CN101379592A - 半导体制造设备 - Google Patents

半导体制造设备 Download PDF

Info

Publication number
CN101379592A
CN101379592A CNA2007800050028A CN200780005002A CN101379592A CN 101379592 A CN101379592 A CN 101379592A CN A2007800050028 A CNA2007800050028 A CN A2007800050028A CN 200780005002 A CN200780005002 A CN 200780005002A CN 101379592 A CN101379592 A CN 101379592A
Authority
CN
China
Prior art keywords
mentioned
gas
fluorine gas
semiconductor
stop valve
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA2007800050028A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101379592B (zh
Inventor
平岩次郎
吉本修
早川宏
东城哲朗
冈部庸之
浅野贵庸
和田真一
中尾贤
加藤寿
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toyo Tanso Co Ltd
Original Assignee
Toyo Tanso Co Ltd
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toyo Tanso Co Ltd, Tokyo Electron Ltd filed Critical Toyo Tanso Co Ltd
Publication of CN101379592A publication Critical patent/CN101379592A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101379592B publication Critical patent/CN101379592B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F17—STORING OR DISTRIBUTING GASES OR LIQUIDS
    • F17D—PIPE-LINE SYSTEMS; PIPE-LINES
    • F17D1/00—Pipe-line systems
    • F17D1/02—Pipe-line systems for gases or vapours
    • F17D1/04—Pipe-line systems for gases or vapours for distribution of gas
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B7/00—Halogens; Halogen acids
    • C01B7/19—Fluorine; Hydrogen fluoride
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67276—Production flow monitoring, e.g. for increasing throughput
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F17—STORING OR DISTRIBUTING GASES OR LIQUIDS
    • F17C—VESSELS FOR CONTAINING OR STORING COMPRESSED, LIQUEFIED OR SOLIDIFIED GASES; FIXED-CAPACITY GAS-HOLDERS; FILLING VESSELS WITH, OR DISCHARGING FROM VESSELS, COMPRESSED, LIQUEFIED, OR SOLIDIFIED GASES
    • F17C2250/00—Accessories; Control means; Indicating, measuring or monitoring of parameters
    • F17C2250/03—Control means
    • F17C2250/032—Control means using computers
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F17—STORING OR DISTRIBUTING GASES OR LIQUIDS
    • F17C—VESSELS FOR CONTAINING OR STORING COMPRESSED, LIQUEFIED OR SOLIDIFIED GASES; FIXED-CAPACITY GAS-HOLDERS; FILLING VESSELS WITH, OR DISCHARGING FROM VESSELS, COMPRESSED, LIQUEFIED, OR SOLIDIFIED GASES
    • F17C2270/00—Applications
    • F17C2270/05—Applications for industrial use
    • F17C2270/0518—Semiconductors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Filling Or Discharging Of Gas Storage Vessels (AREA)
  • Electrolytic Production Of Non-Metals, Compounds, Apparatuses Therefor (AREA)
  • Pipeline Systems (AREA)
  • Feeding, Discharge, Calcimining, Fusing, And Gas-Generation Devices (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

氟气发生装置与半导体制造装置(3a～3e)经由气体供给系统(2)连接，该气体供给系统(2)具有能够贮藏规定量的由现场氟气发生装置(1a～1e)发生的氟气的贮藏罐(12)，当现场氟气发生装置(1a～1e)中1个以上停止时，通过从贮藏有规定量的氟气的贮藏罐(12)向半导体制造装置(3a～3e)供给氟气，从而维持半导体制造装置(3a～3e)的运用。由此，能够安全稳定地将在氟气发生装置发生的氟气向半导体制造装置供给，并且获得在半导体制造中价格性能比也优越的半导体制造设备。

Description

半导体制造设备
技术领域
本发明涉及一种半导体制造设备，能够稳定地将在氟气发生装置发生的氟气向半导体制造装置供给。
背景技术
氟气以外的氟化物气体(例如NF3、CF4、C2F6等)由于对半导体制造工序是高性能的，所以迄今被广泛地大量使用。但是由于这些氟化物气体的全球变暖潜能值(global warming potential)大而对地球环境造成不良影响，已经决定今后废止或限制其使用。
氟气的全球变暖潜能值是0，因此已经开始研究作为上述氟化物气体的代替物来使用。但是氟气的腐蚀性/反应性较高，以气瓶大量地运输/贮藏的情况伴随着危险。由于这些理由，虽然现在开始在气瓶将氟气在惰性气体中稀释到20％以下来使用，但搬运效率差并且关于安全性也存在没有解决的问题。
因此，业界迫切需要安全/稳定地使氟气发生并在当场使用的现场(onsite)氟气发生装置等，并有几个提案。但是现状是尽管用于确保现场氟气发生装置和使用氟气的装置之间的氟气使用量的匹配性和稳定供给的接口那样的装置(氟气供给系统)极其重要，其研究却几乎没有进行。再有，在将从上述现场氟气发生装置发生的氟气经由氟气供给系统向半导体制造装置供给时，已知氟气的稳定供给性及其价格性能比会成为问题。
只要是通常的气体，以将填充了气体的多个气瓶并列地连接，在用完一个气瓶之后切换到下一个气瓶，将使用完成的气瓶与新品交换的方法就能够满足这种要求。虽然关于氟气，考虑到安全开始使用以20％的低浓度填充到气瓶中，与上述气体同样地内藏于气瓶柜的手法，但是为了稀释到20％，相应地需要较大的容积，运输效率也差。再有，氟气即使是低浓度，当气瓶头上安装的切断阀由于腐蚀等而破损时，有填充到气瓶内部的气体全部泄漏的担忧。因此，期待能够安全/稳定地供给氟气并且氟气的单位消耗相对于现有方法有优点的供给方法。迄今我们提案了能够在半导体制造现场使用的现场氟气发生装置(能够压力控制装置内并稳定地供给氟气的装置)(例如下述专利文献1～3等)。
专利文献1:日本专利申请公开2004-107761号公报
专利文献2:日本专利申请公开2004-169123号公报
专利文献3:美国专利第6602433号说明书
发明内容
发明要解决的问题
在设置氟气发生装置的情况下，一台氟气发生装置的供给能力，基本上根据相对于需要的气体供给能力的设计规格来决定。但是，在以一台氟气发生装置的供给能力无法满足需要的情况下，准备多个相同规格的氟气发生装置来对应。
但是，现场氟气发生装置在每三个月、半年、一年的一定期间需要进行维护。这种维护需要一到三天左右的时间，存在在此期间从该装置不能供给气体的问题。
此外，在使用一台或多台现场氟气发生装置的情况下，需要如下这样的构造，能平滑地控制与使用该气体的半导体制造装置的气体交换，在半导体制造装置工作中即使氟气发生装置发生问题或维护的必要性，也能够不停止气体供给而继续半导体的制造。。
本发明正是鉴于上述问题而做成的，其目的是提供一种半导体制造设备，能够将在氟气发生装置发生的氟气安全稳定地向半导体制造装置供给，并且在半导体制造中的价格性能比也优越。
解决问题的方法及效果
在本发明的半导体制造设备中，至少一台的氟气发生装置和至少一台的半导体制造装置经由气体供给系统连接，该气体供给系统具有能够贮藏规定量的在上述氟气发生装置发生的氟气的贮藏罐，在上述氟气发生装置停止时，通过从贮藏有规定量的氟气的上述贮藏罐向上述半导体制造装置供给氟气，从而维持上述半导体制造装置的运用。
只要是上述结构，即使氟气发生装置由于维护或异常而停止，由于在贮藏罐内贮藏有规定量(例如与进行维护或从紧急停止到复原所需的时间相应的量)的氟气，所以能够使压力负荷变动最小化的同时不停止半导体制造装置而运转。此外，因为不必像现有技术那样在氟气发生装置的维护时等使半导体制造装置停止也可，所以半导体制造装置的连续运转成为可能，由此不使半导体制造中的装置工作率降低，价格性能比也优越。
优选在本发明的半导体制造设备中，上述气体供给系统具有:压力监视单元，检测上述贮藏罐内的压力，根据该检测出的压力值来检测上述贮藏罐内的贮藏量；压力值转换单元，将上述压力值转换为信号；以及信号发送单元，将在上述信号转换单元转换的信号向上述半导体制造装置输出，上述半导体制造装置具有:信号接收单元，接收来自上述信号发送单元的信号；信号转换单元，将在上述信号接收单元接收的信号转换为压力值；以及显示单元，显示在上述信号转换单元导出的压力值。
如上所述，在像本装置这样在限定的容量内贮藏气体的情况下，能够在半导体制造装置上显示正确的气体贮藏量在兼顾操作性和价格性能比上是非常重要的。当不能提供这种信息时，在最坏的情况下在半导体制造工序的中途可能会气体供给不足。在这种情况下，有提供给该工序的制品全部成为不良品的担忧。为了使装置的价格性能比提高，这样的事态是尽量需要避免的事件。因此，只要是上述结构，因为能够正确地检测上述贮藏罐内的氟气的贮藏量，所以通过在半导体制造装置上显示该信息，能够平滑地执行半导体制造工序。
优选在本发明的半导体制造设备中，上述气体供给系统具有:入口侧切断阀和出口侧切断阀，分别设置在上述贮藏罐的上游侧和下游侧；旁通管路，绕过上述贮藏罐而连接上述氟气发生装置和上述半导体制造装置；旁通管路用切断阀，设置在上述旁通管路的中途；以及切断阀控制单元，控制上述切断阀的每个，上述切断阀控制单元在上述气体供给系统通常运转时，以关闭上述旁通管路用切断阀，打开上述入口侧切断阀和上述出口侧切断阀，经由上述贮藏罐向需要气体的上述半导体制造装置供给氟气的方式进行控制，在上述气体供给系统因维护或故障停止时，以将气体供给系统切换到维护模式，关闭上述入口侧切断阀和出口侧切断阀，打开上述旁通管路用切断阀，绕过上述贮藏罐从能够供给气体的上述氟气发生装置向需要气体的上述半导体制造装置供给氟气的方式进行控制。
只要是上述结构，在上述气体供给系统正常工作的情况下，经由上述气体供给系统向需要气体的上述半导体制造装置供给氟气，在上述气体供给系统中进行某种维护的需要发生的情况下，将装置切换到维护模式，能够进行绕过上述气体供给系统，从能够供给气体的上述氟气发生装置向需要气体的上述半导体制造装置供给氟气的工作。通过能够进行这种控制，在停止来自气体供给系统内的贮藏罐气体供给的情况下，因为能够迅速变更供给路径，所以不必暂时停止半导体制造装置的半导体制造工序，半导体制造装置能连续运转。
优选在本发明的半导体制造设备中，在上述氟气发生装置和上述气体供给系统的连接部分上分别设置氟气发生装置用切断阀，在各上述氟气发生装置用切断阀的上游侧和下游侧的每个上设置氟气发生装置用压力检测单元，还具有气体供给可否决定单元，其对在各上述氟气发生装置用压力检测单元检测出的各上述氟气发生装置与上述气体供给系统的压力值的差进行监视，决定从各上述氟气发生装置向上述贮藏罐的氟气供给的可否。
只要是上述结构，只要氟气发生装置在其内部充分具有能供给的氟气，就能通过供给可否决定单元判定为能供给，能向贮藏罐实施气体供给。另一方面，氟气发生装置在其内部不具有充分的氟气来供给的情况下，即使作为气体发生装置的动作进行气体发生，实际上也不能向后级的气体供给系统实施气体供给。在不具有上述那样的结构的情况下，当意外地将气体发生装置与气体供给系统连接起来时，气体供给系统的气体供给能力超过气体发生装置，气体从气体供给系统侧向气体发生装置侧倒流。这种现象有阻碍从气体供给系统向半导体制造装置的气体供给的担忧，也是对半导体制造工序造成影响的问题。因此通过采用上述结构，在氟气发生装置内不具有充分的氟气的情况下，因为能够拒绝与气体供给系统的连接，所以能够防止上述那样的问题。
优选上述氟气发生装置具有:氟气发生装置用判定单元，在以上述氟气发生装置内部具有的传感器检测出内部异常时，基于来自上述传感器的信号发出异常信号，上述气体供给系统具有:氟气发生装置用异常信号接收单元，接收从上述氟气发生装置用判定单元发出的异常信号，上述氟气发生装置用异常信号接收单元，在接收到从上述氟气发生装置用判定单元发送的异常信号时，在上述气体供给系统和各上述氟气发生装置的连接间，对上述氟气发生装置用切断阀发送信号使其关闭。
只要是上述结构，例如在氟气发生装置中发生某种异常的情况下(例如通过压力、温度/气体检测器等传感器的异常的检测)，从判定单元发出异常信号，气体供给系统接收该信号后，能够在与输出异常信号的上述氟气发生装置的连接间，自动地关闭切断阀。由此，不能继续运转的气体发生装置从气体供给系统断开，能够安全地转入维护状态。
优选在本发明的半导体制造设备中，在各上述半导体制造装置与上述气体供给系统的连接间，分别设置半导体制造装置用切断阀，上述半导体制造装置具有:半导体制造装置用判定单元，在以上述半导体制造装置的内部具有的传感器检测出内部异常时，基于来自上述传感器的信号发生异常信号，上述气体供给系统具有:半导体制造装置用异常信号接收单元，接收从上述半导体制造装置用判定单元发出的异常信号，上述半导体制造装置用异常信号接收单元，在接收到从上述半导体制造装置用判定单元发出的异常信号时，将信号向上述半导体制造装置用切断阀发送而使其关闭。
只要是上述结构，在某个半导体制造装置中发生异常的情况下，因为自动地关闭成为对象的半导体制造装置与气体供给系统的连接间的切断阀，所以能够防止其它装置的错误动作或二次灾害。
优选在本发明的半导体制造设备中，上述气体供给系统还具有:(1)第一路径，能够以上述贮藏罐内的自压向上述半导体制造装置供给氟气，在中途具有第一贮藏罐用切断阀，；(2)第二路径，在中途具有调整来自贮藏罐的气体出口压力的压力调整单元、以及设置在上述压力调整单元和上述贮藏罐之间的第二贮藏罐用切断阀；(3)路径用压力检测单元，设置在上述贮藏罐和上述半导体制造装置之间的路径或者上述第二路径上，能够检测上述第一路径或上述第二路径内的压力；(4)路径控制单元，根据上述路径用压力检测单元检测出的压力值，控制上述第一路径与上述第二路径的切换；(4)工作控制单元，在通过上述路径控制单元切换到上述第二路径时，控制上述压力调整单元的工作。
只要是上述结构，首先能够利用第一路径在供给下限之上使用自压供给贮藏在贮藏罐内的气体。在成为供给对象的半导体制造装置中，通常为了利用质量流量控制器(mass flow controller)那样的流量控制器具来使用气体，质量流量控制器成为供给上的阻力，在其一次侧例如50kPa左右成为供给下限压力。此时，切换到第二路径，当使上述加压器工作来实施气体供给时，能够从该状态进一步向半导体制造装置供给贮藏罐内的气体。具体而言，作为加压器优选风箱式泵(bellows pump)或隔膜泵(diaphragm pump)等干式泵。这些加压器的升压气体的能力例如为200kPa左右，如上述那样能够得到使质量流量控制器动作的足够的压力。并且由于通过使用加压器，能够进一步吸引贮藏罐内的气体向后级送气，所以能够有效地使用贮藏罐内的气体。这里，气体供给路径的切换和加压器运转的控制，当以序列发生器(sequencer)和压力监视的组合做成自动控制方式时能够简便地使用。通过这些办法，能够使压力负荷变动最小化而稳定地向半导体制造装置供给氟气。
优选在上述气体供给系统中，上述氟气发生装置、上述气体供给系统和上述半导体制造装置，分别容纳在具有排气机构的壳体内，上述排气机构具有氟或氟化氢气体检测器，用以检测氟气或氟化氢气体。
根据上述结构，各装置由壳体包围，因为这些壳体具有检测氟气或氟化氢气体的排气机构，因此能够在半导体制造设备中检测氟气或氟化氢气体的泄漏。再有，例如在排气机构检测到气体时，判断为气体泄漏发生使序列发生器发送异常信号也可。由于气体泄漏是很严重的事件，所以在该事件发生时，例如可以根据来自序列发生器的控制指示，停止对象装置的工作并进行检查。必要的话也可进行维护/修理。
附图说明
图1是本发明实施方式的半导体制造设备的主要部分的概略图。
图2是本发明实施方式的半导体制造设备的主程序流程图。
图3是从图2的现场氟气发生装置1a到气体供给系统2的切断阀9、10跟前位置的气体供给处理程序的流程图。
图4是从图2的气体供给系统2向半导体制造装置3a的气体供给和半导体制造处理程序的流程图。
图5是从图4的气体供给系统2向半导体制造装置3a的气体供给处理程序的流程图。
附图标记说明
1a、1b、1c、1d、1e:现场氟气发生装置；
2:气体供给系统；
3a、3b、3c、3d、3e:半导体制造装置；
4a、4b、4c、4d、4e、5a、5b、5c、5d、5e、6、14:压力计；
7a、7b、7c、7d、7e:切断阀；
8a、8b、8c、8d、8e:切断阀；
15a、15b、15c、15d、15e:切断阀；
9:旁通管路用切断阀；
10:入口侧切断阀；
11a、11b:出口侧切断阀；
12:贮藏罐；
13:加压器；
16:旁通管路；
17:信号收发装置；
18:运算处理装置；
21a、21b、21c、21d、21e、31a、31b、31c、31d、31e:排气机构；
21a1、21b1、21c1、21d1、21e1:检测器；
31a1、31b1、31c1、31d1、31e1:检测器；
22a、22b、22c、22d、22e、32a、32b、32c、32d、32e:壳体；
24a、24b、24c、24d、24e:氟气发生装置本体；
23a、23b、23c、23d、23e:异常检测传感器；
34a、34b、34c、34d、34e:异常检测传感器；
25a、25b、25c、25d、25e:异常判定装置；
35a、35b、35c、35d、35e:异常判定装置；
26a、26b、26c、26d、26e:信号收发装置；
36a、36b、36c、36d、36e:信号收发装置；
33a、33b、33c、33d、33e:半导体制造装置本体；
37a、37b、37c、37d、37e:监视器；
100:半导体制造设备
具体实施方式
下面对本发明实施方式的半导体制造设备进行说明。图1是本发明实施方式的半导体制造设备的主要部分的概略图。
图1中，1a、1b、1c、1d、1e(1a～1e，以下同样表示)是现场氟气发生装置，2是气体供给系统，3a～3e是半导体制造装置，4a～4e、5a～5e、6是压力计，7a～7e、8a～8e是切断阀，9是旁通管路用切断阀，10为入口侧切断阀，11a、11b是出口侧切断阀，12是贮藏罐，13是加压器，15a～15e是异常发生用切断阀，16是旁通管路。将这些全部联合在一起的100是半导体制造设备。半导体制造设备100还具有用于控制各部的序列发生器(未图示)，为了能够与各部位和各装置收发信而使用电气方式或者电波方式、机械方式等建立连接。
现场氟气发生装置1a～1e是在想使用的当场就能够使氟气发生的装置，预先在该内部进行气体发生，在达到可以供给之前在其内部蓄积一定量的氟气。
现场氟气发生装置1a如图1所示，在具有排气机构21a的壳体22a的内部具有:氟气发生装置本体24a、和异常检测传感器23a，在壳体22a的外部具有:判定装置25a和信号收发装置26a。再有，作为一个变形例，也可以变更壳体22a的设计，在其内部容纳判定装置25a和信号收发装置26a。排气机构21a具有检测器21a1，能够检测氟气或氟化氢气体的泄漏。异常检测传感器23a能够检测氟气发生装置本体24a的异常或者壳体22a内其它部位(例如未图示的加压器)等的异常。在检测器21a1和异常检测传感器23a的结果，作为信号向异常判定装置25a发送，通过异常判定装置25a判断气体泄漏或故障等异常是否发生。在异常发生的情况下，从信号收发装置26a向规定的装置或切断阀等发送信号。再有，信号收发装置26a也能够从外部接收信号。因为现场氟气发生装置1b～1e也是在分别具有相同结构的排气机构21b～21e的壳体22b～22e内部分别具有氟气发生装置本体24b～24e、异常检测传感器23b～23e，在壳体22b～22e外部分别具有判定装置25b～25e和信号收发装置26b～26e，所以省略其说明。
气体供给系统2具有:切断阀8a～8e，设置在与氟气发生装置的连接侧；旁通管路用切断阀9，设置在旁通管路16的中途；贮藏罐12；入口侧切断阀10，设置在贮藏罐12的入口侧；出口侧切断阀11a和11b，设置在贮藏罐12的出口侧；加压器13，设置在出口侧切断阀11b的下游侧；以及压力计6，用于计测气体供给系统2内的管路中和贮藏罐12内的压力。贮藏罐12也可以具有用于确认其内部压力的专用的压力计14。此外，气体供给系统2具有未图示的壳体，在该壳体中具有排气机构，该排气机构具备能够检测氟气或氟化氢气体的泄漏的检测器。进而，气体供给系统2具有:信号收发装置17，接收来自各装置的信号，将接收的信号向各阀或装置等发送；以及运算处理装置18，将从压力计6或压力计14发送的压力值信号转换为贮藏量信号。
在使用贮藏在贮藏罐12中的氟气时的下限压力，通过向半导体制造装置3a～3e的供给方法来决定。在半导体制造装置内是减压，并且通过半导体制造装置3a～3e的内压进行导入的氟气的控制的情况下，因为该压力值(通常进行控制在减压下:大气压以下)为能够从贮藏罐12向半导体制造装置3a～3e供给的压力下限值，所以并不特别需要加压器13。但是，在需要连接质量流量控制器等来精密地限制从贮藏罐12向半导体制造装置3a～3e导入的氟气流量的情况下，由于在质量流量控制器发生30kPa～100kPa左右的压力损失，因此使用的质量流量控制器的压力损失成为从气体供给系统2向半导体制造装置3a～3e的氟气供给的下限压力。
当使用加压器13时，根据其种类或性能，能够使贮藏罐12内的氟气在70kPa～20kPa左右为止排出，此外经由加压器13的氟气能够升压至加压器13的性能上限。即，当将贮藏罐12和加压器13组合时，与通过贮藏在贮藏罐12内的气体的自压向质量流量控制器供给气体的情况相比，能够有效地使用贮藏在贮藏罐12内的气体，并且能够对半导体制造装置3a～3e以使用时所需要的压力供给氟气。由此，能够进一步减少贮藏罐12内的残余气体量。因此，只要有加压器13就能减小贮藏罐12。
再有，这里使用的加压器13优选风箱式或隔膜式的泵。这些泵接触气体的部分能够限定为风箱部分或隔膜部分，因为考虑了该部分的耐蚀性而能够安全地使用。此外，因为能充分确保与外部的密封性而难以气体泄漏所以优选。这些泵的升压能力上限为100kPa～300kPa左右，虽然作为泵是较低的，但因为是操作氟气这种反应性强的气体，所以优选避免极端的压力上升。作为在加压器13上可能发生的异常是气体泄漏或者电动机异常。这些异常根据通常设在加压器13上的压力计/温度计的读取值能够容易地检测。此外，要是使用以氮气等稀释的氟作为前提的话，也可以代替加压器13而使用以气体来驱动的喷射泵(ejector)。
在半导体制造装置3a中，如图1所示，在具有排气机构31a的壳体32a内部具有:半导体制造装置本体33a和异常检测传感器34a，在壳体32a的外部具有:异常判定装置35a、信号收发装置36a和监视器37a(显示装置)。异常检测传感器34a能够检测半导体制造装置本体33a的异常或者壳体32a内的其它部位等的异常。此外，排气机构31a具有能够检测氟气或氟化氢气体的泄漏的检测器31a1。在检测器31a1和异常检测传感器34a的结果作为信号向异常判定装置35a发送，通过异常判定装置35a判断气体泄漏或故障等异常是否发生。在异常发生的情况下，从信号收发装置36a向规定的装置或切断阀等发送信号。再有，信号收发装置36a能够从外部接收信号。此外，监视器37a能够将信号收发装置36a接收的从信号收发装置17输出的气体贮藏量信号重新转换为压力值，显示正确的气体贮藏量。由此，由于需要在被限定的贮藏罐12的容量内贮藏气体，因此易于兼顾操作性和价格性能比。因为在半导体制造装置中能够知道这样的信息，所以能够防止在半导体制造工序中途的气体供给不足，不会有对该工序提供的制品全部变成不良品的情况。半导体制造装置3b～3e也是在分别具有相同结构的排气机构31b～31e的壳体32b～32e的内部分别具有半导体制造装置本体33b～32e、异常检测传感器34b～34e，在壳体32b～32e外部分别具有异常判定装置35b～35e、信号收发装置36b～36e和监视器37b～37e(显示装置)，因此省略其说明。
如图1所示，现场氟气发生装置1a～1e经由压力计4a～4e、压力计5a～5e以及分别设置于它们之间的切断阀7a～7e与气体供给系统2连接。此外，半导体制造装置3a～3e分别经由配设在气体供给系统2内的切断阀15a～15e与气体供给系统2连接。
切断阀7a～7e、8a～8e、旁通管路用切断阀9、入口侧切断阀10、出口侧切断阀11a、11b以及切断阀15a～15e是自动阀，根据序列发生器的指示控制开闭。而且，氟气发生装置1a～1e和半导体制造装置3a～3e能够与气体供给系统自由组合，虽然没有图示但为了易于进行管路的连接或断开，能够任意设置氮气清洗(purge)线管或气体排气线管。通过利用这些，因为能够容易地进行连接时的气体置换或者断开时的管路内残留气体的置换等，所以装置间的连接也能够安全地实施。
压力计4a和压力计5a以该组合，夹着切断阀7a能够检测氟气发生装置1a侧和气体供给系统2侧的压力。再有，压力计4b～4e和压力计5b～5e的各个组合也是同样的。
此外，从半导体制造设备100的安全确保的观点出发，现场氟气发生装置1a、气体供给系统2和半导体制造装置3a分别以壳体包围，这些壳体进行排气。再有，考虑到气体泄漏，压力计4a、5a和切断阀7a也可以集中在一起容纳在现场氟气发生装置1a或气体供给系统2的壳体中。关于现场氟气发生装置1b～1e、压力计4b～4e和5b～5e、切断阀7b～7e也可以以同样的组合容纳于各壳体(未图示)中。前者的壳体内划分为氟气发生及加压区段(未图示)等几个，在各区段从壳体进行排气。此外，后者的壳体内划分为包含优化了容量的缓冲罐的氟气贮藏区段等几个，在各区段进行壳体排气。监视各个排气中的氟气浓度，在检测到气体的情况下判断为在作为对象的区段内气体泄漏发生，从监视排气中的氟气浓度的控制装置(未图示)向序列发生器发送异常信号。因为在氟气发生装置1a～1e或气体供给系统2、半导体制造装置3a～3e中发生气体泄漏是严重的事件，所以在该事件发生时，根据来自序列发生器的控制指示停止对象装置的工作，进行检查。需要的话进行维护/修理。在连接多个各装置的情况下，其它的现场氟气发生装置1b～1e、压力计4b～4e和5b～5e、切断阀7b～7e的各组合也与上述相同。
接着，使用图2～7对半导体制造设备100中的各部位和各装置的动作及控制进行说明。图2是本发明实施方式的半导体制造设备的主程序的流程图。图3是从图2中的现场氟气发生装置1a到气体供给系统2的切断阀9、10跟前为止的气体供给处理程序的流程图。图4是从图2的气体供给系统2向半导体制造装置3a的气体供给和半导体制造的处理程序的流程图。图5是从图4中的气体供给系统2向半导体制造装置3a的气体供给处理程序的流程图。再有，控制的指示从上述未图示的序列发生器输出。
首先，仅对半导体制造设备100中的现场氟气发生装置1a、气体供给系统2、半导体制造装置3a的动作关系进行说明。当启动半导体制造设备100时，通过在序列发生器中通过执行图2的主程序，从而半导体制造成为能够实施的状态。
具体而言，如图2所示，当通过序列发生器执行主程序等时，使用气体供给系统2壳体内设置的异常检测传感器和异常判定装置，判定是否存在气体供给系统2的异常或气体供给系统2壳体内其它部位等的异常(S1)。在判定结果为无异常的情况下，允许切断阀9、10、11a、11b打开(S2)。在有异常的情况下，则禁止切断阀8a、9、10、11a、11b打开(S3)，结束。
在判定结果为无异常(S2)的情况下，接着，使用检测器21a1、异常检测传感器24a、以及异常判定装置25a判定现场氟气发生装置1a中是否存在异常(S4)。在判定结果为无异常的情况下，允许切断阀8a打开(S5)，进行从现场氟气发生装置1a到气体供给系统2的切断阀9、10跟前为止的气体供给处理(S6)。在有异常的情况下禁止切断阀8a打开(S7)。
这里，使用图3的程序对S6的从现场氟气发生装置1a到气体供给系统2的切断阀9、10跟前为止的气体供给处理进行详细叙述。再有，在执行图3的程序之前，氟气发生装置1a预先将通过电解发生的氟气在其内部在能力范围内加压/贮藏。
首先，将通知在氟气发生装置1a中无异常的信号从异常判定装置25a经由信号收发装置17向切断阀8a发送，使切断阀8a打开(A2)。接着，比较压力计4a、5a的压力值(A3)，只要不是压力计4a的压力值>压力计5a的压力值的话，就返回主程序。只要是压力计4a的压力值>压力计5a的压力值的话，就以压力计14判定向贮藏罐12的气体供给量是否已经充分(A4)，如果充分就返回主程序。要是不充分的话就打开切断阀7a，向贮藏罐12供给氟气直到压力计4a的压力值≤压力计5a的压力值为止(A5)，然后返回主程序。再有，能够进行这种动作的氟气发生装置1a，因为无需保持不必要的气体，能够做成为需要最低限度的大小，所以能够节约在设置氟气发生装置1a时占地面积(footprint)。在半导体制造工厂里，由于导入洁净室的构筑等大型设备所以土地单位价值较高，能够尽量减小上述占地面积是极其重要的。
接着，使用异常检测传感器34a和异常判定装置35a，判定是否存在半导体制造装置3a的异常或壳体32内其它部位等的异常(S8)。在判定结果为无异常的情况下，允许切断阀15a打开(S9)，进行从气体供给系统2向半导体制造装置3a的气体供给及半导体的制造处理(S10)。在有异常的情况下禁止切断阀15a打开(S11)。然后，判别切断阀8a是否打开(S12)，要是打开的话则将其关闭(S13)并结束，如果从最初开始就关闭的话则就那样结束。
这里，使用图4、图5的程序对S10的从气体供给系统2向半导体制造装置3a气体供给和半导体制造处理进行详细叙述。
首先，如图4所示，在半导体制造装置3a中，判定为了半导体制造是否需要气体供给(B1)。要是不需要的话，就将从运算处理装置18输出的信号，经由信号收发装置17向切断阀7a、8a、9、10、11a、11b、15a发送，切断阀7a、8a、9、10、11a、11b、15a中打开的阀全部关闭，返回主程序。要是为了半导体制造需要气体供给的话，就将从半导体制造装置3a输出的信号，经由信号收发装置17向切断阀15a发送，打开切断阀15a(B2)。然后，进行从气体供给系统2向半导体制造装置3a的气体供给处理(B3)。
该气体供给处理是如图5所示那样的程序。具体而言，首先将从半导体制造装置3a输出的信号，经由信号收发装置17向切断阀10发送，打开切断阀10(C1)。接着，以压力计14监视贮藏罐12内的压力(C2)，判定贮藏罐12内的压力是否为最大～质量流量控制器(MFC)动作下限(C3)。只要贮藏罐12内的压力为最大～质量流量控制器(MFC)动作下限的话，就将从压力计14输出的信号，经由信号收发装置17向切断阀11a发送，打开切断阀11a，向半导体制造装置3a供给气体(C4)，返回图4的程序。要是贮藏罐12内的压力不是最大～质量流量控制器(MFC)动作下限的话，就判定是否使用加压器13将贮藏罐12内的气体向半导体制造装置3a供给(C5)。在使用加压器13供给气体的情况下，将从序列发生器输出的信号，经由信号收发装置17向切断阀11b发送，打开切断阀11b，向半导体制造装置3a气体供给(C6)，返回图4的程序。这里，在进行C4和C6的动作时，除了压力计14以外还使用压力计6监视贮藏罐12内的压力。在使用加压器13不供给气体的情况下，将从序列发生器输出的信号，经由信号收发装置17向切断阀10发送，关闭切断阀10，同时将从序列发生器输出的其它信号，经由信号收发装置17向切断阀9发送，打开切断阀9(C7)。然后，从氟气发生装置1a经由旁通管路16向半导体制造装置3a供给气体(C8)，返回图4的程序。
然后，接受气体供给在半导体制造装置3a中进行半导体的制造处理(B4)。当半导体制造处理结束时(B5)，将从序列发生器输出的信号，经由信号收发装置17向切断阀7a、8a、9、10、11a、11b、15a发送，将切断阀7a、8a、9、10、11a、11b、15a中打开的阀全部关闭，返回主程序。
再有，代替现场氟气发生装置1a而使用现场氟气发生装置1b～1e中的任意一个也是同样的。此外，代替半导体制造装置3a而使用半导体制造装置3b～3e中的任意一个也是同样的。此外，在连接有多台现场氟气发生装置和半导体制造装置的半导体制造设备100那样的情况下，也能够进行与上述相同的动作。
根据这样的半导体制造设备100，即使现场氟气发生装置1a～1e由于维护或紧急情况而停止，由于规定量(例如与维护或从紧急停止复原所需的时间相应的量)的氟气贮藏在贮藏罐12内，并且能够一边进行压力调整一边向半导体制造装置3a～3e供给氟气，所以能够使压力负荷变动最小化的同时不停止半导体制造装置3a～3e而运转。其结果是，能够将在氟气发生装置1a～1e发生的氟气安全稳定地向半导体制造装置3a～3e供给。此外，由于不必像现有技术那样在现场氟气发生装置1a～1e维护时等情况下停止半导体制造装置3a～3e也可，所以半导体制造装置3a～3e的连续运转成为可能，由此在半导体制造中的价格性能比也优越。
此外，通过氟气发生装置用压力检测装置，能够防止气体从气体供给系统2向现场氟气发生装置1a～1e倒流，防止从气体供给系统2向半导体制造装置3a～3e的气体供给阻碍。此外，在各装置异常发生时，因为能够通过关闭切断阀而切断与该装置的连接，所以能够防止正常的其它装置的错误动作或者二次灾害。
实施例
以下对与上述半导体制造设备100相同结构的半导体制造设备的运转状态中的根据序列发生器的控制的实施例进行说明。再有，为方便起见，与上述半导体制造设备100相同结构的部位使用同一附图标记进行说明。
在初始状态下各阀闭锁。然后，在气体供给系统2中，在以经由贮藏罐12的路径进行气体供给的状态下，根据现场氟气发生装置1a～1e内的气体压力状态开闭切断阀7a～7e，切断阀8a～8e只要从现场氟气发生装置1a～1e无异常信号发生的话是打开状态，切断阀10、11a为打开状态，切断阀15a～15e对应于半导体制造装置3a～3e的气体供给要求信号而开闭。
压力计6监视贮藏罐12内或者管路的压力，具有对应该压力向序列发生器发送(1)满贮藏、(2)部分使用、(3)减少I(供给困难)、(4)减少II(不能供给)的各种信号的功能。再有，(1)满贮藏是指成为贮藏在贮藏罐12内的气体的上限压力值时；(2)部分使用是指成为贮藏的气体从满贮藏状态起只减少了相当于在半导体制造装置3a～3e的一次或一天的使用量的部分时的压力值时；(3)减少I(供给困难)是贮藏气体的剩余压力成为相当于在半导体制造装置3a～3e的一次或一天的使用量的压力值时；(4)减少II(不能供给)是指贮藏气体的压力成为相当于在半导体制造装置3a～3e的供给下限的压力值时。这些是预先按照半导体制造装置3a～3e的规格，根据一次或一天的使用量来决定。气体供给系统2预先将这些信息向半导体制造装置3a～3e发送。在半导体制造装置3a～3e一侧，考虑到气体供给系统2内的气体贮藏量，在确认半导体制造工序的实施没有问题后进行作业。
未图示的序列发生器具有接收从压力计6发报的(1)满贮藏、(2)部分使用、(3)减少I(供给困难)、(4)减少II(不能供给)信号的功能，并能够向半导体制造装置3a～3e发送。这里，当氟气压力降低时，依次以(1)→(2)→(3)→(4)变化。在比较现场氟气发生装置1a～1e的气体供给能力和半导体制造装置3a～3e的气体消耗能力的情况下，在通常运转时前者应该超过后者，在该条件下根据压力计6的发报在(1)和(2)之间循环。在比较现场氟气发生装置1a～1e的气体供给能力和半导体制造装置3a～3e的气体消耗能力的情况下，当后者超过前者时，发生转移到(3)或(4)的情况。
在气体供给系统2中发生进行某种维护的需要的情况下，将该装置切换到维护模式，从能够绕过气体供给系统2进行气体供给的现场氟气发生装置1a～1e中的任意一个向需要气体的半导体制造装置3a～3e进行供给氟气的动作。通过该控制成为可能，在停止气体供给系统2的情况下，因为能够迅速地变更气体供给路径，所以不必暂停半导体制造装置3a～3e的半导体制造工序，半导体制造装置3a～3e能够连续运转。
具体而言，在气体供给系统2中以绕过贮藏罐12的路径进行气体供给的状态下，切断阀7a～7e根据现场氟气发生装置1a～1e内的气体压力状态开闭，切断阀8a～8e只要从现场氟气发生装置1a～1e无异常信号发生的话成为打开状态，切断阀10、11a、11b成为关闭状态，打开旁通路径的切断阀9。切断阀15a～15e对应于半导体制造装置的气体供给要求信号而开闭。
再有，也可以使从序列发生器发送的现场氟气发生装置1a～1e或贮藏罐12的状态(维护模式)信息，能够总是在与半导体制造装置3a～3e连接的显示器具(未图示)上显示。此外，在序列发生器中，采用这些表示状态的信号，把握半导体制造设备100中的气体供给状态，此外，在转移到气体供给困难的事件的期间，也可以进行预告以便采取气体使用量的调整等某种对策。
通过在气体供给系统2的后级设置加压器13能够提高气体供给能力。再有，贮藏罐12在内部贮藏气体的压力充分高时(上述满贮藏或部分使用等状态)，能够以气体具有的自压而自然地供给。在仅以自压难以或不能向半导体制造装置3a～3e供给的状态之前，在气体压力降低时(上述减少I(供给困难)或减少II(不能供给)等状态)需要通过加压器13升压。因此，如图1所示，在气体供给系统2中设置有:具有出口侧切断阀11a的用于以自压供给气体的管路(第一路径)，和具有出口侧切断阀11b的利用加压器13供给气体的管路(第二路径)。而且，在以自压气体供给时，打开出口侧切断阀11a而出口侧切断阀11b关闭，不使加压器13工作。在利用加压器13供给气体时，打开出口侧切断阀11b，使加压器13工作，将残留在贮藏罐12内的气体吸出，在升压后向半导体制造装置3a～3e供给。通过这样做能够将在结束以自压供给气体后的贮藏罐12内的气体进一步供给。
氟气发生装置1a～1e还具有:在由于维护或异常发生而变得不能供给气体的情况下，对于相关装置，向序列发生器输出表示不能供给气体的异常信号b的功能。序列发生器如果没有收到来自氟气发生装置1a～1e的异常信号b，则指示气体供给系统2内部具有的切断阀8a～8e为打开状态，成为打开各阀的状态。
氟气发生装置1a～1e是否能够对贮藏罐12实施气体供给，如图1所示，在切断阀7a～7e各自的上游侧和下游侧设置压力计4a～4e和压力计5a～5e，监视这些压力计的压力差(例如压力计4a和压力计5a的压力值的差)，基于该信息序列发生器使切断阀7a～7e开闭，向后级的气体供给系统2进行气体供给。
在现场氟气发生装置1a～1e的氟气压力低的情况下，即使作为现场氟气发生装置1a～1e的动作进行气体发生，实际上也不能向后级的气体供给系统2实施气体供给。此时，当意外打开切断阀7a～7e，使现场氟气发生装置1a～1e与气体供给系统2连接起来时，气体供给系统2超过现场氟气发生装置1a～1e的气体供给能力，气体从气体供给系统2侧向现场氟气发生装置1a～1e侧倒流。这种现象有阻碍从气体供给系统2向半导体制造装置3a～3e的气体供给的担忧，这也是会对半导体制造工序造成影响的问题。
具体而言，切断阀7a～7e的开闭条件如下。
(在压力计4a～4e的读取值>压力计5a～5e的读取值时)
在现场氟气发生装置1a～1e中，判定为充分地发生了能够向后级供给的气体，维持切断阀7a～7e的打开状态。或者，在切断阀7a～7e关闭的状态下，当压力计的读取值变成该状态的情况下，打开切断阀7a～7e。
(在压力计4a～4e的读取值＝压力计5a～5e的读取值时)
在切断阀7a～7e关闭的状态下，当压力计的读取值达到该状态时，切断阀7a～7e维持关闭状态。在切断阀7a～7e打开的状态下，当压力计的读取值变成该状态时，将打开状态保持一定时间。这里，一定时间例如是1分钟、3分钟、5分钟等单位时间。在经过该单位时间后关闭切断阀7a～7e。
(在压力计4a～4e的读取值<压力计5a～5e的读取值时)
在现场氟气发生装置1a～1e中，判定为没有充分地发生能够向后级供给的气体，不打开切断阀7a～7e。或者，在切断阀7a～7e打开的状态下，当压力计的读取值变成该状态的情况下，关闭切断阀7a～7e。
只要是上述结构，只要现场氟气发生装置1a～1e启动的话，由于在其内部充分地具有可供给的氟气，能够通过供给可否决定单元判定为可供给，能够向贮藏罐12实施气体供给。此外在现场氟气发生装置1a～1e中没有充分地具有氟气的情况下，能够否决与气体供给系统2的连接。
在现场氟气发生装置1a～1e实施定期/不定期的维护时，需要在1～3天左右的期间使来自某一台现场氟气发生装置的气体供给停止。作为替代供给在贮藏罐12内贮藏的气体。此时在半导体制造装置3a～3e不能识别气体供给源切换的情况而使用的情况下，特别是在多台装置不规则地消耗气体的情况下，有供给不足发生的担忧。当气体供给不足时，半导体制造装置3a～3e即使在预先程序化的一系列制造工序的中途也被序列发生器停止工作。此时，在成为气体供给对象的半导体制造装置3a～3e内容纳的全部Si晶片都被不良品处理，作为半导体制造工厂的损失非常大。
现场氟气发生装置1a～1e具有在不能供给气体的情况下输出表示气体不能供给的异常信号b的功能。在半导体制造设备100中具有接收从现场氟气发生装置1a～1e发报的异常信号b的功能，可以将存在无法气体供给的现场氟气发生装置1a～1e的情况，例如在包含序列发生器的控制器具上显示。此外，本系统在现场氟气发生装置1a～1e中变为异常状态的现场氟气发生装置发出异常信号b后，将对应于变为异常状态的现场氟气发生装置的切断阀8a～8e的任意一个关闭。通过任意一台的氟气发生装置停止气体供给，气体供给能力下降相应的量，但是使用贮藏罐12内残存的气体和从其它氟气发生装置供给的气体，向半导体制造装置3a～3e供给规定量的氟气。
在半导体制造装置3a～3e中，在某种异常(例如气体泄漏)发生的情况下，在继续来自气体供给系统2的气体供给的情况下，有发生二次灾害的担忧。
半导体制造装置3a～3e具有在需要氟气时能够向序列发生器发送供给要求信号的功能。当序列发生器从半导体制造装置3a～3e收到供给要求信号时，对与发送供给要求信号的半导体制造装置3a～3e对应的任意一个切断阀15a～15e施加打开的指示，使其打开。此外，在半导体制造装置3a～3e中发生异常而发送异常信号c并且序列发生器接收的情况下，根据序列发生器的控制关闭切断阀15a～15e或者不使其打开。由此，在半导体制造装置3a～3e中发生异常的情况下，不会供给氟气。因此，不会导致危险状态，此外也没有污染贮藏罐12内贮藏的气体的担忧。
再有，本发明在不脱离专利要求的范围内可以变更设计，而不限于上述实施方式或实施例。例如，虽然在上述实施方式或实施例中，表示了分别设置多台氟气发生装置和半导体制造装置的情况，但是只要分别设置一台以上即可。

Claims (8)

1.一种半导体制造设备，其特征在于，
至少一台的氟气发生装置和至少一台的半导体制造装置经由气体供给系统连接，该气体供给系统具有能够贮藏规定量的在上述氟气发生装置发生的氟气的贮藏罐，
在上述氟气发生装置停止时，通过从贮藏有规定量的氟气的上述贮藏罐向上述半导体制造装置供给氟气，维持上述半导体制造装置的运用。
2.根据权利要求1所述的半导体制造设备，其特征在于，
上述气体供给系统具有:压力监视单元，检测上述贮藏罐内的压力，根据该检测出的压力值来检测上述贮藏罐内的贮藏量；压力值转换单元，将上述压力值转换为信号；以及信号发送单元，将在上述信号转换单元转换的信号向上述半导体制造装置输出，
上述半导体制造装置具有:信号接收单元，接收来自上述信号发送单元的信号；信号转换单元，将在上述信号接收单元接收的信号转换为压力值；以及显示单元，显示在上述信号转换单元导出的压力值。
3.根据权利要求1或2所述的半导体制造设备，其特征在于，
上述气体供给系统具有:入口侧切断阀和出口侧切断阀，分别设置在上述贮藏罐的上游侧和下游侧；旁通管路，绕过上述贮藏罐而连接上述氟气发生装置和上述半导体制造装置；旁通管路用切断阀，设置在上述旁通管路的中途；以及切断阀控制单元，控制上述切断阀的每个，
上述切断阀控制单元在上述气体供给系统通常运转时，以关闭上述旁通管路用切断阀，打开上述入口侧切断阀和上述出口侧切断阀，经由上述贮藏罐向需要气体的上述半导体制造装置供给氟气的方式进行控制，在上述气体供给系统因维护或故障停止时，以将气体供给系统切换到维护模式，关闭上述入口侧切断阀和上述出口侧切断阀，打开上述旁通管路用切断阀，绕过上述贮藏罐，从能够供给气体的上述氟气发生装置向需要气体的上述半导体制造装置供给氟气的方式进行控制。
4.根据权利要求1或2所述的半导体制造设备，其特征在于，
在上述氟气发生装置和上述气体供给系统的连接部分上分别设置氟气发生装置用切断阀，
在各上述氟气发生装置用切断阀的上游侧和下游侧上分别设置氟气发生装置用压力检测单元，
还具有:气体供给可否决定单元，对在各上述氟气发生装置用压力检测单元检测出的各上述氟气发生装置与上述气体供给系统的压力值的差进行监视，决定从各上述氟气发生装置向上述贮藏罐的氟气供给的可否。
5.根据权利要求1或2所述的半导体制造设备，其特征在于，
上述氟气发生装置具有:氟气发生装置用判定单元，在以上述氟气发生装置内部具有的传感器检测出内部异常时，基于来自上述传感器的信号发出异常信号，
上述气体供给系统具有:氟气发生装置用异常信号接收单元，接收从上述氟气发生装置用判定单元发出的异常信号，
上述氟气发生装置用异常信号接收单元，在接收到从上述氟气发生装置用判定单元发送的异常信号时，在上述气体供给系统和各上述氟气发生装置的连接间，对上述氟气发生装置用切断阀发送信号使其关闭。
6.根据权利要求1或2所述的半导体制造设备，其特征在于，
在各上述半导体制造装置和上述气体供给系统的连接间分别设置半导体制造装置用切断阀，
上述半导体制造装置具有:半导体制造装置用判定单元，在以上述半导体制造装置内部具有的传感器检测出内部异常时，基于来自上述传感器的信号发生异常信号，
上述气体供给系统具有:半导体制造装置用异常信号接收单元，接收从上述半导体制造装置用判定单元发出的异常信号，
上述半导体制造装置用异常信号接收单元，在接收到从上述半导体制造装置用判定单元发出的异常信号时，将信号向上述半导体制造装置用切断阀发送而使其关闭。
7.根据权利要求1或2所述的半导体制造设备，其特征在于，
上述气体供给系统还具有:
第一路径，能够以上述贮藏罐内的自压向上述半导体制造装置供给氟气，在中途具有第一贮藏罐用切断阀；
第二路径，在中途具有调整来自贮藏罐的气体出口压力的压力调整单元、以及设置在上述压力调整单元和上述贮藏罐之间的第二贮藏罐用切断阀；
路径用压力检测单元，设置在上述贮藏罐和上述半导体制造装置之间的路径或者上述第二路径上，能够检测上述第一路径或上述第二路径内的压力；
路径控制单元，通过上述路径用压力检测单元检测出的压力值控制上述第一路径与上述第二路径的切换；以及
工作控制单元，在通过上述路径控制单元切换到上述第二路径时，控制上述压力调整单元的工作。
8.根据权利要求1或2所述的半导体制造设备，其特征在于，
上述氟气发生装置、上述气体供给系统和上述半导体制造装置，分别容纳在具有排气机构的壳体内，
上述排气机构具有:氟气或氟化氢气体检测器，检测氟气或氟化氢气体。
CN2007800050028A 2006-02-07 2007-02-07 半导体制造设备 Expired - Fee Related CN101379592B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006029299A JP4018726B2 (ja) 2006-02-07 2006-02-07 半導体製造プラント
JP029299/2006 2006-02-07
PCT/JP2007/052087 WO2007091583A1 (ja) 2006-02-07 2007-02-07 半導体製造プラント

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101379592A true CN101379592A (zh) 2009-03-04
CN101379592B CN101379592B (zh) 2011-11-16

Family

ID=38345179

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2007800050028A Expired - Fee Related CN101379592B (zh) 2006-02-07 2007-02-07 半导体制造设备

Country Status (8)

Country Link
US (1) US8387559B2 (zh)
EP (1) EP2012345A4 (zh)
JP (1) JP4018726B2 (zh)
KR (1) KR101230207B1 (zh)
CN (1) CN101379592B (zh)
CA (1) CA2641563A1 (zh)
TW (1) TW200741802A (zh)
WO (1) WO2007091583A1 (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102597311A (zh) * 2009-09-04 2012-07-18 东洋炭素株式会社 气体供给系统
CN106796424A (zh) * 2014-10-10 2017-05-31 朗姆研究公司 半导体制造设备的移动连通性和控制

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4018726B2 (ja) * 2006-02-07 2007-12-05 東洋炭素株式会社 半導体製造プラント
KR200469867Y1 (ko) * 2013-03-05 2013-11-08 (주)엑셀시오 반도체 및 디스플레이 제조 설비용 매뉴얼 밸브의 제어 및 모니터링 장치
WO2015162868A1 (ja) * 2014-04-24 2015-10-29 東洋炭素株式会社 反応装置

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6272117A (ja) * 1985-09-26 1987-04-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd 揮発性物質の気化装置
JPH04352326A (ja) * 1991-05-29 1992-12-07 Tokyo Electron Ltd 微細加工装置
JPH09306825A (ja) 1996-05-10 1997-11-28 Canon Inc 半導体製造装置
GB9904925D0 (en) 1999-03-04 1999-04-28 Surface Tech Sys Ltd Gas delivery system
WO2001077412A1 (fr) * 2000-04-07 2001-10-18 Toyo Tanso Co., Ltd. Appareil pour la production de fluor gazeux
JP3645495B2 (ja) * 2000-04-07 2005-05-11 東洋炭素株式会社 フッ素ガス発生装置
US20040151656A1 (en) * 2001-11-26 2004-08-05 Siegele Stephen H. Modular molecular halogen gas generation system
US20030121796A1 (en) 2001-11-26 2003-07-03 Siegele Stephen H Generation and distribution of molecular fluorine within a fabrication facility
JP3725822B2 (ja) * 2001-12-27 2005-12-14 レール・リキード−ソシエテ・アノニム・ア・ディレクトワール・エ・コンセイユ・ドゥ・スールベイランス・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード フッ素ガス生成及び供給装置
JP2003257870A (ja) * 2002-02-28 2003-09-12 Nippon Sanso Corp 半導体装置の製造システム及びガス供給方法
JP4294910B2 (ja) * 2002-03-27 2009-07-15 株式会社東芝 半導体デバイス製造プラントにおける物質供給システム
KR100905710B1 (ko) * 2002-09-19 2009-07-01 삼성전자주식회사 반도체 제조 공정으로 가스를 공급하기 위한 가스 운반시스템
JP3617835B2 (ja) 2002-09-20 2005-02-09 東洋炭素株式会社 フッ素ガス発生装置
JP3527735B1 (ja) * 2002-11-20 2004-05-17 東洋炭素株式会社 フッ素ガス発生装置
JP2005024068A (ja) * 2003-07-02 2005-01-27 Toyo Tanso Kk ハロゲンガス又はハロゲン含有ガスの供給装置
JP2005052724A (ja) * 2003-08-04 2005-03-03 Hideki Yamamoto フッ素系ガスの無害化処理方法および無害化処理装置
JP4018726B2 (ja) * 2006-02-07 2007-12-05 東洋炭素株式会社 半導体製造プラント
JP2009024222A (ja) * 2007-07-20 2009-02-05 Toyo Tanso Kk フッ素系ガス及び水素ガス発生装置
JP5679139B2 (ja) * 2008-03-06 2015-03-04 東洋炭素株式会社 表面処理装置
JP2009213947A (ja) * 2008-03-06 2009-09-24 Toyo Tanso Kk 表面処理装置
JP5238299B2 (ja) * 2008-03-10 2013-07-17 東洋炭素株式会社 フッ素ガス発生装置

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102597311A (zh) * 2009-09-04 2012-07-18 东洋炭素株式会社 气体供给系统
CN102597311B (zh) * 2009-09-04 2014-07-02 东洋炭素株式会社 气体供给系统
US9109288B2 (en) 2009-09-04 2015-08-18 Toyo Tanso Co., Ltd. Gas supply system
CN106796424A (zh) * 2014-10-10 2017-05-31 朗姆研究公司 半导体制造设备的移动连通性和控制
CN106796424B (zh) * 2014-10-10 2019-05-21 朗姆研究公司 半导体制造设备的移动连通性和控制

Also Published As

Publication number Publication date
KR101230207B1 (ko) 2013-02-05
EP2012345A4 (en) 2012-04-18
CN101379592B (zh) 2011-11-16
WO2007091583A1 (ja) 2007-08-16
TW200741802A (en) 2007-11-01
US8387559B2 (en) 2013-03-05
US20100064969A1 (en) 2010-03-18
EP2012345A1 (en) 2009-01-07
JP4018726B2 (ja) 2007-12-05
CA2641563A1 (en) 2007-08-16
KR20080093150A (ko) 2008-10-20
JP2007211261A (ja) 2007-08-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101379592B (zh) 半导体制造设备
AU2007349888B2 (en) Vanadium redox battery incorporating multiple electrolyte reservoirs
KR100963187B1 (ko) 초고순도 또는 오염 민감성 화학 물질의 자동 리필 시스템
US8250849B2 (en) Power system with computer-controlled fuel system
EP3655143B1 (en) Gas supply system
WO2005100845A2 (en) Spray nozzle with alignment key for asymmetrical spray pattern
JP2004006621A (ja) マニホールドおよびそれを備えた薬品の送出に有用なシステム
US9273536B2 (en) Subsea intervention system
US20060263656A1 (en) Power system with reformer
EP2474644B1 (en) Gas supply system
US20090047564A1 (en) Electrical Power Consuming Installation Using a Fuel Cell and Method of Supplying One Such Installation
KR101946528B1 (ko) 수충격방지 제어시스템
KR102065184B1 (ko) Lng 벙커링용 밸브 제어 및 모니터링 시스템
JP6412393B2 (ja) 液化ガス消費設備での燃料ガス配送警告方法
JP2015052553A (ja) ガス漏れ監視装置
US20150028122A1 (en) Supervised nitrogen cylinder inerting system for fire protection sprinkler system and method of inerting a fire protection sprinkler system
CN217153811U (zh) 焊接绝热气瓶自动切换装置
CN219953686U (zh) 一种高旁油站油泵出口模块结构
CN220727944U (zh) 一种连续供气的压缩空气控制系统
JP6966228B2 (ja) 制御棒駆動システムおよび制御棒駆動システムの点検方法
US20030083774A1 (en) Integrated utility backup system
JP2004094658A (ja) ガバナのメンテナンス管理方法
CN113066641A (zh) 排油装置和系统
WO2009035976A2 (en) Systems and methods for verifying fuel cell feed line functionality
JP2006090453A (ja) ガス供給装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20160613

Address after: Osaka City, Osaka of Japan

Patentee after: Toyo Tanso Co., Ltd.

Address before: Osaka Japan

Patentee before: Toyo Tanso Co., Ltd.

Patentee before: Tokyo Electron Limited

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20111116

Termination date: 20170207