JP2785585B2 - シリコン単結晶の製造方法 - Google Patents
シリコン単結晶の製造方法Info
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- JP2785585B2 JP2785585B2 JP4128062A JP12806292A JP2785585B2 JP 2785585 B2 JP2785585 B2 JP 2785585B2 JP 4128062 A JP4128062 A JP 4128062A JP 12806292 A JP12806292 A JP 12806292A JP 2785585 B2 JP2785585 B2 JP 2785585B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はチョクラルスキー（Ｃ
Ｚ）法によりシリコン単結晶を製造する方法に関し、特
に、単結晶に発生するセコエッチピットの発生を抑制す
ることのできるシリコン単結晶製造方法に関する。
Ｚ）法によりシリコン単結晶を製造する方法に関し、特
に、単結晶に発生するセコエッチピットの発生を抑制す
ることのできるシリコン単結晶製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】シリコンウェーハに発生するセコエッチ
ピットはデバイスの電気的特性とりわけ酸化膜耐圧を低
下させることが知られている。かかるセコエッチピット
の発生を防止する方法は、すでに幾つか提案されてい
る。
ピットはデバイスの電気的特性とりわけ酸化膜耐圧を低
下させることが知られている。かかるセコエッチピット
の発生を防止する方法は、すでに幾つか提案されてい
る。
【０００３】それらの方法の一つとして、セコエッチピ
ットの原因となる単結晶成長プロセス中の結晶欠陥の導
入を抑制すべく、単結晶の引上げ速度を従来よりも低速
（約０.４ｍｍ／ｍｉｎ）で行う方法がある。
ットの原因となる単結晶成長プロセス中の結晶欠陥の導
入を抑制すべく、単結晶の引上げ速度を従来よりも低速
（約０.４ｍｍ／ｍｉｎ）で行う方法がある。
【０００４】他の方法としては、シリコンウエーハ内部
に格子間酸素等を析出させてゲッタリング源として、欠
陥を取り込む技術がある。
に格子間酸素等を析出させてゲッタリング源として、欠
陥を取り込む技術がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、単結晶の引上
げ速度を従来よりも低速で行う前者の方法は、生産性の
著しい低下を招き実用的でなく、また、シリコンウエー
ハ内部にゲッタリング源として欠陥を取り込む後者の方
法は、１０００℃以上の熱処理工程を必要とし、生産工
程が複雑化して好ましくない。
げ速度を従来よりも低速で行う前者の方法は、生産性の
著しい低下を招き実用的でなく、また、シリコンウエー
ハ内部にゲッタリング源として欠陥を取り込む後者の方
法は、１０００℃以上の熱処理工程を必要とし、生産工
程が複雑化して好ましくない。
【０００６】本発明は上記問題点を解決するものであ
り、極めて簡単な手段でセコエッチピットの発生を効果
的に抑制することのできるシリコン単結晶製造方法を提
供することを目的としている。
り、極めて簡単な手段でセコエッチピットの発生を効果
的に抑制することのできるシリコン単結晶製造方法を提
供することを目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に請求項１に係る本発明のシリコン単結晶製造方法で
は、ＣＺ法によるシリコン単結晶の製造工程において、
窒素濃度を管理したＦＺシリコン結晶を原料シリコンに
添加して単結晶引き上げを行い、セコエッチピットの発
生数をコントロールすることを特徴としている。
に請求項１に係る本発明のシリコン単結晶製造方法で
は、ＣＺ法によるシリコン単結晶の製造工程において、
窒素濃度を管理したＦＺシリコン結晶を原料シリコンに
添加して単結晶引き上げを行い、セコエッチピットの発
生数をコントロールすることを特徴としている。
【０００８】さらに、請求項２に係る本発明のシリコン
単結晶製造方法では、ＣＺ法によるシリコン単結晶の製
造工程において、表面に窒化珪素膜を形成したウエーハ
を原料シリコンに混入することにより原料シリコンに窒
素を添加し、セコエッチピットの発生数をコントロール
するようにしている。
単結晶製造方法では、ＣＺ法によるシリコン単結晶の製
造工程において、表面に窒化珪素膜を形成したウエーハ
を原料シリコンに混入することにより原料シリコンに窒
素を添加し、セコエッチピットの発生数をコントロール
するようにしている。
【０００９】
【作用】上記手段からなる本発明のうち請求項１に係る
ものにおいては、原料シリコン中に添加した窒素が点欠
陥の一種である空孔と相互に作用又は結合してクラスタ
ーの生成を抑制する。従って、空孔が関与したクラスタ
ーからなると考えられているセコエッチピットの発生が
抑制される。
ものにおいては、原料シリコン中に添加した窒素が点欠
陥の一種である空孔と相互に作用又は結合してクラスタ
ーの生成を抑制する。従って、空孔が関与したクラスタ
ーからなると考えられているセコエッチピットの発生が
抑制される。
【００１０】また、本発明のうち請求項２に係るものに
おいては、原料シリコンに窒化珪素膜を形成したウエー
ハを混入して溶融シリコン中に窒素を混入する。この溶
融シリコン中から単結晶を引上げることにより単結晶中
に窒素原子が容易に導入される。
おいては、原料シリコンに窒化珪素膜を形成したウエー
ハを混入して溶融シリコン中に窒素を混入する。この溶
融シリコン中から単結晶を引上げることにより単結晶中
に窒素原子が容易に導入される。
【００１１】通常のアルゴンガス中のＦＺ結晶の工程に
おいて、その初期に窒素（Ｎ2 ）ガスを適当量、アルゴ
ンガス雰囲気中に混入させることによって、ＦＺ結晶全
長に亘って均一に窒素をドープしたものが容易に得られ
る。窒素濃度としては１×１０14 〜１×１０16 個／ｃ
ｍ3 のものが調整される。前記窒素ガスの混入量は、そ
の流量および時間で決めるが、得られるＦＺ単結晶棒中
の窒素濃度は目標値の±１０％に管理することができ、
かかる管理されたＦＺ結晶の適当量をＣＺ法原料シリコ
ンに添加することによって、定量的に引上げ単結晶用シ
リコン融液中の窒素濃度を制御できる。しかし、かかる
シリコン融液中の窒素濃度制御は他の方法でも可能であ
る。
おいて、その初期に窒素（Ｎ2 ）ガスを適当量、アルゴ
ンガス雰囲気中に混入させることによって、ＦＺ結晶全
長に亘って均一に窒素をドープしたものが容易に得られ
る。窒素濃度としては１×１０14 〜１×１０16 個／ｃ
ｍ3 のものが調整される。前記窒素ガスの混入量は、そ
の流量および時間で決めるが、得られるＦＺ単結晶棒中
の窒素濃度は目標値の±１０％に管理することができ、
かかる管理されたＦＺ結晶の適当量をＣＺ法原料シリコ
ンに添加することによって、定量的に引上げ単結晶用シ
リコン融液中の窒素濃度を制御できる。しかし、かかる
シリコン融液中の窒素濃度制御は他の方法でも可能であ
る。
【００１２】
【実施例】以下、本発明のシリコン単結晶製造方法のい
くつかの実施例を説明する。
くつかの実施例を説明する。
【００１３】まず、第１の実施例について説明する。こ
の実施例は、窒素をドープして製造したＦＺ結晶を窒素
添加用原料として用いることにより、ＣＺ結晶に窒素の
導入を行うものである。つまり、窒素をドープして製造
したＦＺ結晶を小塊に砕き、これを石英るつぼ内であら
かじめ溶融させて形成したシリコン融液中に所定量添加
し、次いで種結晶を浸し、石英るつぼと種結晶を同方向
あるいは逆方向に回転させつつ当該種結晶を引き上げて
ＣＺ結晶に窒素の導入を行うものであるが、本実施例で
は、引上げ速度を１ｍｍ／ｍｉｎにし、ボロンドーパン
トを加え、石英るつぼと種結晶とを逆方向に回転させ
た。
の実施例は、窒素をドープして製造したＦＺ結晶を窒素
添加用原料として用いることにより、ＣＺ結晶に窒素の
導入を行うものである。つまり、窒素をドープして製造
したＦＺ結晶を小塊に砕き、これを石英るつぼ内であら
かじめ溶融させて形成したシリコン融液中に所定量添加
し、次いで種結晶を浸し、石英るつぼと種結晶を同方向
あるいは逆方向に回転させつつ当該種結晶を引き上げて
ＣＺ結晶に窒素の導入を行うものであるが、本実施例で
は、引上げ速度を１ｍｍ／ｍｉｎにし、ボロンドーパン
トを加え、石英るつぼと種結晶とを逆方向に回転させ
た。
【００１４】なお、通常１×１０14 〜１×１０16 個／
ｃｍ3 程度の窒素濃度となるように製造管理されたＦＺ
結晶を原料として用いるが、この実施例ではＦＺ結晶の
窒素濃度が１×１０16 個／ｃｍ3 程度になっているも
のを用いた。
ｃｍ3 程度の窒素濃度となるように製造管理されたＦＺ
結晶を原料として用いるが、この実施例ではＦＺ結晶の
窒素濃度が１×１０16 個／ｃｍ3 程度になっているも
のを用いた。
【００１５】シリコン単結晶中に導入される窒素原子の
濃度を試算すると次の通りである。本実施例により上述
の原料を４５ｋｇ準備して６インチ［１００］結晶の引
上げを行った。この場合、固体原料のバルク中に含まれ
ていた窒素原子は原料の溶融にともない一部は蒸発する
が、大部分はメルト中に残留し、偏析現象を経てＣＺ単
結晶中に取り込まれると考えられる。従って、原料中の
窒素濃度（１×１０16）と窒素の偏析係数（７×１０-4
）とから１×１０16 ×７×１０-4 ＝７×１０12 個／
ｃｍ3 程度の窒素原子がＣＺ単結晶中に含まれる。
濃度を試算すると次の通りである。本実施例により上述
の原料を４５ｋｇ準備して６インチ［１００］結晶の引
上げを行った。この場合、固体原料のバルク中に含まれ
ていた窒素原子は原料の溶融にともない一部は蒸発する
が、大部分はメルト中に残留し、偏析現象を経てＣＺ単
結晶中に取り込まれると考えられる。従って、原料中の
窒素濃度（１×１０16）と窒素の偏析係数（７×１０-4
）とから１×１０16 ×７×１０-4 ＝７×１０12 個／
ｃｍ3 程度の窒素原子がＣＺ単結晶中に含まれる。
【００１６】以上説明した条件に従い実際にＣＺ法によ
りシリコン単結晶の引上げをおこなったところ、従来１
５００個／ｃｍ2 程度の密度で発生していたセコエッチ
ピットが約７００個／ｃｍ2 以下にまで減少することが
確認された。
りシリコン単結晶の引上げをおこなったところ、従来１
５００個／ｃｍ2 程度の密度で発生していたセコエッチ
ピットが約７００個／ｃｍ2 以下にまで減少することが
確認された。
【００１７】次に、第２の実施例について説明する。こ
の実施例は多結晶シリコンの溶融工程を窒素雰囲気中で
行うことにより原料シリコン中に窒素を添加するもので
ある。つまり、原料シリコン（多結晶シリコン）の溶融
工程の初期段階でアルゴンガス中に小量の窒素ガスを混
入してそれを原料シリコンに向けて流すことにより、多
結晶シリコン表面に一旦窒化珪素膜が生成し、しかる後
に窒化珪素膜が融液シリコン中に溶解する。本実施例で
は、２リットル／ｍｉｎの窒素ガスをアルゴンガス中に
混入して溶融初期の１０分間流した使用した。
の実施例は多結晶シリコンの溶融工程を窒素雰囲気中で
行うことにより原料シリコン中に窒素を添加するもので
ある。つまり、原料シリコン（多結晶シリコン）の溶融
工程の初期段階でアルゴンガス中に小量の窒素ガスを混
入してそれを原料シリコンに向けて流すことにより、多
結晶シリコン表面に一旦窒化珪素膜が生成し、しかる後
に窒化珪素膜が融液シリコン中に溶解する。本実施例で
は、２リットル／ｍｉｎの窒素ガスをアルゴンガス中に
混入して溶融初期の１０分間流した使用した。
【００１８】この場合には、引き上げられたＣＺ単結晶
中には４×１０14 個／cm 3の密度で窒素原子が含まれ
ることになる。次に、この点について詳しく説明する。
中には４×１０14 個／cm 3の密度で窒素原子が含まれ
ることになる。次に、この点について詳しく説明する。
【００１９】ＦＺ結晶にあっては、窒素の添加を行って
いるが、４インチの窒素ドープＦＺ結晶のコーン形成時
に、Ｎ2 ガスを４００ｃｃ／ｍｉｎ、４０分間（計１６
リットル）流すことにより、４×１０15 個／cm3 のＮ
原子がドープされることが実験的に確かめられている。
いるが、４インチの窒素ドープＦＺ結晶のコーン形成時
に、Ｎ2 ガスを４００ｃｃ／ｍｉｎ、４０分間（計１６
リットル）流すことにより、４×１０15 個／cm3 のＮ
原子がドープされることが実験的に確かめられている。
【００２０】これを参考に、ＣＺ単結晶中の窒素濃度を
試算する。
試算する。
【００２１】ＣＺ法の成長は自然凝固の一形態なので、
成長方向の不純物分布Ｃｓは次式で表される。 Ｃｓ＝ｋＣ0 （１−ｌ）k-1 ここで、ｋは偏析係数であって窒素の偏析係数は７×１
０-4 と小さい。なお、Ｃ0 は初期不純物濃度であり、
ｌは固化率である。よって、固化率を９０パーセントで
ＣＺ残湯中の窒素濃度はスタート時の肩の部分とテール
の部分とを比較すれば、テールの部分では１桁濃縮され
ることになる。
成長方向の不純物分布Ｃｓは次式で表される。 Ｃｓ＝ｋＣ0 （１−ｌ）k-1 ここで、ｋは偏析係数であって窒素の偏析係数は７×１
０-4 と小さい。なお、Ｃ0 は初期不純物濃度であり、
ｌは固化率である。よって、固化率を９０パーセントで
ＣＺ残湯中の窒素濃度はスタート時の肩の部分とテール
の部分とを比較すれば、テールの部分では１桁濃縮され
ることになる。
【００２２】したがって、ＣＺシリコンメルト量を４５
ｋｇとし、先ほどのＦＺ結晶の４インチメルト体積を１
５５ｃｍ3 とした場合、テールの部分で４×１０15 個
／cm3のＮ原子をドープするのに必要なＮ2 ガス流量
は、 （１６／１５５）×（４５０００／２．３３）×（１／１０）＝１９９．４ となる。なお、ここで、２．３３はシリコンの比重であ
る。その結果、２リットル／ｍｉｎの窒素ガスをアルゴ
ンガス中に混入して溶融初期の１０分間流すとすれば、
テールの部分で４×１０14 個／cm 3 のＮ原子のドープ
が行えることになる。
ｋｇとし、先ほどのＦＺ結晶の４インチメルト体積を１
５５ｃｍ3 とした場合、テールの部分で４×１０15 個
／cm3のＮ原子をドープするのに必要なＮ2 ガス流量
は、 （１６／１５５）×（４５０００／２．３３）×（１／１０）＝１９９．４ となる。なお、ここで、２．３３はシリコンの比重であ
る。その結果、２リットル／ｍｉｎの窒素ガスをアルゴ
ンガス中に混入して溶融初期の１０分間流すとすれば、
テールの部分で４×１０14 個／cm 3 のＮ原子のドープ
が行えることになる。
【００２３】以上説明した条件に従い実際にＣＺ法によ
りシリコン単結晶の引上げをおこなったところ、セコエ
ッチピットが約３００個／ｃｍ2 以下にまで減少するこ
とが確認された。
りシリコン単結晶の引上げをおこなったところ、セコエ
ッチピットが約３００個／ｃｍ2 以下にまで減少するこ
とが確認された。
【００２４】次に、第３の実施例について説明する。こ
の実施例は表面に窒化珪素膜を形成したウエーハを原料
シリコンに混入することにより窒素の添加を行うもので
ある。つまり、ＣＶＤ法により５インチ径のシリコンウ
エーハ片面に窒化珪素膜を成長させ、これをＣＺ法の原
料の多結晶シリコン原料５０ｋｇに対して２０枚混入し
た。ここで使用したウエーハ表面には片面当たり厚さ
０．５μｍの窒化珪素膜が生成しており、ウエーハ一枚
の重量は約３０．４ｇである。なお、ＣＶＤ法で成長し
た窒化珪素膜はアモルファス状になっており正確な構造
は不明だが、その大半はＳｉ3Ｎ4 であると考えられ
る。
の実施例は表面に窒化珪素膜を形成したウエーハを原料
シリコンに混入することにより窒素の添加を行うもので
ある。つまり、ＣＶＤ法により５インチ径のシリコンウ
エーハ片面に窒化珪素膜を成長させ、これをＣＺ法の原
料の多結晶シリコン原料５０ｋｇに対して２０枚混入し
た。ここで使用したウエーハ表面には片面当たり厚さ
０．５μｍの窒化珪素膜が生成しており、ウエーハ一枚
の重量は約３０．４ｇである。なお、ＣＶＤ法で成長し
た窒化珪素膜はアモルファス状になっており正確な構造
は不明だが、その大半はＳｉ3Ｎ4 であると考えられ
る。
【００２５】続いて、本実施例によりシリコン単結晶中
に導入される窒素原子の濃度を試算すると次の通りであ
る。すなわち、ウエーハ表面の窒化珪素を全てＳｉ3Ｎ4
として計算すると、窒化珪素の体積はウエーハの表面
積（１２２．７ｃｍ2）と窒化珪素膜の厚さ（０．５μ
ｍ）とから２．４５×１０-1cm3 であり、Ｓｉ3Ｎ4分子
は３．３５×１０21 個含まれ、従ってＮ原子の数は
１．３４×１０22 個となる。このウエーハを多結晶シ
リコン原料５０kg当たり２０枚混入した場合の融液シリ
コン中の窒素濃度は、１．３４×１０22 ÷（５×１０4
÷２．３３）＝６．２４×１０17 個／cm3 となる。こ
こで窒素の偏析係数は７×１０-4 であるから、引上げ
後のＣＺ単結晶中の窒素濃度は６．２４×１０17 ×７
×１０-4 ＝４．７３×１０14 個／cm3 である。
に導入される窒素原子の濃度を試算すると次の通りであ
る。すなわち、ウエーハ表面の窒化珪素を全てＳｉ3Ｎ4
として計算すると、窒化珪素の体積はウエーハの表面
積（１２２．７ｃｍ2）と窒化珪素膜の厚さ（０．５μ
ｍ）とから２．４５×１０-1cm3 であり、Ｓｉ3Ｎ4分子
は３．３５×１０21 個含まれ、従ってＮ原子の数は
１．３４×１０22 個となる。このウエーハを多結晶シ
リコン原料５０kg当たり２０枚混入した場合の融液シリ
コン中の窒素濃度は、１．３４×１０22 ÷（５×１０4
÷２．３３）＝６．２４×１０17 個／cm3 となる。こ
こで窒素の偏析係数は７×１０-4 であるから、引上げ
後のＣＺ単結晶中の窒素濃度は６．２４×１０17 ×７
×１０-4 ＝４．７３×１０14 個／cm3 である。
【００２６】以上説明した条件に従い実際にＣＺ法によ
りシリコン単結晶の引上げをおこなったところ、セコエ
ッチピットが約３００個／ｃｍ2 以下にまで減少するこ
とが確認された。
りシリコン単結晶の引上げをおこなったところ、セコエ
ッチピットが約３００個／ｃｍ2 以下にまで減少するこ
とが確認された。
【００２７】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、原料シリ
コンに窒素を添加して単結晶引き上げを行うという、極
めて簡単な方法でシリコン単結晶内部に発生するセコエ
ッチピットの発生を効果的に抑制することのできる効果
がある。
コンに窒素を添加して単結晶引き上げを行うという、極
めて簡単な方法でシリコン単結晶内部に発生するセコエ
ッチピットの発生を効果的に抑制することのできる効果
がある。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 布施川 泉 群馬県安中市磯部２丁目13番１号 信越 半導体株式会社 半導体研究所内 (72)発明者 木村 雅規 群馬県安中市磯部２丁目13番１号 信越 半導体株式会社 半導体研究所内 (72)発明者 山岸 浩利 群馬県安中市磯部２丁目13番１号 信越 半導体株式会社 半導体研究所内 (56)参考文献 特開 昭61−17495（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−17497（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−251190（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) C30B 1/00 - 35/00 H01L 21/208
Claims (2)
- 【請求項１】ＣＺ法によるシリコン単結晶の製造工程に
おいて、窒素濃度を管理したＦＺシリコン結晶を原料シ
リコンに添加して単結晶引き上げを行い、セコエッチピ
ットの発生数をコントロールすることを特徴とするシリ
コン単結晶の製造方法。 - 【請求項２】ＣＺ法によるシリコン単結晶の製造工程に
おいて、表面に窒化珪素膜を形成したウエーハを原料シ
リコンに混入することにより原料シリコンに窒素を添加
し、セコエッチピットの発生数をコントロールすること
を特徴とするシリコン単結晶の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4128062A JP2785585B2 (ja) | 1992-04-21 | 1992-04-21 | シリコン単結晶の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4128062A JP2785585B2 (ja) | 1992-04-21 | 1992-04-21 | シリコン単結晶の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05294780A JPH05294780A (ja) | 1993-11-09 |
| JP2785585B2 true JP2785585B2 (ja) | 1998-08-13 |
Family
ID=14975535
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4128062A Expired - Lifetime JP2785585B2 (ja) | 1992-04-21 | 1992-04-21 | シリコン単結晶の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2785585B2 (ja) |
Families Citing this family (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19637182A1 (de) * | 1996-09-12 | 1998-03-19 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Verfahren zur Herstellung von Halbleiterscheiben aus Silicium mit geringer Defektdichte |
| JP3353681B2 (ja) | 1997-12-26 | 2002-12-03 | 三菱住友シリコン株式会社 | シリコンウエーハ及び結晶育成方法 |
| TW589415B (en) * | 1998-03-09 | 2004-06-01 | Shinetsu Handotai Kk | Method for producing silicon single crystal wafer and silicon single crystal wafer |
| TW508378B (en) * | 1998-03-09 | 2002-11-01 | Shinetsu Handotai Kk | A method for producing a silicon single crystal wafer and a silicon single crystal wafer |
| KR100541882B1 (ko) | 1998-05-01 | 2006-01-16 | 왁커 엔에스씨이 코포레이션 | 실리콘 반도체 기판 및 그의 제조 방법 |
| EP0959154B1 (en) * | 1998-05-22 | 2010-04-21 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd | A method for producing an epitaxial silicon single crystal wafer and the epitaxial single crystal wafer |
| US6224668B1 (en) * | 1998-06-02 | 2001-05-01 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method for producing SOI substrate and SOI substrate |
| US6291874B1 (en) * | 1998-06-02 | 2001-09-18 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method for producing silicon single crystal wafer for particle monitoring and silicon single crystal wafer for particle monitoring |
| JP3255114B2 (ja) * | 1998-06-18 | 2002-02-12 | 信越半導体株式会社 | 窒素ドープした低欠陥シリコン単結晶の製造方法 |
| US6059875A (en) * | 1999-01-11 | 2000-05-09 | Seh America, Inc. | Method of effecting nitrogen doping in Czochralski grown silicon crystal |
| JP3988307B2 (ja) | 1999-03-26 | 2007-10-10 | 株式会社Ｓｕｍｃｏ | シリコン単結晶、シリコンウェーハ及びエピタキシャルウェーハ |
| US20020142170A1 (en) | 1999-07-28 | 2002-10-03 | Sumitomo Metal Industries, Ltd. | Silicon single crystal, silicon wafer, and epitaxial wafer |
| DE19936838A1 (de) * | 1999-08-05 | 2001-02-15 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Verfahren zur Herstellung eines mit Stickstoff dotierten Einkristalls |
| JP3589119B2 (ja) | 1999-10-07 | 2004-11-17 | 三菱住友シリコン株式会社 | エピタキシャルウェーハの製造方法 |
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-
1992
- 1992-04-21 JP JP4128062A patent/JP2785585B2/ja not_active Expired - Lifetime
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