JP2011204913A - レーザ処理装置およびレーザ処理方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】レーザ光を出力するレーザ発振源(レーザ発振器2)と、該レーザ光を被処理体に導く光学系4と、前記被処理体8に照射されて反射した反射レーザ光を計測する計測手段(計測器10)とを備えるレーザ処理装置を用い、レーザ光を被処理体に照射して該被処理体の処理を行うとともに、該被処理体で一部が反射したレーザ光を計測して、前記被処理体に照射されたレーザ光のパワーまたはエネルギーを推定し、予め設定された閾値とを比較し、該比較結果に基づいて前記レーザ光のパワーまたはエネルギーの適正判定を行う。
【選択図】図1
Description
しかし、光学系では経時的に汚れが発生し、また処理室では被処理体にレーザ光を照射することによって被処理体の一部が蒸発して処理室導入窓の汚れが発生したりする。このためレーザ発振器やアッテネータを適切に調整しても、前記汚れなどによって被処理体に与えられるレーザ光のパワーやエネルギーが変動することがあり、被処理体に照射されるレーザ光そのもののパワーやエネルギーを正確に把握したいという要望がある。
上記装置を図5に基づいて説明する。
図5に示されるレーザ加工装置は、ステージ20を内装するチャンバ21を備えており、前記ステージ20に処理対象となる基板22が設置される。チャンバ21外には、レーザ光源30、アッテネータ31、ミラー32、33、34、35等を備えており、レーザ光が照射される照射光学系36が位置調整装置23によって、チャンバ21に向けた位置とチャンバ21外に向けた位置に移動可能になっている。照射光学系36が位置調整装置23によってチャンバ21に向けた位置では、照射位置にスリット24およびジュールメータ25が設置されており、ジュールメータ25の出力は主制御装置26に接続されたアッテネータコントローラ27に送信されるように構成されている。
なお、計測手段の設置、計測を容易にするために、前記被処理体に対し入射角θ(>0)によって前記レーザ光が照射されるようにするのが望ましい。該入射角θは、前記光学系によって設定することができる。
上記光学系は、レーザ光の光路に配置されるレンズ、ミラー、ホモジナイザーなどの適宜の光学部材により構成され、本発明としては特定のものに限定されるものではない。
ライン状のレーザビームでは、長軸方向におけるパワー密度やエネルギー密度の分布も重要であり、均一に定めているものでは長軸方向でのパワー密度やエネルギー密度の均一性が必要になる。このため、測定手段としては、ラインビーム形状を有する反射レーザ光の長軸方向に沿って、それぞれ独立して計測が可能な複数の計測点を有するものとしてもよい。
前記閾値は、適正なパワーやエネルギーが得られている際の反射レーザ光の計測値に相当する値を考慮して決定することができる。閾値は安全度を考慮して、定めることができる。
制御装置では、計測結果からレーザ光のパワーやエネルギーが適正でないと判定する場合、被処理体の照射中または各被処理体を処理する間に、レーザ発振器やアッテネータを調整して、照射されるレーザ光が適正なパワーやエネルギーなどを有するように制御することができる。
本発明のレーザ処理装置に相当するレーザアニール装置1は、エキシマレーザを出力するレーザ発振器2を備えており、レーザ発振器2の出力先には、レーザ発振器2から出力されたレーザ光2aの出力を調整するアッテネータ3が配置されている。アッテネータ3は、レーザ光の透過率を調整することでレーザ光の出力調整を行うことができ、該アッテネータ3では、透過率の調整が可変になっている。
また、アッテネータ3および光学系4は、光学系プロテッタ5内に収容されており、該プロテッタ5の出射窓5aを通してレーザ光100が処理室6に向けて照射される。
該入射角φに対する反射角φ方向には、処理室6内において反射したレーザ光のパワーやエネルギーを計測する計測器10が計測手段として設置されている。この形態では、計測器10は、入射したレーザ光のパワーまたはエネルギーを計測して、計測結果を外部に出力可能になっている。
先ず、処理室6内のステージ7上に、アモルファスシリコン薄膜8bが形成された被処理体8を設置する。
レーザ発振器2からは波長308nmのエキシマレーザ光であるレーザ光2aが出力される。該レーザ光2aは、アッテネータ3を透過して所望の出力に調整され、光学系4においてレンズ4aによる集光、ミラー4bによる反射などを経てラインビーム状のレーザ光100に整形される。該レーザ光100は、出射窓5a、導入窓6aを通して処理室6内に導入され、ステージ7上のアモルファスシリコン薄膜8bに入射角φで照射される。
この際に、ステージ7は、図示しない制御装置によって移動が制御され、レーザ照射時に、ラインビームの短軸方向に所定の送り速度で等速で移動される。
一方、アモルファスシリコン薄膜8bに照射されたレーザ光100の約50%は表面で反射される。この際には、図1に示すように、レーザ光は入射角φに従って反射角φで反射され、反射したレーザ光100は、その進行方向にある計測器10に入射する。
アニール処理のスタートに伴って、被処理体8で反射されるレーザ光のエネルギーまたはパワーを計測器10で計測する(ステップs1)。計測器10における計測結果は、上記したように、制御装置11に送信される。
制御装置11では、計測値(検出値)を受信するとともに記憶部11aに格納された閾値を読み出し、検出値と閾値とを対比し、検出値が上下閾値内の所定範囲内にあるか否かの判定がなされる(ステップs2)。検出値が所定範囲以内にあれば(ステップs2、YES)、レーザ光の出力は適正であると判定し、処理およびエネルギーまたはパワーの検出を継続する(ステップs1へ)。
図4は、上記複数点での計測が可能になった計測器15を示すものであり、レーザ光の長軸方向に沿って複数の計測部15a…15aを有している。各計測部15a…15aは、それぞれ出力ライン15b…15bを有しており、前記した制御装置11に独立して計測結果を出力することができる。これにより制御装置11では、長軸方向におけるレーザ光のエネルギー密度やパワー密度の分布を知ることができ、メンテナンスなどを適切に行うことができる。また、上記分布に従って、レーザ光の出力を調整することも可能である。
以上、本発明について、上記実施形態に基づいて説明を行ったが、本発明は上記実施形態の説明に限定されるものではなく、本発明の範囲を逸脱しない限りは適宜の変更が可能である。
2 レーザ発振器
2a レーザ光
3 アッテネータ
4 光学系
6 処理室
8 被処理体
10 計測器
11 制御装置
15 計測器
15a 計測部
100 レーザ光
Claims (10)
- レーザ光を出力するレーザ発振源と、該レーザ光を被処理体に導く光学系と、前記被処理体に照射されて反射した反射レーザ光を計測する計測手段とを備えることを特徴とするレーザ処理装置。
- 前記被処理体を内部に配置し、外部に設けた前記光学系を通して前記被処理体にレーザ光を導く処理室を備えており、前記計測手段は、該処理室内に設置されていることを特徴とする請求項1記載のレーザ処理装置。
- 前記計測手段は、前記反射レーザ光のパワーまたはエネルギーを測定するものであることを特徴とする請求項1または2に記載のレーザ処理装置。
- 前記被処理体に照射されるレーザ光がラインビーム形状を有しており、前記計測手段は、ラインビーム形状を有する反射レーザ光の長軸方向に沿って、それぞれ独立して計測が可能な複数の計測点を有することを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載のレーザ処理装置。
- 前記被処理体に照射するレーザ光を該被処理体に対し相対的に移動させる移動装置を備えることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載のレーザ処理装置。
- 前記レーザ発振源から出力されたレーザ光の減衰率を調節可能なアッテネータを備えており、
前記計測手段の結果を受けて、前記レーザ発振源または/および前記アッテネータの調整によって前記レーザ光の出力を制御する制御装置を備えることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載のレーザ処理装置。 - 前記光学系は、前記被処理体に対し入射角θ(>0)によって前記レーザ光が照射されるように構成されていることを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載のレーザ処理装置。
- レーザ光を被処理体に照射して該被処理体の処理を行うとともに、該被処理体で一部が反射したレーザ光を計測して、前記被処理体に照射されたレーザ光のパワーまたはエネルギーを推定することを特徴とするレーザ処理方法。
- 前記推定がなされたレーザ光のパワーまたはエネルギーの推定値と、予め設定された閾値とを比較し、該比較結果に基づいて前記レーザ光のパワーまたはエネルギーの適正判定を行うことを特徴とする請求項8記載のレーザ処理方法。
- 前記判定において前記レーザ光のパワーまたはエネルギーが適正でないと判定される場合、該レーザ光の出力を調整することを特徴とする請求項8または9に記載のレーザ処理方法。
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