KR101267425B1 - 라인 빔과 같이 성형된 레이저와 기판 상에 증착된 필름사이에 인터액션을 구현하기 위한 시스템 및 방법 - Google Patents

라인 빔과 같이 성형된 레이저와 기판 상에 증착된 필름사이에 인터액션을 구현하기 위한 시스템 및 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101267425B1
KR101267425B1 KR1020077028901A KR20077028901A KR101267425B1 KR 101267425 B1 KR101267425 B1 KR 101267425B1 KR 1020077028901 A KR1020077028901 A KR 1020077028901A KR 20077028901 A KR20077028901 A KR 20077028901A KR 101267425 B1 KR101267425 B1 KR 101267425B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
film
axis
light source
interacting
laser
Prior art date
Application number
KR1020077028901A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20080021653A (ko
Inventor
팔라시 피. 다스
토마스 호프만
리차드 엘. 샌드스트롬
오토 보우키
에른스트 스텀프
베르톨트 매츠코비츠
미카엘 호엘
요르그 발터
쿠르트 브레너
귄터 그루프
Original Assignee
칼 짜이스 인두스트리엘레 메스테크니크 게엠베하
사이머 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 칼 짜이스 인두스트리엘레 메스테크니크 게엠베하, 사이머 인코포레이티드 filed Critical 칼 짜이스 인두스트리엘레 메스테크니크 게엠베하
Publication of KR20080021653A publication Critical patent/KR20080021653A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101267425B1 publication Critical patent/KR101267425B1/ko

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/03—Observing, e.g. monitoring, the workpiece
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/0006—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring taking account of the properties of the material involved
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/03—Observing, e.g. monitoring, the workpiece
    • B23K26/032—Observing, e.g. monitoring, the workpiece using optical means
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/04—Automatically aligning, aiming or focusing the laser beam, e.g. using the back-scattered light
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/04—Automatically aligning, aiming or focusing the laser beam, e.g. using the back-scattered light
    • B23K26/042—Automatically aligning the laser beam
    • B23K26/043—Automatically aligning the laser beam along the beam path, i.e. alignment of laser beam axis relative to laser beam apparatus
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/062—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam
    • B23K26/0622—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam by shaping pulses
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/0665—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by beam condensation on the workpiece, e.g. for focusing
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/073—Shaping the laser spot
    • B23K26/0738—Shaping the laser spot into a linear shape
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/08—Devices involving relative movement between laser beam and workpiece
    • B23K26/083—Devices involving movement of the workpiece in at least one axial direction
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/352—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring for surface treatment
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K37/00—Auxiliary devices or processes, not specially adapted to a procedure covered by only one of the preceding main groups
    • B23K37/04—Auxiliary devices or processes, not specially adapted to a procedure covered by only one of the preceding main groups for holding or positioning work
    • B23K37/0408—Auxiliary devices or processes, not specially adapted to a procedure covered by only one of the preceding main groups for holding or positioning work for planar work
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K37/00—Auxiliary devices or processes, not specially adapted to a procedure covered by only one of the preceding main groups
    • B23K37/04—Auxiliary devices or processes, not specially adapted to a procedure covered by only one of the preceding main groups for holding or positioning work
    • B23K37/047—Auxiliary devices or processes, not specially adapted to a procedure covered by only one of the preceding main groups for holding or positioning work moving work to adjust its position between soldering, welding or cutting steps
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
    • C30B13/16—Heating of the molten zone
    • C30B13/22—Heating of the molten zone by irradiation or electric discharge
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/02—Elements
    • C30B29/06—Silicon
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B21/00—Measuring arrangements or details thereof, where the measuring technique is not covered by the other groups of this subclass, unspecified or not relevant
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70383—Direct write, i.e. pattern is written directly without the use of a mask by one or multiple beams
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
    • G03F7/70583—Speckle reduction, e.g. coherence control or amplitude/wavefront splitting
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2101/00—Articles made by soldering, welding or cutting
    • B23K2101/18—Sheet panels
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2101/00—Articles made by soldering, welding or cutting
    • B23K2101/36—Electric or electronic devices
    • B23K2101/38—Conductors
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/50—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26
    • B23K2103/56—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26 semiconducting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H01L27/1296—Multistep manufacturing methods adapted to increase the uniformity of device parameters

Abstract

포커싱된 빔이 단축 및 장축을 형성하고 있는 기판 상에 증착된 필름과 익터액션하기 위해 빔을 포커싱하는 시스템 및 방법이 개시된다. 한 형태에서, 본 시스템은 빔이 필름에서 단축에 포커싱되었는지 판정하기 위해 이미지 평면 상의 필름으로부터 반사된 빛을 분석하기 위한 검출 시스템을 포함할 수 있다. 또 다른 형태에서, 성형 라인 빔과 인터액션하기 위해 (불완전하고, 평평하지 않은 표면을 가진) 필름을 포지셔닝하기 위한 시스템이 제공된다.
단축, 장축, 성형 빔, 필름, 베이스 부재, 테이블, 센서 유닛, 선형 핏, 프로세서.

Description

라인 빔과 같이 성형된 레이저와 기판 상에 증착된 필름 사이에 인터액션을 구현하기 위한 시스템 및 방법{SYSTEMS AND METHODS FOR IMPLEMENTING AN INTERACTION BETWEEN A LASER SHAPED AS A LINE BEAM AND A FILM DEPOSITED ON A SUBSTRATE}
본 발명은 2005년 5월 26일에 출원된, "SYSTEMS AND METHODS FOR IMPLEMENTING AN INTERACTION BETWEEN A LASER SHAPED AS LINE BEAM AND A FILM DEPOSITED ON A SUBSTRATE"이란 제목의 미국특허 출원번호 11/138,175의 우선권을 주장하고, 2004년 2월 18일에 출원된, "VERY HIGH ENERGY, HIGH STABILITY GAS DISCHARGE LASER SURFACE TREATMENT SYSTEM"이란 제목의 동시 계류중인 미국특허 출원번호 10/781,251의 일부 계속 출원이다.
또한, 본 발명은 2003년 4월 29일에 출원된, "LITHOGRAPHY LASER WITH BEAM DELIVERY AND BEAM POINTING CONTROL"이란 제목의 미국특허 출원번호 10/425,361의 일부 계속 출원이다.
본 발명은 박막 트랜지스터(TFT's) 제조 목적의 필름 결정화를 위한, 예컨대, 비결정질 실리콘 필름 용해를 위한, 예컨대, 성형된 라인 빔의 파라미터를 컨트롤하고, 라인 빔과 같이 성형된 레이저와 인터액션하기 위해 필름을 포지셔닝하는 방법 및 시스템에 관한 것이다.
기판, 예컨대, 글라스에 증착된 비결정질 실리콘 필름의 레이저 결정화는 비교적 높은 전자 이동도를 가진 재료 필름의 제조를 위한 대표적인 유망한 기술이다. 결정화된 후, 이 재료들은 박막 트랜지스터(TFT's)를 제조하기 위해 사용될 수 있고, 하나의 특정 어플리케이션에서 TFT's는 비교적 큰 액정 디스플레이(LCD')에 사용하기 적합하다. 결정화된 실리콘 필름의 다른 어플리케이션은 유기 LED(OLED) 및 SOP(System on a Panel)를 포함한다. 보다 상세하게 말하자면, 약 90nm의 두께, 약 700mm 이상의 폭을 가진 필름을 빠르게 결정화할 수 있는 높은 볼륨의 생산 시스템이 가까운 미래에 상업적으로 사용가능할 것이다. 이러한 프로세스는, 예컨대, 제1축, 예컨대, 단축으로 포커싱되고, 제2축, 예컨대 장축으로 뻗은 레이저와 같은 라인 빔으로 광학적으로 성형된 펄스 레이저를 사용하여 실행될 수 있다. 전형적으로 제1 및 제2축은 서로 직교하고, 두 축은 필름을 향해 진행하는 중앙 레이와 실질적으로 직교한다. 레이저 결정화를 위한 예시적인 라인 빔은 약 700mm의 빔 길이 및 약 20마이크로미터 이하의 빔 폭을 가질 수 있다. 이러한 배열과 함께, 필름은, 예컨대, 700mm이상의 실질적인 길이를 가진 필름을 순차적으로 용해하고 결정화시키기 위해 빔 폭과 평행한 방향으로 스캐닝되고 스테핑될 수 있다.
몇몇 경우에, 용해 동안 실리콘 필름의 각 부분이 미리 선택된 에너지 밀도 범위 내로 컨트롤된 레이저 에너지 밀도에 노출됨을 보장하는 것이 바람직할 수 있다. 특히, 전형적으로 성형 라인 빔을 따른 위치를 대하여 미리 선택된 범위 내로 에너지 밀도를 컨트롤하는 것이 바람직하고, 라인 빔이 실리콘 필름에 대하여 스캐닝될 때, 어느 정도 일정한 에너지 밀도인 것이 바람직하다. 높은 에너지 밀도 레벨은 필름을 흘러내리게 하여, 바람직하지 않은 "얇은 스팟", 평평하지 못한 표면 프로파일, 및 나쁜 조직 퀄리티를 야기할 수 있다. 이러한 필름 재료의 균일하지 않은 분포는 종종 "애그로머레이션(agglomeration)"이라 하고, 특정 어플리케이션에 대하여 결정화된 필름이 적합하지 않게 할 수 있다. 한편, 낮은 에너지 밀도 레벨은 불완전한 용해를 일으킬 수 있고, 나쁜 조직 퀄리티를 야기한다. 에너지 밀도를 컨트롤함으로써, 실질적으로 균일한 특성을 가진 필름이 달성될 수 있다.
노출된 필름 내의 에너지 밀도에 영향을 줄 수 있는 한 요소는 펄스 레이저의 DOF(초점심도)에 관한 박막 필름의 공간적 관계이다. 이러한 DOF는 포커싱 렌즈에 의존하지만, 20마이크로미터의 빔 폭을 가진 라인 빔을 산출하도록 구성된 전형적인 렌즈 시스템에 대하여, 좋은 어림값의 DOF는 약 20마이크로미터일 수 있다.
상술한 내용을 고려하여, 레이저의 DOF에 완전히 속하는 실리콘 필름 부분은 레이저의 DOF 내에 부분적으로만 속하는 실리콘 필름 부분과 상이한 에너지 밀도를 경험할 것임을 이해해야 한다. 그러므로, 실리콘 필름, 유리 기판, 및 유리 기판을 홀딩하는 진공 정크 표면의 표면 편차는 수 마이크로미터만큼 작은 편차 조차도, 고려하지 않는다면, 한 필름 위치와 다른 필름 위치 사이의 원치않은 에너지 밀도 편차를 일으킬 수 있다. 또한, 컨트롤된 제조 조건하에서도, 전체 표면 편차(즉, 진공 정크 + 유리 기판 + 필름)는 약 35마이크로미터일 수 있다. 이러한 표면 편차는 단지 약 20마이크로미터의 DOF를 가진 포커싱된 가는 빔에 대한 본질 적인 문제일 수 있음을 이해해야 한다.
표면 편차와 더불어, 성형 라인 빔에 대한 필름의 원치않은 이동이 에너지 밀도의 편차를 일으킬 수 있다. 예를 들어, 작은 이동이 스테이지 진동 동안에 발생할 수 있다. 또한, 성형 빔에 대한 스테이지의 부적합한 배열 및/또는 스캔 평면에 대한 스테이지의 부적합한 배열은 원치않은 에너지 밀도 편차를 야기할 수 있다.
한 필름과 다른 필름 사이의 에너지 밀도 편차를 일으키는 다른 요소는 스캔 동안의 레이저 출력 특성(예컨대, 펄스 에너지, 빔 포인팅, 빔 퍼짐, 파장, 대역폭, 펄스 기간 등)의 변동을 포함할 수 있다. 부가적으로, 스캔 동안의 성형 라인 빔의 위치 및 안정도, 및 빔 초점의 퀄리티는 에너지 밀도 일정도에 영향을 줄 수 있다.
상기 내용을 고려하여, 본 출원인은 성형 라인 빔과 기판 상에 증착된 필름 사이에 인터액션을 구현하기 위한 몇 가지 시스템 및 방법을 개시한다.
필름과 단축 및 장축을 형성하는 성형 빔을 인터액션하기 위한 시스템 및 방법이 개시된다. 본 발명의 실시예의 한 형태에서, 본 시스템은 빔이 단축 및 장축에 포커싱되었는지를 판정하기 위해 빔이 필름에서 반사되고 이미지 평면에 도달한 후, 성형 빔의 광을 분석하기 위한 검출 시스템을 포함한다.
본 발명의 실시예의 다른 형태에서, 라인 빔 축을 형성하는 성형 빔과 인터액션하기 위해 (불완전하고 비평탄 표면을 가진) 필름을 포지셔닝하는 시스템 및 방법이 제공된다. 본 시스템은 기준 평면을 형성하는 베이스 부재; 필름을 홀딩하기 위한 실질적으로 평평한 표면을 가진 테이블; 상기 기준 평면에 대한 작업 표면상의 적어도 3개의 점의 위치를 측정하기 위한 센서 유닛(3개의 점은 상기 평평한 테이블 표면과 실질적으로 직교하는 방향인 평면에 놓여 있다); 선형 핏 축에 의해 특성화된 이 3개의 점에 대한 선형 핏을 계산하기 위한 프로세서; 및 상기 계산된 선형 핏이 상기 라인 빔 축과 실질적으로 평행한 배열로 상기 테이블을 이동시키고 상기 테이블 표면 방향을 재조정하도록 상기 테이블 상에서 운전가능한 서브 시스템을 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예의 한 특정한 형태에서, 라인 빔 축을 형성하는 성형 빔과 인터액션하기 위해 필름을 포지셔닝하는 시스템 및 방법이 제공된다. 본 시스템은 필름을 홀딩하기 위한 평평한 테이블 표면을 가진 테이블; 광학 센서; 기준 평면(기준 평면은 제1축과 실질적으로 평행이다)에 대해 평평한 테이블 표면의 방향을 결정하도록 (센서에 대하여) 제1축을 따라 테이블을 이동시키기 위해 테이블에 연결된 스테이지; 테이블이 상기 기준 평면과 실질적으로 평행한 배열로 테이블을 이동시키고 상기 테이블 표면 방향을 재조정하기 위한 상기 테이블 상에서 운전가능한 서브 시스템; 및 라인 빔 축상의 복수의 위치를 측정하기 위한 초점 검출기를 포함하고, 이 검출기는 테이블 표면이 라인 빔 축과 실질적으로 평행인 배열로 테이블을 이동시키고 테이블 표면 방향을 재조정하기 위한 서브 시스템에 의해 사용되기 위해 각각의 측정된 위치를 나타내는 출력을 제공하기 위한 것이다.
도 1은 비결정질 실리콘 필름을 결정화하기 위한 예시적인 생산 시스템의 주요 컴포넌트의 개략적인 도면을 도시하고;
도 2는 라인 빔이 기판에 증착된 필름에 포커싱되었는지를 판정하기 위한 장치를 도시하고;
도 3A는 샘플링된 평면에서 최선의 초점을 가진 제1빔, 샘플링된 평면으로부터 10마이크로미터에 최선의 초점을 가진 제2빔, 및 샘플링된 평면으로부터 15마이크로미터에 최선의 초점을 가진 제3빔인 3개의 예시적인 빔에 대한 단축 빔 폭의 함수로써, 강도 편차의 도표를 도시하고;
도 3B는 측면 성장 길이의 함수로써 에너지 밀도를 도시하는 도면이고, 부분적인 용해 및 애그로머레이션이 발생할 수 있는 영역을 나타내고;
도 4는 라인 빔과의 인터액션 동안 워크피스를 홀딩하기 위한 진공 정크 어셈블리의 투시도를 도시하고;
도 5A-5Q는 시스템을 도시하고, 라인 빔과 인터액션하기 위해 실리콘 필름을 포지셔닝하기 위한 그 사용을 설명하는 개략적인 평면도이고;
도 6은 본 발명의 실시예의 형태를 도시하는, 도 1에 도시된 시스템의 일부분의 개략적인 도면을 도시하고;
도 7은 6-미러 펄스 스트레처의 상세도를 도시하고;
도 8은 스트레치된 펄스 및 스트레치되지 않은 펄스에 대한 강도 대 시간의 플롯을 도시하고;
도 9는 스트레칭되지 않은 펄스와 비교하여, 스트레칭된 펄스의 수직 일정도 의 증가를 보여주는 강도 대 수직 폭의 플롯을 도시하고;
도 10은 두 축에 독립적으로 조절가능한 액티브 컨트롤가능한 빔 확장기를 도시한다.
처음으로 도 1을 참조하면, 비결정질 실리콘 필름(12)을 결정화시키기 위한, 일반적으로 시스템(10)으로 지정된 예시적인 생산 시스템의 주요 컴포넌트의 개략적인 비축척 도면이 도시되어 있다. 도시된 바와 같이, 시스템(10)은 펄스 레이저 빔을 생성하기 위한 레이저 소스(20), 펄스 존속시간을 증가시키기 위한 펄스 스트레처(22), 및 빔 및/또는 빔 확장기를 액티브하게 스티어링(steer)하기 위한 메카니즘을 포함할 수 있는 빔 전달 유닛(24)을 포함할 수 있다. 시스템(10)은 하나 이상의 빔 특성, 예컨대, 파면 및/또는 빔 포인팅을 측정하고, 액티브 스티어링 유닛 및/또는 액티브 빔 확장기에 의해 사용되기 위한 컨트롤 신호를 생성하기 위한 안정도 측정 모듈(26)을 더 포함할 수 있다. 시스템(10)은 또한 빔 균일도(homogenization), 빔 모양, 및/또는 빔 포커싱을 위한 광학 모듈(28), 및 예컨대, 유리일 수 있는 기판(32)상에 증착된 실리콘 필름(12)을 홀딩하고 포지셔닝하기 위한 이동가능한 스테이지 시스템(30)을 포함할 수 있다.
개략적으로, 도 1에 도시된, 그리고 아래에 보다 상세하게 설명된 시스템(10)은 약 20마이크로미터 이하의 필름(12) 두께(단축), 700nm이상의 길이(장축), 및 약 10-20마이크로미터의 초점심도(DOF)를 가진, 포커싱된 가는 빔(34), 예컨대 라인 빔을 발생시키도록 구성될 수 있다. 포커싱된 가는 빔의 각각의 펄스는 비결정질 실리콘의 스트립을 용해시키기 위해 사용될 수 있다. 그 후, 그 스트립은 결정화된다. 특히, 스트립은 그레인(grain)이 단축과 평행한 방향으로 자라는 측 성장 프로세스에서 결정화된다. 그레인은 에지로부터 내측으로 (단축에 평행하게) 성장하고, 실리콘 필름의 평면 밖으로 뻗은 스트립의 중심을 따라 릿지(소위 그레인 경계 돌출부)를 생성한다. 제1스트립의 일부분을 오버랩하고 제1스트립과 평행한 제2스트립을 노출시키기 위해, 점차적으로 또는 연속적으로 그 스테이지가 이동된다. 노출 동안, 제2스트립은 용해되고, 그 다음 재결정화된다. 릿지를 재용해하기 충분한 오버랩이 사용될 수 있다. 릿지를 재용해함으로써, (예컨대, 피크-투-피크 값이 ~15nm인) 평평한 필름 표면이 유지될 수 있다. 본 명세서에서 tb-SLS(thin-beam, sequential lateral solidification)라 불리는 이러한 프로세스는 전형적으로 전체 필름이 결정화될 때까지 반복된다.
도 2는 가는 빔 펄스 레이저(34)가 기판(32)상에 증착된 실리콘 필름(12)에 적절하게 포커싱되었는지를 판정하기 위한 장치를 도시한다. 광학 모듈(28)의 일부분은 단축 필드 스탑(35), 및 단축 포커싱 광학부재(37)를 포함할 수 있다. 전형적으로, 빔은 필드 스탑(36)에서 처음 포커싱되고, 그 다음 필름(12)에서 도 3A(플롯 62)에 도시된 바와 같은 강도 프로파일을 산출하기 위해 이미징된다. 도 3A는 단축에 작은 치수를 가진 슬릿으로 구성된 필드 스탑(36)에 대한 프로파일(플롯 62)을 도시한다. 이러한 배열은 약 13μm의 빔 폭(FWHM), 프로파일의 플랫 탑을 따라 5%보다 좋은 강도 일정도, 및 풀 강도의 10%와 90% 사이의 약 3um 미만일 수 있는 스팁 에지 슬로프를 가진, 도 3A에 도시된 프로파일을 산출하기 위해 사용 된다. 또한, 약 5 내지 10μm의 폭을 가진 빔이 사용될 수 있다. 단일-에지(즉, 칼날)가 리딩 에지는 영향을 받지 않게 남겨둔 채, 가파른 트레일링 에지 슬로프(즉, tb-SLS 프로세스 동안 재용해되지 않는 재료에 대응하는 에지)를 가진 빔 프로파일을 산출하기 위해 필드 스탑에 슬릿을 만들기 위해 사용될 수 있다. 단일 렌즈가 도시되어 있으나, 포커싱 광학부재(37)는 다양한 타입의 렌즈를 포함하지만 이에 제한되지 않는 복수의 광학 컴포넌트를 포함할 수 있음을 이해해야 한다.
도 2는 빔(36)이 조준되지 않고, 필드 스탑(36)에서부터 장축(38)의 필름(12)으로 퍼져나감을 도시한다. 상술한 바와 같이, 장축(38)에서 빔(36)의 길이는 약 700nm 이상일 수 있다. 한편, 도 1에 도시된 바와 같이, 빔(36)은 포커싱 광학부재(38)를 포함할 수 있는 광학 모듈(28)에 의해 단축(40)에 포커싱된다. 이러한 구조의 배열과 함께, 필름(12)으로부터 반사된 광(42)은 광학 축(44)으로부터 계속해서 퍼져나가고, 빔(36)이 단축(40)에 적합하게 포커싱되었는지 판정하기 위한 검출 시스템에 의해 분석될 수 있다(도 1 참조).
도 2를 계속 참조하면, 검출 시스템은 반사된 광(42)을 이미지 평면(48)으로 다이렉팅하는 완전 반사 미러(46)를 포함할 수 있다. 확대 렌즈(50)는 카메라(52)에 이미지 평면(48)의 확대된 이미지를 제공하기 위해 배치된다. 탐지시스템에 대하여, 이미지 평면(48)은 필름(12)에서부터 이미지 평면(48)까지 반사된 광(42)이 여행한 거리가 단축 필드 스탑(36)에서부터 필름까지 동일한 광이 진행한 거리와 대략적으로 동일하도록(예컨대, 관련 업계에서 허용할 수 있는 오차 내에서 동일하도록) 위치된다. 그 다음, 카메라 출력은 아래에 보다 상세하게 설명된 바와 같 이, 필름(12)에서의 초점을 개선하거나, 필름(12)에서의 에너지 밀도를 변경하기 위한 하나 이상의 시스템 변수를 조절하기 위해 사용될 수 있다. 예를 들어, 스테이지(30)는 초점을 조절하기 위해 포커싱 광학부재(37)에 대하여 이동될 수 있다.
몇몇 경우에, 도 2에 도시된 바와 같이, 미러(54), 확대 렌즈(56), 및 카메라(58)를 가진, 상술한 검출 시스템과 유사한, 제2검출 시스템을 포함하는 것이 바람직할 수 있다. 이러한 조합에서, 이 두 개의 검출 시스템은 광이 장축(44) 내 빔의 양끝에서 (단축에서) 포커싱되었는지 동시에 판정하기 위해 사용될 수 있다. 도 2에 도시된 검출 시스템에 대한 주목할만한 한 기능적 형태는 검출 시스템, 및 특히 미러(46, 54)가 단축 필드 스탑(36)에서부터 기판(12)까지 진행하는 광을 방해하지 않도록 위치된다는 점이다. 또한, 이러한 배열은 가는 빔의 초점이 필름(12)의 노출 동안 분석되고 조절될 수 있게 한다.
도 3A는 포커싱된 빔(플롯 62), 10마이크로미터 초점이 어긋난 빔(플롯 64), 및 15마이크로미터 초점이 어긋난 빔(플롯 66)에 대한 단축 빔 폭의 함수로써 강도 변화를 보여주는 도표를 도시한다. 참고로 도시된 플롯은 대략 0.15의 개구수(NA)를 가진 포커싱 렌즈에 대한 것이다. 이들 플롯의 흥미로운 피처는 모든 플롯(62, 64, 66)이 비교적 가파른 측벽을 가진다는 점이다. 이러한 가파른 측벽은 단축 필드 스탑(36)이 사용된 도 2에 도시된 광학 배열의 결과이다. 이와 같이, 도 3A는 빔의 초점이 어긋났을 때 빔 강도의 변화가 빔 폭 내에서의 대응 변화보다 더 두드러짐을 도시한다. 본 명세서의 배경기술 부분에 이미 서술한 바와 같이, 필름(12)에서 소정의 범위 내로 에너지 강도를 유지하는 것이 바람직할 수 있다. 더욱 상 세하게는, 필름(12)에서의 에너지 밀도 컨트롤은 레이저 펄스의 특성, 예컨대, 펄스 에너지가 빔 폭 내에서 작은 변동으로만 변하게 함으로써 초점 조건의 범위에 걸쳐 달성될 수 있다.
상술한 내용을 고려하여, 출원인은, 예컨대, 초점 조건의 변화를 보상하기 위해 펄스 특성을 바꿈으로써, 필름(12)에서 소정의 범위 내로 에너지 밀도를 유지하는 시스템 및 방법을 개시한다. 이러한 초점 조건의 변화는, 예컨대, 레이저 빔에 대하여 스테이지(30)의 스캔 이동 중에 발생할 수 있다. 더욱 상세하게는, 약간 초점이 어긋난 빔(예컨대, 플롯 66)과 함께 획득된 에너지 밀도는 타겟 에너지 밀도로 선택될 수 있다. 이러한 타겟과 함께, 예컨대, 도 2에 도시된 검출 시스템을 사용하여 초점 조건이 측정된다. 초점 조건을 판정하기 위한 대안의 방법이 자동초점조절 센서, 또는 필름(12) 및 포커싱 광학부재(37) 사이의 거리를 측정할 수 있는 다른 적합한 기술을 포함하기 위해 사용될 수 있음을 이해해야 한다(도 2 참조). 초점 조건이 측정된 후, 펄스 에너지와 같은 펄스 특성이 타겟팅된 에너지 밀도에 도달하기 위해 변경될 수 있다. 그러므로, 그 측정이 초점이 어긋난 조건이 존재하는 것을 나타내면, 그 초점이 어긋난 조건에 대한 타겟 에너지 밀도에 대응하는 제1펄스 에너지(E1)가 사용된다. 한편, 그 측정이 필름(12)이 DOF 내에 있는 것을 나타내면, 초점 조건에 대한 타겟 에너지 밀도에 대응하는 제2펄스 에너지(E2)가 사용되고, E1<E2이다.
도 3B는 50nm 두께의 Si 필름에 대한 측 성장 길이의 함수로써, 에너지 밀도를 보여주는 도표를 도시하고, 부분적인 용해 및 애그로머레이션이 발생할 수 있는 영역을 나타낸다. 또한, 도 3은 측 성장을 위한 에너지 범위가 에너지 밀도와 비례적으로 증가하는 측 성장 길이와 함께, 매우 넓을(대략 450mJ/㎠ 및 820mJ/㎠) 수 있음을 도시한다. 그 다음, 더 큰 측 성장 길이는 센터 릿지를 재용해하면서도, 더 큰 스캔 피치가 가능한 장점이 있다.
몇 가지 방법이 몇몇 경우에 펄스-투-펄스 기준으로, 원할 때, 펄스 에너지를 조절하기 위해 사용될 수 있다. 예를 들어, 엑시머 레이저 소스에 대하여, 방전 전압은 소정의 펄스 에너지를 달성하기 위해 변경될 수 있다. 대안으로써, 조절가능한 감쇄기가 선택적으로 펄스 에너지를 변경하기 위해 레이저 빔의 빔 경로를 따라 위치될 수 있다. 이러한 목적을 위해, 제한하지 않는 예로서, 필터 및 펄스 트리머를 포함하는, 펄스 에너지를 감소시키기 위한 당업계에 주지된 임의의 디바이스가 사용될 수 있다. 필름(12)의 상이한 위치에서 미리 선택된 범위 내로 에너지 밀도를 유지하도록 초점 조건을 보상하기 위해 변경될 수 있는 다른 펄스 특성은 , 예컨대, 조절가능한 라인 내로우잉 모듈 또는 라인 선택 모듈을 사용하는 펄스 스트림(즉, 파장)을 포함하지만, 이에 필수적으로 제한되지는 않는다. 대안으로써, 고속 초점 컨트롤이 가능한 적응성 광학부재가 컨트롤된 피드백 루프에서 측정된 초점 조건에 응답적인 포커싱 광학부재(37)로서 사용될 수 있다.
도 4 및 5A-Q는 레이저 소스로부터 포커싱된 라인 빔과의 인터액션을 위해 필름(12)을 포지셔닝하기 위한 시스템 및 그 대응 사용 방법을 도시한다. 도 4에 도시된 바와 같이, 예시적인 포지셔닝 배열은 이동가능한 웨지 어셈블리를 포함할 수 있는, 소위 ZRP 테이블(102)(도 5A 참조)의 통합된 부분으로써 형성되거나 그 위에 위치하는, 실질적으로 평평한, 예컨대, 관련 업계의 제조 오차 내로 평평한 표면(101)(도 5A에도 도시되어 있다)을 가진 진공 정크(100)를 포함할 수 있다.
도 4 및 5A를 교차 참조하여 가장 잘 알 수 있는 바와 같이, ZPR 테이블(102)은 진공 정크(100)를 Z방향으로 앞뒤로, 정크(100)가 X축에 대하여 회전되는 피치 방향, 정크(100)가 Y축에 대하여 회전되는 롤 방향으로 독립적으로 이동시킬 수 있는 기능을 가질 수 있다. 도 5A는 또한 이 시스템이 진공 정크(100)를 X방향으로 앞뒤로 이동시키기 위한 X-스테이지(104) 및 진공 정크(100)를 Y방향으로 앞뒤로 이동시키기 위한 Y-스테이지(106)를 포함할 수 있음을 개략적으로 도시한다. 전형적으로 예시적인 셋업에서, X, Y, 및 Z는 3개의 서로 직교하는 축이다. 도시된 바와 같이, 두 스테이지(104, 106)는 실질적으로 평평한(예컨대, 관련 업계의 제조 오차 내로 평평한) 기준 표면(110)을 형성하는 안정적인 기준 블록(108), 예컨대, 화강암 블록에 대하여 이동가능할 수 있다. 전형적으로, 에어 베어링이 스테이지(104, 106) 및 화강암 블록(108) 사이에 채용될 수 있다.
도 5B에서 가장 잘 볼 수 있는 바와 같이, 본 시스템은 도시된 실시예에 대하여, 오버헤드 하우징(114)을 통해 화강암 블록(108)에 대하여 고정적으로 설치된 3개의 자동초점 센서(112a-c), 예컨대, 능동형 또는 수동형 자동초점 센서인 복수의 광학 센서를 포함할 수 있다. 도시된 바와 같이, 3개의 자동초점 센서(112a-c)는 X축을 따라 공간적으로 떨어져 있다. 전형적으로, 이 센서들은 X축 상에 또는 X축과 평행한 라인을 따라 위치될 수 있다. 또한, 도시된 바와 같이, 각각의 자동초점 센서(112a-c)는 각각의 자동초점 센서(112a-c)와 표면(101) 사이, Y축과 평행 한, 거리(116)와 같은, 거리를 측정하기 위한 방향이다. 그 다음, 이것은 표면(101)과 기준 평면(110) 사이의, Y축과 평행한, 거리를 제공한다. 3개의 광학 센서가 도시되어 있으나, 아래에 상술하게 서술된 모든 또는 일부의 기능적 형태를 수행하기 위해 3개 보다 많은 광학 센서가 사용될 수 있고, 하나의 광학 센서가 채용될 수도 있음을 이해해야 한다.
도 5B-5E는 시스템이 표면(101)과 기준 평면(110) 사이의, 회전각(α)을 어떻게 판정할 수 있는지 도시한다. 더욱 상세하게는, 도 5B에서 시작하면, 제1측정(거리(116))이 X축을 따라 제1위치에 테이블(102)을 가진 표면(101)과 자동초점 센서(112A) 사이에 이루어질 수 있음을 볼 수 있다. 그 다음으로, 도 5C에 도시된 바와 같이, 테이블(102)은 X축을 따라 제2위치에 테이블을 위치시키기 위해 X-스테이지을 움직임으로써 X축을 따라 이동한다. 이 제2위치에서, 제2거리측정이 자동초점 센서(112A)와 표면(101) 사이에서 이루어진다. 두 측정이 충분하지만, 도 4D는 시스템이 X축을 따라 제3위치에서 테이블과 함께 제3측정을 수행할 수 있음을 도시한다. 그 다음 이러한 측정은 도 5E에 도시된 바와 같은, 표면(101)과 기준 평면(110) 사이의 회전각(α)을 판정하기 위한 알고리즘에서 프로세싱될 수 있다. 참고로, (도시되지 않은) 유사한 프로시저가 기준 평면에 대하여 표면(101)의 기울어진 각도를 판정하기 위해 Y-축을 따라 테이블(102)을 이동시킴으로써 수행될 수 있다.
회전각(α)(및 원한다면, 기울어진 각)이 판정되고 난 후, 도 5F에 도시된 바와 같이, ZRP 테이블(102)은 기준 평면(110)과 실질적으로 평행하게 될 때까지 표면(101)을 이동시키도록 선택적으로 활성화된다. 이러한 포인트에서, 스테이지 좌표 시스템이 수립될 수 있다. 또한, 도 5G에 도시된 바와 같이, 3개의 자동초점 센서(112a-c)는 측정 범위에 걸쳐 표면(101)까지의 거리 및 선형성에 대해 캘리브레이션 될 수 있다. 이러한 캘리브레이션과 함께, 표면(101)은 미래의 측정에 대한 기준(예컨대, 자동초점 기준 평면)으로써 사용될 수 있다.
본 시스템의 한 실시예에서, 레이저의 포커싱된 라인 빔의 공간적 위치 및 방향이 판정될 수 있다. 실질적인 선형 빔 축(118)에 의해 특징화될 수 있는 예시적인 포커싱된 빔은 도 5H에 점선으로 도시되어 있다. 도시된 시스템에 대하여, 펄스 레이저 광은 오버헤드 하우징(114)의 위쪽 및 앞쪽에서부터 빔 축(118)에 도달한다. 또한, ZRP 테이블(102)의 일부는 테이블(102)의 표면(101)의 일부분이 펄스 레이저에 노출될 수 있도록, 오버헤드 하우징(114)으로부터 Y-축을 따라 바깥쪽으로 뻗어 있다.
도 5H에 도시된 바와 같이, 본 시스템은, 도시된 실시예에서, 복수의 가는 빔 초점 위치(예컨대, 최선의 초점 위치)에 대한 위치를 측정하기 위한, 라인 빔 카메라(120)일 수 있는 탐지기를 포함할 수 있다. 더욱 상세하게, 도시된 바와 같이, 라인 빔 카메라(120)가 라인 ZRP 테이블(102)에 설치될 수 있고, 따라서, 그 테이블과 같이 이동가능하다. (도시되지 않은) 복수의 라인 빔 카메라를 가진 배열이 X-스테이지의 이동 없이 복수의 라인 빔 초점 위치를 측정하기 위해 사용될 수 있음을 이해해야 한다.
도 5I-5L은 카메라(120)를 가진 시스템이 빔 축(118)의 공간적 위치 및 표 면(101)과 빔 축(118) 사이의 상대적 각도(φ)를 어떻게 판정할 수 있는지를 도시한다. 보다 상세하게, 도 5I에서 시작하면, 제1측정이 X-축을 따른 제1위치에 테이블(102)와 함께, 빔 축(118)과 기준 평면(110) 사이의, Y-축과 평행한, (거리(122a)를) 나타내는 카메라(120)에 의해 수행됨을 볼 수 있다. 그 다음, 도 5J에 도시된 바와 같이, 테이블(102)은 X-축을 따른 제2위치에 테이블을 위치시키기 위해 X-스테이지(104)의 활성화에 의해 X-축을 따라 이동될 수 있다. 이러한 제2위치에서, Y-축과 평행한, 제2거리 측정(122a)이 카메라(120)에 의해 수행될 수 있다. 몇몇 경우에 두 측정으로 충분하지만, 도 5K는 시스템이, 예컨대, X-축을 따른 제3위치에서 테이블(102)과 함께, 제3측정(거리(122c))을 수행할 수 있음을 보여준다. 그 다음 이러한 측정은 도 5L에 도시된 바와 같은, 표면(101)과 빔 축(118) 사이의 회전각(α)을 판정하기 위한 알고리즘에서 프로세싱될 수 있다.
표면(101)과 빔 축(118) 사이의 회전각(α)이 판정된 후, 도 MF에 도시된 바와 같이, ZRP 테이블(102)은 표면(101)이 빔 축(118)과 실질적으로 평행한 배열로, 테이블(102)을 이동시키고, 방향을 조절하도록 선택적으로 활성화될 수 있다. 배열된 후, 도 5N은 자동초점 센서(112a-c)는 표면(101)의 위치를 측정하고, 자동초점 기준 평면 상의 자동초점 센서(112a-c)를 캘리브레이션하기 위해 사용될 수 있음을 도시한다. 그 다음, 이것은 레이저/스테이지 좌표 시스템을 수립한다.
도 5O는 유리 기판(32) 및 증착 필름(12)이 진공 정크(즉, 표면(101))상에 위치될 수 있음을 도시한다. 도시된 바와 같이, X-스테이지(104)는 표면(101) 상의 필름(12)의 포지셔닝을 용이하게 하기 위해 적합한 위치로 테이블(12)을 이동시 키도록 활성화될 수 있다. 테이블(102)상에 위치된 필름과 함께, 테이블(102)은 도 5P에 도시된 바와 같은 자동초점 센서(112a-c)와 인터액션하기 위해 이동될 수 있다. 자동초점 센서(112a-c)는 필름(12)의 높이를 판정하기 위해 사용될 수 있다. 알게된 필름(12)의 높이와 함께, ZRP 테이블(102)은 도 5Q에 도시된 바와 같은 포커싱된 라인 빔의 초점심도(DOF) 내로 필름(12)을 이동시키도록 활성화될 수 있다. 레이저의 DOF 내의 필름(12)과 함께, 레이저는, 예컨대, 상술한 tb-SLS 프로세스의 일부로써, 필름(12)의 스트립을 노출시키고 용해하도록 활성화될 수 있다.
본 발명의 실시예의 다른 형태에서, 도 5A-5Q에 도시된 시스템은 불완전한, 비평면 표면을 가진 필름(12)을 보상하기 위해 사용될 수 있다. 표면 프로파일에 이러한 편차는 필름(12), 유리 기판(32), 및/또는 진공 정크 표면(101)의 치수적 불완전성으로부터 야기된 것일 수 있다. 표면 프로파일의 편차를 보상함으로써, 필름(12)의 상이한 위치에서 실질적으로 일정한 에너지 밀도가 유지될 수 있다. 이러한 목적을 위해, 도 5P에 도시된 바와 같이, 본 방법은 센서와 필름(12) 사이의, Y-축과 평행한, 3개의 거리를 각각 판정하기 위해 3개의 자동초점 센서(112a-c)를 사용하는 제2단계를 포함할 수 있다. 라인 빔 카메라(120)를 사용하여, ZRP 테이블(102)은 최선의 초점의 라인(예컨대, 빔 축(118))을 따라 표면(101)을 위치시키기 위해 (Z, 피치, 및 롤을 변경함으로써) 수동적으로 조절될 수 있다. 그 다음, 각각의 센서(112a-c)와 필름(12) 사이의 각각의 거리는 필름(12)상의 3개의 좌표점을 야기하는 기준 거리로써 저장될 수 있다. 이 3개의 좌표점을 통한 선형 핏이 계산된 최선의 초점 라인(축(118))을 판정하기 위해 사용될 수 있다. 노출 동 안, 필름(12)이 Y-축을 따라 스캐닝될 때, 필름(12)으로의 거리가 3개의 새로운 좌표점을 야기하는, 예컨대, 3개의 자동초점 센서(112a-c)에 의해 측정될 수 있다. 그 다음, 새로운 좌표점을 통과하는 최선의 핏 라인이 계산될 수 있고, ZRP 테이블(102)은 이 최선의 피트 라인과 계산된 최선의 초점 라인(축(118))이 실질적으로 동일하도록(예컨대, 관련 업계에서 받아들일 수 있는 오차 내로 일치하도록), 테이블(102)을 배열하기 위해 컴퓨터 컨트롤을 통해 조절될 수 있다.
도 6은 도 1에 도시된 시스템(10)의 일부분을 더욱 상세하게 도시한다. 더욱 상세하게는, 도 6은 두 개의 챔버, 엑시머 레이저(20)를 가진 예시적인 실시예를 도시한다. 솔리드 스테이트 레이저, 하나의 챔버를 가진 엑시머 레이저, 둘 이상의 챔버, 예컨대, 오실레이터 챔버 및 (병렬 및 직렬인 증폭 챔버를 가진) 두 개의 증폭 챔버를 가진 엑시머 레이저, 또는 하나 이상의 엑시머 증폭 챔버를 시딩(seed)하는 솔리드 스테이트 레이저를 포함하는 다른 타입의 레이저 소스가 시스템(10)에 사용될 수 있음 이해해야 한다. 다른 설계도 가능하다. 도 6에 도시된 두 개의 챔버 레이저 소스(20)에 대한 보다 상세한 설명은 2003년 7월 30일에 출원된 "CONTROL SYSTEM FOR A TWO CHAMBER GAS DISCHARGE LASER"란 제목의 미국 출원번호 10/631,349, 2003년 1월 31일에 출원된 "AUTOMATIC GAS CONTROL SYSTEM FOR A GAS DISCHARGE LASER"란 제목의 미국 출원번호 10/356,168, 2003년 12월 18일에 출원된 "METHOD AND APPARATUS FOR CONTROLLING THE OUTPUT OF A GAS DISCHARGE MOPA LASER SYSTEM"이란 제목의 미국 출원번호 10/740,659, 2003년 9월 30일에 출원된 " GAS DISCHARGE MOPA LASER SPECTRAL ANALYSIS MODULE"이란 제목의 미국 출원번호 10/676,907, 2003년 9월 30일에 출원된 "OPTICAL MOUNTINGS FOR GAS DISCHARGE MOPA LASER SPECTRAL ANALYSIS MODULE"이란 제목의 미국 출원번호 10/676,224, 2003년 9월 30일에 출원된 "GAS DISCHARGE MOPA LASER SPECTRAL ANALYSIS MODULE"이란 제목의 미국 출원번호 10/676,175, 2003년 6월 30일에 출원된 "CONTROL SYSTEM FOR A TWO CHAMBER GAS DISCHARGE LASER"란 제목의 미국 출원번호 10/631,349, 2003년 6월 24일에 출원된 "VERY NARROW BAND, TWO CHAMBER, HIGH REP-RATE GAS DISCHARGE LASER"란 제목의 미국 출원번호 10/631,349, 2003년 6월 25일에 출원된 "METHOD AND APPARATUS FOR COOLING MAGNETIC CIRCUIT ELEMENTS"란 제목의 미국 출원번호 10/607,407, 2004년 8월 20일에 출원된 "TIMING CONTROL FOR TWO-CHAMBER GAS DISCHARGE LASER SYSTEM"이란 제목의 미국 출원번호 10/922,692, "HIGH REP RATE MOPA LASER SYSTEM"이란 제목의 미국 특허번호 제6,625,191호, 및 "BASIC MODULAR MOPA LASER SYSTEM"이란 제목의 미국 특허번호 제6,567,450호에서 찾을 수 있고, 이 모든 개시물은 본 명세서에 참조로써 합치되었다.
개략적으로, 도 6은 두 개의 챔버 레이저 소스(20)가 마스터 오실레이터(208) 및 파워 증폭기(210)를 포함할 수 있음을 도시하고, 따라서, 이는 종종 소위 MOPA 레이저 소스라 불린다. 상술한 tb-SLS 프로세스의 구현에 있어서, 6Khz(초당 6000펄스) MOPA 레이저가 대략 150mJ의 펄스 에너지와 함께 사용될 수 있다. 이러한 배열과 함께, 730mm×920mm 필름이 약 75초 내에 (60퍼센트 오버랩을 가지고) 프로세싱될 수 있다.
마스터 오실레이터(208) 및 파워 증폭기(210)는 각각 두 개의 길쭉한 전극, 레이저 가스, 예컨대, XeCl, XeF, ArF, KF, 전극 사이의 가스를 순환시키기 위한 수직 팬, 및 (도시되지 않은) 하나 이상의 수냉식 핀 열 교환기를 포함할 수 있는 방전 챔버를 포함한다. 마스터 오실레이터(208)는 레이저 빔(214B)을 산출하기 위해 파워 증폭기(210)를 통한, 예컨대, 두 번의 패싱에 의해, 증폭될 수 있는 제1레이저 빔(214A)을 산출한다. 마스터 오실레이터(208)는 출력 커플러(208A)에 의해 형성된 공진 캐비티, 및 라인 내로우잉 모듈(208B)을 포함할 수 있고, 이는 모두 상술한 참조 특허 및 출원에 상세하게 서술되어 있다. 마스터 오실레이터(208)에 대한 이득 매체는 각각 대략 30 내지 50cm 길이이고, 마스터 오실레이터 방전 챔버 내에 수용된 두 전극 사이에서 산출될 수 있다.
파워 증폭기(210)는 두 개의 길쭉한 전극 사이에 이득 매체를 제공하기 위해 마스터 오실레이터(208)의 방전 챔버와 유사한 방전 챔버를 포함할 수 있다. 그러나, 마스터 오실레이터(208)와 달리, 파워 증폭기(210)는 공진 캐비티를 포함하지 않는 것이 전형적이고, 일반적으로 가스 압력이 마스터 오실레이터(208)의 압력보다 더 높게 유지된다. 도 6에 도시된 MOPA 구조는 마스터 오실레이터(208)가 파장 안정도와 같은 빔 퀄리티 파라미터를 최대화하고, 매우 좁은 대역폭을 제공하도록 설계되고 동작할 수 있게 하고, 한편 파워 증폭기(210)는 파워 출력을 최대화하도록 설계되고 동작할 수 있다.
마스터 오실레이터(208)의 출력 빔(214A)은, 예컨대, 출력 빔(214B)을 산출하기 위해 파워 증폭기(210)를 두 번 통과함으로써 증폭될 수 있다. 이것을 달성하기 위한 광학 컴포넌트는 출원인이 마스터 오실레이터 파면 엔지니어링 박스(MO WEB(224)), 파워 증폭기 파면 엔지니어링 박스(PA WEB(226)), 및 빔 반전기(BR(228))라 명명한 3개의 모듈에 수용될 수 있다. 라인 내로우잉 모듈(208B) 및 출력 커플러(208A)와 함께 이 세 모듈은 방전 챔버(208C) 및 파워 증폭기(210)의 방전 챔버에 독립된 단일 수직 광학 테이블 상에 설치될 수 있다. 이러한 배열과 함께, 음향 쇼크 및 팬 회전에 의해 발생하는 챔버 진동은 광학 컴포넌트로부터 실질적으로 격리될 수 있다.
라인 내로우잉 모듈(208B) 및 출력 커플러(208A) 내의 광학 컴포넌트는 상술된 참조 출원 및 특허에 더욱 상세하게 서술되어 있다. 개략적으로, 라인 내로우잉 모듈(LNM)(208B)은 3 또는 4개의 프리즘 빔 확장기, 초고속 응답 튜닝 미러, 및 리트로(Litrow) 구조 내에 배치된 격자를 포함할 수 있다. 출력 커플러(208A)는 전형적으로 KrF 시스템에 대하여 출력 빔의 약 20퍼센트를, 그리고 ArF 시스템에 대하여 약 30퍼센트를 반사하는 부분 반사 미러를 포함할 수 있다. 나머지 반사되지 않은 광은 출력 커플러(208)를 지나, 라인 센터 분석 모듈(LAM)(207)로 패싱한다. LAM(207)으로부터, 광은 MO WEB(24)으로 패싱할 수 있다. MO WEB은 내부 전반사(TIR) 프리즘(또는, 높은 반사 코팅을 가진 제1표면 미러), 및 출력 빔(214A)을 PA WEB(226)으로 정밀하게 다이렉팅하기 위한 배열 컴포넌트를 포함할 수 있다.
PA WEB(226)은 TIR 프리즘(또는, 높은 반사 코팅을 가진 제1표면 미러) 및 레이저 빔(214A)을 파워 증폭기 이득 매체를 통해 제1패스로 다이렉팅하기 위한 배열 컴포넌트를 포함할 수 있다. 빔 반전 모듈(228)은 내부 전반사에만 의존하고, 그로 인해 광학 코팅이 필요하지 않은 두 번-반사 빔 반전 프리즘을 포함할 수 있 다. 대안으로써, 빔 반전기(228)는 완전 반사 미러일 수 있다. 이러한 경우에, 빔 반전기(228)는 파워 증폭기 이득 매체를 통한 미리 선택된 빔 경로 상으로 부분적으로 증폭된 빔을 다이렉팅 하기 위해, 측정 디바이스, 예컨대, SMM(26)로부터의 컨트롤 신호에 응답하여 조절가능할 수 있다. 특히, 빔 반전기는 빔 포인팅 에러를 보정하기 위해, 그리고 아래에 서술된 바와 같이, 펄스 스트레처(22)를 빠져나간 빔의 빔 퍼짐을 줄이기 위해, 조절될 수 있다.
빔 반전 모듈(228)에서의 반전 후에, 부분적으로 증폭된 빔(214A)은 파워 증폭기(210) 내의 이득 매체를 통한 다른 패스를 만들 수 있고, 스펙트럼 분석 모듈(209) 및 PA WEB(226)을 통해 파워 증폭기 출력 빔(214B)으로서 빠져나간다. PA WEB(226)으로부터, 빔은, 아래에 서술된 바와 같은, 펄스 기간을 증가시키고, 빔 섹션에 걸쳐 빔 강도 변동을 줄이고(즉, 강도 프로파일을 매끄럽게 하거나 평균화하고), 빔 가간섭성(coherence)을 줄이는, 예컨대, 6-미러 펄스 스트레처(22)로 들어간다. 펄스 기간을 증가시킴으로써, 펄스 에너지를 유지하면서 각각의 레이저 펄스의 피크 강도를 줄인다. 도 1에 도시된 시스템(10)에 대하여, 광학 모듈(28) 내의 광학 컴포넌트는 제조하기 힘들고 비싼 비교적 큰 렌즈를 포함한다. 이러한 값 비싼 컴포넌트는 종종 수십억의 높은 강도 자외선 펄스로 인해 열화되기 쉽다. 또한, 광학적 손상은 레이저 펄스의 강도(즉, cm.sup.2 또는 mJ/ns-cm.sup.2 당 광 파워(에너지/시간))를 증가시키는 것으로 주지되어 있다. 그러므로, 펄스 기간을 증가시킴으로써 펄스 강도를 줄이는 것은 이러한 광학 컴포넌트의 수명을 증가시킬 수 있다. 또한, 펄스 기간을 증가시키는 것은 결정화 프로세스에도 이점이 있을 수 있다. 6-미러 펄스 스트레처(22)와 함께, 또는 이를 대신하여, 2003년 11월 13일에 출원된 "LONG DELAY AND HIGH TIS PULSE STRECHER"란 제목의 동시 계류 중인 미국 출원번호 10/712,545에 개시된 하나 이상의 펄스 스트레처가 본 명세서에 서술된 tb-SLS 프로세스에서 사용하기 위한 스트레처된 펄스를 생성하기 위해 사용될 수 있고, 특히 200ns TIS의 출력 펄스를 가진 펄스 스트레처가 사용될 수 있다. 미국 출원번호 10/712,545는 참조로써 본 명세서에 합치되었다.
도 7은 펄스 스트레처(22)를 통한 빔 경로를 보여주는 6-미러 펄스 스트레처(22)의 보다 상세한 도면을 도시한다. 빔 스플리터(216)는 6개의 포커싱 미러(320A, 320B, 320C, 320D, 320E, 320F)에 의해 생성된 지연 경로로 소정 퍼센트의 파워 증폭기 출력 빔(214B)을 반사하도록 선택될 수 있다. 나머지 광은 빔 스플리터(216)를 통해 전송된다. 빔 스플리터의 반사/통과 특성은 출력 펄스 기간 및/또는 출력 펄스 형상에 영향을 줄 수 있음을 이해해야 한다. 스트레처(22)에 대하여, 각각의 미러(320A-F)는 포커싱 미러, 예컨대, 볼록한 구형 미러일 수 있다. 전형적으로, 펄스 스트레처(22)의 배열을 용이하게 하기 위해, 6개의 미러 중 하나 이상의 미러는, 예컨대, 팁/틸트 조절이 가능할 수 있다.
도 7에 도시된 바와 같이, 빔 스플리터(216)로부터 반사된 광은 미러(320A)로 경로(301A)를 따라 언포커싱으로(즉, 실질적으로 평행하게) 여행하고, 그 다음 미러(320A)와 미러(320B) 사이 중간에 위치한 지점(302)으로 경로(301B)를 따라 반사된 일부를 포커싱하여 진행할 수 있다. 그 다음, 이 빔은 퍼져나가고 미러(302B)로부터 반사되고, 퍼지는 빔은 평행한(즉, 실질적으로 평행한) 빔으로 변 환되고 미러(320C)로 경로(301C)를 따라 다이렉팅된다. 그 다음, 미러(320C)는 미러(320C)와 미러(320D) 사이 중간에 위치한 지점(304)으로 경로(301D)를 따라 반사된 일부분을 포커싱할 수 있다. 그 다음, 이 빔은 퍼져나가고 미러(320D)로부터 반사될 수 있고, 퍼지는 빔은 평행한(즉, 실질적으로 평행한) 빔으로 변환되고, 미러(320E)로 경로(301E)를 따라 다이렉팅된다. 그 다음, 미러(320E)는 미러(320E)와 미러(320F) 사이 중간에 위치한 지점(306)으로 경로(301F)를 따라 반사된 일부분을 포커싱할 수 있다. 그 다음, 이 빔은 퍼져나가고 미러(320F)로부터 반사될 수 있고, 퍼지는 빔은 평행한(즉, 실질적으로 평행한) 빔으로 변환되고, 빔 스플리터(216)로 경로(301G)를 따라 다이렉팅된다. 빔 스플리터(216)에서, 미러(320F)로부터의 빔은 빔 스플리터(216)를 통해 전달되는 펄스의 일부분과 그것을 합치는 경로(301H)로 반사될 수 있다. 함께, 전송된 그리고 지연된 펄스의 일부는 도시된 바와 같이, 펄스 스트레처 빔 출력(214C)을 구성한다. 스트레처된 펄스(400)는 도 8에 강도 vs 시간으로써 도시되어 있고, 또한 도 8에 도시된 (스트레처되지 않은) 파워 증폭기 출력 펄스(402)의 형상과 비교될 수 있다. 도시된 스트레처된 펄스에 대하여, 이 펄스는 처음 두 피크 후 시간에 후속하는 피크가 더 작게 감소한 피크를 가진, 두 개의 크고, 대략적으로 동일한 피크를 가진 형상일 수 있다. 스트레처된 펄스의 형상은 상이한 반사율을 가진 빔 스플리터를 사용함으로써 변경될 수 있음을 이해해야 한다.
도 7은 지연된 빔이 3번 포커싱되고 퍼질 수 있음을 도시한다. 이러한 포커싱 단계의 횟수가 홀수(즉, 짝수가 아닌)인 이유는, 지연된 빔이 빔 스플리터(216) 를 통해 전송된 펄스의 부분에 대하여 (수직 및 수평 모두) 인버팅되기 때문이다. 그러므로, 6-미러 펄스 스트레처(22)로부터의 출력 빔(214C)은 조합된 또는 믹싱된 빔을 포함할 수 있다. 이러한 믹싱은 강도 변화를 줄인다. 펄스 스트레처(22)는 또한 빔의 상의한 부분으로부터의 상이한 가간섭성 셀이 믹싱될 수 있기 때문에, 빔 가간섭성을 줄일 수 있다. 예시적인 빔의 수직 일정도 상의 임팩트가 도 9에 도시되어 있다. 더욱 상세하게, 스트레처된 펄스(404)는 도 9에 강도 vs. 수직 폭으로써 도시되어 있고, 또한 도 9에 도시된 파워 증폭기 출력 펄스(406)의 형상과 비교할 수 있다. 빔이 수평축에서 엑시머 레이저 소스를 사용할 때 종종 전형적인 가우시안에 가까운 경우에, 수평 강도 변화 상의 펄스 스트레처(22)의 임팩트는 무시될 수 있다.
상술된 바와 같이, 레이저 결정화 프로세스의 성능은 에너지 밀도의 일정도에 달려있다. 멀티-샷 프로세스이고 노출 동안 평균적인 샷-투-샷을 필요로 하는 리소그라피와 달리, 레이저 결정화는, 대부분의 부분에 대하여, 단일 샷 프로세스이고, 그러므로 평균은 단일 펄스 내의 강도 평균으로 제한될 수 있다. 에너지 밀도 일정도를 판정하는 몇 가지 요소는 레이저 빔 일정도 및 빔 공간적 가간섭성이다. 전형적으로, 광학 부재는 빔을 균일화하기 위해 광학 모듈(28)(도 1)에 포함될 수 있다. 이러한 광학 부재는 빔을 빔렛으로 나누기 위해 마이크로 렌즈의 어레이의 사용을 포함할 수 있다. 그들이 구형 렌즈의 초점 평면에서 서로 정밀하게 오버래핑하도록, 큰 조리개 렌즈가 빔렛을 다시 다이렉팅하기 위해 사용될 수 있다. 이러한 빔렛의 인티그레이션은 플랫-탑 빔 프로파일을 산출하는, 임의의 강도 변동을 효과적으로 매끄럽게 할 수 있다. 빔이 보다 많은 빔렛으로 나누어질수록, 평균은 더 좋아진다. 그러나, 마이크로 렌즈 조리개가 너무 작으면, 예컨대, 레이저 빔의 하나의 가간섭 영역보다 작으면, 가간선 영역은 반복된 패턴의 마이크로렌즈를 경험하고, 이는 바람직하지 못한 결과를 야기할 수 있다. 짧게 말하자면, 마이크로 렌즈의 어레이를 사용하여 달성되는 균일함의 정도는 제한될 수 있다. 이를 고려하여, 펄스 스트레처(22) 내의 공간적 가간섭성 셀의 평균화는 마이크로 렌즈 어레이로 더 적은 가간섭성 빔이 전달되게 하고, 그 다음 간섭으로 인한 강도 변화를 최소화하고, 그리고/또는 더 작은 마이크로렌즈 어레이의 사용을 허용한다.
도 7에 도시된 펄스 스트레처(22)의 한 피처는 입력 빔(즉, 빔(214B))의 빔 포인팅 에러가 증가할 때, 출력 빔(즉, 빔(214C))의 빔 퍼짐이 증가할 수 있음을 나타낸다. 이러한 빔 퍼짐의 증가는 종종 레이저 결정화에 바람직하지 못하고, 따라서, 펄스 스트레처로 들어가는 빔(예컨대, 빔(214B))의 빔 포인팅 에러를 최소화하는 것이 바람직하다. 도 6은 펄스 스트레처로 들어오는 빔(214B)의 빔 포인팅 에러를 최소화하기 위해 펄스 스트레처(22)의 업스트림에 위치될 수 있는 액티브 빔 스티어링 유닛(500)을 도시한다. 이러한 액티브 빔 스티어링 유닛은 펄스 스트레처(22)의 업스트림에서 이루어진 빔 포인팅 측정, 및/또는 펄스 스트레처(22)의 다운스트림에서 이루어진 퍼짐 측정에 대해 반응할 수 있고, 예컨대, 퍼짐 측정은 SMM(26)에서 이루어질 수 있고, 액티브 빔 스티어링 유닛(500)을 컨트롤하기 위해 사용될 수 있다. 구조적으로, 액티브 빔 스티어링 유닛(500)은 빔 전달 유닛(238)에서 빔 스티어링을 액티브하게 컨트롤하기 위해, 앞서 참조로써 합치된 몇몇 출원 에서, 그리고 아래에 더욱 상세하게 서술된 미러(240A, 240B)와 유사한 하나 이상의 조절가능한 미러를 포함할 수 있다. 액티브 빔 스티어링 유닛(500)에 부가적으로, 또는 대안으로써, 빔 반전기(228)의 방향이 펄스 스트레처(22)의 업스트림의 빔 포인팅을 컨트롤하기 위해 액티브하게 조절될 수 있다. 더욱 상세하게, 조절가능한 빔 반전기(228)는 펄스 스트레처(22)의 업스트림에서 수행되는 빔 포인팅 측정, 및/또는 펄스 스트레처(22)의 다운스트림에서 수행되는 퍼짐 측정에 대해 반응할 수 있다.
도 6은 시스템(10)이 빔 전달 시스템(24) 및 안정도 측정 모듈(SSM(26))을 포함할 수 있음을 도시한다. 기능적으로, 이러한 엘리먼트는 어플리케이션에 대하여 일 세트의 빔 스펙(specification)을 충족하는 SMM(26) 출력에 펄스 빔을 공급하기 위해 레이저 소스(20) 및 펄스 스트레처(22)와 협력할 수 있다. 실제로, 광학 모듈(28)(도 1 참조)의 입력에서 빔 스펙은 광학 모듈(28)(즉, 조명기)의 설계에 의존할 수 있다. 특정 빔 파라미터는 강도, 파장, 대역폭, 파면(예컨대, 빔 퍼짐이고도 불리는 파면 굴곡), 편광, 강도 프로파일, 빔 크기, 빔 포인팅, 도즈 안정도, 및 파장 안정도를 포함하지만 이에 제한되지는 않는다. 예컨대, 700mm에 의한 20마이크로미터의 레이저 결정화를 위한, 상술된 라인 빔을 산출할 수 있는 광학 모듈에 대하여, 포인팅 안정도를 20μrad 이내로, 파면 굴곡 변화를 10% 미만으로, 그리고 에너지 안정도를 +/-2% 이내로 유지하는 것이 요구될 수 있다. 또한, 샷을 낭비하는 것을 피하기 위해, 레이저가 "안정화"될 때까지 비교적 긴 기간 동안 레이저가 연속적으로 오퍼레이팅할 것을 요구하지 않고 이러한 특성을 획득하 는 것이 바람직할 수 있다.
SMM(26)은 광이 빔 포인팅, 빔 포지션, 빔 크기, 파면, 및 펄스 에너지를 포함한 원하는 파라미터로, 광학 모듈(28)에 제공되었음을 보장하기 위해 들어오는 빔을 모니터링하고 컨트롤 시스템에 피드백 신호를 제공하기 위해 광학 모듈(28)의 입력 포트의 업스트림에 위치될 수 있다. 예를 들어, 펄스 에너지, 빔 포인팅, 및 빔 포지션은 앞서 본 명세서에 참조로 합치된 미국특허 출원번호 10/425,361('361 출원)에 서술된 기술을 사용하여 펄스-투-펄스 기준으로 SMM(26) 내의 측정 장치에 의해 모니터링될 수 있다. 더욱 상세하게, '361출원의 도 10B는 펄스-투-펄스 기준으로 펄스 에너지, 빔 포인팅, 및 빔 포지션을 측정하기 위한 구조적 배열을 도시한다. 아래에 보다 상세하게 서술된 바와 같이, SMM(26)은 또한 파면 굴곡 및 빔 크기를 모니터링하도록 구성될 수 있다. 고속 CMOS 선형 포토-다이오드 어레이와 결합된, DSP 기반 프로세서의 사용은 8kHz까지 빔 특성의 신속한 계산은 물론 빔 특성을 안정화시키기 위한 신속한 피드백을 가능하게 한다.
수직 및 수평 빔 포인팅 및 포지션 에러는 레이저에 의해 생성된 모든 펄스의 광에 대하여 SMM(26)에서 평가될 수 있다. 전체적으로, 4개의 독립적인 센서 측정: 수직 포인팅 에러, 수평 포인팅 에러, 수직 포지션 에러, 및 수평 포지션 에러이 있다. 예시적인 구현에서, 수직 및 수평 포인팅은 N.J 브릿지워터에 사무소가 있는 'Hamamatsu Corporation'에 의해 제공되는 'S903 NMOS Linear Image Sensor'와 같은 선형 포토다이오드 어레이(PDA)에 파-필드(far-field) 이미지를 놓음으로써 측정될 수 있다. 전형적으로, 포인팅 에러는 SMM(26)의 출구에 형성된 타겟 위치로부터 형성될 수 있다. 수직 및 수평 포지션은 선형 PDA 엘리먼트 상의 BDU 출구 부근에 빔의 감소된 이미지를 놓음으로써 측정될 수 있다. 빔의 펄스 에너지는 캘리브레이팅된 포토-셀 커넥터로 SMM(26)에서 측정될 수 있다. SMM(26) 내의 센서로부터의 신호는 전기 커넥터를 통해 SMM(26)의 일부분을 형성하는 안정화 컨트롤러로 전송될 수 있다.
빔 포인팅 컨트롤은 (상술된 바와 같은) 빔 반전기(228)의 방향을 선택적으로 조절함으로써, (또한 상술된) 펄스 스트레처(22)의 업스트림에, 그리고/또는 BDU(24) 내에 있는 액티브 빔 스티어링 유닛(500)을 사용함으로서 달성될 수 있다. 더욱 상세하게는, BDU(24)는 그 중 하나 또는 둘 모두 빔 포인팅을 변경하기 위한 팁 또는 틸트 보정을 제공하기 위해 컨트롤될 수 있는 두 개의 빔 포인팅 미러(240A 및 240B)를 포함할 수 있다. 빔 포인팅은 포인팅 미러(240A, 240B) 중 하나 또는 모두에 피드백 컨트롤을 제공하는 SMM(26)에서 모니터링될 수 있다. 예를 들어, 에러 신호는 미가공(raw) 센서 데이터를 프로세싱하고, 고속 스티어링 터닝 미러(40A 및 40B)를 구동하기 위한 커맨드를 생성하는 SMM(26) 내의 안정화 컨트롤러로 전송될 수 있다. 각각 컨트롤의 두 축을 가진, 이 두 개의 고속 스티어링 터닝 미러는 도시된 바와 같이, SMM(26)의 업스트림에 설치될 수 있다. 터닝 미러는 각각 고속 스티어링 모터에 설치될 수 있다. 특정 실시예에서, 고속(200Hz) 빔 포인팅 및 포지션 보정을 허용하기 위해 압전식 미러 드라이버가 제공될 수 있다.
이 모터는 미러 각을 두 축에서 활성화시키고, 그로 인해 레이저 빔의 경로를 다시 다이렉팅한다. 2개의 컨트롤 축을 가진 두 모터는 BDU 안정화 컨트롤러가 수직 및 수평 빔 포인팅 및 포지션 에러를 독립적으로 통제할 수 있게 한다. 이러한 컨트롤 시스템은 펄스-투-펄스 빔 에러에 대해 보정할 수 있다. 즉, 각각의 레이저 펄스로부터의 빔 에러는 스티어링 모터에 대한 커맨드를 발생시키기 위해 피드백 컨트롤 시스템에 공급될 수 있다. 피드백 컨트롤 시스템을 구동하기 위해 사용되는 전자기기는 안정화 컨트롤러 내에 위치할 수 있다. 도 6에 도시된 바와 같이 미러를 배치함으로써, 레이저, (제공된다면) 감쇄기, 및 다른 광학 부재로 인한 드리프트가 보정될 수 있다. 그러므로, (포지션 및 포인팅에서) 안정한 빔은, 몇몇 경우에, 10μrad 이내의 안정도를 가지고, 광학 모듈(28)의 입구에 투영될 수 있다.
SMM(26)에서 모니터링된 펄스 에너지는 피드백 신호, 및 레이저의 에너지 컨트롤 알고리즘으로의 입력으로서 사용될 수 있다. 가스 방전 레이저에 대하여, 레이저의 방전 전압은 펄스 에너지를 변경하기 위해 조절될 수 있다. 에너지 컨트롤 알고리즘이 SMM(26)에서의 에너지를 안정화시킬 수 있기 때문에, 광학적 흡수 또는 다른 원인으로 인한 펄스 에너지 내의 임의의 단기간 또는 장기간 드리프트는 보상될 수 있다.
상술된 바와 같이, SMM(26)은 또한 빔 크기 및 빔 퍼짐(즉, 파면 굴곡)을 측정할 수 있다. 전형적으로, 레이저 출구에 있는 조리개는 레이저로부터 빔 크기를 고정시키기 위해 사용될 수 있다. 그러나, 레이저로부터의 빔 퍼짐은 광학 부재의 가열, 레이저 에너지, 레이저 전압, 및 플루오라이드 엑시머 레이저를 사용할 때 방전 가스 내의 F2 농도로 인해 변할 수 있다.
도 6 및 7에 도시된 바와 같이, 빔 퍼짐 및 빔 크기는 BDU(24)를 따라 배치될 수 있는 조절가능한 빔 확장기(502)를 사용하여 액티브하게 컨트롤될 수 있다. 도 7에 도시된 바와 같이, 빔 확장기(502)는 4개의 렌즈, 2개의 수평 렌즈(504A, 504B), 및 2개의 수직 렌즈(504C, 504D)를 포함할 수 있다. 한 설정에서, 빔 확장기(502)는 약 0.30m의 길이 L를 가질 수 있고, 수평축으로 12mm 및 수직축으로 9mm의 명목적 입력, 및 수직축으로 5mm 및 수직축으로 18mm의 명목적 출력을 가지도록 사이징된다. 예시적인 배열에서, 렌즈(504A)는 f=507.0mm인 실린더형 평볼록 렌즈(plano-convex)이고, 렌즈(504B)는 f=202.8mm인 실린더형 평볼록 렌즈이고, 렌즈(504C)는 f=202.8mm인 실린더형 평볼록 렌즈이고, 렌즈(504D)는 f=405.6mm인 실린더형 평볼록 렌즈일 수 있다. 대안의 배열에서, 렌즈(504A 및 504C)는 단일 렌즈에 의해 대체될 수 있다. 빔 퍼짐 및 빔 크기에서의 변화는 빔 확장기 렌즈의 공간을 조절함으로써 달성될 수 있다. 보다 상세하게는, 렌즈(504A 및 504B) 사이의 공간은 빔을 수평축으로 변경하기 위해 변할 수 있고, 렌즈(504C 및 504D) 사이의 공간은 빔을 수직축으로 변경하기 위해 변할 수 있다. 일 실시예에서, 이동가능한 렌즈는 선형 모터 구동기 상에 설치될 수 있다. 그 다음, 확장기(504)는 수평 및 수직 빔 파면의 독립적인 컨트롤을 가능하게 할 수 있다.
당업자들은 상술된 본 발명의 실시예의 형태들은 바람직한 실시예일 뿐이며, 임의의 방법으로 본 발명의 내용을 특정의 바람직한 실시예로 한정하는 것이 아님을 이해할 것이다. 당업자들은 개시된 본 발명의 실시예의 형태에 많은 변형과 수정이 이루어질 수 있음을 이해할 것이다. 첨부된 청구항은 개시된 본 발명의 실시 예의 형태는 물론, 당업자들에게 명백한 동등물, 다른 변형, 및 수정을 커버하기 위한 범위이고 의미이다. 35 U.S.C. §112를 충족하기 위해 요구된 상세하게 본 명세서에 서술되고 설명된 라인 빔과 같이 성형된 레이저와 기판 상에 증착된 필름 사이에 인터액션을 구현하기 위한 시스템 및 방법의 실시예의 특정 형태가 서술된 실시예의 형태의 목적, 또는 임의의 다른 이유, 또는 해결되어야 할 문제점에 대한 임의의 상술된 목적을 완전히 달성할 수 있으나, 당업자들은 본 발명의 서술된 실시예의 본 명세서에 서술된 형태가 본 발명에 의해 광범위하게 고려된 예시적이고, 설명적이고, 대표적인 문제임을 이해해야 한다. 본 명세서에 서술된, 그리고 청구된 실시예의 형태의 범위는 본 명세서를 읽음으로써 당업자들에게 명백해질 수 있는 다른 실시예를 모두 포함한다. 라인 빔과 같이 성형된 레이저와 기판 상에 증착된 필름 사이에 인터액션을 구현하기 위한 시스템 및 방법의 범위는 첨부된 청구항에 서술되지 않은 것을 제외하고, 첨부된 청구항에 의해서만 단독적으로, 그리고 완전하게 제한된다. 이러한 청구항 내의 엘리먼트를 단독적으로 참조하는 것은 그 청구항 엘리먼트를 "하나, 그리고 하나만"을 의미하고자 한 것이 아니고, 명시된 것이 없다면, "하나 이상"을 의미한다. 당업자들이 알 수 있는, 또는 이 후 알게 될 실시예의 상술된 형태의 임의의 엘리먼트와 구조적인 그리고 기능적인 모든 동등물은 참조로서 본 명세서에 명백하게 통합되었고, 본 청구항에 포함된다. 본 명세서에서 그리고/또는 청구항 내에서 사용된 임의의 용어, 및 명세서 및/또는 청구항에서 명백하게 주어진 의미는 그 용어의 사전적 의미 또는 일반적으로 사용되는 의미와 관계없이, 그러한 의미를 가져야 한다. 본 명세서에 서술된 실시예의 형태 에 의해 해결을 모색했던 각각의 모든 문제를 다루기 위해 실시예의 임의의 형태로서 본 명세서에 서술된 디바이스 또는 방법에 대한 필수조건이 아니며, 본 청구항에 포함된다. 본 명세서 내의 엘리먼트, 컴포넌트, 또는 방법 단계는 그 엘리먼트, 컴포넌트, 또는 방법 단계가 청구항에 명백하게 언급되어 있는지와는 무관하게 대중에게 알리기 위한 것은 아니다. 첨부된 청구항 내의 청구 엘리먼트는 그 엘리먼트가 "~을 수단으로"라는 문구를 사용하여 분명하게 언급되어 있지 않거나, 방법 청구항인 경우에 그 엘리먼트가 "동작"을 대신하여 "단계"로 언급되어 있지 않다면, 35 U.S.C. §112, 6번째 단락의 조항에 따라 해석되지 않아야 한다.

Claims (22)

  1. 단축 및 장축을 형성하고 라인 빔 축에 의해 구별되는, 광원으로부터의 성형 빔과 인터액션하기 위한 불완전하고 평평하지 못한 표면을 가진 필름을 포지셔닝하는 시스템으로서,
    기준 평면을 형성하는 베이스 부재;
    상기 필름을 홀딩하기 위한 실질적으로 평평한 테이블 표면을 가진 테이블;
    상기 기준 평면에 대한 상기 필름 표면 상의, 상기 평평한 테이블 표면에 실질적으로 직교하는 방향인 평면에 놓인 적어도 3점의 위치를 측정하기 위한 센서 유닛;
    선형 핏 축에 의해 구별된 상기 3개의 점에 대한 선형 핏을 계산하기 위한 프로세서; 및
    상기 계산된 선형 핏 축이 상기 라인 빔 축과 실질적으로 평행한 배열로 상기 테이블을 이동시키고 상기 테이블 표면 방향을 재조정하도록 상기 테이블 상에서 운전가능한 서브 시스템을 포함하는 것을 특징으로 하는 광원으로부터의 성형 빔과 인터액션하기 위한 불완전하고 평평하지 못한 표면을 가진 필름을 포지셔닝하는 시스템.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 센서 유닛은 자동초점 시스템을 포함하는 것을 특징으로 하는 광원으로부터의 성형 빔과 인터액션하기 위한 불완전하고 평평하지 못 한 표면을 가진 필름을 포지셔닝하는 시스템.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 자동초점 시스템은 3개의 자동초점 센서를 포함하는 것을 특징으로 하는 광원으로부터의 성형 빔과 인터액션하기 위한 불완전하고 평평하지 못한 표면을 가진 필름을 포지셔닝하는 시스템.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 라인 빔 축을 이루기 위한 라인 빔 카메라를 더 포함하고, 상기 카메라는 상기 테이블 상에 설치되고, 테이블과 함께 이동가능한 것을 특징으로 하는 광원으로부터의 성형 빔과 인터액션하기 위한 불완전하고 평평하지 못한 표면을 가진 필름을 포지셔닝하는 시스템.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 서브 시스템은 상기 테이블을 이동시키고 상기 테이블 표면 방향을 재조정하기 위한 이동가능한 웨지를 포함하는 것을 특징으로 하는 광원으로부터의 성형 빔과 인터액션하기 위한 불완전하고 평평하지 못한 표면을 가진 필름을 포지셔닝하는 시스템.
  6. 제 2 항에 있어서, 상기 베이스 부재는 화강암 블록이고, 상기 기준 평면은 상기 화강암 블록의 평평한 표면이고, 상기 자동초점 시스템은 상기 화강암 블록에 단단히 고정되어 있는 것을 특징으로 하는 광원으로부터의 성형 빔과 인터액션하기 위한 불완전하고 평평하지 못한 표면을 가진 필름을 포지셔닝하는 시스템.
  7. 제 6 항에 있어서, 상기 테이블은 상기 화강암 블록 위에 위치하는 것을 특징으로 하는 광원으로부터의 성형 빔과 인터액션하기 위한 불완전하고 평평하지 못한 표면을 가진 필름을 포지셔닝하는 시스템.
  8. 제 1 항에 있어서, 상기 서브 시스템은 상기 테이블 표면을 선형 방향으로 이동시키고, 롤 축(roll axis)에 대하여 상기 테이블을 회전시키고, 피치 축(pitch axis)에 대하여 상기 테이블을 회전시키도록 움직일 수 있는 것을 특징으로 하는 광원으로부터의 성형 빔과 인터액션하기 위한 불완전하고 평평하지 못한 표면을 가진 필름을 포지셔닝하는 시스템.
  9. 단축 및 장축을 형성하고 라인 빔 축에 의해 구별되는, 광원으로부터의 성형 빔과 인터액션하기 위한 필름을 포지셔닝하는 시스템으로서,
    상기 필름을 홀딩하기 위한 평평한 테이블 표면을 가진 테이블;
    광학 센서;
    제1축과 실질적으로 평행인 기준 평면에 대한 상기 평평한 테이블 표면의 방향을 결정하도록 상기 광학 센서에 대하여 상기 제1축을 따라 상기 테이블을 이동시키기 위해 상기 테이블에 연결된 스테이지;
    상기 테이블이 상기 기준 평면과 실질적으로 평행한 배열로 상기 테이블을 이동시키고 상기 테이블 표면 방향을 재조정하기 위해 상기 테이블 상에서 운전가능한 서브 시스템; 및
    복수의 라인 빔 축 위치에 대한 위치를 측정하기 위한 초점 검출기를 포함하고,
    상기 검출기는 상기 테이블 표면이 상기 라인 빔 축과 실질적으로 평행인 배열로 상기 테이블을 이동시키고 상기 테이블 표면 방향을 재조정하기 위한 상기 서브 시스템에 의해 사용되기 위해 상기 측정된 위치 각각을 나타내는 출력을 제공하는 것을 특징으로 하는 광원으로부터의 성형 빔과 인터액션하기 위한 필름을 포지셔닝하는 시스템.
  10. 제 9 항에 있어서, 상기 광학 센서는 자동초점 시스템인 것을 특징으로 하는 광원으로부터의 성형 빔과 인터액션하기 위한 필름을 포지셔닝하는 시스템.
  11. 제 9 항에 있어서, 상기 광학 센서는 3개의 자동초점 센서를 포함하는 것을 특징으로 하는 광원으로부터의 성형 빔과 인터액션하기 위한 필름을 포지셔닝하는 시스템.
  12. 제 9 항에 있어서, 상기 초점 검출기는 상기 테이블 상에 설치되고 상기 테이블과 함께 이동 가능한 라인 빔 카메라를 포함하는 것을 특징으로 하는 광원으로부터의 성형 빔과 인터액션하기 위한 필름을 포지셔닝하는 시스템.
  13. 제 9 항에 있어서, 상기 서브 시스템은 상기 테이블을 이동시키고 상기 테이블 표면 방향을 재조정하기 위한 이동가능한 웨지 어셈블리를 포함하는 것을 특징으로 하는 광원으로부터의 성형 빔과 인터액션하기 위한 필름을 포지셔닝하는 시스템.
  14. 제 10 항에 있어서, 상기 기준 평면은 평평한 표면의 화강암 블록이고, 상기 자동초점 시스템은 상기 화강암 블록에 단단히 고정되어 있는 것을 특징으로 하는 광원으로부터의 성형 빔과 인터액션하기 위한 필름을 포지셔닝하는 시스템.
  15. 제 14 항에 있어서, 상기 스테이지는 상기 화강암 블록 위에 위치하는 것을 특징으로 하는 광원으로부터의 성형 빔과 인터액션하기 위한 필름을 포지셔닝하는 시스템.
  16. 제 9 항에 있어서, 상기 서브 시스템은 상기 테이블 표면을 선형 방향으로 이동시키고, 롤 축(roll axis)에 대하여 상기 테이블을 회전시키고, 피치 축(pitch axis)에 대하여 상기 테이블을 회전시키도록 움직일 수 있는 것을 특징으로 하는 광원으로부터의 성형 빔과 인터액션하기 위한 필름을 포지셔닝하는 시스템.
  17. 삭제
  18. 삭제
  19. 삭제
  20. 삭제
  21. 삭제
  22. 삭제
KR1020077028901A 2005-05-26 2006-05-25 라인 빔과 같이 성형된 레이저와 기판 상에 증착된 필름사이에 인터액션을 구현하기 위한 시스템 및 방법 KR101267425B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/138,175 2005-05-26
US11/138,175 US7277188B2 (en) 2003-04-29 2005-05-26 Systems and methods for implementing an interaction between a laser shaped as a line beam and a film deposited on a substrate

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20080021653A KR20080021653A (ko) 2008-03-07
KR101267425B1 true KR101267425B1 (ko) 2013-05-30

Family

ID=37452832

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020077028901A KR101267425B1 (ko) 2005-05-26 2006-05-25 라인 빔과 같이 성형된 레이저와 기판 상에 증착된 필름사이에 인터액션을 구현하기 위한 시스템 및 방법

Country Status (6)

Country Link
US (1) US7277188B2 (ko)
EP (1) EP1889000A4 (ko)
JP (1) JP5165557B2 (ko)
KR (1) KR101267425B1 (ko)
TW (1) TWI297509B (ko)
WO (1) WO2006127886A2 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101312569B1 (ko) * 2012-02-29 2013-10-14 유홍근 필름형 온도센서

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7408714B2 (en) * 2005-02-11 2008-08-05 Coherent, Inc. Method and apparatus for coupling laser beams
US7471455B2 (en) * 2005-10-28 2008-12-30 Cymer, Inc. Systems and methods for generating laser light shaped as a line beam
US8927898B2 (en) * 2006-05-01 2015-01-06 Tcz, Llc Systems and method for optimization of laser beam spatial intensity profile
US7848835B2 (en) * 2006-06-02 2010-12-07 Cymer, Inc. High power laser flat panel workpiece treatment system controller
US8803027B2 (en) * 2006-06-05 2014-08-12 Cymer, Llc Device and method to create a low divergence, high power laser beam for material processing applications
DE102006041658A1 (de) * 2006-08-24 2008-03-13 Carl Zeiss Industrielle Messtechnik Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Ausrichten einer ebenen Tischoberfläche
DE102006041657A1 (de) * 2006-08-24 2008-03-13 Carl Zeiss Industrielle Messtechnik Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Ausrichten einer ebenen Tischoberfläche
US7620080B2 (en) * 2007-08-23 2009-11-17 Corning Incorporated Laser pulse conditioning
US7819320B2 (en) * 2007-10-12 2010-10-26 Corning Incorporated System and method for image analysis pointing-error correction
US20110069148A1 (en) * 2009-09-22 2011-03-24 Tenebraex Corporation Systems and methods for correcting images in a multi-sensor system
DE102010039633B4 (de) * 2010-08-23 2012-06-28 Trumpf Werkzeugmaschinen Gmbh + Co. Kg Vorrichtung und Verfahren zur Bestimmung der Fokuslage eines zur Laser-Materialbearbeitung verwendeten Laserstrahls entlang der Laserstrahlachse
WO2013031198A1 (ja) * 2011-08-30 2013-03-07 パナソニック株式会社 薄膜形成基板の製造方法、薄膜素子基板の製造方法、薄膜基板及び薄膜素子基板
JP6040438B2 (ja) * 2011-11-09 2016-12-07 株式会社Ｊｏｌｅｄ 薄膜形成基板及び薄膜形成方法
DE102017001453A1 (de) 2016-05-31 2017-11-30 Atlantichem Gmbh Mittel und verfahren zum entgiften von waschwasser
CN109414291B (zh) * 2016-06-30 2022-03-29 艾瑞黛克斯公司 具有可更换的接触尖端和治疗引导件的手持式眼科激光系统
US20210283719A1 (en) * 2020-03-12 2021-09-16 Rohr, Inc. Substrate perforation system & method using beamlets

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6400445B2 (en) 1994-02-22 2002-06-04 Nikon Corporation Method and apparatus for positioning substrate
US20020104231A1 (en) 2001-02-05 2002-08-08 Tamotsu Tominaga Position measuring apparatus
US20030142313A1 (en) 1998-07-03 2003-07-31 Shoshi Katayama Position detection apparatus and exposure apparatus

Family Cites Families (146)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US455658A (en) * 1891-07-07 William h
US4223279A (en) 1977-07-18 1980-09-16 Mathematical Sciences Northwest, Inc. Pulsed electric discharge laser utilizing water dielectric blumlein transmission line
US4410992A (en) 1980-03-26 1983-10-18 Laser Science, Inc. Generation of pulsed laser radiation at a finely controlled frequency by transient regerative amplification
US4398806A (en) 1980-10-23 1983-08-16 The Board Of Trustees Of The Leland University Broadband variable optical attenuator
US4550408A (en) 1981-02-27 1985-10-29 Heinrich Karning Method and apparatus for operating a gas laser
GB2096403B (en) 1981-04-03 1985-10-02 Marconi Co Ltd An inductor
US4500996A (en) 1982-03-31 1985-02-19 Coherent, Inc. High power fundamental mode laser
US4455658A (en) 1982-04-20 1984-06-19 Sutter Jr Leroy V Coupling circuit for use with a transversely excited gas laser
US4716013A (en) 1983-04-29 1987-12-29 Westinghouse Electric Corp. Nuclear reactor
US4770846A (en) 1984-02-03 1988-09-13 Westinghouse Electric Corp. Replacement support pin for guide tubes in operating plants
DE3406677A1 (de) 1984-02-24 1985-09-05 Fa. Carl Zeiss, 7920 Heidenheim Einrichtung zur kompensation der auswanderung eines laserstrahls
US4696792A (en) 1984-07-30 1987-09-29 General Electric Company Nuclear reactor coolant recirculation
EP0183023B1 (de) 1984-11-24 1991-02-20 Trumpf GmbH & Co Gas-Laser mit Quereinkopplung von Hochfrequenzenergie
US4891820A (en) 1985-12-19 1990-01-02 Rofin-Sinar, Inc. Fast axial flow laser circulating system
US4723256A (en) 1986-03-20 1988-02-02 Laser Corporation Of America Optical resonator for laser oscillating apparatus
US5189678A (en) 1986-09-29 1993-02-23 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Coupling apparatus for a metal vapor laser
US5315611A (en) 1986-09-25 1994-05-24 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy High average power magnetic modulator for metal vapor lasers
US4764339A (en) 1986-12-16 1988-08-16 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy High flux reactor
US4959840A (en) 1988-01-15 1990-09-25 Cymer Laser Technologies Compact excimer laser including an electrode mounted in insulating relationship to wall of the laser
US5023884A (en) 1988-01-15 1991-06-11 Cymer Laser Technologies Compact excimer laser
US5142543A (en) 1988-01-27 1992-08-25 Kabushiki Kaisha Komatsu Seisakusho Method and system for controlling narrow-band oscillation excimer laser
US5025446A (en) 1988-04-01 1991-06-18 Laserscope Intra-cavity beam relay for optical harmonic generation
JPH0670922B2 (ja) 1988-08-25 1994-09-07 日立金属株式会社 高電圧パルス発生装置用磁性部品
JP2799575B2 (ja) * 1988-09-30 1998-09-17 キヤノン株式会社 露光方法
US4902998A (en) 1988-11-21 1990-02-20 Westinghouse Electric Corp. Inductor assembly with cooled winding turns
US5005180A (en) 1989-09-01 1991-04-02 Schneider (Usa) Inc. Laser catheter system
DE3937370A1 (de) 1989-11-09 1991-05-16 Otto Bihler Laser
US5025445A (en) 1989-11-22 1991-06-18 Cymer Laser Technologies System for, and method of, regulating the wavelength of a light beam
US5100609A (en) 1990-11-19 1992-03-31 General Electric Company Enhancing load-following and/or spectral shift capability in single-sparger natural circulation boiling water reactors
US5471965A (en) 1990-12-24 1995-12-05 Kapich; Davorin D. Very high speed radial inflow hydraulic turbine
KR100269350B1 (ko) 1991-11-26 2000-10-16 구본준 박막트랜지스터의제조방법
US5329350A (en) 1992-05-21 1994-07-12 Photon, Inc. Measuring laser beam parameters using non-distorting attenuation and multiple simultaneous samples
US5416391A (en) 1992-07-31 1995-05-16 Correa; Paulo N. Electromechanical transduction of plasma pulses
US5359620A (en) 1992-11-12 1994-10-25 Cymer Laser Technologies Apparatus for, and method of, maintaining a clean window in a laser
US5450436A (en) 1992-11-20 1995-09-12 Kabushiki Kaisha Komatsu Seisakusho Laser gas replenishing apparatus and method in excimer laser system
US5325407A (en) 1993-03-22 1994-06-28 Westinghouse Electric Corporation Core barrel and support plate assembly for pressurized water nuclear reactor
US5375132A (en) 1993-05-05 1994-12-20 Coherent, Inc. Solid state laser with interleaved output
US5440578B1 (en) 1993-07-16 2000-10-24 Cymer Inc Gas replenishment method ad apparatus for excimer lasers
US5313481A (en) 1993-09-29 1994-05-17 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Copper laser modulator driving assembly including a magnetic compression laser
US5543916A (en) 1993-10-04 1996-08-06 Science Solutions, Inc. Interferometer with alignment assembly and with processor for linearizing fringes for determining the wavelength of laser light
US6122036A (en) * 1993-10-21 2000-09-19 Nikon Corporation Projection exposure apparatus and method
JP3824092B2 (ja) 1993-12-24 2006-09-20 株式会社小松製作所 エキシマレ−ザ装置のガス補給方法
JP3401769B2 (ja) * 1993-12-28 2003-04-28 株式会社ニコン 露光方法、ステージ装置、及び露光装置
US5778016A (en) 1994-04-01 1998-07-07 Imra America, Inc. Scanning temporal ultrafast delay methods and apparatuses therefor
JP2816813B2 (ja) 1994-04-12 1998-10-27 株式会社小松製作所 エキシマレーザ装置
KR100325995B1 (ko) 1994-06-16 2002-07-22 고마쯔 리미티드 방전여기형레이저장치에있어서의레이저가스의제어장치및충방전장치
US5448580A (en) 1994-07-05 1995-09-05 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Air and water cooled modulator
US6300176B1 (en) 1994-07-22 2001-10-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser processing method
US6016323A (en) * 1995-06-06 2000-01-18 Spectra Physics Lasers, Inc. Broadly tunable single longitudinal mode output produced from multi-longitudinal mode seed source
JP3535241B2 (ja) 1994-11-18 2004-06-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体デバイス及びその作製方法
DE4444511B4 (de) 1994-11-30 2005-07-07 Eads Deutschland Gmbh Multipath-Resonator mit longitudinaler Pumpanordnung
US6163010A (en) 1996-10-25 2000-12-19 E. I. Du Pont De Nemours And Company Method and apparatus for laser cutting materials
US5863017A (en) 1996-01-05 1999-01-26 Cymer, Inc. Stabilized laser platform and module interface
JP3917231B2 (ja) 1996-02-06 2007-05-23 株式会社半導体エネルギー研究所 レーザー照射装置およびレーザー照射方法
US6555449B1 (en) * 1996-05-28 2003-04-29 Trustees Of Columbia University In The City Of New York Methods for producing uniform large-grained and grain boundary location manipulated polycrystalline thin film semiconductors using sequential lateral solidfication
JP3204986B2 (ja) 1996-05-28 2001-09-04 ザ トラスティース オブ コロンビア ユニヴァーシティ イン ザ シティ オブ ニューヨーク 基板上の半導体膜領域の結晶化処理及びこの方法により製造されたデバイス
US5863018A (en) * 1996-08-30 1999-01-26 Lexair, Inc. Bar feeder support
JPH10209069A (ja) * 1997-01-17 1998-08-07 Sumitomo Heavy Ind Ltd レーザアニール方法及びレーザアニール装置
US5771258A (en) 1997-02-11 1998-06-23 Cymer, Inc. Aerodynamic chamber design for high pulse repetition rate excimer lasers
US5982800A (en) 1997-04-23 1999-11-09 Cymer, Inc. Narrow band excimer laser
US5936988A (en) 1997-12-15 1999-08-10 Cymer, Inc. High pulse rate pulse power system
US5835520A (en) 1997-04-23 1998-11-10 Cymer, Inc. Very narrow band KrF laser
US6128323A (en) 1997-04-23 2000-10-03 Cymer, Inc. Reliable modular production quality narrow-band high REP rate excimer laser
US5991324A (en) 1998-03-11 1999-11-23 Cymer, Inc. Reliable. modular, production quality narrow-band KRF excimer laser
US5856991A (en) 1997-06-04 1999-01-05 Cymer, Inc. Very narrow band laser
US6094448A (en) 1997-07-01 2000-07-25 Cymer, Inc. Grating assembly with bi-directional bandwidth control
US6192064B1 (en) 1997-07-01 2001-02-20 Cymer, Inc. Narrow band laser with fine wavelength control
US6018537A (en) 1997-07-18 2000-01-25 Cymer, Inc. Reliable, modular, production quality narrow-band high rep rate F2 laser
US6330261B1 (en) 1997-07-18 2001-12-11 Cymer, Inc. Reliable, modular, production quality narrow-band high rep rate ArF excimer laser
US6014398A (en) 1997-10-10 2000-01-11 Cymer, Inc. Narrow band excimer laser with gas additive
US5852621A (en) 1997-07-21 1998-12-22 Cymer, Inc. Pulse laser with pulse energy trimmer
US6757316B2 (en) * 1999-12-27 2004-06-29 Cymer, Inc. Four KHz gas discharge laser
US6671294B2 (en) * 1997-07-22 2003-12-30 Cymer, Inc. Laser spectral engineering for lithographic process
US6721340B1 (en) * 1997-07-22 2004-04-13 Cymer, Inc. Bandwidth control technique for a laser
US6529531B1 (en) * 1997-07-22 2003-03-04 Cymer, Inc. Fast wavelength correction technique for a laser
US6317447B1 (en) 2000-01-25 2001-11-13 Cymer, Inc. Electric discharge laser with acoustic chirp correction
US6853653B2 (en) * 1997-07-22 2005-02-08 Cymer, Inc. Laser spectral engineering for lithographic process
US6067306A (en) 1997-08-08 2000-05-23 Cymer, Inc. Laser-illuminated stepper or scanner with energy sensor feedback
US6188710B1 (en) 1997-10-10 2001-02-13 Cymer, Inc. Narrow band gas discharge laser with gas additive
JPH11121849A (ja) 1997-10-17 1999-04-30 Fujitsu Ltd 光通信装置における光増幅器
US5953360A (en) 1997-10-24 1999-09-14 Synrad, Inc. All metal electrode sealed gas laser
US5940421A (en) 1997-12-15 1999-08-17 Cymer, Inc. Current reversal prevention circuit for a pulsed gas discharge laser
US6151346A (en) 1997-12-15 2000-11-21 Cymer, Inc. High pulse rate pulse power system with fast rise time and low current
JP3829962B2 (ja) * 1998-01-22 2006-10-04 富士通株式会社 光アッテネータ並びに該光アッテネータを備えたシステム、光増幅器及び端局装置
US5978406A (en) 1998-01-30 1999-11-02 Cymer, Inc. Fluorine control system for excimer lasers
US6240117B1 (en) 1998-01-30 2001-05-29 Cymer, Inc. Fluorine control system with fluorine monitor
US6151349A (en) 1998-03-04 2000-11-21 Cymer, Inc. Automatic fluorine control system
US6016325A (en) 1998-04-27 2000-01-18 Cymer, Inc. Magnetic modulator voltage and temperature timing compensation circuit
US6424666B1 (en) * 1999-06-23 2002-07-23 Lambda Physik Ag Line-narrowing module for high power laser
US6212214B1 (en) 1998-10-05 2001-04-03 Lambda Physik Ag Performance control system and method for gas discharge lasers
KR100292048B1 (ko) 1998-06-09 2001-07-12 구본준, 론 위라하디락사 박막트랜지스터액정표시장치의제조방법
JP2926581B1 (ja) * 1998-07-01 1999-07-28 山口日本電気株式会社 縮小投影露光装置
US6618421B2 (en) * 1998-07-18 2003-09-09 Cymer, Inc. High repetition rate gas discharge laser with precise pulse timing control
US6208675B1 (en) 1998-08-27 2001-03-27 Cymer, Inc. Blower assembly for a pulsed laser system incorporating ceramic bearings
US6067311A (en) 1998-09-04 2000-05-23 Cymer, Inc. Excimer laser with pulse multiplier
US6567450B2 (en) * 1999-12-10 2003-05-20 Cymer, Inc. Very narrow band, two chamber, high rep rate gas discharge laser system
US6208674B1 (en) 1998-09-18 2001-03-27 Cymer, Inc. Laser chamber with fully integrated electrode feedthrough main insulator
US6539046B2 (en) * 1998-10-02 2003-03-25 Cymer, Inc. Wavemeter for gas discharge laser
DE19942455A1 (de) 1998-10-05 2000-04-06 Lambda Physik Gmbh Leistungssteuersystem und -verfahren für Gasentladungslaser
US6212211B1 (en) 1998-10-09 2001-04-03 Cymer, Inc. Shock wave dissipating laser chamber
US6160831A (en) 1998-10-26 2000-12-12 Lambda Physik Gmbh Wavelength calibration tool for narrow band excimer lasers
DE19853487A1 (de) * 1998-11-19 2000-05-25 Fumapharm Ag Muri Verwendung von Dialkylfumaraten
US6389052B2 (en) * 1999-03-17 2002-05-14 Lambda Physik Ag Laser gas replenishment method
US6157662A (en) 1999-02-12 2000-12-05 Lambda Physik Gmbh F2 (157nm) laser employing neon as the buffer gas
US6219368B1 (en) 1999-02-12 2001-04-17 Lambda Physik Gmbh Beam delivery system for molecular fluorine (F2) laser
JP2000252228A (ja) * 1999-03-04 2000-09-14 Toshiba Corp レーザアニール装置
US6243406B1 (en) * 1999-03-12 2001-06-05 Peter Heist Gas performance control system for gas discharge lasers
US6104735A (en) 1999-04-13 2000-08-15 Cymer, Inc. Gas discharge laser with magnetic bearings and magnetic reluctance centering for fan drive assembly
US6164116A (en) 1999-05-06 2000-12-26 Cymer, Inc. Gas module valve automated test fixture
US6535531B1 (en) * 2001-11-29 2003-03-18 Cymer, Inc. Gas discharge laser with pulse multiplier
US6882674B2 (en) * 1999-12-27 2005-04-19 Cymer, Inc. Four KHz gas discharge laser system
US6381257B1 (en) 1999-09-27 2002-04-30 Cymer, Inc. Very narrow band injection seeded F2 lithography laser
US6414979B2 (en) * 2000-06-09 2002-07-02 Cymer, Inc. Gas discharge laser with blade-dielectric electrode
US6556600B2 (en) * 1999-09-27 2003-04-29 Cymer, Inc. Injection seeded F2 laser with centerline wavelength control
US6865210B2 (en) * 2001-05-03 2005-03-08 Cymer, Inc. Timing control for two-chamber gas discharge laser system
US6370174B1 (en) 1999-10-20 2002-04-09 Cymer, Inc. Injection seeded F2 lithography laser
US6549551B2 (en) * 1999-09-27 2003-04-15 Cymer, Inc. Injection seeded laser with precise timing control
US6625191B2 (en) * 1999-12-10 2003-09-23 Cymer, Inc. Very narrow band, two chamber, high rep rate gas discharge laser system
KR100327087B1 (ko) 1999-06-28 2002-03-13 구본준, 론 위라하디락사 레이저 어닐링 방법
JP2001023918A (ja) * 1999-07-08 2001-01-26 Nec Corp 半導体薄膜形成装置
JP3410989B2 (ja) * 1999-08-02 2003-05-26 住友重機械工業株式会社 精密レーザ照射装置及び制御方法
US6573531B1 (en) * 1999-09-03 2003-06-03 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Systems and methods using sequential lateral solidification for producing single or polycrystalline silicon thin films at low temperatures
US6317448B1 (en) 1999-09-23 2001-11-13 Cymer, Inc. Bandwidth estimating technique for narrow band laser
US6359922B1 (en) 1999-10-20 2002-03-19 Cymer, Inc. Single chamber gas discharge laser with line narrowed seed beam
US6529533B1 (en) * 1999-11-22 2003-03-04 Lambda Physik Ag Beam parameter monitoring unit for a molecular fluorine (F2) laser
US6532247B2 (en) * 2000-02-09 2003-03-11 Cymer, Inc. Laser wavelength control unit with piezoelectric driver
US6281471B1 (en) 1999-12-28 2001-08-28 Gsi Lumonics, Inc. Energy-efficient, laser-based method and system for processing target material
US6408260B1 (en) * 2000-02-16 2002-06-18 Cymer, Inc. Laser lithography quality alarm system
US6368945B1 (en) 2000-03-16 2002-04-09 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Method and system for providing a continuous motion sequential lateral solidification
JP2001308313A (ja) * 2000-04-21 2001-11-02 Nec Corp 電荷転送装置及びそれを用いた固体撮像装置
US6584132B2 (en) * 2000-11-01 2003-06-24 Cymer, Inc. Spinodal copper alloy electrodes
US6914919B2 (en) * 2000-06-19 2005-07-05 Cymer, Inc. Six to ten KHz, or greater gas discharge laser system
US6693939B2 (en) * 2001-01-29 2004-02-17 Cymer, Inc. Laser lithography light source with beam delivery
US6577380B1 (en) * 2000-07-21 2003-06-10 Anvik Corporation High-throughput materials processing system
US6750972B2 (en) * 2000-11-17 2004-06-15 Cymer, Inc. Gas discharge ultraviolet wavemeter with enhanced illumination
US6582827B1 (en) * 2000-11-27 2003-06-24 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Specialized substrates for use in sequential lateral solidification processing
US6704340B2 (en) * 2001-01-29 2004-03-09 Cymer, Inc. Lithography laser system with in-place alignment tool
US6538737B2 (en) * 2001-01-29 2003-03-25 Cymer, Inc. High resolution etalon-grating spectrometer
US6690704B2 (en) * 2001-04-09 2004-02-10 Cymer, Inc. Control system for a two chamber gas discharge laser
US20050259709A1 (en) * 2002-05-07 2005-11-24 Cymer, Inc. Systems and methods for implementing an interaction between a laser shaped as a line beam and a film deposited on a substrate
US6998620B2 (en) * 2001-08-13 2006-02-14 Lambda Physik Ag Stable energy detector for extreme ultraviolet radiation detection
US6963595B2 (en) * 2001-08-29 2005-11-08 Cymer, Inc. Automatic gas control system for a gas discharge laser
JP2003282477A (ja) * 2002-03-26 2003-10-03 Japan Steel Works Ltd:The 照射距離自動調節方法及びその装置
JP2004014876A (ja) * 2002-06-07 2004-01-15 Nikon Corp 調整方法、空間像計測方法及び像面計測方法、並びに露光装置
JP2004119919A (ja) * 2002-09-30 2004-04-15 Hitachi Ltd 半導体薄膜および半導体薄膜の製造方法
JP4555033B2 (ja) * 2003-12-25 2010-09-29 株式会社 液晶先端技術開発センター 結晶化装置並びに方法、電子デバイスの製造方法、及び光変調素子

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6400445B2 (en) 1994-02-22 2002-06-04 Nikon Corporation Method and apparatus for positioning substrate
US20030142313A1 (en) 1998-07-03 2003-07-31 Shoshi Katayama Position detection apparatus and exposure apparatus
US20020104231A1 (en) 2001-02-05 2002-08-08 Tamotsu Tominaga Position measuring apparatus

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101312569B1 (ko) * 2012-02-29 2013-10-14 유홍근 필름형 온도센서

Also Published As

Publication number Publication date
EP1889000A4 (en) 2009-10-14
KR20080021653A (ko) 2008-03-07
US20060001878A1 (en) 2006-01-05
WO2006127886A3 (en) 2009-04-16
WO2006127886A2 (en) 2006-11-30
TWI297509B (en) 2008-06-01
US7277188B2 (en) 2007-10-02
TW200703455A (en) 2007-01-16
JP2008546187A (ja) 2008-12-18
JP5165557B2 (ja) 2013-03-21
EP1889000A2 (en) 2008-02-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101267425B1 (ko) 라인 빔과 같이 성형된 레이저와 기판 상에 증착된 필름사이에 인터액션을 구현하기 위한 시스템 및 방법
US8265109B2 (en) Systems and methods for implementing an interaction between a laser shaped as line beam and a film deposited on a substrate
US7193693B2 (en) Apparatus for manufacturing flat panel display devices
JP5231234B2 (ja) ラインビームとして整形されたレーザー光を生成するためのシステム
EP1952105B1 (en) Systems and methods to shape laser light as a homogeneous line beam for interaction with a film deposited on a substrate
JP5590086B2 (ja) ラインビームとして成形されたレーザと基板上に堆積された膜との間の相互作用を実現するためのシステム及び方法
KR101357017B1 (ko) 레이저 결정화 장치
KR102459817B1 (ko) 레이저 결정화 장치
KR101333067B1 (ko) 레이저 광을 라인 빔으로서 성형하기 위한 시스템 및 방법
WO2006127891A2 (en) Systems and methods interacting between a laser and film deposited
JP2000042777A (ja) レーザビームのドリフト補正装置及びこれを用いたレーザ加工装置、並びに加工用レーザビームのドリフト補正方法
JP2007049195A (ja) レーザー照射装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160513

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170512

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180510

Year of fee payment: 6