KR101485239B1 - 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 - Google Patents

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101485239B1
KR101485239B1 KR20130021111A KR20130021111A KR101485239B1 KR 101485239 B1 KR101485239 B1 KR 101485239B1 KR 20130021111 A KR20130021111 A KR 20130021111A KR 20130021111 A KR20130021111 A KR 20130021111A KR 101485239 B1 KR101485239 B1 KR 101485239B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
liquid
main surface
wafer
liquid film
Prior art date
Application number
KR20130021111A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20130099871A (ko
Inventor
세이 네고로
료 무라모토
도요히데 하야시
고지 하시모토
야스히코 나가이
Original Assignee
가부시키가이샤 스크린 홀딩스
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP2012044651A external-priority patent/JP2013182958A/ja
Priority claimed from JP2012044650A external-priority patent/JP6028892B2/ja
Priority claimed from JP2012059260A external-priority patent/JP5801228B2/ja
Priority claimed from JP2012059259A external-priority patent/JP6008384B2/ja
Priority claimed from JP2012144295A external-priority patent/JP5852927B2/ja
Application filed by 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 filed Critical 가부시키가이샤 스크린 홀딩스
Publication of KR20130099871A publication Critical patent/KR20130099871A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101485239B1 publication Critical patent/KR101485239B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67023—Apparatus for fluid treatment for general liquid treatment, e.g. etching followed by cleaning
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
    • H01L21/0206—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of insulating layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02282—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process liquid deposition, e.g. spin-coating, sol-gel techniques, spray coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/30604—Chemical etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
    • H01L21/31105—Etching inorganic layers
    • H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/6708—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/48—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/48—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
    • C23C16/481—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation by radiant heating of the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/48—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
    • C23C16/482—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation using incoherent light, UV to IR, e.g. lamps

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)

Abstract

기판 처리 장치는, 기판의 주면에 약액을 이용한 처리를 실시하기 위해서 이용된다. 이 기판 처리 장치는, 기판을 유지하는 기판 유지 유닛과, 상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판의 주면에 약액을 공급하는 약액 노즐을 가지는 약액 공급 유닛과, 적외선 램프를 가지고, 상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판의 주면에 대향하여 배치되고, 상기 적외선 램프로부터의 적외선의 방사에 의해, 기판의 주면에 공급된 약액을 가열하는, 기판보다도 소경의 히터와, 상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판의 주면을 따라서 상기 히터를 이동시키는 히터 이동 유닛을 포함한다.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 {SUBSTRATE TREATMENT APPARATUS AND SUBSTRATE TREATMENT METHOD}
본 발명은, 고온의 약액을 이용한 처리를 기판에 실시하기 위한 기판 처리 장치에 관한 것이다. 처리의 대상이 되는 기판에는, 예를 들어, 반도체 웨이퍼, 액정 표시 장치용 유리 기판, 플라즈마 디스플레이용 기판, FED(Field Emission Display)용 기판, 광 디스크용 기판, 자기 디스크용 기판, 광학 자기 디스크용 기판, 포토마스크용 기판, 세라믹 기판, 태양 전지용 기판 등의 기판이 포함된다.
반도체 장치의 제조 공정에는, 예를 들어, 반도체 웨이퍼(이하, 간단히 「웨이퍼」라고 한다)의 주면(표면)에 인, 비소, 붕소 등의 불순물(이온)을 국소적으로 주입하는 공정이 포함된다. 이 공정에서는, 불필요한 부분에 대한 이온 주입을 방지하기 위해, 웨이퍼의 표면에 감광성 수지로 이루어지는 레지스트가 패턴 형성되고, 이온 주입이 불필요한 부분이 레지스트에 의해서 마스크된다. 웨이퍼의 표면 상에 패턴 형성된 레지스터는, 이온의 주입 후는 불필요해지므로, 이온 주입 후에는, 그 웨이퍼의 표면상의 불필요해진 레지스트를 제거하기 위한 레지스트 제거 처리가 행해진다.
대표적인 레지스트 제거 처리에서는, 웨이퍼의 표면에 산소 플라즈마가 조사되어, 웨이퍼의 표면상의 레지스트가 애싱된다. 그리고, 웨이퍼의 표면에 황산과 과산화수소수의 혼합액인 황산과산화수소수 혼합액(sulfuric acid/hydrogen peroxide mixture：SPM액) 등의 약액이 공급되고, 애싱된 레지스트가 제거됨으로써, 웨이퍼의 표면으로부터의 레지스트의 제거가 달성된다.
그런데, 레지스트의 애싱을 위한 산소 플라즈마의 조사는, 웨이퍼의 표면의 레지스트로 덮여지지 않은 부분(예를 들어, 레지스트로부터 노출된 산화막)에 손상을 주어 버린다.
이 때문에, 최근에는, 레지스트의 애싱을 행하지 않고, 웨이퍼의 표면에 SPM액을 공급하고, 이 SPM액에 포함되는 페르옥소-황산(H2SO5)의 강산화력에 의해, 웨이퍼의 표면으로부터 레지스트를 박리하여 제거하는 수법이 주목받고 있다.
그런데, 높은 양의 이온 주입이 행해진 웨이퍼에서는, 레지스트가 탄화 변질에 의해 경화하는 경우가 있다.
SPM액에 높은 레지스트 박리 성능을 발휘시키기 위해서는, SPM액의 액온을 200℃ 이상의 고온까지 승온시킬 필요가 있다. 이러한 SPM액이면, 표면에 경화층을 가지는 레지스트라도, 애싱하지 않고, 웨이퍼의 표면으로부터 제거할 수 있다. 또한, SPM액의 액온을 200℃ 이상으로 유지함으로써, 레지스트의 박리 효율이 높아지므로, 레지스트 박리의 처리 시간의 단축을 도모할 수도 있다.
SPM액 등의 레지스트 박리액을 이용한 레지스트 제거 처리뿐만 아니라, 고온의 인산을 이용한 질화막 등의 선택 에칭 처리 등에 있어서도 동일하고, 약액의 온도를 높게 유지함으로써, 처리 효율의 향상 및 처리 시간의 단축을 도모할 수 있다.
여기서, 본 발명의 하나의 목적은, 기판의 주면의 약액을 고온으로 유지함으로써, 기판의 주면에 약액을 이용한 처리를 양호하게 행할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 제1의 국면은, 기판의 주면에 약액을 이용한 처리를 실시하기 위해서 이용되는 기판 처리 장치로서, 기판을 유지하는 기판 유지 유닛과, 상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판의 주면에 약액을 공급하는 약액 노즐을 가지는 약액 공급 유닛과, 적외선 램프를 가지고, 상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판의 주면에 대향하여 배치되고, 상기 적외선 램프로부터의 적외선의 방사에 의해, 기판의 주면에 공급된 약액을 가열하는, 기판보다도 소경인 히터와, 상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판의 주면을 따라서 상기 히터를 이동시키는 히터 이동 유닛을 포함하는, 기판 처리 장치를 제공한다.
이 구성에 의하면, 히터를 기판의 주면에 대향 배치하면서, 적외선 램프로부터 적외선을 방사시킴으로써, 기판의 주면에 있어서, 히터에 대향하는 영역에 존재하는 약액이 가열된다. 또한, 히터에 의한 가열과 병행하여, 히터를 기판의 주면을 따라서 이동시킨다. 이 때문에, 기판의 주면에 있어서의 히터에 대향하는 영역이, 소정의 궤적 상을 이동하므로, 히터에 의해서 기판의 주면의 전역을 가열할 수 있다. 이에 따라, 기판의 주면에 존재하는 모든 약액을 고온으로 유지할 수 있다. 그 결과, 기판의 주면의 전역에, 약액을 이용한 처리를 양호하고 또한 균일하게 실시할 수 있다.
또한, 기판의 주면의 약액을 고온으로 유지할 수 있으므로, 약액에 의한 처리를 촉진할 수 있어, 약액에 의한 처리 시간을 단축할 수 있다.
본 발명의 일실시 형태에서는, 상기 기판 처리 장치는, 상기 약액 노즐과는 별도로 설치되고, 상기 히터를 가지는 히터 헤드를 더 포함하여, 상기 히터 이동 유닛은, 상기 히터 헤드를 이동시키는 히터 헤드 이동 유닛을 포함한다.
이 구성에 의하면, 히터를 가지는 히터 헤드가, 약액 노즐과는 별도로 설치되어 있다. 히터와 약액 노즐이 공통의 유지 헤드에 유지되어 있으면, 히터에 의한 가열의 대상은, 약액 노즐로부터 기판의 주면에 공급된 직후의 약액에 한정된다.
이에 대하여, 히터 헤드가 약액 노즐과는 별도로 설치되어 있으면, 히터 헤드 및 약액 노즐의 이동의 양태를, 각각 독자적으로 설정할 수 있다. 이 경우, 기판의 주면에 공급되고 나서 시간이 경과하고, 온도 강하하는 약액을 가열할 수 있으므로, 기판의 주면의 약액을 고온으로 양호하게 유지할 수 있다.
본 발명의 일실시 형태에서는, 상기 히터 헤드는, 상기 적외선 램프를 수용하는 바닥이 있는 용기 형상의 램프 하우징을 구비한다.
이 구성에 의하면, 적외선 램프의 주위가 램프 하우징에 의해서 덮여 있다. 이 때문에, 기판의 주면 부근의 약액의 액적을 포함하는 분위기가, 적외선 램프에 악영향을 미치는 것을 방지할 수 있다. 또한, 적외선 램프의 관벽에 약액의 액적이 부착하는 것을 방지할 수 있으므로, 적외선 램프로부터 방사되는 적외선의 광량을 장기에 걸쳐 안정되게 유지할 수 있다.
이 경우, 상기 히터는, 상기 적외선 램프의 조사에 의해 가열되는 상기 램프 하우징의 저판부를 포함하고 있어도 된다.
상기 저판부는, 상기 기판의 주면과 대향하는 평탄한 대향면을 가지고 있는 것이 바람직하다. 이 경우, 대향면과 기판의 주면의 사이의 분위기를, 그 주위로부터 차단할 수 있어, 당해 분위기를 보온시킬 수 있다. 이에 따라, 기판의 주면에 있어서의 대향면에 대향하는 영역에 존재하는 약액의 온도 강하를 억제할 수 있으므로, 당해 영역에 존재하는 약액의 고온화를 한층 더 도모할 수 있다.
상기 램프 하우징은 석영을 이용하여 형성되어 있어도 된다. 램프 하우징은 적외선 램프로부터의 적외선을 받아 고온으로 가열될 우려가 있다. 여기서, 내열성을 가짐과 더불어, 적외선의 투과가 뛰어난 석영을 이용하여 램프 하우징을 형성함으로써, 램프 하우징의 파괴나 용융의 우려가 적어진다.
상기 히터 헤드는, 상기 램프 하우징의 개구부를 폐색하는 뚜껑을 더 구비하고 있는 것이 바람직하다.
이 구성에 의하면, 램프 하우징의 개구부가 뚜껑에 의해서 폐색되어 있다. 이 때문에, 약액의 액적을 포함하는 분위기의 램프 하우징 내로의 진입이 확실하게 저지된다. 이에 따라, 약액의 액적을 포함하는 분위기가 적외선 램프에 악영향을 미치는 것을, 보다 확실하게 방지할 수 있다.
이 경우, 뚜껑과 적외선 램프가 충분한 간격을 두고 배치되어 있으면, 뚜껑이 적외선 램프에 의해서 가열되지 않는다. 따라서, 상기 뚜껑을, 수지 재료를 이용하여 형성할 수도 있다.
상기 히터는, 상기 기판의 주면과 상기 적외선 램프의 사이에 배치되고, 상기 적외선 램프의 조사에 의해 가열되는 대향 부재를 더 포함하고 있어도 된다.
상기 대향 부재는, 상기 기판의 주면과 대향하는 평탄한 대향면을 가지고 있는 것이 바람직하다. 이 경우, 대향면과 기판의 주면의 사이의 분위기를, 그 주위로부터 차단할 수 있어, 당해 분위기를 보온시킬 수 있다. 이에 따라, 기판의 주면에 있어서의 대향 부재에 대향하는 영역에 존재하는 약액의 온도 강하를 억제할 수 있으므로, 상기 영역에 존재하는 약액의 고온화를 한층 더 도모할 수 있다.
상기 적외선 램프는, 상기 기판의 주면에 수직인 축선을 중심축선으로 하는 환상을 이루고 있어도 된다. 이 경우, 적외선 램프가 기판의 주면을 따라서 연장되므로, 보다 대용량의 약액에 대하여, 적외선을 조사할 수 있다.
상기 약액은 레지스트 박리액이어도 된다. 이 경우, 기판의 주면에 존재하는 모든 레지스트 박리액을 고온으로 유지할 수 있으므로, 기판의 주면의 전역으로부터 레지스트를 양호하고 또한 균일하게 제거할 수 있다. 또한, 기판의 주면의 레지스트 박리액을 고온으로 유지할 수 있으므로, 경화층을 가지는 레지스트라도, 애싱하지 않고, 기판의 주면으로부터 제거할 수 있다. 레지스트의 애싱이 불필요하므로, 애싱에 의한 기판 주면의 손상 문제를 회피할 수 있다.
본 발명의 일실시 형태에서는, 상기 기판 유지 유닛은, 기판을 수평 자세로 유지하기 위한 것이며, 상기 기판 처리 장치는, 상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판을, 소정의 연직축선 둘레로 회전시키기 위한 회전 유닛과, 제어 유닛을 포함한다. 제어 유닛은, 상기 약액 공급 유닛을 제어하여 상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판의 주면에 상기 약액 노즐로부터의 약액을 공급함과 더불어, 상기 회전 유닛을 제어하여 상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판을 제1 회전 속도로 회전시킴으로써, 당해 기판의 주면을 덮는 약액의 액막을 형성시키는 액막 형성 공정과, 상기 액막 형성 공정 후, 상기 회전 유닛을 제어하고, 상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판을 제1 회전 속도보다도 낮은 제2 회전 속도로 회전시킴으로써, 상기 기판의 주면 상에 형성된 약액의 액막을, 당해 기판의 주면 상에 유지하는 액막 유지 공정과, 상기 액막 유지 공정과 병행하여, 상기 히터 및 상기 히터 이동 유닛을 제어하고, 상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판의 주면에 상기 히터를 대향 배치시킴과 더불어, 상기 기판의 주면에 유지되어 있는 약액의 액막을 상기 히터에 의해 가열하는 액막 가열 공정과, 상기 액막 유지 공정 및 상기 액막 가열 공정과 병행하여, 상기 히터를 상기 기판의 주면을 따라서 이동시키는 히터 이동 공정을 실행한다.
이 구성에 의하면, 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판의 주면에, 제1 유량의 약액을 공급함과 더불어, 그 기판을 제1 회전 속도로 회전시킴으로써, 기판의 주면에 상기 주면을 덮는 약액의 액막이 형성된다. 그 후, 기판의 회전 속도가 제2 회전 속도로 낮아짐으로써, 기판의 주면 상에 약액의 액막이 계속하여 유지된다. 이 액막의 유지와 병행하여, 기판의 주면에 히터를 대향 배치시킴과 더불어, 히터에 의한 가열을 개시함으로써, 히터에 대향하는 기판의 주면 상의 영역에 존재하는 약액의 액막이 가열된다. 또한, 히터에 의한 가열과 병행하여, 히터를 기판의 주면을 따라서 이동시킴으로써, 히터에 대향하는 기판의 주면 상의 부분을 이동시킬 수 있다. 이 때문에, 히터에 의해서 기판의 주면의 전역을 가열할 수 있다. 이에 따라, 기판의 주면 상에 있는 약액의 거의 전체를 가열하는 것이 가능하다. 이 경우, 기판의 주면상의 전역에 있어서, 약액을 고온으로 유지할 수 있다. 그 결과, 기판의 주면에 대하여, 약액을 이용한 처리를 양호하고 균일하게 실시할 수 있다.
본 발명의 제2의 국면은, 기판의 주면으로부터 레지스트를 제거하기 위한 기판 처리 방법으로서, 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판의 주면에, 소정 유량의 레지스트 박리액을 공급함과 더불어, 상기 기판을 제1 회전 속도로 회전시킴으로써, 그 기판의 주면을 덮는 레지스트 박리액의 액막을 형성시키는 액막 형성 공정과, 상기 액막 형성 공정 후, 상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판을 상기 제1 회전 속도보다도 낮은 제2 회전 속도로 회전시킴으로써, 상기 기판의 주면 상에 형성된 레지스트 박리액의 액막을, 그 기판의 주면 상에 유지하는 액막 유지 공정과, 상기 액막 유지 공정과 병행하여, 상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판의 주면에 히터를 대향 배치시키고, 상기 기판의 주면에 유지되어 있는 레지스트 박리액의 액막을 상기 히터에 의해 가열하는 액막 가열 공정과, 상기 액막 유지 공정 및 상기 액막 가열 공정과 병행하여, 상기 히터를 상기 기판의 주면을 따라서 이동시키는 히터 이동 공정을 포함하는, 기판 처리 방법을 제공한다.
기판에 공급된 레지스트 박리액은, 사용 환경 온도나 기판 온도의 영향을 받고, 기판 표면에 도달한 후, 시간의 경과와 함께 크게 온도 강하한다.
기판 표면 상의 레지스트 박리액을 예를 들어 200℃ 이상의 고온으로 계속 유지하기 위해서, 200℃ 이상의 액온을 가지는 레지스트 박리액을 기판에 계속 공급하는 것을 생각할 수 있다. 그러나, 이러한 방책에서는, 레지스트 박리액의 사용량이 증가할 우려가 있다. 이 때문에, 예를 들어, 레지스트 박리액으로서 SPM액을 이용하는 경우에는, 황산의 사용량도 증가한다. 또한, 생성되는 SPM액의 액온을 200℃ 이상의 고온까지 승온시키기 위해서는, 혼합 전의 황산의 온도를, 예를 들어 180~195℃의 고온으로 유지할 필요가 있다. 따라서, 황산의 사용량의 증대와 수반해, 황산의 승온을 위해서 방대한 열량이 필요해진다. 이상에 의해, 1매의 기판의 처리에 필요로 하는 비용이 증가해 버린다.
여기서, 본 발명의 제2의 국면은, 레지스트 박리액의 소비량을 저감하면서, 기판의 주면으로부터 양호하게 레지스트를 제거할 수 있는 기판 처리 방법을 제공한다.
본 발명의 제2의 국면에 관련된 방법에 의하면, 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판의 주면에, 소정 유량의 레지스트 박리액을 공급함과 더불어, 그 기판을 제1 회전 속도로 회전시킴으로써, 기판의 주면에, 그 주면을 덮는 레지스트 박리액의 액막이 형성된다. 그 후, 기판의 회전 속도가 제2 회전 속도로 낮추어짐으로써, 기판의 주면을 덮는 레지스트 박리액의 액막이 계속하여 유지된다. 이 액막의 유지와 병행하여, 기판의 주면에 히터를 대향 배치시킴과 더불어, 히터에 의한 가열을 개시함으로써, 히터에 대향하는 기판의 주면상의 영역에 존재하는 레지스트 박리액이 가열된다. 또한, 히터에 의한 가열과 병행하여, 히터를 기판의 주면을 따라서 이동시킴으로써, 히터에 대향하는 기판의 주면상의 영역을 이동시킬 수 있다. 이 때문에, 히터에 의해서 기판의 주면의 전역을 가열할 수 있다. 이에 따라, 기판의 주면에 형성된 레지스트 박리액의 액막에 포함되는 모든 레지스트 박리액을 고온으로 유지할 수 있다. 그 결과, 기판의 주면의 전역으로부터 레지스트를 양호하고 균일하게 제거할 수 있다.
또한, 레지스트 박리액의 액막 형성 후는, 기판에 대한 레지스트 박리액의 공급을 정지하거나, 그 공급 유량을 저감시키는 것도 가능하다. 이 때문에, 레지스트 제거 처리에 있어서의 레지스트 박리액의 소비량을 저감하는 것이 가능하다. 이 경우에는, 또한 레지스트 박리액을 승온시키기 위해서 필요로 하는 열량을 저감시킬 수 있다. 이상에 의해, 1매의 기판의 레지스트 제거 처리에 필요로 하는 비용을 저감할 수 있다.
또한, 기판의 주면의 레지스트 박리액을 고온으로 유지할 수 있으므로, 레지스트의 박리를 촉진할 수 있어, 레지스트 제거를 위한 처리 시간을 단축할 수 있다.
본 발명의 일실시 형태에서는, 상기 액막 유지 공정에 있어서, 상기 기판의 주면에 대한 상기 레지스트 박리액의 공급을 행하지 않는다. 이 방법에 의하면, 기판의 주면상의 레지스트 박리액의 액막에 대한 가열 시에, 기판의 주면에 레지스트 박리액은 공급되지 않는다. 이 때문에, 레지스트를 제거하는 처리에 있어서의 레지스트 박리액의 소비량의 저감을 도모할 수 있다.
본 발명의 일실시 형태는, 상기 액막 유지 공정과 병행하여, 상기 기판의 주면에, 레지스트 박리액을, 그 단위 시간당 유량이 상기 소정의 유량보다 작아지도록 공급하는 박리액 공급 공정을 더 포함한다. 이 방법에 의하면, 레지스트 박리액의 액막에 대한 가열 시에, 그 액막에, 새로운 레지스트 박리액이 추가된다. 이에 따라, 기판의 주면상에, 레지스트 박리액의 액막이 안정되게 유지된다. 또한, 비교적 작은 유량의 레지스트 박리액밖에 공급하지 않기 때문에, 레지스트를 제거하는 처리에 있어서의 레지스트 박리액의 소비량의 저감을 도모할 수 있다.
상기 박리액 공급 공정은, 상기 액막 유지 공정의 개시 시에 있어서, 상기 소정의 유량의 레지스트 박리액을 상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판에 공급하고, 그 후, 상기 액막 유지 공정의 진행에 따라, 상기 기판에 공급하는 레지스트 박리액의 유량을 (서서히)감소시키는 공정을 포함하고 있어도 된다.
또한, 이를 대신하여, 상기 박리액 공급 공정은, 상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판에 레지스트 박리액을 간헐적으로 공급하는 공정을 포함하고 있어도 된다.
또한, 상기 액막 가열 공정 및 상기 히터 이동 공정은, 상기 액막 형성 공정과 병행하여 실행되어도 된다.
본 발명의 제3의 국면은, 기판의 주면으로부터 레지스트를 제거하기 위한 기판 처리 방법으로서, 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판의 주면에 레지스트 박리액을 공급함과 더불어, 상기 기판을 회전시킴으로써, 그 기판의 주면을 덮는 레지스트 박리액의 액막을 형성시키는 액막 형성 공정과, 상기 액막 형성 공정의 후, 상기 기판의 주면에 대한 상기 레지스트 박리액의 공급을 행하지 않고, 상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판을 제1 회전 속도로 회전시킴으로써, 상기 기판의 주면 상에 형성되는 레지스트 박리액의 액막의 두께를 감소시키는 액막 박화 공정과, 상기 액막 박화 공정의 후, 상기 기판의 주면에 대한 상기 레지스트 박리액의 공급을 행하지 않고, 상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판을 상기 제1 회전 속도보다도 느린 제2 회전 속도로 회전시킴으로써, 상기 기판의 주면 상에 형성되는 레지스트 박리액의 액막을, 그 기판의 주면상에 유지하는 액막 유지 공정과, 상기 액막 유지 공정과 병행하여, 상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판, 및 상기 기판의 주면에 유지되어 있는 레지스트 박리액의 액막의 적어도 한쪽을, 히터에 의해 가열하는 액막 가열 공정을 포함하는, 기판 처리 방법을 제공한다.
많은 양의 이온 주입이 행해진 기판에서는, 레지스트가 변질(경화)하는 경우가 있다. 레지스트 박리액의 일예인 SPM액에 높은 레지스트 박리 성능을 발휘시키는 하나의 수법으로서, 기판의 표면 상의 SPM액, 특히 기판의 표면과의 경계 부근의 SPM액을 고온(예를 들어 200℃ 이상)으로 승온시키는 방법이 있다. 이러한 수법이면, 표면에 경화층을 가지는 레지스트라도, 애싱하지 않고, 기판의 표면으로부터 제거할 수 있다.
기판의 표면과의 경계 부근의 SPM액을 고온으로 유지하기 위해서, 고온의 SPM액을 기판에 계속 공급하는 것을 생각할 수 있는데, 이러한 방책에서는, SPM액의 사용량이 증가할 우려가 있다.
본원 발명자 등은, 기판의 주면의 전역을 레지스트 박리액의 액막으로 덮으면서, 기판의 주면에 히터를 대향 배치시키고, 이 히터에 의해 레지스트 박리액의 액막을 가열하는 것을 검토하고 있다. 이러한 방책을 채용함으로써, 레지스트 박리액의 소비량을 저감하면서 경화된 레지스트를 기판으로부터 제거할 수 있다. 그뿐만 아니라, 레지스트의 박리 효율을 현저하게 높일 수 있는 결과, 레지스트 제거 처리의 처리 시간을 단축하는 것도 가능하다.
한편, 기판의 회전 속도가 느려짐에 따라서, 기판의 주면 상의 레지스트 박리액의 액막이 두꺼워진다. 레지스트 박리액의 액막이 두꺼우면, 레지스트 박리액의 액막에 있어서의 기판과의 경계 부근을 충분히 따뜻하게 하는 것이 어렵다. 이 때문에, 경화된 레지스트를 양호하게 박리할 수 없을 우려가 있다. 그뿐만 아니라, 레지스트 박리의 박리 효율이 나빠지는 결과, 레지스트 제거 처리의 처리 시간이 길어질 우려가 있다.
또한, 레지스트 박리액의 액막이 두꺼우면, 기판의 주면 상에 존재하는 레지스트 박리액의 액량이 많아지고, 히터에 의한 가열에 따라, 대량의 레지스트 박리액의 미스트가 기판의 주면 부근에 발생할 우려가 있다. 이러한 레지스트 박리액의 미스트는, 주변 부재 등에 부착하여 파티클 발생의 원인이 되기 때문에, 히터에 의한 가열에 따른 미스트의 발생을, 가능한한 억제하는 것이 바람직하다.
여기서, 본 발명의 제3의 국면은, 기판의 주면의 전역을 레지스트 박리액의 액막으로 덮으면서, 레지스트 박리액의 액막에 있어서의 기판과의 경계 부근을, 양호하게 따뜻하게 할 수 있는 기판 처리 방법을 제공한다.
또한, 본 발명의 제3의 국면은, 기판의 주면상의 레지스트 박리액의 액막을 히터에 의해 가열하는 경우에, 레지스트 박리액의 미스트의 발생을 억제할 수 있는 기판 처리 방법을 제공한다.
본 발명의 제3의 국면에 관련된 방법에 의하면, 액막 형성 공정의 후, 액막 유지 공정의 개시에 앞서, 액막 박화 공정이 실행된다. 액막 박화 공정에서는, 기판의 주면에 대한 레지스트 박리액의 공급을 행하지 않고, 기판을 제1 회전 속도로 회전시킨다. 이에 따라, 기판의 주면상의 레지스트 박리액은, 기판의 회전에 의한 원심력을 받아, 기판의 주면 상의 레지스트 박리액이 기판의 둘레 가장자리로부터 배출된다. 이에 따라, 레지스트 박리액의 액막의 두께를 감소(액막을 박화)시킬 수 있다. 그리고, 박화 후의 액막 및 기판의 적어도 한쪽이, 히터에 의해 가열된다. 이에 따라, 기판 및 레지스트 박리액의 적어도 한쪽을, 효율적으로 따뜻하게 할 수 있다. 그 결과, 레지스트 박리 처리 전체의 처리 시간을 단축할 수 있다.
또한, 액막 형성 공정의 종료후는, 기판에 대한 레지스트 박리액의 공급을 정지하므로, 레지스트 제거 처리에 있어서의 레지스트 박리액의 소비량의 저감을 도모할 수 있다. 그러므로, 레지스트 박리액의 소비량을 저감하면서, 기판의 주면으로부터 레지스트를 양호하게 제거할 수 있다.
상기 방법은, 상기 액막 가열 공정에 앞서 실행되고, 상기 히터를 상기 기판의 주면에 대향 배치시키는 대향 배치 공정을 더 포함하고 있어도 된다.
상기 방법은, 상기 액막 가열 공정과 병행하여 실행되고, 상기 히터를, 상기 기판의 주면을 따라서 이동시키는 히터 이동 공정을 더 포함하고 있어도 된다. 이 방법에 의하면, 히터에 의한 가열과 병행하여, 기판의 주면을 따라서 히터를 이동시킴으로써, 기판의 주면상에 있어서의 히터에 대향하는 영역을 변경시킬 수 있다. 이에 따라, 기판의 주면의 전역을 가열하는 것도 가능하다. 그러므로, 기판의 주면의 전역으로부터 레지스트를 양호하고 또한 균일하게 제거할 수 있다.
상기 히터 이동 공정은, 상기 히터를 상기 기판의 주면을 따라서 상기 기판의 주면 상에서 이동시키고, 그 이동 후에 상기 기판의 주면 상에서 상기 히터를 정지시키는 정지 공정을 포함하고 있어도 된다.
또한, 상기 히터 이동 공정은, 상기 히터를, 상기 기판의 주면을 따라서 상기 기판의 주면상에서 이동 방향을 바꾸면서 연속하여 계속 이동시키는 연속 이동 공정을 포함하고 있어도 된다.
또한, 상기 액막 형성 공정에 있어서, 상기 기판을 상기 제2 회전 속도로 회전시켜도 된다. 이 경우, 기판의 주면의 전역을 레지스트 박리액의 액막으로 덮을 수 있다. 즉, 레지스트 박리액에 의한 커버리지를 확보할 수 있다.
이 방법을 대신하여, 상기 액막 형성 공정에 있어서, 상기 기판을 상기 제2 회전 속도보다도 빠르고 상기 제1 회전 속도보다도 느린 제3 회전 속도로 회전시켜도 된다. 이 경우, 기판의 주면의 전역을 레지스트 박리액의 액막으로 덮을 수 있다. 즉, 레지스트 박리액에 의한 커버리지를 확보할 수 있다.
또한, 상기 액막 형성 공정에 있어서, 상기 기판을 상기 제2 회전 속도보다도 느린 제4 회전 속도로 회전시키도록 해도 된다. 이 경우, 기판의 주면의 전역을 레지스트 박리액의 액막으로 덮을 수 있다. 즉, 레지스트 박리액에 의한 커버리지를 확보할 수 있다. 이에 따라, 기판의 주면의 전역을 레지스트 박리액의 액막으로 덮으면서, 레지스트 박리액의 액막에 있어서의 기판과의 경계 부근을, 양호하게 따뜻하게 할 수 있다.
또한, 상기 액막 형성 공정에 있어서, 상기 기판을 상기 제1 회전 속도로 회전시켜도 된다.
또한, 상기 액막 가열 공정은, 상기 액막 형성 공정과 병행하여 실행되어도 된다.
또한, 상기 액막 가열 공정은, 상기 액막 박화 공정과 병행하여 실행되어도 된다.
본 발명의 제4의 국면은, 처리실과, 상기 처리실 내에 수용되고, 기판을 유지하는 기판 유지 유닛과, 상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판의 주면에 약액을 공급하는 약액 공급 유닛과, 상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판의 주면에 대향하여 배치되고, 적외선의 방사에 의해, 상기 기판의 주면에 공급된 약액을 가열하는 적외선 램프와, 상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판의 주면에 대향하는 위치에 배치되고, 상기 기판의 주면을 따라서 방사상으로 기체를 토출하는 환상의 기체 토출구와, 상기 적외선 램프 및 상기 기체 토출구를 일체로 유지하는 유지 헤드를 포함하는, 기판 처리 장치를 제공한다.
본 건 발명자는, 기판의 주면에 공급된 약액의 고온화를 한층 더 도모하기 위해서, 약액 처리 시에 있어서, 기판의 주면에 공급한 약액을 가열하는 것을 검토하고 있다. 구체적으로는, 기판의 주면에 간격을 두고 대향 배치되는 적외선 램프를 이용하여, 기판의 주면에 존재하는 약액을 가열하는 것을 검토하고 있다.
그런데, 적외선 램프에 의한 약액의 가열에 의해, 약액이 급격하게 따뜻해져, 기판의 주면 주변에 대량의 약액 미스트가 발생할 우려가 있다. 이 약액 미스트가, 기판을 건조시키는 공정에서, 기판의 주면에 부착함으로써, 기판 주면의 오염을 일으킬 우려가 있다.
이 문제에 대처하기 위해서, 기판 유지 유닛을 컵에 수용하고, 그 컵 내의 분위기를 배기하기 위한 배기구를 컵에 형성하고, 컵 내의 분위기를 배기하는 것을 생각할 수 있다. 그러나, 기판의 주면 주변에 발생하는 약액 미스트가 대량으로 되면, 약액 미스트를 포함하는 분위기가 컵 외로 유출되는 것을 확실하게 방지할 수 없을 우려가 있다.
여기서, 본 발명의 제4의 국면은, 기판의 주면에 존재하는 약액을, 적외선 램프를 이용하여 가열하는 경우에도, 약액 미스트를 포함하는 분위기가, 기판의 주면 주변으로부터 주위로 확산하는 것을 방지할 수 있는 기판 처리 장치를 제공한다.
본 발명의 제4의 국면에 관련된 구성에 의하면, 적외선 램프를 기판의 주면에 대향 배치시키면서, 그 적외선 램프로부터 적외선을 방사시킨다. 이 때문에, 기판의 주면에 있어서, 적외선 램프에 대향하는 영역에 존재하는 약액이 가열된다. 이에 따라, 약액을 한층 더 고온으로 할 수 있다.
또한, 환형상의 기체 토출구로부터, 기판의 주면을 따라서 방사상으로 기체가 토출된다. 이에 따라, 기판의 주면에 대향하는 위치에, 기체 커텐이 형성된다. 기체 커텐에 의해서, 기판 유지 유닛을 수용하는 공간을 포함하는 기체 커텐의 내측의 공간과, 기체 커텐의 외측의 공간이 차단된다.
기판의 주면에 존재하는 약액에 대한 가열에 의해, 그 약액이 급격하게 따뜻해져, 기판의 주면 주변에, 대량의 약액 미스트가 발생하는 경우가 있다.
그러나, 환형상의 기체 토출구로부터 토출되는 기체에 의해서 형성되는 기체 커텐에 의해서, 기체 커텐의 내외 공간이 차단되어 있으므로, 약액 미스트를 포함하는 분위기를 기체 커텐의 안쪽에 가둘 수 있다. 따라서, 그 분위기가 기판의 주면 주변으로부터 주위(기체 커텐의 외측의 공간)로 확산하는 것을 방지할 수 있다. 이에 따라, 처리실 내의 오염을 방지할 수 있다.
또한, 기체 토출구와 적외선 램프가 일체로 유지되어 있으므로, 기체 토출구와 적외선 램프를 근접하여 배치하는 것도 가능하다. 이에 따라, 약액 미스트를 포함하는 분위기를 효율적으로 기체 커텐의 내측에 가둘 수 있다.
상기 기판 처리 장치는, 상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판의 주면을 따라서 상기 유지 헤드를 이동시키는 유지 헤드 이동 유닛을 더 포함하고 있어도 되고, 그 경우에, 상기 적외선 램프는, 상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판보다도 소경을 가지고 있어도 된다.
이 구성에 의하면, 적외선 램프에 의한 가열 및 기체 토출구로부터의 기체의 토출과 병행하여, 유지 헤드가 기판의 주면을 따라서 이동된다. 기판의 주면에 있어서의 적외선 램프에 대향하는 영역이, 소정의 궤적 상을 이동하므로, 적외선 램프에 의해서 기판의 주면의 전역을 가열할 수 있다.
또한, 적외선 램프의 이동에 따라, 기체 토출구도 기판의 주면을 따라서 이동한다. 이 때문에, 기체 토출구와 적외선 램프를 상시 근접시켜 둘 수 있으므로, 유지 헤드의 위치에 상관없이, 약액 미스트를 포함하는 분위기를 효율적으로 기체 커텐의 내측에 가둘 수 있다.
또한, 기체 토출구로부터의 기체의 토출 방향과, 유지 헤드의 이동 방향이 일치하고 있으므로, 유지 헤드가 어느 위치에 있어도, 기체 커텐이 일정한 모양을 가진다. 이에 따라, 유지 헤드의 위치에 상관없이, 기판의 주변의 분위기를, 처리실의 내부 공간으로부터 차단할 수 있다.
상기 기판 처리 장치는, 상기 기판 유지 유닛을 수용하고, 상기 기판 유지 유닛에 유지된 기판의 주면과 대향하는 위치에 기판을 통과 가능한 사이즈의 개구를 가지는 컵을 더 포함하고 있어도 되고, 그 경우에, 상기 기체 토출구는 상기 개구 내에 배치되고, 상기 기체 토출구는 상기 컵의 개구단을 향해서 기체를 토출해도 된다.
컵에는, 기판 유지 유닛에 유지된 기판의 주면과 대향하는 위치에, 기판을 통과 가능한 사이즈의 개구가 형성되어 있다. 따라서, 그 개구를 통하여, 컵 내에 대하여 기판을 반입 및 반출할 수 있다. 그 한편, 개구가 형성됨으로써, 컵의 내측의 공간과 외측의 공간이 개구를 통하여 연통하므로, 이들 공간에서 상호 분위기의 유통이 가능하다.
전술의 구성에 의하면, 개구 내에 위치하는 기체 토출구로부터, 컵의 개구단을 향해서, 컵의 개구에 따라서 기체가 토출된다. 이에 따라, 컵의 개구를 막는 기체 커텐이 형성된다. 따라서, 컵 내의 분위기를 기체 커텐의 내측에 가둘 수 있어, 그 분위기가 컵 외로 유출하는 것을 방지할 수 있다. 이에 따라, 컵 내에 발생하는 약액 미스트를 포함하는 분위기가 처리실 내로 유출하는 것을 방지할 수 있다.
상기 기판 처리 장치는, 관벽을 그 두께 방향으로 관통하는 토출공을 가지고, 기체가 유통하는 기체 유통 배관과, 상기 기체 유통 배관에 기체를 공급하는 기체 공급 유닛과, 상기 기체 유통 배관을 유통하여 상기 토출공으로부터 토출된 기체를, 상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판의 주면을 따르는 기류로 정류하는 상정류판 및 하정류판을 더 포함하고 있어도 되고, 그 경우에, 상기 한쌍의 정류판에 의해서 정류된 기류가 상기 기체 토출구에 공급되는 것이 바람직하다.
이 구성에 의하면, 기체 유통 배관에 공급된 기체는, 그 기체 유통 배관을 유통하여 토출공으로부터 토출된다. 그리고, 토출공으로부터 토출된 기체는, 한쌍의 정류판에 의해서, 기판의 주면을 따라서 방사상으로 흐르는 기류로 정류되면서 기체 토출구에 공급된다. 이에 따라, 기체 토출구로부터, 기판의 주면을 따라서 방사상으로 기체를 토출시킬 수 있다.
상기 토출공은, 상기 기체 유통 배관의 전체 둘레에 걸쳐 주방향으로 간격을 두고 배치된 복수의 개별 토출공을 가지고 있어도 된다.
또한, 상기 토출공은, 상기 기체 유통 배관의 둘레방향에 따른 환상으로 형성되어 있어도 된다. 또한, 상기 적외선 램프가, 상기 기체 유통 배관의 주위를 둘러싸는 환상을 이루고 있고, 상기 기체 유통 배관의 관벽이, 상기 적외선 램프에 의한 적외선의 조사에 의해 가열됨으로써, 상기 기체 유통 배관을 유통하는 기체를 가열하도록 구성되어 있어도 된다.
이 구성에 의하면, 기체 유통 배관을 유통하는 과정에서 기체가 가열되고, 토출공으로부터 고온화된 기체를 토출할 수 있다. 이 때문에, 기체 커텐을 고온으로 할 수 있다. 이에 따라, 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판의 주면에 존재하는 약액이 냉각되는 것을 방지 또는 억제할 수 있고, 그 결과, 기판의 주면에 존재하는 약액을 보온할 수 있다.
상기 기체 유통 배관의 관벽은, 석영을 이용하여 형성되어 있어도 된다. 적외선 램프로부터의 적외선을 받아 고온으로 가열되는 것도 생각할 수 있다. 여기서, 기체 유통 배관의 관벽을, 내열성을 가지는 석영을 이용하여 형성함으로써, 기체 유통 배관의 파괴나 용융의 우려가 거의 없어진다.
또한, 상기 유지 헤드는, 상기 적외선 램프를 수용하는 램프 하우징을 구비하고 있어도 되고, 이 경우에, 상기 기체 유통 배관의 관벽은, 상기 램프 하우징 및 상기 하정류판과 일체로 형성되어 있어도 된다.
또한, 상기 하정류판은, 상기 기체 유통 배관에 지지되어 있어도 된다.
상기 기판 처리 장치는, 흡인구를 가지고, 상기 기체 유통 배관 내에 삽입통과된 흡인 배관과, 상기 흡인 배관 내를 흡인하는 흡인 유닛을 더 포함하고 있어도 된다. 그리고, 상기 기체 유통 배관 및 상기 흡인 배관은, 상기 기체 유통 배관 내에 상기 흡인 배관이 삽입통과됨으로써 이중 배관 구조를 형성하고 있어도 된다. 상기 흡인 배관의 선단은, 상기 하정류판을 관통하여 개구하여 상기 흡인구를 형성하고 있는 것이 바람직하다.
이 구성에 의하면, 하정류판의 하면을, 기판의 주면에 근접하여 대향 배치시키면, 흡인구도 기판의 주면에 근접하여 대향한다. 이 상태에서, 흡인구 내가 흡인되면, 하정류판의 하면과 기판의 주면의 사이의 분위기가 흡인되고, 하정류판의 하면과 기판의 주면의 사이의 공간이 부압으로 된다.
기판의 주면에 존재하는 약액을, 그 주면에 대향 배치되는 적외선 램프를 이용하여 가열하는 경우, 약액이 급격하게 따뜻해지므로, 기판의 주면의 주위에 큰 대류가 생길 우려가 있다. 이 대류가 커짐에 따라서, 기판의 주면에 존재하는 약액으로부터 달아나는 열량은 커지고, 이에 따라, 기판의 주면에 존재하는 약액이 냉각될 우려가 있다.
또한, 하정류판의 하면과 기판의 주면의 사이의 공간이 부압이 되므로, 하정류판의 하면과 기판의 주면의 사이의 공간에 큰 대류가 발생하는 것을 억제할 수 있다. 이에 따라, 약액이 대류에 의해 잃어버리는 열량을 억제할 수 있으므로, 기판의 주면에 존재하는 약액의 냉각을 억제 또는 방지할 수 있고, 이에 따라, 기판의 주면에 존재하는 약액을 보온할 수 있다.
또한, 흡인구의 흡인에 의해서, 하정류판과 기판의 주면의 사이의 공간으로부터 약액 미스트를 포함하는 분위기를 흡인하여 배기할 수 있다. 따라서, 약액의 주면 주변에 존재하는 약액 미스트를 저감시킬 수 있고, 이에 따라, 약액 미스트를 포함하는 분위기가 처리실 내에 확산되는 것을 보다 효과적으로 억제할 수 있다.
상기 약액은 레지스트 박리액이어도 된다. 이 경우, 기판의 주면에 존재하는 레지스트 박리액을, 기판의 주면과의 경계 부근에서 따뜻하게 할 수 있으므로, 기판의 주면 상의 레지스트와 레지스트 박리액의 반응을 촉진시킬 수 있다. 이 때문에, 기판의 주면의 전역으로부터 레지스트를 양호하게 제거할 수 있고, 또한, 경화층을 가지는 레지스트여도, 애싱하지 않고, 기판의 주면으로부터 제거할 수 있다. 레지스트의 애싱이 불필요하므로, 애싱에 의한 기판의 주면의 손상을 회피할 수 있다.
본 발명의 제5의 국면은, 기판을 유지하는 기판 유지 유닛과, 기판의 주면에 약액을 공급하기 위한 약액 유통 배관과, 상기 약액 유통 배관에 약액을 공급하는 약액 공급 유닛과, 상기 약액 유통 배관의 주위를 둘러싸는 환상의 적외선 램프를 가지고, 상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판의 주면에 대향하여 배치되고, 상기 적외선 램프로부터의 적외선의 방사에 의해, 상기 기판의 주면에 공급된 약액을 가열하는, 기판보다도 소경의 히터와, 상기 히터와 상기 약액 유통 배관을 일체로 유지하는 유지 헤드와, 상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판의 주면을 따라서 상기 유지 헤드를 이동시키는 유지 헤드 이동 유닛을 포함하고, 상기 적외선 램프로부터의 적외선의 방사에 의해, 상기 약액 유통 배관을 유통하는 약액이 가열되는, 기판 처리 장치를 제공한다.
이 구성에 의하면, 적외선 램프로부터의 적외선의 방사에 의해, 그 적외선 램프에 둘러싸인 약액 유통 배관을 유통하는 약액이 가열된다. 따라서, 약액 유통 배관을 유통하여 고온화된 약액이, 기판의 주면에 공급된다.
또한, 히터를 기판의 주면에 대향 배치시키면서, 적외선 램프로부터 적외선을 방사시킴으로써, 기판의 주면에 있어서, 히터에 대향하는 영역에 존재하는 약액이 가열된다. 또한, 히터에 의한 가열과 병행하여, 유지 헤드를 기판의 주면을 따라서 이동시킨다. 이 때문에, 기판의 주면에 있어서의 히터에 대향하는 영역이, 소정의 궤적 상을 이동하므로, 히터에 의해서 기판의 주면의 전역을 가열할 수 있다.
따라서, 약액 유통 배관을 유통하여 고온화된 약액이, 기판의 주면에 공급된 후에, 히터에 의해서 다시 가열된다. 이에 따라, 기판의 주면에 존재하는 약액을, 고온으로 유지할 수 있다. 그 결과, 기판의 주면의 전역에, 약액을 이용한 처리를 양호하고 또한 균일하게 실시할 수 있다. 또한, 기판의 주면의 약액을 고온으로 유지할 수 있으므로, 약액에 의한 처리를 촉진할 수 있어, 약액에 의한 처리 시간을 단축할 수 있다.
상기 약액 유통 배관의 관벽은, 상기 적외선 램프에 의한 적외선의 조사에 의해 가열되어 고온으로 승온됨으로써, 상기 약액 유통 배관을 유통하는 약액을 가열하도록 구성되어도 된다.
상기 약액 유통 배관은, 상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판의 주면에 약액을 토출하는 약액 토출구를 가지고 있는 것이 바람직하다. 이 구성에 의하면, 약액 유통 배관을 유통한 약액은, 그 후, 기판의 주면에 공급된다. 이 때문에, 약액 유통 배관을 유통하여 가열된 직후의 고온의 약액을 기판의 주면에 공급할 수 있다.
상기 기판 처리 장치는, 상기 약액 유통 배관의 주위를 둘러싸도록 설치되고, 상기 약액 유통 배관과의 사이에 기체가 유통하는 기체 유로를 구획하고, 선단부에 있어서 상기 약액 유통 배관과의 사이에 기체 토출구를 구획하도록 상기 약액 유통 배관에 고정된 외통을 더 포함하고 있어도 된다. 그리고, 상기 약액 토출구로부터 토출되는 약액과 상기 기체 토출구로부터 토출되는 기체가 혼합됨으로써 상기 약액의 액적이 형성되어도 된다.
이 구성에 의하면, 약액 유통 배관을 유통하여 가열된 약액이, 약액 토출구로부터 토출된다. 이 때문에, 약액 토출구로부터 토출되는 약액과 기체 토출구로부터 토출되는 기체의 혼합에 의해, 약액의 미세한 액적을 형성할 수 있다. 미소한 액적의 모양으로 기판의 주면에 공급된 약액은, 히터의 가열에 의해 승온되기 쉽다. 이에 따라, 기판의 주면의 약액을 고온으로 유지할 수 있다.
또한, 미세한 액적의 모양의 약액은 기화하기 쉽기 때문에, 혼합 과정에서 약액을 기화시키는 것도 생각할 수 있다. 이 경우, 기화한 상태의 약액(즉 약액 성분을 포함하는 기체)을, 기판의 주면에 공급하는 것도 가능하고, 기화 후의 약액이 그 약액의 비점을 넘는 고온이므로, 기판의 주면의 약액을, 보다 높은 온도로 유지할 수 있다.
이 발명의 일실시 형태에서, 상기 유지 헤드는, 수평 방향을 따르는 상면 및 하면을 가지는 저판부를 가지고, 상기 적외선 램프를 수용하는 바닥이 있는 용기 형상의 램프 하우징을 구비하고, 상기 약액 유통 배관은, 상기 램프 하우징의 내부에서, 상기 저판부의 상기 상면에 대향하는 개구를 가지고, 상기 저판부는, 그 저판부를 상하 방향으로 관통하는 다수의 약액 토출구를 가진다.
이 구성에 의하면, 약액 유통 배관을 유통한 약액은, 개구로부터 토출된 후, 램프 하우징의 저판부에 수용된다. 램프 하우징의 저판부에 수용된 약액은, 약액 토출구로부터 토출될 때까지, 그 저판부에 고인다. 저판부에 고인 약액에, 적외선 램프로부터의 적외선이 조사됨으로써, 약액이 더욱 가열된다.
또한, 저판부에 고인 약액은, 저판부의 다수의 약액 토출구로부터 샤워상으로 토출된다. 즉, 각 약액 토출구로부터는, 약액의 액적이 토출된다. 액적의 양태로 기판의 주면에 공급된 약액은, 히터의 가열에 의해 승온되기 쉽다.
또한, 저판부에 광범위하게 약액 토출구를 배치함으로써, 고온의 약액의 액적을, 기판의 주면에 보다 광범위하게 공급할 수 있다. 이상에 의해, 기판의 주면에 공급되는 약액을 더욱 고온화할 수 있으므로, 기판의 주면의 약액을 고온으로 유지할 수 있다.
상기 약액 유통 배관의 관벽은, 석영을 이용하여 형성되어도 된다. 약액 유통 배관의 관벽은, 적외선 램프로부터의 적외선을 받아 고온으로 가열된다. 여기서, 내열성을 가지는 석영을 이용하여 약액 유통 배관의 관벽을 형성함으로써, 약액 유통 배관의 파괴나 용융의 우려가 적어진다.
상기 유지 헤드는, 상기 적외선 램프를 수용하는 바닥이 있는 용기 형상의 램프 하우징을 구비하고 있어도 된다. 이 구성에 의하면, 적외선 램프의 주위가 램프 하우징에 의해서 덮여져 있다. 이 때문에, 기판의 주면 부근의 약액의 액적을 포함하는 분위기가, 적외선 램프에 악영향을 미치는 것을 방지할 수 있다. 또한, 적외선 램프의 관벽에 약액의 액적이 부착되는 것을 방지할 수 있으므로, 적외선 램프로부터 방사되는 적외선의 광량을 장기에 걸쳐 안정적으로 유지할 수 있다.
이 경우, 상기 히터는, 상기 적외선 램프의 조사에 의해 가열되는 상기 램프 하우징의 저판부를 포함하고 있어도 된다. 이 경우, 적외선 램프에 의한 적외선의 조사에 의해, 적외선 램프를 수용하는 램프 하우징의 저판부가 고온으로 가열된다. 이에 따라, 램프 하우징에 의해, 적외선 램프의 보호와, 약액의 가열의 쌍방을 실현할 수 있다.
상기 저판부는, 상기 기판의 주면과 대향하는 평탄한 대향면을 가지고 있는 것이 바람직하다. 이 경우, 대향면과 기판의 주면의 사이의 분위기를, 그 주위로부터 차단할 수 있어, 대향면과 기판의 주면의 사이의 분위기를 보온할 수 있다. 이에 따라, 기판의 주면에 있어서의 저판부에 대향하는 영역에 존재하는 약액의 온도 강하를 억제할 수 있으므로, 저판부에 대향하는 영역에 존재하는 약액의 고온화를 한층 더 도모할 수 있다.
또한, 상기 램프 하우징은 석영을 이용하여 형성되어 있어도 된다. 램프 하우징은 적외선 램프로부터의 적외선을 받아 부분적으로 고온으로 가열되는 경우가 있다. 여기서, 내열성을 가지는 석영을 이용하여 형성함으로써, 램프 하우징의 파괴나 용융의 우려가 적어진다.
약액 유통 배관의 관벽은, 램프 하우징과 일체로 형성되어 있어도 된다.
또한, 본 발명의 일실시 형태에서, 상기 유지 헤드는, 상기 램프 하우징의 개구부를 폐색하는 뚜껑을 더 구비하고 있다. 이 구성에 의하면, 램프 하우징의 개구부가 뚜껑에 의해서 폐색되어 있다. 이 때문에, 약액의 액적을 포함하는 분위기의 램프 하우징 내로의 진입이 확실히 저지된다. 이에 따라, 약액의 액적을 포함하는 분위기가 적외선 램프에 악영향을 미치는 것을, 보다 확실하게 방지할 수 있다.
이 경우, 뚜껑과 적외선 램프가 충분한 간격을 두고 배치되어 있으면, 뚜껑이 적외선 램프에 의해서 가열되지 않는다. 따라서, 그 뚜껑을, 수지 재료를 이용하여 형성할 수도 있다.
또한, 상기 히터는, 상기 기판의 주면과 상기 적외선 램프의 사이에 배치되고, 상기 적외선 램프의 조사에 의해 가열되는 대향 부재를 더 포함하고 있어도 된다.
이 경우, 적외선 램프에 의한 적외선의 조사에 의해, 대향 부재가 고온으로 가열된다. 그리고, 대향 부재를 기판의 주면에 대향 배치시킴으로써, 기판의 주면에 있어서의 대향 부재에 대향하는 영역에 존재하는 약액을, 적외선 램프 및 대향 부재의 쌍방을 이용하여 가열할 수 있다. 이에 따라, 약액을 효율적으로 가열할 수 있다.
상기 대향 부재는, 상기 기판의 주면과 대향하는 평탄한 대향면을 가지고 있는 것이 바람직하다. 이 경우, 대향면과 기판의 주면의 사이의 분위기를, 그 주위로부터 차단할 수 있어, 대향면과 기판의 주면의 사이의 분위기를 보온할 수 있다. 이에 따라, 기판의 주면에 있어서의 대향 부재에 대향하는 영역에 존재하는 약액의 온도 강하를 억제할 수 있으므로, 대향 부재에 대향하는 영역에 존재하는 약액의 고온화를 한층 더 도모할 수 있다.
상기 적외선 램프는, 상기 기판의 주면에 수직인 축선을 중심축선으로 하는 환상을 이루고 있어도 된다. 이 경우, 적외선 램프가 기판의 주면을 따라서 연장되므로, 보다 대유량의 약액에 대하여, 적외선을 조사할 수 있다.
또한, 상기 약액은 레지스트 박리액이어도 된다. 이 경우, 기판의 주면에 존재하는 모든 레지스트 박리액을 고온으로 유지할 수 있으므로, 기판의 주면의 전역으로부터 레지스트를 양호하고 균일하게 제거할 수 있다.
또한, 기판의 주면의 레지스트 박리액을 고온으로 유지할 수 있으므로, 경화층을 가지는 레지스트라도, 애싱하지 않고, 기판의 주면으로부터 제거할 수 있다. 레지스트의 애싱이 불필요하므로, 애싱에 의한 기판의 주면의 손상을 회피할 수 있다.
본 발명의 일실시 형태에서는, 상기 기판 처리 장치는, 상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판을, 소정의 연직 축선 둘레로 회전시키기 위한 회전 유닛과, 상기 약액 공급 유닛을 제어하여 상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판의 주면에, 상기 약액 유통 배관으로부터의 약액을 공급함과 더불어, 상기 회전 유닛을 제어하여 상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판을 제1 회전 속도로 회전시킴으로써, 그 기판의 주면을 덮는 약액의 액막을 형성시키는 액막 형성 공정과, 상기 액막 형성 공정의 후, 상기 회전 유닛을 제어하고, 상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판을 제1 회전 속도보다 낮은 제2 회전 속도로 회전시킴으로써, 상기 기판의 주면 상에 형성된 약액의 액막을, 그 기판의 주면상에 유지하는 액막 유지 공정과, 상기 액막 유지 공정과 병행하여, 상기 히터 및 상기 유지 헤드 이동 유닛을 제어하고, 상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판의 주면에 상기 히터를 대향 배치시켜, 상기 기판의 주면에 유지되어 있는 약액의 액막을 상기 히터에 의해 가열하는 액막 가열 공정과, 상기 액막 유지 공정 및 상기 액막 가열 공정과 병행하여, 상기 유지 헤드를, 상기 기판의 주면을 따라서 이동시키는 유지 헤드 이동 공정을 실행하는 제어 유닛을 더 포함하고, 상기 기판 유지 유닛은 기판을 수평 자세로 유지한다.
이 구성에 의하면, 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판의 주면에, 제1 유량의 약액을 공급함과 더불어, 그 기판을 제1 회전 속도로 회전시킴으로써, 기판의 주면에 당해 주면을 덮는 약액의 액막이 형성된다. 그 후, 기판의 회전 속도가 제2 회전 속도로 낮아짐으로써, 기판의 주면상에 약액의 액막이 계속하여 유지된다. 이 액막의 유지와 병행하여, 기판의 주면에 히터를 대향 배치시키고, 히터에 의한 가열을 개시함으로써, 히터에 대향하는 기판의 주면 상의 영역에 존재하는 약액의 액막이 가열된다. 또한, 히터에 의한 가열과 병행하여, 히터를 기판의 주면을 따라서 이동시킴으로써, 히터에 대향하는 기판의 주면상의 부분을 이동시킬 수 있다. 이 때문에, 히터에 의해서 기판의 주면의 전역을 가열할 수 있다. 이에 따라, 기판의 주면 상에 있는 약액의 거의 전체를 가열하는 것이 가능하다. 이 경우, 기판의 주면상의 전역에 있어서, 약액을 고온으로 유지할 수 있다. 그 결과, 기판의 주면에 대하여, 약액을 이용한 처리를 양호하고 또한 균일하게 실시할 수 있다.
본 발명은, 기판의 주면의 약액을 고온으로 유지함으로써, 기판의 주면에 약액을 이용한 처리를 양호하게 행할 수 있는 기판 처리 장치를 제공할 수 있다.
본 발명에 있어서의 상술의, 또는 다른 목적, 특징 및 효과는, 첨부 도면을 참조하여 다음에 기술하는 실시 형태의 설명에 의해 명백해진다.
도 1은 본 발명의 일실시 형태에 관련된 기판 처리 장치의 구성을 모식적으로 나타내는 도면이다.
도 2는 히터 헤드의 구성예를 나타내는 도해적인 단면도이다.
도 3은 적외선 램프의 구성예를 나타내는 사시도이다.
도 4는 히터 아암 및 히터 헤드의 구성예를 나타내는 사시도이다.
도 5는 히터 헤드의 배치 위치를 나타내는 평면도이다.
도 6은 기판 처리 장치의 전기적 구성을 나타내는 블록도이다.
도 7은 레지스트 제거 처리의 제1 처리예를 나타내는 공정도이다.
도 8은 도 7에 나타내는 제1 처리예의 주요한 공정에 있어서의 제어 장치에 의한 제어 내용을 설명하기 위한 타임 차트이다.
도 9a 및 도 9b는 상기 제1 처리예의 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 10은 도 9b에 나타내는 공정에 있어서의 히터 헤드의 이동 범위를 나타내는 평면도이다.
도 11은 제2 처리예의 주요한 공정에 있어서의 제어 내용을 설명하기 위한 타임 차트이다.
도 12는 제3 처리예의 주요한 공정에 있어서의 제어 내용을 설명하기 위한 타임 차트이다.
도 13은 레지스트 제거 처리의 제4 처리예를 나타내는 공정도이다.
도 14는 제4 처리예의 주요한 공정에 있어서의 제어 내용을 설명하기 위한 타임 차트이다.
도 15a~도 15c는 제4 처리예에 있어서의 SPM 액막 형성 공정, SPM 액막 박화 공정 및 SPM 액막 가열 공정을 설명하기 위한 도해적인 도면이다.
도 16은 레지스트 제거 처리의 제5 처리예를 설명하기 위한 타임 차트이다.
도 17은 레지스트 제거 처리의 제6 처리예를 설명하기 위한 타임 차트이다.
도 18은 레지스트 제거 처리의 제7 처리예를 설명하기 위한 타임 차트이다.
도 19는 본 발명의 제2 실시 형태에 관련된 기판 처리 장치의 구성을 모식적으로 나타내는 도면이다.
도 20은 상기 제2 실시 형태에 있어서의 히터 헤드의 도해적인 단면도이다.
도 21은 도 20에 나타내는 절단면선 XXI－XXI로부터 본 도면이다.
도 22는 상기 제2 실시 형태에 있어서의 히터 아암 및 히터 헤드의 사시도이다.
도 23a 및 도 23b는 상기 제2 실시 형태에 있어서의 SPM 액막 형성 공정 및 SPM 액막 가열 공정을 설명하기 위한 도해적인 단면도이다.
도 24는 히터 헤드에 구비된 불활성 가스 토출구로부터 토출되는 질소 가스에 의해서 형성되는 기체 커텐을 나타내는 도면이다.
도 25는 본 발명의 제3 실시 형태에 관련된 기판 처리 장치의 히터 헤드(유지 헤드)의 단면도이다.
도 26은 본 발명의 제4 실시 형태에 관련된 기판 처리 장치의 히터 헤드(유지 헤드)의 단면도이다.
도 27은 본 발명의 제5 실시 형태에 관련된 기판 처리 장치의 구성을 모식적으로 나타내는 도면이다.
도 28은 상기 제5 실시 형태에 있어서의 일체형 헤드의 도해적인 단면도이다.
도 29는 상기 제5 실시 형태에 있어서의 아암 및 일체형 헤드의 사시도이다.
도 30a 및 도 30b는 상기 제5 실시 형태에 있어서의 SPM 액막 형성 공정 및 SPM 액막 가열 공정을 설명하기 위한 도해적인 단면도이다.
도 31은 도 30a 및 도 30b에 나타내는 각 공정에 있어서의 일체형 헤드의 이동 범위를 나타내는 평면도이다.
도 32는 본 발명의 제6 실시 형태에 관련된 기판 처리 장치의 일체형 헤드(유지 헤드)의 단면도이다.
도 33은 본 발명의 제7 실시 형태에 관련된 기판 처리 장치의 일체형 헤드(유지 헤드)의 단면도이다.
도 1은 본 발명의 일실시 형태에 관련된 기판 처리 장치(1)의 구성을 모식적으로 나타내는 도면이다. 기판 처리 장치(1)는, 예를 들어 기판의 일예로서의 웨이퍼(W)의 표면(주면)에 불순물을 주입하는 이온 주입 처리나 드라이 에칭 처리 후에, 그 웨이퍼(W)의 표면으로부터 불필요해진 레지스트를 제거하기 위한 처리에 이용되는 매엽식의 장치이다.
기판 처리 장치(1)는, 격벽(2A)에 의해 구획된 처리실(2)을 구비하고 있다. 처리실(2)의 천정벽에는, 처리실(2) 내에 청정 공기를 보내기 위한 팬 필터 유닛(도시하지 않음)이 설치되어 있다. 한편, 처리실(2)의 저면에는, 배기구(도시하지 않음)가 형성되어 있다. 팬 필터 유닛으로부터의 청정 공기의 공급 및 배기구로부터의 배기에 의해, 기판 처리 장치(1)의 가동중은, 상시, 처리실(2) 내에 청정 공기의 다운 플로우가 형성된다. 청정 공기란, 기판 처리 장치(1)가 설치되는 클린 룸 내의 공기를 정화하여 생성되는 공기이다.
기판 처리 장치(1)는 격벽(2A)에 의해 구획된 처리실(2) 내에, 웨이퍼(W)를 유지하여 회전시키는 웨이퍼 회전 기구(기판 유지 유닛)(3)와, 웨이퍼 회전 기구(3)에 유지되어 있는 웨이퍼(W)의 표면(상면)에 대하여, 레지스트 박리액(약액)의 일예로서의 SPM액을 공급하기 위한 박리액 노즐(약액 노즐, 약액 공급 유닛)(4)과, 웨이퍼 회전 기구(3)에 유지되어 있는 웨이퍼(W)의 표면에 대향하여 배치되고, 웨이퍼(W) 및 웨이퍼(W)의 표면상의 SPM액을 가열하는 히터 헤드(히터)(35)를 구비하고 있다.
웨이퍼 회전 기구(3)로서, 협지식의 것이 채용되어도 된다. 구체적으로는, 웨이퍼 회전 기구(3)는, 예를 들어, 모터(회전 유닛)(6)와, 이 모터(6)의 구동축과 일체화된 스핀축(7)과, 스핀축(7)의 상단에 거의 수평으로 부착된 원판상의 스핀 베이스(8)와, 스핀 베이스(8)의 둘레 가장자리부의 복수 개소에 거의 등각도 간격으로 설치된 복수개의 협지 부재(9)를 구비하고 있다. 그리고, 복수개의 협지 부재(9)는, 웨이퍼(W)를 거의 수평인 자세로 협지한다. 이 상태에서, 모터(6)가 구동되면, 그 구동력에 의해서 스핀 베이스(8)가 연직 방향을 따르는 회전 축선(C) 둘레로 회전되고, 그 스핀 베이스(8)와 함께, 웨이퍼(W)가 거의 수평인 자세를 유지한 상태에서 회전 축선(C) 둘레로 회전된다.
웨이퍼 회전 기구(3)로는, 협지식인 것에 한정되지 않고, 예를 들어, 웨이퍼(W)의 이면을 진공 흡착함으로써, 웨이퍼(W)를 수평 자세로 유지하고, 또한 그 상태에서 회전 축선(C) 둘레로 회전함으로써, 그 유지한 웨이퍼(W)를 회전시키는 진공 흡착식의 것이 채용되어도 된다.
웨이퍼 회전 기구(3)는, 컵(5) 내에 수용되어 있다. 컵(5)은, 컵 하부(5A)와, 컵 하부(5A)의 상방에 승강 가능하게 설치된 컵 상부(5B)를 구비하고 있다.
컵 하부(5A)는, 중심 축선이 웨이퍼(W)의 회전 축선(C)과 일치하는 바닥이 있는 원통형을 이루고 있다. 컵 하부(5A)의 저면에는, 배기구(도시하지 않음)가 형성되어 있고, 기판 처리 장치(1)의 가동중은, 상시, 컵(5) 내의 분위기가 배기구로부터 배기되어 있다.
컵 상부(5B)는, 컵 하부(5A)와 중심 축선을 공통으로 하는 원통형상의 원통부(71)와, 이 원통부(71)의 상단으로부터 원통부(71)의 중심 축선에 근접할수록 높아지도록 경사진 경사부(72)를 일체적으로 구비하고 있다. 컵 상부(5B)에는, 컵 상부(5B)를 승강(상하동)시키기 위한 컵 승강 기구(도시하지 않음)가 결합되어 있다. 컵 승강 기구에 의해, 컵 상부(5B)는, 원통부(71)가 스핀 베이스(8)의 측방에 배치되는 위치와, 경사부(72)의 상단이 스핀 베이스(8)의 하방에 배치되는 위치로 이동된다.
컵 상부(5B)의 상면에는, 경사부(72)의 상단 가장자리에 둘러싸인 원형상의 개구(73)가 형성되어 있다. 개구(73)는, 컵 상부(5B)의 승강을 실현하기 위해, 스핀 베이스(8)가 통과 가능한 사이즈를 가지고 있고, 따라서, 웨이퍼(W)가 통과 가능한 사이즈를 가지고 있다.
박리액 노즐(4)은, 예를 들어, 연속류 상태에서 SPM액을 토출하는 스트레이트 노즐이다. 박리액 노즐(4)은, 그 토출구를 하방을 향한 상태에서, 거의 수평으로 연장되는 제1액 아암(11)의 선단에 부착되어 있다. 제1액 아암(11)은, 연직 방향으로 연장되는 소정의 요동 축선 둘레에 선회 가능하게 설치되어 있다. 제1액 아암(11)에는, 제1액 아암(11)을 소정 각도 범위 내에서 요동시키기 위한 제1액 아암 요동 기구(12)가 결합되어 있다. 제1액 아암(11)의 요동에 의해, 박리액 노즐(4)은, 웨이퍼(W)의 회전축선(C) 상의 위치(웨이퍼(W)의 회전 중심에 대향하는 위치)와, 웨이퍼 회전 기구(3)의 측방에 설정된 홈 포지션의 사이에서 이동된다.
박리액 노즐(4)에 SPM액을 공급하기 위한 박리액 공급 기구(약액 공급 유닛)(13)은, 황산(H2SO4)과 과산화수소수(H202)를 혼합시키기 위한 혼합부(14)와, 혼합부(14)와 박리액 노즐(4)의 사이에 접속된 박리액 공급관(15)을 구비하고 있다. 혼합부(14)에는, 황산 공급관(16) 및 과산화수소수 공급관(17)이 접속되어 있다. 황산 공급관(16)에는, 후술하는 황산 공급부로부터, 소정 온도(예를 들어 약 80℃)로 온도 조절된 황산이 공급된다. 한편, 과산화수소수 공급관(17)에는, 과산화 수소수 공급원으로부터, 온도 조절되지 않은 실온(약 25℃) 정도의 과산화수소수가 공급된다. 황산 공급관(16)의 도중부에는, 황산 밸브(18) 및 유량 조절 밸브(19)가 끼워져 장착되어 있다. 또한, 과산화수소수 공급관(17)의 도중부에는, 과산화수소수 밸브(20) 및 유량 조절 밸브(21)가 부착되어 있다. 박리액 공급관(15)의 도중부에는, 교반 유통관(22) 및 박리액 밸브(23)가 혼합부(14)측으로부터 이 순서대로 끼워져 장착되어 있다. 교반 유통관(22)은, 예를 들어, 관 부재 내에, 각각 액체 유통 방향을 축으로 거의 180도의 비틀림을 추가한 장방형 판상체로 이루어지는 복수의 교반 핀을, 액체 유통 방향을 따라 관 중심축 둘레의 회전 각도를 90도씩 교호로 다르게 배치한 구성을 가지고 있다.
박리액 밸브(23)가 열린 상태에서, 황산 밸브(18) 및 과산화수소수 밸브(20)가 열리면, 황산 공급관(16)으로부터의 황산 및 과산화수소수 공급관(17)으로부터의 과산화수소수가 혼합부(14)에 유입되고, 이들이 혼합부(14)로부터 박리액 공급관(15)으로 유출된다. 황산 및 과산화수소수는, 박리액 공급관(15)을 유통하는 도중, 교반 유통관(22)을 통과함으로써 충분히 교반된다. 교반 유통관(22)에 의한 교반에 의해서, 황산과 과산화수소수가 충분히 반응하여, 다량의 페르옥소-황산(H2SO5)을 포함하는 SPM액이 생성된다.
그리고, SPM액은, 황산과 과산화수소수의 반응열에 의해, 혼합부(14)에 공급되는 황산의 액온 이상의 고온으로 승온한다. 그 고온의 SPM액이 박리액 공급관(15)을 통하여 박리액 노즐(4)에 공급된다.
이 실시 형태에서는, 황산 공급부의 황산 탱크(도시하지 않음)에는, 황산이 고여있고, 이 황산 탱크 내의 황산은, 온도 조절기(도시하지 않음)에 의해, 소정 온도(예를 들어 약 80℃)로 온도 조절되어 있다. 이 황산 탱크 내에 고인 황산이 황산 공급관(16)에 공급된다. 혼합부(14)에 있어서, 약 80℃의 황산과, 실온의 과산화수소수가 혼합됨으로써, 약 140℃의 SPM액이 생성된다. 박리액 노즐(4)은, 약 140℃의 SPM액을 토출한다.
또한, 기판 처리 장치(1)는, 웨이퍼 회전 기구(3)에 유지된 웨이퍼(W)의 표면에 린스액으로서의 DIW(탈이온화된 물)를 공급하기 위한 DIW 노즐(24)과, 웨이퍼 회전 기구(3)에 유지된 웨이퍼(W)의 표면에 대하여 세정용 약액으로서의 SC1(a㎜onia－hydrogen peroxide mixture : 암모니아 과산화수소수 혼합액)을 공급하기 위한 SC1 노즐(25)을 구비하고 있다.
DIW 노즐(24)은, 예를 들어, 연속류 상태에서 DIW를 토출하는 스트레이트 노즐이며, 웨이퍼 회전 기구(3)의 상방에서, 그 토출구를 웨이퍼(W)의 회전 중심 부근을 향해서 고정적으로 배치되어 있다. DIW 노즐(24)에는, DIW 공급원으로부터의 DIW가 공급되는 DIW 공급관(26)이 접속되어 있다. DIW 공급관(26)의 도중부에는, DIW 노즐(24)로부터의 DIW의 공급/공급 정지를 전환하기 위한 DIW 밸브(27)가 끼워져 장착되어 있다.
SC1 노즐(25)은, 예를 들어, 연속류 상태에서 SC1를 토출하는 스트레이트 노즐이다. SC1 노즐(25)은, 그 토출구를 하방을 향한 상태에서, 거의 수평으로 연장되는 제2액 아암(28)의 선단에 부착되어 있다. 제2액 아암(28)은, 연직 방향으로 연장되는 소정의 요동 축선 둘레에 선회 가능하게 설치되어 있다. 제2액 아암(28)에는, 제2액 아암(28)을 소정 각도 범위 내에서 요동시키기 위한 제2액 아암 요동 기구(29)가 결합되어 있다. 제2액 아암(28)의 요동에 의해, SC1 노즐(25)은, 웨이퍼(W)의 회전 축선(C) 상의 위치(웨이퍼(W)의 회전 중심에 대향하는 위치)와, 웨이퍼 회전 기구(3)의 측방에 설정된 홈 포지션의 사이에서 이동된다.
SC1 노즐(25)에는, SC1 공급원으로부터의 SC1가 공급되는 SC1 공급관(30)이 접속되어 있다. SC1 공급관(30)의 도중부에는, SC1 노즐(25)로부터의 SC1의 공급/공급 정지를 전환하기 위한 SC1 밸브(31)가 끼워져 장착되어 있다.
웨이퍼 회전 기구(3)의 측방에는, 연직 방향으로 연장되는 지지축(33)이 배치되어 있다. 지지축(33)의 상단부에는, 수평 방향으로 연장되는 히터 아암(34)이 결합되어 있고, 히터 아암(34)의 선단에, 적외선 램프(38)를 수용하여 유지하는 히터 헤드(35)가 부착되어 있다. 또한, 지지축(33)에는, 지지축(33)을 중심축선 둘레로 회동시키기 위한 요동 구동 기구(히터 헤드 이동 유닛, 유지 헤드 이동 유닛)(36)와, 지지축(33)을 중심 축선을 따라서 상하동시키기 위한 승강 구동 기구(히터 헤드 이동 유닛, 유지 헤드 이동 유닛)(37)이 결합되어 있다.
요동 구동 기구(36)로부터 지지축(33)에 구동력을 입력하고, 지지축(33)을 소정의 각도 범위 내에서 회동시킴으로써, 웨이퍼 회전 기구(3)에 유지된 웨이퍼(W)의 상방에서, 히터 아암(34)은, 지지축(33)을 지점으로서 요동한다. 히터 아암(34)의 요동에 의해, 히터 헤드(35)를, 웨이퍼(W)의 회전 축선(C) 상의 위치(웨이퍼(W)의 회전 중심에 대향하는 위치)와, 웨이퍼 회전 기구(3)의 측방에 설정된 홈 포지션의 사이에서 이동한다. 또한, 승강 구동 기구(37)로부터 지지축(33)에 구동력을 입력하고, 지지축(33)을 상하동시킴으로써, 웨이퍼 회전 기구(3)에 유지된 웨이퍼(W)의 표면에 근접하는 근접 위치(후술하는 중앙 근접 위치, 둘레 가장자리 근접 위치, 중간 근접 위치를 포함한다. 도 1에 2점 쇄선으로 표시하는 높이의 위치)와, 그 웨이퍼(W)의 상방으로 퇴피하는 퇴피 위치(도 1에 실선으로 표시하는 높이의 위치)의 사이에서, 히터 헤드(35)를 승강시킬 수 있다. 이 실시 형태에서, 근접 위치는, 웨이퍼 회전 기구(3)에 유지된 웨이퍼(W)의 표면과 히터 헤드(35)의 하면의 간격이 예를 들어 3mm가 되는 위치에 설정되어 있다.
도 2는, 히터 헤드(35)의 구성예를 나타내는 도해적인 단면도이다. 히터 헤드(35)는, 적외선 램프(38)와, 상부에 개구부(39)를 가지고, 적외선 램프(38)를 수용하는 바닥이 있는 용기 형상의 램프 하우징(40)과, 램프 하우징(40)의 내부에서 적외선 램프(38)를 매달아 지지하는 지지 부재(42)와, 램프 하우징(40)의 개구부(39)를 폐색하기 위한 뚜껑(41)을 구비하고 있다. 이 실시 형태에서는, 뚜껑(41)이 히터 아암(34)의 선단에 고정되어 있다.
도 3은 적외선 램프(38)의 구성예를 나타내는 사시도이다. 도 2 및 도 3에 나타내는 바와같이, 적외선 램프(38)는, 원환상의 (원호상의) 원환부(43)와, 원환부(43)의 양단으로부터, 원환부(43)의 중심축선을 따르도록 연직 상방으로 연장되는 한쌍의 직선부(44, 45)를 가지는 1개의 적외선 램프 히터이다. 주로 원환부(43)가 적외선을 방사하는 발광부로서 기능한다. 이 실시 형태에서는, 원환부(43)의 직경(외경)은, 예를 들어 약 60mm로 설정되어 있다. 적외선 램프(38)가 지지 부재(42)에 지지된 상태에서, 원환부(43)의 중심축선은, 연직 방향으로 연장되어 있다. 환언하면, 원환부(43)의 중심축선은, 웨이퍼 회전 기구(3)에 유지된 웨이퍼(W)의 표면에 수직인 축선이다. 적외선 램프(38)의 원환부(43)는, 거의 수평면을 따르도록 배치된다.
적외선 램프(38)는, 필라멘트를 석영관 내에 수용하여 구성되어 있다. 적외선 램프(38)에는, 전압 공급을 위한 앰프(54)(도 6 참조)가 접속되어 있다. 적외선 램프(38)로서, 할로겐 램프나 카본 히터로 대표되는 단·중·장파장의 적외선 히터를 채용할 수 있다.
도 4는 히터 아암(34) 및 히터 헤드(35)의 구성예를 나타내는 사시도이다. 도 2 및 도 4에 나타내는 바와같이, 뚜껑(41)은 원판상을 이루고, 히터 아암(34)에 대하여 수평 자세, 즉 히터 아암(34)의 길이 방향을 따르는 자세로 고정되어 있다. 뚜껑(41)은, PTFE(폴리테트라플루오로에틸렌) 등의 불소 수지 재료를 이용하여 형성되어 있다. 이 실시 형태에서, 뚜껑(41)은 히터 아암(34)과 일체로 형성되어 있다. 그러나, 뚜껑(41)을 히터 아암(34)과 별도로 형성하도록 해도 된다. 또한, 뚜껑(41)의 재료로서, PTFE 등의 수지 재료 이외에도, 세라믹스나 석영 등의 재료를 채용할 수도 있다.
도 2에 나타내는 바와같이, 뚜껑(41)의 하면(49)에는, 대략 원통형상의 홈부(51)가 형성되어 있다. 홈부(51)는 수평 평탄면으로 이루어지는 상저면(50)을 가지고, 상저면(50)에 지지 부재(42)의 상면(42A)이 접촉하여 고정되어 있다. 도 2 및 도 4에 나타내는 바와같이, 뚜껑(41)에는, 상저면(50)을 상하 방향(연직 방향)으로 관통하는 삽입통과공(58, 59)이 형성되어 있다. 각 삽입통과공(58, 59)은, 적외선 램프(38)의 직선부(44, 45)의 각 상단부가 삽입통과하도록 형성되어 있다. 도 4에서는, 적외선 램프(38)를 히터 헤드(35)로부터 제거한 상태의 구성을 나타내고 있다.
도 2에 나타내는 바와같이, 램프 하우징(40)은 바닥이 있는 원통 용기 형상을 이루고 있다. 램프 하우징(40)은 석영을 이용하여 형성되어 있다.
램프 하우징(40)은, 그 개구부(39)를 상방을 향한 상태에서, 뚜껑(41)의 하면(49)(이 실시 형태에서는, 홈부(51) 이외의 영역의 하면)에 고정되어 있다. 램프 하우징(40)의 개구측의 둘레 단가장자리에서는, 원환상의 플랜지(40A)가 직경 방향 외방을 향해(수평 방향으로) 돌출하고 있다. 플랜지(40A)가 볼트 등의 고정 유닛(도시하지 않음)을 이용하여 뚜껑(41)의 하면(49)에 고정됨으로써, 램프 하우징(40)이 뚜껑(41)에 지지되어 있다.
이 상태에서, 램프 하우징(40)의 저판부(대향 부재)(52)는, 수평 자세의 원판상을 이루고 있다. 저판부(52)의 상면(52A) 및 하면(대향면)(52B)은, 각각 수평 평탄면을 이루고 있다. 램프 하우징(40) 내에 있어서, 적외선 램프(38)는, 그 원환부(43)의 하부가 저판부(52)의 상면(52A)에 근접하여 대향 배치되어 있다. 원환부(43)와 저판부(52)는 서로 평행하게 설치되어 있다. 관점을 바꾸면, 원환부(43)의 하방은, 램프 하우징(40)의 저판부(52)에 의해서 덮여 있다. 이 실시 형태에서는, 램프 하우징(40)의 외경은, 예를 들어 약 85mm로 설정되어 있다. 또한, 적외선 램프(38)(원환부(43)의 하부)와 상면(52A)의 사이의 상하 방향의 간격은 예를 들어 약 2mm로 설정되어 있다.
지지 부재(42)는 두꺼운 판상(대략 원판상)을 이루고 있고, 볼트(56) 등에 의해서, 뚜껑(41)에 그 하방으로부터, 수평 자세로 부착 고정되어 있다. 지지 부재(42)는, 내열성을 가지는 재료(예를 들어 세라믹스나 석영)를 이용하여 형성되어 있다. 지지 부재(42)는, 그 상면(42A) 및 하면(42B)을, 상하 방향(연직 방향)으로 관통하는 2개의 삽입통과공(46, 47)을 가지고 있다. 적외선 램프(38)의 직선부(44, 45)가, 삽입통과공(46, 47)에 각각 삽입통과되어 있다.
각 직선부(44, 45)의 도중부에는, O링(48)이 바깥에서 끼워져 고정되어 있다. 직선부(44, 45)를 삽통공(46, 47)에 삽통시킨 상태에서는, 2개의 O링(48)의 외주가 대응하는 삽입통과공(46, 47)의 내벽에 각각 압접한다. 이에 따라, 직선부(44, 45)의 각 삽입통과공(46, 47)에 대한 빠짐이 멈추어, 적외선 램프(38)가 지지 부재(42)에 의해서 매달림 지지된다.
앰프(54)로부터 적외선 램프(38)에 전력이 공급되면, 적외선 램프(38)가 적외선을 방사하고, 그 적외선은, 램프 하우징(40)을 통하여, 히터 헤드(35)의 하방을 향해서 출사된다. 램프 하우징(40)의 저판부(52)를 통하여 출사된 적외선이, 웨이퍼(W) 상의 SPM액을 가열한다.
보다 구체적으로는, 후술하는 레지스트 제거 처리 시에, 히터 헤드(35)의 하단면을 구성하는 램프 하우징(40)의 저판부(52)가, 웨이퍼 회전 기구(3)에 유지되어 있는 웨이퍼(W)의 표면에 대향하여 배치된다. 이 상태에서는, 램프 하우징(40)의 저판부(52)를 통하여 출사된 적외선이, 웨이퍼(W) 및 웨이퍼(W) 상의 SPM액을 가열한다.
또한, 적외선 램프(38)의 원환부(43)가 수평 자세이므로, 마찬가지로 수평 자세에 있는 웨이퍼(W)의 표면에 대하여 균일하게 적외선을 조사할 수 있고, 이에 따라, 적외선을, 웨이퍼(W) 및 웨이퍼(W) 상의 SPM액에, 효율적으로 조사할 수 있다. 즉, 적외선 램프(38)의 원환부(43) 및 저판부(52)가 서로 평행하게 설치되어 있으므로, 원환부(43)가 저판부(52)를 따르고 있다. 이 때문에, 원환부(43)에 의한 저판부(52)로의 조사 면적이 넓다. 또한, 적외선 램프(38)의 원환부(43)가 수평 자세이므로, 마찬가지로 수평 자세에 있는 웨이퍼(W)의 표면으로의 조사 면적이 넓다. 이에 따라, 웨이퍼(W) 상의 SPM액에 대하여 적외선을 효율적으로 조사할 수 있다.
적외선 램프(38)의 주위는, 램프 하우징(40)에 의해서 덮여 있다. 또한, 램프 하우징(40)의 플랜지(40A)와 뚜껑(41)의 하면(49)은, 램프 하우징(40)의 전 둘레에 걸쳐서 밀착되어 있다. 또한, 램프 하우징(40)의 개구부(39)가 뚜껑(41)에 의해서 폐색되어 있다. 이에 따라, 후술하는 레지스트 제거 처리 시, 웨이퍼(W)의 표면 부근의 SPM액의 액적을 포함하는 분위기가, 램프 하우징(40) 내에 진입하고, 적외선 램프(38)에 악영향을 미치는 것을 방지할 수 있다. 또한, 적외선 램프(38)의 석영관의 관 벽에 SPM액의 액적이 부착하는 것을 방지할 수 있으므로, 적외선 램프(38)로부터 방사되는 적외선의 광량을 장기에 걸쳐 안정되게 유지할 수 있다.
후술하는 레지스트 제거 처리 시에는, 적외선 램프(38)의 원환부(43) 및 램프 하우징(40)의 저판부(52)가, 웨이퍼 회전 기구(3)에 유지되어 있는 웨이퍼(W)의 표면에 대향하여 배치된다. 환언하면, 웨이퍼(W)에 대한 레지스트 제거 처리 시에는, 저판부(52)는, 웨이퍼 회전 기구(3)에 유지되어 있는 웨이퍼(W)의 표면과, 적외선 램프(38)의 사이에 배치된다.
뚜껑(41) 내에는, 램프 하우징(40)의 내부에 에어를 공급하기 위한 급기 경로(60)와, 램프 하우징(40)의 내부의 분위기를 배기하기 위한 배기 경로(61)가 형성되어 있다. 급기 경로(60) 및 배기 경로(61)는, 뚜껑(41)의 하면에 개구하는 급기 포트(62) 및 배기 포트(63)를 각각 가지고 있다. 급기 경로(60)에는, 급기 배관(64)의 일단이 접속되어 있다. 급기 배관(64)의 타단은, 에어의 급기원에 접속되어 있다. 배기 경로(61)에는, 배기 배관(65)의 일단이 접속되어 있다. 배기 배관(65)의 타단은, 배기원에 접속되어 있다.
급기 배관(64) 및 급기 경로(60)를 통하여, 급기 포트(62)로부터 램프 하우징(40) 내에 에어를 공급하면서, 램프 하우징(40) 내의 분위기를, 배기 포트(63) 및 배기 경로(61)를 통하여 배기 배관(65)에 배기한다. 이에 따라, 램프 하우징(40) 내의 고온 분위기를 환기할 수 있다. 이에 따라, 램프 하우징(40)의 내부를 냉각할 수 있고, 그 결과, 적외선 램프(38)나 램프 하우징(40), 특히 지지 부재(42)를 냉각할 수 있다.
도 4에 나타내는 바와같이, 급기 배관(64) 및 배기 배관(65)(도 4에서는 도시하지 않는다. 도 2 참조)은, 히터 아암(34)의 한쪽의 측면에 설치된 판형상의 급기 배관 홀더(66), 및 히터 아암(34)의 다른쪽의 측면에 설치된 판형상의 배기 배관 홀더(67)에, 각각 지지되어 있다.
도 5는, 히터 헤드(35)의 배치 위치를 나타내는 평면도이다. 요동 구동 기구(36) 및 승강 구동 기구(37)가 제어됨으로써, 히터 헤드(35)는, 웨이퍼(W)의 표면 상을, 웨이퍼(W)의 회전 방향과 교차하는 원호상의 궤적을 그리도록 이동 가능하다.
히터 헤드(35)의 적외선 램프(38)에 의해, 웨이퍼(W) 및 웨이퍼(W) 상의 SPM액을 가열하는 경우, 히터 헤드(35)는, 그 하단면을 구성하는 저판부(52)가 웨이퍼(W)의 표면과 미소 간격(예를 들어 3㎜)을 두고 대향하는 근접 위치에 배치된다. 그리고, 그 가열 중은, 저판부(52)(하면(52B))와 웨이퍼(W)의 표면의 사이가, 그 미소 간격으로 유지된다.
히터 헤드(35)의 근접 위치로서, 중간 근접 위치(도 5에 실선으로 표시하는 위치), 둘레 가장자리 근접 위치(도 5에 2점 쇄선으로 표시하는 위치), 중앙 근접 위치(도 5에 일점 쇄선으로 표시하는 위치)를 예시할 수 있다.
중간 근접 위치는, 웨이퍼(W)의 표면에 있어서의 반경 방향의 중간 위치(회전 중심(회전 축선(C) 상)과 둘레 가장자리부의 사이의 중간 위치)에, 평면에서 봐서 원형상의 히터 헤드(35)의 중심이 대향하고, 또한, 히터 헤드(35)의 저판부(52)와 웨이퍼(W)의 표면의 사이가 미소 간격(예를 들어 3㎜)이 되는 히터 헤드(35)의 위치이다.
둘레 가장자리 근접 위치는, 웨이퍼(W)의 표면에 있어서의 둘레가장자리부에, 평면에서 봐서 원형상의 히터 헤드(35)의 중심이 대향하고, 또한, 히터 헤드(35)의 저판부(52)와 웨이퍼(W)의 표면의 사이가 미소 간격(예를 들어 3㎜)이 되는 히터 헤드(35)의 위치이다.
중앙 근접 위치는, 웨이퍼(W)의 표면에 있어서의 회전 중심(회전 축선(C) 상)에, 평면에서 봐서 원형상의 히터 헤드(35)의 중심이 대향하고, 또한, 히터 헤드(35)의 저판부(52)와 웨이퍼(W)의 표면의 사이가 미소 간격(예를 들어 3㎜)이 되는 히터 헤드(35)의 위치이다.
도 6은, 기판 처리 장치(1)의 전기적 구성을 나타내는 블록도이다. 기판 처리 장치(1)는, 마이크로 컴퓨터를 포함하는 구성의 제어 장치(55)를 구비하고 있다. 제어 장치(55)에는, 모터(6), 앰프(54), 요동 구동 기구(36), 승강 구동 기구(37), 제1액 아암 요동 기구(12), 제 2액 아암 요동 기구(29), 황산 밸브(18), 과산화수소수 밸브(20), 박리액 밸브(23), DIW 밸브(27), SC1 밸브(31), 유량 조절 밸브(19, 21) 등이 제어 대상으로서 접속되어 있다.
도 7은, 기판 처리 장치(1)에 있어서의 레지스트 제거 처리의 제1 처리예를 나타내는 공정도이다. 도 8은, 다음에 기술하는 SPM 액막 형성 공정 및 SPM 액막 가열 공정에 있어서의 제어 장치(55)에 의한 제어 내용을 설명하기 위한 타임 차트이다. 도 9a~도 9b는 SPM 액막 형성 공정 및 SPM 액막 가열 공정을 설명하기 위한 도해적인 단면도이다. 도 10은, 도 9a~도 9b에 나타내는 각 공정에 있어서의 히터 헤드(35)의 이동 범위를 나타내는 평면도이다.
이하, 도 1~도 10을 참조하면서, 레지스트 제거 처리의 제1 처리예에 대하여 설명한다.
레지스트 제거 처리에 있어서는, 반송 로봇(도시하지 않음)이 제어되고, 처리실(2)(도 1 참조) 내에 이온 주입 처리 후의 웨이퍼(W)가 반입된다(단계 S1：웨이퍼 반입). 웨이퍼(W)는, 레지스트를 애싱하기 위한 처리를 받지 않는 것으로 한다. 웨이퍼(W)는, 그 표면을 상방을 향한 상태에서 웨이퍼 회전 기구(3)에 주고받는다. 이 때, 웨이퍼(W)의 반입의 방해가 되지 않도록, 히터 헤드(35), 박리액 노즐(4) 및 SC1 노즐(25)은, 각각 홈 포지션에 배치되어 있다.
웨이퍼 회전 기구(3)에 웨이퍼(W)가 유지되면, 제어 장치(55)는 모터(6)를 제어하고, 웨이퍼(W)를 회전 개시시킨다. 웨이퍼(W)의 회전 속도는 제1 회전 속도(30~300rpm의 범위에서, 예를 들어 60rpm)까지 상승되고, 그 후, 그 제1 회전 속도로 유지된다(단계 S2). 제1 회전 속도는, 후에 공급되는 SPM액으로 웨이퍼(W)를 커버리지할 수 있는 속도, 즉, 웨이퍼(W)의 표면에 SPM액의 액막을 유지 가능한 속도이다. 또한, 제어 장치(55)는, 제1액 아암 요동 기구(12)를 제어하고, 박리액 노즐(4)을 웨이퍼(W)의 상방 위치로 이동한다.
웨이퍼(W)의 회전 속도가 제1 회전 속도에 도달한 후, 도 9a에 나타내는 바와같이, 제어 장치(55)는, 황산 밸브(18), 과산화수소수 밸브(20) 및 박리액 밸브(23)를 열고, 박리액 노즐(4)로부터 SPM액을 웨이퍼(W)의 표면에 공급한다.
웨이퍼(W)의 회전 속도가 제1 회전 속도이므로, 웨이퍼(W)의 표면에 공급되는 SPM액은, 웨이퍼(W)의 표면 상에 고이고, 웨이퍼(W)의 표면 상에, 그 표면의 전역을 덮는 SPM액의 액막(약액의 액막)(70)이 형성된다(단계 S3：SPM 액막 형성 공정).
도 9a에 나타내는 바와같이, SPM 액막 형성 공정의 개시시에는, 제어 장치(55)는, 제1액 아암 요동 기구(12)를 제어하고, 박리액 노즐(4)을 웨이퍼(W)의 회전 중심 상에 배치시켜, 박리액 노즐(4)로부터 SPM액을 토출시킨다. 이에 따라, 웨이퍼(W)의 표면에 SPM액의 액막(70)을 형성하고, SPM액을 웨이퍼(W)의 표면의 전역에 골고루 퍼지게 할 수 있다. 이에 따라, SPM액의 액막(70)으로 웨이퍼(W)의 표면의 전역을 덮을 수 있다.
또한, 단계 S3의 SPM 액막 형성 공정에 병행하여, 제어 장치(55)는, 앰프(54)를 제어하고, 적외선 램프(38)로부터 적외선을 방사시킴과 더불어, 요동 구동 기구(36) 및 승강 구동 기구(37)를 제어하고, 히터 헤드(35)를 유지한 히터 아암(34)을 웨이퍼(W) 상방에서 요동 및 승강시킨다. 구체적으로는, 히터 헤드(35)를, 홈 포지션으로부터 웨이퍼(W)의 둘레가장자리부 상방의 둘레 가장자리 퇴피 위치로 이동시키고, 그 후, 그 둘레 가장자리 퇴피 위치로부터, 웨이퍼(W)의 둘레가장자리부와 대향하는 둘레 가장자리 근접 위치(도 9a에 실선으로, 도 10에 2점 쇄선으로 표시하는 위치)로 하강시킨다. 그리고, 제어 장치(55)는, 히터 헤드(35)를 둘레 가장자리 근접 위치에 배치한 후, 히터 헤드(35)를, 웨이퍼(W)의 회전 중심에 대향하는 중앙 근접 위치(도 9b에 실선으로, 도 10에 실선으로 표시하는 위치)를 향하여 수평 이동(웨이퍼(W)의 표면을 따라서) 이동시킨다.
웨이퍼(W)의 표면의 전역을 덮는 SPM액의 액막(70)이 형성될 때까지 필요로 하는 액막 형성 시간은, 박리액 노즐(4)로부터 토출되는 SPM액의 유량에 따라서 다르지만, 2~15초간의 범위에서, 예를 들어 5초간이다.
이 액막 형성 시간(예를 들어 5초간)이, SPM액의 공급 개시부터 경과하면, 제어 장치(55)는, 모터(6)를 제어하고, 웨이퍼(W)의 회전 속도를 제1 회전 속도보다도 낮은 소정의 제2 회전 속도로 낮춘다. 이에 따라, 단계 S4의 SPM 액막 가열 공정이 실행된다.
제2 회전 속도는, 웨이퍼(W)로의 SPM액의 공급이 없어도, 웨이퍼(W)의 표면상에 SPM액의 액막(70)을 유지 가능한 속도(1~20rpm의 범위에서, 예를 들어 15rpm)이다. 또한, 모터(6)에 의한 웨이퍼(W)의 감속과 동기하여, 도 9b에 나타내는 바와같이, 제어 장치(55)는, 박리액 밸브(23)를 닫고, 박리액 노즐(4)로부터의 SPM액의 공급을 정지함과 더불어, 제1액 아암 요동 기구(12)를 제어하고, 박리액 노즐(4)을 홈 포지션으로 되돌린다. 웨이퍼(W)로의 SPM액의 공급이 정지되어도, 웨이퍼(W)의 회전 속도가 제2 회전 속도로 낮아짐으로써, 웨이퍼(W)의 표면 상에 SPM액의 액막(70)이 계속하여 유지된다.
도 9b에 나타내는 바와같이, 웨이퍼(W)의 회전 속도가 낮아진 후도, 히터 헤드(35)의 히터(38, 52)에 의한 웨이퍼(W)의 표면상의 SPM액의 가열, 및 히터 헤드(35)의 이동 (스캔)은 계속된다(단계 S4：SPM 액막 가열 공정). 제어 장치(55)는, 앰프(54)를 제어하고, 적외선 램프(38)로부터 적외선을 방사시킴과 더불어, 요동 구동 기구(36) 및 승강 구동 기구(37)를 제어하고, 도 9b 및 도 10에 나타내는 바와같이, 히터 헤드(35)를, 도 9b에 실선으로 나타내는 중앙 근접 위치와, 도 9a에 나타내는 둘레 가장자리 근접 위치의 사이에서 왕복 이동시킨다. 적외선 램프(38)에 의한 적외선의 조사에 의해, 웨이퍼(W)의 표면에 있어서의 저판부(52)의 하면(52B)에 대향하는 영역에 존재하는 SPM액이, 약 250℃ 정도의 고온으로 가열되어, SPM액이 급격하게 따뜻해진다. 그리고, 웨이퍼(W)의 표면에 있어서의 저판부(52)의 하면(52B)에 대향하는 영역(적외선 램프(38)에 대향하는 영역)이, 웨이퍼(W)의 회전 중심을 포함하는 영역으로부터 웨이퍼(W)의 둘레 가장자리를 포함하는 영역에 이르는 범위 내를 원호띠 형상의 궤적을 그리면서 이동한다. 이에 따라, 웨이퍼(W)의 표면의 전역을 가열할 수 있고, 이 경우, 적외선 램프(38) 직하의 웨이퍼(W)가 따뜻해져, 웨이퍼(W)와의 경계 부근의 SPM액이 따뜻해진다.
또한, 둘레 가장자리 근접 위치는, 히터 헤드(35)를 그 상방으로부터 보았을 때에, 저판부(52)의 하면(52B)의 일부, 보다 바람직하게는 적외선 램프(38)의 원환부(43)가, 웨이퍼(W)의 외주보다도 직경 방향으로 뻗어있는 위치이다.
전술과 같이, 히터 헤드(35)가 근접 위치에 있을 때는, 저판부(52)의 하면(52B)과 웨이퍼(W)의 표면의 사이가 미소 간격(예를 들어 3mm)으로 유지된다. 이 때문에, 하면(52B)과 웨이퍼(W)의 표면의 사이의 분위기를, 그 주위로부터 차단할 수 있어, 당해 분위기를 보온할 수 있다. 이에 따라, 웨이퍼(W)의 표면에 있어서의 저판부(52)의 하면(52B)에 대향하는 영역에 존재하는 SPM액의 온도 강하를 억제할 수 있으므로, 당해 영역에 존재하는 SPM액의 고온화를 한층 더 도모할 수 있다.
단계 S4의 SPM 액막 가열 공정에서는, SPM액의 액막(70)이 웨이퍼(W)의 표면과의 경계 부근에서 따뜻해진다. 이 사이에, 웨이퍼(W)의 표면 상의 레지스트와 SPM액의 반응이 진행되고, 웨이퍼(W)의 표면으로부터의 레지스트의 박리가 진행된다.
그 후, 웨이퍼(W)의 회전 속도가 낮아지고 나서 미리 정한 액막 가열 처리 시간(5~240초간의 범위에서, 예를 들어 약 14초간)이 경과하면, 제어 장치(55)는, 황산 밸브(18) 및 과산화수소수 밸브(20)를 닫는다. 또한, 제어 장치(55)는, 앰프(54)를 제어하고, 적외선 램프(38)로부터의 적외선의 방사를 정지시킨다. 또한, 제어 장치(55)는, 요동 구동 기구(36) 및 승강 구동 기구(37)를 제어하고, 히터 헤드(35)를 홈 포지션으로 되돌린다. 그리고, 제어 장치(55)는, 모터(6)를 제어하고, 웨이퍼(W)의 회전 속도를 소정의 액 처리 회전 속도(300~1500rpm의 범위에서, 예를 들어 1000rpm)로 올리고, 또한, DIW 밸브(27)를 열고, DIW 노즐(24)의 토출구로부터 웨이퍼(W)의 회전 중심 부근을 향해서 DIW를 공급한다(단계 S5：중간 린스 처리 공정). 웨이퍼(W)의 표면에 공급된 DIW는, 웨이퍼(W)의 회전에 의한 원심력을 받아, 웨이퍼(W)의 표면 상을 웨이퍼(W)의 둘레 가장자리를 향해서 흐른다. 이에 따라, 웨이퍼(W)의 표면에 부착되어 있는 SPM액이 DIW에 의해서 씻겨흐른다.
DIW의 공급이 소정의 중간 린스 시간에 걸쳐서 계속되면, DIW 밸브(27)가 닫혀지고, 웨이퍼(W)의 표면으로의 DIW의 공급이 정지된다.
웨이퍼(W)의 회전 속도를 액 처리 회전 속도로 유지하면서, 제어 장치(55)는, SC1 밸브(31)를 열고, SC1 노즐(25)로부터 SC1를 웨이퍼(W)의 표면에 공급한다(단계 S6). 또한, 제어 장치(55)는, 제2액 아암 요동 기구(29)를 제어하고, 제2액 아암(28)을 소정 각도 범위 내에서 요동 시키고, SC1 노즐(25)을, 웨이퍼(W)의 회전 중심상과 둘레가장자리부 상의 사이에서 왕복 이동시킨다. 이에 따라, SC1 노즐(25)로부터의 SC1가 이끌리는 웨이퍼(W)의 표면상의 공급 위치는, 웨이퍼(W)의 회전 중심으로부터 웨이퍼(W)의 둘레가장자리부에 이르는 범위 내를, 웨이퍼(W)의 회전 방향과 교차하는 원호상의 궤적을 그리면서 왕복 이동한다. 이에 따라, 웨이퍼(W)의 표면의 전역에, SC1가 얼룩없이 공급되고, SC1의 화학적 능력에 의해, 웨이퍼(W)의 표면에 부착해 있는 레지스트 잔사 및 파티클 등의 이물을 제거할 수 있다.
SC1의 공급이 소정의 SC1 공급 시간에 걸쳐서 계속되면, 제어 장치(55)는, SC1 밸브(31)를 닫음과 더불어, 제2액 아암 요동 기구(29)를 제어하고, SC1 노즐(25)을 홈 포지션으로 되돌린다. 또한, 웨이퍼(W)의 회전 속도가 액 처리 회전 속도로 유지된 상태에서, 제어 장치(55)는, DIW 밸브(27)를 열고, DIW 노즐(24)의 토출구로부터 웨이퍼(W)의 회전 중심 부근을 향해서 DIW를 공급한다(단계 S7 : 린스 처리 공정). 웨이퍼(W)의 표면에 공급된 DIW는, 웨이퍼(W)의 회전에 의한 원심력을 받아, 웨이퍼(W)의 표면상을 웨이퍼(W)의 둘레 가장자리를 향해서 흐른다. 이에 따라, 웨이퍼(W)의 표면에 부착되어 있는 SC1이 DIW에 의해서 씻겨흐른다.
DIW의 공급이 소정의 린스 시간에 걸쳐서 계속되면, DIW 밸브(27)가 닫혀지고, 웨이퍼(W)의 표면으로의 DIW의 공급이 정지된다.
단계 S5의 중간 린스 공정 및 단계 S7의 린스 공정에 있어서, 린스액으로서, DIW에 한정되지 않고, 탄산수, 전해 이온수, 오존수, 환원수(수소수), 자기수 등을 채용할 수도 있다.
린스 처리의 개시로부터 소정 시간이 경과하면, 제어 장치(55)는, DIW 밸브(27)를 닫고, 웨이퍼(W)의 표면으로의 DIW의 공급을 정지한다. 그 후, 제어 장치(55)는, 모터(6)를 구동하고, 웨이퍼(W)의 회전 속도를 소정의 고회전 속도(예를 들어 1500~2500rpm)로 올리고, 웨이퍼(W)에 부착되어 있는 DIW를 떼어내고 건조하는 스핀 드라이 처리를 행한다(단계 S8). 단계 S8의 스핀 드라이 처리에 의해서, 웨이퍼(W)에 부착되어 있는 DIW가 제거된다.
스핀 드라이 처리가 미리 정한 스핀 드라이 처리 시간에 걸쳐서 행해지면, 제어 장치(55)는, 모터(6)를 제어하고, 웨이퍼 회전 기구(3)의 회전을 정지시킨다. 이에 따라, 1매의 웨이퍼(W)에 대한 레지스트 제거 처리가 종료하고, 반송 로봇에 의해서, 처리가 끝난 웨이퍼(W)가 처리실(2)로부터 반출된다(단계 S9).
이상과 같이, 이 실시 형태에 의하면, 웨이퍼(W)의 표면에 SPM액이 공급된다. 또한, 웨이퍼 회전 기구(3)에 유지되어 있는 웨이퍼(W)의 표면에, 제1 유량(예를 들어 0.9리터/분)의 SPM액을 공급함과 더불어, 그 웨이퍼(W)를 제1회전 속도(예를 들어 60rpm)로 회전시킴으로써, 웨이퍼(W)의 표면에 당해 표면을 덮는 SPM액의 액막(70)이 형성된다. 그 후, 웨이퍼(W)의 회전 속도가 제2 회전 속도(예를 들어 15rpm)로 낮추어짐으로써, 웨이퍼(W)의 표면 상에 SPM액의 액막(70)이 계속하여 유지된다.
이 액막(70)의 유지와 병행하여, 웨이퍼(W)의 표면에 히터 헤드(35)를 근접 배치하고, 적외선 램프(38)의 방사를 개시함으로써, 웨이퍼(W)의 표면에 있어서의 적외선 램프(38)에 대향하는 영역에 존재하는 SPM액이, 적외선 램프(38)에 의해 가열된다. 또한, 적외선 램프(38)에 의한 가열과 병행하여, 히터 헤드(35)가 웨이퍼(W)의 표면을 따라서 이동된다. 이 경우, 웨이퍼(W)의 표면에 있어서의 적외선 램프(38)에 대향하는 영역이, 웨이퍼(W)의 회전 중심을 포함하는 영역으로부터 웨이퍼(W)의 둘레 가장자리를 포함하는 영역에 이르는 범위 내를 원호 띠형상의 궤적을 그리면서 이동한다. 이 때문에, 웨이퍼(W)의 표면의 거의 전역을 가열할 수 있다. 이에 따라, 웨이퍼(W)의 표면에 형성된 SPM액의 액막(70)의 웨이퍼(W)와의 경계 부분이 따뜻해진다. 그 결과, 웨이퍼(W)의 표면의 전역으로부터 레지스트를 양호하고 균일하게 제거할 수 있다.
또한, 웨이퍼(W)의 표면상의 SPM액의 웨이퍼(W)와의 경계 부근을 따뜻하게 할 수 있으므로, 경화층을 가지는 레지스트여도, 애싱하지 않고, 웨이퍼(W)의 표면으로부터 제거할 수 있다. 레지스트의 애싱이 불필요하므로, 애싱에 의한 웨이퍼(W)의 표면의 손상을 회피할 수 있다.
또한, 웨이퍼(W)의 표면 상의 SPM액의 웨이퍼(W)와의 경계 부근을 따뜻하게 할 수 있으므로, 레지스트의 박리를 촉진할 수 있어 레지스트 제거를 위한 처리 시간을 단축할 수 있다.
만일, 단계 S3의 SPM 액막 형성 공정이나, 단계 S4의 SPM 액막 가열 공정을 이용하지 않고 , 웨이퍼(W) 상의 레지스트 박리를 행하는 경우, 200℃ 이상의 SPM액을, 2리터/분의 유량으로, 60초간 계속 공급할 필요가 있다. 이 때, 1매의 웨이퍼(W)를 레지스트 제거 처리하기 위해서 필요한 SPM액의 소비량은 1리터이다. 또한 이 경우에는, 200℃ 이상의 SPM액을 생성하기 위해서, 황산 공급부(도시하지 않음)로부터 혼합부(14)에 공급되는 황산이, 고온(약 180~195℃)로 유지되어 있을 필요가 있다. 따라서, 황산의 소비량이 커질 뿐만 아니라, 그 황산을 승온시키기 위해서 필요로 하는 열량도 방대해질 우려가 있다.
이에 대해, 이 실시 형태에서는, 단계 S4의 SPM 액막 가열 공정에 있어서 웨이퍼(W)로의 SPM액의 공급을 정지한다. 이 때문에, 단계 S3의 SPM 액막 형성 공정 및 단계 S4의 SPM 액막 가열 공정에 있어서의 SPM액의 소비량은, 예를 들어, 0.075리터 정도로 저감 된다. 이에 따라, 황산의 소비량을 저감할 수 있다.
또한, 황산 공급부(도시하지 않음)로부터 공급되는 황산의 온도가 저온(약 80℃)일 뿐만 아니라, 그 황산의 소비량을 저감할 수도 있으므로, 고온(약 180~195℃)의 황산을 대량으로 소비하는 경우와 비교하여, 황산의 승온을 위해서 필요로 하는 열량을 대폭 저감할 수 있다. 이상에 의해, 1매의 웨이퍼(W)의 처리에 필요로 하는 비용을 저감할 수 있다.
또한, 적외선 램프(38)나 램프 하우징(40)을 가지는 히터 헤드(35)가, 박리액 노즐(4)과는 따로 설치되어 있다. 예를 들어, 적외선 램프(38)나 램프 하우징(40)과 박리액 노즐(4)이 공통의 유지 헤드에 포함되어 있으면, 적외선 램프(38)나 저판부(52)에 의한 가열의 대상은, 박리액 노즐(4)로부터 웨이퍼(W)의 표면에 공급된 직후의 SPM액에 한정되게 된다.
이에 대하여, 이 실시 형태에서는, 히터 헤드(35)가 박리액 노즐(4)과는 따로 설치되어 있으므로, 웨이퍼(W)의 표면에 공급되고 나서 시간이 경과하고, 온도 강하하는 SPM액을 가열할 수 있고, 당해 SPM액을 다시 승온시킬 수 있다. 이에 따라, 웨이퍼(W)의 표면 상의 SPM액을 200℃ 이상의 고온으로 양호하게 유지할 수 있다.
도 11은, 레지스트 제거 처리의 제2 처리예의 주요한 공정에 있어서의 제어 장치(55)에 의한 제어 내용을 설명하기 위한 타임 차트이다. 도 12는, 레지스트 제거 처리의 제3 처리예의 주요한 공정에 있어서의 제어 장치(55)에 의한 제어 내용을 설명하기 위한 타임 차트이다.
제2 처리예 및 제3 처리예에서는 제1 처리예와 마찬가지로, SPM 액막 형성 공정(도 7에 나타내는 단계 S3), SPM 액막 가열 공정(도 7에 나타내는 단계 S4), 중간 린스 공정(도 7에 나타내는 단계 S5), SC1 공급 공정(도 7에 나타내는 단계 S6) 및 린스 공정(도 7에 나타내는 단계 S7) 및 스핀 드라이 처리(도 7에 나타내는 단계 S8)의 각 처리가, 이 순서대로 실행된다.
제2 처리예 및 제3 처리예가 제1 처리예와 상이한 점은, 단계 S4의 SPM 액막 가열 공정에 있어서, 웨이퍼(W)의 표면에, SPM액을, 그 단위 시간당의 유량이, 제1 유량보다 작아지도록 공급하고 있는 점이다.
구체적으로는, 제2 처리예에서, 제어 장치(55)는, 단계 S4의 SPM 액막 가열 공정의 초기에 있어서, 제1 유량의 SPM액을 웨이퍼 회전 기구(3)에 유지되어 있는 웨이퍼(W)에 공급한다. 이 때, 제어 장치(55)는, 유량 조절 밸브(19, 21)를 제어하고, 단계 S4의 SPM 액막 가열 공정의 진행에 따라, 웨이퍼(W)에 공급하는 SPM액의 유량을 서서히(예를 들어, 시간의 경과에 비례하여) 감소시킨다. 그리고, 제어 장치(55)는, SPM 액막 가열 공정의 개시로부터 소정 시간(예를 들어 5초간)이 경과한 후, 웨이퍼(W)에 대한 SPM액의 공급을 정지시킨다.
또한, 제3 처리예에서, 제어 장치(55)는, 단계 S4의 SPM 액막 가열 공정의 개시 시에 있어서, 제1 유량의 SPM액을, 웨이퍼 회전 기구(3)에 유지되어 있는 웨이퍼(W)에 간헐적으로 공급한다. 보다 구체적으로는, SPM액의 간헐 공급은, 예를 들어 2초간의 SPM액의 공급과, 예를 들어 5초간의 SPM액의 공급 정지를 교호로 반복하여 행해도 된다.
제2 처리예 및 제3 처리예에 의하면, SPM액의 액막(70)에 대한 가열 시에, 당해 액막(70)에, 새로운 SPM액이 가해진다. 이에 따라, 웨이퍼(W)의 표면상에, SPM액의 액막(70)이 안정되게 유지된다. 또한, 웨이퍼(W)의 표면에 대한 SPM액의 단위 시간 당의 평균 공급 유량이 제1 유량보다 적기 때문에, SPM액의 소비량의 저감을 도모할 수 있다.
또한, 제2 처리예에서는, 단계 S4의 SPM 액막 가열 공정의 도중에, 웨이퍼(W)에 대한 SPM액의 공급을 정지시키고 있다. 그러나, SPM액의 공급 유량을 서서히(예를 들어 시간의 경과에 비례하여) 감소시킨 후에, 웨이퍼(W)에 대한 SPM액의 공급 유량을, 제1 유량보다도 적은 제2 유량으로 하고, 그 후, 제2 유량으로, SPM액의 공급을 속행해도 된다.
또한, 제3 처리예에서는, SPM액의 간헐 토출 시의 유량을 제1 유량으로 했는데, 이 간헐 토출 시의 SPM액의 공급 유량을, 제1 유량보다도 적은 제2 유량으로 할 수도 있다.
도 13은, 기판 처리 장치(1)에 있어서의 레지스트 제거 처리의 제4 처리예를 나타내는 공정도이다. 도 14는, 주로, SPM 액막 형성 공정(액막 형성 공정), SPM 액막 박화 공정(액막 박화 공정도) 및 SPM 액막 가열 공정(액막 유지 공정)에 있어서의 제어 장치(55)에 의한 제어 내용을 설명하기 위한 타임 차트이다. 도 15a~도 15c는, SPM 액막 형성 공정, SPM 액막 박화 공정 및 SPM 액막 가열 공정을 설명하기 위한 도해적인 도면이다.
이하, 도 1~도 6, 도 13~도 15c를 참조하면서, 레지스트 제거 처리의 제4 처리예에 대하여 설명한다.
레지스트 제거 처리에 있어서는, 반송 로봇(도시하지 않음)이 제어되고, 처리실(2)(도 1 참조) 내에 이온 주입 처리 후의 웨이퍼(W)가 반입된다(단계 S11：웨이퍼 반입). 웨이퍼(W)는 레지스트를 애싱하기 위한 처리를 받지 않는 것으로 한다. 웨이퍼(W)는 그 표면을 상방을 향한 상태에서 웨이퍼 회전 기구(3)에 주고 받는다. 이 때, 웨이퍼(W)의 반입의 방해 되지 않도록, 히터 헤드(35), 박리액 노즐(4) 및 SC1 노즐(25)은, 각각 홈 포지션에 배치되어 있다.
웨이퍼 회전 기구(3)에 웨이퍼(W)가 유지되면, 제어 장치(55)는 모터(6)를 제어하고, 웨이퍼(W)를 회전 개시시킨다(단계 S12). 웨이퍼(W)는 미리 정한 액 토출시 회전 속도까지 상승되고, 그 액 토출시 회전 속도로 유지된다. 액 토출시 회전 속도는, 웨이퍼(W)의 표면 전역을 SPM액으로 커버리지 가능한 속도이며, 예를 들어 15~300rpm의 범위로 설정되어 있다. 이 제4 처리예에서는, 액 토출시 회전 속도는 후술하는 박막 유지 회전 속도(제2 회전 속도)와 동등한 회전 속도로 설정되어 있고, 보다 구체적으로는 예를 들어 15rpm으로 설정되어 있다. 또한, 제어 장치(55)는, 제1액 아암 요동 기구(12)를 제어하고, 박리액 노즐(4)을 웨이퍼(W)의 상방 위치로 이동시키고, 도 15a에 나타내는 바와같이, 박리액 노즐(4)을 웨이퍼(W)의 회전 중심(회전 축선 C) 상에 배치시킨다.
또한, 도 15a에 나타내는 바와같이, 제어 장치(55)는, 황산 밸브(18), 과산화수소수 밸브(20) 및 박리액 밸브(23)를 열고, 박리액 노즐(4)로부터 SPM액을 웨이퍼(W)의 표면에 공급한다. 웨이퍼(W)의 회전 속도가 저속이므로, 웨이퍼(W)의 표면에 공급되는 SPM액은, 웨이퍼(W)의 표면 상에 고이고, 또한, 웨이퍼(W)의 표면의 전역에 골고루 퍼진다. 이에 따라, 웨이퍼(W)의 표면상에, 그 표면의 전역을 덮는 SPM액의 액막(레지스트 박리액의 액막)(70)이 형성된다(단계 S13：SPM 액막 형성 공정). 액 토출시 회전 속도는 예를 들어 15rpm으로 매우 저속이므로, 웨이퍼(W)의 표면상에 형성되는 SPM액의 액막(70)의 두께는 비교적 크다. 이 두께의 일예로서, 예를 들어 1.8㎜정도를 예시할 수 있다.
또한, 단계 S13의 SPM 액막 형성 공정에 병행하여, 히터 헤드(35)의 적외선 램프(38)로부터 적외선이 방사됨과 더불어, 히터 헤드(35)가 중간 근접 위치에 배치된다. 구체적으로, 히터 헤드(35)는, 웨이퍼 회전 기구(3)의 측방에 설정된 홈 포지션으로부터, 중간 근접 위치(도 5에 실선으로 표시하는 위치)의 상방으로 이동되고, 그 후 하강되어, 중간 근접 위치에 배치된다.
SPM액의 공급 개시로부터 미리 정한 액 공급 시간이 경과하면, 제어 장치(55)는, 황산 밸브(18), 과산화수소수 밸브(20) 및 박리액 밸브(23)를 닫고, 박리액 노즐(4)로부터의 SPM액의 공급을 정지한다. 또한, 제어 장치(55)는, 제1액 아암 요동 기구(12)를 제어하고, SPM액의 공급 정지 후의 박리액 노즐(4)을 홈 포지션으로 되돌린다. SPM액 공급 시간은, 웨이퍼(W)의 표면의 전역을 덮는 SPM액의 액막(70)이 형성 될 때까지 필요로 하는 기간보다 길면 충분하고, 박리액 노즐(4)로부터의 SPM액의 토출 유량이나 액 토출시 회전 속도에 따라서 다르지만, 3~30초간의 범위에서, 예를 들어 15초간이다.
또한, SPM액의 공급 정지에 동기하여, 제어 장치(55)는, 모터(6)를 제어하고, 웨이퍼(W)의 회전 속도를, 박화 회전 속도(제1 회전 속도. 30~1000rpm의 범위에서, 예를 들어 150rpm)까지 올린다. 이에 따라, 웨이퍼(W)의 표면상의 SPM액의 액막(70)에, 회전에 의한 원심력이 작용하고, 웨이퍼(W)의 표면 상의 SPM액이 웨이퍼(W)의 둘레 가장자리로부터 배출되는 결과, SPM액의 액막(70)의 두께가 얇아진다(단계 S14：SPM 액막 박화 공정). 환언하면, 웨이퍼(W)의 표면상에 얇은 SPM액의 액막(77)이 형성된다. SPM액의 액막(77)의 두께로서, 예를 들어 0.4㎜를 예시할 수 있다. 또한, SPM 액막 박화 공정 중에는, 적외선 램프(38)로부터 웨이퍼(W) 상의 SPM액에 대한 적외선의 조사는, SPM 액막 형성 공정에 연속하여 실행된다.
박화 회전 속도로의 웨이퍼(W)의 회전 속도의 상승으로부터, 미리 정한 액막 박화 시간이 경과하면, 제어 장치(55)는, 모터(6)를 제어하고, 웨이퍼(W)의 회전 속도를, 박막 유지 회전 속도까지 낮춘다. 액막 박화 시간은, SPM액의 액막(70)의 두께를 감소시키는데 필요로 하는 기간보다 길면 충분하고, 0.5~10초간의 범위에서, 예를 들어 5초간이다.
웨이퍼(W)의 회전 속도가 낮아진 후도, 히터 헤드(35)에 의한 적외선 조사는 계속된다. 이에 따라, 웨이퍼(W), 및 웨이퍼(W) 상의 SPM액의 액막(77)을 가열하는 단계 S15의 SPM 액막 가열 공정이 실행된다.
박막 유지 회전 속도는, 웨이퍼(W)의 표면으로의 새로운 SPM액의 공급이 없어도, 웨이퍼(W)의 표면상에 SPM액의 액막(77)을 유지 가능한 속도(1~30rpm의 범위에서, 예를 들어 15rpm)이다. 단계 S15의 SPM 액막 가열 공정에서는 웨이퍼(W)의 표면으로의 SPM액의 새로운 공급이 없지만, 웨이퍼(W)의 회전 속도가 느리기 때문에, 웨이퍼(W) 상의 SPM액에 큰 원심력이 작용하지 않는다. 이 때문에, 웨이퍼(W)의 표면상에, SPM액의 얇은 액막(77)이 계속하여 유지된다.
SPM 액막 가열 공정에서는, 적외선 램프(38)에 의한 적외선의 조사에 의해, 웨이퍼(W)의 히터 헤드(35)의 저판부(52)에 대향하는 부분이 가열됨과 더불어, 상기 부분에 존재하는 SPM액의 액막(77)이 가열된다. SPM 액막 가열 공정은, 액막 가열 처리 시간(2~90초간의 범위에서, 예를 들어 약 40초간)에 걸쳐 실행된다. SPM 액막 가열 공정의 개시 후, 소정의 시간(예를 들어, 액막 가열 처리 시간의 전 기간의 반 정도인 20초간)이 경과할 때까지는, 히터 헤드(35)는 중간 근접 위치(도 5에 실선으로 표시하는 위치)에 배치되어 있고, 이에 따라, 웨이퍼(W)의 반경 방향 중간부가 가열됨과 더불어, 당해 중간부 상에 있는 SPM액의 액막(77)이 가열된다.
그 후, 당해 소정의 시간이 경과하면, 제어 장치(55)는, 요동 구동 기구(36)를 제어하고, 도 15c에 화살표로 표시하는 바와같이, 히터 헤드(35)를 중간 근접 위치(도 5에 실선으로 표시하는 위치)로부터 수평 방향으로(웨이퍼(W)의 표면을 따라서) 또한 직경 방향 바깥쪽을 향해서 이동시키고, 둘레 가장자리 근접 위치(도 5에 2점 쇄선으로 표시하는 위치)에 배치하여 정지시킨다(정지 공정). 이에 따라, 웨이퍼(W)의 둘레가장자리부가 가열됨과 더불어, 당해 둘레가장자리부 상에 있는 SPM액의 액막(77)이 가열된다.
단계 S15의 SPM 액막 가열 공정에서는, 적외선 램프(38)에 의한 적외선의 조사에 의해, SPM액의 액막(77)과 웨이퍼(W)가 따뜻해진다. 히터 헤드(35)에 의한 가열의 대상이 되는 SPM액의 액막(77)이 얇기 때문에, 액막(77)에 있어서의 웨이퍼(W)의 표면과의 경계 부근을 충분히 따뜻하게 할 수 있다. SPM 액막 가열 공정의 사이에, 웨이퍼(W)의 표면 상의 레지스트와 SPM액의 반응이 진행되고, 웨이퍼(W)의 표면으로부터의 레지스트의 박리가 진행된다.
단계 S15의 SPM 액막 가열 공정에서는, 히터 헤드(35)가 근접 위치에 있으므로, 하면(52B)과 웨이퍼(W)의 표면의 사이의 분위기를, 그 주위로부터 차단할 수 있어, 그 분위기를 보온할 수 있다. 이에 따라, 웨이퍼(W)의 표면에 있어서의 저판부(52)의 하면(52B)에 대향하는 영역에 존재하는 SPM액의 온도 강하를 억제할 수 있어, SPM액의 고온화를 한층 더 도모할 수 있다.
그 후, 웨이퍼(W)의 회전 속도가 낮아지고 나서, 미리 정한 액막 가열 처리 시간이 경과하면, 제어 장치(55)는, 앰프(54)를 제어하고, 적외선 램프(38)로부터의 적외선의 방사를 정지시킨다. 또한, 제어 장치(55)는, 요동 구동 기구(36) 및 승강 구동 기구(37)를 제어하고, 히터 헤드(35)를 홈 포지션으로 되돌린다. 그리고, 제어 장치(55)는, 모터(6)를 제어하고, 웨이퍼(W)의 회전 속도를 소정의 액 처리 회전 속도(300~1500rpm의 범위에서, 예를 들어 1000rpm으로 올림과 더불어, DIW 밸브(27)를 열고, DIW 노즐(24)의 토출구로부터 웨이퍼(W)의 회전 중심 부근을 향해서 DIW를 공급한다(단계 S16 : 중간 린스 처리 공정). 웨이퍼(W)의 표면에 공급된 DIW는, 웨이퍼(W)의 회전에 의한 원심력을 받아, 웨이퍼(W)의 표면상을 웨이퍼(W)의 둘레 가장자리를 향해서 흐른다. 이에 따라, 웨이퍼(W)의 표면에 부착해 있는 SPM액이 DIW에 의해서 씻겨흐른다.
DIW의 공급이 소정의 중간 린스 시간에 걸쳐서 계속되면, DIW 밸브(27)가 닫혀지고, 웨이퍼(W)의 표면으로의 DIW의 공급이 정지된다.
웨이퍼(W)의 회전 속도를 액 처리 회전 속도로 유지하면서, 제어 장치(55)는, SC1 밸브(31)를 열고, SC1 노즐(25)로부터 SC1를 웨이퍼(W)의 표면에 공급한다(단계 S17). 또한, 제어 장치(55)는, 제2액 아암 요동 기구(29)를 제어하고, 제2액 아암(28)을 소정 각도 범위 내에서 요동 시키고, SC1 노즐(25)을, 웨이퍼(W)의 회전 중심 상과 둘레가장자리부 상의 사이에서 왕복 이동시킨다. 이에 따라, SC1 노즐(25)로부터의 SC1가 이끌리는 웨이퍼(W)의 표면 상의 공급 위치는, 웨이퍼(W)의 회전 중심으로부터 웨이퍼(W)의 둘레가장자리부에 이르는 범위 내를, 웨이퍼(W)의 회전 방향과 교차하는 원호상의 궤적을 그리면서 왕복 이동한다. 이에 따라, 웨이퍼(W)의 표면의 전역에, SC1가 얼룩없이 공급되고, SC1의 화학적 능력에 의해, 웨이퍼(W)의 표면에 부착해 있는 레지스트 잔사 및 파티클 등의 이물을 제거할 수 있다.
SC1의 공급이 소정의 SC1 공급 시간에 걸쳐서 계속되면, 제어 장치(55)는, SC1 밸브(31)를 닫고, 또한, 제2액 아암 요동 기구(29)를 제어하고, SC1 노즐(25)을 홈 포지션으로 되돌린다. 또한, 웨이퍼(W)의 회전 속도가 액 처리 회전 속도로 유지된 상태에서, 제어 장치(55)는, DIW 밸브(27)를 열고, DIW 노즐(24)의 토출구로부터 웨이퍼(W)의 회전 중심 부근을 향해서 DIW를 공급한다(단계 S18：최종 린스 공정). 웨이퍼(W)의 표면에 공급된 DIW는, 웨이퍼(W)의 회전에 의한 원심력을 받아, 웨이퍼(W)의 표면상을 웨이퍼(W)의 둘레 가장자리를 향해서 흐른다. 이에 따라, 웨이퍼(W)의 표면에 부착해 있는 SC1가 DIW에 의해서 씻겨흐른다.
DIW의 공급이 소정의 린스 시간에 걸쳐서 계속되면, DIW 밸브(27)가 닫혀지고, 웨이퍼(W)의 표면으로의 DIW의 공급이 정지된다. 또한, 단계 S16의 중간 린스 공정 및 단계 S18의 최종 린스 공정에 있어서, 린스액으로서, DIW에 한정되지 않고, 탄산수, 전해 이온수, 오존수, 환원수(수소수), 자기수 등을 채용할 수도 있다.
최종 린스 공정의 개시로부터 소정 시간이 경과하면, 제어 장치(55)는, DIW 밸브(27)를 닫고, 웨이퍼(W)의 표면으로의 DIW의 공급을 정지한다. 그 후, 제어 장치(55)는, 모터(6)를 구동하고, 웨이퍼(W)의 회전 속도를 소정의 고회전 속도(예를 들어 1500~2500rpm)로 올리고, 웨이퍼(W)에 부착되어 있는 DIW를 떼어내고 건조하는 스핀 드라이 처리가 행해진다(단계 S19). 단계 S19의 스핀 드라이 처리에 의해서, 웨이퍼(W)에 부착되어 있는 DIW가 제거된다.
스핀 드라이 처리가 미리 정한 스핀 드라이 처리 시간에 걸쳐서 행해지면, 제어 장치(55)는, 모터(6)를 구동하고, 웨이퍼 회전 기구(3)의 회전을 정지시킨다. 이에 따라, 1매의 웨이퍼(W)에 대한 레지스트 제거 처리가 종료하고, 반송 로봇에 의해서, 처리가 끝난 웨이퍼(W)가 처리실(2)로부터 반출된다(단계 S20).
이상과 같이, 이 실시 형태에 의하면, SPM 액막 형성 공정(도 13의 단계 S13)의 후, SPM 액막 가열 공정(도 13의 단계 S15)의 개시에 앞서, 웨이퍼(W)의 표면에 대한 SPM액의 공급을 행하지 않고, 웨이퍼(W)를 고속의 박화 회전 속도로 회전시키는 SPM 액막 박화 공정(도 13의 단계 S14)이 실행된다. SPM 액막 박화 공정에서는, 웨이퍼(W)의 회전에 의한 원심력에 의해, 웨이퍼(W)의 표면 상의 SPM액(레지스트 박리액)이 웨이퍼(W)의 둘레 가장자리로부터 배출되기 때문에, SPM액의 액막(70)의 두께를 감소시킬 수 있다. 이 때문에, SPM 액막 가열 공정에 있어서 히터 헤드(35)에 의한 가열 대상이 되는 SPM액의 액막(77)(70)을 박화시킬 수 있고, 이에 따라 웨이퍼(W)의 표면과의 경계 부근의 SPM액을 효율적으로 따뜻하게 할 수 있다. 그 결과, 레지스트 박리 처리 전체의 처리 시간을 단축할 수 있다.
또한, 예를 들어, SPM액의 액막이 두껍고, 그 액량이 많은 경우에는, 히터 헤드(35)에 의한 가열에 따라 웨이퍼(W)의 표면 상에서 SPM액이 비등하고, SPM액의 미스트(미소한 액적)가 대량으로 발생할 우려가 있다. 이러한 SPM액의 미스트가 처리실(2) 내에서 건조되면, 파티클이 되어 분위기 중에 부유하고, 이후에 처리되는 웨이퍼(W)를 오염시킬 우려가 있다.
이에 대하여, 본 실시 형태에서는, SPM액의 액막(77)이 얇고, 웨이퍼(W) 상의 SPM액의 액량이 적기 때문에, 히터 헤드(35)에 의한 가열에 따라 발생하는 SPM액의 미스트가 적다. 이 때문에, 웨이퍼(W)에서의 파티클의 발생을 억제할 수 있다.
또한, SPM 액막 형성 공정에서는, 웨이퍼(W)가 박막 유지 회전 속도와 동등의 저회전 속도(예를 들어 15rpm)로 회전되고 나서, 웨이퍼(W)의 표면 전역을 SPM액으로 커버리지할 수 있어(SPM액에 의한 커버리지를 확보할 수 있어), 웨이퍼(W)의 표면의 전역을 SPM액의 액막(70)으로 덮을 수 있다.
또한, 히터 헤드(35)에 의한 가열과 병행하여, 히터 헤드(35)를, 중간 근접 위치로부터 둘레 가장자리 근접 위치로 이동시킴으로써, 웨이퍼(W)의 표면 상에 있어서의 히터 헤드(35)에 대향하는 영역을 변경할 수 있다. 이에 따라, 웨이퍼(W)의 전역, 및 웨이퍼(W) 상의 SPM액의 액막(77)의 전체를 가열할 수 있어, 웨이퍼(W)의 표면의 전역으로부터 레지스트를 양호하고 균일하게 제거할 수 있다.
또한, SPM 액막 형성 공정의 종료 후는, 웨이퍼(W)에 대한 SPM액의 공급을 정지하므로, 레지스트 제거 처리에 있어서의 SPM액의 소비량의 저감을 도모할 수 있다.
그러므로, SPM액의 소비량을 저감하면서, 웨이퍼(W)의 표면으로부터 레지스트를 양호하게 제거할 수 있다.
도 16은, 기판 처리 장치(1)에 있어서의 레지스트 제거 처리의 제5 처리예를 설명하기 위한 타임 차트이다. 제5 처리예에서는 제4 처리예와 마찬가지로, SPM 액막 형성 공정(도 13의 단계 S13), SPM 액막 박화 공정(도 13의 단계 S14), SPM 액막 가열 공정(도 13의 단계 S15), 중간 린스 공정(도 13의 단계 S16), SC1 공급 공정(도 13의 단계 S17) 및 최종 린스 공정(도 13의 단계 S18) 및 스핀 드라이 처리(도 13의 단계 S19)의 각 처리가, 이 순서대로 실행된다.
제5 처리예는, SPM 액막 형성 공정에 있어서의 웨이퍼(W)의 회전 속도(액 토출시 회전 속도)가 제4 처리예와 상이하다. 즉, 제4 처리예에서는, 액 토출시 회전 속도는, SPM 액막 가열 공정에 있어서의 웨이퍼(W)의 회전 속도(박막 유지 회전 속도. 예를 들어 15rpm)보다도 빠르고, SPM 액막 박화 공정에 있어서의 웨이퍼(W)의 회전 속도인 박화 회전 속도(제1 회전 속도. 예를 들어 150rpm)보다도 느린 속도(제3 회전 속도. 예를 들어 20rpm)로 설정된다.
또한, 도 16에 2점 쇄선으로 표시하는 바와같이, 액 토출시 회전 속도를, 박막 유지 회전 속도보다도 느린 속도(제4 회전 속도. 예를 들어 10rpm)로 설정해도 된다.
도 17은, 기판 처리 장치(1)에 있어서의 레지스트 제거 처리의 제6 처리예를 설명하기 위한 타임 차트이다. 제6 처리예에서는 제4 처리예와 마찬가지로, SPM 액막 형성 공정(도 13의 단계 S13), SPM 액막 박화 공정(도 13의 단계 S14), SPM 액막 가열 공정(도 13의 단계 S15), 중간 린스 공정(도 13의 단계 S16), SC1 공급 공정(도 13의 단계 S17) 및 최종 린스 공정(도 13의 단계 S18) 및 스핀 드라이 처리(도 13의 단계 S19)의 각 처리가, 이 순서대로 실행된다.
제6 처리예가 제4 처리예와 상이한 점은, SPM 액막 형성 공정에 있어서의 웨이퍼(W)의 회전 속도(액 토출시 회전 속도)를, SPM 액막 박화 공정에 있어서의 웨이퍼(W)의 회전 속도인 박화 회전 속도(제1 회전 속도. 예를 들어 150rpm)와 동일한 속도로 설정한 점이다.
도 18은, 기판 처리 장치(1)에 있어서의 레지스트 제거 처리의 제7 처리예를 설명하기 위한 타임 차트이다. 제4 처리예에 있어서는, SPM 액막 가열 공정의 실행 중에 있어서, 히터 헤드(35)를, 중간 근접 위치(도 5에 실선으로 표시하는 위치)로부터 둘레 가장자리 근접 위치(도 5에 2점 쇄선으로 표시하는 위치)로 변위시키고, 그 후, 상기 둘레 가장자리 근접 위치에서 정지시킨다(정지 공정). 이에 대하여, 제7 처리예에 있어서는, 도 18에 실선으로 표시하는 바와같이, SPM 액막 가열 공정의 실행 중에 있어서, 히터 헤드(35)를, 중간 근접 위치와 둘레 가장자리 근접 위치의 사이에서 이동 방향을 바꾸면서 연속적으로 왕복 이동시키고 있다(연속 이동 공정).
또한, 제4~제6 처리예에서는, 히터 헤드(35)를, 중간 근접 위치로부터 둘레 가장자리 근접 위치로 이동시키고, 그 후 둘레 가장자리 근접 위치에 정지시키는 경우를 예로 들어 설명했다. 그러나, 반대로, 히터 헤드(35)를, 둘레 가장자리 근접 위치로부터 중간 근접 위치로 이동시키고, 그 후 중간 근접 위치에 정지시키도록 해도 된다.
또한, 제4~제6 처리예에 있어서, 히터 헤드(35)의 이동을, SPM 액막 가열 공정뿐만 아니라, SPM 액막 형성 공정의 실행중이나 SPM 액막 박화 공정의 실행 중에 행하도록 해도 된다.
또한, 제7 처리예에 있어서, 히터 헤드(35)의 왕복 이동을, SPM 액막 가열 공정의 개시로부터 개시해도 된다.
또한, 제7 처리예에 있어서, 히터 헤드(35)의 왕복 이동을, SPM 액막 가열 공정뿐만 아니라, SPM 액막 형성 공정이나 SPM 액막 박화 공정과도 병행하여 행해도 된다.
또한, 제4~제7 처리예에서는, 히터 헤드(35)를, 중간 근접 위치와 둘레 가장자리 근접 위치의 사이에서 이동시키고 있는데, 히터 헤드(35)를, 둘레 가장자리 근접 위치와 중심 근접 위치의 사이에서 이동시켜도 된다(예를 들어 도 18의 2점 쇄선 참조). 이 일예로서, 예를 들어, 히터 헤드(35)를, 둘레 가장자리 근접 위치와 중심 근접 위치의 사이에서 왕복 이동시키는 경우를 상정할 수 있다. 또한, 히터 헤드(35)를, 중간 근접 위치와 중심 근접 위치의 사이에서 이동시켜도 된다. 이 일예로서, 예를 들어, 히터 헤드(35)를, 중간 근접 위치와 중심 근접 위치의 사이에서 왕복 이동시키는 경우를 상정할 수 있다.
또한, 단계 S3, S13의 SPM 액막 형성 공정에 있어서, 히터 헤드(35)에 의한 가열을 행하지 않도록 할 수도 있다. 또한, 단계 S13의 SPM 액막 형성 공정 및 단계 S14의 SPM 액막 박화 공정에 있어서, 히터 헤드(35)에 의한 가열을 행하지 않도록 해도 된다. 즉, 단계 S4, S15의 SPM 액막 가열 공정에 있어서, 적외선 램프(38)에 의한 SPM액으로의 가열이 비로소 행해지도록 해도 된다.
또한, 박리액 노즐(4)로부터의 SPM액의 공급 중에 있어서, 박리액 노즐(4)을 이동(예를 들어 왕복 이동)시켜도 된다. 또한, 박리액 노즐(4)은 반드시 이동 노즐일 필요는 없고, 박리액 노즐(4)로서, 그 토출구를 웨이퍼(W)의 회전 중심 부근을 향해서 고정적으로 배치된 고정 노즐을 채용할 수도 있다.
또한, 박리액 노즐(4)은, 스트레이트 노즐이 아니고, 경사 노즐을 사용해도 된다.
도 19는, 본 발명의 제2 실시 형태에 관련된 기판 처리 장치(1A)의 구성을 모식적으로 나타내는 도면이다. 이 도 19에 있어서, 전술의 도 1에 나타난 각 부의 대응 부분에 동일 참조 부호를 붙이고, 설명을 생략한다. 또한, 이 실시 형태의 설명에 있어서, 전술의 도 3, 도 5, 도 6, 도 7, 도 8, 도 10을 다시 참조한다.
기판 처리 장치(1A)는, 예를 들어 기판의 일예로서의 웨이퍼(W)의 표면(주면)에 불순물을 주입하는 이온 주입 처리나 드라이 에칭 처리 후에, 그 웨이퍼(W)의 표면으로부터 불필요하게 된 레지스트를 제거하기 위한 처리에 이용되는 매엽식의 장치이다.
기판 처리 장치(1A)는, 처리실(2) 내에, 웨이퍼(W)를 유지하여 회전시키는 웨이퍼 회전 기구(기판 유지 유닛)(3)와, 웨이퍼 회전 기구(3)에 유지되어 있는 웨이퍼(W)의 표면(상면)에 대하여, 약액으로서의 레지스트 박리액의 일예로서의 SPM액을 공급하기 위한 박리액 노즐(약액 공급 유닛)(4)과, 웨이퍼 회전 기구(3)에 유지되어 있는 웨이퍼(W)의 표면에 대향하여 배치되고, 웨이퍼(W)의 표면 상의 SPM액을 가열하는 히터 헤드(유지 헤드)(35A)를 구비하고 있다.
도 20은, 히터 헤드(35A)의 도해적인 단면도이다. 도 21은, 도 20에 나타내는 절단면선 XXI－XXI로부터 본 도면이다. 도 20에 있어서, 전술의 도 2의 각 부의 대응 부분에는 동일 참조 부호를 붙여 나타내고, 설명을 생략한다. 또한, 도 22는, 히터 아암(34) 및 히터 헤드(35A)의 사시도이다. 도 22에 있어서, 전술의 도 4의 각 부의 대응 부분에는 동일 참조 부호를 붙이고, 설명을 생략한다.
히터 헤드(35A)는, 연직 방향으로 연장되는 둥근관 형상(원통형)의 불활성 가스 유통 배관(기체 유통 배관)(90)과, 불활성 가스 유통 배관(90)의 주위를 둘러싸도록 배치된 대략 원환상의 적외선 램프(38)와, 연직 방향으로 연장되는 불활성 가스 유통 배관(90)의 선단(하단)에 수평 자세로 장착된 원판상의 하정류판(100)을 구비하고 있다. 환언하면, 하정류판(100)은 불활성 가스 유통 배관(90)에 지지되어 있다. 히터 헤드(35A)는, 상부에 개구부(39)를 가지고, 적외선 램프(38)를 수용하는 바닥이 있는 원통 용기 형상의 램프 하우징(40)과, 램프 하우징(40)의 내부에서 적외선 램프(38)를 매달아 지지하는 지지 부재(42)와, 램프 하우징(40)의 개구부(39)를 폐색하기 위한 뚜껑(41)을 구비하고 있다. 이 실시 형태에서는, 뚜껑(41)이 히터 아암(34)의 선단에 고정되어 있다.
불활성 가스 유통 배관(90)의 선단(하단)은, 램프 하우징(40)의 저판부(상정류판)(52)를 관통하여, 저판부(52)의 하면(52B)보다도 선단측(하방)으로 돌출하고, 그 선단이 하정류판(100)에 의해서 폐색되어 있다. 이 실시 형태에서는, 불활성 가스 유통 배관(90), 램프 하우징(40) 및 하정류판(100)은, 투명 재료인 석영을 이용하여 일체로 형성되어 있다.
불활성 가스 유통 배관(90)의 기단(상단)은 상방으로 연장되고, 뚜껑(41) 바깥에 도달해 있다. 불활성 가스 유통 배관(90)의 기단에는, 뚜껑(41)의 외측으로부터 불활성 가스 공급관(91)(기체 공급 유닛)이 접속되어 있다. 불활성 가스 공급관(91)에는, 불활성 가스 공급원으로부터 불활성 가스의 일예로서의 질소 가스가 공급된다. 불활성 가스 공급관(91)의 도중부에는, 불활성 가스 유통 배관(90)에 대한 질소 가스의 공급/공급 정지를 전환하기 위한 불활성 가스 밸브(92)(기체 공급 유닛. 도 19 참조)가 끼워져 장착되어 있다.
하정류판(100)은, 불활성 가스 유통 배관(90)의 중심축선을 중심으로 하는 원판상을 이루고 있다. 하정류판(100)은, 램프 하우징(40)의 다음에 기술하는 저판부(52)와 거의 동일 직경을 가지고 있다. 하정류판(100)의 상면(100A) 및 하면(대향면)(100B)은, 각각, 수평인 평탄면을 이루고 있다.
램프 하우징(40)의 저판부(상정류판)(52)는, 불활성 가스 유통 배관(90)의 중심축선을 중심으로 하는 원판상을 이루고 있다. 저판부(52)의 상면(52A) 및 하면(52B)은, 각각, 수평인 평탄면을 이루고 있다. 환언하면, 저판부(52) 및 하정류판(100)은, 수평 자세를 이루는 평행 평판상을 이루고 있다.
하정류판(100)의 상면(100A)의 둘레 단가장자리와, 저판부(52)의 하면(52B)의 둘레 단가장자리(램프 하우징(40)의 하면 둘레가장자리부)에 의해서, 환상 바깥으로 향하는(가로방향)의 불활성 가스 토출구(기체 토출구)(101)가 구획 형성되어 있다. 불활성 가스 토출구(101)는, 수평 방향(웨이퍼(W)의 표면을 따르는 방향)을 따르는 측방을 향해서 방사상으로 질소 가스를 토출하기 위한 토출구이다.
도 20 및 도 21에 나타내는 바와같이, 불활성 가스 유통 배관(90)에 있어서의 저판부(52)의 하면(52B)보다도 하방(선단측)에는, 환언하면, 불활성 가스 유통 배관(90)의 관벽에 있어서의, 저판부(52)의 하면(52B)과 하정류판(100)의 상면(100A)의 사이에는, 복수개(예를 들어 8개)의 개별 토출 구멍(95)이, 관벽을 그 두께 방향으로 관통하여 형성되어 있다. 복수개의 개별 토출 구멍(95)은, 불활성 가스 유통 배관(90)의 유통 방향에 관한 동 위치에, 또한 불활성 가스 유통 배관(90)의 전체 둘레에 걸쳐 등간격으로 설치되어 있다. 복수개의 개별 토출 구멍(95)은, 동일한 형상 및 크기를 가지고 있다. 각 개별 토출 구멍(95)은, 그 개별 토출 구멍(95)에 있어서의 불활성 가스 유통 배관(90)의 원형 단면(유통 방향으로 직교하는 단면)의 직경 방향 바깥쪽을 향해서 질소 가스를 토출하도록 형성되어 있다.
불활성 가스 토출구(101)와 각 개별 토출 구멍(95)이 연통해 있다. 불활성 가스 유통 배관(90)에 공급된 질소 가스는, 불활성 가스 유통 배관(90)을 유통하여 각 개별 토출 구멍(95)으로부터 토출된다. 각 개별 토출 구멍(95)으로부터 토출된 질소 가스는, 램프 하우징(40)의 저판부(52) 및 하정류판(100)에 의해서, 수평 방향을 따르는 직경 방향 외방을 향해서 흐르는 기류로 정류되면서, 불활성 가스 토출구(101)에 공급된다. 이에 따라, 불활성 가스 토출구(101)는, 수평 방향에 따르는 측방을 향해서 방사상으로 질소 가스가 토출된다.
불활성 가스 토출구(101)로부터 질소 가스를 방사상으로 일정하게 토출시키기 위해서는, 개별 토출 구멍(95)의 개수는 4개 이상인 것이 바람직하고, 또한 각 개별 토출 구멍(95)은 주방향으로 등간격으로 설치되어 있는 것이 바람직하다.
적외선 램프(38)의 구성은, 제1 실시 형태(도 3 참조)와 동일하다.
적외선 램프(38)에 둘러싸인 불활성 가스 유통 배관(90)의 관벽은, 적외선 램프(38)로부터의 적외선의 조사에 의해 가열된다. 이 상태에서, 불활성 가스 유통 배관(90)에 불활성 가스 공급관(91)으로부터의 질소 가스가 공급되면, 질소 가스가 불활성 가스 유통 배관(90)을 유통하는 과정에서, 불활성 가스 유통 배관(90)의 관벽에 의해 가열된다. 따라서, 불활성 가스 유통 배관(90)을 유통하여 고온화된 질소 가스가, 개별 토출 구멍(95)을 통하여 불활성 가스 토출구(101)로부터 토출된다.
적외선 램프(38)의 방사시에는, 램프 하우징(40), 불활성 가스 유통 배관(90) 및 하정류판(100)도 온도 상승한다. 이 때문에, 램프 하우징(40), 불활성 가스 유통 배관(90) 및 하정류판(100)은, 내열성을 가지는 석영을 이용하여 형성되어 있다. 따라서, 이들 파괴나 용융의 우려가 거의 없다. 또한, 적외선의 투과성이 뛰어나 석영을 이용하여 형성되어 있으므로, 적외선 램프(38)로부터의 적외선은, 램프 하우징(40)이나 하정류판(100) 등을 통하여, 하정류판(100)의 하방에 양호하게 조사된다.
또한, 적외선 램프(38)의 원환부(43)가 수평 자세이므로, 마찬가지로 수평 자세에 있는 웨이퍼(W)의 표면으로의 조사 면적을 넓게 유지할 수 있고, 이에 따라, SPM액에 대하여 적외선을 효율적으로 조사할 수 있다.
후술하는 레지스트 제거 처리 시에는, 적외선 램프(38)의 원환부(43) 및 하정류판(100)의 하면(100B)이, 웨이퍼 회전 기구(3)에 유지되어 있는 웨이퍼(W)의 표면에 대향하여 배치된다.
도 6에 나타내는 바와같이, 이 실시 형태에서는, 제어 장치(55)의 제어 대상에는, 불활성 가스 밸브(92)가 포함되어 있다.
이 실시 형태에 관련된 기판 처리 장치(1A)에 의한 레지스트 제거 처리의 일예는, 전술의 도 7에 나타내는 공정도 및 도 8에 나타내는 타임 차트에 따른다. 도 23a 및 도 23b는, SPM 액막 형성 공정 및 SPM 액막 가열 공정을 설명하기 위한 도해적인 단면도이다. SPM 액막 가열 공정에 있어서의 히터 헤드(35A)의 이동 범위에 대해서는, 전술의 도 10을 참조하여 설명한다.
이하, 도 3, 도 5, 도 6, 도 7, 도 8, 도 10, 도 19~도 23b를 참조하면서, 레지스트 제거 처리의 처리예에 대하여 설명한다.
레지스트 제거 처리에 있어서는, 반송 로봇(도시하지 않음)이 제어되고, 처리실(2)(도 19 참조) 내에 이온 주입 처리 후의 웨이퍼(W)가 반입된다(도 7의 단계 S1：웨이퍼 반입). 웨이퍼(W)는, 레지스트를 애싱하기 위한 처리를 받지 않는 것으로 한다. 웨이퍼(W)는, 그 표면을 상방을 향한 상태에서 웨이퍼 회전 기구(3)에 주고 받는다. 이 때, 웨이퍼(W)의 반입에 방해가 되지 않도록, 히터 헤드(35A), 박리액 노즐(4) 및 SC1 노즐(25)은, 각각 홈 포지션에 배치되어 있다.
웨이퍼 회전 기구(3)에 웨이퍼(W)가 유지되면, 제어 장치(55)는 모터(6)를 제어하고, 웨이퍼(W)를 회전 개시시킨다. 웨이퍼(W)의 회전 속도는 제1 회전 속도(30~300rpm의 범위에서, 예를 들어 60rpm)까지 상승되고, 그 후, 그 제1 회전 속도로 유지된다(도 7의 단계 S2). 제1 회전 속도는, 웨이퍼(W)의 표면 상에 SPM액의 액막을 유지 가능한 속도이다. 또한, 제어 장치(55)는, 제1액 아암 요동 기구(12)를 제어하고, 박리액 노즐(4)을 웨이퍼(W)의 상방 위치로 이동한다.
웨이퍼(W)의 회전 속도가 제1 회전 속도에 도달한 후, 도 23a에 나타내는 바와같이, 제어 장치(55)는, 박리액 밸브(23)를 열고, 박리액 노즐(4)로부터 SPM액을 웨이퍼(W)의 표면에 공급한다.
웨이퍼(W)의 회전 속도가 제1 회전 속도이므로, 웨이퍼(W)의 표면에 공급되는 SPM액은, 웨이퍼(W)의 표면 상에 고이고, 웨이퍼(W)의 표면 상에, 그 표면의 전역을 덮는 SPM액의 액막(약액의 액막)(70)이 형성된다(도 7의 단계 S3：SPM 액막 형성 공정).
도 23a에 나타내는 바와같이, SPM 액막 형성 공정의 개시 시에는, 제어 장치(55)는, 제1액 아암 요동 기구(12)를 제어하고, 박리액 노즐(4)을 웨이퍼(W)의 회전 중심 상에 배치시킨다. 이 때문에, 웨이퍼(W)의 표면에 SPM액의 액막(70)을 형성할 수 있다. 이에 따라, SPM액의 액막(70)으로 웨이퍼(W)의 표면의 전역을 덮을 수 있다.
또한, 단계 S3의 SPM 액막 형성 공정에 병행하여, 제어 장치(55)는, 앰프(54)를 제어하고, 적외선 램프(38)로부터 적외선을 방사시킴과 더불어, 요동 구동 기구(36) 및 승강 구동 기구(37)를 제어하고, 히터 헤드(35A)를 유지한 히터 아암(34)을 웨이퍼(W) 상방에서 요동 및 승강시킨다. 구체적으로는, 히터 헤드(35A)를, 웨이퍼(W)의 표면의 둘레가장자리부 상의 둘레 가장자리 퇴피 위치로 이동시키고, 그 후, 그 둘레 가장자리 퇴피 위치로부터, 웨이퍼(W)의 표면의 둘레가장자리부와 대향하는 둘레 가장자리 근접 위치(도 10에 2점 쇄선으로 표시하는 위치)에 하강시킨다.
또한, 단계 S3의 SPM 액막 형성 공정에 병행하여, 제어 장치(55)는, 불활성 가스 밸브(92)를 연다. 불활성 가스 유통 배관(90)(도 20 참조)에 질소 가스가 공급됨으로써, 히터 헤드(35A)의 불활성 가스 토출구(101)로부터, 수평 방향을 따르는 측방을 향해서 방사상으로 질소 가스가 힘차게 토출된다. 이에 따라, 히터 헤드(35A)의 측방에 기체 커텐(GC)이 형성된다.
웨이퍼(W)의 표면의 전역을 덮는 SPM액의 액막(70)이 형성될 때까지 필요로 하는 액막 형성 시간은, 박리액 노즐(4)로부터 토출되는 SPM액의 유량에 따라서 다르지만, 2~15초간의 범위에서, 예를 들어 5초간이다.
이 액막 형성 시간(예를 들어 5초간)이, SPM액의 공급 개시로부터 경과하면, 제어 장치(55)는, 모터(6)를 제어하고, 웨이퍼(W)의 회전 속도를 제1 회전 속도보다도 낮은 소정의 제2 회전 속도로 낮춘다. 이에 따라, 단계 S4의 SPM 액막 가열 공정이 실행된다.
제2 회전 속도는, 웨이퍼(W)로의 SPM액의 공급이 없어도, 웨이퍼(W)의 표면상에 SPM액의 액막(70)을 유지 가능한 속도(1~20rpm의 범위에서, 예를 들어 15rpm)이다. 또한, 모터(6)에 의한 웨이퍼(W)의 감속과 동기하여, 도 23b에 나타내는 바와같이, 제어 장치(55)는, 박리액 밸브(23)를 닫고, 박리액 노즐(4)로부터의 SPM액의 공급을 정지한다. 이와 함께, 제어 장치(55)는, 제1액 아암 요동 기구(12)를 제어하고, 박리액 노즐(4)을 홈 포지션으로 되돌린다. 웨이퍼(W)로의 SPM액의 공급이 정지되지만, 웨이퍼(W)의 회전 속도가 제2 회전 속도로 낮아짐으로써, 웨이퍼(W)의 표면 상에 SPM액의 액막(70)이 계속하여 유지된다.
도 23b에 나타내는 바와같이, 웨이퍼(W)의 회전 속도가 낮아진 후도, 히터 헤드(35A)의 적외선 램프(38)에 의한 웨이퍼(W)의 표면 상의 SPM액으로의 가열은 계속된다(도 7의 단계 S4：SPM 액막 가열 공정). 제어 장치(55)는, 앰프(54)를 제어하고, 적외선 램프(38)로부터 적외선을 방사시킴과 더불어, 요동 구동 기구(36) 및 승강 구동 기구(37)를 제어하고, 도 23b 및 도 10에 나타내는 바와같이, 히터 헤드(35A)를, 중심 근접 위치(웨이퍼(W)의 회전 중심과 대향하는 위치. 도 10에 실선으로 표시하는 위치)와, 둘레 가장자리 근접 위치(도 10에 2점 쇄선으로 표시하는 위치)의 사이에서 왕복 이동시킨다. 또한, 제어 장치(55)는, 불활성 가스 밸브(92)를 연 상태로 유지한다. 이에 따라, 히터 헤드(35A)의 불활성 가스 토출구(101)로부터, 수평 방향을 따르는 측방을 향해서 방사상으로 질소 가스가 힘차게 토출된다. 이에 따라, 기체 커텐(GC)이 형성된다.
적외선 램프(38)에 의한 적외선의 조사에 의해, 웨이퍼(W)의 표면에 있어서의 적외선 램프(38)에 대향하는 영역에 존재하는 SPM액이 급격하게 따뜻해진다. 적외선 램프(38)에 의한 적외선의 조사가 단속적으로 속행되므로, 웨이퍼(W)의 표면의 주위에, 대량의 SPM액 미스트가 발생한다.
도 24는, 불활성 가스 토출구(101)로부터 토출되는 질소 가스에 의해서 형성되는 기체 커텐(GC)을 나타내는 도면이다.
히터 헤드(35A)가 상기의 근접 위치에 있는 상태에서는, 그 불활성 가스 토출구(101)가 컵(5)의 개구(73) 내에 위치하고 있다. 불활성 가스 토출구(101)로부터 방사상으로 토출되는 질소 가스는, 전체적으로, 방사상의 기류막을 형성한다. 또한, 개구(73) 내에 위치하는 불활성 가스 토출구(101)로부터, 컵(5)의 개구단을 향해서 질소 가스가 토출된다. 이 때문에, 방사상의 기류막으로 이루어지는 기체 커텐(GC)이, 개구(73)의 전역을 상방으로부터 막도록 형성된다. 따라서, 컵(5) 내의 SPM액 미스트를 포함한 분위기를 컵(5)의 안쪽에 가둘 수 있어, 도 24에 나타내는 바와같이, 그 분위기가 컵(5) 외로 유출되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 전술과 같이, 불활성 가스 토출구(101)로부터, 고온화된 질소 가스가 토출된다. 이 때문에, 고온의 기체 커텐(GC)을 형성할 수 있다. 이에 따라, 웨이퍼 회전 기구(3)에 유지 되어 있는 웨이퍼(W)의 표면에 존재하는 SPM액이 냉각되는 것을 방지 또는 억제할 수 있고, 그 결과, 웨이퍼(W)의 표면의 SPM액을 보온할 수 있다.
그리고, 도 10에 나타내는 바와같이, 웨이퍼(W)의 표면에 있어서의 적외선 램프(38)에 대향하는 영역이, 웨이퍼(W)의 회전 중심을 포함하는 영역으로부터 웨이퍼(W)의 둘레 가장자리를 포함하는 영역에 이르는 범위 내를 원호띠 형상의 궤적을 그리면서 이동한다. 이에 따라, 웨이퍼(W)의 표면의 전역을 가열할 수 있다.
적외선 램프(38)로부터의 적외선의 조사에 의해, SPM액의 액막(70)을, 웨이퍼(W)의 표면과의 경계 부근에서 따뜻하게 할 수 있으므로, 웨이퍼(W)의 표면 상의 레지스트와 SPM액의 반응을 촉진시킬 수 있다. 또한, 둘레 가장자리 근접 위치는, 히터 헤드(35A)를 그 상방으로부터 보았을 때에, 적외선 램프(38)의 원환부(43)가, 웨이퍼(W)의 외측 둘레 가장자리에 도달하거나 그 외측 둘레 가장자리보다도 직경 방향의 외방으로 뻗어있는 위치이다.
또한, 히터 헤드(35A)가 근접 위치에 있을 때는, 히터 헤드(35A)의 하면, 즉, 하정류판(100)의 하면(100B)과 웨이퍼(W)의 표면의 사이가 미소 간격(예를 들어 3mm)으로 유지된다. 이 때문에, 하면(100B)과 웨이퍼(W)의 표면의 사이의 분위기를, 그 주위로부터 차단할 수 있어, 그 분위기를 보온할 수 있다. 이에 따라, 웨이퍼(W)의 표면에 있어서의 하면(100B)에 대향하는 영역에 존재하는 SPM액의 온도 강하를 억제할 수 있으므로, 하면(100B)에 대향하는 영역에 존재하는 SPM액의 고온화를 한층 더 도모할 수 있다.
단계 S4의 SPM 액막 가열 공정에서는, SPM액의 액막(70)이, 웨이퍼(W)의 표면과의 경계 부근에서 따뜻해진다. 이에 따라, 웨이퍼(W)의 표면상의 레지스트와 SPM액의 반응이 진행되어, 웨이퍼(W)의 표면으로부터의 레지스트의 박리가 진행된다.
그 후, 웨이퍼(W)의 회전 속도가 낮아지고 나서 미리 정한 액막 가열 처리 시간(5~240초간의 범위에서, 예를 들어 약 14초간)이 경과하면, 제어 장치(55)는, 앰프(54)를 제어하고, 적외선 램프(38)로부터의 적외선의 방사를 정지시킨다. 또한, 제어 장치(55)는, 요동 구동 기구(36) 및 승강 구동 기구(37)를 제어하고, 히터 헤드(35A)를 홈 포지션으로 되돌린다. 그리고, 제어 장치(55)는, 모터(6)를 제어하고, 웨이퍼(W)의 회전 속도를 소정의 액 처리 회전 속도(300~1500rpm의 범위에서, 예를 들어 1000rpm)로 올린다. 또한, 제어 장치(55)는, DIW 밸브(27)를 열고, DIW 노즐(24)의 토출구로부터 웨이퍼(W)의 회전 중심 부근을 향해서 DIW를 공급한다(도 7의 단계 S5 : 중간 린스 처리 공정). 웨이퍼(W)의 표면에 공급된 DIW는, 웨이퍼(W)의 회전에 의한 원심력을 받아, 웨이퍼(W)의 표면 상을 웨이퍼(W)의 둘레 가장자리를 향해서 흐른다. 이에 따라, 웨이퍼(W)의 표면에 부착해 있는 SPM액이 DIW에 의해서 씻겨흐른다.
DIW의 공급이 소정의 중간 린스 시간에 걸쳐서 계속되면, DIW 밸브(27)가 닫혀지고, 웨이퍼(W)의 표면으로의 DIW의 공급이 정지된다.
웨이퍼(W)의 회전 속도를 액 처리 회전 속도로 유지하면서, 제어 장치(55)는, SC1 밸브(31)를 열고, SC1 노즐(25)로부터 SC1를 웨이퍼(W)의 표면에 공급한다(도 7의 단계 S6). 또한, 제어 장치(55)는, 제2액 아암 요동 기구(29)를 제어하고, 제2액 아암(28)을 소정 각도 범위 내에서 요동 시키고, SC1 노즐(25)을, 웨이퍼(W)의 회전 중심 상과 둘레가장자리부 상의 사이에서 왕복 이동시킨다. 이에 따라, SC1 노즐(25)로부터의 SC1가 이끌리는 웨이퍼(W)의 표면 상의 공급 위치는, 웨이퍼(W)의 회전 중심으로부터 웨이퍼(W)의 둘레가장자리부에 이르는 범위 내를, 웨이퍼(W)의 회전 방향과 교차하는 원호상의 궤적을 그리면서 왕복 이동한다. 이에 따라, 웨이퍼(W)의 표면의 전역에, SC1가 얼룩 없이 공급되고, SC1의 화학적 능력에 의해, 웨이퍼(W)의 표면에 부착되어 있는 레지스트 잔사 및 파티클 등의 이물을 제거할 수 있다.
SC1의 공급이 소정의 SC1 공급 시간에 걸쳐서 계속되면, 제어 장치(55)는, SC1 밸브(31)를 닫고, 또한, 제2액 아암 요동 기구(29)를 제어하고, SC1 노즐(25)을 홈 포지션으로 되돌린다. 또한, 웨이퍼(W)의 회전 속도가 액 처리 회전 속도로 유지된 상태에서, 제어 장치(55)는, DIW 밸브(27)를 열고, DIW 노즐(24)의 토출구로부터 웨이퍼(W)의 회전 중심 부근을 향해서 DIW를 공급한다(도 7의 단계 S7：린스 처리 공정). 웨이퍼(W)의 표면에 공급된 DIW는, 웨이퍼(W)의 회전에 의한 원심력을 받아, 웨이퍼(W)의 표면 상을 웨이퍼(W)의 둘레 가장자리를 향해서 흐른다. 이에 따라, 웨이퍼(W)의 표면에 부착해 있는 SC1가 DIW에 의해서 씻겨흐른다.
DIW의 공급이 소정의 린스 시간에 걸쳐서 계속되면, DIW 밸브(27)가 닫혀지고, 웨이퍼(W)의 표면으로의 DIW의 공급이 정지된다. 제1의 실시 형태의 경우와 마찬가지로, 단계 S5의 중간 린스 공정 및 단계 S7의 린스 공정에 있어서, 린스액으로서, DIW에 한정되지 않고, 탄산수, 전해 이온수, 오존수, 환원수(수소수), 자기수 등을 채용할 수도 있다.
린스 처리의 개시로부터 소정 시간이 경과하면, 제어 장치(55)는, DIW 밸브(27)를 닫고, 웨이퍼(W)의 표면으로의 DIW의 공급을 정지한다. 그 후, 제어 장치(55)는, 모터(6)를 구동하고, 웨이퍼(W)의 회전 속도를 소정의 고회전 속도(예를 들어 1500~2500rpm)로 올리고, 웨이퍼(W)에 부착되어 있는 DIW를 떼어내고 건조하는 스핀 드라이 처리가 행해진다(도 7의 단계 S8). 단계 S8의 스핀 드라이 처리에 의해서, 웨이퍼(W)에 부착되어 있는 DIW가 제거된다.
스핀 드라이 처리가 미리 정한 스핀 드라이 처리 시간에 걸쳐서 행해지면, 제어 장치(55)는, 모터(6)를 구동하고, 웨이퍼 회전 기구(3)의 회전을 정지시킨다. 이에 따라, 1매의 웨이퍼(W)에 대한 레지스트 제거 처리가 종료하고, 반송 로봇에 의해서, 처리가 끝난 웨이퍼(W)가 처리실(2)로부터 반출된다(단계 S9).
이상에 의해 이 실시 형태에 의하면, 적외선 램프(38)를 웨이퍼(W)의 표면에 대향 배치시키면서, 적외선 램프(38)로부터 적외선을 방사시킴으로써, 웨이퍼(W)의 표면에 있어서, 적외선 램프(38)에 대향하는 영역에 존재하는 SPM액이 가열된다.
또한, 적외선 램프(38)에 의한 가열과 병행하여, 적외선 램프(38)를 웨이퍼(W)의 표면을 따라서 이동시킨다. 이 때문에, 웨이퍼(W)의 표면에 있어서의 적외선 램프(38)에 대향하는 영역이, 웨이퍼(W)의 회전 중심을 포함하는 영역으로부터 웨이퍼(W)의 둘레 가장자리를 포함하는 영역에 이르는 범위 내를 원호 띠형상의 궤적을 그리면서 이동하므로, 적외선 램프(38)에 의해서 웨이퍼(W)의 표면의 거의 전역을 가열할 수 있다.
이 경우, 웨이퍼(W)의 표면에 존재하는 SPM액을, 웨이퍼(W)의 표면과의 경계 부근에서 따뜻하게 할 수 있으므로, 웨이퍼(W)의 표면 상의 레지스트와 SPM액의 반응을 촉진시킬 수 있다. 이 때문에, 웨이퍼(W)의 표면의 전역으로부터 레지스트를 양호하게 제거할 수 있고, 또한, 경화층을 가지는 레지스트여도, 애싱하지 않고, 웨이퍼(W)의 표면으로부터 제거할 수 있다. 레지스트의 애싱이 불필요하므로, 애싱에 의한 웨이퍼(W)의 표면의 손상의 문제를 회피할 수 있다.
또한, 웨이퍼(W)의 표면에 존재하는 SPM액의 가열과 병행하여, 환상의 불활성 가스 토출구(101)로부터, 수평 방향을 따르는 측방을 향해서 방사상으로 질소 가스가 토출되고, 개구(73)를 폐색하는 기체 커텐(GC)이 형성된다. 기체 커텐(GC)에 의해서, 웨이퍼 회전 기구(3)를 수용하는 컵(5) 내의 공간과, 컵(5) 외의 공간이 차단된다.
적외선 램프(38)에 의한 SPM액으로의 가열에 의해, SPM액이 급격하게 따뜻해져, 웨이퍼(W)의 표면의 주위에 대량의 SPM액 미스트가 발생하는 경우가 있다. 그러나, 환상의 불활성 가스 토출구(101)로부터 토출되는 질소 가스에 의해서 형성되는 기체 커텐(GC)에 의해서, 컵(5) 내외의 공간이 차단되어 있으므로, SPM액 미스트를 포함하는 분위기를 컵(5)의 안쪽에 가둘 수 있고, 그 분위기가 처리실(2) 내(기체 커텐(GC)의 외측의 공간)로 확산하는 것을 억제 또는 방지할 수 있다. 따라서, 처리실(2) 내의 오염을 방지할 수 있다.
이 실시 형태의 구성에서는, 불활성 가스 토출구(101)와 적외선 램프(38)가 근접하여 배치되어 있고, 또한, 적외선 램프(38)의 이동에 따라, 불활성 가스 토출구(101)도 수평 방향을 따라서 이동한다. 이 때문에, 히터 헤드(35)의 위치에 상관없이, SPM액 미스트를 포함하는 분위기를 효율적으로 컵(5)의 내측에 가둘 수 있다.
또한, 불활성 가스 토출구(101)에서의 질소 가스의 토출 방향과, 히터 헤드(35A)의 이동 방향이 모두 수평 방향이므로, 히터 헤드(35)의 위치에 상관없이, 기체 커텐(GC)이 일정한 양태를 가진다.
또한, 전술의 처리예에서는, SPM 액막 가열 공정(도 7에 나타내는 단계 S4)에 있어서, SPM액의 공급을 행하지 않는 것으로 했다. 그러나, 단계 S4의 SPM 액막 가열 공정에 있어서, 제1 유량보다도 작은 소유량으로 SPM액을 웨이퍼(W)의 표면에 공급해도 되고, 웨이퍼 회전 기구(3)에 유지되어 있는 웨이퍼(W)에 제1 유량의 SPM액을 간헐적으로 공급해도 된다.
도 25는, 본 발명의 제3 실시 형태에 관련된 기판 처리 장치(1B)의 히터 헤드(유지 헤드)(135)의 단면도이다. 기판 처리 장치(1B)에서는, 도 19에 나타낸 구성에 있어서, 도 20 등에 나타내는 히터 헤드(35A)를 대신하여, 히터 헤드(유지 헤드)(135)가 탑재되어 있다. 도 25에 나타내는 히터 헤드(135)에 있어서, 제2 실시 형태의 히터 헤드(35A)의 각 부에 대응하는 부분에는, 도 20등과 동일한 참조 부호를 붙여 나타내고, 설명을 생략한다.
이 제3 실시 형태의 히터 헤드(135)에 있어서는, 불활성 가스 유통 배관(191)(기체 유통 배관) 내에, 연직 방향으로 연장되는 둥근관의 흡인 배관(192)이 삽입되어 있다. 이에 따라, 불활성 가스 유통 배관(191) 및 흡인 배관(192)이, 이중 배관 구조(190)를 형성하고 있다.
또한, 이 제3 실시 형태의 히터 헤드(135)에 있어서는, 흡인 배관(192)의 흡인구(194)가 하정류판(150)의 하면(대향면)(150B)에 형성되어 있다. 하정류판(150)은, 흡인구(194)가 형성되어 있는 점을 제외하고, 도 20 등에 나타내는 하정류판(100)과 동등한 구성이다. 하정류판(150)의 상면(150A)의 둘레 단가장자리와, 저판부(52)의 하면(52B)의 둘레 단가장자리에 의해, 환상의 외부로 향하는 불활성 가스 토출구(기체 토출구)(151)가 형성되어 있다.
불활성 가스 유통 배관(191)은, 불활성 가스 유통 배관(90)(도 20 참조)보다도 큰 내경 및 외경을 가지는 둥근 관(원통형상의 배관)이다. 불활성 가스 유통 배관(191)의 선단(하단)은, 램프 하우징(40)의 저판부(52)를 관통하고, 저판부(52)의 하면(52B)보다도 선단측(하방)으로 돌출하고, 그 선단이 하정류판(150)에 의해서 부분적으로 폐색되어 있다. 흡인 배관(192)은, 불활성 가스 유통 배관(191)의 내경보다도 작은 외경을 가지는 둥근 관(원통형상의 배관)이며, 불활성 가스 유통 배관(191)과 같은 축에 배치되어 있다. 이 때문에, 불활성 가스 유통 배관(191)의 내벽과 흡인 배관(192)의 외벽에 의해서, 원통형상의 불활성 가스 유통로(193)가 구획 형성되어 있다. 불활성 가스 유통로(193)에는 불활성 가스 공급관(91)이 접속되어 있다.
흡인 배관(192)의 선단(하단)은, 하정류판(150)을 상하로 관통하고, 하정류판(150)의 하면(150B)에 개구하여, 흡인구(194)를 형성하고 있다. 흡인 배관(192)의 기단(상단)에는, 흡인관(196)의 일단이 접속되어 있다. 흡인관(196)의 타단은, 상시 작동 상태에 있는 흡인 장치(도시하지 않음)에 접속되어 있다. 흡인관(196)의 도중부에는, 흡인 배관(192)을 개폐하기 위한 흡인 밸브(197)가 끼워져 장착되어 있다.
이 실시 형태에서는, 불활성 가스 유통 배관(191), 흡인 배관(192), 램프 하우징(40) 및 하정류판(150)은, 투명 재료인 석영을 이용하여 일체 형성되어 있다.
불활성 가스 유통 배관(191)에 있어서의 저판부(52)의 하면(52B)보다도 하방(선단측), 환언하면, 불활성 가스 유통 배관(191)의 관벽에 있어서의, 저판부(52)의 하면(52B)과 하정류판(150)의 상면(150A)의 사이에는, 복수개(예를 들어 8개)의 개별 토출 구멍(195)이, 관벽을 두께 방향으로 관통하여 형성되어 있다. 복수개의 개별 토출 구멍(195)은, 불활성 가스 유통 배관(191)의 유통 방향에 관해서 동 위치에, 또한 불활성 가스 유통 배관(191)의 전체 둘레에 걸쳐 등간격으로 설치되어 있다. 복수개의 개별 토출 구멍(195)은, 동일한 형상 및 크기를 가지고 있다. 각 개별 토출 구멍(195)은, 그 개별 토출 구멍(195)에 있어서의 불활성 가스 유통 배관(191)의 원형 단면(유통 방향에 직교하는 단면)의 직경 방향 외방을 향해서 토출한다.
도 25에 나타내는 바와같이, 불활성 가스 토출구(기체 토출구)(151)와 각 개별 토출 구멍(195)이 연통해 있다. 불활성 가스 유통로(193)에 공급된 질소 가스는, 불활성 가스 유통로(193)를 유통하여 각 개별 토출 구멍(195)으로부터 토출된다. 그리고, 각 개별 토출 구멍(195)으로부터 토출된 질소 가스는, 램프 하우징(40)의 저판부(52) 및 하정류판(150)에 의해서, 수평 방향을 따라서 직경 방향 외방을 향해 방사상으로 흐르는 기류로 정류되면서, 불활성 가스 토출구(151)에 공급된다. 이에 따라, 불활성 가스 토출구(151)로부터, 수평 방향을 따르는 측방을 향해서 방사상으로 질소 가스를 토출할 수 있다.
제3 실시 형태에 의하면, 하정류판(150)의 하면(150B)을, 웨이퍼(W)의 표면에 근접하여 대향 배치시키면(전술의 근접 위치와 동등한 위치), 흡인구(194)도 웨이퍼(W)의 표면에 근접하여 대향한다. 이 상태에서, 흡인 밸브(197)가 열려 흡인구(194) 내가 흡인되면, 하정류판(150)의 하면(150B)과 웨이퍼(W)의 표면의 사이의 분위기가, 흡인구(194)에 흡인된다. 흡인구(194)로부터의 이러한 흡인에 의해서, 하정류판(150)의 하면(150B)과 웨이퍼(W)의 표면의 사이의 공간이 감압되어 부압으로 된다.
웨이퍼(W)의 표면에 존재하는 SPM액을, 그 표면에 대향 배치되는 적외선 램프(38)를 이용하여 가열하는 경우, 웨이퍼(W)의 표면에 존재하는 SPM액이 급격하게 따뜻해지므로, 웨이퍼(W)의 표면의 상방에서 큰 대류가 생길 우려가 있다. 이 대류가 커짐에 따라서, 웨이퍼(W)의 표면에 존재하는 SPM액으로부터 달아나는 열량이 커지고, 이에 따라, 웨이퍼(W)의 표면에 존재하는 SPM액이 냉각될 우려가 있다.
제3 실시 형태에 의하면, 하정류판(150)의 하면(150B)과 웨이퍼(W)의 표면의 사이의 공간이 부압으로 되어 있으므로, 하정류판(150)의 하면과 웨이퍼(W)의 표면의 사이의 공간에 큰 대류가 생기는 것을 억제할 수 있다. 이에 따라, 대류에 의해 웨이퍼(W)의 표면에 존재하는 SPM액이 잃어버리는 열량을 억제할 수 있으므로, 웨이퍼(W)의 표면에 존재하는 SPM액의 냉각을 억제 또는 방지할 수 있고, 그 결과, 웨이퍼(W)의 표면에 존재하는 SPM액을 보온할 수 있다.
이 경우, 하정류판(150)의 하면(150B)과 웨이퍼(W)의 표면의 사이의 공간에서는, 흡인구(194)에 근접함에 따라 부압으로 되어 있다. 이 때문에, 웨이퍼(W)의 표면에 있어서의 흡인구(194)와 대향하는 부분에서 특히 높은 보온 효과를 얻을 수 있다.
또한, 적외선 램프(38)에 의한 SPM액에 대한 가열에 의해, SPM액이 급격하게 따뜻해져 돌비(突沸)하여, 하정류판(150)의 하면(150B)과 웨이퍼(W)의 표면의 사이의 공간에, 대량의 SPM액 미스트가 발생하는 경우가 있다. 그러나, 흡인구(194)의 흡인에 의해서, SPM액 미스트를 포함하는 분위기가 흡인된다. 이에 따라, 하정류판(150)의 하면(150B)과 웨이퍼(W)의 표면의 사이의 공간으로부터, SPM액 미스트를 포함하는 분위기가 배기된다.
도 26은, 본 발명의 제4 실시 형태에 관련된 기판 처리 장치(1C)의 히터 헤드(유지 헤드)(235)의 단면도이다. 기판 처리 장치(1C)에서는, 도 19에 나타내는 구성에 있어서, 도 20 등에 나타내는 히터 헤드(35A)를 대신하여, 히터 헤드(유지 헤드)(235)가 탑재되어 있다. 도 26에 나타내는 히터 헤드(235)에 있어서, 제2 실시 형태의 히터 헤드(35A)의 각 부에 대응하는 부분에는, 도 20등과 동일한 참조 부호를 붙여 나타내고, 설명을 생략한다.
제4 실시 형태의 히터 헤드(235)에 있어서는, 불활성 가스 유통 배관(90)을 그 두께 방향으로 관통하는 토출 구멍으로 하여, 원환상의 1개의 토출 구멍(295)이 형성되어 있다. 하정류판(100)을 지지하기 위해서, 램프 하우징(40)과 하정류판(100)이 복수의 접속편(202)에 의해서 접속되어 있다.
제3 실시 형태와, 제4 실시 형태는, 조합할 수 있다. 즉, 도 25의 구성에 있어서, 복수의 개별 토출 구멍(195)을 대신하여, 1개의 환상의 토출 구멍(295)을 형성할 수 있다.
또한, 제2~ 제4 실시 형태에서는, 상정류판으로서, 램프 하우징(40)의 저판부(52)를 이용하고 있는데, 램프 하우징(40)과는 별도로 상정류판을 설치하도록 해도 된다. 이 경우, 상정류판의 재료로서, 석영을 채용하는 것이 바람직하다.
또한, 히터 헤드(35A, 135, 235)를 스캔(이동)시키지 않는 구성으로 할 수도 있다.
또한, 불활성 가스 토출구(101, 151)로부터 토출시키는 기체의 일예로서 질소 가스를 예시했지만, 이러한 기체로서 청정 공기나 그 외의 불활성 가스를 이용할 수 있다.
도 27은, 본 발명의 제5 실시 형태에 관련된 기판 처리 장치(1D)의 구성을 모식적으로 나타내는 도면이다. 이 도 27에 있어서, 전술의 도 1에 나타낸 각 부의 대응 부분에 동일 참조 부호를 붙여, 설명을 생략한다. 또한, 이 실시 형태의 설명에 있어서, 전술의 도 3, 도 5, 도 6, 도 7, 도 8 을 재차 참조한다.
기판 처리 장치(1D)는, 예를 들어 기판의 일예로서의 웨이퍼(W)의 표면(주면)에 불순물을 주입하는 이온 주입 처리나 드라이 에칭 처리 후에, 그 웨이퍼(W)의 표면으로부터 불필요해진 레지스트를 제거하기 위한 처리에 이용되는 매엽식의 장치이다.
기판 처리 장치(1D)는, 처리실(2) 내에, 웨이퍼(W)를 유지하여 회전시키는 웨이퍼 회전 기구(기판 유지 유닛)(3)와, 웨이퍼 회전 기구(3)에 유지되어 있는 웨이퍼(W)의 표면(상면)에 대향하여 배치되고, 레지스트 박리액(약액)의 일예로서의 SPM액을 웨이퍼(W)의 표면에 공급하고, 또한, 웨이퍼(W)의 표면 상의 SPM액을 가열하는 일체형 헤드(유지 헤드)(35B)를 구비하고 있다.
도 28은, 일체형 헤드(35B)의 도해적인 단면도이다. 도 28에 있어서, 전술의 도 2의 각 부의 대응 부분에는 동일 참조 부호를 붙여 표시하여, 설명을 생략한다. 또한, 도 29는, 아암(34) 및 일체형 헤드(35B)의 사시도이다. 도 29에 있어서, 전술의 도 4의 각 부의 대응 부분에는 동일 참조 부호를 붙여, 설명을 생략한다.
일체형 헤드(35B)는, 연직 방향으로 연장되는 박리액 유통 배관(약액 유통 배관)(4B)과, 박리액 유통 배관(4B)의 주위를 둘러싸도록 배치된 대략 원환상의 적외선 램프(38)를 구비하고 있다. 박리액 유통 배관(4B)은 둥근 관(원통형의 배관)이다. 또한, 일체형 헤드(35B)는, 상부에 개구부(39)를 가지고, 적외선 램프(38)를 수용하는 바닥이 있는 용기 형상의 램프 하우징(40)과, 램프 하우징(40)의 내부에서 적외선 램프(38)를 매달아 지지하는 지지 부재(42)와, 램프 하우징(40)의 개구부(39)를 폐색하기 위한 뚜껑(41)을 구비하고 있다. 이 실시 형태에서는, 뚜껑(41)이 아암(34)의 선단에 고정되어 있다. 또한, 박리액 유통 배관(4B) 및 램프 하우징(40)은, 투명 재료인 석영을 이용하여 일체로 형성되어 있다.
박리액 유통 배관(4B)의 선단(하단)은, 램프 하우징(40)의 저판부(52)를 관통하여, 저판부(52)의 하면(52B)보다도 선단측(하방)으로 돌출하고, 하방을 향해서 개구하고 있다. 박리액 유통 배관(4B)의 선단의 개구가, SPM액을 토출하는 박리액 토출구(약액 토출구)(80)로 되어 있다.
한편, 박리액 유통 배관(4B)의 기단은 상방으로 연장되고, 뚜껑(41)(도 28 참조) 바깥에 도달해 있다. 박리액 유통 배관(4B)의 기단에는, 뚜껑(41)의 외측으로부터 박리액 공급관(15)이 접속되어 있고, 이 박리액 공급관(15)으로부터 박리액 유통 배관(4B)에 SPM액이 공급되도록 되어 있다.
도 28에 나타내는 바와같이, 앰프(54)로부터 적외선 램프(38)에 전력이 공급되면, 적외선 램프(38)가 적외선을 방사하고, 램프 하우징(40)을 통하여, 일체형 헤드(35B)의 하방을 향해 출사된다. 또한, 적외선 램프(38)의 방사에 의해, 램프 하우징(40)의 저판부(52)가 예를 들어 300℃ 정도로 가열된다. 그리고, 램프 하우징(40)의 저판부(52)가 열원으로서 기능한다. 이 때문에, 이 실시 형태에서는, 적외선 램프(38)뿐만 아니라, 램프 하우징(40)의 저판부(52)도 히터의 일부를 이루고 있다. 램프 하우징(40)의 저판부(52)를, SPM액을 가열하기 위한 히터로서 기능시키므로, 램프 하우징(40)에 의해, 적외선 램프(38)의 보호와, SPM액의 가열의 쌍방을 실현할 수 있다.
또한, 적외선 램프(38)에 둘러싸인 박리액 유통 배관(4B)의 관벽은, 적외선 램프(38) 적외선 램프(38)로부터의 적외선의 조사에 의해, 300℃ 정도로 가열된다. 이 상태에서, 박리액 유통 배관(4B)에 박리액 공급 기구(13)로부터의 SPM액이 공급되면, SPM액이 박리액 유통 배관(4B)을 유통하는 과정에서, 박리액 유통 배관(4B)의 관벽에 의해 가열된다. 또한, 박리액 유통 배관(4B)을 유통하는 SPM액은, 적외선 램프(38)로부터 조사되는 적외선을 받아 가열된다. 따라서, 박리액 유통 배관(4B)을 유통하여 예를 들면 고온화된 SPM액이 박리액 토출구(80)로부터 토출된다.
전술과 같이, 램프 하우징(40) 및 박리액 유통 배관(4B)은, 적외선 램프(38)로부터의 적외선의 조사에 의해, 부분적으로 300℃ 정도로 가열된다. 여기서, 램프 하우징(40) 및 박리액 유통 배관(4B)은, 내열성을 가지는 석영을 이용하여 형성되어 있다. 따라서, 이들 파괴나 용융의 우려가 적다.
또한, 적외선 램프(38)의 원환부(43) 및 저판부(52)가 서로 평행하게 설치되어 있으므로, 원환부(43)가 저판부(52)를 따르고 있다. 이 때문에, 원환부(43)에 의한 저판부(52)로의 조사 면적을 넓게 할 수 있어, 적외선 램프(38)에 의한 저판부(52)의 가열을 효율적으로 행할 수 있다. 또한, 적외선 램프(38)의 원환부(43)가 수평 자세이므로, 마찬가지로 수평 자세에 있는 웨이퍼(W)의 표면으로의 조사 면적을 넓게 할 수 있고, 이에 따라, SPM액에 대하여 적외선을 효율적으로 조사할 수 있다.
이 실시 형태에 관련된 기판 처리 장치(1D)에 의한 레지스트 제거 처리의 일예는, 전술의 도 7에 나타내는 공정도 및 도 8에 나타내는 타임 차트에 따른다. 도 30a 및 도 30b는, SPM 액막 형성 공정 및 SPM 액막 가열 공정을 설명하기 위한 도해적인 단면도이다. 도 31은, 도 30a 및 도 30b에 나타내는 각 공정에 있어서의 일체형 헤드(35B)의 이동 범위를 나타내는 평면도이다.
이하, 도 3, 도 5, 도 6, 도 7, 도 8, 도 27~도 30B를 참조하면서, 기판 처리 장치(1D)에 의한 레지스트 제거 처리의 제1 처리예에 대하여 설명한다.
레지스트 제거 처리에 있어서는, 반송 로봇(도시하지 않음)이 제어되고, 처리실(2)(도 27 참조) 내에 이온 주입 처리 후의 웨이퍼(W)가 반입된다(도 7의 단계 S1：웨이퍼 반입). 웨이퍼(W)는, 레지스트를 애싱하기 위한 처리를 받지 않고, 또한, 웨이퍼(W) 표면의 레지스트는 소수성인 것으로 한다. 웨이퍼(W)는, 그 표면을 상방을 향한 상태에서 웨이퍼 회전 기구(3)에 주고 받는다. 이 때, 웨이퍼(W)의 반입에 방해가 되지 않도록, 일체형 헤드(35B) 및 SC1 노즐(25)은, 각각 홈 포지션에 배치되어 있다.
웨이퍼 회전 기구(3)에 웨이퍼(W)가 유지되면, 제어 장치(55)는 모터(6)를 제어하고, 웨이퍼(W)를 회전 개시시킨다. 웨이퍼(W)의 회전 속도는 제1 회전 속도(30~300rpm의 범위에서, 예를 들어 60rpm)까지 상승되고, 그 후, 그 제1 회전 속도로 유지된다(도 7의 단계 S2). 제1 회전 속도는, 웨이퍼(W)를 SPM액으로 커버리지할 수 있는 속도이다. 또한, 제어 장치(55)는, 요동 구동 기구(36) 및 승강 구동 기구(37)를 제어하고, 일체형 헤드(35B)를 유지한 아암(34)을 웨이퍼(W)의 상방에서 요동 및 승강시킨다. 구체적으로, 제어 장치(55)는, 일체형 헤드(35B)를, 웨이퍼 회전 기구(3)에 유지되어 있는 웨이퍼(W) 표면의 회전 중심에 대향하는 중심 근접 위치에 배치한다. 이 중심 근접 위치는, 일체형 헤드(35B)에 포함되는 박리액 유통 배관(4B)의 박리액 토출구(80)가 웨이퍼(W)의 표면의 회전 중심에 대향하는 위치(도 31에 실선으로 표시하는 위치)이다.
웨이퍼(W)의 회전 속도가 제1 회전 속도에 도달한 후, 도 30a에 나타내는 바와같이, 제어 장치(55)는, 황산 밸브(18), 과산화수소수 밸브(20) 및 박리액 밸브(23)를 열고, 박리액 유통 배관(4B)에 SPM액을 공급한다. 이에 따라, 박리액 유통 배관(4B)을 유통한 SPM액이 박리액 토출구(80)로부터 토출되어, 웨이퍼(W)의 표면에 공급된다. 또한, 제어 장치(55)는, 앰프(54)를 제어하고, 적외선 램프(38)로부터 적외선을 방사시킨다.
전술과 같이, 적외선 램프(38)로부터의 적외선의 방사에 의해, 적외선 램프(38)에 둘러싸인 박리액 유통 배관(4B)을 유통하는 SPM액이 가열된다. 따라서, 박리액 유통 배관(4B)을 유통하여 고온화된 SPM액이 박리액 토출구(80)로부터 토출되고, 이 SPM액이 웨이퍼(W)의 표면에 공급된다.
또한, 웨이퍼(W)의 회전 속도가 제1 회전 속도이므로, 웨이퍼(W)의 표면에 공급되는 SPM액은, 웨이퍼(W)의 표면 상에 고이고, 웨이퍼(W)의 표면 상에, 그 표면의 전역을 덮는 SPM액의 액막(약액의 액막)(70)이 형성된다(도 7의 단계 S3： SPM 액막 형성 공정).
도 30a에 나타내는 바와같이, SPM 액막 형성 공정의 개시 시에는, 제어 장치(55)는, 요동 구동 기구(36) 및 승강 구동 기구(37)를 제어하고, 일체형 헤드(35B)를 중심 근접 위치에 배치시킨다. 박리액 토출구(80)를 웨이퍼(W)의 회전 중심 상에 배치시킴으로써, SPM액을 웨이퍼(W)의 표면의 전역에 골고루 퍼지게 할 수 있다.
그 후, 제어 장치(55)는, 요동 구동 기구(36)를 제어하고, 아암(34)을 요동시키고, 일체형 헤드(35B)를, 둘레 가장자리 근접 위치를 향해서 수평 이동(웨이퍼(W)의 표면을 따라서) 이동시킴과 더불어, 박리액 유통 배관(4B)의 박리액 토출구(80)로부터 SPM액을 토출한다. 둘레 가장자리 근접 위치는 일체형 헤드(35B)에 포함되는 박리액 유통 배관(4B)의 박리액 토출구(80)가 웨이퍼(W)의 표면의 둘레가장자리부에 대향하는 위치(도 31에 2점 쇄선으로 표시하는 위치)이다.
히터(적외선 램프(38) 및 저판부(52))와 박리액 유통 배관(4B)이, 일체형 헤드(35B)에 의해서 일체로 유지되어 있으므로, 웨이퍼(W) 상에 있어서, 박리액 토출구(80)로부터의 SPM액의 토출 위치와, 히터(38, 52)에 대향하는 영역은 항상 접근해 있다. 이 때문에, 웨이퍼(W)의 표면에 공급된 직후의 SPM액을, 히터(38, 52)에 의해 가열할 수 있다.
웨이퍼(W)의 표면의 전역을 덮는 SPM액의 액막(70)이 형성될 때까지 필요로 하는 액막 형성 시간은, 박리액 토출구(80)로부터 토출되는 SPM액의 유량에 따라서 다르지만, 2~15초간의 범위에서, 예를 들어 5초간이다.
이 액막 형성 시간(예를 들어 5초간)이, SPM액의 공급 개시로부터 경과하면, 제어 장치(55)는, 모터(6)를 제어하고, 웨이퍼(W)의 회전 속도를 제1 회전 속도보다도 낮은 소정의 제2 회전 속도로 낮춘다. 이에 따라, 단계 S4의 SPM 액막 가열 공정이 실행된다.
제2 회전 속도는, 웨이퍼(W)로의 SPM액의 공급이 없어도, 웨이퍼(W)의 표면 상에 SPM액의 액막(70)을 유지 가능한 속도(1~20rpm의 범위에서, 예를 들어 15rpm)이다. 또한, 모터(6)에 의한 웨이퍼(W)의 감속과 동기하여, 제어 장치(55)는, 박리액 밸브(23)를 닫고, 박리액 토출구(80)로부터의 SPM액의 공급을 정지한다. 웨이퍼(W)로의 SPM액의 공급이 정지되지만, 웨이퍼(W)의 회전 속도가 제2 회전 속도로 낮아짐으로써, 웨이퍼(W)의 표면 상에 SPM액의 액막(70)이 계속하여 유지된다.
도 30B에 나타내는 바와같이, 웨이퍼(W)의 회전 속도가 낮아진 후도, 일체형 헤드(35B)의 히터(38, 52)에 의한 웨이퍼(W)의 표면 상의 SPM액으로의 가열은 계속된다(도 7의 단계 S4：SPM 액막 가열 공정).
제어 장치(55)는, 앰프(54)를 제어하고, 적외선 램프(38)로부터 적외선을 방사시킴과 더불어, 요동 구동 기구(36) 및 승강 구동 기구(37)를 제어하고, 도 30B 및 도 31에 나타내는 바와같이, 일체형 헤드(35B)를, 중심 근접 위치와, 둘레 가장자리 근접 위치의 사이에서 왕복 이동시킨다.
적외선 램프(38)에 의한 적외선의 조사에 의해, 램프 하우징(40)의 저판부(52)가 300℃ 정도로 가열되므로, 웨이퍼(W)의 표면에 있어서의 저판부(52)의 하면(52B)에 대향하는 영역에 존재하는 SPM액이, 약 250℃ 정도의 고온으로 가열되고, SPM액이 급격하게 따뜻해진다. 그리고, 웨이퍼(W)의 표면에 있어서의 저판부(52)의 하면(52B)에 대향하는 영역이, 웨이퍼(W)의 회전 중심을 포함하는 영역으로부터 웨이퍼(W)의 둘레 가장자리를 포함하는 영역에 이르는 범위 내를 원호 띠형상의 궤적을 그리면서 이동한다. 이에 따라, 웨이퍼(W)의 표면의 전역을 가열할 수 있다. 이 경우, 적외선 램프(38) 직하의 웨이퍼(W)가 따뜻해져, 웨이퍼(W)와의 경계 부근의 SPM액이 따뜻해진다.
또한, 일체형 헤드(35B)가 근접 위치에 있을 때는, 저판부(52)의 하면(52B)과 웨이퍼(W)의 표면의 사이가 미소 간격(예를 들어 약 3mm)으로 유지된다. 이 때문에, 하면(52B)과 웨이퍼(W)의 표면의 사이의 분위기를, 그 주위로부터 차단할 수 있어, 하면(52B)과 웨이퍼(W)의 표면의 사이의 분위기를 보온시킬 수 있다. 이에 따라, 웨이퍼(W)의 표면에 있어서의 저판부(52)의 하면(52B)에 대향하는 영역에 존재하는 SPM액의 온도 강하를 억제할 수 있으므로, 저판부(52)에 대향하는 영역에 존재하는 SPM액의 고온화를 한층 더 도모할 수 있다.
단계 S4의 SPM 액막 가열 공정에서는, SPM액의 액막(70)이 웨이퍼(W)의 표면과의 경계 부근에서 따뜻해진다. 이 사이에, 웨이퍼(W)의 표면 상의 레지스트와 SPM액의 반응이 진행되어, 웨이퍼(W)의 표면으로부터의 레지스트의 박리가 진행된다.
그 후, 웨이퍼(W)의 회전 속도가 낮아지고 나서 미리 정한 액막 가열 처리 시간(5~240초간의 범위에서, 예를 들어 약 14초간)이 경과하면, 제어 장치(55)는, 황산 밸브(18) 및 과산화수소수 밸브(20)를 닫음과 더불어, 제어 장치(55)는, 앰프(54)를 제어하고, 적외선 램프(38)로부터의 적외선의 방사를 정지시킨다. 또한, 제어 장치(55)는, 요동 구동 기구(36) 및 승강 구동 기구(37)를 제어하고, 일체형 헤드(35B)를 홈 포지션으로 되돌린다.
이상과 같이 이 실시 형태에 의하면, 적외선 램프(38)로부터의 적외선의 방사에 의해, 적외선 램프(38)에 둘러싸인 박리액 유통 배관(4B)을 유통하는 SPM액이 가열된다. 따라서, 박리액 유통 배관(4B)을 유통하여 고온화된 SPM액이, 웨이퍼(W)의 표면에 공급된다.
또한, 히터(38, 52)를 웨이퍼(W)의 표면에 대향 배치시키면서, 적외선 램프(38)로부터 적외선을 방사시킴으로써, 웨이퍼(W)의 표면에 있어서, 히터(38, 52)에 대향하는 영역에 존재하는 SPM액이 가열된다. 또한, 히터(38, 52)에 의한 가열과 병행하여, 히터(38, 52)를 웨이퍼(W)의 표면을 따라서 이동시킨다. 이 때문에, 웨이퍼(W)의 표면에 있어서의 저판부(52)의 하면(52B)에 대향하는 영역이, 웨이퍼(W)의 회전 중심을 포함하는 영역으로부터 웨이퍼(W)의 둘레 가장자리를 포함하는 영역에 이르는 범위 내를 원호 띠형상의 궤적을 그리면서 이동하므로, 히터(38, 52)에 의해서 웨이퍼(W) 표면의 거의 전역을 가열할 수 있다.
따라서, 박리액 유통 배관(4B)을 유통하여 고온화된 SPM액이, 웨이퍼(W)의 표면에 공급된 후에, 히터(38, 52)에 의해서 더욱 가열된다. 이에 따라, 웨이퍼(W)의 표면에 형성된 SPM액의 액막(70)의 웨이퍼(W)와의 경계 부분이 따뜻해진다.
또한, 웨이퍼(W)의 표면 상의 SPM액의 웨이퍼(W)와의 경계 부근을 따뜻하게 할 수 있으므로, 경화층을 가지는 레지스트여도, 애싱하지 않고, 웨이퍼(W)의 표면으로부터 제거할 수 있다. 레지스트의 애싱이 불필요하므로, 애싱에 의한 웨이퍼(W)의 표면의 손상의 문제를 회피할 수 있다.
도 32는 본 발명의 제6 실시 형태에 관련된 기판 처리 장치(1E)의 일체형 헤드(유지 헤드)(335)의 단면도이다. 기판 처리 장치(1E)에서는, 도 27의 구성에 있어서, 도 28 등에 나타내는 일체형 헤드(35B)를 대신하여, 일체형 헤드(335)가 탑재되어 있다. 도 32에 나타내는 일체형 헤드(335)에 있어서, 제5 실시 형태의 일체형 헤드(35B)의 각 부에 대응하는 부분에는, 도 28 등과 동일한 참조 부호를 붙여 나타내고, 설명을 생략한다.
제6 실시 형태의 일체형 헤드(335)에 있어서는, 박리액 유통 배관(약액 유통 배관)(4E)의 선단부에, 원통형의 외통(300)이 설치되어 있고, 박리액 유통 배관(4E)의 선단부가, 이른바 외부 혼합형 이류체 노즐의 형태를 가지고 있다.
박리액 유통 배관(4E)은, 제5 실시 형태에 있어서의 박리액 유통 배관(4B)(도 28 참조)보다도 긴 둥근 관(원통형의 배관)이다. 박리액 유통 배관(4E)의 선단은, 램프 하우징(40)의 저판부(52)를 관통하고, 저판부(52)의 하면(52B)보다도 선단측(하방)으로 돌출되어 있다. 그 박리액 토출구(약액 토출구)(80A)의 하면(52B)으로부터의 돌출량이, 제5 실시 형태에 있어서의 박리액 토출구(80)(도 28 참조)의 하면(52B)으로부터의 돌출량보다도 크게 되어 있다. 박리액 유통 배관(4E)은, 그 선단부를 제외하고, 박리액 유통 배관(4B)(도 28 참조)과 동등한 구성이다.
외통(300)은, 원통형상의 박리액 유통 배관(4E)과 동축형상의 대략 원통형상을 이루고 있다. 외통(300)은 예를 들어 석영을 이용하여, 박리액 유통 배관(4E)과 일체로 형성되어 있다.
외통(300)은, 그 상단부를 제외하고, 박리액 유통 배관(4E)의 외경보다도 큰 거의 일정한 내경을 가지고 있다. 이 때문에, 박리액 유통 배관(4E)의 외벽과 외통(300)의 내벽의 사이에는, 박리액 유통 배관(4E)의 중심축선을 중심으로 한 대략 원통형상의 간극인 원통 유로(301)가 형성되어 있다. 또한, 외통(300)의 상단부의 내주는, 박리액 유통 배관(4E)의 외주와 동 직경까지 축경되어 있고, 이에 따라, 원통 유로(301)의 상단부가 폐색되어 있다.
외통(300)의 길이 방향(상하 방향) 도중부에는, 원통 유로(301)에 연통한 기체 도입구(302)가 형성되어 있다. 기체 도입구(302)에는, 질소 가스 배관(303)이 접속되어 있다. 질소 가스 배관(303)의 일단부가 기체 도입구(302)에 접속되고, 질소 가스 배관(303)의 타단부에는, 도시하지 않은 질소 가스 공급원으로부터의 질소 가스가 공급되도록 되어 있다.
박리액 유통 배관(4E)의 박리액 토출구(80A)측에 설치된 플랜지(304)에는, 박리액 유통 배관(4E)의 중심축선 방향으로 플랜지(304)를 관통하는 기류 방향 변환 유로(305)가 형성되어 있다. 외통(300)의 선단부(박리액 토출구(80A)측의 단부)는, 선단을 향함에 따라서 내경이 작아지는 테이퍼형상의 내벽면을 가지는 차폐부(306)로 되어 있다. 이 차폐부(306)의 외벽면은, 박리액 토출구(80A) 및 후술 하는 기체 토출구(307)를 둘러싸고, 박리액 유통 배관(4E)의 중심축선과 직교하는 원통면으로 이루어지는 선단면(311)을 가지고 있다.
박리액 유통 배관(4E)의 중심 축선 방향에 관해서, 플랜지(304)의 선단에서는 단통부(308)가 돌출되어 있다. 즉, 박리액 유통 배관(4E)의 선단부는 단통부(308)로 되어 있다. 단통부(308)는, 차폐부(306)의 거의 중심에 배치되어 있다. 차폐부(306)의 내경은 단통부(308)의 외경보다 크다. 차폐부(306)와 단통부(308)의 사이에는, 박리액 유통 배관(4E)의 중심 축선을 둘러싸는 대략 원통형상의 간극인 선회류 형성 유로(309)가 형성되어 있다. 선회류 형성 유로(309)는, 박리액 토출구(80A)의 둘레에 원환상의 기체 토출구(307)로서 개구되어 있다.
원통 유로(301), 기류 방향 변환 유로(305) 및 선회류 형성 유로(309)는, 서로 연통해 있고, 이들 유로(301, 305, 309)에 의해, 기체 유로가 형성되어 있다. 기류 방향 변환 유로(305)로부터 선회류 형성 유로(309)에 이끌린 질소 가스는, 박리액 유통 배관(4E)의 둘레를 선회하도록 흐르고, 기체 토출구(307)로 이끌린다. 선회류 형성 유로(309)에 있어서, 질소 가스가 박리액 유통 배관(4E)의 둘레에 선회하도록 흐름으로써, 기체 토출구(307)로부터 토출되는 질소 가스는, 기체 토출구(307) 부근에서 소용돌이 기류를 형성한다. 질소 가스의 소용돌이 기류는, 박리액 토출구(80A)로부터, 박리액 유통 배관(4E)의 중심 축선을 따라서 토출되는 SPM액을 둘러싸도록 형성된다.
그리고, 박리액 공급관(15)으로부터 박리액 유통 배관(4E)에 SPM액이 공급됨과 더불어, 질소 가스 배관(303)에 질소 가스가 공급되면, 박리액 토출구(80A)로부터 외부 공간에 SPM액이 토출됨과 더불어, 기체 토출구(307)로부터 외부 공간에 질소 가스가 토출된다. 즉, 외부 공간에 있어서, SPM액과 질소 가스가 충돌하여 혼합되어, SPM액의 미세한 액적이 형성된다. 그리고, 이 SPM액의 액적이 분류로 되어, 웨이퍼 회전 기구(3)에 유지되어 있는 웨이퍼(W)의 표면을 향해서 토출된다.
제6 실시 형태에 의하면, 박리액 토출구(80A)로부터 토출되는 SPM액과 기체 토출구(307)로부터 토출되는 질소 가스의 혼합에 의해, 고온의 SPM액의 미세한 액적을 형성할 수 있다. 미세한 액적의 양태로 웨이퍼(W)의 표면에 공급된 SPM액은, 히터(38, 52)의 가열에 의해 승온되기 쉽다. 이에 따라, 웨이퍼(W)의 표면의 SPM액의 액막(70)을, 200℃ 이상의 고온으로 양호하게 유지할 수 있다.
도 33은, 본 발명의 제7 실시 형태에 관련된 기판 처리 장치(1F)의 일체형 헤드(유지 헤드)(435)의 단면도이다. 기판 처리 장치(1F)에서는, 도 27의 구성에 있어서, 도 28등에 나타내는 일체형 헤드(35B)를 대신하여, 일체형 헤드(435)가 탑재되어 있다. 도 33에 나타내는 일체형 헤드(435)에 있어서, 제5 실시 형태의 일체형 헤드(35B)의 각 부에 대응하는 부분에는, 도 28 등과 동일한 참조 부호를 붙여 나타내고, 설명을 생략한다.
제7 실시 형태의 일체형 헤드(435)에 있어서는, 박리액 유통 배관(약액 유통 배관)(4F)의 선단이, 램프 하우징(40)의 저판부(452)에 도달하지 않고, 그 박리액 토출구(개구)(80B)가, 저판부(452)의 상면(452A)과 소정의 간격을 두고 대향해 있다. 또한, 저판부(452)가, 그 저판부(452)를 상하 방향으로 관통하는 다수의 소경의 관통공(약액 토출구)(400)을 가지고 있다. 관통공(400)은, 저판부(452)의 전역에 분산 배치되어 있다.
박리액 유통 배관(4F)은, 제5 실시 형태에 있어서의 박리액 유통 배관(4B)(도 28 참조)보다도 짧은 석영제의 둥근 관(원통형상의 배관)이다. 박리액 유통 배관(4F)은, 예를 들어, O링(401)을 통하여 뚜껑(41)에 고정 지지되어 있다.
저판부(452)는, 다수의 관통공(400)을 가지고 있는 이외는, 제5 실시 형태에 있어서의 저판부(52)(도 28 참조)와 동등한 구성이다. 이 때문에, 저판부(452)는, 상면(52A) 및 하면(52B)(도 28 참조)과 각각 동등한 상면(452A) 및 하면(대향면)(452B)을 구비하고 있다. 그리고, 적외선 램프(38)의 방사에 의해, 저판부(452)가 고온으로 가열되어 열원으로서 기능한다. 이 때문에, 이 실시 형태에서는, 적외선 램프(38)뿐만 아니라, 저판부(452)도 「히터」를 구성하고 있다.
또한, 적외선 램프(38)는, 그 원환부(43)의 하단이, 박리액 유통 배관(4F)의 하단(즉 박리액 토출구(80B))보다도 약간 상방에 위치하고 있다. 즉, 박리액 유통 배관(4F)의 선단부의 주위가, 원환부(43)에 의해 둘러싸여 있다. 이 때문에, 적외선 램프(38)의 원환부(43)와, 저판부(452)의 상면(452A)의 간격은, 박리액 토출구(80B)와, 저판부(452)의 상면(452A)의 간격보다도 크게 설정되어 있다. 이 때의 적외선 램프(38)의 원환부(43)와, 저판부(452)의 상면(452A)의 간격은, 적외선 램프(38)에 의한 적외선의 조사에 의해, 저판부(452)가 고온으로 가열되는 정도의 간격으로 설정되어 있다. 레지스트 제거 처리시에는, 저판부(452)의 하면(452B)이, 웨이퍼(W)의 표면에 근접하여 배치된다.
박리액 유통 배관(4F)의 하단 주위에는, 원판상의 판상 부재(85)가 장착되어 있다. 이 판상 부재(85)는 석영 등을 이용하여 형성되어 있고, 이 판상 부재(85)에 의해, SPM액으로부터 적외선 램프(38)가 보호된다.
제7 실시 형태에 의하면, 박리액 유통 배관(4F)을 유통한 SPM액은, 박리액 토출구(80B)로부터 토출된 후, 램프 하우징(40)의 저판부(452)에 수용되고, 저판부(452)의 다수의 관통공(400)으로부터 샤워상태로 토출된다. 저판부(452)에 수용된 SPM액은, 관통공(400)으로부터 토출될 때까지동안 그 저판부(452)의 상면(452A)에 일단 모여진다. 이 SPM액에 적외선 램프(38)로부터의 적외선이 조사됨으로써, SPM액이 더욱 가열된다. 이에 따라, 웨이퍼 회전 기구(3)에 유지된 웨이퍼(W)의 표면에 공급되는 SPM액을 더욱 고온화할 수 있으므로, 웨이퍼(W)의 표면의 SPM액의 액막(70)을, 예를 들어 200℃ 이상의 고온으로 양호하게 유지할 수 있다.
또한, 각 관통공(400)에서는, SPM액의 액적이 토출된다. 액적의 양태로 웨이퍼(W)의 표면에 공급된 SPM액은, 히터(38, 452)의 가열에 의해 승온되기 쉽다. 이에 따라, 웨이퍼(W)의 표면의 SPM액의 액막(70)을, 상기의 고온으로 양호하게 유지할 수 있다.
또한, 저판부(452)의 전역에 관통공(400)을 배치함으로써, SPM액의 액적을, 웨이퍼(W)의 표면에 보다 광범위하게 공급할 수 있다.
또한, 제5~제7 실시 형태에 있어서, 단계 S3(도 7 참조)의 SPM 액막 형성 공정에 있어서, 일체형 헤드(35B, 335, 435)의 히터(38, 52(38, 452))에 의한 웨이퍼(W)의 표면 상의 SPM액으로의 가열을 행하지 않도록 할 수도 있다. 즉, 단계 S4의 SPM 액막 가열 공정에 있어서, 히터(38, 52(38, 452))에 의한 SPM액으로의 가열이 비로소 행해지도록 해도 된다.
이상, 본 발명의 실시 형태에 대해서 설명했는데, 본 발명은 또 다른 형태로 실시할 수도 있다.
예를 들어, 적외선 램프(38)로서, 1개의 원형(환상) 램프를 구비하는 것을 예로 들었는데, 이에 한정되지 않고, 동심원상의 복수의 원형 램프를 구비하는 적외선 램프를 이용해도 된다. 또한, 적외선 램프(38)를 대신하여, 수평면을 따라서 서로 평행하게 배치된 복수개의 직선상 적외선 램프를 이용해도 된다.
또한, 램프 하우징(40)으로서 원통형상의 것을 채용했는데, 각통형상(예를 들어 사각통형상)인 것을 채용할 수도 있다. 이 경우, 저판부(52, 452) 등의 형상이 직사각형 판상이 된다.
또한, 램프 하우징(40)의 저판부(52, 452)와는 별도로, 웨이퍼(W)의 표면에 대향하는 대향면을 가지는 예를 들어 원판상이나 직사각형 판상의 대향판(대향 부재)을 설치하도록 해도 된다. 이 경우에는, 대향판의 재료로서, 석영을 채용할 수 있다.
또한, 본 발명을, 인산 등의 고온의 에칭액을 이용하여 기판의 주면의 질화막을 선택적으로 에칭하는 기판 처리 장치에 적용할 수도 있다.
본 발명의 실시 형태에 대하여 상세하게 설명했는데, 이들은 본 발명의 기술적 내용을 명확히 하기 위해서 이용된 구체적인 예에 불과하고, 본 발명은 이러한 구체적인 예에 한정하여 해석되어야 하는 것은 아니고, 본 발명의 범위는 첨부의 청구의 범위에 의해서만 한정된다.
이 출원은, 2012년 2월 29일에 일본 특허청에 제출된 특허 출원 2012－044 650호 및 특허 출원 2012－044651호, 2012년 3월 15일에 일본 특허청에 제출된 특허 출원 2012－059259호 및 특허 출원 2012－059260호, 및 2012년 6월 27일에 일본 특허청에 제출된 특허 출원 2012－144295호에 대응하고 있고, 이들 출원의 전체 개시는 여기에 인용에 의해 기재하는 것으로 한다.

Claims (53)

  1. 기판의 주면에 약액을 이용한 처리를 실시하기 위해서 이용되는 기판 처리 장치로서,
    기판을 유지하는 기판 유지 유닛과,
    상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판의 주면에 약액을 공급하는 약액 노즐을 가지는 약액 공급 유닛과,
    적외선 램프를 가지고, 상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판의 주면에 대향하여 배치되고, 상기 적외선 램프로부터의 적외선의 방사에 의해, 기판의 주면에 공급된 약액을 가열하는, 기판보다도 소경인 히터와,
    상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판의 주면을 따라서 상기 히터를 이동시키는 히터 이동 유닛을 포함하고,
    상기 기판 유지 유닛은, 기판을 수평 자세로 유지하기 위한 것이며,
    상기 기판 처리 장치는,
    상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판을, 소정의 연직 축선 둘레로 회전시키기 위한 회전 유닛과,
    상기 약액 공급 유닛을 제어하여 상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판의 주면에 상기 약액 노즐로부터의 약액을 공급함과 더불어, 상기 회전 유닛을 제어하여 상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판을 제1 회전 속도로 회전시킴으로써, 상기 기판의 주면을 덮는 약액의 액막을 형성시키는 액막 형성 공정과, 상기 액막 형성 공정 후에, 상기 회전 유닛을 제어하여, 상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판을 제1 회전 속도보다도 낮은 제2 회전 속도로 회전시킴으로써, 상기 기판의 주면 상에 형성된 약액의 액막을, 상기 기판의 주면 상에 유지하는 액막 유지 공정과, 상기 액막 유지 공정과 병행하여, 상기 히터 및 상기 히터 이동 유닛을 제어하고, 상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판의 주면에 상기 히터를 대향 배치시킴과 더불어, 상기 기판의 주면에 유지되어 있는 약액의 액막을 상기 히터에 의해 가열하는 액막 가열 공정과, 상기 액막 유지 공정 및 상기 액막 가열 공정과 병행하여, 상기 히터를 상기 기판의 주면을 따라서 이동시키는 히터 이동 공정을 실행하는 제어 유닛을 더 포함하는, 기판 처리 장치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 약액 노즐과는 따로 설치되고, 상기 히터를 가지는 히터 헤드를 더 포함하고,
    상기 히터 이동 유닛은, 상기 히터 헤드를 이동시키는 히터 헤드 이동 유닛을 포함하는, 기판 처리 장치.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 히터 헤드는, 상기 적외선 램프를 수용하는 바닥이 있는 용기 형상의 램프 하우징을 구비하는, 기판 처리 장치.
  4. 청구항 3에 있어서,
    상기 히터는, 상기 적외선 램프의 조사에 의해 가열되는 상기 램프 하우징의 저판부를 포함하는, 기판 처리 장치.
  5. 청구항 3에 있어서,
    상기 램프 하우징은 석영을 이용하여 형성되어 있는, 기판 처리 장치.
  6. 청구항 3에 있어서,
    상기 히터 헤드는, 상기 램프 하우징의 개구부를 폐색하는 뚜껑을 더 구비하고 있는, 기판 처리 장치.
  7. 청구항 6에 있어서,
    상기 뚜껑은, 수지 재료를 이용하여 형성되어 있는, 기판 처리 장치.
  8. 청구항 1에 있어서,
    상기 히터는, 상기 기판의 주면과 상기 적외선 램프의 사이에 배치되고, 상기 적외선 램프의 조사에 의해 가열되는 대향 부재를 더 포함하는, 기판 처리 장치.
  9. 청구항 1에 있어서,
    상기 적외선 램프는, 상기 기판의 주면에 수직인 축선을 중심 축선으로 하는 환상을 이루고 있는, 기판 처리 장치.
  10. 청구항 1에 있어서,
    상기 약액은 레지스트 박리액인, 기판 처리 장치.
  11. 삭제
  12. 기판의 주면으로부터 레지스트를 제거하기 위한 기판 처리 방법으로서,
    기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판의 주면에, 소정 유량의 레지스트 박리액을 공급함과 더불어, 상기 기판을 제1 회전 속도로 회전시킴으로써, 그 기판의 주면을 덮는 레지스트 박리액의 액막을 형성시키는 액막 형성 공정과,
    상기 액막 형성 공정 후에, 상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판을 상기 제1 회전 속도보다도 낮은 제2 회전 속도로 회전시킴으로써, 상기 기판의 주면 상에 형성된 레지스트 박리액의 액막을, 그 기판의 주면 상에 유지하는 액막 유지 공정과,
    상기 액막 유지 공정과 병행하여, 상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판의 주면에 히터를 대향 배치시켜, 상기 기판의 주면에 유지되어 있는 레지스트 박리액의 액막을 상기 히터에 의해 가열하는 액막 가열 공정과,
    상기 액막 유지 공정 및 상기 액막 가열 공정과 병행하여, 상기 히터를 상기 기판의 주면을 따라서 이동시키는 히터 이동 공정을 포함하는, 기판 처리 방법.
  13. 청구항 12에 있어서,
    상기 액막 유지 공정에 있어서, 상기 기판의 주면에 대한 상기 레지스트 박리액의 공급을 행하지 않는, 기판 처리 방법.
  14. 청구항 12에 있어서,
    상기 액막 유지 공정과 병행하여, 상기 기판의 주면에, 레지스트 박리액을, 그 단위 시간당 유량이 상기 소정의 유량보다도 작아지도록 공급하는 박리액 공급 공정을 더 포함하는, 기판 처리 방법.
  15. 청구항 14에 있어서,
    상기 박리액 공급 공정은, 상기 액막 유지 공정의 개시 시에 있어서, 상기 소정 유량의 레지스트 박리액을 상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판에 공급하고, 그 후, 상기 액막 유지 공정의 진행에 따라, 상기 기판에 공급하는 레지스트 박리액의 유량을 감소시키는 공정을 포함하는, 기판 처리 방법.
  16. 청구항 14에 있어서,
    상기 박리액 공급 공정은, 상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판에 레지스트 박리액을 간헐적으로 공급하는 공정을 포함하는, 기판 처리 방법.
  17. 청구항 12 내지 청구항 16 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 액막 가열 공정 및 상기 히터 이동 공정은, 상기 액막 형성 공정과 병행하여 실행되는, 기판 처리 방법.
  18. 기판의 주면으로부터 레지스트를 제거하기 위한 기판 처리 방법으로서,
    기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판의 주면에 레지스트 박리액을 공급함과 더불어, 상기 기판을 회전시킴으로써, 그 기판의 주면을 덮는 레지스트 박리액의 액막을 형성시키는 액막 형성 공정과,
    상기 액막 형성 공정 후에, 상기 기판의 주면에 대한 상기 레지스트 박리액의 공급을 행하지 않고, 상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판을 제1 회전 속도로 회전시킴으로써, 상기 기판의 주면 상에 형성되는 레지스트 박리액의 액막의 두께를 감소시키는 액막 박화 공정과,
    상기 액막 박화 공정 후에, 상기 기판의 주면에 대한 상기 레지스트 박리액의 공급을 행하지 않고, 상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판을 상기 제1 회전 속도보다도 느린 제2 회전 속도로 회전시킴으로써, 상기 기판의 주면 상에 형성되는 레지스트 박리액의 액막을, 그 기판의 주면 상에 유지하는 액막 유지 공정과,
    상기 액막 유지 공정과 병행하여, 상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판, 및 상기 기판의 주면에 유지되어 있는 레지스트 박리액의 액막의 적어도 한쪽을, 히터에 의해 가열하는 액막 가열 공정을 포함하는, 기판 처리 방법.
  19. 청구항 18에 있어서,
    상기 액막 가열 공정에 앞서 실행되고, 상기 히터를 상기 기판의 주면에 대향 배치시키는 대향 배치 공정을 더 포함하는, 기판 처리 방법.
  20. 청구항 18에 있어서,
    상기 액막 가열 공정과 병행하여 실행되고, 상기 히터를, 상기 기판의 주면을 따라서 이동시키는 히터 이동 공정을 더 포함하는, 기판 처리 방법.
  21. 청구항 20에 있어서,
    상기 히터 이동 공정은, 상기 히터를 상기 기판의 주면을 따라서 상기 기판의 주면 상에서 이동시키고, 그 이동 후에 상기 기판의 주면 상에서 상기 히터를 정지시키는 정지 공정을 포함하는, 기판 처리 방법.
  22. 청구항 20에 있어서,
    상기 히터 이동 공정은, 상기 히터를, 상기 기판의 주면을 따라서 상기 기판의 주면 상에서 이동 방향을 바꾸면서 연속하여 계속 이동시키는 연속 이동 공정을 포함하는, 기판 처리 방법.
  23. 청구항 18에 있어서,
    상기 액막 형성 공정에 있어서, 상기 기판을 상기 제2 회전 속도로 회전시키는, 기판 처리 방법.
  24. 청구항 18에 있어서,
    상기 액막 형성 공정에 있어서, 상기 기판을 상기 제2 회전 속도보다도 빠르고 상기 제1 회전 속도보다도 느린 제3 회전 속도로 회전시키는, 기판 처리 방법.
  25. 청구항 18에 있어서,
    상기 액막 형성 공정에 있어서, 상기 기판을 상기 제2 회전 속도보다도 느린 제4 회전 속도로 회전시키는, 기판 처리 방법.
  26. 청구항 18에 있어서,
    상기 액막 형성 공정에 있어서, 상기 기판을 상기 제1 회전 속도로 회전시키는, 기판 처리 방법.
  27. 청구항 18에 있어서,
    상기 액막 가열 공정은, 상기 액막 형성 공정과 병행하여 실행되는, 기판 처리 방법.
  28. 청구항 18 내지 청구항 27 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 액막 가열 공정은, 상기 액막 박화 공정과 병행하여 실행되는, 기판 처리 방법.
  29. 처리실과,
    상기 처리실 내에 수용되어, 기판을 유지하는 기판 유지 유닛과,
    상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판의 주면에 약액을 공급하는 약액 공급 유닛과,
    상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판의 주면에 대향하여 배치되고, 적외선의 방사에 의해, 상기 기판의 주면에 공급된 약액을 가열하는 적외선 램프와,
    상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판의 주면에 대향하는 위치에 배치되고, 상기 기판의 주면을 따라서 방사상으로 기체를 토출하는 환상의 기체 토출구와,
    상기 적외선 램프 및 상기 기체 토출구를 일체로 유지하는 유지 헤드를 포함하는 기판 처리 장치에 있어서,
    상기 기판 유지 유닛은, 기판을 수평 자세로 유지하기 위한 것이며,
    상기 기판 처리 장치는,
    상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판을, 소정의 연직 축선 둘레로 회전시키기 위한 회전 유닛과,
    상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판의 주면을 따라서 상기 유지 헤드를 이동시키는 유지 헤드 이동 유닛을 더 포함하고,
    상기 약액 공급 유닛을 제어하여 상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판의 주면에 약액을 공급함과 더불어, 상기 회전 유닛을 제어하여 상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판을 제1 회전 속도로 회전시킴으로써, 상기 기판의 주면을 덮는 약액의 액막을 형성시키는 액막 형성 공정과, 상기 액막 형성 공정 후에, 상기 회전 유닛을 제어하여, 상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판을 제1 회전 속도보다도 낮은 제2 회전 속도로 회전시킴으로써, 상기 기판의 주면 상에 형성된 약액의 액막을, 상기 기판의 주면 상에 유지하는 액막 유지 공정과, 상기 액막 유지 공정과 병행하여, 상기 적외선 램프 및 상기 유지 헤드 이동 유닛을 제어하고, 상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판의 주면에 상기 적외선 램프를 대향 배치시킴과 더불어, 상기 기판의 주면에 유지되어 있는 약액의 액막을 상기 적외선 램프에 의해 가열하는 액막 가열 공정과, 상기 액막 유지 공정 및 상기 액막 가열 공정과 병행하여, 상기 적외선 램프를 상기 기판의 주면을 따라서 이동시키는 적외선 램프 이동 공정을 실행하는 제어 유닛을 더 포함하는, 기판 처리 장치.
  30. 청구항 29에 있어서,
    상기 적외선 램프는, 상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판보다도 소경을 가지는, 기판 처리 장치.
  31. 청구항 29에 있어서,
    상기 기판 유지 유닛을 수용하고, 상기 기판 유지 유닛에 유지된 기판의 주면과 대향하는 위치에 기판을 통과 가능한 사이즈의 개구를 가지는 컵을 더 포함하고,
    상기 기체 토출구는 상기 개구 내에 배치되어, 상기 기체 토출구는 상기 컵의 개구단을 향해서 기체를 토출하는, 기판 처리 장치.
  32. 청구항 29에 있어서,
    관벽을 그 두께 방향으로 관통하는 토출 구멍을 가지고, 기체가 유통하는 기체 유통 배관과,
    상기 기체 유통 배관에 기체를 공급하는 기체 공급 유닛과,
    상기 기체 유통 배관을 유통하여 상기 토출 구멍으로부터 토출된 기체를, 상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판의 주면을 따르는 기류로 정류하는 상정류판 및 하정류판을 더 포함하고,
    상기 한쌍의 정류판에 의해서 정류된 기류가 상기 기체 토출구에 공급되는, 기판 처리 장치.
  33. 청구항 32에 있어서,
    상기 토출 구멍은, 상기 기체 유통 배관의 전체 둘레에 걸쳐 둘레 방향으로 간격을 두고 배치된 복수의 개별 토출 구멍을 가지고 있는, 기판 처리 장치.
  34. 청구항 32에 있어서,
    상기 토출 구멍은, 상기 기체 유통 배관의 둘레방향을 따른 환상으로 형성되어 있는, 기판 처리 장치.
  35. 청구항 32에 있어서,
    상기 적외선 램프는, 상기 기체 유통 배관의 주위를 둘러싸는 환상을 이루고,
    상기 기체 유통 배관의 관벽은, 상기 적외선 램프에 의한 적외선의 조사에 의해 가열됨으로써, 상기 기체 유통 배관을 유통하는 기체를 가열하는, 기판 처리 장치.
  36. 청구항 32에 있어서,
    상기 기체 유통 배관의 관벽은, 석영을 이용하여 형성되어 있는, 기판 처리 장치.
  37. 청구항 32에 있어서,
    상기 유지 헤드는, 상기 적외선 램프를 수용하는 램프 하우징을 구비하고,
    상기 기체 유통 배관의 관벽은, 상기 램프 하우징 및 상기 하정류판과 일체로 형성되어 있는, 기판 처리 장치.
  38. 청구항 32에 있어서,
    상기 하정류판은, 상기 기체 유통 배관에 지지되어 있는, 기판 처리 장치.
  39. 청구항 32에 있어서,
    흡인구를 가지고, 상기 기체 유통 배관 내에 삽입통과된 흡인 배관과,
    상기 흡인 배관 내를 흡인하는 흡인 유닛을 더 포함하고,
    상기 기체 유통 배관 및 상기 흡인 배관은, 상기 기체 유통 배관 내에 상기 흡인 배관이 삽입통과됨으로써 이중 배관 구조를 형성하고 있고,
    상기 흡인 배관의 선단은, 상기 하정류판을 관통하여 상기 흡인구를 형성하고 있는, 기판 처리 장치.
  40. 청구항 29 내지 청구항 39 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 약액은 레지스트 박리액인, 기판 처리 장치.
  41. 기판을 유지하는 기판 유지 유닛과,
    기판의 주면에 약액을 공급하기 위한 약액 유통 배관과,
    상기 약액 유통 배관에 약액을 공급하는 약액 공급 유닛과,
    상기 약액 유통 배관의 주위를 둘러싸는 환상의 적외선 램프를 가지고, 상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판의 주면에 대향하여 배치되고, 상기 적외선 램프로부터의 적외선의 방사에 의해, 상기 기판의 주면에 공급된 약액을 가열하는, 기판보다도 소경인 히터와,
    상기 히터와 상기 약액 유통 배관을 일체로 유지하는 유지 헤드와,
    상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판의 주면을 따라서 상기 유지 헤드를 이동시키는 유지 헤드 이동 유닛을 포함하고,
    상기 적외선 램프로부터의 적외선의 방사에 의해, 상기 약액 유통 배관을 유통하는 약액이 가열되는 기판 처리 장치에 있어서,
    상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판을, 소정의 연직 축선 둘레로 회전시키기 위한 회전 유닛과,
    상기 약액 공급 유닛을 제어하여 상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판의 주면에, 상기 약액 유통 배관으로부터의 약액을 공급함과 더불어, 상기 회전 유닛을 제어하여 상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판을 제1 회전 속도로 회전시킴으로써, 그 기판의 주면을 덮는 약액의 액막을 형성시키는 액막 형성 공정과, 상기 액막 형성 공정 후에, 상기 회전 유닛을 제어하여, 상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판을 제1 회전 속도보다도 낮은 제2 회전 속도로 회전시킴으로써, 상기 기판의 주면 상에 형성된 약액의 액막을, 그 기판의 주면 상에 유지하는 액막 유지 공정과, 상기 액막 유지 공정과 병행하여, 상기 히터 및 상기 유지 헤드 이동 유닛을 제어하여, 상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판의 주면에 상기 히터를 대향 배치시켜, 상기 기판의 주면에 유지되어 있는 약액의 액막을 상기 히터에 의해 가열하는 액막 가열 공정과, 상기 액막 유지 공정 및 상기 액막 가열 공정과 병행하여, 상기 유지 헤드를, 상기 기판의 주면을 따라서 이동시키는 유지 헤드 이동 공정을 실행하는 제어 유닛을 더 포함하고,
    상기 기판 유지 유닛은, 기판을 수평 자세로 유지하는, 기판 처리 장치
  42. 청구항 41에 있어서,
    상기 약액 유통 배관의 관벽은, 상기 적외선 램프에 의한 적외선의 조사에 의해 가열되어 고온으로 승온됨으로써, 상기 약액 유통 배관을 유통하는 약액을 가열하는, 기판 처리 장치.
  43. 청구항 41에 있어서,
    상기 약액 유통 배관은, 상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판의 주면에 약액을 토출하는 약액 토출구를 가지고 있는, 기판 처리 장치.
  44. 청구항 43에 있어서,
    상기 약액 유통 배관의 주위를 둘러싸도록 설치되고, 상기 약액 유통 배관과의 사이에 기체가 유통하는 기체 유로를 구획하고, 선단부에 있어서 상기 약액 유통 배관과의 사이에 기체 토출구를 구획하도록 상기 약액 유통 배관에 고정된 외통을 더 포함하고,
    상기 약액 토출구로부터 토출되는 약액과 상기 기체 토출구로부터 토출되는 기체가 혼합됨으로써 상기 약액의 액적이 형성되는, 기판 처리 장치.
  45. 청구항 41에 있어서,
    상기 유지 헤드는, 수평 방향을 따르는 상면 및 하면을 가지는 저판부를 가지고, 상기 적외선 램프를 수용하는 바닥이 있는 용기 형상의 램프 하우징을 구비하고,
    상기 약액 유통 배관은, 상기 램프 하우징의 내부에서, 상기 저판부의 상기 상면에 대향하는 개구를 가지고,
    상기 저판부는, 그 저판부를 상하 방향으로 관통하는 다수의 약액 토출구를 가지는, 기판 처리 장치.
  46. 청구항 41에 있어서,
    상기 약액 유통 배관의 관벽은, 석영을 이용하여 형성되어 있는, 기판 처리 장치.
  47. 청구항 41에 있어서,
    상기 유지 헤드는, 상기 적외선 램프를 수용하는 바닥이 있는 용기 형상의 램프 하우징을 구비하는, 기판 처리 장치.
  48. 청구항 47에 있어서,
    상기 히터는, 상기 적외선 램프로부터의 적외선의 조사에 의해 가열되는 상기 램프 하우징의 저판부를 포함하는, 기판 처리 장치.
  49. 청구항 47에 있어서,
    상기 램프 하우징은 석영을 이용하여 형성되어 있는, 기판 처리 장치.
  50. 청구항 47에 있어서,
    상기 약액 유통 배관의 관벽은, 상기 램프 하우징과 일체로 형성되어 있는, 기판 처리 장치.
  51. 청구항 41에 있어서,
    상기 히터는, 상기 기판의 주면과 상기 적외선 램프의 사이에 배치되고, 상기 적외선 램프의 조사에 의해 가열되는 대향 부재를 더 가지는, 기판 처리 장치.
  52. 청구항 41에 있어서,
    상기 약액은 레지스트 박리액인, 기판 처리 장치.
  53. 삭제
KR20130021111A 2012-02-29 2013-02-27 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 KR101485239B1 (ko)

Applications Claiming Priority (10)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012044651A JP2013182958A (ja) 2012-02-29 2012-02-29 基板処理方法
JPJP-P-2012-044650 2012-02-29
JPJP-P-2012-044651 2012-02-29
JP2012044650A JP6028892B2 (ja) 2012-02-29 2012-02-29 基板処理装置
JPJP-P-2012-059260 2012-03-15
JP2012059260A JP5801228B2 (ja) 2012-03-15 2012-03-15 基板処理装置
JPJP-P-2012-059259 2012-03-15
JP2012059259A JP6008384B2 (ja) 2012-03-15 2012-03-15 基板処理装置
JPJP-P-2012-144295 2012-06-27
JP2012144295A JP5852927B2 (ja) 2012-06-27 2012-06-27 基板処理方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20130099871A KR20130099871A (ko) 2013-09-06
KR101485239B1 true KR101485239B1 (ko) 2015-01-22

Family

ID=49003319

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR20130021111A KR101485239B1 (ko) 2012-02-29 2013-02-27 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Country Status (4)

Country Link
US (2) US8877076B2 (ko)
KR (1) KR101485239B1 (ko)
CN (1) CN103295936B (ko)
TW (1) TWI490968B (ko)

Families Citing this family (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5852898B2 (ja) * 2011-03-28 2016-02-03 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
CN103295936B (zh) * 2012-02-29 2016-01-13 斯克林集团公司 基板处理装置及基板处理方法
JP5926086B2 (ja) * 2012-03-28 2016-05-25 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP6242057B2 (ja) 2013-02-15 2017-12-06 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
US10707099B2 (en) 2013-08-12 2020-07-07 Veeco Instruments Inc. Collection chamber apparatus to separate multiple fluids during the semiconductor wafer processing cycle
JP6222818B2 (ja) * 2013-09-10 2017-11-01 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP6281161B2 (ja) * 2013-09-27 2018-02-21 東京エレクトロン株式会社 液処理装置
JP6256828B2 (ja) * 2013-10-10 2018-01-10 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
US10464107B2 (en) 2013-10-24 2019-11-05 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing method and substrate processing apparatus
JP6282850B2 (ja) * 2013-11-22 2018-02-21 株式会社荏原製作所 基板洗浄装置および基板処理装置
SG10201407598VA (en) * 2013-11-19 2015-06-29 Ebara Corp Substrate cleaning apparatus and substrate processing apparatus
KR102267508B1 (ko) * 2014-02-27 2021-06-22 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
CN104900517B (zh) * 2014-03-04 2018-02-27 斯克林集团公司 热处理方法及热处理装置
JP6270270B2 (ja) 2014-03-17 2018-01-31 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
TWI630652B (zh) 2014-03-17 2018-07-21 斯克林集團公司 基板處理裝置及使用基板處理裝置之基板處理方法
KR101696194B1 (ko) * 2014-05-29 2017-01-17 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
JP6440111B2 (ja) * 2014-08-14 2018-12-19 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法
KR102343226B1 (ko) * 2014-09-04 2021-12-23 삼성전자주식회사 스팟 히터 및 이를 이용한 웨이퍼 클리닝 장치
JP6499414B2 (ja) 2014-09-30 2019-04-10 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
KR102278228B1 (ko) 2015-03-19 2021-07-16 동우 화인켐 주식회사 경화 고분자 박리액 조성물
TWI629720B (zh) * 2015-09-30 2018-07-11 東京威力科創股份有限公司 用於濕蝕刻製程之溫度的動態控制之方法及設備
WO2017062134A1 (en) 2015-10-04 2017-04-13 Applied Materials, Inc. Small thermal mass pressurized chamber
KR102054605B1 (ko) * 2015-10-04 2019-12-10 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 고 종횡비 피처들을 위한 건조 프로세스
KR102145950B1 (ko) 2015-10-04 2020-08-19 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 기판 지지체 및 배플 장치
CN116206947A (zh) 2015-10-04 2023-06-02 应用材料公司 缩减空间的处理腔室
CN105269735B (zh) * 2015-10-16 2017-05-03 东南大学 一种液相成膜装置和方法
CN107123610B (zh) * 2016-02-25 2021-08-06 芝浦机械电子株式会社 基板处理装置、基板处理方法及基板的制造方法
JP6845696B2 (ja) * 2016-02-25 2021-03-24 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び基板の製造方法
CN107469456A (zh) * 2016-06-07 2017-12-15 沈阳芯源微电子设备有限公司 一种撕金去胶工艺的金属回收系统
JP6814653B2 (ja) * 2017-02-09 2021-01-20 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP2018133505A (ja) * 2017-02-17 2018-08-23 株式会社ディスコ プラズマエッチング方法
US11342215B2 (en) 2017-04-25 2022-05-24 Veeco Instruments Inc. Semiconductor wafer processing chamber
KR102099109B1 (ko) 2017-09-15 2020-04-09 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP6653308B2 (ja) * 2017-11-15 2020-02-26 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム
JP7068044B2 (ja) * 2018-05-30 2022-05-16 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
US11167326B2 (en) * 2018-07-05 2021-11-09 Semes Co., Ltd. Substrate processing apparatus and nozzle unit
KR20200134352A (ko) * 2019-05-21 2020-12-02 삼성전자주식회사 스핀 코터 및 그를 이용한 반도체 소자의 제조 방법
US11682567B2 (en) * 2020-06-30 2023-06-20 Applied Materials, Inc. Cleaning system with in-line SPM processing
JP2022146507A (ja) * 2021-03-22 2022-10-05 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP7505439B2 (ja) * 2021-04-12 2024-06-25 三菱電機株式会社 半導体製造装置および半導体装置の製造方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006508787A (ja) * 2002-12-05 2006-03-16 ユナキス・バルツェルス・アクチェンゲゼルシャフト 層の厚さを制御するための方法および装置
JP2008004878A (ja) * 2006-06-26 2008-01-10 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理方法および基板処理装置
JP2008138904A (ja) * 2006-11-30 2008-06-19 Toyo Seiki Kk 加熱装置

Family Cites Families (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62129846A (ja) * 1985-12-02 1987-06-12 Dainippon Screen Mfg Co Ltd フオトレジストの塗布方法及び塗布装置
JPH024269A (ja) 1988-06-22 1990-01-09 Hitachi Ltd ホトレジストの除去方法
JPH0352221A (ja) 1989-07-20 1991-03-06 Tokyo Electron Ltd レジスト処理方法
JP3006797B2 (ja) 1990-04-27 2000-02-07 日本電気株式会社 半導体レーザ
JPH10209023A (ja) 1997-01-28 1998-08-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd 基板処理方法とその装置
JPH113846A (ja) 1997-06-11 1999-01-06 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
US20030164225A1 (en) * 1998-04-20 2003-09-04 Tadashi Sawayama Processing apparatus, exhaust processing process and plasma processing
US6631726B1 (en) * 1999-08-05 2003-10-14 Hitachi Electronics Engineering Co., Ltd. Apparatus and method for processing a substrate
JP2001230198A (ja) 2000-02-17 2001-08-24 Sigma Meltec Ltd 薬液処理方法および装置
KR100416590B1 (ko) 2001-01-13 2004-02-05 삼성전자주식회사 반도체 웨이퍼 세정장치 및 이를 이용한 웨이퍼 세정방법
JP2002222789A (ja) 2001-01-25 2002-08-09 Semiconductor Leading Edge Technologies Inc 基板の処理方法および半導体装置の製造方法
JP4387396B2 (ja) 2001-02-01 2009-12-16 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理方法
EP1260863A1 (en) * 2001-05-23 2002-11-27 Scandinavian Micro Biodevices Micropatterning of plasma polymerized coatings
JP2003224105A (ja) * 2002-01-29 2003-08-08 Shibaura Mechatronics Corp 基板乾燥装置
US7074726B2 (en) 2002-01-31 2006-07-11 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate treating method and substrate treating apparatus
JP2004259734A (ja) * 2003-02-24 2004-09-16 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP4133448B2 (ja) 2003-02-28 2008-08-13 シャープ株式会社 清掃装置および清掃方法
JP2005093926A (ja) 2003-09-19 2005-04-07 Trecenti Technologies Inc 基板処理装置および基板処理方法
JP2005251847A (ja) 2004-03-02 2005-09-15 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP2006108304A (ja) 2004-10-04 2006-04-20 Nec Electronics Corp 基板処理装置
JP2006223995A (ja) 2005-02-17 2006-08-31 Sony Corp 洗浄方法及び洗浄装置
US20070089761A1 (en) * 2005-10-21 2007-04-26 Souvik Banerjee Non-plasma method of removing photoresist from a substrate
US8479753B2 (en) * 2006-06-16 2013-07-09 Tokyo Electron Limited Liquid processing apparatus and method
JP4787089B2 (ja) 2006-06-26 2011-10-05 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理方法および基板処理装置
JP2008060368A (ja) 2006-08-31 2008-03-13 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理方法および基板処理装置
JP2008103556A (ja) 2006-10-19 2008-05-01 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理方法および基板処理装置
JP5202865B2 (ja) 2007-04-05 2013-06-05 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理方法および基板処理装置
JP5148156B2 (ja) 2007-04-18 2013-02-20 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄装置および基板洗浄方法
JP2009004597A (ja) 2007-06-22 2009-01-08 Sokudo:Kk 基板現像方法および現像装置
JP5426141B2 (ja) 2008-10-29 2014-02-26 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法
KR101065557B1 (ko) 2008-10-29 2011-09-19 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 기판처리장치
JP5437168B2 (ja) 2009-08-07 2014-03-12 東京エレクトロン株式会社 基板の液処理装置および液処理方法
JP4927158B2 (ja) * 2009-12-25 2012-05-09 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法、その基板処理方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体及び基板処理装置
EP2383771B1 (de) 2010-04-29 2020-04-22 EV Group GmbH Vorrichtung und Verfahren zum Lösen einer Polymerschicht von einer Oberfläche eines Substrats
CN103295936B (zh) * 2012-02-29 2016-01-13 斯克林集团公司 基板处理装置及基板处理方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006508787A (ja) * 2002-12-05 2006-03-16 ユナキス・バルツェルス・アクチェンゲゼルシャフト 層の厚さを制御するための方法および装置
JP2008004878A (ja) * 2006-06-26 2008-01-10 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理方法および基板処理装置
JP2008138904A (ja) * 2006-11-30 2008-06-19 Toyo Seiki Kk 加熱装置

Also Published As

Publication number Publication date
US10032654B2 (en) 2018-07-24
TW201342512A (zh) 2013-10-16
CN103295936B (zh) 2016-01-13
US20150013732A1 (en) 2015-01-15
TWI490968B (zh) 2015-07-01
US20130224956A1 (en) 2013-08-29
KR20130099871A (ko) 2013-09-06
US8877076B2 (en) 2014-11-04
CN103295936A (zh) 2013-09-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101485239B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US9640383B2 (en) Liquid treatment apparatus and liquid treatment method
KR101925173B1 (ko) 기판 처리 장치 및 히터 세정 방법
US9601357B2 (en) Substrate processing device and substrate processing method
US9543162B2 (en) Substrate processing method
KR102088539B1 (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
KR102090838B1 (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
TW201620039A (zh) 晶圓狀物件之處理方法及設備
US20140060573A1 (en) Substrate treatment method and substrate treatment apparatus
JP2015115492A (ja) 基板処理装置
JP6028892B2 (ja) 基板処理装置
JP2007273598A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP5801228B2 (ja) 基板処理装置
JP6008384B2 (ja) 基板処理装置
JP5999625B2 (ja) 基板処理方法
JP6324052B2 (ja) 基板処理装置
JP5852927B2 (ja) 基板処理方法
JP2015191952A (ja) 基板処理方法および基板処理装置
JP2013182958A (ja) 基板処理方法
JP2015162538A (ja) 基板処理装置
JP2013201236A (ja) 基板処理装置およびヒータ洗浄方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171219

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20200107

Year of fee payment: 6