KR101347138B1 - 반도체막의 레이저 어닐링 방법 및 어닐링 장치 - Google Patents

반도체막의 레이저 어닐링 방법 및 어닐링 장치 Download PDF

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가부시끼가이샤 니혼 세이꼬쇼
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Abstract

레이저 어닐링시에 레이저 출력의 변동에 관계없이 결정화의 균일성을 확보한다. 비단결정 반도체막상에 펄스 레이저 광을 조사해서 어닐링 처리를 행하는 레이저 어닐링 처리 방법에 있어서, 상기 레이저 광의 펄스 파형의 최대 피크 높이가 소정 높이가 되도록 상기 펄스 레이저 광의 에너지 제어를 행하고, 상기 제어는 펄스 레이저 광을 출력하는 레이저 발진기(1)와, 펄스 레이저 광을 비단결정 반도체막으로 인도하는 광학계(4)와, 상기 펄스 레이저 광의 최대 피크 높이를 측정하는 최대 피크 높이 측정부와, 상기 최대 피크 높이 측정부의 측정 결과를 수신하여 상기 최대 피크 높이가 소정 높이가 되도록 상기 레이저 발진기에 있어서의 펄스 레이저 광의 출력 에너지 또는 펄스 레이저 광의 감쇠율을 조정하는 가변 감쇠기(2)를 제어하는 제어부(8)를 구비한 레이저 어닐링 장치에 의해 행할 수 있다.

Description

반도체막의 레이저 어닐링 방법 및 어닐링 장치{LASER ANNEALING METHOD AND ANNEALING DEVICE FOR SEMICONDUCTOR FILM}
본 발명은 액정 모니터나 유기 EL 디스플레이의 화소 스위치나 구동 회로에 사용되는 박막 트랜지스터에 사용되는 다결정 또는 단결정 반도체막을 제조하는 방법 및 장치에 관한 것이다.
액정 모니터나 유기 EL 디스플레이의 화소 스위치나 구동 회로에 사용되는 박막 트랜지스터에서는 저온 프로세스의 제조 방법의 일환으로서 레이저 광을 사용한 레이저 어닐링이 행해지고 있다. 이 방법은 기판상에 성막된 비단결정 반도체막에 레이저 광을 조사해서 국부적으로 가열 용융한 후 그 냉각 과정에서 반도체 박막을 다결정 또는 단결정으로 결정화하는 것이다. 결정화한 반도체 박막은 캐리어의 이동도가 높아지기 때문에 박막 트랜지스터를 고성능화할 수 있다. 그런데, 레이저 광의 조사에 있어서는 반도체 박막에서 균질한 처리가 행해질 필요가 있고, 조사되는 레이저 광이 안정된 조사 에너지를 갖도록 일반적으로 레이저 광 출력을 일정하게 하는 제어가 이루어지고 있다.
그러나, 레이저 발진기의 발진 조건이 변화되거나 레이저 가스의 열화에 의해 레이저 광 출력이 일정하여도 펄스 파형이 변화되어서 일정한 결정화 특성이 얻어지지 않는 경우가 있다. 도 3은 레이저 펄스 에너지를 변경한 경우의 레이저 펄스 파형의 변화를 나타낸 것이며, 레이저 펄스 에너지의 변동에 의해 펄스 파형의 프로파일(profile) 자체가 변화되고 있는 것을 알 수 있다.
따라서, 종래 파워 미터나 포토다이오드를 이용해서 레이저 광을 검지하고, 레이저 광 파형의 에너지 적분값이 일정해지도록 레이저 광 출력 등을 제어하는 방법이 일반적으로 사용되고 있다.
또한, 이밖에 레이저 광의 펄스 파형에 있어서의 복수의 극대값끼리의 비를 구하고, 이 비가 소정값을 상회했을 때에 레이저 가스 봉입 용기내에 주입하는 여기 가스의 양 또는 상기 전원으로부터 충방전 회로에 공급되는 전압값의 적어도 한쪽을 제어하는 펄스 가스 레이저 발진 장치가 제안되어 있다(특허문헌 1 참조).
일본 특허 공개 평10-12549호 공보
종래의 방법, 장치는 상기 한 바와 같이 구성되어 있으므로 이하의 문제점이 발생한다.
1. 레이저 가스로서 할로겐 가스를 주입할 때는 레이저 가스 조성비가 안정될 때까지 레이저 발진이 불안정해진다.
2. 할로겐 가스 조성비가 올라가면 펄스 에너지 안정성이 저하된다.
3. 「극대값끼리의 비를 소정 범위에 들어가게 함」에는 일정한 시간을 요한다.
4. 「극대값끼리의 비를 소정 범위에 들어가게 함」과 레이저의 에너지 변동이 적은 안정 발진은 상반한다.
5. 빔 다이버전스 등의 영향에 의해 레이저 발진기의 오리지널 펄스 파형과 피조사물에 조사되는 펄스 파형은 다르다.
본 발명은 상기와 같은 종래 방법 및 장치의 과제를 해결하기 위해서 이루어진 것이며, 결정화에 기여하는 레이저 광 에너지를 안정되게 유지하고, 일정한 결정성을 가진 반도체 박막을 얻을 수 있는 반도체막의 레이저 어닐링 방법 및 어닐링 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
즉, 본 발명의 반도체막의 레이저 어닐링 방법 중 제 1 본 발명은 비단결정 반도체막상에 펄스 레이저 광을 조사해서 어닐링 처리를 행하는 레이저 어닐링 처리 방법에 있어서, 상기 레이저 광의 펄스 파형의 최대 피크 높이가 소정 높이가 되도록 상기 펄스 레이저 광의 에너지 제어를 행하는 것을 특징으로 한다.
제 2 본 발명의 반도체막의 레이저 어닐링 방법은 상기 제 1 본 발명에 있어서, 상기 레이저 광의 펄스 파형의 최대 피크 높이를 측정하고, 이 최대 피크 높이가 소정 높이가 되도록 상기 펄스 레이저 광의 출력 에너지 또는/및 출력후의 상기 펄스 레이저 광의 에너지 조정을 행하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 레이저 광 파형의 최대 피크 높이를 소정 높이로 유지함으로써 레이저 광이 조사되는 반도체막의 결정 특성이 일정해진다. 또한, 상기 펄스 파형에 있어서의 펄스폭은 통상은 1000n초 이하이며, 바람직하게는 5OOn초 이하이다. 단, 본 발명으로서는 펄스폭이 특정한 것에 한정되는 것이 아니다. 또한, 상기 펄스 파형에 있어서의 소정 높이로서는 적당히 선정이 가능하지만 결정 특성이 일정 그리고 양질이 되도록 설정한다. 통상은 소정 높이로서 범위를 정하고, 이 범위내에 펄스 파형의 최대 피크 높이가 들어가도록 제어를 행한다.
도 4는 레이저 펄스 에너지에 대한 레이저 조사 위치에 있어서의 결정화에 최적인 최대 피크 높이 및 결정화에 최적인 에너지 밀도(레이저 파워 미터 계측에 의함)를 나타낸 것이다. 도면으로부터 명확한 바와 같이, 레이저 펄스 에너지가 다름으로 인해 최적인 에너지 밀도도 다르고, 펄스 파형 적분값을 일정하게 하도록 제어해도 레이저 펄스 에너지가 변동하면 결정화에 최적인 조건으로 유지할 수 없는 것을 알 수 있다. 한편, 최대 피크 높이에서는 레이저 펄스 에너지가 달라도 최적인 최대 피크 높이는 거의 일정하게 되어 있고, 파형의 최대 피크 높이를 일정하게 함으로써 레이저 펄스 에너지가 변동해도 결정화에 최적인 상태를 유지할 수 있다. 또한, 결정화에 최적인지의 여부는 예를 들면 결정 입경의 전자 현미경 관찰 등에 의해 판정할 수 있다.
또한, 도 5는 펄스 에너지(파워 미터 또는 에너지 미터에 의한 계측값)와, 펄스 에어리어(펄스 파형 적분값), 최대 피크 높이의 관계를 나타낸 것이다. 도면으로부터 명확한 바와 같이, 펄스 에너지와 최대 피크 높이는 비례 관계에 있지 않고, 펄스 에너지를 일정하게 해도 결정화에 최적인 상태로 유지할 수 없다는 것을 알 수 있다.
제 2 발명에 의하면, 최대 피크 높이를 측정하면서 출력 에너지나 레이저 광의 에너지를 조정함으로써 펄스 파형의 최대 피크 높이를 소정 높이로 정확하게 유지할 수 있다. 출력 에너지의 조정 방법으로서는 레이저 발진기에 있어서의 주입 여기 가스의 양의 조정, 레이저 발진기에서의 방전 전압값의 조정 등에 의해 행할 수 있다. 또한, 출력후의 펄스 레이저 광의 에너지 조정은 레이저 발진기로부터 출력된 펄스 레이저 광의 감쇠율을 조정 가능한 가변 감쇠기 등을 이용해서 행할 수도 있다. 가변 감쇠기는 레이저 광에 대한 감쇠율을 적당히 변경할 수 있는 것이면 좋고, 본 발명으로서는 특정한 것에 한정되지 않는다.
제 3 본 발명의 반도체막의 레이저 어닐링 방법은 상기 제 1 또는 제 2 본 발명에 있어서, 상기 비단결정 반도체막이 실리콘막인 것을 특징으로 한다.
제 4 본 발명의 반도체막의 레이저 어닐링 방법은 상기 제 1∼제 3 본 발명 중 어느 하나에 있어서, 상기 펄스 레이저 광이 엑시머 레이저 광인 것을 특징으로 한다.
제 5 본 발명의 반도체막의 레이저 어닐링 방법은 상기 제 1∼제 4 본 발명 중 어느 하나에 있어서, 상기 펄스 파형의 최대 피크 높이는 상기 비단결정 반도체막에 조사되는 레이저 광의 펄스 파형으로 계측하는 것을 특징으로 한다.
제 6 본 발명의 반도체막의 레이저 어닐링 장치는 펄스 레이저 광을 출력하는 레이저 발진기와, 펄스 레이저 광을 비단결정 반도체막으로 인도하는 광학계와, 상기 펄스 레이저 광의 최대 피크 높이를 측정하는 최대 피크 높이 측정부와, 이 최대 피크 높이 측정부의 측정 결과를 수신하여 상기 최대 피크 높이가 소정 높이가 되도록 상기 레이저 발진기에 있어서의 펄스 레이저 광 에너지를 제어하는 제어부를 구비하는 것을 특징으로 한다.
제 7 본 발명의 반도체막의 레이저 어닐링 장치는 펄스 레이저 광을 출력하는 레이저 발진기와, 상기 펄스 레이저 광의 감쇠율을 조정하는 가변 감쇠기와, 펄스 레이저 광을 비단결정 반도체막으로 인도하는 광학계와, 상기 펄스 레이저 광의 최대 피크 높이를 측정하는 최대 피크 높이 측정부와, 이 최대 피크 높이 측정부의 측정 결과를 수신하여 상기 최대 피크 높이가 소정 높이가 되도록 상기 가변 감쇠기의 감쇠율을 제어하는 제어부를 구비하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 제어부는 상기 레이저 발진기에 있어서의 펄스 레이저 광 에너지와 상기 가변 감쇠기의 감쇠율의 양쪽을 제어하는 것이어도 좋다.
제 8 본 발명의 반도체막의 레이저 어닐링 장치는 상기 제 6 또는 제 7 본 발명에 있어서, 상기 최대 피크 높이 측정부는 상기 펄스 레이저 광의 광로에 배치된 빔 스플리터와, 이 빔 스플리터에 의해 스플리팅(splitting)된 일부의 펄스 레이저 광의 파형을 검출하는 펄스 파형 검출부와, 이 펄스 파형 검출부에서 검출된 펄스 파형으로부터 최대 피크 높이를 판정하는 최대 피크 높이 판정부를 구비하는 것을 특징으로 한다.
[발명의 효과]
이상 설명한 바와 같이, 본 발명의 반도체막의 레이저 어닐링 방법에 의하면, 비단결정 반도체막상에 펄스 레이저 광을 조사해서 어닐링 처리를 행하는 레이저 어닐링 처리 방법에 있어서, 상기 레이저 광의 펄스 파형의 최대 피크 높이가 소정 높이가 되도록 상기 펄스 레이저 광의 에너지 제어를 행하므로 이하의 효과가 있다.
1. 결정 특성과 상관성이 높은 펄스 파형의 최대 피크 높이에 의해 레이저 조사 에너지 밀도를 제어하므로 항상 일정한 결정화 특성이 얻어진다.
2. 레이저 발진기의 발진 조건의 변화에 의해 펄스 파형이 변화되어도 항상 일정한 결정화 특성이 얻어진다.
3. 레이저 가스의 열화에 의해 출력(W)이 일정하여도 펄스 파형이 변화될 경우에 결정 특성과 상관성이 높은 펄스 파형의 최대 피크 높이에 의해 레이저 조사 에너지 밀도를 제어하므로 항상 일정한 결정화 특성이 얻어진다.
도 1은 본 발명의 일실시형태에 있어서의 레이저 어닐링 장치의 개략을 나타낸 도면이다.
도 2는 마찬가지로 결정화에 최적인 상태를 유지하기 위한 수순을 나타낸 플로우 도면이다.
도 3은 레이저 펄스 에너지를 변경한 경우의 레이저 펄스 파형의 변화를 나타낸 그래프이다.
도 4는 레이저 펄스 에너지에 대한 결정화에 최적인 에너지 밀도와 최대 피크 높이를 나타낸 그래프이다.
도 5는 레이저 펄스 에너지에 대한 펄스 에너지 밀도와 최대 피크 높이의 관계를 나타낸 도면이다.
이하에 본 발명의 일실시형태를 첨부 도면에 의거해서 설명한다.
레이저 어닐링 처리 장치는 가스 레이저 광을 출력하는 레이저 발진기(1)를 구비하고 있고, 이 레이저 발진기(1)에서는 주입 가스량이나 방전 전압을 조정함으로써 레이저 광 출력을 조정하는 것이 가능하게 되어 있다. 이 레이저 발진기(1)로서는 예컨대 Coherent사의 엑시머 레이저 발진기(LSX315C)(파장 3O8㎚, 반복 발진수3OO㎐)를 사용할 수 있다.
레이저 발진기(1)로부터 출력된 레이저 광(10)이 출사되는 광로에는 가변 감쇠기(2)가 배치되어 있다. 이 가변 감쇠기(2)는 레이저 광의 입사 각도에 따라서 투과율이 변화되는 어테뉴에이터(atteuator) 광학 소자에 의해 구성되어 있고, 가변 감쇠기(2)를 통과하는 레이저 광의 감쇠율 조정이 가능하게 되어 있다. 이 가변 감쇠기(2)에 있어서의 감쇠율 조정은 가변 감쇠기 제어부(3)에 의해 행할 수 있고, 이 가변 감쇠기 제어부(3)는 예컨대 CPU와 이것을 동작시키는 프로그램 등에 의해 구성될 수 있다.
가변 감쇠기(2)의 출사측 광로에는 호모지나이저 등의 광학 부재를 배치한 광학계(4)가 설치되어 있고, 이 광학계(4)에 의해 레이저 광(10)을 예를 들면 길이 465㎜, 폭 0.4㎜의 라인 빔으로 정형한다.
광학계(4)에 의해 인도되는 레이저 광(10)은 빔 스플리터(5)에 의해 레이저 광의 일부가 인출되고, 대부분은 빔 스플리터(5)를 투과해서 피처리체(6)에 조사된다. 피처리체(6)로서는 예를 들면 두께 50㎚의 a-Si(amorphous Si)막이 대상으로 된다.
빔 스플리터(5)로부터 인출된 레이저 광(10a)은 펄스 파형 검출 수단(7)에 입력된다. 펄스 파형 검출 수단(7)은 레이저 광(10a)의 펄스 파형을 검출하는 것이며, 본 발명의 펄스 파형 검출부에 상당한다. 예를 들면, 펄스 파형 검출 수단(7)으로서는 하마마츠 포토닉스(Hamamatsu Photonics)제 바이플레이너 광전관(타입 RI193U-52)을 사용한다.
펄스 파형 검출 수단(7)에 의해 검출된 결과는 제어부(8)로 출력된다. 제어부(8)는 CPU와 이것을 동작시키는 프로그램, 펄스 파형의 소정 최대 피크 높이에 관한 데이터를 불휘발성으로 기억하는 기억부 등에 의해 구성된다. 제어부(8)에서는 펄스 파형 검출 수단(7)에 있어서의 검출 결과로부터 파형의 최대 피크 높이를 판정한다. 따라서, 제어부(8)는 최대 피크 높이 판정부로서의 기능을 갖고 있고, 상기 펄스 파형 검출 수단(7)과 협동해서 본 발명의 최대 피크 높이 측정부를 구성한다. 이 제어부(8)는 레이저 발진기(1)의 출력 제어가 가능하게 되어 있음과 아울러 가변 감쇠기 제어부(3)에 제어 지령을 발행할 수 있다.
이어서, 상기 레이저 어닐링 장치의 동작에 대해서 설명한다.
초기 설정된 출력에 의해 레이저 발진기(1)로부터 레이저 광(10)이 출력된다. 레이저 발진기(1)는 내장된 에너지 미터에 의해 그 발진 에너지가 제어되고 있다. 에너지 미터의 값은 펄스 파형의 적분값에 비례하고 있다.
이 레이저 광(10)은 가변 감쇠기(2)에 도달한다. 이 가변 감쇠기(2)에서는 가변 감쇠기 제어부(3)에 의해 초기 설정된 감쇠율로 레이저 광(10)이 통과하도록 제어되고 있다. 가변 감쇠기(2)에 의해 피처리체(6)를 결정화시키는데에 최적인 조사 에너지 밀도가 설정된다.
소정의 감쇠율로 감쇠된 레이저 광은 광학계(4)에 의해 벨트 형상으로 정형되어 빔 스플리터(5)에 도달한다. 빔 스플리터(5)를 통과하는 레이저 광은 피처리체(6)에 조사되어서 레이저 어닐링 처리가 된다. 빔 스플리터(5)에 의해 스플리팅된 레이저 광(10a)은 펄스 파형 검출 수단(7)에 도달하고, 검출된 펄스 파형에 관한 정보가 제어부(8)로 출력된다.
이하, 제어부(8)에 있어서의 제어 순서를 도 2에 의거해서 설명한다.
우선, 스텝 1에서는, 상기한 바와 같이, 펄스 파형이 검출되고, 검출 결과가 제어부(8)로 출력된다(스텝 s1).
제어부(8)에서는 검출 펄스 파형으로부터 이 파형에 있어서의 최대 피크 높이를 판정한다(스텝 s2). 또한, 통상은, 도 3에 도시된 바와 같이, 파형에 있어서의 제 1 피크가 최대 피크가 되기 때문에 이 제 1 피크 높이를 판정함으로써 최대 피크 높이로 간주할 수 있다.
이어서, 제어부(8)에서는 기억부에 기억시킨 소정 범위의 최대 피크 높이 데이터를 판독하고, 상기에서 판정(검지)한 최대 피크 높이와 비교한다(스텝 s3). 또한, 소정 범위의 최대 피크 높이는 미리 기억부에 기억시켜 둔다. 이 소정 범위의 최대 피크 높이는 피처리체(6)의 종류 등에 의해 다른 데이터를 설정한 것이어도 좋다.
상기 비교에서 검지한 최대 피크 높이가 소정 범위의 최대 피크 높이 이내에 있을 경우(스텝 s3, YES), 현재의 레이저 광(10)은 결정화에 최적인 최대 피크 높이를 갖고 있는 것으로 하고, 이어서 레이저 광 파형의 검출을 행한다(스텝 s1로 ). 반복적으로 행하는 레이저 파형의 검출은 연속적으로 행해도 좋고, 또한 소정의 간격을 두고 행하도록 해도 좋다.
검출한 최대 피크 높이가 소정의 범위내에 없을 경우(스텝 s3, NO) 레이저 출력 조정을 행한다.
레이저 발진기(1)에서의 출력 조정은 방전 전압에 의해 조정한다. 이 제어부(8)에서는 검출한 최대 피크 높이가 소정 범위보다도 높을 경우 출력을 작게 해서 최대 피크 높이가 소정 범위내가 되도록 레이저 발진기(1)의 방전 전압을 조정하는 한편 검출한 최대 피크 높이가 소정 범위보다도 낮을 경우 출력을 크게 해서 최대 피크 높이가 소정 범위내가 되도록 레이저 발진기(1)를 조정한다. 조정량은 검출한 최대 피크 높이가 소정 범위로부터 벗어난 양에 의거해서 결정할 수 있다.
상기 조정후에는 레이저 조사 처리가 종료될 때(스텝 s5, YES)까지 계속되어 레이저 광 파형의 검출을 행한다(스텝 s1로).
상기한 바와 같이, 레이저 광의 출력이 변동했을 때에도 펄스 파형의 최대 피크 높이를 소정값으로 유지함으로써 펄스 파형의 형태에 관계 없이 결정화에 최적인 상태로 해서 레이저 어닐링 처리를 행할 수 있어서 항상 일정한 결정이 얻어진다.
또한, 상기 제어 스텝에서는 펄스 파형의 최대 피크 높이로 조정하기 위해 레이저 발진기(1)에서의 출력 조정에 의해 행하는 것으로 설명했지만 상기 가변 감쇠기(2)에 있어서의 감쇠율을 조정함으로써 펄스 파형의 최대 피크 높이를 조정해도 좋고, 또한 레이저 발진기(1)에서의 출력 조정과 가변 감쇠기(2)에 있어서의 감쇠율 조정 양쪽에 의해 펄스 파형의 최대 피크 높이를 조정하도록 해도 좋다.
이상, 본 발명에 대해서 상기 실시형태에 의거하여 설명을 행했지만 본 발명은 상기 설명의 내용에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 범위를 일탈하지 않는 한은 적당한 변경이 가능하다.
1 : 레이저 발진기 2 : 가변 감쇠기
3 : 가변 감쇠기 제어부 4 : 광학계
5 : 빔 스플리터 6 : 조사 대상
7 : 펄스 파형 검출 수단 8 : 제어부

Claims (8)

  1. 비단결정 반도체막상에 펄스 레이저 광을 조사해서 어닐링 처리를 행하는 레이저 어닐링 처리 방법에 있어서:
    상기 비단결정 반도체막에 조사된 상기 펄스 레이저 광의 펄스 파형에 있어서 측정된 제 1 피크 값을 최대 피크 높이 값으로 하여, 상기 측정된 제 1 피크 값이 미리 설정된 소정의 최대 피크 높이 값이 되도록 상기 펄스 레이저 광의 에너지 제어를 행하는 것을 특징으로 하는 반도체막의 레이저 어닐링 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 비단결정 반도체막에 조사된 상기 펄스 레이저 광의 펄스 파형에 있어서 측정된 제 1 피크 값을 최대 피크 높이 값으로 하여, 상기 측정된 제 1 피크 값이 미리 설정된 소정의 최대 피크 높이 값이 되도록 상기 펄스 레이저 광의 출력 에너지 또는/및 출력후의 상기 펄스 레이저 광의 에너지 조정을 행하는 것을 특징으로 하는 반도체막의 레이저 어닐링 방법.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 비단결정 반도체막은 실리콘막인 것을 특징으로 하는 반도체막의 레이저 어닐링 방법.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 펄스 레이저 광은 엑시머 레이저 광인 것을 특징으로 하는 반도체막의 레이저 어닐링 방법.
  5. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 펄스 파형의 제 1 피크 값은 상기 비단결정 반도체막에 조사되는 레이저 광의 펄스 파형으로 계측하는 것을 특징으로 하는 반도체막의 레이저 어닐링 방법.
  6. 펄스 레이저 광을 출력하는 레이저 발진기와, 펄스 레이저 광을 비단결정 반도체막으로 인도하는 광학계와, 상기 비단결정 반도체막에 조사된 상기 펄스 레이저 광의 펄스 파형에 있어서 제 1 피크를 최대 피크 높이로 하고 제 1 피크 값을 측정하는 최대 피크 높이 측정부와, 상기 최대 피크 높이 측정부의 측정 결과를 수신하여 측정된 제 1 피크 값이 미리 설정된 소정의 최대 피크 높이 값이 되도록 상기 레이저 발진기로부터 출력된 펄스 레이저 광의 출력 에너지를 제어하는 제어부를 구비한 것을 특징으로 하는 반도체막의 레이저 어닐링 장치.
  7. 펄스 레이저 광을 출력하는 레이저 발진기와, 상기 펄스 레이저 광의 감쇠율을 조정하는 가변 감쇠기와, 상기 펄스 레이저 광을 비단결정 반도체막으로 인도하는 광학계와, 상기 비단결정 반도체막에 조사된 상기 펄스 레이저 광의 펄스 파형에 있어서 제 1 피크를 최대 피크 높이로 하고 제 1 피크 값을 측정하는 최대 피크 높이 측정부와, 상기 최대 피크 높이 측정부의 측정 결과를 수신하여 상기 측정된 제 1 피크 값이 미리 설정된 소정의 최대 피크 높이 값이 되도록 상기 가변 감쇠기의 감쇠율을 제어하는 제어부를 구비한 것을 특징으로 하는 반도체막의 레이저 어닐링 장치.
  8. 제 6 항 또는 제 7 항에 있어서,
    상기 최대 피크 높이 측정부는 상기 펄스 레이저 광의 광로에 배치된 빔 스플리터와, 상기 빔 스플리터에 의해 스플리팅된 일부의 펄스 레이저 광의 파형을 검출하는 펄스 파형 검출부와, 상기 펄스 파형 검출부에서 검출된 펄스 파형으로부터 상기 펄스 파형의 제 1 피크의 최대 피크 높이를 판정하는 최대 피크 높이 판정부를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체막의 레이저 어닐링 장치.
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