KR101230207B1 - 반도체 제조 플랜트 - Google Patents

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츠네유키 오카베
다카노부 아사노
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켄 나카오
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은 반도체 제조 플랜트에 관한 것으로, 불소가스 발생장치군과, 반도체 제조장치(3a~3e)군이 온-사이트 불소가스 발생장치(1a~1e)군에서 발생하는 불소가스를 소정량 저장할 수 있는 저장탱크(12)를 갖고 있는 가스공급시스템(2)을 통하여 접속되어 있고, 온-사이트 불소가스 발생장치군(1a~1e)의 하나 이상이 정지했을 때, 소정량의 불소가스가 저장되어 있는 저장탱크(12)로부터 불소가스를 반도체 제조장치군(3a~3e)에 공급함으로써 반도체 제조장치군(3a~3e)의 운용을 유지하고, 이에 의해 불소가스 발생장치에서 발생시킨 불소가스를 반도체 제조장치에 안전 및 안정적으로 공급할 수 있고 또한 반도체 제조에서의 비용 성능도 우수한 것을 특징으로 한다.

Description

반도체 제조 플랜트{SEMICONDUCTOR PRODUCTION PLANT}
본 발명은 불소가스 발생장치에서 발생시킨 불소가스를 반도체 제조장치에 안정적으로 공급하는 반도체 제조 플랜트에 관한 것이다.
불소가스 이외의 불화물 가스(예를 들어, NF3, CF4, C2F6 등)은 지금까지 반도체 제조공정에 대해서 고성능이므로 광범위에 걸쳐 대량으로 사용되어 왔다. 그러나 이들 불화물 가스는 지구 온난화 계수가 크고 지구환경에 대해서 악영향을 미치므로, 이후 폐지되는 또는 그 사용을 제한받아 가는 것이 정해져 있다.
불소가스는 지구 온난화 계수는 0이고, 상기 불화물 가스의 대체물로서 사용이 검토되기 시작했다. 그러나, 불소가스는 부식성·반응성이 높고 실린더에서 대량으로 수송·저장하는 것은 위험을 수반한다. 현재, 이들의 이유로부터 불소가스는 불활성 가스로 20% 이하로 희석한 실린더에서 사용되기 시작하고 있지만, 운반의 효율이 나쁘고, 안전성에 대해서도 해결되어 있지 않은 과제가 존재하고 있다.
그래서, 안전·안정하게 불소가스를 발생시킨 그 자리에서 사용하는 온-사이트(on-site) 불소가스 발생장치 등이 산업계로부터 요망되고 있고, 몇 개의 제안이 이루어져 있다. 그러나, 온-사이트 불소가스 발생장치와 불소가스를 사용하는 장치 사이에서의 불소가스 사용량의 정합성과 안정 공급을 확보하기 위한 인터페이스 시스템(불소가스공급시스템)이 매우 중요해짐에도 불구하고, 그 검토는 거의 이루어져 있지 않은 것이 현실이다. 또한, 상기 온-사이트 불소가스 발생장치로부터 발생한 불소가스를, 불소가스공급시스템을 경유하여 반도체 제조장치로 공급할 때, 불소가스 안정 공급성과 그 비용 성능(Cost Performance)이 문제가 되는 것으로 알려져 있다.
통상의 가스이면 가스를 충전한 복수의 실린더를 병렬로 접속하고, 1개의 실린더를 다 사용하면 다음의 실린더로 교체하고, 사용을 마친 것을 신품과 교환하는 수법으로 이와 같은 요구에 응할 수 있다. 불소가스에서도 안전을 고려하여 20%의 저농도로 실린더에 충전하고, 상기 가스와 동일하게 실린더 캐비넷에 내장하는 수법으로 사용하기 시작하고 있지만, 20%로 희석되어 있으므로, 그만큼 큰 용적이 필요하고 운반의 효율도 나쁘다. 또한, 불소가스는 저농도이어도 실린더 헤드에 부착되어 있는 게이트 밸브가 부식 등으로 파손되면, 실린더 내부에 충전되어 있는 가스가 모두 누출될 우려가 있다. 이 때문에, 안전·안정적으로 불소가스를 공급할 수 있고, 또한 불소가스 제품의 물리적 단위가 종래 방법에 비해 메리트가 있는 공급 방법이 요망되고 있다. 우리는 지금까지 반도체 제조현장에서 사용할 수 있는 온-사이트 불소가스 발생장치(장치 내를 압력 제어하여 안정적으로 불소가스를 공급할 수 있는 장치)를 제안해 왔다(예를 들어, 일본 공개특허공보 2004-107761호, 일본 공개특허공보 2004-169123호, 미국 특허 제6602433호 명세서)
(발명이 해결하고자 하는 과제)
불소가스 발생장치를 설치하는 경우, 1대의 불소가스 발생장치의 공급 능력은 기본적으로는 수요에 대한 가스공급 능력의 설계 사양으로부터 결정된다. 그러나, 수요가 1대의 불소가스 발생장치의 공급 능력으로 다 조달할 수 없는 경우에는 동일 사양의 불소가스 발생장치를 복수 준비하여 대응하게 된다.
그러나, 온-사이트 불소가스 발생장치는 3개월, 반년, 일년이라는 일정 기간마다 관리(maintenance)가 필요하다. 그 관리에는 1일부터 3일간 정도의 시간을 요하고, 그 동안 이 장치로부터 가스공급은 불가능하게 된다는 문제가 있다.
또한, 1대 또는 복수대의 온-사이트 불소가스 발생장치를 사용하는 경우, 그 가스를 사용하는 반도체 제조장치와의 가스의 교환을 원활하게 제어하고, 반도체 제조장치가 가동 중에는 불소가스 발생장치에 문제나 관리의 필요성이 발생해도, 가스공급을 멈추지 않고 반도체의 제조를 계속할 수 있는 구조가 필요해진다.
본 발명은 상기 문제를 감안하여 이루어진 것으로, 그 목적으로 하는 바는 불소가스 발생장치에서 발생시킨 불소가스를 반도체 제조장치에 안전 및 안정적으로 공급할 수 있고, 또한 반도체 제조에서의 비용 성능에도 우수한 반도체 제조 플랜트를 제공하는 데에 있다.
(과제를 해결하기 위한 수단 및 효과)
본 발명의 반도체 제조 플랜트는 2대 이상의 불소가스 발생장치로 이루어진 불소가스 발생장치군과 2대 이상의 반도체 제조장치로 이루어진 반도체 제조장치군이, 상기 불소가스 발생장치군에서 발생하는 불소가스를 소정량 저장하는 저장탱크를 갖고 있는 가스공급시스템을 통하여 접속되어 있고, 상기 불소가스 발생장치가 정지했을 때, 소정량의 불소가스가 저장되어 있는 상기 저장탱크로부터 불소가스를 상기 반도체 제조장치에 공급함으로써, 상기 반도체 제조장치의 운용을 유지한다.
상기 구성이면, 불소가스 발생장치가 관리나 이상(異常) 때문에 정지해도 소정량(예를 들어, 관리 또는 긴급 정지의 복귀에 관한 시간만큼)의 불소가스가 저장탱크에 저장되어 있어, 압력부하변동을 최소화하면서 반도체 제조장치를 정지시키지 않고 운전할 수 있다. 또한, 종래와 같이, 불소가스 발생장치의 관리시 등에 반도체 제조장치를 정지시키지 않아도 좋으므로, 반도체 제조장치의 연속운전이 가능해지는 점에서, 반도체 제조에서의 장치 가동률을 저하시키지 않고 비용 성능도 우수한 것이 된다.
본 발명의 반도체 제조 플랜트는 상기 가스공급시스템은, 상기 저장탱크 내의 압력을 검지하고 이 검지된 압력값에 의해 상기 저장탱크 내의 저장량을 검지하는 압력감시수단과, 상기 압력값을 신호로 변환하는 압력값 변환수단과, 상기 압력값 변환수단에서 변환된 신호를 상기 반도체 제조장치를 향하여 출력하는 신호송신수단을 구비하고,
상기 반도체 제조장치는, 상기 신호송신수단으로부터의 신호를 수신하는 신호수신수단과, 상기 신호수신수단에서 수신한 신호를 압력값으로 변환하는 신호변환수단과, 상기 신호변환수단에서 도출된 압력값을 표시하는 표시수단을 갖는 것이 바람직하다.
상기와 같이, 정확한 가스 저장량을 반도체 제조장치상에서 표시할 수 있는 것은 본 장치와 같이 한정된 용량내에서 가스를 저장하는 경우에는 사용 편리와 비용 성능을 양립시키는 면에서는 매우 중요하다. 이와 같은 정보를 제공할 수 없으면, 최악의 경우에는 반도체 제조공정의 도중에서 가스공급이 부족한 것도 생각된다. 이 경우에는 그 공정에 제공하고 있던 제품 전체가 불량품이 될 우려도 있다. 이와 같은 사태는 장치의 비용 성능를 향상시키기 위해서는 꼭 피할 필요가 있는 사상이다. 따라서, 상기 구성이면 상기 저장탱크 내의 불소가스의 저장량을 정확하게 검지할 수 있으므로, 이 정보를 반도체 제조장치 상에 표시함으로써, 반도체 제조공정을 원활하게 실행하는 것이 가능해진다.
본 발명의 반도체 제조 플랜트는, 상기 가스공급시스템이, 상기 저장탱크의 상류측, 하류측에 각각 설치된 입구측 게이트 밸브, 출구측 게이트 밸브와, 상기 저장탱크를 우회하여 상기 불소가스 발생장치군과 상기 반도체 제조장치군을 접속하는 우회배관과, 상기 우회배관의 도중에 설치되어 있는 우회배관용 게이트 밸브와, 상기 게이트 밸브의 각각을 제어하는 게이트 밸브제어수단을 구비하고 있고, 상기 게이트 밸브제어수단은, 상기 가스공급시스템이 통상 운전되고 있을 때에는 상기 우회배관용 게이트 밸브를 폐쇄하고 상기 입구측 게이트 밸브와 상기 출구측 게이트 밸브를 개방하고, 가스를 필요로 하는 상기 반도체 제조장치군에 상기 저장탱크를 경유하여 불소가스를 공급하도록 제어하며, 상기 가스공급시스템이 관리 또는 고장으로 정지했을 때에는 가스공급시스템을 관리 모드로 전환하고, 상기 입구측 게이트 밸브와 상기 출구측 게이트 밸브를 폐쇄하고 상기 우회배관용 게이트 밸브를 개방하고, 가스를 필요로 하는 상기 반도체 제조장치군에 상기 저장탱크를 우회하여 가스공급 가능한 상기 불소가스 발생장치로부터 불소가스를 공급하도록 제어하는 것이 바람직하다.
상기 구성이면, 상기 가스공급시스템이 정상적으로 가동하고 있는 경우에는 가스를 필요로 하는 상기 반도체 제조장치군에 상기 가스공급시스템을 경유하여 불소가스를 공급하고 상기 가스공급시스템에 어떤 관리를 실시할 필요가 발생한 경우, 장치를 관리 모드로 전환하고, 가스를 필요로 하는 상기 반도체 제조장치군에 상기 가스공급시스템을 우회하여 가스공급 가능한 상기 불소가스 발생장치로부터 불소가스를 공급하는 동작을 실시할 수 있다. 이와 같은 제어가 가능해짐으로써 가스공급시스템 내의 저장탱크로부터의 가스공급을 정지하는 경우에는 빠르게 가스공급경로를 변경할 수 있으므로 반도체 제조장치의 반도체 제조공정을 일시 휴지하지 않고 반도체 제조장치의 연속 운전이 가능해진다.
본 발명의 반도체 제조 플랜트는 상기 불소가스 발생장치군과 상기 가스공급시스템의 접속 부분의 각각에 불소가스 발생장치용 게이트 밸브가 설치되고, 각각의 상기 불소가스 발생장치용 게이트 밸브의 상류측 및 하류측의 각각에 불소가스 발생장치용 압력검지수단이 설치되어 있고, 상기 불소가스 발생장치용 압력검지수단의 각각에서 각각 검지된 개개의 상기 불소가스 발생장치와 상기 가스공급시스템의 압력값의 차를 감시하고, 개개의 상기 불소가스 발생장치로부터 상기 저장탱크로의 불소가스의 공급의 가부를 결정하는 가스공급 가부결정수단을 추가로 갖는 것이 바람직하다.
상기 구성이면, 불소가스 발생장치가 그 내부에 공급 가능한 불소가스를 충분히 갖고 있으면, 공급 가부결정수단에 의해 공급 가능하다고 판정할 수 있고, 저장탱크를 향하여 가스공급을 실시할 수 있다. 한편, 불소가스 발생장치가 그 내부에는 공급하는 데에 충분한 불소가스를 갖고 있지 않은 경우, 가스 발생장치의 동작으로서 가스 발생을 실시하고 있어도, 실제로는 후단의 가스공급시스템으로 가스공급을 실시할 수 없다. 상기와 같은 구성을 갖지 않는 경우에는 준비 없이 가스발생장치와 가스공급시스템을 접속하면, 가스공급시스템이 가스발생장치보다도 가스공급능력을 상회하고, 가스공급시스템측으로부터 가스발생장치측에 가스가 역류한다. 이 현상은 가스공급시스템으로부터 반도체 제조장치로의 가스공급을 저해할 우려가 있고, 이는 반도체 제조공정으로도 영향을 주는 문제이다. 따라서, 상기 구성을 채용함으로써 불소가스 발생장치 내에 충분한 불소가스를 갖지 않는 경우에는 가스공급시스템과의 접속을 거부할 수 있으므로 상술한 바와 같은 문제를 방지할 수 있다.
본 발명의 반도체 제조 플랜트는 상기 불소가스 발생장치군은 그 내부에 갖는 센서에서 내부 이상을 검지했을 때, 상기 센서로부터의 신호를 기초로 이상신호(異常信號)를 발생하는 불소가스 발생장치용 판정수단을 갖고, 상기 가스공급시스템이 상기 불소가스 발생장치용 판정수단으로부터 발생된 이상신호를 수신하는 불소가스 발생장치용 이상신호 수신수단을 갖고 있고, 상기 불소가스 발생장치용 이상신호 수신수단이, 상기 불소가스 발생장치용 판정수단으로부터 송신된 이상신호를 수신했을 때, 상기 가스공급시스템과 개개의 상기 불소가스 발생장치와의 접속 사이에서, 신호를 상기 불소가스 발생장치용 게이트 밸브에 보내어 폐쇄시키는 것이 바람직하다.
상기 구성이면, 예를 들어 불소가스 발생장치군에, 어떤 이상이 발생한 경우(예를 들어, 압력이나 온도·가스 검지기 등의 센서에 의한 이상의 검지), 판정수단으로부터 이상신호가 발생되고, 가스공급시스템은 이 신호를 받아 이상신호를 출력한 상기 불소가스 발생장치와의 접속 사이에서 게이트 밸브를 자동적으로 폐쇄할 수 있다. 이에 의해 운전을 계속할 수 없는 가스발생장치는 가스공급시스템으로부터 분리되어 안전하게 관리상태로 이행할 수 있다.
본 발명의 반도체 제조 플랜트는 개개의 상기 반도체 제조장치와 상기 가스공급시스템의 접속간에서 반도체 제조장치용 게이트 밸브가 각각 설치되고, 상기 반도체 제조장치군은 그 내부에 갖는 센서에서 내부 이상을 검지했을 때, 상기 센서로부터의 신호를 기초로 이상신호를 발생하는 반도체 제조장치용 판정수단을 갖고 있고, 상기 가스공급시스템이 상기 반도체 제조장치용 판정수단으로부터 발생된 이상신호를 수신하는 반도체 제조장치용 이상신호 수신수단을 갖고 있고, 상기 반도체 제조장치용 이상신호 수신수단이, 상기 반도체 제조장치용 판정수단으로부터 발생된 이상신호를 수신했을 때, 신호를 상기 반도체 제조장치용 게이트 밸브에 보내어져 폐쇄시키는 것이 바람직하다.
상기 구성이면 어떤 반도체 제조장치군에서 이상이 발생한 경우, 대상이 되는 반도체 제조장치와 가스공급시스템의 접속 사이의 게이트 밸브를 자동적으로 폐쇄하므로, 다른 장치의 오동작이나 2차 재해를 방지할 수 있다.
본 발명의 반도체 제조 플랜트는 상기 가스공급시스템이 (1) 상기 저장탱크 내의 자압으로 상기 반도체 제조장치군으로 불소가스를 공급할 수 있고, 도중에 제 1 저장탱크용 게이트 밸브를 갖는 제 1 경로, (2) 저장탱크로부터의 가스출구압력을 조정하는 압력조정수단과, 상기 압력조정수단과 상기 저장탱크 사이에 설치된 제 2 저장탱크용 게이트 밸브를 도중에 갖는 제 2 경로, (3) 상기 저장탱크와 상기 반도체 제조장치군 사이의 경로 또는 상기 제 2 경로에 설치된, 상기 제 1 경로 또는 상기 제 2 경로 내의 압력을 검지할 수 있는 경로용 압력검지수단, (4) 상기 경로용 압력검지수단의 검지한 압력값에 의해 상기 제 1 경로와 상기 제 2경로의 전환을 제어하는 경로제어수단, (5) 상기 경로제어수단에 의해 상기 제 2 경로로 전환되었을 때, 상기 압력조정수단의 가동을 제어하는 가동제어수단을 추가로 갖는 것이 바람직하다.
상기 구성이면 우선 제 1 경로를 이용하여 저장탱크 내에 저장하고 있는 가스를 자압을 사용하여 공급 하한까지 가스를 공급하는 것이 가능해진다. 공급처가 되는 반도체 제조장치에서는 통상 매스 플로우 컨트롤러와 같은 유량 제어 기기를 이용하여 가스를 사용하므로, 매스 플로우 컨트롤러가 공급상의 저항이 되고, 그 1차측에서 예를 들어 50kPa 정도가 공급하한압력이 된다. 이때, 제 2 경로로 전환하여 상기 가압기를 가동시켜 가스공급을 실시하면, 이 상태로부터 내장 탱크내의 가스를 더욱 반도체 제조장치로 공급할 수 있게 된다. 구체적으로는, 가압기로서는 벨로우즈 펌프나 다이어프램 펌프 등의 건식 펌프를 바람직하게 사용할 수 있다. 이들 가압기는 가스를 승압하는 능력으로서는 예를 들어 200kPa 전후이지만, 전술한 바와 같이 매스 플로우 컨트롤러를 동작시키는 데에는 충분한 압력이 얻어진다. 그리고 가압기를 사용함으로써 내장 탱크 내의 가스를 더욱 흡인하여 후단으로 보내는 것이 가능해지므로, 내장 탱크 내의 가스를 효율 좋게 사용하는 것이 가능해진다. 여기에서 가스공급 경로의 전환과 가압기 운전의 제어는 시퀀서와 압력 감시의 조합으로 자동 제어의 형태로 해 두면 간편하게 사용할 수 있다. 이들의 연구에 의해 압력부하변동을 최소화하면서 불소가스를 안정시켜 반도체 제조장치로 공급할 수 있다.
본 발명의 반도체 제조 플랜트는 상기 불소가스 발생장치군, 상기 가스공급시스템 및 상기 반도체 제조장치군은, 각각 배기기구를 갖는 케이싱에 수납되어 있고, 상기 배기기구가 불소가스 또는 불화수소가스를 검지하는 불소 또는 불화수소가스 검지기를 갖고 있는 것이 바람직하다.
상기 구성에 의하면 각각의 장치를 케이싱으로 둘러싸고, 그들 케이싱이 불소가스 또는 불화수소가스를 검지하는 배기기구를 갖고 있으므로, 반도체 제조 플랜트에서 불소가스 또는 불화수소가스의 누출을 검지할 수 있다. 또한, 예를 들어 배기기구가 가스를 검지했을 때에는 가스누출이 발생했다고 판단하고, 시퀀서에 이상신호를 발신시키는 것으로 해도 좋다. 가스누출은 중대사이므로 이 사상이 발생했을 때에는 예를 들어 시퀀서로부터의 제어 지시에 의해 대상 장치의 가동을 정지하여 점검을 실시하는 것으로 해도 좋다. 필요하다면 관리·보수를 실시할 수도 있다.
(발명을 실시하기 위한 가장 좋은 형태)
이하, 본 발명의 실시 형태에 관한 반도체 제조 플랜트에 대해서 설명한다. 도 1은 본 발명의 실시 형태에 관한 반도체 제조 플랜트의 주요부의 개략도이다.
도 1에서 "1a, 1b, 1c, 1d, 1e(이하 1a~1e)"는 온-사이트 불소가스 발생장치군, "2"는 가스공급시스템, "3a~3e"는 반도체 제조장치군, "4a~4e", "5a~5e", "6"은 압력계, "7a~7e", "8a~8e"는 게이트 밸브, "9"는 우회배관용 게이트 밸브, "10"은 입구측 게이트 밸브, "11a, 11b"는 출구측 게이트 밸브, "12"는 저장탱크, "13"은 가압기, "15a~15e"는 이상발생용 게이트 밸브, "16"은 우회배관이다. 이들을 모두 합친 "100"은 반도체 제조 플랜트이다. 반도체 제조 플랜트(100)는 또한 각 부를 제어하기 위한 시퀀서(sequencer)(도시하지 않음)를 갖고 있고, 각 부위나 각 장치와 송수신이 가능하도록 전기적 수단 또는 전파수단, 기계적 수단 등을 사용하여 접속되어 있다.
온-사이트 불소가스 발생장치군(1a~1e)은 사용하고 싶은 그 자리에서 불소가스를 발생시킬 수 있는 것으로, 미리 이 내부에서 가스발생을 실시하고, 공급 가능해질 때까지 일정량의 불소가스를 그 내부에 축적한다.
온-사이트 불소가스 발생장치(1a)는 도 1에 도시한 바와 같이, 배기기구(21a)를 갖는 케이싱(22a)의 내부에 불소가스 발생장치 본체(24a)와, 이상검지센서(23a)를 갖고, 케이싱(22a)의 외부에 판정 장치(25a)와 신호 송수신 장치(26a)를 갖고 있다. 또한, 한 변형예로서 케이싱(22a)의 설계를 변경하여, 판정 장치(25a)와 신호 송수신 장치(26a)를 그 내부에 수납한 것으로 해도 좋다. 배기기구(21a)는 불소가스 또는 불화수소 가스의 누출을 검지할 수 있는 검지기(21a1)를 갖고 있다. 이상검지센서(23a)는 불소가스 발생장치 본체(24a)의 이상 또는 케이싱(22a) 내의 다른 부위(예를 들어, 도시하지 않는 가압기) 등의 이상을 검지할 수 있는 것이다. 검지기(21a1) 및 이상검지센서(23a)에서의 결과는 이상판정장치(25a)에 신호로서 보내어지고, 이상판정장치(25a)에 의해 가스 누출이나 고장 등의 이상이 발생하고 있지 않은가를 판단한다. 이상이 발생하고 있는 경우에는 신호송수신장치(26a)로부터 소정의 장치나 게이트 밸브 등으로 신호를 발생시킨다. 또한, 신호송수신장치(26a)는 외부로부터 신호를 수신할 수도 있다. 온-사이트 불소가스 발생장치(1b~1e)도 동일 구성의 배기기구(21b~21e)를 각각 갖는 케이싱(22b~22e)의 내부에 불소가스 발생장치 본체(24b~24e)와, 이상검지센서(23b~23e)를 각각 갖고, 케이싱(22b~22e)의 외부에 판정장치(25b~25e)와 신호송수신장치(26b~26e)를 각각 갖고 있는 것이므로, 그 설명은 생략한다.
가스공급시스템(2)은 불소가스 발생장치와의 접속측에 설치되어 있는 게이트 밸브(8a~8e)와, 우회배관(16)의 도중에 설치되어 있는 우회배관용 게이트 밸브(9)와, 저장탱크(12)와, 저장탱크(12)의 입구측에 설치된 입구측 게이트 밸브(10)와, 저장탱크(12)의 출구측에 설치된 출구측 게이트 밸브(11a, 11b)와, 출구측 게이트 밸브(11b)의 하류측에 설치된 가압기(13)와, 가스공급시스템(2) 내의 배관중이나 저장탱크(12) 내의 압력을 계측하기 위한 압력계(6)를 갖고 있다. 저장탱크(12)는 그 내부 압력을 확인하기 위해 전용의 압력계(14)를 갖게 해도 좋다. 또한, 가스공급시스템(2)은 도시하지 않은 케이싱을 구비하고 있고, 그 케이싱에는 불소가스 또는 불화수소 가스의 누출을 검지할 수 있는 검지기를 구비한 배기기구를 갖고 있다. 또한, 가스공급시스템(2)은 각 장치로부터의 신호를 수신하거나, 수신한 신호를 각 밸브나 장치 등에 송신하는 신호송수신장치(17)와, 압력계(6)나 압력계(14)로부터 송신된 압력값신호를 저장량신호로 변환하는 연산처리장치(18)를 갖고 있다.
저장탱크(12)에 저장된 불소가스를 사용하는 상태에서의 하한압력은 반도체 제조장치군(3a~3e)으로의 공급방법에 의해 결정된다. 반도체 제조장치 내(內)가 감압되고, 도입하는 불소가스의 제어를 반도체 제조장치군(3a~3e)의 내압에 의해 실시하는 경우에는 이 압력값(통상 감소된 압력하(대기압 이하)에서 제어됨)이 저장탱크(12)로부터 반도체 제조장치군(3a~3e)으로 공급할 수 있는 압력의 하한값이 되므로, 특별히 가압기(13)를 필요로 하지 않는다. 그러나, 매스 플로우 컨트롤러(mass flow controller) 등을 접속하여 저장탱크(12)로부터 반도체 제조장치군(3a~3e)으로 도입하는 불소가스의 유량을 정밀하게 규제할 필요가 있는 경우에는 매스 플로우 컨트롤러에서 30kPa~100kPa 정도의 압손(壓損)이 발생하므로, 사용하는 매스 플로우 컨트롤러의 압손이 가스공급시스템(2)으로부터 반도체 제조장치군(3a~3e)으로의 불소가스공급의 하한 압력이 된다.
가압기(13)를 사용하면, 그 종류나 성능에 따라 다르지만, 저장탱크(12) 내의 불소가스를 70kPa~20kPa 정도까지 배출시킬 수 있고, 또한 가압기(13)를 경유한 불소가스는 가압기(13)의 성능 상한까지 승압 가능해진다. 즉, 저장탱크(12)와 가압기(13)를 조합시키면, 저장탱크(12) 내에 저장한 가스의 자체 압력(自壓)에 의해 매스 플로우 컨트롤러를 향하여 가스를 공급하는 경우보다도 저장탱크(12) 내에 저장한 가스를 효율 좋게 사용할 수 있고, 반도체 제조장치군(3a~3e)에 대해서 불소가스를 사용하는 상태에서 필요한 압력으로 공급하는 것이 가능해진다. 이에 의해, 저장탱크(12) 내에 잔존하는 가스량을 더욱 적게 할 수 있다. 따라서, 가압기(13)가 있으면 저장탱크(12)를 작게 할 수 있다.
또한, 여기에서 사용되는 가압기(13)는 벨로우즈 타입이나 다이어프램 타입이 바람직하다. 이들 펌프는 가스 접촉 부분을 벨로우즈 부분이나 다이어프램 부분에 한정시킬 수 있고, 이 부분의 내식성을 고려함으로써 안전하게 사용할 수 있다. 또한, 외부와의 시일(seal) 성능도 충분히 확보할 수 있어 가스 누출이 어려우므로 바람직하다. 이들 펌프의 승압 능력 상한은 100kPa~300kPa 정도로 펌프로서는 낮은 편이지만, 불소가스라는 반응성이 높은 가스를 취급하므로, 극단적인 압력 상승을 수반하지 않아 바람직하다. 가압기(13)에 일어날 수 있는 이상으로는 가스 누출이나 모터의 이상이 있다. 이들은 가압기(13)에 통상 부설되어 있는 압력계·온도계의 읽기값으로부터 용이하게 검지할 수 있다. 또한, 질소 가스 등으로 희석한 불소를 사용하는 것을 전제로 하면 가압기(13) 대신 가스로 구동하는 이젝터(ejector)를 이용할 수도 있다.
반도체 제조장치(3a)는 도 1에 도시한 바와 같이 배기기구(31a)를 갖는 케이싱(32a)의 내부에 반도체 제조장치 본체(33a)와, 이상검지센서(34a)를 갖고, 케이싱(32a)의 외부에 이상판정장치(35a)와 신호송수신장치(36a)와 모니터(37a)(표시장치)를 갖고 있다. 이상검지센서(34a)는 반도체 제조장치 본체(33a)의 이상 또는 케이싱(32a) 내의 다른 부위 등의 이상을 검지할 수 있는 것이다. 또한, 배기기구(31a)는 불소가스 또는 불화수소가스의 누출을 검지할 수 있는 검지기(31a1)를 갖고 있다. 검지기(31a1) 및 이상검지센서(34a)에서의 결과는 이상판정장치(35a)에 신호로서 보내어지고, 이상판정장치(35a)에 의해 가스누출이나 고장 등의 이상이 발생하지 않았는지를 판단한다. 이상이 발생한 경우에는 신호송수신장치(36a)로부터 소정의 장치나 게이트 밸브 등으로 신호를 발생시킨다. 또한, 신호송수신장치(36a)는 외부로부터 신호를 수신할 수도 있다. 또한, 모니터(37a)는 신호송수신장치(36a)가 수신한 신호송수신장치(17)로부터 출력된 가스 저장량의 신호를 압력값으로 다시 변환하여, 정확한 가스 저장량을 표시할 수 있는 것이다. 이에 의해, 한정된 저장탱크(12)의 용량 내에서 가스를 저장할 필요가 있으므로, 사용 편리와 비용 성능를 양립하기 쉬워진다. 이와 같은 정보를 반도체 제조장치에서 알 수 있으므로, 반도체 제조공정의 도중에서의 가스공급 부족을 방지할 수 있고 그 공정에 제공되어 있던 제품 전체가 불량품이 되는 일이 없다. 각각의 반도체 제조장치(3b~3e)도 동일한 구성의 배기기구(31b~31e)를 갖는 각각의 케이싱(32b~32e) 내부에 반도체 제조장치 본체(33b~33e)와, 이상검지센서(34b~34e)를 포함하고, 각각의 케이싱(32b~32e)의 외부에 이상판정장치(35b~35e)와 신호송수신장치(36b~36e)와 모니터(37b~37e)(표시장치)를 포함하고 있으므로 그 설명은 생략한다.
도 1에 도시한 바와 같이, 온-사이트 불소가스 발생장치군(1a~1e)은 압력계(4a~4e)와, 압력계(5a~5e)와, 이들 사이에 각각 설치된 게이트 밸브(7a~7e)를 통하여 가스공급시스템(2)과 접속된다. 또한, 반도체 제조장치군(3a~3e)은 가스공급시스템(2) 내에 설치되어 있는 게이트 밸브(15a~15e)를 통하여 가스공급시스템(2)과 각각 접속된다.
게이트 밸브(7a~7e, 8a~8e), 우회배관용 게이트 밸브(9), 입구측 게이트 밸브(10), 출구측 게이트 밸브(11a, 11b) 및 게이트 밸브(15a~15e)는 자동 밸브이고, 시퀀서의 지시에 의해 개폐가 제어된다. 그리고, 불소가스 발생장치군(1a~1e)과 반도체 제조장치군(3a~3e)은 가스공급시스템과 자유롭게 조합시킬 수 있고, 도시하지 않지만 배관의 접속이나 분리를 용이하게 하기 위해 질소 퍼지 라인이나 가스배기라인을 임의로 설치할 수 있다. 이들을 이용함으로써, 접속시의 가스치환이나 분리시의 배관 내 잔존가스의 치환 등을 용이하게 실시할 수 있으므로, 장치간의 접속도 안전하게 실시할 수 있다.
이 조합내의 압력계(4a)와 압력계(5a)는 게이트 밸브(7a)의 불소가스 발생장치(1a)측과 가스공급시스템(2)측의 압력을 검지할 수 있는 것이다. 또한, 압력계(4b~4e)와 압력계(5b~5e)의 각각의 조합도 동일하다.
또한, 반도체 제조 플랜트(100)의 안전 확보의 관점에서, 온-사이트 불소가스 발생장치(1a), 가스공급시스템(2) 및 반도체 제조장치(3a)는 각각 케이싱으로 둘러싸이고, 그들의 케이싱은 배기를 실시한다. 또한, 가스누출을 고려하여 압력계(4a, 5a)와 게이트 밸브(7a)는 일괄하여 온-사이트 불소가스 발생장치(1a) 또는 가스공급시스템(2)의 케이싱에 수납해도 좋다. 온-사이트 불소가스 발생장치(1b~1e), 압력계(4b~4e, 5b~5e), 게이트 밸브(7b~7e)에 관해서도, 각각의 케이싱(미도시) 내의 동일한 조합에 포함된다. 전자의 케이싱 내에는 불소가스 생성 및 가압구획(도시하지 않음)과 같은 몇 개의 구획으로 나누어져 있고, 각 구획은 케이싱으로부터 배기를 실시한다. 또한, 후자의 케이싱 내에는 용량이 최적화된 버퍼(buffer) 탱크를 포함하는 불소가스 저장구획과 같은 몇 개의 구획으로 나누어져 있고, 각 구획에서 케이싱 배기를 실시한다. 각각의 배기 중의 불소가스 농도를 감시하고, 가스를 검지한 경우에는 대상이 되는 구획에서 가스누출이 발생했다고 판단하고, 배기 중의 불소가스농도를 감시하고 있는 제어장치(도시하지 않음)로부터 시퀀서를 향하여 이상신호를 발신시킨다. 불소가스 발생장치군(1a~1e)이나 가스공급시스템(2), 반도체 제조장치군(3a~3e)에서는 가스누출은 중대사이므로 이 이벤트(event)가 발생했을 때는 시퀀서로부터의 제어 지시에 의해 대상장치의 가동을 정지하여 점검을 실시한다. 필요가 있으면 관리(maintenance)·보수를 실시한다. 복수의 각 장치를 접속하는 경우, 다른 온-사이트 불소가스 발생장치(1b~1e)와 압력계(4b~4e, 5b~5e)와 게이트 밸브(7b~7e)의 각 조합도 상기와 동일하다.
다음에, 반도체 제조 플랜트(100)에서의 각 부위나 각 장치의 작동 및 제어에 대해서 도 2~도 5를 사용하여 설명한다. 도 2는 본 발명의 실시 형태에 관한 반도체 제조 플랜트의 메인 루틴의 플로우차트이다. 도 3은 도 2에서의 온-사이트 불소가스 발생장치(1a)로부터 가스공급시스템(2)의 게이트 밸브(9, 10)의 앞까지의 가스공급 처리루틴의 플로우차트이다. 도 4는 도 2에서의 가스공급시스템(2)으로부터 반도체 제조장치(3a)로의 가스공급 및 반도체 제조의 처리루틴의 플로우차트이다. 도 5는 도 4에서의 가스공급시스템(2)으로부터 반도체 제조장치(3a)로의 가스공급 처리루틴의 플로우차트이다. 또한, 제어의 지시는 상술한 도시하지 않는 시퀀서로부터 출력된다.
우선, 반도체 제조 플랜트(100) 중, 온-사이트 불소가스 발생장치(1a), 가스공급시스템(2), 반도체 제조장치(3a)만의 동작관계를 설명한다. 반도체 제조 플랜트(100)를 가동하면, 시퀀서에서 도 2의 메인 루틴을 실행함으로써 반도체의 제조가 실시 가능한 상태가 된다.
구체적으로는 시퀀서에 의해 메인 루틴 등이 실행되면, 도 2에 도시한 바와 같이 가스공급시스템(2)의 이상 또는 가스공급시스템(2) 케이싱 내의 다른 부위 등의 이상이 없는지의 여부를 가스공급시스템(2) 케이싱 내에 설치되어 있는 이상검지센서 및 이상판정장치를 사용하여 판정한다(S1). 판정결과가 이상이 없는 경우에는 게이트 밸브(9, 10, 11a, 11b)가 개방되는 것을 허가한다(S2). 이상이 있는 경우에는 게이트 밸브(8a, 9, 10, 11a, 11b)가 개방되는 것을 금지하고(S3) 종료한다.
판정 결과가 이상없음(S2)의 경우에는 다음에 온-사이트 불소가스 발생장치(1a)에 이상이 없는지의 여부를 검지기(21a1), 이상검지센서(24a), 및 이상판정장치(25a)를 사용하여 판정한다(S4). 판정결과가 이상이 없는 경우에는 게이트 밸브(8a)가 개방되는 것을 허가하고(S5), 온-사이트 불소가스 발생장치(1a)로부터 가스공급시스템(2)의 게이트 밸브(9, 10)의 앞까지의 가스공급처리한다(S6). 이상이 있는 경우에는 게이트 밸브(8a)가 개방되는 것을 금지한다(S7).
여기에서, S6의 온-사이트 불소가스 발생장치(1a)로부터 가스공급시스템(2)의 게이트 밸브(9, 10)의 앞까지의 가스공급처리를, 도 3의 루틴을 사용하여 상술한다. 또한, 도 3의 루틴을 실행하기 전에, 미리 불소가스 발생장치(1a)는 전기분해에 의해 발생시킨 불소가스를 그 내부의 용량 범위 내에서 가압·저장해 둔다.
우선, 이상판정장치(25a)로부터 불소가스 발생장치(1a)에 이상이 없는 것을 알려주는 신호를, 신호송수신장치(17)를 통하여 게이트 밸브(8a)에 송신하여 게이트 밸브(8a)를 개방하게 한다(A2). 다음에, 압력계(4a, 5a)의 압력값을 비교하여(A3) 압력계(4a)의 압력값＞압력계(5a)의 압력값이 아니면 메인 루틴으로 되돌아간다. 압력계(4a)의 압력값＞압력계(5a)의 압력값이면, 저장탱크(12)로의 가스공급량이 이미 충분한 것인지의 여부를 압력계(14)에서 판정하고(A4), 충분하면 메인 루틴으로 되돌아간다. 불충분하면 절연 밸브(7a)를 개방하여 압력계(5a)의 압력값≤압력계(5a)의 압력값이 될 때까지 불소가스를 저장탱크(12)에 공급(A5)한 후 메인 루틴으로 되돌아간다. 또한, 이와 같은 동작이 가능한 불소가스 발생장치(1a)는 불필요한 가스를 가질 필요가 없고, 필요 최저한의 크기로 할 수 있으므로, 불소가스 발생장치(1a)를 설치할 때의 풋 프린트(foot print)를 절약할 수 있다. 반도체 제조공장에서는 클린룸의 건축 등 팽대한 설비를 도입하고 있으므로 토지 단가도 높고 상술한 풋 프린트를 극히 작게 할 수 있는 것은 매우 중요하다.
다음에, 반도체 제조장치(3a)의 이상 또는 케이싱(32) 내의 다른 부위 등의 이상이 없는지의 여부를 이상검지센서(34a) 및 이상판정장치(35a)를 사용하여 판정한다(S8). 판정결과가 이상이 없는 경우에는 게이트 밸브(15a)가 개방되는 것을 허가하고(S9), 가스공급시스템(2)으로부터 반도체 제조장치(3a)로의 가스공급 및 반도체의 제조처리를 실시한다(S10). 이상이 있는 경우에는 게이트 밸브(15a)가 개방되는 것을 금지한다(S11). 그리고, 게이트 밸브(8a)가 개방되어 있는지의 여부를 판별하고(S12), 개방되어 있으면 폐쇄하여(S13) 종료하고, 최초로부터 폐쇄되어 있으면 그대로 종료된다.
여기에서 S10의 가스공급시스템(2)으로부터 반도체 제조장치(3a)로의 가스공급 및 반도체의 제조처리를 도 4, 도 5의 루틴을 사용하여 상술한다.
우선, 도 4에 도시한 바와 같이 반도체 제조장치(3a)에서 반도체 제조를 위해 가스공급이 필요한지의 여부를 판정한다(B1). 필요하지 않으면 연산처리장치(18)로부터 출력된 신호를, 신호송수신장치(17)를 통하여 게이트 밸브(7a, 8a, 9, 10, 11a, 11b, 15a)에 송신하고, 게이트 밸브(7a, 8a, 9, 10, 11a, 11b, 15a) 중 개방되어 있는 밸브는 모두 폐쇄하고 메인 루틴으로 되돌아간다. 반도체 제조를 위해 가스공급이 필요하면, 반도체 제조장치(3a)로부터 출력된 신호를, 신호송수신장치(17)를 통하여 게이트 밸브(15a)에 송신하고 게이트 밸브(15a)를 개방한다(B2). 그리고, 가스공급시스템(2)으로부터 반도체 제조장치(3a)로의 가스공급처리를 실시한다(B3).
상기 가스공급처리는 도 5에 도시한 바와 같은 루틴이 된다. 구체적으로는 우선, 반도체 제조장치(3a)로부터 출력된 신호를, 신호송수신장치(17)를 통하여 게이트 밸브(10)에 송신하고 게이트 밸브(10)를 개방한다(C1). 다음에, 저장탱크(12) 내의 압력을 압력계(14)에서 감시하여(C2), 저장탱크(12) 내의 압력이 최대~매스 플로우 컨트롤러(MFC) 동작 하한인지의 여부를 판정한다(C3). 저장탱크(12) 내의 압력이 최대~매스 플로우 컨트롤러(MFC) 동작 하한이면, 압력계(14)로부터 출력된 신호를, 신호 송수신 장치(17)를 통하여 게이트 밸브(11a)에 송신하고, 게이트 밸브(11a)를 개방하여 반도체 제조장치(3a)에 가스를 공급하고(C4) 도 4의 루틴으로 되돌아간다. 저장탱크(12) 내의 압력이 최대~매스 플로우 컨트롤러(MFC) 동작 하한이 아니면 저장탱크(12) 내의 가스를 반도체 제조장치(3a)에 가압기(13)를 사용하여 공급할지의 여부를 판정한다(C5). 가압기(13)를 사용하여 가스를 공급하는 경우에는 시퀀스로부터 출력된 신호를, 신호 송수신 장치(17)를 통하여 게이트 밸브(11b)에 송신하고 게이트 밸브(11b)를 개방하여, 반도체 제조장치(3a)에 가스를 공급하고(C6) 도 4의 루틴으로 되돌아간다. 여기에서, C4 및 C6의 동작을 실시할 때에는 압력계(14) 뿐만 아니라 압력계(6)도 사용하여 저장탱크(12) 내의 압력을 감시한다. 가압기(13)를 사용하여 가스를 공급하지 않는 경우에는 시퀀스로부터 출력된 신호를, 신호 송수신 장치(17)를 통하여 게이트 밸브(10)에 송신하고, 게이트 밸브(10)를 폐쇄하고 또한 시퀀스로부터 출력된 다른 신호를, 신호 송수신 장치(17)를 통하여 게이트 밸브(9)에 송신하고 게이트 밸브(9)를 개방한다(C7). 그리고, 불소가스 발생장치(1a)로부터 우회배관(16)을 통하여 반도체 제조장치(3a)에 가스를 공급하고(C8) 도 4의 루틴으로 되돌아간다.
그리고, 가스공급을 받아 반도체 제조장치(3a)에서 반도체의 제조처리를 실시한다(B4). 반도체 제조처리가 종료되면(B5) 시퀀스로부터 출력된 신호를, 신호송수신장치(17)를 통하여 게이트 밸브(7a, 8a, 9, 10, 11a, 15a)에 송신하고, 게이트 밸브(7a, 8a, 9, 10, 11a, 11b, 15a) 중 개방되어 있는 밸브는 모두 폐쇄하고 메인 루틴으로 되돌아간다.
또한, 온-사이트 불소가스 발생장치(1a) 대신 온-사이트 불소가스 발생장치(1b~1e) 중 어느 것이 사용되어도 동일하다. 또한, 반도체 제조장치(3a) 대신 반도체 제조장치(3b~3e) 중 어느 것이 사용되어도 동일하다. 또한, 온-사이트 불소가스 발생장치군이나 반도체 제조장치군이 복수대 접속되어 있는 반도체 제조 플랜트(100)와 같은 경우에도 상기와 동일한 동작을 실시할 수 있다.
이와 같은 반도체 제조 플랜트(100)에 의하면 온-사이트 불소가스 발생장치군(1a~1e)이 관리나 긴급 상황 때문에 정지해도, 소정량(예를 들어, 관리 또는 긴급 정지의 복구에 걸리는 시간만큼)의 불소가스가 저장탱크(12)에 저장되어 있고, 또한 불소가스를 반도체 제조장치군(3a~3e)에 압력 조정하면서 공급할 수 있으므로, 압력부하변동을 최소화하면서 반도체 제조장치군(3a~3e)을 정지하지 않고 운전할 수 있다. 그 결과로서 불소가스 발생장치군(1a~1e)에서 발생시킨 불소가스를 반도체 제조장치군(3a~3e)에, 안전 및 안정적으로 공급할 수 있다. 또한, 종래와 같이, 온-사이트 불소가스 발생장치군(1a~1e)의 관리시 등에 반도체 제조장치군(3a~3e)을 정지시키지 않아도 좋으므로, 반도체 제조장치군(3a~3e)의 연속 운전이 가능해지는 점에서, 반도체 제조에서의 비용 포퍼먼스도 우수한 것이 된다.
또한, 불소가스 발생장치용 압력검지장치에 의해, 온-사이트 불소가스 발생장치군(1a~1e)에 가스공급시스템(2)으로부터 가스가 역류하는 것을 방지할 수 있고, 가스공급시스템(2)으로부터 반도체 제조장치군(3a~3e)으로의 가스공급의 저해를 방지할 수 있다. 또한, 각 장치에서 이상이 발생했을 때에는 게이트 밸브를 폐쇄함으로써 해당 장치와의 접속을 끊을 수 있으므로, 정상적인 다른 장치의 오동작이나 2차 재해를 방지할 수 있다.
이하에, 상술한 바와 같은 반도체 제조 플랜트(100)와 동일한 구성의 반도체 제조 플랜트의 운전 상태에서의 시퀀서에 의한 제어의 실시예에 대해서 설명한다. 또한, 편의를 위해 상술한 반도체 제조 플랜트(100)와 동일한 구성의 부위는 동일한 부호를 사용하여 설명한다.
초기 상태에서는 각 밸브는 폐쇄되어 있다. 그리고, 가스공급시스템(2)에서 저장탱크(12)를 경유하는 경로로 가스공급을 실시하고 있는 상태에서는 게이트 밸브(7a~7e)는 온-사이트 불소가스 발생장치군(1a~1e) 내의 가스압력상태에 의해 개폐하고, 게이트 밸브(8a~8e)는 온-사이트 불소가스 발생장치군(1a~1e)으로부터 이상신호가 발생하지 않으면 개방상태, 게이트 밸브(10, 11a)는 개방상태가 되고, 게이트 밸브(15a~15e)는 반도체 제조장치군(3a~3e)의 가스공급 요구신호에 대응하여 개폐된다.
압력계(6)는 저장탱크(12) 내 또는 배관이 압력을 감시하고, 그 압력에 따라서 (1) 만(滿)저장, (2) 일부 사용, (3) 감소Ⅰ(공급 곤란), (4) 감소Ⅱ(공급 불능)의 각 신호를 시퀀서를 향하여 발신하는 기능을 갖는다. 또한, (1) 만저장이라는 것은 저장탱크(12) 내에 저장하고 있는 가스의 상한 압력값이 되었을 때, (2) 일부 사용이라는 것은 저장하고 있는 가스가 만저장의 상태로부터 반도체 제조장치군(3a~3e)에서의 1회 또는 1일당 사용량에 상당하는 분량만큼 감소되었을 때의 압력값이 되었을 때, (3) 감소Ⅰ(공급 곤란)이라는 것은 저정하고 있는 가스의 잔존압력이 반도체 제조장치군(3a~3e)에서의 1회 또는 1일당 사용량에 상당하는 압력값이 되었을 때, (4) 감소 Ⅱ(공급 불능)이라는 것은 저장하고 있는 가스의 압력이, 반도체 제조장치군(3a~3e)에서의 공급 하한에 상당하는 압력값이 되었을 때의 것을 가리킨다. 이는 반도체 제조장치군(3a~3e)의 사양에 기초하여, 1회 또는 1일당 사용량으로부터 결정해 둔다. 미리 가스공급시스템(2)은 이들의 정보를 반도체 제조장치군(3a~3e)을 향하여 발신해 둔다. 반도체 제조장치군(3a~3e)측에서는 가스공급시스템(2) 내의 가스 저장량을 고려하여 반도체 제조공정의 실시에 문제가 없는지 확인한 상태에서 작업을 실시한다.
도시하지 않은 시퀀서는 압력계(6)로부터 전송된 (1) 만저장, (2) 일부 사용, (3) 감소Ⅰ(공급 곤란), (4) 감소Ⅱ(공급 불능)의 신호 수신 기능을 갖고 있고, 반도체 제조장치군(3a~3e)으로 송신할 수 있다. 여기에서, 불소가스 압력이 저하되면, 차례로 (1)→(2)→(3)→(4)로 변화된다. 온-사이트 불소가스 발생장치군(1a~1e)의 가스공급 능력과 반도체 제조장치군(3a~3e)의 가스소비능력을 비교한 경우, 통상 운전시에서는 전자가 후자를 상회할 것이고, 이 조건하에서는 압력계(6)로부터 전송된 신호는 (1)과 (2)의 사이를 오간다. 온-사이트 불소가스 발생장치군(1a~1e)의 가스공급 능력과 반도체 제조장치군(3a~3e)의 가스소비능력을 비교한 경우에 후자가 전자를 상회하면, (3)이나 (4)로 이행하는 경우가 발생한다.
가스공급시스템(2)에 어떤 관리를 실시할 필요가 발생한 경우, 해당 장치를 관리모드로 전환하고, 가스를 필요로 하는 반도체 제조장치군(3a~3e)에 가스공급시스템(2)을 우회하여 가스공급 가능한 온-사이트 불소가스 발생장치군(1a~1e) 중 어느 하나로부터 불소가스를 공급하는 동작을 실시한다. 이 제어가 가능해짐으로써 가스공급시스템(2)을 정지하는 경우에는 빠르게 가스공급경로를 변경할 수 있으므로 반도체 제조장치군(3a~3e)의 반도체 제조공정을 일시 휴지하지 않고 반도체 제조장치군(3a~3e)의 연속운전이 가능해진다.
구체적으로는 가스공급시스템(2)에서 저장탱크(12)를 우회하는 경로로 가스공급을 실시하고 있는 상태에서는 게이트 밸브(7a~7e)는 온-사이트 불소가스 발생장치군(1a~1e) 내의 가스압력상태에 의해 개폐되고, 게이트 밸브(8a~8e)는 온-사이트 불소가스 발생장치군(1a~1e)으로부터 이상신호가 발생하지 않으면 개방 상태가 되고, 게이트 밸브(10, 11a, 11b)는 폐쇄 상태가 되고 우회 경로의 게이트 밸브(9)를 개방한다. 게이트 밸브(15a~15e)는 반도체 제조장치의 가스공급 요구 신호에 따라서 개폐된다.
또한, 시퀀서로부터 송신되는 온-사이트 불소가스 발생장치군(1a~1e)이나 저장탱크(12)의 상태(관리 모드)의 정보를, 반도체 제조장치군(3a~3e)에 접속된 표시 기기(도시하지 않음) 상에서 항상 표시할 수 있도록 해도 좋다. 또한, 시퀀서에서는 이들 상태를 도시한 신호를 받아들이고, 반도체 제조 플랜트(100)에서의 가스공급 상태를 파악하고, 또한 가스공급 곤란한 사태로 이행하는 동안, 가스 사용량의 조정 등 어떤 대책을 강구할 수 있도록 예고하는 것으로 해도 좋다.
가압기(13)를 가스공급시스템(2)의 후단에 설치함으로써 가스공급능력을 향상시킬 수 있다. 또한, 저장탱크(12)는 내부에 저장되어 있는 가스의 압력이 충분히 높을 때(상술한 만저장이나 일부 사용 등의 상태)에는 가스가 갖고 있는 자체 압력으로 자연스럽게 공급할 수 있다. 반도체 제조장치군(3a~3e)을 향하여 자체 압력만으로는 공급하기 어려운 또는 공급할 수 없는 상태까지 가스의 압력이 저하되었을 때[상술한 감소Ⅰ(공급 곤란)이나 감소Ⅱ(공급 불능) 등의 상태]로 가압기(13)에 의한 승압이 필요해진다. 그래서, 도 1에 도시한 바와 같이, 가스공급시스템(2)에는 출구측 게이트 밸브(11a)를 갖는 자체 압력으로 가스를 공급하기 위한 배관(제 1 경로)와, 출구측 게이트 밸브(11b)를 갖고, 가압기(13)를 이용하여 가스를 공급하는 배관(제 2 경로)이 설치되어 있다. 그리고, 자체 압력으로 가스를 공급할 때에는 출구측 게이트 밸브(11a)를 열고 출구측 게이트 밸브(11b)는 폐쇄하여 가압기(13)는 가동시키지 않는다. 가압기(13)를 이용하여 가스를 공급할 때에는 출구측 게이트 밸브(11b)를 개방하여 가압기(13)를 가동시키고, 저장탱크(12) 내에 남아 있는 가스를 빨아내어 승압하고 반도체 제조장치군(3a~3e)을 향하여 공급한다. 이렇게 함으로써, 자체 압력으로 가스공급을 마친 후의 저장탱크(12) 내의 가스를 추가로 공급하는 것이 가능해진다.
불소가스 발생장치군(1a~1e)은 관리나 이상의 발생에 의해 가스공급이 불가능해진 경우에, 관련된 장치에 대해서 가스공급 불능을 의미하는 이상신호(b)를 시퀀서를 향하여 출력하는 기능을 추가로 갖고 있다. 시퀀서는 불소가스 발생장치군(1a~1e)으로부터 이상신호(b)가 나오고 있지 않은 것을 받아, 가스공급시스템(2)이 그 내부에 갖는 게이트 밸브(8a~8e)를 개방한 상태가 되도록 지시하여, 각 밸브를 개방한 상태로 한다.
불소가스 발생장치군(1a~1e)이 저장탱크(12)에 대해서 가스공급을 실시할 수 있는지의 여부는 도 1에 도시한, 게이트 밸브(7a~7e)의 각각의 상류측과 하류측에, 압력계(4a~4e)와 압력계(5a~5e)를 설치하고, 이들 압력계의 압력차(예를 들어, 압력계(4a)와 압력계(5a)의 압력값의 차)를 감시하고, 이 정보를 기초로 시퀀서가 게이트 밸브(7a~7e)를 개폐시키고 후단의 공급시스템(2)을 향하여 가스공급을 실시한다.
온-사이트 불소가스 발생장치군(1a~1e)의 불소가스압력이 낮은 경우, 온-사이트 불소가스 발생장치군(1a~1e)의 동작으로서 가스발생을 실시하고 있어도, 실제로는 후단의 가스공급시스템(2)으로 가스공급을 실시할 수 없다. 이때, 준비없이 게이트 밸브(7a~7e)를 개방하고 온-사이트 불소가스 발생장치군(1a~1e)과 가스공급시스템(2)을 접속하면, 가스공급시스템(2)이 온-사이트 불소가스 발생장치군(1a~1e)보다도 가스공급능력을 상회하고, 가스공급시스템(2)측으로부터 온-사이트 불소가스 발생장치군(1a~1e)측으로 가스가 역류한다. 이 현상은 가스공급시스템(2)으로부터 반도체 제조장치군(3a~3e)으로의 가스공급을 저해할 우려가 있고, 이는 반도체 제조공정도 영향을 받는 문제이다.
구체적으로는 게이트 밸브(7a~7e) 개폐의 조건은 이하와 같다.
[압력계(4a~4e)의 읽기값＞압력계(5a~5e)의 읽기값일 때]
온-사이트 가스 발생장치군(1a~1e)에서 후단을 향하여 공급할 수 있는 만큼의 가스가 충분히 발생하고 있다고 판단하고, 게이트 밸브(7a~7e)를 개방한 상태를 유지한다. 또는 게이트 밸브(7a~7e)를 폐쇄하고 있는 상태에서, 압력계의 읽기값이 이 상태가 된 경우에는 게이트 밸브(7a~7e)를 개방한다.
[압력계(4a~4e)의 읽기값=압력계(5a~5e)의 읽기값일 때]
게이트 밸브(7a~7e)를 폐쇄하고 있는 상태에서, 압력계의 읽기값이 이 상태가 된 경우에는 게이트 밸브(7a~7e)는 폐쇄된 상태를 유지한다. 게이트 밸브(7a~7e)를 개방하고 있는 상태에서 압력계의 읽기값이 이 상태가 된 경우에는 일정 시간 개방 상태를 유지한다. 여기에서, 일정 시간이라는 것은 예를 들어 1분, 3분, 5분이라는 단위의 시간이다. 이 단위 시간 경과 후에는 게이트 밸브(7a~7e)를 폐쇄한다.
[압력계(4a~4e)의 읽기값＜압력계(5a~5e)의 읽기값일 때]
온-사이트 가스 발생장치군(1a~1e)에서, 후단을 향하여 공급할 수 있는 만큼의 가스가 충분히 발생하고 있지 않다고 판단하여 게이트 밸브(7a~7e)는 개방하지 않는다. 또는 게이트 밸브(7a~7e)를 개방하고 있는 상태에서, 압력계의 읽기값이 이 상태가 된 경우에는 게이트 밸브(7a~7e)를 폐쇄한다.
상기 구성에 의하면 온-사이트 불소가스 발생장치군(1a~1e)이 가동하고 있으면, 그 내부에 공급 가능한 불소가스를 충분히 갖고 있으므로, 공급 가부결정수단에 의해 공급 가능하다고 판정할 수 있고, 저장탱크(12)를 향하여 가스공급을 실시할 수 있다. 또한, 온-사이트 가스 발생장치군(1a~1e) 내에 충분히 불소가스를 갖지 않는 경우에는 가스공급시스템(2)과의 접속을 부결할 수 있다.
온-사이트 불소가스 발생장치군(1a~1e)이 정기·부정기의 관리를 실시할 때에는 1~3일 정도간, 어느 1대의 온-사이트 불소가스 발생장치로부터의 가스공급을 정지시킬 필요가 있다. 대신 저장탱크(12)에 저장되어 있는 가스를 공급한다. 이때 가스공급원이 전환된 것을 반도체 제조장치군(3a~3e)이 인식하지 못한 채 사용한 경우, 특히 복수대의 장치가 불규칙적으로 가스를 소비하는 경우에는 공급부족이 발생할 우려가 있다. 가스공급이 부족하면, 반도체 제조장치군(3a~3e)은 미리 프로그램된 일련의 제조공정의 도중에서도 가동을 시퀀서에 의해 정지시킨다. 이때, 가스공급의 대상이 되는 반도체 제조장치군(3a~3e) 내에 수납되어 있는 모든 Si 웨이퍼가 불량품 취급이 되면, 반도체 제조공장으로서의 손실은 결코 작지 않다.
온-사이트 불소가스 발생장치군(1a~1e)은 가스공급이 불가능해진 경우에, 가스공급 불능을 의미하는 이상신호(b)의 출력 기능을 갖고 있다. 반도체 제조 플랜트(100)에는 온-사이트 불소가스 발생장치군(1a~1e)으로부터 발신된 이상신호(b)를 수신하는 기능을 갖고, 가스공급이 불가능해진 온-사이트 불소가스 발생장치군(1a~1e)이 존재하는 것을, 예를 들어 시퀀서를 포함하는 제어 기기 상에서 표시할 수 있도록 하고 있어도 좋다. 또한, 본 시스템은 온-사이트 불소가스 발생장치군(1a~1e) 중 이상상태가 된 온-사이트 불소가스 발생장치로부터 이상신호(b)가 나온 것을 받아 이상한 상태가 된 온-사이트 불소가스 발생장치에 대응한 게이트 밸브(8a~8e) 중 어느 것을 폐쇄한다. 어떤 불소가스 발생장치 1대가 가스공급을 정지함으로써 그 만큼 가스공급 능력이 저하되지만, 저장탱크(12)에 잔존하는 가스와, 다른 불소가스 발생장치로부터 공급되는 가스를 사용하여, 반도체 제조장치군(3a~3e)을 향하여 소정량의 불소가스를 공급한다.
반도체 제조장치군(3a~3e)에서 어떤 이상(예를 들어 가스누출)이 발생한 경우, 가스공급시스템(2)으로부터의 가스공급을 계속한 경우, 2차 재해를 발생시킬 우려가 있다.
반도체 제조장치군(3a~3e)은 불소가스가 필요할 때에는 공급요구신호를 시퀀서를 향하여 발신할 수 있는 기능을 갖고 있는 것으로 한다. 시퀀서가 반도체 제조장치군(3a~3e)으로부터 공급요구신호를 받았을 때, 공급요구신호를 발신한 반도체 제조장치군(3a~3e)에 대응하는 어떤 게이트 밸브(15a~15e)에 개방되도록 지시를 주어 개방하게 한다. 또한, 반도체 제조장치군(3a~3e)에 이상이 발생하여 이상신호(c)를 발신하고 시퀀서가 수신한 경우에는 시퀀서의 제어에 의해 게이트 밸브(15a~15e)를 폐쇄하거나 또는 개방하지 않도록 한다. 이렇게 하면, 반도체 제조장치군(3a~3e)에서 이상이 발생하고 있는 경우에는 불소가스를 공급하지 않도록 한다. 따라서, 위험한 상태를 초래하지 않고 또한 저장탱크(12) 내에 저장되어 있는 가스를 오염시킬 우려도 없다.
또한, 본 발명은 특허청구의 범위를 벗어나지 않는 범위에서 설계 변경할 수 있는 것이고, 상기 실시 형태나 실시예에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 상기 실시 형태나 실시예에서는 불소가스 발생장치 및 반도체 제조장치가 각각 복수대 설치되어 있는 경우를 나타냈지만, 각각 1대 이상이면 좋다.
도 1은 본 발명의 실시 형태에 관한 반도체 제조 플랜트의 주요부의 개략도,
도 2는 본 발명의 실시 형태에 관한 반도체 제조 플랜트의 메인 루틴의 플로우차트,
도 3은 도 2에서의 온-사이트 불소가스 발생장치(1a)로부터 가스공급시스템(2)의 게이트 밸브(9, 10)의 앞까지의 가스공급 처리루틴의 플로우차트,
도 4는 도 2에서의 가스공급시스템(2)으로부터 반도체 제조장치(3a)로의 가스공급 및 반도체 제조의 처리루틴의 플로우차트, 및
도 5는 도 4에서의 가스공급시스템(2)으로부터 반도체 제조장치(3a)로의 가스공급 처리루틴의 플로우차트이다.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
1a~1e: 온-사이트 불소가스 발생장치군 2: 가스공급시스템
3a~3e: 반도체 제조장치군 4a~4e, 5a~5e, 6, 14: 압력계
7a~7e, 8a~8e, 15a~15e: 게이트 밸브 9: 우회배관용 게이트 밸브
10: 입구측 게이트 밸브 11a, 11b: 출구측 게이트 밸브
12: 저장탱크 13: 가압기
16: 우회배관 17: 신호송수신장치
18: 연산처리장치 21a~21e, 31a~31e: 배기기구
21a1~21e1, 31a1~31e1: 검지기 22a~22e, 32a~32e: 케이싱
24a~24e: 불소가스 발생장치 본체
23a~23e, 34a~34e: 이상검지센서
25a~25e, 35a~35e: 이상판정장치
26a~26e, 36a~36e: 신호송수신장치
33a~33e: 반도체 제조장치 본체 37a~37e: 모니터
100: 반도체 제조 플랜트

Claims (8)

  1. 2대 이상의 불소가스 발생장치로 이루어진 불소가스 발생장치군과 2대 이상의 반도체 제조장치로 이루어진 반도체 제조장치군이, 상기 불소가스 발생장치군으로부터 발생하는 불소가스를 소정량 저장하는 저장탱크를 갖고 있는 가스공급시스템을 통하여 접속되어 있고,
    상기 불소가스 발생장치가 정지했을 때, 소정량의 불소가스가 저장되어 있는 상기 저장탱크로부터 불소가스를 상기 반도체 제조장치에 공급함으로써, 상기 반도체 제조장치의 운용을 유지하며,
    상기 가스공급시스템은, 상기 저장탱크 내의 압력을 검지하고 이 검지된 압력의 값에 의해 상기 저장탱크 내의 저장량을 검지하는 압력감시수단과, 상기 압력값을 신호로 변환하는 압력값 변환수단과, 상기 압력값 변환수단에서 변환된 신호를 상기 반도체 제조장치를 향하여 출력하는 신호송신수단을 구비하고,
    상기 반도체 제조장치는, 상기 신호송신수단으로부터의 신호를 수신하는 신호수신수단과, 상기 신호수신수단에서 수신한 신호를 압력값으로 변환하는 신호변환수단과, 상기 신호변환수단에서 도출된 압력값을 표시하는 표시수단을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 플랜트.
  2. 2대 이상의 불소가스 발생장치로 이루어진 불소가스 발생장치군과 2대 이상의 반도체 제조장치로 이루어진 반도체 제조장치군이, 상기 불소가스 발생장치군으로부터 발생하는 불소가스를 소정량 저장하는 저장탱크를 갖고 있는 가스공급시스템을 통하여 접속되어 있고,
    상기 불소가스 발생장치가 정지했을 때, 소정량의 불소가스가 저장되어 있는 상기 저장탱크로부터 불소가스를 상기 반도체 제조장치에 공급함으로써, 상기 반도체 제조장치의 운용을 유지하며,
    상기 가스공급시스템은 상기 저장탱크의 상류측, 하류측에 각각 설치된 입구측 게이트 밸브, 출구측 게이트 밸브와, 상기 저장탱크를 우회하여 상기 불소가스 발생장치군과 상기 반도체 제조장치군을 접속하는 우회배관과, 상기 우회배관의 도중에 설치되어 있는 우회배관용 게이트 밸브와, 상기 게이트 밸브의 각각을 제어하는 게이트 밸브제어수단을 갖고 있고,
    상기 게이트 밸브제어수단은 상기 가스공급시스템이 통상 운전되어 있을 때에는 상기 우회배관용 게이트 밸브를 폐쇄하여 상기 입구측 게이트 밸브와 상기 출구측 게이트 밸브를 개방하고, 가스를 필요로 하는 상기 반도체 제조장치군에 상기 저장탱크를 경유하여 불소가스를 공급하도록 제어하고, 상기 가스공급시스템이 관리 또는 고장으로 정지했을 때에는 가스공급시스템을 관리 모드로 전환하고, 상기 입구측 게이트 밸브와 상기 출구측 게이트 밸브를 폐쇄하여 상기 우회배관용 게이트 밸브를 개방하고, 가스를 필요로 하는 상기 반도체 제조장치군에 상기 저장탱크를 우회하여 가스공급 가능한 상기 불소가스 발생장치로부터 불소가스를 공급하도록 제어하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 플랜트.
  3. 2대 이상의 불소가스 발생장치로 이루어진 불소가스 발생장치군과 2대 이상의 반도체 제조장치로 이루어진 반도체 제조장치군이, 상기 불소가스 발생장치군으로부터 발생하는 불소가스를 소정량 저장하는 저장탱크를 갖고 있는 가스공급시스템을 통하여 접속되어 있고,
    상기 불소가스 발생장치가 정지했을 때, 소정량의 불소가스가 저장되어 있는 상기 저장탱크로부터 불소가스를 상기 반도체 제조장치에 공급함으로써, 상기 반도체 제조장치의 운용을 유지하며,
    상기 불소가스 발생장치군과 상기 가스공급시스템의 접속 부분의 각각에 불소가스 발생장치용 게이트 밸브가 설치되고,
    각각의 상기 불소가스 발생장치용 게이트 밸브의 상류측 및 하류측의 각각에 불소가스 발생장치용 압력검지수단이 설치되어 있고,
    상기 불소가스 발생장치용 압력검지수단의 각각에서 검지된 개개의 상기 불소가스 발생장치와 상기 가스공급시스템의 압력값의 차를 감시하고, 개개의 상기 불소가스 발생장치로부터 상기 저장탱크로의 불소가스의 공급의 가부를 결정하는 가스공급 가부결정수단을 추가로 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 플랜트.
  4. 2대 이상의 불소가스 발생장치로 이루어진 불소가스 발생장치군과 2대 이상의 반도체 제조장치로 이루어진 반도체 제조장치군이, 상기 불소가스 발생장치군으로부터 발생하는 불소가스를 소정량 저장하는 저장탱크를 갖고 있는 가스공급시스템을 통하여 접속되어 있고,
    상기 불소가스 발생장치가 정지했을 때, 소정량의 불소가스가 저장되어 있는 상기 저장탱크로부터 불소가스를 상기 반도체 제조장치에 공급함으로써, 상기 반도체 제조장치의 운용을 유지하며,
    상기 불소가스 발생장치군은 그 내부에 있는 센서에서 내부 이상을 검지했을 때, 상기 센서로부터의 신호를 기초로 이상신호를 발생하는 불소가스 발생장치용 판정수단을 갖고,
    상기 가스공급시스템은 상기 불소가스 발생장치용 판정수단으로부터 발생된 이상신호를 수신하는 불소가스 발생장치용 이상신호 수신수단을 갖고 있고,
    상기 불소가스 발생장치용 이상신호 수신수단이 상기 불소가스 발생장치용 판정수단으로부터 송신된 이상신호를 수신했을 때, 상기 가스공급시스템과 개개의 상기 불소가스 발생장치의 접속 사이에서 신호를 상기 불소가스 발생장치용 게이트 밸브에 보내어 폐쇄시키는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 플랜트.
  5. 2대 이상의 불소가스 발생장치로 이루어진 불소가스 발생장치군과 2대 이상의 반도체 제조장치로 이루어진 반도체 제조장치군이, 상기 불소가스 발생장치군으로부터 발생하는 불소가스를 소정량 저장하는 저장탱크를 갖고 있는 가스공급시스템을 통하여 접속되어 있고,
    상기 불소가스 발생장치가 정지했을 때, 소정량의 불소가스가 저장되어 있는 상기 저장탱크로부터 불소가스를 상기 반도체 제조장치에 공급함으로써, 상기 반도체 제조장치의 운용을 유지하며,
    개개의 상기 반도체 제조장치와 상기 가스공급시스템의 접속 사이에서 반도체 제조장치용 게이트 밸브가 각각 설치되고,
    상기 반도체 제조장치군은 그 내부에 있는 센서에서 내부 이상을 검지했을 때, 상기 센서로부터의 신호를 기초로 이상신호를 발생하는 반도체 제조장치용 판정수단을 갖고 있고,
    상기 가스공급시스템은 상기 반도체 제조장치용 판정수단으로부터 발생된 이상신호를 수신하는 반도체 제조장치용 이상신호 수신수단을 갖고 있고,
    상기 반도체 제조장치용 이상신호 수신수단이 상기 반도체 제조장치용 판정수단으로부터 발생된 이상신호를 수신했을 때, 신호를 상기 반도체 제조장치용 게이트 밸브에 보내어 폐쇄시키는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 플랜트.
  6. 2대 이상의 불소가스 발생장치로 이루어진 불소가스 발생장치군과 2대 이상의 반도체 제조장치로 이루어진 반도체 제조장치군이, 상기 불소가스 발생장치군으로부터 발생하는 불소가스를 소정량 저장하는 저장탱크를 갖고 있는 가스공급시스템을 통하여 접속되어 있고,
    상기 불소가스 발생장치가 정지했을 때, 소정량의 불소가스가 저장되어 있는 상기 저장탱크로부터 불소가스를 상기 반도체 제조장치에 공급함으로써, 상기 반도체 제조장치의 운용을 유지하며,
    상기 가스공급시스템은
    상기 저장탱크 내의 자체 압력으로 상기 반도체 제조장치군으로 불소가스를 공급할 수 있고, 도중에 제 1 저장탱크용 게이트 밸브를 갖는 제 1 경로,
    저장탱크로부터의 가스출구압력을 조정하는 압력조정수단과, 상기 압력조정수단과 상기 저장탱크 사이에 설치된 제 2 저장탱크용 게이트 밸브를 도중에 갖는 제 2 경로,
    상기 저장탱크와 상기 반도체 제조장치군 사이의 경로 또는 상기 제 2 경로에 설치된, 상기 제 1 경로 또는 상기 제 2 경로 내의 압력을 검지할 수 있는 경로용 압력검지수단,
    상기 경로용 압력검지수단이 검지한 압력값에 의해 상기 제 1 경로와 상기 제 2 경로의 전환을 제어하는 경로제어수단, 및
    상기 경로제어수단에 의해 상기 제 2 경로로 전환되었을 때 상기 압력조정수단의 가동을 제어하는 가동제어수단을 추가로 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 플랜트.
  7. 2대 이상의 불소가스 발생장치로 이루어진 불소가스 발생장치군과 2대 이상의 반도체 제조장치로 이루어진 반도체 제조장치군이, 상기 불소가스 발생장치군으로부터 발생하는 불소가스를 소정량 저장하는 저장탱크를 갖고 있는 가스공급시스템을 통하여 접속되어 있고,
    상기 불소가스 발생장치가 정지했을 때, 소정량의 불소가스가 저장되어 있는 상기 저장탱크로부터 불소가스를 상기 반도체 제조장치에 공급함으로써, 상기 반도체 제조장치의 운용을 유지하며,
    상기 불소가스 발생장치군, 상기 가스공급시스템 및 상기 반도체 제조장치군은 각각 배기기구를 갖는 케이싱에 수납되어 있고,
    상기 배기기구가 불소가스 또는 불화수소가스를 검지하는 불소가스 또는 불화수소가스 검지기를 갖고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 플랜트.
  8. 삭제
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