JP2003224105A - 基板乾燥装置 - Google Patents
基板乾燥装置Info
- Publication number
- JP2003224105A JP2003224105A JP2002020404A JP2002020404A JP2003224105A JP 2003224105 A JP2003224105 A JP 2003224105A JP 2002020404 A JP2002020404 A JP 2002020404A JP 2002020404 A JP2002020404 A JP 2002020404A JP 2003224105 A JP2003224105 A JP 2003224105A
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- JP
- Japan
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- substrate
- support
- solution
- supported
- support pins
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- Pending
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Drying Of Solid Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 この発明は、基板の上面に塗付された溶液を
均一に加熱乾燥できる基板乾燥装置を提供することにあ
る。 【解決手段】 基板Wの上面に塗付された溶液を加熱乾
燥して機能性薄膜を形成する基板乾燥装置において、上
端部が尖鋭な支持部3aに形成され、この支持部によっ
て上記基板Wを支持する支持ピン3と、この支持ピンに
支持される基板Wの上面側に設けられこの基板Wの上面
の溶液を加熱乾燥する赤外線ランプ4とを具備した。
均一に加熱乾燥できる基板乾燥装置を提供することにあ
る。 【解決手段】 基板Wの上面に塗付された溶液を加熱乾
燥して機能性薄膜を形成する基板乾燥装置において、上
端部が尖鋭な支持部3aに形成され、この支持部によっ
て上記基板Wを支持する支持ピン3と、この支持ピンに
支持される基板Wの上面側に設けられこの基板Wの上面
の溶液を加熱乾燥する赤外線ランプ4とを具備した。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は基板の上面に塗布
された溶液を加熱乾燥して機能性薄膜を形成する基板乾
燥装置に関する。
された溶液を加熱乾燥して機能性薄膜を形成する基板乾
燥装置に関する。
【0002】
【従来の技術】一般に、液晶表示装置や半導体装置など
の製造工程においては、ガラス基板や半導体ウエハなど
の基板に回路パターンを形成するための成膜プロセスが
ある。このプロセスにおいては、基板の板面に配向膜や
レジストなどの機能性薄膜が形成される。
の製造工程においては、ガラス基板や半導体ウエハなど
の基板に回路パターンを形成するための成膜プロセスが
ある。このプロセスにおいては、基板の板面に配向膜や
レジストなどの機能性薄膜が形成される。
【0003】基板に機能性薄膜を形成する場合、基板の
上面に溶液を塗付し、ホットプレート上でこの基板を加
熱することで、基板の上面の溶液を乾燥することがあ
る。このとき、上記溶液を均一に加熱するために、基板
とホットプレートとの間に一定の間隔を持たせる必要が
ある。そのため、ホットプレートの上面に複数の支持ピ
ンを設け、これら支持ピンで基板の下面を支持するよう
にしている。
上面に溶液を塗付し、ホットプレート上でこの基板を加
熱することで、基板の上面の溶液を乾燥することがあ
る。このとき、上記溶液を均一に加熱するために、基板
とホットプレートとの間に一定の間隔を持たせる必要が
ある。そのため、ホットプレートの上面に複数の支持ピ
ンを設け、これら支持ピンで基板の下面を支持するよう
にしている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかし、基板を支持ピ
ンで支持すると、ホットプレートからの熱は、基板の支
持ピンで支持された部分が他の部分に比べて伝わりやす
くなる。そのため、基板の支持ピンで支持された部分と
支持されてない部分とで乾燥速度に差が生じ、それによ
って、基板の上面に形成される機能性薄膜は均一な膜厚
にならない。
ンで支持すると、ホットプレートからの熱は、基板の支
持ピンで支持された部分が他の部分に比べて伝わりやす
くなる。そのため、基板の支持ピンで支持された部分と
支持されてない部分とで乾燥速度に差が生じ、それによ
って、基板の上面に形成される機能性薄膜は均一な膜厚
にならない。
【0005】この発明は、基板の上面に塗付された溶液
を均一に加熱乾燥できる基板乾燥装置を提供することに
ある。
を均一に加熱乾燥できる基板乾燥装置を提供することに
ある。
【0006】
【課題を解決するための手段】請求項1の発明は、基板
の上面に塗付された溶液を加熱乾燥して機能性薄膜を形
成する基板乾燥装置において、上端部が尖鋭な支持部に
形成されこの支持部によって上記基板を支持する支持ピ
ンと、この支持ピンに支持される基板の上面側に設けら
れこの基板の上面の溶液を加熱乾燥する加熱手段とを有
することを特徴とする基板乾燥装置にある。
の上面に塗付された溶液を加熱乾燥して機能性薄膜を形
成する基板乾燥装置において、上端部が尖鋭な支持部に
形成されこの支持部によって上記基板を支持する支持ピ
ンと、この支持ピンに支持される基板の上面側に設けら
れこの基板の上面の溶液を加熱乾燥する加熱手段とを有
することを特徴とする基板乾燥装置にある。
【0007】請求項2の発明は、上記支持ピンは中空状
であり、上記支持部はこの支持ピンの軸線に対して傾斜
した傾斜面からなることを特徴とする基板乾燥装置にあ
る。
であり、上記支持部はこの支持ピンの軸線に対して傾斜
した傾斜面からなることを特徴とする基板乾燥装置にあ
る。
【0008】この発明によれば、基板の上面側に加熱手
段を設けるとともに、この基板の下面を尖鋭な支持部で
支持することで基板と支持ピンの接触面積を減らしたか
ら、基板の上面に塗付された溶液をほぼ均一に加熱する
ことができる。
段を設けるとともに、この基板の下面を尖鋭な支持部で
支持することで基板と支持ピンの接触面積を減らしたか
ら、基板の上面に塗付された溶液をほぼ均一に加熱する
ことができる。
【0009】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながらこの発
明の一実施の形態を説明する。
明の一実施の形態を説明する。
【0010】図1に示す基板乾燥装置はベース板1を有
する。このベース板1の上面の所定位置には、複数の支
持台2が突設されており、これら支持台2にはそれぞれ
肉薄の円筒部材からなる支持ピン3が立設されている。
これら支持ピン3の上端部はこの支持ピン3を軸線方向
に対して傾斜して切断することで上端にゆくにつれて尖
鋭な傾斜面からなる支持部3aに形成されている。これ
ら支持部3aには、図示しないロボットなどによって、
上面に配向膜やレジストなどの機能性薄膜を形成する溶
液が塗付された基板Wが供給される。
する。このベース板1の上面の所定位置には、複数の支
持台2が突設されており、これら支持台2にはそれぞれ
肉薄の円筒部材からなる支持ピン3が立設されている。
これら支持ピン3の上端部はこの支持ピン3を軸線方向
に対して傾斜して切断することで上端にゆくにつれて尖
鋭な傾斜面からなる支持部3aに形成されている。これ
ら支持部3aには、図示しないロボットなどによって、
上面に配向膜やレジストなどの機能性薄膜を形成する溶
液が塗付された基板Wが供給される。
【0011】上記支持部3aに支持された基板Wの上面
側には、加熱手段としての赤外線ランプ4が設けられて
いる。この赤外線ランプ4には、図示しない制御装置が
接続されており、この制御装置を作動することによっ
て、上記支持部3a上の基板Wの上面に塗付された上記
溶液を直に加熱乾燥できるようになっている。
側には、加熱手段としての赤外線ランプ4が設けられて
いる。この赤外線ランプ4には、図示しない制御装置が
接続されており、この制御装置を作動することによっ
て、上記支持部3a上の基板Wの上面に塗付された上記
溶液を直に加熱乾燥できるようになっている。
【0012】上記赤外線ランプ4から上記溶液に供給さ
れた熱の一部は、基板Wを板厚方向に伝わりその下面か
ら放出される。このとき、基板Wの支持ピン3に支持さ
れている部分は熱伝導により他の部分よりも熱が逃げや
すい。
れた熱の一部は、基板Wを板厚方向に伝わりその下面か
ら放出される。このとき、基板Wの支持ピン3に支持さ
れている部分は熱伝導により他の部分よりも熱が逃げや
すい。
【0013】しかし、上記各支持ピン3を肉薄の円筒部
材で形成して支持ピン3の熱容量を減らすとともに、各
支持ピン3の上端部を上端にゆくにつれて尖鋭な傾斜面
からなる支持部3aに形成して各支持部3aと基板Wと
の接触面積を減らすことで、基板Wの熱が上記支持ピン
3に伝導され難くした。すなわち、基板Wの支持ピン3
の支持部3aによって支持された部分が他の部分よりも
温度低下するのが抑制される。
材で形成して支持ピン3の熱容量を減らすとともに、各
支持ピン3の上端部を上端にゆくにつれて尖鋭な傾斜面
からなる支持部3aに形成して各支持部3aと基板Wと
の接触面積を減らすことで、基板Wの熱が上記支持ピン
3に伝導され難くした。すなわち、基板Wの支持ピン3
の支持部3aによって支持された部分が他の部分よりも
温度低下するのが抑制される。
【0014】そのため、基板Wに塗付された溶液は赤外
線ランプ4によってほぼ均一に加熱されることになるか
ら、溶液の乾燥速度はほぼ一定となり、それによって、
基板Wの上面に均一な厚さの機能性薄膜を形成すること
ができる。
線ランプ4によってほぼ均一に加熱されることになるか
ら、溶液の乾燥速度はほぼ一定となり、それによって、
基板Wの上面に均一な厚さの機能性薄膜を形成すること
ができる。
【0015】上記赤外線ランプ4は基板Wの上方に配置
されている。そのため、赤外線ランプ4の熱を基板Wの
板面にほぼ均一に入射させることができるから、そのこ
とによっても基板Wの加熱を均一に行うことができる。
つまり、下面を支持ピン3によって支持された基板Wを
上方から加熱すること及び支持ピン3の先端部を尖鋭な
支持部3aに形成して支持ピン3への熱伝導を小さくし
たことにより、基板Wの加熱をほぼ均一に行うことがで
きる。
されている。そのため、赤外線ランプ4の熱を基板Wの
板面にほぼ均一に入射させることができるから、そのこ
とによっても基板Wの加熱を均一に行うことができる。
つまり、下面を支持ピン3によって支持された基板Wを
上方から加熱すること及び支持ピン3の先端部を尖鋭な
支持部3aに形成して支持ピン3への熱伝導を小さくし
たことにより、基板Wの加熱をほぼ均一に行うことがで
きる。
【0016】なお、基板Wを支持する支持ピンは、図2
に示すような中実の部材からなる細径の支持ピン3Aを
用い、上端部を錐体状の支持部3bに形成してもよく、
要は上端にゆくにつれて尖鋭となる支持部を備えていれ
ばよい。
に示すような中実の部材からなる細径の支持ピン3Aを
用い、上端部を錐体状の支持部3bに形成してもよく、
要は上端にゆくにつれて尖鋭となる支持部を備えていれ
ばよい。
【0017】
【発明の効果】この発明によれば、下面から支持ピンよ
って支持された基板を上面側から加熱するとともに、上
記基板と支持ピンとの接触面積が小さくなるようにした
から、基板の上面に塗布された溶液をほぼ均一に加熱乾
燥することができる。
って支持された基板を上面側から加熱するとともに、上
記基板と支持ピンとの接触面積が小さくなるようにした
から、基板の上面に塗布された溶液をほぼ均一に加熱乾
燥することができる。
【図1】この発明の一実施の形態に係る基板乾燥装置の
構成図。
構成図。
【図2】支持ピンの変形例を示す図。
3…支持ピン
3a…支持部
4…赤外線ランプ
Claims (2)
- 【請求項1】 基板の上面に塗付された溶液を加熱乾燥
して機能性薄膜を形成する基板乾燥装置において、 上端部が尖鋭な支持部に形成されこの支持部によって上
記基板を支持する支持ピンと、 この支持ピンに支持される基板の上面側に設けられこの
基板の上面の溶液を加熱乾燥する加熱手段とを有するこ
とを特徴とする基板乾燥装置。 - 【請求項2】 上記支持ピンは中空状であり、上記支持
部はこの支持ピンの軸線に対して傾斜した傾斜面からな
ることを特徴とする基板乾燥装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002020404A JP2003224105A (ja) | 2002-01-29 | 2002-01-29 | 基板乾燥装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002020404A JP2003224105A (ja) | 2002-01-29 | 2002-01-29 | 基板乾燥装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003224105A true JP2003224105A (ja) | 2003-08-08 |
Family
ID=27743908
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002020404A Pending JP2003224105A (ja) | 2002-01-29 | 2002-01-29 | 基板乾燥装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2003224105A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100999090B1 (ko) | 2003-08-22 | 2010-12-07 | 삼성전자주식회사 | 반도체 제조용 감압건조장치 |
WO2010140683A1 (ja) * | 2009-06-05 | 2010-12-09 | シャープ株式会社 | 局所加熱装置 |
CN103295936A (zh) * | 2012-02-29 | 2013-09-11 | 大日本网屏制造株式会社 | 基板处理装置及基板处理方法 |
CN112635353A (zh) * | 2019-10-08 | 2021-04-09 | 系统科技公司 | 基板处理装置 |
-
2002
- 2002-01-29 JP JP2002020404A patent/JP2003224105A/ja active Pending
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100999090B1 (ko) | 2003-08-22 | 2010-12-07 | 삼성전자주식회사 | 반도체 제조용 감압건조장치 |
WO2010140683A1 (ja) * | 2009-06-05 | 2010-12-09 | シャープ株式会社 | 局所加熱装置 |
JP2010282045A (ja) * | 2009-06-05 | 2010-12-16 | Sharp Corp | 局所加熱装置 |
JP4637250B2 (ja) * | 2009-06-05 | 2011-02-23 | シャープ株式会社 | 局所加熱装置 |
CN103295936A (zh) * | 2012-02-29 | 2013-09-11 | 大日本网屏制造株式会社 | 基板处理装置及基板处理方法 |
US10032654B2 (en) | 2012-02-29 | 2018-07-24 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate treatment apparatus |
CN112635353A (zh) * | 2019-10-08 | 2021-04-09 | 系统科技公司 | 基板处理装置 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Effective date: 20050128 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20061211 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20061219 |
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A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20070410 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |