CN101965627B - 用于半导体膜的激光退火方法和退火装置 - Google Patents

用于半导体膜的激光退火方法和退火装置 Download PDF

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Abstract

在激光退火中，不管激光输出中如何波动，都要确保结晶化的均匀性。在将脉冲激光照射到非单晶半导体膜上来施加退火的激光退火方法中，执行对脉冲激光的能量控制，以使激光的脉冲波形的最大峰值高度达到预定高度，并且该控制能够通过激光退火设备执行。该激光退火设备包括激光：振荡器(1)，其输出脉冲激光；光学系统(4)，其将脉冲激光引导至非单晶半导体薄膜；最大峰值高度测量单元，其测量脉冲激光的最大峰值高度；以及控制单元(8)，其通过最大峰值高度测量单元接收测量结果并控制激光振荡器的脉冲激光的输出能量；或者可变衰减器(2)，其调节脉冲激光的衰减率以使得最大峰值高度达到预定高度。

Description

用于半导体膜的激光退火方法和退火装置
技术领域
本发明涉及一种制造用于薄膜晶体管的多晶硅或单晶硅半导体膜的方法和装置，这些薄膜晶体管用作液晶显示器和有机EL显示器的像素开关和驱动电路。
背景技术
对于用作液晶显示器和有机EL显示器的像素开关和驱动电路的薄膜晶体管，采用激光的激光退火被用作低温工艺中的制造方法的一部分。这个方法将激光照射到形成于衬底上的非单晶半导体表面，因此局部加热和融化半导体膜，然后在后续的冷却工艺中将半导体膜结晶化成为多晶体或者单晶体。结晶的半导体膜呈现高载流子迁移率，结果提升了薄膜晶体管的性能。为了进行激光的照射，在半导体膜上执行一致的处理是必要的，并因此通常执行控制用于保持恒定的激光输出，以使照射的激光具有稳定的照射能量。
然而，当激光振荡器的振荡条件改变或者当脉冲波形由于激光气体的退化而改变，但激光输出仍然恒定时，存在不能获得恒定的晶体化特性的情形。图3示出当激光脉冲能量改变时激光脉冲波形的改变，并且应当理解，该脉冲波形的轮廓本身随着激光脉冲能量波动而改变。
因此，通常，一般使用一种用功率表或光电二极管来探测激光从而控制激光的输出等，以使激光波形的能量积分值保持恒定的方法。
另外，已经提出一种脉冲气体激光振荡设备，其获取激光的脉冲波形中多个最大值之间的比率，当这个比率超过预定值时，控制注入用于激光气体的密封容器中的激发气体的量或者从电源供应到充电/放电电路的电压值中的至少一个(参考专利文献1)。
[相关现有文献]
[专利文献]
[专利文献1]日本特许公开专利申请(公开)No.H10-12549
发明内容
[本发明要解决的问题]
常规方法和装置如上所描述地配置，因而具有下述问题。
1.当卤素气体被注入作为激光气体时，激光振荡是不稳定的，直到该激光气体的组分比率稳定。
2.当卤素气体的组分比率升高时，脉冲能量的稳定性下降。
3.“将最大值之间的比率保持在预定的范围内”需要特定的时间段。
4.“将最大值之间的比率保持在预定的范围内”以及激光器中呈现小能量波动的稳定振荡彼此是相对立的。
5.由于光束发散等的影响，激光振荡器的原始脉冲波形和照射到要照射的物体上的脉冲波形彼此是不同的。
设计本发明是为了解决上面所描述的常规方法和装置的问题，且其一个目的是提供一种用于半导体膜的激光退火方法和退火设备，其保持贡献至结晶化的激光能量的稳定性，并提供具有恒定的晶体特性的半导体膜。
[解决问题的手段]
用于本发明的第一方面的半导体膜的激光退火方法是一种在非单晶半导体膜上照射脉冲激光来施加退火的用于半导体膜的激光退火方法，其中执行对脉冲激光的能量控制，以使该激光的脉冲波形的最大峰值高度保持预定的高度。
根据本发明的第二方面的用于半导体膜的激光退火方法，在本发明的第一方面，可测量激光的脉冲波形的最大峰值高度，并且可调节脉冲激光的输出能量和/或脉冲激光在输出之后的能量，以使该最大峰值高度达到预定的高度。
根据本发明，通过将激光波形的最大峰值高度保持在预定的高度，激光所照射的半导体膜的晶体特性是恒定的。应该注意，脉冲波形的脉冲宽度通常等于或者小于1000纳秒，优选等于或者小于500纳秒。然而，本发明并不限于具有特定脉冲宽度的情形。另外，脉冲波形的预定高度能被适当地选择并被设置成使得晶体特性恒定和出色。通常，定义预定高度的范围并执行控制，以使脉冲波形的最大峰值高度被保持在这个范围内。
图4示出在激光的照射位置处关于激光脉冲能量的对结晶化最佳的最大峰值高度和对结晶化最佳能量密度(由激光能量表测量)。从附图中显而易见，对于不同的激光脉冲能量最佳的能量密度是不同的，因而应该理解，即使在执行保持脉冲波形的恒定积分值的控制时，如果激光脉冲能量发生波动则对结晶化最佳的条件也不能得到保持。另一方面，就最大峰值高度而言，对于不同的激光脉冲能量最佳的最大峰值高度近似于恒定，因而即使激光脉冲能量发生波动，也有可能通过保持波形的恒定最大峰值高度来保持对结晶化最佳的条件。结晶化的条件是否是最佳的能够通过使用电子显微镜等观测晶粒直径来确定。
另外，图5示出脉冲能量(由功率表或者能量表测量的数值)、脉冲面积(脉冲波形的积分值)和最大峰值高度之间的关系。如从图中显而易见，脉冲能量和最大峰值高度并不成正比例关系，因而即使脉冲能量保持恒定，也不可能保持对结晶化最佳的状态。
根据本发明的第二方面，在测量最大峰值高度时，通过调节激光的输出能量或者能量，将脉冲波形的最大峰值高度适当地保持在预定高度是可能的。调节输出能量的方法可包括调节激光振荡器的注入激发气体的量和调节激光振荡器的放电电压值。另外，在输出之后的脉冲激光的能量的调节可通过可变衰减器来执行，该可变衰减器能调节从激光振荡器输出的脉冲激光的衰减率。可变衰减器可以是任何衰减器，其能够适当地改变激光的衰减率，且并不限于本发明中的特定的一个衰减器。
根据本发明的第三方面的用于半导体膜的激光退火方法，在本发明的第一或第二方面中，非单晶半导体膜可以是硅膜。
根据本发明的第四方面的用于半导体膜的激光退火方法，在本发明的第一至第三方面中的任一个中，脉冲激光可以是准分子激光。
根据本发明的第五方面的用于半导体膜的激光退火方法，在本发明的第一至第四方面中的任一个中，脉冲波形的最大峰值高度可对照射到非单晶半导体膜上的激光的脉冲波形进行测量。
本发明的第六方面的用于半导体膜的激光退火设备，包括：激光振荡器，其输出脉冲激光；光学系统，其将脉冲激光引导至非单晶半导体膜；最大峰值高度测量单元，其测量脉冲激光的最大峰值高度；以及控制单元，其通过最大峰值高度测量单元接收测量结果，并控制激光振荡器的脉冲激光的能量以使得最大峰值高度达到预定高度。
本发明的第七方面的用于半导体膜的激光退火设备，包括：激光振荡器，其输出脉冲激光；可变衰减器，其调节脉冲激光的衰减率；光学系统，其将脉冲激光引导至非单晶半导体膜；最大峰值高度测量单元，其测量脉冲激光的最大峰值高度；以及控制单元，其通过最大峰值高度测量单元接收测量结果并控制可变衰减器的衰减率以使得最大峰值高度达到预定高度。
该控制单元可控制激光振荡器中的脉冲激光的能量和可变衰减器的衰减率两者。
根据本发明的第八方面的用于半导体膜的激光退火装置，在本发明的第六或第七方面中，最大峰值高度测量单元可包括：分束器，其设置于脉冲激光的光程上；脉冲波形检测单元，其检测被分束器分割的一部分脉冲激光的波形；以及最大峰值高度确定单元，其确定由脉冲波形检测单元检测的脉冲波形的最大峰值高度。
[发明的效果]
如前所述，根据本发明的用于半导体膜的激光退火方法，在用于在非单晶半导体膜上照射脉冲激光来施加退火的半导体膜的激光退火方法中，执行对脉冲激光的能量控制，以使该激光的脉冲波形的最大峰值高度保持预定高度，因而提供以下的效果。
1.根据与晶体特性高度相关的脉冲波形的最大峰值高度，控制激光照射的能量密度，因而总是能获得恒定的晶体特性。
2.即使当脉冲波形由于激光振荡器的振荡条件改变而改变时，也总是能获得恒定的晶体特性。
3.当脉冲波形由于激光气体的退化而改变但输出(W)恒定时，根据与晶体特性高度相关的脉冲波形的最大峰值高度控制激光照射的能量密度，因而总是能获得恒定的晶体特性。
附图说明
图1为示意性地示出根据本发明一个实施例的激光退火设备的示图。
图2为示出保持对结晶化最佳的状态的步骤的流程图。
图3为示出当激光脉冲能量改变时激光脉冲波形改变的图表。
图4为示出关于激光脉冲能量的对结晶化最佳的能量密度和最大峰值高度的图表。
图5为示出脉冲能量密度和最大峰值高度与激光脉冲能量的关系的图表。
具体实施方式
参照附图，现在将给出本发明的一个实施例的描述。
激光退火设备包括用于输出气体激光的激光振荡器1，该激光振荡器1能通过调节要注入气体的量和放电电压来调节激光输出。作为激光振荡器1，例如可以使用Coherent公司的准分子激光振荡器LSX315C(波长：308nm，重复率：300Hz)。
可变衰减器2设置于光程上，沿着该光程发射出从该激光振荡器1输出的激光10。该可变衰减器2由衰减器光学元件构成，其透射率根据激光的入射角度而改变，因此允许调节透射通过该可变衰减器2的激光的衰减率。在可变衰减器2上调节衰减率能通过可变衰减器控制单元3执行，且该可变衰减器控制单元3例如可由CPU、操作该CPU的程序等构成。
其中排列有诸如均化器的光学部件的光学系统4被设置于该可变衰减器2的发射侧上的光程上，且激光10通过光学系统成形为例如具有465mm长度和0.4mm宽度的直线束。
由该光学系统4引导的激光10的一部分由分束器5提取，且其主要部分透射通过该分束器5，并照射到要处理的物体6上。作为要处理的物体6，例如考虑具有厚度50nm的非晶硅膜。
从分束器5提取的激光10a被输入到脉冲波形检测装置7。该脉冲波形检测装置7检测激光10a的脉冲波形，并与根据本发明的脉冲波形检测单元相对应。例如，作为该脉冲波形检测装置7，使用来自Hamamatsu Photonics的双平面光电管(型号R1193U-52)。
由该脉冲波形检测装置7所检测的结果被输出到控制单元8。该控制单元8由CPU、用于操作该CPU的程序、存储器单元构成，该存储器单元以非易失性方式存储与脉冲波形的预定最大峰值高度相关的数据等。控制单元8根据脉冲波形检测装置7的检测结果确定波形的最大峰值高度。根据本发明，该控制单元8因而具有作为最大峰值高度确定单元的功能，并与该脉冲波形检测装置7协作来构造最大峰值高度测量单元。控制单元8能控制激光振荡器1的输出，并向可变衰减器控制单元3发出控制命令。
现在将给出激光退火设备的操作的描述。
根据原始设置的输出，激光10从激光振荡器1输出。该激光振荡器1的振荡能量由内建的能量表控制。能量表的数值与脉冲波形的积分值成正比。
激光10到达可变衰减器2。该可变衰减器2被控制成以由可变衰减器控制单元3原始设置的衰减率来透射激光10。该可变衰减器2设置最佳的照射能量密度，以便将要处理的物体6结晶化。
衰减了预定衰减率的激光被光学系统4成形为带形，并达到分束器5。透射通过分束器5的激光被照射到要处理的物体6上，从而向其施加激光退火。由分束器5分割的激光10a到达脉冲波形检测装置7，并且有关所检测脉冲波形的信息被输出到控制单元8。
现在将给出基于图2的控制单元8中的控制步骤的描述。
首先，在步骤1，检测脉冲波形，并且所检测的结果如前所述地被输出到控制单元8(步骤s1)。
该控制单元8根据所检测的脉冲波形确定波形中的最大峰值高度(步骤s2)。波形中的第一峰值通常为图3中所示的最大峰值，因而最大峰值高度能够通过确定这个峰值高度来识别。
控制单元8然后在存储于存储器单元中的最大峰值高度的预定范围上读取数据，并与所确定的(检测的)最大峰值高度相比较(步骤s3)。应该注意，最大峰值高度的预定的范围被预先存储在存储器单元中。对于该最大峰值高度的预定范围，可根据要处理物体6的类型等设置不同的数据。
如果在以上比较中，所检测到的最大峰值高度在最大峰值高度的预定范围内(在步骤s3为“是”)，则认为本激光10具有对结晶化最佳的最大峰值高度，并且激光波形的检测继续(至步骤s1)。重复执行的激光波形的检测可以是持续的，或者以预定的间隔断断续续的。
如果所检测到的最大峰值高度没有在预定范围内(在步骤s3为“否”)，则调节激光输出。
通过调节放电电压，执行激光振荡器1的输出调节。如果所检测到的最大峰值高度高于预定范围，则控制单元8调节激光振荡器1的放电电压来降低输出，因而最大峰值高度落入预定范围内。另一方面，如果所检测到的最大峰值高度低于预定范围，则控制单元8调节激光振荡器1来增高输出，因而最大峰值高度落入预定范围内。基于所检测到的最大峰值高度偏离预定范围的量，可确定调节的量。
调节之后，激光的波形被持续地检测(至步骤s1)，直到激光照射处理完成(在步骤s5中为“是”)。
如上所述，即使当激光的输出波动时，通过将波形的最大峰值高度保持在预定值激光退火也能够在结晶化的最佳状态下执行，而不管脉冲波形的形状如何，由此总是获得恒定晶体。
在上面的控制步骤中，虽然脉冲波形的最大峰值高度由激光振荡器1中的输出调节来调节，但是脉冲波形的最大峰值高度可通过在可变衰减器2中调节衰减率来调节，或者该脉冲波形的最大峰值高度可通过激光振荡器1中的输出调节和可变衰减器2中的衰减率调节两者来调节。
尽管本发明是基于上面的实施例描述的，但是本发明并不限于说明书的内容，其可在本发明的范围内作适当地改变。
[附图标记的描述]
1激光振荡器
2可变衰减器
3可变衰减器控制单元
4光学系统
5分束器
6要照射的物体
7脉冲波形检测装置
8控制单元

Claims (8)

1.一种在非单晶半导体膜上照射脉冲激光来施加退火的用于半导体膜的激光退火方法，其特征在于，执行对脉冲激光的能量控制，以使随激光振荡器的振荡条件的变化而变化的所述脉冲波形的最大峰值高度成为对初期设定的结晶化最佳的照射能量密度的脉冲波形中预定的最大峰值高度。
2.如权利要求1所述的用于半导体膜的激光退火方法，其特征在于，测量所述激光的脉冲波形的最大峰值高度，并调节所述脉冲激光的输出能量和/或输出后的脉冲激光的能量，以使最大峰值高度保持预定高度。
3.如权利要求1或2所述的用于半导体膜的激光退火方法，其特征在于，所述非单晶半导体膜为硅膜。
4.如权利要求1或2所述的用于半导体膜的激光退火方法，其特征在于，所述脉冲激光为准分子激光。
5.如权利要求1或2所述的用于半导体膜的激光退火方法，其特征在于，所述脉冲波形的最大峰值高度对照射在非单晶半导体膜上的激光的脉冲波形进行测量。
6.一种用于半导体膜的激光退火设备，包括：
激光振荡器，其输出脉冲激光；
光学系统，其将脉冲激光引导至非单晶半导体膜；
最大峰值高度测量单元，其测量脉冲激光的最大峰值高度；以及
控制单元，其通过所述最大峰值高度测量单元接收测量结果，并控制所述激光振荡器的脉冲激光的输出能量，以使得该输出能量成为对初期设定的结晶化最佳的照射能量密度的脉冲波形中预定的最大峰值高度。
7.一种用于半导体膜的激光退火设备，包括：
激光振荡器，其输出脉冲激光；
可变衰减器，其调节脉冲激光的衰减率；
光学系统，其将脉冲激光引导至非单晶半导体膜；
最大峰值高度测量单元，其测量脉冲激光的最大峰值高度；以及
控制单元，其通过所述最大峰值高度测量单元接收测量结果，并控制所述可变衰减器的衰减率，以使得最大峰值成为对初期设定的结晶化最佳的照射能量密度的脉冲波形中预定的最大峰值高度。
8.如权利要求6或7所述的用于半导体膜的激光退火设备，其特征在于，所述最大峰值高度测量单元包括：
分束器，其设置于脉冲激光的光程上；
脉冲波形检测单元，其检测被所述分束器分割的一部分脉冲激光的波形；以及
最大峰值高度确定单元，其确定由所述脉冲波形检测单元检测到的脉冲波形的最大峰值高度。
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5829575B2 (ja) * 2012-05-28 2015-12-09 株式会社日本製鋼所 パルス波形測定機能を有するレーザアニール装置
CN103578943B (zh) * 2012-07-25 2017-05-31 上海微电子装备有限公司 一种激光退火装置及激光退火方法
CN103219229B (zh) * 2013-03-28 2016-04-27 昆山维信诺显示技术有限公司 Ela不均匀性的量化判断方法及其反馈系统
KR101527096B1 (ko) * 2013-12-24 2015-06-09 에이피시스템 주식회사 라인 빔 에너지 보정 방법 및 장치
CN103779195B (zh) * 2014-01-29 2017-11-07 上海集成电路研发中心有限公司 激光退火方法及系统
CN112038267B (zh) * 2020-09-21 2024-02-20 京东方科技集团股份有限公司 一种激光能量的调节装置
KR102392830B1 (ko) * 2020-11-19 2022-04-29 광주과학기술원 빔형상을 제어하는 광섬유 레이저 장치 및 이의 동작 방법

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1414616A (zh) * 2001-10-10 2003-04-30 株式会社日立制作所 激光退火设备，tft装置和相应的退火方法
CN1822384A (zh) * 2005-02-18 2006-08-23 株式会社半导体能源研究所 半导体器件及其制造方法
CN101047111A (zh) * 2006-03-27 2007-10-03 激光先进技术股份公司 激光退火设备

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1012549A (ja) * 1996-06-25 1998-01-16 Toshiba Corp パルスガスレーザ発振装置、レーザアニール装置、半導体装置の製造方法、及び半導体装置
JP2003163167A (ja) * 2001-09-12 2003-06-06 Hitachi Ltd 多結晶半導体膜、多結晶半導体膜製造方法及びそれを用いた薄膜半導体素子
JP3977379B2 (ja) * 2005-03-29 2007-09-19 株式会社日本製鋼所 薄膜材料の結晶化方法及びその装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1414616A (zh) * 2001-10-10 2003-04-30 株式会社日立制作所 激光退火设备，tft装置和相应的退火方法
CN1822384A (zh) * 2005-02-18 2006-08-23 株式会社半导体能源研究所 半导体器件及其制造方法
CN101047111A (zh) * 2006-03-27 2007-10-03 激光先进技术股份公司 激光退火设备

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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