TWI512827B - 半導體膜的雷射回火方法以及回火裝置 - Google Patents

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Description

半導體膜的雷射回火方法以及回火裝置
本發明是有關於一種製造用於薄膜電晶體中的多晶(polycrystal)半導體膜或單晶(monocrystal)半導體膜的方法以及裝置，該薄膜電晶體用於液晶顯示器或有機電致發光(Electroluminescence，EL)顯示器的畫素開關(switch)或驅動電路中。
對於液晶顯示器或有機EL顯示器的畫素開關或驅動電路中所使用的薄膜電晶體而言，進行使用有雷射光(laser beam)的雷射回火來作為低溫處理(process)的製造方法的一個環節。該方法是對成膜於基板上的非單晶半導體膜照射雷射光並進行局部加熱熔融後，在其冷卻過程中將半導體薄膜結晶化為多晶或者單晶。因結晶化的半導體薄膜中載子(carrier)的移動率變高，故能夠使薄膜電晶體高性能化。然而，於雷射光的照射中，必需於半導體薄膜中進行均質的處理，而為了具有照射的雷射光穩定的照射能量，一般而言是將雷射光輸出(output)控制為固定。
然而，有時雷射振盪器(laser oscillator)的振盪條件會發生變化，或者因雷射氣體(laser gas)的劣化而導致即便雷射光輸出為固定但脈衝波形亦會發生變化，從而無法獲得固定的結晶化特性。圖3是表示改變雷射脈衝能量(laser pulse energy)的情況下的雷射脈衝波形的變化，可知因雷射脈衝能量的變動而導致脈衝波形的輪廓(profile)自身發生變化。
為此，先前，一般而言使用如下方法：使用功率計(power meter)或光電二極體(photodiode)對雷射光進行檢測，且以雷射光波形的能量積分值為固定的方式對雷射光輸出等進行控制。
而且，此外，還提出有一種脈衝氣體雷射(gas laser)振盪裝置，其求出雷射光的脈衝波形中的多個最大值(maximal value)之間的比值，當該比值高於規定值時，對注入至雷射氣體封入容器內的激發氣體(excitation gas)的量或者由上述電源供給至充放電電路中的電壓值中的至少一個進行控制(參照專利文獻1)。
[先行技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開平10－12549號公報
因先前的方法、裝置是以上述方式而構成，故而會發生以下的問題。
1.當注入鹵素氣體(halogen gas)作為雷射氣體時，直至雷射氣體組成比穩定為止，雷射振盪不穩定。
2.若鹵素氣體組成比上升則脈衝能量穩定性降低。
3.「將最大值之間的比值限制於規定的範圍內」需要一定的時間。
4.「將最大值之間的比值限制於規定的範圍內」與雷射的能量變動少的穩定振盪相反。
5.藉由光束發散(divergence)的影響，雷射振盪器的原始脈衝波形與照射至被照射物的脈衝波形不同。
本發明是為了解決上述般的先前的問題而完成，其目的在於提供一種將有助於結晶化的雷射光能量保持穩定從而可獲得具有固定的結晶性的半導體薄膜的半導體膜的雷射回火方法以及回火裝置。
亦即，本發明的半導體膜的雷射回火方法中，第1本發明是一種將脈衝雷射光照射至非單晶半導體膜上而進行回火處理的雷射回火方法，其特徵在於：以上述雷射光的脈衝波形的最大波峰高度達到規定的高度的方式來進行上述脈衝雷射光的能量控制。
第2本發明的半導體膜的雷射回火方法如上述第1本發明，其中對上述雷射光的脈衝波形的最大波峰高度進行測定，且以該最大波峰高度達到規定的高度的方式，進行上述脈衝雷射光的輸出能量或/及輸出後的上述脈衝雷射光的能量調整。
根據本發明，藉由將雷射光波形的最大波峰高度維持為規定的高度而被照射雷射光的半導體膜的結晶特性為固定。再者，上述脈衝波形中的脈衝寬度(pulse width)通常為小於等於1000n秒(ns)，較佳為小於等於500n秒。然而，本發明並未將脈衝寬度限定為特定的寬度。而且，關於上述脈衝波形中的規定的高度，可進行適當選定，可設定為結晶特性固定且優質。通常是以規定的高度而規定範圍，並以將脈衝波形的最大波峰高度限制於該範圍內的方式進行控制。
圖4是表示相對於雷射脈衝能量的雷射照射位置的最適合結晶化的最大波峰高度以及最適合結晶化的能量密度(藉由雷射功率計所計測)的圖。根據圖4可知，由於雷射脈衝能量不同，最佳的能量密度也有所不同，從而即便以將脈衝波形積分值設為固定的方式進行控制，而當雷射脈衝能量發生變動時，亦無法維持為最適合結晶化的條件。另一方面，於最大波峰高度中，即便雷射脈衝能量不同，最佳的最大波峰高度也大致為固定，藉由將波形的最大波峰高度設為固定，從而即便雷射脈衝能量發生變動亦可維持最適合結晶化的狀態。另外，是否最適合結晶化，可藉由例如結晶粒徑的電子顯微鏡觀察等而加以判定。
又，圖5是表示脈衝能量(功率計或能量計的計測值)與脈衝區域(脈衝波形積分值)及最大波峰高度的關係的圖。根據圖5可知，脈衝能量與最大波峰高度不成比例關係，從而即便將脈衝能量設為固定，亦無法維持為最適合結晶化的狀態。
根據第2發明，藉由對最大波峰高度進行測定的同時而對輸出能量或雷射光的能量加以調整，從而可將脈衝波形的最大波峰高度確實維持為規定高度。關於輸出能量的調整方法，可藉由雷射振盪器的注入激發氣體的量的調整、雷射振盪器的放電電壓值的調整等而進行。又，關於輸出後的脈衝雷射光的能量調整，亦可使用可對從雷射振盪器輸出的脈衝雷射光的衰減率進行調整的可變衰減器(Variable attenuator)等來進行。可變衰減器只要是能夠適當變更相對於雷射光的衰減率的衰減器即可，本發明中並未限定為特定者。
第3本發明的半導體膜的雷射回火方法如上述第1本發明或第2本發明，其中上述非單晶半導體膜為矽膜(silicon film)。
第4本發明的半導體膜的雷射回火方法如上述第1本發明至第3本發明中的任一發明，其中上述脈衝雷射光為準分子雷射光(excimer laser)。
第5本發明的半導體膜的雷射回火方法如上述第1本發明至第4本發明中的任一發明，其中上述脈衝波形的最大波峰高度根據照射至上述非單晶半導體膜的雷射光的脈衝波形而計測。
第6本發明的半導體膜的雷射回火裝置，其特徵在於包括：雷射振盪器，輸出脈衝雷射光；光學系統，將脈衝雷射光導引至非單晶半導體膜；最大波峰高度測定部，對上述脈衝雷射光的最大波峰高度進行測定；以及控制部，接收該最大波峰高度測定部的測定結果，且以上述最大波峰高度達到規定的高度的方式來對上述雷射振盪器的脈衝雷射光能量進行控制。
第7本發明的半導體膜的雷射回火裝置，其特徵在於包括：雷射振盪器，輸出脈衝雷射光；可變衰減器，對上述脈衝雷射光的衰減率進行調整；光學系統，將脈衝雷射光導引至非單晶半導體膜；最大波峰高度測定部，對上述脈衝雷射光的最大波峰高度進行測定；以及控制部，接收該最大波峰高度測定部的測定結果，且以上述最大波峰高度達到規定的高度的方式來對上述可變衰減器的衰減率進行控制。
另外，上述控制部也可對上述雷射振盪器中的脈衝雷射光能量與上述可變衰減器的衰減率此兩者來進行控制。
第8本發明的半導體膜的雷射回火裝置如上述第6本發明或第7本發明，其中上述最大波峰高度測定部包括：光束分光器(beam splitter)，配置於上述脈衝雷射光的光路上；脈衝波形檢測部，對藉由該光束分光器而出射的一部分脈衝雷射光的波形進行檢測；以及最大波峰高度判定部，根據由該脈衝波形檢測部所檢測到的脈衝波形來對最大波峰高度進行判定。
[發明之效果]
如以上所說明，根據本發明的半導體膜的雷射回火方法，於將脈衝雷射光照射至非單晶半導體膜上而進行回火處理的雷射回火處理方法中，以上述雷射光的脈衝波形的最大波峰高度達到規定的高度的方式來進行上述脈衝雷射光的能量控制，因此具有以下的效果。
1.藉由與結晶特性密切相關的脈衝波形的最大波峰高度來對雷射照射能量密度進行控制，因而能夠獲得一直為固定的結晶化特性。
2.即便因雷射振盪器的振盪條件的變化而使脈衝波形發生變化，亦可獲得一直為固定的結晶化特性。
3.在因雷射氣體的劣化而導致即便輸出(W)為固定但脈衝波形亦會發生變化的情況下，藉由與結晶特性密切相關的脈衝波形的最大波峰高度來對雷射照射能量密度進行控制，因而可獲得一直為固定的結晶化特性。
為讓本發明之上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
以下，根據附圖對本發明的一實施形態進行說明。
雷射回火處理裝置包括輸出氣體雷射光的雷射振盪器1，該雷射振盪器1中，可藉由調整注入氣體量或放電電壓來對雷射光輸出進行調整。關於該雷射振盪器1，例如可使用Coherent公司的準分子雷射(excimer laser)振盪器LSX315C(波長308nm，重複振盪頻率300Hz)。
於自雷射振盪器1輸出的雷射光10所射出的光路上配置著可變衰減器2。該可變衰減器2由透射率根據雷射光的入射角度而發生變化的衰減器(attenuator)光學元件而構成，且可對通過可變衰減器2的雷射光的衰減率進行調整。該可變衰減器2中的衰減率的調整可藉由可變衰減器控制部3而進行，該可變衰減器控制部3例如可由中央處理單元(central processing unit，CPU)及使該CPU動作的程式(program)等而構成。
於可變衰減器2的射出側光路上設置著配置有均質機(homogenizer)等的光學構件的光學系統4，藉由該光學系統4而將雷射光10例如整形為長度465mm、寬度0.4mm的線光束(line beam)。
由光學系統4而導引的雷射光10中，其中一部分藉由光束分光器5而出射，大部分則穿透光束分光器5而照射至被處理體6。關於被處理體6，例如以厚度為50nm的非晶矽(a－Si)膜作為對象。
自光束分光器5出射的雷射光10a被輸入至脈衝波形檢測單元7中。脈衝波形檢測單元7對雷射光10a的脈衝波形進行檢測，且相當於本發明的脈衝波形檢測部。例如，使用Hamamatsu Photonics製造的雙平面光電管(biplanar photo tube)(型號R1193U－52)來作為脈衝波形檢測單元7。
藉由脈衝波形檢測單元7而檢測出的結果被輸出至控制部8。控制部8由CPU、使該CPU動作的程式、非揮發性地儲存著與脈衝波形的規定最大波峰高度相關的資料的儲存部等所構成。於控制部8中根據脈衝波形檢測單元7的檢測結果來判定波形的最大波峰高度。因此，控制部8具有作為最大波峰高度判定部的功能，且與上述脈衝波形檢測單元7協動而構成本發明的最大波峰高度測定部。該控制部8可進行雷射振盪器1的輸出控制，並且可對可變衰減器控制部3發出控制指令。
繼而，對上述雷射回火裝置的動作進行說明。
根據初始設定的輸出而自雷射振盪器1輸出雷射光10。雷射振盪器1藉由內置的能量計(energy meter)來對其振盪能量進行控制。能量計的值與脈衝波形的積分值成比例。
該雷射光10到達可變衰減器2。該可變衰減器2中受到如下控制，即，以由可變衰減器控制部3初始設定的衰減率使雷射光10通過。藉由可變衰減器2來設定最適合使被處理體6結晶化的照射能量密度。
以規定的衰減率而衰減後的雷射光藉由光學系統4而被整形為帶狀，並到達光束分光器5。通過光束分光器5的雷射光被照射至被處理體6而進行雷射回火處理。由光束分光器5而出射的雷射光10a到達脈衝波形檢測單元7，從而將與所檢測出的脈衝波形相關的資訊輸出至控制部8。
以下，根據圖2對控制部8的控制順序進行說明。
首先，於步驟1中，以上述方式對脈衝波形進行檢測，並將檢測結果輸出至控制部8(步驟s1)。
於控制部8中，根據檢測脈衝波形來判定該波形中的最大波峰高度(步驟s2)。另外，通常如圖3所示，波形中的第1波峰為最大波峰，因此可藉由對該第1波峰高度進行判定而將其視作最大波峰高度。
繼而，於控制部8中讀出儲存在儲存部中的規定範圍的最大波峰高度資料，並與上述判定(檢測)出的最大波峰高度進行比較(步驟s3)。此外，規定範圍的最大波峰高度預先儲存在儲存部中。關於該規定範圍的最大波峰高度，也可以是根據被處理體6的種類等而設定不同的資料的最大波峰高度。
在上述比較中，當所檢測到的最大波峰高度處於規定範圍的最大波峰高度以內時(步驟s3，YES)，將目前的雷射光10視作具有最適合結晶化的最大波峰高度，然後進行雷射光波形的檢測(進入步驟s1)。重複進行的雷射波形的檢測可連續地進行，而且亦可空開規定的間隔而進行。
當所檢測到的最大波峰高度並不處於規定的範圍內時(步驟s3，NO)，則進行雷射輸出調整。
關於雷射振盪器1的輸出調整，是藉由放電電壓而進行調整。於該控制部8中，當所檢測到的最大波峰高度高於規定範圍時，則以減小輸出而使最大波峰高度處於規定範圍內的方式來對雷射振盪器1的放電電壓進行調整，另一方面，當所檢測到的最大波峰高度低於規定範圍時，則以增大輸出而使最大波峰高度處於規定範圍內的方式來對雷射振盪器1進行調整。調整量可根據所檢測到的最大波峰高度超出規定範圍的量而決定。
於上述調整後並直到雷射照射處理結束(步驟s5，YES)為止，繼續進行雷射光波形的檢測(進入步驟s1)。
藉由上述方法，即便當雷射光的輸出發生變動時，藉由將脈衝波形的最大波峰高度維持為規定值，能夠無關於脈衝波形的形狀而以最適合結晶化的狀態來進行雷射回火處理，從而能夠獲得一直為固定的結晶。
此外，於上述控制步驟中，已說明了如下情況，即，為了調整到脈衝波形的最大波峰高度，是藉由雷射振盪器1的輸出調整來進行的，但亦可藉由調整上述可變衰減器2的衰減率而對脈衝波形的最大波峰高度進行調整，而且亦可藉由進行雷射振盪器1的輸出調整及可變衰減器2的衰減率的調整此兩種調整來對脈衝波形的最大波峰高度進行調整。
以上，已根據上述實施形態對本發明進行了說明，但本發明並不限定為上述說明的內容，只要不脫離本發明的範圍則可進行適當的變更。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，故本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
1．．．雷射振盪器
2‧‧‧可變衰減器
3‧‧‧可變衰減器控制部
4‧‧‧光學系統
5‧‧‧光束分光器
6‧‧‧被處理體
7‧‧‧脈衝波形檢測單元
8‧‧‧控制部
10、10a‧‧‧雷射光
s1~s5‧‧‧步驟
圖1是表示本發明的一實施形態的雷射回火裝置的概略的圖。
圖2同樣是表示該實施形態的用於維持最適合結晶化的狀態的順序的流程圖。
圖3是表示改變雷射脈衝能量的情況下的雷射脈衝波形的變化的圖解。
圖4是表示相對於雷射脈衝能量的最適合結晶化的能量密度與最大波峰高度的圖解。
圖5是表示相對於雷射脈衝能量的脈衝能量與最大波峰高度的關係的圖。
1．．．雷射振盪器
2．．．可變衰減器
3．．．可變衰減器控制部
4．．．光學系統
5．．．光束分光器
6．．．被處理體
7．．．脈衝波形檢測單元
8．．．控制部
10、10a．．．雷射光

Claims (8)

  1. 一種半導體膜的雷射回火方法，將脈衝雷射光照射至非單晶半導體膜上而進行回火處理，上述半導體膜的雷射回火方法的特徵在於：以在照射至上述非單晶半導體膜上的上述脈衝雷射光的脈衝波形中最大波峰高度的第一波峰值達到預先設定之規定的最大波峰高度的值之方式來進行上述脈衝雷射光的能量控制。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之半導體膜的雷射回火方法，其中對上述雷射光的脈衝波形的最大波峰高度進行測定，且以該最大波峰高度達到規定的高度的方式，來進行上述脈衝雷射光的輸出能量或/及輸出後的上述脈衝雷射光的能量調整。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之半導體膜的雷射回火方法，其中上述非單晶半導體膜為矽膜。
  4. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之半導體膜的雷射回火方法，其中上述脈衝雷射光為準分子雷射光。
  5. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之半導體膜的雷射回火方法，其中上述脈衝波形的最大波峰高度根據照射至上述非單晶半導體膜的雷射光的脈衝波形而計測。
  6. 一種半導體膜的雷射回火裝置，其特徵在於包括：雷射振盪器，輸出脈衝雷射光；光學系統，將脈衝雷射光導引至非單晶半導體膜；最大波峰高度測定部，對在照射至上述非單晶半導體膜上的上述脈衝雷射光的脈衝波形中最大波峰高度的第一波峰值進行測定；以及控制部，接收該最大波峰高度測定部的測定結果，且以上述最大波峰高度達到預先設定之規定的最大波峰高度的值之方式，來對上述雷射振盪器的脈衝雷射光的輸出能量進行控制。
  7. 一種半導體膜的雷射回火裝置，其特徵在於包括：雷射振盪器，輸出脈衝雷射光；可變衰減器，對上述脈衝雷射光的衰減率進行調整；光學系統，將脈衝雷射光導引至非單晶半導體膜；最大波峰高度測定部，對在照射至上述非單晶半導體膜上的上述脈衝雷射光的脈衝波形中最大波峰高度的第一波峰值進行測定；以及控制部，接收該最大波峰高度測定部的測定結果，且以上述最大波峰高度達到預先設定之規定的最大波峰高度的值之方式來對上述可變衰減器的衰減率進行控制。
  8. 如申請專利範圍第6項或第7項所述之半導體膜的雷射回火裝置，其中上述最大波峰高度測定部包括：光束分光器，配置於上述脈衝雷射光的光路上； 脈衝波形檢測部，對藉由該光束分光器而出射的一部分脈衝雷射光的波形進行檢測；以及最大波峰高度判定部，根據由該脈衝波形檢測部所檢測到的脈衝波形來對最大波峰高度進行判定。
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5829575B2 (ja) * 2012-05-28 2015-12-09 株式会社日本製鋼所 パルス波形測定機能を有するレーザアニール装置
CN103578943B (zh) * 2012-07-25 2017-05-31 上海微电子装备有限公司 一种激光退火装置及激光退火方法
CN103219229B (zh) * 2013-03-28 2016-04-27 昆山维信诺显示技术有限公司 Ela不均匀性的量化判断方法及其反馈系统
KR101527096B1 (ko) * 2013-12-24 2015-06-09 에이피시스템 주식회사 라인 빔 에너지 보정 방법 및 장치
CN103779195B (zh) * 2014-01-29 2017-11-07 上海集成电路研发中心有限公司 激光退火方法及系统
CN112038267B (zh) * 2020-09-21 2024-02-20 京东方科技集团股份有限公司 一种激光能量的调节装置
KR102392830B1 (ko) * 2020-11-19 2022-04-29 광주과학기술원 빔형상을 제어하는 광섬유 레이저 장치 및 이의 동작 방법

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1012549A (ja) * 1996-06-25 1998-01-16 Toshiba Corp パルスガスレーザ発振装置、レーザアニール装置、半導体装置の製造方法、及び半導体装置
JP2003163167A (ja) * 2001-09-12 2003-06-06 Hitachi Ltd 多結晶半導体膜、多結晶半導体膜製造方法及びそれを用いた薄膜半導体素子

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3903761B2 (ja) * 2001-10-10 2007-04-11 株式会社日立製作所 レ−ザアニ−ル方法およびレ−ザアニ−ル装置
US7948171B2 (en) * 2005-02-18 2011-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
JP3977379B2 (ja) * 2005-03-29 2007-09-19 株式会社日本製鋼所 薄膜材料の結晶化方法及びその装置
JP4698460B2 (ja) * 2006-03-27 2011-06-08 オムロンレーザーフロント株式会社 レーザアニーリング装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1012549A (ja) * 1996-06-25 1998-01-16 Toshiba Corp パルスガスレーザ発振装置、レーザアニール装置、半導体装置の製造方法、及び半導体装置
JP2003163167A (ja) * 2001-09-12 2003-06-06 Hitachi Ltd 多結晶半導体膜、多結晶半導体膜製造方法及びそれを用いた薄膜半導体素子

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