KR101464777B1 - 열처리 장치 - Google Patents

Abstract

본 발명은 열처리에 의해 발생하는 승화물 등의 불순물이 배기관로 내에 부착, 퇴적되는 것을 방지하는 열처리 장치를 제공하는 것을 과제로 한다.

처리실(63) 내에서 웨이퍼(W) 등을 열처리하는 열처리 장치에 있어서, 처리실 내에 배치되며, 웨이퍼를 배치하여 미리 정해진 온도로 가열하는 가열판(65)과, 처리실의 상부에 설치되며, 열처리에 의해 처리실 내에 발생하는 가스를 배기시키는 배기구(66)와, 배기구에 접속하는 배기관로(67)와, 배기관로에 되고, 배기 가스 내의 승화물 등의 불순물이 배기관로의 내벽에 부착되는 것을 방지하기 위해 그 배기관로의 내벽 및 배기 가스의 흐름 방향을 따라 가스(공기, N₂ 가스 등)를 분사하는 가스 분사 구멍(72)을 갖는 가스 공급 수단(70)을 설치한다. 이에 의해, 처리실로부터 배출된 승화물 등을 포함한 배기 가스가 배기관로에 흐를 때, 가스 공급 수단의 가스 분사 구멍으로부터 배기관로의 내벽 및 배기 가스의 흐름 방향을 따라 가스를 분사하여, 배기 가스가 배기관로의 내벽에 닿는 기회를 적게 한다.

Description

열처리 장치{HEAT TREATMENT APPARATUS}

본 발명은, 예를 들어 도포 처리된 반도체 웨이퍼나 액정 디스플레이용 유리 기판(FPD 기판) 등의 피처리 기판을 열처리하는 열처리 장치에 관한 것이다.

일반적으로, 반도체 디바이스를 제조하기 위한 포토리소그래피 기술에서는, 반도체 웨이퍼나 FPD 기판 등에 포토레지스트를 도포하고, 이에 의해 형성된 레지스트막을 미리 정해진 회로 패턴에 따라 노광시켜, 이 노광 패턴을 현상 처리함으로써 레지스트막에 회로 패턴이 형성된다.

이러한 포토리소그래피 기술에서는, 레지스트 도포후의 가열 처리(프리 베이크), 노광후의 가열 처리(포스트 익스포저 베이크), 현상 처리후의 가열 처리(포스트 베이크) 등의 여러가지 가열 처리가 실시되고 있다.

종래의 이 종류의 가열 처리에서, 예를 들어 프리 베이크에서는, 웨이퍼 등을 수용하는 처리실 내에 예를 들어 에어 또는 질소(N₂) 가스 등의 퍼지 가스를 공급하고, 처리에 사용된 유체를 처리실에 접속된 배기관로를 통해 외부로 배기시켰다. 이 때, 가열시에 웨이퍼 등의 표면에 형성된 레지스트막으로부터 미량의 승화 물[포토레지스트에 함유되는 산발생제, 예를 들어 PAG(Photo asid grain)나 레지스트를 구성하는 저분자 수지 등]과 같은 이물질이 발생한다. 특히, 비점이 낮은 비이온계 산발생제를 사용하고 있는 포토레지스트에서는 승화물의 발생이 많아져, 연속 가동시에는, 이러한 승화물이 배기관로에 퇴적되고 배기 특성이 악화되어, 제품 디바이스의 결함을 초래할 우려가 있었다.

따라서, 종래에는, 배기관로 등의 배기 라인에 승화물 등의 불순물 회수부를 설치하고, 불순물 회수부와 배기를 균등하게 분산시키기 위해 처리실을 구성하는 덮개의 둘레측부에 복수의 배기용 정류판을 설치하였다(예를 들어, 특허문헌 1 참조).

또, 종래에는 메인터넌스시에 배기관로를 교환함으로써 초기 상태로 복귀시키거나, 배기관로의 외측에 테이프 히터를 감아 배기관로의 온도 상승으로 승화물이 부착, 퇴적되는 것을 억제하였다.

특허문헌 1 : 일본 특허 공개 2003-318091호 공보(특허청구범위, 도 4)

그러나, 특허문헌 1에 기재된 기술에서는, 상기 승화물 등의 불순물의 발생이 많은 경우에는 단기간에 배기관로가 막혀 버리고, 그 때문에 메인터넌스를 빈번하게 행해야 한다는 문제가 있었다. 또, 배기용 정류판에도 불순물이 부착되지만, 배기용 정류판은 배기 압력의 압손(壓損)을 위해 복수개 설치되기 때문에, 클리닝이나 메인터넌스 작업이 번거롭다는 문제도 있었다. 또한, 처리실을 구성하는 덮개의 둘레측부에 복수의 배기용 정류판을 설치하는 구조에서는, 장치가 복잡해지고, 장치가 대형화된다는 문제가 있다.

또, 메인터넌스시에 배기관로를 교환함으로써 초기 상태로 복귀시키는 경우에는, 메인터넌스를 빈번하게 행해야 한다. 또, 배기관로의 외측에 테이프 히터를 감아 배기관로의 온도 상승으로 승화물이 부착, 퇴적되는 것을 억제하는 수단에서는, 일반적으로 사용되고 있는 투명한 배기관로에서는 관로 내부의 상태를 확인할 수 없어, 배기관로의 교환 시기가 최적인지의 여부를 알 수 없다는 문제가 있으며, 테이프 히터는 배기관로의 배치에 영향을 미친다는 문제가 있다.

본 발명은, 상기 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 열처리에 의해 발생하는 승화물 등의 불순물이 배기관로 내에 부착, 퇴적되는 것을 방지하는 열처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.

상기 과제를 해결하기 위해, 청구항 1에 기재된 발명은, 처리실 내에서 피처 리 기판을 열처리하는 열처리 장치에 있어서, 상기 처리실 내에 배치되며, 피처리 기판을 배치하여 미리 정해진 온도로 가열하는 가열판과, 상기 처리실의 상부에 설치되며, 열처리에 의해 처리실 내에 발생하는 가스를 배기시키는 배기구와, 상기 배기구에 접속하는 배기관로와, 상기 배기관로에 설치되며, 배기 가스 내의 승화물 등의 불순물이 상기 배기관로 내벽에 부착되는 것을 방지하기 위해 그 배기관로의 내벽 및 배기 가스의 흐름 방향을 따라 가스를 분사하는 가스 분사 구멍을 갖는 가스 공급 수단을 포함하는 것을 특징으로 한다.

이와 같이 구성함으로써, 처리실로부터 배출된 승화물 등을 포함한 배기 가스가 배기관로에 흐를 때, 가스 공급 수단의 가스 분사 구멍으로부터 배기관로의 내벽 및 배기 가스의 흐름 방향을 따라 가스를 분사함으로써, 배기관로에 흐르는 배기 가스는 배기관로의 내벽측에 비하여 중심부측의 유속이 빨라져, 배기 가스가 배기관로의 내벽에 닿는 기회를 적게 할 수 있다.

청구항 2에 기재된 발명은, 청구항 1에 기재된 열처리 장치에 있어서, 상기 가스 공급 수단을 제어하는 제어 수단을 더 포함하고, 상기 제어 수단은, 미리 기억된 처리실에서의 열처리 상태 및 열처리에 의해 처리실 내에 발생하는 승화물 등의 불순물 상태의 정보에 기초하여 상기 가스 공급 수단을 제어하는 것을 특징으로 한다.

이와 같이 구성함으로써, 열처리에 의해 발생하는 배기 가스 내의 승화물 등의 불순물이 배기관로 내벽에 부착되는 것을 확실하고 효율적으로 방지할 수 있다.

본 발명에서, 상기 가스 공급 수단은, 상기 배기관로 내의 배기 가스 방향을 따라 삽입되며, 선단이 막혀 있는 통형상의 가스 공급체와, 그 가스 공급체의 본체부에 형성되는 가스 분사 구멍과, 가스 공급관로를 통해 상기 가스 공급체와 접속하는 가스 공급원을 포함하도록 구성될 수 있다(청구항 3). 이 경우, 상기 가스 공급체의 본체부에 형성되는 가스 분사 구멍은 상기 본체부의 외주 및 길이 방향을 따라 복수개 형성되는 것이 바람직하다(청구항 4).

이와 같이 구성함으로써, 배기관로 내의 배기 가스 방향을 따라서 삽입된 통형상의 가스 공급체의 본체부에 형성되는 가스 분사 구멍으로부터 배기관로의 내벽 및 배기 가스의 흐름 방향을 따라 가스를 분사함으로써, 배기 가스가 배기관로의 내벽에 닿는 기회를 적게 할 수 있다. 이 경우, 가스 공급체의 본체부에 형성되는 가스 분사 구멍을 본체부의 외주 및 길이 방향을 따라 복수개 형성함으로써, 가스의 분사량을 늘릴 수 있어, 배기 가스가 배기관로의 내벽에 닿는 기회를 더욱 적게 할 수 있다.

또, 본 발명에서, 상기 가스 공급체를, 상기 배기관로 내에서 축방향으로 회전 운동 가능하게 삽입하고, 회전 운동 기구에 의해 회전 운동 가능하게 형성할 수도 있다(청구항 5).

이와 같이 구성함으로써, 가스를 배기관로 내에 나선형으로 공급하여 배기 가스를 교반할 수 있어, 배기 가스가 배기관로의 내벽에 닿는 기회를 더욱 적게 할 수 있다.

또, 본 발명에서, 상기 가스 공급 수단은, 상기 배기관로 내에 삽입되고, 다수의 가스 분사 구멍을 갖는 다공질 부재로 형성되는 대략 원통형의 가스 공급체 와, 가스 공급관로 및 그 가스 공급관로에 접속하는 가스 도입로를 통해 상기 가스 분사 구멍과 연통하는 가스 공급원을 포함하도록 구성될 수도 있다(청구항 6).

이와 같이 구성함으로써, 배기관로 내에 삽입된 다공질 부재로 이루어진 가스 공급체로부터 배기관로의 내벽 및 배기 가스의 흐름 방향을 따라 가스를 분사함으로써, 배기관로에 흐르는 배기 가스는 배기관로의 내벽측에 비하여 중심부측의 유속이 빨라져, 배기 가스가 배기관로의 내벽에 닿는 기회를 적게 할 수 있다.

또, 본 발명에서, 상기 가스 공급체를 발열성 부재로 형성하고, 가스 공급체에 그 가스 공급체를 가열하는 가열 수단을 접속하도록 구성할 수도 있다(청구항 7). 이 경우, 상기 배기관로에서의 상기 가스 공급체의 하류측에, 배기 가스의 온도를 검출하는 온도 검출 센서를 배치하여 설치하고, 상기 온도 검출 센서의 검출 신호에 기초하여 상기 가열 수단의 가열 온도를 제어하는 제어 수단을 설치하는 것이 바람직하다(청구항 8).

이와 같이 구성함으로써, 가스 공급체를 가온하여 배기 가스의 온도를 높여 배기 가스 중에 포함되는 승화물 등의 불순물이 고화에 의해 배기관로 내벽에 부착되는 것을 방지할 수 있다. 이 경우, 배기관로에서의 가스 공급체의 하류측에, 배기 가스의 온도를 검출하는 온도 검출 센서를 배치하여 설치하고, 온도 검출 센서의 검출 신호에 기초하여 가스 공급체를 가온함으로써, 배기 가스 중에 포함되는 승화물 등의 불순물의 고화 상황을 파악하면서 배기관로 내벽에 부착되는 것을 방지할 수 있다(청구항 8).

또, 본 발명에서, 상기 가스 공급원으로부터 가스 공급체에 공급되는 가스를 가열하는 가스 가열 수단을 더 포함해도 된다(청구항 9). 이 경우, 상기 배기관로에서의 상기 가스 공급체의 하류측에, 배기 가스의 온도를 검출하는 온도 검출 센서를 배치하여 설치하고, 상기 온도 검출 센서의 검출 신호에 기초하여 상기 가스 가열 수단의 가열 온도를 제어하는 제어 수단을 설치하는 것이 바람직하다(청구항 10).

이와 같이 구성함으로써, 가스 공급체로부터 공급되는 가스를 가온하여 배기 가스의 온도를 높일 수 있어, 배기 가스 중에 포함되는 승화물 등의 불순물이 고화에 의해 배기관로 내벽에 부착되는 것을 방지할 수 있다. 이 경우, 배기관로에서의 가스 공급체의 하류측에, 배기 가스의 온도를 검출하는 온도 검출 센서를 배치하여 설치하고, 온도 검출 센서의 검출 신호에 기초하여 가스 공급체로부터 공급되는 가스를 가온함으로써, 배기 가스 중에 포함되는 승화물 등의 불순물의 고화 상황을 파악하면서 배기관로 내벽에 부착되는 것을 방지할 수 있다(청구항 10).

본 발명에 의하면, 상기와 같이 구성되어 있기 때문에, 이하와 같은 효과를 나타낸다.

(1) 청구항 1, 3∼6에 기재된 발명에 의하면, 가스 공급 수단의 가스 분사 구멍으로부터 배기관로의 내벽 및 배기 가스의 흐름 방향을 따라 가스를 분사함으로써, 배기 가스가 배기관로의 내벽에 닿는 기회를 적게 할 수 있기 때문에, 열처리에 의해 발생하는 승화물 등의 불순물이 배기관로 내에 부착, 퇴적되는 것을 방지할 수 있다.

(2) 청구항 2에 기재된 발명에 의하면, 처리실에서의 열처리 상태 및 열처리에 의해 처리실 내에 발생하는 승화물 등의 불순물 상태에 따라, 열처리에 의해 발생하는 배기 가스 내의 승화물 등의 불순물이 배기관로 내벽에 부착되는 것을 확실하고 효율적으로 방지할 수 있다.

(3) 청구항 7∼10에 기재된 발명에 의하면, 상기 (1), (2)에 더하여, 또한 배기 가스 중에 포함되는 승화물 등의 불순물의 고화 상황을 파악하면서 배기관로 내벽에 부착되는 것을 방지할 수 있다.

이하에, 본 발명의 최량의 실시형태를 첨부 도면에 기초하여 상세히 설명한다. 여기서는, 본 발명에 따른 열처리 장치를 반도체 웨이퍼의 레지스트 도포ㆍ현상 처리 시스템에서의 가열 처리 장치에 적용한 경우에 관해 설명한다.

도 1은 본 발명에 따른 열처리 장치를 포함하는 반도체 웨이퍼의 레지스트 도포ㆍ현상 처리 시스템을 나타내는 개략 평면도, 도 2는, 레지스트 도포ㆍ현상 처리 시스템의 개략 정면도, 도 3은 레지스트 도포ㆍ현상 처리 시스템의 개략 배면도이다.

상기 레지스트 도포ㆍ현상 처리 시스템(1)은, 도 1에 나타낸 바와 같이, 예를 들어 25장의 웨이퍼(W)를 카세트 단위로 외부로부터 레지스트 도포ㆍ현상 처리 시스템(1)에 대하여 반입ㆍ반출하고, 카세트(C)에 대하여 웨이퍼(W)를 반입ㆍ반출하는 카세트 스테이션(2)과, 이 카세트 스테이션(2)에 인접하여 설치되며, 도포 현상 공정 동안 매엽식으로 미리 정해진 처리를 실시하는 각종 처리 유닛을 다단 배 치하여 이루어진 처리 스테이션(3)과, 이 처리 스테이션(3)에 인접하여 설치되는 노광 장치(도시하지 않음)와의 사이에서 웨이퍼(W)를 전달하는 인터페이스부(4)를 일체로 접속한 구성을 갖는다.

카세트 스테이션(2)은, 카세트 배치대(5) 상의 미리 정해진 위치에, 복수의 카세트(C)를 수평인 X방향으로 일렬로 배치시킬 수 있도록 되어 있다. 또, 카세트 스테이션(2)에는, 반송로(6) 상에서 X방향을 따라 이동 가능한 웨이퍼 반송 아암(7)이 설치되어 있다. 웨이퍼 반송 아암(7)은 카세트(C)에 수용된 웨이퍼(W)의 웨이퍼 배열 방향(Z방향; 수직 방향)으로도 이동 가능하고, X방향으로 배열된 각 카세트(C) 내의 웨이퍼(W)에 대하여 선택적으로 액세스할 수 있도록 구성되어 있다.

또, 웨이퍼 반송 아암(7)은 Z축을 중심으로 하여 θ방향으로 회전 가능하게 구성되어 있고, 후술하는 바와 같이 처리 스테이션(3)측의 제3 처리 유닛군(G3)에 속하는 트랜지션 장치(TRS; 31)에 대해서도 액세스할 수 있도록 구성되어 있다.

처리 스테이션(3)은 복수의 처리 유닛이 다단으로 배치된, 예를 들어 5개의 처리 유닛군(G1∼G5)을 포함한다. 도 1에 나타낸 바와 같이, 처리 스테이션(3)의 정면측에는, 카세트 스테이션(2)측으로부터 제1 처리 유닛군(G1), 제2 처리 유닛군(G2)이 순서대로 배치되어 있다. 또, 처리 스테이션(3)의 배면측에는, 카세트 스테이션(2)측으로부터 제3 처리 유닛군(G3), 제4 처리 유닛군(G4) 및 제5 처리 유닛군(G5)이 순서대로 배치되어 있다. 제3 처리 유닛군(G3)과 제4 처리 유닛군(G4) 사이에는 제1 반송 기구(110)가 설치되어 있다. 제1 반송 기구(110)는 제1 처리 유닛 군(G1), 제3 처리 유닛군(G3) 및 제4 처리 유닛군(G4)에 선택적으로 액세스하여 웨이퍼(W)를 반송하도록 구성되어 있다. 제4 처리 유닛군(G4)과 제5 처리 유닛군(G5) 사이에는 제2 반송 기구(120)가 설치되어 있다. 제2 반송 기구(120)는 제2 처리 유닛군(G2), 제4 처리 유닛군(G4) 및 제5 처리 유닛군(G5)에 선택적으로 액세스하여 웨이퍼(W)를 반송하도록 구성되어 있다.

제1 처리 유닛군(G1)에는, 도 2에 나타낸 바와 같이, 웨이퍼(W)에 미리 정해진 처리액을 공급하여 처리하는 액처리 유닛, 예를 들어 웨이퍼(W)에 레지스트액을 도포하는 레지스트 도포 유닛(COT; 10, 11, 12), 노광시의 빛의 반사를 방지하기 위한 반사 방지막을 형성하는 하부 코팅 유닛(BARC; 13, 14)이 아래로부터 순서대로 5단으로 중첩되어 있다. 제2 처리 유닛군(G2)에는, 액처리 유닛, 예를 들어 웨이퍼(W)에 현상 처리를 실시하는 현상 처리 유닛(DEV; 20∼24)이 아래로부터 순서대로 5단으로 중첩되어 있다. 또, 제1 처리 유닛군(G1) 및 제2 처리 유닛군(G2)의 최하단에는, 각 처리 유닛군(G1 및 G2) 내의 상기 액처리 유닛에 각종 처리액을 공급하기 위한 케미컬실(CHM; 25, 26)이 각각 설치되어 있다.

한편, 제3 처리 유닛군(G3)에는, 도 3에 나타낸 바와 같이, 아래로부터 순서대로 온도 조절 유닛(TCP; 30), 웨이퍼(W)를 전달하기 위한 트랜지션 장치(TRS; 31) 및 정밀도가 높은 온도 관리하에 웨이퍼(W)를 가열 처리하는 열처리 유닛(ULHP; 32∼38)이 9단으로 중첩되어 있다.

제4 처리 유닛군(G4)에서는, 예를 들어 고정밀 온도 조절 유닛(CPL; 40), 레지스트 도포 처리후의 웨이퍼(W)를 가열 처리하는 프리 베이킹 유닛(PAB; 41∼44) 및 현상 처리후의 웨이퍼(W)를 가열 처리하는 포스트 베이킹 유닛(POST; 45∼49)이 아래로부터 순서대로 10단으로 중첩되어 있다.

제5 처리 유닛군(G5)에서는, 웨이퍼(W)를 열처리하는 복수의 열처리 유닛, 예를 들어 고정밀 온도 조절 유닛(CPL; 50∼53), 노광후의 웨이퍼(W)를 가열 처리하는 포스트 익스포저 베이킹 유닛(PEB; 54∼59)이 아래로부터 순서대로 10단으로 중첩되어 있다.

또, 제1 반송 기구(110)의 X방향 정방향측에는, 도 1에 나타낸 바와 같이, 복수의 처리 유닛이 배치되어 있고, 예를 들어 도 3에 나타낸 바와 같이, 웨이퍼(W)를 소수화(疎水化) 처리하기 위한 접착 유닛(AD; 80, 81), 웨이퍼(W)를 가열하는 가열 유닛(HP; 82, 83)이 아래로부터 순서대로 4단으로 중첩되어 있다. 또, 제2 반송 기구(120)의 배면측에는, 도 1에 나타낸 바와 같이, 예를 들어 웨이퍼(W)의 엣지부만을 선택적으로 노광시키는 주변 노광 유닛(WEE; 84)이 배치되어 있다.

또, 도 2에 나타낸 바와 같이, 카세트 스테이션(2), 처리 스테이션(3) 및 인터페이스부(4)의 각 블록의 상부에는, 각 블록 안을 공기 조절하기 위한 공기 조절 유닛(90)이 포함되어 있다. 이 공기 조절 유닛(90)에 의해, 카세트 스테이션(2), 처리 스테이션(3) 및 인터페이스부(4) 안은 미리 정해진 온도 및 습도로 조정될 수 있다. 또, 도 3에 나타낸 바와 같이, 예를 들어 처리 스테이션(3)의 상부에는, 제3 처리 유닛군(G3), 제4 처리 유닛군(G4) 및 제5 처리 유닛군(G5) 내의 각 장치에 미리 정해진 기체를 공급하는, 예를 들어 FFU(팬 필터 유닛) 등의 기체 공급 수단인 기체 공급 유닛(91)이 각각 설치되어 있다. 기체 공급 유닛(91)은 미리 정해진 온 도, 습도로 조정된 기체로부터 불순물을 제거한 후, 그 기체를 미리 정해진 유량으로 송풍할 수 있다.

인터페이스부(4)는, 도 1에 나타낸 바와 같이, 처리 스테이션(3)측으로부터 순서대로 제1 인터페이스부(100)와, 제2 인터페이스부(101)를 포함한다. 제1 인터페이스부(100)에는, 웨이퍼 반송 아암(102)이 제5 처리 유닛군(G5)에 대응하는 위치에 배치되어 있다. 웨이퍼 반송 아암(102)의 X방향의 양측에는, 예를 들어 버퍼 카세트(103; 도 1의 배면측, 104; 도 1의 정면측)가 각각 설치되어 있다. 웨이퍼 반송 아암(102)은 제5 처리 유닛군(G5) 내의 열처리 장치와 버퍼 카세트(103, 104)에 대하여 액세스할 수 있다. 제2 인터페이스부(101)에는, X방향을 향해 설치된 반송로(105) 상에서 이동하는 웨이퍼 반송 아암(106)이 설치되어 있다. 웨이퍼 반송 아암(106)은 Z방향으로 이동 가능하며, θ방향으로 회전 가능하고, 버퍼 카세트(104)와, 제2 인터페이스부(101)에 인접한 도시하지 않은 노광 장치에 대하여 액세스할 수 있도록 되어 있다. 따라서, 처리 스테이션(3) 내의 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 아암(102), 버퍼 카세트(104), 웨이퍼 반송 아암(106)을 통해 노광 장치로 반송될 수 있고, 또, 노광 처리가 종료된 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 아암(106), 버퍼 카세트(104), 웨이퍼 반송 아암(102)을 통해 처리 스테이션(3) 내에 반송될 수 있다.

다음으로, 이상과 같이 구성된 레지스트 도포ㆍ현상 처리 시스템(1)에서 수행되는 웨이퍼(W)의 처리 프로세스에 관해 간단히 설명한다. 우선, 미처리 웨이퍼(W)가 복수매 수용된 카세트(C)가 배치대(5) 상에 배치되면, 카세트(C)로부터 웨 이퍼(W)가 1장 취출되어, 웨이퍼 반송 아암(7)에 의해 제3 처리 유닛군(G3)의 온도 조절 유닛(TCP; 30)으로 반송된다. 온도 조절 유닛(TCP; 30)으로 반송된 웨이퍼(W)는 미리 정해진 온도로 온도 조절되고, 그 후 제1 반송 기구(110)에 의해 하부 코팅 유닛(BARC; 13)으로 반송되어 표면에 반사 방지막이 형성된다. 반사 방지막이 형성된 웨이퍼(W)는 제1 반송 기구(110)에 의해 열처리 장치(32∼38)[이하에 열처리 장치(32)로 대표함] 내에 반송된다.

열처리 장치(32)에 의해 열처리된 웨이퍼(W)는 제1 웨이퍼 반송 기구(110)에 의해 열처리 장치(32) 내에서 취출된 후, 레지스트 도포 유닛(10)으로 반송되어 레지스트 도포 처리가 실시된다. 레지스트 처리가 실시된 웨이퍼(W)는 프리 베이킹 유닛(PAB; 41)으로 반송되어 가열 처리된다.

프리 베이킹 유닛(PAB; 41)에서 가열 처리가 종료된 웨이퍼(W)는, 제2 반송 기구(120)에 의해 주변 노광 장치(84)로 반송되어 주변 노광 처리된 후, 고정밀 온도 조절 유닛(CPL; 53)으로 반송된다. 그 후, 웨이퍼(W)는 제1 인터페이스부(100)의 웨이퍼 반송 아암(102)에 의해 버퍼 카세트(104)로 반송되고, 이어서 제2 인터페이스부(101)의 웨이퍼 반송 아암(106)에 의해 도시하지 않은 노광 장치로 반송된다. 노광 처리가 종료된 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 아암(106) 및 웨이퍼 반송 아암(102)에 의해 버퍼 카세트(104)를 통해 버퍼 카세트(103)로 반송된다. 그 후 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 아암(102)에 의해 예를 들어 열처리 장치(PEB; 54)로 반송된다.

열처리 장치(PEB; 54)의 케이스(61) 내로 반송된 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 아암(106)으로부터 냉각 기능을 갖는 전달 아암(60a)으로 전달되고, 전달 아암(60a)으로부터 웨이퍼(W)가 가열판(65) 상에 배치된다. 그리고, 후술하는 개폐 구동 기구(62a)의 구동에 의해 덮개(62)가 하강하고, 웨이퍼(W)를 처리실(63)에 둔 상태로, 웨이퍼(W)를 예를 들어 100∼350℃로 가열 처리한다.

가열 처리후, 개폐 구동 기구(62a)의 구동에 의해 덮개(62)가 상승하고, 이어서 또는 동시에 후술하는 승강 구동 기구(65c)의 구동에 의해 지지 핀(65d)이 상승하여, 가열판(65)의 상측으로 웨이퍼(W)를 이동시켜, 가열판(65)의 상측으로 다시 이동해 온 전달 아암(60a) 상에 웨이퍼(W)를 전달한다. 웨이퍼(W)를 수취한 전달 아암(60a)은 가열판(65)의 상측으로부터 후퇴 이동하는 동안, 웨이퍼(W)를 냉각시켜 웨이퍼(W)를 예를 들어 약 23℃까지 냉각시킨다.

열처리 장치(PEB; 54)에서의 가열 처리가 종료된 웨이퍼(W)는, 제2 반송 기구(120)에 의해 고정밀 온도 조절 유닛(CPL; 51), 현상 처리 유닛(DEV; 20), 포스트 베이킹 유닛(PEB; 45)으로 순서대로 반송되어, 각 유닛에서 미리 정해진 처리가 실시된다. 포스트 베이킹 처리가 종료된 웨이퍼(W)는, 제1 반송 기구(110)에 의해 트랜지션 장치(31)로 반송되고, 그 후 웨이퍼 반송 아암(7)에 의해 카세트(C)로 복귀된다. 이와 같이 하여, 레지스트 도포ㆍ현상 처리 시스템(1)에서의 일련의 웨이퍼 처리가 종료된다. 레지스트 도포ㆍ현상 처리 시스템(1)에서는, 복수매의 웨이퍼(W)에 대하여 동시기에 전술한 바와 같은 웨이퍼 처리가 연속적으로 이루어진다.

다음으로, 본 발명에 따른 열처리 장치에 관해, 제5 처리 유닛군(G5) 내의 각 열처리 유닛(54∼59)을 참조하여 설명한다.

<제1 실시형태>

도 4는, 본 발명에 따른 열처리 장치의 제1 실시형태의 사용 상태를 나타내는 단면도, 도 5는, 상기 열처리 장치의 배기부를 나타내는 확대 단면도 (a) 및 (a)의 I-I 선을 따른 확대 단면도 (b), 도 6은 상기 배기부의 개략 사시도이다.

각 열처리 장치(54∼59)(이하에 부호 60으로 대표함)는, 도 4에 나타낸 바와 같이, 폐쇄 가능한 케이스(61)를 각각 갖고, 각 케이스(61)에는, 웨이퍼(W)를 반입ㆍ반출하기 위한 웨이퍼 반입ㆍ반출구(61a)와, 이 웨이퍼 반입ㆍ반출구(61a)를 개폐하기 위한 셔터(61b)가 각각 설치되어 있다(도 6 참조).

열처리 장치(60)는, 전술한 폐쇄 가능한 케이스(61) 내에, 상하 이동 가능한 덮개(62)와, 덮개(62)의 하측에 위치하고, 덮개(62)와 협동하여 처리실(63)을 구성하는 서포트 링(64)을 포함한다.

서포트 링(64)은, 예를 들어 상하면이 뚫려 있는 대략 원통형의 형태를 가지며, 그 내측에 열처리판인 가열판(65)을 수용한다. 가열판(65)은 두께가 있는 원반형상을 가지며, 그 상면에 피처리 기판인 웨이퍼(W)를 배치 가열하는 것이다. 이 경우, 가열판(65)에는, 급전에 의해 발열하는 히터(65a)가 내장되어 있고, 가열판(65) 자체를 미리 정해진 온도, 예를 들어 100∼350℃로 가열하여 유지할 수 있도록 되어 있다. 즉, 미리 정해진 온도로 가열된 가열판(65)에 웨이퍼(W)를 배치함으로써, 웨이퍼(W)를 미리 정해진 온도로 가열할 수 있다.

가열판(65)의 중앙 부근에는 복수, 예를 들어 3개의 관통 구멍(65b)이 형성된다. 각 관통 구멍(65b)에는, 승강 구동 기구(65c)에 의해 승강하는 지지 핀(65d) 이 각각 관통 삽입 가능하게 형성된다. 이 지지 핀(65d)에 의해, 가열판(65) 상에서 웨이퍼(W)를 승강시켜, 가열판(65)과 전달 아암(60a) 사이에서 웨이퍼(W)를 전달할 수 있다.

서포트 링(64)의 상면에는 환상 요홈(64a)이 형성되고, 이 환상 요홈(64a) 내에 O링(64b)이 끼워져, 서포트 링(64)의 상면과 덮개(62)의 둘레측부(62d)의 하단부의 간극으로부터 처리실(63) 내의 기체가 유출되지 않도록 되어 있다.

또, 덮개(62)는, 개폐 구동 기구(62a)에 의해 승강하는 아암(62b)에 지지되어 있고, 미리 정해진 타이밍에 상하 이동하여, 서포트 링(64)과 일체가 되어 처리실(63)을 형성하거나, 처리실(63)을 개방할 수 있도록 구성되어 있다.

덮개(62)는 상면부인 천장판(62c)과, 이 천장판(62c)의 둘레단부에 현수되어 설치되는 둘레측부(62d)에 의해 하면이 뚫려 있고 바닥이 있는 대략 원통형의 형태를 갖는다. 천장판(62c)은 가열판(65) 상에 배치되는 웨이퍼(W)에 대향한다. 천장판(62c)의 중앙부에는, 가열판(65)의 가열에 의해 열처리되었을 때 웨이퍼(W)에 도포된 레지스트막으로부터 발생하는 승화물을 포함하는 배기 가스를 배출하기 위한 배기구(66)가 설치되어 있다. 이 배기구(66)에는, 진공 펌프 등의 배기 장치(도시하지 않음)에 접속하며, 예를 들어 투명한 불소 수지제 튜브로 형성되는 배기관로(67)가 O링(68)을 통해 접속되어 있다. 또, 배기관로(67)에는, 배기 가스 내의 승화물 등의 불순물이 배기관로(67)의 내벽에 부착되는 것을 방지하는 가스, 예를 들어 공기나 질소(N₂) 가스 등의 불활성 가스 등을 배기관로(67)의 내벽 및 배기 가 스의 흐름을 따라 분사하는 가스 공급 수단(70)이 설치된다.

가스 공급 수단(70)은, 도 4 및 도 5에 나타낸 바와 같이, 이음 부재(70a)에 의해 배기관로(67)에 설치된다. 이 가스 공급 수단(70)은, 배기관로(67) 내의 배기 가스 방향을 따라 삽입되며 선단이 막혀 있는 통형상의 가스 공급체(71)와, 가스 공급체(71)의 본체부(71a)의 외주 및 길이 방향을 따라 복수개 형성되는 가스 분사 구멍(72)과, 개폐 밸브(V)가 설치된 가스 공급관로(73)를 통해 가스 공급체(71)와 접속하는 가스 공급원, 예를 들어 공기 공급원(74)을 포함한다. 이 경우, 가스 분사 구멍(72)은 가스 공급체(71)의 본체부(71a)의 외주 및 길이 방향을 따라 복수개 형성되면, 각 가스 분사 구멍(72)의 위치 관계는 임의이어도 되고, 예를 들어 본체부(71a)의 동심 외주면 상에 적절하게 간격을 두고 복수개 형성한 상태를 가스 공급체(71)의 길이 방향을 따라 간격을 두고 복수개 형성해도 되고, 또는 복수의 가스 분사 구멍(72)을 본체부(71a)의 외주면에 나선형으로 형성하는 형태로 해도 된다.

가스 공급관로(73)에 설치된 개폐 밸브(V)는 제어 수단인 컨트롤러(75)에 전기적으로 접속되고, 컨트롤러(75)에 의해 배기관로(67) 내에 가스(공기)의 제어에 기초하여 배기관로(67)에 공기가 공급(분사)되도록 형성된다. 이 경우, 컨트롤러(75)는 처리실(63)에서의 열처리 상태 및 열처리에 의해 처리실(63) 내에 발생하는 승화물 등의 불순물 상태의 정보를 미리 기억하고 있고, 이 기억된 정보에 기초하여 배기관로(67) 내에 공기를 공급, 즉 배기관로(67)의 내벽 및 배기 가스의 흐름 방향을 따라 공기를 분사할 수 있도록 형성된다. 이와 같이 구성함으로써, 공기 의 공급(분사) 타이밍 및 공급(분사) 시간을, 상이한 종류의 레지스트액마다 취득한 사전의 승화물 발생 정보에 기초하여, 컨트롤러(75)에 프로그래밍해 둠으로써, 공기의 공급(분사)이 자동적으로 제어된다.

또, 컨트롤러(75)는, 지지 핀(65d)의 승강 구동 기구(65c) 및 덮개(62)의 개폐 구동 기구(62a)에 전기적으로 접속되고, 지지 핀(65d) 및 덮개(62)의 승강을 검출하여, 그 검출 신호에 기초해서 가스 공급 수단(70)의 개폐 밸브(V)를 제어하도록 구성된다.

상기와 같이 구성되는 열처리 장치(60)의 동작 양태에 관해, 도 7을 참조하여 설명하면, 처리전의 처리실(63) 내에 웨이퍼(W)가 없는 상태에서는, 배기 장치의 구동은 정지되고, 컨트롤러(75)로부터의 신호에 의해 개폐 밸브(V)는 닫혀 있어, 배기관로(67) 내에 공기는 공급되지 않는다[도 7의 (a) 참조].

그 후, 가열판(65) 상에 웨이퍼(W)가 배치되고, 덮개(62)가 닫힌 상태에서, 가열판(65)의 가열에 의해 웨이퍼(W)가 가열 처리되면, 웨이퍼(W)에 도포된 레지스트막으로부터 승화물이 발생한다. 이 승화물이 발생하는 타이밍, 예를 들어 가열 처리 초기부터 60∼90초 사이에 맞춰, 컨트롤러(75)로부터의 신호에 기초하여 개폐 밸브(V)가 열려, 공기 공급원(74)으로부터 가스 공급관로(73)를 통해 가스 공급체(71)에 공기가 공급되고, 가스 공급체(71)의 가스 분사 구멍(72)으로부터 배기관로(67)의 내벽 및 배기 가스의 흐름 방향을 따라 공기가 분사된다[도 7의 (b) 참조]. 이에 의해, 배기관로(67)에 흐르는 배기 가스는 배기관로(67)의 내벽측에 비하여 중심부측의 유속이 빨라져, 배기 가스가 배기관로(67)의 내벽에 닿는 기회를 적게 할 수 있다. 따라서, 배기 가스 중에 포함되는 승화물 등의 불순물이 배기관로(67)의 내벽에 부착되는 것을 방지할 수 있다.

가열 처리의 후기에서는, 웨이퍼(W)에 도포된 레지스트막으로부터 승화물이 발생하지 않기 때문에, 이 시기는 컨트롤러로부터의 신호에 기초하여 개폐 밸브(V)가 닫혀, 가스 공급 수단(70)에 대한 공기의 공급이 정지된다[도 7의 (c) 참조].

상기와 같이, 처리실(63)에서의 열처리 상태나 열처리에 의해 처리실(63) 내에 발생하는 승화물 등의 불순물 상태에 따라 가스 공급 수단(70)을 제어함으로써, 열처리에 의해 발생하는 배기 가스 내의 승화물 등의 불순물이 배기관로(67)의 내벽에 부착되는 것을 확실하고 효율적으로 방지할 수 있다.

<제2 실시형태>

도 8은 본 발명에 따른 열처리 장치의 제2 실시형태의 주요부를 나타내는 단면도이다.

제2 실시형태는, 제1 실시형태의 열처리 장치에서의 가스 공급 수단(70)의 가스 공급체(71)를, 배기관로(67) 내에서 축방향으로 회전 운동 가능하게 삽입하고, 가스 공급체(71)의 기단부에 장착된, 예를 들어 실린더 모터로 이루어진 회전 운동 기구(76)에 의해 회전 운동 가능하게 형성한 경우이다. 회전 운동 기구(76)는 작동 스위치(76a)를 통해 구동 전원(76b)에 접속되고, 작동 스위치(76a)는 컨트롤러(75)로부터의 신호에 기초하여 ON, OFF 제어되도록 되어 있다. 이에 의해, 가스 공급체(71)의 가스 분사 구멍(72)으로부터 배기관로(67) 내에 공기가 분사되는 타이밍에 맞춰 회전 운동 기구(76)를 구동하여 가스 공급체(71)를 축방향으로 회전 운동시킬 수 있고, 가스 분사 구멍(72)으로부터 분사되는 공기에 의해 배기 가스를 교반하여, 배기 가스 내의 승화물 등의 불순물이 배기관로(67)의 내벽에 부착되는 것을 확실하게 방지할 수 있다.

제2 실시형태에 있어서, 그 밖의 구조는 제1 실시형태와 동일하기 때문에, 동일한 부분에는 동일한 부호를 붙이고 설명은 생략한다.

<제3 실시형태>

도 9는 본 발명에 따른 열처리 장치의 제3 실시형태의 주요부를 나타내는 단면도이다.

제3 실시형태는, 가스 공급 수단(70)을 구성하는 가스 공급체(71A)를 발열성 부재로 형성하고, 가스 공급체(71A)에 그 가스 공급체(71A)를 가열하는 가열 수단, 예를 들어 히터 장치(77)를 접속하여, 히터 장치(77)로부터의 가열에 의해 가스 공급체(71A) 자체를 가온 가능하게 형성한 경우이다.

또, 제3 실시형태에서는, 배기관로(67)에서의 가스 공급체(71A)의 하류측에, 배기 가스의 온도를 검출하는 온도 검출 센서(78)가 배치되며, 이 온도 검출 센서(78)에 컨트롤러(75)가 전기적으로 접속되며, 온도 검출 센서(78)의 검출 신호가 컨트롤러(75)에 전달되도록 되어 있다. 이에 의해, 온도 검출 센서(78)의 검출 신호에 기초하여 히터 장치(77)의 가열 온도를 제어하여 가스 공급체(71A) 자체를 미리 정해진 온도로 가온할 수 있다. 이 경우, 가스 공급체(71A) 자체를 가온하는 온도는 배기관로(67)가 불소 수지제 튜브로 형성되는 경우를 고려해야 하며, 불소 수지제 튜브가 용융되지 않는 온도, 예를 들어 200℃ 이하로 설정해야 한다.

상기와 같이, 배기 가스의 온도를 검출하는 온도 검출 센서(78)의 검출 신호에 기초하여 가스 공급체(71A)를 가온함으로써, 배기 가스 중에 포함되는 승화물 등의 불순물의 고화 상황을 파악하면서 배기관로(67)의 내벽에 부착되는 것을 방지할 수 있다.

제3 실시형태에서, 그 밖의 구조는 제1 실시형태와 동일하기 때문에, 동일한 부분에는 동일한 부호를 붙이고 설명은 생략한다.

<제4 실시형태>

도 10은 본 발명에 따른 열처리 장치의 제4 실시형태의 주요부를 나타내는 단면도이다.

제4 실시형태는, 가스 공급관로(73)에 가스 가열 수단, 예를 들어 가스 가열 히터(79)를 설치하여, 공기 공급원(74)으로부터 가스 공급체(71)에 공급되는 가스를 가열(가온)하도록 한 경우이다. 이 경우, 배기관로(67)에서의 가스 공급체(71)의 하류측에, 배기 가스의 온도를 검출하는 온도 검출 센서(78A)가 배치되며, 이 온도 검출 센서(78A)에 컨트롤러(75)가 전기적으로 접속되며, 온도 검출 센서(78)의 검출 신호가 컨트롤러(75)에 전달되도록 되어 있다. 이에 의해, 온도 검출 센서(78A)의 검출 신호에 기초하여 가스 가열 히터(79)의 가열 온도를 제어하여 가스 공급체(71)의 가스 분사 구멍(72)으로부터 배기관로(67) 내에 분사되는 공기를 미리 정해진 온도로 가온할 수 있다. 이 경우, 배기관로(67) 내에 분사되는 공기를 가온하는 온도는, 배기관로(67)가 불소 수지제 튜브로 형성되는 경우를 고려해야 하며, 불소 수지제 튜브가 용융되지 않는 온도, 예를 들어 200℃ 이하로 설정해야 한다.

상기와 같이, 배기 가스의 온도를 검출하는 온도 검출 센서(78A)의 검출 신호에 기초하여 가스 공급체(71)의 가스 분사 구멍(72)으로부터 배기관로(67) 내에 분사되는 공기를 가온함으로써, 배기 가스 중에 포함되는 승화물 등의 불순물의 고화 상황을 파악하면서 배기관로(67)의 내벽에 부착되는 것을 방지할 수 있다.

제4 실시형태에서, 그 밖의 구조는 제1 실시형태와 동일하기 때문에, 동일한 부분에는 동일한 부호를 붙이고 설명은 생략한다.

<제5 실시형태>

도 11은 본 발명에 따른 열처리 장치의 제5 실시형태의 주요부를 나타내는 단면도 (a) 및 (a)의 II-II 선을 따른 확대 단면도 (b)이다.

제5 실시형태는, 가스 공급 수단(70B)을 구성하는 가스 공급체(71B)가, 배기관로(67) 내에 삽입되는 다수의 가스 분사 구멍(72B)을 갖는 대략 원통형의 다공질 부재로 형성되고, 가스 분사 구멍(72B)에 가스 공급관로(73) 및 그 가스 공급관로(73)에 접속하는 가스 도입로(73A)를 통해 가스 공급원[공기 공급원(74)]을 접속한 경우이다. 이 경우, 가스 공급체(71B)는 두께가 두꺼운 대략 원통형으로 형성된다. 가스 공급체(71B)의 상류측의 개구 단부에 확대 개방 테이퍼부(71b)를 형성해도 된다. 이에 의해, 처리실(63)측으로부터 배기되는 배기 가스의 통과를 원활하게 할 수 있다.

상기와 같이 구성되는 제5 실시형태의 열처리 장치에 의하면, 배기관로(67) 내에 삽입된 다공질 부재로 이루어진 가스 공급체(71B)의 가스 분사 구멍(72B)으로 부터 배기관로(67)의 내벽 및 배기 가스의 흐름 방향을 따라 가스를 분사함으로써, 배기관로(67)에 흐르는 배기 가스는 배기관로(67)의 내벽측에 비하여 중심부측의 유속이 빨라져, 배기 가스가 배기관로(67)의 내벽에 닿는 기회를 적게 할 수 있다. 따라서, 배기 가스 중에 포함되는 승화물 등의 불순물이 배기관로(67)의 내벽에 부착되는 것을 방지할 수 있다.

<그 밖의 실시형태>

상기 제3 실시형태에서는, 제1 실시형태의 가스 공급 수단(70)을 구성하는 가스 공급체(71A)를 발열성 부재로 형성한 경우에 관해 설명했지만, 제5 실시형태의 다공질 부재로 이루어진 가스 공급체(71B)를 발열성 부재로 형성하고, 온도 검출 센서(78)의 검출 신호에 기초해서 가열 수단, 예를 들어 히터 장치(77)의 가열 온도를 제어하여, 제3 실시형태와 마찬가지로 가스 공급체(71B) 자체를 가온하도록 해도 된다.

또, 상기 제5 실시형태에서도 상기 제4 실시형태와 마찬가지로, 가스 공급관로(73)에 가스 가열 수단, 예를 들어 가스 가열 히터(79)를 설치하여, 공기 공급원(74)으로부터 가스 공급체(71)에 공급되는 가스를 가열(가온)하도록 하고, 온도 검출 센서(78A)의 검출 신호에 기초해서 가스 가열 히터(79)의 가열 온도를 제어하여 가스 공급체(71)의 가스 분사 구멍(72)으로부터 배기관로(67) 내에 분사되는 공기를 미리 정해진 온도로 가온하도록 해도 된다.

또, 상기 실시형태에서는, 본 발명에 따른 열처리 장치를 반도체 웨이퍼의 레지스트 도포ㆍ현상 처리 시스템에 적용하는 경우에 관해 설명했지만, 반도체 웨 이퍼 이외의 피처리 기판, 예를 들어 액정 디스플레이용 유리 기판(FPD 기판), 마스크 기판 등에도 적용할 수 있다.

도 1은 본 발명에 따른 열처리 장치를 적용한 레지스트 도포ㆍ현상 처리 시스템의 일례를 나타내는 개략 평면도이다.

도 2는 상기 레지스트 도포ㆍ현상 처리 시스템의 개략 정면도이다.

도 3은 상기 레지스트 도포ㆍ현상 처리 시스템의 개략 배면도이다.

도 4는 본 발명에 따른 열처리 장치의 제1 실시형태의 사용 상태를 나타내는 단면도이다.

도 5는 상기 열처리 장치의 배기부를 나타내는 확대 단면도 (a) 및 (a)의 I-I 선을 따른 확대 단면도 (b)이다.

도 6은 상기 열처리 장치의 배기부를 나타내는 개략 사시도이다.

도 7은 배기 가스 내의 승화물 등의 불순물의 부착 방지 타이밍을 나타내는 개략 단면도이다.

도 8은 본 발명에 따른 열처리 장치의 제2 실시형태의 주요부를 나타내는 단면도이다.

도 9는 본 발명에 따른 열처리 장치의 제3 실시형태의 주요부를 나타내는 단면도이다.

도 10은 본 발명에 따른 열처리 장치의 제4 실시형태의 주요부를 나타내는 단면도이다.

도 11은 본 발명에 따른 열처리 장치의 제5 실시형태의 주요부를 나타내는 단면도 (a) 및 (a)의 II-II 선을 따른 확대 단면도 (b)이다.

(부호의 설명)

W : 반도체 웨이퍼(피처리 기판) 60 : 열처리 장치

62 : 덮개 63 : 처리실

65 : 가열판 66 : 배기구

67 : 배기관로 70, 70B : 가스 공급 수단

71, 71A, 71B : 가스 공급체 71a : 본체부

72, 72B : 가스 분사 구멍 73 : 가스 공급관로

73A : 가스 도입로 74 : 공기 공급원(가스 공급원)

75 : 컨트롤러(제어 수단) 76 : 회전 운동 기구

77 : 히터 장치(가스 공급체용 가열 수단) 78, 78A : 온도 검출 센서

79 : 가스 가열 히터

Claims (10)

1. 처리실 내에서 피처리 기판을 열처리하는 열처리 장치에 있어서,

   상기 처리실 내에 배치되며, 피처리 기판을 배치하여 미리 정해진 온도로 가열하는 가열판과,

   상기 처리실의 상부에 설치되며, 열처리에 의해 처리실 내에 발생하는 가스를 배기하는 배기구와,

   상기 배기구에 접속하는 배기관로와,

   상기 배기관로에 설치되며, 배기 가스 내의 불순물이 상기 배기관로 내벽에 부착되는 것을 방지하기 위해 그 배기관로의 내벽 및 배기 가스의 흐름 방향을 따라 가스를 분사하는 가스 분사 구멍을 갖는 가스 공급 수단

   을 포함하고,

   상기 가스 공급 수단은,

   상기 배기관로 내의 배기 가스 방향을 따라 삽입되며, 선단이 막혀 있는 통형상의 가스 공급체와,

   그 가스 공급체의 본체의 외주 및 길이 방향을 따라 복수개 형성되는 가스 분사 구멍과,

   가스 공급관로를 통해 상기 가스 공급체와 접속되는 가스 공급원

   을 포함하며,

   상기 가스 공급체를 발열성 부재로 형성하고, 가스 공급체에 그 가스 공급체를 가열하는 가열 수단을 접속하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 열처리 장치.
2. 제1항에 있어서, 상기 배기관로에서의 상기 가스 공급체의 하류측에 배치되며, 배기 가스의 온도를 검출하는 온도 검출 센서와,

   상기 온도 검출 센서의 검출 신호에 기초하여 상기 가열 수단의 가열 온도를 제어하는 제어 수단

   을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 열처리 장치.
3. 삭제
4. 삭제
5. 삭제
6. 삭제
7. 삭제
8. 삭제
9. 삭제
10. 삭제

Images