KR101177149B1 - 전자사진 감광체 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 언더코팅층에서의 이차 응집물의 발생을 억제함으로써, 이들 이차 응집물에 의해 발생하는 흰 바탕 상의 흑점, 포깅(fogging) 등의 화상 결함이 발생하지 않는 전자사진 감광체를 제공하는 것을 목적으로 한다.
도전성 기판 상에 언더코팅층 및 감광층이 순차적으로 적층되어 있는 전자사진 감광체에 있어서, 상기 언더코팅층은 방향족 디카르복실산 0.1 mol% 내지 10 mol%, 및 상기 방향족 디카르복실산 외의 2종 이상의 디카르복실산, 2종 이상의 디아민 및 1종 이상의 환형 아미드 화합물을 원료로서 혼합하고 중합하여 이루어지는 수지를 주성분으로 하며, 금속 산화물을 함유하고, 상기 수지는 산가 및 염기가가 모두 6.0 KOH mg/g 이하이다.

Description

전자사진 감광체{ELECTROPHOTOGRAPHIC PHOTOCONDUCTOR}
도 1은 실시예 1에서 얻은 수지의 적외 흡수 스펙트럼이다.
도 2는 실시예 1에서 얻은 수지의 H1-NMR 차트이다.
본 발명은 전자사진 감광체(이하, 단순히「감광체」라고도 칭한다)에 관한 것이며, 자세히는 복사기, 팩스, 프린터 등의 각종 전자사진 장치에 탑재하여 사용하는 전자사진 감광체에 관한 것이다.
전자사진 방식을 이용한 화상 형성 방법은 오피스용 복사기, 프린터, 플로터(plotter) 및 이들의 기능을 복합시킨 디지털 화상 복합기 등 외에, 최근 개인용 소형 프린터, 팩스 송수신기 등에도 널리 적용되고 있다. 이들 각종 전자사진 장치용 감광체로는, 칼슨의 발명(특허 문헌 1 참조) 이래 많은 형태의 감광체가 개발되어 왔고, 최근에는 특히 유기 재료를 사용하는 것이 일반적이다.
이러한 유기 재료를 이용한 유기 감광체로는, 알루미늄 등의 도전성 기판 상에 양극 산화 피막이나 수지막 등으로 이루어진 언더코팅층, 프탈로시아닌류나 아 조 안료 등의 광도전성을 나타내는 유기 안료를 포함하는 전하 발생층, π 전자 공역계와 결합한 아민이나 히드라존 등의 전하의 호핑 전도에 관여하는 부분 구조를 가진 분자를 포함하는 전하 수송층, 및 보호층을 순차적으로 적층하여 이루어진 기능 분리형 감광체가 있다. 또한 언더코팅층 상에 전하 발생 및 전하 수송의 기능을 더불어 갖는 감광층과 보호층을 적층하여 이루어진 단층형 감광체도 알려져 있다.
상기 각 층의 형성 방법으로서는, 전하 발생이나 빛 산란 등의 기능을 갖는 안료나, 전하 수송의 역할을 담당하는 전하 수송제를 각각 적절한 수지 용액에 용해 또는 분산시켜 얻은 도료에 도전성 기판을 침지 도포하는 방법이 양산성에 있어서 우수하기 때문에 일반적이다.
한편, 최근의 전자사진 장치는, 발진 파장이 450 내지 780 nm 정도인 반도체 레이저 또는 발광 다이오드를 노광용 광원으로서, 화상 및 문자 등의 디지털 신호를 광 신호로 변환하고, 대전시킨 감광체 상에 조사하여 감광체 표면에 정전 잠상을 형성하고, 이것을 토너에 의해 가시화시킨다고 하는, 소위 반전 현상 프로세스가 주류이다.
전하 발생제 중에서도 프탈로시아닌류는 다른 전하 발생제와 비교했을 때 반도체 레이저의 발진 파장 영역에서 흡광도가 크고, 동시에 우수한 전하 발생 능력을 갖기 때문에, 감광층용 재료로서 널리 검토되어 왔다. 현재, 중심 금속으로서 구리 , 알루미늄, 인듐, 바나듐, 티타늄 등을 갖는 각종 프탈로시아닌을 이용한 감광체가 알려져 있다.
감광체를 대전시키는 방법으로서는, 스코로트론으로부터의 코로나 방전 등에 의해 대전 부재와 감광체가 비접촉하는 비접촉 대전 방식과, 도전성 고무로 이루어진 롤러나 도전성 섬유로 이루어진 브러시 등에 의해 대전 부재와 감광체가 접촉하는 접촉 대전 방식이 있다. 이 중 접촉 대전 방식은 비접촉 대전 방식과 비교했을 때 대기 중에서의 방전 거리가 짧기 때문에, 오존의 발생이 적고 전원 전압이 낮아서 좋으며, 방전에 의해 발생하는 대전 부재에 대한 오물의 침착이 없기 때문에 유지 보수가 불요하며, 또한 감광체 상에서의 대전위를 균일하게 할 수 있다고 하는 특징이 있다. 따라서, 보다 콤팩트하고 저비용이며, 환경 오염이 적은 전자사진 장치를 실현할 수 있기 때문에, 특히 중형 내지 소형 장치에서 주류로 되어 있다.
또한, 반전 현상 프로세스에서는 암부 전위가 화상 상의 흰 바탕에 대응하고, 명부 전위가 검은 바탕에 대응하기 때문에, 도전성 기판 상에 현저한 요철 등의 구조상의 결함 또는 불순물의 석출 등의 재질의 불균일성에 관여하는 결함 등이 존재하면, 이들이 흰 바탕 상의 흑점, 포깅(fogging) 등의 화상 결함이 되어 나타난다. 이러한 화상 불량은, 도전성 기판 상의 결함으로 인해 도전성 기판으로부터 감광층으로의 전하 주입이 발생하고, 이 결함 상에서 국소적인 대전위 저하가 야기되는 것에 의해 발생하는 것으로 생각되고 있다. 특히, 반전 현상 방식과 접촉 대전 방식을 동시에 채용하는 전자사진 장치에 있어서는, 감광체와 대전 부재가 직접 접촉하기 때문에 이러한 경향이 현저하다.
이러한 접촉 대전 방식을 채용한 전자사진 장치에서의 문제를 개선하기 위해 도전성 기판과 감광층 사이에 언더코팅층을 설치하는 것이 일반적이며, 알루미늄의 양극 산화 피막, 뵈마이트 피막 외에, 폴리비닐알코올, 카제인, 폴리비닐피롤리돈, 폴리아크릴산, 젤라틴, 폴리우레탄, 폴리아미드 등의 수지막이 이용되고 있다. 이들 수지막에는 기판으로부터의 지나친 노광광의 반사를 억제함으로써 간섭호에 의한 화상 문제점을 방지하거나, 언더코팅층의 저항값을 적정 조정할 목적으로 산화티타늄, 산화아연 등의 금속 산화물 입자를 함유시키는 것도 가능하다. 특히, 특허 문헌 2에 기재되어 있는 바와 같이, 양극 산화 피막은 고온 고습 하에서 전위 안정성에 우수한 것으로 알려져 있다. 또한, 공중합 나일론 피막은 침지 도공법에 의해 균일한 막 두께를 얻을 수 있고, 양산성이 우수하면서, 저렴하기 때문에 널리 일반적으로 이용되고 있다. 예컨대, 특허 문헌 3에는, 이면 노광용 감광체로서, 공중합 나일론 수지의 구성 단량체로서 카프로락탐을 이용하는 것이 개시되어 있다.
그러나, 이러한 언더코팅층을 이용하는 경우, 사용 환경에 의해 전기 특성이 대폭 변동하고, 특히 고온 고습 하에서 언더코팅층에서의 흡습에 의해 전기 저항이 변동하여, 화상의 포깅이 발생한다는 문제가 있다. 이에 대하여, 예컨대 특허 문헌 4에는, 환경 의존성을 억제할 목적으로, 중간층에 산화티타늄을 함유하는 수지층을 이용하는 것이 기재되어 있지만, 이 문헌 중에는 특정 구조의 나일론 수지가 실시예로서 기재되어 있을 뿐이다. 또한, 특허 문헌 5에는 중간층에 특정 구조의 폴리아미드 수지를 이용함으로써 내습성을 향상시킬 수 있는 것이 개시되어 있지만, 구성 단량체 중의 디카르복실산 구조 중에 방향환은 기재되어 있지 않고, 방향족 디카르복실산을 단량체로서 첨가하는 것에 의한 효과에 관해서는 아무런 기재도 이루어져 있지 않다.
또한, 흰 바탕 상의 흑점, 포깅 등의 화상 결함을 야기하는 다른 요인으로서 는, 언더코팅층에 사용하는 금속 산화물의 응집물이 있다. 이러한 응집물이 도포액 중에 존재하는 경우, 도포 시 상기 응집물이 막 중에 들어가 전하의 경로가 되고, 감광층 표면으로의 전하의 미소한 누설이 발생하게 되며, 이에 따라 기판 상의 결함으로 인한 화상 장해와 유사한 화상 장해가 발생하게 된다.
[특허 문헌 1] 미국 특허 제2297691호 명세서
[특허 문헌 2] 일본 특허 공개 평5-34964호 공보
[특허 문헌 3] 일본 특허 공표 소60-501723호 공보(국제 공개 번호 WO/8500437)
[특허 문헌 4] 일본 특허 공개 소63-298251호 공보
[특허 문헌 5] 일본 특허 공개 제2003-287914호 공보
상기 응집물 중, 조대한 일차 입자는 여과 등의 처리에 의해 비교적 용이하게 도포액으로부터 제거하는 것이 가능하지만, 비교적 약한 응집력에 의해 형성되는 이차 입자 등은 제거할 수 없다. 따라서, 이러한 이차 입자의 형성을 억제하기 위해서는 이러한 입자가 발생하지 않는 조성을 발견하는 동시에, 금속 산화물의 분산성을 개선하고, 그 분산을 안정적으로 유지하는 수지와의 상호 작용을 확립하는 것이 중요하다.
따라서, 본 발명의 목적은, 언더코팅층에서의 이차 응집물의 발생을 억제함으로써, 이들 이차 응집물에 의해 발생하는 흰 바탕 상의 흑점, 포깅 등의 화상 결함이 발생하지 않는 전자사진 감광체를 제공하는 것에 있다.
발명을 해결하기 위한 수단
상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명자들은 예의 검토한 결과, 특정 원료로부터 합성되는 폴리아미드 수지의 산가 및 염기가를 적절한 범위로 제어하여 이것을 언더코팅층에 이용하고, 특히 추가로 언더코팅층 중에 첨가하는 금속 산화물의 산가 및 염기가를 적절한 범위로 제어하여 이러한 폴리아미드 수지와 조합 및 분산시킴으로써, 언더코팅층의 이차 응집물에 의한 흰 바탕 상의 흑점이나 포깅 등의 화상 결함이 발생하지 않는 감광체를 얻을 수 있다는 사실을 발견하여, 본 발명을 완성하기에 이르렀다. 또한, 상기 문헌 중에는 금속 산화물이나 폴리아미드 수지의 산가 및 염기가에 대해 기재되어 있지 않고, 이들의 값이 분산을 안정적으로 유지하기 때문에 중요하다는 점도 기재되어 있지 않다.
즉, 본 발명의 전자사진 감광체는, 도전성 기판 상에 언더코팅층 및 감광층이 순차적으로 적층되어 있는 전자사진 감광체로서,
상기 언더코팅층은 방향족 디카르복실산 0.1 mol% 내지 10 mol%, 및 상기 방향족 디카르복실산 외의 2종 이상의 디카르복실산, 2종 이상의 디아민 및 1종 이상의 환형 아미드 화합물을 원료로서 혼합하고 중합하여 이루어지는 수지를 주성분으로 하며, 금속 산화물을 함유하고, 상기 수지는 산가 및 염기가가 모두 6.0 KOH mg/g 이하인 것을 특징으로 하는 것이다.
본 발명에서, 상기 수지는 방향족 디카르복실산 0.1 mol% 내지 10 mol%, 및 상기 방향족 디카르복실산 외의 2종 이상의 디카르복실산, 2종 이상의 디아민 및 1 종 이상의 환형 아미드 화합물 10 mol% 이상을 원료로 하며, 상기 방향족 디카르복실산의 mol%와 상기 방향족 디카르복실산 외의 2종 이상의 디카르복실산의 mol% 양의 합계를 A mol%로 하고, 상기 2종 이상의 디아민의 mol% 양의 합계를 B mol%로 하였을 때, 하기 식 1을 만족하도록 혼합하여 중합시키는 것이 적절하다:
[식 1]
-1.0 mol%≤A-B≤1.0 mol%
발명을 실시하기 위한 최량의 형태
이하, 본 발명의 전자사진 감광체의 적합한 실시형태에 관해서 상세히 설명한다.
본 발명의 전자사진 감광체는 도전성 기판 상에 언더코팅층 및 감광층이 순차적으로 적층되어 있고, 언더코팅층은 하기에 기재되어 있는 구성을 갖는 것을 특징으로 한다.
즉, 본 발명의 감광체에 있어서, 언더코팅층은 방향족 디카르복실산 0.1 mol% 내지 10 mol%, 및 상기 방향족 디카르복실산 외의 2종 이상의 디카르복실산, 2종 이상의 디아민 및 1종 이상의 환형 아미드 화합물을 원료로서 혼합하고 중합하여 이루어진다. 산가 및 염기가가 모두 6.0 KOH mg/g 이하인 수지를 주성분으로 하면서, 금속 산화물을 함유한다. 또한, 본 발명의 수지 원료의 각 성분의 함유율의 분모는 수지 원료의 총 합이다.
여기서, 본 발명의 중합물의 반응은 카르복실산과 아민의 탈수 축합 반응에 의한 중합이며, 이론적으로는 모든 원료가 반응하여 1 분자로 이루어지는 고분자를 형성하는 경우, 산가 및 염기가가 거의 0에 가까운 최하한 값을 나타낸다. 단지, 언더코팅층을 얻기 위해서는, 얻어지는 수지가 용제에 대한 용해성이 부여되는 정도의 분자량을 가질 필요가 있고, 이 경우 상기 최하한의 산가 및 염기가보다 큰 산가 및 염기가의 값를 얻을 수 있다. 본 발명에서는, 용제 용해성을 얻을 수 있는 것이라면, 산가 및 염기가가 6.0 KOH mg/g 이하이면 좋기 때문에, 특별히 하한값은 특정하지 않는다.
또한, 본 발명에 있어서 언더코팅층에 이용되는 상기 수지는, 방향족 디카르복실산 0.1 mol% 내지 10 mol%, 및 상기 방향족 디카르복실산 외의 2종 이상의 디카르복실산, 2종 이상의 디아민 및 1종 이상의 환형 아미드 화합물 10 mol% 이상을 원료로 하며, 상기 방향족 디카르복실산의 mol%와 상기 방향족 디카르복실산 외의 2종 이상의 디카르복실산의 mol% 양의 합계를 A mol%로 하고, 2종 이상의 디아민의 mol% 양의 합계를 B mol%로 하였을 때, 하기 식 1을 만족하도록 혼합하여 중합시키는 것이 적절하다:
[식 1]
-1.0 mol%≤A-B≤1.0 mol%
상기 식 1의 범위 외에서는, 디카르복실산과 디아민 중 어느 하나의 mol 수가 크기 때문에, 반응 후 산가와 염기가 둘 다를 6.0 KOHm/이하로 하는 것이 어렵다. 그 결과로서 양호한 분산성를 얻을 수 없다.
상기 수지는 방향족 디카르복실산, 및 상기 방향족 디카르복실산 외의 2종의 디카르복실산, 2종의 디아민 및 1종의 환형 아미드 화합물을 원료로서 혼합하여 중 합시키고, 특히 방향족 디카르복실산 0.1 mol% 내지 10 mol%, 및 상기 방향족 디카르복실산 외의 2종의 디카르복실산, 2종의 디아민 및 1종의 환형 아미드 화합물 10 mol% 이상을 원료로 하며, 상기 방향족 디카르복실산의 mol%와 상기 방향족 디카르복실산 외의 2종의 디카르복실산의 mol% 양의 합계를 A mol%로 하고, 2종의 디아민의 mol% 양의 합계를 B mol%로 하였을 때, 상기 식 1을 만족하도록 혼합하고 중합시키는 것이 보다 적절하다.
상기 수지 원료 중의 방향족 디카르복실산의 양은 0.1 mol% 내지 10 mol%인 것이 요구되고, 적절하게는 2 mol% 내지 8 mol%이다. 방향족 디카르복실산의 양이 적으면, 수지의 흡습성이 증대하여 감광체의 전기 특성의 환경 변동이 커지기 때문에, 고온 고습 환경에서 포깅이나 흑점 불량이 발생할 수 있다. 한편, 방향족 디카르복실산의 양이 10 mol%를 넘으면 분산성이 악화된다.
본 발명에서 이용하는 방향족 디카르복실산으로는, 하기 식 2로 나타나는 구조를 갖는 것이 바람직하고, 구체적으로는 프탈산, 이소프탈산, 테레프탈산, 및 이들의 알킬, 알릴, 할로겐, 아릴, 알킬렌화물을 들 수 있다. 이 중, 이소프탈산, 프탈산, 테레프탈산 또는 이들의 불소화물, 염소화물, 브롬화물이 바람직하다:
[일반식 2]
Figure 112006090788608-pat00001
상기 식에서,
X는 수소 원자, 알킬기, 알릴기, 할로겐 원자, 알콕시기, 아릴기 또는 알킬렌기를 나타낸다.
방향족 디카르복실산 이외의 2종 이상, 특히 2종의 디카르복실산으로는, 탄소 수가 2개 내지 12개인 방향환을 포함하지 않는 디카르복실산의 조합을 적절하게 이용할 수 있다. 구체적으로는, 예컨대, 부탄이산, 펜탄이산, 아디프산, 헵탄이산, 수베린산, 아젤레인산, 데칸이산, 세박산, 도데칸이산 등의 지방족 디카르복실산을 들 수 있고, 이 중 아디프산 및 세박산의 조합이 특히 바람직하다.
또한, 2종 이상, 특히 2종의 디아민으로서는, 탄소 수가 2개 내지 12개인 디아민의 조합을 적절하게 이용할 수 있고, 구체적으로는, 예컨대, 에틸렌 디아민, 프로필렌 디아민, 테트라메틸렌 디아민, 헥사메틸렌 디아민, 노나메틸렌 디아민, 운데카메틸렌 디아민 등의 지방족 디아민, 5-아미노-1,3,3-트리메틸시클로헥산메틸아민(이소포론 디아민으로 기재하는 경우도 있다) 등의 지환족 디아민 등을 들 수 있다. 이 중 헥사메틸렌 디아민 및 이소포론 디아민의 조합이 특히 바람직하다.
또한, 1종 이상, 특히 1종의 환형 아미드 화합물로서는, 탄소 수가 2개 내지 12개인 환형 아미드 화합물이나, 또는 그 조합을 적절하게 이용할 수 있다. 구체적으로는, 예컨대, β-프로피온 락탐, 2-피롤리돈, ω-에난트락탐, ε-카프로락탐, 운데카락탐, 도데카락탐 등을 들 수 있고, 이 중 ε-카프로락탐이 특히 바람직하다. 원료 중 1종 이상의 환형 아미드 화합물의 양은 10 mol% 이상인 것이 적절하며, 10 mol% 미만이면 중합물의 용해성이 좋지 않아 언더코팅층 도포액으로 사용하기가 어려워진다.
이하에, 이들 원료를 이용한 수지의 중합예를 나타낸다.
우선, 상기한 각종 원료를 상기 식 1을 만족하는 임의 비율로 혼합하고, 반응계 내에 질소 가스를 흘리면서 상압으로써 200 내지 350℃로 승온 가열하여 중축합 반응을 행한다. 계속해서, 계 내를 감압하여 동일한 온도에서 추가 반응을 수 시간 동안 실시한다. 수득한 수지는 적정법에 의해 산가 및 염기가를 측정하고, 산가 및 염기가가 함께 6.0 KOH mg/g 이하로 되어 있는 것을 확인한다. 산가 및 염기가 중 어느 하나 또는 둘 다가 6.0 KOH mg/g를 넘는 경우에는 양호한 분산성를 얻을 수 없기 때문에, 추가로 반응을 계속한다. 또한, 수득한 수지의 H1-NMR, C13-NMR 측정을 행함으로써, 원료 비율에 따른 소정의 공중합 중합체를 얻을 수 있는지의 여부를 확인할 수 있다.
본 발명에 의하면, 상기 중합에 의해 얻어진 산가 및 염기가가 6.0 KOH mg/g 이하인 수지에 대하여, 금속 산화물을 분산된 언더코팅층으로 함으로써, 언더코팅층 중의 이차 응집물에 의해 발생하는 흰 바탕 상의 흑점, 포깅 등의 화상 결함의 발생을 방지할 수 있다.
본 발명에 이용하는 금속 산화물로서는, 산화티타늄, 산화아연, 산화주석, 산화구리, 산화알루미늄, 산화마그네슘, 산화규소 등을 들 수 있고, 또한 이들 금속 산화물에는 그 분산성을 향상하기 위해 표면 처리를 실시하여도 좋다. 표면 처리에는, 예컨대 유기 실란계의 커플링제를 이용하는 것이 적절하다.
이러한 금속 산화물로는 산가 및 염기가가 모두 20.0 KOH mg/g 이하인 것이 적절하다. 언더코팅층 중에 분산시키는 금속 산화물의 산가 또는 염기가가 20 KOH mg/g을 넘으면, 상기 언더코팅층 수지와의 분산성이 악화되어 화상 문제점이 발생하는 경우가 있다.
또한, 금속 산화물의 산가는 시료를 기지 농도의 부틸아민-메탄올 용액에 투입하고, 초음파로 1시간 동안 분산시키고 원심 분리한 후, 상등액을 적정함으로써 측정하는 동시에 공시험을 행하여, 소비된 부틸아민량을 KOH mg/g(1g 당 KOH 환산 소비 mg 수)로 표기한다. 또한, 염기가는 기지 농도의 초산-메탄올 용액에 시료를 투입하고, 초음파로 1시간 동안 분산시키고 원심 분리한 후, 상등액을 적정함으로써 측정하는 동시에 공시험을 행하여, 소비된 초산량을 KOH mg/g(1g 당 산의 소비량의 KOH 환산 mg 수)으로 표기한다.
본 발명의 감광체에서는, 언더코팅층이 상기 조건을 만족하는 것이면, 그 이 외의 각 층의 구성에 관해서는 특별히 제한되지 않으며, 통상의 방법에 따라 적절하게 결정할 수 있으며, 감광층의 구성에 관해서도 전하 발생층과 전하 수송층으로 이루어지는 기능 분리 적층형, 또는 단일 감광층으로 이루어지는 단층형 중 어느 것이라도 좋다. 이하에서는 기능 분리 적층형의 경우를 예로 들어 각 층의 구성에 관해서 설명한다.
도전성 기판으로서는, 각종 금속, 예컨대 알루미늄제의 원통이나 도전성 플라스틱제 필름 등을 이용할 수 있다. 또한, 유리나 아크릴, 폴리아미드, 폴리에틸렌테레프탈레이트 등의 성형체, 시트재 등에 전극을 부여한 것도 이용할 수 있다.
전하 발생층은 전하 발생재로서의 각종 유기 안료를 수지 바인더와 함께 이 용하여 형성할 수 있다. 전하 발생재로서는, 특히 각종 결정 형태를 갖는 무금속 프탈로시아닌이나, 중심 금속으로서 구리, 알루미늄, 인듐, 바나듐, 티타늄 등을 가진 각종 프탈로시아닌, 각종 비스아조, 트리스아조 안료가 적절하다. 이들 유기 안료는 입자 지름을 50 nm 내지 800 nm, 적절하게는 150 nm 내지 300 nm로 조정하여 수지 바인더 중에 분산된 상태로 이용한다.
전하 발생층의 성능은 수지 바인더에 의해서도 영향을 받지만, 본 발명에서는 수지 바인더에 관해서는 특별히 제한이 없고, 각종 폴리염화비닐, 폴리비닐부티랄, 폴리비닐아세탈, 폴리에스테르, 폴리카르보네이트, 아크릴 수지, 페녹시 수지 등으로부터 적절한 것을 선택할 수 있다. 막 두께는 0.1 ㎛ 내지 5 ㎛, 특히 0.2 ㎛ 내지 0.5 ㎛가 적절하다.
양호한 분산 상태를 얻고, 균일한 전하 발생층을 형성하기 위해서는 도포액 용매의 선택도 중요하지만, 본 발명에서는 염화메틸렌, 1,2-디클로로에탄 등의 지방족 할로겐화 탄화수소, 테트라히드로푸란 등 에테르계 탄화수소, 아세톤, 메틸에틸케톤, 시클로헥사논 등의 케톤류, 초산에틸, 에틸셀로솔브 등의 에스테르류 등을 이용할 수 있다. 도포, 건조 후의 전하 발생층에서, 수지 바인더의 비율이 30 중량% 내지 70 중량%가 되도록, 도포액 중에서의 전하 발생재와 수지 바인더와의 비율을 조정하는 것이 바람직하고, 특히 바람직한 전하 발생층의 조성은 수지 바인더 50 중량%에 대하여 전하 발생재 50 중량%이다.
전하 발생층의 도포 형성 시에는, 이상 진술한 조성물을 적절하게 배합하여 도포액을 제조하고, 또한 샌드밀, 페인트 쉐이커 등의 분산 처리 장치를 이용하여 도포액을 처리하며, 유기 안료 입자의 입자 지름을 상기 소정의 크기로 조정하여 도공에 이용할 수 있다.
전하 수송층은 전하 수송재 단독으로, 또는 전하 수송재를 수지 바인더와 함께 적절한 용매에 용해시킨 도포액을 제조하고, 이것을 침지법이나 애플리케이터에 의한 방법 등을 이용하여 전하 발생층 상에 도포, 건조시켜 형성할 수 있다. 전하 수송재로서는, 복사기, 프린터, 팩스 송수신기 등에서의 감광체의 대전 방식에 따라, 적절하게는 정공 수송성을 갖는 물질 또는 전자 수송성을 갖는 물질을 이용한다. 이들 물질은 공지의 물질(예, 문헌 [Borsenberger, P.M. 및 Weiss D.S. ed "Organic Photoreceptors for ImagingSystems" Marcel Dekker Inc. 1993] 중에 예시되어 있음) 중에서 적절한 것을 선택하여 이용할 수 있고, 정공 수송재로서는 각종 히드라존, 스티릴, 디아민, 부타디엔, 인돌 화합물, 또는 이들의 혼합물, 전자 수송재로서는 각종 벤조퀴논 유도체, 페난트렌퀴논 유도체, 스틸벤퀴논 유도체, 아조퀴논 유도체 등을 들 수 있다.
전하 수송재와 함께 전하 수송층을 형성하는 수지 바인더로서는, 막 강도, 내마모성이라는 관점에서 폴리카르보네이트계 고분자가 널리 이용되고 있다. 이들 폴리카르보네이트계 고분자로는 비스페놀 A형, C형, Z형 등이 있고, 또한 이들을 구성하는 단량체 단위를 포함하는 공중합체를 이용하더라도 좋다. 이러한 폴리카르보네이트 고분자의 최적 분자량 범위는 10,000 내지 100,000이다. 또한, 그 외에 폴리에틸렌, 폴리페닐렌에테르, 아크릴, 폴리에스테르, 폴리아미드, 폴리우레탄, 에폭시, 폴리비닐아세탈, 폴리비닐부티랄, 페녹시 수지, 실리콘 수지, 폴리염화비 닐, 폴리염화 비닐리덴, 폴리초산 비닐, 셀룰로스 수지, 및 이들의 공중합체를 이용할 수도 있다.
전하 수송층의 막 두께는, 감광체의 대전 특성, 내마모성 등을 고려하여, 3 ㎛ 내지 50 ㎛의 범위가 되도록 형성하는 것이 바람직하다. 또한 표면의 평활성을 얻기 위해 실리콘 오일을 적절하게 첨가하더라도 좋다. 또한, 필요에 따라 전하 수송층 상에 표면 보호층을 설치하더라도 좋다.
또한, 단층형의 감광층은, 주로 전하 발생재, 정공 수송재, 전자 수송재(어셉터성 화합물) 및 수지 바인더로 이루어진다. 전하 발생재로서는 적층형의 경우와 같은 각종 유기 안료를 이용할 수 있다. 특히 각종 결정 형태를 갖는 무금속 프탈로시아닌 및 중심 금속으로서 구리, 알루미늄, 인듐, 바나듐, 티타늄 등을 갖는 각종 프탈로시아닌, 각종 비스아조, 트리스 아조 안료가 적절하다.
또한, 정공 수송재로서는 각종 히드라존, 스티릴, 디아민, 부타디엔, 인돌 화합물 또는 이들 혼합물, 전자 수송재로서는 각종 벤조퀴논 유도체, 페난트렌퀴논 유도체, 스틸벤퀴논 유도체, 아조퀴논 유도체를 들 수 있고, 이들을 단독 또는 2종 이상을 조합하여 사용하는 것이 가능하다.
수지 바인더로서는, 폴리카르보네이트 수지를 단독으로, 또는 폴리에스테르 수지, 폴리비닐아세탈 수지, 폴리비닐부티랄 수지, 폴리비닐알코올 수지, 염화비닐 수지, 초산비닐 수지, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리스티렌, 아크릴 수지, 폴리우레탄 수지, 에폭시 수지, 멜라민 수지, 실리콘 수지, 폴리아미드 수지, 폴리스티렌 수지, 폴리아세탈 수지, 폴리아릴레이트 수지, 폴리술폰 수지, 메타크릴산에스 테르의 중합체, 및 이들의 공중합체 등의 수지를 적절하게 조합하여 사용하는 것이 가능하다. 또한, 분자량이 다른 동종의 수지를 혼합하여 이용하더라도 좋다.
단층형 감광층의 막 두께는 실용적으로 유효한 표면 전위를 유지하기 위해 3 ㎛ 내지 100 ㎛의 범위가 바람직하고, 10 ㎛ 내지 50 ㎛의 범위가 보다 적절하다. 또한, 표면의 평활성을 얻기 위해 실리콘 오일을 적절하게 첨가하더라도 좋다. 또한, 필요에 따라 감광층 상에 표면 보호층을 설치하더라도 좋다.
이하, 실시예를 통해 본 발명을 보다 상세하게 설명하지만, 본 발명이 이하의 예에 한정되는 것이 아니다.
(실시예 1)
수지 원료로서 이소프탈산 4 mol%, 헥사메틸렌 디아민 15 mol%, 아디프산 11 mol%, 세박산 25 mol%, 이소포론 디아민 25 mol% 및 ε-카프로락탐 20 mol%를 이용하고, 이들을 전체 중량이 1 kg이 되도록 2,000 mL 4구 플라스크 중에서 혼합하였다. 반응계 내에 질소를 흘리면서 온도를 220℃로 상승시켰다. 유출되는 수분을 포집하고, 또한 온도를 300℃로 상승시켜 수분 유출이 없어질 때까지 반응을 실시하였다. 수분 유출이 없어졌을 때, 계 내를 감압하여 추가로 반응을 행하고, 중합시켜 실시예 1의 수지를 얻었다. 수득한 수지의 적외 흡수 스펙트럼을 도 1에, 수득한 수지의 H1-NMR 차트를 도 2에 각각 도시한다.
수득한 수지 0.5 g을 30 ml의 메탄올에 용해하고, 용해 후, 페놀프탈레인을 지시약으로 사용하여 0.5 mol% KOH 에탄올 용액으로 적정하였다. 공시험을 행한 후, 샘플과 공시험의 적정량의 차로부터 산가를 계산하였다.
또한, 마찬가지로 수득한 수지 0.5 g을 30 ml의 메탄올에 용해하고, 용해 후, 티몰 블루를 지시약으로 사용하여 0.5 mol% HCl-에탄올 용액으로 적정하였다. 공시험을 행한 후, 얻어진 적정량으로부터 염기가를 계산하였다.
결과로서, 수득한 수지의 산가는 2.11 KOH mg/g, 염기가는 1.56 KOH mg/g이었다.
상기 수지 100 중량부를 메탄올 1,500 중량부 및 부탄올 500 중량부로 이루어진 혼합 용매에 용해시킨 후, 테이카사제 미립자 산화티타늄 JMT150인, 산화티타늄 400 중량부를 첨가하고, 아미노실란계 커플링제와 이소부틸실란계 커플링제와 1/1로 처리하여, 슬러리를 제조하였다. 이 산화티타늄의 산가는 0.20 KOH mg/g, 염기가는 5.70 KOH mg/g이었다. 수득한 슬러리는 비드 직경이 0.3 mm인 지르코니아 비드를 용기 용량에 대하여 85 v/v%의 부피 충전율로 충전한 디스크 타입의 비드 밀을 이용하여 처리액 유속 400 mL/min, 디스크 주속 5 m/s로 20 패스분 처리하여 언더코팅층 도포액으로 하였다.
제조한 언더코팅층 도포액을 이용하고, 원통형 알루미늄 기체 상에 침지 도포시켜 언더코팅층을 성막하였다. 건조 온도 135℃, 건조 시간 10분의 조건으로 건조시켜 수득한 언더코팅층의 건조 후의 막 두께는 5 ㎛였다.
다음으로, 폴리비닐부티랄 수지 1 중량부를 디클로로메탄 98 중량부에 용해하고, 여기에 특허 공개 소61-217050 공보에 기재되어 있는 α형 티타닐 프탈로시아닌 2 중량부를 첨가하여 제조한 슬러리 5 L를, 비드 직경이 0.4 mm인 지르코니아 비드를 용기 용량에 대하여 85 v/v%의 부피 충전율로 충전한 디스크 타입의 비드밀을 이용하여 처리액 유속 300 mL/min 디스크 주속 3 m/s로 10 패스분 처리하여 전하 발생층 도포액으로 하였다.
수득한 전하 발생층 도포액을 이용하여, 상기 언더코팅층을 도포한 기체 상에 전하 발생층을 성막하였다. 건조 온도 80℃, 건조 시간 30분의 조건으로 건조시켜 수득한 전하 발생층의 건조 후의 막 두께는 0.5 ㎛였다.
다음으로, 전하 수송재로서의 하기 일반식 3으로 나타나는 화합물 5 중량부, 하기 일반식 4로 나타나는 화합물 5 중량부, 및 수지 바인더로서의 폴리카르보네이트 수지(이데미쓰코산(주)제 터프제트 B-500) 10 중량부를 디클로로메탄 80 중량부에 용해한 후, 실리콘 오일(신에츠폴리머(주)제 KP-340)을 0.1 중량부 첨가하여 제조한 전하 수송층 도포액을, 상기 전하 발생층 상에 침지 도공하고, 온도 90℃로 60분 건조시켜, 막 두께 25 ㎛의 전하 수송층을 형성하고, 전자사진 감광체를 제조하였다.
[일반식 3]
Figure 112006090788608-pat00002
[일반식 4]
Figure 112006090788608-pat00003
(실시예 2)
원료로서 이소프탈산 2 mol%, 헥사메틸렌 디아민 15 mol%, 아디프산 13 mol%, 세박산 25 mol%, 이소포론 디아민 25 mol% 및 ε-카프로락탐 20 mol%을 이용한 것 이외는 실시예 1과 마찬가지로 하여 실시예 2의 수지를 얻었다. 수득한 수지의 산가는 2.10 KOH mg/g, 염기가는 3.51 KOH mg/g이었다. 이 수지를 실시예 1과 마찬가지로 사용하여 언더코팅층 도포액을 제조하고, 실시예 1과 마찬가지로 하여 감광체를 제조하였다.
(실시예 3)
원료로서 이소프탈산 8 mol%, 헥사메틸렌 디아민 15 mol%, 아디프산 9 mol%, 세박산 23 mol%, 이소포론 디아민 25 mol%, ε-카프로락탐 20 mol%을 이용한 것 이외는 실시예 1과 마찬가지로 하여 실시예 3의 수지를 얻었다. 수득한 수지의 산가는 3.95 KOH mg/g, 염기가는 4.5 KOH mg/g이었다. 이 수지를 실시예 1과 마찬가지로 사용하여 언더코팅층 도포액을 제조하고, 실시예 1과 마찬가지로 하여 감광체를 제조하였다.
(실시예 4)
원료로서 이소프탈산 0.1 mol%, 헥사메틸렌 디아민 15 mol%, 아디프산 14.9 mol%, 세박산 25 mol%, 이소포론 디아민 25 mol%, ε-카프로락탐 20 mol%를 이용한 것 이외는 실시예 1과 마찬가지로 하여 실시예 4의 수지를 얻었다. 수득한 수지의 산가는 3.20 KOH mg/g, 염기가는 4.00 KOH mg/g이었다. 이 수지를 실시예 1과 마찬가지로 사용하여 언더코팅층 도포액을 제조하고, 실시예 1과 마찬가지로 하여 감광체를 제조하였다.
(실시예 5)
원료로서 이소프탈산 10 mol%, 헥사메틸렌 디아민 15 mol%, 아디프산 8 mol%, 세박산 22 mol%, 이소포론 디아민 25 mol%, ε-카프로락탐 20 mol%를 이용한 것 이외는 실시예 1과 마찬가지로 하여 실시예 5의 수지를 얻었다. 수득한 수지의 산가는 4.52 KOH mg/g, 염기가는 4.10 KOH mg/g이었다. 이 수지를 실시예 1과 마찬가지로 사용하여 언더코팅층 도포액을 제조하고, 실시예 1과 마찬가지로 하여 감광체를 제조하였다.
(실시예 6)
원료로서 이소프탈산 4 mol%, 헥사메틸렌 디아민 20 mol%, 아디프산 16 mol%, 세박산 25 mol%, 이소포론 디아민 25 mol%, ε-카프로락탐 10 mol%을 이용한 것 이외는 실시예 1과 마찬가지로 하여 실시예 6의 수지를 얻었다. 수득한 수지의 산가는 2.30 KOH mg/g, 염기가는 2.10 KOH mg/g이었다. 이 수지를 실시예 1과 마찬가지로 사용하여 언더코팅층 도포액을 제조하고, 실시예 1과 마찬가지로 하여 감광체를 제조하였다.
(실시예 7)
원료로서 이소프탈산 2 mol%, 헥사메틸렌 디아민 10 mol%, 아디프산 8 mol%, 세박산 20 mol%, 이소포론 디아민 20 mol%, ε-카프로락탐 40 mol%을 이용한 것 이외는 실시예 1과 마찬가지로 하여 실시예 7의 수지를 얻었다. 수득한 수지의 산가는 2.90 KOH mg/g, 염기가는 3.10 KOH mg/g이었다. 이 수지를 실시예 1과 마찬가지로 사용하여 언더코팅층 도포액을 제조하고, 실시예 1과 마찬가지로 하여 감광체를 제조하였다.
(실시예 8)
실시예 1에서 이용한 원료를 혼합, 가열 중합시킬 때, 중합 단계에서 산가가 6.00 KOH mg/g, 염기가가 6.00 KOH mg/g이 되었을 때 수득한 수지를 실시예 1과 마찬가지로 사용하여 언더코팅층 도포액을 제조하고, 실시예 1과 마찬가지로 하여 감광체를 제조하였다.
(실시예 9)
원료로서 이소프탈산 4 mol%, 헥사메틸렌 디아민 14.5 mol%, 아디프산 11.5 mol%, 세박산 25 mol%, 이소포론 디아민 25 mol%, ε-카프로락탐 20 mol%를 이용한 것 이외는 실시예 1과 마찬가지로 하여 실시예 9의 수지를 얻었다. 수득한 수지의 산가는 5.95 KOH mg/g, 염기가는 0.45 KOH mg/g이었다. 이 수지를 실시예 1과 마찬가지로 사용하여 언더코팅층 도포액을 제조하고, 실시예 1과 마찬가지로 하여 감광체를 제조하였다.
(실시예 10)
원료로서 이소프탈산 4 mol%, 헥사메틸렌 디아민 15.5 mol%, 아디프산 10.5 mol%, 세박산 25 mol%, 이소포론 디아민 25 mol%, ε-카프로락탐 20 mol%을 이용한 것 이외는 실시예 1과 마찬가지로 하여 실시예 10의 수지를 얻었다. 수득한 수지의 산가는 0.52 KOH mg/g, 염기가는 5.82 KOH mg/g이었다. 이 수지를 실시예 1과 마찬가지로 사용하여 언더코팅층 도포액을 제조하고, 실시예 1과 마찬가지로 하여 감광체를 제조하였다.
(실시예 11)
실시예 1에서 사용한 산화티타늄을 테이카사제 미립자 산화티타늄 JMT 500의 아미노실란 처리품 400 g으로 바꾼 것 이외는 실시예 1과 마찬가지로 하여 언더코팅층 도포액을 제조하고, 감광체를 제조하였다. 이 때의 상기 산화티타늄의 산가는 2.00 KOH mg/g, 염기가는 1.00 KOH mg/g이었다.
(실시예 12)
실시예 1에서 사용한 산화티타늄을 CI 화성사제 미립자 산화 주석을 아미노실란계 커플링제와 이소부틸실란계 커플링제 1/1로 처리하여 이루어진 산화주석으로 바꾼 것 이외는 실시예 1과 마찬가지로 하여 언더코팅층 도포액을 제조하고, 감광체를 제조하였다. 이 때의 상기 산화주석의 산가는 5.00 KOH mg/g, 염기가는 5.70 KOH mg/g이었다.
(비교예 1)
원료로서 이소프탈산 12 mol%, 헥사메틸렌 디아민 15 mol%, 아디프산 7 mol%, 세박산 21 mol%, 이소포론 디아민 25 mol%, ε-카프로락탐 20 mol%를 이용한 것 이외는 실시예 1과 마찬가지로 하여 비교예 1의 수지를 얻었다. 수득한 수지의 산가는 4.20 KOH mg/g, 염기가는 4.50 KOH mg/g이었다. 이 수지를 실시예 1과 마찬가지로 사용하여 언더코팅층 도포액을 제조하고, 실시예 1과 마찬가지로 하여 감광체를 제조하였다.
(비교예 2)
원료로서 이소프탈산 4 mol%, 헥사메틸렌 디아민 14 mol%, 아디프산 12 mol%, 세박산 25 mol%, 이소포론 디아민 25 mol%, ε-카프로락탐 20 mol%를 이용한 것 이외는 실시예 1과 마찬가지로 하여 비교예 2의 수지를 얻었다. 수득한 수지의 산가는 13.2 KOH mg/g, 염기가는 0.40 KOH mg/g이었다. 이 수지를 실시예 1과 마찬가지로 사용하여 언더코팅층 도포액을 제조하고, 실시예 1과 마찬가지로 하여 감광체를 제조하였다.
(비교예 3)
원료로서 이소프탈산 4 mol%, 헥사메틸렌 디아민 16 mol%, 아디프산 10 mol%, 세박산 25 mol%, 이소포론 디아민 25 mol%, ε-카프로락탐 20 mol%를 이용한 것 이외는 실시예 1과 마찬가지로 하여 비교예 3의 수지를 얻었다. 수득한 수지의 산가는 0.32 KOH mg/g, 염기가는 11.9 KOH mg/g이었다. 이 수지를 실시예 1과 마찬가지로 사용하여 언더코팅층 도포액을 제조하고, 실시예 1과 마찬가지로 하여 감광체를 제조하였다.
(비교예 4)
비교예 1에서 사용한 산화티타늄을 실시예 11에서 사용한 산화티타늄으로 바 꾼 것 이외는 비교예 1과 마찬가지로 하여 언더코팅층 도포액을 제조하고, 감광체를 제조하였다.
(비교예 5)
비교예 1에서 사용한 산화티타늄을, 실시예 12에서 사용한 산화주석으로 바꾼 것 이외는 비교예 1과 마찬가지로 하여 언더코팅층 도포액을 제조하고, 감광체를 제조하였다.
(비교예 6)
원료로서 이소프탈산 8 mol%, 헥사메틸렌 디아민 20 mol%, 아디프산 12 mol%, 세박산 30 mol%, 이소포론 디아민 30 mol%, ε-카프로락탐을 0 mol%을 이용한 것 이외는 실시예 1과 마찬가지로 하여 비교예 6의 수지를 얻었다. 수득한 수지는 실시예 1에서 이용한 용제에 대하여 충분한 용해성을 얻을 수 없고, 언더코팅층을 제조할 수 없었다.
(비교예 7)
비교예 1에서 이용한 수지를, (주)도레이제 아밀란 CM8000으로 바꾼 것 이외는 비교예 1과 마찬가지로 하여 언더코팅층 도포액을 제조하고, 감광체를 제조하였다.
실시예 1 내지 12, 및 비교예 1 내지 7에서 수득한 각 감광체를 시판되고 있는 프린터에 장착하여, 각각의 환경(고온 고습: 35℃, 85% RH, 상온 상습: 25℃, 50% RH, 저온 저습: 5℃, 15% RH) 하에서 화상 품질을 평가하였다. 화상 데이터의 평가는, 전기 특성이 거의 동등한 감광체에 의해 얻어진 화상에 관해서, 화상 중 백색 부분에서의 포깅, 흑점의 유무로 양부를 판정하였다. 결과는 하기 표 1에 정리하여 나타나 있다.

 UC액
경시 변화		 화상 특성 평가 결과
35℃, 85% RH 25℃, 50% RH 5℃, 15% RH
실시예 1 무 양호 양호 양호
실시예 2 무 양호 양호 양호
실시예 3 무 양호 양호 양호
실시예 4 무 양호 양호 양호
실시예 5 무 양호 양호 양호
실시예 6 무 양호 양호 양호
실시예 7 무 양호 양호 양호
실시예 8 무 양호 양호 양호
실시예 9 무 양호 양호 양호
실시예 10 무 양호 양호 양호
실시예 11 무 양호 양호 양호
실시예 12 무 양호 양호 양호
비교예 1 응집·침강발생 포깅 및 흑점 흑점 흑점
비교예 2 응집·침강발생 포깅 및 흑점 포깅 및 흑점 흑점
비교예 3 응집·침강발생 포깅 및 흑점 흑점 흑점
비교예 4 응집·침강발생 포깅 및 흑점 포깅 및 흑점 흑점
비교예 5 응집·침강발생 포깅 및 흑점 포깅 및 흑점 흑점
비교예 6 수지 불용성 감광체 평가 실시 불가
비교예 7 감광체 제조 후 겔화 포깅 및 흑점 양호 양호
상기 표 1로부터 알 수 있는 바와 같이, 언더코팅층에 이소프탈산의 mol% 양을 소정의 범위의 값으로 하고, 이소프탈산, 아디프산 및 세박산의 mol%의 합계 A와 헥사메틸렌 디아민 및 이소포론 디아민의 mol%의 합계 B를 상기 식 1을 만족하는 범위 내로 하면서, ε-카프로락탐을 10% 내지 40%로 한 원료로부터 수득한 수지를 사용한 각 실시예의 감광체에서는, 각각의 환경 하에서 화상 특성에 대해 모두 양호한 결과를 얻을 수 있음이 확인되었다.
이에 대하여, 원료 중의 이소프탈산의 함유량이 높은 비교예 1, 4 및 5, 수지의 산가가 높은 비교예 2, 수지의 염기가가 높은 비교예 3의 감광체에서는, 모두 분산성이 악화되고, 화상 특성에 문제점이 발생해 버렸다. 또한, 방향족 성분을 포함하지 않는 범용의 수지를 이용한 비교예 7의 감광체에는, 특히 고온 고습 환경에서 화상 흑점이 발생하였음을 알 수 있지만, 이것은 수지와 조합하는 금속 산화물의 종류, 배합량에 의해 이러한 문제점이 발생할 수 있음을 의미하는 것이다.
본 발명에 의하면, 상기한 구성에 의해 언더코팅층에서의 이차 응집물의 발생을 억제하여 이들 이차 응집물에 의해 발생하는 흰 바탕 상의 흑점, 포깅 등의 화상 결함이 발생하지 않는 전자사진 감광체를 실현하는 것이 가능해졌다. 따라서, 이러한 본 발명의 전자사진 감광체를 전자사진 장치에 탑재하여, 통상의 사용 환경뿐 아니라 고온 고습도의 환경 하에서도 포깅이나 흑점 등이 발생하지 않는 양호한 화상을 얻을 수 있다.

Claims (13)

  1. 도전성 기판 상에 언더코팅층 및 감광층이 순차적으로 적층되어 있는 전자사진 감광체에 있어서,
    상기 언더코팅층은 방향족 디카르복실산 0.1 mol% 내지 10 mol%, 및 상기 방향족 디카르복실산 외의 2종 이상의 디카르복실산, 2종 이상의 디아민 및 1종 이상의 환형 아미드 화합물을 원료로서 혼합하고 중합하여 이루어지는 수지를 포함하며, 금속 산화물을 함유하고, 상기 수지는 산가 및 염기가가 모두 6.0 KOH mg/g 이하인 것을 특징으로 하는 전자사진 감광체.
  2. 제1항에 있어서, 상기 수지는 방향족 디카르복실산 0.1 mol% 내지 10 mol%, 및 상기 방향족 디카르복실산 외의 2종 이상의 디카르복실산, 2종 이상의 디아민 및 1종 이상의 환형 아미드 화합물 10 mol% 이상을 원료로 하며，상기 방향족 디카르복실산의 mol%와 상기 방향족 디카르복실산 외의 2종 이상의 디카르복실산의 mol% 양의 합계를 A mol%로 하고, 상기 2종 이상의 디아민의 mol% 양의 합계를 B mol%로 하였을 때, 하기 식 1을 만족하도록 혼합하여 중합시킨 것인 전자사진 감광체:
    식 1
    -1.0 mol%≤A-B≤1.0 mol%.
  3. 제1항에 있어서, 상기 수지는 방향족 디카르복실산, 및 상기 방향족 디카르복실산 외의 2종의 디카르복실산, 2종의 디아민 및 1종의 환형 아미드 화합물을 원료로서 혼합하여 중합시킨 것인 전자사진 감광체.
  4. 제3항에 있어서, 상기 수지는 방향족 디카르복실산 0.1 mol% 내지 10 mol%, 및 상기 방향족 디카르복실산 외의 2종의 디카르복실산, 2종의 디아민 및 1종의 환형 아미드 화합물 10 mol% 이상을 원료로 하며, 상기 방향족 디카르복실산의 mol%와 상기 방향족 디카르복실산 외의 2종의 디카르복실산의 mol% 양의 합계를 A mol%로 하고, 상기 2종의 디아민의 mol% 양의 합계를 B mol%로 하였을 때, 하기 식 1을 만족하도록 혼합하여 중합시킨 것인 전자사진 감광체:
    식 1
    -1.0 mol%≤A-B≤1.0 mol%.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 방향족 디카르복실산은 하기 일반식 2로 나타내는 구조를 갖는 것인 전자사진 감광체:
    일반식 2
    Figure 112006090788608-pat00004
    상기 식에서,
    X는 수소 원자, 알킬기, 알릴기, 할로겐 원자, 알콕시기, 아릴기 또는 알킬렌기를 나타낸다.
  6. 제5항에 있어서, 상기 방향족 디카르복실산은 이소프탈산, 프탈산 또는 테레프탈산인 것인 전자사진 감광체.
  7. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 방향족 디카르복실산 외의 2종 이상의 디카르복실산은 탄소 수가 2개 내지 12개인, 방향환을 포함하지 않는 디카르복실산의 조합으로 이루어지는 것인 전자사진 감광체.
  8. 제7항에 있어서, 상기 방향족 디카르복실산 외의 2종 이상의 디카르복실산은 아디프산과 세박산의 조합으로 이루어지는 것인 전자사진 감광체.
  9. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 2종 이상의 디아민은 탄소 수가 2개 내지 12개인 디아민의 조합으로 이루어지는 것인 전자사진 감광체.
  10. 제9항에 있어서, 상기 2종 이상의 디아민은 헥사메틸렌 디아민과 이소포론 디아민의 조합으로 이루어지는 것인 전자사진 감광체.
  11. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 1종 이상의 환형 아미드 화 합물은 탄소 수가 2개 내지 12개인 환형 아미드 화합물 또는 이의 조합으로 이루어지는 것인 전자사진 감광체.
  12. 제11항에 있어서, 상기 1종 이상의 환형 아미드 화합물은 ε-카프로락탐인 것인 전자사진 감광체.
  13. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 금속 산화물의 산가 및 염기가는 모두 20.0 KOH mg/g 이하인 것인 전자사진 감광체.
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI452448B (zh) * 2008-12-01 2014-09-11 Fuji Electric Co Ltd An electrophotographic photoreceptor, a method of manufacturing the same, and an electrophotographic apparatus
TWI453552B (zh) * 2008-12-16 2014-09-21 Fuji Electric Co Ltd An electrophotographic photoreceptor, a manufacturing method thereof, and an electrophotographic apparatus
JP6060630B2 (ja) * 2012-11-08 2017-01-18 富士電機株式会社 電子写真用感光体
JP2017505364A (ja) * 2014-01-28 2017-02-16 ラディシフィル エス．ピー．エー． 高い透明性および低いガス透過性を有する三成分コポリマーならびにその製造方法
EP3424981A4 (en) * 2016-03-03 2019-10-23 UBE Industries, Ltd. POLYAMIDE RESIN AND FILM COMPRISING SAME
EP3587472A4 (en) * 2017-02-21 2020-04-01 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. AMORPHOUS POLYAMIDE RESIN AND MOLDED ARTICLE
JPWO2019180955A1 (ja) * 2018-03-23 2020-04-30 富士電機株式会社 電子写真用感光体、その製造方法および電子写真装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1115183A (ja) 1997-06-25 1999-01-22 Mitsubishi Chem Corp 電子写真感光体
JP2003287914A (ja) 2002-01-28 2003-10-10 Konica Corp 電子写真感光体、画像形成装置、画像形成方法及びプロセスカートリッジ
JP2004175996A (ja) 2002-11-28 2004-06-24 Ube Ind Ltd ポリアミド及びそれを用いたポリアミド成形物
JP2005113032A (ja) 2003-10-08 2005-04-28 Ube Ind Ltd ポリアミド組成物及びポリアミドフィルム

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2297691A (en) 1939-04-04 1942-10-06 Chester F Carlson Electrophotography
JPS51114132A (en) 1975-03-31 1976-10-07 Toshiba Corp Sensitiyer for electronic pictures
JPS5845707B2 (ja) 1975-08-22 1983-10-12 コニカ株式会社 電子写真用感光材料
JPS5895351A (ja) 1981-12-01 1983-06-06 Canon Inc 電子写真感光体
US4495263A (en) 1983-06-30 1985-01-22 Eastman Kodak Company Electrophotographic elements containing polyamide interlayers
JPH0629976B2 (ja) 1985-03-22 1994-04-20 大日本インキ化学工業株式会社 単層型電子写真用感光体
JPS63298251A (ja) 1987-05-28 1988-12-06 Ricoh Co Ltd 電子写真用感光体
JPS646962A (en) * 1987-06-30 1989-01-11 Toshiba Corp Electrophotographic sensitive body
JP2567086B2 (ja) * 1989-03-15 1996-12-25 キヤノン株式会社 電子写真感光体
JP2852432B2 (ja) 1989-06-14 1999-02-03 コニカ株式会社 電子写真感光体
JP2661418B2 (ja) 1991-08-01 1997-10-08 三菱化学株式会社 帯電装置及び方法
US5391448A (en) * 1992-06-22 1995-02-21 Sharp Kabushiki Kaisha Electrophotographic photoconductor and a method for manufacturing the same
JPH08101522A (ja) * 1994-10-03 1996-04-16 Fuji Electric Co Ltd 電子写真用感光体
JP3287384B2 (ja) * 1994-12-28 2002-06-04 キヤノン株式会社 電子写真感光体、該電子写真感光体を有するプロセスカートリッジ及び電子写真装置
GB2299682B (en) * 1995-03-31 1998-10-28 Fuji Electric Co Ltd Electrophotographic photoconductor and process for producing the same
JPH09166882A (ja) 1995-12-15 1997-06-24 Fuji Electric Co Ltd 電子写真有機感光体
JP2003316113A (ja) * 2002-04-19 2003-11-06 Canon Inc 電子写真装置及びプロセスカートリッジ
US7166398B2 (en) * 2003-06-20 2007-01-23 Konica Minolta Business Technologies, Inc. Electrophotographic photoreceptor and device

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1115183A (ja) 1997-06-25 1999-01-22 Mitsubishi Chem Corp 電子写真感光体
JP2003287914A (ja) 2002-01-28 2003-10-10 Konica Corp 電子写真感光体、画像形成装置、画像形成方法及びプロセスカートリッジ
JP2004175996A (ja) 2002-11-28 2004-06-24 Ube Ind Ltd ポリアミド及びそれを用いたポリアミド成形物
JP2005113032A (ja) 2003-10-08 2005-04-28 Ube Ind Ltd ポリアミド組成物及びポリアミドフィルム

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Publication number Publication date
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