KR101859785B1

KR101859785B1 - 구상 질화알루미늄 분말의 제조 방법

Info

Publication number: KR101859785B1
Application number: KR1020137007737A
Authority: KR
Inventors: 다카토시 무네오카; 가즈타카 와타나베
Original assignee: 가부시끼가이샤 도꾸야마
Priority date: 2010-09-28
Filing date: 2011-09-27
Publication date: 2018-05-18
Also published as: US9090469B2; KR20130098351A; US20130171451A1; EP2623458A1; CN103079996A; JP5618734B2; CN103079996B; TWI496736B; TW201223858A; EP2623458B1; JP2012072013A; EP2623458A4; WO2012043574A1

Abstract

본 발명은 고열전도성 및 충전성이 우수하고, 방열 재료용 충전재로서 유용한 구상 질화알루미늄 분말의 제조 방법을 제공한다.
본 발명의 해결 수단은, 알루미나 또는 알루미나 수화물 100 질량부, 희토류 금속 화합물 0.5 내지 30 질량부, 및 카본 분말 38 내지 46 질량부의 혼합물을 1620 내지 1900 ℃의 온도에서 2시간 이상 환원 질화시킴으로써 제조한 구상 질화알루미늄 분말이다.

Description

구상 질화알루미늄 분말의 제조 방법{METHOD FOR MANUFACTURING SPHERICAL ALUMINUM NITRIDE POWDER}

본 발명은, 수지나 그리스, 접착제, 도료 등에 충전하여 방열성을 향상시키기 위한 방열 재료용 충전재로서 바람직한 구상 질화알루미늄 분말의 제조 방법에 관한 것이다.

질화알루미늄은 전기 절연성이 우수하며 고열전도성을 갖기 때문에, 그의 소결체 또는 분말을 충전시킨 수지나 그리스, 접착제, 도료 등의 재료는 높은 열전도성을 갖는 방열 재료로서 기대된다.

상기 방열 재료의 열전도율을 향상시키기 위해서는, 매트릭스가 되는 수지 중에 고열전도성을 가진 충전재를 고충전시키는 것이 중요하다. 그 때문에, 구상이며, 입경이 수 ㎛ 내지 수십 ㎛ 정도인 질화알루미늄 분말이 강하게 요망되고 있다.

일반적으로, 질화알루미늄 분말의 제조 방법에는 알루미나와 카본과의 조성물을 환원 질화시키는 알루미나 환원 질화법, 알루미늄과 질소를 직접 반응시키는 직접 질화법, 알킬알루미늄과 암모니아를 반응시킨 후 가열하는 기상법 등이 알려져 있다. 그 중, 환원 질화법 및 기상법으로 얻어지는 질화알루미늄 분말은 형상이 구상에 가깝지만, 그의 입경은 서브미크론 오더인 것만이 얻어지고 있는 것이 현실이다.

한편, 직접 질화법에 의해 얻어지는 질화알루미늄 분말은 분쇄ㆍ분급함으로써 제조되기 때문에 입경의 제어가 비교적 용이하고, 입경이 수 ㎛ 내지 수십 ㎛ 정도인 질화알루미늄 분말을 얻는 것은 가능하지만, 이러한 분말을 구성하는 입자는 네모진 형태를 한 비구상체이다. 따라서, 상기한 방법에 의해 얻어지는 질화알루미늄 분말은 수지 중에 고충전시키는 것이 곤란하였다.

따라서, 구상이며 원하는 입경을 가진 질화알루미늄 분말을 얻기 위해 다양한 방법이 검토되고 있다.

예를 들면, 특허문헌 1에는 알루미나 분말과 탄소 분말의 혼합물을 불활성 분위기 중에서 소성시켜 탄화알루미늄을 생성시킴으로써 입자 성장시키고, 이어서 질소를 포함하는 비산화성 분위기하에 소성시킴으로써, 평균 입경이 3 ㎛ 이상인 둥근 기가 있는 형상을 갖는 질화알루미늄 분말을 얻는 방법이 개시되어 있다. 그러나, 이 방법에서는 소성 분위기의 변환을 수반하기 때문에, 알루미나 입자의 성장을 제어하는 것, 즉 얻어지는 질화알루미늄 분말의 입도 분포를 제어하는 것이 곤란하다.

또한, 특허문헌 2에는 구상의 알루미나를 카본의 존재하에 질소 가스 또는 암모니아 가스에 의해 환원 질화시키고, 그 후 표면 산화시킴으로써, 평균 입경이 50 ㎛ 이하, 진구도가 0.8 이상인 내수성이 우수한 구상 질화알루미늄 분말을 제조하는 방법이 개시되어 있다. 그러나, 상기 제조 방법은 원료가 되는 알루미나의 구상을 그대로 최종 제품의 질화알루미늄 분말의 형상으로 하기 때문에, 목적으로 하는 입경과 동등한, 큰 입경의 알루미나를 사용하는 것이 필요하다. 이러한 입경이 큰 알루미나에 대한 환원 질화에서는 그의 전화율을 향상시키기 위해 장시간의 반응이 필요해지며, 그 결과 얻어지는 질화알루미늄의 산소 농도가 높아지고 이에 따라 그의 열전도성도 저하된다.

한편, 특허문헌 3에는 산화알루미늄 분말과, 탄소 분말과, 알칼리 토류 금속 화합물이나 희토류 원소 화합물과의 혼합 분말을 출발 원료로 하여, 질소를 포함하는 비산화성 분위기 중에서 소성시켜 질화알루미늄 분말을 제조하는 방법이 개시되어 있다. 이 방법은 알칼리 토류 금속 화합물이나 희토류 화합물이 반응을 촉진시키는 기능을 이용하여, 1,500 ℃ 이하의 저온에서 질화알루미늄을 생성시키고자 하는 것이다. 그러나, 이 방법으로 얻어지는 질화알루미늄 분말은 구체적으로 입경이 겨우 1 ㎛ 정도로, 수 ㎛ 오더의 비교적 큰 입경인 것은 얻어지고 있지 않다.

또한, 특허문헌 4에는 부정형의 질화알루미늄 분말을, 알칼리 토류 원소, 희토류 원소 등의 화합물을 포함하는 플럭스 중에서 숙성(열 처리)시킴으로써 구상화한 후, 플럭스를 용해시켜 단리한 결정질 질화알루미늄 분체를 얻는 방법이 개시되어 있다. 이 방법에서는 높은 유동성과 고충전율이 얻어지지만, 질화알루미늄 분말 중에 불순물이 혼입되기 쉽고, 엄밀한 제조 조건의 제어를 필요로 하며, 공정이 많아 제조 비용은 높아진다.

일본 특허 공개 (평)3-23206호 공보 일본 특허 공개 (평)2005-162555호 공보 일본 특허 공개 (평)5-221618호 공보 일본 특허 공개 제2002-179413호 공보

따라서, 본 발명의 목적은 충전재 용도에 최적인 구상의 형상을 갖고, 평균 입경이 3 ㎛ 내지 30 ㎛의 크기인 구상 질화알루미늄 분말을 양호한 생산성으로 얻기 위한 제조 방법을 제공하는 것에 있다.

본 발명자들은, 상기 과제를 해결하기 위해 예의 연구를 행한 결과, 알루미나 또는 알루미나 수화물과, 카본 분말과, 희토류 금속을 포함하는 화합물을 특정한 비율로 혼합한 혼합 분말을 사용하여, 특정한 온도하에 환원 질화시킴으로써, 구상이며 원하는 입경을 가진 질화알루미늄 분말이 양호한 생산성으로 얻어진다는 것을 발견하여, 본 발명을 완성하기에 이르렀다.

즉, 본 발명에 따르면, 100 질량부의 알루미나 또는 알루미나 수화물과, 0.5 내지 30 질량부의 희토류 금속을 포함하는 화합물과, 38 내지 46 질량부의 카본 분말을 혼합하고,

상기 혼합물을 질소 함유 분위기하에 1620 내지 1900 ℃의 온도로 2시간 이상 유지시킴으로써, 알루미나 또는 알루미나 수화물을 환원 질화시키는 것

을 특징으로 하는 구상 질화알루미늄 분말의 제조 방법이 제공된다.

또한, 본 발명에 따르면, 평균 입경이 3 내지 30 ㎛, 산화물 환산으로 희토류 금속 함유량이 0.4 중량％ 내지 28 중량％의 범위에 있고, 질화알루미늄 결정의 C축의 격자 상수가 4.9800 Å 이상인 질화알루미늄 입자로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 구상 질화알루미늄 분말이 제공된다. 이러한 구상 질화알루미늄 분말은 상기한 방법으로 제조할 수 있다.

본 발명의 제조 방법에 의해 얻어지는 구상 질화알루미늄 분말은, 모서리가 없는, 둥근 기가 있는 형상의 입자이고, 상기 입자의 장경과 단경의 비(DS/DL)는 0.75 이상이며 높은 진구도를 갖는다. 또한, 그의 평균 입경이 3 내지 30 ㎛이고, 희토류 금속을 일정량 포함하고 있는 것과 관련하여 산소 함량이 적고, 이에 따라 질화알루미늄 결정의 C축의 격자 상수가 4.9800 Å 이상으로 되어 있다.

또한, 평균 입경은 레이저 회절/산란법에 의해 측정한 입도 분포에 있어서의 누적 부피가 50 ％일 때의 입경을 말한다.

또한, 질화알루미늄 결정의 C축의 격자 상수는 X선 회절 장치를 사용하고, Si를 외부 표준 물질로서 이용하여 측정한 값이다.

즉, 본 발명에 의해 얻어지는 질화알루미늄 분말은 평균 입경이 3 내지 30 ㎛라는 종래에 없는 큰 입경을 가지면서, 질화알루미늄 결정의 C축의 격자 상수가 4.9800 Å 이상으로 큰 값을 나타낸다. 이 C축의 격자 상수는 질화알루미늄 입자의 고용 산소 농도를 평가하는 지표가 되는 것이며, 이 값이 큰 질화알루미늄 입자일수록 고용 산소 농도가 낮고, 따라서 그의 열전도율이 높다.

이와 같이, 본 발명에 따르면 충전재 용도에 최적인 입경, 형상을 가진 질화알루미늄 분말을 양호한 생산성으로 얻을 수 있다. 예를 들면, 이 구상 질화알루미늄 분말은 진구도가 높은 구형이며, 원하는 입경을 갖고 있고, 수지나 그리스에 고충전시킬 수 있을 뿐만 아니라, 그의 열전도율도 높아, 방열 재료에 높은 열전도율을 부여할 수 있다.

또한, 본 발명의 제조 방법에 의해 상기한 바와 같은 특성을 갖는 구상 질화알루미늄 분말이 얻어지는 작용 메커니즘으로서, 본 발명자들은 이하와 같이 추정하고 있다.

즉, 본 발명의 방법에 있어서는 알루미나 등과 함께 희토류 금속을 포함하는 화합물을 사용함으로써, 특정한 환원 질화의 온도 조건에서, 우선 알루미나가 용해된 액상이 형성되고, 이 때 알루미나에 대한 카본 분말의 배합량이 일정한 범위로 제어되어 있기 때문에, 형성된 액상에 용해되는 알루미나의 양이 조정되고, 이에 따라 원하는 입경을 갖는 응집물을 형성할 수 있으며, 동시에 환원 질화도 진행된다. 또한, 이 환원 질화가 특정한 온도 조건에서 행해지기 때문에, 입자 내에 잔존하는 희토류 금속을 포함하는 화합물에 의해 질화알루미늄 결정 중에 고용된 산소량이 감소되고, 그 결과 상기한 바와 같은 특성의 구상 질화알루미늄 분말이 얻어지는 것으로 생각된다.

[도 1] 실시예 1에서 얻어진 구상 질화알루미늄 분말의 입자 구조를 나타내는 전자 현미경 사진이다.

본 발명의 제조 방법에서는, Al원과, 카본 분말과, 희토류 금속을 포함하는 화합물을 사용하여, 이들을 특정한 양비로 혼합하고, 이 혼합물을 특정한 조건으로 환원 질화 처리하고, 나아가 필요에 따라 탈탄소 처리가 행해져, 이에 따라 목적으로 하는 구상 질화알루미늄 분말이 양호한 재현성으로 제조된다.

<Al원>

Al원으로서는 알루미나 또는 알루미나 수화물이 사용된다.

이러한 Al원은 α, γ, θ, δ, η, κ, χ 등의 결정 구조를 갖는 알루미나나, 베마이트, 다이어스포어(diaspore), 깁사이트, 바이어라이트, 토다이트(tohdite) 등 가열에 의해 탈수 전이되어 최종적으로 전부 또는 일부가 α-알루미나로 전이되는 알루미나 수화물일 수도 있고, 이들은 단독으로 또는 종류가 상이한 것이 혼합된 상태로 이용할 수도 있다. 본 발명에서는 특히 반응 활성이 높고, 제어가 용이한 α-알루미나, γ- 알루미나, 베마이트가 Al원으로서 바람직하게 이용된다.

또한, 상기 Al원으로서 사용되는 알루미나 또는 알루미나 수화물은, 평균 입경이 2 ㎛ 이하인 것이 바람직하다. 즉, 평균 입경이 큰 입자를 이용한 경우에는, 환원 질화의 진행이 느려질 우려가 있기 때문이다.

<카본 분말>

본 발명에서 이용하는 카본 분말은 환원제로서 기능하는 것으로, 카본 블랙, 흑연 분말을 사용할 수 있다. 카본 블랙으로서는, 퍼니스 블랙, 채널 블랙 및 아세틸렌 블랙이 바람직하게 사용된다.

이용하는 카본 분말의 BET 비표면적은 0.01 내지 500 m²/g인 것을 이용하는 것이 바람직하다.

<희토류 금속 화합물>

본 발명에서 이용하는 희토류 금속을 포함하는 화합물에 있어서, 희토류 금속으로서는 이트륨, 란탄, 프라세오디뮴, 테르븀 등을 들 수 있고, 그의 화합물로서는 산화물, 탄화물 또는 할로겐화물이 대표적이다.

본 발명에서는 이러한 희토류 금속 화합물 중에서, 1200 내지 1900 ℃, 특히 1300 내지 1800 ℃에서 알루미나와 공융해될 수 있는 것이 바람직하게 사용된다. 예를 들면, 알루미나와 공융해될 수 있는 온도가 1200 ℃ 미만인 화합물을 이용한 경우, 알루미나 입자끼리 응집되기 쉬워지고, 상기 온도가 1900 ℃를 초과하는 화합물을 이용한 경우, 구상화가 곤란해지는 경향이 있다.

바람직한 희토류 금속 화합물의 예로서는, 산화이트륨, 산화란탄, 산화프라세오디뮴, 산화테르븀 등의 산화물, 및 불화물 등의 할로겐화물을 들 수 있고, 이들은 1종 단독으로 사용할 수도 있고, 복수종을 병용할 수도 있다. 이들 희토류 금속 화합물 중에서도 이트륨, 란탄계의 화합물이 바람직하고, 산화이트륨이 가장 바람직하다.

또한, 희토류 금속원소를 포함하는 화합물은, 환원 질화 중에 상기에서 예시한 희토류 금속의 산화물, 탄화물 또는 할로겐화물을 생성할 수 있는 것일 수도 있다. 예를 들면, 희토류 금속의 탄산염, 질산염, 아세트산염, 수산화물 등도 바람직하게 사용할 수 있다.

본 발명에서 이용하는 희토류 금속 화합물은 입상이며, 그의 입경은 특별히 제한되지 않지만 일반적으로 0.01 내지 100 ㎛, 특히 0.1 내지 30 ㎛의 범위의 입경을 갖는 것이 바람직하다. 또한, 그의 비표면적(BET)도 특별히 제한되지 않지만 일반적으로 0.01 내지 500.0 m²/g, 특히 0.1 내지 100.0 m²/g의 범위에 있는 것이 바람직하게 사용된다.

<기타 재료>

또한, 본 발명에서는 목적으로 하는 형상, 입경 등을 갖지만 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에서 소결 보조제, 예를 들면 1200 내지 1900 ℃, 바람직하게는 1300 내지 1800 ℃에서 알루미나와 공융해될 수 있는 알칼리 토류 금속의 산화물, 탄화물 또는 할로겐화물 등(대표적으로는 산화칼슘)을 병용할 수도 있다.

<원료 혼합>

상술한 각 원료는 혼합되어 환원 질화 공정에 제공된다. 혼합 수단은, 각 원료가 균일해지는 방법이면 특별히 제한되지 않지만, 통상은 블렌더, 믹서, 볼밀을 이용하여 행해진다.

상기한 혼합에 있어서는, 알루미나 등의 Al원 100 질량부에 대하여 희토류 금속 화합물을 산화물 환산으로 0.5 내지 30 질량부, 바람직하게는 1 내지 25 질량부, 더욱 바람직하게는 2 내지 10 질량부의 양으로 사용하고, 카본 분말을 38 내지 46 질량부, 바람직하게는 39 내지 45 질량부, 더욱 바람직하게는 40 내지 44 질량부의 양으로 사용한다.

예를 들어 희토류 금속 화합물의 사용량이 적은 경우에는, 질화알루미늄 입자의 입자 성장이 불만족스럽게 되어 입경이 3 미크론 이상이 되지 않으며, 질화알루미늄 결정의 C축의 격자 상수도 작아진다. 이것은 환원 질화시에 충분한 양의 액상이 생성되지 않았기 때문인 것으로 추정된다. 또한, 희토류 금속 화합물의 사용량이 지나치게 많으면, 희토류 금속 원소 화합물이 질화알루미늄 분말 중에 불순물로서 잔존하고, 질화알루미늄 입자끼리의 응집이 발생하여, 얻어지는 질화알루미늄 분말에는 필요 이상으로 조대한 조립이 많이 포함되게 된다.

또한, 카본 분말의 사용량이 지나치게 많으면, 상기 알루미나 등의 Al원이 혼합물 중에 성긴 상태로 존재하게 되고, 소성시에 질화알루미늄의 입자 성장이 불충분해져, 3 미크론 이상의 평균 입경을 갖는 구상 질화알루미늄 분말을 얻을 수 없게 된다. 또한, 카본 분말의 사용량이 지나치게 적으면, 알루미나 등의 Al원의 응집이 심하여, 희토류 금속 화합물의 사용량이 지나치게 많은 경우와 마찬가지로, 얻어지는 질화알루미늄 분말은 필요 이상으로 조대한 조립이 많이 포함되게 된다.

<환원 질화>

본 발명에서 환원 질화는, 적어도 상술한 Al원, 카본 분말 및 희토류 금속 화합물을 포함하는 원료 혼합물을 질소 함유 분위기하(예를 들면 질소 가스 유통하)에 1620 내지 1900 ℃, 바람직하게는 1650 ℃ 내지 1800 ℃, 가장 바람직하게는 1680 내지 1750 ℃의 온도에서 2 내지 50시간, 바람직하게는 5 내지 20시간, 가장 바람직하게는 8 내지 17시간 유지시킴으로써 실시된다.

즉, Al원(알루미나 또는 알루미나 수화물)의 미세한 입자를 희토류 금속 화합물(공융해제)과 함께, 환원제인 카본 분말이 공존하는 조건하에 상기 온도 범위로 유지시켜 소성시킴으로써, Al원의 환원 질화를 진행시키는 것이다.

본 발명에서, 첨가하는 희토류 금속 화합물은 환원 질화시에도 거의 비산되지 않기 때문에, AlN 입자의 고용된 산소를 효율적으로 감소시킬 수 있다. 얻어지는 질화알루미늄 분말 중의 희토류 금속 함유량은 0.4 내지 28 중량％이다.

소성 온도가 1620 ℃ 미만이면 AlN 결정의 C축의 격자 상수가 작아, AlN 입자 자체의 열전도율이 낮아진다. 한편, 소성 온도가 1900 ℃를 초과하면 희토류 금속 화합물이 단시간에 비산되어, 열전도율이 낮은 산질화물(AlON)이 생성되거나, 산소가 AlN 입자에 고용되기 쉬워지고, AlN 입자 자체의 열전도성이 낮아지거나, AlN 입자끼리 응집되기 쉬워진다.

또한, AlN 입자에 고용된 산소의 양은 상술한 AlN 결정의 C축의 격자 상수로부터 추정할 수 있다.

또한, 소성 시간이 2 시간 미만이면 질화 반응이 완결되지 않거나, AlN 입자의 구상화가 진행되지 않고, AlN 결정의 C축의 격자 상수가 작아진다. 한편, 소성 시간이 50시간을 초과하면, AlN 입자끼리 응집되어 조립이 발생하기 쉬워지는 경향이 있다.

상기한 바와 같은 소성(환원 질화)은, 원료 혼합 분말 중에 질소가 충분히 확산되는 방법이면 어떠한 방법도 채용할 수 있으며, 예를 들면 원료 혼합 분말을 카본제의 세터(setter) 등에 충전시키고 질소를 유통시켜 소성을 행하는 방법, 로터리 킬른에 원료 혼합 분말을 공급하고 소성을 행하는 방법, 유동층을 이용하여 원료 혼합 분말의 소성을 행하는 방법 등을 채용할 수 있으며, 이들 중에서 카본제의 세터 등에 충전시키고 질소를 유통시켜 소성을 행하는 방법이 특히 바람직하다.

<탈탄소 처리>

본 발명에서 상기 반응에 의해 얻어진 질화알루미늄 분말은 잉여의 카본 분말을 포함하고 있기 때문에, 탈탄소 처리를 행하는 것이 바람직하다.

이 탈탄소 처리는 탄소를 산화시켜 제거하는 것이며, 산화성 가스를 이용하여 행한다. 이 산화성 가스로서는, 공기, 산소 등 탄소를 제거할 수 있는 가스이면 어떠한 제한 없이 채용할 수 있지만, 경제성이나 얻어지는 질화알루미늄의 산소 농도를 고려하여 공기가 바람직하다. 또한, 처리 온도는 일반적으로 500 내지 900 ℃가 바람직하고, 탈탄소의 효율과 질화알루미늄 표면의 과잉 산화를 고려하여 600 내지 750 ℃가 바람직하다.

산화 온도가 지나치게 높으면 질화알루미늄 분말의 표면이 지나치게 산화되어, 목적으로 하는 산소 농도를 갖는 구상 질화알루미늄 분말이 얻어지기 어려운 경향이 있기 때문에 적당한 산화 온도와 시간을 선택하는 것이 바람직하다.

<구상 질화알루미늄 분말>

이렇게 하여 얻어지는 본 발명의 구상 질화알루미늄 분말은 평균 입경이 3 내지 30 ㎛, 바람직하게는 3 내지 20 ㎛, 더욱 바람직하게는 3 내지 10 ㎛ 이다.

또한, 이 구상 질화알루미늄 분말 중에는, 상술한 희토류 금속 화합물의 사용에 따라 희토류 금속 화합물(가장 바람직하게는 산화이트륨)이 산화물 환산으로 0.4 내지 28 중량％, 바람직하게는 0.9 내지 23 중량％, 가장 바람직하게는 1.8 내지 9.0 중량％의 양으로 포함되어 있고, 이러한 희토류 금속량과 관련하여 AlN 결정의 C축의 격자 상수가 4.9800 Å 이상, 특히 4.9802 Å 이상, 나아가서는 4.9804 Å 이상의 값을 나타내어, 이로부터 질화알루미늄 입자로의 산소 고용이 적다는 것을 알 수 있다. 즉, 이러한 값은 상술한 특정한 희토류 금속 원소를 포함하는 화합물을 사용하여 특정한 제조 방법에 의해 달성되는 값이며, 본 발명의 구상 질화알루미늄은 이에 따라 높은 열전도율을 발휘하고, 이것을 수지에 충전시킨 경우, 열전도성이 높다는 개선 효과가 얻어진다.

또한, 이러한 분말을 구성하는 AlN 입자의 장경과 단경의 비(DS/DL)는 0.75 이상, 바람직하게는 0.80, 더욱 바람직하게는 0.85 이상이다. 상기 질화알루미늄 입자의 장경과 단경의 비가 0.75 이상이면, 매트릭스가 되는 수지에 고충전시킬 수 있다. 또한, 이 AlN 입자는 상기 DS/DL을 가짐과 동시에, 도 1의 현미경 사진에 나타나 있는 바와 같이 모서리가 없는 형상을 갖고 있고, 개개의 입자가 거의 구상이다.

<후처리>

이러한 구상 질화알루미늄 분말(특히 탈탄소 처리가 된 것)은 필요에 따라 분쇄, 분급을 행하여, 목적에 따른 입도로 조정된다.

또한, 내수성이나 수지와의 상용성을 향상시키기 위해, 질화알루미늄 입자의 표면을 공지된 방법으로 처리할 수 있다. 구체적으로는, 실리콘 오일, 실릴화제, 실란 커플링제 등의 유기 규소 화합물, 인산 또는 인산염, 지방산에 의한 처리, 폴리아미드 수지 등의 고분자에 의한 피막 처리, 알루미나, 실리카 등의 무기질 피막 처리 등을 들 수 있다.

<용도>

본 발명의 방법에 의해 얻어진 구상 질화알루미늄 분말은 질화알루미늄의 성질을 살린 다양한 용도, 특히 방열 시트, 방열 그리스, 방열 접착제, 도료, 열전도성 수지 등의 방열 재료용 충전재로서 폭넓게 이용할 수 있다.

여기서 방열 재료의 매트릭스가 되는 수지, 그리스는, 에폭시 수지, 페놀 수지 등의 열경화성 수지나, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리아미드, 폴리카르보네이트, 폴리이미드, 폴리페닐렌술피드 등의 열가소성 수지, 또한 실리콘 고무, EPR, SBR 등의 고무류, 실리콘 오일을 들 수 있다.

이들 중 방열 재료의 매트릭스로서는, 예를 들면 에폭시계 수지, 실리콘계 수지가 바람직하고, 고유연성 방열 부재로 하기 위해서는 부가 반응형 액상 실리콘 고무가 바람직하다.

방열 재료의 열전도성을 향상시키기 위해, 수지, 고무 또는 오일 100 질량부당 충전재를 150 내지 1000 질량부 첨가하는 것이 바람직하다. 이러한 방열 재료에는, 본 발명의 구상 질화알루미늄 분말 이외에 알루미나, 질화붕소, 산화아연, 탄화규소, 그래파이트 등의 충전재를 1종 또는 여러 종류 충전시킬 수도 있고, 방열 재료의 특성이나 용도에 따라 본 발명의 구상 질화알루미늄 분말과 그 이외의 충전재의 형상, 입경을 선택할 수 있다. 이들 충전재는, 예를 들면 실란 커플링제로 표면 처리한 것을 사용할 수도 있다. 또한, 방열 재료에 있어서 구상 질화알루미늄 분말과 그 이외의 충전재의 혼합비는 1:99 내지 99:1의 범위에서 적절하게 조정할 수 있다. 또한, 방열 재료에는, 가소제, 가황제, 경화 촉진제, 이형제 등의 첨가제를 더 첨가할 수도 있다.

상기한 수지 조성물은 블렌더나 믹서로 혼합함으로써 제조할 수 있으며, 또한 방열 재료는, 프레스 성형법, 압출 성형법, 닥터 블레이드법에 의해 수지 조성물을 성형하고, 그것을 가열 경화시킴으로써 제조할 수 있다.

[실시예]

이하, 본 발명을 더욱 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예로 한정되는 것이 아니다. 실시예 및 비교예에서의 각종 물성은, 하기의 방법에 의해 측정하였다.

(1) 평균 입경

평균 입경(D₅₀)은, 시료를 균질기로 피로인산 소다 수용액 중에 분산시키고, 레이저 회절 입도 분포 장치(니키소 가부시끼가이샤 제조 MICROTRAC HRA)로 측정하였다.

(2) 입자 형상

질화알루미늄 분말의 형상은, 주사형 전자 현미경(히따찌 세이사꾸쇼 제조 S-2600 N)으로 관찰하였다.

(3) 입자의 구형도(장경과 단경의 비)

전자 현미경의 사진상으로부터 임의의 입자 100개를 선택하고, 스케일을 이용하여 입자상의 장경(DL)과 단경(DS)을 측정하고, 그의 비(DS/DL)의 평균값을 구형도의 기준으로 하였다.

(4) 양이온 불순물 함유량

양이온 불순물 함유량(금속 원소 농도)은 질화알루미늄 분말을 알칼리 용융시킨 후, 산으로 중화시키고, ICP 발광 분석계(시마즈 세이사꾸쇼 제조 ICPS-7510)를 사용하여 정량하였다.

(5) AlN 결정의 C축의 격자 상수

질화알루미늄 결정의 C축의 격자 상수는, X선 회절 장치((주)리가꾸 제조 RINT-1400)를 사용하고, Si를 외부 표준 물질로서 이용하여 측정하였다.

(6) 실리콘 고무 시트의 열전도율

열전도성 실리콘 고무 조성물을 10 cm×6 cm, 두께 3 mm의 크기로 성형하여 150 ℃의 열풍 순환식 오븐 중에서 1시간 동안 가열하여 경화시키고, 열전도율계(쿄토 덴시 고교 제조 QTM-500)를 이용하여 열전도율을 측정하였다. 또한, 검출부로부터의 누전 방지를 위해, 두께 10 ㎛의 폴리염화비닐리덴 필름을 통해 측정하였다.

<실시예 1>

Al원으로서 평균 입경 1.2 ㎛, 비표면적 10.7 m²/g의 α알루미나를 사용하고, 카본 분말로서 비표면적 125 m²/g의 카본 블랙을 사용하고, 희토류 금속 화합물로서 평균 입경 1.0 ㎛, 비표면적 11.7 m²/g의 산화이트륨을 사용하였다.

상기한 α알루미나 100 질량부, 카본 블랙 42 질량부 및 산화이트륨 3.0 질량부를 혼합한 후, 혼합물을 그래파이트의 세터에 충전시켰다.

이어서, 질소 분위기하에 소성 온도 1700 ℃, 소성 시간 15시간의 조건에서의 소성에 의해 환원 질화를 행한 후, 공기 분위기하에 700 ℃에서 12시간 산화 처리(탈탄소 처리)를 행하여 질화알루미늄 분말을 얻었다.

얻어진 질화알루미늄 분말의 평균 입경 측정, 형상 관찰, 질화알루미늄 입자의 장경과 단경의 비 측정, 양이온 불순물 함유량 측정, 질화알루미늄 결정의 C축의 격자 상수 측정을 실시하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.

또한, 실리콘 수지로서 밀러블(millable)형 실리콘(모멘티브ㆍ퍼포먼스ㆍ머터리얼즈ㆍ재팬 고도 가이샤 제조 TSE201)을 준비하였다.

얻어진 질화알루미늄 분말 900 질량부와, 상기한 실리콘 수지 100 질량부 및 이형제 0.5 질량부를 가압 혼련기로 혼련하였다. 이어서, 혼련물을 냉각시킨 후에 롤을 이용하여 가교제 0.5부와 혼합한 후, 180 ℃에서 15분간 가압 프레스하여 세로 10 cm, 가로 6 cm, 두께 3 mm의 시트를 얻었다.

얻어진 시트에 대하여, 상술한 방법으로 열전도율을 측정하였다. 결과를 표 1에 함께 나타낸다.

<실시예 2>

Al원의 α알루미나를 평균 입경 1.0 ㎛, 비표면적 12.7 m²/g의 베마이트로 변경한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 구상 질화알루미늄 분말을 제작하였다.

얻어진 구상 질화알루미늄 분말의 평균 입경, 형상, 질화알루미늄 입자의 장경과 단경의 비, 양이온 불순물 함유량, 질화알루미늄 결정의 C축의 격자 상수를 표 1에 나타낸다. 또한, 얻어진 질화알루미늄 분말을 이용하여, 실시예 1과 동일하게 시트를 제작하여 열전도율을 측정하였다. 그 결과를 함께 표 1에 나타낸다.

<실시예 3>

소성 온도를 1650 ℃로 한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 구상 질화알루미늄 분말을 제작하였다.

<실시예 4>

희토류 금속 화합물인 산화이트륨의 배합량을 1.0 질량부로 한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여 구상 질화알루미늄 분말을 제작하였다.

<실시예 5>

산화이트륨의 배합량을 5.0 질량부로 한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 구상 질화알루미늄 분말을 제작하였다.

<실시예 6>

카본 블랙의 배합량을 39 질량부로 한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 구상 질화알루미늄 분말을 제작하였다.

<실시예 7>

산화이트륨의 배합량을 10 질량부로 한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 질화알루미늄 분말을 제작하였다.

<비교예 1>

카본 블랙의 배합량을 36 질량부로 한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 질화알루미늄 분말을 제작하였다.

얻어진 구상 질화알루미늄 분말의 평균 입경, 형상, 질화알루미늄 입자의 장경과 단경의 비, 양이온 불순물 함유량, 질화알루미늄 결정의 C축의 격자 상수를 표 2에 나타낸다.

또한, 얻어진 질화알루미늄 분말을 이용하여, 실시예 1과 동일하게 상기 분말에 실리콘 수지 및 이형제를 혼련시켜 시트를 제작하고자 했지만, 혼련물의 점도가 높아 시트를 제작할 수 없었다.

<비교예 2>

산화이트륨의 배합량을 0.3 질량부로 한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 질화알루미늄 분말을 제작하였다.

또한, 얻어진 질화알루미늄 분말을 이용하여, 실시예 1과 동일하게 상기 분말에 실리콘 수지 및 이형제를 혼련시켜 시트를 제작하고자 했지만, 비교예 1과 마찬가지로 혼련물의 점도가 높아 시트를 제작할 수 없었다.

<비교예 3>

소성 온도를 1920 ℃로 한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 질화알루미늄 분말을 제작하였다.

얻어진 구상 질화알루미늄 분말의 평균 입경, 형상, 질화알루미늄 입자의 장경과 단경의 비, 양이온 불순물 함유량, 질화알루미늄 결정의 C축의 격자 상수를 표 2에 나타낸다. 또한, 얻어진 질화알루미늄 분말을 이용하여, 실시예 1과 동일하게 시트를 제작하여 열전도율을 측정하였다. 그 결과를 함께 표 2에 나타낸다.

<비교예 4>

소성 온도를 1550 ℃로 한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 질화알루미늄 분말을 제작하였다.

<비교예 5>

소성 시간을 1시간으로 한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 질화알루미늄 분말을 제작하였다.

<비교예 6>

산화이트륨의 배합량을 35 질량부로 한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 질화알루미늄 분말을 제작하였다.

본 발명에서 얻어지는 구상 질화알루미늄 분말은 충전재에 적합한 형상, 입경을 갖고 있기 때문에, 수지나 그리스 등의 매트릭스에 대하여 고충전시킬 수 있으며, 열전도율이 높은 방열 시트, 방열 그리스, 방열 접착제 등을 얻을 수 있다.

Claims

100 질량부의 알루미나 또는 알루미나 수화물과, 0.5 내지 30 질량부의 희토류 금속을 포함하는 화합물과, 38 내지 46 질량부의 카본 분말을 혼합하고,
상기 혼합물을 질소 함유 분위기하에 1620 내지 1900 ℃의 온도로 2시간 이상 유지시킴으로써, 알루미나 또는 알루미나 수화물을 환원 질화시키는 것
을 특징으로 하는, 평균 입경이 3 내지 30 ㎛이고, 진구도가 0.75 이상인 구상 질화알루미늄 분말의 제조 방법.

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