JPS6272117A - 揮発性物質の気化装置 - Google Patents
揮発性物質の気化装置Info
- Publication number
- JPS6272117A JPS6272117A JP21290485A JP21290485A JPS6272117A JP S6272117 A JPS6272117 A JP S6272117A JP 21290485 A JP21290485 A JP 21290485A JP 21290485 A JP21290485 A JP 21290485A JP S6272117 A JPS6272117 A JP S6272117A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- pressure
- pipe
- volatile substance
- inflow pipe
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、蒸気圧の高い液体状の揮発性物質の気化装置
に関するものである。
に関するものである。
従来の技術
化合物半導体の気相成長（たとえば・・ライド気相エピ
タキシャル成長法や有機金属気相成長法）。
タキシャル成長法や有機金属気相成長法）。
ＣＶＤ法による電極形成（たとえばモリプデ／電極の形
成）等、半導体装置の結晶成長やプロセスにおいて、揮
発性物質を気化させて、それを原料として用いているこ
とが多い。
成）等、半導体装置の結晶成長やプロセスにおいて、揮
発性物質を気化させて、それを原料として用いているこ
とが多い。
その−例として、揮発性物質である有機金属（アルキル
化物）を原料として用いる有機金属気相成長法（Ｍｅｔ
ａｌ−Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ
Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、略してＭＯＣＶＤ）がある。こ
の場合一般に、高い蒸気圧の液体である有機金属にキャ
リアガスを流し込み、その蒸気を含ませて炉へ供給して
いる。このときの有機金属の気化装置は、第７図に示す
ような構造をしている。キャリアガスはガス流入管１を
通して有機金属である揮発性物質２の入った容器３に流
入する。ガス流入管１の先端部４は揮発性物質２の中に
挿入されているので、流入したキャリアガスは気泡とな
って揮発性物質内を液面まで上ってくる。これをバブリ
ングと呼んでいる。バブリングしたキャリアガスは気化
した揮発性物質の蒸気を含み、かス排気管５を通って容
器から排出される。したがってこのような構造の揮発性
物質の気化装置を用いて結晶を気相成長する場合、ガス
流入管１は、気相成長装置のキャリアガス供給源側、ガ
ス排出管５は、気相成長装置の成長反応部側のガス管に
それぞれ接続される。そしてキャリアガス供給源からキ
ャリアガスがガス流入管１に供給されて、バグリングに
より揮発性物質が気化する。気化した揮発性物質は、キ
ャリアガスに含まれてガス排出管６より気相成長反応部
へ供給され、結晶成長反応がおこるわけである。
化物）を原料として用いる有機金属気相成長法（Ｍｅｔ
ａｌ−Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ
Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、略してＭＯＣＶＤ）がある。こ
の場合一般に、高い蒸気圧の液体である有機金属にキャ
リアガスを流し込み、その蒸気を含ませて炉へ供給して
いる。このときの有機金属の気化装置は、第７図に示す
ような構造をしている。キャリアガスはガス流入管１を
通して有機金属である揮発性物質２の入った容器３に流
入する。ガス流入管１の先端部４は揮発性物質２の中に
挿入されているので、流入したキャリアガスは気泡とな
って揮発性物質内を液面まで上ってくる。これをバブリ
ングと呼んでいる。バブリングしたキャリアガスは気化
した揮発性物質の蒸気を含み、かス排気管５を通って容
器から排出される。したがってこのような構造の揮発性
物質の気化装置を用いて結晶を気相成長する場合、ガス
流入管１は、気相成長装置のキャリアガス供給源側、ガ
ス排出管５は、気相成長装置の成長反応部側のガス管に
それぞれ接続される。そしてキャリアガス供給源からキ
ャリアガスがガス流入管１に供給されて、バグリングに
より揮発性物質が気化する。気化した揮発性物質は、キ
ャリアガスに含まれてガス排出管６より気相成長反応部
へ供給され、結晶成長反応がおこるわけである。
発明が解決しようとする問題点
ところがこのような構造をもつ揮発性物質の気化装置で
は、ガス流入管のガス圧が、キャリアガス供給源のガス
圧低下やガスリーク等何らかの原因で低下した場合やガ
ス排気管のガス圧が、成長反応部側のガス系の詰り等の
原因で上昇した場合において、ガス排出管内のガス圧が
ガス流入管内のガス圧よりも高くなると、容器内の揮発
性物質がガス流入管へ押し出されてしまうという欠点が
あった。
は、ガス流入管のガス圧が、キャリアガス供給源のガス
圧低下やガスリーク等何らかの原因で低下した場合やガ
ス排気管のガス圧が、成長反応部側のガス系の詰り等の
原因で上昇した場合において、ガス排出管内のガス圧が
ガス流入管内のガス圧よりも高くなると、容器内の揮発
性物質がガス流入管へ押し出されてしまうという欠点が
あった。
揮発性物質の気化装置は、通常恒温槽等である一定の温
度に保つことで、その蒸気圧を一定にして、キャリアガ
スの流量によって揮発性物質の供給量を制御する。とこ
ろが前述のようにガス流入管側へ逆流し、管壁に付着し
たり、溜ったりすると、温度が一定に保たれていない揮
発性物質からの気化が生じるため、揮発性物質の供給量
の制御が困難となってしまう。また、揮発性物質が有機
金属のように不安定な物質で、空気等と激しく反応した
り、自然発火する場合、揮発性物質の気化装置の交換時
に、ガス管をはずすことが非常に危険となる。
度に保つことで、その蒸気圧を一定にして、キャリアガ
スの流量によって揮発性物質の供給量を制御する。とこ
ろが前述のようにガス流入管側へ逆流し、管壁に付着し
たり、溜ったりすると、温度が一定に保たれていない揮
発性物質からの気化が生じるため、揮発性物質の供給量
の制御が困難となってしまう。また、揮発性物質が有機
金属のように不安定な物質で、空気等と激しく反応した
り、自然発火する場合、揮発性物質の気化装置の交換時
に、ガス管をはずすことが非常に危険となる。
本発明はかかる点を鑑みてなされたもので、揮発性物質
がガス流入管側へ押し出され、逆流することを防ぐ揮発
性物質の気化装置を提供することを目的としている。
がガス流入管側へ押し出され、逆流することを防ぐ揮発
性物質の気化装置を提供することを目的としている。
問題点を解決するための手段
前述の問題点を解決する本発明の技術的手段は、揮発性
物質中に先端部が挿入されたガス流入管と、気化した前
記揮発性物質を含んだガスを排出するガス排出管と、前
記ガス流入管と前記ガス排出管を結ぶバイパス管と、前
記バイパス管の途中に、前記ガス排出管内のガス圧が前
記ガス流入管内のガス圧よりも高い場合に、前記ガス排
出管側から前記ガス流入管側へ前記バイパス管を通して
ガスを流す圧力調整器とを備えるものである。
物質中に先端部が挿入されたガス流入管と、気化した前
記揮発性物質を含んだガスを排出するガス排出管と、前
記ガス流入管と前記ガス排出管を結ぶバイパス管と、前
記バイパス管の途中に、前記ガス排出管内のガス圧が前
記ガス流入管内のガス圧よりも高い場合に、前記ガス排
出管側から前記ガス流入管側へ前記バイパス管を通して
ガスを流す圧力調整器とを備えるものである。
または、揮発性物質中に挿入されたガス流入管と、気化
した前記揮発性物質を含んだガスを排出するガス排出管
と、前記ガス流入管と前記ガス排出管との圧力差を検知
する差圧計と、前記ガス流入管と前記ガス排出管とを結
ぶバイパス管と、前記バイパス管の途中に前記差圧計と
連動し、前記ガス排出管内のガス圧が前記ガス流入管内
のガス圧より高い場合に弁が開く圧力調整弁とを備える
ものである。
した前記揮発性物質を含んだガスを排出するガス排出管
と、前記ガス流入管と前記ガス排出管との圧力差を検知
する差圧計と、前記ガス流入管と前記ガス排出管とを結
ぶバイパス管と、前記バイパス管の途中に前記差圧計と
連動し、前記ガス排出管内のガス圧が前記ガス流入管内
のガス圧より高い場合に弁が開く圧力調整弁とを備える
ものである。
作 用
この技術的手段による作用は次のようになる。
揮発性物質が、ガス流入管へ押し出されるような状態、
すなわち、ガス排出管内のガス圧が、ガス流入管内のガ
ス圧より高くなった場合に、圧力調整器によってガス排
出管内のキャリアガスが、バイパス管を通じてガス流入
管へ流れ、双方の圧力差を零にしてしまう０このため、
揮発性物質はガス流入管へ押し出されることがなくなる
。
すなわち、ガス排出管内のガス圧が、ガス流入管内のガ
ス圧より高くなった場合に、圧力調整器によってガス排
出管内のキャリアガスが、バイパス管を通じてガス流入
管へ流れ、双方の圧力差を零にしてしまう０このため、
揮発性物質はガス流入管へ押し出されることがなくなる
。
実施例
以下、本発明の実施例を添付図面に基づいて説明する。
なお本実施例では、揮発性物質としては有機金属（アル
キル化物）であり、有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ）
の原料として用いる場合について示すが、揮発性物質は
有機金属に限るものでもなく、また揮発性物質を気化さ
せて用いる装置であれば、いかなる装置にこの気化装置
を接続しても本発明は適用される。
キル化物）であり、有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ）
の原料として用いる場合について示すが、揮発性物質は
有機金属に限るものでもなく、また揮発性物質を気化さ
せて用いる装置であれば、いかなる装置にこの気化装置
を接続しても本発明は適用される。
本発明の一実施例を第１図に示す。１はキャリアガスの
ガス流入管である。２は揮発性物質であシ、容器３に入
っている。ガス流入管１の先端部４は揮発性物質２の中
に挿入されている。一方６は気化した揮発性物質を含ん
だキャリアガスが排出されるガス排出管である。そして
ガス流入管１とガス排出管５とはバイパス管６でもって
直結されており、またガス排出管６のガス圧がガス流入
管１のガス圧よシ高くなった場合、バイパス管ｅを通じ
てガス排出管６側からガス流入管１側へガスを流す圧力
調整器７がバイパス管６の途中に接続されている。この
圧力調整器７の作用は第２図に示すように調整器のＢ側
の圧力がＡ側の圧力より高くなった場合のみ、弁などが
開いてガスがＢからＡへ流れる。そして双方が同圧力に
なると弁などが閉じてガスの流れは止まる。圧力調整器
の機構は従来からある安全弁、逆上弁の機構から容易に
推察できる。その−例として第３図のようにバネ３１を
用いた圧力調整器がある。すなわち、Ｂ側の圧力がＡ側
の圧力より高くなるとバネ３１はＡ側へ伸び、すき間３
２が生じてガスが、圧力差に応じてＢからＡに流れる。
ガス流入管である。２は揮発性物質であシ、容器３に入
っている。ガス流入管１の先端部４は揮発性物質２の中
に挿入されている。一方６は気化した揮発性物質を含ん
だキャリアガスが排出されるガス排出管である。そして
ガス流入管１とガス排出管５とはバイパス管６でもって
直結されており、またガス排出管６のガス圧がガス流入
管１のガス圧よシ高くなった場合、バイパス管ｅを通じ
てガス排出管６側からガス流入管１側へガスを流す圧力
調整器７がバイパス管６の途中に接続されている。この
圧力調整器７の作用は第２図に示すように調整器のＢ側
の圧力がＡ側の圧力より高くなった場合のみ、弁などが
開いてガスがＢからＡへ流れる。そして双方が同圧力に
なると弁などが閉じてガスの流れは止まる。圧力調整器
の機構は従来からある安全弁、逆上弁の機構から容易に
推察できる。その−例として第３図のようにバネ３１を
用いた圧力調整器がある。すなわち、Ｂ側の圧力がＡ側
の圧力より高くなるとバネ３１はＡ側へ伸び、すき間３
２が生じてガスが、圧力差に応じてＢからＡに流れる。
ＢとＡの圧力が同じになるとバネ３１は元へ戻り、すき
間３２は閉じてガスの流れは止ってしまう。圧力調整器
の機構は、第２図に示すような働きをするものであれば
、第３図に示した機構に限らない。
間３２は閉じてガスの流れは止ってしまう。圧力調整器
の機構は、第２図に示すような働きをするものであれば
、第３図に示した機構に限らない。
次に第１図に示した実施例の作用について説明する。通
常は、ガス流入管１側のガス圧がガス排出管６側のガス
圧より高めにして使用する。そうするとキャリアガスは
ガス流入管１を通って、揮発性物質２の入った容器３に
流入し、バブリングして気化した揮発性物質を含む０揮
発性物質を含んだキャリアガスはガス排気管６を通って
排出される。ところが前述したように何らかの原因でガ
ス排出管６側のガス圧がガス流入管１のガス圧より高く
なった場合、第２図で示したように圧力調整器子の働き
によってバイパス管６を通じてガス排気管６側からガス
流入管１側へキャリアガスが流れて、両者のガス圧を同
じにすることにより、揮発性物質２がガス流入管１へ押
し出されることを防止する。
常は、ガス流入管１側のガス圧がガス排出管６側のガス
圧より高めにして使用する。そうするとキャリアガスは
ガス流入管１を通って、揮発性物質２の入った容器３に
流入し、バブリングして気化した揮発性物質を含む０揮
発性物質を含んだキャリアガスはガス排気管６を通って
排出される。ところが前述したように何らかの原因でガ
ス排出管６側のガス圧がガス流入管１のガス圧より高く
なった場合、第２図で示したように圧力調整器子の働き
によってバイパス管６を通じてガス排気管６側からガス
流入管１側へキャリアガスが流れて、両者のガス圧を同
じにすることにより、揮発性物質２がガス流入管１へ押
し出されることを防止する。
以上のような機構をもつ揮発性物質の気化装置の使用例
を第４図に示す。揮発性物質は有機金属のトリエチルイ
ンジウム４１ （Ｔ Ｅ Ｉ 、（Ｃ２Ｈ６）３Ｉｎ）
およびトリエチルガリウム４２（ＴＥＧ。
を第４図に示す。揮発性物質は有機金属のトリエチルイ
ンジウム４１ （Ｔ Ｅ Ｉ 、（Ｃ２Ｈ６）３Ｉｎ）
およびトリエチルガリウム４２（ＴＥＧ。
（Ｃ２Ｈ６）３Ｇａ ）であり、ＩｎＧａＡｓＰのＭＯ
ＣＶＤ成長の原料として用いられる場合を示す。第１図
に示した本発明の一実施例の揮発性物質の気化装置は、
４３および４４の部分に接続されている。
ＣＶＤ成長の原料として用いられる場合を示す。第１図
に示した本発明の一実施例の揮発性物質の気化装置は、
４３および４４の部分に接続されている。
キャリアガスである水素（Ｈ２）はマスフロー４６およ
び４６で、それぞれ３５０ （Ａ ／ ’ＩＨＲおよび
８０ｃｃ／ｍ１ｙｒに制御されてそれぞれの気化装置の
ガス流入管１を通じてＴＥＩ４１ 、およびＴＥＧ４２
へ流れ込み、バブリングして気化させる。気化したＴＥ
ＩおよびＴＥＧを含んだ水素はそれぞれのガス排気管６
を通じてＭＯＣＶＤ成長炉４７へ供給される。一方、Ｐ
およびＡｓの原料としては、水素で５チに希釈したＰＨ
３４８（ボスフィン）および水素で６チに希釈したＡ
ｓ Ｈｓ ４９ （アルシン）が用いられ、それぞれ
マスフロー６０．およ°び６１で１７ｏｃｃ７ｍｉｎ、
および１００ｃｃ／ｒｒｕＲに流量制御されたのち、成
長炉４７へ供給される。成長炉４７では基板６２を６７
０℃に加熱し、供給された原料の熱分解反応によって基
板６２上にＩｎＧａＡｇＰ 四元混晶がエピタキシャ
ル成長する。
び４６で、それぞれ３５０ （Ａ ／ ’ＩＨＲおよび
８０ｃｃ／ｍ１ｙｒに制御されてそれぞれの気化装置の
ガス流入管１を通じてＴＥＩ４１ 、およびＴＥＧ４２
へ流れ込み、バブリングして気化させる。気化したＴＥ
ＩおよびＴＥＧを含んだ水素はそれぞれのガス排気管６
を通じてＭＯＣＶＤ成長炉４７へ供給される。一方、Ｐ
およびＡｓの原料としては、水素で５チに希釈したＰＨ
３４８（ボスフィン）および水素で６チに希釈したＡ
ｓ Ｈｓ ４９ （アルシン）が用いられ、それぞれ
マスフロー６０．およ°び６１で１７ｏｃｃ７ｍｉｎ、
および１００ｃｃ／ｒｒｕＲに流量制御されたのち、成
長炉４７へ供給される。成長炉４７では基板６２を６７
０℃に加熱し、供給された原料の熱分解反応によって基
板６２上にＩｎＧａＡｇＰ 四元混晶がエピタキシャ
ル成長する。
ところが、水素供給源６３のガス圧が何らかの原因で低
下したり、水素供給源６３からガス流入管１の間でガス
リークが生じたり、またはガス排気管６から排ガス処理
装置６４の間でガス管が結ったシしてガス排出管６のガ
ス圧がガス流入管１のガス圧より高くなると、圧力調整
器７の働きにより、バイパス管６にキャリアガスがガス
排気管６からガス流入管１へ流れ、両者のガス圧力差が
なくなり、ＴＥＩ４１やＴＥＧ４２がガス流入管１へ押
し出されることが防げた。
下したり、水素供給源６３からガス流入管１の間でガス
リークが生じたり、またはガス排気管６から排ガス処理
装置６４の間でガス管が結ったシしてガス排出管６のガ
ス圧がガス流入管１のガス圧より高くなると、圧力調整
器７の働きにより、バイパス管６にキャリアガスがガス
排気管６からガス流入管１へ流れ、両者のガス圧力差が
なくなり、ＴＥＩ４１やＴＥＧ４２がガス流入管１へ押
し出されることが防げた。
本発明の第２の実施例を第５図に示す。第１図と同一構
成部には第１図と同じ番号を記す。第１ 。
成部には第１図と同じ番号を記す。第１ 。
図と同じく、１はガス流入管であり、その先端部４は、
容器３に入った揮発性物質２に挿入されている。５はガ
ス排気管であり、６はバイパス管である。第１図と異な
る点は、ガス流入管１とガス排出管６のガス圧の差を差
圧計６０で検知し、ガス排出管５のガス圧がガス流入管
１よりも高くなった場合に、差圧計６０と連動して弁が
開く圧力調整弁６１であるパルプを備えている点である
０したがってガス排出管５側のガス圧がガス流入管１の
ガス圧より高くなった場合差圧計がそれを検知し、連動
してパルプ６１の弁が開くため、キャリアガスがガス排
気管６側からガス流入管１側へ流れ、両者のガス圧差を
零にする。ガス圧差が零になると差圧計が検知し、ノ（
ルプθ１の弁が閉じる。よって、揮発性物質２がガス流
入管１へ押し出されることが防止できる。
容器３に入った揮発性物質２に挿入されている。５はガ
ス排気管であり、６はバイパス管である。第１図と異な
る点は、ガス流入管１とガス排出管６のガス圧の差を差
圧計６０で検知し、ガス排出管５のガス圧がガス流入管
１よりも高くなった場合に、差圧計６０と連動して弁が
開く圧力調整弁６１であるパルプを備えている点である
０したがってガス排出管５側のガス圧がガス流入管１の
ガス圧より高くなった場合差圧計がそれを検知し、連動
してパルプ６１の弁が開くため、キャリアガスがガス排
気管６側からガス流入管１側へ流れ、両者のガス圧差を
零にする。ガス圧差が零になると差圧計が検知し、ノ（
ルプθ１の弁が閉じる。よって、揮発性物質２がガス流
入管１へ押し出されることが防止できる。
本発明の第３の実施例を第６図に示す。第１図および第
５図と同−構造部には第１図および第６図と同じ番号を
記す。１はガス流入管であり、その先端部４は容器３に
入った揮発性物質２に挿入されている。６はガス排気管
であり、６はバイパス管である。ガス流入管１側のガス
圧は第１の圧力計７０で検知し、ガス排気管５側のガス
圧は圧力計７１で検知する。それぞれ検知されたガス圧
は比較冊子２で比較され、ガス排気管５側のガス圧がガ
ス流入管１側のガス圧より高い場合、連動して弁が開く
パルプの圧力調整弁６１を備えている。したがってガス
排出管６側のガス圧がガス流入管１のガス圧より高くな
った場合、パルプ６１の弁が開くため、キャリアガスが
ガス排気管６側からガス流入管１側へ流れ、両者のガス
圧が同じになる。両者のガス圧が同じになると比較器７
２で検知され、パルプ６１の弁が閉じる。これによって
揮発性物質２がガス流入管１へ押し出されることが防止
できる０ 圧力調整弁６１は、差圧計６０や比較冊子１と連動して
弁が自動的に開閉するものであれば電磁弁でも空気圧作
動パルプ等でも良い。
５図と同−構造部には第１図および第６図と同じ番号を
記す。１はガス流入管であり、その先端部４は容器３に
入った揮発性物質２に挿入されている。６はガス排気管
であり、６はバイパス管である。ガス流入管１側のガス
圧は第１の圧力計７０で検知し、ガス排気管５側のガス
圧は圧力計７１で検知する。それぞれ検知されたガス圧
は比較冊子２で比較され、ガス排気管５側のガス圧がガ
ス流入管１側のガス圧より高い場合、連動して弁が開く
パルプの圧力調整弁６１を備えている。したがってガス
排出管６側のガス圧がガス流入管１のガス圧より高くな
った場合、パルプ６１の弁が開くため、キャリアガスが
ガス排気管６側からガス流入管１側へ流れ、両者のガス
圧が同じになる。両者のガス圧が同じになると比較器７
２で検知され、パルプ６１の弁が閉じる。これによって
揮発性物質２がガス流入管１へ押し出されることが防止
できる０ 圧力調整弁６１は、差圧計６０や比較冊子１と連動して
弁が自動的に開閉するものであれば電磁弁でも空気圧作
動パルプ等でも良い。
発明の効果
以上のように本発明によれば、揮発性物質の気化装置の
ガス排出管のガス圧力がガス流入管のガス圧より高くな
り、揮発性物質がガス流入管へ押し出され、逆流するこ
とが未然に防止できるため、この事故によりガス流入管
側に揮発性物質が付着したり、溜ったりして揮発性物質
の供給量の制御が困難になったシ、また気化装置の交換
時の揮発性物質のもれによる危険性を除くことができ、
きわめて有用である。
ガス排出管のガス圧力がガス流入管のガス圧より高くな
り、揮発性物質がガス流入管へ押し出され、逆流するこ
とが未然に防止できるため、この事故によりガス流入管
側に揮発性物質が付着したり、溜ったりして揮発性物質
の供給量の制御が困難になったシ、また気化装置の交換
時の揮発性物質のもれによる危険性を除くことができ、
きわめて有用である。
第１図は本発明の一実施例の揮発性物質の気化装置の構
造概略図、第２図は圧力調整器の作用説明図、第３図は
圧力調整器の一例の機構概略図、第４図は本発明の一実
施例の一使用例の気相成長装置のガス系統概略図、第６
図は本発明の第２の実施例の揮発性物質の気化装置の構
造概略図、第６図は本発明の第３の実施例の揮発性物質
の気化装置の構造概略図、第７図は従来の揮発性物質の
気化装置の構造概略図である。 １・・・・・・ガス流入管、２・・・・・・揮発性物質
、４・・・・・・先端部、６・・・・・・ガス排気管、
６・・・・・・バイパス管、７・・・・・・圧力調整器
、６ｏ・・・・・・差圧計、６１・・・・・・圧力調整
弁、了０・・・・・・第１の圧力計、７１・・・・・・
第２の圧力計、７２・・・・・・比較器。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 圧力調整、呑 第２図 圧カラゞ Ａ≧Ｂ −一一僚、秋庁い、４．＜３−−
−；荒れる（ｅ、−、、Ａ）第３図 第５図 第６図 第７図 ／ Ｓ
造概略図、第２図は圧力調整器の作用説明図、第３図は
圧力調整器の一例の機構概略図、第４図は本発明の一実
施例の一使用例の気相成長装置のガス系統概略図、第６
図は本発明の第２の実施例の揮発性物質の気化装置の構
造概略図、第６図は本発明の第３の実施例の揮発性物質
の気化装置の構造概略図、第７図は従来の揮発性物質の
気化装置の構造概略図である。 １・・・・・・ガス流入管、２・・・・・・揮発性物質
、４・・・・・・先端部、６・・・・・・ガス排気管、
６・・・・・・バイパス管、７・・・・・・圧力調整器
、６ｏ・・・・・・差圧計、６１・・・・・・圧力調整
弁、了０・・・・・・第１の圧力計、７１・・・・・・
第２の圧力計、７２・・・・・・比較器。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 圧力調整、呑 第２図 圧カラゞ Ａ≧Ｂ −一一僚、秋庁い、４．＜３−−
−；荒れる（ｅ、−、、Ａ）第３図 第５図 第６図 第７図 ／ Ｓ
Claims (3)
- （１）揮発性物質中に先端部が挿入されたガス流入管と
、気化した前記揮発性物質を含んだガスを排出するガス
排出管と、前記ガス流入管と前記ガス排出管を結ぶバイ
パス管と、前記バイパス管の途中に前記ガス排出管内の
ガス圧が前記ガス流入管内のガス圧よりも高い場合に、
前記ガス排出管側から前記ガス流入管側へ前記バイパス
管を通してガスを流す圧力調整器とを備えていることを
特徴とする揮発性物質の気化装置。 - （２）揮発性物質中に先端部が挿入されたガス流入管と
、気化した前記揮発性物質を含んだガスを排出するガス
排出管と、前記ガス流入管と前記ガス排出管との 圧力差を検知する差圧計と、前記ガス流入管と前記ガス
排出管とを結ぶバイパス管と、前記バイパス管の途中に
前記差圧計と連動し、前記ガス排出管内のガス圧が前記
ガス流入管内のガス圧より高い場合に弁が開く圧力調整
弁とを備えていることを特徴とする揮発性物質の気化装
置。 - （３）差圧計が、ガス流入管内のガス圧を検知する第１
の圧力計と、ガス排出管内のガス圧を検知する第２の圧
力計と、両者の圧力計で検知された圧力を比べる比較器
とからなる特許請求の範囲第２項記載の揮発性物質の気
化装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21290485A JPS6272117A (ja) | 1985-09-26 | 1985-09-26 | 揮発性物質の気化装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21290485A JPS6272117A (ja) | 1985-09-26 | 1985-09-26 | 揮発性物質の気化装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6272117A true JPS6272117A (ja) | 1987-04-02 |
Family
ID=16630206
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21290485A Pending JPS6272117A (ja) | 1985-09-26 | 1985-09-26 | 揮発性物質の気化装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6272117A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007091583A1 (ja) * | 2006-02-07 | 2007-08-16 | Toyo Tanso Co., Ltd. | 半導体製造プラント |
-
1985
- 1985-09-26 JP JP21290485A patent/JPS6272117A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007091583A1 (ja) * | 2006-02-07 | 2007-08-16 | Toyo Tanso Co., Ltd. | 半導体製造プラント |
| US8387559B2 (en) | 2006-02-07 | 2013-03-05 | Toyo Tanso Co., Ltd. | Semiconductor manufacturing plant |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2797233B2 (ja) | 薄膜成長装置 | |
| KR101447922B1 (ko) | 증기 전달 장치, 이의 제조 방법 및 사용 방법 | |
| US4783343A (en) | Method for supplying metal organic gas and an apparatus for realizing same | |
| US20050181129A1 (en) | Sub-atmospheric pressure delivery of liquids, solids and low vapor pressure gases | |
| WO1993003196A1 (en) | Method for deposition of a metal | |
| US4844006A (en) | Apparatus to provide a vaporized reactant for chemical-vapor deposition | |
| EP1079001B1 (en) | Dual fritted bubbler | |
| JPS6272117A (ja) | 揮発性物質の気化装置 | |
| US20170121814A1 (en) | Apparatus and Method for Delivering a Gaseous Precursor to a Reaction Chamber | |
| JP3219184B2 (ja) | 有機金属供給装置および有機金属気相成長装置 | |
| JPS6273619A (ja) | 揮発性物質の気化装置 | |
| EP0196170A2 (en) | Organic metallic compound pyrolysis vapor growth apparatus | |
| JPS61264722A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS59223294A (ja) | 気相成長装置 | |
| JPS61220421A (ja) | 気相成長装置 | |
| JP2701339B2 (ja) | 気相成長装置 | |
| JPS60211072A (ja) | 揮発性物質の気化装置 | |
| JPS637621A (ja) | 揮発性物質の気化装置 | |
| JPS637620A (ja) | 揮発性物質の気化装置 | |
| JPS61263119A (ja) | 気相成長による半導体製造装置 | |
| JPH0383898A (ja) | 逆流防止機構付き有機金属原料供給装置 | |
| JP3052269B2 (ja) | 気相成長装置およびその成長方法 | |
| JP2611008B2 (ja) | 有機金属化合物の気化供給装置 | |
| JPS61187230A (ja) | 気相成長による半導体製造装置 | |
| JPH0418655Y2 (ja) |