KR101260599B1 - 낮은 물 함량을 가지는 포토레지스트 박리제의 농축액을 제조하는 방법 - Google Patents

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Abstract

제4급 수산화 암모늄의 농축액을 제조하는 방법으로서, 물 함유 결정이나 수용액 형태인 제4급 수산화 암모늄이 글리콜 에테르, 글리콜 및 트리올로 구성된 군으로부터 선택된 수용성 유기 용매와 혼합되고, 결과 혼합 용액이 박막 감압 증류되어 저비등 물질을 증류시키는 것을 특징으로 하는, 제4급 수산화 암모늄 농축액의 제조 방법을 제공한다. 상기 방법에 의하면, 물 함량이 낮은 제4급 수산화 암모늄의 농축액이 쉽게 제조될 수 있다.

Description

낮은 물 함량을 가지는 포토레지스트 박리제의 농축액을 제조하는 방법{METHOD FOR PRODUCING CONCENTRATED SOLUTION FOR PHOTORESIST STRIPPER HAVING LOW WATER CONTENT}
본 발명은 포토레지스트 박리액용 물질로 사용되는 제4급 수산화 암모늄의 농축액을 제조하는 방법과 관련된 것으로서, 더욱 바람직하게는 통상적인 것보다 낮은 물 함량을 가지는 제4급 수산화 암모늄의 농축액을 제조하는 방법에 관한 것이다.
액정 패널 부재의 제조 및 IC 및 LSI와 같은 반도체 부재의 제조에서, 화학적 기상 증착(chemically vapor deposited: CVD)된 전도성 금속막 및 SiO2막과 같은 절연막은 실리콘 웨이퍼 또는 유리와 같은 기판에서 우선적으로 제조된다. 그 이후에, 포토레지스트를 전도성 금속막 및 절연막에 균등하게 도포하고 선택적으로 빛에 노출시키고 현상시켜 레지스트 패턴을 생성시킨다. 이 때 기판은 마스크로서 레지스트 패턴을 사용하여 선택적으로 건조 에칭 공정되고 여기서 미세 회로가 형성된다. 이후에 필요없는 포토레지스트막 잔여물 및 에칭 잔여물을 박리액을 사용하여 세척하고 제거한다.
일부 박리 효과가 수산화 나트륨의 수용액이나 일반적인 유기 용매만을 박리액으로 사용할 때 나타나지만, 결과 박리 효과가 충분하지는 않다. 따라서, 다양한 포토레지스트용 박리액이 박리성을 증진시키기 위해 제시되어 왔다. 여기서 일반적인 방법 중 하나는 수산화 테트라메틸암모늄(TMAH: tetramethylammonium hydroxide)과 같은 제4급 수산화 암모늄 용액이 사용되는 방법이다.
상기 방법에서, 박리액의 제조는, 상업적으로 구입 가능한 제4급 수산화 암모늄의 물-함유 결정 또는 상업적으로 구입 가능한 제4급 수산화 암모늄의 수용액으로 부터 제조된 용액이 디메틸 설폭사이드(DMSO) 또는 3-메톡시-3-메틸-1-부탄올(MMB)과 같은 유기 용매로 원하는 농도까지 희석되는 방법으로 보통 이루어진다.
반면에, 박리액의 박리성도 박리액 상의 물 함량에 의존한다는 것과 물 함량이 낮으면 박리성이 높아진다는 것이 알려져 있다. 박리액을 제4급 수산화 암모늄 용액을 상기 언급된 유기 용매로 희석시켜 제조하기 때문에, 물 함량을 낮추기 위해 제4급 수산화 암모늄 용액을 농축시켜 박리액 상의 물 함량을 낮추는 것이 필요한다.
물 함량을 낮추기 위해 제4급 수산화 암모늄 용액을 농축시키는 방법에 관하여, TMAH의 펜타히드레이트(TMAH 대 물 중량 비는 1:1)를 메탄올에 녹이고, 배치 시스템에 따라 진공에서 농축시키는 방법이 알려져 있고, TMAH 펜타히드레이트를 포함하는 DMSO 용액을 분자체(molecular sieve)를 첨가하여 건조시키는 방법 역시 알려져 있다(특허 문헌 1 및 2 참고).
다만 전자의 방법에서, TMAH를 분해시킬 수 있는 장시간의 가열이 필요하다는 단점과 농축 이후에 획득된 생성물이 고체이기 때문에 다루기가 어렵다는 단점이 존재한다. 반면에 후자의 방법에서는, 분자체의 사용으로 인해 비용이 높다는 것과 작업이 복잡해진다는 단점이 존재한다. 추가적으로, 농축액과 박리액에서의 미세 입자의 존재가 바람직하지 않기 때문에, 건조 이후에 분자체가 제거되어야 한다는 단점이 존재한다. 이와 더불어, 그러한 방법에 의해 제조된 농축액 내의 물 함량은 충분히 낮지 않다. 이에 따라 제4급 수산화 암모늄의 농축액을 제조하는 통상적인 방법은 여전히 향상될 여지가 있다.
(참고문헌)
특허 문헌 1: WO 2007/053363
특허 문헌 2: WO 2008/051627
본 발명은 이와 같은 선행 기술의 상태의 관점에서 완성되었고, 이의 목적은 낮은 물 함량을 가지는 제4급 수산화 암모늄의 농축액이 쉽게 생성되는 방법을 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명자들은 낮은 물 함량을 가지는 제4급 수산화 암모늄의 농축액이 생성되는 제조 조건에 대해 방대한 조사를 하였고, 그 결과 물 함유 결정이나 수용액 상태인 제4급 수산화 암모늄이 특정 수용성 유기 용매와 혼합되어, 박막 증류될 때, 낮은 물 함량을 가지는 제4급 수산화 암모늄의 농축액이 생성될 수 있다는 것을 발견하였고, 이에 따라 본 발명은 목적을 달성하였다.
따라서 본 발명에 의하면, 제4급 수산화 암모늄의 농축액을 제조하는 방법으로서, 물 함유 결정이나 수용액 형태인 제4급 수산화 암모늄이 글리콜 에테르, 글리콜 및 트리올로 구성된 군으로부터 선택된 수용성 유기 용매와 혼합되고, 결과 혼합 용액이 박막 감압 증류되어 저비등 물질을 증류시키는 것을 특징으로 하는, 제4급 수산화 암모늄 농축액의 제조 방법을 제공한다.
추가로 본 발명에 의하면, 상기 언급된 제조 방법에 의해 제조되는 제4급 수산화 암모늄의 농축액으로서, 다음의 식으로 정의되는 건조 계수(drying coefficient:DC)가 3.5 이상인 것을 특징으로 하는, 제4급 수산화 암모늄의 농축액 역시 제공한다.
건조 계수(DC)= 농축액 내 제4급 수산화 암모늄(중량%) / 농축액 내 물 (중량%)
본 발명의 제조 방법에 의하면, 물 함유 결정 또는 수용액 형태의 제4급 수산화 암모늄이 특정 수용성 유기 용매와 혼합되고 박막 증류되는 방법에 의해서만 낮은 물 함량을 가지는 제4급 수산화 암모늄이 쉽게 생성될 수 있다. 또한, 그와 같이 생성된 농축액은 통상적으로 알려진 생산 방법으로 제조된 농축액에 비해 낮은 물 함량(3.5 이상의 높은 건조 계수)을 가질 수 있다. 이에 따라, 포토레지스트용 박리액으로 사용될 때, 매우 높은 박리 효과를 기대할 수 있다. 추가적으로, 박막 증류가 본 발명의 생산 과정에 사용되기 때문에, 제4급 수산화 암모늄 용액은 짧은 시간 내에 가열함으로써 농축될 수 있고, 이에 의해 농축 작업 중에 제4급 수산화 암모늄의 분해가 거의 일어나지 않게 된다. 또한 추가적으로, 농축 작업에 의해 얻어진 생성물이 액체이기 때문에 다루기 쉽다.
아래에서, 본 발명의 제조 방법이 더욱 구체적으로 설명될 것이다. 본 발명에 따른 제조 방법은, 물 함유 결정 또는 수용액 형태의 제4급 수산화 암모늄이 특정 수용성 유기 용매와 혼합되고 박막 증류 되는 것을 특징으로 한다.
제4급 수산화 암모늄에 관해서는, 수산화 테트라메틸암모늄, 수산화 테트라에틸암모늄, 수산화 테트라프로필암모늄, 수산화 테트라부틸암모늄, 수산화 테트라메틸에틸암모늄, 수산화 디메틸디에틸암모늄, 수산화 트리메틸 (2-히드록시에틸)암모늄, 및 수산화 트리에틸 (2-히드록시에틸)암모늄과 같은 제4암모늄의 수산화물 뿐 아니라 수산화 스파이로-[1,1']-비피롤리디늄과 같은 비피롤리디늄의 수산화물도 사용될 수 있다. 이 중에서, 수산화 테트라메틸암모늄(TMAH), 수산화 테트라프로필암모늄, 및 수산화 스파이로-[1,1']-비피롤리디늄이 박리성을 증진시킨다는 관점에서 바람직하며, TMAH가 특히 바람직하다. 부수적으로, 제4급 수산화 암모늄은 단독으로 사용될 수 있거나, 둘 이상이 함께 사용될 수도 있다.
제4급 수산화 암모늄은 물 함유 결정 또는 수용액 형태로 사용될 수 있다. 본 발명의 제조 과정에서 상기 형태 중 어느것도 양호한 결과를 내지만, 제4급 수산화 암모늄이 TMAH일 때는 비용의 관점에서 TMAH의 수용액을 사용하는 것이 바람직한데, 이는 TMAH의 물 함유 결정(TMAH 펜타히드레이트)이 TMAH의 수용액(TMAH의 수용액의 25중량%)에 비해 상당히 비싸기 때문이다.
본 발명의 제조 과정에서, 제4급 수산화 암모늄은 글리콜 에테르, 글리콜 및 트리올로 구성된 군으로부터 선택된 수용성 유기 용매와 혼합된다. 본 발명에서 사용될 수 있는 글리콜 에테르의 예는, 에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르, 에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르, 에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 모노프로필렌 에테르, 디에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르, 트리에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르, 3-메톡시-3-메틸-1-부탄올, 디프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르, 및 2-(2-메톡시에톡시)에탄올을 포함한다. 글리콜의 예는, 에틸렌 글리콜, 프로필렌 글리콜, 디에틸렌 글리콜, 디프로필렌 글리콜, 및 트리에틸렌 글리콜을 포함한다. 트리올의 예는, 글리세린을 포함한다. 이 중에서, 3-메톡시-3-메틸-1-부탄올(MMB), 디에틸렌 글리콜, 프로필렌 글리콜, 글리세린 및 2-(2-메톡시에톡시)에탄올이 바람직하고, 농축액을 희석시켜 박리액의 제조하는데 사용되는 용매가 MMB일 때, 용매 친화력의 관점에서 MMB가 특히 바람직하다.
본 발명의 제조 과정에서 제4급 수산화 암모늄 내의 물 함량을 낮추는데 수용성 유기 용매가 왜 효과적인지에 대한 원인이 아직 완전하게 밝혀지진 않았지만, 글리콜 에테르, 글리콜 및 트리올 중 어느 것도 알코올이고, 양성자성 극성 용매이기 때문에, 제4급 수산화 암모늄이 이로 인해 안정화되고 그 분해가 저해될 것이다.
본 발명의 제조 과정에서, 제4급 수산화 암모늄 대 수용성 유기 용매의 중량에 대한 배합비에 특별한 제한은 존재하지 않고, 최종으로 제조될 박리액에서의 제4급 수산화 암모늄의 목표 농도에 따라 비율이 적절하게 설정될 수 있지만, 이는 일반적으로 약 1:0.5 내지 약 1:30이다.
제4급 수산화 암모늄이 수용성 유기 용매와 혼합될 때, 알칸올아민이 추가적으로 여기에 첨가될 수 있다. 알칸올아민이 이와 혼합될 때, 제4급 수산화 암모늄과 수용성 유기 용매의 혼합 용매가 균등하게 생성될 수 있다. 이와 더불어, 알칸올아민이 혼합될 때, 수용성 유기 용매는 박막 증류 중에 훨씬 많이 제거될 수 있다. 본 발명에서 사용되는 알칸올아민의 예는, 모노에탄올아민(MEA), 디에탄올아민, 트리에탄올아민, 에틸아미노에탄올, 디메틸아미노에탄올, 디에틸아미노에탄올, 2-(2-아미노에톡시)에탄올 등을 포함한다. 이 중에서 모노에탄올아민 및 2-(2-아미노에톡시)에탄올이 바람직하게 사용된다. 이들 각각은 단독으로 사용되거나 둘 이상이 함께 사용될 수 있다. 여기서 사용되는 알칸올 아민의 양에 대한 특별한 제한은 없지만, 보통 25%의 제4급 수산화 암모늄 및 수용성 유기 용매의 총량에 대해 약 20중량%까지이다.
본 발명의 제조 방법에서, 제4급 수산화 암모늄은 수용성 유기 용매와 함께, 원하는 경우 알칸올아민과 혼합되고, 결과 혼합 용액은 박막 감압 증류되어, 상기 언급된 저비등 물질을 증발시킬 것이다. 그러한 작업은 상업적으로 구입 가능한 박막 증류 장치를 사용하여 쉽게 수행될 수 있다. 증류 온도 및 진공도에 대한 특별한 제한은 없고, 예를 들어 각각 80℃ 내지 130℃ 및 0.1kPa 내지 5.0kPa가 될 수 있다.
본 발명의 상기 언급된 제조 방법에 의해 얻은 증류 후 잔여물은 본 발명의 제4급 수산화 암모늄의 농축액이다. 농축액은 3.5이상 또는 4.0이상 또는 특히, 5.0이상의 DC(drying coefficient 건조 계수)를 가지고, 극소량의 물을 포함하는 농축액이다. 이에 따라 상기 농축액이 사용될 때, 매우 높은 박리성을 가지는 포토레지스트용 박리액이 제조될 수 있다. 부수적으로, 농축액의 DC의 상한이 이론적으로 특히 한정되지 않더라도, 예를 들어 50이하 또는 30이하, 또는 특히 15이하가 될 수 있다.
실시예
본 명세서에서 실시예는 본 발명을 단순히 설명하지만 본 발명은 실시예를 사용하여 추가적으로 설명될 것이고, 본 발명은 이에 의해 제한되지는 않는다.
실시예에서, 독일 UIC에서 제조된 단형 증류 장치(본 명세서에서 약어 SPD로 사용)인 KDL5 또는 KD10을 사용했다.
증류 잔여물에서의 TMAH의 양 또는 TMAH 및 MEA의 양(MEA가 사용되는 경우)을 중화 적정으로 측정했다. 물의 양(물함량)은 Karl-Fischer 수분계를 사용하여 측정했다. 수용성 유기 용매는 증류 잔여물의 중량에서, TMAH의 양 또는 TMAH 및 MEA의 양(MEA가 사용되는 경우) 및 물의 양을 제하여 계산했다.
비교예
증류 물질로서, TMAH의 수용액 25중량% 32.0g 및 DMSO 80.0g을 혼합했고, 박막 증류 장치로서 SPD(KDL5)를 사용하여 박막 증류했고, 여기서 저비등 물질을 증발시키기 위한 증류 온도는 100℃, 진공도는 1.1kPa이었다. 증류 후의 잔여물(제4급 수산화 암모늄의 농축액)을 분석했을 때, 이는 3.9g의 TMAH, 21.8g의 DMSO 및 2.1g의 물(TMAH : DMSO : 물 = 14.1중량% : 78.2중량% : 7.7중량%)(DC = 1.8)을 포함했다. 결정은 즉시 증류 후 잔여물에서 분리시켰다.
실시예1
증류 물질로서, TMAH의 수용액 25중량% 12.0g 및 프로필렌 글리콜 60.0g을 혼합했고, 박막 증류 장치로서 SPD(KDL5)를 사용하여 박막 증류했고, 여기서 저비등 물질을 증발시키기 위한 증류 온도는 100℃, 진공도는 1.9kPa이었다. 증류 후의 잔여물(제4급 수산화 암모늄의 농축액)을 분석했을 때, 이는 2.5g의 TMAH, 17.0g의 프로필렌 글리콜 및 0.4g의 물(TMAH : 프로필렌 글리콜 : 물 = 12.6중량% : 85.4중량% : 2.0중량%)(DC = 6.3)을 포함했다. 증류 후 잔여물에서 결정은 발견되지 않았다.
실시예2
증류 물질로서, TMAH의 수용액 25중량% 21.1g 및 디에틸렌 글리콜 63.3g을 혼합했고, 박막 증류 장치로서 SPD(KDL5)를 사용하여 박막 증류했고, 여기서 저비등 물질을 증발시키기 위한 증류 온도는 100℃, 진공도는 1.7kPa이었다. 증류 후의 잔여물(제4급 수산화 암모늄의 농축액)을 분석했을 때, 이는 4.9g의 TMAH, 49.4g의 디에틸렌 글리콜 및 0.6g의 물(TMAH : 디에틸렌 글리콜 : 물 = 8.9중량% : 90.0중량% : 1.1중량%)(DC = 8.1)을 포함했다. 증류 후 잔여물에서 결정은 발견되지 않았다.
실시예3
증류 물질로서, TMAH의 수용액 25중량% 20.1g 및 2-(2-메톡시에톡시)에탄올 60.3g을 혼합했고, 박막 증류 장치로서 SPD(KDL5)를 사용하여 박막 증류했고, 여기서 저비등 물질을 증발시키기 위한 증류 온도는 100℃, 진공도는 1.9kPa이었다. 증류 후의 잔여물(제4급 수산화 암모늄의 농축액)을 분석했을 때, 이는 4.5g의 TMAH, 22.9g의 2-(2-메톡시에톡시)에탄올 및 1.1g의 물(TMAH : 2-(2-메톡시에톡시)에탄올 : 물 = 15.8중량% : 80.2중량% : 4.0중량%)(DC = 4.0)을 포함했다. 증류 후 잔여물에서 결정은 발견되지 않았다.
실시예4
증류 물질로서, TMAH의 수용액 25중량% 12.0g 및 MMB 60.0g을 혼합했고, 박막 증류 장치로서 SPD(KDL5)를 사용하여 박막 증류했고, 여기서 저비등 물질을 증발시키기 위한 증류 온도는 100℃, 진공도는 1.7kPa이었다. 증류 후의 잔여물(제4급 수산화 암모늄의 농축액)을 분석했을 때, 이는 2.0g의 TMAH, 9.9g의 MMB 및 0.4g의 물(TMAH : MMB : 물 = 16.0중량% : 80.8중량% : 3.1중량%)(DC = 5.1)을 포함했다. 증류 후 잔여물에서 결정은 발견되지 않았다.
실시예5
증류 물질로서, TMAH의 수용액 25중량% 7.96kg, MMB 16.0kg 및 MEA 1.2kg을 혼합했고, 박막 증류 장치로서 SPD(KD10)를 사용하여 박막 증류했고, 여기서 저비등 물질을 증발시키기 위한 증류 온도는 100℃, 진공도는 1.7kPa이었다. 증류 후의 잔여물(제4급 수산화 암모늄의 농축액)을 분석했을 때, 이는 1.68kg의 TMAH, 6.5kg의 MMB, 0.60kg의 MEA 및 0.26kg의 물(TMAH : MMB : MEA : 물 = 18.6중량% : 71.9중량% : 6.6중량% : 2.9중량%)(DC = 6.5)을 포함했다. 증류 후 잔여물에서 결정은 발견되지 않았다.
실시예6
증류 물질로서, TMAH 펜타히드레이트 6.2g 및 MMB 49.6g을 혼합했고, 박막 증류 장치로서 SPD(KDL5)를 사용하여 박막 증류했고, 여기서 저비등 물질을 증발시키기 위한 증류 온도는 100℃, 진공도는 1.9kPa이었다. 증류 후의 잔여물(제4급 수산화 암모늄의 농축액)을 분석했을 때, 이는 2.4g의 TMAH, 11.5g의 MMB 및 0.5g의 물(TMAH : MMB : 물 = 17.0중량% : 79.5중량% : 3.5중량%)(DC = 4.9)을 포함했다. 증류 후 잔여물에서 일부 결정을 분리했다.
실시예7
증류 물질로서, TMAH의 수용액 25중량% 50.4g 및 글리세린 50.4g을 혼합했고, 박막 증류 장치로서 SPD(KDL5)를 사용하여 박막 증류했고, 여기서 저비등 물질을 증발시키기 위한 증류 온도는 100℃, 진공도는 1.6kPa이었다. 증류 후의 잔여물(제4급 수산화 암모늄의 농축액)을 분석했을 때, 이는 10.6g의 TMAH, 39.7g의 글리세린 및 0.8g의 물(TMAH : 글리세린 : 물 = 20.7중량% : 77.8중량% : 1.5중량%)(DC = 13.8)을 포함했다. 증류 후 잔여물에서 결정은 발견되지 않았다.
비교예 및 실시예1 내지 7에서 사용된 물질 및 여기서 제조된 결과 농축액의 건조 계수(DC)는 다음의 표1에 나타나 있다.
비교예 실시예1 실시예2 실시예3 실시예4 실시예5 실시예6 실시예7
제4급 수산화 암모늄 TMAH
수용액의 25중량%		 TMAH
수용액의 25중량%		 TMAH
수용액의 25중량%		 TMAH
수용액의 25중량%		 TMAH
수용액의 25중량%		 TMAH
수용액의 25중량%		 TMAH
펜타히드레이트		 TMAH
수용액의 25중량%
수용성 유기 용매
DMSO
프로필렌 글리콜
디에틸렌 글리콜		 2-(2-메톡시에톡시) 에탄올
MMB
MMB
MMB
글리세린
알칸올아민
-
-
-
-
-
MEA
-
-
결과 농축액의 건조 계수

1.8

6.3

8.1

4.0

5.1

6.5

4.9

13.8
글리콜 에테르(MMB, 2-(2-메톡시에톡시)에탄올), 글리콜(디에틸렌 글리콜, 프로필렌 글리콜) 또는 트리올(글리세린)이 수용성 유기 용매로 사용된 실시예1 내지 7에서, 3.5이상의 DC를 가지는 농축액이 생성된 반면, 수용성 유기 용매로 DMSO가 사용된 비교예에서, 낮은 DC(1.8)를 갖는 농축액만이 생성된다는 것이 표1를 통해 명백할 것이다. 그와 같은 결과로부터, 물 함유 결정 또는 수용액의 형태인 제4급 수산화 암모늄이 글리콜 에테르, 글리콜, 또는 트리올과 혼합하여, 박막 증류될 때, 낮은 물 함량을 가진 농축액이 생성될 수 있다는 것이 명백하다.
공업적 적용
본 발명에 따른 제조 방법은 낮은 물 함량을 가지는 제4급 수산화 암모늄의 농축액을 제조할 수 있는데, 이는 통상적으로 알려진 제조 방법으로는 이루어질 수 없었던 것이기 때문에 상기 방법은 높은 박리성을 가지는 포토레지스트용 박리액 물질의 농축액을 제조하는데 매우 유용하다.

Claims (6)

  1. 제4급 수산화 암모늄의 농축액을 제조하는 방법으로서,
    물 함유 결정이나 수용액 형태인 제4급 수산화 암모늄을 글리콜 에테르, 글리콜 및 트리올로 구성된 군으로부터 선택된 수용성 유기 용매와 혼합하는 단계; 및 결과 혼합 용액을 박막 감압 증류하여 저비등 물질을 증류시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 제4급 수산화 암모늄 농축액의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제4급 수산화 암모늄이 수산화 테트라메틸암모늄이고, 수산화 테트라메틸암모늄이 수용액의 형태인 것을 특징으로 하는, 제4급 수산화 암모늄 농축액의 제조 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 수용성 유기 용매가 3-메톡시-3-메틸-1-부탄올, 디에틸렌 글리콜, 프로필렌 글리콜, 글리세린, 또는 2-(2-메톡시에톡시)에탄올인 것을 특징으로 하는, 제4급 수산화 암모늄 농축액의 제조 방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 수용성 유기 용매가 3-메톡시-3-메틸-1-부탄올인 것을 특징으로 하는, 제4급 수산화 암모늄 농축액의 제조 방법.
  5. 제1항에 있어서, 알칸올아민이 혼합 용액과 추가적으로 혼합되는 것을 특징으로 하는, 제4급 수산화 암모늄 농축액의 제조 방법.
  6. 제1항에 의해 제조되는 제4급 수산화 암모늄의 농축액으로서, 다음의 식으로 정의되는 건조 계수(drying coefficient:DC)가 3.5 이상인 것을 특징으로 하는, 제4급 수산화 암모늄의 농축액.
    건조 계수(DC)= 농축액 내 제4급 수산화 암모늄(중량%) / 농축액 내 물 (중량%)
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Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7632796B2 (en) 2005-10-28 2009-12-15 Dynaloy, Llc Dynamic multi-purpose composition for the removal of photoresists and method for its use
US9329486B2 (en) 2005-10-28 2016-05-03 Dynaloy, Llc Dynamic multi-purpose composition for the removal of photoresists and method for its use
US8263539B2 (en) 2005-10-28 2012-09-11 Dynaloy, Llc Dynamic multi-purpose composition for the removal of photoresists and methods for its use
TWI450052B (zh) 2008-06-24 2014-08-21 Dynaloy Llc 用於後段製程操作有效之剝離溶液
KR20120005374A (ko) * 2010-07-08 2012-01-16 동우 화인켐 주식회사 폴리이미드 제거용 세정제 조성물
WO2012161790A1 (en) * 2011-02-24 2012-11-29 John Moore Concentrated chemical composition and method for removing photoresist during microelectric fabrication
US8987181B2 (en) 2011-11-08 2015-03-24 Dynaloy, Llc Photoresist and post etch residue cleaning solution
US9158202B2 (en) 2012-11-21 2015-10-13 Dynaloy, Llc Process and composition for removing substances from substrates
US9029268B2 (en) 2012-11-21 2015-05-12 Dynaloy, Llc Process for etching metals
MY174154A (en) 2013-01-11 2020-03-11 Sachem Inc Color inhibitor for quaternary ammonium hydroxide in non-aqueous solvent
JP6562651B2 (ja) * 2015-02-20 2019-08-21 キヤノン株式会社 半導体装置の製造方法
CN107365258B (zh) * 2017-07-03 2020-07-24 杭州龙智科技有限公司 四乙基氢氧化铵溶液的制备装置及制备方法
KR102612139B1 (ko) 2017-08-02 2023-12-08 주식회사 쿠라레 회수 레지스트 박리제로부터의 디메틸술폭시드의 회수 방법
JP2020075908A (ja) * 2018-09-28 2020-05-21 株式会社トクヤマ 水酸化第４級アンモニウムの有機溶媒溶液の製造方法
US20220033343A1 (en) 2018-09-28 2022-02-03 Tokuyama Corporation Method for producing organic solvent solution of quaternary ammonium hydroxide
JP7426836B2 (ja) 2020-01-22 2024-02-02 株式会社トクヤマ 低含水水酸化第４級アンモニウム溶液の製造方法
CN113235117B (zh) * 2021-05-12 2022-02-22 肯特催化材料股份有限公司 一种高浓度四丙基氢氧化铵生产工艺及其制备的高浓度四丙基氢氧化铵
CN114195655A (zh) * 2021-11-03 2022-03-18 华南理工大学 一种五水四甲基氢氧化铵晶体的脱水方法
CN115820351A (zh) * 2022-12-19 2023-03-21 芯越微电子材料(嘉兴)有限公司 半导体晶圆基底清洗液组合物及其使用方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59134752A (ja) * 1983-01-18 1984-08-02 Sanyo Chem Ind Ltd 第４級アンモニウム水酸化物の組成物
JP2591644B2 (ja) 1987-03-11 1997-03-19 東京応化工業株式会社 ホトレジストの剥離液
US5185235A (en) * 1987-09-09 1993-02-09 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Remover solution for photoresist
DE4104618A1 (de) * 1991-02-15 1992-08-20 Hoechst Ag Wasserhaltiges konzentrat von mindestens einer alkyl- oder alkenylsubstituierten ammoniumverbindung
JP4194296B2 (ja) * 2002-05-14 2008-12-10 ステラケミファ株式会社 四級アルキルアンモニウム塩の精製方法及び四級アルキルアンモニウム塩の製造方法
US8263539B2 (en) 2005-10-28 2012-09-11 Dynaloy, Llc Dynamic multi-purpose composition for the removal of photoresists and methods for its use
US20070243773A1 (en) 2005-10-28 2007-10-18 Phenis Michael T Dynamic multi-purpose composition for the removal of photoresists and method for its use
CN101286016A (zh) * 2007-04-13 2008-10-15 安集微电子（上海）有限公司 低蚀刻性光刻胶清洗剂

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