JP2007049195A - レーザー照射装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 レーザー光の発振ガスが劣化することによるエネルギーの低下を、エネルギー減衰装置の減衰率を変化させることにより、一定のエネルギーとする。
【選択図】 図1
Description
第2の方法はエキシマーレーザーのごときパルス発振レーザーを用いて、大エネルギーレーザーパルスを半導体材料に照射し、半導体材料を瞬間的に溶融させ、凝固させることによって半導体材料を結晶化させる方法である。
しかしながら、通常用いられる正方形もしくは長方形の形状のビームでは、1枚の大きな面積の基板を処理するには、ビームを上下左右に移動させる必要があり、量産性の面で依然として改善する余地があった。
改善すべき問題として残されていたことはレーザー照射効果の均一性である。エキシマレーザーに代表されるガスに対して放電を行うことによってレーザー発振を行うパルス発振レーザーは、パルスごとにエネルギーがある程度変動する性質を有している。さらに、パルス発振レーザーは出力されるエネルギーによってそのエネルギーの変動の度合いが変化する特性を有している。特にレーザーが安定に発振しにくいエネルギー領域で照射を行なう場合、基板全面にわたって均一なエネルギーでレーザー処理することは困難である。
2 レーザー光の発振器
3 レーザー光の増幅器
4 光学系
5、6、8、9 全反射ミラー
10 ステージ
11 試料
Claims (5)
- レーザー光を発振するレーザー発振器と、
前記レーザー発振器から発振されたレーザー光を減衰するエネルギー減衰装置と、
前記減衰されたレーザー光を線状のビームに加工する光学系と、
前記線状のビームの一部を透過する半透過ミラーと、
前記半透過ミラーを透過した線状のビームのエネルギーを測定するエネルギー測定装置と、を有し、
前記半透過ミラーによって反射された線状のビームを被照射物に照射し、
前記線状のビーム内でエネルギー測定装置をスキャンしながらエネルギーを測定し、
該測定結果に基づいて、前記エネルギー減衰装置の減衰率が調製されることを特徴とするレーザー照射装置。 - レーザー光を発振するレーザー発振器と、
前記レーザー発振器から発振されたレーザー光が通過する減光フィルターと、
前記減光フィルターを通過したレーザー光を線状のビームに加工する光学系と、
前記線状のビームの一部を透過する半透過ミラーと、
前記半透過ミラーを透過した線状のビームのエネルギーを測定するエネルギー測定装置と、を有し、
前記半透過ミラーによって反射された線状のビームを被照射物に照射し、
前記線状のビーム内でエネルギー測定装置をスキャンしながらエネルギーを測定し、
該測定結果に基づいて、前記線状のレーザー光の光路に対する前記減光フィルターの角度を変化させることを特徴とするレーザー照射装置。 - レーザー光を発振するレーザー発振器と、
前記レーザー発振器から発振されたレーザー光を減衰するエネルギー減衰装置と、
前記減衰されたレーザー光を線状のビームに加工する光学系と、
前記線状のビームの一部を反射する半透過ミラーと、
前記半透過ミラーによって反射された線状のビームのエネルギーを測定するエネルギー測定装置と、を有し、
前記半透過ミラーを前記線状のビームの端に配置し、前記線状のビームの端が前記半透過ミラーで反射されて、前記エネルギー測定装置に導かれてエネルギーが測定され、
該測定結果に基づいて、前記エネルギー減衰装置の減衰率が調製されることを特徴とするレーザー照射装置。 - レーザー光を発振するレーザー発振器と、
前記レーザー発振器から発振されたレーザー光が通過する減光フィルターと、
前記減光フィルターを通過したレーザー光を線状のビームに加工する光学系と、
前記線状のビームの一部を反射する半透過ミラーと、
前記半透過ミラーによって反射された線状のビームのエネルギーを測定するエネルギー測定装置と、を有し、
前記半透過ミラーを前記線状のビームの端に配置し、前記線状のビームの端が前記半透過ミラーで反射されて、前記エネルギー測定装置に導かれてエネルギーが測定され、
該測定結果に基づいて、前記線状のレーザー光の光路に対する前記減光フィルターの角度を変化させることを特徴とするレーザー照射装置。 - 請求項1ないし請求項4のいずれか1項において、
前記レーザー光はエキシマレーザー光であることを特徴とするレーザー照射装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP35258998A Division JP3929190B2 (ja) | 1998-12-11 | 1998-12-11 | 半導体デバイスの作製方法 |
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Publication Number | Publication Date |
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JP2007049195A true JP2007049195A (ja) | 2007-02-22 |
JP4551385B2 JP4551385B2 (ja) | 2010-09-29 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4551385B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10162187B2 (en) | 2015-03-10 | 2018-12-25 | Technology Research Association For Future Additive Manufacturing | High-output optical attenuator, measurement device, and 3D shaping apparatus |
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