KR101270078B1 - 인접 채널 억압 특성이 개선된 ｈｆ 필터 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 각각 병렬 분기 내에 배열된 1개의 직렬 공진기(S1) 및 2개 이상의 병렬 공진기(P1, P2)를 포함하는 제 1 부분 필터(TF1) 및 DMS 필터로서 설계된 제 2 부분 필터(TF2)를 포함하는 필터에 관한 것이다. 상기 필터는 또한 기판(SU)의 단자 영역에 연결되는, 베이스 플레이트 위에 놓인 다수의 내부 하우징 콘택(GKi) 및 상기 베이스 플레이트 내부에 형성된 라인들(DL1, DL2)을 통해 상기 내부 하우징 콘택(GKi)에 연결되는, 상기 내부 하우징 콘택보다 더 적은 수의 외부 하우징 콘택(Gka)을 포함한다. 베이스 기판 내부 또는 그 위에는 제 1 병렬 공진기(P1) 및 제 2 부분 필터(TF2)의 접지 연결을 위한 2개 이상의 라인이 서로 별도로 형성되어, 2개 이상의 상이한 외부 하우징 콘택(E4, E2)에 연결된다.

Description

인접 채널 억압 특성이 개선된 ＨＦ 필터{HF-FILTER WITH IMPROVED ADJACENT CHANNEL SUPPRESSION}
HF 필터들은 특히 이동 통신 단말기들에서 필요하다. 상기 HF 필터들은 대부분 서로 근접하는 상이한 주파수 대역들 내에서 송신 및 수신하는 이동 무선 시스템들에서 사용되도록 설계된다. 수신 필터들은 통상 대역통과 필터로서 설계되며, 상기 필터의 통과 대역은 적어도 RX 대역의 대역폭에 상응한다. 이 경우, 해당 대부분 TX 대역의 주파수들은 억압되어야 한다.
HF 필터들의 제조에 적합한 기술은 다양하다. 분산된 L 소자들과 C 소자들로 제조되는 유전체 필터들은 필요한 필터 특성들을 제공하기 위해 다수의 분산 소자를 필요로 한다. 저렴한 비용으로 제조되는 마이크로파 세라믹 필터들은 삽입 손실은 적으나, 보통 소형화된 단말기들에 장착하기에는 너무 크다. 벌크파 공진기들 또는 표면파 부품들에 기반하여 형성된 필터들은 우수한 전기적 특성을 제공한다. 특히, 조정될 전기적 파라미터들의 수가 많고 크기가 작은 것을 특징으로 하는 SAW 부품 또는 표면파 부품들이 바람직하다.
SAW에 기반한 HF 필터들은, 직렬 분기들 및 상기 직렬 분기들에 병렬인 분기들 내에 사다리 구조 또는 격자 구조의 형태로 서로 연결된 다수의 공진기로부터 DMS 필터(Dual mode SAW) 또는 리액턴스 필터로서 형성된다.
간편한 제조 가능성 및 작은 크기 외에도, HF 필터에서는 정해진 대역폭이 필요한데, 이때 통과대역이 차단 영역을 향해 가파른 에지를 보이며 하강해야 한다. 에너지 손실의 최소화를 위해 통과 대역에서의 삽입 손실이 최소화되어야 한다. 또 다른 측면에서 보면, HF 필터는 출력 호환이 가능해야 하고, 입력 또는 출력이 높아도 전극 구조물들의 손상이 영구적으로 발생하지 않아야 한다.
RX 필터의 경우, 인접 채널 억압 특성의 개선을 위해, 예컨대 TX 주파수들의 억압을 위해, 이미 입력부 및 출력부에서 2-트랙/3-트랜스듀서 DMS 필터를 병렬 공진기들과 접속하는 방법이 제안되었다. 그러나 그러한 구조는 성능 안정성이 불충분하고 비교적 높은 삽입 손실을 갖는 것으로 밝혀졌다.
순수 리액턴스 필터는 충분한 인접 채널 억압 특성을 달성하기 위해 매우 많은 기본 소자를 필요로 하는데, 이때 각각의 기본 소자는 1개의 직렬 공진기와 1개의 병렬 공진기로 구성된다. 기본 소자들의 수가 증가함에 따라 상기와 같은 필터들의 삽입 손실이 악화된다.
따라서 본 발명의 과제는, 우수한 인접 채널 억압 특성을 가지며, 상기 인접 채널 억압 특성이 다른 바람직한 특성들과 결합된 HF 필터를 제공하는 것이다.
상기 과제는 본 발명에 따라 청구항 1의 특징들을 가진 HF 필터에 의해 해결된다. 본 발명의 바람직한 실시예들은 종속 청구항들에 제시된다.
본 발명에서는 제 1 부분 필터와 제 2 부분 필터로 구성된 HF 필터를 제안한다. 제 1 부분 필터는 리액턴스 필터로 설계되며, 2개 이상의 병렬 공진기 및 1개의 직렬 공진기를 포함한다. 제 2 부분 필터는 DMS 필터로 설계되며, 3개 이상의 인터디지털 트랜스듀서를 포함한다. 충분한 인접 채널 억압 특성을 획득하기 위해 상기 필터는 특수 설계된 하우징 안에 삽입되며, 상기 하우징 내부에는 제 1 병렬 공진기 및 제 2 부분 필터의 접지 연결 라인들이 서로 별도로 형성되어, 분리된 외부 하우징 콘택들로 유도된다.
이러한 분리된 접지 라인들에 의해 상이한 필터 소자들 사이의 갈바니 전기 결합(galvanic coupling)이 감소하는 것으로 보이며, 상기 갈바니 전기 결합은 다른 경우에는 출력부에서 원치 않은 신호들을 발생시킨다. 그러한 원치 않은 신호들은 그 성질에 따라 통과 대역을 손상시키거나, 차단 대역 내에서 원하지 않는 피크를 야기하거나, 아주 일반적으로는 억제될 신호를 이용하여 필요 신호를 변조할 수 있다.
제 1 및 제 2 부분 필터는 하나의 공통 압전 기판 위에 형성되어, 거기서 서로 접속될 수 있다. 제 1 부분 필터는 바람직하게 입력부과 연결된다. 그 결과, 비교적 더 안정적인 성능의 리액턴스 필터, 즉 제 1 부분 필터가 수신된 신호의 출력 부분을 소비함에 따라 제 2 부분 필터, 즉 DMS 필터에 더 낮은 신호 레벨이 인가되는 장점이 얻어진다. 특히 인접 채널에서는 리액턴스 필터가 최대 출력 부분을 소비한다. 그럼으로써 본 발명에서 제안하는 HF 필터의 출력 호환성이 총체적으로 더욱 개선된다.
본 발명에서 제안하는 필터를 사용하면 우수한 인접 채널 억압 특성 및 높은 에지 경사도가 달성된다. 이때, 극들의 적절한 주파수 위치에 의해, 특히 병렬 공진기들의 공진 주파수의 적절한 선택에 의해 원활하게 조정되는, 리액턴스 필터의 우수한 근거리장(near field) 억압 특성이 이용된다. 그에 반해, 원거리장(far field) 억압 특성은 DMS 필터에 의해 제공된다. 상기 두 부분 필터의 결합에 의해 상이한 필터 유형들의 바람직한 특성들이 조합된 HF 필터 내에 추가된다.
필터의 하우징은, 실제로 전도성을 띄지 않는 1개 이상의 유전층을 가진 베이스 플레이트를 포함할 수 있다. 유전층이 다수인 경우 각각 2개의 층 사이에 1개의 금속화층 평면이 배치될 수 있다. 금속화층 평면 내에는 도체 스트립들 또는 일반적으로 회로가 구조화된다. 유전층들을 관통하는 비아 홀들을 통해, 1개 이상의 금속화층 평면의 회로 요소들 및 도체 스트립들이 내부 및 외부 하우징 콘택들과 연결된다. 여기서 비아 홀이라 함은 1개 이상의 유전층을 관통하며 전도성 재료로 채워지거나 적어도 전도성을 갖도록 코팅된 구멍을 말한다.
내부 하우징 콘택들은 제 1 및 제 2 부분 필터의 기판 콘택들의 접속에 사용되고, 외부 하우징 콘택들은 필터를 외부의 회로 주변에 연결하는데 사용된다. 바람직하게는 필터 입력부 바로 다음에 놓인 제 1 병렬 공진기의 접지가 다른 라인들과 별도로 분리되어 하우징 및 특히 베이스 플레이트를 통해 안내되어, 제 1 외부 하우징 콘택과 바로 연결된다. 그럼으로써 제 1 병렬 분기와의 갈바니 전기 결합 효과는 외부 회로 주변에서 발생할 수 있는 임피던스에 의해서만 유발될 수 있다. 외부 접지 콘택들이 회로 주변의 접지와 아주 잘 접속됨으로써 전기적 누화(crosstalk) 형태의 갈바니 전기 결합 효과가 최소화된다.
제 1 병렬 공진기의 접지와 제 1 외부 하우징 콘택 사이의 연결은 직선으로 이루어지며, 오직 비아 홀의 형태로만 형성된다. 이로써 주어진 하우징 두께 또는 하우징의 베이스 플레이트 두께에서 상기 라인과 연결된 인덕턴스의 최소화가 보장된다. 그 결과, 공진기의 극-영점(pole-zero)간 간격의 확장이 방지되고, 좌측 에지의 경사도가 더 커질 수 있다. 그로 인해 매우 높은 주파수에서의 감쇠도 개선된다. 베이스 플레이트를 통과하는, 갈바니 전기 결합의 관점에서 최적화된 상기 라인은 제 1 병렬 분기의 경우에 특히 바람직한데, 그 이유는 필터 입력부에 위치함으로 인한 상기 제 1 병렬 분기의 높은 출력 소비 및 그에 따른 높은 전류 흐름이 다른 라인들 및 금속화층들과의 높은 결합 잠재성도 갖기 때문이다.
그 밖에도, 제 2 병렬 공진기의 접지는 하우징을 관통하는 다른 라인들과 별도로 안내되고, 외부 하우징 콘택, 예컨대 제 1 병렬 공진기의 하우징 콘택과 연결되는 것이 바람직하다. 그럼으로써, 일반적으로 우수한 접지이거나 우수한 접지와 연결되는 외부 하우징 콘택의 평면에서 우선 제 1 병렬 공진기와 제 2 병렬 공진기의 두 접지의 연결이 이루어지고, 그 결과 오직 상기 상황에 의해서만 양 접지 라인 사이의 갈바니 전기 결합이 최소화된다.
인접 채널 억압 특성을 더욱 개선하기 위해, 제 2 직렬 공진기가 제공될 수 있고, 제 3 병렬 분기 내에는 제 3 병렬 공진기가 제공될 수 있다. 제 3 병렬 공진기의 접지는 바람직하게 제 1 하우징 콘택과 동일하지 않은 제 2 외부 하우징 콘택과 연결된다.
그럼으로써 제 1 병렬 분기와 제 3 병렬 분기의 결합 또는 상기 분기들의 접지들의 결합이 감소한다.
제 2 부분 필터가 5개의 트랜스듀서를 가진 DMS 트랙을 포함하는 경우 적절한 필터 기능이 달성된다. 그 대안으로, 제 2 부분 필터가 각각 3개의 트랜스듀서를 가진, 전기적으로 병렬 접속된 2개의 DMS 트랙을 포함하도록 설계될 수도 있다. 그 결과, 1트랙-3트랜스듀서-DMS 구조에 비해 손실 특성이 더욱 개선된다.
리액턴스 필터의 성능 개선을 위해, 적어도 제 1 직렬 공진기를 캐스케이딩(cascading) 하거나, 바람직하게는 제 1 병렬 공진기 및 경우에 따라 추가의 직렬 공진기들도 캐스케이딩하는, 즉 직렬 접속된 2개의 부분 공진기로 분할하는 방법이 제안된다. 캐스케이딩된 공진기의 임피던스를 유지하기 위해서는 백 풀(back-pull) 모드시 공진기 면적이 확장되어야 하며, 이는 전체 공진기의 경우 예컨대 이중 캐스케이딩시 공진기 면적이 비분할 공진기에 비해 4배가 됨을 의미한다. 이는 핑거 수의 증가 및/또는 애퍼쳐의 확대를 통해 달성될 수 있다. 이제 캐스케이딩된 각각의 부분 공진기에 인가되는 낮은 전압과 함께, 캐스케이딩된 공진기의 출력 호환성의 현저한 개선이 제공된다.
HF 필터는 비대칭 입력부 및 비대칭 출력부를 가질 수 있다. 이 경우, 하우징은 4개의 외부 하우징 콘택을 포함하면 충분하다. 그에 반해, 출력부가 대칭으로 접속되면, 추가의 하우징 콘택이 필요하기 때문에 적어도 5개의 외부 하우징 콘택이 제공되어야 한다. 더 많은 수의 외부 하우징 콘택이 제공될 수도 있으나, 필터와 외부 회로 주변의 접속시 이는 상기 외부 하우징 콘택의 필요 공간 및 스위칭 비용 증가의 관점에서 통상 불리하다. 그러나 추가 비용을 크게 늘이지 않고, 홀수개의 외부 하우징 콘택을 다음번 짝수개로 1개 증가시킬 수 있다.
압전 효과로 인해 발생한 전하의 플래시오버에 의해 필터가 손상되는 것을 막기 위해, 베이스 플레이트 상에서 분리된 접지들을 기판 위에서 하이 임피던스로(예컨대 적어도 1㏀으로) 연결하는 것이 중요하다. 이는 예컨대 기판 표면 상의 곡류 형태의 금속 구조물들로 구현될 수 있다. 그러한 하이 임피던스 연결은 누화(crosstalk) 및 인접 채널 억압 특성에 영향을 미치지 않는다.
에지 경사도의 개선은, 제 2 부분 필터에서 상이한 트랜스듀서들의 서로 인접한 말단 전극 핑거들이 모두 핫(hot) 상태로 또는 모두 콜드(cold) 상태로 접속되는 경우에 달성된다. 이는 전술한 상이한 트랜스듀서의 인접한 두 전극 핑거가 모두 신호 라인과 연결되거나, 아니면 모두 접지와 연결됨을 의미한다.
부분 필터들을 포함하는 기판이 하우징 내에서 적어도 1개의 전도성 층을 포함하는 커버와 베이스 플레이트 사이에 배치되면, 차폐성 및 밀폐력의 관점에서 개선된 하우징이 획득된다. 차폐성의 개선을 위해, 커버는 전도성을 띈 상태로 베이스 플레이트 내부의 접지와 연결되고, 나아가서 필터의 접지 내지는 접지와 연결된 HF 필터의 외부 하우징 콘택과 연결된다. 하우징의 전도성 커버는 다수의 지점에 걸쳐서 베이스 플레이트 내부 또는 베이스 플레이트 위에 놓인 접지와 연결될 수 있다. 즉, 베이스 플레이트 내 또는 기판 위에서는 분리되어 있는 필터의 여러 접지들이 커버를 통해 서로 연결될 수 있다. 바람직하게는 커버가 비대칭으로 회로에 접속된다. 출력측보다 많은 병렬로 안내 및 접속되는 비아 홀들을 통해 수행되는 커버의 개선된 입력측 접지 접속이 유리하다.
보통은 2개의 부분 필터를 위해 기판 위에 제공된 접지들의 수가 외부 하우징 콘택들의 수보다 많다. 따라서 하우징 내부 및 특히 베이스 플레이트 내부에 전기적으로 상호 절연된 적어도 2개의 내부 접지면을 제공하는 것이 제안되며, 상기 내부 접지면들은 각각 제 1 부분 필터와 제 2 부분 필터의 다수의 접지를 서로 연결한다. 상기 내부 접지면들 역시 도금 도통홀들을 통해 외부 하우징 콘택들과 연결된다.
이 경우, 내부 접지면들을 외부 하우징 콘택들에 연결하기 위해 다수의 비아 홀이 사용될 수 있으며, 그 결과 공통 접지 분기 내에 놓인 인덕턴스가 감소한다. 이로써 상기와 같이 연결된 접지 분기들의 갈바니 전기 결합이 감소하여 필터의 선택 특성이 개선된다.
병렬 공진기들에 커패시턴스가 병렬로 접속되면 통과 대역의 추가 개선 및 특히 경사가 급격한 좌측 에지가 획득될 수 있다. 그러한 병렬 커패시턴스는 공진기들의 극-영점간 간격을 감소시켜 에지 경사도를 개선하는 것으로 알려져 있다. 상기 병렬 커패시턴스는 바람직하게 기판 표면 위에 금속 구조물들의 형태로 구현될 수 있다. 예컨대 커패시턴스는 인터디지털 구조물들로서 형성될 수 있다. 상기 인터디지털 구조물들이 가급적 순 커패시턴스로 작용하고, 방사파(radiated wave) 형태의 손실을 발생시키지 않도록 하기 위해, 제 1 및 제 2 부분 필터의 트랜스듀서의 핑거 주기보다 현저히 짧은 핑거 주기를 선택하는 것이 바람직하다.
인터디지털 구조물로서 구현된 커패시턴스로부터 음향파가 방사되는 것을 막기 위한 또 다른 방법은, 상기 인터디지털 구조물을 회전시켜 어떠한 파도 여기되지 않는 기판의 결정축을 따라 정렬하는 것이다. 예컨대 리튬탄탈레이트(LT)로 만들어진 기판이 사용되면, 상기 구조물은 90도 회전될 수 있다. 또는 커패시턴스가 다른 형상의 금속 구조물들을 이용하여 구현될 수도 있다.
하기에서는 실시예들 및 관련 도면들을 참고로 본 발명에서 제안하는 HF 필터를 더 상세히 설명한다. 도면들은 정확한 축척에 맞게 도시하지 않고, 개략적으로만 도시하였다.
도 1은 제 1 및 제 2 부분 필터를 위해 실행할 수 있는 제 1 전극 구조물이다.
도 2는 이중층 베이스 플레이트의 3개의 금속화층 평면이다.
도 3은 단일층 베이스 플레이트 및 이중층 베이스 플레이트들을 구비한 하우징의 상이한 개략적 횡단면도이다.
도 4는 필터 요소들을 위해 실행할 수 있는 회로의 등가회로도이다.
도 5는 제 1 및 제 2 부분 필터의 제 2 전극 구조물이다.
도 6은 병렬 커패시턴스들을 구현하기 위한 상이한 방법들이다.
도 7은 종래 기술과 본 발명에 따른 필터의 전송 곡선을 비교한 그래프이다.
도 8 및 9는 하우징 내 내부 접지들이 서로 연결된 테스트 구조물들을 구비한 (본 발명에서) 제안된 필터들의 전송 곡선을 비교한 그래프이다.
도 10은 하우징 커버의 비대칭 접속과 대칭 접속의 효과를 비교한 그래프이다.
도 11은 공진기를 2개의 부분 공진기로 분할하는 2가지 방법을 도시한 것이다.
제 1 부분 필터의 바람직한 토폴로지는 필터 입력부에서 볼때 PSPSP 또는 PSPSPS의 공진기 순서로 구현될 수 있는 3개 내지 5개의 기본 소자로 구성되며, 여기서 P는 병렬 공진기를 나타내고, S는 직렬 공진기를 나타낸다. 도 1에는 제 1 부분 필터 및 제 2 부분 필터를 위한 압전 기판 위의 금속화층 구조물이 도시되어 있으며, 여기서 제 1 부분 필터의 경우에는 PSPSPS의 순서로 접속되어 5개의 기본 소자를 형성하는 6개의 공진기(S, P)가 사용된다. 제 1 병렬 공진기(P1)는 입력부(IN)와 직접 연결된 제 1 병렬 분기 내에 배치된다. 제 1 직렬 공진기(S1) 역시 입력부(IN)와 직접 연결된다. 각각 2개의 직렬 공진기 사이에 병렬 공진기를 포함하는 1개의 병렬 분기가 배치된다. 제 1 부분 필터에서 말단에 놓인 제 3 직렬 공진기(S3)는 제 2 부분 필터의 입력부와 연결된다.
제 2 부분 필터(TF2)는 5개의 인터디지털 트랜스듀서로 구성되며, 여기서 3개의 트랜스듀서는 제 1 부분 필터의 입력측 또는 출력측과 연결되고, 2개의 트랜스듀서는 출력부(OUT)와 연결된다. 입력부 및 출력부와 연결된 트랜스듀서들은 교대로 배치된다. 개별 트랜스듀서의 핑거 구조는 단일 종단형(single-ended) 모드, 즉 양측이 비대칭인 동작 모드에 있는 제 2 부분 필터(TF2)의 경우, 입력 트랜스듀서의 말단 전극 핑거 및 바로 인접한 출력 트랜스듀서의 말단 전극 핑거가 각각 핫 전위(hot potential) 상에 배치되도록 형성된다. 각각의 트랜스듀서는 인터디지털 구조라고도 불리는, 2개의 빗이 서로 맞물린 형태의 전극 구조물들로 형성된다. 각각 다수의 전극 핑거가 1개의 공통 버스 바에 접속된다. 한 버스 바에는 신호가 인가되는 반면, 같은 트랜스듀서의 다른 버스 바는 접지(MA)와 연결된다. 제 2 부분 필터(TF2) 내에는 3개의 입력 트랜스듀서가 병렬로 접속되고, 상기 트랜스듀서들의 핫 버스바들(hot busbar)이 제 3 직렬 공진기의 출력부와 연결된다. 병렬 접속된 2개의 출력 트랜스듀서의 2개의 핫 버스 바 역시 출력부(OUT)와 연결된다. 즉, 도시된 필터는 양 측면이 비대칭으로 구동됨에 따라 입력측 및 출력측에서 단 1개의 신호 라인만을 필요로 한다. 사실상 모든 HF 필터의 경우와 마찬가지로, 이 경우에도 기본적으로 필터의 입력부와 출력부가 서로 바뀔 수 있다.
또 다른 단자들에서 제 1 부분 필터(TF1)는 각각의 3개의 병렬 공진기를 위해 각각 1개의 접지를 가지며, 제 2 부분 필터(TF2)는 각각의 5개의 트랜스듀서를 위해 각각 1개의 접지를 갖는다. 이는 기판의 표면 위에 접속 경로로서 또는 납땜 가능한 금속화 면들로서 형성된 총 8개의 접지, 1개의 입력부 및 1개의 출력부(이 존재함)를 의미한다.
도 2에는 3개의 금속화층 평면에 기초하여 하우징 내부에 구현될 회로의 일 가능 실시예의 개략도가 도시되어 있다. 도 2의 (a)에는 필터의 단자 수에 상응하는 개수의 내부 하우징 콘택(GKI)을 포함하는 하우징의 베이스 플레이트(GP)의 표면이 도시되어 있다. 도 1에 도시된 실시예를 기준으로 볼때 상기 콘택의 수는 10이 될 것이다. 그러나 선택된 실시예에서는 도 1에서 아래쪽에 도시된 3개의 접지(MA)가 이미 기판 상에서 서로 연결된다. 이 경우, 출력 트랜스듀서와 연결된 양 단자가 각각 별도로 내부 하우징 콘택(GKI)으로 안내됨에 따라, 기판 위의 단자들의 연결을 위해서는 9개의 내부 하우징 콘택이 필요하다. 도 2의 (a)에는, 대칭 구조를 위해서만 삽입되며 하우징의 안정화에 사용되는 10번째 단자가 도시되어 있다. 또한, 도 2의 (a)에 도시된 베이스 플레이트 위에는 하우징 커버뿐만 아니라 베이스 플레이트 내부의 접지들과도 전기적으로 연결된 커버 콘택 접속면들(DK)이 배치된다. 이에 상응하여, 상기 커버 콘택 접속면들은 도 2의 (a)에 파선으로 표시된, 기판(SU)용으로 제공된 면의 외부에 배치된다.
도 2의 (b)에는, 일 유전층(DL1)에 의해 도 2의 (a)에 도시된 금속화층 평면과 분리되고, 또 다른 한 유전층(DL2)에 의해 도 2의 (c)에 도시된 금속화층 평면과 분리되는 중간 금속화층 평면의 금속화층이 도시되어 있다. 상기 유전층들은 세라믹으로 형성되는 것이 바람직하나, 다른 재료들, 특히 플라스틱 재료나 유리로 형성될 수도 있다. 도 2의 (b)에 따른 중간 금속화층 평면 내에는 2개의 접지면(C2 및 C4)이 제공된다. 상부 금속화층 평면으로 통하는 비아 홀들이 ×표로 표시되어 있다. 이에 상응하여, 접지면들(C2)은 상부 금속화층 평면의 5개의 내부 하우징 콘택 및 필터의 5개의 접지와 연결되어 있다. 또한, 내부 접지면(C2)은 제 1 금속화층 평면 위에 놓인 커버 콘택 단자(L3)와 연결된다. 제 2 접지면(C4)은 접지 연결을 위해 단 1개의 내부 하우징 콘택(G2) 및 2개의 커버 콘택 단자(L1, L2)와 연결된다. 도체 스트립 구조물(C3)은 제 2 부분 필터(TF2)의 출력 트랜스듀서의 2개의 단자 사이를 전기적으로 연결한다. 그에 반해 또 다른 한 절연된 도체 스트립(C1)은 입력부(IN)를 위해 제공된 내부 하우징 콘택(I1)과 연결된다. 중간 금속화층 평면의 또 다른 한 콘택(C5)은 접지(G1)를 위해 제공된 내부 하우징 콘택과 연결된다.
도 2의 (c)에는 4개의 외부 하우징 콘택(GKa)으로 형성된 하부 금속화층 평면이 도시되어 있다. 중간 금속화층 평면으로 통하는 비아 홀들은 역시 ×표로 표시되어 있다. 그 결과, 제 1 외부 하우징 콘택(E1)이 1개의 비아 홀을 통해 도체 스트립(C1)과 연결되고, 상기 도체 스트립(C1)은 1개의 비아 홀을 통해 제 1 부분 필터의 입력부와 연결된다. 제 3 외부 하우징 콘택(E3)은 1개의 비아 홀을 통해 도체 스트립(C3)과 연결되고, 상기 도체 스트립(C3)은 다시 제 2 부분 필터의 두 출력 트랜스듀서의 두 단자와 연결된다. 내부 접지면(C2)은 3개의 비아 홀을 통해 제 2 외부 하우징 콘택(E2)과 연결된다. 제 4 외부 하우징 콘택(E4)은 2개의 비아 홀을 통해 내부 접지면(C4)과 연결되고, 1개의 비아 홀을 통해 중간 금속화층 평면 상의 단자(C5)와 연결된다.
도 3의 (a)에는 도 2에 표시된 절단선(A-A')를 따라 잘라낸 베이스 플레이트, 기판 및 하우징 커버의 횡단면이 도시되어 있다. 본 도면을 토대로 하면, 기판(SU)이 범프(BU)로서 구현된 납땜 연결들을 통해 베이스 플레이트(GP)의 표면에 배치된 내부 하우징 콘택들과 연결된다. 하부의 기판(SU)을 덮는 하우징 커버(D)가 베이스 플레이트(GP) 위에도 덮인다. 예컨대, 하우징 커버(D)는 기판을 넘어 베이스 플레이트(GP)의 표면까지 적층된 금속 박막으로 형성된다. 또는, 상기 커버(D)가 경성(rigid)으로 구현되어 베이스 플레이트 위에 덮일 수도 있다. 기판(SU)과 기판 가장자리측 베이스 플레이트(GP) 표면 사이의 공간을 메우고, 표면을 직접 금속화함으로써 커버를 제조하는 것도 가능하다.
도 2에 도시된 금속화층 패턴에 따라, 베이스 플레이트(GP)는 제 1 유전층 및 제 2 유전층(DL1, DL2)을 포함하며, 베이스 플레이트의 표면 위에는 제 1 금속화층 평면이 놓이고, 제 1 유전층과 제 2 유전층 사이에는 제 2 금속화층 평면이 놓이며, 밑면에는 제 3 금속화층 평면이 놓인다. 금속화층 평면들 사이의 전기적 연결은 예컨대 유전층들을 관통하는 금속 홀들로서 구현된 비아 홀들을 통해 이루어진다. 비아 홀 내부의 금속화층은 보어들을 밀폐하거나 관련 보어들의 가장자리만 덮을 수도 있다.
금속화 평면들의 금속화층들은 예컨대 인쇄되거나, 박막 기술 또는 후막 기술에서 제조된다.
박막 기술과 후막 기술의 결합을 통한 금속화층들도 가능하다. 예컨대 베이스 금속화층이 구조화 형태로 제공되어 갈바니 전기적으로 보강될 수 있다.
도 3의 (a)를 토대로 하면, 제 1 병렬 공진기(P1)의 접지와 연결된 내부 하우징 콘택(G1)이 서로 겹쳐진 2개의 비아 홀을 통해 2개의 세라믹 층을 관통하여 외부 하우징 콘택(E4)과 직접 연결된다. 제 2 금속화층 평면 내에 놓인 금속화층들(C4 및 C1)과 연결된 내부 하우징 콘택(G2 및 I1)은 먼저 평면 내에서 변위되어 관련 외부 하우징 콘택들과 연결된다. 도금된 커버의 커버 콘택 접속면(L2)은 비아 홀을 통해 중간 금속화 평면의 금속면(C4)과 연결되고, 또 다른 비아 홀을 통해 외부 하우징 콘택(E4)과 연결된다.
도 3의 (b)에는, 기판(SU)이 베이스 플레이트(GP) 및 커버(D)로 형성된 하우징 내에 접착되어 본딩 와이어들과 접촉되는 필터의 개략적 횡단면이 도시되어 있다. 외부 하우징 콘택들로 통하는 비아 홀들은 도면이 도시되어 있지 않다.
도 3의 (c)에는 하우징 하부가 단일층으로 된 베이스 플레이트(GP) 및 커버로서의 기판(SU)으로 덮인 프레임으로 형성된 필터의 개략적 횡단면이 도시되어 있다. 내부 하우징 콘택들로의 기판(SU) 연결은 예컨대 금속 구조물, 특히 범프를 통해 구현될 수 있다.
도 4는 베이스 플레이트 내에서 구현되는 연결들 및 이들의 기생 인덕턴스(피드스루 인덕턴스)를 포함한 필터의 개략적 등가 회로도이다. 도면에서 상이한 필터 요소들은 위치 및 유래(origin)에 따라 분리된다. 따라서 위에서 아래로 볼때, 기판 위의 필터 구조물들의 평면, 내부 하우징 콘택들의 평면, 피드스루 인덕턴스의 형태로만 인지될 수 있는 제 1 유전층(DL1)의 평면, 중간 금속화층 평면(MM), 피드스루 인덕턴스를 포함하는 제 2 유전층(DL2) 그리고 마지막으로 외부 하우징 콘택들(GKa)의 평면으로 구별된다. 기판 위의 인덕턴스는 매우 미미하다. 최상위 금속화층 평면 내에는 내부 하우징 콘택(GKI)이 존재하는데, 이때 콘택(I1)은 입력부와 연결되고, G1은 제 1 병렬 공진기(P1)와, G2는 제 2 병렬 공진기(P2)와 그리고 G3는 제 2 병렬 공진기(P3)와 연결된다. 출력 단자들 측의 제 2 부분 필터(TF2)의 접지 콘택들은 이미 기판 금속화층(SM)의 평면에서 서로 그리고 유일한 내부 하우징 콘택(G7)과 연결된다. 하우징 콘택(G4 및 G5)에는 제 2 부분 필터의 나머지 2개의 접지가 연결된다. 2개의 출력부는 하우징 콘택들(O1 및 O2)과 연결된다.
도면을 통해, 2개의 제 1 병렬 공진기(P1, P2)의 접지가 서로 분리되어 하우징의 베이스 플레이트를 통해 안내되고, 최하위 금속화층 평면에서야 비로소 외부 하우징 콘택(E4)과 연결되는 것을 알 수 있다. 그럼으로써 상기 두 병렬 공진기 상호간에 우수한 절연이 구현된다. 제 2 부분 필터의 두 출력부는 중간 금속화층 평면(MM)까지 서로 분리되어 안내되다가, 그곳에서 금속화층(C3)을 통해 서로 연결된다. 제 3 병렬 공진기의 접지들과 제 2 부분 필터의 모든 접지들은 중간 금속화 평면(MM)에서 금속면(C2)과 연결되고, 그곳에서부터 3개의 병렬 비아 홀을 통해 하나의 접지를 형성하는 외부 하우징 콘택(E2)과 연결된다.
도 4에 도시된 접지 접속도는 도 1에 도시된 선택된 실시예에 상응하게 최적화된 것으로, 선택도(selection) 및 인접 채널 억압과 관련하여 최적의 특성을 보인다. 외부 하우징 콘택이 더 많이 제공되는 경우, 분리될 그리고 분리된 외부 하우징 콘택들에 제 1 및 제 2 병렬 공진기를 위한 접지들이 추가로 공급될 수 있다. 그 다음 단계에서 제 3 병렬 공진기를 위한 접지 콘택이 추가로 유일한 외부 하우징 콘택에 공급될 수 있다. 제 2 부분 필터의 접지들의 분리도 입력 트랜스듀서 및 출력 트랜스듀서와 관련하여 선택도 및 인접 채널 억압을 더욱 개선시킬 수 있다.
하우징 또는 본 발명에서 다중층 구조로 구현된 베이스 플레이트는 피드스루 인덕턴스가 최소가 되도록 최적화된다. 이는 특히 짧은 비아 홀들 또는 두께가 얇은 유전층을 이용하여 달성되거나, 병렬 접속된 부싱(bushing)을 통해서도 달성된다. 또한, 비아 홀의 기하학적 형상이 인덕턴스에 영향을 미칠 수 있다. 비아 홀들의 인덕턴스 값이 낮으면, 경사가 급격한 에지를 가진 통과 대역이 얻어진다. 중간 금속화층 평면(MM) 위에 더 많은 접지가 결합되어 단일 비아 홀, 예컨대 내부 금속면(C2)을 하우징 콘택(E2)과 연결하는 비아 홀을 통해 외부 하우징 콘택으로 공급되면, 상기 공통 비아 홀의 인덕턴스 값이 매우 임계적이 되고, 접지들의 결합에 상당한 영향을 미친다. 따라서 제 2 유전층이 제 1 유전층보다 더 얇게 형성되는 것이 바람직할 수 있다.
도 4에 도시된 필터의 한 변형예에서는 내부 하우징 콘택들(G3 및 G7)과 연결된 접지들이 이미 기판 위에서 서로 연결될 수 있는데, 이때 다소 더 높은 선택도가 제공된다. 도 4에는 접지면들(C2 및 C4)을 간접적으로 연결하는 하우징 커버(D)의 접속이 도시되어 있지 않다. C2와 C4 모두 우수한 접지(E2 및 E4)와 직접 연결되기 때문에, 커버의 영향은 최소화되긴 하지만, 추후 도 10에 나타나듯이, 여전히 명백히 존재한다.
기판의 압전 특성에 의해 발생하는 전하를 부품에 무해하게 방출하기 위해, 하우징 콘택들(G1, G2, G7 및 G3) 또는 상기 하우징 콘택들과 연결된 기판 위 단자들을 서로 연결하는 하이 임피던스 연결은 등가 회로도에도 도시되어 있지 않다. 이러한 연결은 특히 온도 변동시 나타날 수 있고, 플래시오버(flashover)의 발생시 금속화층 구조물 또는 기판을 손상시키거나 파손시킬 수 있다.
도 5에는 도 1에 도시된 2개의 부분 필터를 위한 금속화층 개요가 출력부에서의 대칭 구동이 가능하도록 변형된 모습이 도시되어 있다. 여기서는 한쪽(우측) 출력 트랜스듀서의 전극 구조가 다른 출력 트랜스듀서의 반사된 형태를 가짐으로써, 두 출력 단자들에서 180도 만큼 상이한 신호 또는 역위상(out-of-phase) 신호가 얻어진다. 따라서 추가 신호를 위해서는 추가의 외부 하우징 콘택이 필요하다. 도 4에 도시된 회로의 변형에서는, 출력부에서 대칭으로 구동된 필터의 경우 2개의 출력 단자가 서로 분리되어 베이스 플레이트를 통해 안내되고, 분리된 외부 하우징 콘택들과 연결된다. 그에 상응하여, 최소로 필요한 외부 하우징 콘택의 수가 5로 증가한다.
도 6에는 병렬 공진기들에 병렬로 접속된 커패시턴스들이 도시되어 있으며, 상기 커패시턴스들에 의해 필터의 에지 경사도, 더 구체적으로는 특히 통과대역의 좌측 에지가 개선될 수 있다. 상기 커패시턴스들은 바람직하게 기판 표면 위에 접속면의 형태로 또는 인터디지털 구조물들로서 구현된다. 도 6의 (a)에는 그러한 커패시턴스의 개략적 등가 회로도가 도시되어 있다. 도 6b에는 서로 인접한 금속화층 면들 사이에 커패시턴스(CA)가 형성될 수 있는 형상이 도시되어 있다. 도 6의 (c)에는 병렬 공진기의 트랜스듀서보다 더 짧은 핑거 주기를 갖는, 인터디지털 구조물로서 형성된 커패시턴스가 도시되어 있다. 도 6의 (d)에는 기판에서의 정렬이 병렬 공진기의 정렬에 비해 90도 만큼 회전된 인터디지털 구조물이 도시되어 있다. 직렬 공진기들에 병렬로 접속된 커패시턴스들(CA)에 의해 통과대역의 우측 에지의 경사도도 개선될 수 있다.
도 7에는 본 발명에 따른 필터에 의해 얻어진 전달 함수(S21)(곡선 a 참조)를 직렬 접속된 2개의 3중 트랜스듀서 DMS 구조물 및 추가로 입력부 및 출력부에 1개씩의 병렬 공진기를 포함하는 종래 기술에 따른 필터의 전달 함수(곡선 b)와 비교한 그래프가 도시되어 있다. 본 발명에서 제안하는 필터가 에지 경사도뿐만 아니라 인접 채널 억압 특성과 관련해서도 현저히 개선된 것을 볼 수 있다.
도 8에는 2 개의 전달 곡선의 예(S21)를 토대로, 분리된 접지들이 필터 특성에 어떠한 영향을 미치는지가 한번 더 도시되어 있다. 2개의 필터의 통과 곡선들(S21)이 비교되는데, 더 정확히 말하면 도 4에 따라 형성된 필터와 같은 1개의 필터(곡선a 참조)가 중간 금속화층 평면(MM)의 접지면들(C2 및 C4)이 서로 직접 연결되는 유사한 한 필터(곡선 b 참조)와 비교된다. (좌측 에지의) 에지 경사도 및 인접 채널 억압 특성과 관련한 확실한 효과가 나타남을 명백히 알 수 있다.
도 9에서도 분리된 접지의 장점을 알 수 있는데, 여기서는 본 발명에 따라 도 4를 토대로 설계된 필터의 통과 곡선(곡선 a 참조)이 중간 금속화층 평면(MM) 내에서 지점 C4 및 C5에 해당하는 2개의 제 1 병렬 공진기의 접지들이 서로 연결되는 필터의 통과 곡선(곡선 b 참조)과 비교된다. 여기서도 선택도의 개선 및 특히 개선된 인접 채널 억압 특성이 나타난다.
도 10에는 본 발명에서 제안한 바와 같이 수행된 커버의 전기 접속에 의해 야기되는 효과가 도시되어 있다. 여기서는, 1개의 내부 하우징 콘택(L3) 및 1개의 비아 홀을 통해 접지면(C2)과 연결되고, 내부 하우징 콘택들(L1 및 L2) 및 각각 1개의 비아 홀을 통해 접지(C4)와 연결되는, 도 2의 경우처럼 접속된 커버의 통과 곡선(a)이 비교된다. 상기 필터는 동일한 개수의 비아 홀이 접지면들(C2 및 C4)로 안내되는 대칭형으로 접속된 커버와 비교된다(곡선 b). 비대칭 커버 접속에 의해서도 선택도 및 특히 인접 채널 억압 특성과 관련하여 긍정적인 효과가 달성된다는 것을 알 수 있다.
도 11에는 직렬 접속된 2개의 부분 공진기(TR1 및 TR2)로 분할된 공진기가 도시되어 있다. 도 11의 (b)에는 상기 두 부분 공진기 내에서 음향파의 위상이 일 치하도록 하는 핑거 구조가 도시되어 있다. 그에 반해, 도 11의 (a)에서는 두 부분 공진기의 음향파의 위상이 180°변위되어 있다. 부분 공진기들로 분할된 공진기는 직렬 공진기 및 병렬 공진기로서 삽입될 수 있고, 관련 공진기들의 출력 호환성을 개선한다.
본 발명에서 제안한 필터는 실시예들에 제한되지 않고, 제공되는 외부 하우징 콘택의 수에 따라 본 발명의 범주 내에서 변형될 수 있다. 하우징은 단 1개의 유전층으로만 구성되거나, 추가의 유전층들 및 추가의 금속화층 평면들로 구성될 수도 있다. 재료의 관점에서도 제안된 재료들과 차이가 있을 수 있다. 제 1 부분 필터는 분리된 제 2 기판 위에도 배치될 수 있고, 또는 SAW 공진기와 다른 공진기들, 예컨대 음향 벌크파(BAW)로 작동하는 공진기들로 형성될 수 있다.
*도면 부호 목록*
SU: 기판
TF1: 제 1 부분 필터
S1, S2, S3: 직렬 공진기
P1, P2, P3: 병렬 공진기
TF2: 제 2 부분 필터
GKi: 내부 하우징 콘택
GKa: 외부 하우징 콘택
GP: 베이스 플레이트
DL1, DL2: 유전층
TR1, TR2: 부분 공진기
D: 커버
G1 ~ G5: 접지용 내부 하우징 콘택
L1. L2. L3: 커버 콘택 접속면
I: 입력용 내부 하우징 콘택
O: 출력용 내부 하우징 콘택
C1 ~ C5: 내부 금속면
MM: 중간 금속화 표면
CA: 커패시턴스
MA: 접지
E1 ~ E4: 외부 하우징 콘택
VI: 비아 홀
BU: 범프
IN: 입력부
OUT: 출력부

Claims (25)

  1. HF 필터로서,
    적어도 1개의 기판;
    직렬 공진기, 제 1 병렬 분기 내에 제 1 병렬 공진기, 제 2 병렬 분기 내에 제 2 병렬 공진기 및 제 3 병렬 분기 내에 제 3 병렬 공진기를 포함하는 상기 기판상의 제 1 부분 필터 ― 상기 병렬 분기들은 상기 직렬 공진기를 포함하는 단일 경로에 연결됨 ―;
    상기 단일 경로 내에 상기 제 1 부분 필터에 직렬로 연결된, DMS 필터(dual-mode surface wave elements filter : DMS SAW)를 포함하는 제 2 부분 필터;
    적어도 하나의 유전층 또는 비전도층을 포함하는 베이스 플레이트, 상기 기판상의 터미널 표면상에 연결된 상기 베이스 플레이트 상의 다수의 내부 하우징 콘택들 및 상기 베이스 플레이트의 밑면 상의 다수의 외부 하우징 콘택들을 포함하는 하우징 ― 상기 외부 하우징 콘택들은 라인들을 통해 상기 내부 하우징 콘택들과 연결되며, 상기 외부 하우징 콘택들의 개수는 상기 내부 하우징 콘택들의 개수보다 더 적음 ―; 및
    상기 제 1 병렬 공진기의 접지 터미널과 상기 제 2 부분 필터의 접지 터미널을 적어도 두 개의 상이한 외부 하우징 콘택들에 연결하기 위한 상기 베이스 플레이트 내의 또는 상기 베이스 플레이트 상의 적어도 두 개의 별도 라인들
    을 포함하며,
    상기 제 1 병렬 공진기의 상기 접지 터미널은 추가의 와이어링(wiring) 없이 비아-홀들에 의해 상기 다수의 외부 하우징 콘택들 중 제 1 외부 하우징 콘택에 직접적으로 콘택(contact)되고, 상기 제 1 병렬 공진기의 상기 접지 터미널과 상기 제 2 병렬 공진기의 상기 접지 터미널은 서로 분리되어 상기 제 1 외부 하우징 콘택과 연결되며, 그리고 상기 제 3 병렬 공진기의 접지 터미널과 상기 제 2 부분 필터의 접지 터미널들이 상기 다수의 외부 하우징 콘택들 중 제 2 외부 하우징 콘택과 연결되는,
    HF 필터.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 베이스 플레이트는 적어도 두 개의 유전층들 및 비아-홀들에 의해 상기 내부 하우징 콘택들과 상기 외부 하우징 콘택들에 연결된 회로를 형성하도록 구성된 상기 적어도 두 개의 유전층들 사이의 금속화층(metallization) 평면을 포함하는,
    HF 필터.
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 제 1 항에 있어서,
    제 2 직렬 공진기를 더 포함하는,
    HF 필터.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 제 2 직렬 공진기와 상기 DMS 필터 사이에 제 3 직렬 공진기가 위치되는,
    HF 필터.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 DMS 필터(DMS)는 5개의 트랜스듀서들을 가진 트랙(track)를 포함하는,
    HF 필터.
  8. 제 5 항에 있어서,
    적어도 상기 제 1 직렬 공진기 또는 상기 제 1 직렬 공진기와 상기 제 2 직렬 공진기가 캐스케이딩(cascade) 됨으로써, 상기 제 1 부분 필터는 직렬로 연결된 적어도 두 개의 부분-공진기들의 세분된 부분들을 가지는,
    HF 필터.
  9. 제 5 항에 있어서,
    적어도 상기 제 3 병렬 공진기 또는 상기 제 1 병렬 공진기와 제 3 병렬 공진기가 캐스케이딩 됨으로써, 상기 제 1 부분 필터는 직렬로 연결된 적어도 두 개의 부분 공진기들의 세분된 부분들을 가지는,
    HF 필터.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 부분 필터는 비대칭 입력부를 가지고,
    상기 제 2 부분 필터는 비대칭 출력부를 가지며,
    상기 하우징은 4개 또는 5개의 외부 하우징 콘택들을 가지는,
    HF 필터.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 부분 필터는 비대칭 입력부를 가지고,
    상기 제 2 부분 필터는 대칭 출력부를 가지며,
    상기 하우징은 5개 또는 6개의 외부 하우징 콘택들을 가지는,
    HF 필터.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 HF 필더의 일부 접지 터미널들은 상기 기판상에서 고-저항으로(high-ohmically) 상호연결되는,
    HF 필터.
  13. 제 1 항에 있어서,
    상기 HF 필더의 일부 접지 터미널들은 1㏀ 초과의 저항에 의해 서로 연결되는,
    HF 필터.
  14. 제 7 항에 있어서,
    상기 제 2 부분 필터 내의 상이한 트랜스듀서들의 두 개의 인접한 말단 전극 핑거들은 단일 라인에 연결되거나 상기 접지 터미널에 연결되는,
    HF 필터.
  15. 제 1 항에 있어서,
    적어도 하나의 전기 전도층을 포함하는 커버를 더 포함하며,
    상기 기판은 상기 베이스 플레이트와 상기 커버 사이에 있고, 상기 커버는 상기 베이스 플레이트 내에 회로와 전기적으로 연결되며, 상기 커버는 상기 필터 중 임의의 접지 터미널들을 상호연결하는,
    HF 필터.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 커버는 상기 회로에 비대칭으로 연결되는,
    HF 필터.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 커버는 다수의 비아-홀들에 의해 상기 외부 하우징 콘택들에 연결되고, 입력-측 접지 터미널로의 연결부는 병렬로 연결된 제 1 세트의 비아-홀들을 포함하고, 출력-측 접지 터미널로의 연결부는 제 2 세트의 비아-홀들을 포함하며, 상기 제 1 세트의 비아-홀에서의 비아-홀들의 개수는 상기 제 2 세트의 비아-홀들에서의 비아-홀들의 개수보다 더 많은,
    HF 필터.
  18. 제 1 항에 있어서,
    상기 베이스 플레이트 내에 2개의 분리된 내부 접지 컨덕터들을 더 포함하고, 상기 내부 접지 컨덕터들은 상기 제 1 및 제 2 부분 필터들의 다수의 접지 터미널들과 연결되는,
    HF 필터.
  19. 제 18 항에 있어서,
    상기 내부 접지 컨덕터들 중 적어도 하나는 다수의 비아 홀들을 통해 적어도 하나의 외부 하우징 콘택에 연결되는,
    HF 필터.
  20. 삭제
  21. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 병렬 공진기와 상기 제 2 병렬 공진기에 병렬로 연결된 커패시턴스들을 더 포함하는,
    HF 필터.
  22. 제 21 항에 있어서,
    상기 커패시턴스들은 상기 기판상의 금속화층들을 포함하는,
    HF 필터.
  23. 제 21 항에 있어서,
    상기 커패시턴스들은 인터디지털 구조물을 포함하는,
    HF 필터.
  24. 제 23 항에 있어서,
    상기 커패시턴스들의 인터디지털 구조물이 상기 제 1 병렬 공진기와 상기 제 2 병렬 공진기의 인터디지털 구조물에 대해 회전된,
    HF 필터.
  25. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 부분 필터는 비대칭 출력부를 가지고,
    상기 제 2 부분 필터는 비대칭 입력부를 가지며,
    상기 하우징은 4개 또는 5개의 외부 하우징 콘택들을 가지는,
    HF 필터.
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