JPH0936695A - Ｉｄｔ励振デバイス - Google Patents
Ｉｄｔ励振デバイスInfo
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- JPH0936695A JPH0936695A JP20394795A JP20394795A JPH0936695A JP H0936695 A JPH0936695 A JP H0936695A JP 20394795 A JP20394795 A JP 20394795A JP 20394795 A JP20394795 A JP 20394795A JP H0936695 A JPH0936695 A JP H0936695A
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- electrodes
- electrode
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Abstract
(57)【要約】
【目的】高結合圧電材料を使用しＩＤＴ励振共振器ある
いはフィルタを構成する場合、製造プロセス中でＩＤＴ
電極指破壊やＩＤＴ電極短絡などの不具合が生じること
がある。本発明は急激な温度変化等で発生する静電気
を、新たに配設した電極パターンで中和し、上記不具合
を防止したＩＤＴ励振デバイスを提供する。 【構成】圧電板上にＩＤＴ、反射器などを配設し、さら
に、２つのＩＤＴの対向する電極指間またはＩＤＴ電極
のリード端子間を電極パターンで接続する。ミドルグレ
ーティングを有する縦結合多重モードフィルタの場合
は、これを一続きのミアンダラインとし、ＩＤＴの同電
位電極指に接続する。
いはフィルタを構成する場合、製造プロセス中でＩＤＴ
電極指破壊やＩＤＴ電極短絡などの不具合が生じること
がある。本発明は急激な温度変化等で発生する静電気
を、新たに配設した電極パターンで中和し、上記不具合
を防止したＩＤＴ励振デバイスを提供する。 【構成】圧電板上にＩＤＴ、反射器などを配設し、さら
に、２つのＩＤＴの対向する電極指間またはＩＤＴ電極
のリード端子間を電極パターンで接続する。ミドルグレ
ーティングを有する縦結合多重モードフィルタの場合
は、これを一続きのミアンダラインとし、ＩＤＴの同電
位電極指に接続する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＩＤＴ励振デバイスに関
し、特に電気機械結合係数の大きい圧電材料を使用する
時、急激な温度変化等により発生する焦電荷によるＩＤ
Ｔ電極指の破損を防止したＩＤＴ励振デバイスに関す
る。
し、特に電気機械結合係数の大きい圧電材料を使用する
時、急激な温度変化等により発生する焦電荷によるＩＤ
Ｔ電極指の破損を防止したＩＤＴ励振デバイスに関す
る。
【０００２】
【従来技術】従来、圧電基板上にインタディジタルトラ
ンスジューサ（以下ＩＤＴと略記する）を配設した表面
波デバイスに関して種々のタイプが開発され、実用に供
されてきた。例えば、送信側と受信側にＩＤＴを有する
伝送形フィルタ（トランスバーサルフィルタ）、またＩ
ＤＴの両側にグレーティング反射器を有する１端子対共
振子器、または２端子対共振子器、あるいはこれらで構
成した共振子形フィルタ、さらに両者を組み合わせた混
合形など様々なデバイスがある。ＩＤＴ励振縦結合二重
モードフィルタおよびＩＤＴ励振横結合二重モードフィ
ルタは共振子形フィルタの一種である。ここ数年の移動
体通信分野における携帯機の利用拡大は目を見張るもの
があり、それに伴ってアナログ及びディジタル方式の新
機種開発競争は激烈であり、小型化、新機能追加は枚挙
にいとまがない。この流れに伴って振動機能部品への要
求も高機能、超小型化へと止まる所をしらない。この要
求を満たすべく、より優れた材料、新カットの開発・応
用が盛んになった。いかし、これらの材料の処理方法に
熟知してないことに起因し、製造プロセス上のデバイス
の不具合発生が多発している。例えば、ＩＤＴ電極指破
壊もその１つで、焦電効果、圧電効果等による靜電気の
放電によるものが知られている。
ンスジューサ（以下ＩＤＴと略記する）を配設した表面
波デバイスに関して種々のタイプが開発され、実用に供
されてきた。例えば、送信側と受信側にＩＤＴを有する
伝送形フィルタ（トランスバーサルフィルタ）、またＩ
ＤＴの両側にグレーティング反射器を有する１端子対共
振子器、または２端子対共振子器、あるいはこれらで構
成した共振子形フィルタ、さらに両者を組み合わせた混
合形など様々なデバイスがある。ＩＤＴ励振縦結合二重
モードフィルタおよびＩＤＴ励振横結合二重モードフィ
ルタは共振子形フィルタの一種である。ここ数年の移動
体通信分野における携帯機の利用拡大は目を見張るもの
があり、それに伴ってアナログ及びディジタル方式の新
機種開発競争は激烈であり、小型化、新機能追加は枚挙
にいとまがない。この流れに伴って振動機能部品への要
求も高機能、超小型化へと止まる所をしらない。この要
求を満たすべく、より優れた材料、新カットの開発・応
用が盛んになった。いかし、これらの材料の処理方法に
熟知してないことに起因し、製造プロセス上のデバイス
の不具合発生が多発している。例えば、ＩＤＴ電極指破
壊もその１つで、焦電効果、圧電効果等による靜電気の
放電によるものが知られている。
【０００３】例えば、圧電板の主面上に２つ以上のＩＤ
Ｔ電極を配置したＩＤＴ励振デバイスにおいて、前記圧
電基板の電気機械結合係数が大きい場合、一般に焦電性
も強く、デバイスの製造工程において電極指破損などが
生じることがある。これはプロセス中で温度変化が加え
られた時、焦電効果により基板表面に電荷（焦電荷）が
発生し、該電荷がＩＤＴ電極指を介して放電するため、
ＩＤＴ電極指の破損を起こすことが原因である。ここで
焦電現象を簡単に述べる。焦電効果を現す物質は、自然
の状態で分極（自発分極）しており常に電荷が現れる
が、通常表面の分極電荷は付着したイオンなどで中和さ
れ観測されない。ここで物質の温度をｄＴだけ変化させ
た時、物質の焦電係数をｐｉとすると、自発電気分極ｄ
Ｐは ｄＰ＝ｐｉｄＴ （１） で表される。このとき表面電荷は自発分極ほど早く温度
変化に対応出来ないため、電荷が短時間だけ観測され
る。式（１）から明らかなように温度変化が急激なほど
現れる電荷が大きくなる。
Ｔ電極を配置したＩＤＴ励振デバイスにおいて、前記圧
電基板の電気機械結合係数が大きい場合、一般に焦電性
も強く、デバイスの製造工程において電極指破損などが
生じることがある。これはプロセス中で温度変化が加え
られた時、焦電効果により基板表面に電荷（焦電荷）が
発生し、該電荷がＩＤＴ電極指を介して放電するため、
ＩＤＴ電極指の破損を起こすことが原因である。ここで
焦電現象を簡単に述べる。焦電効果を現す物質は、自然
の状態で分極（自発分極）しており常に電荷が現れる
が、通常表面の分極電荷は付着したイオンなどで中和さ
れ観測されない。ここで物質の温度をｄＴだけ変化させ
た時、物質の焦電係数をｐｉとすると、自発電気分極ｄ
Ｐは ｄＰ＝ｐｉｄＴ （１） で表される。このとき表面電荷は自発分極ほど早く温度
変化に対応出来ないため、電荷が短時間だけ観測され
る。式（１）から明らかなように温度変化が急激なほど
現れる電荷が大きくなる。
【０００４】急激な温度変化あるいは機械的な歪みによ
りＩＤＴ電極部に静電気が発生し、電極指を破壊した
り、静電気により電極指に導電性異物が吸着する結果、
ＩＤＴ電極がショート状態になり、デバイス不良の原因
になっていた。従来、焦電現象あるいは圧電現象による
電極破壊を防止するため、例えば実開昭６２ー１３９１
２６に示されているように、ＩＤＴの入出力引き出し端
子を高抵抗電極部（数十ＭΩ）を介して接地し、急激な
温度変化や機械的衝撃によって生じるＩＤＴ電極上の電
荷を放電させる等の対策が考案されている。
りＩＤＴ電極部に静電気が発生し、電極指を破壊した
り、静電気により電極指に導電性異物が吸着する結果、
ＩＤＴ電極がショート状態になり、デバイス不良の原因
になっていた。従来、焦電現象あるいは圧電現象による
電極破壊を防止するため、例えば実開昭６２ー１３９１
２６に示されているように、ＩＤＴの入出力引き出し端
子を高抵抗電極部（数十ＭΩ）を介して接地し、急激な
温度変化や機械的衝撃によって生じるＩＤＴ電極上の電
荷を放電させる等の対策が考案されている。
【０００５】しかしながら、本発明者らの長年の実験に
よれば、焦電性の強い圧電基板の主面上に２つ以上のＩ
ＤＴ電極が近接配置されている場合、焦電荷による電極
の破壊は主に製造工程で発生している。また、破壊箇所
は同一ＩＤＴ電極の対になる電極指間でも生じるが、む
しろ２つの対向するＩＤＴ電極間の最も近接した電極指
部分で発生することが多い。例えば、焦電性の強い圧電
基板上に２つ以上のＩＤＴ電極、その外側にグレーティ
ング反射器を波動の伝搬方向に直列に近接配置した多重
モードフィルタにおいて、図２（ｃ）に示すように対向
した２つＩＤＴ電極間の電極指の間隙ｄが他の電極指間
隙より狭い場合に特にこの破壊現象が顕著である。
よれば、焦電性の強い圧電基板の主面上に２つ以上のＩ
ＤＴ電極が近接配置されている場合、焦電荷による電極
の破壊は主に製造工程で発生している。また、破壊箇所
は同一ＩＤＴ電極の対になる電極指間でも生じるが、む
しろ２つの対向するＩＤＴ電極間の最も近接した電極指
部分で発生することが多い。例えば、焦電性の強い圧電
基板上に２つ以上のＩＤＴ電極、その外側にグレーティ
ング反射器を波動の伝搬方向に直列に近接配置した多重
モードフィルタにおいて、図２（ｃ）に示すように対向
した２つＩＤＴ電極間の電極指の間隙ｄが他の電極指間
隙より狭い場合に特にこの破壊現象が顕著である。
【０００６】また、発生した静電気を接地して消滅する
方法も実開６２ー１３９１２６に開示されている。しか
し、この手法では、ＩＤＴの引き出し端子に高抵抗電極
部を介してアース電極部と接続した後、さらに該電極部
はワイヤボンディング等の方法でパッケージのアース端
子を通して接地されるため、ワイヤボンディング以前の
工程ではその効果が期待出来ないばかりか、如何に高抵
抗で接続したとはいえ本来接続されるべきでない部分を
電気的に接続することになるため、何かしらの特性の劣
化、例えばフィルタであれば挿入損失の増大、共振子で
あればＱ値の劣化は免れえないと云う問題があった。
方法も実開６２ー１３９１２６に開示されている。しか
し、この手法では、ＩＤＴの引き出し端子に高抵抗電極
部を介してアース電極部と接続した後、さらに該電極部
はワイヤボンディング等の方法でパッケージのアース端
子を通して接地されるため、ワイヤボンディング以前の
工程ではその効果が期待出来ないばかりか、如何に高抵
抗で接続したとはいえ本来接続されるべきでない部分を
電気的に接続することになるため、何かしらの特性の劣
化、例えばフィルタであれば挿入損失の増大、共振子で
あればＱ値の劣化は免れえないと云う問題があった。
【０００７】
【発明の目的】本発明は上記に鑑みてなされたものであ
り、焦電性の強い圧電基板上に２個以上のＩＤＴ電極を
配設して構成するＩＤＴ励振共振器やＩＤＴ励振多重モ
ードフィルタにおいて、急激な温度変化や瞬間的な機械
歪み等により発生する静電気によって電極指破損あるい
は、静電気による導電性物質の吸着によるＩＤＴショー
ト等の不具合を解消したＩＤＴ励振デバイスを提供する
ことを目的とする。
り、焦電性の強い圧電基板上に２個以上のＩＤＴ電極を
配設して構成するＩＤＴ励振共振器やＩＤＴ励振多重モ
ードフィルタにおいて、急激な温度変化や瞬間的な機械
歪み等により発生する静電気によって電極指破損あるい
は、静電気による導電性物質の吸着によるＩＤＴショー
ト等の不具合を解消したＩＤＴ励振デバイスを提供する
ことを目的とする。
【０００８】
【発明の概要】上記目的を達成するため、本発明におい
てはＩＤＴ電極を２個以上有するＩＤＴ励振デバイスに
おいて、２つのＩＤＴ電極の対向する電極指間またはＩ
ＤＴ電極に接続された引き出し電極間を電極パターンで
接続したＩＤＴ励振デバイスと上記手法をＩＤＴ励振縦
結合多重モードフィルタに適用したことを特徴とする。
ＩＤＴ電極、ミドルグレーティング電極及び反射器で構
成するＩＤＴ励振型二重モードフィルタにおいて、ＩＤ
Ｔの周期をＬＴ、ミドルグレーティングの周期をＬＳ、
反射器の周期をＬＲ、前記両ＩＤＴの間隔をｌａ、前記
ミドルグレーティングの電極指本数をｍとした場合、
（ｍ＋１／４）ＬＴ＜ｌａ＜（ｍ＋１）ＬＴで、なおＬ
Ｓ＜ＬＴ＜ＬＲを満たした縦結合二重モードフィルタで
あり、且つ、電極指間またはＩＤＴに接続された引き出
し電極間を電極パターンで接続したことを特徴とする。
てはＩＤＴ電極を２個以上有するＩＤＴ励振デバイスに
おいて、２つのＩＤＴ電極の対向する電極指間またはＩ
ＤＴ電極に接続された引き出し電極間を電極パターンで
接続したＩＤＴ励振デバイスと上記手法をＩＤＴ励振縦
結合多重モードフィルタに適用したことを特徴とする。
ＩＤＴ電極、ミドルグレーティング電極及び反射器で構
成するＩＤＴ励振型二重モードフィルタにおいて、ＩＤ
Ｔの周期をＬＴ、ミドルグレーティングの周期をＬＳ、
反射器の周期をＬＲ、前記両ＩＤＴの間隔をｌａ、前記
ミドルグレーティングの電極指本数をｍとした場合、
（ｍ＋１／４）ＬＴ＜ｌａ＜（ｍ＋１）ＬＴで、なおＬ
Ｓ＜ＬＴ＜ＬＲを満たした縦結合二重モードフィルタで
あり、且つ、電極指間またはＩＤＴに接続された引き出
し電極間を電極パターンで接続したことを特徴とする。
【０００９】
【発明の実施例】以下、添付図面に示した実施例により
本発明を詳細に説明する。本発明の理解を助けるため、
実施例の説明に先だってＩＤＴ励振縦結合二重モードフ
ィルタについて簡単に述べる。圧電基板の主面上に２つ
のＩＤＴ電極を近接配設し該電極で励起する波動の伝搬
方向であって前記ＩＤＴ電極の外側にグレーティング反
射器を隣接配置し、波動の伝搬方向のモードを音響結合
をせしめ、且つ、閉じ込めモードにした対称モードおよ
び反対称モードを利用し帯域フィルタを構成する所謂縦
結合二重モードフィルタは、本発明者が既に特公平ー５
１３３０に開示した如く構成するのが一般的であった。
即ち、第２図（ａ）に示す如く圧電基板１の主面上に同
一対数、同一交叉幅、同一周期の２つのＩＤＴ２ー
２’、３ー３’を波動の伝搬方向に距離ｌ１＝ｎ／２・
λ（λ：波動の波長、ｎ：整数）だけ離して配置し、こ
れらの間にシールド電極１２を、またはシールド電極１
２の代わりに図２（ｂ）に示すごとくミドルグレーティ
ングを配設し、前記両ＩＤＴ２ー２’、３ー３’の外側
に金属ストリップの反射器４、５を配置するものであ
る。
本発明を詳細に説明する。本発明の理解を助けるため、
実施例の説明に先だってＩＤＴ励振縦結合二重モードフ
ィルタについて簡単に述べる。圧電基板の主面上に２つ
のＩＤＴ電極を近接配設し該電極で励起する波動の伝搬
方向であって前記ＩＤＴ電極の外側にグレーティング反
射器を隣接配置し、波動の伝搬方向のモードを音響結合
をせしめ、且つ、閉じ込めモードにした対称モードおよ
び反対称モードを利用し帯域フィルタを構成する所謂縦
結合二重モードフィルタは、本発明者が既に特公平ー５
１３３０に開示した如く構成するのが一般的であった。
即ち、第２図（ａ）に示す如く圧電基板１の主面上に同
一対数、同一交叉幅、同一周期の２つのＩＤＴ２ー
２’、３ー３’を波動の伝搬方向に距離ｌ１＝ｎ／２・
λ（λ：波動の波長、ｎ：整数）だけ離して配置し、こ
れらの間にシールド電極１２を、またはシールド電極１
２の代わりに図２（ｂ）に示すごとくミドルグレーティ
ングを配設し、前記両ＩＤＴ２ー２’、３ー３’の外側
に金属ストリップの反射器４、５を配置するものであ
る。
【００１０】従来のＩＤＴ励振縦結合二重モードフィル
タは、図２（ａ）に示した様なＩＤＴ電極及び反射器を
備えた共振器において、ＩＤＴ電極によって励振された
弾性表面波は反射器４、５間に閉じ込められ、共振周波
数ｆｓの対称モードと共振周波数ｆａの反対称モード
が、ＩＤＴ電極構成が２分割であることから電気的に励
振可能であり、このようなフィルタをＩＤＴ励振縦結合
二重モードフィルタと称している。ここで周波数ｆｓ，
ｆａはｆａ＜ｆｓなる関係にあり、入出力端子６、７と
アース端子で構成する等価回路はラダー回路に変換さ
れ、適切に終端されれば良好なフィルタが構成される。
このフィルタの帯域幅は共振周波数ｆｓ，ｆａの差ｄｆ
のほぼ２倍になり、挿入損失は各共振モードのＱ値に依
存する。
タは、図２（ａ）に示した様なＩＤＴ電極及び反射器を
備えた共振器において、ＩＤＴ電極によって励振された
弾性表面波は反射器４、５間に閉じ込められ、共振周波
数ｆｓの対称モードと共振周波数ｆａの反対称モード
が、ＩＤＴ電極構成が２分割であることから電気的に励
振可能であり、このようなフィルタをＩＤＴ励振縦結合
二重モードフィルタと称している。ここで周波数ｆｓ，
ｆａはｆａ＜ｆｓなる関係にあり、入出力端子６、７と
アース端子で構成する等価回路はラダー回路に変換さ
れ、適切に終端されれば良好なフィルタが構成される。
このフィルタの帯域幅は共振周波数ｆｓ，ｆａの差ｄｆ
のほぼ２倍になり、挿入損失は各共振モードのＱ値に依
存する。
【００１１】また、従来の、帯域幅を拡げたＩＤＴ励振
縦結合二重モードフィルタは、共振周波数ｆｓとｆａと
の差ｄｆを広げるため種々の工夫がなされている。図２
（ａ）と同様にＩＤＴ電極指、反射器及びミドルグレー
ティングを構成するが、異なる点は、ＩＤＴ電極、反射
器およびミドルグレーティングの周期を若干変えること
である。即ち、図３に示す如くＩＤＴ電極の周期をＬ
Ｔ、反射器の周期をＬＲ及びミドルグレーティングの周
期をＬＳとしその本数をｍ本とする。ＩＤＴ２、３間に
ＩＤＴ周期より若干周期の小さい電極指を配置すること
により波動の位相の連続性を維持し、所望するモードの
Ｑの低下を防ぐ。即ち、電極指周期ＬＴのＩＤＴ２、３
の間隔をｌａとする時、（ｍ＋１／４）ＬＴ＜ｌａ＜
（ｍ＋１）ＬＴを満たすように配置し、その間に電極指
周期ＬＳなるｍ本の電極指１３を、さらにＩＤＴの外側
に電極周期ＬＲの反射器４、５を設け、各々の電極周期
ＬＳ，ＬＴ及びＬＲの関係をＬＳ＜ＬＴ＜ＬＲとする。
この様にＩＤＴ間隔ｌａを上記した如く設定することに
より反対称モードの周波数ｆａは低周波側に移動し、２
つの周波数ｆｓ、ｆａの共振周波数の差ｄｆを拡大する
ことができる。さらに、ＬＴ＜ＬＲとすることにより共
振周波数ｆａは反射効率Γの平坦部を低周波側に偏移
し、編移後の周波数においても反射器の反射効率を高
め、高Ｑを実現できる。即ち、広帯域で低損失なフィル
タ特性を実現出来ることが知られている。
縦結合二重モードフィルタは、共振周波数ｆｓとｆａと
の差ｄｆを広げるため種々の工夫がなされている。図２
（ａ）と同様にＩＤＴ電極指、反射器及びミドルグレー
ティングを構成するが、異なる点は、ＩＤＴ電極、反射
器およびミドルグレーティングの周期を若干変えること
である。即ち、図３に示す如くＩＤＴ電極の周期をＬ
Ｔ、反射器の周期をＬＲ及びミドルグレーティングの周
期をＬＳとしその本数をｍ本とする。ＩＤＴ２、３間に
ＩＤＴ周期より若干周期の小さい電極指を配置すること
により波動の位相の連続性を維持し、所望するモードの
Ｑの低下を防ぐ。即ち、電極指周期ＬＴのＩＤＴ２、３
の間隔をｌａとする時、（ｍ＋１／４）ＬＴ＜ｌａ＜
（ｍ＋１）ＬＴを満たすように配置し、その間に電極指
周期ＬＳなるｍ本の電極指１３を、さらにＩＤＴの外側
に電極周期ＬＲの反射器４、５を設け、各々の電極周期
ＬＳ，ＬＴ及びＬＲの関係をＬＳ＜ＬＴ＜ＬＲとする。
この様にＩＤＴ間隔ｌａを上記した如く設定することに
より反対称モードの周波数ｆａは低周波側に移動し、２
つの周波数ｆｓ、ｆａの共振周波数の差ｄｆを拡大する
ことができる。さらに、ＬＴ＜ＬＲとすることにより共
振周波数ｆａは反射効率Γの平坦部を低周波側に偏移
し、編移後の周波数においても反射器の反射効率を高
め、高Ｑを実現できる。即ち、広帯域で低損失なフィル
タ特性を実現出来ることが知られている。
【００１２】図１（ａ）は本発明に係わるＩＤＴ励振縦
結合二重モードフィルタ（以下ＬＤＭＳフィルタと略記
する）の一実施例を示す電極パターンの模式図である。
表面研磨した圧電基板１の主面上に蒸着或いはスパッタ
などの手法によりＡｌあるいは銅を含んだＡｌなどの金
属膜を全面蒸着し、これをフォトエッチング技法等を用
いてＩＤＴ、反射器、リード配線などを同時に形成す
る。２個のＩＤＴ２ー２’、３ー３’を該ＩＤＴが励起
する波動の伝搬方向に近接配置し、これらＩＤＴ電極の
外側に反射器４、５を配置する。さらに２つのＩＤＴ
２、３よりリード電極６、７を引き出しこれらを入出力
端子とし、他のＩＤＴ２’、３’からの引き出しリード
電極は接地する。さらに接地したＩＤＴ２’より引き出
し線を出し、他の接地ＩＤＴ３’のリード部とを電極パ
ターン８で接続する。この場合、該電極パターンによっ
て連結するＩＤＴを接地側にすれば、この電極パターン
は高抵抗電極パターンにする必要はない。なお、接地電
流の重畳によるアイソレーションの劣化を防止するため
に、前記接続パターンは同図に示すようにミアンダライ
ンにするなどしてインダクティブにするが、必ずしもそ
の必要はなく、単一ラインにて接続してもよい。
結合二重モードフィルタ（以下ＬＤＭＳフィルタと略記
する）の一実施例を示す電極パターンの模式図である。
表面研磨した圧電基板１の主面上に蒸着或いはスパッタ
などの手法によりＡｌあるいは銅を含んだＡｌなどの金
属膜を全面蒸着し、これをフォトエッチング技法等を用
いてＩＤＴ、反射器、リード配線などを同時に形成す
る。２個のＩＤＴ２ー２’、３ー３’を該ＩＤＴが励起
する波動の伝搬方向に近接配置し、これらＩＤＴ電極の
外側に反射器４、５を配置する。さらに２つのＩＤＴ
２、３よりリード電極６、７を引き出しこれらを入出力
端子とし、他のＩＤＴ２’、３’からの引き出しリード
電極は接地する。さらに接地したＩＤＴ２’より引き出
し線を出し、他の接地ＩＤＴ３’のリード部とを電極パ
ターン８で接続する。この場合、該電極パターンによっ
て連結するＩＤＴを接地側にすれば、この電極パターン
は高抵抗電極パターンにする必要はない。なお、接地電
流の重畳によるアイソレーションの劣化を防止するため
に、前記接続パターンは同図に示すようにミアンダライ
ンにするなどしてインダクティブにするが、必ずしもそ
の必要はなく、単一ラインにて接続してもよい。
【００１３】図１（ｂ）は本発明の他の実施例を示す図
であって、図１（ａ）と同様にＩＤＴ２ー２’、ＩＤＴ
３ー３’、反射器４及び反射器５を配置するが、本実施
例の特徴は同符号の電極を接続することである。即ち、
接地したＩＤＴ２’とＩＤＴ３’とを電極パターン９に
よって接続し、焦電効果により発生する電荷を中和する
手法を用いる。また、反射器による電極指破損を防止す
るには、ＩＤＴ２’と反射器４をＩＤＴ３’と反射器５
とを図１（ｂ）に示す様にパターン１１で連結する。
であって、図１（ａ）と同様にＩＤＴ２ー２’、ＩＤＴ
３ー３’、反射器４及び反射器５を配置するが、本実施
例の特徴は同符号の電極を接続することである。即ち、
接地したＩＤＴ２’とＩＤＴ３’とを電極パターン９に
よって接続し、焦電効果により発生する電荷を中和する
手法を用いる。また、反射器による電極指破損を防止す
るには、ＩＤＴ２’と反射器４をＩＤＴ３’と反射器５
とを図１（ｂ）に示す様にパターン１１で連結する。
【００１４】図１（ｃ）はＬＤＭＳフィルタがミドルグ
レーティングを有する場合の本発明の実施例を示し、圧
電基板１の主面上にＩＤＴ電極２ー２’、ＩＤＴ３ー
３’、反射器４、５を構成する方法は図１（ａ）と同様
であり、異なる点はＩＤＴ電極２ー２’とＩＤＴ電極３
ー３’間にミドルグレーティング１０を配設することで
ある。実施例の特徴は、該ミドルグレーティングを一連
のミアンダラインとすることによって、焦電効果で発生
する電荷を効率よく中和することができる。また、焦電
現象による電極指破壊がＩＤＴと反射器間で発生する際
は、さらに反射器４とＩＤＴ２’及び反射器５とＩＤＴ
３’の接地側とを図１（ｃ）に示すように電極パターン
１１で連結する手法を用いる。
レーティングを有する場合の本発明の実施例を示し、圧
電基板１の主面上にＩＤＴ電極２ー２’、ＩＤＴ３ー
３’、反射器４、５を構成する方法は図１（ａ）と同様
であり、異なる点はＩＤＴ電極２ー２’とＩＤＴ電極３
ー３’間にミドルグレーティング１０を配設することで
ある。実施例の特徴は、該ミドルグレーティングを一連
のミアンダラインとすることによって、焦電効果で発生
する電荷を効率よく中和することができる。また、焦電
現象による電極指破壊がＩＤＴと反射器間で発生する際
は、さらに反射器４とＩＤＴ２’及び反射器５とＩＤＴ
３’の接地側とを図１（ｃ）に示すように電極パターン
１１で連結する手法を用いる。
【００１５】
【発明の効果】以上のように、本発明は２つのＩＤＴの
対向する電極指同志あるいは電極指が接続された引き出
し電極間を電極パターンにより連結し、２つのＩＤＴ電
極間で生じた静電気を中和し、電位差を生じないように
して電極指破壊を防止する。また静電気による導電性物
質の吸着によって引き起こされる電極間ショート不良も
防げる。一般的に高結合材料は焦電性も強く、近年の様
に、高周波化、高帯域化が進むなかで高結合材料が、結
合係数の小さい水晶に代わって多量に使われるようにな
ってきた。本発明は特に高結合圧電材料に優れた効果が
あり、本発明を用いることによって、ＩＤＴ励振デバイ
スの歩留まりは大幅に向上した。
対向する電極指同志あるいは電極指が接続された引き出
し電極間を電極パターンにより連結し、２つのＩＤＴ電
極間で生じた静電気を中和し、電位差を生じないように
して電極指破壊を防止する。また静電気による導電性物
質の吸着によって引き起こされる電極間ショート不良も
防げる。一般的に高結合材料は焦電性も強く、近年の様
に、高周波化、高帯域化が進むなかで高結合材料が、結
合係数の小さい水晶に代わって多量に使われるようにな
ってきた。本発明は特に高結合圧電材料に優れた効果が
あり、本発明を用いることによって、ＩＤＴ励振デバイ
スの歩留まりは大幅に向上した。
【００１６】
【図１】（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）は本発明の実施例の
模式図で、（ａ）はＩＤＴの引き出し部を電極パターン
で接続したデバイス。（ｂ）は両ＩＤＴの同符号電極指
を接続したデバイス。（ｃ）は両ＩＤＴ間にミドルグレ
ーティングを配設し、且つ、ミアンダラインとし一続き
としたもの。
模式図で、（ａ）はＩＤＴの引き出し部を電極パターン
で接続したデバイス。（ｂ）は両ＩＤＴの同符号電極指
を接続したデバイス。（ｃ）は両ＩＤＴ間にミドルグレ
ーティングを配設し、且つ、ミアンダラインとし一続き
としたもの。
【図２】（ａ）は従来型のＩＤＴ励振縦結合二重モード
フィルタの模式図。（ｂ）はミドルグレーティング、
（ｃ）は２つのＩＤＴ電極間の電極指の間隙ｄを説明す
る図。
フィルタの模式図。（ｂ）はミドルグレーティング、
（ｃ）は２つのＩＤＴ電極間の電極指の間隙ｄを説明す
る図。
【図３】本図は従来型の広帯域ＩＤＴ励振縦結合二重モ
ードフィルタの模式図。
ードフィルタの模式図。
１ 圧電基板 ２、２’、３、３’ ＩＤＴ電極指 ４、５ 反射器 ６、７ 入出力端子 ８ 電極パターン（ミアンダライン） ９ 接続パターン電極 １０ ミドルグレーティング １１ 接続電極パターン １２ シールド電極 １３ ミドルグレーティング 8
Claims (3)
- 【請求項１】 圧電基板の主面上に該基板上を伝搬する
波の伝搬方向に沿って直列に近接配置された多対のＩＤ
Ｔを２個以上有するＩＤＴ励振デバイスにおいて、２つ
のＩＤＴの対向する電極指間または該ＩＤＴの電極指に
接続された引き出し電極間を電極パターンで接続したこ
とを特徴とするＩＤＴ励振デバイス。 - 【請求項２】 前記ＩＤＴ励振デバイスが圧電基板の主
面上に２個のＩＤＴ電極を該電極が励起する波動の伝搬
方向に沿って直列に近接配置し、両ＩＤＴ電極の外側に
反射器を備えるように且つ、前記反射器間で生じる２つ
の励振モードを音響結合せしめるように構成した縦結合
多重モードＩＤＴ励振デバイスあることを特徴とする請
求項１記載のＩＤＴ励振デバイス。 - 【請求項３】 前記ＩＤＴ励振デバイスが圧電基板の主
面上に２個のＩＤＴ電極を該電極が励起する波動の伝搬
方向に沿って直列配置し、前記両ＩＤＴ間に複数本のミ
ドルグレーティングを、さらに前記両ＩＤＴの外側に反
射器を配設するＩＤＴ励振デバイスであって、前記両Ｉ
ＤＴ電極指周期をＬＴ、前記ミドルグレーティングの電
極指周期をＬＳ、前記反射器の電極指周期をＬＲ、前記
両ＩＤＴの間隔をｌａ、前記ミドルグレーティングの電
極指本数をｍとした場合、（ｍ＋１／４）ＬＴ＜ｌａ＜
（ｍ＋１）ＬＴで、ＬＳ＜ＬＴ＜ＬＲを満たすＩＤＴ励
振型縦結合二重モードフィルタであることを特徴とする
請求項１記載のＩＤＴ励振デバイス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20394795A JPH0936695A (ja) | 1995-07-18 | 1995-07-18 | Ｉｄｔ励振デバイス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20394795A JPH0936695A (ja) | 1995-07-18 | 1995-07-18 | Ｉｄｔ励振デバイス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0936695A true JPH0936695A (ja) | 1997-02-07 |
Family
ID=16482319
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20394795A Pending JPH0936695A (ja) | 1995-07-18 | 1995-07-18 | Ｉｄｔ励振デバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0936695A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1341304A2 (en) * | 2002-02-28 | 2003-09-03 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave filter |
| JP2009500928A (ja) * | 2005-07-08 | 2009-01-08 | エプコス アクチエンゲゼルシャフト | 改善された隣接チャネル抑圧を有するｈｆフィルタ |
-
1995
- 1995-07-18 JP JP20394795A patent/JPH0936695A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1341304A2 (en) * | 2002-02-28 | 2003-09-03 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave filter |
| EP1341304A3 (en) * | 2002-02-28 | 2010-02-24 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave filter |
| JP2009500928A (ja) * | 2005-07-08 | 2009-01-08 | エプコス アクチエンゲゼルシャフト | 改善された隣接チャネル抑圧を有するｈｆフィルタ |
| US8179211B2 (en) | 2005-07-08 | 2012-05-15 | Epcos Ag | RF-filter with improved adjacent channel suppression |
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