KR101139132B1 - 기상 성장 장치용 서셉터 - Google Patents
기상 성장 장치용 서셉터 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101139132B1 KR101139132B1 KR1020090013475A KR20090013475A KR101139132B1 KR 101139132 B1 KR101139132 B1 KR 101139132B1 KR 1020090013475 A KR1020090013475 A KR 1020090013475A KR 20090013475 A KR20090013475 A KR 20090013475A KR 101139132 B1 KR101139132 B1 KR 101139132B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- susceptor
- wafer
- gas discharge
- annular groove
- discharge hole
- Prior art date
Links
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 claims abstract description 21
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 20
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 20
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- VJBCNMFKFZIXHC-UHFFFAOYSA-N azanium;2-(4-methyl-5-oxo-4-propan-2-yl-1h-imidazol-2-yl)quinoline-3-carboxylate Chemical compound N.N1C(=O)C(C(C)C)(C)N=C1C1=NC2=CC=CC=C2C=C1C(O)=O VJBCNMFKFZIXHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 abstract description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 177
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 88
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 17
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 9
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 7
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 2
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N chlorosilicon Chemical compound Cl[Si] SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/12—Substrate holders or susceptors
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
- C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
- C23C16/4587—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially vertically
- C23C16/4588—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially vertically the substrate being rotated
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
실리콘 웨이퍼를 재치(載置)할 때의 미끄러짐을 방지하여, 서셉터의 정위치에 웨이퍼를 재치할 수 있는 기상 성장 장치용 서셉터를 제공한다.
저면(104)의 최외주에 일렬, 서셉터(10)의 표면을 향해 확장되는 경사면(105a)을 가지는 환상 홈(105)이 형성되고, 이 환상 홈에, 서셉터의 이면에 관통하는, 단면적이 2.0~3.0㎟, 개구율이 0.25~O.5%인 가스 배출 구멍이 형성되어 있다.
Description
본 발명은, 실리콘 웨이퍼의 표면에 에피택셜막을 성장시키는 기상 성장 장치에 이용되는 서셉터에 관한 것으로, 특히 실리콘 웨이퍼를 재치(載置)할 때의 미끄러짐을 방지하여 서셉터의 정위치에 웨이퍼를 재치할 수 있는 기상 성장 장치용 서셉터에 관한 것이다.
웨이퍼 표면에 고품질의 에피택셜막을 성장시키는 기상 성장 장치로서, 이른바 매엽(枚葉)식 기상 성장 장치가 알려져 있다.
이런 종류의 매엽식 기상 성장 장치에서는, 석영제의 통로 형상의 챔버 내에 흑연 모재에 탄화규소 SiC를 코팅한 원반 형상의 서셉터를 설치함과 함께, 이 서셉터 상에 웨이퍼를 올려, 챔버 외면에 배치한 히터로 웨이퍼를 가열하면서 챔버 내를 통과하는 각종 원료 가스와 반응시킴으로써, 웨이퍼 표면에 에피택셜막을 성장시킨다.
웨이퍼를 올린 서셉터의 표면에는, 웨이퍼보다 한층 더 크고 깊이가 웨이퍼의 두께 정도인, 원형의 웨이퍼 포켓으로 불리는 오목부(패임)가 형성되어, 이 웨이퍼 포켓에 웨이퍼를 올린다.
그런데, 웨이퍼와 웨이퍼 포켓 사이에는 반응 가스가 통과할 수 있을 정도의 미소한 간극이 존재한다. 이 때문에, 에피택셜막의 성막 공정에 있어서, 웨이퍼 이면의 외주 영역에 수십 ㎚ 오더의 반응막이 퇴적되는데, 이 반응막의 막두께는 웨이퍼의 평탄도에 영향을 미치는 것이기 때문에, 가능한 한 균일하게 할 필요가 있다. 특히 디바이스 디자인룰의 미세화에 수반하여, 웨이퍼 이면에 형성되는 반응막도 고려한 전체의 두께 형상 제어가 필요시되고 있다.
그러나, 웨이퍼의 중심과 웨이퍼 포켓의 중심이 어긋난 상태로 에피택셜막의 성장 반응이 행해지면, 웨이퍼와 웨이퍼 포켓의 간극 치수가 원주 방향으로 불균일해져, 그 결과 웨이퍼의 평탄도가 저하된다는 문제가 있었다.
여기서, 웨이퍼를 서셉터에 올릴 때의 웨이퍼 미끄러짐을 방지하는 것으로서, 서셉터의 웨이퍼 재치면을 평탄면으로 함과 함께, 로딩할 때의 가스 배출용의 관통 구멍(구멍 지름 10㎜)을, 재치면의 전체면에 개구 면적율 5~10%가 되도록 형성한 것이 알려져 있다(특허 문헌 1).
그러나, 관통 구멍의 개구 면적율이 큰 서셉터나, 구멍 지름이 큰 서셉터에, 초평탄도의 웨이퍼를 떨어뜨리면, 관통 구멍 사이에서 가스가 배출되는 속도의 밸런스가 무너져, 오히려 웨이퍼의 미끄러짐이 생기는 것이 판명되었다. 이것은, 고평탄도의 웨이퍼를 고정밀도로 만든 웨이퍼 포켓에 올리면, 웨이퍼와 웨이퍼 포켓 사이의 미소한 간극(나노미터 레벨)이 보다 작아져, 로딩시의 가스 배출은 오로지 관통 구멍만으로부터 행해지는 것이 원인이라고 생각되며, 이 웨이퍼 미끄러짐의 문제는, 특히 고정밀도로 만든 웨이퍼 포켓에, 대구경?초평탄도의 웨이퍼를 베르 누이 척으로 떨어뜨리는 경우에 현저히 나타난다.
특허 문헌 1: 일본 공개특허 공보 평8-8198호
본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 실리콘 웨이퍼를 재치할 때의 미끄러짐을 방지하여, 서셉터의 정위치에 웨이퍼를 재치할 수 있는 기상 성장 장치용 서셉터를 제공하는 것에 있다.
청구항 1에 기재된 발명은, 표면으로부터 내부를 향해 움푹 패여, 실리콘 웨이퍼를 재치하는 웨이퍼 포켓이 형성된 서셉터에 있어서,
상기 웨이퍼 포켓은 저면과 그 저면의 외주에 형성되어 웨이퍼를 지지하는 지지면과 그 지지면의 외주에 형성되어 서셉터 표면에 연장되는 측면과
상기 저면의 최외주에 일렬로 형성되고 또한 상기 저면을 향해 확장되는 경사면을 가지는 환상 홈과 그 환상 홈으로부터 상기 서셉터의 이면에 관통하여 연장되고, 개구 면적이 2.0~3.0㎟, 상기 저면에 대한 개구율이 0.25~0.5%인 복수의 가스 배출 구멍을 갖는 것을 특징으로 하는 기상 성장 장치용 서셉터이다.
청구항 2에 기재된 발명은, 상기 경사면이, 상기 홈에 형성된 상기 가스 배출 구멍의 외주측 및 내주측의 양측에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 기상 성장 장치용 서셉터이다.
청구항 3에 기재된 발명은, 상기 경사면이, 상기 홈에 형성된 상기 가스 배 출 구멍의 내주측에만 형성되고, 상기 가스 배출 구멍은 상기 저면의 최외주에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 기상 성장 장치용 서셉터이다.
청구항 4에 기재된 발명은, 상기 환상 홈이, 상기 경사면의 상단(上端)에 세로벽면을 갖는 것을 특징으로 하는 기상 성장 장치용 서셉터이다.
청구항 5에 기재된 발명은, 상기 가스 배출 구멍이, 상기 서셉터 본체의 표면측의 개구가 이면의 개구에 대해서 상기 서셉터 본체의 회전 방향 앞측에 위치하도록, 경사져 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 기상 성장 장치용 서셉터이다.
청구항 6에 기재된 발명은, 상기 실리콘 웨이퍼의 구경은 300㎜ 이상인 것을 특징으로 하는 기상 성장 장치용 서셉터이다.
청구항 7에 기재된 발명은, 상기 지지면은, 상기 저면의 최외주 가장자리와 상기 측면의 하단(下端) 가장자리를 연결하는 단부(段部)로 이루어지는 것을 특징으로 하는 기상 성장 장치용 서셉터이다.
본 발명에 관련된 기상 성장 장치용 서셉터에 의하면, 실리콘 웨이퍼를 재치할 때의 미끄러짐을 방지할 수 있어, 서셉터의 정위치에 웨이퍼를 재치할 수 있다.
이하, 본 발명의 실시 형태를 도면에 기초하여 설명한다.
《제1 실시 형태》
도 1은, 실리콘 웨이퍼(W)(이하, 간단히 웨이퍼(W)라고도 한다)의 표면에 에피택셜막을 성장시키는 매엽식 기상 성장 장치(1)를 나타내는 모식적 단면도이며, 돔 부착체(5)에 상측 돔(3)과 하측 돔(4)을 부착하여 이루어지는 에피택셜막 형성실(2)을 가진다. 이 상측 돔(3) 및 하측 돔(4)은 석영 등의 투명한 재료로 이루어지며, 장치(1)의 상방 및 하방에 복수 배치된 가열원인 할로겐 램프(6a, 6b)에 의해 서셉터(10) 및 웨이퍼(W)가 가열된다.
서셉터(10)는, 회전축(7)에 연결되는 지지 아암(8)에 의해 그 하면의 외주부가 감합 지지되어, 회전축(7)의 구동에 의해 회전한다. 서셉터(10)의 재질은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 탄소 기재의 표면에 SiC를 피막한 것이 바람직하게 채용되고, 그 형상에 대해서는 후술한다.
또한, 서셉터(10)로 웨이퍼(W)를 반입하거나, 서셉터(10)로부터 웨이퍼(W)를 반출하는 방식으로서는 특별히 한정되지 않으며, 베르누이 척이나 진공 척을 이용하여 웨이퍼를 지지하여 웨이퍼 포켓에 떨어뜨림으로써 옮겨 놓는 타입이나, 웨이퍼 하면을 핀으로 지지하고 당해 핀을 승강시켜, 상기 웨이퍼를 웨이퍼 포켓에 옮겨 놓는 타입 모두 적용할 수 있다.
돔 부착체(5)의 측면에는 제1 가스 공급구(11)와 제2 가스 공급구(12)가 형성되고, 이것에 대향하는 돔 부착체(5)의 측면에는 제1 가스 배출구(13)와 제2 가스 배출구(14)가 형성되어 있다. 제1 가스 공급구(11)로부터는 SiHCl3 등의 Si 소스를 수소 가스로 희석하고, 그것에 도펀트를 미량 혼합하여 이루어지는 반응 가스가 형성실(2) 내에 공급되고, 공급된 반응 가스는 웨이퍼(W)의 표면을 통과하여 에피택셜막 성장 후, 제1 가스 배출구(13)로부터 장치(1) 밖으로 배출된다.
또한, 제2 가스 공급구(12)로부터는 수소 가스 등의 캐리어 가스가 서셉터(10)의 하면측을 향해 공급되고, 이 캐리어 가스의 하류측에 형성된 제2 가스 배출구(14)로부터 장치(1) 밖으로 배출된다. 이것에 의해 웨이퍼 이면으로부터 방출된 도펀트를 보다 효과적으로 장치(1) 밖으로 배출할 수 있다. 단, 제2 가스 공급구(12) 및 제2 가스 배출구(14)를 필요에 따라 생략할 수도 있다. 또, 제2 가스 공급구(12)를 형성하여 수소 가스 등의 캐리어 가스를 형성실(2) 내에 공급하는 경우에, 제2 가스 배출구(14)를 형성하지 않고 에피택셜 성장용의 반응 가스 등을 배출하는 제1 가스 배출구(13)를 겸용해도 된다.
다음에 본 실시 형태에 관련된 서셉터(10)의 구성에 대해 설명한다.
도 2(A)는 본 실시 형태에 관련된 서셉터를 나타내는 반평면도, 도 2(B)는 IIB-IIB선을 따르는 반단면도, 도 2(C)는 본 실시 형태에 관련된 환상 홈(105)을 나타내는 평면도, 도 2(D)는 IID-IID선을 따르는 단면도, 도 2(E)는 IIE-IIE선을 따르는 단면도이다.
도 2(A)(B)에 나타내는 바와 같이, 본 예의 서셉터(10)의 상면에는, 웨이퍼(W)의 외경보다 1~5㎜ 큰 지름의 오목부로 이루어지는 웨이퍼 포켓(101)이 형성되어 있다.
이 웨이퍼 포켓(101)은, 웨이퍼(W)의 외주부(W1)에만 접촉하여 웨이퍼(W)를 지지하기 위한 경사진 지지면(102)과, 당해 지지면(102)을 둘러싸는 세로벽인 측면(103)과, 지지면(102)의 내측에 형성된 저면(104)으로 구성되고, 웨이퍼(W)는, 그 중앙 부분에 있어서 웨이퍼 이면(W2)과 저면(104) 사이에 소정의 간극을 가지도 록, 그 외주부(W1)가 지지면(102)에 재치된다.
또한, 본 예의 지지면(102)은, 도 2(B)에 나타내는 바와 같이 경사면으로 형성함으로써 웨이퍼(W)의 외주부(W1)와의 접촉을 선접촉으로 했지만, 지지면(102)을 수평면으로 형성하여 웨이퍼(W)의 외주부(W1)와의 접촉을 면접촉으로 하거나, 지지면(102)에 미세한 요철을 형성하여 웨이퍼(W)의 외주부(W1)와의 접촉을 점접촉으로 할 수도 있다.
본 실시 형태의 서셉터(10)에는, 저면(104)의 최외주에 일렬만, 당해 서셉터(10)의 상면을 향해 확장되는 경사면(105a)을 가지는 환상 홈(105)이 형성되어 있다. 도 2(C)~(E)에 환상 홈(105)의 일부를 확대하여 나타낸다.
본 예의 환상 홈(105)은, 홈 구조를 구성하는 저부(105b)와, 이 저부(105b)의 양측에 형성된 2개의 경사부(105a)를 가지고, 환상 홈(105)의 저부(105b)의 소정 간격 마다, 서셉터(10)의 이면에 관통하는 가스 배출 구멍(106)이 복수 형성되어 있다.
이 가스 배출 구멍(106)은, 하나의 개구 면적이 2.0~3.0㎟의 직사각형이나 타원 등으로 이루어지는 관통 구멍이며, 하나의 서셉터(10)에 형성된 가스 배출 구멍(106)의 개구율(가스 배출 구멍(106)의 개구 면적의 총 합의, 서셉터(10)의 저면(104)의 면적에 대한 비율)이 0.25~0.5%가 되도록 가스 배출 구멍(106)의 수와 간격이 설정되어 있다.
본 예의 가스 배출 구멍(106)은, 로딩시에 있어서 웨이퍼(W)를 석영판에 올려 반입한 후, 웨이퍼 하면을 핀으로 지지하고 당해 핀을 강하시켜, 서셉터(10)의 상부로부터 웨이퍼 포켓(101)에 재치할 때에, 웨이퍼(W)와 웨이퍼 포켓(101) 사이에 있는 가스를 서셉터(10)의 하면으로 배출시켜, 웨이퍼(W)의 미끄러짐을 방지하기 위한 관통 구멍이다.
본 예의 서셉터(10)는, 웨이퍼(W)의 외주부(W1)가 접촉하는 지지면(102)의 내측의 저면(104)의 최외주에 일렬만, 비교적 소경(2.0~3.0㎟)의 가스 배출 구멍(106)을 비교적 작은 개구율(0.25~0.5%)로 형성했으므로, 웨이퍼(W)의 로딩시에 있어서, 고정밀도로 만들어진 웨이퍼 포켓(101)의 지지면(102)에 대구경?초평탄도의 웨이퍼(W)를 재치해도, 웨이퍼(W)와 저면(104) 사이의 가스는 이러한 가스 배출 구멍(106)으로부터 균일하게 배출되어 미끄러짐이 생기는 일 없이, 목표 위치, 즉 서셉터(10)의 중심과 웨이퍼(W)의 중심이 일치하도록 올릴 수 있다. 웨이퍼(W)가 서셉터(10)의 중심에 올려짐으로써, 웨이퍼(W)와 지지면(102)의 간극이 원주 방향으로 균일해져, 그 결과, 웨이퍼(W)의 이면(W2)의 외주부에 형성되는 반응막의 막두께가 원주 방향으로 균일해진다.
특히 본 예에서는, 서셉터(10)의 저면(104)의 최외주에 1열의 환상 홈(105)을 형성하고, 여기에 가스 배출 구멍(106)을 형성했으므로, 이하의 가스 배출 효과를 나타낸다. 즉, 웨이퍼(W)를 서셉터(10) 상방으로부터 재치할 때에, 웨이퍼 이면(W2)과 서셉터(10) 상면의 간극의 캐리어 가스(수소)는 서셉터(10)의 외주 방향 또는 가스 배출 구멍의 방향을 향해 흘러 배출되려고 한다. 여기서, 웨이퍼 이면(W2)의 중앙부 부근의 캐리어 가스는, 웨이퍼 포켓(101)의 측면(103)을 향해 방사 형상의 흐름이 된다.
가스 배출 구멍이 형성되어 있지 않은 종래의 서셉터에 있어서는, 웨이퍼 포켓(101)의 저면(104)의 최외주로부터 지지면(102)에 이르는 세로벽 부분에서 방사 형상의 흐름이 반전되어, 웨이퍼 이면(W2)의 중앙부를 향하는 흐름이 생기고, 가스(압)의 체류가 생겨 방사 형상의 가스의 흐름은 외주부에서 난류(亂流)가 된다. 또, 서셉터(10)의 전체면에 가스 배출 구멍이 균등하게 형성된 종래의 서셉터에 있어서는, 외주부를 향하는 방사 형상의 흐름이 거의 없거나, 서셉터 외주부에만 부분적으로 가스 배출 구멍이 형성된 경우에는 방사 형상의 흐름이 생기지만, 어느 것으로 해도 서셉터(10)의 면내에서 모두 균일한 흐름이 되지 않고, 웨이퍼(W)의 원주 방향으로 본 경우, 가스 배출 구멍이 형성된 부분과 형성되어 있지 않은 부분에서 속도 및 체류 상태에 편차가 생긴다.
또, 개구 면적율이 작고 또한 구멍 지름이 크면, 전체의 가스의 배출 밸런스가 무너져, 가스가 배출되는 속도가 구멍의 위치에 따라 크게 변화되어 웨이퍼는 수평으로 낙하하지 않고, 압력차에 의해 가로 방향으로 어긋나 웨이퍼는 목표 위치로부터 어긋나 버린다. 개구 면적율이 크고, 구멍 지름도 크면, 가스가 배출되는 속도가 너무 빨라, 서셉터 지지면에 웨이퍼는 선 형상으로 접촉할 뿐이므로, 웨이퍼가 튀어 오르기 쉬워, 목표 위치로부터 어긋나 버리는 문제가 발생하기 쉬워진다.
이에 반해, 본 예의 서셉터(10)는, 저면(104)의 최외주에 환상 홈(105)을 형성하고, 여기에 가스 배출 구멍(106)을 형성한 것에 의해, 웨이퍼 포켓(101)의 지지면(102)의 근방에서 캐리어 가스가 체류하지 않는, 안정된 방사 형상의 가스 배 출 흐름이 된다. 또한, 환상 홈(105)의 공간이 있음으로써, 배출되는 캐리어 가스의 버퍼 기능을 다하게 됨으로써 가스 유속을 안정시킬 수 있다. 이 버퍼 기능은, 환상 홈(105)의 형상도 관계되어, 표층측에 경사면(105a)을 가지는 폭이 넓은 구조나 가스 배출 구멍(106)이 환상 홈(105)을 따른 직사각형 또는 타원형의 긴 구멍인 쪽이 각 부분에서의 압력 밸런스가 잡혀, 배출의 변동 없이 서서히 배출시킬 수 있다.
2개의 경사부(105a)는, 수평면으로부터 5도에서 30도 기울여 형성함으로써 가스 유속을 안정시킬 수 있다.
또, 홈 구조(105)의 공간은, 웨이퍼 이면과 서셉터(10)의 저면(104)의 공간의 체적의 1%~10%이다. 바람직하게는, 3%~7%이다.
도 3은, 본 실시 형태의 서셉터(10)에 재치함으로써, 중심이 일치한 웨이퍼(W)에 에피택셜막을 성장시키고, 그 웨이퍼 이면(W2)의 외주 가장자리로부터 2㎜의 위치의 반응막의 막두께를 측정한 결과를 나타내는 그래프이며, 그 도면에 나타내는 대로 원주 방향(가로축) 전체 둘레에 걸쳐 ±5㎚의 균일성이 확인되었다. 또 이것의 비교예로서, 특허 문헌 1에 기재된 서셉터의 관통 구멍을, 상기 본 실시 형태의 서셉터(10)의 가스 배출 구멍 대신에 형성한 것에, 동일한 구경의 웨이퍼(W)를 올려, 동일한 기상 성장 장치를 이용하여 동일한 조건으로 에피택셜막을 성장시키고, 그 웨이퍼 이면(W2)의 외주 가장자리로부터 2㎜에 위치한 반응막의 막두께를 측정한 결과도 그 도면에 나타냈다. 비교예의 웨이퍼는, 원주 방향 230°부근과, 원주 방향 60°의 부분의 반응막의 막두께의 차는 3배 이상이 되어 있으며, 웨이퍼 의 중심이 웨이퍼 포켓의 중심으로부터 어긋난 상태로 재치되고, 이 부분의 간극이 커져 있는 것이 확인되었다.
본 실시 형태의 서셉터(10)는, 상기 서술한 바와 같이 웨이퍼(W)의 미끄러짐을 방지하여 목표 위치에 재치할 수 있는 결과, 이면에 형성되는 반응막의 막두께가 균일해져, 웨이퍼의 전체적인 평탄도가 향상된다.
또, 이 이외에도 이하의 부대적 효과를 나타낸다.
즉, 본 예의 서셉터(10)는, 비교적 소경(2.0~3.0㎟)의 가스 배출 구멍(106)을 비교적 작은 개구율(0.25~0.5%)로 형성했으므로, 가스 배출 구멍(106)이 존재하는 것에 의한 웨이퍼(W)의 온도 분포가 균일해져, 그 결과, 온도차가 원인으로 생기는 슬립을 저감시킬 수 있음과 함께, 에피택셜막의 막두께 변동의 변동을 현저하게 저감시킬 수 있다. 또한, 서서히 배출시킬 수 있으므로, 이면에 서셉터 접촉에 의한 흠집이 생기기 어렵다는 또 다른 효과도 나타낸다.
《다른 실시 형태》
도 4(A)는, 본 발명의 다른 실시 형태를 나타내는 반단면도, 도 4(B)는 환상 홈(105)을 나타내는 확대 평면도이다.
상기 서술한 제1 실시 형태에 관련된 환상 홈(105)은, 저부(105b)의 내주측과 외주측의 양측에 2개의 경사면(105a)을 형성했지만, 본 예에서는 외주측의 경사면을 생략하고, 저부(105b) 내주측에만 경사면(105a)을 형성한다. 이에 수반하여, 가스 배출 구멍(106)을 웨이퍼 포켓(101)의 저면(104)의 최외주에 형성한다. 이 이외의 구성은 상기 서술한 제1 실시 형태와 동일하다.
본 예에서는, 가스 배출 구멍(106)을 또한 외주측에 형성한 것에 의해, 웨이퍼를 서셉터에 재치할 때, 외측에 흐른 가스가 세로벽부에 충돌한 후에 내측으로 튀어져 나오려고 하지만, 가스 배출 구멍(106)이 보다 세로벽에 근접한 위치에 형성되어 있으므로, 보다 순조로운 흡수 배출 효과를 나타낸다.
또한, 가스 배출 구멍(106)을 저면(104)의 최외주에 형성하는 경우, 도 5에 나타내는 바와 같이 가스 배출 구멍(106)의 내주측의 벽을, 경사부(105a)와 세로벽(105c)을 갖는 구조로 할 수도 있다. 도 5는 본 발명의 또 다른 실시 형태를 나타내는 반단면도이다. 이것에 의해, 웨이퍼(W)를 올렸을 때의 당해 웨이퍼(W)와 서셉터(10)의 공간을 좁게 할 수 있어, 서셉터와 웨이퍼의 온도차가 저감되어 웨이퍼면 내의 온도 균일성이 향상되고, 슬립 결함의 발생을 억제할 수 있다. 또, 온도 분포의 조정폭도 넓게 할 수 있다.
도 6(A)는 본 발명의 또 다른 실시 형태에 관련된 서셉터를 나타내는 반평면도, 도 6(B)은 홈을 나타내는 확대 평면도, 도 6(C)은 VIC-VIC선을 따르는 단면도이다.
상기 서술한 제1 실시 형태에서는, 가스 배출 구멍(106)을 서셉터(10)의 주면에 대해서 직각 방향으로 형성했지만, 본 예의 가스 배출 구멍(106)은, 서셉터(10)의 기상 성장 장치에 있어서의 회전 방향으로 경사지도록 형성한다. 즉, 도 6(A) 및 (C)에 나타내는 화살표의 방향을 서셉터(10)의 회전 방향으로 하면, 그 도면(C)에 나타내는 바와 같이 가스 배출 구멍(106)의 상부 개구가 하부 개구에 대해서 회전 방향 전측이 되도록 경사시킨다. 이것에 의해, 서셉터(10)가 회전한 상태 에서 가스 배출 구멍(106)으로부터 외부의 가스가 역류해 오는 것을 방지할 수 있다.
[실시예]
다음에, 상기 서술한 실시 형태에 있어서, 가스 배출 구멍(106)의 개구 면적을 2.0~3.0㎟, 저면(104)의 면적에 대한 가스 배출 구멍(106)의 개구율을 0.25~0.5%로 한 것의 근거를 실시예 및 비교예에 기초하여 설명한다.
《실시예 1》
도 2에 나타내는 구조의 서셉터에 대해서, 구경 300㎜의 실리콘 웨이퍼를 재치할 수 있도록, 저면의 지름을 297㎜, 가스 배출 구멍의 사이즈를 세로 2.5×가로 0.8㎜ (개구 면적을 2.0㎟), 가스 배출 구멍의 개구율을 0.25%로 했다.
환상 홈(105)이, 저면(104)의 최외주에 1열로 형성되고, 이 저부(105b)의 양측에 형성된 2개의 경사부(105a)를 가지고, 상기 환상 홈의 저면 부분에 가스 배출 구멍(106)을 130개 형성했다.
이 서셉터에 구경 300㎜의 실리콘 웨이퍼를 100장, 웨이퍼 하면을 핀으로 지지하고 당해 핀을 강하시켜, 서셉터(10)의 상부로부터 웨이퍼 포켓(101)에 재치시키고, 웨이퍼의 중심과 웨이퍼 포켓의 중심의 어긋남량을 CCD 카메라로 서셉터 상방으로부터 관찰하여 계측했다. 어긋남량이 ±0.3㎜ 이내였던 웨이퍼 장수가 95장 이상인 것을 ○, 75장 이하인 것을 ×로 하여 재치 안정성을 평가했다. 또한, 동시에 슬립 결함의 발생, 에피택셜막의 막두께 분포, 에피택셜막의 비저항 분포 및 라이프 타임도 측정하여, 재치 안정성이 ○이라도 이들 웨이퍼 품질 중 어느 하나가 양호하지 않은 것은 △로 했다.
《실시예 2》
실시에 1에 있어서 가스 배출 구멍의 개구율을 0.5%로 한 것 이외는 실시예 1과 동일한 조건으로 서셉터를 제작하고, 이 서셉터에 구경 300㎜의 실리콘 웨이퍼를, 웨이퍼 하면을 핀으로 지지하고 당해 핀을 강하시켜, 서셉터(10)의 상부로부터 웨이퍼 포켓(101)에 재치시키고, 웨이퍼의 중심과 웨이퍼 포켓의 중심의 어긋남량을 측정했다.
《실시예 3》
실시예 1에 있어서 가스 배출 구멍의 개구 면적을 3.0㎟로 한 것 이외는 실시예 1과 동일한 조건으로 서셉터를 제작하고, 이 서셉터에 구경 300㎜의 실리콘 웨이퍼를, 웨이퍼 하면을 핀으로 지지하고 당해 핀을 강하시켜, 서셉터(10)의 상부로부터 웨이퍼 포켓(101)에 재치시키고, 웨이퍼의 중심과 웨이퍼 포켓의 중심의 어긋남량을 측정했다.
《실시예 4》
실시예 1에 있어서 가스 배출 구멍의 개구 면적을 3.0㎟, 가스 배출 구멍의 개구율을 0.5%으로 한 것 이외는 실시예 1과 동일한 조건으로 서셉터를 제작하고, 이 서셉터에 구경 300㎜의 실리콘 웨이퍼를, 웨이퍼 하면을 핀으로 지지하고 당해 핀을 강하시켜, 서셉터(10)의 상부로부터 웨이퍼 포켓(101)에 재치시키고, 웨이퍼의 중심과 웨이퍼 포켓의 중심의 어긋남량을 측정했다.
《비교예 1》
서셉터의 저면에 가스 배출 구멍을 형성하지 않았던 것 이외는 실시예 1과 동일한 조건으로 서셉터를 제작하고, 이 서셉터에 구경 300㎜의 실리콘 웨이퍼를, 웨이퍼 하면을 핀으로 지지하고 당해 핀을 강하시켜, 서셉터(10)의 상부로부터 웨이퍼 포켓(101)에 재치시키고, 웨이퍼의 중심과 웨이퍼 포켓의 중심의 어긋남량을 측정했다.
《비교예 2》
실시예 1에 있어서 가스 배출 구멍의 저면에 대한 개구율을 0.1%로 한 것 이외는 실시예 1과 동일한 조건으로 서셉터를 제작하고, 이 서셉터에 구경 300㎜의 실리콘 웨이퍼를, 웨이퍼 하면을 핀으로 지지하고 당해 핀을 강하시켜, 서셉터(10)의 상부로부터 웨이퍼 포켓(101)에 재치시키고, 웨이퍼의 중심과 웨이퍼 포켓의 중심의 어긋남량을 측정했다.
《비교예 3》
실시예 1에 있어서 가스 배출 구멍의 저면에 대한 개구율을 0.8%로 한 것 이외는 실시예 1과 동일한 조건으로 서셉터를 제작하고, 이 서셉터에 구경 300㎜의 실리콘 웨이퍼를, 웨이퍼 하면을 핀으로 지지하고 당해 핀을 강하시켜, 서셉터(10)의 상부로부터 웨이퍼 포켓(101)에 재치시키고, 웨이퍼의 중심과 웨이퍼 포켓의 중심의 어긋남량을 측정했다.
《비교예 4》
실시예 1에 있어서 가스 배출 구멍의 개구 면적을 1.0㎟로 한 것 이외는 실시예 1과 동일한 조건으로 서셉터를 제작하고, 이 서셉터에 구경 300㎜의 실리콘 웨이퍼를, 웨이퍼 하면을 핀으로 지지하고 당해 핀을 강하시켜, 서셉터(10)의 상부로부터 웨이퍼 포켓(101)에 재치시키고, 웨이퍼의 중심과 웨이퍼 포켓의 중심의 어긋남량을 측정했다.
《비교예 5》
실시예 1에 있어서 가스 배출 구멍의 개구 면적을 4.0㎟로 하고, 가스 배출 구멍의 저면에 대한 개구율을 0.8%로 한 것 이외는 실시예 1과 동일한 조건으로 서셉터를 제작하고, 이 서셉터에 구경 300㎜의 실리콘 웨이퍼를, 웨이퍼 하면을 핀으로 지지하고 당해 핀을 강하시켜, 서셉터(10)의 상부로부터 웨이퍼 포켓(101)에 재치시키고, 웨이퍼의 중심과 웨이퍼 포켓의 중심의 어긋남량을 측정했다.
《비교예 6》
실시예 1에 있어서 가스 배출 구멍의 개구 면적을 217㎟, 가스 배출 구멍의 저면에 대한 개구율을 5%로 한 것 이외는 실시예 1과 동일한 조건으로 서셉터를 제작하고, 이 서셉터에 구경 300㎜의 실리콘 웨이퍼를, 웨이퍼 하면을 핀으로 지지하고 당해 핀을 강하시켜, 서셉터(10)의 상부로부터 웨이퍼 포켓(101)에 재치시키고, 웨이퍼의 중심과 웨이퍼 포켓의 중심의 어긋남량을 측정했다.
《비교예 7》
실시예 1에 있어서 가스 배출 구멍의 개구 면적을 433㎟, 가스 배출 구멍의 저면에 대한 개구율을 10%로 한 것 이외는 실시예 1과 동일한 조건으로 서셉터를 제작하고, 이 서셉터에 구경 300㎜의 실리콘 웨이퍼를, 웨이퍼 하면을 핀으로 지지하고 당해 핀을 강하시켜, 서셉터(10)의 상부로부터 웨이퍼 포켓(101)에 재치시키 고, 웨이퍼의 중심과 웨이퍼 포켓의 중심의 어긋남량을 측정했다.
이상의 실시예 1~4 및 비교예 1~7의 결과를 표 1 및 도 7에 나타낸다.
《고찰》
실시예 1~4의 결과로부터, 가스 배출 구멍(10)의 개구 면적을 2.0~3.0㎟, 가스 배출 구멍(106)의 개구 면적의 총 합을 저면(104)의 면적의 0.25~0.5%로 하면, 구경 300㎜의 실리콘 웨이퍼를, 웨이퍼 하면을 핀으로 지지하고 당해 핀을 강하시켜, 서셉터(10)의 상부로부터 웨이퍼 포켓(101)에 재치시켰을 때에, 웨이퍼의 중심과 웨이퍼 포켓의 중심의 어긋남량이 한없이 제로에 가까운 것이 확인되었다.
이에 반해, 비교예 1, 2, 6, 7에 대해서는 재치 안정성이 ×이며(비교예 6 및 7에 대해서는 슬립 결함, 에피택셜막의 막두께 분포, 에피택셜막의 비저항 분포 모두를 만족할 만한 것은 아니였다), 상기의 범위를 일탈한 가스 배출 구멍의 경우에는, 웨이퍼의 중심과 웨이퍼 포켓의 중심의 어긋남량이 커지는 것이 확인되었다. 또, 비교예 3~5에 대해서는, 재치 안정성은 양호했지만, 비교예 3 및 5에 대해서는 슬립 결함이 발생하고, 비교예 4에 대해서는 라이프 타임을 만족할 만한 것은 아니었다.
도 1은 본 발명의 실시 형태에 관련된 서셉터가 적용되는 기상 성장 장치의 일례를 나타내는 모식적 단면도이다.
도 2의 (A)는 본 발명의 실시 형태에 관련된 서셉터를 나타내는 반평면도, (B)는 IIB-IIB선을 따르는 반단면도, (C)는 환상 홈을 나타내는 확대 평면도, (D)는 IID-IID선을 따르는 단면도, (E)는 IIE-IIE선을 따르는 단면도이다.
도 3은 본 발명의 실시 형태에 관련된 서셉터를 이용하여 에피택셜막을 성장시킨 웨이퍼 이면의 상태를 나타내는 그래프이다.
도 4의 (A)는 본 발명의 다른 실시 형태를 나타내는 반단면도, (B)는 환상 홈을 나타내는 확대 평면도이다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시 형태를 나타내는 반단면도이다.
도 6의 (A)는 본 발명의 또 다른 실시 형태에 관련된 서셉터를 나타내는 반평면도, (B)는 환상 홈을 나타내는 확대 평면도, (C)는 VIC-VIC선을 따르는 단면도이다.
도 7은 본 발명의 실시예 및 비교예의 결과를 나타내는 그래프이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호 설명>
W 웨이퍼 W1 웨이퍼 외주부
W2 웨이퍼 이면 10 서셉터
101 웨이퍼 포켓 102 지지면
103 측면 104 저면
105 환상 홈 105a 경사면
105b 저부 106 가스 배출 구멍
Claims (7)
- 표면으로부터 내부를 향해 움푹 패여, 실리콘 웨이퍼를 재치(載置)하는 웨이퍼 포켓이 형성된 서셉터에 있어서,상기 웨이퍼 포켓은,저면과,상기 저면의 외주에 형성되어 웨이퍼를 지지하는 지지면과,상기 지지면의 외주에 형성되어 서셉터 표면에 연장되는 측면과,상기 저면의 최외주에 일렬로 형성된 환상 홈으로서, 당해 환상 홈의 내에 상기 저면을 향해 확장되는 경사면을 가지는 환상 홈과,상기 환상 홈으로부터 상기 서셉터의 이면에 관통하여 연장되고, 개구 면적이 2.0~3.0㎟, 상기 저면에 대한 개구율이 0.25~0.5%인 복수의 가스 배출 구멍을 갖는 것을 특징으로 하는 기상 성장 장치용 서셉터.
- 청구항 1에 있어서,상기 경사면은, 상기 환상 홈의 저부의 외주측 및 내주측의 양측에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 기상 성장 장치용 서셉터.
- 청구항 1에 있어서,상기 경사면은, 상기 환상 홈의 저부의 내주측에만 형성되고, 상기 가스 배출 구멍은 상기 저면의 최외주에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 기상 성장 장치용 서셉터.
- 청구항 3에 있어서,상기 환상 홈은, 상기 경사면의 상단(上端)에 세로벽면을 갖는 것을 특징으로 하는 기상 성장 장치용 서셉터.
- 청구항 1에 있어서,상기 가스 배출 구멍은, 상기 서셉터 본체의 표면측의 개구가 이면의 개구에 대해서 상기 서셉터 본체의 회전 방향 앞측에 위치하도록, 경사져 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 기상 성장 장치용 서셉터.
- 청구항 1에 있어서,상기 실리콘 웨이퍼의 구경은 300㎜ 이상인 것을 특징으로 하는 기상 성장 장치용 서셉터.
- 청구항 1에 있어서,상기 지지면은, 상기 저면의 최외주 가장자리와 상기 측면의 하단(下端) 가장자리를 연결하는 단부(段部)로 이루어지는 것을 특징으로 하는 기상 성장 장치용 서셉터.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2008073575A JP5156446B2 (ja) | 2008-03-21 | 2008-03-21 | 気相成長装置用サセプタ |
| JPJP-P-2008-073575 | 2008-03-21 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20090101086A KR20090101086A (ko) | 2009-09-24 |
| KR101139132B1 true KR101139132B1 (ko) | 2012-04-30 |
Family
ID=40651479
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020090013475A KR101139132B1 (ko) | 2008-03-21 | 2009-02-18 | 기상 성장 장치용 서셉터 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9017483B2 (ko) |
| EP (1) | EP2103720B1 (ko) |
| JP (1) | JP5156446B2 (ko) |
| KR (1) | KR101139132B1 (ko) |
| TW (1) | TWI417988B (ko) |
Families Citing this family (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5370850B2 (ja) * | 2007-11-08 | 2013-12-18 | 株式会社Ｓｕｍｃｏ | エピタキシャル膜成長方法、ウェーハ支持構造およびサセプタ |
| JP5092975B2 (ja) | 2008-07-31 | 2012-12-05 | 株式会社Ｓｕｍｃｏ | エピタキシャルウェーハの製造方法 |
| US8372196B2 (en) * | 2008-11-04 | 2013-02-12 | Sumco Techxiv Corporation | Susceptor device, manufacturing apparatus of epitaxial wafer, and manufacturing method of epitaxial wafer |
| US20110098933A1 (en) * | 2009-10-26 | 2011-04-28 | Nellcor Puritan Bennett Ireland | Systems And Methods For Processing Oximetry Signals Using Least Median Squares Techniques |
| KR101238841B1 (ko) * | 2011-01-04 | 2013-03-04 | 주식회사 엘지실트론 | 화학 기상 증착 장치용 서셉터 및 이를 갖는 화학 기상 증착 장치 |
| JP5477314B2 (ja) * | 2011-03-04 | 2014-04-23 | 信越半導体株式会社 | サセプタ及びこれを用いたエピタキシャルウェーハの製造方法 |
| KR101339591B1 (ko) * | 2012-01-13 | 2013-12-10 | 주식회사 엘지실트론 | 서셉터 |
| US10316412B2 (en) | 2012-04-18 | 2019-06-11 | Veeco Instruments Inc. | Wafter carrier for chemical vapor deposition systems |
| KR101496572B1 (ko) * | 2012-10-16 | 2015-02-26 | 주식회사 엘지실트론 | 에피택셜 성장용 서셉터 및 에피택셜 성장방법 |
| SG2014013064A (en) * | 2012-11-21 | 2015-02-27 | Ev Group Inc | Accommodating device for accommodation and mounting of a wafer |
| US9589818B2 (en) * | 2012-12-20 | 2017-03-07 | Lam Research Ag | Apparatus for liquid treatment of wafer shaped articles and liquid control ring for use in same |
| US10167571B2 (en) | 2013-03-15 | 2019-01-01 | Veeco Instruments Inc. | Wafer carrier having provisions for improving heating uniformity in chemical vapor deposition systems |
| US9799548B2 (en) * | 2013-03-15 | 2017-10-24 | Applied Materials, Inc. | Susceptors for enhanced process uniformity and reduced substrate slippage |
| TWI650832B (zh) | 2013-12-26 | 2019-02-11 | 維克儀器公司 | 用於化學氣相沉積系統之具有隔熱蓋的晶圓載具 |
| WO2015161225A1 (en) | 2014-04-18 | 2015-10-22 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for susceptor temperature verification and methods of use |
| US9976211B2 (en) * | 2014-04-25 | 2018-05-22 | Applied Materials, Inc. | Plasma erosion resistant thin film coating for high temperature application |
| US10196741B2 (en) | 2014-06-27 | 2019-02-05 | Applied Materials, Inc. | Wafer placement and gap control optimization through in situ feedback |
| KR20170054447A (ko) * | 2014-09-05 | 2017-05-17 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 기판들의 열적 프로세싱을 위한 서셉터 및 예열 링 |
| DE102016210203B3 (de) * | 2016-06-09 | 2017-08-31 | Siltronic Ag | Suszeptor zum Halten einer Halbleiterscheibe, Verfahren zum Abscheiden einer epitaktischen Schicht auf einer Vorderseite einer Halbleiterscheibe und Halbleiterscheibe mit epitaktischer Schicht |
| US11149351B2 (en) * | 2017-09-11 | 2021-10-19 | Infineon Technologies Ag | Apparatus and method for chemical vapor deposition process for semiconductor substrates |
| USD860146S1 (en) | 2017-11-30 | 2019-09-17 | Veeco Instruments Inc. | Wafer carrier with a 33-pocket configuration |
| USD858469S1 (en) | 2018-03-26 | 2019-09-03 | Veeco Instruments Inc. | Chemical vapor deposition wafer carrier with thermal cover |
| USD854506S1 (en) | 2018-03-26 | 2019-07-23 | Veeco Instruments Inc. | Chemical vapor deposition wafer carrier with thermal cover |
| USD860147S1 (en) | 2018-03-26 | 2019-09-17 | Veeco Instruments Inc. | Chemical vapor deposition wafer carrier with thermal cover |
| USD866491S1 (en) | 2018-03-26 | 2019-11-12 | Veeco Instruments Inc. | Chemical vapor deposition wafer carrier with thermal cover |
| USD863239S1 (en) | 2018-03-26 | 2019-10-15 | Veeco Instruments Inc. | Chemical vapor deposition wafer carrier with thermal cover |
| CN110854008B (zh) * | 2019-10-31 | 2022-06-07 | 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 | 一种托盘及刻蚀机 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6129047A (en) | 1997-02-07 | 2000-10-10 | Sumitomo Metal Industries, Ltd. | Susceptor for vapor-phase growth apparatus |
| KR20040061007A (ko) * | 2001-11-30 | 2004-07-06 | 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤 | 서셉터, 기상 성장 장치, 에피택셜 웨이퍼의 제조 장치,에피택셜 웨이퍼의 제조 방법 및 에피택셜 웨이퍼 |
| KR20040066093A (ko) * | 2001-12-21 | 2004-07-23 | 미츠비시 스미토모 실리콘 주식회사 | 에피택셜 성장용 서셉터 및 에피택셜 성장방법 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5326725A (en) * | 1993-03-11 | 1994-07-05 | Applied Materials, Inc. | Clamping ring and susceptor therefor |
| US5556475A (en) * | 1993-06-04 | 1996-09-17 | Applied Science And Technology, Inc. | Microwave plasma reactor |
| JPH088198A (ja) * | 1994-06-21 | 1996-01-12 | Sumitomo Sitix Corp | 気相成長装置用サセプター |
| US5870271A (en) * | 1997-02-19 | 1999-02-09 | Applied Materials, Inc. | Pressure actuated sealing diaphragm for chucks |
| WO1999023691A2 (en) * | 1997-11-03 | 1999-05-14 | Asm America, Inc. | Improved low mass wafer support system |
| JP3541838B2 (ja) * | 2002-03-28 | 2004-07-14 | 信越半導体株式会社 | サセプタ、エピタキシャルウェーハの製造装置および製造方法 |
| JP2003229370A (ja) * | 2001-11-30 | 2003-08-15 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | サセプタ、気相成長装置、エピタキシャルウェーハの製造方法およびエピタキシャルウェーハ |
| JP3908112B2 (ja) * | 2002-07-29 | 2007-04-25 | Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 | サセプタ、エピタキシャルウェーハ製造装置及びエピタキシャルウェーハ製造方法 |
| JP4042618B2 (ja) * | 2003-04-25 | 2008-02-06 | 株式会社Ｓｕｍｃｏ | エピタキシャルウエーハ製造方法 |
| WO2005111266A1 (ja) * | 2004-05-18 | 2005-11-24 | Sumco Corporation | 気相成長装置用サセプタ |
| JP4868503B2 (ja) * | 2006-03-30 | 2012-02-01 | Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 | エピタキシャルウェーハの製造方法 |
| JP4868522B2 (ja) * | 2006-03-30 | 2012-02-01 | Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 | エピタキシャルウェーハの製造方法及び製造装置 |
| US20080314319A1 (en) * | 2007-06-19 | 2008-12-25 | Memc Electronic Materials, Inc. | Susceptor for improving throughput and reducing wafer damage |
-
2008
- 2008-03-21 JP JP2008073575A patent/JP5156446B2/ja active Active
-
2009
- 2009-02-02 US US12/364,149 patent/US9017483B2/en active Active
- 2009-02-12 EP EP09001968A patent/EP2103720B1/en active Active
- 2009-02-18 KR KR1020090013475A patent/KR101139132B1/ko active IP Right Grant
- 2009-02-19 TW TW098105292A patent/TWI417988B/zh active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6129047A (en) | 1997-02-07 | 2000-10-10 | Sumitomo Metal Industries, Ltd. | Susceptor for vapor-phase growth apparatus |
| KR20040061007A (ko) * | 2001-11-30 | 2004-07-06 | 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤 | 서셉터, 기상 성장 장치, 에피택셜 웨이퍼의 제조 장치,에피택셜 웨이퍼의 제조 방법 및 에피택셜 웨이퍼 |
| KR20040066093A (ko) * | 2001-12-21 | 2004-07-23 | 미츠비시 스미토모 실리콘 주식회사 | 에피택셜 성장용 서셉터 및 에피택셜 성장방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP5156446B2 (ja) | 2013-03-06 |
| US20090235867A1 (en) | 2009-09-24 |
| US9017483B2 (en) | 2015-04-28 |
| EP2103720B1 (en) | 2012-03-21 |
| JP2009231448A (ja) | 2009-10-08 |
| TWI417988B (zh) | 2013-12-01 |
| TW200947605A (en) | 2009-11-16 |
| KR20090101086A (ko) | 2009-09-24 |
| EP2103720A1 (en) | 2009-09-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101139132B1 (ko) | 기상 성장 장치용 서셉터 | |
| KR102243261B1 (ko) | 에피택셜 성장 장치 및 프리히트 링 그리고 그들을 이용한 에피택셜 웨이퍼의 제조 방법 | |
| US6569239B2 (en) | Silicon epitaxial wafer and production method therefor | |
| US20100029066A1 (en) | Susceptor, vapor phase growth apparatus, and method of manufacturing epitaxial wafer | |
| US6596086B1 (en) | Apparatus for thin film growth | |
| US8882911B2 (en) | Apparatus for manufacturing silicon carbide single crystal | |
| JP6424726B2 (ja) | サセプタ及びエピタキシャル成長装置 | |
| WO2007091638A1 (ja) | サセプタおよびエピタキシャルウェハの製造装置 | |
| WO2001033617A1 (fr) | Appareil de fabrication de semiconducteurs | |
| CN111996591B (zh) | 一种用于硅片的外延生长的基座、装置及方法 | |
| JP2005260095A (ja) | エピタキシャル成長装置 | |
| JP4378699B2 (ja) | エピタキシャル成長装置 | |
| JP5098873B2 (ja) | 気相成長装置用のサセプタ及び気相成長装置 | |
| TW201913873A (zh) | 晶座、磊晶成長裝置、磊晶矽晶圓的製造方法以及磊晶矽晶圓 | |
| US11692266B2 (en) | SiC chemical vapor deposition apparatus | |
| JP2023042593A (ja) | ＳｉＣエピタキシャルウェハ | |
| JP7183358B1 (ja) | ＳｉＣエピタキシャルウェハ及びＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法 | |
| JP2006041028A (ja) | サセプタ、およびエピタキシャルウェーハの製造方法 | |
| JP4613451B2 (ja) | エピタキシャルウェーハの製造方法 | |
| US20210217648A1 (en) | Susceptor and chemical vapor deposition apparatus | |
| JP2023024445A (ja) | ＳｉＣデバイス及びＳｉＣデバイスの製造方法 | |
| JP2019121613A (ja) | サセプタ | |
| KR20140049473A (ko) | 에피택셜 성장용 서셉터 및 에피택셜 성장방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| AMND | Amendment | ||
| E601 | Decision to refuse application | ||
| AMND | Amendment | ||
| J201 | Request for trial against refusal decision | ||
| B701 | Decision to grant | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160408 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170407 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180410 Year of fee payment: 7 |