KR101534454B1 - 펄스 파형 측정 기능을 가지는 레이저 어닐링 장치 - Google Patents

펄스 파형 측정 기능을 가지는 레이저 어닐링 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR101534454B1
KR101534454B1 KR1020147030496A KR20147030496A KR101534454B1 KR 101534454 B1 KR101534454 B1 KR 101534454B1 KR 1020147030496 A KR1020147030496 A KR 1020147030496A KR 20147030496 A KR20147030496 A KR 20147030496A KR 101534454 B1 KR101534454 B1 KR 101534454B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
average
waveform information
value
pulse
waveform
Prior art date
Application number
KR1020147030496A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20140133614A (ko
Inventor
유자부로 오타
Original Assignee
더 재팬 스틸 워크스 엘티디
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 더 재팬 스틸 워크스 엘티디 filed Critical 더 재팬 스틸 워크스 엘티디
Publication of KR20140133614A publication Critical patent/KR20140133614A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101534454B1 publication Critical patent/KR101534454B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26—Bombardment with radiation
    • H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/268—Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/0006—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring taking account of the properties of the material involved
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/03—Observing, e.g. monitoring, the workpiece
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/062—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam
    • B23K26/0622—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam by shaping pulses
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/08—Devices involving relative movement between laser beam and workpiece
    • B23K26/083—Devices involving movement of the workpiece in at least one axial direction
    • B23K26/0853—Devices involving movement of the workpiece in at least in two axial directions, e.g. in a plane
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/12—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring in a special atmosphere, e.g. in an enclosure
    • B23K26/127—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring in a special atmosphere, e.g. in an enclosure in an enclosure
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/352—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring for surface treatment
    • B23K26/354—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring for surface treatment by melting
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/50—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26
    • B23K2103/52—Ceramics
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/50—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26
    • B23K2103/56—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26 semiconducting
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J11/00—Measuring the characteristics of individual optical pulses or of optical pulse trains

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Recrystallisation Techniques (AREA)
  • Lasers (AREA)

Abstract

펄스 레이저광(L)을 수광하여 수광 강도 데이터(I)를 출력하는 레이저 수광부(2)와, 수광 강도 데이터(I)로부터 복수 개의 펄스에 있어서의 평균 피크치와 평균 면적치를 적어도 항목치로서 포함하는 평균 파형 정보를 취득하고, 얻어진 복수의 평균 파형 정보에 대하여 각 항목치의 평균치와 편차와 최대치와 최소치를 적어도 항목치로서 포함하는 군 파형 정보를 취득하는 제어부(3)와, 군 파형 정보를 출력하는 조작부(10)를 구비한다. 가스 여기 펄스 레이저 발진기나 제1피크치 및 제2피크치를 가지는 펄스 파형에 한정되지 않고, 펄스 레이저광의 열화를 감시할 수 있다.

Description

펄스 파형 측정 기능을 가지는 레이저 어닐링 장치{LASER ANNEALING DEVICE HAVING PULSE WAVEFORM MEASURING FUNCTION}
본 발명은, 펄스 파형 측정 기능을 가지는 레이저 어닐링 장치에 관한 것이며, 더욱 상세하게는, 여러 종류의 레이저 발진기나 펄스 파형에 대응하여 펄스 레이저광의 열화를 감시할 수 있는 펄스 파형 측정 기능을 가지는 레이저 어닐링 장치에 관한 것이다.
종래, 가스 여기 펄스 레이저 발진기가 출력하는 펄스 레이저광을 피처리기판의 표면에 조사하는 레이저 어닐링 장치로서, 펄스 레이저광을 제1피크치 및 제2피크치의 비를 기초로 가스의 열화를 판정하는 레이저 어닐링 장치가 알려져 있다(예를 들어, 특허문헌 1 참조).
한편, 펄스 레이저광의 피크치나 면적 등을 측정하는 펄스 레이저광(L) 프로파일러가 예를 들어 하마마츠 호트닉스 가부시키가이샤에서 시판되고 있다.
일본국 특개2011-238804호 공보
상기 특허문헌 1에서는, 가스 여기 펄스 레이저 발진기가 펄스 레이저광을 출력하며 또한 그 펄스 레이저광의 파형이 제1피크치 및 제2피크치를 가지도록 레이저 어닐링 장치가 상정되어 있다.
그러나 레이저 어닐링 장치에는, 예를 들어 반도체 레이저 여기 고체 레이저 발진기를 사용하는 것이나, 제2피크치를 가지지 않은 펄스 파형의 펄스 레이저광을 사용하는 것도 있다.
그래서, 본 발명의 목적은, 가스 여기 펄스 레이저 발진기나 제1피크치 및 제2피크치를 가지는 펄스 파형에 한정되지 않고, 여러 종류의 레이저 발진기나 펄스 파형에 대응하여 펄스 레이저광의 열화를 감시할 수 있는 펄스 파형 측정 기능을 가지는 레이저 어닐링 장치를 제공하는 것에 있다.
제1의 관점에서는, 본 발명은, 펄스 레이저광(L)을 피처리기판(B)의 표면에 조사하는 레이저 어닐링 장치에 있어서, 상기 펄스 레이저광(L)을 수광하여 그 수광 강도 데이터(I)를 출력하는 수광 수단(2)과, 상기 수광 강도 데이터(I)로부터 복수 개의 펄스에 있어서의 평균 피크치와 평균 면적치를 적어도 항목치로서 포함하는 평균 파형 정보를 취득하는 평균 파형 정보 취득 수단(S12)과, 복수의 상기 평균 파형 정보에 있어서의 각 항목치의 평균치와 편차와 최대치와 최소치를 적어도 항목치로서 포함하는 군(群) 파형 정보를 취득하는 군 파형 정보 취득 수단(S22)과, 상기 군 파형 정보를 출력하는 출력수단(S24)을 구비한 것을 특징으로 하는 펄스 파형 측정 기능을 가지는 레이저 어닐링 장치(100)를 제공한다.
상기 제1의 관점에 의한 펄스 파형 측정 기능을 가지는 레이저 어닐링 장치(100)에서는, 복수 개의 펄스에 있어서의 평균 피크치와 평균 면적치를 적어도 항목치로서 포함하는 평균 파형 정보를 취득하는데, 복수 개의 펄스를 대상으로 하기 때문에 노이즈의 악영향을 억제할 수 있다. 또한, 평균 피크치와 평균 면적치는, 어떠한 레이저 발진기나 펄스 파형이라도 취득 가능하다. 그리고 복수의 평균 파형 정보에 있어서의 각 항목치의 평균치와 편차와 최대치와 최소치를 적어도 항목치로서 포함하는 군 파형 정보를 취득하여 출력하므로, 예를 들어 조작자가 군 파형 정보의 각 항목치를 보고, 펄스 레이저광(L)의 열화를 감시할 수 있다.
제2의 관점에서는, 본 발명은, 상기 제1의 관점에 의한 펄스 파형 측정 기능을 가지는 레이저 어닐링 장치(100)에 있어서, 상기 군 파형 정보를 평가하는 평가수단(S23)을 구비하고, 상기 출력수단(S24)은, 상기 군 파형 정보 대신 상기 평가의 결과를 출력하거나, 또는 상기 군 파형 정보 및 상기 평가의 결과 양쪽을 출력하는 것을 특징으로 하는 펄스 파형 측정 기능을 가지는 레이저 어닐링 장치(100)를 제공한다.
상기 제2의 관점에 의한 펄스 파형 측정 기능을 가지는 레이저 어닐링 장치(100)에서는, 군 파형 정보를 평가하고, 그 평가의 결과를 출력하므로, 예를 들어 조작자가 그 평가의 결과를 보고 펄스 레이저광의 열화를 감시할 수 있다.
제3의 관점에서는, 본 발명은, 상기 제2의 관점에 의한 펄스 파형 측정 기능을 가지는 레이저 어닐링 장치(100)에 있어서, 상기 평가의 결과가 펄스 파형 부적정이었을 때에 레이저 어닐링 처리를 중단시키는 제어 수단(S25, S27)을 구비한 것을 특징으로 하는 펄스 파형 측정 기능을 가지는 레이저 어닐링 장치(100)를 제공한다.
상기 제3의 관점에 의한 펄스 파형 측정 기능을 가지는 레이저 어닐링 장치(100)에서는, 평가의 결과에 따라서 제어 수단(S25, S27)이 레이저 어닐링 처리를 자동적으로 중단시키므로, 불량품의 발생을 억제할 수 있다.
제4의 관점에서는, 본 발명은, 상기 제1 내지 제3중 어느 한 관점에 의한 펄스 파형 측정 기능을 가지는 레이저 어닐링 장치(100)에 있어서, 상기 평균 파형 정보의 항목으로서, 평균 반치폭과 평균 1/e2폭과 평균 상승시간 중의 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 펄스 파형 측정 기능을 가지는 레이저 어닐링 장치(100)를 제공한다.
상기 제4의 관점에 의한 펄스 파형 측정 기능을 가지는 레이저 어닐링 장치(100)에서는, 평균 파형 정보의 항목이 증가하기 때문에, 보다 적확하게 펄스 레이저광의 열화를 감시할 수 있다.
본 발명의 펄스 파형 측정 기능을 가지는 레이저 어닐링 장치에 의하면, 가스 여기 펄스 레이저 발진기나 제1피크치 및 제2피크치를 가지는 펄스 파형에 한정되지 않고, 여러 종류의 레이저 발진기나 펄스 파형에 대응하여 펄스 레이저광의 열화를 감시할 수 있다.
도 1은 실시예 1에 따른 펄스 파형 측정 기능을 가지는 레이저 어닐링 장치를 나타내는 구성 설명도이다.
도 2는 평균 파형 정보의 각 항목을 나타내는 설명도이다.
도 3은 실시예 1에 따른 펄스 파형 측정 기능을 가지는 레이저 어닐링 장치에 있어서의 펄스 파형 측정 처리를 나타내는 플로우도이다.
도 4는 군 파형 정보 및 평가 결과의 표시상태를 나타내는 예시도이다.
이하, 도면에 나타내는 실시의 형태에 의해 본 발명을 더욱 상세하게 설명한다. 그리고 이로 인해 본 발명이 한정되는 것은 아니다.
[ 실시예 ]
-실시예 1-
도 1은, 실시예 1에 따른 펄스 파형 측정 기능을 가지는 레이저 어닐링 장치(100)를 나타내는 구성 설명도이다.
이 펄스 파형 측정 기능을 가지는 레이저 어닐링 장치(100)는, 실리콘 기판(B)을 올려서 x 방향 및 y 방향으로 이동할 수 있는 XY 스테이지(7)와, 실리콘 기판(B) 및 XY 스테이지(7)를 수용할 수 있는 레이저 조사실(9)과, 레이저 조사실(9)의 바깥쪽에 설치되어 펄스 레이저광(L)을 발생시키는 펄스 레이저 광원부(1)와, 펄스 레이저광(L)을 레이저 조사실(9)의 바깥쪽으로부터 안쪽으로 도입하는 동시에 실리콘 기판(B)의 표면에 장방형상의 레이저 조사 스폿을 형성하는 광학계(8)와, 하프 미러(5)를 투과한 펄스 레이저광(L)을 수광하여 그 수광 강도 데이터(I)를 출력하는 레이저 수광부(2)와, 수광 강도 데이터(I)로부터 복수 개의 펄스에 있어서의 평균 피크치와 평균 면적치를 적어도 항목치로서 포함하는 평균 파형 정보를 취득하는 동시에 복수의 평균 파형 정보에 있어서의 각 항목치의 평균치와 편차와 최대치와 최소치를 적어도 항목치로서 포함하는 군 파형 정보를 취득하는 제어부(3)와, 군 파형 정보를 표시할 수 있는 조작부(10)를 구비하고 있다.
펄스 레이저 광원부(1)는, 예를 들어 엑시머 레이저 발진기와 가변 어테뉴에이터와 호모지나이저를 포함하고 있다.
레이저 수광부(2)는, 예를 들어 바이플래너 광전관(biplanar photo tube)과 디지타이저(샘플링 주기는 예를 들어 0.5 ns)와 기억장치를 포함하고 있다.
제어부(3)는, 예를 들어 컴퓨터이다.
도 2는, 평균 파형 정보의 각 항목을 나타내는 설명도이다. 그리고 1개의 펄스 파형의 펄스폭은 예를 들어 100 ns이고, 펄스 주기는 예를 들어 1.66 ms 이다.
P1은 피크치이고, 펄스 파형의 상승으로부터 일정 시간(예를 들어 20 ns) 범위 내에 출현하는 최대치이다.
P2는 제2피크치이고, 펄스 파형의 상승으로부터 일정 시간(예를 들어 50 ns) 이후에 출현하는 최대치이다. 단, 제2피크치(P2)가 없는 펄스 파형에서는 항목이 되지 않는다.
A는 면적이고, 해칭에 의해 도시하고 있다.
W1는 반치폭이다.
W2는 1/e2폭이다.
T는 상승 시간이고, 펄스 파형의 상승으로부터 일정 시간(예를 들어 20 ns)의 범위내에 출현하는 최대치에 도달하기 까지의 시간이다.
도 3은, 제어부(3)가 실행하는 펄스 파형 측정처리를 나타내는 플로우도이다.
스텝 S1에서는, 조작자가 레이저 조사 개시의 지시를 조작부(10)에서 입력할 때까지 기다리고, 지시가 입력되면 스텝 S2로 나아간다.
스텝 S2에서는, 펄스 레이저 광원부(1)나 XY 스테이지(7)를 구동하고, 실리콘 기판(B)으로의 펄스 레이저광(L)의 조사를 개시한다.
스텝 S3에서는, 수광 강도 데이터(I)를 판독하고, 펄스 1개마다의 파형 데이터로 나누어 기억한다. 디지타이저의 샘플링 주기를 0.5 ns로 하고, 1개의 펄스 파형의 펄스폭을 100 ns로 하면, 수광 강도 데이터(I)가 200개로 펄스 1개분의 파형 데이터가 구성된다.
스텝 S4에서는, 조작자가 레이저 조사 종료의 지시를 조작부(10)에서 입력하였는지 체크하여, 지시가 입력되어 있지 않으면 스텝 S3으로 되돌아가고, 지시가 입력되어 있으면 스텝 S5로 나아간다.
스텝 S5에서는, 펄스 레이저 광원부(1)를 오프하고, 실리콘 기판(B)으로의 펄스 레이저광(L)의 조사를 종료한다. 그리고 처리를 종료한다.
스텝 S11~S13은, 스텝 S1~S4와 병행하여 실행된다.
스텝 S11에서는, N(=2 이상의 자연수)개분의 파형 데이터가 얻어질 때까지 기다리고, N개분의 파형 데이터가 얻어지면 스텝 S12로 나아간다.
스텝 S12에서는, N개분의 파형 데이터로부터 평균 파형 정보의 각 항목치를 구하고, 1군분의 평균 파형 정보로서 기억한다. 항목에는, 적어도 평균 피크치와 평균 면적이 포함된다. 그 외, 평균 반치폭, 평균 1/e2폭, 평균 상승시간 등을 포함하여도 좋다.
스텝 S13에서는, 평균 파형 정보를 취득 필한 N개분의 파형 데이터를 파기한다. 예를 들어, 펄스 1개분의 파형 데이터가 수광 강도 데이터(I)가 200개이며 또한 1군분의 파형 데이터 수 N=100으로 하면, N개분의 파형 데이터로서 20000개의 수광 강도 데이터(I)를 파기한다. 이로써, 필요한 기억 용량을 억제할 수 있다.
그리고, 스텝 S11로 되돌아간다.
스텝 S21~S26은, 스텝 S11~S13과 병행하여 실행된다.
스텝 S21에서는, M(=2 이상의 자연수) 군분의 평균 파형 정보가 얻어질 때까지 기다리고, M군분의 평균 파형 정보가 얻어지면 스텝 S22로 나아간다.
스텝 S22에서는, M군분의 평균 파형 정보로부터 군 파형 정보의 각 항목치를 구한다. 항목에는, 평균 파형 정보의 각 항목치의 적어도 평균치와 편차와 최대치와 최소치가 포함된다. 다른 통계치를 포함하여도 좋다.
스텝 S23에서는, 군 파형 정보의 각 항목치의 적정 여부를 평가한다. 예를 들어, 군 파형 정보의 각 항목의 기준치를 설정하여 두고, 항목치가 기준치의 ±10%의 범위 내이면 그 항목치를 "적정"으로 평가하고, 범위밖이라면 "부적정"으로 평가한다.
스텝 24에서는, 군 파형 정보 및 평가의 결과를 조작부(10)로 출력한다.
예를 들어, 도 4에 나타내는 바와 같이, 조작부(10)의 디스플레이에, 군 파형 정보의 각 항목치를, 평가가 "적정"이면 녹색·보통글자체로 표시하고, 평가가 "부적정"이면 녹색·기울임꼴 글자체로 표시한다. 그리고 펄스 주기를 1.66 ms로 하고, M=100으로 하면, 16.6 s마다 군 파형 정보 및 평가의 결과가 갱신된다.
스텝 25에서는, 모든 항목치의 평가가 "적정"이면 스텝 S26으로 나아가고, 평가가 "부적정"의 항목이 1개라도 있으면 스텝 S27로 나아간다.
스텝 S26에서는, 군 파형 정보를 취득 필한 M군분의 평균 파형 정보 중에서 소정의 보존 기간이 경과된 것을 파기한다. 이로써, 필요한 기억 용량을 억제할 수 있다.
그리고 스텝 S21로 되돌아간다.
스텝 S27에서는, 펄스 레이저 광원부(1)를 오프하고, 실리콘 기판(B)으로의 펄스 레이저광(L)의 조사를 중단하여 조작자에게 통지한다. 그리고 처리를 종료한다.
실시예 1에 따른 펄스 파형 측정 기능을 가지는 레이저 어닐링 장치(100)에 의하면, 복수 개의 펄스에 있어서의 평균 피크치와 평균 면적치를 적어도 항목치로서 포함하는 평균 파형 정보를 취득하는데, 피크치와 면적치는 어떠한 레이저 발진기나 펄스 파형에서도 취득 가능하다. 또한, 복수 개의 펄스를 평균내기 때문에, 노이즈의 악영향을 억제할 수 있다. 그리고 복수의 평균 파형 정보에 있어서의 각 항목치의 평균치와 편차와 최대치와 최소치를 적어도 항목치로서 포함하는 군 파형 정보를 취득하여 출력하므로, 예를 들어 조작자가 군 파형 정보의 각 항목치를 지켜봄으로써, 펄스 레이저광의 열화를 감시할 수 있다.
[산업상의 이용 가능성]
본 발명의 펄스 파형 측정 기능을 가지는 레이저 어닐링 장치는, 예를 들어 유리기판상에 형성한 비정질 실리콘 반도체층을 다결정 실리콘 반도체층화하는 처리에 이용할 수 있다.
1: 펄스 레이저 광원부
2: 레이저 수광부
3: 제어부
7: XY 스테이지
8: 광학계
9: 레이저 조사실
10: 조작부
100: 펄스 파형 측정 기능을 가지는 레이저 어닐링 장치
B: 실리콘 기판

Claims (4)

  1. 펄스 레이저광(L)을 피처리 기판(B)의 표면에 조사하는 레이저 어닐링 장치에 있어서, 상기 펄스 레이저광(L)을 수광하여 그 수광 강도 데이터(I)를 출력하는 수광 수단(2)과, 상기 수광 강도 데이터(I)로부터 복수 개의 펄스에 있어서의 평균 피크치와 평균 면적치를 적어도 항목치로서 포함하는 평균 파형 정보를 취득하는 평균 파형 정보 취득 수단과, 복수의 상기 평균 파형 정보에 있어서의 각 항목치의 평균치와 편차와 최대치와 최소치를 적어도 항목치로서 포함하는 군 파형 정보를 취득하는 군 파형 정보 취득 수단과, 상기 군 파형 정보를 출력하는 출력수단을 구비한 것을 특징으로 하는 펄스 파형 측정 기능을 가지는 레이저 어닐링 장치(100).
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 군 파형 정보를 평가하는 평가 수단을 구비하고, 상기 출력 수단은, 상기 군 파형 정보 대신 상기 평가의 결과를 출력하거나, 또는 상기 군 파형 정보 및 상기 평가의 결과 양쪽을 출력하는 것을 특징으로 하는 펄스 파형 측정 기능을 가지는 레이저 어닐링 장치(100).
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 평가의 결과가 펄스 파형 부적정이었을 때에 레이저 어닐링 처리를 중단시키는 제어 수단을 구비한 것을 특징으로 하는 펄스 파형 측정 기능을 가지는 레이저 어닐링 장치(100).
  4. 제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 평균 파형 정보의 항목으로서, 평균 반치폭과 평균 1/e2폭과 평균 상승 시간 중의 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 펄스 파형 측정 기능을 가지는 레이저 어닐링 장치(100).
KR1020147030496A 2012-05-28 2013-04-24 펄스 파형 측정 기능을 가지는 레이저 어닐링 장치 KR101534454B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2012-120487 2012-05-28
JP2012120487A JP5829575B2 (ja) 2012-05-28 2012-05-28 パルス波形測定機能を有するレーザアニール装置
PCT/JP2013/062011 WO2013179826A1 (ja) 2012-05-28 2013-04-24 パルス波形測定機能を有するレーザアニール装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20140133614A KR20140133614A (ko) 2014-11-19
KR101534454B1 true KR101534454B1 (ko) 2015-07-06

Family

ID=49673031

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020147030496A KR101534454B1 (ko) 2012-05-28 2013-04-24 펄스 파형 측정 기능을 가지는 레이저 어닐링 장치

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP5829575B2 (ko)
KR (1) KR101534454B1 (ko)
WO (1) WO2013179826A1 (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101523673B1 (ko) * 2013-12-27 2015-05-28 에이피시스템 주식회사 레이저 조사 방법 및 레이저 조사 모듈

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1012549A (ja) * 1996-06-25 1998-01-16 Toshiba Corp パルスガスレーザ発振装置、レーザアニール装置、半導体装置の製造方法、及び半導体装置
WO2010087299A1 (ja) * 2009-02-02 2010-08-05 株式会社日本製鋼所 半導体膜のレーザアニール方法およびアニール装置
JP2011014685A (ja) * 2009-07-01 2011-01-20 Sumitomo Heavy Ind Ltd レーザ照射装置、及びレーザ照射方法
JP2011238804A (ja) * 2010-05-11 2011-11-24 Japan Steel Works Ltd:The レーザアニール処理装置、レーザアニール処理体の製造方法およびレーザアニール処理プログラム

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1012549A (ja) * 1996-06-25 1998-01-16 Toshiba Corp パルスガスレーザ発振装置、レーザアニール装置、半導体装置の製造方法、及び半導体装置
WO2010087299A1 (ja) * 2009-02-02 2010-08-05 株式会社日本製鋼所 半導体膜のレーザアニール方法およびアニール装置
JP2011014685A (ja) * 2009-07-01 2011-01-20 Sumitomo Heavy Ind Ltd レーザ照射装置、及びレーザ照射方法
JP2011238804A (ja) * 2010-05-11 2011-11-24 Japan Steel Works Ltd:The レーザアニール処理装置、レーザアニール処理体の製造方法およびレーザアニール処理プログラム

Also Published As

Publication number Publication date
JP2013247266A (ja) 2013-12-09
JP5829575B2 (ja) 2015-12-09
WO2013179826A1 (ja) 2013-12-05
KR20140133614A (ko) 2014-11-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4459390B2 (ja) 蛍光測定方法、蛍光測定装置及びそれを用いた試料評価装置
US20130027690A1 (en) Laser beam spot shape detecting method
US20170307359A1 (en) Distance measuring device and method for determining a distance
JP2008139028A (ja) ポンププローブ測定装置及びそれを用いた走査プローブ顕微鏡装置
JP6044893B2 (ja) 検査装置および検査方法
US11971364B2 (en) Semiconductor device inspection method and semiconductor device inspection device
KR20170048412A (ko) 시간 계측 장치, 시간 계측 방법, 발광 수명 계측 장치, 및 발광 수명 계측 방법
EP3766623A1 (en) Laser power control device, laser processing device, and laser power control method
KR101534454B1 (ko) 펄스 파형 측정 기능을 가지는 레이저 어닐링 장치
JP5654248B2 (ja) 多点測定方法及び測量装置
JP4356817B2 (ja) レーザ照射装置及びレーザ照射方法
US10164402B2 (en) Stabilizing optical frequency combs
JP5551788B2 (ja) 物質を加工処理する機器およびその作動方法
JP4184228B2 (ja) 蛍光寿命測定装置
JP2011083779A (ja) レーザ加工装置及び判定方法
GB2554998A (en) Selective amplifier
JP2015012204A (ja) レーザアニール装置
JP2009036706A (ja) 光学材料のレーザ損傷耐性推定方法及びレーザ損傷耐性推定装置
JP6290865B2 (ja) 励起状態の寿命に関してサンプルを検査する方法及び装置
JP2014501928A (ja) 生体液検査装置
TR201819885A2 (tr) Pi̇kosani̇ye darbe jeneratörü ve lazer sürücü elektroni̇k devresi̇
EP3345031B1 (en) A calibration device for two- or multi-photon absorption events and a method for calibrating a laser-scanning microscope
JP2008016745A (ja) レーザ照射方法および装置
KR101437393B1 (ko) 나노초 펄스 레이저 장치 및 그것의 교번형 레이저 파장 출력 방법
KR101437394B1 (ko) 나노초 펄스 레이저 장치 및 그것의 선택형 레이저 레이저 파장 출력 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
A302 Request for accelerated examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180423

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190530

Year of fee payment: 5