KR101073517B1 - 실리콘 단결정 제조방법 및 실리콘 단결정 - Google Patents

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Abstract

쵸크랄스키법에 의해 탄소를 도프하여 실리콘 단결정을 제조하는 방법에 있어서, 유기화합물, 유기화합물 및 실리콘웨이퍼, 탄소분말 및 실리콘웨이퍼, 유기화합물 및 탄소분말, 유기화합물과 탄소분말 및 실리콘웨이퍼 중에서 선택되는 어느 하나의 탄소 도프제와 실리콘 다결정원료를 도가니 내에 충전하여 용융한 후, 상기 융액에서 실리콘 단결정을 육성하는 것을 특징으로 하는 탄소 도프 실리콘 단결정의 제조방법. 및 상기 방법으로 제조된 탄소 도프 실리콘단결정.
이로 인해, 실리콘 단결정 중에 탄소를 용이하고 저 비용으로 도프할 수 있고, 또한 실리콘 단결정 중의 탄소농도를 정밀도 있게 제어할 수 있는 탄소 도프 실리콘 단결정 제조방법이 제공된다.
탄소, 도프, 실리콘, 단결정, 탄소 도프제

Description

실리콘 단결정 제조방법 및 실리콘 단결정{Silicon Single Crystal Manufacturing Method and Silicon Single Crystal}
본 발명은 메모리나 CPU등 반도체 디바이스 기판으로 사용되는 실리콘웨이퍼를 절출하는 실리콘 단결정 제조방법에 관한 것으로, 특히 최선단 기술에서 사용되고 있는 탄소를 도프하여 결정결함 및 불순물 게터링을 위한 BMD밀도를 제어한 실리콘 단결정의 제조방법 및 실리콘 단결정에 관한 것이다.
메모리나 CPU 등 반도체 디바이스 기판으로 사용되는 실리콘웨이퍼를 절출하는 실리콘 단결정은 주로 쵸크랄스키법(Czochralski Method, 이하 CZ법으로 약칭함)에 의해 제조되고 있다.
CZ법으로 제조된 실리콘 단결정 중에는 산소원자가 포함되어 있고, 이 실리콘 단결정으로부터 절출되는 실리콘웨이퍼를 이용하여 디바이스를 제조할 때, 실리콘원자와 산소원자가 결합하여 산소석출물(Bulk Micro Defect;이하, BMD으로 약칭함)이 형성된다. 이 BMD는 웨이퍼 내부의 중금속 등의 오염원자를 포획하여 디바이스 특성을 향상시키는 IG(Intrinsic Gettering) 능력을 갖는 것이 알려져 있고, 웨이퍼의 벌크부에서의 BMD농도가 높아질수록 고성능인 디바이스를 얻을 수 있다.
최근에는 실리콘웨이퍼 중의 결정결함을 제어하면서 충분한 IG능력을 부여하 기 위해 탄소나 질소를 의도적으로 도프하여 실리콘 단결정을 제조하는 것이 실행되고 있다.
실리콘 단결정에 탄소를 도프하는 방법에 관해서는, 가스도프(일본 특개평11-302099호 공보 참조), 고순도 탄소분말(일본 특개2002-293691호 공보 참조), 탄소덩어리(일본 특개2003-146796호 공보 참조)등이 제안되어 있다.
하지만, 가스도프로는 결정이 흩어진 경우의 재용융이 불가능하고, 고순도 탄소분말로는 원료 용융시에 도입가스 등에 의해 고순도탄소분말이 비산하고, 탄소 덩어리로는 탄소가 녹기 어려울 뿐만 아니라 육성 중의 결정이 흩어진다는 문제가 각각 있었다.
이러한 문제를 해결할 수 있는 수단으로서, 일본 특개평11-312683호 공보에서는 탄소분말을 넣은 실리콘 다결정제 용기, 탄소를 기상성막한 실리콘웨이퍼, 탄소입자를 포함하는 유기용제를 도포하여 베이킹한 실리콘웨이퍼, 또는 탄소를 소정량 함유시킨 다결정 실리콘을 도가니 내에 투입하여 실리콘 단결정에 탄소를 도프하는 방법이 제안되어 있다.
이들 방법을 사용하면 전술한 바와 같은 문제를 해결할 수 있다. 하지만, 이들 방법은 어느 것도 다결정 실리콘의 가공이나 웨이퍼의 열처리 등이 수반되고, 탄소 도프제의 준비가 쉽지가 않다. 게다가 도프제를 조절하기 위한 가공이나 웨이퍼 열처리에서 불순물로 오염될 가능성도 있다.
또한, 탄소나 질소를 동시에 도프하여, 그로인 결함이 적고 IG 능력이 높은 실리콘 단결정을 얻는 방법이 일본 특개2001-199794호 공보 및 국제공개 제 01/79593호 공보에 개시되어 있다. 실리콘 단결정 중에 질소를 도프하는 방법으로서는 표면에 질화규소막을 형성한 웨이퍼를 다결정 원료에 혼입하는 방법(예를 들어, 일본 특개평5-294780호 공보 참조)이 일반적으로 이용되어 있다.
그러나, 이들 방법으로도 역시 탄소를 도프할 때에는 상기와 같은 과제가 남아 있다.
본 발명은 상술한 문제를 감안하여 이루어진 것으로, 그 목적은 실리콘단결정 중에 탄소를 용이하고 저 비용으로 도프할 수 있고, 또한 실리콘 단결정 중의 탄소농도를 정밀도 있게 제어할 수 있는 탄소 도프 실리콘 단결정의 제조방법을 제공하는 것이다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명은 쵸크랄스키법에 의해 탄소를 도프하여 실리콘 단결정을 제조하는 방법에 있어서, 유기화합물, 유기화합물 및 실리콘웨이퍼, 탄소분말 및 실리콘웨이퍼, 유기화합물 및 탄소분말, 유기화합물과 탄소분말 및 실리콘웨이퍼 중에서 선택되는 어느 하나의 탄소 도프제와 실리콘 다결정원료를 도가니 내에 충전하여 용융한 후, 상기 융액에서 실리콘단결정을 육성하는 것을 특징으로 하는 탄소 도프 실리콘 단결정의 제조방법이다.
이와 같이, 유기화합물, 유기화합물 및 실리콘웨이퍼, 탄소분말 및 실리콘웨이퍼, 유기화합물 및 탄소분말, 유기화합물과 탄소분말 및 실리콘 웨이퍼 중에서 선택되는 어느 하나의 탄소 도프제와 실리콘 다결정 원료를 도가니 내에 충전하여 용융한 후, 상기 융액에서 실리콘 단결정을 육성함으로써, 용이하고 고정밀도로 실리콘 단결정 중에 탄소를 도프할 수 있다.
이 경우, 상기 유기화합물 및 실리콘웨이퍼, 상기 탄소분말 및 실리콘웨이퍼, 상기 유기화합물과 탄소분말 및 실리콘웨이퍼로 이루어진 탄소 도프제는 여러 장의 실리콘웨이퍼 사이에 유기화합물 및/또는 탄소분말을 끼운 형태로 도가니 내에 충전하는 것이 바람직하다.
이와 같이, 상기 유기화합물 및 실리콘 웨이퍼, 상기 탄소분말 및 실리콘웨이퍼, 상기 유기화합물과 탄소분말 및 실리콘웨이퍼로 이루어진 탄소 도프제는 여러 장의 실리콘웨이퍼 사이에 유기화합물 및/또는 탄소분말을 끼움으로써, 유기화합물이나 탄소분말을 실리콘웨이퍼 사이에 고정할 수 있다. 그리고 유기화합물 및 실리콘웨이퍼인 경우, 원료 용융시에 유기화합물이 실리콘웨이퍼에 부착되므로, 유기화합물의 구성원소가 보다 확실하게 원료 융액 중에 도프된다. 또한, 탄소분말인 경우, 원료용융시에 아르곤 가스 등의 도입 불활성 가스에 의해 비산하는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 원료 융액 중의 탄소농도를 원하는 농도로 제어할 수 있게 된다.
또한, 상기 유기화합물 및 탄소분말, 상기 유기화합물과 탄소분말 및 실리콘웨이퍼로 이루어진 탄소 도프제는 봉지 형태의 유기화합물 중에 탄소분말을 봉입한 형태로 도가니 내에 충전하는 것이 바람직하다.
이와 같이, 상기 유기화합물 및 탄소 분말, 상기 유기화합물과 탄소분말 및 실리콘웨이퍼로 이루어진 탄소 도프제를 봉지 형태의 유기화합물 중에 탄소분말을 봉입한 형태로 도가니 내에 충전하면, 원료를 용융할 때 불활성 가스에 의해 탄소분말이 비산하는 것을 방지하는 등의 효과가 있고, 확실하게 원료 융액 중에 탄소를 도프할 수 있다. 나아가 상기 봉지를 실리콘웨이퍼 사이에 끼운 형태로 충전하면 더욱 좋다.
이 경우, 상기 유기화합물로서, 주 구성원소가 탄소 및 수소, 또는 탄소, 수소 및 산소로 이루어진 것을 사용하는 것이 바람직하다.
이와 같이 상기 유기화합물로서, 주 구성원소가 탄소 및 수소, 또는 탄소, 수소 및 산소로 이루어진 것을 사용함으로써, 실리콘 결정 중에 탄소를 도프할 수 있다. 또한 탄소 이외의 원소는 실리콘 단결정 중에 용해해도 실리콘의 성능에 악영향을 미치는 불순물로는 되지 않는다는 이점이 있다.
또한, 상기 유기화합물로서, 주 구성원소에 탄소와 질소를 포함하는 것을 사용해도 무관하다.
이와 같이 상기 유기화합물로서 주 구성원소에 질소를 포함하는 것을 사용함으로써, 실리콘단결정 중에 탄소 외에 질소도 도프할 수 있다.
상기 유기화합물로서, 폴리에틸렌, 비닐계 폴리머, 나일론 중 어느 한 가지 이상을 사용할 수 있다.
이와 같이, 폴리에틸렌, 비닐계 폴리머, 나일론 등을 사용하면, 이것들은 값이 싼 재료이기 때문에 저 비용으로 탄소를 도프할 수 있다.
그리고 본 발명은 본 발명의 실리콘 단결정 제조방법으로 제조되는 탄소 도프 실리콘 단결정이다.
본 발명의 실리콘 단결정 제조방법에 따라 원하는 농도로 탄소를 도프한 실리콘단결정을 얻을 수 있다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명으로 원료 용융 중에 불활성 가스에 의해 탄소도프제가 비산하는 등의 문제가 해소되고, 실리콘 단결정 중의 탄소농도를 목표치로 정밀도 있게 제어할 수 있고, 탄소 도프 실리콘 단결정을 용이하게 저 비용으로 제조할 수 있다. 또한 본 발명을 이용하면 탄소와 질소를 동시에 도프하는 것도 가능하고, 탄소농도 및 질소농도의 제어성이 우수하고, 저가로, 게다가 매우 용이하게 실시할 수 있다.
도 1은 본 발명의 탄소를 도프한 실리콘 단결정의 제조방법에서 사용되는 실리콘 단결정 제조장치의 일 예를 나타내는 개략도이다.
도 2는 본 발명의 실리콘 단결정 원료를 석영 도가니 내에 충전한 상태를 모식적으로 나타낸 모식도이다.
이상, 본 발명의 실시형태의 일 예에 대해 도면을 참조하면서 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이것들에 제한되는 것은 아니다.
도 1은 본 발명의 탄소를 도프한 실리콘 단결정을 제조하는 방법을 실시할 때에 사용하는 단결정 인상장치의 일 예이다. 단결정 인상장치(20)의 메인챔버(1)내에는 용융된 원료융액(4)을 수용하기 위한 석영도가니(5)와 그 석영도가니(5)를 지지하는 흑연도가니(6)가 구비되어 있다. 흑연도가니(6)는 히터(7)로 둘러싸여 있고, 또 그 외측에 단열부재(8)가 형성되어 있다. 또한, 원료융액(4) 상에는 가스정 류통(11)과 단열부재(12)가 실리콘 단결정(3)을 감싸도록 배치되어 있다.
석영도가니 내에 본 발명의 탄소 도프 실리콘단결정의 원료인 다결정 실리콘과 탄소 도프제를 충전한다. 이때 기판의 저항률을 결정하는 인이나 붕소 등의 저항률 제어용 도펀트도 첨가한다. 본 발명에 사용되는 탄소 도프제는 유기화합물, 유기화합물 및 실리콘웨이퍼, 탄소분말 및 실리콘웨이퍼, 유기화합물 및 탄소분말, 유기화합물과 탄소분말 및 실리콘웨이퍼 중 어느 하나이다. 유기화합물로는 폴리에틸렌이나 비닐계 폴리머 등의 탄소 및 수소, 또는 탄소, 수소 및 산소를 주 구성원소로 하는 것을 사용할 수 있다. 이와 같은 유기화합물을 사용하면 탄소 이외의 원소는 원료융액 중에 용해해도 실리콘 특성에 악영향을 미치는 불순물로는 되지 않고, 또는 원료 용융시에 기체로 되어 비산하기 때문에 단결정 육성상 문제가 되지 않는다는 큰 이점이 있다. 게다가, 이들 유기 화합물은 저가이고, 고순도인 것을 쉽게 입수할 수 있다. 따라서, 도프한 유기화합물의 양과 조성 등을 알면 실리콘 중의 탄소 도프량을 계산할 수 있다. 또한, 탄소분말로는 순도, 입도 등 특별히 제한은 없으나, 고순도 탄소분말을 이용하는 것이 탄소분말 유래의 불순물에 의해 OSF 등의 결함 발생을 방지할 수 있기 때문에 바람직하다. 여기에서의 고순도 탄소분말이란, 예를 들어 순도 99.99%이상, 회분 0.01% 이하인 탄소분말을 의미한다.
상기 탄소 도프제는, 예를 들어 도 2에 도시된 바와 같이, 여러 장의 실리콘웨이퍼(16)에 유기화합물(17) 및/또는 탄소분말(18)을 끼운 형태로 석영도가니(5) 내에, 다결정 실리콘(15)과 함께 충전하는 것이 바람직하다. 도 2에는 2장의 실리콘웨이퍼에 끼운 예를 도시하고 있지만, 유기화합물(17)이나 탄소분말(18)의 양에 맞게 웨이퍼 수를 늘리 수도 있다.
실리콘웨이퍼(16)는 폴리쉬드 웨이퍼와 같은 고가인 것이 아니라도, 케미컬에치드 웨이퍼 정도로 충분하다. 또한 표면의 청정도에 문제가 없으면 에즈 슬라이스 웨이퍼 정도의 표면 상태로 충분하고, 이들은 보다 저가로 입수할 수 있다.
석영도가니(5) 중에 원료를 충전한 후, 진공 펌프(미도시)를 가동시켜 가스 유출구(9)에서 배기하면서 인상챔버(2)에 설치된 가스도입구(10)에서 Ar가스를 유입하고, 내부를 Ar분위기로 치환한다.
다음에, 흑연도가니(6)를 둘러싸도록 배치된 히트(7)로 가열하고, 원료를 용융시켜 원료융액(4)을 얻는다. 이때, 유기화합물(17)이면, 용융시에 실리콘웨이퍼(16)에 부착하고, 또한 증발해도 실리콘웨이퍼(16)에 확실하게 포획된다. 그리고, 실리콘웨이퍼(16)가 융해됨에 따라 유기화합물(17)을 구성하는 원소가 융액(4) 중에 용해되어 탄소가 도프된다. 탄소분말(18)을 사용한 경우, 실리콘웨이퍼(16)에 끼움으로써 용융 중에 Ar가스에 의해 비산하지 않고 융해되어 원료융액(4) 중에 용입된다. 이와 같이, 용융시에 탄소가 소실되는 일이 없기 때문에, 원료융액(4) 중의 탄소농도를 원하는 농도로 고 정밀도로 제어할 수 있게 된다.
원료를 용융한 후, 종결정(13)을 원료융액(4)에 침적하고, 종결정(13)을 회전시키면서 인상하여 봉 형태의 실리콘 단결정(3)을 육성한다. 이렇게 하여, 원하는 농도의 탄소가 도프된 실리콘단결정을 제조한다.
본 발명의 다른 실시형태로는, 폴리에틸렌이나 비닐계 폴리머 등의 유기화합물을 봉지 형태로 가공하고, 그 안에 탄소분말을 봉입한 탄소 도프제를 제조한다. 이 탄소 도프제를 실리콘 다결정, 저항률을 결정하는 도펀트와 함께 석영도가니 안에 충전한다. 그리고, 상기와 같은 방법으로 원료를 용융하여 결정을 육성함으로써, 원하는 농도의 탄소가 도프된 실리콘 단결정을 제조한다. 이 경우도 탄소분말을 봉입한 유기화합물 봉지를 실리콘웨이퍼 사이에 끼워 석영도가니 안에 충전할 수도 있고, 이 방법으로 탄소분말 등의 비산을 보다 확실하게 방지할 수도 있다.
또한, 여기에서는 폴리에틸렌이나 비닐계 폴리머 등의 탄소 및 수소, 또는 탄소, 수소 및 산소로 이루어진 유기화합물을 이용하여 탄소를 도프한 실리콘 단결정의 제조방법을 설명하였지만, 본 발명에서는 유기화합물로서 나일론 등의 탄소와 질소를 주 구성원소로 포함하는 것을 사용할 수 있다. 이 경우, 원료 용융시에 탄소 외에도 질소가 원료융액 중에 용입되기 때문에, 이와 같은 원료 융액에서 결정을 인상하면 탄소에 더해 질소도 도프된 실리콘 단결정을 얻을 수 있다. 이로 인해, 탄소 및 질소를 매우 용이하게 도프할 수 있고, 저가로 고순도인 탄소 및 질소도프 실리콘 단결정을 제조할 수 있게 된다.
(실시예1)
구경18인치(450mm)인 석영 도가니 내에 직동 100cm에서 실리콘 단결정 중의 탄소농도가 3×1016(atoms/cc New ASTM)가 되는 양의 폴리에틸렌을 2장의 케미컬 에치드 실리콘웨이퍼에 끼우고, 실리콘 다결정 원료를 70kg, 저항 조정용 붕소 도펀트와 함께 충전하였다. 이것들을 용융한 후, 직경150mm, 직동 길이100cm인 탄소도프 P형 실리콘 단결정을 육성하였다. 이와 같은 실리콘 단결정을 5개 제조하고, 각 각 직동100cm의 위치에서 웨이퍼 형태의 샘플을 채취하고, 탄소농도 및 라이프 타임을 측정하였다.
그 결과, 표1에 나타낸 바와 같이, 탄소농도의 평균은 3.06×1016(atoms/cc New ASTM), 표준편차σ는 0.20이었다. 또한 라이프 타임의 평균값은 582(μsec), 표준편차σ는 38이었다.
실시예1 실시예2 비교예
카본농도 평균값
(×1016atoms/cc New ASTM)		 3.06 3.01 2.82
σ 0.20 0.12 0.32
라이프타임 평균값
(μsec)		 582 580 560
σ 38 45 44
(실시예2)
고순도 탄소분말을 2장의 케미컬 에치드 실리콘웨이퍼에 끼우고, 이것을 탄소도프제로 하여 석영 도가니 내에 충전한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 조건에서 5개의 P형 실리콘 단결정을 제조하였다. 고순도 탄소분말로는 순도>99.99%, 회분<0.01%, 입경1-100㎛인 탄소분말을 사용하였다. 이들 실리콘단결정의 직동 100cm의 위치에서 각각 웨이퍼 형태의 샘플을 채취하고, 탄소농도 및 라이프 타임을 측정하였다.
그 결과, 표1에 나타낸 바와 같이, 탄소농도의 평균은 3.01×1016(atoms/cc New ASTM)이고, 표준편차σ는 0.12이었다. 또한 라이프 타임의 평균값은 580(μsec), 표준편차σ는 45이었다.
(비교예1)
실시예 2와 동일한 고순도 탄소분말을 웨이퍼에 끼우지 않고 직접 실리콘 다결정 원료와 함께 석영 도가니 안에 충전한 것을 제외하고는, 실시예1 및 2와 동일한 조건으로 5개의 P형 실리콘 단결정을 제조하였다. 이들 실리콘단결정의 직동 100cm의 위치에서 각각 웨이퍼 형태의 샘플을 채취하고, 탄소농도 및 라이프 타임을 측정하였다.
그 결과, 표1에 나타낸 바와 같이, 탄소농도의 평균은 2.82×1016(atoms/cc New ASTM), 표준편차σ는 0.32이었다. 또한 라이프 타임의 평균값은 560(μsec), 표준편차σ는 44이었다.
실시예1 및 2에서는 목표치와 거의 같은 탄소농도가 되고, 또한 5개의 샘플 내에서의 탄소농도의 편차가 작았다. 한편 비교예1에서는 5개의 샘플에서의 탄소농도 평균값이 실시예보다 작아지고, 편차가 실시예보다도 커졌다. 뿐만 아니라, 비교예에서는 결정의 흐트러짐이 많고, 단결정의 제조시간이 실시예보다 평균하여 약30% 많게 요구되었다.
이와 같이, 본 발명의 제조방법을 이용하면, 원하는 탄소농도의 실리콘단결정을 안정하게 얻을 수 있는 것을 알 수 있다.
(실시예3)
구경 32인치(800mm)인 석영 도가니 내에 실리콘 다결정 원료를 360kg과 실시예2과 동일한 고순도 탄소분말을 케미컬 에치드 실리콘웨이퍼에 끼워 석영 도가니 내에 충전하였다. 이때 직동 140cm에서 실리콘 중의 탄소농도가 6×1016(atoms/cc New ASTM)가 되도록 계산하여 탄소 분말량을 조정하였다. 또한 저항조정용 붕소 도펀트도 충전하고, 히터를 사용하여 가열하여 원료를 용융하였다. 그리고, MCZ(Magnetic field applied czochralski)법을 이용하여, 중심자기장 강도 3000G인 수평 자기장을 인가하면서, 직경 300mm, 직동 길이 140cm인 P형 실리콘 단결정을 육성하였다. 그 다음 직동140cm의 위치에서 웨이퍼 형태의 샘플을 채취하여 탄소농도를 측정한 결과, 탄소농도는 6×1016(atoms/cc New ASTM)이 되었다.
이와 같이, 본 발명의 제조방법을 이용하면, 인상결정의 직경이나 자기장의 인가 유무에 관계없이, 목적으로 하는 탄소농도로 제어할 수 있다.
(실시예4)
탄소 도프제로서 나일론을 이용하여 2장의 케미컬 에치드 실리콘 웨이퍼에 끼워 석영 도가니 내에 충전한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 조건에서 직경 150mm, 직동 길이 100cm인 P형 실리콘 단결정을 육성하였다. 그 다음 직동100cm의 위치에서 웨이퍼 형태의 샘플을 채취하여 탄소농도를 측정한 결과, 탄소농도는 3×1016(atoms/cc New ASTM)이었다. 이와 같이, 주 구성원소에 탄소와 질소를 포함하는 나일론을 탄소도프제로 사용함으로써, 탄소와 질소를 도프한 실시콘 단결정을 제조할 수 있었다.
또한, 상기에서는 유기화합물 또는 탄소분말을 실리콘웨이퍼 사이에 끼워 석영 도가니 내에 충전하는 경우를 예로서 들었지만, 유기화합물만, 또는 탄소분말을 봉입한 봉지 형태의 유기화합물을 석영 도가니 내에 충전하였을 경우도 상기와 거의 같이 안정하게 탄소 도프 실리콘 단결정을 제조할 수 있었다.
또한, 본 발명은 상기 실시 형태에 한정되는 것은 아니다. 상기 실시형태는 예시이고, 본 발명의 특허청구범위에 기재된 기술적 사상과 실질적으로 동일한 구성을 갖고, 동일한 작용효과를 나타내는 것은 어떠한 것이라도 본 발명의 기술범위에 포함된다. 예를 들어, 본 발명은 제조되는 실리콘 단결정의 결정방위, 도전형, 저항률 등에 한정되지 않고 적용될 수 있다.

Claims (19)

  1. 삭제
  2. 쵸크랄스키법에 의해 탄소를 도프하여 실리콘 단결정을 제조하는 방법에 있어서, 유기화합물, 유기화합물 및 실리콘웨이퍼, 탄소분말 및 실리콘웨이퍼, 유기화합물 및 탄소분말, 유기화합물과 탄소분말 및 실리콘웨이퍼 중에서 선택되는 어느 하나의 탄소 도프제를 여러 장의 실리콘웨이퍼 사이에 유기화합물 및/또는 탄소분말을 끼운 형태로 실리콘 다결정원료와 함께 도가니 내에 충전하여 용융한 후, 상기 용융하여 얻은 융액에서 실리콘 단결정을 육성하는 것을 특징으로 하는 탄소 도프 실리콘 단결정의 제조방법.
  3. 쵸크랄스키법에 의해 탄소를 도프하여 실리콘 단결정을 제조하는 방법에 있어서, 유기화합물 및 탄소분말 또는 유기화합물과 탄소분말 및 실리콘웨이퍼로 구성된 탄소 도프제를 봉지 형태의 유기화합물 중에 탄소분말을 봉입한 형태로, 실리콘 다결정원료와 함께 도가니 내에 충전하여 용융한 후, 상기 용융하여 얻은 융액에서 실리콘 단결정을 육성하는 것을 특징으로 하는 탄소 도프 실리콘 단결정의 제조방법.
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 제2항에 있어서,
    상기 유기화합물로서, 탄소-수소계, 또는 탄소-수소-산소계로 이루어진 것을 사용하는 것을 특징으로 하는 탄소 도프 실리콘 단결정의 제조방법.
  7. 제3항에 있어서,
    상기 유기화합물로서, 탄소-수소계, 또는 탄소-수소-산소계로 이루어진 것을 사용하는 것을 특징으로 하는 탄소 도프 실리콘 단결정의 제조방법.
  8. 삭제
  9. 삭제
  10. 제2항에 있어서,
    상기 유기화합물로서, 탄소-질소계를 포함하는 것을 사용하고, 탄소에 더해 질소를 도프하는 것을 특징으로 하는 탄소 도프 실리콘 단결정의 제조방법.
  11. 제3항에 있어서,
    상기 유기화합물로서, 탄소-질소계를 포함하는 것을 사용하고, 탄소에 더해 질소를 도프하는 것을 특징으로 하는 탄소 도프 실리콘 단결정의 제조방법.
  12. 삭제
  13. 삭제
  14. 삭제
  15. 삭제
  16. 삭제
  17. 제2항, 제3항, 제6항, 제7항, 제10항 및 제11항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 유기화합물로서, 폴리에틸렌, 비닐계 폴리머, 나일론 중 어느 하나 이상을 사용하는 것을 특징으로 하는 탄소 도프 실리콘 단결정의 제조방법.
  18. 삭제
  19. 삭제
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