JPH02119128A - レーザアニーリング装置 - Google Patents
レーザアニーリング装置Info
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- JPH02119128A JPH02119128A JP63271014A JP27101488A JPH02119128A JP H02119128 A JPH02119128 A JP H02119128A JP 63271014 A JP63271014 A JP 63271014A JP 27101488 A JP27101488 A JP 27101488A JP H02119128 A JPH02119128 A JP H02119128A
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- laser
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Links
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims abstract description 18
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 7
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Laser Beam Processing (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はレーザアニーリング装置に関する。
従来、レーザアニーリング装置においては、1台のレー
ザ光源の場合が一般的であり、レーザビームを試料に照
射する場合、レーザ光を集光点で使用せず、アニール幅
を広くするためにデイフォーカスで使用している。また
複屈折を利用し、1本のレーザビームを2本に分割し、
@の広いアニーリング幅を得ている。
ザ光源の場合が一般的であり、レーザビームを試料に照
射する場合、レーザ光を集光点で使用せず、アニール幅
を広くするためにデイフォーカスで使用している。また
複屈折を利用し、1本のレーザビームを2本に分割し、
@の広いアニーリング幅を得ている。
また、レーザビームを楕円形に成形し、アニーリング幅
を得ている。これらは込ずれも1台のレーザ光源を使用
しているので、レーザ強度を揃えるとhう問題は生じな
い。複屈折を利用し2本のビームに分割する場合は、各
レーザビームの強度は元となるレーザ源結晶によって決
定され2個々に制御することができない。
を得ている。これらは込ずれも1台のレーザ光源を使用
しているので、レーザ強度を揃えるとhう問題は生じな
い。複屈折を利用し2本のビームに分割する場合は、各
レーザビームの強度は元となるレーザ源結晶によって決
定され2個々に制御することができない。
これらの方法を複数台のレーザ光源を用いて行えば、さ
らに幅の広いアニール幅が得られるが。
らに幅の広いアニール幅が得られるが。
レーザビーム強度を試料面で同じにしないと均一のアニ
ールは得られない。正確にレーザビームの強度を同一に
するのは難かしく現在ではレーザ電源の制御で行なって
いる。
ールは得られない。正確にレーザビームの強度を同一に
するのは難かしく現在ではレーザ電源の制御で行なって
いる。
上述したように、従来のレーザアニール装置はレーザ光
源の電源によって複数台のレーザ光源の各レーザビーム
−&jを制御してhる。
源の電源によって複数台のレーザ光源の各レーザビーム
−&jを制御してhる。
この場合、レーザ光源の電源の制御はレーザ発振器の励
起光光源の入力電力を制御することによ)行っている。
起光光源の入力電力を制御することによ)行っている。
この場合通常この励起光に比例したレーザ強度が得られ
るため、レーザ発振器の電源はすべて励起光の光源を可
変できる様に構成されている。
るため、レーザ発振器の電源はすべて励起光の光源を可
変できる様に構成されている。
このような構成のレーザ光源を用いた場合、レーザ強度
の可変はレーザ電源の制御で行なえるが。
の可変はレーザ電源の制御で行なえるが。
レーザビームの強度分布も同時に変化してしまう。
これはレーザ発振器が励起光光源の発する熱影響を受け
るからであシ、現在の技術では避けがたい現象である。
るからであシ、現在の技術では避けがたい現象である。
このためにレーザアニールを行なうレーザ強度以外のレ
ーザ強度で強度分布を測定しても意味をなさなくなって
しまう。
ーザ強度で強度分布を測定しても意味をなさなくなって
しまう。
また、これはレーザアニールを行なうレーザ強度でレー
ザ強度分布を測定しなければならないことを意味するが
、実際の強度分布測定は測定器の一部で金る検出器に被
害を与えないようにするために、アニールを行なうレー
ザ強度より低いレーザ強度でしか測定できず、アニール
時の強度分布が分らないという欠点を有する。
ザ強度分布を測定しなければならないことを意味するが
、実際の強度分布測定は測定器の一部で金る検出器に被
害を与えないようにするために、アニールを行なうレー
ザ強度より低いレーザ強度でしか測定できず、アニール
時の強度分布が分らないという欠点を有する。
また、複数のレーザ光源を使用する場合は同時に複数の
光学系を用いるがその光学系の透過率を同一にすること
はできずたとえば約60係の透過率から80チまでと異
なってしまうことがある。
光学系を用いるがその光学系の透過率を同一にすること
はできずたとえば約60係の透過率から80チまでと異
なってしまうことがある。
この透過率の差をレーザ光源のレーザ強度を変えること
Kよって試料面でのレーザ強度を同一にしなければなら
ないが、この場合もレーザ電源の制御によって行なうの
で、それによってもレーザビームの強度分布がそれぞれ
のレーザ強度により異ってしまうという課題を有する。
Kよって試料面でのレーザ強度を同一にしなければなら
ないが、この場合もレーザ電源の制御によって行なうの
で、それによってもレーザビームの強度分布がそれぞれ
のレーザ強度により異ってしまうという課題を有する。
本発明は従来のもののこのような課題を解決し。
強度分布を変えないでレーザ強度を可変にできるレーザ
アニーリング装置を提供するものである。
アニーリング装置を提供するものである。
本発明のレーザアニーリング装置は複数台のし一デ光源
のレーザビームの強度t−独立にかっレーザ強度分布を
変えることなく可変することのできる減光器と、前記レ
ーザ光源の各レーザビームを独立に遮断するシャッタと
、試料に照射する直前でのレーザ強度を測定するための
レーザパワーメータとを含んで構成される。
のレーザビームの強度t−独立にかっレーザ強度分布を
変えることなく可変することのできる減光器と、前記レ
ーザ光源の各レーザビームを独立に遮断するシャッタと
、試料に照射する直前でのレーザ強度を測定するための
レーザパワーメータとを含んで構成される。
次靴本発明について図面を参照して説明する。
第1図は本発明の一実施例のブロック図である。
レーザ電源1によシレーザ光源2のレーザビーム強度を
可変できる様になりている。レーザ光源2よシ出射した
レーザビーム11はシャッタ3にょシそれぞれ独立にし
ゃ断す・ることかできる。
可変できる様になりている。レーザ光源2よシ出射した
レーザビーム11はシャッタ3にょシそれぞれ独立にし
ゃ断す・ることかできる。
シャツ、り3を通過したレーザビーム11は次ニ減光器
4.を通過する。この減光器4は円板形又は長方形にな
っておシ回転角又昧移動量に応じて減光量が増減するよ
うになっている。通常10%〜90%程度まで直線的に
透過率が可変できる。
4.を通過する。この減光器4は円板形又は長方形にな
っておシ回転角又昧移動量に応じて減光量が増減するよ
うになっている。通常10%〜90%程度まで直線的に
透過率が可変できる。
さらにレーザビーム11は光学系5を通過しビーム合成
器6によって1つになるか又は極めて近接させられ、さ
らに対物レンズ7を通過し集光して試料9に達する。
器6によって1つになるか又は極めて近接させられ、さ
らに対物レンズ7を通過し集光して試料9に達する。
レーザアニーリング装置の場合、試料9はX。
Yテーブル10上に置かれ、X軸上又はY軸上を走査す
る。または試料9は固定して置きレーザビーム11を同
様に走査しても良い。
る。または試料9は固定して置きレーザビーム11を同
様に走査しても良い。
試料9に達したレーザビーム11は通常の走査では試料
9のみを走査するが、レーザ強度を測定する場合x、y
テーブル1oを移動し、近接して置かれているレーザパ
ワーメータ8を対物レンズ7の位置にセットする。
9のみを走査するが、レーザ強度を測定する場合x、y
テーブル1oを移動し、近接して置かれているレーザパ
ワーメータ8を対物レンズ7の位置にセットする。
レーザパワーメータ8がレーザビーム11を受はレーザ
強度が測定できる位置にセットされているとき、測定し
たい方のシャッタ3を開放し、減光器4を回転又は移動
させ所定の強度を得る。この動作を各レーザビーム11
に対して行なうことによシ、試料9面上でのレーザビー
ム強度は正確に一致し、かつ強度分布の変化を受けない
。このときレーザ電源1及びレーザ光源2には手をつけ
る必要なく、最良の状態にしたままで良い。
強度が測定できる位置にセットされているとき、測定し
たい方のシャッタ3を開放し、減光器4を回転又は移動
させ所定の強度を得る。この動作を各レーザビーム11
に対して行なうことによシ、試料9面上でのレーザビー
ム強度は正確に一致し、かつ強度分布の変化を受けない
。このときレーザ電源1及びレーザ光源2には手をつけ
る必要なく、最良の状態にしたままで良い。
このように本実施例では、従来のようにレーザ電源の制
御をせずに、試料面でのレーザ強度を可変にすることが
でき正確に試料面上でのレーザ強度を一致させることが
できる。またこのときにレーザ電源を制御しないため強
度分布は変化しない。
御をせずに、試料面でのレーザ強度を可変にすることが
でき正確に試料面上でのレーザ強度を一致させることが
できる。またこのときにレーザ電源を制御しないため強
度分布は変化しない。
強度分布を変化させないでレーザ強度を可変することが
できるため強度分布測定時には検出器に被害を与えない
レーザ強度で行なうことができる。
できるため強度分布測定時には検出器に被害を与えない
レーザ強度で行なうことができる。
以上説明したように2本発明のレーザアニーリング装置
はレーザ光源のレーザビームの強度を独立に、かつレー
ザ強度分布を変えることなく可変することのできる減光
器と、試料に照射する直前でのレーザ強度を測定するた
めのレーザノ!ワーメータと、遮断器とを含むことによ
シ、光源の状態を変えることなしに、すなわち2強度分
布を変えることなしに、レーザ強度を可変にできる効果
がある。
はレーザ光源のレーザビームの強度を独立に、かつレー
ザ強度分布を変えることなく可変することのできる減光
器と、試料に照射する直前でのレーザ強度を測定するた
めのレーザノ!ワーメータと、遮断器とを含むことによ
シ、光源の状態を変えることなしに、すなわち2強度分
布を変えることなしに、レーザ強度を可変にできる効果
がある。
第1図は本発明の一実施例のブロック図である。
記号の説明:1・・・レーザ電源、2・・・レーザ光源
。
。
3・・・シャッタ、4・・・減光器、5・・・光学系、
6・・・ピ・・・観測系。
6・・・ピ・・・観測系。
Claims (1)
- 1、レーザ光源を複数台用いるレーザアニーリング装置
において、前記レーザ光源の各レーザビームの強度を独
立にかつレーザ強度分布を変えることなく可変すること
のできる減光器と、前記各レーザビームを独立に遮断で
きるシャッタと、試料に照射する直前でのレーザビーム
強度を測定するレーザパワーメータとを含むことを特徴
とするレーザアニーリング装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63271014A JPH02119128A (ja) | 1988-10-28 | 1988-10-28 | レーザアニーリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63271014A JPH02119128A (ja) | 1988-10-28 | 1988-10-28 | レーザアニーリング装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02119128A true JPH02119128A (ja) | 1990-05-07 |
Family
ID=17494207
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63271014A Pending JPH02119128A (ja) | 1988-10-28 | 1988-10-28 | レーザアニーリング装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02119128A (ja) |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6210996B1 (en) | 1995-01-13 | 2001-04-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laser illumination system |
JP2003059859A (ja) * | 2001-08-10 | 2003-02-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | レーザ照射装置およびレーザ照射方法、並びに半導体装置の作製方法 |
JP2004512669A (ja) * | 2000-03-27 | 2004-04-22 | ウルトラテク, ステッパー, インコーポレイテッド | 基板を露光するための放射エネルギーの線光源を有する装置 |
JP2004153150A (ja) * | 2002-10-31 | 2004-05-27 | Fujitsu Display Technologies Corp | 表示装置の基板の製造方法及び結晶化装置 |
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JP2008177598A (ja) * | 2008-03-04 | 2008-07-31 | Sharp Corp | 半導体結晶化装置 |
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US7714251B2 (en) | 2005-11-23 | 2010-05-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd | Laser irradiation apparatus |
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JP2012135808A (ja) * | 2010-12-27 | 2012-07-19 | Omron Corp | レーザ加工装置およびレーザ加工方法 |
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WO2015151177A1 (ja) * | 2014-03-31 | 2015-10-08 | ギガフォトン株式会社 | レーザシステム又はレーザ露光システム |
-
1988
- 1988-10-28 JP JP63271014A patent/JPH02119128A/ja active Pending
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US6706570B2 (en) | 1995-01-13 | 2004-03-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd., | Laser illumination system |
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