JPH02119128A - レーザアニーリング装置 - Google Patents

レーザアニーリング装置

Info

Publication number
JPH02119128A
JPH02119128A JP63271014A JP27101488A JPH02119128A JP H02119128 A JPH02119128 A JP H02119128A JP 63271014 A JP63271014 A JP 63271014A JP 27101488 A JP27101488 A JP 27101488A JP H02119128 A JPH02119128 A JP H02119128A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
laser
intensity
sample
changing
laser beam
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP63271014A
Other languages
English (en)
Inventor
Toshio Miyagawa
敏夫 宮川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP63271014A priority Critical patent/JPH02119128A/ja
Publication of JPH02119128A publication Critical patent/JPH02119128A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Recrystallisation Techniques (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はレーザアニーリング装置に関する。
〔従来の技術〕
従来、レーザアニーリング装置においては、1台のレー
ザ光源の場合が一般的であり、レーザビームを試料に照
射する場合、レーザ光を集光点で使用せず、アニール幅
を広くするためにデイフォーカスで使用している。また
複屈折を利用し、1本のレーザビームを2本に分割し、
@の広いアニーリング幅を得ている。
また、レーザビームを楕円形に成形し、アニーリング幅
を得ている。これらは込ずれも1台のレーザ光源を使用
しているので、レーザ強度を揃えるとhう問題は生じな
い。複屈折を利用し2本のビームに分割する場合は、各
レーザビームの強度は元となるレーザ源結晶によって決
定され2個々に制御することができない。
これらの方法を複数台のレーザ光源を用いて行えば、さ
らに幅の広いアニール幅が得られるが。
レーザビーム強度を試料面で同じにしないと均一のアニ
ールは得られない。正確にレーザビームの強度を同一に
するのは難かしく現在ではレーザ電源の制御で行なって
いる。
〔発明が解決しようとする課題〕
上述したように、従来のレーザアニール装置はレーザ光
源の電源によって複数台のレーザ光源の各レーザビーム
−&jを制御してhる。
この場合、レーザ光源の電源の制御はレーザ発振器の励
起光光源の入力電力を制御することによ)行っている。
この場合通常この励起光に比例したレーザ強度が得られ
るため、レーザ発振器の電源はすべて励起光の光源を可
変できる様に構成されている。
このような構成のレーザ光源を用いた場合、レーザ強度
の可変はレーザ電源の制御で行なえるが。
レーザビームの強度分布も同時に変化してしまう。
これはレーザ発振器が励起光光源の発する熱影響を受け
るからであシ、現在の技術では避けがたい現象である。
このためにレーザアニールを行なうレーザ強度以外のレ
ーザ強度で強度分布を測定しても意味をなさなくなって
しまう。
また、これはレーザアニールを行なうレーザ強度でレー
ザ強度分布を測定しなければならないことを意味するが
、実際の強度分布測定は測定器の一部で金る検出器に被
害を与えないようにするために、アニールを行なうレー
ザ強度より低いレーザ強度でしか測定できず、アニール
時の強度分布が分らないという欠点を有する。
また、複数のレーザ光源を使用する場合は同時に複数の
光学系を用いるがその光学系の透過率を同一にすること
はできずたとえば約60係の透過率から80チまでと異
なってしまうことがある。
この透過率の差をレーザ光源のレーザ強度を変えること
Kよって試料面でのレーザ強度を同一にしなければなら
ないが、この場合もレーザ電源の制御によって行なうの
で、それによってもレーザビームの強度分布がそれぞれ
のレーザ強度により異ってしまうという課題を有する。
本発明は従来のもののこのような課題を解決し。
強度分布を変えないでレーザ強度を可変にできるレーザ
アニーリング装置を提供するものである。
〔課題を解決するための平反〕
本発明のレーザアニーリング装置は複数台のし一デ光源
のレーザビームの強度t−独立にかっレーザ強度分布を
変えることなく可変することのできる減光器と、前記レ
ーザ光源の各レーザビームを独立に遮断するシャッタと
、試料に照射する直前でのレーザ強度を測定するための
レーザパワーメータとを含んで構成される。
〔実施例〕
次靴本発明について図面を参照して説明する。
第1図は本発明の一実施例のブロック図である。
レーザ電源1によシレーザ光源2のレーザビーム強度を
可変できる様になりている。レーザ光源2よシ出射した
レーザビーム11はシャッタ3にょシそれぞれ独立にし
ゃ断す・ることかできる。
シャツ、り3を通過したレーザビーム11は次ニ減光器
4.を通過する。この減光器4は円板形又は長方形にな
っておシ回転角又昧移動量に応じて減光量が増減するよ
うになっている。通常10%〜90%程度まで直線的に
透過率が可変できる。
さらにレーザビーム11は光学系5を通過しビーム合成
器6によって1つになるか又は極めて近接させられ、さ
らに対物レンズ7を通過し集光して試料9に達する。
レーザアニーリング装置の場合、試料9はX。
Yテーブル10上に置かれ、X軸上又はY軸上を走査す
る。または試料9は固定して置きレーザビーム11を同
様に走査しても良い。
試料9に達したレーザビーム11は通常の走査では試料
9のみを走査するが、レーザ強度を測定する場合x、y
テーブル1oを移動し、近接して置かれているレーザパ
ワーメータ8を対物レンズ7の位置にセットする。
レーザパワーメータ8がレーザビーム11を受はレーザ
強度が測定できる位置にセットされているとき、測定し
たい方のシャッタ3を開放し、減光器4を回転又は移動
させ所定の強度を得る。この動作を各レーザビーム11
に対して行なうことによシ、試料9面上でのレーザビー
ム強度は正確に一致し、かつ強度分布の変化を受けない
。このときレーザ電源1及びレーザ光源2には手をつけ
る必要なく、最良の状態にしたままで良い。
このように本実施例では、従来のようにレーザ電源の制
御をせずに、試料面でのレーザ強度を可変にすることが
でき正確に試料面上でのレーザ強度を一致させることが
できる。またこのときにレーザ電源を制御しないため強
度分布は変化しない。
強度分布を変化させないでレーザ強度を可変することが
できるため強度分布測定時には検出器に被害を与えない
レーザ強度で行なうことができる。
〔発明の効果〕
以上説明したように2本発明のレーザアニーリング装置
はレーザ光源のレーザビームの強度を独立に、かつレー
ザ強度分布を変えることなく可変することのできる減光
器と、試料に照射する直前でのレーザ強度を測定するた
めのレーザノ!ワーメータと、遮断器とを含むことによ
シ、光源の状態を変えることなしに、すなわち2強度分
布を変えることなしに、レーザ強度を可変にできる効果
がある。
第1図は本発明の一実施例のブロック図である。
記号の説明:1・・・レーザ電源、2・・・レーザ光源
3・・・シャッタ、4・・・減光器、5・・・光学系、
6・・・ピ・・・観測系。
【図面の簡単な説明】

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1、レーザ光源を複数台用いるレーザアニーリング装置
    において、前記レーザ光源の各レーザビームの強度を独
    立にかつレーザ強度分布を変えることなく可変すること
    のできる減光器と、前記各レーザビームを独立に遮断で
    きるシャッタと、試料に照射する直前でのレーザビーム
    強度を測定するレーザパワーメータとを含むことを特徴
    とするレーザアニーリング装置。
JP63271014A 1988-10-28 1988-10-28 レーザアニーリング装置 Pending JPH02119128A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63271014A JPH02119128A (ja) 1988-10-28 1988-10-28 レーザアニーリング装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63271014A JPH02119128A (ja) 1988-10-28 1988-10-28 レーザアニーリング装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH02119128A true JPH02119128A (ja) 1990-05-07

Family

ID=17494207

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP63271014A Pending JPH02119128A (ja) 1988-10-28 1988-10-28 レーザアニーリング装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH02119128A (ja)

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6210996B1 (en) 1995-01-13 2001-04-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser illumination system
JP2003059859A (ja) * 2001-08-10 2003-02-28 Semiconductor Energy Lab Co Ltd レーザ照射装置およびレーザ照射方法、並びに半導体装置の作製方法
JP2004512669A (ja) * 2000-03-27 2004-04-22 ウルトラテク, ステッパー, インコーポレイテッド 基板を露光するための放射エネルギーの線光源を有する装置
JP2004153150A (ja) * 2002-10-31 2004-05-27 Fujitsu Display Technologies Corp 表示装置の基板の製造方法及び結晶化装置
JP2007049195A (ja) * 2006-10-24 2007-02-22 Semiconductor Energy Lab Co Ltd レーザー照射装置
JP2008177598A (ja) * 2008-03-04 2008-07-31 Sharp Corp 半導体結晶化装置
JP2009131885A (ja) * 2007-11-30 2009-06-18 Sunx Ltd レーザ加工システム
US7714251B2 (en) 2005-11-23 2010-05-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd Laser irradiation apparatus
JP2011204913A (ja) * 2010-03-25 2011-10-13 Japan Steel Works Ltd:The レーザ処理装置およびレーザ処理方法
JP2012135808A (ja) * 2010-12-27 2012-07-19 Omron Corp レーザ加工装置およびレーザ加工方法
JP2012135807A (ja) * 2010-12-27 2012-07-19 Omron Corp レーザ加工装置およびレーザ加工方法
WO2015151177A1 (ja) * 2014-03-31 2015-10-08 ギガフォトン株式会社 レーザシステム又はレーザ露光システム

Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6210996B1 (en) 1995-01-13 2001-04-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser illumination system
US6468842B2 (en) 1995-01-13 2002-10-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser illumination system
US7528079B2 (en) 1995-01-13 2009-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of changing an energy attenuation factor of a linear light in order to crystallize a semiconductor film
US6706570B2 (en) 1995-01-13 2004-03-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd., Laser illumination system
JP2004512669A (ja) * 2000-03-27 2004-04-22 ウルトラテク, ステッパー, インコーポレイテッド 基板を露光するための放射エネルギーの線光源を有する装置
JP2010123994A (ja) * 2000-03-27 2010-06-03 Ultratech Stepper Inc 基板を露光するための放射エネルギーの線光源を有する装置
JP2003059859A (ja) * 2001-08-10 2003-02-28 Semiconductor Energy Lab Co Ltd レーザ照射装置およびレーザ照射方法、並びに半導体装置の作製方法
JP2004153150A (ja) * 2002-10-31 2004-05-27 Fujitsu Display Technologies Corp 表示装置の基板の製造方法及び結晶化装置
US7714251B2 (en) 2005-11-23 2010-05-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd Laser irradiation apparatus
JP2007049195A (ja) * 2006-10-24 2007-02-22 Semiconductor Energy Lab Co Ltd レーザー照射装置
JP4551385B2 (ja) * 2006-10-24 2010-09-29 株式会社半導体エネルギー研究所 レーザー照射装置
JP2009131885A (ja) * 2007-11-30 2009-06-18 Sunx Ltd レーザ加工システム
JP2008177598A (ja) * 2008-03-04 2008-07-31 Sharp Corp 半導体結晶化装置
JP2011204913A (ja) * 2010-03-25 2011-10-13 Japan Steel Works Ltd:The レーザ処理装置およびレーザ処理方法
JP2012135808A (ja) * 2010-12-27 2012-07-19 Omron Corp レーザ加工装置およびレーザ加工方法
JP2012135807A (ja) * 2010-12-27 2012-07-19 Omron Corp レーザ加工装置およびレーザ加工方法
WO2015151177A1 (ja) * 2014-03-31 2015-10-08 ギガフォトン株式会社 レーザシステム又はレーザ露光システム
JPWO2015151177A1 (ja) * 2014-03-31 2017-04-13 ギガフォトン株式会社 レーザシステム又はレーザ露光システム
US10495890B2 (en) 2014-03-31 2019-12-03 Gigaphoton Inc. Laser system or laser exposure system

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3026362B2 (ja) プローブステーションおよびレーザ切断のための多波長レーザ光学システム
JPH02119128A (ja) レーザアニーリング装置
US4695698A (en) Method of, and apparatus for, generating a predetermined pattern using laser radiation
TWI606881B (zh) 雷射加工裝置
US6833918B2 (en) Light scattering particle size distribution measuring apparatus and method of use
JP3063688B2 (ja) レーザ加工装置及びその制御方法並びにその制御プログラムを記録した記録媒体
US11268901B2 (en) Variable aperture mask
US7119347B2 (en) Ion implantation apparatus and method
JPH0318340B2 (ja)
JP2005101202A (ja) レーザアニール装置のレーザビーム強度モニタ方法とレーザアニール装置
Malvestuto et al. The MagneDyn beamline at the FERMI free electron laser
JPH04167986A (ja) レーザ加工装置
CN106198456A (zh) 基于磁光科尔/法拉第效应的超快光学门控成像系统及方法
JP2500196Y2 (ja) レ―ザアニ―ル装置
US20100012031A1 (en) Method and apparatus for optically characterizing the doping of a substrate
JPH0321916A (ja) 光変調器
KR20000011975A (ko) 패턴수정장치및수정방법
SU1675718A1 (ru) Способ контрол фокусировки телескопической системы
JP2004286599A (ja) 分析装置
JP2000000682A (ja) レーザ処理装置および該レーザ処理装置の制御方法
JPH11352054A (ja) エリプソメトリ装置
JPH10142171A (ja) X線分析装置
JPS623280A (ja) 回折格子露光装置
JPH04116915A (ja) 描画ビーム径調整方法
JPS60152386A (ja) レ−ザ加工装置