KR101892951B1 - 높은 실리카 대 알루미나 비를 가지는 y형 분자체를 제조하는 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 초기 겔 혼합물을 수득하기 위해 탈이온수, 실리콘 공급원, 알루미늄 공급원, 알칼리 공급원 및 주형제로서 테트라알킬암모늄 양이온 공급원을 혼합하고; 적절한 온도에서 상기 초기 겔 혼합물을 숙성시킨 후 결정화를 위해 고압 합성 케틀 내로 상기 겔 혼합물을 공급하고; 높은 실리카 대 알루미나 비를 가지는 Y형 분자체를 수득하기 위해 고체 생성물을 분리하고 건조시키는 것을 포함하는, 높은 실리카 대 알루미나 비를 가지는 Y형 분자체를 제조하기 위한 방법을 제공한다. 상기 방법은 높은 결정화도를 가지는 순상(phase-pure) Y형 분자체를 제공하여, 그것의 SiO2/Al2O3는 적어도 6이다.

Description

높은 실리카 대 알루미나 비를 가지는 Y형 분자체를 제조하는 방법{METHOD FOR PREPARING Y TYPE MOLECULAR SIEVE HAVING HIGH SILICA TO ALUMINA RATIO}
본 발명은 고-실리콘(high-silicon) Y형 분자체(molecular sieve) 합성 분야에 관한 것이다.
Y형 분자체는 FAU 위상 구조(topological structure)를 가지며, β 케이지(cage)를 다이아몬드 구조에 따라 배열함으로써 형성된 울트라-케이지(ultra-cage) 구조를 가지는 분자체이다. 현재, Y형 분자체는 주로 촉매와 흡착제 및 분리제로 사용된다. 고-실리콘 Y형 제올라이트 촉매는 높은 활성, 우수한 안정성 등의 이점을 가지므로, 그것들의 제조방법은 항상 연구의 주 관심 분야였다.
현재, 산업적으로 사용되고 있는 고-실리콘 Y형 제올라이트는 주로 Y형 제올라이트 생 분말(raw powder)에 수행되는 화학적 탈알루미늄화(chemical dealuminzation), 물리적 탈알루미늄화(physical dealuminzation) 등과 같은 후처리 방법에 의해 얻어진다. 그러나, 탈알루미늄화 후처리에 의해 실리카 대 알루미나 비를 증가시키기 위한 이 방법은 복잡한 절차를 가지며, 많은 에너지를 소비하고, 오염도가 높다. 고-실리콘 Y형 제올라이트를 열수(hydrothermally)/용매열(solvothermally)로 합성하기 위한 직접적인 방법은 복잡한 후처리 절차를 피할 수 있고, 많은 인력 및 물적 자원을 아낄 수 있으며, 환경오염을 줄일 수 있다. 동시에, 열수/용매열에 의해 합성된 고-실리콘 Y형 제올라이트는 완전한 결정 구조와 균일한 화학 분포를 가지므로, 상기 제올라이트는 더 나은 촉매 효과를 가진다.
본 발명의 목적은 높은 실리카 대 알루미나 비를 가지는 Y형 분자체를 제조하기 위한 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 일 양상에 따르면, 본 발명은 높은 실리카 대 알루미나 비를 가지는 Y형 분자체를 제조하기 위한 방법을 제공한다. 주형제(template agent)로서 테트라알킬암모늄 양이온(tetraalkyl ammonium cation)을 포함하는 적절한 화합물을 선택함으로써, 상기 방법은 적어도 6의 백본(backbone) 내 실리카 대 알루미나 비, 높은 결정도(crystallinity), 높은 활성 및 우수한 안정성을 가지는 Y 타입 분자체를 제조할 수 있다.
Y 타입 분자체를 제조하기 위한 방법은 Y 타입 분자체가 주형제로서 테트라알킬암모늄 양이온을 포함하는 화합물을 사용함으로써 제조되는 것을 특징으로 하며;
상기 테트라알킬암모늄 양이온을 포함하는 화합물은 일반식 (1)로 나타내어지는 화학 구조식을 가지고:
Figure 112017024217761-pct00011
일반식 (1)
일반식 (1)에서,
R1, R2, R3 및 R4는 각각 독립적으로 1 내지 10의 탄소수를 가지는 알킬기로부터 선택되고; X-m은 m-가(m-valent) 음이온을 나타내며; m은 1, 2 및 3으로부터 선택되는 어느 하나이다.
바람직하게는, 상기 일반식 (1)에서, R1, R2, R3 및 R4는 각각 독립적으로 1 내지 5의 탄소수를 가지는 알킬기로부터 선택되고; X-m은 OH-, BF4 -, F-, Cl-, Br-, I-, NO3 -, H2PO3 -, HPO3 2 -, PO3 3-, SO4 2-, 및 HSO4 -로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 하나이다.
바람직하게는, 상기 일반식 (1)에서, R1, R2, R3 및 R4는 동일한 알킬기이다.
바람직하게는, 상기 일반식 (1)에서, R1, R2, R3 및 R4는 모두 에틸기이다.
1 내지 10의 탄소수를 가지는 알킬기는 1 내지 10의 탄소수를 가지는 임의의 알케인으로부터 수소 원자 중 어느 하나를 잃어버림으로써 형성된 기이고; 상기 1 내지 10의 탄소수를 가지는 임의의 알케인은 선택적으로 선형 알케인, 분지 알케인 및 시클로알케인으로부터 선택된다.
바람직하게는, 상기 테트라알킬암모늄 양이온을 포함하는 화합물은 테트라에틸암모늄 하이드록사이드(tetraethylammonium hydroxide, 이하 TEAOH라 약칭함), 테트라에틸암모늄 클로라이드(tetraethylammonium chloride, 이하 TEACl이라 약칭함), 테트라에틸암모늄 브로마이드(tetraethylammonium bromide, 이하 TEABr이라 약칭함), 테트라에틸암모늄 아이오다이드(tetraethylammonium iodide, 이하 TEAI라 약칭함), 테트라에틸암모늄 테트라플루오로보레이트(tetraethylammonium tetrafluoroborate, 이하 TEABF4라 약칭함), 테트라부틸암모늄 하이드록사이드(tetrabutylammonium hydroxide, 이하 TBAOH라 약칭함), 테트라메틸암모늄 하이드록사이드(tetramethylammonium hydroxide, 이하 TMAOH라 약칭함) 및 테트라프로필암모늄 하이드록사이드(tetrapropylammonium hydroxide, 이하 TPAOH라 약칭함)로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나이다.
본 발명의 일 구현에 따르면, Y 타입 분자체를 제조하기 위한 방법은 적어도 하나의 하기 단계:
a) 하기 몰 비를 가지는 초기 겔 혼합물을 수득하기 위해 탈이온수, 실리콘 공급원, 알루미늄 공급원, 알칼리 공급원, 및 테트라알킬암모늄 양이온을 포함하는 화합물을 혼합하는 단계:
SiO2/Al2O3 = 6-20;
알칼리 공급원/Al2O3 = 1-8; 여기에서 상기 알칼리 공급원의 몰 수(mole number)는 상기 알칼리 공급원 내 금속 원소의 산화물의 몰 수에 기초하고;
H2O/Al2O3 = 100-400; 및
테트라알킬암모늄 양이온을 포함하는 화합물/Al2O3 = 0.1-6; 여기에서 상기 테트라알킬암모늄 양이온을 포함하는 화합물의 몰 수는 상기 화합물 내 질소 원자의 몰 수에 기초하고; 및
b) Y형 분자체를 수득하기 위해 상기 단계 a)에서 얻어진 초기 겔 혼합물을 고압 합성 케틀(kettle)에 공급하고, 상기 케틀을 밀봉하고, 1-30일 동안 70-130℃에서 결정화를 수행한 후 세척하고 건조시키는 단계;
를 포함한다.
상기 초기 겔에서, 상기 실리콘 공급원의 몰 수는 SiO2의 몰 수에 기초하고; 상기 알루미늄 공급원의 몰 수는 Al2O3에 기초하고; 상기 알칼리 공급원의 몰 수는 알칼리 공급원 내 금속 원소의 산화물의 몰 수에 기초하며, 예를 들어 상기 알칼리 공급원이 소듐 하이드록사이드라면 알칼리 공급원/Al2O3 = 1-8, 즉 Na2O/Al2O3 = 1-8이고, 예를 들어 상기 알칼리 공급원이 포타슘 하이드록사이드라면 알칼리 공급원/Al2O3 = 1-8, 즉 K2O/Al2O3 = 1-8이고, 상기 알칼리 공급원이 소듐 하이드록사이드와 포타슘 하이드록사이드라면 알칼리 공급원/Al2O3 = 1-8, 즉 (K2O+Na2O/Al2O3 = 1-8)이고; 테트라알킬암모늄 양이온을 포함하는 화합물의 몰 수는 상기 화합물 내 질소 원소의 몰 수에 기초한다.
바람직하게는, 상기 단계 a)의 초기 겔 혼합물에서, SiO2/Al2O3의 비의 범위는 선택적으로 20, 15 및 12로부터 선택된 상한값을 가지고, 선택적으로 6 및 10으로부터 선택된 하한값을 가지고; 알칼리 공급원/Al2O3의 비의 범위는 선택적으로 5, 3.5 및 2.5로부터 선택된 상한값을 가지고, 선택적으로 1 및 2.5로부터 선택된 하한값을 가지고; H2O/Al2O3의 비의 범위는 선택적으로 400 및 300으로부터 선택된 상한값을 가지고, 선택적으로 100 및 200으로부터 선택된 하한값을 가지고; 테트라알킬암모늄 양이온을 포함하는 화합물/Al2O3의 비의 범위는 선택적으로 6 및 3으로부터 선택된 상한값을 가지고, 선택적으로 0.1, 1.0 및 1.8로부터 선택된 하한값을 가진다.
바람직하게는, 상기 단계 b)에서, 상기 초기 겔 혼합물은 1-100 시간 동안 50℃ 이하의 온도에서 숙성된 후, 고압 합성 케틀로 공급된다.
바람직하게는, 상기 단계 a)에서, 상기 실리콘 공급원은 실리카 졸(silica sol), 활성 실리카(activated silica) 및 오르토실리케이트(orthosilicate)로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 하나이고; 상기 알루미늄 공급원은 소듐 알루미네이트(sodium aluminate), 활성 알루미나(activated alumina) 및 알루미늄 알콕사이드(aluminum alkoxide)로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나이고; 상기 알칼리 공급원은 소듐 하이드록사이드 및/또는 포타슘 하이드록사이드이다.
바람직하게는, 상기 단계 b)에서, 상기 초기 겔 혼합물은 8-72 시간 동안 10-50℃의 온도에서 숙성된 후, 고압 합성 케틀로 공급된다.
바람직하게는, 상기 단계 b)에서, 상기 결정화 온도는 80-120℃이고, 상기 결정화 시간은 3-20일이다.
바람직하게는, 상기 단계 b)에서, 상기 결정화는 정적(static) 또는 동적(dynamic) 상태로 수행된다.
본 발명에서, 정적 상태로 수행되는 결정화 공정은 초기 겔 혼합물로 채워진 합성 케틀이 결정화 공정에서 오븐 내에 그대로 있고, 상기 합성 케틀 내의 혼합물은 교반되지 않은 것을 의미한다.
본 발명에서, 동적 상태로 수행되는 결정화 공정은 초기 겔 혼합물로 채워진 합성 케틀이 결정화 공정에서 롤링(rolling), 회전(rotating) 등과 같은 비-정적 상태(non-static state)에 있거나; 합성 케틀 내의 혼합물이 결정화 공정에서 교반되는 것을 의미한다.
바람직한 구현에 따라, 본 발명의 방법은 하기 단계:
a) 하기 비를 가지는 초기 겔 혼합물을 수득하기 위해 탈이온수, 실리콘 공급원, 알루미늄 공급원, 소듐 하이드록사이드 및 테트라에틸암모늄 양이온을 포함하는 화합물을 혼합하는 단계:
SiO2/Al2O3 = 6-20;
Na2O/Al2O3 = 1-8;
H2O/Al2O3 = 100-400; 및
TEA+/Al2O3 = 0.1-6; TEA+는 테트라에틸암모늄 양이온을 나타내고;
b) 균질 겔 혼합물을 수득하기 위해 상기 단계 a)에서 수득한 초기 겔 혼합물을 50℃ 이하의 온도에서 유지하고, 1-100 시간 동안 교반 및 숙성시키는 단계;
c) 상기 단계 b)에서 수득한 균질 겔 혼합물을 고압 합성 케틀 내로 공급하고, 상기 케틀을 밀봉하고, 70-130℃로 가열하고, 자율 압력(autogenic pressure)하에서 결정화를 3-30일 동안 수행하는 단계; 및
d) 높은 실리카 대 알루미나 비를 가지는 NaY형 분자체를 수득하기 위해 상기 결정화 완료 후, 고체 생성물을 분리하고, 탈이온수로 중성이 되도록 세척하고 건조하는 단계;
를 포함한다.
상기 테트라에틸알루미늄 양이온을 포함하는 화합물은 일반식 (1)의 화합물이며, 여기에서 R1, R2, R3 및 R4는 모두 에틸기이다.
본 발명은 또한 Y형 분자체의 실리카 대 알루미나 비가 적어도 6인 것을 특징으로 하는, 상기 기술한 방법에 의해 제조된 높은 실리카 대 알루미나 비를 가지는 Y형 분자체를 제공한다.
본 발명은 또한 NaY형 분자체의 실리카 대 알루미나 비가 적어도 6인 것을 특징으로 하는, 상기 기술한 방법에 의해 제조된 높은 실리카 대 알루미나 비를 가지는 NaY형 분자체를 제공한다.
본 발명은 하기의 이로운 효과를 가진다:
(1) 높은 실리카 대 알루미나 비를 가지는 Y형 분자체는 주형제로서 테트라알킬암모늄 양이온을 포함하는 화합물을 사용하여, 열수 공정에 의해 직접 제조되며,
(2) 상기 제조된 Y형 분자체는 적어도 6의 실리카 대 알루미나 비, 높은 결정화도, 높은 활성 및 우수한 안정성을 가진다.
도 1은 샘플 1의 X-레이 회절 스펙트럼이다.
도 2는 샘플 1의 주사전자현미경(SEM) 이미지이다.
도 3은 샘플 1의 실리콘 핵자기공명 스펙트럼(29Si-NMR)이다.
본 발명은 실시예에 의해 하기에 상세히 기술될 것이지만, 본 발명이 이들 실시예로 한정되는 것은 아니다.
본 발명에서, 생성물의 X-레이 분말 회절 상 분석(XRD)은 Cu 표적, Kα 방사선원(λ=0.15418 nm), 40 KV의 전압 및 40 mA의 전류를 사용하는 X'Pert PRO X-레이 회절계(PANalytical Corporation, Netherlands)로 수행하였다. 생성물의 상대적 결정화도는 결정면(crystal planes) 111, 331 및 533의 XRD 피크 세기의 합에 기초하여 계산하였다. 100%인 샘플 1의 결정화도와 비교함으로써, 다른 샘플의 상대적 결정화도를 얻었다.
본 발명에서, 생성물의 형태 분석에는 SEM SU8020 주사전자현미경(Hitachis)을 사용하였다.
본 발명에서, 생성물의 실리카 대 알루미나 비는 Magix 2424 X-레이 형광 분석기(XRF, Philips Corporation)를 사용하여 측정하였다.
본 발명에서, 생성물의 실리콘 핵자기공명(29Si MAS NMR) 분석에는 BBO MAS 프로브와 9.4T의 조작 가능한 자기장 세기(operational magnetic field strength)를 갖춘 인피니티 플러스 400WB 고체 핵자기공명 스펙트럼(Varian Corporation, U.S.)을 사용하였다. 생성물의 실리카 대 알루미나 비는 또한 하기 방정식에 따라 29Si MAS NMR의 결과로부터 계산될 수 있고:
NMR SiO2/Al2O3 = 8 * (SQ0 + SQ1 + SQ2 + SQ3 + SQ4)/(SQ1 + 2SQ2 + 3SQ3 + 4SQ4)
여기에서, Qi는 규산 사면체(silicon-oxygen tetrahedron)(SiO4) 주위를 둘러싸고 있는 알루미늄 원소의 수의 차이(i=0, 1, 2, 3, 4)를 나타내고, SQi는 실리콘 핵자기공명 스펙트럼 상에서의 Qi의 대응 피크 면적을 나타낸다.
실시예 1: 샘플 1-41의 제조
테트라알킬암모늄 양이온을 포함하는 화합물과 알칼리 공급원을 탈이온수에 용해시킨 후 알루미늄 공급원을 첨가하고, 투명한 액체가 얻어질 때까지 교반하고; 그 후 실리콘 공급원을 더 첨가하여 균질하게 혼합한 후 초기 겔 혼합물을 얻고; 균질한 겔 혼합물을 제조하기 위해 이 초기 겔 혼합물을 24시간 동안 상온에서 교반하고; 이 균질한 겔 혼합물을 스테인레스 고압 합성 케틀로 옮겼다.
상기 고압 합성 케틀을 밀봉하여 오븐에 넣고, 일정시간 동안 자율 압력하에서 결정화를 수행하였다. 결정화가 완료된 후, 고체 생성물을 원심분리로 분리하고, 중성화시키기 위하여 탈이온수로 세척한 후, 100℃ 공기 중에서 건조시켜 샘플을 수득하였다.
수득된 샘플의 번호, 각각의 원재료의 형태와 몰량, 결정화 온도 및 결정화 시간을 표 1에 상세히 나타내었다.
Figure 112017024049292-pct00002
Figure 112017024049292-pct00003
Figure 112017024049292-pct00004
Figure 112017024049292-pct00005
비교예 1: 샘플 42의 제조
테트라에틸암모늄 하이드록사이드를 초기 겔에 첨가하지 않은 것을 제외하고, 합성 방법, 원재료 제형 및 분석 방법은 실시예 1과 동일하며, 수득된 샘플은 샘플 42로 나타내었다. 특정 원재료 제형, 결정화 반응의 조건 및 분석 결과에 대하여, 상세 사항은 표 1에서 알 수 있다.
실시예 2: 샘플 1-42의 XRD 구조 특성
X-레이 분말 회절을 사용하여 샘플 1-42를 특성화하였다. 결과는 샘플 1-42 모두 Y형 분자체의 구조적 특성을 가짐을 보여주었다. 전형적인 대표예로서 샘플 1을 취하여 그것의 XRD 회절 데이터 결과를 표 2에 나타내었으며, XRD 스펙트럼은 도 1에 나타내었다. 샘플 2-42의 X-레이 분말 회절 데이터 결과는 모두 표 2에 있는 것들과 유사하였다. 즉, 피크의 위치 및 형태는 동일하였으며, 상대적 피크 세기는 합성 조건의 변화에 따라 ±20%의 범위 내에서 변동을 보였다.
결정면 111, 331, 533의 XRD 피크 세기의 합에 기초하여 샘플의 상대적 결정화도를 계산하였다. 100%인 샘플 1의 결정화도와 비교함으로써, 다른 샘플들의 상대적 결정화도를 얻었다.
Figure 112017024049292-pct00006
실시예 3
주사전자현미경을 사용하여 샘플 1-41의 형태론적 특성화를 수행하였다. 그 결과는 그것들 대부분이 팔면체 결정립(octahedral crystal garins)이며, 0.5 μm 내지 30 μm 범위의 입자 크기를 가짐을 보여주었다. 전형적인 대표예로서 샘플 1을 취하여 그것의 주사전자현미경 사진을 도 2에 나타내었으며, 그것의 입자 크기는 1 μm 내지 20 μm 범위를 가진다.
실시예 4
X-레이 형광 분석기(XRF)를 사용하여 샘플 1-42의 실리카 대 알루미나 비를 측정하였고, 상세한 결과를 표 1의 컬럼 "XRF(SiO2/Al2O3)"에 나타내었다.
실리콘 핵자기공명(29Si MAS NMR)을 사용하여 샘플 1-42를 측정하고, 백본에서의 실리카 대 알루미나 비를 계산으로 산출하였으며, 그 상세한 결과를 표 1의 컬럼 "NMR (SiO2/Al2O3)"에 나타내었다. 샘플 1-41의 실리콘 핵자기공명 스펙트럼(29Si-NMR) 결과는 유사하였으며, 전형적인 대표예로서 샘플 1의 29Si-NMR은 도 3에 나타내었다.
상기 표 1의 결과로부터 알 수 있듯이, 본 발명의 방법에 따라 합성된 Y형 분자체 샘플 1-41 모두 6 이상의 XRF 방법에 의해 밝혀진 생성물의 실리카 대 알루미나 비 또는 실리콘 핵자기공명 스펙트럼 데이터에 의해 밝혀진 생성물의 백본에서의 실리카 대 알루미나 중 어느 하나인 실리카 대 알루미나 비를 가진다. 그러나, 테트라알킬암모늄 양이온을 사용하지 않은 비교예에서 합성된 샘플 42에 대하여, 결정화도 및 실리카 대 알루미나 비 양쪽 모두 샘플 1-41의 것보다 더 낮았다. 촉매적 분해 공정(catalytic cracking process)에 대한 연구에 의하면, 높은 결정화도와 높은 실리카 대 알루미나 비를 가지는 Y형 분자체는 활성 및 안정성의 측면에서 촉매적 분해를 현저하게 향상시킬 수 있다.
비록 본 발명은 바람직한 실시예로 상기와 같이 기재되었으나, 이들 실시예는 청구항들을 한정하기 위한 것은 아니다. 여러 가능한 변형 및 변경들이 본 발명의 개념을 벗어나지 않는 범위에서 당업자들에 의해 이루어질 수 있다. 따라서, 본 발명의 보호 범위는 본 발명의 청구항에 의해 정해져야만 한다.

Claims (9)

  1. Y형 분자체를 제조하는 방법에 있어서,
    상기 Y형 분자체는 주형제로서 테트라알킬암모늄 양이온을 포함하는 화합물을 사용함으로써 제조되며,
    상기 테트라알킬암모늄 양이온을 포함하는 화합물은 일반식 (1)로 나타내어지는 화학 구조식을 가지고:
    Figure 112018047185558-pct00013
    일반식 (1)
    일반식 (1)에서,
    R1, R2, R3 및 R4는 각각 독립적으로 1 내지 10의 탄소수를 가지는 알킬기로부터 선택되고; X-m은 m-가(m-valent) 음이온을 나타내며; m은 1, 2 및 3으로부터 선택되는 어느 하나이고,
    여기에서 상기 방법은 적어도 하기 단계:
    a) 하기 몰 비를 가지는 초기 겔 혼합물을 수득하기 위해 탈이온수, 실리콘 공급원, 알루미늄 공급원, 알칼리 공급원, 및 테트라알킬암모늄 양이온을 포함하는 화합물을 혼합하는 단계:
    SiO2/Al2O3 = 6-20;
    알칼리 공급원/Al2O3 = 1; 여기에서 상기 알칼리 공급원의 몰 수(mole number)는 상기 알칼리 공급원 내 금속 원소의 산화물의 몰 수에 기초하고;
    H2O/Al2O3 = 100-400; 및
    테트라알킬암모늄 양이온을 포함하는 화합물/Al2O3 = 0.1-3; 여기에서 상기 테트라알킬암모늄 양이온을 포함하는 화합물의 몰 수는 상기 화합물 내 질소 원자의 몰 수에 기초하고; 및
    b) Y형 분자체를 수득하기 위해 상기 단계 a)에서 얻어진 초기 겔 혼합물을 숙성시킨 후, 고압 합성 케틀(kettle)에 겔 혼합물을 공급하고, 상기 케틀을 밀봉하고, 1-30일 동안 70-130℃에서 결정화를 수행한 후 세척하고 건조시키는 단계;
    를 포함하고,
    상기 Y형 분자체는 적어도 6의 백본(backbone) 내 실리카 대 알루미나 비를 가지며 팔면체 결정립(octahedral crystal garins)을 가지는 것인, Y형 분자체를 제조하는 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 일반식 (1)에서, R1, R2, R3 및 R4는 각각 독립적으로 1 내지 5의 탄소수를 가지는 알킬기로부터 선택되고; X-m은 OH-, BF4 -, F-, Cl-, Br-, I-, NO3 -, H2PO3 -, HPO3 2-, PO3 3-, SO4 2-, 및 HSO4 -로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 하나인 것인, Y형 분자체를 제조하는 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 테트라알킬암모늄 양이온을 포함하는 화합물은 테트라에틸암모늄 하이드록사이드(tetraethylammonium hydroxide), 테트라에틸암모늄 클로라이드(tetraethylammonium chloride), 테트라에틸암모늄 브로마이드(tetraethylammonium bromide), 테트라에틸암모늄 아이오다이드(tetraethylammonium iodide), 테트라에틸암모늄 테트라플루오로보레이트(tetraethylammonium tetrafluoroborate), 테트라부틸암모늄 하이드록사이드(tetrabutylammonium hydroxide), 테트라메틸암모늄 하이드록사이드(tetramethylammonium hydroxide) 및 테트라프로필암모늄 하이드록사이드(tetrapropylammonium hydroxide)로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나인 것인, Y형 분자체를 제조하는 방법.
  4. 삭제
  5. 제1항에 있어서,
    상기 단계 b)에서, 상기 초기 겔 혼합물은 1-100 시간 동안 50℃ 이하의 온도에서 숙성된 후 고압 합성 케틀로 공급되는 것인, Y형 분자체를 제조하는 방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 단계 a)에서, 상기 실리콘 공급원은 실리카 졸(silica sol), 활성 실리카(activated silica) 및 오르토실리케이트(orthosilicate)로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 하나이고; 상기 알루미늄 공급원은 소듐 알루미네이트(sodium aluminate), 활성 알루미나(activated alumina) 및 알루미늄 알콕사이드(aluminum alkoxide)로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나이고; 상기 알칼리 공급원은 소듐 하이드록사이드 및/또는 포타슘 하이드록사이드인 것인, Y형 분자체를 제조하는 방법.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 단계 b)에서, 상기 초기 겔 혼합물은 8-72 시간 동안 10-50℃의 온도에서 숙성된 후 고압 합성 케틀로 공급되는 것인, Y형 분자체를 제조하는 방법.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 단계 b)에서, 상기 결정화 온도는 80-120℃이고, 상기 결정화 시간은 3-20일인 것인, Y형 분자체를 제조하는 방법.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 단계 b)에서, 상기 결정화는 정적(static) 또는 동적(dynamic) 상태로 수행되는 것인, Y형 분자체를 제조하는 방법.
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