JP2014011094A - 有機ｅｌ素子用基板および有機ｅｌ素子 - Google Patents
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Abstract
【課題】製造プロセスが温和でかつ発光効率の高い有機ＥＬ素子用基板を提供する。
【解決手段】凹凸構造を有する基材に、凹凸構造を包埋する層が積層された有機ＥＬ素子用基板であって、凹凸構造を包埋する層が、下記一般式（１）で表されるオルガノシラン化合物で表面処理された無機酸化物微粒子を活性エネルギー線を照射して硬化した層である有機ＥＬ素子用基板。
（Ｒ１）ｍ−Ｓｉ−（Ｘ）４−ｍ （１）
（ただし、一般式（１）中、Ｒ１ は、水素原子、アルキル基もしくはアリール基、または不飽和結合を有する置換基で置換されたアルキル基もしくはアリール基を表し、Ｘは、水酸基または加水分解可能な基を表し、ｍは、１〜３の整数を表す。）
【選択図】図１
【解決手段】凹凸構造を有する基材に、凹凸構造を包埋する層が積層された有機ＥＬ素子用基板であって、凹凸構造を包埋する層が、下記一般式（１）で表されるオルガノシラン化合物で表面処理された無機酸化物微粒子を活性エネルギー線を照射して硬化した層である有機ＥＬ素子用基板。
（Ｒ１）ｍ−Ｓｉ−（Ｘ）４−ｍ （１）
（ただし、一般式（１）中、Ｒ１ は、水素原子、アルキル基もしくはアリール基、または不飽和結合を有する置換基で置換されたアルキル基もしくはアリール基を表し、Ｘは、水酸基または加水分解可能な基を表し、ｍは、１〜３の整数を表す。）
【選択図】図１
Description
本発明は発光効率が高く、照明やディスプレイとして利用できる有機ＥＬ素子およびその素子内に含まれる光取り出し用基板に関するものである。
近年、面発光体としてエレクトロルミネッセンス（以下、「ＥＬ」と略す。）を利用した面発光体が注目されており、有機ＥＬ素子や無機ＥＬ素子が知られている。有機ＥＬ素子からなる面発光体としては、透明基板と、透明基板の上に設けられた透明電極と、透明電極と離間して設けられた金属薄膜からなる背面電極と、透明電極と背面電極との間に設けられた、有機化合物の発光材料を含む発光層とを有するものが知られている。
面発光体においては、透明電極からの正孔と背面電極からの電子とが発光層で結合することによって発光層が発光する。発光層で発光した光は、透明電極および透明基板を透過して放射面（透明基板の透明電極が設けられた面とは反対側の面）から取り出される。また、発光層で発光した光の一部は、背面電極の金属薄膜で反射された後、発光層、透明電極、および透明基板を透過して放射面から取り出される。
しかし、発光層から発光した光は、透明電極、透明基板、外部空気に入射する際に、入射元の材料の屈折率と入射先の材料の屈折率によって決まる臨界角以上で入射すると、それぞれの界面（発光層と透明電極との界面、透明電極と透明基板との界面、透明基板と外部空気との界面（放射面））にて全反射し、面発光体の内部に閉じ込められてしまう。ここで、発光層と透明電極との界面で全反射してしまう光、および透明電極と透明基板との界面で全反射してしまう光を総称して薄膜モード光といい、透明基板と外部空気との界面（放射面）等にて全反射してしまう光を基板モード光という。従って、発光層から発光した光の一部（薄膜モード光、基板モード光）を外部に取り出すことができず、光の取り出し効率が低いという問題がある。
この問題を解決するために、数百ｎｍの凹凸構造を基板と電極間に形成することによって光の進行方向を変化させ、全反射する光の量を低減し、薄膜モード光を取り出す方法が知られている。
例えば、特許文献１には、ガラス基板上にエッチング液を塗布することによってガラス基板に溝や凹凸構造を形成した後、凹凸構造の間隙を充填するように高屈折率材料層をゾルゲル法により形成して凹凸構造を平坦化し、その上に第1電極、有機発光材料を含有する有機固体層および第２電極を形成した有機ＥＬ素子が提案されている。
例えば、特許文献１には、ガラス基板上にエッチング液を塗布することによってガラス基板に溝や凹凸構造を形成した後、凹凸構造の間隙を充填するように高屈折率材料層をゾルゲル法により形成して凹凸構造を平坦化し、その上に第1電極、有機発光材料を含有する有機固体層および第２電極を形成した有機ＥＬ素子が提案されている。
しかし、この有機ＥＬ素子においては、ガラスに直接凹凸構造をエッチングで賦型しているため、十分に微細な凹凸構造を得ることが困難である。また、凹凸構造を平坦化する層がゾルゲル法により形成されるため、層を形成するには４００℃以上の高温が必要である。さらに、ゾルゲル法では５００ｎｍ以上の厚膜を塗布することが困難であり、微細凹凸構造の大きさによっては、凹凸構造を完全に充填できず、平坦化できない場合がある。
本発明の目的は、上記課題を解決するためになされたものであって、微細な凹凸構造の賦与および５００ｎｍ以上の厚膜の平坦化膜の塗布が可能となり、製造プロセスが温和でかつ発光効率の高い有機ＥＬ素子用基板を提供することである。
本発明は、凹凸構造を有する基材に、凹凸構造を包埋する層が積層された有機ＥＬ素子用基板であって、凹凸構造を包埋する層が、下記一般式（１）で表されるオルガノシラン化合物で表面処理された無機酸化物微粒子を活性エネルギー線を照射して硬化した層である有機ＥＬ素子用基板に関するものである。
（Ｒ１）ｍ−Ｓｉ−（Ｘ）４−ｍ （１）
（ただし、一般式（１）中、Ｒ１ は、水素原子、アルキル基もしくはアリール基、または不飽和結合を有する置換基で置換されたアルキル基もしくはアリール基を表し、Ｘは、水酸基または加水分解可能な基を表し、ｍは、１〜３の整数を表す。）
（Ｒ１）ｍ−Ｓｉ−（Ｘ）４−ｍ （１）
（ただし、一般式（１）中、Ｒ１ は、水素原子、アルキル基もしくはアリール基、または不飽和結合を有する置換基で置換されたアルキル基もしくはアリール基を表し、Ｘは、水酸基または加水分解可能な基を表し、ｍは、１〜３の整数を表す。）
本発明の有機ＥＬ素子用基板によれば、高精細な微小凹凸構造を有する有機ＥＬ素子用基板を得ることができ、また、高精細な微小凹凸構造が５００ｎｍ以上の厚みの膜で平坦化された有機ＥＬ素子用基板を得ることができる。
本発明の有機ＥＬ素子用基板によれば、２００℃以下の温和なプロセスで有機ＥＬ素子用基板を製造することができる。
本発明の有機ＥＬ素子用基板を用いれば、有機ＥＬ素子の発光効率を向上させることができる。
本発明の有機ＥＬ素子は、発光効率が高い。
本発明の有機ＥＬ素子は、表示装置の画素としての用途だけではなく、照明器具の発光素子としても用いることができる。
本発明の有機ＥＬ素子用基板によれば、２００℃以下の温和なプロセスで有機ＥＬ素子用基板を製造することができる。
本発明の有機ＥＬ素子用基板を用いれば、有機ＥＬ素子の発光効率を向上させることができる。
本発明の有機ＥＬ素子は、発光効率が高い。
本発明の有機ＥＬ素子は、表示装置の画素としての用途だけではなく、照明器具の発光素子としても用いることができる。
本明細書において、（メタ）アクリレートは、アクリレートまたはメタクリレートを意味する。
（有機ＥＬ素子用基板）
本発明における有機ＥＬ素子用基板は、ボトムエミッション型、トップエミッション型どちらのタイプのＥＬ素子にも用いることができる。ボトムエミッション型とは、支持基板に積層して素子を作製し、支持基板を通して光を取り出すタイプのＥＬ素子であり、トップエミッション型とは、支持基板とは反対側の基板から光を取り出すタイプのＥＬ素子である。
図１は、ボトムエミッション型の有機ＥＬ素子用基板であり、図２は、トップエミッション型の有機ＥＬ素子用基板を示している。以下、図１と図２を例として、本発明における有機ＥＬ素子用基板を説明する。
（有機ＥＬ素子用基板）
本発明における有機ＥＬ素子用基板は、ボトムエミッション型、トップエミッション型どちらのタイプのＥＬ素子にも用いることができる。ボトムエミッション型とは、支持基板に積層して素子を作製し、支持基板を通して光を取り出すタイプのＥＬ素子であり、トップエミッション型とは、支持基板とは反対側の基板から光を取り出すタイプのＥＬ素子である。
図１は、ボトムエミッション型の有機ＥＬ素子用基板であり、図２は、トップエミッション型の有機ＥＬ素子用基板を示している。以下、図１と図２を例として、本発明における有機ＥＬ素子用基板を説明する。
図１は、凹凸構造を有する基材が、支持基材１１と該支持基材１１上の凹凸構造を有する層２１とからなる場合の例である。凹凸構造を有する基材は、図１のように支持基材１１の上に凹凸構造を有する層２１が積層されていてもよいし、基材自身に凹凸構造が形成されていてもよい。凹凸構造の形成のしやすさの点では、基材は、図１のように支持基材１１に凹凸構造層２１が積層された基材であることが好ましい。
まず、図１を例にとって、本発明の有機ＥＬ素子用基板の第１の態様について説明する。本発明の有機ＥＬ素子用基板の第１の態様においては、支持基材１１上に凹凸構造を有する層２１が形成された基材に、凹凸構造を包埋する層３１が積層されている。
まず、図１を例にとって、本発明の有機ＥＬ素子用基板の第１の態様について説明する。本発明の有機ＥＬ素子用基板の第１の態様においては、支持基材１１上に凹凸構造を有する層２１が形成された基材に、凹凸構造を包埋する層３１が積層されている。
（支持基材１１）
支持基材１１としては、特に制限されないが、例えば、活性エネルギー線を透過し得る基材を用いることができる。ここで、活性エネルギー線とは、可視光線、紫外線、電子線、プラズマ、熱線（赤外線等）等を意味する。
支持基材１１としては、特に制限されないが、例えば、活性エネルギー線を透過し得る基材を用いることができる。ここで、活性エネルギー線とは、可視光線、紫外線、電子線、プラズマ、熱線（赤外線等）等を意味する。
支持基材１１の材料としては、特に制限されないが、ポリエステル（ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等）、アクリル系樹脂（ポリメチルメタクリレート等）、ポリカーボネート、ポリ塩化ビニル、スチレン系樹脂（ＡＢＳ樹脂等）、セルロース系樹脂（トリアセチルセルロース等）、イミド系樹脂（ポリイミド樹脂、ポリイミドアミド樹脂等）等の樹脂やガラス等が挙げられる。支持基材１１の材料として樹脂を用いる場合には、支持基材１１の表面に各種バリア膜（ＳｉＯｘ膜、ＳｉＯ／ＳｉＮの多重積層膜、樹脂系バリア膜）を設けてもよい。
支持基材１１の形態としては、特に制限されないが、フィルム、シート、板等が挙げられる。
支持基材１１は、あらかじめ表面処理されていてもよい。表面処理としては、紫外線処理、コロナ処理、プラズマ処理等が挙げられる。
図１のように支持基材１１の上に凹凸構造を有する層２１が形成されている場合には、支持基材１１と凹凸構造を有する層２１との間に、接着層を有していてもよい。
接着層は、公知の接着剤からなる層である。接着剤としては、特に制限されないが、（メタ）アクリロイルオキシ基を有するシランカップリング剤を含むものが好ましい。
支持基材１１は、あらかじめ表面処理されていてもよい。表面処理としては、紫外線処理、コロナ処理、プラズマ処理等が挙げられる。
図１のように支持基材１１の上に凹凸構造を有する層２１が形成されている場合には、支持基材１１と凹凸構造を有する層２１との間に、接着層を有していてもよい。
接着層は、公知の接着剤からなる層である。接着剤としては、特に制限されないが、（メタ）アクリロイルオキシ基を有するシランカップリング剤を含むものが好ましい。
（凹凸構造を有する層）
凹凸構造を有する層２１を形成する材料としては、特に制限されないが、例えば、重合体を用いることができる。
重合体としては、特に制限されないが、例えば、重合性化合物および重合開始剤からなる組成物を硬化して得られたものや、ポリウレタン、セルロース系樹脂、ポリビニルブチラール、ポリエステル、熱可塑性エラストマー等が挙げられる。
重合性化合物としては、特に制限はされないが、分子中にラジカル重合性結合および／またはカチオン重合性結合を有するモノマー、オリゴマー、反応性ポリマー等が挙げられる。
分子中にラジカル重合性結合を有するモノマーとしては、単官能モノマー、多官能モノマーが挙げられる。
凹凸構造を有する層２１を形成する材料としては、特に制限されないが、例えば、重合体を用いることができる。
重合体としては、特に制限されないが、例えば、重合性化合物および重合開始剤からなる組成物を硬化して得られたものや、ポリウレタン、セルロース系樹脂、ポリビニルブチラール、ポリエステル、熱可塑性エラストマー等が挙げられる。
重合性化合物としては、特に制限はされないが、分子中にラジカル重合性結合および／またはカチオン重合性結合を有するモノマー、オリゴマー、反応性ポリマー等が挙げられる。
分子中にラジカル重合性結合を有するモノマーとしては、単官能モノマー、多官能モノマーが挙げられる。
単官能モノマーとしては、特に制限されないが、例えば、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、プロピル（メタ）アクリレート、ｎ−ブチル（メタ）アクリレート、ｉ−ブチル（メタ）アクリレート、ｓ−ブチル（メタ）アクリレート、ｔ−ブチル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ラウリル（メタ）アクリレート、アルキル（メタ）アクリレート、トリデシル（メタ）アクリレート、ステアリル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレート、フェノキシエチル（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート、グリシジル（メタ）アクリレート、テトラヒドロフルフリル（メタ）アクリレート、アリル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２−メトキシエチル（メタ）アクリレート、２−エトキシエチル（メタ）アクリレート等の（メタ）アクリレート誘導体；（メタ）アクリル酸；（メタ）アクリロニトリル；スチレン、α−メチルスチレン等のスチレン誘導体；（メタ）アクリルアミド、Ｎ−ジメチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ−ジエチル（メタ）アクリルアミド、ジメチルアミノプロピル（メタ）アクリルアミド等の（メタ）アクリルアミド誘導体等が挙げられる。これらは、１種を単独で用いてもよく、２種類以上を併用してもよい。
多官能モノマーとしては、特に制限されないが、例えば、エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、トリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、イソシアヌール酸エチレンオキサイド変性ジ（メタ）アクリレート、トリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ジエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、１，６−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、１，５−ペンタンジオールジ（メタ）アクリレート、１，３−ブチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリブチレングリコールジ（メタ）アクリレート、２，２−ビス（４−（メタ）アクリロキシポリエトキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−（メタ）アクリロキシエトキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−（３−（メタ）アクリロキシ−２−ヒドロキシプロポキシ）フェニル）プロパン、１，２−ビス（３−（メタ）アクリロキシ−２−ヒドロキシプロポキシ）エタン、１，４−ビス（３−（メタ）アクリロキシ−２−ヒドロキシプロポキシ）ブタン、ジメチロールトリシクロデカンジ（メタ）アクリレート、ビスフェノールＡのエチレンオキサイド付加物ジ（メタ）アクリレート、ビスフェノールＡのプロピレンオキサイド付加物ジ（メタ）アクリレート、ヒドロキシピバリン酸ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ジビニルベンゼン、メチレンビスアクリルアミド等の二官能性モノマー；ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパンエチレンオキサイド変性トリ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパンプロピレンオキシド変性トリアクリレート、トリメチロールプロパンエチレンオキシド変性トリアクリレート、イソシアヌール酸エチレンオキサイド変性トリ（メタ）アクリレート等の三官能モノマー；コハク酸／トリメチロールエタン／アクリル酸の縮合反応混合物、ジペンタエリストールヘキサ（メタ）アクリレート、ジペンタエリストールペンタ（メタ）アクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラアクリレート、テトラメチロールメタンテトラ（メタ）アクリレート等の四官能以上のモノマー；二官能以上のウレタンアクリレート；二官能以上のポリエステルアクリレート等が挙げられる。これらは、１種を単独で用いてもよく、２種類以上を併用してもよい。
分子中にカチオン重合性結合を有するモノマーとしては、特に制限されないが、例えば、エポキシ基、オキセタニル基、オキサゾリル基、ビニルオキシ基等を有するモノマーが挙げられ、エポキシ基を有するモノマーが特に好ましい。
オリゴマーまたは反応性ポリマーとしては、特に制限されないが、例えば、不飽和ジカルボン酸と多価アルコールとの縮合物等の不飽和ポリエステル類；ポリエステル（メタ）アクリレート、ポリエーテル（メタ）アクリレート、ポリオール（メタ）アクリレート、エポキシ（メタ）アクリレート、ウレタン（メタ）アクリレート、カチオン重合型エポキシ化合物、側鎖にラジカル重合性結合を有する上述のモノマーの単独または共重合ポリマー等が挙げられる。
オリゴマーまたは反応性ポリマーとしては、特に制限されないが、例えば、不飽和ジカルボン酸と多価アルコールとの縮合物等の不飽和ポリエステル類；ポリエステル（メタ）アクリレート、ポリエーテル（メタ）アクリレート、ポリオール（メタ）アクリレート、エポキシ（メタ）アクリレート、ウレタン（メタ）アクリレート、カチオン重合型エポキシ化合物、側鎖にラジカル重合性結合を有する上述のモノマーの単独または共重合ポリマー等が挙げられる。
これらの重合性化合物を硬化させる方法は、特に制限されず、光硬化反応を利用して硬化させてもよいし、電子線硬化反応を利用して硬化させてもよいし、熱硬化反応を利用して硬化させてもよい。
光硬化反応を利用して硬化する場合、光重合開始剤としては、特に制限されないが、例えば、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンジル、ベンゾフェノン、ｐ−メトキシベンゾフェノン、２，２−ジエトキシアセトフェノン、α，α−ジメトキシ−α−フェニルアセトフェノン、メチルフェニルグリオキシレート、エチルフェニルグリオキシレート、４，４’−ビス（ジメチルアミノ）ベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１−オン等のカルボニル化合物；テトラメチルチウラムモノスルフィド、テトラメチルチウラムジスルフィド等の硫黄化合物；２，４，６−トリメチルベンゾイルジフェニルフォスフィンオキサイド、ベンゾイルジエトキシフォスフィンオキサイド等が挙げられる。これらは、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
熱硬化反応を利用して硬化する場合、熱重合開始剤としては、特に制限されないが、例えば、メチルエチルケトンパーオキサイド、ベンゾイルパーオキサイド、ジクミルパーオキサイド、ｔ−ブチルハイドロパーオキサイド、クメンハイドロパーオキサイド、ｔ−ブチルパーオキシオクトエート、ｔ−ブチルパーオキシベンゾエート、ラウロイルパーオキサイド等の有機過酸化物；アゾビスイソブチロニトリル等のアゾ系化合物；前記有機過酸化物にＮ，Ｎ−ジメチルアニリン、Ｎ，Ｎ−ジメチル−ｐ−トルイジン等のアミンを組み合わせたレドックス重合開始剤等が挙げられる。
重合開始剤の量は、特に制限されないが、重合性化合物１００質量部に対して、０．１〜１０質量部が好ましい。重合開始剤の量が０．１質量部以上の場合に、重合が進行しやすくなる傾向にある。また、重合開始剤の量が１０質量部以下の場合に、硬化膜の着色や、機械強度の低下を抑制できる傾向にある。重合開始剤の量の下限値は、０．５質量部以上がより好ましく、１質量部以上が特に好ましい。また、重合開始剤の量の上限値は、５質量部以下がより好ましく、３質量部以下が特に好ましい。
凹凸構造を有する層２１は、必要に応じて、活性エネルギー線ゾルゲル反応性組成物、帯電防止剤、防汚性を向上させるためのフッ素化合物等の添加剤、微粒子、少量の溶媒を含んでいてもよい。
活性エネルギー線ゾルゲル反応性組成物としては、アルコキシシラン化合物、アルキルシリケート化合物等が挙げられる。
活性エネルギー線ゾルゲル反応性組成物としては、アルコキシシラン化合物、アルキルシリケート化合物等が挙げられる。
アルコキシシラン化合物としては、特に制限されないが、テトラメトキシシラン、テトラ−ｉ−プロポキシシラン、テトラ−ｎ−プロポキシシラン、テトラ−ｎ−ブトキシシラン、テトラ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、テトラ−ｔ−ブトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリプロポキシシラン、メチルトリブトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、トリメチルエトキシシラン、トリメチルメトキシシラン、トリメチルプロポキシシラン、トリメチルブトキシシラン等が挙げられる。
アルキルシリケート化合物としては、特に制限されないが、メチルシリケート、エチルシリケート、イソプロピルシリケート、ｎ−プロピルシリケート、ｎ−ブチルシリケート、ｎ−ペンチルシリケート、アセチルシリケート等が挙げられる。
アルキルシリケート化合物としては、特に制限されないが、メチルシリケート、エチルシリケート、イソプロピルシリケート、ｎ−プロピルシリケート、ｎ−ブチルシリケート、ｎ−ペンチルシリケート、アセチルシリケート等が挙げられる。
凹凸構造は、有機発光層から放射された光の進行方向を変化させて、基材へ入射する光が基材との界面において全反射されるのを抑制するためのものである。
凹凸構造の算術平均粗さＲａは、特に制限されないが、後述する面発光体の光取り出し効率を十分に高くすることができる点から、５〜１０００ｎｍが好ましく、１０〜５００ｎｍがより好ましい。
凹凸構造の最大高さＲｙは、特に制限されないが、後述する面発光体の光取り出し効率を十分に高くすることができる点から、１０〜１００００ｎｍが好ましく、５０〜５０００ｎｍがより好ましい。
凹凸構造の十点平均高さＲｚは、特に制限されないが、後述する面発光体の光取り出し効率を十分に高くすることができる点から、５〜５０００ｎｍが好ましく、２５〜２５００ｎｍがより好ましい。
凹凸構造の二乗平均粗さＲＭＳは、特に制限されないが、後述する面発光体の光取り出し効率を十分に高くすることができる点から、５〜１０００ｎｍが好ましく、１０〜５００ｎｍがより好ましい。
また、凹凸構造の形成方法は、特に制限されないが、形成のしやすさの点から、モールドを用いた転写法により形成することが好ましい。
モールドとしては、凹凸構造を有する層２１の凹部（または凸部）に対応する反転構造が形成された転写面を有するモールドを使用するのが好ましく、フォトリソフィーを用いたＥＵＶ露光によって用いて作製されたモールドや、３次元描画装置などのレーザー描画によって作製されたモールド、陽極酸化ポーラスアルミナからなるモールド、針状金属メッキ膜を用いたモールド、切削バイトを用いて作製したプリズムモールド、ブラスト処理したモールドを挙げることができる。これらのモールドのうち、低コストである点、凹凸構造を大面積で形成できる点、および連続賦型が容易である点から、切削バイトを用いて作製したプリズムモールド、ブラスト処理したモールド、陽極酸化ポーラスアルミナからなるモールド、および針状金属メッキ膜を用いたモールドが好ましく、中でも針状金属メッキ膜を用いたモールドが特に好ましい。
モールドは、上述のモールドをそのまま用いてもよいし、上述のモールドを転写して複製したレプリカモールドを使用してもよい。レプリカモールドの製造方法は、特に制限されないが、例えば、凹凸構造を有する上述のモールドの上に重合性化合物を塗布し、硬化させてモールドの凹凸構造を転写させて製造する方法や、凹凸構造を有する上述のモールドに樹脂を加熱加圧して接触させて、モールドの凹凸構造を転写させて製造する方法が挙げられる。
ここで、レプリカモールドを製造する際に用いる重合性化合物は、上述した重合性化合物と同様の材料を用いることができる。
ここで、レプリカモールドを製造する際に用いる重合性化合物は、上述した重合性化合物と同様の材料を用いることができる。
（凹凸構造を包埋する層）
凹凸構造を包埋する層３１の屈折率は、特に制限されないが、凹凸構造を有する層２１の屈折率よりも高く、後述する第１電極５１の屈折率よりも低いことが好ましい。凹凸構造を有する層２１が、（メタ）アクリロイルオキシ基を有するモノマーおよび／またはオリゴマーを含む活性エネルギー線硬化性樹脂組成物の硬化物である場合、凹凸構造を有する層２１の屈折率は１．４９程度であり、また、第１電極５１がＩＴＯである場合、第１電極５１の屈折率は２．１２程度であることから、凹凸構造を包埋する層３１の屈折率は、１．５５〜２．１が好ましい。凹凸構造を包埋する層３１の屈折率が１．５５以上の場合に、界面で全反射する光を取り出すことができる傾向にある。凹凸構造を包埋する層３１の屈折率の下限値は、１．６以上がより好ましく、１．６５以上がさらに好ましく、１．７以上が特に好ましい。また、凹凸構造を包埋する層３１の屈折率の上限値は、２．０以下がより好ましい。
凹凸構造を包埋する層３１の屈折率は、特に制限されないが、凹凸構造を有する層２１の屈折率よりも高く、後述する第１電極５１の屈折率よりも低いことが好ましい。凹凸構造を有する層２１が、（メタ）アクリロイルオキシ基を有するモノマーおよび／またはオリゴマーを含む活性エネルギー線硬化性樹脂組成物の硬化物である場合、凹凸構造を有する層２１の屈折率は１．４９程度であり、また、第１電極５１がＩＴＯである場合、第１電極５１の屈折率は２．１２程度であることから、凹凸構造を包埋する層３１の屈折率は、１．５５〜２．１が好ましい。凹凸構造を包埋する層３１の屈折率が１．５５以上の場合に、界面で全反射する光を取り出すことができる傾向にある。凹凸構造を包埋する層３１の屈折率の下限値は、１．６以上がより好ましく、１．６５以上がさらに好ましく、１．７以上が特に好ましい。また、凹凸構造を包埋する層３１の屈折率の上限値は、２．０以下がより好ましい。
凹凸構造を包埋する層３１は、下記の作用効果を発揮する。
凹凸構造のピッチが２００ｎｍ未満の場合、凹凸構造を包埋する層３１の凹凸構造を有する側の界面、および凹凸構造を包埋する層３１の後述する第１電極５１側の界面における光の全反射を抑えることができ、その結果、フレネル反射低減効果が向上し、光の取り出し効率がさらに向上する傾向にある。
凹凸構造のピッチが２００ｎｍ未満の場合、凹凸構造を包埋する層３１の凹凸構造を有する側の界面、および凹凸構造を包埋する層３１の後述する第１電極５１側の界面における光の全反射を抑えることができ、その結果、フレネル反射低減効果が向上し、光の取り出し効率がさらに向上する傾向にある。
凹凸構造のピッチが２００ｎｍ以上１μｍ未満の場合は、第１電極５１や発光層６１に閉じ込められていた光を、回折効果によって外部に取り出すことができる傾向にある。
凹凸構造のピッチが１μｍ以上５０μｍ以下の場合、第１電極５１や発光層６１に閉じ込められていた光を、散乱によって外部に取り出すことができる傾向にある。
また、凹凸構造を包埋する層３１の凸部（または凹部）は、凹凸構造を有する層２１の凹部（または凸部）とそれぞれ嵌合しており、光取り出し部の表面を平滑化する役割も果たす。光取り出し部の表面が平滑である場合、後述する発光部の各層を均一に形成しやすく、素子のリークが抑制され、安定したデバイスが得られる傾向にある。
凹凸構造のピッチが１μｍ以上５０μｍ以下の場合、第１電極５１や発光層６１に閉じ込められていた光を、散乱によって外部に取り出すことができる傾向にある。
また、凹凸構造を包埋する層３１の凸部（または凹部）は、凹凸構造を有する層２１の凹部（または凸部）とそれぞれ嵌合しており、光取り出し部の表面を平滑化する役割も果たす。光取り出し部の表面が平滑である場合、後述する発光部の各層を均一に形成しやすく、素子のリークが抑制され、安定したデバイスが得られる傾向にある。
凹凸構造を包埋する層３１は、後述する一般式（１）で表されるオルガノシラン化合物で表面処理された無機酸化物微粒子を活性エネルギー線を照射して硬化した層である。
無機酸化物微粒子の屈折率は、特に制限されないが、１．８以上であることが好ましい。
後述する一般式（１）で表されるオルガノシラン化合物の屈折率が１．４５〜１．４６程度であることから、無機酸化物微粒子の屈折率が１．８以上である場合に、凹凸構造を包埋する層３１の屈折率が１．５５以上となる傾向にある。無機酸化物微粒子の屈折率の下限値は、１．９以上がより好ましく、２以上が特に好ましい。また、無機酸化物微粒子の屈折率の上限値は、特に制限されないが、３以下が好ましい。
無機酸化物微粒子の屈折率は、特に制限されないが、１．８以上であることが好ましい。
後述する一般式（１）で表されるオルガノシラン化合物の屈折率が１．４５〜１．４６程度であることから、無機酸化物微粒子の屈折率が１．８以上である場合に、凹凸構造を包埋する層３１の屈折率が１．５５以上となる傾向にある。無機酸化物微粒子の屈折率の下限値は、１．９以上がより好ましく、２以上が特に好ましい。また、無機酸化物微粒子の屈折率の上限値は、特に制限されないが、３以下が好ましい。
無機酸化物微粒子としては、特に制限されないが、例えば、ジルコニア（屈折率２．０５〜２．４）、チタニア（屈折率２．３〜２．７）、チタン酸カリウム（屈折率２．６８）、チタン酸バリウム（屈折率２．３〜２．５）、酸化亜鉛（屈折率２．０１〜２．０３）が挙げられる。これらの無機酸化物微粒子は、１種のみを用いてもよいし、２種以上を混合して用いてもよい。これらの中でも、ジルコニアまたはチタニアが特に好ましい。ジルコニア、チタニアは、共に、屈折率が２以上と極めて高い金属酸化物であり、物質としての化学的安定性が高く、可視光線の帯域においても光の吸収が無く、粒径が小さいものが得られるからである。
無機酸化物微粒子は、下記一般式（１）で表されるオルガノシラン化合物で表面処理されている。
（Ｒ１）ｍ−Ｓｉ−（Ｘ）４−ｍ （１）
ここで、一般式（１）中、Ｒ１ は、水素原子、アルキル基もしくはアリール基、または不飽和結合を有する置換基で置換されたアルキル基もしくはアリール基を表し、Ｘは、水酸基または加水分解可能な基を表し、ｍは、１〜３の整数を表す。
（Ｒ１）ｍ−Ｓｉ−（Ｘ）４−ｍ （１）
ここで、一般式（１）中、Ｒ１ は、水素原子、アルキル基もしくはアリール基、または不飽和結合を有する置換基で置換されたアルキル基もしくはアリール基を表し、Ｘは、水酸基または加水分解可能な基を表し、ｍは、１〜３の整数を表す。
Ｘに関し、加水分解可能な基としては、特に制限はなく、例えば、アルコキシ基（炭素数１〜５のアルコキシ基が好ましい。例えば、メトキシ基、エトキシ基等が挙げられる）、ハロゲン原子（例えば、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ等）、Ｒ２ＣＯＯ（Ｒ２ は、水素原子または炭素数１〜５のアルキル基が望ましい。例えば、ＣＨ３ＣＯＯ、Ｃ２Ｈ５ＣＯＯ等が挙げられる）等が挙げられるが、中でもアルコキシ基が望ましく、アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基が好ましい。
ｍは、１〜３の整数であれば特に制限されないが、１または２が好ましい。
ｍが２または３の場合にはＲ１が複数存在し、ｍが１または２の場合にはＸが複数存在するが、複数のＲ１またはＸとしては、それぞれ同じであっても異なっていてもよい。
ｍが２または３の場合にはＲ１が複数存在し、ｍが１または２の場合にはＸが複数存在するが、複数のＲ１またはＸとしては、それぞれ同じであっても異なっていてもよい。
Ｒ１に関し、アルキル基としては、特に制限されないが、メチル基、メトキシ基、メトキシカルボニル基、エチル基、エトキシ基、エトキシカルボニル基等が挙げられる。中でも、メチル基、メトキシ基、エチル基、エトキシ基が好ましい。
Ｒ１に関し、アリール基としては、特に制限されないが、フェニル基、ナフチル基などが挙げられる。中でも、フェニル基が好ましい。
Ｒ１に関し、アリール基としては、特に制限されないが、フェニル基、ナフチル基などが挙げられる。中でも、フェニル基が好ましい。
Ｒ１に関し、不飽和結合を有する置換基としては、特に制限はなく、例えば、ビニル重合性の置換基、アレン置換基、イソシアネート置換基、が挙げられる。中でも、不飽和結合を有する置換基としては、ビニル重合性の置換基が好ましく、この場合、一般式（１）で表されるオルガノシラン化合物は、下記一般式（２）で表されるオルガノシラン化合物であることが好ましい。
ここで、一般式（２）中、Ｒ１０ は、水素原子、メチル基、メトキシ基、アルコキシカルボニル基、シアノ基、フッ素原子または塩素原子を表す。アルコキシカルボニル基としては、特に制限されないが、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基などが挙げられる。
ここで、一般式（２）中、Ｒ１０ は、水素原子、メチル基、メトキシ基、アルコキシカルボニル基、シアノ基、フッ素原子または塩素原子を表す。アルコキシカルボニル基としては、特に制限されないが、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基などが挙げられる。
また、一般式（２）中、Ｙは、単結合、エステル基、アミド基、エーテル基およびウレア基のいずれかを表し、単結合、エステル基、アミド基が好ましく、単結合、エステル基がより好ましい。
また、前記一般式（２）中、Ｌは、２価の連結鎖であり、具体的には、置換もしくは無置換のアルキレン基、置換もしくは無置換のアリーレン基、内部に連結基（例えば、エーテル、エステル、アミド）を有する置換もしくは無置換のアルキレン基、または内部に連結基を有する置換もしくは無置換のアリーレン基であり、中でも、置換もしくは無置換の炭素数２〜１０のアルキレン基、置換もしくは無置換の炭素数６〜２０のアリーレン基、内部に連結基を有する炭素数３〜１０のアルキレン基が好ましく、無置換のアルキレン基、無置換のアリーレン基、内部にエーテル、または、エステル連結基を有するアルキレン基がより好ましく、中でも、無置換のアルキレン基または内部にエーテルもしくはエステル連結基を有するアルキレン基が特に好ましい。
前記置換基としては、ハロゲン、水酸基、メルカプト基、カルボキシル基、エポキシ基、アルキル基、アリール基等が挙げられ、これら置換基は更に置換されていてもよい。
また、一般式（２）中、ｎは、０または１を表す。Ｘが複数存在するとき、複数のＸはそれぞれ同じであっても異なっていてもよい。ｎとして好ましくは０である。
また、一般式（２）中、ｎは、０または１を表す。Ｘが複数存在するとき、複数のＸはそれぞれ同じであっても異なっていてもよい。ｎとして好ましくは０である。
Ｒ３としては、特に制限されないが、メチル基、メトキシ基、メトキシカルボニル基、エチル基、エトキシ基、エトキシカルボニル基等のアルキル基またはフェニル基、ナフチル基等のアリール基が挙げられる。
一般式（２）で表される化合物の具体例としては、例えば、アクリロイルオキシプロピルトリメトキシシラン、アクリロイルオキシプロピルトリエトキシシラン、メタクロイルオキシプロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。
一般式（２）で表される化合物の具体例としては、例えば、アクリロイルオキシプロピルトリメトキシシラン、アクリロイルオキシプロピルトリエトキシシラン、メタクロイルオキシプロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。
無機酸化物微粒子の表面処理量は、特に制限されないが、無機酸化物微粒子１００質量部に対して、一般式（１）で表されるオルガノシラン化合物１５〜５０質量部が好ましい。一般式（１）で表されるオルガノシラン化合物の量が、１５質量部以上である場合に、活性エネルギー線で硬化させた際に十分な架橋反応が進行し、良好な膜を得ることができる傾向にある。また、一般式（１）で表されるオルガノシラン化合物の量が、５０質量部以下の場合に、凹凸構造を包埋する層の屈折率を前述した範囲（１．５５〜２．１）にすることができる傾向にある。一般式（１）で表されるオルガノシラン化合物の量の下限値は２０質量部以上がより好ましく、また、上限値は４０質量部以下がより好ましい。
表面処理した無機酸化物微粒子の平均粒子径としては、凹凸構造を包埋する際に発生する隙間を少なくすることから、１０〜２００ｎｍが好ましく、２０〜１５０ｎｍがより好ましい。
凹凸構造を包埋する層３１は、凹凸構造を有する層２１の上に無機酸化物微粒子を塗布して、活性エネルギー線を用いて硬化させることにより形成することができる。
無機酸化物微粒子の塗布方法は、特に制限されないが、無機酸化物微粒子が溶媒に分散された分散媒液を凹凸構造を有する層２１の上に塗布し、溶媒を揮発させることによって、塗布することができる。
溶媒の揮発方法は、特に制限されないが、例えば、ＩＲヒーターや温風等で加温する方法が挙げられる。揮発条件は、特に制限されないが、４０〜１８０℃、１〜６０分の範囲が好ましく、６０〜１５０℃、３〜３０分の範囲がより好ましい。
溶媒の揮発方法は、特に制限されないが、例えば、ＩＲヒーターや温風等で加温する方法が挙げられる。揮発条件は、特に制限されないが、４０〜１８０℃、１〜６０分の範囲が好ましく、６０〜１５０℃、３〜３０分の範囲がより好ましい。
分散媒としては、特に制限されないが、例えば、水もしくは有機溶媒を単独または混合して用いることができる。有機溶媒としては、特に制限されないが、トルエン、キシレンなどの芳香族類、メチルエチルケトン、アセトン等のケトン類、エチルアルコール、プロピルアルコール、ブタノールブチルセロソルブ、プロピレングリコールモノメチルエーテル等のアルコール類、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ブチル酢酸等のエステル類、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン等のアミド類、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル類等が挙げられる。
これらの分散媒の中でも、特にプロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートが好ましい。
これらの分散媒の中でも、特にプロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートが好ましい。
活性エネルギー線の光源としては、特に制限されないが、低圧水銀灯、中圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、白熱電球、キセノンランプ、ハロゲンランプ、カーボンアーク灯、メタルハライドランプ、蛍光灯、タングステンランプ、ガリウムランプ、エキシマーランプ、太陽等が挙げられる。これらのうち、低圧水銀灯、中圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、メタルハライドランプが好ましい。
活性エネルギー線は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。また、光源の照度が５〜２０ｍＷ／ｃｍ２の範囲となるように調整することが好ましく、８〜１５ｍＷ／ｃｍ２の範囲がより好ましい。積算光量は１００〜５０００ｍＪ／ｃｍ２の範囲となるように調整することが好ましく、２００〜４０００ｍＪ／ｃｍ２の範囲がより好ましい。
活性エネルギー線を照射して硬化を開始させる開始剤としては、前記凹凸構造を有する層２１に用いられる光重合開始剤を用いることができる。
活性エネルギー線を照射して硬化を開始させる開始剤としては、前記凹凸構造を有する層２１に用いられる光重合開始剤を用いることができる。
次に、本発明の有機ＥＬ素子用基板の第２の態様について、図２を例にとって説明する。本発明の有機ＥＬ素子用基板の第２の態様は、凹凸構造を有する基材が、支持基材１２、凹凸構造を有する層２２および金属被膜４１から構成されており、この凹凸構造を有する基材上に、凹凸構造を包埋する層３２が積層されている。
（支持基材１２）
支持基材１２としては、特に制限されないが、上述した支持基材１１と同様の基材を用いることが出来る。
支持基材１２としては、特に制限されないが、上述した支持基材１１と同様の基材を用いることが出来る。
（凹凸構造を有する層２２）
凹凸構造を有する層２２としては、特に制限されないが、上述した凹凸構造を有する層２１と同様の層を用いることが出来る。
凹凸構造を有する層２２としては、特に制限されないが、上述した凹凸構造を有する層２１と同様の層を用いることが出来る。
（金属被膜）
本発明の有機ＥＬ素子用基板の第２の態様においては、凹凸構造を有する層２２の上に、金属被膜４１が形成されている。
トップエミッション型の有機ＥＬ素子は、支持基板とは反対側の基板から光を取り出すタイプのＥＬ素子である。従って、後述する発光層６２から発光した光を支持基板と反対側に反射させる必要があり、金属被膜４１はその反射させる役割を果たす。
本発明の有機ＥＬ素子用基板の第２の態様においては、凹凸構造を有する層２２の上に、金属被膜４１が形成されている。
トップエミッション型の有機ＥＬ素子は、支持基板とは反対側の基板から光を取り出すタイプのＥＬ素子である。従って、後述する発光層６２から発光した光を支持基板と反対側に反射させる必要があり、金属被膜４１はその反射させる役割を果たす。
金属被膜４１の材料としては、特に制限はされないが、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウム等が挙げられ、これらのうち２つ以上を組み合わせた合金、これらフッ化物等の金属塩類、またはこれらのうち１つ以上と、金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫のうち１つ以上との合金等が挙げられる。合金の具体例としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、カルシウム−アルミニウム合金等が挙げられる。
金属被膜４１の蒸着法としては、特に制限されないが、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法などの物理的蒸着法が挙げられる。
なお、蒸着した金属被膜４１の凹凸構造は、凹凸構造を有する層２１の凹凸構造を反映した凹凸形状となる。
なお、蒸着した金属被膜４１の凹凸構造は、凹凸構造を有する層２１の凹凸構造を反映した凹凸形状となる。
金属被膜４１の厚みは、特に制限されないが、２０ｎｍ〜１０００ｎｍが好ましく、５０ｎｍ〜２００ｎｍがより好ましい。
（凹凸構造を包埋する層）
凹凸構造を包埋する層３２は、前述の凹凸構造を包埋する層３１と同様の層を用いることができる。
凹凸構造を包埋する層３２は、前述の凹凸構造を包埋する層３１と同様の層を用いることができる。
（有機ＥＬ素子）
図３は、ボトムエミッション型の有機ＥＬ素子であり、図４は、トップエミッション型の有機ＥＬ素子用基板を示している。以下、図３と図４を例として、本発明における有機ＥＬ素子を説明する。
図３は、ボトムエミッション型の有機ＥＬ素子であり、図４は、トップエミッション型の有機ＥＬ素子用基板を示している。以下、図３と図４を例として、本発明における有機ＥＬ素子を説明する。
図３を例にとって、本発明の有機ＥＬ素子の第１の態様について説明する。本発明の有機ＥＬ素子の第１の態様は、本発明の第１の態様の有機ＥＬ素子用基板と、有機ＥＬ素子用基板の上に設けられた第１電極５１と、第１電極５１と離間して設けられた第２電極７１と、第１電極５１と第２電極７１との間に設けられた発光層６１とを有するものである。
（第１電極）
第１電極５１の材料としては、導電性を有する金属酸化物、光透過性を有する金属薄膜を形成し得る金属、導電性を有する有機高分子等が挙げられる。
導電性を有する金属酸化物としては、特に制限されないが、例えば、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、インジウム・スズ・オキサイド（ＩＴＯ）、インジウム・亜鉛・オキサイド（ＩＺＯ）等が挙げられる。
第１電極５１の材料としては、導電性を有する金属酸化物、光透過性を有する金属薄膜を形成し得る金属、導電性を有する有機高分子等が挙げられる。
導電性を有する金属酸化物としては、特に制限されないが、例えば、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、インジウム・スズ・オキサイド（ＩＴＯ）、インジウム・亜鉛・オキサイド（ＩＺＯ）等が挙げられる。
光透過性を有する金属薄膜を形成し得る金属としては、特に制限されないが、例えば、金、白金、銀、銅、アルミニウム等が挙げられる。
導電性を有する有機高分子としては、特に制限されないが、例えば、ポリアニリン、その誘導体、ポリチオフェン、ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ（ｐｏｌｙ（３, ４-ｅｔｈｙｌｅｎｅｄｉｏｘｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）：ｐｏｌｙ（ｓｔｙｒｅｎｅｓｕｌｆｏｎａｔｅ））、その誘導体等が挙げられる。
導電性を有する有機高分子としては、特に制限されないが、例えば、ポリアニリン、その誘導体、ポリチオフェン、ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ（ｐｏｌｙ（３, ４-ｅｔｈｙｌｅｎｅｄｉｏｘｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）：ｐｏｌｙ（ｓｔｙｒｅｎｅｓｕｌｆｏｎａｔｅ））、その誘導体等が挙げられる。
第１電極５１は、１層であってもよく、２層以上であってもよい。
第１電極５１の厚さは、特に制限されないが、光透過性および導電性の両立の点から、１０〜１０００ｎｍが好ましく、５０〜５００ｎｍがより好ましい。
第１電極は、陽極であってもよく、陰極であってもよい。第１電極は、通常、陽極とされる。
第１電極５１の厚さは、特に制限されないが、光透過性および導電性の両立の点から、１０〜１０００ｎｍが好ましく、５０〜５００ｎｍがより好ましい。
第１電極は、陽極であってもよく、陰極であってもよい。第１電極は、通常、陽極とされる。
（発光層）
発光層６１は、有機化合物の発光材料を含む層である。
有機化合物の発光材料としては、特に制限されないが、例えば、リン光性化合物のホスト化合物であるカルバゾール誘導体（４，４'−Ｎ，Ｎ'−ジカルバゾール−ジフェニル（以下、ＣＢＰと記す。）等）にイリジウム錯体（トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム（以下、Ｉｒ（ｐｐｙ）３と記す。）をドープしたもの（ＣＢＰ：Ｉｒ（ｐｐｙ）３等）；８−ヒドロキシキノリンまたはその誘導体の金属錯体（トリス（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム（以下、Ａｌｑ３と記す。）等）；その他、公知の発光材料が挙げられる。
発光層６１は、有機化合物の発光材料を含む層である。
有機化合物の発光材料としては、特に制限されないが、例えば、リン光性化合物のホスト化合物であるカルバゾール誘導体（４，４'−Ｎ，Ｎ'−ジカルバゾール−ジフェニル（以下、ＣＢＰと記す。）等）にイリジウム錯体（トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム（以下、Ｉｒ（ｐｐｙ）３と記す。）をドープしたもの（ＣＢＰ：Ｉｒ（ｐｐｙ）３等）；８−ヒドロキシキノリンまたはその誘導体の金属錯体（トリス（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム（以下、Ａｌｑ３と記す。）等）；その他、公知の発光材料が挙げられる。
発光層６１は、発光材料の他に、後述する正孔輸送性材料、電子輸送性材料等を含んでいてもよい。
発光層６１の厚さは、特に制限されないが、１〜１００ｎｍが好ましく、１０〜５０ｎｍがより好ましい。
発光層６１は、１層であってもよく、２層以上であってもよい。例えば、有機ＥＬ素子を白色の有機ＥＬ照明として用いる場合、発光層６１を、青発光層、緑発光層、および赤発光層を有する積層構造としてもよい。
発光層６１の厚さは、特に制限されないが、１〜１００ｎｍが好ましく、１０〜５０ｎｍがより好ましい。
発光層６１は、１層であってもよく、２層以上であってもよい。例えば、有機ＥＬ素子を白色の有機ＥＬ照明として用いる場合、発光層６１を、青発光層、緑発光層、および赤発光層を有する積層構造としてもよい。
発光層６１と第１電極５１または発光層６１と第２電極５２との間には、他の機能層を有していてもよい。
第１電極５１と発光層６１との間に設けられる他の機能層としては、第１電極５１の側から順に、正孔注入層、正孔輸送層が挙げられる。発光層６１と第２電極７１との間に設けられる他の機能層としては、発光層の側から順に、正孔阻止層、電子輸送層、電子注入層が挙げられる。
第１電極５１と発光層６１との間に設けられる他の機能層としては、第１電極５１の側から順に、正孔注入層、正孔輸送層が挙げられる。発光層６１と第２電極７１との間に設けられる他の機能層としては、発光層の側から順に、正孔阻止層、電子輸送層、電子注入層が挙げられる。
正孔注入層は、正孔注入材料を含む層である。
正孔注入材料としては、特に制限されないが、例えば、銅フタロシアニン（以下、ＣｕＰｃと記す。）；酸化バナジウム；導電性を有する有機高分子；その他、公知の正孔注入材料が挙げられる。
正孔注入層の厚さは、特に制限されないが、１〜１００ｎｍが好ましく、１０〜５０ｎｍがより好ましい。
正孔注入材料としては、特に制限されないが、例えば、銅フタロシアニン（以下、ＣｕＰｃと記す。）；酸化バナジウム；導電性を有する有機高分子；その他、公知の正孔注入材料が挙げられる。
正孔注入層の厚さは、特に制限されないが、１〜１００ｎｍが好ましく、１０〜５０ｎｍがより好ましい。
正孔輸送層は、正孔輸送性材料を含む層である。
正孔輸送性材料としては、特に制限されないが、例えば、トリフェニルジアミン類（４，４'−ビス（ｍ−トリルフェニルアミノ）ビフェニル（以下、ＴＰＤと記す。）等）；その他、公知の正孔輸送性材料が挙げられる。
正孔輸送層の厚さは、特に制限されないが、１〜１００ｎｍが好ましく、１０〜５０ｎｍがより好ましい。
正孔輸送性材料としては、特に制限されないが、例えば、トリフェニルジアミン類（４，４'−ビス（ｍ−トリルフェニルアミノ）ビフェニル（以下、ＴＰＤと記す。）等）；その他、公知の正孔輸送性材料が挙げられる。
正孔輸送層の厚さは、特に制限されないが、１〜１００ｎｍが好ましく、１０〜５０ｎｍがより好ましい。
正孔阻止層は、正孔阻止材料を含む層である。
正孔阻止材料としては、特に制限されないが、例えば、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（以下、ＢＣＰと記す。）等）；その他、公知の正孔阻止材料が挙げられる。
正孔阻止層の厚さは、特に制限されないが、１〜１００ｎｍが好ましく、５〜５０ｎｍがより好ましい。
正孔阻止材料としては、特に制限されないが、例えば、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（以下、ＢＣＰと記す。）等）；その他、公知の正孔阻止材料が挙げられる。
正孔阻止層の厚さは、特に制限されないが、１〜１００ｎｍが好ましく、５〜５０ｎｍがより好ましい。
電子輸送層は、電子輸送性材料を含む層である。
電子輸送性材料としては、特に制限されないが、例えば、８−ヒドロキシキノリンまたはその誘導体の金属錯体（Ａｌｑ３等）、オキサジアゾール誘導体；その他、公知の電子輸送性材料が挙げられる。
電子輸送層の厚さは、特に制限されないが、１〜１００ｎｍが好ましく、１０〜５０ｎｍがより好ましい。
電子輸送性材料としては、特に制限されないが、例えば、８−ヒドロキシキノリンまたはその誘導体の金属錯体（Ａｌｑ３等）、オキサジアゾール誘導体；その他、公知の電子輸送性材料が挙げられる。
電子輸送層の厚さは、特に制限されないが、１〜１００ｎｍが好ましく、１０〜５０ｎｍがより好ましい。
電子注入層は、電子注入材料を含む層である。
電子注入材料としては、特に制限されないが、例えば、アルカリ金属化合物（フッ化リチウム等）、アルカリ土類金属化合物（フッ化マグネシウム等）、金属（ストロンチウム等）；その他、公知の電子注入材料が挙げられる。
電子注入層の厚さは、特に制限されないが、１〜１００ｎｍが好ましく、１０〜５０ｎｍがより好ましい。
電子注入材料としては、特に制限されないが、例えば、アルカリ金属化合物（フッ化リチウム等）、アルカリ土類金属化合物（フッ化マグネシウム等）、金属（ストロンチウム等）；その他、公知の電子注入材料が挙げられる。
電子注入層の厚さは、特に制限されないが、１〜１００ｎｍが好ましく、１０〜５０ｎｍがより好ましい。
（第２電極）
第２電極７１の材料としては、特に制限はされないが、例えば、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウム等が挙げられ、これらのうち２つ以上を組み合わせた合金、これらフッ化物等の金属塩類、もしくはこれらのうち１つ以上と、金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫のうち１つ以上との合金等が挙げられる。合金の具体例としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、カルシウム−アルミニウム合金等が挙げられる。
第２電極７１の材料としては、特に制限はされないが、例えば、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウム等が挙げられ、これらのうち２つ以上を組み合わせた合金、これらフッ化物等の金属塩類、もしくはこれらのうち１つ以上と、金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫のうち１つ以上との合金等が挙げられる。合金の具体例としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、カルシウム−アルミニウム合金等が挙げられる。
第２電極７１は、１層であってもよく、２層以上であってもよい。
第２電極の厚さは、特に制限されないが、導電性および耐久性の点から、５〜１０００ｎｍが好ましく、１０〜３００ｎｍがより好ましい。
第２電極は、陰極であってもよく、陽極であってもよい。第２電極は、通常、陰極とされる。
第２電極の厚さは、特に制限されないが、導電性および耐久性の点から、５〜１０００ｎｍが好ましく、１０〜３００ｎｍがより好ましい。
第２電極は、陰極であってもよく、陽極であってもよい。第２電極は、通常、陰極とされる。
次に、図４を例にとって、本発明の有機ＥＬ素子の第２の態様について説明する。本発明の有機ＥＬ素子の第２の態様は、本発明の第２の態様の有機ＥＬ素子用基板と、有機ＥＬ素子用基板の上に設けられた第１電極５２と、第１電極５２と離間して設けられた第２電極７２と、第１電極５２と第２電極７２との間に設けられた発光層６２とを有するものである。
第１電極５２、第２電極７２、発光層６２は、それぞれ、上述した第１電極５１、第２電極７１、発光層６１と同様の実施形態を取ることができる。
（その他の形態）
また、本発明の有機ＥＬ素子は、図５および図６に示すように、有機ＥＬ素子用基板の有機ＥＬ素子が形成されている面と反対側の面に、粘着層等を介して他の光取り出し部材（マイクロレンズアレイシート等）が貼着されたものであってもよい。
また、本発明の有機ＥＬ素子は、図５および図６に示すように、有機ＥＬ素子用基板の有機ＥＬ素子が形成されている面と反対側の面に、粘着層等を介して他の光取り出し部材（マイクロレンズアレイシート等）が貼着されたものであってもよい。
以下、本発明について実施例を用いて詳細に述べるが、本発明はこれらに限定されるものではない。
＜凹凸構造を埋包する層の屈折率の評価＞
凹凸構造を埋包する層の屈折率は、凹凸構造を有する状態では測定できないため、凹凸構造のない層を有機ＥＬ素子用基板とは別に以下のようにして作製し、評価した。
まず、屈折率１．５０のガラス基板の表面に、後述する無機酸化物微粒子が溶剤中に分散した液をスピンコート法にて塗布し、次いで、大気中、１５０℃で１０分加熱して溶剤を揮発させて塗膜を得た。
次に、高圧水銀ランプ（セン特殊光源社製、HB100A-1）を用いて、2000mJ/cm2の積算光量にて紫外線を照射し、この塗膜を硬化させて、硬化物（凹凸構造のない層）を得た。この硬化物の屈折率を、プリズムカプラ（メトリコン社製）を用いて測定した。
凹凸構造を埋包する層の屈折率は、凹凸構造を有する状態では測定できないため、凹凸構造のない層を有機ＥＬ素子用基板とは別に以下のようにして作製し、評価した。
まず、屈折率１．５０のガラス基板の表面に、後述する無機酸化物微粒子が溶剤中に分散した液をスピンコート法にて塗布し、次いで、大気中、１５０℃で１０分加熱して溶剤を揮発させて塗膜を得た。
次に、高圧水銀ランプ（セン特殊光源社製、HB100A-1）を用いて、2000mJ/cm2の積算光量にて紫外線を照射し、この塗膜を硬化させて、硬化物（凹凸構造のない層）を得た。この硬化物の屈折率を、プリズムカプラ（メトリコン社製）を用いて測定した。
＜有機ＥＬ素子用基板のクラックの評価＞
有機ＥＬ素子用基板に形成された凹凸構造を包埋する層のクラックの有無を目視にて評価した。
○：クラックが認められなかった。
×：クラックが認められた。
有機ＥＬ素子用基板に形成された凹凸構造を包埋する層のクラックの有無を目視にて評価した。
○：クラックが認められなかった。
×：クラックが認められた。
＜有機ＥＬ素子の発光効率の評価＞
発光面積２ｍｍ×２ｍｍを有する有機ＥＬ素子を直径１０ｍｍのピンホールを介して積分球（ラブスフィア社製、８インチ）のサンプル開口部に貼付け、ＬＥＤ全光束・効率測定装置（浜松フォトニクス社製、Ｃ９９２０−２２システム、ＰＭＡ−１２）を用いて、有機ＥＬ素子に１ｍＡ/ｃｍ２の電流を流したときの電圧および輝度を測定した。得られた有機ＥＬ素子の発光効率は、後述する参考例の有機ＥＬ素子の輝度を１（基準）として、相対値で評価した。
発光面積２ｍｍ×２ｍｍを有する有機ＥＬ素子を直径１０ｍｍのピンホールを介して積分球（ラブスフィア社製、８インチ）のサンプル開口部に貼付け、ＬＥＤ全光束・効率測定装置（浜松フォトニクス社製、Ｃ９９２０−２２システム、ＰＭＡ−１２）を用いて、有機ＥＬ素子に１ｍＡ/ｃｍ２の電流を流したときの電圧および輝度を測定した。得られた有機ＥＬ素子の発光効率は、後述する参考例の有機ＥＬ素子の輝度を１（基準）として、相対値で評価した。
［参考例］
屈折率１．５０で２５ｍｍ×２５ｍｍのガラス基板（コーニング社、イーグルＸＧ、厚み０．７ｍｍ）をスパッタリング装置のチャンバ内にセットし、スパッタ時チャンバ内の圧力：１０−1Ｐａ、蒸着速度（デポレート）：０．０５〜０．１ｎｍ／ｓｅｃの条件下で、ラインパターンを有するマスクを介してＩＴＯを蒸着し、ガラス基板上に厚さ２００ｎｍの透明電極を形成した。
屈折率１．５０で２５ｍｍ×２５ｍｍのガラス基板（コーニング社、イーグルＸＧ、厚み０．７ｍｍ）をスパッタリング装置のチャンバ内にセットし、スパッタ時チャンバ内の圧力：１０−1Ｐａ、蒸着速度（デポレート）：０．０５〜０．１ｎｍ／ｓｅｃの条件下で、ラインパターンを有するマスクを介してＩＴＯを蒸着し、ガラス基板上に厚さ２００ｎｍの透明電極を形成した。
透明電極が形成されたガラス基板をＵＶオゾン処理した後、真空蒸着装置のチャンバ内にセットし、有機蒸着チャンバ内の圧力：１０−４Ｐａ、蒸着速度（デポレート）：０．５〜２．０ｎｍ／ｓｅｃの条件下で、透明電極の上に、正孔注入層ＣｕＰｃ（２０ｎｍ）、正孔輸送層ＴＰＤ（４０ｎｍ）、発光層ＣＢＰ：Ｉｒ（ｐｐｙ）３（２０ｎｍ）、正孔阻止層ＢＣＰ（１０ｎｍ）、電子輸送層Ａｌｑ３（３０ｎｍ）を順次蒸着して、透明電極の上に選択的に発光層および他の機能層を形成した。
さらに、蒸着速度（デポレート）：０．０５９ｎｍ／ｓｅｃの条件下で金属蒸着チャンバ内の圧力：１０−４Ｐａ、蒸着速度（デポレート）：０．２５ｎｍ／ｓｅｃの条件下で電子注入層のフッ化リチウム（０．５ｎｍ）を、蒸着速度（デポレート）：０．５〜４．０ｎｍ／ｓｅｃの条件下で背面電極のアルミニウム（１００ｎｍ）を順次蒸着し、２ｍｍ×２ｍｍの発光部を形成した。
最後に、２０ｍｍ×２０ｍｍの掘り込みガラスを用い、２ｍｍ×２ｍｍの発光部が掘り込みガラス内に入るように、エポキシ系封止剤（ナガセケムテック社製）で封止を行い、有機ＥＬ素子を得た。
得られた有機ＥＬ素子に１ｍＡ/ｃｍ２の電流を流したときの電圧は６．７Ｖで輝度は２７０ｃｄ／ｍ２であった。
得られた有機ＥＬ素子に１ｍＡ/ｃｍ２の電流を流したときの電圧は６．７Ｖで輝度は２７０ｃｄ／ｍ２であった。
（凹凸構造を有するモールドの製造例）
針状ニッケル合金メッキ基板（基材：５ｃｍ×５ｃｍのアルミニウム板、ヱビナ電化工業社製）の表面に、ポリブチレングリコールジメタクリレート（三菱レイヨン社製、アクリルエステルＰＢＯＭ（以下、「ＰＢＯＭ」と略す。）５０質量部、トリメチロールエタン／アクリル酸／コハク酸（２／４／１：モル比）の縮合物（以下、「ＴＡＳ」と略す。）５０質量部およびベンゾイルエチルエーテル（以下、「ＢＥＥ」と略す。）３質量部からなる活性エネルギー線硬化性組成物（Ｊ−１）を滴下し、その上にＰＥＴフィルム（東山フィルム社製、ＨＫ−３１）を被せ、ハンドロールで活性エネルギー線硬化性組成物（Ｊ−１）を押し広げた。ＰＥＴフィルムを介して積算光量：１０００ｍＪ／ｃｍ２の紫外線を照射し、活性エネルギー線硬化性組成物（Ｊ−１）を硬化させた。硬化物からＰＥＴフィルムおよび針状ニッケル合金メッキ基板を剥離し、針状ニッケル合金メッキの凹凸構造を転写したモールド（ｊ−１）を得た。
針状ニッケル合金メッキ基板（基材：５ｃｍ×５ｃｍのアルミニウム板、ヱビナ電化工業社製）の表面に、ポリブチレングリコールジメタクリレート（三菱レイヨン社製、アクリルエステルＰＢＯＭ（以下、「ＰＢＯＭ」と略す。）５０質量部、トリメチロールエタン／アクリル酸／コハク酸（２／４／１：モル比）の縮合物（以下、「ＴＡＳ」と略す。）５０質量部およびベンゾイルエチルエーテル（以下、「ＢＥＥ」と略す。）３質量部からなる活性エネルギー線硬化性組成物（Ｊ−１）を滴下し、その上にＰＥＴフィルム（東山フィルム社製、ＨＫ−３１）を被せ、ハンドロールで活性エネルギー線硬化性組成物（Ｊ−１）を押し広げた。ＰＥＴフィルムを介して積算光量：１０００ｍＪ／ｃｍ２の紫外線を照射し、活性エネルギー線硬化性組成物（Ｊ−１）を硬化させた。硬化物からＰＥＴフィルムおよび針状ニッケル合金メッキ基板を剥離し、針状ニッケル合金メッキの凹凸構造を転写したモールド（ｊ−１）を得た。
（凹凸構造を包埋する層を形成するための包埋用組成物の製造例）
（１）包埋用組成物（Ｈ−１）の製造例
前記一般式（２）において、Ｘがメトキシ基、Ｒ１０がメチル基、Ｙがエステル基、Ｌがプロピレン基、ｎ＝０である３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシランで表面処理されたジルコニア微粒子（平均粒子径６０ｎｍ）分散プロピレングリコールモノメチルエーテル液（ジルコニア１００質量部に対して、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン２０質量部、プロピレングリコールモノメチルエーテル２５０質量部：ＣＩＫナノテック社製）の固形分１００質量部に対して、ベンゾイルエチルエーテル３質量部を混合して、包埋用組成物（Ｈ−１）を製造した。
（１）包埋用組成物（Ｈ−１）の製造例
前記一般式（２）において、Ｘがメトキシ基、Ｒ１０がメチル基、Ｙがエステル基、Ｌがプロピレン基、ｎ＝０である３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシランで表面処理されたジルコニア微粒子（平均粒子径６０ｎｍ）分散プロピレングリコールモノメチルエーテル液（ジルコニア１００質量部に対して、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン２０質量部、プロピレングリコールモノメチルエーテル２５０質量部：ＣＩＫナノテック社製）の固形分１００質量部に対して、ベンゾイルエチルエーテル３質量部を混合して、包埋用組成物（Ｈ−１）を製造した。
（２）包埋用組成物（Ｈ−２）の製造例
前記一般式（２）において、Ｘがメトキシ基、Ｒ１０がメチル基、Ｙがエステル基、Ｌがプロピレン基、ｎ＝０である３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシランで表面処理されたジルコニア微粒子（平均粒子径６０ｎｍ）分散プロピレングリコールモノメチルエーテル液（ジルコニア１００質量部に対して、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン４０質量部、プロピレングリコールモノメチルエーテル２５０質量部：ＣＩＫナノテック社製）の固形分１００質量部に対して、ベンゾイルエチルエーテル３質量部を混合して、包埋用組成物（Ｈ−２）を製造した。
前記一般式（２）において、Ｘがメトキシ基、Ｒ１０がメチル基、Ｙがエステル基、Ｌがプロピレン基、ｎ＝０である３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシランで表面処理されたジルコニア微粒子（平均粒子径６０ｎｍ）分散プロピレングリコールモノメチルエーテル液（ジルコニア１００質量部に対して、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン４０質量部、プロピレングリコールモノメチルエーテル２５０質量部：ＣＩＫナノテック社製）の固形分１００質量部に対して、ベンゾイルエチルエーテル３質量部を混合して、包埋用組成物（Ｈ−２）を製造した。
（３）包埋用組成物（Ｈ−３）の製造例
前記一般式（２）において、Ｘがメトキシ基、Ｒ１０がメチル基、Ｙがエステル基、Ｌがプロピレン基、ｎ＝０である３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシランで表面処理されたジルコニア微粒子（平均粒子径６０ｎｍ）分散プロピレングリコールモノメチルエーテル液（ジルコニア１００質量部に対して、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン１００質量部、プロピレングリコールモノメチルエーテル２５０質量部：ＣＩＫナノテック社製）の固形分１００質量部に対して、ＢＥＥ３質量部を混合して、包埋用組成物（Ｈ−３）を製造した。
前記一般式（２）において、Ｘがメトキシ基、Ｒ１０がメチル基、Ｙがエステル基、Ｌがプロピレン基、ｎ＝０である３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシランで表面処理されたジルコニア微粒子（平均粒子径６０ｎｍ）分散プロピレングリコールモノメチルエーテル液（ジルコニア１００質量部に対して、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン１００質量部、プロピレングリコールモノメチルエーテル２５０質量部：ＣＩＫナノテック社製）の固形分１００質量部に対して、ＢＥＥ３質量部を混合して、包埋用組成物（Ｈ−３）を製造した。
（４）包埋用組成物（Ｈ−４）の製造例
前記一般式（１）において、Ｘがメトキシ基、Ｒ１がグリシジルプロピル基、ｍ＝０である３−グリシジルプロピルトリメトキシシランで表面処理されたジルコニア微粒子（平均粒子径６０ｎｍ）分散プロピレングリコールモノメチルエーテル液（ジルコニア１００質量部に対して、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン２０質量部、プロピレングリコールモノメチルエーテル２５０質量部：ＣＩＫナノテック社製）の固形分１００質量部に対して、ベンゾイルエチルエーテル３質量部を混合して、包埋用組成物（Ｈ−４）を製造した。
前記一般式（１）において、Ｘがメトキシ基、Ｒ１がグリシジルプロピル基、ｍ＝０である３−グリシジルプロピルトリメトキシシランで表面処理されたジルコニア微粒子（平均粒子径６０ｎｍ）分散プロピレングリコールモノメチルエーテル液（ジルコニア１００質量部に対して、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン２０質量部、プロピレングリコールモノメチルエーテル２５０質量部：ＣＩＫナノテック社製）の固形分１００質量部に対して、ベンゾイルエチルエーテル３質量部を混合して、包埋用組成物（Ｈ−４）を製造した。
（５）包埋用組成物（Ｈ−５）の製造例
前記一般式（２）において、Ｘがメトキシ基、Ｒ１０がメチル基、Ｙがエステル基、Ｌがプロピレン基、ｎ＝０である３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシランで表面処理されたチタニア微粒子（平均粒子径６０ｎｍ）分散プロピレングリコールモノメチルエーテル液（チタニア１００質量部に対して、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン２０質量部、プロピレングリコールモノメチルエーテル２５０質量部：ＣＩＫナノテック社製）の固形分１００質量部に対して、ベンゾイルエチルエーテル３質量部を混合して、包埋用組成物（Ｈ−５）を製造した。
（６）高屈折率材料液：Ｈ−６の調整
前記一般式（２）において、Ｘがメトキシ基、Ｒ１０がメチル基、Ｙがエステル基、Ｌがプロピレン基、ｎ＝０である３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシランで表面処理されたジルコニア微粒子（平均粒子径６０ｎｍ）分散プロピレングリコールモノメチルエーテル液（ジルコニア１００質量部に対して、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン２０質量部、プロピレングリコールモノメチルエーテル２５０質量部：ＣＩＫナノテック社製）の固形分１００質量部に対して、ベンゾイルパーオキサイド３質量部を混合して、包埋用組成物（Ｈ−６）を製造した。
前記一般式（２）において、Ｘがメトキシ基、Ｒ１０がメチル基、Ｙがエステル基、Ｌがプロピレン基、ｎ＝０である３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシランで表面処理されたチタニア微粒子（平均粒子径６０ｎｍ）分散プロピレングリコールモノメチルエーテル液（チタニア１００質量部に対して、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン２０質量部、プロピレングリコールモノメチルエーテル２５０質量部：ＣＩＫナノテック社製）の固形分１００質量部に対して、ベンゾイルエチルエーテル３質量部を混合して、包埋用組成物（Ｈ−５）を製造した。
（６）高屈折率材料液：Ｈ−６の調整
前記一般式（２）において、Ｘがメトキシ基、Ｒ１０がメチル基、Ｙがエステル基、Ｌがプロピレン基、ｎ＝０である３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシランで表面処理されたジルコニア微粒子（平均粒子径６０ｎｍ）分散プロピレングリコールモノメチルエーテル液（ジルコニア１００質量部に対して、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン２０質量部、プロピレングリコールモノメチルエーテル２５０質量部：ＣＩＫナノテック社製）の固形分１００質量部に対して、ベンゾイルパーオキサイド３質量部を混合して、包埋用組成物（Ｈ−６）を製造した。
［実施例１］
（有機ＥＬ素子用基板の作製）
２５ｍｍ×２５ｍｍのガラス基板（コーニング社、イーグルＸＧ、厚み０．７ｍｍ）と上記製造例で製造した凹凸構造を有するモールド（ｊ−１）との間に、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート（以下、「Ｃ６ＤＡ」と略す。）５０質量部、ＴＡＳ５０質量部およびＢＥＥ３質量部からなる活性エネルギー線硬化性組成物（Ｊ−２）をはさみこみ、1000mJ/cm2の紫外線を照射して活性エネルギー線硬化性組成物（Ｊ−２）を硬化させた後、凹凸構造を有するモールド（ｊ−１）を剥離して、ガラス基板上に凹凸構造を有する樹脂層が積層された基板を得た。
次いで、この凹凸構造の上に包埋用組成物（Ｈ−１）をスリットコート法により、溶剤を揮発させた後の膜厚が１．５μｍになるような厚みで塗布し、１５０℃で１０分間加熱して溶剤を揮発させた。なお、ここでの膜厚とは、凹凸構造を有する層の凹部の底部から測定した凹凸構造を包埋する層の厚みである。その後、高圧水銀ランプ（セン特殊光源社製、HB100A-1）を用いて2000mJ/cm2の積算光量の紫外線を照射して硬化させ、凹凸構造を包埋する層を形成して平坦化し、有機ＥＬ素子用基板を得た。
有機ＥＬ素子用基板には、クラックの発生は認められなかった。なお、前述した方法で測定した包埋用組成物（Ｈ−１）の硬化物の屈折率は１．７３であった。
（有機ＥＬ素子用基板の作製）
２５ｍｍ×２５ｍｍのガラス基板（コーニング社、イーグルＸＧ、厚み０．７ｍｍ）と上記製造例で製造した凹凸構造を有するモールド（ｊ−１）との間に、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート（以下、「Ｃ６ＤＡ」と略す。）５０質量部、ＴＡＳ５０質量部およびＢＥＥ３質量部からなる活性エネルギー線硬化性組成物（Ｊ−２）をはさみこみ、1000mJ/cm2の紫外線を照射して活性エネルギー線硬化性組成物（Ｊ−２）を硬化させた後、凹凸構造を有するモールド（ｊ−１）を剥離して、ガラス基板上に凹凸構造を有する樹脂層が積層された基板を得た。
次いで、この凹凸構造の上に包埋用組成物（Ｈ−１）をスリットコート法により、溶剤を揮発させた後の膜厚が１．５μｍになるような厚みで塗布し、１５０℃で１０分間加熱して溶剤を揮発させた。なお、ここでの膜厚とは、凹凸構造を有する層の凹部の底部から測定した凹凸構造を包埋する層の厚みである。その後、高圧水銀ランプ（セン特殊光源社製、HB100A-1）を用いて2000mJ/cm2の積算光量の紫外線を照射して硬化させ、凹凸構造を包埋する層を形成して平坦化し、有機ＥＬ素子用基板を得た。
有機ＥＬ素子用基板には、クラックの発生は認められなかった。なお、前述した方法で測定した包埋用組成物（Ｈ−１）の硬化物の屈折率は１．７３であった。
（有機ＥＬ素子の作製）
このようにして得た有機ＥＬ素子用基板を用いて、参考例と同様の方法で、凹凸構造を包埋する層の上に、透明電極層、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、正孔阻止層、電子輸送層、電子注入層および背面電極をこの順番に積層した後、エポキシ系封止剤で封止して有機ＥＬ素子を得た。
得られた有機ＥＬ素子に１ｍＡ/ｃｍ２の電流を流したときの電圧は６．７Ｖであり、輝度は４１０ｃｄ／ｍ２（参考例の１．５２倍）であった。
このようにして得た有機ＥＬ素子用基板を用いて、参考例と同様の方法で、凹凸構造を包埋する層の上に、透明電極層、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、正孔阻止層、電子輸送層、電子注入層および背面電極をこの順番に積層した後、エポキシ系封止剤で封止して有機ＥＬ素子を得た。
得られた有機ＥＬ素子に１ｍＡ/ｃｍ２の電流を流したときの電圧は６．７Ｖであり、輝度は４１０ｃｄ／ｍ２（参考例の１．５２倍）であった。
［実施例２］
有機ＥＬ素子用基板の作製において、包埋用組成物として（Ｈ−１）の代わりに（Ｈ−２）を用いたこと以外は、実施例１と同様の方法で、有機ＥＬ素子用基板および有機ＥＬ素子を作製した。評価結果を表１に示す。
有機ＥＬ素子用基板の作製において、包埋用組成物として（Ｈ−１）の代わりに（Ｈ−２）を用いたこと以外は、実施例１と同様の方法で、有機ＥＬ素子用基板および有機ＥＬ素子を作製した。評価結果を表１に示す。
［実施例３］
有機ＥＬ素子用基板の作製において、包埋用組成物として（Ｈ−１）の代わりに（Ｈ−５）を用いたこと以外は、実施例１と同様の方法で、有機ＥＬ素子用基板および有機ＥＬ素子を作製した。評価結果を表１に示す。
有機ＥＬ素子用基板の作製において、包埋用組成物として（Ｈ−１）の代わりに（Ｈ−５）を用いたこと以外は、実施例１と同様の方法で、有機ＥＬ素子用基板および有機ＥＬ素子を作製した。評価結果を表１に示す。
［実施例４］
有機ＥＬ素子用基板の作製において、包埋用組成物として（Ｈ−１）の代わりに（Ｈ−３）を用いたこと以外は、実施例１と同様の方法で、有機ＥＬ素子用基板および有機ＥＬ素子を作製した。評価結果を表１に示す。
有機ＥＬ素子用基板の作製において、包埋用組成物として（Ｈ−１）の代わりに（Ｈ−３）を用いたこと以外は、実施例１と同様の方法で、有機ＥＬ素子用基板および有機ＥＬ素子を作製した。評価結果を表１に示す。
［比較例１］
包埋用組成物として（Ｈ−１）の代わりに（Ｈ−４）を用いたこと以外は、実施例１と同様の方法で、有機ＥＬ素子用基板を作製した。
得られた有機ＥＬ素子用基板は、（Ｈ−４）を塗布して乾燥させた段階でクラックが発生したため、有機ＥＬ素子を作製できなかった。
包埋用組成物として（Ｈ−１）の代わりに（Ｈ−４）を用いたこと以外は、実施例１と同様の方法で、有機ＥＬ素子用基板を作製した。
得られた有機ＥＬ素子用基板は、（Ｈ−４）を塗布して乾燥させた段階でクラックが発生したため、有機ＥＬ素子を作製できなかった。
［比較例２］
実施例１と同様の手法にて、ガラス基板上に凹凸構造を有する樹脂層が積層された基板を得た。次いで、この凹凸構造の上に包埋用組成物（Ｈ−６）をスリットコート法により、溶剤を揮発させた後の膜厚が１．５μｍになるような厚みで塗布し、８０℃で６０分間加熱して硬化させた後、１５０℃１０分で溶剤を間然に揮発させ、凹凸構造を包埋する層を形成して平坦化し、有機ＥＬ素子用基板を得た。
得られた有機ＥＬ素子用基板は、包埋用組成物の硬化が進行せず、有機ＥＬ素子用基板の凹凸構造を包埋する層を指先で触れると包埋用組成物が指先に付着する状態であった。従って、得られた有機ＥＬ素子用基板を用いて有機ＥＬ素子を作製することが出来なかった。
実施例１と同様の手法にて、ガラス基板上に凹凸構造を有する樹脂層が積層された基板を得た。次いで、この凹凸構造の上に包埋用組成物（Ｈ−６）をスリットコート法により、溶剤を揮発させた後の膜厚が１．５μｍになるような厚みで塗布し、８０℃で６０分間加熱して硬化させた後、１５０℃１０分で溶剤を間然に揮発させ、凹凸構造を包埋する層を形成して平坦化し、有機ＥＬ素子用基板を得た。
得られた有機ＥＬ素子用基板は、包埋用組成物の硬化が進行せず、有機ＥＬ素子用基板の凹凸構造を包埋する層を指先で触れると包埋用組成物が指先に付着する状態であった。従って、得られた有機ＥＬ素子用基板を用いて有機ＥＬ素子を作製することが出来なかった。
［比較例３］
実施例１と同様の手法にて、ガラス基板上に凹凸構造を有する樹脂層が積層された基板を得た。次いで、この凹凸構造の上に包埋用組成物として酸化チタン（ＴｉＯ2 ）膜成膜用の有機金属分解法塗布液（高純度化学研究所製：Ｔｉ−０５）をスリットコート法により、溶剤を揮発させた後の膜厚が１．５μｍになるような厚みで塗布し、４００℃６０分で乾燥・硬化させた。
得られた有機ＥＬ素子用基板は、４００℃に加熱すると同時にクラックが発生し、有機ＥＬ素子を作製できなかった。
実施例１と同様の手法にて、ガラス基板上に凹凸構造を有する樹脂層が積層された基板を得た。次いで、この凹凸構造の上に包埋用組成物として酸化チタン（ＴｉＯ2 ）膜成膜用の有機金属分解法塗布液（高純度化学研究所製：Ｔｉ−０５）をスリットコート法により、溶剤を揮発させた後の膜厚が１．５μｍになるような厚みで塗布し、４００℃６０分で乾燥・硬化させた。
得られた有機ＥＬ素子用基板は、４００℃に加熱すると同時にクラックが発生し、有機ＥＬ素子を作製できなかった。
［比較例４］
実施例１と同様の手法にて、ガラス基板上に凹凸構造を有する樹脂層が積層された基板を得た。次いで、この凹凸構造の上に包埋用組成物として酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２ ）膜成膜用の有機金属分解法塗布液（高純度化学研究所製：Ｚｒ−０５）をスリットコート法により、溶剤を揮発させた後の膜厚が１．５μｍになるように塗布し、４００℃６０分で乾燥・硬化させた。
得られた有機ＥＬ素子用基板は、４００℃に加熱すると同時にクラックが発生し、有機ＥＬ素子を作製できなかった。
実施例１と同様の手法にて、ガラス基板上に凹凸構造を有する樹脂層が積層された基板を得た。次いで、この凹凸構造の上に包埋用組成物として酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２ ）膜成膜用の有機金属分解法塗布液（高純度化学研究所製：Ｚｒ−０５）をスリットコート法により、溶剤を揮発させた後の膜厚が１．５μｍになるように塗布し、４００℃６０分で乾燥・硬化させた。
得られた有機ＥＬ素子用基板は、４００℃に加熱すると同時にクラックが発生し、有機ＥＬ素子を作製できなかった。
本発明の有機ＥＬ素子は、発光効率が高く、表示装置の画素としての用途だけではなく、照明器具の発光素子としても好適に用いることができる。
１１、１２ 支持基材
２１、２２ 凹凸構造を有する層
３１、３２ 凹凸構造を包埋する層
４１ 金属被膜
５１、５２ 第１電極
６１、６２ 発光層
７１、７２ 第２電極
８１、８２ 封止材
９１、９２ 光取り出し部材（マイクロレンズアレイシート等）
２１、２２ 凹凸構造を有する層
３１、３２ 凹凸構造を包埋する層
４１ 金属被膜
５１、５２ 第１電極
６１、６２ 発光層
７１、７２ 第２電極
８１、８２ 封止材
９１、９２ 光取り出し部材（マイクロレンズアレイシート等）
Claims (6)
- 凹凸構造を有する基材に、凹凸構造を包埋する層が積層された有機ＥＬ素子用基板であって、凹凸構造を包埋する層が、下記一般式（１）で表されるオルガノシラン化合物で表面処理された無機酸化物微粒子を活性エネルギー線を照射して硬化した層である有機ＥＬ素子用基板。
（Ｒ１）ｍ−Ｓｉ−（Ｘ）４−ｍ （１）
（ただし、一般式（１）中、Ｒ１ は、水素原子、アルキル基もしくはアリール基、または不飽和結合を有する置換基で置換されたアルキル基もしくはアリール基を表し、Ｘは、水酸基または加水分解可能な基を表し、ｍは、１〜３の整数を表す。） - 凹凸構造を包埋する層の屈折率が、１．５５以上２．１以下である請求項１に記載の有機ＥＬ素子用基板。
- 凹凸構造を有する基材が、支持基材と該基板上の凹凸構造を有する層からなる請求項１記載の有機ＥＬ素子用基板。
- 凹凸構造が、金属で被覆されている請求項１に記載の有機ＥＬ素子用基板。
- 無機酸化物微粒子が、無機酸化物微粒子１００質量部に対して、前記一般式（１）で表されるオルガノシラン化合物１５〜５０質量部で表面処理されている請求項１に記載の有機ＥＬ素子用基板。
- 請求項１〜５に記載の有機ＥＬ素子用基板と、有機ＥＬ素子用基板の上に設けられた第１電極と、第１電極と離間して設けられた第２電極と、第１電極と第２電極との間に設けられた発光層と、を有する有機ＥＬ素子。
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2012
- 2012-07-02 JP JP2012148137A patent/JP2014011094A/ja active Pending
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