JP4551385B2 - レーザー照射装置 - Google Patents
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Description
第2の方法はエキシマーレーザーのごときパルス発振レーザーを用いて、大エネルギーレーザーパルスを半導体材料に照射し、半導体材料を瞬間的に溶融させ、凝固させることによって半導体材料を結晶化させる方法である。
しかしながら、通常用いられる正方形もしくは長方形の形状のビームでは、1枚の大きな面積の基板を処理するには、ビームを上下左右に移動させる必要があり、量産性の面で依然として改善する余地があった。
改善すべき問題として残されていたことはレーザー照射効果の均一性である。エキシマレーザーに代表されるガスに対して放電を行うことによってレーザー発振を行うパルス発振レーザーは、パルスごとにエネルギーがある程度変動する性質を有している。さらに、パルス発振レーザーは出力されるエネルギーによってそのエネルギーの変動の度合いが変化する特性を有している。特にレーザーが安定に発振しにくいエネルギー領域で照射を行なう場合、基板全面にわたって均一なエネルギーでレーザー処理することは困難である。
2 レーザー光の発振器
3 レーザー光の増幅器
4 光学系
5、6、8、9 全反射ミラー
10 ステージ
11 試料
Claims (5)
- レーザー光を発振するレーザー発振器と、
前記レーザー発振器から発振されたレーザー光を減衰するエネルギー減衰装置と、
前記減衰されたレーザー光を線状のビームに加工する光学系と、
前記線状のビームの一部を透過する半透過ミラーと、
前記半透過ミラーを透過した線状のビームのエネルギーを測定するエネルギー測定装置と、を有し、
前記半透過ミラーによって反射された線状のビームを被照射物に照射し、
前記線状のビーム内でエネルギー測定装置をスキャンしながらエネルギーを測定し、
該測定結果に基づいて、前記エネルギー減衰装置の減衰率が調節されることを特徴とするレーザー照射装置。 - レーザー光を発振するレーザー発振器と、
前記レーザー発振器から発振されたレーザー光が通過する減光フィルターと、
前記減光フィルターを通過したレーザー光を線状のビームに加工する光学系と、
前記線状のビームの一部を透過する半透過ミラーと、
前記半透過ミラーを透過した線状のビームのエネルギーを測定するエネルギー測定装置と、を有し、
前記半透過ミラーによって反射された線状のビームを被照射物に照射し、
前記線状のビーム内でエネルギー測定装置をスキャンしながらエネルギーを測定し、
該測定結果に基づいて、前記線状のレーザー光の光路に対する前記減光フィルターの角度を変化させることを特徴とするレーザー照射装置。 - レーザー光を発振するレーザー発振器と、
前記レーザー発振器から発振されたレーザー光を減衰するエネルギー減衰装置と、
前記減衰されたレーザー光を線状のビームに加工する光学系と、
前記線状のビームの一部を反射する半透過ミラーと、
前記半透過ミラーによって反射された線状のビームのエネルギーを測定するエネルギー測定装置と、を有し、
前記半透過ミラーを前記線状のビームの端に配置し、前記線状のビームの端が前記半透過ミラーで反射されて、前記エネルギー測定装置に導かれてエネルギーが測定され、
該測定結果に基づいて、前記エネルギー減衰装置の減衰率が調節されることを特徴とするレーザー照射装置。 - レーザー光を発振するレーザー発振器と、
前記レーザー発振器から発振されたレーザー光が通過する減光フィルターと、
前記減光フィルターを通過したレーザー光を線状のビームに加工する光学系と、
前記線状のビームの一部を反射する半透過ミラーと、
前記半透過ミラーによって反射された線状のビームのエネルギーを測定するエネルギー測定装置と、を有し、
前記半透過ミラーを前記線状のビームの端に配置し、前記線状のビームの端が前記半透過ミラーで反射されて、前記エネルギー測定装置に導かれてエネルギーが測定され、
該測定結果に基づいて、前記線状のレーザー光の光路に対する前記減光フィルターの角度を変化させることを特徴とするレーザー照射装置。 - 請求項1ないし請求項4のいずれか1項において、
前記レーザー光はエキシマレーザー光であることを特徴とするレーザー照射装置。
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---|---|---|---|---|
WO2016143056A1 (ja) | 2015-03-10 | 2016-09-15 | 技術研究組合次世代3D積層造形技術総合開発機構 | 高出力光用減衰器、測定装置および3次元造形装置 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01246829A (ja) * | 1988-03-28 | 1989-10-02 | Tokyo Electron Ltd | ビームアニール装置 |
JPH01260812A (ja) * | 1988-04-12 | 1989-10-18 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法および装置 |
JPH0278217A (ja) * | 1988-09-14 | 1990-03-19 | Hitachi Ltd | 薄膜半導体装置の製造方法 |
JPH02119128A (ja) * | 1988-10-28 | 1990-05-07 | Nec Corp | レーザアニーリング装置 |
JPH03286518A (ja) * | 1990-04-02 | 1991-12-17 | Seiko Epson Corp | 半導体薄膜の製造方法 |
JPH0548190A (ja) * | 1991-08-12 | 1993-02-26 | Nissin Electric Co Ltd | レーザアニール装置 |
JPH05234885A (ja) * | 1992-02-26 | 1993-09-10 | Ricoh Co Ltd | 単結晶シリコン薄膜形成方法及びその装置 |
JPH06302897A (ja) * | 1993-04-19 | 1994-10-28 | Sumitomo Electric Ind Ltd | レーザ装置、その運転方法およびその応用 |
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- 2006-10-24 JP JP2006288531A patent/JP4551385B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01246829A (ja) * | 1988-03-28 | 1989-10-02 | Tokyo Electron Ltd | ビームアニール装置 |
JPH01260812A (ja) * | 1988-04-12 | 1989-10-18 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法および装置 |
JPH0278217A (ja) * | 1988-09-14 | 1990-03-19 | Hitachi Ltd | 薄膜半導体装置の製造方法 |
JPH02119128A (ja) * | 1988-10-28 | 1990-05-07 | Nec Corp | レーザアニーリング装置 |
JPH03286518A (ja) * | 1990-04-02 | 1991-12-17 | Seiko Epson Corp | 半導体薄膜の製造方法 |
JPH0548190A (ja) * | 1991-08-12 | 1993-02-26 | Nissin Electric Co Ltd | レーザアニール装置 |
JPH05234885A (ja) * | 1992-02-26 | 1993-09-10 | Ricoh Co Ltd | 単結晶シリコン薄膜形成方法及びその装置 |
JPH06302897A (ja) * | 1993-04-19 | 1994-10-28 | Sumitomo Electric Ind Ltd | レーザ装置、その運転方法およびその応用 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2016143056A1 (ja) | 2015-03-10 | 2016-09-15 | 技術研究組合次世代3D積層造形技術総合開発機構 | 高出力光用減衰器、測定装置および3次元造形装置 |
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