건하에서 금속 증착 챔버 내의 압력: 10-4Pa, 증착 속도(데포 레이트): 0.25nm/sec의 조건하에서 전자 주입층의 불화 리튬(0.5nm), 증착 속도(데포 레이트): 0.5 내지 4.0nm/sec의 조건하에서 배면 전극의 알루미늄(100nm)을 순차 증착하여, 2mm×2mm의 발광부를 형성하였다.
20mm×25mm의 홈이 있는 유리를 사용하여, 2mm×2mm의 발광부가 홈이 있는 유리 내에 들어가도록, 에폭시계 밀봉제(나가세 켐텍사 제조)로 밀봉을 행하여, 유기 EL 소자(E-1)을 얻었다.
유기 EL 소자(E-1)을 직경 10mm의 핀 홀 너머로 적분구(랩스피어사 제조, 8인치)의 샘플 개구부에 부착하고, LED 전체 광속·효율 측정 장치(하마마쓰 포토닉스사 제조, C9920-22 시스템, PMA-12)를 사용하여, 유기 EL 소자(E-1)의 광학 특성을 측정하였다. 유기 EL 소자(E-1)에 1mA/cm2의 전류를 흘렸을 때, 전압: 6.9V에서 전류 효율은 383cd/m2이며, 비교예 2와 비교하여 42% 향상하였다.
(실시예 9)
실시예 8의 유기 EL 소자(E-1)의 발광면측에, 굴절률: 1.5의 매칭 오일을 적하하여, 그 위에 마이크로렌즈 어레이 시트를 씌우고, 그 위에 직경 10mm의 핀 홀을 배치하여, 유기 EL 소자(E-1)의 광학 특성을 측정하였다. 유기 EL 소자(E-1)에 1mA/cm2의 전류를 흘렸을 때, 전압: 6.9V에서 전류 효율은 510cd/m2이며, 비교예 2와 비교하여 89% 향상하였다.
(실시예 10)
실시예 8의 유기 EL 소자(E-1)의 발광면측에, 굴절률: 1.5의 매칭 오일을 적하하여, 그 위에 사다리꼴 텐트 시트를 씌우고, 그 위에 직경 10mm의 핀 홀을 배치하여, 유기 EL 소자(E-1)의 광학 특성을 측정하였다. 유기 EL 소자(E-1)에 1mA/cm2의 전류를 흘렸을 때, 전압: 6.9V에서 전류 효율은 486cd/m2이며, 비교예 2와 비교하여 80% 향상하였다.
(비교예 2)
요철 구조를 표면에 갖는 광학물품(y-2) 대신에 유리판(25mm×25mm)을 사용한 것 이외는, 실시예 8과 마찬가지로 하여 유기 EL 소자(E-2)를 얻었다. 유기 EL 소자(E-2)에 1mA/cm2의 전류를 흘렸을 때, 전압: 6.7V에서 전류 효율은 270cd/m2이었다.
(실시예 11)
활성 에너지선 경화성 수지 조성물(A-1) 대신에 활성 에너지선 경화성 수지 조성물(A-5)를 사용하고, 몰드(X-1) 대신에 몰드(X-2)를 사용한 것 이외는, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 도 2에 도시한 바와 같은 요철 구조를 표면에 갖는 광학물품(b-1)을 얻었다. 요철 수지층이 몰드(X-2)에 남지 않아, 전사는 전체 면에 되어 있었다. 요철 구조를 표면에 갖는 광학물품(b-1)의 요철 수지층의 마르텐스 경도 및 표면 조도를 측정하였다. 결과를 표 3에 나타내었다. 요철 수지층의 표면의 주사형 전자 현미경 사진을 도 24에 나타내었다. 요철 수지층의 단면의 주사형 전자 현미경 사진을 도 25에 나타내었다.
(실시예 12)
실시예 11에서 얻은 요철 구조를 표면에 갖는 광학물품(b-1)을 몰드(X-1)과 마찬가지로 이형제에 의해 처리하여, 이형제에 의해 처리된 레플리카 몰드(Y-2)를 얻었다.
레플리카 몰드(Y-1) 대신에 레플리카 몰드(Y-2)를 사용한 것 이외는, 실시예 6과 마찬가지로 하여, 도 3에 도시한 바와 같은 요철 구조를 표면에 갖는 광학물품(b-2)를 얻었다. 요철 수지층이 레플리카 몰드(Y-2)에 남지 않아, 전사는 전체 면에 되어 있었다. 요철 구조를 표면에 갖는 광학물품(b-2)의 요철 수지층의 표면 조도를 측정하였다. 결과를 표 3에 나타내었다. 요철 수지층의 표면의 주사형 전자 현미경 사진을 도 26에 나타내었다. 요철 수지층의 단면의 주사형 전자 현미경 사진을 도 27에 나타내었다. 요철 구조를 표면에 갖는 광학물품(b-2)의 평균 경사각, 요철의 평균 간격, 국부 산 정상의 평균 간격, 확산율을 표 5에 나타내었다. 투과 확산 광의 강도(Iθ)의 분포를 도 32에 나타내었다. 요철 구조를 표면에 갖는 물품(b-2)는 평균 경사각, 확산율 모두 비교예 4에 비해 높아, 요철 구조에 의한 광의 확산 효과가 높은 것을 알았다.
<표 3>
(실시예 13)
실시예 12에서 얻은 요철 구조를 표면에 갖는 광학물품(b-2)를 25mm×25mm로 커트한 후, 그 표면에, 고굴절률 재료액(B-2)를 스핀 코트(500rpm)하고, 질소 분위기하(산소 농도: 1.0% 이하)에서, 적산 광량: 1000mJ/cm2의 자외선을 조사하여, 요철 수지층의 표면에 두께 5㎛ 정도의 고굴절률층을 형성하여, 도 6에 도시한 바와 같은 면 발광체용 투명 기재를 얻었다.
이 면 발광체용 투명 기재를 사용한 것 이외는, 실시예 8과 마찬가지로 하여 유기 EL 소자(E-3)을 얻었다.
실시예 8과 마찬가지로 유기 EL 소자(E-3)의 광학 특성을 측정하였다. 유기 EL 소자(E-3)에 1mA/cm2의 전류를 흘렸을 때, 전압: 6.7V에서 전류 효율은 379cd/m2이며, 비교예 2와 비교하여 40% 향상하였다.
(실시예 14)
실시예 12의 유기 EL 소자(E-3)의 발광면측에, 굴절률: 1.5의 매칭 오일을 적하하여, 그 위에 마이크로렌즈 어레이 시트를 씌우고, 그 위에 직경 10mm의 핀 홀을 배치하여, 유기 EL 소자(E-3)의 광학 특성을 측정하였다. 유기 EL 소자(E-3)에 1mA/cm2의 전류를 흘렸을 때, 전압: 6.7V에서 전류 효율은 470cd/m2이며, 비교예 2와 비교하여 74% 향상하였다.
(실시예 15)
활성 에너지선 경화성 수지 조성물(A-1) 대신에 활성 에너지선 경화성 수지 조성물(A-5)를 사용하고, 몰드(X-1) 대신에 몰드(X-3)을 사용한 것 이외는, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 도 2에 도시한 바와 같은 요철 구조를 표면에 갖는 광학물품(c-1)을 얻었다. 요철 수지층이 몰드(X-3)에 남지 않아, 전사는 전체 면에 되어 있었다. 요철 구조를 표면에 갖는 광학물품(c-1)의 표면 조도를 측정하였다. 결과를 표 4에 나타내었다. 요철 수지층의 표면의 주사형 전자 현미경 사진을 도 28에 나타내었다.
(실시예 16)
실시예 15에서 얻은 요철 구조를 표면에 갖는 광학물품(c-1)을 몰드(X-1)과 마찬가지로 이형제에 의해 처리하여, 이형제에 의해 처리된 레플리카 몰드(Y-3)을 얻었다.
레플리카 몰드(Y-1) 대신에 레플리카 몰드(Y-3)을 사용한 것 이외는, 실시예 6과 마찬가지로 하여, 도 3에 도시한 바와 같은 요철 구조를 표면에 갖는 광학물품(c-2)를 얻었다. 요철 수지층이 레플리카 몰드(Y-3)에 남지 않아, 전사는 전체 면에 되어 있었다. 요철 구조를 표면에 갖는 광학물품(c-2)의 요철 수지층의 표면 조도를 측정하였다. 결과를 표 4에 나타내었다. 요철 수지층의 표면의 주사형 전자 현미경 사진을 도 29에 나타내었다. 단면 가공 완료된 요철 수지층의 단면의 주사형 전자 현미경 사진을 도 30에 나타내었다. 요철 구조를 표면에 갖는 광학물품(c-2)의 평균 경사각, 요철의 평균 간격, 국부 산 정상의 평균 간격, 확산율을 표 5에 나타내었다. 투과 확산 광의 강도(Iθ)의 분포를 도 32에 나타내었다. 요철 구조를 표면에 갖는 광학물품(c-2)는 평균 경사각, 확산율 모두 비교예 4에 비해 높아, 요철 구조에 의한 광의 확산 효과가 높은 것을 알았다.
(비교예 3)
활성 에너지선 경화성 수지 조성물(A-1) 대신에 활성 에너지선 경화성 수지 조성물(A-5)를 사용하고, 몰드(X-1) 대신에 몰드(X-4)를 사용한 것 이외는, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 도 2에 도시한 바와 같은 요철 구조를 표면에 갖는 광학물품(d-1)을 얻었다. 요철 수지층이 몰드(X-4)에 남지 않아, 전사는 전체 면에 되어 있었다. 요철 구조를 표면에 갖는 광학물품(d-1)의 표면 조도를 측정하였다. 결과를 표 4에 나타내었다.
(비교예 4)
비교예 3에서 얻은 요철 구조를 표면에 갖는 광학물품(d-1)을 몰드(X-1)과 마찬가지로 이형제에 의해 처리하여, 이형제에 의해 처리된 레플리카 몰드(Y-4)를 얻었다.
레플리카 몰드(Y-1) 대신에 레플리카 몰드(Y-4)를 사용한 것 이외는, 실시예 6과 마찬가지로 하여, 도 3에 도시한 바와 같은 요철 구조를 표면에 갖는 광학물품(d-2)를 얻었다. 요철 수지층이 레플리카 몰드(Y-4)에 남지 않아, 전사는 전체 면에 되어 있었다. 요철 구조를 표면에 갖는 광학물품(d-2)의 요철 수지층의 표면 조도를 측정하였다. 결과를 표 4에 나타내었다. 단면 가공 완료된 요철 수지층의 단면의 주사형 전자 현미경 사진을 도 31에 나타내었다. 요철 구조를 표면에 갖는 광학물품(d-2)의 평균 경사각, 요철의 평균 간격, 국부 산 정상의 평균 간격, 확산율을 표 5에 나타내었다. 투과 확산 광의 강도(Iθ)의 분포를 도 32에 나타내었다.
<표 4>
<표 5>
(비교예 5)
유기 EL 소자(E-2)의 발광면측에, 굴절률: 1.5의 매칭 오일을 적하하고, 그 위에 반구 렌즈(재질: BK-7, 직경 25mmΦ 반구를 중심에서부터 0.7mm 두께 잘라내기 가공)를 씌웠다. 배향 분포 측정을 행하였다. 결과를 표 6에 나타내었다.
(실시예 17)
광학물품(b-2) 대신에 광학물품(c-2)를 사용한 것 이외는, 실시예 8과 마찬가지로 하여 유기 EL 소자(E-4)를 얻었다.
유기 EL 소자(E-2) 대신에 유기 EL 소자(E-4)를 사용한 것 이외는, 비교예 5와 마찬가지로 배향 분포 측정을 행하였다. 결과를 표 6에 나타내었다. 비교예 5와 비교하여, 각도에 의한 출사광의 색감의 변화가 작아져 있음을 알았다.
(비교예 6)
광학물품(b-2) 대신에 광학물품(d-2)를 사용하는 것 이외는 실시예 8과 마찬가지로 하여 유기 EL 소자(E-5)를 얻었다.
유기 EL 소자(E-2) 대신에 유기 EL 소자(E-5)를 사용한 것 이외는, 비교예 5와 마찬가지로 배향 분포 측정을 행하였다. 결과를 표 6에 나타내었다. 비교예 5와 비교하여, 각도에 의한 출사광의 색감의 변화가 작아졌지만, 실시예 17보다는 색감의 변화가 큰 것을 알았다.
<표 6>
<산업상 이용가능성>
본 발명의 요철 구조를 표면에 갖는 광학물품은, 광의 회절 또는 확산을 행하는 광학 필름, 면 발광체의 투명 기재, 면 발광체의 광 취출 부재, 투명 기재 태양 전지용 보호판, 박막계 태양 전지의 투명 기재, 레플리카 몰드 등으로서 유용하다. 본 발명의 면 발광체는, 유기 EL 조명, 유기 EL 디스플레이 등으로서 유용하다.
10 몰드
12 돌기
14 도금막
16 몰드 기재
20 광학물품용 기재
20a 레플리카 몰드 기재
20b 투명 기재
30 제1 광학물품
30a 레플리카 몰드
32 활성 에너지선 경화성 수지 조성물
34 요철 수지층
36 오목부
40 광학물품용 기재
40b 투명 기재
50 제2 광학물품
52 활성 에너지선 경화성 수지 조성물
54 요철 수지층
56 돌기
60 면 발광체용 투명 기재
62 광 취출부
64 고굴절률층
66 점착층
68 다른 투명 기재
70 유기 EL 소자(면 발광체)
80 발광부
82 투명 전극
84 유기 반도체층
86 배면 전극
12 돌기
14 도금막
16 몰드 기재
20 광학물품용 기재
20a 레플리카 몰드 기재
20b 투명 기재
30 제1 광학물품
30a 레플리카 몰드
32 활성 에너지선 경화성 수지 조성물
34 요철 수지층
36 오목부
40 광학물품용 기재
40b 투명 기재
50 제2 광학물품
52 활성 에너지선 경화성 수지 조성물
54 요철 수지층
56 돌기
60 면 발광체용 투명 기재
62 광 취출부
64 고굴절률층
66 점착층
68 다른 투명 기재
70 유기 EL 소자(면 발광체)
80 발광부
82 투명 전극
84 유기 반도체층
86 배면 전극
Claims (13)
- 불규칙한 요철 구조를 표면에 갖고, 하기의 방법으로 구한 평균 경사각이 20 내지 80도이고, 상기 요철 구조를 전사하여 형성되는 광학물품에 있어서 하기의 방법으로 구한 확산율이 5 내지 80%인 몰드 또는 상기 몰드의 요철 구조를 레플리카 몰드 기재의 표면에 전사한 레플리카 몰드와, 광학물품용 기재로, 활성 에너지선 경화성 수지 조성물을 끼우는 공정과,
상기 활성 에너지선 경화성 수지 조성물에 활성 에너지선을 조사하여, 상기 활성 에너지선 경화성 수지 조성물을 경화시키고, 상기 몰드 또는 상기 레플리카 몰드의 요철 구조가 전사된 요철 수지층을, 상기 광학물품용 기재의 표면에 형성하는 공정과,
상기 요철 수지층 및 상기 광학물품용 기재를 포함하여 이루어지는 광학물품과, 상기 몰드 또는 상기 레플리카 몰드를 분리하는 공정
을 갖는, 요철 구조를 표면에 갖는 광학물품의 제조 방법.
(평균 경사각)
주사형 전자 현미경으로 촬영한 몰드의 단면의 화상으로부터, 요철 구조의 높이 방향(y)에 직교하는 방향(x)으로 기준 길이(L)(10㎛)만큼 요철 구조의 화상을 발취한다. 발취한 요철 구조의 화상을 디지털화하여, 요철 구조의 능선을 xy 좌표로 변환한다. 얻어진 능선(y=f(x))의 좌표 데이터로부터, 하기식을 사용하여 평균 경사각(θa)을 구한다. 마찬가지로 하여 총 20군데의 평균 경사각(θa)을 구하고, 평균화한다.
<수학식 1>
(확산율)
요철 구조의 높이 방향에서 광학물품에 레이저광을 입사한다. 광학물품을 투과하여 출사되는 투과 확산 광의 강도(Iθ)를 측정한다. 출사각(θ)이 5도, 20도 및 70도일 때의 강도로부터, 하기식을 사용하여 확산율(D)을 구한다.
<수학식 2>
- 제1항에 있어서,
상기 요철 구조가 니켈, 니켈 합금, 구리 또는 구리 합금으로 이루어지는, 요철 구조를 표면에 갖는 광학물품의 제조 방법. - 제2항에 있어서,
JIS K 7105에 따라서 C 광원을 사용하여 측정한, 상기 몰드의 상기 요철 구조를 갖는 측의 표면의 전반사율이 1 내지 30%인, 요철 구조를 표면에 갖는 광학물품의 제조 방법. - 제2항 또는 제3항에 있어서,
상기 몰드가 니켈, 니켈 합금, 구리 또는 구리 합금으로 이루어지는 복수의 바늘 형상의 돌기로 구성되는 요철 구조를 표면에 갖는, 요철 구조를 표면에 갖는 광학물품의 제조 방법. - 제1항의 요철 구조를 표면에 갖는 광학물품의 제조 방법에 의해 광학물품을 포함하여 이루어지는 면 발광체용 투명 기재를 얻는, 면 발광체용 투명 기재의 제조 방법.
- 제1항의 요철 구조를 표면에 갖는 광학물품의 제조 방법에 의해 광학물품을 얻고, 상기 요철 수지층의 표면에 고굴절률층을 형성하여 면 발광체용 투명 기재를 얻는, 면 발광체용 투명 기재의 제조 방법.
- 제5항 또는 제6항의 면 발광체용 투명 기재의 제조 방법에 의해 면 발광체용 투명 기재를 얻고,
상기 면 발광체용 투명 기재와,
상기 면 발광체용 투명 기재의 표면에 설치된 투명 전극과,
상기 투명 전극과 이격하여 설치된 배면 전극과,
상기 투명 전극과 상기 배면 전극의 사이에 설치된 발광층
을 갖는 면 발광체를 얻는, 면 발광체의 제조 방법. - 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011135214 | 2011-06-17 | ||
| JPJP-P-2011-135214 | 2011-06-17 | ||
| JP2012063709 | 2012-03-21 | ||
| JPJP-P-2012-063709 | 2012-03-21 | ||
| PCT/JP2012/065430 WO2012173258A1 (ja) | 2011-06-17 | 2012-06-15 | 凹凸構造を表面に有するモールド、光学物品、その製造方法、面発光体用透明基材および面発光体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20140023947A KR20140023947A (ko) | 2014-02-27 |
| KR101911112B1 true KR101911112B1 (ko) | 2018-10-23 |
Family
ID=47357236
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020137028191A KR101911112B1 (ko) | 2011-06-17 | 2012-06-15 | 요철 구조를 표면에 갖는 몰드, 광학물품, 그 제조 방법, 면 발광체용 투명 기재 및 면 발광체 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9696464B2 (ko) |
| JP (1) | JP6075068B2 (ko) |
| KR (1) | KR101911112B1 (ko) |
| CN (1) | CN103781615B (ko) |
| TW (1) | TWI577523B (ko) |
| WO (1) | WO2012173258A1 (ko) |
Families Citing this family (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8070694B2 (en) | 2008-07-14 | 2011-12-06 | Medtronic Vascular, Inc. | Fiber based medical devices and aspiration catheters |
| KR101370426B1 (ko) * | 2012-06-21 | 2014-03-06 | 주식회사 미뉴타텍 | 3차원 복잡 다층 구조물 및 그 제조방법 |
| JPWO2014013922A1 (ja) * | 2012-07-19 | 2016-06-30 | 日産化学工業株式会社 | 防汚性を有する凹凸形状の表面を有する構造体及びその製造方法 |
| JP6277643B2 (ja) * | 2013-09-19 | 2018-02-14 | 凸版印刷株式会社 | ナノインプリント用モールドの製造方法 |
| JP2015072751A (ja) * | 2013-10-01 | 2015-04-16 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機ｅｌ表示装置 |
| WO2015104968A1 (ja) * | 2014-01-10 | 2015-07-16 | Ｊｘ日鉱日石エネルギー株式会社 | 光学基板、光学基板の製造に用いられるモールド、及び光学基板を含む発光素子 |
| CN106103584B (zh) * | 2014-03-13 | 2021-04-27 | 三菱化学株式会社 | 丙烯酸类树脂组合物及其制造方法、以及丙烯酸类树脂薄膜 |
| WO2015159825A1 (ja) * | 2014-04-15 | 2015-10-22 | 東レ株式会社 | 表面に突起を有する構造体 |
| JP6636421B2 (ja) | 2014-05-29 | 2020-01-29 | マクセル株式会社 | 自由曲面レンズ、自由曲面レンズの設計方法、及び投写型映像表示装置 |
| WO2016034761A1 (en) * | 2014-09-01 | 2016-03-10 | Ledil Oy | Process and mold for fabricating an optical device, and an optical device |
| JP2018506838A (ja) * | 2015-01-06 | 2018-03-08 | コーニング インコーポレイテッド | 無電極有機ｌｅｄおよびそれを用いたｌｃｄシステム |
| WO2016136746A1 (ja) * | 2015-02-24 | 2016-09-01 | 日産化学工業株式会社 | 積層体、タッチパネル、積層体のパターニング方法 |
| CN104882569B (zh) * | 2015-06-24 | 2017-01-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled显示器件及其制备方法、显示面板和显示装置 |
| CN105093368B (zh) * | 2015-08-11 | 2018-02-27 | 宁波长阳科技股份有限公司 | 一种背光模组用反射膜的制备方法 |
| US10716915B2 (en) | 2015-11-23 | 2020-07-21 | Mivi Neuroscience, Inc. | Catheter systems for applying effective suction in remote vessels and thrombectomy procedures facilitated by catheter systems |
| JP6762655B2 (ja) * | 2016-02-29 | 2020-09-30 | ダイハツ工業株式会社 | 表面加工樹脂成形品 |
| US10114153B2 (en) * | 2016-03-21 | 2018-10-30 | Ubright Optronics Corporation | Optical assembly and the method to make the same |
| US10618265B2 (en) * | 2016-03-21 | 2020-04-14 | Ubright Optronics Corporation | Optical assembly and the method to make the same |
| JP2019529972A (ja) * | 2016-08-26 | 2019-10-17 | モレキュラー インプリンツ， インコーポレイテッドＭｏｌｅｃｕｌａｒ Ｉｍｐｒｉｎｔｓ，Ｉｎｃ． | モノリシック高屈折率フォトニックデバイス |
| CN107829115B (zh) * | 2017-02-23 | 2020-05-22 | 常州华威新材料有限公司 | 一种背涂模具珍珠镍的电镀工艺与用途 |
| US10478535B2 (en) | 2017-05-24 | 2019-11-19 | Mivi Neuroscience, Inc. | Suction catheter systems for applying effective aspiration in remote vessels, especially cerebral arteries |
| AU2018357941A1 (en) | 2017-11-02 | 2020-06-11 | Magic Leap, Inc. | Preparing and dispensing polymer materials and producing polymer articles therefrom |
| US11617865B2 (en) | 2020-01-24 | 2023-04-04 | Mivi Neuroscience, Inc. | Suction catheter systems with designs allowing rapid clearing of clots |
| WO2023153492A1 (ja) * | 2022-02-10 | 2023-08-17 | 株式会社 潤工社 | 光透過拡散部材、及びそれを使用した光源ユニット |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006269328A (ja) * | 2005-03-25 | 2006-10-05 | Seiko Epson Corp | 発光装置 |
| JP2008250264A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Dainippon Printing Co Ltd | 反射防止機能を有する部材の製造方法 |
| JP2010243572A (ja) * | 2009-04-01 | 2010-10-28 | Teijin Dupont Films Japan Ltd | 光学用積層ポリエステルフィルム |
| JP2010260279A (ja) * | 2009-05-08 | 2010-11-18 | Sony Corp | 金型スタンパーの製造方法、金型スタンパー及び成形品の製造方法 |
Family Cites Families (61)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5141678A (en) * | 1990-10-10 | 1992-08-25 | Blum Ronald D | Method for forming disposable molds for producing optical quality lenses |
| US5308740A (en) * | 1992-09-18 | 1994-05-03 | Advanced Micro Devices, Inc. | Electrical measurement of sidewall angle |
| WO1994012898A1 (en) * | 1992-11-27 | 1994-06-09 | Yasuhiro Koike | Apparatus for guiding diffused light |
| JP3433988B2 (ja) * | 1993-10-08 | 2003-08-04 | オリンパス光学工業株式会社 | 焦点板作成用金型の製造方法 |
| US5777710A (en) * | 1995-04-28 | 1998-07-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrode substrate, making the same, liquid crystal device provided therewith, and making the same |
| US5770124A (en) * | 1996-04-30 | 1998-06-23 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Method of making glittering cube-corner retroreflective sheeting |
| US5814355A (en) * | 1996-04-30 | 1998-09-29 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Mold for producing glittering cube-corner retroreflective sheeting |
| US6023338A (en) * | 1996-07-12 | 2000-02-08 | Bareket; Noah | Overlay alignment measurement of wafers |
| JP2991183B2 (ja) | 1998-03-27 | 1999-12-20 | 日本電気株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP4610027B2 (ja) | 1998-09-21 | 2011-01-12 | 荏原ユージライト株式会社 | 針状結晶形成用電気銅めっき液および針状被膜形成方法 |
| US20010026399A1 (en) * | 1998-09-24 | 2001-10-04 | Masaaki Nakabayashi | Diffractive optical element and method of manufacture of the same |
| JP2001228315A (ja) * | 2000-02-14 | 2001-08-24 | Nitto Denko Corp | 反射板及び液晶表示装置 |
| WO2001061383A1 (fr) * | 2000-02-16 | 2001-08-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Corps a forme irreguliere, feuille reflechissante et element d'affichage a cristaux liquides de type reflechissant, et dispositif et procede de production correspondants |
| US6462818B1 (en) * | 2000-06-22 | 2002-10-08 | Kla-Tencor Corporation | Overlay alignment mark design |
| US7068833B1 (en) * | 2000-08-30 | 2006-06-27 | Kla-Tencor Corporation | Overlay marks, methods of overlay mark design and methods of overlay measurements |
| US7515279B2 (en) * | 2001-03-02 | 2009-04-07 | Nanometrics Incorporated | Line profile asymmetry measurement |
| US7382447B2 (en) * | 2001-06-26 | 2008-06-03 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Method for determining lithographic focus and exposure |
| JP4124991B2 (ja) * | 2001-10-23 | 2008-07-23 | Ｄｉｃ株式会社 | フレネルレンズ用活性エネルギー線硬化型樹脂組成物及びフレネルレンズシート |
| AU2002360738A1 (en) * | 2001-12-19 | 2003-07-09 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Parametric profiling using optical spectroscopic systems |
| AU2002361110A1 (en) * | 2001-12-27 | 2003-07-15 | Nippon Kayaku Kabushiki Kaisha | Maleimido-bearing compounds, resin compositions containing the same and cured articles thereof |
| US6917901B2 (en) * | 2002-02-20 | 2005-07-12 | International Business Machines Corporation | Contact hole profile and line edge width metrology for critical image control and feedback of lithographic focus |
| JP4227442B2 (ja) * | 2002-04-18 | 2009-02-18 | キヤノン株式会社 | 光学材料、光学素子、回折光学素子、積層型回折光学素子、光学系及び光学素子の成形方法 |
| JP3841024B2 (ja) * | 2002-06-13 | 2006-11-01 | 株式会社日立製作所 | 立体形状測定装置及びエッチングの条件出し方法 |
| US7230703B2 (en) * | 2003-07-17 | 2007-06-12 | Tokyo Electron Limited | Apparatus and method for measuring overlay by diffraction gratings |
| US7265850B2 (en) * | 2003-10-23 | 2007-09-04 | International Business Machines Corporation | Fortified, compensated and uncompensated process-sensitive scatterometry targets |
| US7453583B2 (en) * | 2004-02-20 | 2008-11-18 | International Business Machines Corporation | Assessment and optimization for metrology instrument including uncertainty of total measurement uncertainty |
| US7678516B2 (en) * | 2004-07-22 | 2010-03-16 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Test structures and methods for monitoring or controlling a semiconductor fabrication process |
| KR100664654B1 (ko) * | 2004-08-12 | 2007-01-04 | 주식회사 엘지화학 | 스티렌-메타크릴산메틸 공중합체를 포함하는 수지 조성물,이 조성물을 이용하여 제조된 인조대리석 및 이의 제조방법 |
| JP2006059542A (ja) * | 2004-08-17 | 2006-03-02 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | Ｅｌデバイス |
| KR100937293B1 (ko) * | 2004-10-15 | 2010-01-18 | 미츠비시 레이온 가부시키가이샤 | 활성 에너지선 경화성 수지 조성물의 시트상 광학 물품용 경화물 및 시트상 광학 물품 |
| CN101268012B (zh) * | 2005-10-07 | 2012-12-26 | 株式会社尼康 | 微小构造体及其制造方法 |
| US20080306719A1 (en) * | 2005-11-30 | 2008-12-11 | 3M Innovative Properties Company | Method and apparatus for simulation of optical systems |
| JP2007187952A (ja) | 2006-01-16 | 2007-07-26 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 防眩フィルム、その製造方法、そのための金型の製造方法、及び表示装置 |
| JP5076334B2 (ja) | 2006-03-08 | 2012-11-21 | 住友化学株式会社 | 表面に微細な凹凸形状を有する金型、その金型の製造方法及びその金型を用いた防眩フィルムの製造方法 |
| US20070238201A1 (en) * | 2006-03-28 | 2007-10-11 | Merritt Funk | Dynamic metrology sampling with wafer uniformity control |
| US7567700B2 (en) * | 2006-03-28 | 2009-07-28 | Tokyo Electron Limited | Dynamic metrology sampling with wafer uniformity control |
| US20070292771A1 (en) * | 2006-06-20 | 2007-12-20 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method and system for optimizing intra-field critical dimension uniformity using a sacrificial twin mask |
| US7469164B2 (en) * | 2006-06-26 | 2008-12-23 | Nanometrics Incorporated | Method and apparatus for process control with in-die metrology |
| US20090266415A1 (en) * | 2006-06-27 | 2009-10-29 | Liquidia Technologies , Inc. | Nanostructures and materials for photovoltaic devices |
| WO2008001935A1 (fr) * | 2006-06-30 | 2008-01-03 | Panasonic Corporation | Structure antireflet et procédé de production de cette dernière |
| JP4386063B2 (ja) * | 2006-10-12 | 2009-12-16 | 住友化学株式会社 | 光拡散性メタクリル樹脂多層板の製造方法 |
| JPWO2008069324A1 (ja) | 2006-12-08 | 2010-03-25 | 三菱レイヨン株式会社 | 光拡散性光学フィルム及びその製造方法、プリズムシート、並びに面光源装置 |
| US7642102B2 (en) * | 2007-01-30 | 2010-01-05 | Tokyo Electron Limited | Real-time parameter tuning using wafer thickness |
| US8298752B2 (en) * | 2007-03-26 | 2012-10-30 | Kimoto Co., Ltd. | Method for producing surface convexes and concaves |
| JP5536977B2 (ja) * | 2007-03-30 | 2014-07-02 | パナソニック株式会社 | 面発光体 |
| US7884936B2 (en) * | 2007-08-22 | 2011-02-08 | Kla-Tencor Corporation | Apparatus and methods for scattering-based semiconductor inspection and metrology |
| JP5157548B2 (ja) * | 2008-03-14 | 2013-03-06 | 日立化成株式会社 | タッチパネル用光学部材及びその製造方法 |
| WO2009147450A1 (en) * | 2008-06-06 | 2009-12-10 | Infinitesima Ltd | Probe detection system |
| US20110295555A1 (en) * | 2008-09-30 | 2011-12-01 | Asml Netherlands B.V. | Method and System for Determining a Lithographic Process Parameter |
| NL2003702A (en) * | 2008-11-10 | 2010-05-11 | Brion Tech Inc | Pattern selection for lithographic model calibration. |
| JP4596072B2 (ja) * | 2008-12-26 | 2010-12-08 | ソニー株式会社 | 微細加工体の製造方法、およびエッチング装置 |
| JP2010202497A (ja) * | 2009-02-04 | 2010-09-16 | Fujifilm Corp | 熱線反射膜、並びに熱線反射構造体及びその製造方法 |
| CN102334047B (zh) * | 2009-02-26 | 2014-04-02 | 大日本印刷株式会社 | 光学片、面光源装置、透射式显示装置、发光装置、模具及模具的制造方法 |
| CN102472847B (zh) * | 2009-07-16 | 2014-03-12 | 吉坤日矿日石能源株式会社 | 衍射光栅、使用该衍射光栅的有机el元件及其制造方法 |
| CN102648426B (zh) * | 2009-11-05 | 2015-07-15 | 鲁米尼特有限责任公司 | 为封装的高亮度led芯片提供微结构的方法 |
| WO2011062215A1 (ja) * | 2009-11-19 | 2011-05-26 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法並びにこれを用いる照明装置 |
| EP2523802A1 (en) * | 2010-01-13 | 2012-11-21 | 3M Innovative Properties Company | Optical films with microstructured low refractive index nanovoided layers and methods therefor |
| JP5578513B2 (ja) * | 2010-03-04 | 2014-08-27 | 学校法人東京理科大学 | 金属微細構造体の製造方法並びに樹脂成形物の製造方法 |
| JP2012003074A (ja) | 2010-06-17 | 2012-01-05 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | 光学フィルム及びそれを用いた光学装置 |
| NL2007052A (en) * | 2010-07-15 | 2012-01-17 | Asml Netherlands Bv | Calibration method and inspection apparatus. |
| NL2007127A (en) * | 2010-08-06 | 2012-02-07 | Asml Netherlands Bv | Inspection apparatus and method, lithographic apparatus and lithographic processing cell. |
-
2012
- 2012-06-14 TW TW101121254A patent/TWI577523B/zh not_active IP Right Cessation
- 2012-06-15 JP JP2012532178A patent/JP6075068B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2012-06-15 KR KR1020137028191A patent/KR101911112B1/ko active IP Right Grant
- 2012-06-15 CN CN201280029924.3A patent/CN103781615B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2012-06-15 US US14/125,332 patent/US9696464B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2012-06-15 WO PCT/JP2012/065430 patent/WO2012173258A1/ja active Application Filing
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006269328A (ja) * | 2005-03-25 | 2006-10-05 | Seiko Epson Corp | 発光装置 |
| JP2008250264A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Dainippon Printing Co Ltd | 反射防止機能を有する部材の製造方法 |
| JP2010243572A (ja) * | 2009-04-01 | 2010-10-28 | Teijin Dupont Films Japan Ltd | 光学用積層ポリエステルフィルム |
| JP2010260279A (ja) * | 2009-05-08 | 2010-11-18 | Sony Corp | 金型スタンパーの製造方法、金型スタンパー及び成形品の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN103781615A (zh) | 2014-05-07 |
| US20140117397A1 (en) | 2014-05-01 |
| TW201302413A (zh) | 2013-01-16 |
| JP6075068B2 (ja) | 2017-02-08 |
| CN103781615B (zh) | 2016-09-21 |
| TWI577523B (zh) | 2017-04-11 |
| US9696464B2 (en) | 2017-07-04 |
| JPWO2012173258A1 (ja) | 2015-02-23 |
| WO2012173258A1 (ja) | 2012-12-20 |
| KR20140023947A (ko) | 2014-02-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101911112B1 (ko) | 요철 구조를 표면에 갖는 몰드, 광학물품, 그 제조 방법, 면 발광체용 투명 기재 및 면 발광체 | |
| KR101479456B1 (ko) | Ｅｌ 소자용 광 취출 필름, 면 발광체 및 ｅｌ 소자용 광 취출 필름의 제조 방법 | |
| US8089208B2 (en) | Planar light source device | |
| KR101624377B1 (ko) | 면광원 장치, 조명 기구 및 백라이트 장치 | |
| KR101859303B1 (ko) | El용 광 취출 필름, el용 광 취출 필름의 제조 방법 및 면 발광체 | |
| KR101968769B1 (ko) | 유기 발광 소자(ｏｌｅｄｓ)를 위한 광 추출 필름 | |
| JP5849087B2 (ja) | 発光デバイスおよび物品 | |
| US8179034B2 (en) | Light extraction film for organic light emitting diode display and lighting devices | |
| TWI580071B (zh) | 表面具有細微凹凸結構的模具、表面具有細微凹凸結構的物品的製造方法、物品的用途、可顯影虹彩色的層疊體以及面發光體 | |
| KR101351720B1 (ko) | 면 광원 장치, 조명 기구 및 백라이트 장치 | |
| TW201240179A (en) | Light extraction films for increasing pixelated OLED output with reduced blur | |
| TW200913767A (en) | Light extraction film for organic light emitting diode display devices | |
| KR20150136504A (ko) | 광학 필름, 광학 필름의 제조 방법 및 면발광체 | |
| KR20140097125A (ko) | 광학 필름, 면발광체 및 광학 필름의 제조 방법 | |
| KR20150140696A (ko) | 광학 필름 및 면발광체 | |
| US9109759B2 (en) | Light-emitting element | |
| JP2014011094A (ja) | 有機ｅｌ素子用基板および有機ｅｌ素子 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |