JP2023042593A - SiCエピタキシャルウェハ - Google Patents
SiCエピタキシャルウェハ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2023042593A JP2023042593A JP2023005972A JP2023005972A JP2023042593A JP 2023042593 A JP2023042593 A JP 2023042593A JP 2023005972 A JP2023005972 A JP 2023005972A JP 2023005972 A JP2023005972 A JP 2023005972A JP 2023042593 A JP2023042593 A JP 2023042593A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sic
- epitaxial layer
- boron
- sic substrate
- epitaxial wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 67
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 54
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims abstract description 54
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 27
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 117
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 115
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 49
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 48
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 39
- 238000000034 method Methods 0.000 description 26
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 17
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 11
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 11
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 11
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 7
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 238000004949 mass spectrometry Methods 0.000 description 2
- 238000001004 secondary ion mass spectrometry Methods 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003902 SiCl 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N chlorosilicon Chemical compound Cl[Si] SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- BUMGIEFFCMBQDG-UHFFFAOYSA-N dichlorosilicon Chemical compound Cl[Si]Cl BUMGIEFFCMBQDG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical group 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 238000007790 scraping Methods 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N silicon tetrachloride Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)Cl FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 1
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 1
- 238000005092 sublimation method Methods 0.000 description 1
- ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N trichlorosilane Chemical compound Cl[SiH](Cl)Cl ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005052 trichlorosilane Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02367—Substrates
- H01L21/0237—Materials
- H01L21/02373—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/02378—Silicon carbide
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/36—Carbides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/32—Carbides
- C23C16/325—Silicon carbide
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
- C23C16/4408—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber by purging residual gases from the reaction chamber or gas lines
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/10—Heating of the reaction chamber or the substrate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/16—Controlling or regulating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/18—Epitaxial-layer growth characterised by the substrate
- C30B25/20—Epitaxial-layer growth characterised by the substrate the substrate being of the same materials as the epitaxial layer
- C30B25/205—Epitaxial-layer growth characterised by the substrate the substrate being of the same materials as the epitaxial layer the substrate being of insulating material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/02532—Silicon, silicon germanium, germanium
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/0257—Doping during depositing
- H01L21/02573—Conductivity type
- H01L21/02576—N-type
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/0257—Doping during depositing
- H01L21/02573—Conductivity type
- H01L21/02579—P-type
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/16—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic System
- H01L29/167—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic System further characterised by the doping material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/16—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic System
- H01L29/1608—Silicon carbide
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Description
本発明は、SiCエピタキシャルウェハに関する。
炭化珪素(SiC)は、シリコン(Si)に比べて絶縁破壊電界が1桁大きく、バンドギャップが3倍大きく、熱伝導率が3倍程度高い。炭化珪素(SiC)は、パワーデバイス、高周波デバイス、高温動作デバイス等への応用が期待されている。
SiCデバイスの実用化の促進には、高品質のSiCエピタキシャルウェハ及び高品質のエピタキシャル成長技術の確立が求められている。
SiCデバイスは、SiCエピタキシャルウェハに形成される。SiCエピタキシャルウェハは、SiC基板と、SiC基板上に積層されたエピタキシャル層と、を備える。SiC基板は、昇華再結晶法等で成長させたSiCのバルク単結晶から加工して得られる。エピタキシャル層は、化学的気相成長法(Chemical Vapor Deposition:CVD)等によって作製され、デバイスの活性領域となる。
エピタキシャル層は、エピタキシャル層の導電型を決める不純物と、不純物と異なる導電型のボロンと、を有する場合がある(例えば、特許文献1~3)。ボロンは、ドリフト層内の実効的なキャリア濃度を低減させ、バイポーラデバイスのキャリアライフタイムを短くする原因となる場合がある。
ボロンは製造に用いられる部材等に含まれるため、完全に除去することは難しい。エピタキシャル層内にボロン濃度が高い部分があると、その部分は汎用的にデバイスに適用することが難しい。エピタキシャルウェハの面内でボロン濃度が高い箇所の割合が高いほど、デバイスに汎用的に適用できる有効面積が少なくなる。特許文献1~3には、エピタキシャル層内におけるボロン濃度の面内均一性については記載されていない。
本発明は上記問題に鑑みてなされたものであり、ボロンの含有量が面内のいずれの位置でも少なく、有効面積の広い、SiCエピタキシャルウェハ及びその製造方法を得ることを目的とする。
本発明は、上記課題を解決するため、以下の手段を提供する。
(1)第1の態様にかかるSiCエピタキシャルウェハは、SiC基板と、前記SiC基板に積層されたSiCのエピタキシャル層と、を備え、前記エピタキシャル層は、導電型を決定する不純物と、前記不純物と導電型が異なるボロンと、を含み、前記エピタキシャル層において、前記ボロンの濃度は面内のいずれの位置でも1.0×1014cm-3未満である。
(2)上記態様にかかるSiCエピタキシャルウェハは、直径が150mm以上であってもよい。
(3)上記態様にかかるSiCエピタキシャルウェハは、直径が200mm以上であってもよい。
(4)第2の態様にかかるSiCエピタキシャルウェハの製造方法は、SiC基板の載置面の上方にガス供給口を有する縦型炉を用いて、SiC基板上にSiCのエピタキシャル層を成膜する成膜工程を有し、前記成膜工程は、第1昇温速度、第2昇温速度、第3昇温速度の順に昇温速度を変更しながら成膜温度まで昇温する昇温工程を有し、前記第1昇温速度は、前記第2昇温速度より早く、前記第2昇温速度は、前記第3昇温速度より早く、前記第1昇温速度は、100℃/min以上である。
(5)上記態様にかかるSiCエピタキシャルウェハの製造方法において、成膜温度で前記SiC基板の前記載置面の中心の高さ位置を外周の高さ位置より30μm以上高くしてもよい。
(6)上記態様にかかるSiCエピタキシャルウェハの製造方法の前記成膜工程において、前記SiC基板の裏面からパージガスを供給してもよい。前記パージガスは、例えば、前記SiC基板の外周より20mm以上内側から供給される。
(7)上記態様にかかるSiCエピタキシャルウェハの製造方法の前記昇温工程に要する時間を300秒以上750秒以下としてもよい。
上記態様にかかるSiCエピタキシャルウェハは、ボロンの含有量が面内のいずれの位置でも少なく、有効面積が広い。また上記態様にかかるSiCエピタキシャルウェハの製造方法は、面内のいずれの位置でもボロンの含有量を少なくできる。
以下、本実施形態について、図を適宜参照しながら詳細に説明する。以下の説明で用いる図面は、本発明の特徴をわかりやすくするために便宜上特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などは実際とは異なっていることがある。以下の説明において例示される材質、寸法等は一例であって、本発明はそれらに限定されるものではなく、その要旨を変更しない範囲で適宜変更して実施することが可能である。
図1は、第1実施形態に係るSiCエピタキシャルウェハ10の断面図である。図2は、第1実施形態に係るSiCエピタキシャルウェハ10の平面図である。SiCエピタキシャルウェハ10は、SiC基板1とエピタキシャル層2とを有する。SiCエピタキシャルウェハ10は、例えば、直径が150mm以上の円板である。SiCエピタキシャルウェハ10の直径は、200mm以上でもよい。
SiC基板1は、例えば、SiCインゴットから切り出されたものである。SiCインゴットは、例えば、昇華法を用いてSiC種結晶上に成長する。SiC基板1は、例えば、(0001)から<11-20>方向にオフセット角を有する面を成長面とする。SiC基板1は、不純物を含む。不純物は、例えば、窒素である。
SiC基板1の平面視形状は、例えば、円形である。SiC基板1の直径は、例えば、150mm以上である。SiC基板1は、円の一部が切り欠かれていてもよい。切り欠かれた部分は、オリエンテーションフラットOFと称される。オリエンテーションフラットOFは、SiC基板1の方位等の確認に用いられる。
エピタキシャル層2は、SiC基板1上に積層されている。エピタキシャル層2は、例えば、化学気相成長法(CVD法)で形成される。エピタキシャル層2は、SiCの単結晶膜である。エピタキシャル層2は、例えば、複数層からなってもよい。例えば、エピタキシャル層2は、不純物濃度の異なる複数のSiC単結晶膜からなってもよい。
エピタキシャル層2は、導電型を決定する不純物とボロンとを含む。導電型を決定する不純物は、例えば、窒素である。窒素の導電型は、n型である。エピタキシャル層2における導電型を決定する不純物の不純物濃度は、例えば、1.0×1014cm-3以上3.0×1016cm-3以下であり、好ましくは1.0×1014cm-3以上3.0×1015cm-3以下である。エピタキシャル層2における導電型を決定する不純物濃度の面内均一性は、例えば、20%以内であることが好ましく、10%以下であることがより好ましい。不純物濃度の面内均一性は、例えば、SiCエピタキシャルウェハの中心を通る径方向の10点以上の測定点の結果から求められる。導電型を決定する不純物濃度の面内均一性は、複数の測定点のうちの不純物濃度の最大値と最小値との差を、複数の測定点の不純物濃度の平均値で割った値である。オリエンテーションフラットOFと平行な方向に測定点を配置してもよいし、オリエンテーションフラットOFと垂直な方向に測定点を配置してもよいし、オリエンテーションフラットOFと平行及び垂直な方向のそれぞれに測定点を配置してもよい。
ボロンは、窒素の導電型と異なる導電型を示す。ボロンの導電型は、p型である。ボロンは、意図的にエピタキシャル層2にドーピングしたものではなく、エピタキシャル層2の成膜時にサセプタ等の成膜装置に含まれていたものが不純物として混入したものである。ボロンは、実効的なキャリア濃度の低下の原因であり、かつ、バイポーラデバイスの伝導度変調効果を抑制する原因にもなりえる。エピタキシャル層2におけるボロン濃度は少ないことが好ましいが、完全に除去することは難しい。
エピタキシャル層2において、ボロンの濃度は面内のいずれの位置でも1.0×1014cm-3未満である。ボロンの濃度は、エピタキシャル層2の外側が中心より高くなる傾向にある。エピタキシャル層2の中心p1と外周から5mm内側の4つの点p2におけるボロン濃度が上記範囲にあれば、面内のいずれの位置でもボロン濃度が上記範囲内にあると見なすことができる。なお、外周から5mmの範囲は、デバイスの有効領域としてみなされない場合がある。そのため、外周から5mmの範囲は、無視できる場合が多い。
各層の不純物及びボロン濃度は、例えば、水銀プローブ(Hg-CV)法や二次イオン質量分析法(SIMS)等で測定できる。
Hg-CV法は、ドナー濃度Ndとアクセプター濃度Naの差(Nd-Na)をn型の不純物濃度として測定する。ドナー濃度に比べてアクセプター濃度が十分に小さい場合は、これらの濃度差をn型の不純物濃度とみなせる。
二次イオン質量分析法(SIMS)は、厚み方向に層を削りながら、飛び出してきた二次イオンの質量分析をする方法である。質量分析からドーピング濃度を測定できる。
不純物及びボロン濃度の測定点は、ウェハ面内の分布が反映できるのであれば任意の点でよい。ウェハのエッジから5mm未満の部分は測定点に含めないことが好ましい。例えば、ウェハの中心を原点として十字の方向に複数点で測定する。例えば、6インチウェハの場合は、原点を中心に十字のそれぞれの4方向に5点ずつの計21点で測定する。
次いで、第1実施形態に係るSiCエピタキシャルウェハの製造方法を説明する。まずSiC基板1を準備する。SiCインゴットを所定の厚みで切ることで、SiC基板1が得られる。SiC基板1は、販売されているものを購入してもよい。
次いで、SiC基板1上にエピタキシャル層2を成膜する成膜工程を行う。エピタキシャル層2は、例えば、CVD法で成膜される。
図3は、第1実施形態に係るSiCエピタキシャルウェハ10の成膜装置100の一例の模式図である。成膜装置100は、例えば、チャンバー20と支持体30とサセプタ40と下部ヒーター50と上部ヒーター60とを有する。図3は、SiC基板1がサセプタ40に載置された状態を示す。成膜装置100は、SiC基板1の載置面の上方にガス供給口22がある縦型炉である。
チャンバー20は、例えば、本体21とガス供給口22とガス排出口23とを有する。本体21は、成膜空間Sを取り囲む。ガス供給口22は、成膜ガスGを成膜空間Sに供給する入口である。ガス供給口22は、例えば、SiC基板1の載置面の上方にある。ガス排出口23は、成膜空間S内に滞留した成膜ガスG等を排出する出口である。ガス排出口23は、例えば、SiC基板1の載置面より下方にある。成膜ガスGは、例えば、Si系ガス、C系ガス、パージガス、ドーパントガスである。
Si系ガスは、分子内にSiを含む原料ガスである。Si系ガスは、例えば、シラン(SiH4)、ジクロロシラン(SiH2Cl2)、トリクロロシラン(SiHCl3)、テトラクロロシラン(SiCl4)等である。C系ガスは、例えばプロパン(C3H8)、エチレン(C2H4)等である。ドーパントガスは、キャリアとなる元素を含むガスである。ドーパントガスは、例えば、窒素、アンモニア等である。パージガスは、これらのガスをSiC基板1に搬送するガスであり、SiCに対して不活性な水素等である。
支持体30は、SiC基板1を支持する。支持体30は、軸中心に回転可能である。SiC基板1は、例えば、サセプタ40にSiC基板1が載置された状態で、支持体30に載置される。サセプタ40は、SiC基板1を載置した状態で、チャンバー20内に搬送される。下部ヒーター50は、例えば、支持体30内にあり、SiC基板1を加熱する。上部ヒーター60は、チャンバー20の上部を加熱する。成膜空間S内に露出する部材は、例えば、カーボン部材であり、表面がSiC又はTaCで被覆されていてもよい。
成膜工程は、例えば、図3に示す縦型炉で行われる。図4は、第1実施形態に係るSiCエピタキシャルウェハ10の製造プロセスの一例である。成膜工程は、成膜温度T1まで昇温する昇温工程RSを有する。昇温工程後に成膜温度T1を維持し、エピタキシャル層2の成膜を行う。成膜温度T1は、例えば、1500℃以上である。
昇温工程RSに要する時間は、例えば、300秒以上750秒以下である。昇温工程RSに要する時間が短いと、SiC基板1やサセプタ40の歪が大きくなり、エピタキシャル層2の面内均一性が悪くなる。また昇温工程RSに要する時間が短いと、サセプタ40の面内の温度差などに起因する対流によって成膜ガスの巻き返しが発生してしまい、サセプタ40から放出されるボロンがウェハに取り込まれてしまう。昇温工程RSに要する時間が長いと、成膜装置100に用いられている部材から放出されるボロンの量が増える。
昇温工程RSは、例えば、第1昇温工程S1と第2昇温工程S2と第3昇温工程S3とを有する。第1昇温工程S1と第2昇温工程S2と第3昇温工程S3とは、それぞれ昇温速度が異なる。昇温工程RSは、昇温速度を2回以上変更すればよく、第4昇温工程、第5昇温工程等の昇温速度の異なる更なる工程を有してもよい。
第1昇温工程S1は、第1昇温速度で昇温を行う。第1昇温速度は、100℃/min以上である。第1昇温速度は、第2昇温工程S2における第2昇温速度より早い。第1昇温工程S1では、例えば、温度を1200℃程度まで上げる。
第2昇温工程S2は、第1昇温工程S1の後に第3昇温工程S3の前に行う。第2昇温工程S2は、第2昇温速度で行う。第2昇温速度は、第1昇温速度より遅く、第3昇温速度より早い。第2昇温速度は、例えば、第1昇温速度の90%以下である。第2昇温工程S2では、例えば、温度を1400℃程度まで上げる。
第3昇温工程S3は、第2昇温工程S2の後に行う。第3昇温工程S3は、第3昇温速度で行う。第3昇温速度は、第2昇温速度より遅い。第3昇温速度は、例えば、第2昇温速度の90%以下である。
第1昇温速度を早くすることで、昇温工程RS全体に要する時間を短くできる。昇温工程RS全体に要する時間が短くなると、成膜装置100から放出されるボロンの量が少なくなる。また昇温速度を段階的に遅くしていくことで、SiC基板1やサセプタ40の歪が大きくなりすぎることを抑制できる。
また図5は、第1実施形態に係るSiCエピタキシャルウェハの成膜装置のSiC基板1近傍の拡大図である。SiC基板1は、サセプタ40上に載置されている。サセプタ40は、例えば、支持部41と外周部42と貫通孔43とを有する。
SiC基板1は、支持部41上に載置される。外周部42は、成膜時にSiC基板1が外側に飛び出すことを防ぐ。外周部42は、例えば、リング状の別部材でもよい。貫通孔43は、支持部41の上面と下面とをつなぐ孔である。
SiC基板1の載置面の中心の高さ位置と最外周の高さ位置との差を高低差Δhと称する。高低差Δhは、例えば、レーザー変位計によって測定できる。まず、炉の上部にサセプタの中心、外周部それぞれに測定用のポート及びレーザー変位計を設置し、ウェハを設置しない状態で成膜温度における中心部と外周部の高さの差分を求めることで、サセプタの反りを測定する。次いで、サセプタ上にウェハを設置し、ウェハを設置せずに反りを測定した時と同一条件で測定することで、高低差Δhを測定できる。高低差Δhを測定しながら成膜することで、任意の高低差Δhを保つことができる。またレーザー光源の波長を選択することで、ウェハを設置したままサセプタの反りを測定することもできる。例えば、SiCウェハの場合、レーザー光源の波長を600nm以上とすると、レーザーはSiCウェハを透過するので、ウェハを設置したままサセプタの反りを測定できる。成膜時における高低差Δhは、30μm以上であることが好ましい。すなわち、成膜温度T1において、SiC基板1の載置面の中心の高さ位置を最外周の高さ位置より30μm以上高くすることが好ましい。また成膜温度T1における高低差Δhは、100μm以下であることが好ましい。
上記の高低差Δhの範囲は、成膜温度T1において満たしていればよく、常温で満たしていなくてもよい。また載置面の最外周は、外周部42がある場合は、外周部42と載置面との境界が最外周となる。
高低差Δhは、例えば、成膜条件で制御できる。昇温速度が速いと高低差Δhは大きくなる傾向にある。このほか、サセプタ40を構成する材料で高低差Δhを調整してもよい。例えば、サセプタ40を熱膨張率の異なる2つ以上の材料を用いて作製し、熱膨張率の違いを利用して高低差Δhを調整してもよい。
高低差Δhが大きくなれば、SiC基板1の上面近傍においてSiC基板1の中央から外側に向かう成膜ガスGの流れができ、成膜ガスGの巻き返し等が生じることを防ぐことができる。成膜ガスGの巻き返しは、サセプタ40等から放出されるボロンや未反応ガスがエピタキシャル層2に取り込まれる原因となる。SiC基板1の上面近傍においてSiC基板1の中央から外側に向かう成膜ガスGの流れができると、エピタキシャル層2に含まれるボロン濃度が低くなる。また高低差Δhが所定の範囲内であれば、エピタキシャル層2の中心と外周部分との成膜条件の差が小さく、エピタキシャル層2の面内均一性が高まる。
また貫通孔43を介して、SiC基板1の裏面に、ガスを供給してもよい。SiC基板1の裏面側に供給されるガスは、成膜ガスGのSiC基板1の裏面への回り込みを防ぐ。裏面に供給されるガスは、SiCに対して不活性なパージガスである。
パージガスは、SiC基板1の最外周より20mm以上内側からSiC基板1の裏面に向かって供給されることが好ましい。例えば、貫通孔43と最外周との距離dは、20mm以上であることが好ましい。SiC基板1の裏面へのパージガスの供給位置が、上記条件を満たすと、裏面からのパージガスによって成膜ガスGの流れが乱されることを抑制できる。
上記工程を経ることで、面内のいずれの位置でもボロンの濃度が1.0×1014cm-3以下であるSiCエピタキシャルウェハ10が作製される。
本実施形態に係るSiCエピタキシャルウェハ10は、ボロンの濃度が1.0×1014cm-3以下であるため、デバイス加工後のキャリア寿命を長くできる。キャリア寿命が長ければ、バイポーラ―デバイスにおいて、十分な伝導度変調効果を得ることができる。
エピタキシャル層2において、導電型を決める不純物濃度が低いほど、この効果は大きい。例えば、エピタキシャル層2における窒素の濃度が1.0×1015cm-3で、ボロンの濃度が1.0×1014cm-3の場合は、導電型を決める窒素に対してボロンは10%の割合を占める。この場合、ボロンの存在に伴う悪影響が大きくなる。換言すると、導電型を決める不純物濃度が低いエピタキシャル層2において、ボロン濃度が低いことは価値がある。
以上、本発明の好ましい実施の形態について詳述したが、本発明は特定の実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲内に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
(実施例1)
直径が150mmのSiC基板を準備した。図3に示す成膜装置100と同様の縦型炉を用いてSiC基板1上にエピタキシャル層2を成膜した。昇温工程は3段階として、2回昇温速度を変更した。1回目の昇温速度(第1昇温速度)は、100℃/min以上であった。2回目の昇温速度(第2昇温速度)は、第1昇温速度の80%未満とした。3回目の昇温速度(第3昇温速度)は、第2昇温速度の80%未満とした。成膜温度は、1600℃以上1700℃未満とした。昇温に要する時間は、300秒以上750秒未満であった。
直径が150mmのSiC基板を準備した。図3に示す成膜装置100と同様の縦型炉を用いてSiC基板1上にエピタキシャル層2を成膜した。昇温工程は3段階として、2回昇温速度を変更した。1回目の昇温速度(第1昇温速度)は、100℃/min以上であった。2回目の昇温速度(第2昇温速度)は、第1昇温速度の80%未満とした。3回目の昇温速度(第3昇温速度)は、第2昇温速度の80%未満とした。成膜温度は、1600℃以上1700℃未満とした。昇温に要する時間は、300秒以上750秒未満であった。
エピタキシャル層2の成膜時には、SiC基板1の裏面側からパージガスを供給した。パージガスは、SiC基板1の外周から20mm以上内側の位置に当たるように供給した。また1600℃以上1700℃未満の温度域において、SiC基板1の載置面の中心の高さ位置は、最外周の高さ位置より30μm以上高くした。
そして、作製後において、SiCエピタキシャルウェハ10の中心p1におけるボロン濃度と、外周から5mm内側の4つの点p2のボロン濃度と、を測定した。実施例1の中心p1におけるボロン濃度は5.0×1013cm-3であり、点p2におけるボロン濃度は9.0×1013cm-3であった。したがって、実施例1に係るSiCエピタキシャルウェハは、面内のいずれの位置でもボロン濃度が1.0×1014cm-3未満であった。
(比較例1)
直径が150mmのSiC基板を準備した。比較例1は、SiC基板の側方にガス供給口を有する横型炉を用いた。そして横型炉を用いて、SiC基板1上にエピタキシャル層2を成膜した。昇温工程は1段階で、昇温速度は変更しなかった。昇温速度は、100℃/min以下とした。成膜温度は、1600℃以上1700℃未満とした。昇温に要する時間は、750秒以上であった。
直径が150mmのSiC基板を準備した。比較例1は、SiC基板の側方にガス供給口を有する横型炉を用いた。そして横型炉を用いて、SiC基板1上にエピタキシャル層2を成膜した。昇温工程は1段階で、昇温速度は変更しなかった。昇温速度は、100℃/min以下とした。成膜温度は、1600℃以上1700℃未満とした。昇温に要する時間は、750秒以上であった。
比較例では、SiC基板1の裏面側にパージガスを供給しなかった。また昇温速度が実施例と比べて緩やかなため、1600℃以上1700℃未満の温度域において、SiC基板1の載置面の中心の高さ位置は、最外周の高さ位置より30μm未満であった。
そして、作製後において、比較例1のSiCエピタキシャルウェハの中心p1におけるボロン濃度と、外周から5mm内側の4つの点p2のボロン濃度と、を測定した。比較例1の中心p1におけるボロン濃度は9.2×1013cm-3であり、点p2におけるボロン濃度は8.1×1014cm-3であった。したがって、比較例1に係るSiCエピタキシャルウェハは、ボロン濃度が1.0×1014cm-3以上となる箇所を有していた。
1…SiC基板、2…エピタキシャル層、10…SiCエピタキシャルウェハ、20…チャンバー、21…本体、22…ガス供給口、23…ガス排出口、30…支持体、40…サセプタ、41…支持部、42…外周部、43…貫通孔、50…下部ヒーター、60…上部ヒーター、100…成膜装置、G…成膜ガス、RS…昇温工程、S1…第1昇温工程、S2…第2昇温工程、S3…第3昇温工程、T1…成膜温度、Δh…高低差、d…距離、p1…中心、p2…点
Claims (3)
- SiC基板と、前記SiC基板に積層されたSiCのエピタキシャル層と、を備え、
前記エピタキシャル層は、導電型を決定する不純物と、前記不純物と導電型が異なるボロンと、を含み、
前記エピタキシャル層において、前記ボロンの濃度は面内のいずれの位置でも1.0×1014cm-3未満であり、
前記エピタキシャル層の中心のボロン濃度と、前記エピタキシャル層の外周から5mm内側の点のボロン濃度とのボロン濃度比が、1.8以下である、SiCエピタキシャルウェハ。 - 直径が150mm以上である、請求項1に記載のSiCエピタキシャルウェハ。
- 直径が200mm以上である、請求項1又は2に記載のSiCエピタキシャルウェハ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2023005972A JP2023042593A (ja) | 2021-08-04 | 2023-01-18 | SiCエピタキシャルウェハ |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021128273A JP7285890B2 (ja) | 2021-08-04 | 2021-08-04 | SiCエピタキシャルウェハ及びSiCエピタキシャルウェハの製造方法 |
JP2023005972A JP2023042593A (ja) | 2021-08-04 | 2023-01-18 | SiCエピタキシャルウェハ |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021128273A Division JP7285890B2 (ja) | 2021-08-04 | 2021-08-04 | SiCエピタキシャルウェハ及びSiCエピタキシャルウェハの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2023042593A true JP2023042593A (ja) | 2023-03-27 |
Family
ID=85153360
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021128273A Active JP7285890B2 (ja) | 2021-08-04 | 2021-08-04 | SiCエピタキシャルウェハ及びSiCエピタキシャルウェハの製造方法 |
JP2023005972A Pending JP2023042593A (ja) | 2021-08-04 | 2023-01-18 | SiCエピタキシャルウェハ |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021128273A Active JP7285890B2 (ja) | 2021-08-04 | 2021-08-04 | SiCエピタキシャルウェハ及びSiCエピタキシャルウェハの製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US11795577B2 (ja) |
JP (2) | JP7285890B2 (ja) |
CN (1) | CN115704109A (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7183358B1 (ja) * | 2021-08-04 | 2022-12-05 | 昭和電工株式会社 | SiCエピタキシャルウェハ及びSiCエピタキシャルウェハの製造方法 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4139306B2 (ja) * | 2003-10-02 | 2008-08-27 | 東洋炭素株式会社 | 縦型ホットウォールCVDエピタキシャル装置及びSiCエピタキシャル成長方法 |
EP1790757B1 (en) | 2004-07-22 | 2013-08-14 | Toyo Tanso Co., Ltd. | Susceptor |
JP2012195355A (ja) * | 2011-03-15 | 2012-10-11 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置及び基板の製造方法 |
JP5719710B2 (ja) * | 2011-07-11 | 2015-05-20 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 気相成長装置および気相成長方法 |
US8940614B2 (en) | 2013-03-15 | 2015-01-27 | Dow Corning Corporation | SiC substrate with SiC epitaxial film |
JP6419414B2 (ja) * | 2013-03-22 | 2018-11-07 | 株式会社東芝 | SiCエピタキシャルウェハおよび半導体装置 |
DE112015005134T5 (de) * | 2014-11-12 | 2017-08-03 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Verfahren zur Herstellung eines Siliziumkarbid-Epitaxiesubstrats und Siliziumkarbid-Epitaxiesubstrat |
JP6868686B2 (ja) | 2017-04-18 | 2021-05-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置及びそのクリーニング方法 |
JP7127283B2 (ja) * | 2018-01-05 | 2022-08-30 | 富士電機株式会社 | 炭化珪素半導体基板および炭化珪素半導体基板の製造方法 |
-
2021
- 2021-08-04 JP JP2021128273A patent/JP7285890B2/ja active Active
-
2022
- 2022-08-01 CN CN202210915297.9A patent/CN115704109A/zh active Pending
- 2022-08-02 US US17/879,474 patent/US11795577B2/en active Active
-
2023
- 2023-01-18 JP JP2023005972A patent/JP2023042593A/ja active Pending
- 2023-09-21 US US18/371,423 patent/US20240011191A1/en active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN115704109A (zh) | 2023-02-17 |
US20230038132A1 (en) | 2023-02-09 |
US11795577B2 (en) | 2023-10-24 |
JP2023023081A (ja) | 2023-02-16 |
JP7285890B2 (ja) | 2023-06-02 |
US20240011191A1 (en) | 2024-01-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10494737B2 (en) | Apparatus for producing SiC epitaxial wafer and method for producing SiC epitaxial wafer | |
KR101139132B1 (ko) | 기상 성장 장치용 서셉터 | |
US20100029066A1 (en) | Susceptor, vapor phase growth apparatus, and method of manufacturing epitaxial wafer | |
US6596086B1 (en) | Apparatus for thin film growth | |
JP2000138168A (ja) | 半導体ウェーハ及び気相成長装置 | |
KR101030422B1 (ko) | 서셉터 | |
JP3671418B2 (ja) | 半導体ウェーハの製造方法 | |
US20240011191A1 (en) | SiC EPITAXIAL WAFER AND METHOD OF MANUFACTURING SiC EPITAXIAL WAFER | |
JP2015146416A (ja) | 炭化珪素基板用支持部材、炭化珪素成長装置用部材、および炭化珪素エピタキシャル基板の製造方法 | |
US20200181798A1 (en) | Susceptor and chemical vapor deposition apparatus | |
US20230039660A1 (en) | SiC EPITAXIAL WAFER AND METHOD FOR MANUFACTURING SiC EPITAXIAL WAFER | |
US11692266B2 (en) | SiC chemical vapor deposition apparatus | |
JP7311009B2 (ja) | SiCデバイス及びSiCデバイスの製造方法 | |
JP2011077476A (ja) | エピタキシャル成長用サセプタ | |
JP2024042428A (ja) | SiCエピタキシャルウェハ及びSiCエピタキシャルウェハの製造方法 | |
WO2020158657A1 (ja) | 成膜装置及び成膜方法 | |
JP2006041436A (ja) | サセプタ、気相成長装置、エピタキシャルウェーハの製造方法およびエピタキシャルウェーハ | |
JP2004172392A (ja) | 半導体エピタキシャルウェーハの製造装置およびサセプタ並びにサセプタの支持装置 | |
JP2022067843A (ja) | 炭化珪素単結晶基板およびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230427 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20230428 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20230509 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20230428 |