JP5829575B2 - パルス波形測定機能を有するレーザアニール装置 - Google Patents
パルス波形測定機能を有するレーザアニール装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5829575B2 JP5829575B2 JP2012120487A JP2012120487A JP5829575B2 JP 5829575 B2 JP5829575 B2 JP 5829575B2 JP 2012120487 A JP2012120487 A JP 2012120487A JP 2012120487 A JP2012120487 A JP 2012120487A JP 5829575 B2 JP5829575 B2 JP 5829575B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- average
- pulse
- laser annealing
- waveform
- waveform information
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 title claims description 40
- 238000005259 measurement Methods 0.000 title claims description 25
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 19
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 claims description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 11
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/268—Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/0006—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring taking account of the properties of the material involved
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
- B23K26/03—Observing, e.g. monitoring, the workpiece
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
- B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
- B23K26/062—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam
- B23K26/0622—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam by shaping pulses
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/08—Devices involving relative movement between laser beam and workpiece
- B23K26/083—Devices involving movement of the workpiece in at least one axial direction
- B23K26/0853—Devices involving movement of the workpiece in at least in two axial directions, e.g. in a plane
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/12—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring in a special atmosphere, e.g. in an enclosure
- B23K26/127—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring in a special atmosphere, e.g. in an enclosure in an enclosure
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/352—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring for surface treatment
- B23K26/354—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring for surface treatment by melting
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
- B23K2103/50—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26
- B23K2103/52—Ceramics
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
- B23K2103/50—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26
- B23K2103/56—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26 semiconducting
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J11/00—Measuring the characteristics of individual optical pulses or of optical pulse trains
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
- Lasers (AREA)
Description
他方、パルスレーザ光のピーク値や面積などを測定するパルスレーザ光Lプロファイラが例えば浜松ホトニクス株式会社から市販されている。
しかし、レーザアニール装置には、例えば半導体レーザ励起固体レーザ発振器を用いるものや、第2ピーク値を持たないパルス波形のパルスレーザ光を使用するものもある。
そこで、本発明の目的は、ガス励起パルスレーザ発振器や第1ピーク値および第2ピーク値を持つパルス波形に限定されず、種々のレーザ発振器やパルス波形に対応してパルスレーザ光の劣化を監視することが出来るパルス波形測定機能を有するレーザアニール装置を提供することにある。
上記第1の観点によるパルス波形測定機能を有するレーザアニール装置(100)では、複数個のパルスにおける平均ピーク値と平均面積値とを少なくとも項目値として含む平均波形情報を取得するが、複数個のパルスを対象とするため、ノイズの悪影響を抑制することが出来る。また、平均ピーク値と平均面積値は、どのようなレーザ発振器やパルス波形でも取得可能である。そして、複数の平均波形情報における各項目値の平均値とバラツキと最大値と最小値とを少なくとも項目値として含む群波形情報を取得し出力するので、例えば操作者が群波形情報の各項目値を見て、パルスレーザ光(L)の劣化を監視することが出来る。
上記第2の観点によるパルス波形測定機能を有するレーザアニール装置(100)では、群波形情報を評価し、その評価の結果を出力するので、例えば操作者がその評価の結果を見て、パルスレーザ光の劣化を監視することが出来る。
上記第3の観点によるパルス波形測定機能を有するレーザアニール装置(100)では、評価の結果に応じて、制御手段(3)がレーザアニール処理を自動的に中断させるので、不良品の発生を抑制することが出来る。
上記第4の観点によるパルス波形測定機能を有するレーザアニール装置(100)では、平均波形情報の項目が増えるため、より的確にパルスレーザ光の劣化を監視することが出来る。
図1は、実施例1に係るパルス波形測定機能を有するレーザアニール装置100を示す構成説明図である。
このパルス波形測定機能を有するレーザアニール装置100は、シリコン基板Bを載せてx方向およびy方向に移動しうるXYステージ7と、シリコン基板BおよびXYステージ7を収容しうるレーザ照射室9と、レーザ照射室9の外側に設置されパルスレーザ光Lを発生するパルスレーザ光源部1と、パルスレーザ光Lをレーザ照射室9の外側から内側に導入すると共にシリコン基板Bの表面に長方形状のレーザ照射スポットを形成する光学系8と、ハーフミラー5を透過したパルスレーザ光Lを受光しその受光強度データIを出力するレーザ受光部2と、受光強度データIから複数個のパルスにおける平均ピーク値と平均面積値とを少なくとも項目値として含む平均波形情報を取得すると共に複数の平均波形情報における各項目値の平均値とバラツキと最大値と最小値とを少なくとも項目値として含む群波形情報を取得する制御部3と、群波形情報を表示しうる操作部10とを具備している。
レーザ受光部2は、例えばバイプラナ光電管とデジタイザ(サンプリング周期は例えば0.5ns)と記憶装置を含んでいる。
制御部10は、例えばコンピュータである。
P1はピーク値であり、パルス波形の立上りから一定時間(例えば20ns)の範囲内に出現する最大値である。
P2は第2ピーク値であり、パルス波形の立上りから一定時間(例えば50ns)以後に出現する最大値である。但し、第2ピーク値P2が無いパルス波形では項目にならない。
Aは面積であり、ハッチングにより図示している。
W1は半値幅である。
W2は1/e2幅である。
Tは立上り時間であり、パルス波形の立上りから一定時間(例えば20ns)の範囲内に出現する最大値に至るまでの時間である。
ステップS1では、操作者がレーザ照射開始の指示を操作部10で入力するまで待ち、指示が入力されたらステップS2へ進む。
ステップS2では、パルスレーザ光源部1やXYステージ7を駆動し、シリコン基板Bへのパルスレーザ光Lの照射を開始する。
ステップS5では、パルスレーザ光源部1をオフし、シリコン基板Bへのパルスレーザ光Lの照射を終了する。そして、処理を終了する。
ステップS11では、N(=2以上の自然数)個分の波形データが得られるまで待ち、N個分の波形データが得られたらステップS12へ進む。
ステップS12では、N個分の波形データから平均波形情報の各項目値を求め、1群分の平均波形情報として記憶する。項目には、少なくとも平均ピーク値と平均面積とが含まれる。他に、平均半値幅、平均1/e2幅、平均立上り時間などを含めてもよい。
ステップS13では、平均波形情報を取得済みのN個分の波形データを破棄する。例えばパルス1個分の波形データが受光強度データIが200個であり且つ1群分の波形データ数N=100とすると、N個分の波形データとして20000個の受光強度データIを破棄する。これにより、必要な記憶容量を抑制できる。
そして、ステップS11に戻る。
ステップS21では、M(=2以上の自然数)群分の平均波形情報が得られるまで待ち、M群分の平均波形情報が得られたらステップS22へ進む。
ステップS22では、M群分の平均波形情報から群波形情報の各項目値を求める。項目には、平均波形情報の各項目値の少なくとも平均値とバラツキと最大値と最小値とが含まれる。他の統計値を含めてもよい。
ステップS24では、群波形情報および評価の結果を操作部10へ出力する。
例えば図4に示すように、操作部10のディスプレイに、群波形情報の各項目値を、評価が「適正」なら緑色・普通字体で表示し、評価が「不適正」なら赤色・斜め字体で表示する。なお、パルス周期を1.66msとし、M=100とすると、16.6s毎に群波形情報および評価の結果が更新される。
ステップS26では、群波形情報を取得済みのM群分の平均波形情報のうちで所定の保存期間が経過したものを破棄する。これにより、必要な記憶容量を抑制できる。
そして、ステップS21に戻る。
2 レーザ受光部
3 制御部
7 XYステージ
8 光学系
9 レーザ照射室
10 操作部
100 パルス波形測定機能を有するレーザアニール装置
B シリコン基板
Claims (4)
- パルスレーザ光(L)を被処理基板(B)の表面に照射するレーザアニール装置において、前記パルスレーザ光(L)を受光しその受光強度データ(I)を出力する受光手段(2)と、前記受光強度データ(I)から複数個のパルスにおける平均ピーク値と平均面積値とを少なくとも項目値として含む平均波形情報を取得する平均波形情報取得手段(3)と、複数の前記平均波形情報における各項目値の平均値とバラツキと最大値と最小値とを少なくとも項目値として含む群波形情報を取得する群波形情報取得手段(3)と、前記群波形情報を出力する出力手段(10)とを具備したことを特徴とするパルス波形測定機能を有するレーザアニール装置(100)。
- 請求項1に記載のパルス波形測定機能を有するレーザアニール装置(100)において、前記群波形情報を評価する評価手段(3)を具備し、前記出力手段(10)は、前記群波形情報に代えて前記評価の結果を出力するか、又は、前記群波形情報および前記評価の結果の両方を出力することを特徴とするパルス波形測定機能を有するレーザアニール装置(100)。
- 請求項2に記載のパルス波形測定機能を有するレーザアニール装置(100)において、前記評価の結果がパルス波形不適正であった時にレーザアニール処理を中断させる制御手段(3)を具備したことを特徴とするパルス波形測定機能を有するレーザアニール装置(100)。
- 請求項1から請求項3のいずれかに記載のパルス波形測定機能を有するレーザアニール装置(100)において、前記平均波形情報の項目として、平均半値幅と平均1/e2幅と平均立上り時間のうちの少なくとも1つを含むことを特徴とするパルス波形測定機能を有するレーザアニール装置(100)。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012120487A JP5829575B2 (ja) | 2012-05-28 | 2012-05-28 | パルス波形測定機能を有するレーザアニール装置 |
KR1020147030496A KR101534454B1 (ko) | 2012-05-28 | 2013-04-24 | 펄스 파형 측정 기능을 가지는 레이저 어닐링 장치 |
PCT/JP2013/062011 WO2013179826A1 (ja) | 2012-05-28 | 2013-04-24 | パルス波形測定機能を有するレーザアニール装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012120487A JP5829575B2 (ja) | 2012-05-28 | 2012-05-28 | パルス波形測定機能を有するレーザアニール装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013247266A JP2013247266A (ja) | 2013-12-09 |
JP5829575B2 true JP5829575B2 (ja) | 2015-12-09 |
Family
ID=49673031
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012120487A Active JP5829575B2 (ja) | 2012-05-28 | 2012-05-28 | パルス波形測定機能を有するレーザアニール装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5829575B2 (ja) |
KR (1) | KR101534454B1 (ja) |
WO (1) | WO2013179826A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101523673B1 (ko) * | 2013-12-27 | 2015-05-28 | 에이피시스템 주식회사 | 레이저 조사 방법 및 레이저 조사 모듈 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1012549A (ja) * | 1996-06-25 | 1998-01-16 | Toshiba Corp | パルスガスレーザ発振装置、レーザアニール装置、半導体装置の製造方法、及び半導体装置 |
JP4863407B2 (ja) * | 2009-02-02 | 2012-01-25 | 株式会社日本製鋼所 | 半導体膜のレーザアニール方法 |
JP2011014685A (ja) * | 2009-07-01 | 2011-01-20 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | レーザ照射装置、及びレーザ照射方法 |
JP5430488B2 (ja) * | 2010-05-11 | 2014-02-26 | 株式会社日本製鋼所 | レーザアニール処理装置、レーザアニール処理体の製造方法およびレーザアニール処理プログラム |
-
2012
- 2012-05-28 JP JP2012120487A patent/JP5829575B2/ja active Active
-
2013
- 2013-04-24 WO PCT/JP2013/062011 patent/WO2013179826A1/ja active Application Filing
- 2013-04-24 KR KR1020147030496A patent/KR101534454B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2013247266A (ja) | 2013-12-09 |
KR20140133614A (ko) | 2014-11-19 |
WO2013179826A1 (ja) | 2013-12-05 |
KR101534454B1 (ko) | 2015-07-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2019505860A (ja) | 量子ノイズ基盤乱数生成器の性能を管理するための装置及び方法 | |
JP5978266B2 (ja) | 時間計測装置、時間計測方法、発光寿命計測装置、及び発光寿命計測方法 | |
US20150369742A1 (en) | Measuring apparatus and measuring method | |
EP3188326A1 (en) | Gain control for arbitrary triggering of short pulse lasers | |
EP2488842B1 (en) | Measurement of raman radiation | |
WO2020066177A1 (ja) | 半導体デバイス検査方法及び半導体デバイス検査装置 | |
JP5829575B2 (ja) | パルス波形測定機能を有するレーザアニール装置 | |
JP2014106127A (ja) | テラヘルツ波計測装置及び方法 | |
Keppler et al. | Full characterization of the amplified spontaneous emission from a diode-pumped high-power laser system | |
EP2549265B1 (en) | Laser gas analysis apparatus | |
JP2015105851A (ja) | 半導体デバイス計測装置及び半導体デバイス計測方法 | |
US20140042332A1 (en) | Defect Inspection Apparatus And Defect Inspection Method | |
WO2015126474A1 (en) | Waveguides, and systems and methods for forming and using such waveguides | |
JP6561747B2 (ja) | 温度測定装置、温度測定方法および温度測定プログラム | |
JP2000012923A (ja) | レーザ加工装置の光学部品の劣化診断装置及び方法 | |
JP2015012204A (ja) | レーザアニール装置 | |
JP2013511301A (ja) | 物質を加工処理する機器およびその作動方法 | |
EP4382944A1 (en) | Measurement apparatus and measurement method | |
JP2006255744A (ja) | レーザ照射装置及びレーザ照射方法 | |
JP2011083779A (ja) | レーザ加工装置及び判定方法 | |
JP5792612B2 (ja) | 放射線強度計測装置 | |
JP2010093243A (ja) | 光ピークパワー検出装置及び該装置を利用したパルスレーザー発生装置 | |
US20200116634A1 (en) | Signal acquisition device | |
JP5510298B2 (ja) | 固体レーザ装置 | |
JP2008016745A (ja) | レーザ照射方法および装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140620 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20150520 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20150520 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150930 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20151022 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5829575 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |